KR20240034948A - Mems 패키지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20240034948A
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지는 일면에 적어도 하나의 연결패드를 구비하는 제1 기판과, 상기 제1 기판의 일면 측에 배치되는 제2 기판과, 상기 제2 기판의 일면에 배치되는 소자부와, 상기 연결패드와 상기 소자부에 구비되는 금속패드에 연결되는 연결부재와, 상기 제2 기판이 매립되도록 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 밀봉층과, 상기 밀봉층을 덮도록 배치되는 절연층과, 상기 연결패드에 연결되며 상기 절연층과 상기 밀봉층의 경계면을 따라 배치되는 재배선층 및 상기 재배선층에 연결되며 상기 절연층의 외부로 노출되는 외부연결단자를 포함하며, 상기 소자부는 상기 제1 기판으로부터 이격되도록 배치되어 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이에 공간이 배치되며, 상기 연결부재는 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이 공간과 상기 밀봉층의 경계를 이루며, 상기 외부연결단자는 상기 제1 기판이 배치되는 측의 반대측에서 상기 절연층의 외부로 노출될 수 있다.

Description

MEMS 패키지 및 이의 제조 방법{Micro Electro-Mechanical Systems package and method for manufacturing the same}
본 발명은 MEMS 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
밴드 패스 필터(band pass filter)인 SAW 필터 및 BAW 필터는 통신 시장의 성장에 따라 빠른 성장을 보이고 있다. 이에, RF 필터(radio frequency filter)의 제조를 위한 다양한 방법의 패키지들이 개발되고 있으며, 그 중 박막 필름 패키지(Thin Film Package)의 경우 경쟁적으로 성장하고 있는 MEMS 시장에서 기술적 우위를 차지할 수 있는 기술이다.
하지만, 박막 필름 패키지(Thin Film Package)에 사용되는 폴리머(polymer)는 감광성(Photo-definalbe) 물질로서 구조 등의 가공이 쉽지만 낮은 모듈러스(Modulus)와 높은 열팽창계수(CTE) 등에 따라 구조적 취약점이 큰 문제가 있다. 이와 같은 이유로 두께가 얇으면 몰딩 공정 등에서 캐비티(Cavity)가 무너지거나 공정 중 열적 스트레스(stress)에 의한 열팽창계수 차이 등으로 인하여 구조적 취약점을 가지는 문제가 있다.
본 발명의 실시예는 구조적 취약점을 해결할 수 있으며 제조 수율을 향상시킬 수 있는 MEMS 패키지 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지는 일면에 적어도 하나의 연결패드를 구비하는 제1 기판과, 상기 제1 기판의 일면 측에 배치되는 제2 기판과, 상기 제2 기판의 일면에 배치되는 소자부와, 상기 연결패드와 상기 소자부에 구비되는 금속패드에 연결되는 연결부재와, 상기 제2 기판이 매립되도록 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 밀봉층과, 상기 밀봉층을 덮도록 배치되는 절연층과, 상기 연결패드에 연결되며 상기 절연층과 상기 밀봉층의 경계면을 따라 배치되는 재배선층 및 상기 재배선층에 연결되며 상기 절연층의 외부로 노출되는 외부연결단자를 포함하며, 상기 소자부는 상기 제1 기판으로부터 이격되도록 배치되어 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이에 공간이 배치되며, 상기 연결부재는 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이 공간과 상기 밀봉층의 경계를 이루며, 상기 외부연결단자는 상기 제1 기판이 배치되는 측의 반대측에서 상기 절연층의 외부로 노출될 수 있다.
본 발명의 실시예는 구조적 취약점을 해결할 수 있으며 제조 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정 설명도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하며, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소 또는 대응하는 구성요소를 지칭하는 것으로 한다.
또한, 본 명세서에서 상측, 상부, 하측, 하부, 측면, 전면, 후면 등의 표현은 도면에 도시된 방향을 기준으로 표현한 것이며, 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(100)는 일예로서, 제1 기판(110), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 기판(110)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(120)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판 또는 Glass core 기판이 이용될 수 있다. 한편, 제1 기판(110)에는 외부연결단자(180) 및 연결부재(140)에 전기적으로 연결되는 연결패드(112)가 구비될 수 있다. 연결패드(112)는 일예로서 제1 기판(110)의 상면에 복수개가 상호 이격 배치될 수 있다. 한편, 도 1에는 연결패드(112) 2개가 상호 이격 배치되는 경우를 예를 들어 도시하고 있으나, 연결패드(112)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
제2 기판(120)은 제1 기판(110)의 일면 측에 배치될 수 있다. 한편, 제2 기판(120)은 제1 기판(110)으로부터 소정 간격 이격 배치되며, 일면에 소자부(130)가 배치된다. 일예로서, 제2 기판(120)은 밀봉층(150)에 매립되어 배치될 수 있다. 한편, 제2 기판(120)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
소자부(130)는 제2 기판(120)의 일면에 배치된다. 일예로서, 소자부(130)는 BAW(Bulk-Acoustic wave) 공진기일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 소자부(130)는 SAW(Surface-Acoustic wave) 공진기, MEMS 소자일 수 있다. 한편, 소자부(130)는 제2 기판(120)으로부터 이격되며 캐비티(C)를 형성하는 공진부(132)를 구비할 수 있다. 공진부(132)는 제1 전극(132a), 압전층(132b) 및 제2 전극(132c)으로 이루어질 수 있다. 또한, 소자부(130)에는 연결부재(140)가 연결되는 금속패드(134)를 구비할 수 있다. 한편, 금속패드(134)는 공진부(132)의 제1 전극과 제2 전극에 연결될 수 있다. 그리고, 소자부(130)에는 캐비티(C)를 감싸도록 배치되는 식각방지부(135)와, 식각방지부(135)(의 외측에 배치되는 희생층(136)을 구비할 수 있다.
연결부재(140)는 제1 기판(110)의 연결패드(112)와 소자부(130)의 금속패드(134) 사이에 배치된다. 일예로서, 연결부재(140)는 납, 구리 등의 재질로 이루어지는 솔더볼일 수 있다. 한편, 연결부재(140)는 칩 형태로 제조된 제2 기판(120)과 소자부(130)를 제1 기판(110)에 실장하는 역할을 수행한다. 그리고, 연결부재(140)는 외부로부터 전원이 공급되는 경우 소자부(130)로 전원이 공급되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 연결부재(140)는 소자부(130)와 제1 기판(110)과의 사이 공간과 밀봉층(150)의 경계를 이룬다. 다시 말해, 밀봉층(150)은 연결부재(140)를 경계로 하여 연결부재(140)의 외측에 배치된다.
밀봉층(150)은 제2 기판(120)이 매립되도록 배치된다. 일예로서, 밀봉층(150)은 제1 기판(110)과 소자부(130)의 사이에 공간이 형성되도록 연결부재(140)의 외측에 배치되면서 제2 기판(120)이 내부에 매립되도록 배치된다. 일예로서, 밀봉층(150)은 감광성의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 밀봉층(150)의 측면은 경사면으로 이루어진다. 이는 밀봉층(150)에 포토 리소그래피(Photo-lithography) 공정에 의해 비아를 형성함으로써 밀봉층(150)의 측면이 경사지게 형성되는 것이다.
재배선층(160)은 제1 기판(110)의 연결패드(112)와 외부연결단자(180)를 연결하도록 배치된다. 일예로서, 재배선층(160)은 절연층(170)과 밀봉층(150) 사이와, 절연층(170)과 연결패드(112) 사이 및 외부연결단자(180)와 밀봉층(150) 사이에 배치될 수 있다. 다시 말해, 재배선층(160)은 외부연결단자(180)의 일면에 연결되며 밀봉층(150)과 절연층(170)의 경계면을 따라 연장되어 연결패드(112)에 연결된다. 한편, 재배선층(160)은 제1 기판(110)의 연결패드(112)를 매개로 하여 연결부재(140)와 외부연결단자(180)를 전기적으로 연결하는 역할을 수행한다. 일예로서, 재배선층(160)은 밀봉층(150)의 측면 경사면을 따라 연장 형성될 수 있다.
절연층(170)은 밀봉층(150)을 덮도록 배치된다. 일예로서, 절연층(170)은 감광성 재질로 이루어질 수 있으며, 외부 환경에 의해 변형되거나 손상되지 않는 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 절연층(170)은 밀봉층(150)보다 강도가 높은 감광성 재질로 이루어질 수 있다. 일예로서, 절연층(170)은 외부 환경으로부터 내측에 배치되는 밀봉층(150), 제2 기판(120), 소자부(130) 등을 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 한편, 절연층(170)에는 외부연결단자(180)가 삽입 배치되는 삽입홈(172)이 구비될 수 있다.
외부연결단자(180)는 절연층(170)의 삽입홈(172)에 삽입 배치되어 외부로 노출된다. 한편, 외부연결단자(180)는 외부 전원에 연결되어 소자부(130)로 전원을 공급되도록 하는 역할을 수행한다.
상기한 바와 같이, 재배선층(160)을 통해 외부 전원으로부터 전원이 공급되는 외부연결단자(180)를 절연층(170)에 형성함으로써, 제1 기판(110)에 배선층 등이 필요하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제조 수율이 향상될 수 있다.
그리고, 제2 기판(110)과 소자부(130)가 밀봉층(150)과 절연층(170)에 의해 밀폐되므로 외부 환경에 의해 제1 기판(110)과 소자부(130) 사이의 공간이 무너지거나 열팽창계수에 차이에 기인하여 발생되는 구조적 취약점을 보완할 수 있다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정 설명도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 기판(110)의 일면에 복수개의 연결패드(112)를 형성한다.
이후, 도 3에 도시된 바와 같이, 칩(Chip) 형태로 제조된 일면에 소자부(130)가 형성된 제2 기판(120)을 연결부재(140)을 이용하여 제1 기판(110)에 실장한다. 한편, 연결부재(140)은 칩(Chip) 형태로 제조된 제2 기판(120)과 소자부(130)에 미리 형성한다. 이때, 연결부재(140)는 소자부(130)의 금속패드(134)에 형성될 수 있다. 이후, 연결부재(140)를 통해 플립 본딩(Flip bonding)으로 제1 기판(110) 상에 칩(Chip) 형태로 제조된 일면에 소자부(130)가 형성된 제2 기판(120)이 실장되도록 한다. 한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(110)의 변형을 방지하기 위한 지지부재(10)가 제1 기판(110)의 타면에 부착될 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 밀봉층(150)을 형성한다. 밀봉층(150)은 칩(Chip) 형태로 제조된 제2 기판(120)을 덮도록 형성되며, 연결부재(140)의 내측에 공간이 형성되도록 배치될 수 있다. 밀봉층(150)은 감광성 재질로 이루어질 수 있으며, 드라이 필름(Dry flim)을 적층하여 형성될 수 있다.
이후, 도 5에 도시된 바와 같이, 밀봉층(150)의 일부를 포토 리소그래피(photo lithography) 공정을 이용하여 제거한다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 밀봉층(150)이 제거된 영역에 재배선층(160)을 형성한다. 재배선층(160)은 도금 또는 스퍼터 등의 공정에 의해 형성될 수 있다.
이후, 도 7에 도시된 바와 같이, 밀봉층(150)의 일면에 배치되는 재배선층(160)의 일부만이 노출되도록 절연층(170)을 형성한다. 한편, 절연층(170)은 감광성 재질로 이루어질 수 있으며, 외부 환경에 의해 변형되거나 손상되지 않는 특성을 가질 수 있다. 일예로서, 절연층(170)은 감광성 필름을 이용하여 적층(Lamination) 또는 스크린 프린팅(Screen printing) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 재배선층(160)의 일부는 노광 공정, 현상 공정 등을 이용하여 절연층(170)으로부터 노출될 수 있다.
이후, 도 8에 도시된 바와 같이, 외부연결단자(180)를 재배선층(160) 상에 형성한다. 이후, 지지부재(10)를 제1 기판(110)으로부터 제거한다.
이후, 규격에 맞도록 다이싱하여 도 9에 도시된 바와 같이, MEMS 패키지(100)를 완성한다.
상기한 바와 같이, 칩 형태로 제조된 소자부(130), 제2 기판(120) 및 연결부재(140)를 제1 기판(110)에 플립 본딩으로 실장함으로써 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 칩 형태로 제조된 소자부(130), 제2 기판(120) 및 연결부재(140)를 단일 형태의 칩이 아닌 멀티 칩 형태로 제조하는 경우 칩 간 간극을 줄여 MEMS 패키지(100)의 전체 크기를 축소할 수 있는 효과를 구현할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(200)는 일예로서, 제1 기판(110), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(260), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 제1 기판(110), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)는 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
재배선층(260)은 기판(110)의 연결패드(112)에 연결되는 제1 재배선층(260a)과 외부연결단자(180)에 연결되는 제2 재배선층(260b)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 재배선층(260a)과 제2 재배선층(260b)는 관통 비아(262)를 통해 연결될 수 있다. 한편, 재배선층(260)은 소자부(130)에 전원이 공급되도록 외부연결단자(180)와 소자부(130)를 전기적으로 연결하는 역할을 수행한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(300)는 일예로서, 제1 기판(310), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)는 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
제1 기판(310)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(320)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판 또는 Glass core 기판이 이용될 수 있다. 한편, 제1 기판(310)에는 외부연결단자(180) 및 연결부재(140)에 전기적으로 연결되는 연결패드(312)가 구비될 수 있다. 연결패드(312)는 일예로서 제1 기판(310)의 일면에 복수개가 상호 이격 배치될 수 있다. 한편, 도 11에는 연결패드(312) 2개가 상호 이격 배치되는 경우를 예를 들어 도시하고 있으나, 연결패드(312)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
한편, 제1 기판(310)의 타면에는 수동소자(314)가 구비될 수 있다. 수동소자(314)는 일예로서, 인덕터 또는/및 캐패시터일 수 있다. 그리고, 수동소자(314)는 제1 기판(310)의 연결비아(316)를 통해 연결패드(312)에 연결될 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(400)는 일예로서, 제1 기판(110), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(480)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 제1 기판(110), 제2 기판(120), 소자부(130), 연결부재(140), 밀봉층(150), 재배선층(160) 및 절연층(170)는 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
외부연결단자(480)는 재배선층(160)에 연결되며, 절연층(170)으로부터 돌출되도록 배치될 수 있다. 일예로서, 외부연결단자(480)는 구리 재질로 이루어질 수 있으며, 일예로서 원기둥 형상을 가지는 필러(pillar)일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 외부연결단자(480)는 솔더볼, LGA(Land Grid Array) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 한편, 외부연결단자(480)는 외부 전원에 연결되어 소자부(130)로 전원을 공급되도록 하는 역할을 수행한다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(500)는 일예로서, 제1 기판(110), 제2 기판(520), 소자부(530), 연결부재(540), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 제1 기판(110), 밀봉층(150), 재배선층(160), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)는 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
제2 기판(520)은 제1 기판(110)으로부터 소정 간격 이격 배치되며, 일면에 소자부(530)가 배치된다. 일예로서, 제2 기판(520)은 밀봉층(150)에 매립되어 배치될 수 있다. 한편, 제2 기판(520)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
소자부(530)는 제2 기판(520)의 일면에 배치된다. 일예로서, 소자부(530)는 BAW 공진기일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 소자부(530)는 SAW 공진기, MEMS 소자일 수 있다. 한편, 소자부(530)는 제2 기판(520)으로부터 이격되며 캐비티(C)를 형성하는 공진부(532)를 구비할 수 있다. 공진부(532)는 제1 전극(532a), 압전층(532b) 및 제2 전극(532c)으로 이루어질 수 있다. 또한, 소자부(530)에는 연결부재(540)가 연결되는 금속패드(534)를 구비할 수 있다. 한편, 금속패드(534)는 공진부(532)의 제1 전극(532a)과 제2 전극(532c)에 연결될 수 있다. 그리고, 소자부(530)에는 캐비티(C)를 감싸도록 배치되는 식각방지부(535)와, 식각방지부(535)의 외측에 배치되는 희생층(536)을 구비할 수 있다.
연결부재(540)는 제1 기판(110)의 연결패드(112)와 소자부(530)의 금속패드(534) 사이에 배치된다. 일예로서, 연결부재(540)는 납, 구리 등의 재질로 이루어지는 솔더볼일 수 있다. 한편, 연결부재(540)는 칩 형태로 제조된 제2 기판(520)과 소자부(530)를 제1 기판(110)에 실장하는 역할을 수행한다. 그리고, 연결부재(540)는 외부로부터 전원이 공급되는 경우 소자부(530)로 전원이 공급되도록 하는 역할을 수행한다.
한편, 제2 기판(520)과 소자부(530) 및 연결부재(540)가 칩 형태로 제조된 후 제1 기판(110)에 실장될 수 있다. 도면에는 제2 기판(520)과 소자부(530) 및 연결부재(540)가 칩 형태로 제조된 멀티 칩 2개가 제1 기판(110)에 실장되는 경우를 예로 들어 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 칩 형태로 제조된 멀티 칩은 3개 이상이 제1 기판(110)에 실장될 수도 있다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 MEMS 패키지(600)는 일예로서, 제1 기판(110), 제2 기판(520), 소자부(530), 연결부재(540), 밀봉층(150), 재배선층(660), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 제1 기판(110), 밀봉층(150), 절연층(170) 및 외부연결단자(180)는 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
그리고, 제2 기판(520), 소자부(530), 연결부재(540)는 도 13의 설명에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
재배선층(660)은 제1 기판(110)의 연결패드(112)와, 외부연결단자(180)에 접촉되도록 배치될 수 있다. 한편, 복수개의 연결패드(112)와 외부연결단자(180) 중 일부는 재배선층(660)에 의해 연결될 수 있으며, 외부연결단자(180)에 접촉되는 재배선층(660)은 관통 비아(262)에 의해 연결패드(112)와 연결될 수 있다. 다시 말해, 제1 기판(110)의 연결패드(112)와, 외부연결단자(180)는 재배선층(660)에 의해서만 연결될 수도 있고, 재배선층(660)과 관통 비아(262)에 의해 연결될 수 있다.
이상에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 평균적인 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다. 또한, 전술한 실시예에서 일부의 구성요소를 삭제하여 실시될 수 있고, 각 실시예들은 서로 조합되어 실시될 수도 있다.
100, 200, 300, 400, 500, 600 : MEMS 패키지
110, 310 : 제1 기판
120, 520 : 제2 기판
130, 530 : 소자부
140, 540 : 연결부재
150 : 밀봉층
160, 260, 660 : 재배선층
170 : 절연층
180, 480 : 외부연결단자

Claims (15)

  1. 일면에 적어도 하나의 연결패드를 구비하는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 일면 측에 배치되는 제2 기판;
    상기 제2 기판의 일면에 배치되는 소자부;
    상기 연결패드와 상기 소자부에 구비되는 금속패드에 연결되는 연결부재;
    상기 제2 기판이 매립되도록 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 밀봉층;
    상기 밀봉층을 덮도록 배치되는 절연층;
    상기 연결패드에 연결되며 상기 절연층과 상기 밀봉층의 경계면을 따라 배치되는 재배선층; 및
    상기 재배선층에 연결되며 상기 절연층의 외부로 노출되는 외부연결단자;
    를 포함하며,
    상기 소자부는 상기 제1 기판으로부터 이격되도록 배치되어 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이에 공간이 배치되며,
    상기 연결부재는 상기 소자부와 상기 제1 기판과의 사이 공간과 상기 밀봉층의 경계를 이루며,
    상기 외부연결단자는 상기 제1 기판이 배치되는 측의 반대측에서 상기 절연층의 외부로 노출되는 MEMS 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 재배선층은 상기 외부연결단자의 일면에 연결되며 상기 밀봉층과 상기 절연층의 경계면을 따라 연장되어 상기 연결패드에 연결되는 MEMS 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 재배선층은 상기 밀봉층의 측면의 경사면을 따라 연장 형성되는 MEMS 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉층은 감광성의 폴리머 재질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연층은 상기 밀봉층보다 강도가 높은 감광성 재질로 이루어지는 MEMS 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 연결부재는 상기 금속패드와 상기 연결패드를 연결하는 솔더볼로 이루어지는 MEMS 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소자부는 BAW(Bulk-Acoustic Wave) 공진기인 MEMS 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 재배선층은 상기 밀봉층을 관통하는 관통 비아에 의해 연결되는 MEMS 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 타면에 배치되며 상기 연결패드에 연결되는 수동소자를 더 포함하는 MEMS 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 수동소자는 인덕터, 캐패시터 중 적어도 하나인 MEMS 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 외부연결단자는 상기 절연층으로부터 돌출되도록 배치되는 필러(pillar)로 이루어지는 MEMS 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판에는 상기 소자부가 일면에 배치되는 복수개의 제2 기판이 실장되는 MEMS 패키지.
  12. 제1 기판의 일면에 연결패드를 형성하는 단계;
    상기 연결패드 상에 소자부가 일면에 배치되는 제2 기판을 연결부재를 매개로 실장하는 단계;
    상기 제1 기판과 상기 소자부 사이에 공간이 배치되도록 상기 제2 기판을 매립하는 밀봉층을 적층하는 단계;
    상기 밀봉층의 일부를 제거하여 상기 연결패드를 노출시키는 단계;
    상기 연결패드에 연결되도록 재배선층을 형성하는 단계; 및
    상기 재배선층의 일부가 외부로 노출되도록 상기 밀봉층을 덮는 절연층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 MEMS 패키지의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 절연층의 외부로 노출된 재배선층에 연결되도록 외부연결단자를 형성하는 단계; 및
    복수개의 제2 기판 사이를 다이싱하는 단계;
    를 더 포함하는 MEMS 패키지의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 기판을 상기 연결패드에 실장하기 전 상기 제1 기판의 타면에 지지부재를 부착하는 단계를 더 포함하는 MEMS 패키지의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수개의 제2 기판 사이를 다이싱하기 전 상기 지지부재를 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 패키지의 제조 방법.
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