KR20240031142A - 기판 세정 장치 - Google Patents

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KR20240031142A
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cleaning
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요타로 후쿠오카
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 연마 후의 기판이, 친수화가 불충분한 상태에서 세정부에 의해 세정되는 것을 방지할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 기판 세정 장치(1)는, 연마 장치에 연결되며 연마 장치(P)에 의해 연마된 연마면을 갖는 기판(W)이 반입되는 친수화 챔버(110)와, 친수화 챔버(110) 내에 설치되어, 기판(W)을 지지하는 지지부(120)와, 연마면을 친수화시키는 세정액(L)을, 지지부(120)에 지지된 기판(W)의 연마면에 공급하는 공급부(130)와, 세정액(L)이 공급된 연마면을, 기판(W)의 측방으로부터 촬상하는 촬상부(140)와, 촬상부(140)에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 판정하는 판정부(33)와, 판정부(33)에 의한 판정 결과에 따라, 공급부(130)에 의한 세정액(L)의 공급을 조정하는 조정부(34)와, 친수화 챔버(110)에 접속되어, 세정액(L)에 의해 친수화된 연마면을, 세정액(L)에 의해 세정하는 세정부(200)를 갖는다.

Description

기판 세정 장치{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}
본 발명은, 기판 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 기판인 반도체 웨이퍼의 표면을 높은 청정도로 세정하는 것이 요구되는 경우가 있다. 예컨대, 기판의 표면을 평탄화하기 위해, 화학 기계 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing)를 행한다. 그렇게 하면, 연마 후에, 기판의 표면에 파티클(이하, 오염물이라 함)이 부착된다. 이 오염물은, 유기물, 금속을 포함하는 연마 부스러기나 슬러리의 잔사 부스러기 등이다.
이러한 오염물은, 평탄한 성막의 방해나, 회로 패턴의 쇼트로 이어지기 때문에, 잔존하고 있으면, 제품 불량을 일으키게 된다. 그 때문에, 기판을 세정액으로 세정함으로써, 제거할 필요가 있다. 이러한 세정을 행하는 장치로서, 회전하는 브러시를 이용하는 세정 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
이 세정 장치는, 브러시 세정 장치와 스핀 세정 장치를 갖는다. 브러시 세정 장치는, 회전하는 브러시와 세정액에 의해 기판을 세정하는 장치이다. 즉, 회전하는 기판의 표면에, 세정액을 공급하면서 회전하는 브러시를 접촉시켜, 기판과 평행한 방향으로 이동시킨다. 세정액에 의해 기판의 표면에 부착된 오염물이 부유하여, 브러시에 의해 기판 밖으로 배출된다. 이 때문에, 기판이 전체에 걸쳐 세정된다. 스핀 세정 장치는, 회전하는 기판에 세정액을 공급하고, 가스를 분사함으로써, 건조시키는 장치이다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-077877호 공보
연마 후의 기판이 건조되면, 연마제가 고착되어 버려, 제거가 곤란해진다. 그 때문에, 상기한 바와 같은 기판 세정 장치에서는, 연마 장치에 접속되는 수취용 챔버에 있어서, 일정 시간 동안, 오존수 등을 토출하여 기판을 친수화한다. 그 후, 기판을 브러시 세정 장치로 반송하여, 브러시 세정을 행한다.
그러나, 기판의 연마면은 발수성이기 때문에, 친수화가 불충분한 경우가 생긴다. 그 결과로서, 연마 후의 기판의 친수화가 불충분한 경우, 연마 장치로부터 브러시 세정 장치로 기판이 전달되는 동안 연마제가 건조될 수 있고, 이 연마제가 기판에 고착될 수 있어, 브러시 세정 장치에 있는 기판으로부터 고착된 연마제를 제거하기가 곤란해지게 된다.
본 발명의 실시형태는, 연마 후의 기판이, 친수화가 불충분한 상태에서 세정부에 의해 세정되는 것을 방지할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 기판 세정 장치는, 연마 장치에 의해 연마된 연마면을 갖는 기판이 반입되는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부와, 상기 연마면을 친수화시키는 세정액을, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 상기 연마면에 공급하는 공급부와, 상기 세정액이 공급된 상기 연마면을, 상기 기판의 측방으로부터 촬상하는 촬상부와, 상기 촬상부에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 판정하는 판정부와, 상기 판정부에 의한 판정 결과에 따라, 상기 공급부에 의한 상기 세정액의 공급을 조정하는 조정부와, 상기 챔버에 접속되어, 상기 세정액에 의해 친수화된 상기 연마면을 세정하는 세정부를 갖는다.
본 발명의 기판 세정 장치는, 연마 후의 기판이, 친수화가 불충분한 상태에서 세정부에 의해 세정되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 실시형태의 기판 세정 장치 및 연마 장치의 개략 구성을 나타낸 간략 평면도.
도 2는 실시형태의 기판 세정 장치 및 연마 장치의 개략 구성을 나타낸 측면도.
도 3은 공급부의 노즐이 기판으로 세정액을 토출하고 있는 상태를 나타낸 평면도 (A), 촬상부가 기판의 측방으로부터 촬상하고 있는 상태를 나타낸 평면도 (B).
도 4는 친수화된 상태의 기준이 되는 화상 (A), 충분히 친수화된 기판의 화상 (B), 친수화가 불충분한 기판의 화상 (C), 화상 (A)와 화상 (B)를 겹친 화상 (D), 화상 (A)와 화상 (C)를 겹친 화상 (E)를 나타낸 설명도.
도 5는 기판 세정 장치의 처리 절차를 나타낸 흐름도.
[개요]
이하, 본 발명의 실시형태를, 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시형태는, 도 1에 도시된 바와 같이, 연마 장치(P)에 있어서 연마된 후의 기판(W)을 세정하는 기판 세정 장치(1)에 관한 것이다. 기판 세정 장치(1)는, 친수화부(100), 세정부(200), 제어부(300)를 갖는다. 친수화부(100)는, 연마 후의 기판(W)의 연마면에 세정액(L)을 공급함으로써 친수화한다. 세정부(200)는 친수화된 기판(W)의 연마면에 대하여, 브러시 세정 및 스핀 세정을 행한다. 제어부(300)는, 친수화부(100), 세정부(200)의 동작을 제어한다.
연마 장치(P)는, 기판(W)의 표리의 면을 연마하는 장치이다. 본 실시형태의 연마 장치(P)는, CMP(화학 기계 연마: Chemical Mechanical Polishing)를 행하는 장치이다. 도 2에, 연마 장치(P)의 개략 구성을 나타낸다. 연마 장치(P)는, 챔버(C) 내에 있어서, 회전하는 롤러(R)가 기판(W)의 외주를 파지하여 회전시킨다. 그리고, 기판(W)의 표리의 면에, 후술하는 세정액(L)을 공급하면서, 회전하는 연마 패드(S)가 기판(W)에 접촉하여 연마한다.
또한, 연마 대상 및 세정 대상이 되는 기판(W)은, 전형적으로는 원형의 반도체 웨이퍼이다. 단, 기판(W)은, 표시 장치용 기판이어도 좋다. 연마 장치(P)에 의해 연마된 기판(W)의 면을 연마면으로 한다. 본 실시형태에서는, 연마면은 기판(W)의 표면 및 이면이다. 이하의 설명에서는, 표면 및 이면의 연마면을, 단순히 양면으로 하는 경우가 있다.
[구성]
(친수화부)
친수화부(100)는, 챔버(110), 지지부(120), 공급부(130), 촬상부(140), 반송부(150)를 갖는다. 챔버(110)는, 연마 장치(P)에 의해 연마된 연마면을 갖는 기판(W)이 반입되는 용기이다. 챔버(110)에는, 연마 장치(P) 및 세정부(200) 사이에서 기판(W)을 반출/반입하기 위한 개구(111a, 111b)가 마련되어 있다. 개구(111a, 111b)는, 셔터(112a, 112b)에 의해 개폐 가능하게 마련되어 있다. 기판(W)의 반출/반입시에는, 셔터(112a, 112b)가 개구(111a, 111b)를 개방한다. 친수화 처리시에는, 셔터(112a, 112b)가 개구(111a, 111b)를 폐쇄한다.
챔버(110)의 상부에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 팬 필터 유닛(FFU: Fan Filter Unit)(111)이 설치되어 있다. FFU(111)는, 도시하지 않은 팬 및 HEPA 필터를 가지며, 청정화된 공기를 챔버(110) 내에 송풍하는 송풍기이다. FFU(111)에 의해, 챔버(110)의 천장으로부터 마루면을 향하는 다운 플로우가 생긴다. 이 다운 플로우에 의해, 먼지가 날아 올라 기판(W)에 부착되지 않도록 하고 있다. 또한, 챔버(110)의 마루면에는 도시하지 않은 배기구가 마련되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 지지부(120)는, 챔버(110) 내에 설치되어, 챔버(110) 내에 반입된 기판(W)을 지지한다. 지지부(120)는, 기판(W)의 양면이 노출되도록, 기판(W)을 수평 상태로 지지한다. 본 실시형태의 지지부(120)는, 연직 방향의 기둥 모양의 4개의 지지핀(121)을 갖는다. 각 지지핀(121)은, 기판(W)의 주위를 따라 등간격으로 챔버(110) 내에 세워져 있다. 지지핀(121)의 상단에는, 경사진 테이퍼면(121a)이 형성되어 있다. 각 지지핀(121)의 테이퍼면(121a)은, 기판(W)의 중심을 향하고 있고, 기판(W)의 외주 가장자리가 배치된다. 이에 따라, 기판(W)은 회전하지 않는 정지 상태로 지지된다.
공급부(130)는, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 연마면을 친수화시키는 세정액(L)을, 지지부(120)에 지지된 기판(W)의 연마면에 공급한다. 공급부(130)는, 복수의 노즐(131)을 가지며, 노즐(131)의 선단으로부터, 기판(W)의 연마면을 향해 세정액(L)을 토출한다. 본 실시형태의 세정액(L)은, 오존수 또는 순수이다. 단, 세정액(L)은, SC-1(암모니아수와 과산화수소수를 혼합한 액)이어도 좋다.
노즐(131)은, 기판(W)의 중심을 사이에 두고, 한 쌍 마련되어 있다. 또한, 노즐(131)은, 기판(W)의 대향하는 양쪽(양면)의 연마면에, 세정액(L)을 공급 가능한 위치에 마련되어 있다. 즉, 기판(W)를 사이에 두고 상하로, 각각 한 쌍의 노즐(131)이 배치되어 있다. 각 노즐(131)의 일단은, 기판(W)의 연마면에, 경사진 방향으로부터 세정액(L)을 토출하는 토출구이다. 이 토출구는, 평면에서 보아 부채형으로 넓어지도록 세정액(L)을 분출한다.
기판(W)의 상측 연마면과 하측 연마면에, 각각 대향하는 한 쌍의 노즐(131)이, 기판(W)의 외측으로부터 연마면의 중앙 부근을 향해 세정액(L)을 분사한다. 이에 따라, 기판(W)의 양면에, 한쪽 외주단으로부터 다른 쪽 외주단까지 세정액(L)이 확산된다. 세정액(L)은, 노즐(131)에 가까운 외주단으로부터 먼 외주단으로 흐른다. 이 때문에, 1 방향에서만의 분사는, 먼 외주단으로 세정액(L)이 치우치기 쉽다. 그러나, 대향하는 2 방향에서 분사함으로써, 세정액(L)이 양쪽의 치우침을 보완하여 전체에 균일하게 확산된다.
노즐(131)의 타단은, 배관을 통해, 도시하지 않은 세정액(L)의 공급 장치에 접속되어 있다. 공급 장치는, 오존수 제조 장치(오존수 저류 탱크)에 접속된 송액 장치, 밸브 등을 갖는다.
촬상부(140)는, 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 세정액(L)이 공급된 연마면을, 기판(W)의 측방으로부터 촬상한다. 이 측방으로부터의 촬상은, 시야에 외주단과 상하의 액막이 포함되도록 촬상하는 것을 말한다. 도 4의 (B), (C)는, 이와 같이 촬상된 화상의 예이다. 또한, 도 4에 예시하고 있는 것은, 촬상한 기판(W)의 화상의 일부이며, 화상으로서는 기판(W)의 반대측의 단부까지 촬상되어 있다. 촬상부(140)는, 복수의 카메라(141)를 갖는다. 카메라(141)는, 광축이 기판(W)의 외주단으로 향하도록, 기판(W)의 바로 옆에 배치되어 있다. 본 실시형태의 카메라(141)는, 기판(W)의 외주를 따라 등간격으로 3대 배치되어 있다. 이에 따라, 촬상부(140)는, 기판(W)의 전체 둘레를 촬상 범위로서 커버할 수 있도록 하고 있다. 즉, 카메라(141)는, 광축이, 지지부(120)에 수평 상태로 지지되어 있는 기판(W)의 중심을 향하도록, 또한, 지지부(120)에 수평 상태로 지지된 기판(W)의 연마면에 평행하고, 기판(W)의 두께 방향의 중앙 위치와 높이가 일치하도록, 배치된다.
반송부(150)는, 로봇 핸드(151)를 갖는다. 로봇 핸드(151)는, 기판(W)을 파지하여, 연마 장치(P)로부터 반입한 기판(W)을 지지부(120)로 반송한다.
(세정부)
도 1에 도시된 바와 같이, 세정부(200)는, 브러시 세정 장치(210), 스핀 세정 장치(220), 반송 장치(230)를 갖는다. 브러시 세정 장치(210), 스핀 세정 장치(220)는, 각각 반송 장치(230)를 사이에 두고 한 쌍 설치되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 브러시 세정 장치(210)는, 챔버(211), 회전 구동부(212), 브러시 구동부(213), 급액부(214)를 갖는다. 챔버(211)는, 내부에서 기판(W)의 브러시 세정이 행해지는 용기이다. 회전 구동부(212)는, 복수의 롤러(212a)에 의해 기판(W)의 외주를 유지하여 회전시킨다.
브러시 구동부(213)는, 회전하는 브러시(213a)를 기판(W)의 연마면에 접촉시킨다. 또한, 브러시 구동부(213)는, 브러시(213a)를 기판(W)의 연마면에 평행한 방향으로 이동시킨다. 브러시(213a)는, 기판(W)을 상하 사이에 두도록, 상하로 한 쌍 설치되어 있다. 급액부(214)는, 기판(W)의 상하의 연마면에 세정액(L)을 공급한다. 급액부(214)는, 기판(W)의 연마면을 향해 세정액(L)을 토출하는 노즐(214a)을 갖는다.
브러시 세정 장치(210)는, 후술하는 반송 장치(230)에 의해 반입된 기판(W)을, 롤러(212a)에 의해 유지한다. 롤러(212a)에 의해 회전하는 기판(W)의 양면에, 세정액(L)을 공급하면서, 회전하는 브러시(213a)가 기판(W)의 양면에 접촉한다. 브러시(213a)가 기판(W)의 연마면에 평행하게 이동함으로써, 기판(W)의 양면이 세정된다.
스핀 세정 장치(220)는, 챔버(221), 회전 구동부(222), 급액부(223)를 갖는다. 챔버(221)는, 내부에서 기판(W)의 스핀 세정이 행해지는 용기이다. 회전 구동부(222)는, 기판(W)에 접촉 분리되는 핀(222a)에 의해 기판(W)의 외주를 파지하여 회전시킨다. 핀(222a)은, 모터에 의해 회전하는 회전 테이블(222b)에 설치되어 있다. 급액부(223)는, 기판(W)의 상하 연마면에 세정액(L)을 공급한다.
급액부(223)는, 기판(W)의 연마면을 향해 세정액(L)을 토출하는 노즐(223a)을 갖는다. 기판(W)의 상측으로부터 세정액(L)을 토출하는 노즐(223a)은, 요동 아암(223b)의 선단에 마련되어 있다. 기판(W)의 하측으로부터 세정액(L)을 토출하는 노즐(223a)은, 도시는 하지 않지만, 회전 테이블(222b)에 내장되어 있다.
스핀 세정 장치(220)는, 반송 장치(230)에 의해 반입된 기판(W)을 핀(222a)에 의해 파지한다. 회전 테이블(222b)의 회전에 의해 회전하는 기판(W)의 양면에, 노즐(223a)이 세정액(L)을 토출함으로써 세정된다.
반송 장치(230)는, 로봇 핸드(231), 이동 기구(232)를 갖는다. 로봇 핸드(231)는 기판(W)을 파지한다. 이동 기구(232)는, 로봇 핸드(231)를 이동시킨다. 반송 장치(230)는, 친수화부(100)와 브러시 세정 장치(210) 사이, 브러시 세정 장치(210)와 스핀 세정 장치(220) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 이 반송은, 기판(W)의 연마면 상에 세정액(L)의 액막이 형성된 상태에서 행한다. 이것은, 기판(W)의 반송 중에, 기판(W)의 연마면이 건조되는 것, 연마면에 오염물이 부착되는 것을 방지하기 위함이다.
(제어부)
제어부(300)는, 기판 세정 장치(1)의 각부를 제어하는 컴퓨터이다. 제어부(300)는, 프로세서, 메모리, 구동 회로를 갖는다. 제어부(300)는, 메모리에 기억된 프로그램이나 동작 조건을 프로세서가 실행함으로써, 구동 회로를 통해 각부를 구동한다. 즉, 제어부(300)는 공급부(130), 촬상부(140), 반송부(150)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(300)는, 브러시 세정 장치(210), 스핀 세정 장치(220), 반송 장치(230)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(300)는, 정보를 입력하는 입력 장치, 정보를 표시하는 표시 장치를 갖고 있다.
본 실시형태의 제어부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기구 제어부(31),촬상 제어부(32), 판정부(33), 조정부(34)를 갖는다. 기구 제어부(31)는, 각부에 있어서의 기구의 동작을 제어한다. 보다 구체적으로는, 기구 제어부(31)는, 로봇 핸드(151)의 동작, 노즐(131)로부터의 세정액(L)의 토출, 촬상부(140)의 촬상을 제어한다.
촬상 제어부(32)는, 기구 제어부(31)를 통해, 촬상부(140)의 촬상 타이밍을 제어한다. 예컨대, 촬상 제어부(32)는, 미리 정해진 타이밍에 촬상부(140)에 의한 촬상을 행하게 한다. 이 촬상시에는, 기구 제어부(31)가, 노즐(131)에 의한 세정액(L)의 토출을 정지시킨다. 예컨대, 촬상부(140)는, 세정액(L)을, 30∼40초 정도 공급한 후, 공급을 정지한 타이밍에, 기판(W)을 촬상한다. 또한, 친수화가 불충분한 경우에는, 재차, 세정액(L)을 30∼40초 정도 공급한 후, 공급을 정지하고, 촬상부(140)가 기판(W)을 촬상한다.
판정부(33)는, 촬상부(140)에 의해 촬상된 화상과, 친수화한 연마면의 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 판정한다. 예컨대, 기판(W)의 측방으로부터 촬상한 화상은, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 양면을 덮도록 액막이 형성된 상태가 된다. 촬상부(140)에 의해 미리 촬상된 이러한 화상을, 메모리가 기준 화상으로서 기억해 둔다. 이때, 판정부(33)는, 세정액(L) 및 기판(W)의 윤곽을 추출해 둔다. 또한, 기준 화상은, 세정에 의해 친수화가 이상적인 상태(정상)로 행해진 기판(W)을 촬상하여 얻는 것이다. 친수화가 정상으로 행해진 상태란, 예컨대, 기판(W)의 연마면 전체가 세정액(L)으로 덮인 상태이다. 또한, 기준 화상은, 실제로 촬상하여 얻어도 좋고, 설계값이나 이론값에 기초하여 생성하여도 좋다.
실제의 처리에 있어서 양면이 친수화된 기판(W)의 화상도, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 기판(W) 전체가 세정액(L)으로 덮인 상태가 된다. 한편, 친수화가 충분하지 않은 화상은, 도 4의 (C)에 나타내게 된다. 이 경우, 기판(W)의 표면이 노출된 부분이 생긴다. 즉, 세정액(L)이 존재하지 않는 영역이 생겨, 연마면이 노출된 부분이 존재하는 상태가 된다.
그래서, 판정부(33)는, 이하와 같이 친수화의 가부를 판정한다. 우선, 판정부(33)는, 촬상한 화상의 기판(W) 및 세정액(L)의 윤곽을 추출한다. 그리고, 판정부(33)는, 도 4의 (D), (E)에 도시된 바와 같이, 촬상한 화상과 기준 화상을 겹치게 한다. 이때, 판정부(33)는, 기판(W)의 윤곽이 일치하도록 겹친다. 촬상한 화상에 있어서, 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리(d)가 제1 임계값 이하인 부분은, 친수화 불충분으로 판정할 수 있다. 예컨대, 도 4의 (E)의 백색 화살표로 나타낸 지점은, 친수화가 불충분하다고 할 수 있다. 제1 임계값은, 예컨대, 기준 화상에 있어서의 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리의 10% 이하의 범위에서 설정한 임의의 값으로 한다. 판정부(33)는, 기준 화상의 세정액(L)의 면적에 대하여, 촬상한 화상의 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율을 구한다. 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율이 제2 임계값을 초과한 경우, 판정부(33)는 친수화가 되어 있지 않다고 판정한다. 제2 임계값은, 예컨대, 기준 화상의 세정액(L)의 면적의 10% 이상의 범위에서 설정한 임의의 값으로 한다. 제1 임계값, 제2 임계값은, 미리 입력 장치에 의해 입력되고, 메모리에 기억되어 있다.
예컨대, 도 4의 (D)는 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리(d)가, 기준 화상에 있어서의 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리보다 작은 지점이 존재한다(도면 중에 있어서의 기판(W) 측면의 흑색 부분). 그러나, 거리(d)가 제1 임계값 이하가 아니며, 친수화 불충분한 지점이 존재하지 않는다. 그 때문에, 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율이 제2 임계값 이하의 면적의 비율이며, 친수화가 되어 있다고 판정된다.
도 4의 (E)는 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리(d)가 제1 임계값 이하인 부분(친수화가 불충분한 지점)이 존재하고, 또한, 기준 화상의 세정액(L)의 면적에 대하여, 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율이 제2 임계값을 초과하는 면적의 비율이기 때문에, 친수화가 되어 있지 않다고 판정된다.
조정부(34)는, 판정부(33)에 의한 판정 결과에 따라, 공급부(130)에 의한 세정액(L)의 공급을 조정한다. 예컨대, 친수화되어 있지 않은 경우에는, 조정부(34)는, 재차, 공급부(130)에 의해 세정액(L)을 공급시킨다. 친수화되고 있는 경우에는, 조정부(34)는, 재차의 세정액(L)의 공급은 시키지 않고, 기판(W)을 세정부(200)로 반송시킨다.
[동작]
상기와 같은 구성의 기판 세정 장치(1)의 동작을, 상기한 도 1∼도 4 이외에, 도 5의 흐름도를 참조하여 설명한다.
우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 연마 장치(P)에 있어서 표리의 면이 연마된 기판(W)을, 로봇 핸드(151)가 챔버(110) 내로 반입한다(단계 S01). 로봇 핸드(151)는, 기판(W)을 지지부(120)의 지지핀(121)에 배치한다(단계 S02). 이에 따라, 기판(W)이 수평으로 지지된다.
공급부(130)의 노즐(131)은, 도 2, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이 기판(W)의 표리의 연마면에 대하여 세정액(L)을 공급한다(단계 S03). 기판(W)의 표리의 연마면에는, CMP 공정에서 잔존한 오염물(슬러리 등의 유기계 오염물이나 금속 오염물 등)이 부착된 상태로 되어 있다. 이러한 연마면에 오존수를 뿌림으로써, 산화막이 형성되어, 친수화가 진행된다.
미리 정해진 시간이 경과한 후(단계 S04의 '예'), 노즐(131)이 세정액(L)의 공급을 정지한다(단계 S05). 그리고, 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 촬상부(140)가 기판(W)의 측방을 촬상한다(단계 S06). 판정부(33)는, 촬상부(140)가 촬상한 화상과, 미리 기억된 기준 화상으로부터, 친수화의 가부를 판정한다(단계 S07). 친수화되어 있지 않다고 판정한 경우에는(단계 S08의 '아니오'), 노즐(131)이 세정액(L)을 공급한다(단계 S03). 그 후, 단계 S04∼S07의 처리가 행해진다.
판정부(33)가, 친수화되었다고 판정한 경우는(단계 S08의 '예'), 로봇 핸드(231)가, 기판(W)을 세정부(200)로 반입한다(단계 S09). 우선, 로봇 핸드(231)는, 기판(W)을 챔버(211) 내로 반입한다. 그리고, 챔버(211) 내에 있어서, 기판(W)의 연마면에 대하여 브러시 세정이 행해진다(단계 S10). 이에 따라, 기판(W)의 연마면의 오염물이, 브러시(213a)에 의해 기판(W) 밖으로 배출된다.
다음에, 로봇 핸드(231)는, 기판(W)을 챔버(211)로부터 챔버(221) 내로 반입한다. 그리고, 챔버(221) 내에 있어서, 기판(W)의 연마면에 대하여 스핀 세정이 행해진다(단계 S11). 그 후, 로봇 핸드(231)는, 기판(W)을 챔버(221)로부터 반출한다(단계 S12).
[효과]
(1) 이상과 같은 본 실시형태의 기판 세정 장치(1)는, 연마 장치(P)에 의해 연마된 연마면을 갖는 기판(W)이 반입되는 챔버(110)와, 챔버(110) 내에 설치되어, 기판(W)을 지지하는 지지부(120)와, 연마면을 친수화시키는 세정액(L)을, 지지부(120)에 지지된 기판(W)의 연마면에 공급하는 공급부(130)와, 세정액(L)이 공급된 연마면을, 기판(W)의 측방으로부터 촬상하는 촬상부(140)와, 촬상부(140)에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 판정하는 판정부(33)와, 판정부(33)에 의한 판정 결과에 따라, 공급부(130)에 의한 세정액(L)의 공급을 조정하는 조정부(34)와, 챔버(110)에 접속되어, 세정액(L)에 의해 친수화된 연마면을, 세정액(L)에 의해 세정하는 세정부(200)를 갖는다.
이 때문에, 연마 후의 기판(W)의 친수화의 가부를 판정하여, 친수화가 충분한 상태가 될(친수화되었다고 판정될) 때까지 세정액(L)을 기판(W)에 공급할 수 있다. 이에 따라, 연마 후의 기판(W)의 친수화가 불충분한 상태에서 세정부(200)에 의한 세정이 행해지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 세정부(200)가, 기판(W)으로부터 오염물을 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 촬상부(140)는, 기판(W)의 측방으로부터 촬상하기 때문에, 기판(W)의 바로 위에 촬상부(140)를 설치할 필요가 없다. 이 때문에, 촬상부(140)에 부착된 세정액(L)이 낙하하여, 기판(W)에 부착됨으로써, 기판(W)이 오염되는 것이 방지된다. 또한, 기판(W) 위에 촬상부(140)가 없기 때문에, 다운 플로우가 저해되는 일은 없다.
또한, 촬상부(140)가 기판(W)의 측방으로부터 촬상함으로써, 기판(W)의 대향하는 양쪽의 연마면의 상태를 촬상할 수 있다. 이 때문에, 기판(W)의 바로 위로부터의 촬상에서는 판정할 수 없는 이면측의 친수화의 가부도 판정할 수 있다. 또한, 기판(W)을 반전시키는 등으로 양면을 촬상하는 경우에는 검사에 시간이 걸린다. 본 실시형태에서는, 촬상부(140)가 기판(W)의 측방으로부터 동시에 양면의 상태를 촬상할 수 있으므로, 단시간에 검사할 수 있다. 또한, 이면 바로 아래로부터 촬상하는 경우에는, 촬상부(140)에 액적이 부착되어 오검출의 우려가 있다. 본 실시형태에서는, 촬상부(140)가 기판(W)의 측방으로부터 촬상하기 때문에, 촬상부(140)로의 액적의 부착에 따른 오검출을 방지할 수 있다.
(2) 촬상부(140)는, 공급부(130)에 의한 세정액(L)의 공급을 정지한 상태에서, 지지부(120)에 의해 정지한 상태에서 지지된 기판(W)의 측방으로부터 촬상한다. 이 때문에, 기판(W)의 측방으로부터 촬상할 때에, 촬상부(140)에 세정액(L)이 튀지 않는다. 또한, 정지하고 있기 때문에 액면에 흔들림이 없다. 따라서, 판정부(33)가 친수화의 가부를 정확히 판정할 수 있다.
(3) 기판(W)은, 양면이 연마면이며, 공급부(130)는, 기판(W)의 양쪽 연마면을 향해 세정액(L)을 토출 가능하고, 기판(W)의 중심을 사이에 두는 위치에 배치된 한 쌍의 노즐(131)을 갖는다. 따라서, 공급부(130)는, 세정액(L)을 대향하는 양방향으로부터 흘려, 기판(W) 전체에 확산시킬 수 있다.
(4) 기판(W)은, 양면이 연마면이며, 공급부(130)는, 기판(W)의 대향하는 양쪽의 연마면에, 세정액(L)을 공급하는 위치에 마련된 노즐(131)을 갖는다. 이 때문에, 공급부(130)가 대향하는 양쪽의 연마면에 세정액(L)을 공급하고, 판정부(33)가 양쪽의 친수화의 가부를 판정할 수 있다.
(5) 촬상부(140)는, 기판(W)의 주위에 복수 배치되어 있다. 이 때문에, 판정부(33)는, 기판(W) 전체의 친수화의 가부를 판정할 수 있다.
(6) 판정부(33)는, 세정액(L)에 의해 친수화된 상태의 기준이 되는 기판(W)의 기준 화상과, 세정액(L)이 공급되고, 지지부(120)에 지지된 상태의 기판(W)을 촬상한 화상을 비교하여, 친수화의 가부를 판정한다. 이 때문에, 판정부(33)는, 기준이 되는 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 정확하게 판정할 수 있다. 또한, 보다 구체적인 예로서, 판정부(33)는, 촬상한 화상 및 기준 화상으로부터 기판(W) 및 세정액(L)의 윤곽을 추출하여, 기판(W)의 윤곽이 일치하도록, 촬상한 화상과 기준화상을 겹치게 하고, 촬상한 화상에 있어서, 세정액(L)의 윤곽과 기판(W)의 윤곽의 거리가 제1 임계값 이하인 부분은, 친수화 불충분으로 판정하며, 기준 화상의 세정액(L)의 면적에 대하여, 촬상한 화상의 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율을 구하여, 그 비율이 제2 임계값을 초과한 경우, 친수화가 되어 있지 않다고 판정한다.
[변형례]
본 실시형태는, 상기한 양태에 한정되지 않고, 이하와 같은 변형례도 구성 가능하다.
(1) 판정부(33)에 의한 판정 수법은 상기한 양태에는 한정되지 않는다. 판정부(33)는, 촬상한 화상에 의해서만, 친수화되어 있지 않은 지점을 판정하여도 좋다. 예컨대, 판정부(33)는, 세정액(L)의 윤곽의 요철에 의해, 친수화의 가부를 판정하여도 좋다.
(2) 각 연마면에 세정액(L)을 토출하는 노즐(131)의 수는, 연마면 전체에 세정액(L)을 확산시킬 수 있는 수이면 좋기 때문에, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다. 공급부(130)는, 기판(W)의 한쪽 연마면에만 세정액(L)을 공급하는 구성이어도 좋다.
(3) 촬상부(140)의 카메라(141)의 수는, 기판(W)의 측방으로부터 촬상할 수 있으면 좋다. 이 때문에, 카메라(141)가 2대 이하여도 좋고, 4대 이상이어도 좋다. 카메라(141)의 광축은, 연마면에 대하여 엄밀하게 평행하지 않아도 좋고, 다소의 기울기가 있어도 좋다.
(4) 기판(W)을 회전시키는 회전 장치를 구비하여, 기판(W)을 회전시키면서, 공급부(130)가 세정액(L)을 기판(W)에 공급하는 구성으로 하여도 좋다. 이에 따라, 노즐(131)의 수에 관계없이, 기판(W)의 연마면 전체에 세정액(L)을 확산시키기 쉽게 할 수 있다.
(5) 브러시 세정 장치(210)는, 기판(W)의 면에 평행한 원통 형상의 브러시에 의해 세정하는 구성이어도 좋다.
(6) 판정부(33)에 의한 기판(W)의 친수화 가부의 판정 결과에 따라, 공급부(130)에 의한 세정액(L)의 공급을 이하와 같이 조정하는 것도 가능하다. 예컨대, 기판(W)의 표리의 연마면 중 어느 하나가 친수화되어 있지 않다고 판정된 경우, 표리 어느 하나의 연마면에 대향하는 노즐(131)의 세정액(L)의 공급량 또는 공급 시간을 늘린다. 또한 예컨대, 기판(W)의 표리의 연마면 중 어느 하나가 친수화되어 있다고 판정된 경우, 표리 어느 하나의 연마면에 대향하는 노즐(131)의 세정액(L)의 공급량 또는 공급 시간을 줄이거나 혹은 공급을 정지한다. 또한 예컨대, 복수의 촬상부(140) 중, 어느 하나의 촬상부(140)로 촬상한 기판(W)의 지점이 친수화되어 있지 않다고 판정된 경우, 친수화되어 있지 않다고 판정된 지점으로서, 촬상부(140)의 가장 가까운 지점에 세정액(L)을 공급 가능한 노즐(131)에 대해서, 그 노즐(131)로부터의 세정액(L)의 공급량 또는 공급 시간을 추가한다. 또한 예컨대, 친수화되어 있다고 판정된 지점으로서, 촬상부(140)의 가장 가까운 지점에 세정액(L)을 공급 가능한 노즐(131)에 대해서, 그 노즐(131)로부터의 세정액(L)의 공급량이나 공급 시간을 줄이거나 혹은 공급을 정지한다.
[다른 실시형태]
이상, 본 발명의 실시형태 및 각부의 변형례를 설명하였으나, 이 실시형태나 각부의 변형례는, 일례로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 전술한 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 더불어, 특허청구범위에 기재된 발명에 포함된다.
1 : 기판 세정 장치 31 : 기구 제어부
32 : 촬상 제어부 33 : 판정부
34 : 조정부 100 : 친수화부
110 : 챔버 111a, 111b : 개구
112a, 112b : 셔터 120 : 지지부
121 : 지지핀 121a : 테이퍼면
130 : 공급부 131, 214a, 223a : 노즐
140 : 촬상부 141 : 카메라
150 : 반송부 151, 231 : 로봇 핸드
200 : 세정부 210 : 브러시 세정 장치
211 : 챔버 212 : 회전 구동부
212a : 롤러 213 : 브러시 구동부
213a : 브러시 214 : 급액부
220 : 스핀 세정 장치 221 : 챔버
221a : 핀 221b, 222b : 회전 테이블
222 : 회전 구동부 223 : 급액부
223a : 노즐 223b : 요동 아암
230 : 반송 장치 232 : 이동 기구
300 : 제어부

Claims (7)

  1. 기판 세정 장치로서,
    연마 장치에 연결되며, 연마 장치에 의해 연마된 연마면을 갖는 기판이 반입되는 친수화 챔버(hydrophilization chamber)와,
    상기 친수화 챔버 내에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 연마면을 친수화시키는 세정액을, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 상기 연마면에 공급하는 공급부와,
    상기 세정액이 공급된 상기 연마면을, 상기 기판의 측방으로부터 촬상하는 촬상부와,
    상기 친수화 챔버에 접속되어, 상기 세정액에 의해 친수화된 상기 연마면을 세정하는 세정부와,
    기판 세정 장치의 전반적인 작동을 제어하는 제어부
    를 갖고,
    상기 제어부는,
    상기 촬상부에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 친수화의 가부를 판정하는 판정부와,
    상기 판정부에 의한 판정 결과에 따라, 상기 공급부에 의한 상기 세정액의 공급을 조정하는 조정부
    를 갖는 것인 기판 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 촬상부는, 상기 공급부에 의한 상기 세정액의 공급을 정지한 상태에서, 상기 지지부에 의해 정지한 상태에서 지지된 상기 기판의 측방으로부터 촬상하는 것인 기판 세정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은, 양면이 연마면이며,
    상기 공급부는, 상기 기판의 적어도 한쪽의 연마면을 향해 상기 세정액을 토출 가능하고 상기 기판의 중심을 사이에 두는 위치에 배치된 적어도 한 쌍의 노즐을 갖는 것인 기판 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 양면이 연마면이며,
    상기 공급부는, 상기 기판의 대향하는 양쪽의 연마면에, 상기 세정액을 공급하는 위치에 마련된 노즐을 갖는 것인 기판 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 촬상부는, 상기 기판의 주위에 복수 배치되어 있는 것인 기판 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 판정부는, 상기 세정액에 의해 친수화된 상태의 기준이 되는 상기 기판의 기준 화상과, 상기 세정액이 공급되고 상기 지지부에 지지된 상태의 상기 기판을 촬상한 화상을 비교하여, 친수화의 가부를 판정하는 것인 기판 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 판정부는,
    상기 촬상한 화상 및 상기 기준 화상으로부터 상기 기판 및 상기 세정액의 윤곽을 추출하여, 상기 기판의 윤곽이 일치하도록 상기 촬상한 화상과 상기 기준 화상을 겹치게 하고,
    상기 촬상한 화상에 있어서, 상기 세정액의 윤곽과 상기 기판의 윤곽의 거리가 제1 임계값 이하인 부분은, 친수화 불충분으로 판정하며,
    상기 기준 화상의 상기 세정액의 면적에 대하여, 상기 촬상한 화상의 친수화가 불충분한 지점의 면적의 비율을 구하여, 그 비율이 제2 임계값을 초과한 경우, 친수화가 되어 있지 않다고 판정하는 것인 기판 세정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003077877A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ枚葉式研磨洗浄設備及びこれを用いた研磨方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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