KR20240034593A - 사출 금형 - Google Patents

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KR20240034593A
KR20240034593A KR1020220113817A KR20220113817A KR20240034593A KR 20240034593 A KR20240034593 A KR 20240034593A KR 1020220113817 A KR1020220113817 A KR 1020220113817A KR 20220113817 A KR20220113817 A KR 20220113817A KR 20240034593 A KR20240034593 A KR 20240034593A
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mold
injection
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embossed pattern
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KR1020220113817A
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심동철
신재현
신정철
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 사출 금형에 관한 것으로, 본 발명에 따른 사출 금형은, 사출 성형을 통해 사출품을 제조하는 사출 금형으로서, 상기 사출품의 전방에 위치되어 상기 사출품의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형; 및 상기 사출품의 후방에 위치되는 배면 금형을 포함하고, 상기 사출품의 배면과 마주보는 상기 배면 금형의 배면부는 엠보(embo) 패턴이 형성되고, 상기 배면 금형의 배면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 55 ~ 120μm로 형성된다.

Description

사출 금형{Injection mold}
본 사출 금형에 관한 것이다.
사출성형은 열을 가하여 녹인 사출 재료를 사출 금형 안으로 넣어 사출품을 성형하는 방법이다.
자동차 및 전자제품의 많은 부품이 사출성형으로 제조되고 있으며, 사출 금형에 각인된 패턴을 이용하여 다양한 외관 디자인의 부품을 제공하고 있다. 외관 부품에 요구되는 디자인은 광택면(경면)이 될 수 있지만, 질감과 같은 심미적인 기능의 부여와 스크래치, 내오염성등 표면 특성의 부여를 위하여 마이크로 엠보 패텀의 채택이 점점 많아지고 있다. 하지만, 금형의 구조에 따라 사출성형 간 마이크로 엠보 패턴의 전사가 균일하지 못한 현상이 있어 이에 따른 광택편차가 발생되어 성형품의 외관면이 얼룰덜룩하게 비치는 현상이 자주 발생하게 되다. 통상적인 엠보패턴이 각인된 사출성형품은 도장/도금과 같은 후공정이 없는 형태로 대부분 적용되고, 후공정에 의한 은폐가 불가능하므로, 표면이 얼룩지는 심미적인 문제가 있다.
특히, 성형품의 두께 변경 디자인 적용 시 발생되는 성형품 외관 문제는 반드시 극복해야되는 과제이다. 두께 변경 디자인의 경우 외관면의 미세 엠보패턴의 전사 특성을 크게 변화시키고 얼룩덜룩한 외관면을 형상 시킴으로써 성형품의 심미적인 문제를 야기시키므로 시급하게 해결해야될 과제이다.
한국 등록특허 제10-2189820호
본 발명의 하나의 관점은 사출품에 균일한 전사가 구현 가능한 사출금형을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 사출금형은, 사출 성형을 통해 사출품을 제조하는 사출 금형으로서, 상기 사출품의 전방에 위치되어 상기 사출품의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형; 및 상기 사출품의 후방에 위치되는 배면 금형을 포함하고, 상기 사출품의 배면과 마주보는 상기 배면 금형의 배면부는 엠보(embo) 패턴이 형성되고, 상기 배면 금형의 배면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 55 ~ 120μm로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 사출품, 본 발명의 실시예에 따른 사출금형으로 제조될 수 있다.
본 발명에 따르면, 사출품의 전면에 전사 금형을 통해 패턴을 형성시킬 때, 사출품의 배면과 마주보는 배면 금형의 배면부에 엠보 패턴이 형성되어, 균일한 전사가 가능하고, 사출품의 외관 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 사출품의 배면과 마주보는 분할 구조의 배면 금형에 있어서, 배면부에 엠보 패턴이 형성되어, 사출 시 열교환이 현저히 빨라짐에 따라 분할된 금형 부분에 대응되는 사출품에 이질감이 발생되지 않도록 균일한 전사가 가능할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따르면, 두께가 가변되는 사출품의 배면과 마주보는 배면 금형의 배면부에 엠보 패턴을 형성하여, 사출 시 열교환이 현저히 빨라짐에 따라 두께가 가변되는 금형 부분에 대응되는 사출품에 이질감이 발생되지 않도록 균일한 전사가 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에서 A 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형에서 배면 금형의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형에서 배면 금형의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이다.
도 7은 종래기술과 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물의 광편차를 나타낸 이미지이다.
도 8은 사출 금형으로 제조되는 성형물의 안전설계 자유도를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
제1 실시예에 따른 사출 금형
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에서 A 영역을 확대하여 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형에서 배면 금형의 일례를 나타낸 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형에서 배면 금형의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형(10)은 사출 성형을 통해 사출품을 제조하는 사출 금형으로서, 사출품(M1)의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형(100) 및 사출품(M1)의 후방에 위치되는 배면 금형(200)을 포함하고, 사출품(M1)의 배면과 마주보는 배면 금형(200)의 배면부(211,212)는 엠보(embo) 패턴이 형성된다.
보다 상세히, 전사 금형(100)은 사출품(M1)의 전방에 위치되어 사출품(M1)의 전면(前面))에 패턴을 형성시킬 수 있다. 여기서, 사출품(M1)의 전면은 사출품(M1)이 앞쪽면을 의미하는 것으로서, 도 1을 참고할 때, 사출품(M1)의 상측면일 수 있다.
또한, 사출품(M1)의 전면과 마주보는 전사 금형(100)의 전면부(111)에 패턴이 형성되어 사출품에 패턴을 전사할 수 있다. 여기서, 전사 금형(100)의 전면부(111)에 엠보 패턴(Embo Pattern)이 형성될 수 있다. 이때, 전사 금형(100)의 전면부(111)에 표면에 거칠기가 형성되도록 화학부식 처리될 수 있다.
배면 금형(200)은 사출품(M1)의 후방에 위치되어 사출품(M1)의 배면(背面)을 지지할 수 있다. 여기서, 사출품(M1)의 배면은 사출품(M1)이 뒤쪽면을 의미하는 것으로서, 도 1을 참고할 때, 사출품(M1)의 하측면일 수 있다. 이때, 예를 들어 배면 금형(200)은 사출품(M1)의 하부에 위치될 수 있다.
이때, 사출품(M1)의 배면과 마주보는 배면 금형(200)의 배면부(211,212)는 엠보(embo) 패턴이 형성될 수 있다.
또한, 배면 금형(200)은 분할된 형태로 구비될 수 있다. 여기서, 도 3을 참고하면, 배면 금형(200)은 일례로 제1 분할 금형(210) 및 평면도 상으로 제1 분할 금형(210)의 중앙부에 위치되는 제2 분할 금형(220)을 포함할 수 있다.
한편, 도 4를 참고하면, 배면 금형(200')은 다른 예로 제1 분할 금형(210) 및 평면도 상으로 제1 분할 금형(210)의 가장 자리에 위치되는 제2 분할 금형(220')을 포함할 수 있다. 즉, 제2 분할 금형(220,220')은 제1 분할 금형(210)의 중앙부 또는 가장자리에 위치될 수 있다(참고 도 3, 도 4). 이때, 제1 분할 금형(210')의 가장 자리란 제1 분할 금형(210)에서 사출품(M1)이 형성되는 부분의 가장자리일 수 있다.
이에 따라, 사출 후 제1 분할 금형(210)에 대하여 제2 분할 금형(220)이 상부로 이동하며 사출품(M1)을 배면 금형(200)에서 분리하기 용이할 수 있다.
도 3을 참고하면, 제2 분할 금형(220)은 단면이 일례로 사각형으로 형성될 수 있다. 이때, 제1 분할 금형(210)은 제2 분할 금형(220)이 결합되도록 제2 분할 금형(220)에 대응되는 결합홀이 형성될 수 있다.
한편, 도 4를 참고하면 제2 분할 금형(220')은 다른 예로 단면이 원형으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 분할 금형(220')의 배면부(221')는 평면도 상으로 원형으로 형성될 수 있다.
사출품(M1)의 배면과 마주보는 제1 분할 금형(210) 및 제2 분할 금형(220)의 배면부(211,212)에 각각 엠보(embo) 패턴이 형성될 수 있다.
그리고, 배면 금형(200)의 배면부(211,212)는 표면에 거칠기가 형성되도록 화학부식 처리될 수 있다.
한편, 제1 예로, 배면 금형(200)의 배면부(211,212)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기는 전사 금형(100)의 전면부(111)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기와 동일하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전달 특성이 동일하여 전사 균일도를 갖는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 배면 금형(200)의 배면부(211,212)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 예를 들어 55~120μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 55μm 이상으로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M1)의 이질감이 감소될 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이하로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M1)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이상으로 형성되면 평면의 이질감에 수렴될 수 있다. 여기서, 거칠기(Ra)는 표준 거칠기이다.
이때, 구체적으로 예를 들어 배면 금형(200)의 배면부(211,212)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기는 예를 들어 60~100μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 60μm 이상으로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M1)의 이질감이 보다 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M1)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되면 금형이 평면일 때 발생되는 사출품의 이질감 발생이 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있다.
또한, 제2 예로, 배면부(211,212)의 엠보 패턴의 거칠기는 전면부(111) 엠보 패턴의 거칠기 보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 전사 균일도를 갖는 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 일례로 배면부(211,212)의 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 전면부(111) 엠보 패턴의 거칠기(Ra) 보다 5 ~ 15μm 크게 형성될 수 있다. 한편, 다른 예로 배면부(211,212)의 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 전면부(111) 엠보 패턴의 거칠기(Ra) 보다 10μm 이상 크게 형성될 수 있다.
따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 사출 금형(10)은, 사출품(M1)의 배면과 마주보는 배면 금형(200)의 배면부(211,221)에 엠보(embo) 패턴을 형성하여, 사출 시 사출품에 균일한 전사가 가능한 효과가 있다.
특히, 분할 구조의 배면 금형(200)에 있어서, 배면부(211,221)에 엠보 패턴이 형성되어, 사출 시 열교환이 빨라짐에 따라 분할된 금형 부분에 대응되는 사출품(M1)에 이질감이 발생되지 않도록 균일한 전사가 가능할 수 있다.
제2 실시예에 따른 사출 금형
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형(20)은 사출 성형을 통해 사출품(M2)을 제조하는 사출 금형(20)으로서, 사출품(M2)의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형(100) 및 사출품(M2)의 후방에 위치되는 배면 금형(1200)을 포함하고, 사출품(M2)의 배면과 마주보는 배면 금형(1200)의 배면부(1210)는 엠보(embo) 패턴이 형성된다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형(20)은 전술한 제1 실시예에 따른 사출 금형과 비교할 때, 배면 금형(1200)의 형태에 차이가 있다. 따라서, 본 실시예는 제1 실시예와 중복되는 내용은 생략하거나, 간략히 기술하고, 차이점을 중심으로 기술하도록 한다.
보다 상세히, 본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형(20)에서 배면 금형(1200)은 사출품(M2)의 후방에 위치되어 사출품(M2)의 배면(背面)을 지지할 수 있다. 여기서, 사출품(M2)의 배면은 사출품(M2)이 뒤쪽면을 의미하는 것으로서, 도 5를 참고할 때, 사출품(M2)의 하측면일 수 있다. 이때, 예를 들어 배면 금형(1200)은 사출품(M2)의 하부에 위치될 수 있다.
이때, 사출품(M2)의 배면과 마주보는 배면 금형(1200)의 배면부(1210)는 엠보(embo) 패턴이 형성될 수 있다.
그리고, 배면 금형(1200)의 배면부(1210)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 예를 들어 55~120μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 55μm 이상으로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M2)의 이질감이 감소될 수 있고, 안전설계 자유도가 현저히 증가될 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이하로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M2)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이상으로 형성되면 평면의 이질감에 수렴될 수 있다.
이때, 구체적으로 예를 들어 배면 금형(1200)의 배면부(1210)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 예를 들어 60~100μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 60μm 이상으로 형성되어 두께가 가변되는 부분에서의 사출품(M2)의 이질감이 보다 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있고, 안전설계 자유도가 보다 현저히 증가될 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되어 두께가 가변되는 부분에서의 사출품(M2)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되면 금형이 평면일 때 발생되는 사출품(M2)의 이질감 발생이 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있다.
또한, 배면 금형(1200)의 배면부(1210)는 사출품(M2)의 두께가 가변되는 형태가 되도록, 사출품(M2)이 성형되는 수용부(S1)의 깊이(h1)가 가변되는 형태로 형성될 수 있다.
아울러, 배면 금형(1200)의 배면부(1210)는 수용부(S1) 깊이(h1)가 측부로 갈수록 작아지도록 형성된 경사면(1212)을 포함할 수 있다. 그리고, 경사면(1212)은 배면 금형(1200)의 배면부(1210)에서 측면 방향(D1,D2)으로 양측부 중에서 적어도 하나의 측부에 형성될 수 있다.
여기서, 배면 금형(1200)의 배면부(1210)는 경사면(1212) 및 수평방향과 나란하게 형성된 평면(1211)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 사출품(M2)은 배면 금형(1200)의 배면부(1210)의 평면(1211) 형상에 대응되는 제1 면(M21) 및 경사면(1212) 형상에 대응되는 제2 면(M22)을 포함할 수 있다.
따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 제2 실시예에 따른 사출 금형(20)은, 두께가 가변되는 사출품(M2)의 배면과 마주보는 배면 금형(1200)의 배면부(1210)에 엠보(embo) 패턴을 형성하여, 사출 시 열교환이 현저히 빨라짐에 따라 두께가 가변되는 금형 부분에 대응되는 사출품(M2)에 이질감이 발생되지 않도록 현저히 균일한 전사가 가능할 수 있다.
제3 실시예에 따른 사출 금형
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형을 나타낸 단면도이다.
도 6을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형(30)은 사출 성형을 통해 사출품(M3)을 제조하는 사출 금형(30)으로서, 사출품(M3)의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형(100) 및 사출품(M3)의 후방에 위치되는 배면 금형(2200)을 포함하고, 사출품(M3)의 배면과 마주보는 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 엠보(embo) 패턴이 형성된다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형(30)은 전술한 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 사출 금형과 비교할 때, 배면 금형(2200)의 형태에 차이가 있다. 따라서, 본 실시예는 전술한 제1 실시예 및 제2 실시예와 중복되는 내용은 생략하거나, 간략히 기술하고, 차이점을 중심으로 기술하도록 한다.
보다 상세히, 본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형(30)에서 배면 금형(2200)은 사출품(M3)의 후방에 위치되어 사출품(M3)의 배면(背面)을 지지할 수 있다. 여기서, 사출품(M3)의 배면은 사출품(M3)이 뒤쪽면을 의미하는 것으로서, 도 6을 참고할 때, 사출품(M3)의 하측면일 수 있다. 이때, 예를 들어 배면 금형(2200)은 사출품(M3)의 하부에 위치될 수 있다.
이때, 사출품(M3)의 배면과 마주보는 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 엠보(embo) 패턴이 형성될 수 있다.
그리고, 배면 금형(2200)의 배면부(2210)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 예를 들어 55~120μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 55μm 이상으로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M3)의 이질감이 감소될 수 있고, 안전설계 자유도가 현저히 증가될 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이하로 형성되어 금형이 분할된 부분에서의 사출품(M3)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 120μm 이상으로 형성되면 평면의 이질감에 수렴될 수 있다.
이때, 구체적으로 예를 들어 배면 금형(2200)의 배면부(2210)에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 예를 들어 60~100μm로 형성될 수 있다. 이때, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 하한 값인 60μm 이상으로 형성되어 두께가 가변되는 부분에서의 사출품(M3)의 이질감이 보다 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있고, 안전설계 자유도가 보다 현저히 증가될 수 있다. 그리고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되어 두께가 가변되는 부분에서의 사출품(M3)의 이질감이 제거되는 효과가 있다. 즉, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 상한 값인 100μm 이하로 형성되면 금형이 평면일 때 발생되는 사출품(M3)의 이질감 발생이 현저히 감소되거나 발생되지 않을 수 있다.
또한, 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 사출품(M3)의 두께가 가변되는 형태가 되도록, 사출품(M3)이 성형되는 수용부(S2)의 깊이(h2)가 가변되는 형태로 형성될 수 있다.
아울러, 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 수용부(S2) 깊이(h2)가 측부로 갈수록 작아지도록 단차(2212)를 포함할 수 있다.
그리고, 단차(2212)는 배면 금형(2200)의 배면부(2200)에서 측면 방향(D1,D2)으로 양측부 중에서 적어도 하나의 측부에 형성될 수 있다.
여기서, 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 일례로 단차(2212) 및 수평방향과 나란하게 형성된 평면(2211)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 사출품(M3)은 배면 금형(2200)에서 배면부(2210)의 평면(2211) 형상에 대응되는 제1 면(M31) 및 단차(2212) 형상에 대응되는 계단형 단차형태의 제2 면(M32)을 포함할 수 있다.
한편, 배면 금형(2200)의 배면부(2200)는 다른 예로 단차(2212), 평면(2211), 및 경사면(1212)을 포함할 수 있다.(도 5 참조)
따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 제3 실시예에 따른 사출 금형(30)은, 두께가 가변되는 사출품(M3)의 배면과 마주보는 배면 금형(2200)의 배면부(2210)에 엠보(embo) 패턴을 형성하여, 사출 시 열교환이 현저히 빨라짐에 따라 두께가 가변되는 금형 부분에 대응되는 사출품(M3)에 이질감이 발생되지 않도록 현저히 균일한 전사가 가능할 수 있다.
도 7은 종래기술과 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물의 광편차를 나타낸 이미지이다.
도 7에서는 전면에 엠보 패턴이 형성되되, 두께가 가변되며 경사면을 갖는 성형물을 제조하는 종래기술에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(B) 및 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(C)에서 경사면을 갖는 영역의 광편차를 나타낸다. 그리고, 도 7은 배면에 1.5 ~ 2.5 T(mm)의 두께로 가면되는 경사면을 갖는 성형물의 전면 영역을 촬영한 이미지이다.
여기서, 종래기술에 따른 사출 금형은 배면 금형의 배면부에 엠보 패턴이 형성하지 않고, 본 발명에 따른 사출 금형은 성형품의 배면과 마주보는 배면 금형의 배면부에 엠보 패턴을 형성하였다. 이때, 배면 금형의 배면부의 엠보 패턴 거칠기(Ra)는 75μm가 되도록 하였다.
도 7에 나타난 바와 같이, 종래기술에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(B)은 광택부분의 이질감이 현저히 뚜렸하게 발생된 반면, 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(C)은 광택부분의 이질감이 거의 발생되지 않은 걸 알 수 있다.
즉, 종래기술에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(B)의 광편차 시작점(S)에 진한 검정색 명암이 나타나 광택부분의 이질감이 현저히 명확히 나타난 반면, 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(C)의 광편차 시작점(S)에서는 광택부분의 이질감이 현저히 희미하게 나타나 실질적으로 육안으로 식별하기 어려운 것을 알 수 있다.
따라서, 사출품과 마주보는 배면 금형의 배면부에 표면에 평균 거칠기(Ra)가 75μm되도록 엠보(embo) 패턴을 형성시킬 때, 균일한 전사가 이루어진 것을 알 수 있다.
또한, 도 7에서 종래기술에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(B)의 광편차 시작점(S)은 1.5T 부근에서 발생된 반면, 또한, 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(C)의 광편차 시작점(S)은 0.9T 부근에서 발생된 것을 알 수 있다. 즉, 광택편차 현상이 발생되지 않는 성형품의 안정적인 두께가 종래기술에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(B) 보다 본 발명에 따른 사출 금형으로 제조된 성형물(C) 에서 약 20% 정도 추가 부여될 수 있음을 알 수 있다.
도 8은 사출 금형으로 제조되는 성형물의 안전설계 자유도를 나타낸 그래프이다.
여기서, 도 8은 전면에 엠보 패턴이 형성되되, 두께가 가변되며 측부에 경사면을 갖는 성형물을 제조할 때, 광택편차 현상이 발생되는 가장자리 부분을 확인하여 디자인 자유도를 가질 수 있는 성형품의 두께를 비례식으로 산출하여 그래프로 나타내었다.
그리고, 도 8은 배면에 1.5 ~ 2.5 T(mm)의 두께로 가면되는 경사면을 갖는 성형물의 전면 영역에서 광택편차 현상이 발생되는 위치의 판별은 육안으로 실시하여 나타내었다. 이때, 성형물 외관 변화 특성의 정량화를 위하여 전사도를 Gloss-Meter로 평가하였고, 엠보 패턴의 차이에 대한 이질감은 Gloss Gap 0.3 이상일 경우 광택부분의 이질감으로 육안 관측하였다.
도 8에 나타난 바와 같이, 엠보 패턴이 형성되지 않았을 때의 안전설계 두께는 1.5T를 나타내었고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 60μm일 때 안전설계 두께는 1.0T 이하를 나타내었고, 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 100μm일 때 안전설계 두께는 약 0.9T 를 나타내었다.
따라서, 엠보 패턴이 형성되지 않았을 때에 비해 엠보 패턴의 거칠기(Ra)가 60μm~100μm일 때, 약 20% 정도의 설계 자유도를 추가 부여할 수 있음을 알 수 있다.
결국, 두께가 가변되는 성형물의 전면에 패턴을 형성시킬 때, 본 발명의 실시예에 따른 사출 금형과 같이, 배면 금형의 배면부에 엠보 패턴을 형성시키면, 성형물의 설계 자유도가 현저히 증가함을 알 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 실시가 가능하다고 할 것이다.
또한, 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10,20,30: 사출 금형
100: 전사 금형
111: 전면부
200,1200,2200: 배면 금형
210: 제1 분할 금형
220: 제2 분할 금형
211,221, 1210,2210: 배면부
1211,2211: 평면
1212: 경사부
2212: 단차
M1,M2,M3: 사출품

Claims (13)

  1. 사출 성형을 통해 사출품을 제조하는 사출 금형으로서,
    상기 사출품의 전방에 위치되어 상기 사출품의 전면에 패턴을 형성시키는 전사 금형; 및
    상기 사출품의 후방에 위치되는 배면 금형을 포함하고,
    상기 사출품의 배면과 마주보는 상기 배면 금형의 배면부는 엠보(embo) 패턴이 형성되고,
    상기 배면 금형의 배면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 55 ~ 120μm로 형성되는 사출 금형.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 배면 금형은 분할된 형태로 구비되는 사출 금형.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 배면 금형은
    제1 분할 금형 및 평면도 상으로 상기 제1 분할 금형의 중앙부 또는 가장자리에 위치되는 제2 분할 금형을 포함하는 사출 금형.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 사출품과 마주보는 상기 제1 분할 금형 및 상기 제2 분할 금형의 배면부에 각각 상기 엠보(embo) 패턴이 형성되는 사출 금형.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 사출품의 전면과 마주보는 상기 전사 금형의 전면부에 엠보 패턴이 형성되는 사출 금형.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기는 상기 전사 금형의 전면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기와 동일하게 형성되는 사출 금형.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부에 형성된 엠보 패턴의 거칠기(Ra)는 60 ~ 100μm로 형성되는 사출 금형.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부의 엠보 패턴의 거칠기는 상기 전사 금형의 전면부의 엠보 패턴의 거칠기 보다 크게 형성되는 사출 금형.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부는 표면에 거칠기가 형성되도록 화학부식 처리된 사출 금형.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부는 상기 사출품의 두께가 가변되는 형태가 되도록, 상기 사출품이 성형되는 수용부의 깊이가 가변되는 형태로 형성되는 사출 금형.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부는 상기 수용부 깊이가 측부로 갈수록 작아지도록 형성된 경사면을 포함하는 사출 금형.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 배면 금형의 배면부는 상기 수용부 깊이가 측부로 갈수록 작아지도록 단차를 포함하는 사출 금형.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 사출 금형으로 제조된 사출품.
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