KR20230150693A

KR20230150693A - 전자 장치 및 그의 충전 제어 방법

Info

Publication number: KR20230150693A
Application number: KR1020220059541A
Authority: KR
Inventors: 김경원
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2022-04-22
Filing date: 2022-05-16
Publication date: 2023-10-31

Abstract

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 적어도 하나의 핀을 포함하는 커넥터, 상기 적어도 하나의 핀 중 지정된 핀을 통해 송수신되는 데이터를 지정된 시그널링 기법(signaling scheme)에 기초하여 변환하는 데이터 변환 회로, 배터리, 프로세서, 및 인스트럭션들(instructions)을 저장하는 메모리를 포함하고, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 커넥터에 기반하여, 외부 전자 장치와의 연결을 식별하고, 상기 연결이 식별됨에 기반하여, 상기 전자 장치가 소스(source) 장치인지 또는 싱크(sink) 장치인지 결정하고, 상기 전자 장치가 상기 싱크 장치로 결정됨에 기반하여, 상기 배터리의 전압과 지정된 전압 범위를 비교하고, 상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위를 벗어남에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 상기 외부 전자 장치로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하고, 상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위 이내임에 기초하여, 상기 커넥터의 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하고, 상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제1 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 변환하고, 상기 제2 데이터에 기초하여 제2 전압을 설정하고, 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 전압에 기반한 전력을 획득하고, 상기 획득된 전력에 기초하여 상기 배터리를 충전하도록 구성될 수 있다.

Description

전자 장치 및 그의 충전 제어 방법{ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING A CHARGING THEREOF}

본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치 및 그의 충전 제어 방법에 관한 것이다.

최근 전자 기술의 발달에 따라 스마트폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 또는 웨어러블 기기(wearable device)와 같은 다양한 휴대용 전자 장치들이 보급되고 있다.

휴대용 전자 장치는 배터리를 포함하며, 다양한 방식으로 배터리를 충전할 수 있다. 일례로, 휴대용 전자 장치는 배터리를 유선 충전 또는 무선 충전 방식으로 충전할 수 있다. 또 다른 예로, 휴대용 전자 장치는 다양한 속도(예: 일반적인 충전 전압(예: 5V(voltage)), 또는 높은 충전 전압(예: 9, 12, 15, 또는 20V))으로 배터리를 충전할 수 있다.

휴대용 전자 장치는 전력 전달을 위해 외부 장치(예: 충전 장치, 다른 전자 장치 등)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 휴대용 전자 장치는 USB(universal serial bus) 인터페이스를 통해 외부 장치와 연결되고, 외부 장치에게 전력을 전달하거나 또는 외부 장치로부터 전력을 전달받을 수 있다.

휴대용 전자 장치는 USB 표준에 정의된 방식(예: USB PD(power delivery))에 기초하여 일반적인 충전 전압, 또는 높은 충전 전압으로 배터리를 충전할 수 있다. 예컨대, 전자 장치는 PD 통신을 통해 설정된 전압 및/또는 전류에 기초하여 외부 장치(예: 충전기)로부터 전달되는 전력을 이용하여 배터리를 충전할 수 있다.

전자 장치의 배터리가 방전된 경우 PD 통신을 통한 외부 장치로부터 전자 장치로의 전력 전달이 충분하지 않을 수 있다. 이 경우 전자 장치의 구성 요소의 전압이 떨어짐에 따라 하드 리셋(hard reset) 메시지에 의해 전자 장치의 충전이 중단될 수 있다. 여기서, 하드 리셋은 전자 장치와 충전기 간의 PD 통신이 제때 이루어지지 않아 전자 장치 또는 외부 장치가 PD 통신을 리셋하는 상황을 지칭할 수 있다.

또한, 전자 장치 또는 충전기에서 발생하는 메시지(예: 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋(soft reset) 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 또는 Alert 메시지)에 의해 PD 통신이 끊길 수 있다. 이에 따라 전자 장치의 충전이 중단될 수 있다.

또한, 고전압에 의한 고속 충전을 수행할 필요가 없는 경우 전자 장치가 충전기와 PD 통신을 수행함으로써 전자 장치에 불필요한 전류 소모가 발생하였다. 여기에서, 고전압에 의한 고속 충전을 수행할 필요가 없는 경우는 전자 장치의 배터리가 만충된(full-charged) 경우, 충전기가 전자 장치의 PD 통신에 필요한 PDO(power data object)를 보유하고 있지 않을 경우, 및/또는 배터리 온도 제어로 인해 충전 전력이 낮아지는 경우를 의미할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 전자 장치의 커넥터에 기반하여, 외부 전자 장치와의 연결을 식별하는 동작, 상기 연결이 식별됨에 기반하여, 상기 전자 장치가 소스(source) 장치인지 또는 싱크(sink) 장치인지 결정하는 동작, 상기 전자 장치가 싱크 장치로 결정됨에 기반하여, 상기 전자 장치의 배터리의 전압과 지정된 전압 범위를 비교하는 동작, 상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위를 벗어남에 기초하여, 상기 전자 장치의 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 상기 외부 전자 장치로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작, 상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위 이내임에 기초하여, 상기 커넥터의 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하는 동작, 상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제1 데이터를 지정된 시그널링 기법에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 변환하는 동작, 상기 제2 데이터에 기초하여 제2 전압을 설정하는 동작, 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작, 및 상기 획득된 전력에 기초하여 상기 전자 장치의 배터리를 충전하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치는 PD 통신을 선택적으로 수행함에 따라 충전이 끊기지 않고 안정적으로 충전을 수행할 수 있다.

또한, 본 문서에서 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치는 PD 통신을 선택적으로 수행함에 따라 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

도 1은 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치 및 외부 전자 장치의 블록도이다.
도 3a는 일 실시 예에 따라 외부 전자 장치로부터 전자 장치의 제2 전력 관리 회로로 전력을 공급할 때의 전류 흐름을 나타낸다.
도 3b는 일 실시 예에 따라 외부 전자 장치로부터 전자 장치의 배터리로 전력을 공급할 때의 전류 흐름을 나타낸다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 6a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부 회로에서 특정 지점의 전압 파형을 나타낸 그래프이다.
도 6b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부 회로에서 특정 지점의 전압 파형을 나타낸 그래프이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름도이다.
도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

이하, 본 문서의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 문서의 실시 예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 및/또는 대체물(alternatives)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

도 1은 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비 휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted Boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 전송하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 전송되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 전송 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 전송 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200) 및 외부 전자 장치(280)의 블록도이다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(280)는 케이블(201)(예: USB 케이블)을 이용하여 연결될 수 있다. 케이블(201)의 제1 측은 외부 전자 장치(280)의 커넥터(281)에 연결되고, 케이블(201)의 제2 측은 전자 장치(200)의 커넥터(210)에 연결될 수 있다.

전자 장치(200)는 커넥터(210), 과충전 방지 회로(220), 제1 전력 관리 회로(230)(예: IF-PMIC, integrated function PMIC), 제2 전력 관리 회로(240)(예: AP-PMIC, application processor PMIC), 배터리(250)(예: 도 1의 배터리(189)), CCPD(configuration channel power delivery) IC(integrated circuit)(260), 및/또는 프로세서(270)(예: 도 1의 프로세서(120))를 포함한다. 어떤 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 도 2의 구성 요소들 중 적어도 하나가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 이 구성 요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다.

커넥터(210)는 외부 전자 장치(280)와 전기적으로 연결하기 위한 적어도 하나의 핀을 포함할 수 있다. 커넥터(210)는 외부 전자 장치(280)로 전력 공급 또는 외부 전자 장치(280)로부터 전력 수신을 위한 제1 핀(211), 외부 전자 장치(280)와의 데이터 송수신을 위한 제2 핀(212), 및/또는 그라운드 단자(미도시)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 핀(211) 및/또는 제2 핀(212)은 하나의 핀 또는 복수의 핀들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 커넥터(210)는 USB 커넥터 규격에 따른 핀 레이아웃을 가지는 커넥터일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 핀(211)은 USB 커넥터의 VBUS 핀에 대응될 수 있다. 제1 핀(211)은 케이블(201)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제3 핀(282)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 핀(211)은 케이블(201)을 통해 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하거나 외부 전자 장치(280)로부터 전력을 수신할 수 있다. 제2 핀(212)은 커넥터(210)의 USB 커넥터 규격에 따라 D+, D-, Tx, Rx, 및/또는 CC(configuration channel) 핀을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 핀(212)은 케이블(201)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 핀(212)은 케이블(201)을 통해 외부 전자 장치(280)와 데이터를 송수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 커넥터(210)는 USB 타입 C 커넥터일 수 있다. 커넥터(210)가 USB 타입 C 커넥터인 경우, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)와 PD(power delivery) 통신을 수행할 수 있다.

과충전 방지 회로(220)의 제1 측은 제1 핀(211)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 측은 VBUS 라인(202)을 이용하여 제1 전력 관리 회로(230)와 전기적으로 연결될 수 있다.

과충전 방지 회로(220)는 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 과충전 방지 회로(220)는 OVP IC(over voltage protection IC) 및/또는 OCP IC(over current protection IC)로 구현될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 과충전 방지 회로(220)는 제1 핀(211)에 인가되는 전압에 기반하여 상기 스위칭 소자를 개방(open) 또는 단락(close)시킬 수 있다. 여기에서, 제1 핀(211)에 인가되는 전압은 외부 전자 장치(280)로부터 전력을 공급받는 경우 또는 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하는 경우 제1 핀(211)에 인가되는 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 핀(211)에 인가되는 전압이 기준 전압보다 높은 전압인 경우, 과충전 방지 회로(220)는 상기 스위칭 소자를 개방시킬 수 있다. 과충전 방지 회로(220)는 상기 스위칭 소자를 개방시켜 전자 장치(200) 또는 외부 전자 장치(280)의 과충전을 방지할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 과충전 방지 회로(220)는 제1 핀(211)을 통해 흐르는 전류에 기반하여 상기 스위칭 소자를 개방(open) 또는 단락(close)시킬 수 있다. 여기에서, 제1 핀(211)을 통해 흐르는 전류는 외부 전자 장치(280)로부터 전력을 공급받는 경우 또는 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하는 경우 제1 핀(211)을 통해 흐르는 전류일 수 있다. 예를 들어, 제1 핀(211)을 통해 흐르는 전류가 기준 전류보다 높은 전류인 경우, 과충전 방지 회로(220)는 상기 스위칭 소자를 개방시킬 수 있다. 과충전 방지 회로(220)는 상기 스위칭 소자를 개방시켜 전자 장치(200) 또는 외부 전자 장치(280)의 과충전을 방지할 수 있다.

제1 전력 관리 회로(230)는 충전 컨트롤러 및/또는 벅/부스트 컨버터(buck/boost converter)를 포함할 수 있다. 제1 전력 관리 회로(230)는 적어도 하나의 스위칭 소자(Q1, Q2, Q3, 및/또는 Q4)를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230)는 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하거나, 외부 전자 장치(280)로부터 전력을 수신할 수 있다. 제1 전력 관리 회로(230)는 외부 전자 장치(280)로 공급하는 전력 및/또는 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 관리할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230)는 배터리(250)로부터 전달된 전력을 지정된 전압 및 전류로 변환할 수 있다. 제1 전력 관리 회로(230)는 변환된 전압 및 전류에 기반한 전력을 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230)는 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 지정된 전압 및 전류로 변환할 수 있다. 제1 전력 관리 회로(230)는 변환된 전압 및 전류에 기반한 전력을 제2 전력 관리 회로(240) 또는 배터리(250)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제1 전력 관리 회로(230)는 적어도 하나의 스위칭 소자(Q1, Q2, Q3, 및/또는 Q4)를 제어하여 상기 전력을 제2 전력 관리 회로(240) 또는 배터리(250)로 전달할 수 있다.

도 3a는 일 실시 예에 따라 외부 전자 장치(280)로부터 전자 장치(200)의 제2 전력 관리 회로(240)로 전력을 공급할 때의 전류 흐름을 나타낸다.

일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230)는 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제1 전력 관리 회로(230)는 배터리(250)와 직접적으로 연결된 스위칭 소자(Q4)를 개방(open)시켜 상기 수신된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 전력 관리 회로(240)는 제1 전력 관리 회로(230)로부터 전달된 전력을 이용하여 VIO 전압을 출력할 수 있다.

제1 전력 관리 회로(230), CCPD IC(260), 및/또는 프로세서(270)는 제2 전력 관리 회로(240)에서 출력된 VIO 전압에 기반하여 통신을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230), CCPD IC(260), 및/또는 프로세서(270)는 상기 VIO 전압을 이용하여 I2C(inter-integrated circuit) 라인(204)을 통해 통신을 수행할 수 있다. 프로세서(270)는 상기 VIO 전압을 이용하여 제1 전력 관리 회로(230) 및/또는 CCPD IC(260)의 동작을 제어하는 신호를 I2C 라인(204)을 통해 제1 전력 관리 회로(230) 및/또는 CCPD IC(260)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 CCPD IC(260)의 데이터 변환 회로(261)가 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하도록 하는 신호를 I2C 라인(204)을 통해 CCPD IC(260)로 전달할 수 있다.

도 3b는 일 실시 예에 따라 외부 전자 장치(280)로부터 전자 장치(200)의 배터리(250)로 전력을 공급할 때의 전류 흐름을 나타낸다.

일 실시 예에 따르면, 제1 전력 관리 회로(230)는 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 배터리(250)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제1 전력 관리 회로(230)는 배터리(250)와 직접적으로 연결된 스위칭 소자(Q4)를 단락(close)시켜 상기 수신된 전력을 제2 전력 관리 회로(240) 및 배터리(250)로 전달할 수 있다. 제1 전력 관리 회로(230)는 상기 수신된 전력을 배터리(250)로 전달함으로써 배터리(250)의 충전을 수행할 수 있다.

도 2, 도 3a, 및 도 3b에서 제1 전력 관리 회로(230) 및 제2 전력 관리 회로(240)는 별개의 구성인 것으로 개시되었으나, 이는 예시일 뿐이다. 다른 실시 예에서, 제1 전력 관리 회로(230) 및 제2 전력 관리 회로(240)는 하나의 통합된 전력 관리 회로(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))로 구현될 수도 있다.

CCPD IC(260)는 CC 라인(203)을 이용하여 제2 핀(212)과 전기적으로 연결될 수 있다. CCPD IC(260)는 I2C 라인(204)을 이용하여 제1 전력 관리 회로(230) 및/또는 프로세서(270)와 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, CCPD IC(260)는 커넥터(210)에 기반하여 외부 전자 장치(280)와의 연결 또는 연결 해제를 식별할 수 있다. 예를 들어, CCPD IC(260)는 제2 핀(212)을 통해 감지된 저항 값에 기반하여 외부 전자 장치(280)와의 연결 또는 연결 해제를 식별할 수 있다. CCPD IC(260)는 외부 전자 장치(280)와의 연결 또는 연결 해제와 관련된 정보를 프로세서(270)로 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, CCPD IC(260)는 외부 전자 장치(280)와의 연결을 식별한 경우, 전자 장치(200)의 역할을 결정할 수 있다. CCPD IC(260)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항 값을 감지할 수 있다. CCPD IC(260)는 감지된 저항 값에 기초하여 전자 장치(200)가 소스(source) 장치인지 또는 싱크(sink) 장치인지 결정할 수 있다. CCPD IC(260)는 전자 장치(200)의 역할과 관련된 정보를 프로세서(270)로 전달할 수 있다. 여기에서, 소스 장치는 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하는 전자 장치를 의미할 수 있고, 싱크 장치는 외부 전자 장치(280)로부터 전력을 수신하는 전자 장치를 의미할 수 있다.

예를 들어, CCPD IC(260)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제1 저항 값(예: 약 56 kΩ))인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 싱크 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제1 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rp(pull-up 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

다른 예로, CCPD IC(260)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제2 저항 값(예: 약 5.1kΩ)인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 소스 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제2 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rd(pull-down 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

CCPD IC(260)는 데이터 변환 회로(261)를 포함할 수 있다.

데이터 변환 회로(261)는 제2 핀(212)을 통해 송수신되는 데이터를 지정된 시그널링 기법(signaling scheme)에 기초하여 변환할 수 있다. 예를 들어, 데이터 변환 회로(261)는 제1 포맷의 데이터를 제2 포맷의 데이터로 인코딩할 수 있고, 제2 포맷의 데이터를 제1 포맷의 데이터로 디코딩할 수 있다. 여기에서, 제2 포맷의 데이터는 제1 포맷의 데이터를 USB PD(power delivery) 통신을 위한 BMC(bi-phase mark coding) 시그널링 기법에 기초하여 인코딩한 데이터일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 데이터 변환 회로(261)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 제2 포맷의 데이터를 제1 포맷의 데이터로 디코딩할 수 있다. 데이터 변환 회로(261)는 디코딩된 제1 포맷의 데이터를 프로세서(270)로 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 데이터 변환 회로(261)는 프로세서(270)로부터 전달된 제1 포맷의 데이터를 제2 포맷의 데이터로 인코딩할 수 있다. 데이터 변환 회로(261)는 인코딩된 제2 포맷의 데이터를 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다.

도 2, 도 3a, 및 도 3b에서 CCPD IC(260) 및 프로세서(270)는 별개의 구성인 것으로 개시되었으나, 이는 예시일 뿐이다. 다른 실시 예에서, CCPD IC(260) 및 프로세서(270)는 하나의 통합된 프로세서로 구현될 수도 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 연결되었는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 감지된 저항 값에 기반하여 외부 전자 장치(280)와 연결되었는지 식별할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 연결된 것으로 판단한 경우, 전자 장치(200)의 역할을 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 커넥터(281)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값을 감지할 수 있다. 프로세서(270)는 감지된 저항 값에 기초하여 전자 장치(200)가 소스 장치인지 또는 싱크 장치인지 결정할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(270)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제1 저항 값(예: 약 56 kΩ))인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 싱크 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제1 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rp(pull-up 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

다른 예로, 프로세서(270)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제2 저항 값(예: 약 5.1kΩ)인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 소스 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제2 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rd(pull-down 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

싱크 장치로 동작

이하에서는, 전자 장치(200)가 싱크 장치로 동작할 때의 설명을 개시한다.

프로세서(270)는 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 CCPD IC(260)를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값에 대응하는 전력을 제1 전압에 기반하여 외부 전자 장치(280)로부터 획득하도록 CCPD IC(260)를 제어할 수 있다. 여기에서, 제1 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 CCPD IC(260)를 통해 제1 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)로부터 획득된 제1 전압에 기반한 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달하도록 제1 전력 관리 회로(230)를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제1 전력 관리 회로(230)의 지정된 스위칭 소자(Q4)를 개방시켜 획득된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제1 전력 관리 회로(230)로부터 전달된 전력을 이용하여 VIO 전압을 출력하도록 제2 전력 관리 회로(240)를 제어할 수 있다. 프로세서(270)는 상기 VIO 전압을 이용하여 제1 전력 관리 회로(230) 및/또는 CCPD IC(260)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 상기 VIO 전압을 이용하여 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 배터리(250)의 전압과 지정된 전압 범위를 비교함으로써 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인지 판단할 수 있다. 예를 들어, 지정된 전압 범위는 제1 값(예: 약 3.1V) 이상, 제2 값(예: 약 4V) 이하인 전압 범위일 수 있다. 여기에서, 제1 값은 방전된 배터리(250)의 전압 값을 의미할 수 있고, 제2 값은 만충된(full-charged) 배터리(250)의 전압 값을 의미할 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 전압 범위는 전자 장치(200)의 사양 및/또는 배터리(250)의 사양에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

프로세서(270)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위를 벗어난 것으로 판단한 경우, 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다.

프로세서(270)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위보다 낮은 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써, 배터리(250)의 방전 상태에서 배터리(250)의 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있다. 또한, 프로세서(270)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위보다 높은 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다. 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화한 경우, 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 CCPD IC(260)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인 것으로 판단한 경우, 이하의 동작을 수행함으로써 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압에 기반한 전력을 획득하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제2 포맷의 데이터는 제1 포맷의 데이터를 BMC에 기초하여 인코딩한 데이터일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 포맷의 제1 데이터는 외부 전자 장치(280)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 적어도 하나의 전력 정보(예: PDO(power data object))를 포함할 수 있다.

프로세서(270)는 제1 데이터를 BMC에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 디코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 디코딩된 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 지정된 전력 정보는 전자 장치(200)의 고속 충전에 필요한 전력 정보일 수 있다. 예를 들어, 지정된 전력 정보는 9V PDO, 12V PDO, 15V PDO, 20V PDO, 또는 APDO(augmented PDO)일 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 전력 정보는 전자 장치(200)의 사양 및/또는 배터리(250)의 사양에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

프로세서(270)는 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별한 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

프로세서(270)는 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는 것으로 식별한 경우, 지정된 전력 정보에 대응되는 전압을 제2 전압으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 지정된 전력 정보가 9V PDO인 경우, 프로세서(270)는 9V를 제2 전압으로 설정할 수 있다.

프로세서(270)는 제1 포맷의 제3 데이터를 생성할 수 있다. 제1 포맷의 제3 데이터는 설정된 제2 전압에 기반한 전력을 획득하기 위한 요청과 관련된 데이터일 수 있다. 프로세서(270)는 제3 데이터를 BMC에 기초하여 제2 포맷의 제4 데이터로 인코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 인코딩된 제4 데이터를 송신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제4 데이터 송신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제2 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다.

프로세서(270)는 배터리(250)를 충전할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)로부터 획득된 제1 전압에 기반한 전력 또는 제2 전압에 기반한 전력에 기초하여 배터리(250)를 충전하도록 제1 전력 관리 회로(230)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 연결 해제되었는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 감지된 저항 값에 기반하여 외부 전자 장치(280)와 연결 해제되었는지 식별할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)와 연결 해제된 것으로 식별한 경우, 데이터 변환 회로(261)를 활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 활성화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 BMC 디코딩 기능만을 활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 활성화할 수도 있다.

프로세서(270)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트(count)할 수 있다. 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 수행하는 중 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)는 지정된 메시지를 상대 장치로 송신(예: 전자 장치(200)에서 외부 전자 장치(280)로 송신 또는 외부 전자 장치(280)에서 전자 장치(200)로 송신)할 수 있다. 예를 들어, 지정된 메시지는 데이터 송수신 타이밍 오류 및/또는 데이터 인코딩/디코딩 오류로 인해 발생할 수 있다. 또한, 지정된 메시지는 USB PD 표준에서 규정하는 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋 메시지, 및/또는 Alert 메시지를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 수 있다. 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생한 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋 메시지, 또는 Alert 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신할 수 있다. 프로세서(270)는 지정된 메시지를 외부 전자 장치(280)로부터 수신함으로써, 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 수 있다. 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)에서 발생한 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋 메시지, 또는 Alert 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다.

프로세서(270)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생하였는지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트를 증가시킨 경우, 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 지정된 횟수는 3회로 설정될 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 횟수는 다양하게 설정될 수 있다.

프로세서(270)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 미만 발생한 것으로 판단한 경우, 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트할 수 있다.

프로세서(270)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단한 경우, 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

프로세서(270)는 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 충전 중 미리 지정된 온도 제어 알고리즘을 수행함으로써 구성 요소의 온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 미리 지정된 온도 제어 알고리즘은 배터리(250)의 발열 제어를 위해 지정된 전압에 기반하여 배터리(250) 충전을 수행하는 알고리즘을 포함할 수 있다. 여기에서, 지정된 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압 값(예: 5V)일 수 있다.

프로세서(270)는 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는 것으로 식별한 경우, 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 구성요소의 온도를 제어하며 저속 충전을 수행하는 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

소스 장치로 동작

이하에서는, 전자 장치(200)가 소스 장치로 동작할 때의 설명을 개시한다.

전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 제3 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제3 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(200)로부터 수신할 수 있다. 여기에서, 제3 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제3 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다. 프로세서(270)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제3 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급하도록 제1 전력 관리 회로(230)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제1 포맷의 제1 데이터를 생성할 수 있다. 제1 포맷의 제1 데이터는 전자 장치(200)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 적어도 하나의 전력 정보(예: PDO)를 포함할 수 있다. 프로세서(270)는 제1 데이터를 BMC에 기초하여 제2 포맷의 제2 데이터로 인코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 프로세서(270)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 인코딩된 제2 데이터를 송신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제2 데이터 송신에 대한 응답으로 제2 핀(212)을 통해 제2 포맷의 제3 데이터를 외부 전자 장치(280)로부터 수신할 수 있다. 여기에서, 제2 포맷의 제3 데이터는 외부 전자 장치(280)가 전자 장치(200)로부터 제3 전압에 기반한 전력을 획득하기 위한 요청과 관련된 데이터일 수 있다. 프로세서(270)는 수신된 제3 데이터를 BMC에 기초하여 제1 포맷의 제4 데이터로 디코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 프로세서(270)는 디코딩된 제4 데이터에 기반하여 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단할 수 있다.

프로세서(270)는 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단한 경우, 외부 전자 장치(280)로 제4 전압에 기반한 전력을 공급하도록 제1 전력 관리 회로(230)를 제어할 수 있다. 프로세서(270)는 디코딩된 제4 데이터에 기반하여 제4 전압을 설정할 수 있다. 프로세서(270)는 제3 데이터 수신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제4 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급하도록 제1 전력 관리 회로(230)를 제어할 수 있다.

프로세서(270)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트(count)할 수 있다.

전자 장치(200)와 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 수행하는 중 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)는 지정된 메시지를 상대 장치로 송신(예: 전자 장치(200)에서 외부 전자 장치(280)로 송신 또는 외부 전자 장치(280)에서 전자 장치(200)로 송신)할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 메시지는 데이터 송수신 타이밍 오류 및/또는 데이터 인코딩/디코딩 오류로 인해 발생할 수 있다. 또한, 지정된 메시지는 USB PD 표준에서 규정하는 하드 리셋(hard reset) 메시지, 소프트 리셋(soft reset) 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 및/또는 Alert 메시지를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 수 있다. 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 전자 장치(200)에서 발생한 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 또는 Alert 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다.

프로세서(270)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단한 경우, 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

프로세서(270)는 OCP(over current protection)가 발생하는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 OCP IC로 구현된 과충전 방지 회로(220)를 포함할 수 있다. 전자 장치(200)가 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로 공급하는 전류 값이 OCP IC에 설정되어 있는 기준 전류 값을 넘어서면 과충전 방지 회로(220)에 의해 OCP가 발생할 수 있다. 여기에서, OCP는 과충전 방지 회로(220)에 포함된 스위칭 소자를 개방(open)시키는 경우를 의미할 수 있다.

프로세서(270)는 OCP가 발생한 것으로 식별한 경우, 기준 전류 값을 변경할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(270)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값을 변경함으로써 기준 전류 값을 변경할 수 있다. 프로세서(270)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값을 감소시킴으로써 동일한 충전 전압에서 OCP가 발생하는 기준 전류 값을 상승시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(270)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값이 약 56 kΩ인 경우, 저항 값을 약 22 kΩ으로 감소시킬 수 있다. 프로세서(270)는 OCP가 발생하는 기준 전류 값을 상승시킴에 따라 OCP 발생으로 외부 전자 장치(280)의 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있다.

도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 4는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 405 내지 450은 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 4를 참조하면, 동작 405에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 연결되었는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 감지된 저항 값에 기반하여 외부 전자 장치(280)와 연결되었는지 식별할 수 있다.

동작 405에서 외부 전자 장치(280)와 연결되지 않은 것으로 판단한 경우('NO'), 전자 장치(200)는 도 4에 따른 동작을 종료할 수 있다.

동작 405에서 외부 전자 장치(280)와 연결된 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 410에서, 전자 장치(200)는 전자 장치(200)의 역할을 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 커넥터(281)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값을 감지할 수 있다. 전자 장치(200)는 감지된 저항 값에 기초하여 전자 장치(200)가 소스 장치인지 또는 싱크 장치인지 결정할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제1 저항 값(예: 약 56 kΩ))인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 싱크 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제1 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rp(pull-up 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

다른 예로, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값이 제2 저항 값(예: 약 5.1kΩ)인 것으로 감지하면, 전자 장치(200)가 소스 장치인 것으로 결정할 수 있다. 여기에서, 제2 값은 제4 핀(283)에 연결된 저항이 Rd(pull-down 저항)로 식별될 수 있는 값이다.

동작 410에서 전자 장치(200)가 소스 장치인 것으로 결정된 경우, 전자 장치(200)는 동작 415로 연결될 수 있다. 동작 415는 후술할 도 11 및 도 12를 참조하여 구체적으로 설명될 수 있다.

동작 410에서 전자 장치(200)가 싱크 장치인 것으로 결정된 경우, 동작 420에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 410에서 감지된 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값에 대응하는 전력을 제1 전압에 기반하여 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다. 여기에서, 제1 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 CCPD IC(260)를 통해 제1 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

동작 425에서, 전자 장치(200)는 동작 420에서 획득된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 전력 관리 회로(230)의 지정된 스위칭 소자(Q4)를 개방시켜 동작 420에서 획득된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 전력 관리 회로(230)로부터 전달된 전력을 이용하여 제2 전력 관리 회로(240)를 통해 VIO 전압을 출력할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 VIO 전압을 이용하여 제1 전력 관리 회로(230) 및/또는 CCPD IC(260)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 상기 VIO 전압을 이용하여 CCPD IC(260)의 데이터 변환 회로(261)가 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하도록 제어할 수 있다.

동작 430에서, 전자 장치(200)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 배터리(250)의 전압과 지정된 전압 범위를 비교함으로써 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인지 판단할 수 있다. 예를 들어, 지정된 전압 범위는 제1 값(예: 약 3.1V) 이상, 제2 값(예: 약 4V) 이하인 전압 범위일 수 있다. 여기에서, 제1 값은 방전된 배터리(250)의 전압 값을 의미할 수 있고, 제2 값은 만충된(full-charged) 배터리(250)의 전압 값을 의미할 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 전압 범위는 전자 장치(200)의 사양 및/또는 배터리(250)의 사양에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

동작 430에서 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위 이내인 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 435에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 핀(211)을 통해 제2 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다. 예를 들어, 제2 전압은 외부 전자 장치(280)와의 PD 통신을 통해 설정된 전압일 수 있다. 여기에서, 제2 전압은 배터리 고속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제2 전압은 약 9, 12, 15, 또는 20V의 전압 값일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 CCPD IC(260)를 통해 제2 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)와의 PD 통신을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압을 획득하는 동작 435는 후술할 도 5를 참조하여 구체적으로 설명될 수 있다.

동작 430에서 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위를 벗어난 것으로 판단한 경우('NO'), 동작 440에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다.

전자 장치(200)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위보다 낮은 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써, 배터리(250) 방전 상태에서 배터리(250) 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있다. 또한, 전자 장치(200)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위보다 높은 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 440에서 데이터 변환 회로(261)를 비활성화한 경우, 동작 445에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 CCPD IC(260)를 통해 동작 420과 동일한 방법으로 제1 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

동작 450에서, 전자 장치(200)는 배터리(250)를 충전할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 435에서 획득된 전력 또는 동작 445에서 획득된 전력에 기초하여 배터리(250)를 충전할 수 있다.

도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 5는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 505 내지 535는 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 5를 참조하면, 동작 505에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제2 포맷의 데이터는 제1 포맷의 데이터를 BMC에 기초하여 인코딩한 데이터일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 포맷의 제1 데이터는 외부 전자 장치(280)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 적어도 하나의 전력 정보(예: PDO(power data object))를 포함할 수 있다.

동작 510에서, 전자 장치(200)는 동작 505에서 수신된 제1 데이터를 제1 포맷의 제2 데이터로 디코딩할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 데이터를 BMC에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 디코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 515에서, 전자 장치(200)는 동작 510에서 디코딩된 제2 데이터에 기반하여 제2 전압을 설정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 데이터가 전자 장치(200)의 고속 충전에 필요한 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별할 수 있다. 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는 것으로 식별된 경우, 전자 장치(200)는 지정된 전력 정보에 대응되는 전압을 제2 전압으로 설정할 수 있다.

동작 520에서, 전자 장치(200)는 전력 획득 요청과 관련된 제1 포맷의 제3 데이터를 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 포맷의 제3 데이터는 동작 515에서 설정된 제2 전압에 기반한 전력을 획득하기 위한 요청과 관련된 데이터일 수 있다.

동작 525에서, 전자 장치(200)는 동작 520에서 생성된 제3 데이터를 제2 포맷의 제4 데이터로 인코딩할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제3 데이터를 BMC에 기초하여 제2 포맷의 제4 데이터로 인코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 530에서, 전자 장치(200)는 동작 525에서 인코딩된 제4 데이터를 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 제4 데이터를 송신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 535에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 530의 제4 데이터 송신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제2 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다.

이하, 도 6a를 참고하여 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 배터리가 방전된 상태에서 전자 장치(200)가 PD 통신을 통해 배터리 충전을 수행한 경우의 전압 파형을 설명한다.

도 6a는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 내부 회로에서 특정 지점의 전압 파형을 나타낸 그래프이다. 도 6a는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

도 6a를 참조하면, 그래프(600)는 제1 전압 파형(601), 제2 전압 파형(603), 및 제3 전압 파형(605)을 포함한다. 제1 전압 파형(601)은, 전자 장치(200)의 VBUS 라인(202)에 인가되는 VBUS 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다. 제2 전압 파형(603)은, 전자 장치(200)의 제2 전력 관리 회로(240)의 입력단 또는 출력단 중 제1 전력 관리 회로(230)와 전기적으로 연결되는 입력단에 인가되는 VSYS 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다. 제3 전압 파형(605)은, 전자 장치(200)의 제2 전력 관리 회로(240)의 출력단에 인가되는 VIO 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다.

그래프(600)의 제1 전압 파형(601)에서, 제1 시점(611)에 VBUS 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 커넥터(210)를 통해 연결되고, 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 수신할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)가 제1 시점(611)에 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 수신함에 따라 VBUS 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

그래프(600)의 제2 전압 파형(603)에서, 제2 시점(613)에 VSYS 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다. 또한, 전자 장치(200)는 배터리(250)로부터 제2 전력 관리 회로(240)로 전력을 전달할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달함에 따라 제2 시점(613)에 VSYS 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

그래프(600)의 제3 전압 파형(605)에서, 제2 시점(613)에 VIO 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전달된 전력을 이용하여 제2 전력 관리 회로(240)에서 VIO 전압을 출력하도록 제어할 수 있다. 즉, 이는 제2 전력 관리 회로(240)가 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전달된 전력을 이용하여 VIO 전압을 출력함에 따라 제2 시점(613)에 VIO 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

이후, 그래프(600)의 제2 시점(613)과 제4 시점(617) 사이에서, 전자 장치(200)는 VIO 전압을 이용하여 데이터 변환 회로(261)를 통해 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행할 수 있다. 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와의 PD 통신을 통해 설정된 제2 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다.

그래프(600)의 제2 전압 파형(603)에서, 제3 시점(615)에 VSYS 전압이 일정 수준 하락한 것을 확인할 수 있다. 전자 장치(200)의 배터리(250)가 방전된 경우, 전자 장치(200)는 배터리(250)에서 제2 전력 관리 회로(240)로 충분한 전력을 전달하지 못할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)의 배터리(250)가 방전된 경우, 제2 전력 관리 회로(240)가 충분한 전력을 전달받지 못함에 따라 제3 시점(615)에 VSYS 전압이 하락한 것을 의미할 수 있다.

그래프(600)의 제1 전압 파형(601), 제2 전압 파형(603), 및 제3 전압 파형(605)에서, 제4 시점(617)에 VBUS 전압, VSYS 전압, 및 VIO 전압이 일정 수준 하락한 것을 확인할 수 있다. 제2 전력 관리 회로(240)가 충분한 전력을 전달받지 못한 경우, 제2 전력 관리 회로(240)에서 출력되는 VIO 전압이 낮아질 수 있다. 전자 장치(200)가 데이터 변환 회로(261)를 통해 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하는 중 VIO 전압이 낮아지면, 프로세서(270)는 데이터 변환 회로(261)가 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하도록 하는 신호를 데이터 변환 회로(261)로 제때 전달하지 못할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 제때 PD 통신을 수행하지 못하여 배터리(250) 충전이 끊길 수 있다. 즉, 이는 제4 시점(617)에 제2 전력 관리 회로(240)에서 출력되는 VIO 전압이 낮아짐에 따라 배터리(250) 충전이 끊겨 VBUS 전압과 VSYS 전압이 순차적으로 하락한 것을 의미할 수 있다.

이하, 도 6b를 참고하여 일 실시 예에 따른 전자 장치의 배터리가 방전된 상태에서 전자 장치가 PD 통신을 수행하지 않고 배터리 충전을 수행한 경우의 전압 파형을 설명한다.

도 6b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부 회로에서 특정 지점의 전압 파형을 나타낸 그래프이다. 도 6b는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

도 6b를 참조하면, 그래프(650)는 제1 전압 파형(651), 제2 전압 파형(653), 및 제3 전압 파형(655)을 포함한다. 제1 전압 파형(651)은, 전자 장치(200)의 VBUS 라인(202)에 인가되는 VBUS 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다. 제2 전압 파형(653)은, 전자 장치(200)의 제2 전력 관리 회로(240)의 입력단 또는 출력단 중 제1 전력 관리 회로(230)와 전기적으로 연결되는 입력단에 인가되는 VSYS 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다. 제3 전압 파형(655)은, 전자 장치(200)의 제2 전력 관리 회로(240)의 출력단에 인가되는 VIO 전압을 측정하여 나타낸 전압 파형일 수 있다.

그래프(650)의 제1 전압 파형(651)에서, 제1 시점(661)에 VBUS 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 커넥터(210)를 통해 연결되고, 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 수신할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)가 제1 시점(661)에 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 수신함에 따라 VBUS 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

그래프(650)의 제2 전압 파형(653)에서, 제2 시점(663)에 VSYS 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 수신된 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달할 수 있다. 또한, 전자 장치(200)는 배터리(250)로부터 제2 전력 관리 회로(240)로 전력을 전달할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전력을 제2 전력 관리 회로(240)로 전달함에 따라 제2 시점(663)에 VSYS 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

그래프(650)의 제3 전압 파형(655)에서, 제2 시점(663)에 VIO 전압이 일정 수준 상승한 것을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전달된 전력을 이용하여 제2 전력 관리 회로(240)에서 VIO 전압을 출력하도록 제어할 수 있다. 즉, 이는 제2 전력 관리 회로(240)가 외부 전자 장치(280) 및 배터리(250)로부터 전달된 전력을 이용하여 VIO 전압을 출력함에 따라 제2 시점(663)에 VIO 전압이 상승한 것을 의미할 수 있다.

이후, 그래프(650)의 제2 시점(663)과 제4 시점(667) 사이에서, 전자 장치(200)는 도 4의 동작 430, 동작 440, 및 동작 445를 수행할 수 있다. 즉, 전자 장치(200)는 배터리(250)의 전압이 지정된 전압 범위를 벗어난 것으로 판단하여 데이터 변환 회로(261)를 비활성화하고, 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

그래프(650)의 제2 전압 파형(653)에서, 제3 시점(665)에 VSYS 전압이 일정 수준 하락한 것을 확인할 수 있다. 전자 장치(200)의 배터리(250)가 방전된 경우, 전자 장치(200)는 배터리(250)에서 제2 전력 관리 회로(240)로 충분한 전력을 전달하지 못할 수 있다. 즉, 이는 전자 장치(200)의 배터리(250)가 방전된 경우, 제2 전력 관리 회로(240)가 충분한 전력을 전달받지 못함에 따라 제3 시점(665)에 VSYS 전압이 하락한 것을 의미할 수 있다.

그래프(650)의 제1 전압 파형(651), 제2 전압 파형(653), 및 제3 전압 파형(655)에서, 도 6a의 제4 시점(617)과 동일한 시점인 제4 시점(667) 이후에도 전압이 일정 수준으로 유지되는 것을 확인할 수 있다. 이는 전자 장치(200)의 배터리(250)가 방전된 경우, 전자 장치(200)가 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않고 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득함에 따라 배터리(250) 충전이 끊기지 않는 것을 의미할 수 있다.

도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 7은 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 705 내지 710은 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 7을 참조하면, 동작 705에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 연결 해제되었는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 감지된 저항 값에 기반하여 외부 전자 장치(280)와 연결 해제되었는지 식별할 수 있다.

동작 705에서 외부 전자 장치(280)와 연결 해제된 것으로 식별된 경우('YES'), 동작 710에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)와 연결 해제된 경우 데이터 변환 회로(261)를 활성화함으로써 이후 외부 전자 장치(280)와 연결된 경우 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행할 수 있다.

동작 705에서 외부 전자 장치(280)와 연결 해제된 것으로 식별된 경우('NO'), 전자 장치(200)는 도 7에 따른 동작을 종료할 수 있다.

도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 8은 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 805 내지 850은 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 8을 참조하면, 동작 805에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제2 포맷의 데이터는 제1 포맷의 데이터를 BMC에 기초하여 인코딩한 데이터일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 포맷의 제1 데이터는 외부 전자 장치(280)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 적어도 하나의 전력 정보(예: PDO(power data object))를 포함할 수 있다.

동작 810에서, 전자 장치(200)는 동작 805에서 수신된 제1 데이터를 제1 포맷의 제2 데이터로 디코딩할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 데이터를 BMC에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 디코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 815에서, 전자 장치(200)는 동작 810에서 디코딩된 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 지정된 전력 정보는 전자 장치(200)의 고속 충전에 필요한 전력 정보일 수 있다. 예를 들어, 지정된 전력 정보는 9V PDO, 12V PDO, 15V PDO, 20V PDO, 또는 APDO(augmented PDO)일 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 전력 정보는 전자 장치(200)의 사양 및/또는 배터리(250)의 사양에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

동작 815에서 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는 것으로 식별된 경우('YES'), 동작 820에서, 전자 장치(200)는 지정된 전력 정보에 대응되는 전압을 제2 전압으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 지정된 전력 정보가 9V PDO인 경우, 전자 장치(200)는 9V를 제2 전압으로 설정할 수 있다.

동작 825에서, 전자 장치(200)는 전력 획득 요청과 관련된 제1 포맷의 제3 데이터를 제2 포맷의 제4 데이터로 인코딩할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 포맷의 제3 데이터를 생성할 수 있다. 제1 포맷의 제3 데이터는 동작 820에서 설정된 제2 전압에 기반한 전력을 획득하기 위한 요청과 관련된 데이터일 수 있다. 전자 장치(200)는 제3 데이터를 BMC에 기초하여 제2 포맷의 제4 데이터로 인코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 830에서, 전자 장치(200)는 동작 825에서 인코딩된 제4 데이터를 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 제4 데이터를 송신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

동작 835에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제2 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 830의 제4 데이터 송신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제2 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다.

동작 815에서 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별된 경우('NO'), 동작 840에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 배터리(250)의 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있고, 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 840에서 데이터 변환 회로(261)를 비활성화한 경우, 동작 845에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값을 감지할 수 있다. 전자 장치(200)는 감지된 저항 값에 대응하는 전력을 제1 전압에 기반하여 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다. 여기에서, 제1 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 설정된 제1 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 CCPD IC(260)를 통해 외부 전자 장치(280)로 송신할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다.

동작 850에서, 전자 장치(200)는 배터리(250)를 충전할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 835에서 획득된 전력 또는 동작 845에서 획득된 전력에 기초하여 배터리(250)를 충전할 수 있다.

도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 9는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 905 내지 925는 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 9를 참조하면, 동작 905에서, 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트(count)할 수 있다.

전자 장치(200)와 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 수행하는 중 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)는 지정된 메시지를 상대 장치로 송신(예: 전자 장치(200)에서 외부 전자 장치(280)로 송신 또는 외부 전자 장치(280)에서 전자 장치(200)로 송신)할 수 있다. 예를 들어, 지정된 메시지는 데이터 송수신 타이밍 오류 및/또는 데이터 인코딩/디코딩 오류로 인해 발생할 수 있다. 또한, 지정된 메시지는 USB PD 표준에서 규정하는 하드 리셋(hard reset) 메시지, 소프트 리셋(soft reset) 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 및/또는 Alert 메시지를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 수 있다. 전자 장치(200)는 전자 장치(200)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 전자 장치(200)에서 발생한 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋 메시지, 또는 Alert 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로부터 수신할 수 있다. 전자 장치(200)는 지정된 메시지를 외부 전자 장치(280)로부터 수신함으로써, 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 수 있다. 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)에서 발생한 하드 리셋 메시지, 소프트 리셋 메시지, 데이터 리셋 메시지, 또는 Alert 메시지를 식별할 때마다 카운트를 증가시킬 수 있다.

동작 910에서, 전자 장치(200)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생하였는지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트를 증가시킨 경우, 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 지정된 횟수는 3회로 설정될 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 횟수는 다양하게 설정될 수 있다.

동작 910에서 지정된 메시지가 지정된 횟수 미만 발생한 것으로 판단한 경우('NO'), 동작 905로 연결되어 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트할 수 있다.

동작 910에서 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 915에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 배터리(250)의 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있고, 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 915에서 데이터 변환 회로(261)를 비활성화한 경우, 동작 920에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값을 감지할 수 있다. 전자 장치(200)는 감지된 저항 값에 대응하는 전력을 제1 전압에 기반하여 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다. 여기에서, 제1 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다.

동작 925에서, 전자 장치(200)는 배터리(250)를 충전할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 920에서 획득된 전력에 기초하여 배터리(250)를 충전할 수 있다.

도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 10은 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 1005 내지 1020은 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 10을 참조하면, 동작 1005에서, 전자 장치(200)는 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는지 식별할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 충전 중 미리 지정된 온도 제어 알고리즘을 수행함으로써 구성 요소의 온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 미리 지정된 온도 제어 알고리즘은 배터리(250)의 발열 제어를 위해 지정된 전압에 기반하여 배터리(250) 충전을 수행하는 알고리즘을 포함할 수 있다. 여기에서, 지정된 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압 값(예: 5V)일 수 있다.

동작 1005에서 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되지 않는 것으로 식별된 경우('NO'), 전자 장치(200)는 도 10에 따른 동작을 종료할 수 있다.

동작 1005에서 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는 것으로 식별된 경우('YES'), 동작 1010에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280) 와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 구성요소의 온도를 제어하며 저속 충전을 수행하는 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 1010에서 데이터 변환 회로(261)를 비활성화한 경우, 동작 1015에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 커넥터(210)의 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)의 제4 핀(283)에 연결된 저항의 저항 값을 감지할 수 있다. 전자 장치(200)는 감지된 저항 값에 대응하는 전력을 제1 전압에 기반하여 외부 전자 장치(280)로부터 획득할 수 있다. 여기에서, 제1 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다.

동작 1020에서, 전자 장치(200)는 배터리(250)를 충전할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 1015에서 획득된 전력에 기초하여 배터리(250)를 충전할 수 있다.

이하, 도 11 및 도 12를 참고하여 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)가 소스 장치인 경우 외부 전자 장치(280)로 전력을 공급하는 동작에 대해 설명한다.

도 11은 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 11은 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 1105 내지 1135는 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 11을 참조하면, 도 4의 동작 415는 동작 1105로 연결될 수 있다.

동작 1105에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 제3 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제3 전압에 기반한 전력 획득과 관련된 요청을 외부 전자 장치(200)로부터 수신할 수 있다. 여기에서, 제3 전압은 배터리 저속 충전을 위한 전압일 수 있다. 예를 들어, 제3 전압은 약 4.75V 이상, 약 5.5V 이하의 전압 값으로 설정될 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 요청에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제3 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

동작 1110에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인지 판단할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 포맷의 제1 데이터를 생성할 수 있다. 제1 포맷의 제1 데이터는 전자 장치(200)가 출력할 수 있는 전원의 옵션으로서 적어도 하나의 전력 정보(예: PDO)를 포함할 수 있다. 전자 장치(200)는 제1 데이터를 BMC에 기초하여 제2 포맷의 제2 데이터로 인코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 제2 핀(212)을 통해 외부 전자 장치(280)로 인코딩된 제2 데이터를 송신하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 데이터 송신에 대한 응답으로 제2 핀(212)을 통해 제2 포맷의 제3 데이터를 외부 전자 장치(280)로부터 수신할 수 있다. 여기에서, 제2 포맷의 제3 데이터는 외부 전자 장치(280)가 전자 장치(200)로부터 제3 전압에 기반한 전력을 획득하기 위한 요청과 관련된 데이터일 수 있다. 전자 장치(200)는 수신된 제3 데이터를 BMC에 기초하여 제1 포맷의 제4 데이터로 디코딩하도록 데이터 변환 회로(261)를 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 디코딩된 제4 데이터에 기반하여 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단할 수 있다.

동작 1110에서 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치가 아닌 것으로 판단한 경우('NO'), 전자 장치(200)는 도 11에 따른 동작을 종료할 수 있다.

동작 1110에서 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 1115에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 제4 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 PD 통신을 통해 외부 전자 장치(280)로 제4 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 전자 장치(200)는 동작 1105에서 디코딩된 제4 데이터에 기반하여 제4 전압을 설정할 수 있다. 전자 장치(200)는 동작 1110의 제3 데이터 수신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제4 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

동작 1120에서, 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트(count)할 수 있다.

동작 1125에서, 전자 장치(200)는 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생하였는지 판단할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트를 증가시킨 경우, 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 지정된 횟수는 3회로 설정될 수 있다. 다만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 지정된 횟수는 다양하게 설정될 수 있다.

동작 1125에서 지정된 메시지가 지정된 횟수 미만 발생한 것으로 판단한 경우('NO'), 동작 1120으로 연결되어 전자 장치(200)는 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(280)에서 발생하는 지정된 메시지를 카운트할 수 있다.

동작 1125에서 지정된 메시지가 지정된 횟수 이상 발생한 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 1130에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)로 안정적으로 전력을 공급할 수 있고, 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 1135에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 동작 1105와 동일한 방법으로 제3 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 핀(211)을 통해 제3 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

도 12는 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)의 동작 흐름도이다. 도 12는 도 2의 구성들을 이용하여 설명될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 동작 1205 내지 1235는 전자 장치(200)의 프로세서(270)에서 수행되는 것으로 이해될 수 있다.

도 12를 참조하면, 도 4의 동작 415는 동작 1205로 연결될 수 있다.

동작 1205에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 제3 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다.

동작 1210에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인지 판단할 수 있다.

동작 1210에서 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치가 아닌 것으로 판단한 경우('NO'), 전자 장치(200)는 도 12에 따른 동작을 종료할 수 있다.

동작 1210에서 외부 전자 장치(280)가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단한 경우('YES'), 동작 1215에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 제4 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 동작 1210에서 디코딩된 제4 데이터에 기반하여 제4 전압을 설정할 수 있다. 전자 장치(200)는 동작 1210의 제3 데이터 수신에 대한 응답으로 제1 핀(211)을 통해 제4 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

동작 1220에서, 전자 장치(200)는 OCP(over current protection)가 발생하는지 식별할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 OCP IC로 구현된 과충전 방지 회로(220)를 포함할 수 있다. 전자 장치(200)가 제1 핀(211)을 통해 외부 전자 장치(280)로 공급하는 전류 값이 OCP IC에 설정되어 있는 기준 전류 값을 넘어서면 과충전 방지 회로(220)에 의해 OCP가 발생할 수 있다. 여기에서, OCP는 과충전 방지 회로(220)에 포함된 스위칭 소자를 개방(open)시키는 경우를 의미할 수 있다.

동작 1220에서 OCP가 발생하지 않은 것으로 식별된 경우('NO'), 전자 장치(200)는 동작 1215로 연결되어 외부 전자 장치(280)로 제4 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다.

동작 1220에서 OCP가 발생한 것으로 식별된 경우('YES'), 동작 1225에서, 전자 장치(200)는 기준 전류 값을 변경할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값을 변경함으로써 기준 전류 값을 변경할 수 있다. 전자 장치(200)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값을 감소시킴으로써 동일한 충전 전압에서 OCP가 발생하는 기준 전류 값을 상승시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 제2 핀(212)에 연결된 저항의 저항 값이 약 56 kΩ인 경우, 저항 값을 약 22 kΩ으로 감소시킬 수 있다. 전자 장치(200)는 OCP가 발생하는 기준 전류 값을 상승시킴에 따라 OCP 발생으로 외부 전자 장치(280)의 충전이 중단되는 상황을 감소시킬 수 있다.

동작 1230에서, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)의 BMC 인코딩 기능 및/또는 BMC 디코딩 기능을 비활성화함으로써 데이터 변환 회로(261)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 BMC 디코딩 기능만을 비활성화할 수도 있고, 또는 BMC 인코딩 기능 및 BMC 디코딩 기능을 모두 비활성화할 수도 있다. 전자 장치(200)는 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)와 PD 통신을 수행하지 않도록 제어할 수 있다. 전자 장치(200)는 OCP가 발생하여 전력 공급이 중단된 경우 데이터 변환 회로(261)를 비활성화함으로써 외부 전자 장치(280)로 안정적으로 전력을 공급할 수 있고, 전류 소모를 감소시킬 수 있다.

동작 1235에서, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(280)로 동작 1205와 동일한 방법으로 제3 전압에 기반한 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 제1 핀(211)을 통해 제3 전압에 기반한 전력을 외부 전자 장치(280)로 공급할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 지정된 시그널링 기법은 USB PD(power delivery) 통신을 위한 BMC(bi-phase mark coding) 시그널링 기법이고, 상기 제2 포맷의 상기 제1 데이터는 상기 제1 포맷의 상기 제2 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 인코딩한 데이터일 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 외부 전자 장치의 커넥터의 지정된 핀에 연결된 저항(resistor)의 저항 값을 감지하도록 구성되고, 상기 외부 전자 장치의 상기 커넥터의 상기 지정된 핀은 상기 전자 장치의 상기 커넥터의 상기 지정된 핀과 전기적으로 접촉하는 핀이며, 상기 외부 전자 장치로부터 획득하는 상기 제1 전압에 기반한 전력은 상기 감지된 저항 값에 대응하는 전력일 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 커넥터에 기반하여, 상기 외부 전자 장치와의 연결 해제를 식별하고, 상기 연결 해제가 식별됨에 기반하여, 상기 데이터 변환 회로를 활성화하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별하고, 상기 지정된 전력 정보는 상기 전자 장치의 고속 충전에 필요한 전력 정보이며, 상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하는 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 지정된 전력 정보에 대응되는 전압을 상기 제2 전압으로 설정하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 메시지를 카운트(count)하고, 상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 메시지는 USB PD(power delivery) 표준에서 규정하는 하드 리셋(hard reset) 메시지, 소프트 리셋(soft reset) 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 또는 Alert 메시지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는지 식별하고, 상기 미리 지정된 온도 제어 알고리즘을 수행하는 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 전자 장치가 상기 소스 장치로 결정됨에 기초하여, 상기 외부 전자 장치가 PD(power delivery) 통신을 지원하는지 판단하고, 상기 외부 전자 장치가 PD 통신을 지원하는 것으로 판단됨에 기초하여, 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 제1 포맷의 제3 데이터를 생성하고, 상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제3 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 상기 제2 포맷의 제4 데이터로 변환하고, 상기 제4 데이터를 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로 송신하고, 상기 제4 데이터 송신에 대한 응답으로 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 포맷의 제5 데이터를 수신하고, 상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제5 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 상기 제1 포맷의 제6 데이터로 변환하고, 상기 제6 데이터에 기초하여 상기 제4 전압을 설정하고, 상기 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 공급하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, 상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하고, 상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가, OCP(over current protection)가 발생하는지 식별하고, 상기 OCP가 발생한 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 지정된 핀에 연결된 저항의 저항 값을 변경하고, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고, 제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성될 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 커넥터에 기반하여, 상기 외부 전자 장치와의 연결 해제를 식별하는 동작, 및 상기 연결 해제가 식별됨에 기반하여, 상기 데이터 변환 회로를 활성화하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 제2 데이터가 상기 전자 장치의 고속 충전에 필요한 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별하는 동작, 상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하는 동작, 상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 전자 장치가 상기 소스 장치로 결정됨에 기초하여, 상기 외부 전자 장치가 PD(power delivery) 통신을 지원하는 장치인지 판단하는 동작, 및 상기 외부 전자 장치가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단됨에 기초하여, 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하는 동작, 상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및 제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, OCP(over current protection)가 발생하는지 식별하는 동작, 상기 OCP가 발생한 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 지정된 핀에 연결된 저항의 저항 값을 변경하는 동작, 상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및 제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치에 있어서,
적어도 하나의 핀을 포함하는 커넥터;
상기 적어도 하나의 핀 중 지정된 핀을 통해 송수신되는 데이터를 지정된 시그널링 기법(signaling scheme)에 기초하여 변환하는 데이터 변환 회로;
배터리;
프로세서; 및
인스트럭션들(instructions)을 저장하는 메모리를 포함하고,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 커넥터에 기반하여, 외부 전자 장치와의 연결을 식별하고,
상기 연결이 식별됨에 기반하여, 상기 전자 장치가 소스(source) 장치인지 또는 싱크(sink) 장치인지 결정하고,
상기 전자 장치가 상기 싱크 장치로 결정됨에 기반하여, 상기 배터리의 전압과 지정된 전압 범위를 비교하고,
상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위를 벗어남에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
상기 외부 전자 장치로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하고,
상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위 이내임에 기초하여,
상기 커넥터의 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하고,
상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제1 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 변환하고,
상기 제2 데이터에 기초하여 제2 전압을 설정하고,
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 전압에 기반한 전력을 획득하고,
상기 획득된 전력에 기초하여 상기 배터리를 충전하도록 구성되는, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 지정된 시그널링 기법은 USB PD(power delivery) 통신을 위한 BMC(bi-phase mark coding) 시그널링 기법이고,
상기 제2 포맷의 상기 제1 데이터는 상기 제1 포맷의 상기 제2 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 인코딩한 데이터인, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 외부 전자 장치의 커넥터의 지정된 핀에 연결된 저항(resistor)의 저항 값을 감지하도록 구성되고,
상기 외부 전자 장치의 상기 커넥터의 상기 지정된 핀은 상기 전자 장치의 상기 커넥터의 상기 지정된 핀과 전기적으로 접촉하는 핀이며,
상기 외부 전자 장치로부터 획득하는 상기 제1 전압에 기반한 전력은 상기 감지된 저항 값에 대응하는 전력인, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 커넥터에 기반하여, 상기 외부 전자 장치와의 연결 해제를 식별하고,
상기 연결 해제가 식별됨에 기반하여, 상기 데이터 변환 회로를 활성화하도록 구성되는, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 제2 데이터가 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별하고, 상기 지정된 전력 정보는 상기 전자 장치의 고속 충전에 필요한 전력 정보이며,
상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별됨에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성되는, 전자 장치.
제5 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하는 것으로 식별됨에 기초하여, 상기 지정된 전력 정보에 대응되는 전압을 상기 제2 전압으로 설정하도록 구성되는, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 메시지를 카운트(count)하고,
상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성된, 전자 장치.
제7 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 메시지는 USB PD(power delivery) 표준에서 규정하는 하드 리셋(hard reset) 메시지, 소프트 리셋(soft reset) 메시지, 데이터 리셋(data reset) 메시지, 또는 Alert 메시지 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
미리 지정된 온도 제어 알고리즘이 수행되는지 식별하고,
상기 미리 지정된 온도 제어 알고리즘을 수행하는 것으로 식별됨에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하도록 구성된, 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 전자 장치가 상기 소스 장치로 결정됨에 기초하여, 상기 외부 전자 장치가 PD(power delivery) 통신을 지원하는지 판단하고,
상기 외부 전자 장치가 PD 통신을 지원하는 것으로 판단됨에 기초하여, 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성되는, 전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 제1 포맷의 제3 데이터를 생성하고,
상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제3 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 상기 제2 포맷의 제4 데이터로 변환하고,
상기 제4 데이터를 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로 송신하고,
상기 제4 데이터 송신에 대한 응답으로 상기 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 포맷의 제5 데이터를 수신하고,
상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제5 데이터를 상기 지정된 시그널링 기법에 기초하여 상기 제1 포맷의 제6 데이터로 변환하고,
상기 제6 데이터에 기초하여 상기 제4 전압을 설정하고,
상기 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 공급하도록 구성되는, 전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하고,
상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성되는, 전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서에 의해 실행 시, 상기 전자 장치가,
OCP(over current protection)가 발생하는지 식별하고,
상기 OCP가 발생한 것으로 식별됨에 기초하여,
상기 지정된 핀에 연결된 저항의 저항 값을 변경하고,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하고,
제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하도록 구성되는, 전자 장치.
전자 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 전자 장치의 커넥터에 기반하여, 외부 전자 장치와의 연결을 식별하는 동작,
상기 연결이 식별됨에 기반하여, 상기 전자 장치가 소스(source) 장치인지 또는 싱크(sink) 장치인지 결정하는 동작,
상기 전자 장치가 싱크 장치로 결정됨에 기반하여, 상기 전자 장치의 배터리의 전압과 지정된 전압 범위를 비교하는 동작,
상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위를 벗어남에 기초하여,
상기 전자 장치의 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작,
상기 외부 전자 장치로부터 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작,
상기 배터리의 상기 전압이 상기 지정된 전압 범위 이내임에 기초하여,
상기 커넥터의 지정된 핀을 통해 상기 외부 전자 장치로부터 제2 포맷의 제1 데이터를 수신하는 동작,
상기 데이터 변환 회로를 통해 상기 제1 데이터를 지정된 시그널링 기법에 기초하여 제1 포맷의 제2 데이터로 변환하는 동작,
상기 제2 데이터에 기초하여 제2 전압을 설정하는 동작,
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제2 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작, 및
상기 획득된 전력에 기초하여 상기 전자 장치의 배터리를 충전하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제14 항에 있어서,
상기 커넥터에 기반하여, 상기 외부 전자 장치와의 연결 해제를 식별하는 동작, 및
상기 연결 해제가 식별됨에 기반하여, 상기 데이터 변환 회로를 활성화하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제14 항에 있어서,
상기 제2 데이터가 상기 전자 장치의 고속 충전에 필요한 지정된 전력 정보를 포함하는지 식별하는 동작,
상기 제2 데이터가 상기 지정된 전력 정보를 포함하지 않는 것으로 식별됨에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제14 항에 있어서,
상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하는 동작,
상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및
상기 외부 전자 장치로부터 상기 제1 전압에 기반한 전력을 획득하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제14 항에 있어서,
상기 전자 장치가 상기 소스 장치로 결정됨에 기초하여, 상기 외부 전자 장치가 PD(power delivery) 통신을 지원하는 장치인지 판단하는 동작, 및
상기 외부 전자 장치가 PD 통신을 지원하는 장치인 것으로 판단됨에 기초하여, 제4 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제18 항에 있어서,
상기 전자 장치 또는 상기 외부 전자 장치 중 적어도 하나에서 발생하는 적어도 하나의 메시지를 카운트(count)하는 동작,
상기 적어도 하나의 메시지를 지정된 횟수 이상 카운트한 것에 기초하여,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및
제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제18 항에 있어서,
OCP(over current protection)가 발생하는지 식별하는 동작,
상기 OCP가 발생한 것으로 식별됨에 기초하여,
상기 지정된 핀에 연결된 저항의 저항 값을 변경하는 동작,
상기 데이터 변환 회로를 비활성화하는 동작, 및
제3 전압에 기반한 전력을 상기 외부 전자 장치로 전달하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.