KR20240022002A - Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 세정하는 브러쉬 유닛을 포함하되, 상기 브러쉬 유닛은, 바디; 및 상기 바디에 형성된 복수 개의 접촉 패드를 포함하고, 상기 접촉 패드들 사이에는 기판으로부터 탈락된 불순물이 배출되는 홈 부가 위치할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a housing having a processing space; a support unit supporting a substrate in the processing space; and a brush unit for cleaning the substrate supported on the support unit, wherein the brush unit includes: a body; and a plurality of contact pads formed on the body, wherein a groove portion through which impurities dropped from the substrate are discharged may be positioned between the contact pads.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for cleaning a substrate.
반도체 공정은 기판 상에 이물질, 파티클 등의 불순물(Byproduct) 또는 박막을 세정하는 공정을 포함한다. 이들 공정은 패턴이 형성된 기판의 상면을 세정하는 상면 세정 공정과 패턴이 형성되지 않은 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정을 포함한다. 일반적으로 표면 세정 공정은 기판의 상면이 위를 향하는 방향으로 놓인 상태에서 기판의 상면으로 세정액을 공급함으로써 이루어진다. 또한, 이면 세정 공정은 기판의 이면이 위를 향하는 방향으로 놓인 상태에서, 기판의 이면으로 액을 공급하면서 브러쉬로 기판의 이면을 문지르며(scrub) 이루어진다.The semiconductor process includes a process of cleaning thin films or impurities such as foreign substances and particles on a substrate. These processes include a top surface cleaning process that cleans the top surface of the substrate on which the pattern is formed and a back surface cleaning process that cleans the back surface of the substrate on which the pattern is not formed. Generally, the surface cleaning process is performed by supplying a cleaning liquid to the upper surface of the substrate while the upper surface of the substrate is facing upward. Additionally, the back side cleaning process is performed by supplying liquid to the back side of the substrate and scrubbing the back side of the substrate with a brush while the back side of the substrate is facing upward.
기판의 이면에 부착된 불순물이 기판의 이면으로부터 제거되기 위해서는, 브러쉬가 기판의 이면을 문지를 때 일정 이상의 힘이 기판에 가해져야 한다. 일정 이상의 힘이 기판에 가해지지 않는 경우, 기판의 이면에 부착된 불순물은 수월하게 제거되지 어렵다. 이와 달리, 일정 이상의 힘이 기판에 가해지는 경우, 기판의 이면에 스크래치 등의 데미지를 발생시킬 수 있다.In order for impurities attached to the back side of the substrate to be removed from the back side of the substrate, a certain amount of force must be applied to the substrate when the brush rubs the back side of the substrate. If a certain amount of force is not applied to the substrate, impurities attached to the back side of the substrate are difficult to remove. On the other hand, if a certain amount of force or more is applied to the substrate, damage such as scratches may occur on the back side of the substrate.
브러쉬에 의해 기판의 이면으로부터 탈락된 불순물은 기판의 이면에 공급된 액과 섞여 오염된 액을 형성한다. 브러쉬는 기판의 이면과 접촉함으로써, 기판의 이면으로부터 불순물을 탈락시키므로, 오염된 액은 브러쉬와 기판 사이에 쉽게 트랩(Trap)된다. 즉, 오염된 액은 브러쉬의 외부로 배출되기 어렵다. 브러쉬가 기판의 이면에서 이동하면서 기판을 세정하는 동안, 브러쉬와 기판 사이에 트랩된 오염된 액은 기판의 이면 곳곳에 오염을 야기한다.Impurities removed from the back of the substrate by the brush mix with the liquid supplied to the back of the substrate to form a contaminated liquid. The brush comes into contact with the back side of the substrate and removes impurities from the back side of the substrate, so contaminated liquid is easily trapped between the brush and the substrate. In other words, it is difficult for contaminated liquid to be discharged to the outside of the brush. While the brush moves on the back side of the board and cleans the board, the contaminated liquid trapped between the brush and the board causes contamination throughout the back side of the board.
본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can improve substrate cleaning efficiency.
또한, 본 발명은 패드를 이용하여 기판을 세정할 때, 오염된 약액이 패드의 외부로 쉽게 배출될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can easily discharge contaminated chemicals to the outside of the pad when cleaning a substrate using a pad.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. There will be.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 세정하는 브러쉬 유닛을 포함하되, 상기 브러쉬 유닛은, 원 형상으로 형성된 바디; 및 상기 바디에 형성된 복수 개의 접촉 패드를 포함하고, 상기 접촉 패드들 사이에는 기판으로부터 탈락된 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고, 상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 홈 부의 너비와, 상기 바디의 가장자리 영역에서의 상기 홈 부의 너비는 서로 다를 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a housing having a processing space; a support unit supporting a substrate in the processing space; and a brush unit for cleaning the substrate supported on the support unit, wherein the brush unit includes: a body formed in a circular shape; and a plurality of contact pads formed on the body, wherein a groove portion through which impurities dropped from the substrate are discharged is located between the contact pads, and the width of the groove portion in the central area of the body is determined by The width of the groove portion may be different.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 패드는 상기 바디의 둘레 방향을 따라 복수 개로 분할되고, 상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 홈 부의 너비는 상기 바디의 가장자리 영역에서의 상기 홈 부의 너비보다 작을 수 있다.According to one embodiment, the contact pad is divided into a plurality of pieces along the circumferential direction of the body, and the width of the groove portion in the central area of the body may be smaller than the width of the groove portion in the edge area of the body.
일 실시예에 의하면, 상기 바디의 중앙 영역에서 상기 바디의 가장자리 영역으로 갈수록 상기 홈 부의 너비는 점진적으로 넓어질 수 있다.According to one embodiment, the width of the groove portion may gradually become wider as it moves from the central area of the body to the edge area of the body.
일 실시예에 의하면, 상기 브러쉬 유닛은, 상기 홈 부에 배치된 복수 개의 접촉 돌기를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the brush unit may further include a plurality of contact protrusions disposed in the groove portion.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 돌기의 하단은, 상기 접촉 패드의 하단과 동일한 높이에 위치하거나, 상기 접촉 패드의 하단보다 상기 바디에 가까운 높이에 위치할 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the contact protrusion may be located at the same height as the lower end of the contact pad, or may be located at a height closer to the body than the lower end of the contact pad.
일 실시예에 의하면, 상기 복수 개의 접촉 돌기들의 그룹 중 어느 하나의 그룹은 상기 바디의 중앙 영역에 인접하게 위치하고, 상기 복수 개의 접촉 돌기들의 그룹 중 다른 하나의 그룹은 상기 바디의 가장자리 영역에 인접하게 위치할 수 있다.According to one embodiment, one group of the plurality of groups of contact protrusions is located adjacent to the central area of the body, and another group of the plurality of groups of contact protrusions is located adjacent to the edge area of the body. can be located
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 돌기의 하단은 라운드지게 형성될 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the contact protrusion may be formed to be round.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 패드는 상기 접촉 돌기보다 상대적으로 연성이 강한 재질을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the contact pad may include a material that is relatively more ductile than the contact protrusion.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 패드의 재질은 PVA(Polyvinyl alcohol)을 포함하고, 상기 접촉 돌기의 재질은 나일론, PP(Polypropylene), 또는 탄화 규소(SiC)를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the material of the contact pad may include polyvinyl alcohol (PVA), and the material of the contact protrusion may include nylon, polypropylene (PP), or silicon carbide (SiC).
일 실시예에 의하면, 상기 바디는 중앙 영역이 관통된 원 형상으로 형성되고, 상기 접촉 패드는 상기 바디의 저면으로부터 아래 방향으로 돌출되게 형성되고, 상기 접촉 패드의 저면은 기판과 접촉할 수 있다.According to one embodiment, the body is formed in a circular shape with a central area penetrating, the contact pad is formed to protrude downward from the bottom of the body, and the bottom of the contact pad may be in contact with the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 브러쉬 유닛은, 상기 홈 부에 배치되어 기판과 접촉하는 복수 개의 연마 패드들을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the brush unit may further include a plurality of polishing pads disposed in the groove portion and in contact with the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 브러쉬 유닛은, 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 세정액을 토출하는 세정 노즐을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the brush unit may further include a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid onto the substrate supported by the support unit.
일 실시예에 의하면, 상기 브러쉬 유닛은, 상기 바디 및 상기 세정 노즐을 지지하는 아암; 상기 아암을 이동시키는 아암 구동기; 상기 바디의 측부를 지지하는 홀더; 상기 아암을 관통하여 상기 홀더에 연결되고, 내부에 탄성 부재가 배치된 지지 로드; 및 상기 홀더를 회전시키는 홀더 구동기를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the brush unit includes an arm supporting the body and the cleaning nozzle; an arm driver that moves the arm; A holder supporting the side of the body; a support rod connected to the holder through the arm and having an elastic member disposed therein; And it may further include a holder driver that rotates the holder.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는 상기 아암 구동기에 의해 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이에서 이동할 수 있다.According to one embodiment, the body can be moved between a central area and an edge area of the substrate supported on the support unit by the arm driver.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 인덱스 블록; 및 상기 인덱스 블록과 인접하게 위치하는 처리 블록을 포함하되, 상기 인덱스 블록은, 기판이 수납된 용기가 놓이는 적어도 하나 이상의 로드 포트; 및 상기 용기와 상기 처리 블록 사이에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 배치된 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리 블록은, 기판이 일시적으로 보관되는 버퍼 유닛; 상기 버퍼 유닛과 적층되도록 배치되고, 기판을 상하 반전시키는 반전 유닛; 기판을 처리하는 처리 챔버; 및 상기 버퍼 유닛, 상기 반전 유닛, 그리고 상기 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇이 배치된 반송 챔버를 포함하고, 상기 처리 챔버는, 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 세정하는 브러쉬 유닛을 포함하되, 상기 브러쉬 유닛은, 중앙 영역이 관통된 원 형상의 바디; 상기 바디에 형성되고, 상기 바디의 둘레 방향을 따라 분할되어 기판과 접촉하는 복수 개의 접촉 패드; 적어도 하나 이상의 접촉 돌기; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 세정액을 토출하는 세정 노즐을 포함하고, 상기 접촉 패드들 사이에는 기판으로부터 탈락된 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고, 상기 접촉 돌기는 상기 홈 부에 배치될 수 있다.Additionally, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to one embodiment includes an index block; and a processing block located adjacent to the index block, wherein the index block includes: at least one load port on which a container containing a substrate is placed; and an index frame in which an index robot for transporting a substrate is disposed between the container and the processing block, wherein the processing block includes: a buffer unit in which the substrate is temporarily stored; an inversion unit arranged to be stacked with the buffer unit and inverting the substrate up and down; a processing chamber for processing a substrate; and a transfer chamber in which the buffer unit, the inversion unit, and a transfer robot that transfers the substrate between the processing chambers are disposed, the processing chamber comprising: a housing having a processing space; a support unit supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate supported on the support unit; and a brush unit for cleaning the substrate supported on the support unit, wherein the brush unit includes: a circular body with a central area penetrating; a plurality of contact pads formed on the body and divided along a circumferential direction of the body to contact the substrate; At least one contact protrusion; and a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid onto the substrate supported by the support unit, wherein a groove portion through which impurities dropped from the substrate are discharged is positioned between the contact pads, and the contact protrusion may be disposed in the groove portion.
일 실시예에 의하면, 상기 홈 부의 폭은, 상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 바디의 가장자리 영역으로 향할수록 증가할 수 있다.According to one embodiment, the width of the groove may increase from the central area of the body toward the edge area of the body.
일 실시예에 의하면, 상기 홈 부는 위에서 바라볼 때 부채꼴 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the groove portion may have a fan-shaped shape when viewed from above.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 패드는 상기 접촉 돌기보다 상대적으로 연성이 강한 재질을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the contact pad may include a material that is relatively more ductile than the contact protrusion.
또한, 본 발명은 기판과 접촉하여 기판에 부착된 불순물을 제거하는 브러쉬 유닛을 제공한다. 일 실시예에 의한 브러쉬 유닛은 원 형상으로 형성된 바디; 상기 바디에 형성되고, 상기 바디의 둘레 방향을 따라 분할되어 기판과 접촉하는 복수 개의 접촉 패드; 및 적어도 하나 이상의 접촉 돌기를 포함하고, 상기 접촉 패드들 사이에는 상기 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고, 상기 홈 부의 폭은, 상기 홈 부는 위에서 바라볼 때 부채꼴 형상을 가질 수 있다.Additionally, the present invention provides a brush unit that contacts the substrate and removes impurities attached to the substrate. A brush unit according to one embodiment includes a body formed in a circular shape; a plurality of contact pads formed on the body and divided along a circumferential direction of the body to contact the substrate; and at least one contact protrusion, wherein a groove through which the impurities are discharged is positioned between the contact pads. The width of the groove may have a fan-shaped shape when viewed from above.
일 실시예에 의하면, 상기 접촉 돌기의 하단은, 상기 접촉 패드의 하단과 동일한 높이에 위치하거나, 상기 접촉 패드의 하단보다 상기 바디에 가까운 높이에 위치할 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the contact protrusion may be located at the same height as the lower end of the contact pad, or may be located at a height closer to the body than the lower end of the contact pad.
또한, 본 발명은 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 상기 지지 유닛이 기판의 패턴면과 비 패턴면 중 상기 비 패턴면을 위로 향하도록 기판을 지지한 상태에서, 상기 비 패턴면에 세정액을 공급하면서 상기 접촉 패드들이 상기 비 패턴면과 접촉하여 상기 비 패턴면으로부터 불순물을 탈락시키고, 탈락된 상기 불순물은 상기 홈 부로 배출될 수 있다.Additionally, the present invention provides a method of processing a substrate using a substrate processing device according to an embodiment. A substrate processing method according to an embodiment is a state in which the support unit supports the substrate with the non-pattern side of the pattern side and the non-pattern side of the substrate facing upward, and while supplying a cleaning solution to the non-pattern side, the contact pads By contacting the non-pattern surface, impurities may fall off from the non-pattern surface, and the fallen impurities may be discharged into the groove portion.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 비 패턴면이 상기 접촉 패드와 접촉할 때 회전할 수 있다.According to one embodiment, the support unit may rotate when the non-patterned surface contacts the contact pad.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉할 때 회전할 수 있다.According to one embodiment, the body may rotate when the contact pad contacts the non-patterned surface.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하기 이전에 회전하고, 상기 지지 유닛은 상기 비 패턴면이 상기 접촉 패드와 접촉한 이후에 회전할 수 있다.According to one embodiment, the body may rotate before the contact pad contacts the non-patterned surface, and the support unit may rotate after the non-patterned surface contacts the contact pad.
일 실시예에 의하면, 상기 바디와 상기 지지 유닛은 서로 다른 방향으로 회전할 수 있다.According to one embodiment, the body and the support unit may rotate in different directions.
일 실시예에 의하면, 상기 바디와 상기 지지 유닛은 서로 동일한 방향으로 회전하되, 상기 바디의 단위 시간당 회전 수와 상기 지지 유닛의 단위 시간당 회전 수는 서로 다를 수 있다.According to one embodiment, the body and the support unit rotate in the same direction, but the number of rotations per unit time of the body and the number of rotations per unit time of the support unit may be different.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는, 상기 비 패턴면을 세정할 때, 기판의 중심을 포함하는 중앙 영역과 기판의 가장자리 영역 간에 왕복 이동할 수 있다.According to one embodiment, the body may move back and forth between a central area including the center of the substrate and an edge area of the substrate when cleaning the non-pattern surface.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는, 상기 기판의 중심을 포함하는 중앙 영역의 상측에서 하측으로 이동하여 상기 접촉 패드를 상기 비 패턴면과 접촉시키고, 상기 접촉 패드와 상기 비 패턴면이 접촉하면서 상기 중앙 영역에서 기판의 가장자리 영역으로 이동한 이후, 기판으로부터 이격되도록 상기 가장자리 영역의 상측으로 이동하고, 상기 가장자리 영역의 상측에서 상기 중앙 영역의 상측으로 이동한 이후 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하는 메커니즘을 적어도 1회 이상 수행할 수 있다.According to one embodiment, the body moves from the upper side to the lower side of the central region including the center of the substrate to bring the contact pad into contact with the non-patterned surface, and while the contact pad and the non-patterned surface contact the After moving from the central area to the edge area of the substrate, it moves to the upper side of the edge area to be spaced from the substrate, and after moving from the upper side of the edge area to the upper side of the central area, the contact pad contacts the non-patterned surface. The mechanism can be performed at least once.
일 실시예에 의하면, 상기 바디는, 기판의 가장자리 영역의 상측에서 하측으로 이동하여 상기 접촉 패드를 상기 비 패턴면과 접촉시키고, 상기 접촉 패드와 상기 비 패턴면이 접촉하면서 상기 가장자리 영역에서 기판의 중앙 영역으로 이동한 이후, 기판으로부터 이격되도록 상기 중앙 영역의 상측으로 이동하고, 상기 중앙 영역의 상측에서 상기 가장자리 영역의 상측으로 이동한 이후 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하는 메커니즘을 적어도 1회 이상 수행할 수 있다.According to one embodiment, the body moves from the top to the bottom of the edge area of the substrate to bring the contact pad into contact with the non-pattern surface, and the contact pad and the non-pattern surface contact the substrate in the edge area. After moving to the central area, the contact pad moves to the upper side of the central area to be separated from the substrate, and after moving from the upper side of the central area to the upper side of the edge region, at least one mechanism is used for the contact pad to contact the non-patterned surface. Can be performed more than once.
일 실시예에 의하면, 상기 비 패턴면이 세정된 기판은 반전 유닛에서 반전되어 상기 패턴면이 위를 향하도록 위치되고, 반전된 상기 기판은 상기 패턴면이 위를 향한 상태로 상기 지지 유닛에 지지되고, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛은 상기 패턴면에 상기 처리액을 공급하여 상기 패턴면을 세정할 수 있다.According to one embodiment, the substrate on which the non-pattern side has been cleaned is inverted in an inversion unit and positioned so that the pattern side faces upward, and the inverted substrate is supported on the support unit with the pattern side facing upward. The liquid supply unit that supplies the processing liquid to the substrate supported on the support unit may supply the processing liquid to the pattern surface to clean the pattern surface.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cleaning efficiency of the substrate can be improved.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 패드를 이용하여 기판을 세정할 때, 오염된 약액이 패드의 외부로 쉽게 배출될 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, when cleaning a substrate using a pad, contaminated chemicals can be easily discharged to the outside of the pad.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 패드를 이용하여 기판을 세정할 때, 패드에 의해 기판이 파손되는 것을 최소화할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, when cleaning a substrate using a pad, damage to the substrate caused by the pad can be minimized.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 바라본 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 반전 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 제1반송 로봇을 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 제1공정 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 8은 바디, 접촉 패드, 그리고 접촉 돌기의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 1의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 반송하고 기판을 처리하는 과정의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 10 내지 도 13은 기판이 반전 유닛에 의해 반전되는 동작의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 14 내지 도 17은 제1공정 처리의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 18은 바디, 접촉 패드, 그리고 접촉 돌기에서 약액이 배출되는 모습을 개략적으로 보여주는 부분 확대도이다.
도 19는 제2공정 처리의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 20 및 도 21은 브러쉬 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 22 및 도 23은 제1공정 처리의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view viewed along line I-I of FIG. 2.
FIG. 4 is a view viewed along line II-II in FIG. 2.
Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an inversion unit according to an embodiment.
Figure 6 is a perspective view schematically showing a first transfer robot according to an embodiment.
Figure 7 is a cross-sectional view schematically showing a first process chamber according to an embodiment.
8 is a perspective view schematically showing one embodiment of a body, a contact pad, and a contact protrusion.
FIG. 9 is a flow chart sequentially showing an embodiment of a process for transporting and processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 .
10 to 13 are diagrams sequentially showing an embodiment of an operation in which a substrate is inverted by an inversion unit.
14 to 17 are views sequentially showing an embodiment of the first process.
Figure 18 is a partial enlarged view schematically showing the discharge of chemical liquid from the body, contact pad, and contact protrusion.
Figure 19 is a diagram showing an example of the second process processing.
20 and 21 are views schematically showing another embodiment of a brush unit.
Figures 22 and 23 are views schematically showing another embodiment of the first process.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer explanation.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.
이하에서 설명하는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판은 반도체 웨이퍼(Wafer)와 같은 원형 기판을 예로 들어 설명한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에서 설명하는 기판은 마스크(Mask), 또는 디스플레이 패널 등과 같은 사각형의 기판일 수 있다.The substrate according to an embodiment of the present invention described below will be described by taking a circular substrate such as a semiconductor wafer as an example. However, it is not limited to this, and the substrate described in one embodiment of the present invention may be a square substrate such as a mask or a display panel.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 바라본 도면이다. 도 4는 도 2의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 바라본 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention of FIG. 1 . FIG. 3 is a view viewed along line I-I of FIG. 2. FIG. 4 is a view viewed along line II-II in FIG. 2.
이하에서는, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 블록(10)과 처리 블록(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 블록(10)과 처리 블록(20)은 일 방향으로 배치될 수 있다. 이하에서는, 인덱스 블록(10)과 처리 블록(20)이 배치된 방향을 제1방향(2)이라 정의하고, 위에서 바라볼 때 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 정의하고, 제1방향(2) 및 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다.Referring to FIG. 1 , the
인덱스 블록(10)은 기판이 수납된 용기(F)와 처리 블록(20) 사이에서 기판을 반송한다. 예컨대, 인덱스 블록(10)은 처리 블록(20)에서 소정의 처리가 완료된 기판을 용기(F)로 반송한다. 또한, 인덱스 블록(10)은 처리 블록(20)에서 소정의 처리가 예정된 기판을 용기(F)에서 처리 블록(20)으로 반송한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 블록(10)은 제2방향(4)과 평행한 길이 방향을 가질 수 있다.The
처리 블록(20)은 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24)을 포함할 수 있다. 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24)은 적층되게 배치된다. 일 실시예에 의하면, 제1처리 블록(22)은 제2처리 블록(24)보다 상측에 위치할 수 있다. 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24)은 동일 또는 유사한 구조 및 구성을 가진다.Processing
이하에서는, 중복되는 내용에 대한 설명을 방지하고자, 제1처리 블록(22)을 중심으로 설명한다. 이에, 도 2 내지 도 4에서는, 제1처리 블록(22)에 포함되는 구성들에 대해서만 도면 부호를 부여하고, 제2처리 블록(24)에 포함되는 구성들에 대한 도면 부호는 생략한다.Hereinafter, in order to avoid explanation of overlapping content, the description will focus on the
도 1 및 도 2를 참조하면, 인덱스 블록(10)은 로드 포트(12, Load port)와 인덱스 프레임(14)을 포함할 수 있다. 로드 포트(12)에는 기판이 수납된 용기(F)가 안착된다. 로드 포트(12)는 인덱스 프레임(14)을 기준으로 처리 블록(20)의 반대편에 배치될 수 있다. 로드 포트(12)는 복수 개 구비될 수 있으며, 복수의 로드 포트(12)들은 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 처리 블록(20)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot Print) 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the
용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(12)에 놓일 수 있다.The container (F) may be an airtight container such as a front opening unified pod (FOUP). Container F may be placed in
본 발명의 일 실시예에 의한 기판은 2개의 면을 가진다. 2개의 면 중 하나는 패턴이 형성된 패턴면일 수 있고, 2개의 면 중 다른 하나는 패턴이 형성되지 않은 비 패턴면일 수 있다. 일 실시예에 의한 기판은 패턴면이 위를 향한 상태로 용기(F)의 내부에 수납될 수 있다.The substrate according to one embodiment of the present invention has two sides. One of the two surfaces may be a patterned surface on which a pattern is formed, and the other one of the two surfaces may be a non-patterned surface on which a pattern is not formed. The substrate according to one embodiment may be stored inside the container F with the pattern side facing upward.
도 2를 참조하면, 인덱스 프레임(14)은 제2방향(4)과 평행한 길이 방향을 가진다. 인덱스 프레임(14)은 기판을 반송하는 반송 공간을 가진다. 인덱스 프레임(14)의 반송 공간에는 인덱스 로봇(140)과 인덱스 레일(144)이 배치된다. 인덱스 로봇(140)은 반송 공간 내에서 기판을 반송한다. 구체적으로, 인덱스 로봇(140)은 인덱스 블록(10)과 처리 블록(20) 간에 기판을 반송한다. 인덱스 로봇(140)은 인덱스 핸드(142)를 가진다.Referring to FIG. 2, the
인덱스 핸드(142)에는 기판이 놓인다. 인덱스 핸드(142)는 전진 및 후진 이동, 수직한 방향(예컨대, 제3방향(6))을 축으로 한 회전, 그리고 축 방향으로 상하 이동할 수 있다. 인덱스 핸드(142)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(142)들 각각은 상하 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(142)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.A substrate is placed on the
인덱스 레일(144)은 제2방향(4)과 평행한 길이 방향을 가질 수 있다. 인덱스 레일(144)에는 인덱스 로봇(140)이 놓이고, 인덱스 로봇(140)은 인덱스 레일(144)의 길이 방향을 따라 직선 이동할 수 있다. 즉, 인덱스 로봇(140)은 인덱스 레일(144)을 따라 전진 및 후진 이동할 수 있다.The
도 2 내지 도 3을 참조하면, 제1처리 블록(22)은 버퍼 유닛(300), 반전 유닛(400), 반송 챔버(500), 그리고 처리 챔버(600)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the
버퍼 유닛(300)은 버퍼 공간을 가진다. 버퍼 공간은 용기(F)와 처리 챔버(600) 간에 반송 중인 기판이 일시적으로 머무르는 공간으로 기능한다. 버퍼 유닛(300)은 인덱스 프레임(14)에 인접하게 배치된다. 버퍼 유닛(300)과 인덱스 프레임(14)은 제1방향(92)으로 배열된다. 또한, 버퍼 유닛(300)은 인덱스 프레임(14)과 후술하는 부품 수납 공간(900) 사이에 배치된다.The
버퍼 유닛(300)은 메인 버퍼(320)와 서브 버퍼(340)를 가질 수 있다. 메인 버퍼(320)와 서브 버퍼(340)는 각각 버퍼 공간을 가진다. 메인 버퍼(320)의 버퍼 공간 및 서브 버퍼(340)의 버퍼 공간에는 기판이 안착되는 슬롯(미도시)이 배치된다.The
메인 버퍼(320)의 버퍼 공간에는 용기(F)로부터 반출된 직후의 기판이 일시적으로 머무를 수 있다. 또한, 메인 버퍼(320)의 버퍼 공간에는 용기(F)로 반입되기 직전의 기판이 일시적으로 머무를 수 있다. 일 실시예에 의하면, 메인 버퍼(320)는 대체로 직육면체의 형상을 가지는 프레임일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 메인 버퍼(320)의 측면들은 모두 개방될 수 있다. 메인 버퍼(320)의 버퍼 공간은 전술한 인덱스 핸드(142), 후술하는 제1반송 핸드(526), 또는 후술하는 제2반송 핸드(546)의 이동 통로로 기능할 수 있다. 이에, 인덱스 핸드(142), 제1반송 핸드(526) 또는 제2반송 핸드(546)가 반송하는 기판은 메인 버퍼(320)에 배치된 슬롯(미도시)에 안착될 수 있다.The substrate immediately after being taken out of the container F may temporarily stay in the buffer space of the
서브 버퍼(340)는 메인 버퍼(320)와 적층되게 배치된다. 일 실시예에 의하면, 서브 버퍼(340)는 메인 버퍼(320)의 상측에 위치할 수 있다. 서브 버퍼(340)의 버퍼 공간에는, 메인 버퍼(320)로 반입된 직후의 기판이 일시적으로 머무를 수 있다. 또한, 서브 버퍼(340)의 버퍼 공간에는, 메인 버퍼(320)로 반출되기 직전의 기판이 일시적으로 머무를 수 있다. 일 실시예에 의하면, 메인 버퍼(320), 후술하는 반전 유닛(400), 그리고 처리 챔버(600) 중 어느 하나로 기판을 반송할 때, 반송 목표 지점에 해당하는 메인 버퍼(320), 반전 유닛(400), 또는 처리 챔버(600)로 곧바로 기판을 반송하기 어려운 경우, 기판은 서브 버퍼(340)에서 일시적으로 머무를 수 있다.The
일 실시예에 의하면, 서브 버퍼(340)는 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 서브 버퍼(340)의 측면들 중 후술하는 제1반송 챔버(501) 및 제2반송 챔버(502)와 대향하는 면들은 개방될 수 있다. 이에, 서브 버퍼(340)의 버퍼 공간은 후술하는 제1반송 핸드(526), 또는 후술하는 제2반송 핸드(546)의 이동 통로로 기능할 수 있다. 이에, 제1반송 핸드(526) 또는 제2반송 핸드(546)가 반송하는 기판은 서브 버퍼(340)에 배치된 슬롯(미도시)에 안착될 수 있다.According to one embodiment, the sub-buffer 340 may have a substantially rectangular parallelepiped shape. Among the sides of the sub-buffer 340, the sides facing the first and
도 3을 참조하면, 반전 유닛(400)은 버퍼 유닛(300)과 제3방향(6)으로 적층되게 배치된다. 일 실시예에 의하면, 반전 유닛(400)은 버퍼 유닛(300)의 상측에 위치할 수 있다. 반전 유닛(400)은 기판의 패턴면과 비 패턴면의 위치를 반전시킨다. 일 실시예에 의하면, 반전 유닛(400)은 서브 버퍼(340)의 상측에 배치될 수 있다. 반전 유닛(400)은 복수 개로 구비될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24) 각각에는 반전 유닛(400)이 2개씩 구비될 수 있다. 복수 개의 반전 유닛(400)들은 서로 적층되게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, the
도 5는 일 실시예에 따른 반전 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an inversion unit according to an embodiment.
도 5를 참조하면, 반전 유닛(400)은 하우징(410)과 반전 부재(420)를 포함할 수 있다. 하우징(410)은 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(410)의 측면들 중 후술하는 제1반송 챔버(501)와 대향하는 측면, 그리고 후술하는 제2반송 챔버(502)와 대향하는 측면에는 각각 기판이 반입되는 출입구(미도시)가 형성될 수 있다. 하우징(410)의 내부에는 반전 부재(420)가 배치된다.Referring to FIG. 5 , the
반전 부재(420)는 회전 바디(430), 제1그립퍼(440), 제2그립퍼(450), 직선 구동기(460), 그리고 회전 구동기(470)를 포함할 수 있다.The
제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)는 회전 바디(430)에 장착된다. 제1그립퍼(440)는 제2그립퍼(450)와 상하 방향으로 서로 대향되게 배치된다. 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)는 서로 간의 이격 거리의 변경이 가능하도록 회전 바디(430)에 설치된다. 직선 구동기(460)는 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)의 위치를 변경시킨다. 또한, 회전 구동기(470)는 회전 바디(430)를 회전시킨다.The
일 실시예에 의하면, 제1그립퍼(440)는 지지대(442)와 그립 핀(444)을 포함할 수 있다. 지지대(442)는 회전 바디(430)에 설치된다. 지지대(442)는 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 선택적으로, 지지대(442)는 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 그립 핀(444)은 지지대(442)에 결합된다. 일 실시예에 의하면, 지지대(442)에는 4개의 그립 핀(444)이 결합될 수 있다. 그립 핀(444)은 기판의 반전이 이루어지는 동안에, 기판의 단부를 지지한다. 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)는 이들 사이에 지지된 기판을 기준으로, 서로 대칭되는 구조를 가질 수 있다. 제2그립퍼(450)는 제1그립퍼(440)와 동일 또는 유사한 구조를 가지므로, 이하에서는, 제2그립퍼(450)에 대한 설명은 생략한다.According to one embodiment, the
직선 구동기(460)는 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450) 간의 이격 거리가, 그립 위치와 릴리즈 위치 사이에서 변경되도록 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)의 위치를 변경시킨다. 그립 위치란, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)가 서로 조합하여 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450) 사이에 놓인 기판을 그립하는 위치로 정의될 수 있다. 릴리즈 위치란, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450) 사이로 기판이 반입되거나 기판이 반출될 수 있도록, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)의 사이 간격이 벌어진 위치로 정의될 수 있다.The
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 일 실시예에 의한 반송 챔버(500)는 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24) 각각에는 반송 챔버(500)가 2개씩 구비될 수 있다. 이하에서는, 제1처리 블록(22)에 배치된 2개의 반송 챔버(500)를 제1반송 챔버(501)와 제2반송 챔버(502)로 정의한다.Referring again to FIGS. 2 to 4, the
반전 유닛(400)을 기준으로, 제1반송 챔버(501)는 반전 유닛(400)의 일 측에 배치되고, 제2반송 챔버(502)는 반전 유닛(400)의 타 측에 배치된다. 위에서 바라볼 때, 제1반송 챔버(501), 반전 유닛(400), 그리고 제2반송 챔버(502)는 순차적으로 제2방향(4)과 평행한 방향으로 배열된다.With respect to the
제1반송 챔버(501)와 제2반송 챔버(502)에는 각각 반송 로봇이 배치된다. 일 실시예에 의하면, 제1반송 챔버(501)에는 제1가이드 레일(510)과 제1반송 로봇(520)이 배치된다. 또한, 제2반송 챔버(502)에는 제2가이드 레일(530)과 제2반송 로봇(540)이 배치된다. 제1반송 챔버(501)와 제2반송 챔버(502), 제1가이드 레일(510)과 제2가이드 레일(530), 그리고 제1반송 로봇(520)과 제2반송 로봇(540)은 서로 동일 또는 유사한 구조를 가지므로, 이하에서는 제1반송 챔버(501)에 포함되는 구성들을 중심으로 설명한다.A transfer robot is disposed in the
제1가이드 레일(510)은 제1반송 챔버(501)의 내부에 배치된다. 제1가이드 레일(510)은 제3방향(6)과 평행한 방향의 길이 방향을 가진다. 제1반송 로봇(520)은 제1가이드 레일(510)을 따라 이동한다. 즉, 제1가이드 레일(510)은 제1반송 로봇(520)의 상하 방향의 이동을 안내한다.The
도 6은 일 실시예에 의한 제1반송 로봇을 개략적으로 보여주는 사시도이다.Figure 6 is a perspective view schematically showing a first transfer robot according to an embodiment.
도 6을 참조하면, 제1반송 로봇(520)은 구동 블록(521), 베이스 판(522), 그리고 제1반송 핸드(526)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the
구동 블록(521)은 제1가이드 레일(510) 상에 설치된다. 구동 블록(521)은 제1가이드 레일(510)의 길이 방향을 따라 직선 이동한다. 예컨대, 구동 블록(521)은 제3방향(6)과 평행한 방향으로 직선 이동한다. 베이스 판(522)은 지지 축(523)을 매개로 구동 블록(521) 상에 설치된다. 지지 축(523)은 회전 구동기(524)에 의해 그 중심 축을 기준으로 회전 가능하도록, 구동 블록(521) 상에 장착된다. 일 실시예에 의하면, 회전 구동기(524)는 모터일 수 있다. 또한, 지지 축(523)은 수직 구동기(525)에 의해 상하 이동할 수 있다. 예컨대, 수직 구동기(525)는 실린더 또는 모터일 수 있다.The driving
제1반송 핸드(526)는 기판을 지지한다. 제1반송 핸드(526)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 제1반송 핸드(526)들은 상하 방향으로 대향되도록 배치된다. 또한, 복수 개의 제1반송 핸드(526)들은 일정 거리 이격되게 배치된다. 일 실시예에 의하면, 제1반송 핸드(526)는 2개일 수 있다. 복수 개의 제1반송 핸드(526)들은 서로 독립적으로 전진 또는 후진 이동할 수 있다. 복수 개의 제1반송 핸드(526)들은 각각 브라켓(527)을 매개로 베이스 판(522)에 설치된다. 각각에 결합된 브라켓(527)은 베이스 판(522)의 측부에 형성된 가이드 홀(528)에 각각 결합된다. 즉, 브라켓(527)은 가이드 홀(528)을 통해 베이스 판(522)에 결합되며, 도시되지 않은 구동기에 의해 브라켓(527)이 이동하고, 이에 따라 브라켓(527)에 결합된 제1반송 핸드(526)가 전진 및 후진 이동할 수 있다.The
다시 도 2 및 도 4를 참조하면, 처리 챔버(600)는 기판에 대해 소정의 처리를 수행한다. 일 실시예에 의하면, 소정의 처리란, 기판 상의 불순물(Byproduct)을 제거하는 세정 처리일 수 있다. 처리 챔버(600)는 제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602)를 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 2 and 4, the
제1세정 챔버(601)는 제1반송 챔버(501)와 인접하게 배치된다. 제1반송 챔버(501)를 기준으로, 인덱스 프레임(14)은 제1반송 챔버(501)의 일 측에 배치되고, 제1세정 챔버(601)는 제1반송 챔버(501)의 타 측에 배치된다. 위에서 바라볼 때, 인덱스 프레임(14), 제1반송 챔버(501), 그리고 제1세정 챔버(601)는 순차적으로 제1방향(2)에 평행한 방향으로 배열된다. 일 실시예에 의하면, 제1세정 챔버(601)는 복수 개 구비될 수 있다. 예컨대, 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24) 각각에는 제1세정 챔버(601)가 2개씩 구비될 수 있다. 복수의 제1세정 챔버(601)들은 상하 방향으로 적층되게 배치된다. 복수의 제1세정 챔버(601)들은 서로 동일 또는 유사한 구조를 가지고, 기판에 대해 동일한 종류의 처리를 수행할 수 있다.The
제2세정 챔버(602)는 제2반송 챔버(502)와 인접하게 배치된다. 제2반송 챔버(502)를 기준으로, 인덱스 프레임(14)은 제2반송 챔버(502)의 일 측에 배치되고, 제2세정 챔버(602)는 제2반송 챔버(502)의 타 측에 배치된다. 위에서 바라볼 때, 인덱스 프레임(14), 제2반송 챔버(502), 그리고 제2세정 챔버(602)는 순차적으로 제2방향(4)을 따라 배열된다. 일 실시예에 의하면, 제2세정 챔버(602)는 복수 개 구비될 수 있다. 예컨대, 제1처리 블록(22)과 제2처리 블록(24) 각각에는 제2세정 챔버(602)가 2개씩 구비될 수 있다. 복수의 제2세정 챔버(602)들은 상하로 적층되게 배치된다. 복수의 제2세정 챔버(602)들 각각은 동일 또는 유사한 구조를 가지고, 기판에 대해 동일한 종류의 처리를 수행할 수 있다. 또한, 제1세정 챔버(601)들과 제2세정 챔버(602)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 기판에 대해 동일한 종류의 처리를 수행할 수 있다.The
상술한 배치로 인해, 상부에서 바라볼 때, 제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602)는 제2방향(4)에 평행한 방향으로 위치한다. 또한, 제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602)는 서로 이격되게 위치한다.Due to the above-described arrangement, when viewed from above, the
제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602) 사이의 공간은 부품 수납 공간(900)으로 기능할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 부품 수납 공간(900)에는 부품이 수납될 수 있다. 부품 수납 공간(900)에 수납되는 부품은 전장품(Electrical components), 밸브 유닛(Valve unit) 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 부품 수납 공간(900)에 수납되는 부품은 전장품 또는 밸브 유닛 이외에, 액 공급계(Liquid supply system)에 사용되는 다양한 종류의 부품을 포함할 수 있다.The space between the
상술한 예와 달리, 제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602) 사이의 공간은 버퍼 유닛(300), 반전 유닛(400), 제1세정 챔버(601), 또는 제2세정 챔버(602)의 유지 보수 시에 작업자가 들어가는 통로로서 기능할 수 있다. 이 경우, 버퍼 유닛(300) 및 반전 유닛(400)과 대향하는 면, 제1세정 챔버(601)와 대향하는 면, 그리고 제2세정 챔버(602)와 대향하는 면에는 각각 작업자가 접근할 수 있는 도어(미도시)가 설치될 수 있다.Unlike the above-described example, the space between the
제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602)는 기판을 세정 처리한다. 제1세정 챔버(601)와 제2세정 챔버(602)는 서로 동일 또는 유사한 구조를 가지고, 기판에 대해 서로 동일한 종류의 처리를 수행하므로, 이하에서는 제1세정 챔버(601)를 중심으로 설명한다.The
일 실시예에 의한 제1세정 챔버(601)는 기판에 대해 제1공정 및 제2공정을 수행한다. 제1공정은 기판의 비 패턴면이 위를 향하도록 배치된 상태에서 기판을 처리하는 공정일 수 있다. 또한, 제2공정은 기판의 패턴면이 위를 향하도록 배치된 상태에서 기판을 처리하는 공정일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1공정에서는 후술하는 브러쉬 유닛(700, 도 7 참조)을 이용하여 기판의 비 패턴면을 세정할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1공정에서는 기판의 비 패턴면에 세정액을 공급하면서 브러쉬 유닛(700)을 이용하여 비 패턴면을 세정할 수 있다. 또한, 제2공정에서는 기판의 패턴면에 처리액을 공급하여 기판의 패턴면을 세정할 수 있다. 제2공정에서는 기판의 패턴면에 처리액을 공급하여 기판(W)의 패턴면을 세정한 이후, 기판의 패턴면에서 처리액을 제거할 수 있다.The
구체적으로, 일 실시예에 의하면, 제2공정은 제거 공정, 린스 공정, 그리고 치환 공정을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 처리액은 케미칼, 린스액, 유기 용제를 포함할 수 있다. 예컨대, 제거 공정은 기판의 패턴면에 케미칼을 공급하여 기판의 패턴면에 부착된 이물 등의 불순물, 또는 박막을 제거할 수 있다. 또한, 린스 공정은 기판의 패턴면에 린스액을 공급하여 기판의 패턴면에 공급된 케미칼을 제거할 수 있다. 예컨대, 린스액은 물을 포함할 수 있다. 또한, 치환 공정은 기판의 패턴면에 이소프로필 알코올(IPA)과 같은 유기 용제를 공급하여 기판의 패턴면에 공급된 린스액을 유기 용제로 치환할 수 있다.Specifically, according to one embodiment, the second process may include a removal process, a rinse process, and a replacement process. According to one embodiment, the treatment liquid may include chemicals, rinse liquid, and organic solvent. For example, the removal process may remove impurities such as foreign substances or thin films attached to the pattern surface of the substrate by supplying chemicals to the pattern surface of the substrate. Additionally, the rinse process may remove chemicals supplied to the patterned side of the substrate by supplying a rinse liquid to the patterned side of the substrate. For example, the rinse liquid may contain water. Additionally, the substitution process may supply an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) to the pattern side of the substrate to replace the rinse solution supplied to the pattern side of the substrate with the organic solvent.
상술한 예와 달리, 제2공정에서 린스 공정과 치환 공정 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 또한, 제거 공정은 서로 상이한 종류의 케미칼을 사용하여 복수 회 수행될 수 있다. 또한, 제거 공정은 서로 다른 조성을 가지는 동일한 종류의 케미칼을 사용하여 복수 회 수행될 수 있다.Unlike the above-described example, either the rinse process or the substitution process may be omitted in the second process. Additionally, the removal process may be performed multiple times using different types of chemicals. Additionally, the removal process can be performed multiple times using the same type of chemical with different compositions.
상술한 예와 달리, 제2공정은 기판의 패턴면에 폴리머와 솔벤트를 공급한 이후, 솔벤트를 휘발시켜 기판의 패턴면 상에 고화체를 형성하고 이를 기판의 패턴면으로부터 제거하는 공정일 수 있다.Unlike the above-described example, the second process may be a process of supplying a polymer and a solvent to the pattern side of the substrate, volatilizing the solvent to form a solidified body on the pattern side of the substrate, and removing it from the pattern side of the substrate.
도 7은 일 실시예에 의한 제1공정 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다.Figure 7 is a cross-sectional view schematically showing a first process chamber according to an embodiment.
도 7을 참조하면, 제1세정 챔버(601)는 하우징(610), 처리 용기(620), 지지 유닛(630), 액 공급 유닛(640), 승강 유닛(650), 그리고 브러쉬 유닛(700)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the
하우징(610)은 대체로 직육면체 형상을 가질 수 있다. 하우징(610)의 측벽에는 반입구(미도시)가 형성된다. 반입구(미도시)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로 기능한다. 반입구(미도시)는 하우징(610)의 측벽들 중 제1반송 챔버(501, 도 2 참조)와 대향하는 측벽에 형성될 수 있다. 기판(W)은 제1반송 로봇(520, 도 2 참조)에 의해 하우징(610)의 내부 공간으로 반입 또는 반출된다. 하우징(610)의 내부 공간에는 처리 용기(620), 지지 유닛(630), 액 공급 유닛(640), 승강 유닛(650), 그리고 브러쉬 유닛(700)이 배치된다.The
처리 용기(620)는 상부가 개방된 바울(Bowl)일 수 있다. 처리 용기(620)는 상부가 개방된 처리 공간(621)을 가진다. 처리 공간(621)은 기판(W)이 처리되는 공간으로 기능한다. 예컨대, 기판(W)은 처리 공간(621) 내에서 제1공정 또는 제2공정 처리될 수 있다. 지지 유닛(630)은 처리 공간(621) 내에서 기판(W)을 지지한다. 또한, 지지 유닛(630)은 처리 공간(621) 내에서 기판(W)을 회전시킨다. 액 공급 유닛(640)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 승강 유닛(650)은 처리 용기(620)와 지지 유닛(630) 간의 상대 높이를 조절한다.The
일 실시예에 의하면, 처리 용기(620)는 안내벽(622)과 복수의 회수통들(624, 636, 638)을 가질 수 있다. 안내벽(622)과 회수통들(624, 626, 628)은 각각 지지 유닛(630)을 감싸는 링 형상을 가진다. 각각의 회수통들(624, 626, 628)은 기판(W)의 처리에 사용된 액 중 서로 상이한 액을 분리하여 회수하는 회수 공간(624b, 626b, 628b)을 가진다. 액 처리 공정이 진행될 때, 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 액은 각각의 회수통들(624, 626, 628)의 유입구(624a, 626b, 628b)을 통해 상술한 회수 공간(624b, 626b, 628b)으로 유입된다.According to one embodiment, the
일 실시예에 의하면, 처리 용기(620)는 제1회수통(624), 제2회수통(626), 그리고 제3회수통(628)을 포함할 수 있다. 제1회수통(624)은 지지 유닛(630)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(626)은 제1회수통(624)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(628)은 제2회수통(626)을 감싸도록 배치된다. 제1회수통(624)의 회수 공간(624b)으로 액을 유입하는 제1유입구(624a)는 제2회수통(626)의 회수 공간(626b)으로 액을 유입하는 제2유입구(626a)보다 아래에 위치한다. 또한, 제2유입구(626a)는 제3회수통(628)의 회수 공간(628b)으로 액을 유입하는 제3유입구(628a)보다 아래에 위치한다. 각각의 회수통들(624, 626, 628)에는 액을 배출하는 액 배출관(624c, 626c, 628c)이 각각 결합된다. 액 배출관(624c, 626c, 628c)을 통해 배출된 액은 외부의 재생 시스템(미도시)을 이용하여 재사용될 수 있다.According to one embodiment, the
상술한 회수통의 수는 사용하는 액의 수, 회수하거나 폐기하고자 하는 액의 수에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 비록 도시되지 않았으나, 처리 용기(620)의 바닥면에는 흄(Fume)과 기체를 배기하는 배기 라인이 연결될 수 있다.The number of recovery containers described above can vary depending on the number of liquids used and the number of liquids to be recovered or disposed of. Although not shown, an exhaust line for exhausting fume and gas may be connected to the bottom of the
지지 유닛(630)은 스핀 척(631)과 구동 축(634)을 포함할 수 있다. 스핀 척(631)의 상면은 대체로 원형으로 형성될 수 있다. 또한, 스핀 척(631)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 스핀 척(631)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지 핀(632)이 배치될 수 있다. 스핀 척(631)에는 복수 개의 지지 핀(632)이 배치될 수 있다. 지지 핀(632)은 스핀 척(631)의 상부(upper portion)에 배치된다. 지지 핀(632)은 그 상단이 스핀 척(631)의 상면으로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치된다. 이에, 기판(W)은 스핀 척(631)에 의해 기판(W)의 상면으로부터 일정 거리 이격되어 지지된다.The
스핀 척(631)의 가장자리부에는 척 핀(633)이 배치된다. 척 핀(633)은 스핀 척(631)의 상부(upper portion)에 배치된다. 척 핀(633)은 그 상단이 스핀 척(631)의 상면으로부터 돌출되게 배치된다. 척 핀(633)은 기판(W)이 회전할 때, 기판(W)이 지지 유닛(630) 상의 정 위치에서 측방으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.A
구동 축(634)은 척 구동기(635)에 의해 구동되며, 스핀 척(631)과 연결된다. 구동 축(634)은 척 구동기(635)로부터 동력을 전달받아 회전할 수 그 축을 중심으로 회전할 수 있다. 이에, 구동 축(634)과 연결된 스핀 척(631)도 회전하고, 스핀 척(631)에 지지된 기판(W)도 함께 회전할 수 있다. 또한, 일 실시예에 의하면, 척 구동기(635)는 스핀 척(631)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The
액 공급 유닛(640)은 제1노즐(641), 제2노즐(642), 그리고 제3노즐(643)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의한 제1노즐(641)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)으로 케미칼을 공급한다. 또한, 제2노즐(642)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W) 상으로 물을 공급한다. 일 실시예에 의한 물은, 순수(Pure water) 또는 탈이온수(Deionized water)일 수 있다. 또한, 제3노즐(643)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W) 상으로 유기 용제(Organic solution)를 공급한다. 일 실시예에 의한 유기 용제는 이소프로필 알코올일 수 있다.The
제1노즐(641), 제2노즐(642), 그리고 제3노즐(643) 각각은 아암(644)에 의해 지지된다. 아암(644)은 구동기(645)와 결합한다. 구동기(645)는 아암(644)을 스윙 이동 또는 직선 이동시킬 수 있다. 노즐들(641, 642, 643)은 구동기(645)에 의해 대기 위치와 액 공급 위치 간에 이동할 수 있다.Each of the
대기 위치란, 기판(W)에 대해 처리액을 공급하지 않을 때, 노즐들(641, 642, 643)이 대기하는 위치일 수 있다. 예컨대, 대기 위치에서 노즐들(641, 642, 643)은, 위에서 바라볼 때 처리 용기(620)의 외측 영역에 위치할 수 있다. 액 공급 위치란, 노즐들(641, 642, 643)이 기판(W)에 처리액을 공급하는 위치일 수 있다. 예컨대, 액 공급 위치에서 노즐들(641, 642, 643)은, 위에서 바라볼 때, 처리 용기(620)의 내측 영역에 위치할 수 있다.The standby position may be a position where the
상술한 예와 달리, 제1노즐(641), 제2노즐(642), 그리고 제3노즐(643)은 서로 다른 아암에 각각 연결되고, 각각의 아암은 서로 다른 구동기에 독립적으로 연결될 수 있다. 또한, 액 공급 유닛(640)은 제1노즐(641), 제2노즐(642), 그리고 제3노즐(643) 이외에 하나 또는 복수의 노즐을 더 구비할 수 있다. 추가되는 노즐은 다른 종류의 처리액을 기판(W)으로 공급할 수 있다.Unlike the above-described example, the
승강 유닛(650)은 처리 용기(620)의 위치를 변경시킨다. 예컨대, 승강 유닛(650)은 처리 용기(620)를 상하 방향(예컨대, 제3방향(6))으로 이동시킨다. 처리 용기(620)의 상하 이동에 의해 처리 용기(620)와 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W) 사이의 상대 높이가 변경된다. 이에 따라, 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 회수통들(624, 626, 628)이 액을 분리하여 회수할 수 있다. 상술한 예와 달리, 처리 용기(620)의 위치는 고정되고, 척 구동기(635)에 의해 지지 유닛(630)이 상하 방향으로 이동하여, 처리 용기(620)와 기판(W) 간의 상대 높이를 변경할 수 있다.The
브러쉬 유닛(700)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)을 세정한다. 브러쉬 유닛(700)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)에 부착된 불순물(Byproduct)을 기판(W)으로부터 제거한다. 일 실시예에 의하면, 브러쉬 유닛(700)은 기판(W)의 패턴면과 비 패턴면 중 비 패턴면에 부착된 불순물을 제거할 수 있다.The
브러쉬 유닛(700)은 바디(710), 접촉 패드(720), 접촉 돌기(730), 홀더(740), 지지 로드(750), 홀더 구동기(760), 그리고 세정 노즐(790)을 포함할 수 있다.The
바디(710)는 홀더(740)에 의해 지지될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 홀더(740)는 바디(710)의 측부를 지지할 수 있다. 홀더(740)는 탄성 재질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 홀더(740)의 재질은 PEEK를 포함할 수 있다.The
지지 로드(750)는 대체로 로드(rod) 형상을 가진다. 지지 로드(750)는 아암(770)을 관통할 수 있다. 지지 로드(750)는 아암(770)을 관통하여, 아암(770)의 상단에 배치된 홀더 구동기(760)와 연결될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 지지 로드(750)의 일단은 홀더(740)의 상단과 연결되고, 지지 로드(750)의 타단은 홀더 구동기(760)에 연결된다. 이에, 바디(710)는 아암(770)의 일측 단부에서 지지 로드(750)에 의해 아암(770)에 결합될 수 있다.The
홀더 구동기(760)는 지지 로드(750)를 중심 축으로 하여 홀더(740)를 회전시키고, 홀더(740)에 지지된 바디(710)도 함께 회전시킬 수 있다. 또한, 홀더 구동기(760)는 지지 로드(750)를 매개로 홀더(740)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에, 홀더(740)에 지지된 바디(710)도 상하 방향으로 이동할 수 있다. 예컨대, 홀더 구동기(760)는 모터일 수 있다.The
지지 로드(750)의 내부에는 탄성 부재(752)가 배치될 수 있다. 지지 로드(750)의 상단에서 지지 로드(750)의 하단까지 탄성 부재(752)가 배치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 탄성 부재(752)는 스프링일 수 있다. 탄성 부재(752)는 후술하는 접촉 패드(720)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하여 기판(W)을 스크럽(Scrub)할 때, 기판(W)의 비 패턴면에 가해지는 압력을 완화시켜 기판(W)에 손상이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.An
아암(770)은 바디(710)와 후술하는 세정 노즐(790)을 지지한다. 아암(770)은 아암 구동기(780)에 결합된다. 아암 구동기(780)는 바디(710)를 포함한 아암(770) 전체를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 아암 구동기(780)는 바디(710)를 포함한 아암(770) 전체를 스윙 이동시킬 수 있다. 아암 구동기(780)는 복수 개의 모터를 포함할 수 있다. 복수 개의 모터 중 어느 하나는 리니어 모터일 수 있고, 다른 하나는 회전 모터일 수 있다.The
바디(710)는 홀더 구동기(760) 및/또는 아암 구동기(780)에 의해 그 위치가 변경될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 바디(710)는 홀더 구동기(760) 및/또는 아암 구동기(780)에 의해 대기 위치와 공정 위치 간에 이동될 수 있다. 공정 위치란, 후술하는 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)과 접촉할 수 있는 위치이고, 대기 위치란, 브러쉬 유닛(700)이 기판(W)을 처리하지 않을 때, 바디(710)가 대기하는 위치일 수 있다. 예컨대, 공정 위치에서의 바디(710)는, 위에서 바라볼 때 처리 용기(620)의 내측 영역에 위치할 수 있다. 또한, 대기 위치에서의 바디(710)는, 위에서 바라볼 때, 처리 용기(620)의 외측 영역에 위치할 수 있다.The position of the
세정 노즐(790)은 아암(770)에 설치될 수 있다. 세정 노즐(790)의 하단은 이하에서 상술하는 접촉 패드(720)의 하단보다 상측에 위치할 수 있다. 세정 노즐(790)은 기판에 세정액을 토출한다. 세정 노즐(790)은 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)의 비 패턴면으로 세정액을 토출한다. 일 실시예에 의한 세정액은 순수 또는 탈이온수 일 수 있다. 도 7에 도시된 바와 달리, 세정 노즐(790)은 바디(710)보다 아암(770)의 전단에 가깝게 설치될 수 있다.The cleaning
도 8은 바디, 접촉 패드, 그리고 접촉 돌기의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 이하에서는, 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 바디, 접촉 패드, 그리고 접촉 돌기에 대해 상세히 설명한다.8 is a perspective view schematically showing one embodiment of a body, a contact pad, and a contact protrusion. Hereinafter, the body, contact pad, and contact protrusion according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 8.
바디(710)는 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 바디(710)의 중앙 영역은 관통될 수 있다. 즉, 일 실시예에 의하면, 바디(710)는 두께를 가지는 링 형상으로 형성될 수 있다.The
접촉 패드(720)는 기판(W)과 접촉하여 기판(W)에 부착된 불순물을 탈락시킨다. 예컨대, 접촉 패드(720)는 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하여 기판(W)의 비 패턴면을 스크럽(Scrub) 함으로써, 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물을 탈락시킬 수 있다. 접촉 패드(720)는 바디(710)에 형성된다. 접촉 패드(720)는 바디(710)의 저면으로부터 아래 방향으로 돌출되게 형성된다. 일 실시예에 의하면, 바디(710)와 접촉 패드(720)는 일체로 형성될 수 있다.The
접촉 패드(720)는 바디(710)의 저면으로부터 일정 거리 돌출되게 형성될 수 있다. 접촉 패드(720)의 내측부 곡률은 바디(710)의 중앙 영역의 곡률과 대응될 수 있다. 또한, 접촉 패드(720)의 외측부 곡률은 바디(710)의 가장자리 영역의 곡률과 대응될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 접촉 패드(720)는 위에서 바라볼 때, 대체로 부채꼴의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 접촉 패드(720)의 너비(또는 폭)은 바디(710)의 중앙 영역에서 바디(710)의 가장자리 영역으로 갈수록 점차 증가할 수 있다.The
일 실시예에 의한 접촉 패드(720)의 재질은 후술하는 접촉 돌기(730)보다 상대적으로 연성(軟性)이 강한 소재를 포함할 수 있다. 구체적으로, 접촉 패드(720)의 재질은 후술하는 접촉 돌기(730)보다 상대적으로 Young`s modulus가 작은 소재를 포함할 수 있다. 예컨대, 접촉 패드(720)의 재질은 PVA(Polyvinyl alcohol)을 포함할 수 있다.The material of the
접촉 패드(720)는 바디(710)의 둘레 방향을 따라 복수 개로 분할될 수 있다. 분할된 복수 개의 접촉 패드(720)들은 바디(710)의 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 위치할 수 있다. 복수 개의 접촉 패드(720)들 간의 사이 공간은 홈 부(712)로 정의될 수 있다. 위에서 바라볼 때, 접촉 패드(720)들과 홈 부(712)가 서로 조합되어 바디(710)의 형상을 이룰 수 있다. 홈 부(712)는 접촉 패드(720)가 기판(W)의 비 패턴면에 접촉할 때 기판(W)의 비 패턴면으로부터 탈락되는 불순물이 배출되는 공간으로 기능한다. 이에 대한 상세한 메커니즘은 후술한다.The
일 실시예에 의하면, 바디(710)의 중앙 영역에서의 홈 부(712)의 너비(또는 폭)는 바디(710)의 가장자리 영역에서의 홈 부(712)의 너비(또는 폭)과 상이할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 바디(710)의 중앙 영역에서의 홈 부(712)의 너비는 바디(710)의 가장자리 영역에서의 홈 부(712)의 너비보다 작을 수 있다. 일 실시예에 의하면, 홈 부(712)의 너비는 바디(710)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. 즉, 일 실시예에 의한 홈 부(712)는 위에서 바라볼 때, 대체로 부채꼴의 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the width (or width) of the
접촉 돌기(730)는 기판(W)에 부착된 불순물을 탈락시킨다. 접촉 돌기(730)는 기판(W)의 비 패턴면에 강하게 부착된 불순물들 중 접촉 패드(720)에 의해 제거되지 않는 불순물을 기판(W)의 비 패턴면으로부터 탈락시켜 제거할 수 있다. 일 실시예에 의한 접촉 돌기(730)의 재질은 접촉 패드(720)보다 상대적으로 강성(剛性)이 강한 소재를 포함할 수 있다. 구체적으로, 접촉 돌기(730)의 재질은 접촉 패드(720)보다 상대적으로 Young`s modulus가 큰 소재를 포함할 수 있다. 예컨대, 접촉 돌기(730)의 재질은 나일론, PP(Polypropylene), 또는 탄화 규소(SiC)를 포함할 수 있다.The
접촉 돌기(730)는 바디(710)에 설치된다. 접촉 돌기(730)는 홈 부(712)에 배치된다. 접촉 돌기(730)는 상하의 길이 방향을 가진다. 일 실시예에 의하면, 접촉 돌기(730)는 대체로 원기둥 형상을 가질 수 있다. 선택적으로, 접촉 돌기(730)는 복수의 모(毛)를 가질 수 있다. 또한, 접촉 돌기(730)의 하단은 라운드지게 형성될 수 있다.The
접촉 돌기(730)의 하단은 바디(710)의 저면으로부터 아래 방향으로 일정 거리 돌출된다. 또한, 접촉 돌기(730)의 하단은 접촉 패드(720)의 하단과 대응되는 높이에 위치할 수 있다. 예컨대, 접촉 돌기(730)의 하단은 접촉 패드(720)의 하단과 동일한 높이에 위치할 수 있다. 이 경우, 접촉 돌기(720)는 기판(W)의 비 패턴면과 접촉할 수 있다. 이에, 접촉 돌기(720)는 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물을 기판(W)의 비 패턴면으로부터 제거할 수 있다.The lower end of the
보다 바람직하게는, 접촉 돌기(730)의 하단은 접촉 패드(720)의 하단으로부터 돌출되지 않는 높이에 위치할 수 있다. 즉, 접촉 돌기(730)의 하단은 접촉 패드(720)의 하단보다 바디(710)에 가까운 높이에 위치할 수 있다. 이 때, 접촉 돌기(730)의 하단과 접촉 패드(720)의 하단의 높이 차이는 수 마이크로미터 내지 수 미리미터의 미세한 값일 수 있다. 이 경우, 접촉 돌기(720)는 기판(W)과 직접 접촉하지 않더라도, 기판(W)의 비 패턴면으로부터 돌출된 불순물을 기판(W)의 비 패턴면으로부터 제거할 수 있다.More preferably, the lower end of the
상술한 바와 같이, 접촉 돌기(730)는 접촉 패드(720)보다 상대적으로 강성(剛性)이 강한 소재로 이루어지므로, 접촉 돌기(730)의 하단이 접촉 패드(720)의 하단보다 아래 방향으로 더 돌출되게 위치하는 경우, 접촉 돌기(730)가 기판(W)과 선제적으로 접촉할 수 있다. 위와 같은 구조로 인해, 접촉 돌기(730)가 접촉 패드(720)보다 먼저 기판(W)에 접촉하여 접촉 돌기(730)에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.As described above, the
이하에서는, 이해의 편의를 위해 접촉 돌기(730)의 하단이 접촉 패드(720)의 하단과 동일한 높이에 위치하여, 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하는 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, for convenience of understanding, an example is taken where the bottom of the
접촉 돌기(730)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 접촉 돌기(730)들이 서로 조합되어 그룹을 구성할 수 있다. 예컨대, 5개의 접촉 돌기(730)들은 하나의 그룹을 구성할 수 있다. 각각의 그룹들에 속한 접촉 돌기(730)들은 각각 일정 거리 이격되되, 서로 인접하게 위치할 수 있다. 이하에서는, 5개의 접촉 돌기(730)들이 구성한 어느 하나의 그룹을 제1그룹(731)이라 하고, 제1그룹(731)에 속하지 않는 다른 5개의 접촉 돌기(730)들이 구성한 다른 하나의 그룹을 제2그룹(732)이라 하고, 제1그룹(731) 및 제2그룹(732)에 모두 속하지 않는 또 다른 5개의 접촉 돌기(730)들이 구성한 또 다른 하나의 그룹을 제3그룹(733)이라 칭한다.A plurality of
제1그룹(731)은 제2그룹(732) 및 제3그룹(733)보다 홈 부(712)의 중앙 영역과 인접한 영역에 위치할 수 있다. 또한, 제2그룹(732) 및 제3그룹(733) 각각은 제1그룹(731)보다 홈 부(712)의 가장자리 영역과 인접한 영역에 위치할 수 있다. 예컨대, 제2그룹(732)과 제3그룹(733)은 바디(710)의 중심에서 동일한 거리만큼 떨어진 영역에 위치할 수 있다.The
또한, 각각의 홈 부(712)에 위치한 제1그룹(731)들은 서로 조합되어 제1직경을 가지는 원을 이룰 수 있다. 또한, 각각의 홈 부(712)에 위치한 제2그룹(732)들과 제3그룹(733)들은 서로 조합되어 제2직경을 가지는 원을 이룰 수 있다. 제1직경은 제2직경보다 작을 수 있다. 또한, 제1직경은 관통된 바디(710)의 중앙 영역의 직경보다 클 수 있다. 또한, 제2직경은 바디(710)의 가장자리 영역의 끝단의 직경보다 작을 수 있다.Additionally, the
도 9는 도 1의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 반송하고 기판을 처리하는 과정의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.FIG. 9 is a flow chart sequentially showing an embodiment of a process for transporting and processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 .
이하에서는, 도 9를 참조하여 도 1의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 도시되지 않은 제어기가 기판 처리 장치를 제어하여 수행될 수 있다. 예컨대, 제어기는 도 1의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 이에, 이하에서는 도 1 내지 도 8에 도시된 도면 부호를 그대로 인용하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 will be described in detail with reference to FIG. 9 . The substrate processing method described below may be performed by a controller (not shown) controlling the substrate processing device. For example, the controller may control the configurations of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 . Accordingly, hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described by directly citing the reference numerals shown in FIGS. 1 to 8.
제어기는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The controller includes a process controller consisting of a microprocessor (computer) that controls the substrate processing device, a keyboard that allows the operator to input commands to manage the substrate processing device, and a device that visualizes and displays the operating status of the substrate processing device. A user interface consisting of a display, etc., a control program for executing the processing performed in the substrate processing device under the control of the process controller, and a program for executing processing in each component according to various data and processing conditions, that is, a processing recipe. A stored memory unit may be provided. Additionally, the user interface and storage may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium in the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 제1반송 단계(S10), 제1공정 처리 단계(S20), 제2반송 단계(S30), 제2공정 처리 단계(S40), 그리고 제3반송 단계(S50)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1반송 단계(S10), 제1공정 처리 단계(S20), 제2반송 단계(S30), 제2공정 처리 단계(S40), 그리고 제3반송 단계(S50)는 시간의 순서대로 수행될 수 있다.The substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a first transport step (S10), a first processing step (S20), a second transport step (S30), a second processing step (S40), and a third processing step (S40). It may include a return step (S50). According to one embodiment, the first conveyance step (S10), the first process processing step (S20), the second conveyance step (S30), the second process processing step (S40), and the third conveyance step (S50) are performed by time. It can be performed in the following order.
제1반송 단계(S10)에서는 기판(W)을 용기(F)로부터 제1세정 챔버(601) 또는/및 제2세정 챔버(602)로 반송한다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 제1반송 단계(S10)에서는 기판(W)을 용기(F)에서 제1세정 챔버(601)로 반송하는 것을 예로 들어 설명한다.In the first transfer step (S10), the substrate W is transferred from the container F to the
인덱스 로봇(120)은 로드 포트(12)에 놓인 용기(F)에서 기판(W)을 반출하여 메인 버퍼(320)로 반입한다. 전술한 바와 같이, 기판(W)은 용기(F)에서 패턴면이 위를 향하도록 배치된 상태이므로, 기판(W)은 패턴면이 위를 향한 상태로 메인 버퍼(320)에 보관된다. 제1반송 로봇(520)은 메인 버퍼(320)에서 기판(W)을 반출하여 반전 유닛(400)으로 기판(W)을 반입한다. 일 실시예에 의하면, 다른 기판(W)이 모든 반전 유닛(400)에 반입되어, 제1반송 로봇(520)이 기판(W)을 반전 유닛(400)에 반입할 수 없는 경우, 제1반송 로봇(520)은 기판(W)을 메인 버퍼(320)로부터 서브 버퍼(340)에 반입할 수 있다. 이후, 반전 유닛(400) 중 어느 하나가 비어 있으면, 제1반송 로봇(520)은 서브 버퍼(340)에 반입된 기판(W)을 반출하여 반전 유닛(400)으로 반송할 수 있다.The index robot 120 removes the substrate W from the container F placed in the
도 10 내지 도 13은 기판이 반전 유닛에 의해 반전되는 동작의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면들이다.10 to 13 are diagrams sequentially showing an embodiment of an operation in which a substrate is inverted by an inversion unit.
도 10 내지 도 13을 참조하면, 반전 유닛(400)에서 기판(W)의 패턴면과 비 패턴면의 위치가 반전된다. 일 실시예에 의하면, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)가 릴리즈 위치에 배치된 상태에서, 기판(W)이 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)의 사이로 반송된다. 이후, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)는 릴리즈 위치에서 그립 위치로 이동한다. 이에, 기판(W)은 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)에 의해 그립된다. 기판(W)이 그립된 상태에서, 회전 구동기(470)는 회전 바디(430)를 회전시킨다. 회전 바디(430)의 회전에 따라 기판(W)은 반전된다. 즉, 기판(W)은 회전 바디(430)의 회전에 따라 비 패턴면이 위를 향하는 상태로 반전된다. 이후, 제1그립퍼(440)와 제2그립퍼(450)는 그립 위치에서 릴리즈 위치로 이동한다.Referring to FIGS. 10 to 13 , the positions of the pattern surface and the non-pattern surface of the substrate W are reversed in the
제1반송 로봇(520)은 반전 유닛(400)으로부터 기판(W)을 반출하여 제1세정 챔버(601)로 반입한다. 이 때, 기판(W)은 비 패턴면이 위를 향한 상태로 제1세정 챔버(601)에 반입되고, 지지 유닛(630)에 지지된다.The
제1공정 처리 단계(S20)에서는, 기판(W)의 비 패턴면에 대해 제1공정 처리한다. 일 실시예에 의하면, 제1공정에서는, 브러쉬 유닛(700)을 이용하여 기판(W)의 비 패턴면을 세정한다. 일 실시예에 의하면, 제1공정에서는, 기판(W)의 비 패턴면에 세정액을 토출하는 동시에, 브러쉬 유닛(700)을 이용하여 기판(W)의 비 패턴면을 세정할 수 있다.In the first process processing step (S20), the first process is performed on the non-patterned side of the substrate W. According to one embodiment, in the first process, the non-patterned surface of the substrate W is cleaned using the
도 14 내지 도 17은 제1공정 처리의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면들이다.14 to 17 are views sequentially showing an embodiment of the first process.
패턴면이 아래를 향한 상태의 기판(W)은 지지 유닛(630)에 지지된다. 이 때, 지지 핀(632) 및 척 핀(633)은 각각 기판(W)의 패턴면에 간섭되지 않는다. 지지 유닛(630)에 기판(W)이 지지되면, 바디(710)는 대기 위치에서 공정 위치로 이동한다. 예컨대, 바디(710)는 위에서 바라볼 때, 기판(W)과 중첩되는 위치로 이동할 수 있다. 바디(710)는 기판(W)의 중앙 영역의 상측으로 이동한다. 기판(W)의 중앙부에 위치한 바디(710)는 아래 방향으로 이동하고, 이에 따라 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)는 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 비 패턴면과 접촉할 수 있다.The substrate W with the pattern surface facing downward is supported on the
또한, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)에 형성된 비 패턴면과 접촉하기 이전에, 바디(710)는 회전할 수 있다. 즉, 바디(710)가 회전하는 상태에서, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉할 수 있다. 또한, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉한 이후에, 스핀 척(631)이 회전할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하기 이전에 또는 동시에 스핀 척(631)이 회전할 수 있다.Additionally, before the
일 실시예에 의하면, 바디(710)의 회전 방향과 스핀 척(631)의 회전 방향은 서로 동일할 수 있다. 이 경우, 바디(710)의 단위 시간당 회전 수와 스핀 척(631)의 단위 시간당 회전 수는 서로 다를 수 있다. 예컨대, 바디(710)의 단위 시간당 회전 수는 스핀 척(631)의 단위 시간당 회전 수보다 클 수 있다.According to one embodiment, the rotation direction of the
또한, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)와, 기판(W)이 서로 접촉할 때, 탄성 부재(752)는 압축될 수 있다. 이에, 바디(710)가 기판(W)과 접촉하기 위해 아래 방향으로 이동하는 과정에서 기판(W)에 손상이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Additionally, when the
또한, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)와, 기판(W)이 서로 접촉하는 동안에 세정 노즐(790)은 기판(W)의 비 패턴면을 향해 세정액(E)을 토출한다. 스핀 척(631)이 회전하고 있으므로, 세정 노즐(790)이 토출한 세정액(E)은 기판(W)의 전 영역으로 유동할 수 있다. 상술한 예와 달리, 세정 노즐(790)은 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)와, 기판(W)이 서로 접촉하기 이전에 기판(W)의 비 패턴면을 향해 세정액(E)을 토출할 수 있다. 또한, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)와, 기판(W)이 서로 접촉하는 동안 세정액(E)의 토출을 지속할 수 있다.Additionally, while the
바디(710)는 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역으로 이동한다. 바디(710)가 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역으로 이동하는 동안, 바디(710)는 지속적으로 회전한다. 또한, 바디(710)가 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역으로 이동하는 동안, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)는 기판(W)의 비 패턴면과 지속적으로 접촉할 수 있다. 스핀 척(631)이 회전하는 동안, 바디(710)가 기판(W)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동하므로, 기판(W)의 비 패턴면 전 영역이 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)와 접촉한다. 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 지속적으로 접촉하면서 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물을 기판(W)의 비 패턴면으로부터 탈락시킨다.The
바디(710)가 가장자리 영역까지 이동되면, 바디(710)는 위 방향으로 이동하여 기판(W)의 비 패턴면으로부터 일정 거리 이격된다. 바디(710)는 다시 기판(W)의 가장자리 영역의 상측에서, 기판(W)의 중앙 영역의 상측으로 이동한다. 바디(710)가 기판(W)의 중앙 영역의 상측에 위치하면, 바디(710)는 재차 아래 방향으로 이동하여 기판(W)의 비 패턴면과, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)를 접촉시키는 위의 메커니즘을 반복한다. 상술한 메커니즘은 적어도 1회 이상 수행될 수 있다.When the
기판의 비 패턴면에는 다량의 불순물이 부착되어 있을 수 있다. 이와 같은 불순물은 후속 공정에서 기판의 패턴면으로 되튀어 공정 불량을 야기할 수 있다. 또한, 기판의 비 패턴면에 부착된 불순물이 제거되지 않는 경우, 후속 공정에서 기판을 지지한 상태로 기판을 처리할 때, 기판을 지지하는 부분에 부착된 불순물에 의해 기판이 기울어질 수 있다.A large amount of impurities may be attached to the non-patterned side of the substrate. Such impurities may bounce back to the pattern surface of the substrate in subsequent processes, causing process defects. Additionally, if impurities attached to the non-patterned side of the substrate are not removed, when processing the substrate while supporting it in a subsequent process, the substrate may be tilted due to impurities attached to the portion supporting the substrate.
일반적으로 패드를 이용하여 기판을 세정하는 경우, 패드와 기판 간의 접촉에 의해 기판에 부착된 불순물을 제거한다. 이 경우, 기판으로부터 탈락된 불순물이 섞인 오염된 세정액은 패드와 기판 사이에서 배출되지 못하고 패드와 기판 사이에서 트랩(Trap)된다. 배출되지 못한 오염된 세정액은 패드의 표면 상에 잔류하고, 패드가 기판의 다른 영역을 세정할 때 세정액에 섞인 불순물이 재차 기판에 부착될 수 있다.Generally, when cleaning a substrate using a pad, impurities attached to the substrate are removed through contact between the pad and the substrate. In this case, the contaminated cleaning solution mixed with impurities that has fallen from the substrate cannot be discharged between the pad and the substrate and is trapped between the pad and the substrate. Contaminated cleaning solution that cannot be discharged remains on the surface of the pad, and when the pad cleans another area of the substrate, impurities mixed in the cleaning solution may adhere to the substrate again.
도 18은 바디, 접촉 패드, 그리고 접촉 돌기에서 약액이 배출되는 모습을 개략적으로 보여주는 부분 확대도이다.Figure 18 is a partial enlarged view schematically showing the discharge of chemical liquid from the body, contact pad, and contact protrusion.
도 18을 참조하면, 기판의 비 패턴면에 토출되어 잔류하는 세정액(E)은 접촉 패드(720)에 의해 홈 부(712)로 배출된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 홈 부(712)는 접촉 패드(720)의 형상으로 인해, 바디(710)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 홈 부(712)의 너비(또는 폭)은 점진적으로 증가한다. 이와 같은 홈 부(712)의 구조적 특징으로 인해, 홈 부(712)의 가장자리 영역으로 갈수록 세정액(E)의 모세관의 힘(F1)은 증가한다. 홈 부(712)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 증가하는 모세관의 힘(F1)에 따라, 즉, 홈 부(712) 내의 세정액(E)은 홈 부(712)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 향하는 방향으로 배출되도록 유도된다. 이에, 홈 부(712) 내의 세정액(E)과 세정액(E)에 섞인 불순물(미도시)은 바디(710)의 외부로 배출되어 기판으로부터 제거된다.Referring to FIG. 18, the cleaning liquid (E) discharged and remaining on the non-patterned side of the substrate is discharged into the
본 발명의 일 실시예에 의한 접촉 돌기(730)는 그 하단이 라운드지게 형성된다. 이에, 접촉 돌기(730)의 하단과 기판(W)의 비 패턴면 간의 계면에 의해 모세관의 힘(F2)을 발생시켜 홈 부(712) 내 세정액(E)의 배출에 기여한다. 또한, 복수 개의 접촉 돌기(730)들이 서로 조합되어 그룹을 형성함으로써, 하나의 그룹을 이루는 각각의 접촉 돌기(730)에 의한 모세관의 힘(F2)을 보다 증가시킬 수 있다.The
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 접촉 패드(720)의 재질은 연성이 강한 소재(예컨대, PVA)를 포함하므로, 기판(W)과 접촉할 때 기판(W)의 비 패턴면에 데미지를 주는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의한 접촉 패드(720)는 기판(W)의 비 패턴면에 변형을 야기하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the material of the
일반적으로, 패드를 이용하여 기판을 세정하는 경우, 기판의 파손을 방지하기 위해 큰 힘을 가하여 기판과 접촉할 수 없다. 기판의 표면에 부착된 불순물이 기판으로부터 제거되기 어려운 물질로 구성되어 있는 경우, 위와 같은 불순물은 패드를 이용하더라도 쉽게 제거되지 않는다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 의한 접촉 돌기(730)의 재질은 강성이 강한 소재를 포함하므로, 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물 중 접촉 패드(720)에 의해 쉽게 제거되지 않는 불순물을 기판(W)의 비 패턴면으로부터 용이하게 탈락시킬 수 있다.Generally, when cleaning a substrate using a pad, a large force cannot be applied to contact the substrate to prevent damage to the substrate. If the impurities attached to the surface of the substrate are made of a material that is difficult to remove from the substrate, such impurities are not easily removed even when using a pad. Accordingly, since the material of the
또한, 바디(710)는 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하는 동안 회전하므로, 바디(710)의 중심을 포함하는 중앙 영역에서의 각 속도는 바디(710)의 가장자리 영역에서의 각 속도보다 상대적으로 작다. 이에, 일 실시예에 의한 바디(710)의 중앙 영역은 관통되게 형성하여, 바디(710)의 중앙 영역에서 체류하는 세정액(E)을 바디(710)의 가장자리 영역으로 용이하게 배출되도록 유도할 수 있다.Additionally, because
다시 도 9를 참조하면, 제2반송 단계(S30)는 제1공정 처리 단계(S20)가 완료된 이후 수행된다. 제1공정 처리 단계(S20)가 완료되면, 제1반송 로봇(520)은 제1세정 챔버(601)에서 기판(W)을 반출하여 비어 있는 반전 유닛(400)으로 반송한다. 반전 유닛(400)에서 기판(W)의 패턴 면과 비 패턴면의 위치가 반전된다. 예컨대, 반전 유닛(400)에서 기판(W)은 패턴 면이 위를 향하도록 반전될 수 있다. 제1반송 로봇(520)은 제1세정 챔버(601)로 상하 반전된 기판(W)을 반송한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 제1반송 로봇(520)은 처리 챔버(600)에서 기판이 처리되는 상황을 판단하여, 제1세정 챔버(601), 제2세정 챔버(602), 그리고 서브 버퍼(340) 중 어느 하나로 기판(W)을 반송할 수 있다.Referring again to FIG. 9, the second return step (S30) is performed after the first processing step (S20) is completed. When the first processing step (S20) is completed, the
제1세정 챔버(601)로 반입된 기판(W)은 패턴면이 위를 향한 상태로 지지 유닛(630)에 지지된다. 지지 유닛(630)에 기판(W)이 지지되면, 제2공정 처리 단계(S40)가 수행된다.The substrate W brought into the
도 19는 제2공정 처리의 일 실시예를 보여주는 도면이다.Figure 19 is a diagram showing an example of the second process processing.
도 19를 참조하면, 액 공급 유닛(640)은 기판(W)의 패턴면을 향해 처리액을 공급한다. 예컨대, 액 공급 유닛(640)은 기판(W)의 패턴면으로 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제를 순차적으로 공급할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 중 어느 일부만이 기판(W)의 패턴면으로 공급될 수 있고, 케미칼, 린스액, 유기 용제의 공급 순서도 변경될 수 있다.Referring to FIG. 19, the
다시 도 9를 참조하면, 제2공정 처리 단계(S40)가 완료된 이후, 제1반송 로봇(520)은 제1세정 챔버(601)에서 기판(W)을 반출하여 메인 버퍼(320)로 반송한다. 이 때, 기판(W)은 패턴면이 위를 향한 상태를 유지한다. 메인 버퍼(320)에 비어 있는 공간이 없는 경우, 제1반송 로봇(520)은 기판(W)을 서브 버퍼(340)에 반입한다. 이후, 메인 버퍼(320)에 비어 있는 공간이 생긴 경우, 제1반송 로봇(520)은 서브 버퍼(340)에서 기판(W)을 반출하여 메인 버퍼(320)로 반입한다. 이후, 인덱스 로봇(120)이 메인 버퍼(320)로부터 기판(W)을 반출하여 로드 포트(12)에 놓인 용기(F)로 기판(W)을 수납한다.Referring again to FIG. 9, after the second processing step (S40) is completed, the
본 발명의 실시예에 의하면, 기판(W)의 비 패턴면을 세정하는 제1공정 처리 단계(S20)를 먼저 수행하고, 이후에 기판(W)의 패턴면을 세정하는 제2공정 처리 단계(S40)를 수행할 수 있다. 제1공정 처리 단계(S20)를 수행하는 과정에서 불순물이 기판(W)의 패턴면에 부착될 수 있다. 이 경우, 제2공정 처리 단계(S40)를 제1공정 처리 단계(S20)보다 후에 수행함으로써, 제2공정 처리 단계(S40)에서 기판(W)의 패턴면에 불순물을 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first process step (S20) of cleaning the non-pattern side of the substrate (W) is first performed, and then the second process step (S20) of cleaning the pattern side of the substrate (W) is performed ( S40) can be performed. During the process of performing the first processing step (S20), impurities may attach to the pattern surface of the substrate (W). In this case, by performing the second processing step (S40) after the first processing step (S20), impurities can be removed from the pattern surface of the substrate (W) in the second processing step (S40).
상술한 예와 달리, 접촉 패드(720) 및/또는 접촉 돌기(730)가 기판(W)에 형성된 비 패턴면과 접촉하기 이후에, 또는 동시에 바디(710)는 회전할 수 있다.Unlike the above-described example, the
상술한 예와 달리, 접촉 패드(720) 및 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하기 이전에, 기판(W)의 비 패턴면에 세정액이 기 공급되고, 접촉 패드(720) 및 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하는 동안에는 기판(W)에 세정액이 공급되지 않을 수 있다.Unlike the above-described example, before the
또한, 접촉 패드(720) 및 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하여 기판(W)의 비 패턴면으로부터 불순물을 탈락시킨 이후에, 기판(W)의 비 패턴면으로 처리액이 공급될 수 있다. 또한, 처리액을 공급한 이후에는 기판(W)을 고속으로 회전시켜 건조시킬 수 있다.In addition, after the
또한, 접촉 패드(720) 및 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하여 기판(W)의 비 패턴면으로부터 불순물을 탈락시키기 이전에, 기판(W)의 비 패턴면으로 처리액이 공급될 수 있다. 이후, 기판(W)의 비패턴면에 세정액을 토출하면서 접촉 패드(720) 및 접촉 돌기(730)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉하고, 기판(W)의 비패턴면에 린스액을 공급할 수 있다.In addition, before the
또한, 상술한 예와 달리, 제2공정 처리 단계(S40)가 먼저 수행된 이후, 제1공정 처리 단계(S20)가 수행될 수 있다.Additionally, unlike the above-described example, the second processing step (S40) may be performed first, and then the first processing step (S20) may be performed.
또한, 상술한 예와 달리, 브러쉬 유닛(700)에는 세정 노즐(790)이 포함되지 않을 수 있다. 이 경우, 제1공정 처리 단계(S20)를 수행할 때 액 공급 유닛(640)은 기판(W)의 비 패턴면에 탈이온수를 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(640)이 기판(W)의 비 패턴면에 탈이온수를 공급할 때, 액 공급 유닛(640)의 아암(644)과 브러쉬 유닛(700)의 아암(770)은 서로 간섭되지 않도록 동작할 수 있다.Additionally, unlike the above-described example, the
또한, 상술한 예와 달리, 브러쉬 유닛(700)은 기판(W)의 패턴면과 접촉하여 기판(W)의 패턴면에 부착된 불순물을 기판(W)의 패턴면으로부터 탈락시킬 수 있다.Additionally, unlike the above-described example, the
또한, 상술한 예와 달리, 제1세정 챔버(601) 및 제2세정 챔버(602) 중 어느 하나에서는 기판(W)의 비 패턴면만을 세정하는 제1공정 처리 단계(S20)가 수행되고, 제1세정 챔버(601) 및 제2세정 챔버(602) 중 다른 하나에서는 기판(W)의 패턴면만을 세정하는 제2공정 처리 단계(S40)가 각각 수행될 수 있다.In addition, unlike the above-described example, a first process step (S20) of cleaning only the non-patterned surface of the substrate W is performed in one of the
또한, 상술한 예와 달리, 처리 블록(20)이 1개 구비될 수 있다. 선택적으로, 처리 블록(20)은 3개 또는 그 이상이 구비될 수 있다. 또한, 상술한 예와 달리, 버퍼 유닛(300)은 메인 버퍼(320)만을 포함할 수 있다.Additionally, unlike the above-described example, one
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 브러쉬 유닛에 대해 설명한다. 이하에서 설명하는 일 실시예에 의한 브러쉬 유닛은 추가적으로 설명하는 경우 외에는, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 브러쉬 유닛(700)과 대부분 동일 또는 유사한 구조를 가진다. 이에, 이하에서는 중복되는 구성에 대해서는 그 설명을 생략한다.Below, a brush unit according to another embodiment of the present invention will be described. The brush unit according to an embodiment described below has a structure that is mostly the same or similar to the
도 20 및 도 21은 브러쉬 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.20 and 21 are views schematically showing another embodiment of a brush unit.
도 20을 참조하면, 제1그룹(731), 제2그룹(732), 그리고 제3그룹(733)은 홈 부(712)의 중앙 영역으로부터 가장자리 영역을 향하는 방향으로 순차적으로 배치될 수 있다. 예컨대, 제1그룹(731)은 제2그룹(732) 및 제3그룹(733)보다 홈 부(712)의 중앙 영역에 인접하게 위치한다. 또한, 제2그룹(732)은 제3그룹(733)보다 홈 부(712)의 중앙 영역에 인접하게 위치한다. 제3그룹(733)은 제1그룹(731) 및 제2그룹(732)보다 홈 부(712)의 가장자리 영역에 인접하게 위치한다. 다만, 상술한 예에 한정되는 것은 아니고, 복수 개의 돌기(730)들이 구성하는 그룹들은 홈 부(712) 내의 다양한 영역에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 20, the
도 21을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 브러쉬 유닛(700)은 바디(710), 접촉 패드(720), 홀더(740), 지지 로드(750), 홀더 구동기(760), 세정 노즐(790), 그리고 연마 패드(830)를 포함할 수 있다. 이하에서는, 중복되지 않는 구성인 연마 패드(830)를 중심으로 설명한다.Referring to Figure 21, the
일 실시예에 의한 연마 패드(830)는 홈 부(712)에 배치될 수 있다. 또한, 연마 패드(830)는 접촉 패드(720)와 일정 거리 이격되게 위치할 수 있다. 연마 패드(830)의 하단은 접촉 패드(720)의 하단과 동일한 높이에 위치할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 연마 패드(830)는 바디(710)와 일체로 형성될 수 있다.The
상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 접촉 패드(720)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉할 때, 연마 패드(830)도 기판(W)의 비 패턴면과 접촉한다. 연마 패드(830)의 하면에는 미세하고 균일한 공극들이 존재할 수 있다. 선택적으로, 연마 패드(830)의 하면에는 미세한 그루브가 균일하게 형성될 수 있다. 이에, 연마 패드(830)가 기판(W)의 비 패턴면과 접촉할 때, 기판(W)의 비 패턴면에 스크래치가 발생되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 기판(W)의 비 패턴면에 부착되어 접촉 패드(720)에 의해 쉽게 제거되지 않는 불순물은 연마 패드(830)에 의해 용이하게 제거될 수 있다.According to the above-described embodiment of the present invention, when the
도 22 및 도 23은 제1공정 처리의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.Figures 22 and 23 are views schematically showing another embodiment of the first process.
도 22를 참조하면, 제1공정 처리 단계에서 기판(W)과 바디(710)는 각각 회전할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 기판(W)과 바디(710)는 서로 다른 방향으로 회전할 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 반시계 방향으로 회전하고, 바디(710)는 시계 방향으로 회전할 수 있다. 선택적으로, 기판(W)은 시계 방향으로 회전하고, 바디(710)는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.Referring to FIG. 22, the substrate W and the
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)과 바디(710)가 서로 반대 방향으로 회전함으로써, 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물을 보다 쉽게 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)의 비 패턴면의 오염 상태가 상대적으로 심각한 경우, 기판(W)과 바디(710)의 회전 방향을 서로 반대 방향으로 설정하여 기판(W)의 비 패턴면에 부착된 불순물을 보다 효율적으로 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate W and the
도 23을 참조하면, 제1공정 처리 단계에서 바디(710)는 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장자리 영역을 왕복 이동할 수 있다. 바디(710)는 기판(W)의 비 패턴면을 세정하는 동안, 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장자리 영역을 복수 회 왕복 이동할 수 있다.Referring to FIG. 23 , in the first processing step, the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.
10: 인덱스 블록
120: 인덱스 로봇
20: 처리 블록
300: 버퍼 유닛
320: 메인 버퍼
340: 서브 버퍼
400: 반전 유닛
500: 반송 챔버
520: 제1반송 로봇
600: 처리 챔버
601: 제1세정 챔버
620: 처리 용기
630: 지지 유닛
640: 액 공급 유닛
700: 브러쉬 유닛
710: 바디
720: 접촉 패드
730: 접촉 돌기10: Index block
120: Index robot
20: Processing block
300: buffer unit
320: main buffer
340: sub buffer
400: Inversion unit
500: Return chamber
520: First transfer robot
600: processing chamber
601: First cleaning chamber
620: Processing vessel
630: support unit
640: Liquid supply unit
700: Brush unit
710: body
720: contact pad
730: Contact protrusion
Claims (30)
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 지지 유닛에 지지된 기판을 세정하는 브러쉬 유닛을 포함하되,
상기 브러쉬 유닛은,
원 형상으로 형성된 바디; 및
상기 바디에 형성된 복수 개의 접촉 패드를 포함하고,
상기 접촉 패드들 사이에는 기판으로부터 탈락된 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고,
상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 홈 부의 너비와, 상기 바디의 가장자리 영역에서의 상기 홈 부의 너비는 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a housing having a processing space;
a support unit supporting a substrate in the processing space; and
Includes a brush unit for cleaning the substrate supported on the support unit,
The brush unit is,
A body formed in a circular shape; and
It includes a plurality of contact pads formed on the body,
Between the contact pads, a groove portion through which impurities falling off from the substrate are discharged is located,
A substrate processing apparatus, wherein the width of the groove portion in the central region of the body and the width of the groove portion in the edge region of the body are different from each other.
상기 접촉 패드는 상기 바디의 둘레 방향을 따라 복수 개로 분할되고,
상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 홈 부의 너비는 상기 바디의 가장자리 영역에서의 상기 홈 부의 너비보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The contact pad is divided into a plurality of pieces along the circumferential direction of the body,
A substrate processing apparatus, wherein the width of the groove portion in the central area of the body is smaller than the width of the groove portion in the edge area of the body.
상기 바디의 중앙 영역에서 상기 바디의 가장자리 영역으로 갈수록 상기 홈 부의 너비는 점진적으로 넓어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to paragraph 2,
A substrate processing device wherein the width of the groove portion gradually widens from the central region of the body to the edge region of the body.
상기 브러쉬 유닛은,
상기 홈 부에 배치된 복수 개의 접촉 돌기를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The brush unit is,
A substrate processing device further comprising a plurality of contact protrusions disposed in the groove portion.
상기 접촉 돌기의 하단은,
상기 접촉 패드의 하단과 동일한 높이에 위치하거나, 상기 접촉 패드의 하단보다 상기 바디에 가까운 높이에 위치하는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
The bottom of the contact protrusion is,
A substrate processing device located at the same height as the bottom of the contact pad, or located at a height closer to the body than the bottom of the contact pad.
상기 복수 개의 접촉 돌기들의 그룹 중 어느 하나의 그룹은 상기 바디의 중앙 영역에 인접하게 위치하고,
상기 복수 개의 접촉 돌기들의 그룹 중 다른 하나의 그룹은 상기 바디의 가장자리 영역에 인접하게 위치하는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
One group of the plurality of groups of contact protrusions is located adjacent to the central area of the body,
Another group of the plurality of contact protrusions is located adjacent to an edge area of the body.
상기 접촉 돌기의 하단은 라운드지게 형성되는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
A substrate processing device in which the bottom of the contact protrusion is formed to be round.
상기 접촉 패드는 상기 접촉 돌기보다 상대적으로 연성이 강한 재질을 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
A substrate processing device wherein the contact pad includes a material that is relatively more ductile than the contact protrusion.
상기 접촉 패드의 재질은 PVA(Polyvinyl alcohol)을 포함하고,
상기 접촉 돌기의 재질은 나일론, PP(Polypropylene), 또는 탄화 규소(SiC)를 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 8,
The material of the contact pad includes PVA (polyvinyl alcohol),
A substrate processing device wherein the contact protrusion is made of nylon, polypropylene (PP), or silicon carbide (SiC).
상기 바디는 중앙 영역이 관통된 원 형상으로 형성되고,
상기 접촉 패드는 상기 바디의 저면으로부터 아래 방향으로 돌출되게 형성되고, 상기 접촉 패드의 저면은 기판과 접촉하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The body is formed in a circular shape with a central area penetrating,
The contact pad is formed to protrude downward from the bottom of the body, and the bottom of the contact pad is in contact with the substrate.
상기 브러쉬 유닛은,
상기 홈 부에 배치되어 기판과 접촉하는 복수 개의 연마 패드들을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The brush unit is,
A substrate processing apparatus further comprising a plurality of polishing pads disposed in the groove portion and in contact with the substrate.
상기 브러쉬 유닛은,
상기 지지 유닛에 지지된 기판에 세정액을 토출하는 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The brush unit is,
A substrate processing apparatus further comprising a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid onto the substrate supported on the support unit.
상기 브러쉬 유닛은,
상기 바디 및 상기 세정 노즐을 지지하는 아암;
상기 아암을 이동시키는 아암 구동기;
상기 바디의 측부를 지지하는 홀더;
상기 아암을 관통하여 상기 홀더에 연결되고, 내부에 탄성 부재가 배치된 지지 로드; 및
상기 홀더를 회전시키는 홀더 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 12,
The brush unit is,
an arm supporting the body and the cleaning nozzle;
an arm driver that moves the arm;
A holder supporting the side of the body;
a support rod connected to the holder through the arm and having an elastic member disposed therein; and
A substrate processing apparatus further comprising a holder driver that rotates the holder.
상기 바디는 상기 아암 구동기에 의해 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이에서 이동하는 기판 처리 장치.According to clause 13,
A substrate processing apparatus wherein the body moves between a central area and an edge area of a substrate supported on the support unit by the arm driver.
인덱스 블록; 및
상기 인덱스 블록과 인접하게 위치하는 처리 블록을 포함하되,
상기 인덱스 블록은,
기판이 수납된 용기가 놓이는 적어도 하나 이상의 로드 포트; 및
상기 용기와 상기 처리 블록 사이에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 배치된 인덱스 프레임을 포함하고,
상기 처리 블록은,
기판이 일시적으로 보관되는 버퍼 유닛;
상기 버퍼 유닛과 적층되도록 배치되고, 기판을 상하 반전시키는 반전 유닛;
기판을 처리하는 처리 챔버; 및
상기 버퍼 유닛, 상기 반전 유닛, 그리고 상기 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇이 배치된 반송 챔버를 포함하고,
상기 처리 챔버는,
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및
상기 지지 유닛에 지지된 기판을 세정하는 브러쉬 유닛을 포함하되,
상기 브러쉬 유닛은,
중앙 영역이 관통된 원 형상의 바디;
상기 바디에 형성되고, 상기 바디의 둘레 방향을 따라 분할되어 기판과 접촉하는 복수 개의 접촉 패드;
적어도 하나 이상의 접촉 돌기; 및
상기 지지 유닛에 지지된 기판에 세정액을 토출하는 세정 노즐을 포함하고,
상기 접촉 패드들 사이에는 기판으로부터 탈락된 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고,
상기 접촉 돌기는 상기 홈 부에 배치되는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
index block; and
Including a processing block located adjacent to the index block,
The index block is,
At least one load port on which a container containing a substrate is placed; and
Comprising an index frame on which an index robot for transporting a substrate is disposed between the container and the processing block,
The processing block is,
a buffer unit where the substrate is temporarily stored;
an inversion unit arranged to be stacked with the buffer unit and inverting the substrate up and down;
a processing chamber for processing a substrate; and
Comprising a transfer chamber in which the buffer unit, the inversion unit, and a transfer robot for transferring the substrate between the processing chambers are disposed,
The processing chamber is,
a housing having a processing space;
a support unit supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate supported on the support unit; and
Includes a brush unit for cleaning the substrate supported on the support unit,
The brush unit is,
A circular body with a central area pierced;
a plurality of contact pads formed on the body and divided along a circumferential direction of the body to contact the substrate;
At least one contact protrusion; and
It includes a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid onto the substrate supported on the support unit,
Between the contact pads, a groove portion through which impurities falling off from the substrate are discharged is located,
A substrate processing device wherein the contact protrusion is disposed in the groove portion.
상기 홈 부의 폭은,
상기 바디의 중앙 영역에서의 상기 바디의 가장자리 영역으로 향할수록 증가하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 15,
The width of the groove is,
A substrate processing device characterized in that it increases from the central area of the body toward the edge area of the body.
상기 홈 부는 위에서 바라볼 때 부채꼴 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 15,
A substrate processing device, wherein the groove portion has a fan-shaped shape when viewed from above.
상기 접촉 패드는 상기 접촉 돌기보다 상대적으로 연성이 강한 재질을 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 15,
A substrate processing device wherein the contact pad includes a material that is relatively more ductile than the contact protrusion.
원 형상으로 형성된 바디;
상기 바디에 형성되고, 상기 바디의 둘레 방향을 따라 분할되어 기판과 접촉하는 복수 개의 접촉 패드; 및
적어도 하나 이상의 접촉 돌기를 포함하고,
상기 접촉 패드들 사이에는 상기 불순물이 배출되는 홈 부가 위치하고,
상기 홈 부의 폭은,
상기 홈 부는 위에서 바라볼 때 부채꼴 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 브러쉬 유닛.In the brush unit that contacts the substrate and removes impurities attached to the substrate,
A body formed in a circular shape;
a plurality of contact pads formed on the body and divided along a circumferential direction of the body to contact the substrate; and
Comprising at least one contact protrusion,
A groove through which the impurities are discharged is located between the contact pads,
The width of the groove is,
A brush unit, characterized in that the groove portion has a fan-shaped shape when viewed from above.
상기 접촉 돌기의 하단은,
상기 접촉 패드의 하단과 동일한 높이에 위치하거나, 상기 접촉 패드의 하단보다 상기 바디에 가까운 높이에 위치하는 브러쉬 유닛.According to clause 19,
The bottom of the contact protrusion is,
A brush unit located at the same height as the bottom of the contact pad, or located at a height closer to the body than the bottom of the contact pad.
상기 지지 유닛이 기판의 패턴면과 비 패턴면 중 상기 비 패턴면을 위로 향하도록 기판을 지지한 상태에서, 상기 비 패턴면에 세정액을 공급하면서 상기 접촉 패드들이 상기 비 패턴면과 접촉하여 상기 비 패턴면으로부터 불순물을 탈락시키고, 탈락된 상기 불순물은 상기 홈 부로 배출되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the device of claim 1,
In a state where the support unit supports the substrate so that the non-pattern side of the pattern side and the non-pattern side of the substrate is facing upward, the contact pads are in contact with the non-pattern side while supplying the cleaning liquid to the non-pattern side. A substrate processing method in which impurities are removed from the pattern surface and the removed impurities are discharged into the groove portion.
상기 지지 유닛은 상기 비 패턴면이 상기 접촉 패드와 접촉할 때 회전하는 기판 처리 방법.According to clause 21,
and wherein the support unit rotates when the non-patterned surface contacts the contact pad.
상기 바디는 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉할 때 회전하는 기판 처리 방법.According to clause 21,
A method of processing a substrate wherein the body rotates when the contact pad contacts the non-patterned surface.
상기 바디는 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하기 이전에 회전하고, 상기 지지 유닛은 상기 비 패턴면이 상기 접촉 패드와 접촉한 이후에 회전하는 기판 처리 방법. According to clause 21,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the body rotates before the contact pad contacts the non-patterned surface, and the support unit rotates after the non-patterned surface contacts the contact pad.
상기 바디와 상기 지지 유닛은 서로 다른 방향으로 회전하는 기판 처리 방법.According to clause 24,
A substrate processing method in which the body and the support unit rotate in different directions.
상기 바디와 상기 지지 유닛은 서로 동일한 방향으로 회전하되,
상기 바디의 단위 시간당 회전 수와 상기 지지 유닛의 단위 시간당 회전 수는 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법According to clause 24,
The body and the support unit rotate in the same direction,
A substrate processing method wherein the number of rotations per unit time of the body and the number of rotations per unit time of the support unit are different from each other.
상기 바디는,
상기 비 패턴면을 세정할 때, 기판의 중심을 포함하는 중앙 영역과 기판의 가장자리 영역 간에 왕복 이동하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 21 to 26,
The body is,
A substrate processing method of reciprocating between a central area including the center of the substrate and an edge area of the substrate when cleaning the non-patterned surface.
상기 바디는,
상기 기판의 중심을 포함하는 중앙 영역의 상측에서 하측으로 이동하여 상기 접촉 패드를 상기 비 패턴면과 접촉시키고, 상기 접촉 패드와 상기 비 패턴면이 접촉하면서 상기 중앙 영역에서 기판의 가장자리 영역으로 이동한 이후, 기판으로부터 이격되도록 상기 가장자리 영역의 상측으로 이동하고, 상기 가장자리 영역의 상측에서 상기 중앙 영역의 상측으로 이동한 이후 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하는 메커니즘을 적어도 1회 이상 수행하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 21 to 26,
The body is,
The contact pad is brought into contact with the non-patterned surface by moving from the upper to the lower side of the central area including the center of the substrate, and the contact pad and the non-patterned surface are in contact while moving from the central area to the edge area of the substrate. Thereafter, the substrate moves to the upper side of the edge region to be spaced from the substrate, and performs a mechanism in which the contact pad contacts the non-pattern surface at least once after moving from the upper side of the edge region to the upper side of the central region. How to handle it.
상기 바디는,
기판의 가장자리 영역의 상측에서 하측으로 이동하여 상기 접촉 패드를 상기 비 패턴면과 접촉시키고, 상기 접촉 패드와 상기 비 패턴면이 접촉하면서 상기 가장자리 영역에서 기판의 중앙 영역으로 이동한 이후, 기판으로부터 이격되도록 상기 중앙 영역의 상측으로 이동하고, 상기 중앙 영역의 상측에서 상기 가장자리 영역의 상측으로 이동한 이후 상기 접촉 패드가 상기 비 패턴면과 접촉하는 메커니즘을 적어도 1회 이상 수행하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 21 to 26,
The body is,
The contact pad is brought into contact with the non-pattern surface by moving from the top to the bottom of the edge area of the substrate, and the contact pad and the non-pattern surface are in contact while moving from the edge area to the center area of the substrate and then separated from the substrate. A method of processing a substrate, wherein the contact pad moves to the upper side of the central area as much as possible and moves from the upper side of the central area to the upper side of the edge area, and then performs a mechanism in which the contact pad contacts the non-patterned surface at least once.
상기 비 패턴면이 세정된 기판은 반전 유닛에서 반전되어 상기 패턴면이 위를 향하도록 위치되고, 반전된 상기 기판은 상기 패턴면이 위를 향한 상태로 상기 지지 유닛에 지지되고, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛은 상기 패턴면에 상기 처리액을 공급하여 상기 패턴면을 세정하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 21 to 26,
The substrate on which the non-pattern surface has been cleaned is inverted in an inversion unit and positioned so that the pattern surface is facing upward, and the inverted substrate is supported on the support unit with the pattern surface facing upward. A substrate processing method wherein a liquid supply unit that supplies a processing liquid to a supported substrate supplies the processing liquid to the pattern surface to clean the pattern surface.
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