KR20180125474A

KR20180125474A - Substrate cleaning apparatus

Info

Publication number: KR20180125474A
Application number: KR1020187026598A
Authority: KR
Inventors: 요시후미 아마노; 유키 이토; 겐토 구루수
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2016-03-22
Filing date: 2017-02-06
Publication date: 2018-11-23
Also published as: JP6671459B2; CN108885985B; KR102629296B1; CN108885985A; JPWO2017163633A1; WO2017163633A1

Abstract

실시형태에 관한 기판 세정 장치는, 브러시를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서, 기판 유지부와, 아암과, 공급부를 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 회전 가능하게 유지한다. 아암은, 브러시를 스핀들을 통해 회전 가능하게 지지한다. 공급부는, 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 또한, 브러시는, 본체부와, 세정체와, 액받침 부재를 구비한다. 본체부는 스핀들에 접속된다. 세정체는, 본체부의 하부에 설치되고, 기판에 압박된다. 액받침 부재는, 본체부의 외주부에 설치되고, 본체부의 외주부로부터 돌출된다. A substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate using a brush, the substrate cleaning apparatus comprising a substrate holding section, an arm, and a supply section. The substrate holding section rotatably holds the substrate. The arm rotatably supports the brush through the spindle. The supply unit supplies the process liquid to the substrate. Further, the brush includes a body portion, a cleaning body, and a liquid receiving member. The main body is connected to the spindle. The cleaning body is provided at a lower portion of the main body and pressed against the substrate. The liquid receiving member is provided on the outer peripheral portion of the main body portion and protrudes from the outer peripheral portion of the main body portion.

Description

Substrate cleaning apparatus

개시한 실시형태는, 기판 세정 장치에 관한 것이다. The disclosed embodiments relate to a substrate cleaning apparatus.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 세정 장치의 하나로서, 브러시를 기판에 접촉시키고, 브러시의 외측으로부터 브러시에 대하여 처리액을 공급하면서, 기판과 브러시를 서로 회전시키는 것에 의해 기판을 세정 처리하는 기판 세정 장치가 알려져 있다(특허문헌 1). Conventionally, as one example of a substrate cleaning apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer, a substrate is cleaned by contacting the brush with the substrate and rotating the substrate and the brush with each other while supplying the process liquid to the brush from the outside of the brush (Patent Document 1).

특허문헌 1 : 일본 특허 제4685914호Patent Document 1: Japanese Patent No. 4685914

그러나, 전술한 종래 기술과 같이 브러시와 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 경우, 처리액만을 이용하는 경우와 비교하여 처리액이 광범위하게 비산하기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 처리액이 광범위하게 비산하면, 장치가 오염될 우려가 있다. However, when the substrate is cleaned using the brush and the treatment liquid as in the above-described prior art, there is a problem that the treatment liquid is liable to be scattered widely as compared with the case where only the treatment liquid is used. If the treatment liquid is scattered widely, the apparatus may be contaminated.

실시형태의 일 양태는, 처리액의 비산을 억제할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An aspect of the embodiment is to provide a substrate cleaning apparatus capable of suppressing scattering of a treatment liquid.

실시형태의 일 양태에 관한 기판 세정 장치는, 브러시를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서, 기판 유지부와, 아암과, 공급부를 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 회전 가능하게 유지한다. 아암은, 브러시를 스핀들을 통해 회전 가능하게 지지한다. 공급부는, 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 또한, 브러시는, 본체부와, 세정체와, 액받침 부재를 구비한다. 본체부는 스핀들에 접속된다. 세정체는, 본체부의 하부에 설치되고, 기판에 압박된다. 액받침 부재는, 본체부의 외주부에 설치되고, 본체부의 외주부로부터 돌출된다. A substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate using a brush, the substrate cleaning apparatus comprising a substrate holding section, an arm, and a supply section. The substrate holding section rotatably holds the substrate. The arm rotatably supports the brush through the spindle. The supply unit supplies the process liquid to the substrate. Further, the brush includes a body portion, a cleaning body, and a liquid receiving member. The main body is connected to the spindle. The cleaning body is provided at a lower portion of the main body and pressed against the substrate. The liquid receiving member is provided on the outer peripheral portion of the main body portion and protrudes from the outer peripheral portion of the main body portion.

실시형태의 일 양태에 의하면, 처리액의 비산을 억제할 수 있는 기판 세정 장치를 제공할 수 있다. According to an aspect of the embodiment, it is possible to provide a substrate cleaning apparatus capable of suppressing scattering of the processing liquid.

도 1은, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 2는, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 3은, 제2 처리 블록의 모식 평면도이다.
도 4는, 제2 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 5는, 제2 처리 유닛의 모식 측면도이다.
도 6은, 이면 브러시의 모식 측면도이다.
도 7은, 액받침 부재와 둘레벽부의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은, 이면 세정부의 모식 측단면도이다.
도 9는, 안내 부재의 모식 사시도이다.
도 10은, 이면 브러시의 모식 사시도이다.
도 11은, 수용부의 모식 측면도이다.
도 12는, 이면 세정 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 13은, 이면 브러시와 제1 공급부의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 14는, 제1 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 15a는, 수용부의 모식 측면도이다.
도 15b는, 수용부의 모식 측면도이다.
도 15c는, 수용부의 모식 측면도이다. 1 is a schematic plan view of a substrate processing system according to an embodiment.
2 is a schematic side view of the substrate processing system according to the embodiment.
3 is a schematic plan view of the second processing block.
4 is a schematic plan view of the second processing unit.
5 is a schematic side view of the second processing unit.
6 is a schematic side view of the back side brush.
7 is a view showing the relationship between the liquid receiving member and the peripheral wall portion.
8 is a schematic side sectional view of the back side cleaning unit.
9 is a schematic perspective view of the guide member.
10 is a schematic perspective view of a back side brush.
11 is a schematic side view of the accommodating portion.
12 is a flowchart showing the processing procedure of the back side cleaning processing.
13 is a diagram showing the positional relationship between the back side brush and the first supply portion.
14 is a schematic plan view of the first processing unit.
15A is a schematic side view of the accommodating portion.
15B is a schematic side view of the accommodating portion.
15C is a schematic side view of the accommodating portion.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of a substrate processing apparatus disclosed herein will be described in detail. The present invention is not limited to the embodiments described below.

<기판 처리 시스템의 구성>&Lt; Configuration of Substrate Processing System >

우선, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 구성에 관해 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 모식 평면도이다. 또한, 도 2는, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 모식 측면도이다. 또, 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다. First, the configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. 1 is a schematic plan view of a substrate processing system 1 according to an embodiment. 2 is a schematic side view of the substrate processing system 1 according to the embodiment. In order to clarify the positional relationship, the X-axis, the Y-axis and the Z-axis orthogonal to each other are defined, and the Z-axis normal direction is defined as a vertical upward direction.

도 1에 나타낸 바와 같이, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 블록(2)과, 처리 블록(3)과, 전달 블록(4)을 구비한다. 이들은, 반입 반출 블록(2), 전달 블록(4) 및 처리 블록(3)의 순으로 나란히 배치된다. 1, the substrate processing system 1 according to the embodiment includes a carry-in and carry-out block 2, a processing block 3, and a transfer block 4. As shown in FIG. These are arranged in the order of the carry-in / out block 2, the transfer block 4 and the process block 3 in this order.

기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 블록(2)으로부터 반입된 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 전달 블록(4)을 경유하여 처리 블록(3)으로 반송하고, 처리 블록(3)에서 처리한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 처리후의 웨이퍼(W)를 처리 블록(3)으로부터 전달 블록(4)을 경유하여 반입 반출 블록(2)으로 복귀시키고, 반입 반출 블록(2)으로부터 외부로 배출한다. 이하, 각 블록(2∼4)의 구성에 관해 설명한다. The substrate processing system 1 transports the substrate carried in from the carry-in / out block 2, in this embodiment, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) to the processing block 3 via the transfer block 4, Process at processing block 3. The substrate processing system 1 also returns the processed wafers W from the processing block 3 to the carry-in / out block 2 via the transfer block 4, . Hereinafter, the configuration of each of the blocks 2 to 4 will be described.

<반입 반출 블록(2)의 구성> <Configuration of Import / Export Block 2>

반입 반출 블록(2)은, 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 배치부(11)에는, 복수매의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 배치된다. The loading / unloading block 2 includes a placing portion 11 and a carrying portion 12. In the arrangement section 11, a plurality of cassettes C for holding a plurality of wafers W in a horizontal state are arranged.

반송부(12)는, 배치부(11)에 인접하여 배치되고, 내부에 주반송 장치(13)를 구비한다. 주반송 장치(13)는, 배치부(11)와 전달 블록(4)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. The carry section 12 is disposed adjacent to the arrangement section 11 and has a main transfer apparatus 13 therein. The main transfer device 13 transfers the wafer W between the arrangement part 11 and the transfer block 4. [

<처리 블록(3)의 구성> &Lt; Configuration of Processing Block (3)

도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 블록(3)은, 제1 처리 블록(3U)과 제2 처리 블록(3L)을 구비한다. 제1 처리 블록(3U)과 제2 처리 블록(3L)은, 격벽이나 셔터 등에 의해 공간적으로 구획되고 있고, 높이 방향으로 나란히 배치된다. 본 실시형태에서는, 제1 처리 블록(3U)이 상단측에 배치되고, 제2 처리 블록(3L)이 하단측에 배치된다. As shown in Fig. 2, the processing block 3 includes a first processing block 3U and a second processing block 3L. The first processing block 3U and the second processing block 3L are spatially partitioned by partition walls, shutters, and the like, and are arranged side by side in the height direction. In the present embodiment, the first processing block 3U is disposed on the upper side and the second processing block 3L is disposed on the lower side.

제1 처리 블록(3U)에서는, 회로 형성면(이하, 「표면」이라고 기재함)을 위로 향하게 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 한편, 제2 처리 블록(3L)에서는, 표면과는 반대측의 면인 이면을 위로 향하게 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 이들 제1 처리 블록(3U) 및 제2 처리 블록(3L)의 구성에 관해 설명한다. In the first processing block 3U, the processing is performed on the wafer W with the circuit formation surface (hereinafter referred to as "surface") facing upward. On the other hand, in the second processing block 3L, processing is performed on the wafer W in a state in which the back surface, which is the surface opposite to the surface, faces upward. The configuration of the first processing block 3U and the second processing block 3L will be described.

<제1 처리 블록(3U)의 구성> &Lt; Configuration of First Processing Block 3U >

제1 처리 블록(3U)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 반송부(16)와, 제1 반송 장치(17)와, 복수의 제1 처리 유닛(18)을 구비한다. 제1 반송 장치(17)는, 반송부(16)의 내부에 배치되고, 복수의 제1 처리 유닛(18)은, 반송부(16)의 외부에서 반송부(16)에 인접하여 배치된다. 1, the first processing block 3U includes a carry section 16, a first transfer device 17, and a plurality of first processing units 18. As shown in FIG. The first transfer device 17 is disposed inside the transfer section 16 and the plurality of first processing units 18 are disposed adjacent to the transfer section 16 from outside the transfer section 16. [

제1 반송 장치(17)는, 전달 블록(4)과 제1 처리 유닛(18)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 구체적으로는, 제1 반송 장치(17)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제1 처리 유닛(18)으로 반송하는 처리와, 제1 처리 유닛(18)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛(18)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다. The first transfer device 17 transfers the wafer W between the transfer block 4 and the first processing unit 18. More specifically, the first transfer device 17 transfers the wafer W from the transfer block 4 to the first processing unit 18, and the processing to be carried out by the first processing unit 18 A process of taking out the wafer W from the first processing unit 18 and carrying it to the transfer block 4 is performed.

제1 처리 유닛(18)은, 표면을 위로 향하게 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 베벨 세정 처리란, 웨이퍼(W)의 주연부(베벨부)에 부착된 파티클이나 보트 자국 등을 제거하는 처리를 말한다.The first processing unit 18 performs a bevel cleaning process on the wafer W with its surface facing upward. The bevel cleaning process refers to a process for removing particles or a boat mark attached to the peripheral portion (bevel portion) of the wafer W. [

예컨대, 제1 처리 유닛(18)은, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 흡착 유지하는 흡착 유지부와, 웨이퍼(W)의 주연부에 브러시를 접촉시키는 것에 의해 웨이퍼(W)의 주연부를 물리적으로 세정하는 베벨 세정부와, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 약액을 토출하는 토출부를 구비한다. 이러한 제1 처리 유닛(18)은, 표면을 위로 향하게 한 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지부에서 흡착 유지한 상태로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 제1 처리 유닛(18)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향해 토출부로부터 약액을 토출하면서, 베벨 세정부의 브러시를 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부에 부착된 파티클 등을 제거한다. 이와 같이, 약액에 의한 화학적인 세정과, 브러시에 의한 물리적인 세정을 조합하는 것에 의해, 파티클이나 보트 자국 등의 제거 성능을 높일 수 있다. For example, the first processing unit 18 includes a suction holding unit for rotatably holding and holding the wafer W, and a cleaning unit for physically cleaning the periphery of the wafer W by bringing the brush into contact with the peripheral edge of the wafer W And a discharging portion for discharging the chemical liquid toward the periphery of the wafer W. The first processing unit 18 rotates the wafer W in a state in which the back surface of the wafer W whose surface is faced upwardly is attracted and held by the attracted and held portion. The first processing unit 18 brings the brush of the bevel cleaning section into contact with the peripheral edge of the wafer W while discharging the chemical liquid from the discharge section toward the peripheral edge of the back surface of the rotating wafer W, W are removed. As described above, by combining the chemical cleaning by the chemical liquid and the physical cleaning by the brush, the removal performance of particles and boat marks can be enhanced.

<제2 처리 블록(3L)의 구성>&Lt; Configuration of Second Processing Block 3L >

계속해서, 제2 처리 블록(3L)의 구성에 관해 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 제2 처리 블록(3L)의 모식 평면도이다. Next, the configuration of the second processing block 3L will be described with reference to Fig. 3 is a schematic plan view of the second processing block 3L.

도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 처리 블록(3L)은, 반송부(26)와, 제2 반송 장치(27)와, 복수의 제2 처리 유닛(28)을 구비한다. 제2 반송 장치(27)는, 반송부(26)의 내부에 배치되고, 복수의 제2 처리 유닛(28)은, 반송부(26)의 외부에서 반송부(26)에 인접하여 배치된다. As shown in Fig. 3, the second processing block 3L includes a carry section 26, a second transfer device 27, and a plurality of second processing units 28. As shown in Fig. The second transfer unit 27 is disposed inside the transfer unit 26 and the plurality of second processing units 28 are disposed adjacent to the transfer unit 26 from outside the transfer unit 26.

제2 반송 장치(27)는, 전달 블록(4)과 제2 처리 유닛(28)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 구체적으로는, 제2 반송 장치(27)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제2 처리 유닛(28)으로 반송하는 처리와, 제2 처리 유닛(28)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제2 처리 유닛(28)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다. The second transfer device 27 transfers the wafer W between the transfer block 4 and the second processing unit 28. Specifically, the second transfer device 27 transfers the wafer W from the transfer block 4 to the second processing unit 28, and transfers the wafer W to the second processing unit 28 The wafer W is taken out of the second processing unit 28 and is transferred to the transfer block 4. [

제2 처리 유닛(28)은, 이면을 위로 향하게 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등을 제거하는 이면 세정 처리를 행한다. 여기서, 제2 처리 유닛(28)의 구성에 관해 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는, 제2 처리 유닛(28)의 모식 평면도이다. 또한, 도 5는, 제2 처리 유닛(28)의 모식 측면도이다. The second processing unit 28 performs a backside cleaning process for removing particles adhered to the back surface of the wafer W to the wafer W with the back surface facing upward. Here, the configuration of the second processing unit 28 will be described with reference to Figs. 4 and 5. Fig. 4 is a schematic plan view of the second processing unit 28. Fig. Fig. 5 is a schematic side view of the second processing unit 28. Fig.

도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 제2 처리 유닛(28)은, 챔버(201)와, 기판 유지부(202)와, 회수컵(203)과, 이면 세정부(204)와, 제1 공급부(205)와, 제2 공급부(206)와, 둘레벽부(207)를 구비한다. 4 and 5, the second processing unit 28 includes a chamber 201, a substrate holding portion 202, a recovery cup 203, a backside cleaning portion 204, A supply portion 205, a second supply portion 206, and a peripheral wall portion 207.

챔버(201)는, 기판 유지부(202)와 회수컵(203)과 이면 세정부(204)와 제1 공급부(205)와 제2 공급부(206)와 둘레벽부(207)를 수용한다. 챔버(201)의 천장부에는, 챔버(201) 내에 다운플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(211)가 설치된다. The chamber 201 houses the substrate holding portion 202, the recovery cup 203, the backside cleaning portion 204, the first supply portion 205, the second supply portion 206 and the peripheral wall portion 207. At the ceiling portion of the chamber 201, an FFU (Fun Filter Unit) 211 for forming a down flow in the chamber 201 is provided.

기판 유지부(202)는, 웨이퍼(W)보다 대직경의 본체부(221)와, 본체부(221)의 상면에 설치된 복수의 파지부(222)와, 본체부(221)를 지지하는 지주 부재(223)와, 지주 부재(223)를 회전시키는 구동부(224)를 구비한다. 또, 파지부(222)의 수는, 도시한 것에 한정되지 않는다. The substrate holding portion 202 includes a main body portion 221 having a larger diameter than the wafer W, a plurality of grip portions 222 provided on the upper surface of the main body portion 221, A member 223, and a driving unit 224 for rotating the strut member 223. In addition, the number of grippers 222 is not limited to the number shown.

이러한 기판 유지부(202)는, 복수의 파지부(222)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부를 파지함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는, 본체부(221)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평으로 유지된다. The substrate holding portion 202 holds the wafer W by grasping the peripheral edge portion of the wafer W by using a plurality of grip portions 222. [ Thereby, the wafer W is held horizontally in a state slightly spaced from the upper surface of the main body 221.

또, 제2 처리 유닛(28)에서는, 이면이 상측을 향한 상태, 바꿔 말하면, 표면이 하측을 향한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리가 행해진다. 이 때문에, 제1 처리 유닛(18)의 흡착 유지부와 같이 웨이퍼(W)를 흡착하는 타입의 것을 제2 처리 유닛(28)에서 사용하면, 회로 형성면인 표면을 오염시킬 우려가 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 회로 형성면을 최대한 오염시키지 않도록, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 타입의 것을 기판 유지부(202)로서 이용하는 것으로 했다.Further, in the second processing unit 28, the back surface cleaning process is performed on the wafer W with the back surface facing upward, in other words, with the surface facing downward. Therefore, if the second processing unit 28 that absorbs the wafer W as in the suction holding unit of the first processing unit 18 is used in the second processing unit 28, there is a possibility that the surface as the circuit formation surface is contaminated. Therefore, in the substrate processing system 1, a type of holding the periphery of the wafer W is used as the substrate holding portion 202 so as not to contaminate the circuit formation surface as much as possible.

회수컵(203)은, 기판 유지부(202)를 둘러싸도록 배치된다. 회수컵(203)의 바닥부에는, 제1 공급부(205)나 제2 공급부(206)로부터 토출되는 약액을 챔버(201)의 외부로 배출하기 위한 배액구(231)와, 챔버(201) 내의 분위기를 배기시키기 위한 배기구(232)가 형성된다. 또, 제2 처리 유닛(28)은, 제1 공급부(205)로부터 토출되는 약액의 배출처와, 제2 공급부(206)로부터 토출되는 약액의 배출처를 전환하는 기구를 구비하고 있어도 좋다. The recovery cup 203 is disposed so as to surround the substrate holding portion 202. The bottom of the recovery cup 203 is provided with a drain port 231 for discharging the chemical liquid discharged from the first supply section 205 or the second supply section 206 to the outside of the chamber 201, And an exhaust port 232 for exhausting the atmosphere is formed. The second processing unit 28 may be provided with a mechanism for switching between a discharge source of the chemical liquid discharged from the first supply unit 205 and a discharge source of the chemical liquid discharged from the second supply unit 206.

이면 세정부(204)는, 이면 브러시(241)와, 수평 방향(여기서는 Y축 방향)으로 연장되며 스핀들(242)을 통해 이면 브러시(241)를 상측으로부터 회전 가능하게 지지하는 아암(243)과, 아암(243)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(244)를 구비한다. The back side cleaning part 204 includes a back side brush 241 and an arm 243 extending in the horizontal direction (in this case, the Y axis direction) and supporting the back side brush 241 rotatably from above through the spindle 242, And a swing lifting mechanism 244 for swinging and lifting the arm 243.

이면 세정부(204)는, 밸브(244a)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제1 약액 공급원(245a)에 접속되고, 밸브(244b)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제2 약액 공급원(245b)에 접속된다. 또한, 이면 세정부(204)는, 밸브(244c)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 린스액 공급원(245c)에 접속된다. The backside cleaning unit 204 is connected to the first chemical solution supply source 245a through a valve 244a or a flow rate regulator (not shown) or the like, and is connected to the first chemical solution supply source 245a through a valve 244b, a flow rate regulator 2 chemical solution supply source 245b. The backside cleaning section 204 is connected to the rinsing liquid supply source 245c through a valve 244c, a flow rate regulator (not shown), and the like.

이면 세정부(204)는, 제1 약액 공급원(245a)으로부터 공급되는 제1 약액, 제2 약액 공급원(245b)으로부터 공급되는 제2 약액 또는 린스액 공급원(245c)으로부터 공급되는 린스액(여기서는 순수로 한다)을, 이면 브러시(241)의 내측으로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출할 수 있다. 이러한 이면 세정부(204)의 구체적인 구성에 관해서는 후술한다. The backside cleaning unit 204 is configured to remove the first chemical solution supplied from the first chemical solution supply source 245a, the second chemical solution supplied from the second chemical solution supply source 245b, or a rinse solution supplied from the rinse solution supply source 245c Can be discharged from the inner side of the back side brush 241 toward the wafer W. [ The specific configuration of the back side cleaning unit 204 will be described later.

여기서는, 제1 약액이 SC-1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액)이고, 제2 약액이 DHF(희불산)인 것으로 하지만, 제1 약액은 SC-1에 한정되지 않고, 제2 약액도 DHF에 한정되지 않는다. Although the first chemical solution is SC-1 (a mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water) and the second chemical solution is DHF (dilute hydrofluoric acid), the first chemical solution is not limited to SC-1, It is not limited.

제1 공급부(205)는, 둘레벽부(207)의 외측에 배치된다. 제1 공급부(205)는, 노즐(251)과, 수평 방향으로 연장되며 노즐(251)을 상측으로부터 지지하는 노즐 아암(252)과, 노즐 아암(252)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(253)를 구비한다. The first supply portion 205 is disposed outside the peripheral wall portion 207. The first supply unit 205 includes a nozzle 251, a nozzle arm 252 extending in the horizontal direction and supporting the nozzle 251 from above, a swing lifting mechanism 253 for swinging up and down the nozzle arm 252 .

노즐(251)은, 밸브(254a)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제1 약액 공급원(255a)에 접속된다. 또한, 노즐(251)은, 밸브(254b)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 린스액 공급원(255b)에 접속된다. 이러한 제1 공급부(205)는, 제1 약액 공급원(255a)으로부터 공급되는 제1 약액을 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 또한, 제1 공급부(205)는, 린스액 공급원(255b)으로부터 공급되는 순수를 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. The nozzle 251 is connected to the first chemical solution supply source 255a through a valve 254a, a flow rate regulator (not shown), and the like. The nozzle 251 is connected to the rinsing liquid supply source 255b through a valve 254b, a flow rate regulator (not shown), and the like. The first supply unit 205 discharges the first chemical liquid supplied from the first chemical liquid supply source 255a toward the wafer W. [ The first supply unit 205 discharges pure water supplied from the rinsing liquid supply source 255b toward the wafer W. [

제2 공급부(206)는, 둘레벽부(207)의 외측에 배치된다. 제2 공급부(206)는, 노즐(261)과, 수평 방향으로 연장되며 노즐(261)을 상측으로부터 지지하는 노즐 아암(262)과, 노즐 아암(262)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(263)를 구비한다. The second supply portion 206 is disposed outside the peripheral wall portion 207. The second supply unit 206 includes a nozzle 261 and a nozzle arm 262 extending in the horizontal direction and supporting the nozzle 261 from above and a swing lifting mechanism 263 for swinging up and down the nozzle arm 262 .

노즐(261)은, 밸브(264a)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제2 약액 공급원(265a)에 접속된다. 또한, 노즐(261)은, 밸브(264b)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 린스액 공급원(265b)에 접속된다. 이러한 제2 공급부(206)는, 제2 약액 공급원(265a)으로부터 공급되는 제2 약액을 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 또한, 제2 공급부(206)는, 린스액 공급원(265b)으로부터 공급되는 순수를 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. The nozzle 261 is connected to the second chemical solution supply source 265a through a valve 264a, a flow rate regulator (not shown), and the like. Further, the nozzle 261 is connected to the rinsing liquid supply source 265b through a valve 264b, a flow rate regulator (not shown), and the like. The second supply part 206 discharges the second chemical solution supplied from the second chemical solution supply source 265a toward the wafer W. [ The second supply unit 206 discharges the pure water supplied from the rinsing liquid supply source 265b toward the wafer W. [

둘레벽부(207)는, 회수컵(203)의 외측에서 기판 유지부(202)를 둘러싸도록 배치되고, 기판 유지부(202)로부터 비산하는 제1 약액, 제2 약액 및 순수와 같은 처리액을 받아낸다. 둘레벽부(207)는, 승강 기구(271)에 접속되어 있고, 승강 기구(271)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하다. 즉, 둘레벽부(207)는 높이를 변경할 수 있게 구성되어 있다. The peripheral wall portion 207 is disposed so as to surround the substrate holding portion 202 outside the recovery cup 203 and is provided with a treatment liquid such as the first chemical liquid, the second chemical liquid, and pure water scattered from the substrate holding portion 202 I take it. The peripheral wall portion 207 is connected to the lifting mechanism 271 and is movable in the vertical direction by the lifting mechanism 271. [ That is, the peripheral wall portion 207 is configured to be able to change the height.

제2 처리 유닛(28)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 이면을 위로 향하게 한 웨이퍼(W)의 주연부를 기판 유지부(202)로 유지하여 회전시킨다. 그리고, 제2 처리 유닛(28)은, 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)의 어느 하나와 이면 세정부(204)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등을 제거한다. The second processing unit 28 is constructed as described above, and the peripheral portion of the wafer W with its back surface facing upward is held by the substrate holding portion 202 and rotated. The second processing unit 28 removes particles adhering to the back surface of the wafer W by using either the first supply unit 205 or the second supply unit 206 and the back surface cleaning unit 204 do.

또, 제2 처리 유닛(28)의 챔버(201) 내에는, 이면 세정부(204)의 이면 브러시(241), 제1 공급부(205)의 노즐(251) 및 제2 공급부(206)의 노즐(261)을 본체부(221) 상에서 후퇴시킨 후퇴 위치가 마련된다. 그리고, 각 후퇴 위치에는, 이면 브러시(241), 노즐(251) 및 노즐(261)을 수용하는 수용부(208a∼208c)가 각각 설치된다. 도 4에는, 이면 세정부(204), 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)가 각 후퇴 위치에 배치되고, 이면 브러시(241), 노즐(251) 및 노즐(261)이 각각 수용부(208a∼208c)에 수용되어 있는 모습을 나타내고 있다. The back surface brush 241 of the back surface cleaner 204, the nozzles 251 of the first supply portion 205 and the nozzles 251 of the second supply portion 206 are provided in the chamber 201 of the second processing unit 28, (261) is retracted on the body portion (221). At the respective retracted positions, accommodating portions 208a to 208c for accommodating the back side brush 241, the nozzle 251 and the nozzle 261 are provided, respectively. 4, the back side cleaning part 204, the first supply part 205 and the second supply part 206 are disposed at respective retracted positions and the back side brush 241, the nozzle 251 and the nozzle 261 are accommodated 208a to 208c, respectively.

<전달 블록(4)의 구성><Configuration of Transfer Block 4>

다음으로, 전달 블록(4)에 관해 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 전달 블록(4)의 내부에는, 복수의 이전 장치(15a, 15b)와, 제1 버퍼부(21U)와, 제2 버퍼부(21L)와, 제1 전달부(22U)와, 제2 전달부(22L)와, 제1 반전 기구(23a)와, 제2 반전 기구(23b)가 배치된다. Next, the transfer block 4 will be described. As shown in Figs. 1 and 2, in the transfer block 4, a plurality of transfer devices 15a and 15b, a first buffer section 21U, a second buffer section 21L, The transfer section 22U, the second transfer section 22L, the first inverting mechanism 23a, and the second inverting mechanism 23b are arranged.

제1 버퍼부(21U), 제2 버퍼부(21L), 제1 전달부(22U), 제2 전달부(22L), 제1 반전 기구(23a) 및 제2 반전 기구(23b)는, 높이 방향으로 나란히 배치된다. 구체적으로는, 위로부터 순서대로, 제1 전달부(22U), 제1 버퍼부(21U), 제2 버퍼부(21L), 제2 전달부(22L), 제1 반전 기구(23a) 및 제2 반전 기구(23b)의 순서로 배치되어 있다(도 2 참조). The first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the first transfer unit 22U, the second transfer unit 22L, the first inversion mechanism 23a, and the second inversion mechanism 23b have a height Direction. More specifically, the first transfer unit 22U, the first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the second transfer unit 22L, the first inversion mechanism 23a, 2 reverse mechanism 23b in this order (see Fig. 2).

또, 버퍼부(여기서는 제1 버퍼부(21U)와 제2 버퍼부(21L)), 전달부(여기서는 제1 전달부(22U)와 제2 전달부(22L)), 반전 기구(여기서는 제1 반전 기구(23a) 및 제2 반전 기구(23b))의 갯수나 높이 방향에서의 배치는, 도시한 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 전달 블록(4)의 내부에는, 위로부터 순서대로, 전달부, 버퍼부, 반전 기구, 전달부 및 반전 기구의 순서로 배치되어도 좋다. The first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L include a buffer unit (here, the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L), a transfer unit (here, the first transfer unit 22U and the second transfer unit 22L) The number of the inverting mechanism 23a and the second inverting mechanism 23b) and the arrangement in the height direction are not limited to those shown. For example, the transfer block 4 may be arranged in this order from the top in the order of the transfer portion, the buffer portion, the reversing mechanism, the transfer portion, and the reversing mechanism.

이전 장치(15a, 15b)는, 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 이러한 승강 기구를 이용하여 수직 방향으로 이동함으로써, 높이 방향으로 나란히 배치된 제1 전달부(22U) 등에 대하여 웨이퍼(W)를 반입 반출한다. 이전 장치(15a)는, 제1 전달부(22U) 등의 Y축 정방향측으로부터 제1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다. 또한, 이전 장치(15b)는, 제1 전달부(22U) 등의 Y축 부방향측으로부터 제1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다. The prior devices 15a and 15b are provided with a lifting mechanism not shown and are moved in the vertical direction by using the lifting mechanism to move the wafer W relative to the first transfer portion 22U arranged in the height direction, . The prior device 15a accesses the first transmitting portion 22U and the like from the Y-axis positive side of the first transmitting portion 22U and the like. Further, the prior device 15b accesses the first transmitting portion 22U, etc. from the Y-axis direction side of the first transmitting portion 22U or the like.

제1 버퍼부(21U), 제2 버퍼부(21L), 제1 전달부(22U) 및 제2 전달부(22L)는, 웨이퍼(W)를 다단으로 수용 가능한 모듈이다. 그 중, 제1 버퍼부(21U) 및 제2 버퍼부(21L)는, 주반송 장치(13)와 이전 장치(15a, 15b)에 의해 액세스된다. The first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the first transfer unit 22U and the second transfer unit 22L are modules capable of accommodating the wafer W in multiple stages. Among them, the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L are accessed by the main transport apparatus 13 and the previous apparatuses 15a and 15b.

<제어 장치의 구성> <Configuration of Control Device>

기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(5)(도 1 참조)를 구비한다. 제어 장치(5)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(51)와 기억부(52)를 구비한다. 기억부(52)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(51)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(52)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. The substrate processing system 1 includes a control device 5 (see Fig. 1). The control device 5 is, for example, a computer and includes a control section 51 and a storage section 52. [ In the storage section 52, a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 51 is a CPU (Central Processing Unit), for example, and controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 52. [

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(52)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷옵티컬디스크(MO), 메모리카드 등이 있다. 또, 제어부(51)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 좋다. Such a program is recorded in a storage medium readable by a computer and may be installed in the storage section 52 of the control apparatus 5 from the storage medium. Examples of the storage medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like. The control unit 51 may be constituted by hardware alone without using a program.

<웨이퍼의 반송 플로우><Conveying Flow of Wafer>

다음으로, 기판 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 일례에 관해 간단히 설명한다. 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 주반송 장치(13)가 카세트(C)로부터 미처리된 웨이퍼(W)를 복수매 통합하여 취출하여 제1 버퍼부(21U)에 수용한다. 계속해서, 이전 장치(15a)가, 제1 버퍼부(21U)로부터 미처리된 웨이퍼(W)를 취출하여 제1 전달부(22U)로 이전하고, 제1 처리 블록(3U)의 제1 반송 장치(17)가, 제1 전달부(22U)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제1 처리 유닛(18)으로 반송하고, 제1 처리 유닛(18)이, 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 베벨 세정 처리가 종료하면, 제1 반송 장치(17)가, 베벨 세정 처리된 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛(18)으로부터 취출하여 제1 전달부(22U)에 수용한다. Next, an example of the conveyance flow of the wafer W in the substrate processing system 1 will be briefly described. In the substrate processing system 1, first, the main transport apparatus 13 integrally collects a plurality of unprocessed wafers W from the cassette C and stores them in the first buffer unit 21U. Subsequently, the previous apparatus 15a takes out the unprocessed wafer W from the first buffer unit 21U, transfers it to the first transfer unit 22U, and transfers it to the first transfer unit 22U of the first processing block 3U, The first processing unit 17 takes out the wafer W from the first transfer unit 22U and transfers the wafer W to the first processing unit 18. The first processing unit 18 performs a bevel cleaning process on the wafer W I do. When the bevel cleaning process is completed, the first transfer device 17 takes out the bevel cleaning wafer W from the first processing unit 18 and stores it in the first transfer unit 22U.

계속해서, 이전 장치(15a)가, 베벨 세정 처리된 웨이퍼(W)를 제1 전달부(22U)로부터 취출하여 제1 반전 기구(23a)로 이전하고, 제1 반전 기구(23a)가, 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전하고, 이전 장치(15b)가, 제1 반전 기구(23a)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제2 전달부(22L)로 이전한다. 계속해서, 제2 처리 블록(3L)의 제2 반송 장치(27)가, 제2 전달부(22L)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제2 처리 유닛(28)로 반송하고, 제2 처리 유닛(28)이, 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리를 행한다. 이면 세정 처리가 종료하면, 제2 반송 장치(27)가, 이면 세정 처리된 웨이퍼(W)를 제2 처리 유닛(28)으로부터 취출하여 제2 전달부(22L)에 수용한다. Subsequently, the previous apparatus 15a takes out the bevel cleaning wafer W from the first transfer unit 22U and transfers it to the first inversion mechanism 23a, and the first inversion mechanism 23a transfers the wafer W The front and back sides of the wafer W are reversed and the previous device 15b takes out the wafer W from the first inversion mechanism 23a and transfers it to the second transfer portion 22L. Subsequently, the second transfer device 27 of the second processing block 3L takes the wafer W from the second transfer portion 22L and transfers it to the second processing unit 28, (28) performs a backside cleaning process on the wafer (W). The second transfer device 27 takes out the wafer W subjected to the backside cleaning process from the second processing unit 28 and accommodates the wafer W in the second transfer unit 22L.

계속해서, 이전 장치(15b)가, 제2 전달부(22L)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제2 반전 기구(23b)로 이전하고, 제2 반전 기구(23b)가, 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전하고, 이전 장치(15a)가, 제2 반전 기구(23b)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제2 버퍼부(21L)로 이전하고, 주반송 장치(13)가, 베벨 세정 처리 및 이면 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)를 제2 버퍼부(21L)로부터 복수매 통합하여 취출하여 카세트(C)에 수용한다. 이에 따라, 일련의 기판 처리가 종료한다. Subsequently, the previous device 15b takes out the wafer W from the second transfer portion 22L and transfers it to the second inversion mechanism 23b, and the second inversion mechanism 23b transfers the wafer W to the second inversion mechanism 23b, The previous device 15a reverses the front and back of the wafer W and transfers the wafers W from the second inversion mechanism 23b to the second buffer section 21L and the main transfer device 13 performs the bevel cleaning process And the back side cleaning processing wafers W are collectively taken out from the second buffer unit 21L and accommodated in the cassette C. [ As a result, a series of substrate processing ends.

<이면 세정부의 구성><If the composition of the three governments>

다음으로, 이면 세정부(204)의 구체적인 구성에 관해 도 6∼도 11을 참조하여 설명한다. 우선, 이면 브러시(241)의 구성에 관해 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은, 이면 브러시(241)의 모식 측면도이다. 또한, 도 7은, 액받침 부재와 둘레벽부(207)의 관계를 나타내는 도면이다. Next, the specific structure of the back side cleaning unit 204 will be described with reference to Figs. 6 to 11. Fig. First, the configuration of the back side brush 241 will be described with reference to Figs. 6 and 7. Fig. Fig. 6 is a schematic side view of the back side brush 241. Fig. 7 is a view showing the relationship between the liquid receiving member and the peripheral wall portion 207. Fig.

도 6에 나타낸 바와 같이, 이면 브러시(241)는, 본체부(101)와, 접속부(102)와, 세정체(103)와, 액받침 부재(104)를 구비한다. 6, the backing brush 241 includes a main body 101, a connecting portion 102, a cleaning body 103, and a liquid receiving member 104. [

본체부(101)는, 원통형상을 가지며, 접속부(102)를 통해 스핀들(242)(도 4 참조)에 접속된다. 본체부(101)는, 제1 본체부(111)와 제2 본체부(112)를 구비한다. 제1 본체부(111) 및 제2 본체부(112)는, 동일한 직경을 갖는 원통형상의 부재이며, 제1 본체부(111)의 하부에 제2 본체부(112)가 부착되는 것에 의해 본체부(101)가 형성된다. The main body portion 101 has a cylindrical shape and is connected to the spindle 242 (see Fig. 4) through the connection portion 102. Fig. The main body portion 101 includes a first main body portion 111 and a second main body portion 112. The first body portion 111 and the second body portion 112 are cylindrically shaped members having the same diameter and the second body portion 112 is attached to the lower portion of the first body portion 111, (101) is formed.

접속부(102)는, 본체부(101)보다 소직경의 원통형상을 갖는다. 이러한 접속부(102)는, 제1 본체부(111)에 설치되고, 제1 본체부(111)보다 상측으로 돌출된다. 또한, 접속부(102)는, 삽입 구멍(121)을 갖고 있고, 이러한 삽입 구멍(121)에 스핀들(242)을 삽입하고, 스핀들(242)과 접속부(102)를 나사 등으로 고정함으로써, 본체부(101)는 스핀들(242)에 고정된다. The connecting portion 102 has a cylindrical shape with a smaller diameter than the body portion 101. The connecting portion 102 is provided on the first main body 111 and protrudes upward from the first main body 111. The connecting portion 102 has the insertion hole 121. The spindle 242 is inserted into the insertion hole 121 and the spindle 242 and the connecting portion 102 are fixed with screws or the like, (101) is fixed to the spindle (242).

세정체(103)는, 제2 본체부(112)의 하부에 설치되고, 웨이퍼(W)에 압박된다. 세정체(103)는, 다수의 모속으로 구성되는 것으로 하지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 스폰지 등으로 구성되어도 좋다. The cleaning body 103 is provided at the lower portion of the second main body portion 112 and is pressed against the wafer W. [ The cleaning body 103 is composed of a plurality of hair springs, but is not limited to this, and may be composed of, for example, a sponge or the like.

액받침 부재(104)는, 본체부(101)의 외주부, 구체적으로는, 제2 본체부(112)의 외주부(112a)에 설치된다. 액받침 부재(104)는, 제2 본체부(112)의 외주부(112a)로부터 돌출된 차양형상을 갖고 있고, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 하면(141)에서 받아내는 것에 의해, 처리액이 둘레벽부(207)를 넘어서 비산하는 것을 방지할 수 있다(도 7 참조). 액받침 부재(104)는, 평면에서 볼 때 원형상을 갖기 때문에, 처리액의 비산을 전방위에서 억제할 수 있다. The liquid receiving member 104 is provided on the outer peripheral portion of the body portion 101, specifically, on the outer peripheral portion 112a of the second body portion 112. [ The liquid receiving member 104 has an oblong shape protruding from the outer peripheral portion 112a of the second main body portion 112. By receiving the processing liquid scattering from the cleaning body 103 on the lower surface 141, It is possible to prevent the treatment liquid from scattering beyond the peripheral wall portion 207 (see Fig. 7). Since the liquid receiving member 104 has a circular shape in plan view, scattering of the processing liquid can be suppressed in all directions.

또한, 액받침 부재(104)는, 세정체(103)의 부착면, 즉, 제2 본체부(112)의 하면(112b)보다 상측에 배치되고, 액받침 부재(104)의 하면(141)이, 제2 본체부(112)의 하면(112b)보다 상측에 배치된다. 이와 같이 배치함으로써, 이면 세정 처리에서 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)의 외주부를 향해 이동시켰을 때에, 액받침 부재(104)가 다른 부재와 간섭하는 것을 방지할 수 있다. The liquid receiving member 104 is disposed on the attachment surface of the cleaning body 103, that is, above the lower surface 112b of the second main body 112, and the lower surface 141 of the liquid receiving member 104, Is disposed on the upper side of the lower surface 112b of the second main body portion 112. [ By arranging in this manner, it is possible to prevent the liquid receiving member 104 from interfering with other members when the back side brush 241 is moved toward the outer peripheral portion of the wafer W in the back side cleaning process.

구체적으로는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 액받침 부재(104)의 하면(141)은, 기판 유지부(202)가 구비하는 파지부(222)의 상단보다 상측에 배치된다. 또한, 액받침 부재(104)의 하면(141)은, 회수컵(203)의 상단보다 상측에 배치된다. 이와 같이 배치함으로써, 액받침 부재(104)가, 파지부(222)나 회수컵(203)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액받침 부재(104)의 하면(141)은, 파지부(222)(도 5 참조)에 접촉하지 않는 높이에서, 제2 본체부(112)의 외주부(112a)로부터 돌출된 방향에서 수평이어도 좋고, 하측으로 경사지게 해도 좋다. 액받침 부재(104)의 하면(141)을 하측으로 경사지게 한 경우, 액받침 부재(104)의 하면(141)에 액이 남는 것을 더욱 방지할 수 있다. 또한, 액받침 부재(104)의 하면(141)을 소수성으로 함으로써, 액받침 부재(104)의 하면(141)에 액이 남는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본체부(101)의 외주부를 소수성으로 함으로써, 본체부(101)의 외주부에 액이 남는 것을 방지할 수 있다. 7, the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 is disposed on the upper side of the upper end of the gripping portion 222 provided in the substrate holding portion 202. As shown in Fig. The lower surface 141 of the liquid receiving member 104 is disposed above the upper end of the recovery cup 203. By arranging in this way, it is possible to prevent the liquid receiving member 104 from interfering with the grip portion 222 and the recovery cup 203. The lower surface 141 of the liquid receiving member 104 is horizontal in a direction projecting from the outer peripheral portion 112a of the second main body portion 112 at a height not contacting the grip portion 222 Or may be inclined downward. It is possible to further prevent the liquid from remaining on the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 when the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 is inclined downward. In addition, by making the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 hydrophobic, it is possible to prevent the liquid from remaining on the lower surface 141 of the liquid receiving member 104. [ In addition, by making the outer peripheral portion of the main body 101 hydrophobic, it is possible to prevent the liquid from remaining on the outer peripheral portion of the main body 101. [

이면 세정 처리 중 이면 브러시(241)를 이용한 처리가 행해지는 경우, 둘레벽부(207)는, 둘레벽부(207)의 상단이 가장 높아지는 제1 높이 위치(H1)에 배치된다. 액받침 부재(104)는, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액이 제1 높이 위치(H1)에 배치된 둘레벽부(207)를 넘는 것을 방지할 정도의 직경을 갖는다. 이 직경은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 적어도 세정체(103)로부터 비산하는 처리액이 취할 수 있는 웨이퍼(W)에 대한 각도와 둘레벽부(207)의 제1 높이 위치(H1)의 관계에 기초하여 결정된다. 또, 비산하는 처리액이 취할 수 있는 속도나 웨이퍼(W) 상에서의 세정체(103)의 위치도 직경의 결정에 관계할 수 있다. 이와 같이, 둘레벽부(207)를 이용하여 처리액의 비산을 어느 정도 방지하면서, 둘레벽부(207)를 넘어서 비산하는 처리액을 액받침 부재(104)에서 받아냄으로써, 둘레벽부(207)의 높이를 낮게 억제하면서 처리액의 비산을 억제할 수 있다. The peripheral wall portion 207 is disposed at the first height position H1 at which the upper end of the peripheral wall portion 207 becomes the highest when the processing using the brush 241 is performed. The liquid receiving member 104 has a diameter enough to prevent the processing liquid scattering from the cleaning body 103 from passing over the peripheral wall portion 207 disposed at the first height position H1. The diameter of the circumferential wall portion 207 is set so as to satisfy the relationship between the angle at which the processing liquid scattering from the cleaning body 103 can take the wafer W and the first height position H1 of the peripheral wall portion 207, . In addition, the speed at which the treating liquid can be scattered and the position of the cleaning body 103 on the wafer W may be related to the determination of the diameter. As described above, the treatment liquid scattering beyond the peripheral wall portion 207 is received by the liquid receiving member 104 while preventing the scattering of the treatment liquid to some extent by using the peripheral wall portion 207, whereby the height of the peripheral wall portion 207 The scattering of the treatment liquid can be suppressed.

또, 액받침 부재(104)의 차양형상의 상면(142)은, 외측을 향해 아래로 경사져 있다. 이 때문에, 상면(142)에 처리액이 잔존하는 것을 방지할 수 있다. 또, 상면(142)의 형상은 도 6과 같이 외측 방향을 향해 일정한 경사각을 갖고 있을 필요는 없고, 예컨대, 외측 방향으로 향하는 도중에 경사각을 단계적으로 크게 한 다단의 경사 형상이나, 외측 방향으로 향함에 따라 서서히 경사각을 크게 한 원호형인 것이어도 좋다. The upper surface 142 of the liquid receiving member 104 is obliquely downward toward the outside. Therefore, the treatment liquid can be prevented from remaining on the upper surface 142. 6, the upper surface 142 is not necessarily required to have a predetermined inclination angle toward the outward direction. For example, the upper surface 142 may have a multi-step inclined shape in which the inclination angle is gradually increased on the way toward the outward direction, It may be an arc type that gradually increases the inclination angle.

둘레벽부(207)는, 일련의 기판 처리에 있어서, 제1 높이 위치(H1), 제2 높이 위치(H2) 및 제3 높이 위치(H3)의 적어도 3단계로 높이 위치가 변경된다. 제1 높이 위치(H1)는, 이면 세정 처리 중 이면 브러시(241)를 이용한 처리가 행해지는 경우에 둘레벽부(207)가 배치되는 높이 위치이다. 제2 높이 위치(H2)는, 예컨대 제2 공급부(206)만을 이용한 처리와 같이 이면 브러시(241)를 이용하는 경우와 비교하여 처리액의 비산이 적은 처리가 행해지는 경우에 둘레벽부(207)가 배치되는 높이 위치이며, 제1 높이 위치(H1)보다 낮게 설정된다. 제3 높이 위치(H3)는, 둘레벽부(207)의 초기 위치이고, 제2 높이 위치(H2)보다 낮으며, 예컨대 회수컵(203)과 동일한 정도의 높이 위치로 설정된다. The peripheral wall portion 207 is changed in height position in at least three stages of the first height position H1, the second height position H2 and the third height position H3 in a series of substrate processing. The first height position H1 is a height position at which the peripheral wall portion 207 is disposed when the processing using the brush 241 is performed during the backside cleaning processing. The second height position H2 is set to be smaller than the circumferential wall portion 207 in the case where processing with less splashing of the processing liquid is performed as compared with the case using the back side brush 241 as in the processing using only the second feeding portion 206 And is set to be lower than the first height position H1. The third height position H3 is an initial position of the peripheral wall portion 207 and is lower than the second height position H2 and is set to a position as high as the height of the recovery cup 203, for example.

또, 제3 높이 위치(H3)는, 이면 세정부(204), 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)와 간섭하는 높이 위치이며, 제1 높이 위치(H1) 및 제2 높이 위치(H2)는, 이면 세정부(204), 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)와 간섭하지 않는 높이 위치이다. The third height position H3 is a height position for interfering with the back side cleaner 204, the first supply unit 205 and the second supply unit 206. The first height position H1 and the second height position (H2) is a height position that does not interfere with the backside cleaning section 204, the first supply section 205, and the second supply section 206. [

도 8은, 이면 세정부(204)의 모식 측단면도이다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 아암(243)은, 수평 방향으로 연장된 제1 아암체(246)와, 제1 아암체(246)의 하부에 설치되는 제2 아암체(247)를 구비한다. 8 is a schematic side cross-sectional view of the back side cleaning part 204. Fig. 8, the arm 243 includes a first arm body 246 extending in the horizontal direction and a second arm body 247 provided in the lower portion of the first arm body 246. As shown in Fig.

제1 아암체(246)는, 스핀들(242)을 회전시키는 모터 등의 구동부(246a)와 스핀들(242)의 일부를 수용하는 제1 내부 공간(R1)을 갖는다. 구동부(246a)와 스핀들(242)은, 예컨대 풀리(246b, 246c) 및 전달 벨트(246d)에 의해 접속된다. 기타, 제1 내부 공간(R1)에는, 스핀들(242)을 회전 가능하게 지지하는 베어링부(246e)나 로드셀 등의 도시하지 않은 기기가 배치된다. The first arm member 246 has a drive portion 246a such as a motor for rotating the spindle 242 and a first internal space R1 for receiving a part of the spindle 242. [ The driving portion 246a and the spindle 242 are connected by, for example, pulleys 246b and 246c and a transmission belt 246d. In addition, the first internal space R1 is provided with a bearing unit 246e for rotatably supporting the spindle 242, and a device (not shown) such as a load cell.

제1 아암체(246)의 하부에는, 스핀들(242)을 삽입 관통하기 위한 삽입 관통구(246f)가 형성되어 있다. 따라서, 제1 내부 공간(R1)은 완전한 밀폐 공간으로는 되어 있지 않다.An insertion hole 246f for inserting the spindle 242 is formed in the lower portion of the first arm member 246. [ Therefore, the first inner space R1 is not a completely sealed space.

제2 아암체(247)는, 제1 아암체(246)의 삽입 관통구(246f)를 통해 제1 내부 공간(R1)과 외부를 연통하고, 제1 내부 공간(R1)으로부터 삽입 관통구(246f)를 통해 노출된 스핀들(242)의 일부를 덮는 제2 내부 공간(R2)을 갖는다. The second arm member 247 communicates with the first internal space R 1 through the insertion hole 246 f of the first arm member 246 from the first internal space R 1 to the insertion hole And a second internal space R2 covering a part of the spindle 242 exposed through the first and second recesses 246f, 246f.

제2 내부 공간(R2)은, 제1 아암체(246)의 삽입 관통구(246f)와 연통하는 상측 내부 공간(R2a)과, 상부에서 상측 내부 공간(R2a)과 연통하고, 하부에서 외부와 연통하는 하측 내부 공간(R2b)을 갖는다. 상측 내부 공간(R2a)과 하측 내부 공간(R2b)은, 제2 내부 공간(R2)을 형성하는 제2 아암체(247)의 내주면으로부터 제2 내부 공간(R2)측으로 돌출된 고리형의 제1 돌출부(247a)에 의해 느슨하게 구획되어 있다.The second internal space R2 has an upper internal space R2a communicating with the insertion through hole 246f of the first arm member 246 and an upper internal space R2a communicating with the upper internal space R2a at the upper portion, And has a lower inner space R2b communicating therewith. The upper inner space R2a and the lower inner space R2b are connected to the first inner space R2 and the second inner space R2 through the first inner space R2 and the second inner space R2, And is loosely partitioned by the projecting portion 247a.

스핀들(242)은, 제2 내부 공간(R2) 내에 배치되는 부분에, 외주면으로부터 직경 방향 외측으로 돌출된 고리형의 제2 돌출부(242a, 242b)를 갖는다. 제2 돌출부(242a)는 제1 돌출부(247a)의 상측에 배치된다. 또한, 제2 돌출부(242b)는 제1 돌출부(247a)의 하측에 배치된다. The spindle 242 has annular second projections 242a and 242b projecting radially outward from the outer peripheral surface at a portion disposed in the second inner space R2. The second projection 242a is disposed on the upper side of the first projection 247a. Further, the second projection 242b is disposed below the first projection 247a.

이와 같이, 이면 세정부(204)에서는, 제2 아암체(247)의 제2 내부 공간(R2)에 설치된 제1 돌출부(247a)와 스핀들(242)에 설치된 제2 돌출부(242a, 242b)에 의해, 제2 내부 공간(R2) 내에 소위 미로 구조를 형성하고 있다. 이에 따라, 이면 세정부(204)는, 제1 약액이나 제2 약액 등의 분위기가 제1 내부 공간(R1) 내에 침입하여 제1 내부 공간(R1) 내의 구동부(246a) 등을 열화시키는 것을 방지할 수 있다. As described above, in the back surface cleaning section 204, the first projecting section 247a provided in the second internal space R2 of the second arm body 247 and the second projecting sections 242a and 242b provided on the spindle 242 Thereby forming a so-called labyrinth structure in the second inner space R2. The back side cleaning section 204 prevents the atmosphere of the first chemical solution or the second chemical solution from entering the first internal space R1 and deteriorating the driving section 246a etc. in the first internal space R1 can do.

또한, 아암(243)은 가스 공급부(247b)를 구비한다. 가스 공급부(247b)는, 제1 아암체(246)나 제2 아암체(247)에 형성되는 통로 구멍이나 배관 등에 의해 구성되며, 그 일단은, 제2 내부 공간(R2) 중의 하측 내부 공간(R2b)에 접속되고, 타단은 밸브(244d)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 가스 공급원(245d)에 접속된다. 이러한 가스 공급부(247b)는, 가스 공급원(245d)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 하측 내부 공간(R2b)에 공급한다. 이에 따라, 하측 내부 공간(R2b)에 대한 외부 분위기의 침입이 불활성 가스에 의해 방해되기 때문에, 제1 약액이나 제2 약액 등의 분위기가 제1 내부 공간(R1) 내에 침입하는 것을 더욱 확실하게 방지할 수 있다. Further, the arm 243 has a gas supply portion 247b. The gas supply part 247b is constituted by a passage hole or a pipe formed in the first arm body 246 and the second arm body 247 and has one end connected to the lower internal space of the second internal space R2 And the other end is connected to the gas supply source 245d through a valve 244d, a flow rate regulator (not shown), and the like. The gas supply unit 247b supplies an inert gas such as N2 gas supplied from the gas supply source 245d to the lower internal space R2b. As a result, the intrusion of the external atmosphere into the lower internal space R2b is prevented by the inert gas, so that the atmosphere of the first chemical liquid or the second chemical liquid can be prevented more surely from entering the first internal space R1 can do.

또한, 아암(243)은 흡기부(247c)를 구비한다. 흡기부(247c)는, 제1 아암체(246)나 제2 아암체(247)에 형성되는 통로 구멍이나 배관 등에 의해 구성되며, 그 일단은, 제2 내부 공간(R2) 중의 상측 내부 공간(R2a)에 접속되고, 타단은 흡기 기구(247d)에 접속된다. 이러한 흡기부(247c)는, 흡기 기구(247d)를 이용하여 상측 내부 공간(R2a) 내의 분위기를 흡기한다. 이에 따라, 제1 내부 공간(R1) 내에 수용된 구동부(246a)나 베어링부(246e)로부터 발생한 먼지가 외부로 유출되어 웨이퍼(W) 등을 오염하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the arm 243 has an intake portion 247c. The intake portion 247c is constituted by a passage hole or a pipe formed in the first arm body 246 and the second arm body 247 and has one end connected to the upper internal space R2a, and the other end is connected to the intake mechanism 247d. This intake portion 247c uses the intake mechanism 247d to intake the atmosphere in the upper side internal space R2a. This can prevent the dust generated from the driving portion 246a and the bearing portion 246e accommodated in the first internal space R1 from flowing out to contaminate the wafer W or the like.

또한, 아암(243)은 토출부(247e)를 구비한다. 토출부(247e)는, 제1 아암체(246)나 제2 아암체(247)에 형성되는 통로 구멍이나 배관 등에 의해 구성되며, 그 일단은, 제2 아암체(247)의 하면에 노출된다. 또한, 토출부(247e)의 타단은, 밸브(244a)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제1 약액 공급원(245a)에 접속되고, 밸브(244b)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 제2 약액 공급원(245b)에 접속되고, 밸브(244c)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 린스액 공급원(245c)에 접속된다. Further, the arm 243 has a discharge portion 247e. The discharge portion 247e is constituted by a passage hole or a pipe formed in the first arm body 246 and the second arm body 247 and one end of the discharge portion 247e is exposed on the lower surface of the second arm body 247 . The other end of the discharge portion 247e is connected to the first chemical solution supply source 245a through a valve 244a or a flow rate regulator (not shown), and is connected to a valve 244b, a flow rate regulator And is connected to the rinsing liquid supply source 245c through a valve 244c, a flow rate regulator (not shown), and the like.

이러한 토출부(247e)는, 제1 약액 공급원(245a)으로부터 공급되는 제1 약액, 제2 약액 공급원(245b)으로부터 공급되는 제2 약액 또는 린스액 공급원(245c)으로부터 공급되는 순수를 이면 브러시(241)의 본체부(101)에 형성된 중공부(113)에 공급하기 위해, 제2 아암체(247)의 하면으로부터 수직 하향으로 토출한다. The discharge portion 247e discharges the pure water supplied from the first chemical solution supplied from the first chemical solution supply source 245a, the second chemical solution supplied from the second chemical solution supply source 245b or the rinsing solution supply source 245c to the backside brush 241 from the lower surface of the second arm member 247 to the hollow portion 113 formed in the main body portion 101 of the first arm member 241.

여기서, 제2 아암체(247)에는, 전술한 바와 같이 제2 내부 공간(R2)이 형성되기 때문에, 토출부(247e)를 제2 아암체(247)의 중앙에 가깝게 배치하는 것이 어렵다. 이 때문에, 토출부(247e)는, 이면 브러시(241)의 중공부(113)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 배치된다. 구체적으로는, 토출부(247e)는, 이면 브러시(241)의 본체부(101)의 외주부보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 배치된다. 이 경우, 토출부(247e)로부터 처리액을 단순히 토출한 것으로는, 중공부(113)에 처리액을 공급할 수 없다. Here, since the second inner space R2 is formed in the second arm body 247 as described above, it is difficult to dispose the discharge portion 247e close to the center of the second arm body 247. [ The discharge portion 247e is disposed at a position away from the hollow portion 113 of the back side brush 241 and away from the spindle 242. [ Specifically, the discharge portion 247e is disposed at a position away from the spindle 242 from the outer peripheral portion of the main body portion 101 of the back side brush 241. In this case, the treatment liquid can not be supplied to the hollow portion 113 simply by discharging the treatment liquid from the discharge portion 247e.

따라서, 이면 세정부(204)는 안내 부재(248)를 구비한다. 안내 부재(248)는, 토출부(247e)와 이면 브러시(241)의 사이에 배치되고, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액을 일단 받아서 이면 브러시(241)의 중공부(113)로 유도한다. Therefore, the back surface cleaning section 204 has the guide member 248. [ The guide member 248 is disposed between the discharge portion 247e and the back side brush 241 and receives the treatment liquid discharged from the discharge portion 247e once and guides the treatment liquid to the hollow portion 113 of the back side brush 241 do.

구체적으로는, 안내 부재(248)는, 평면에서 볼 때 원형의 받침 접시 형상을 가지며, 제2 아암체(247)의 하측에서 제2 아암체(247)로부터 격리되어 배치된다. 또한, 안내 부재(248)는, 중앙부에 삽입 관통구(248e)를 가지며, 이러한 삽입 관통구(248e)에 스핀들(242)이 삽입 관통됨과 함께, 스핀들(242)에 형성된 단차부와 이면 브러시(241)의 접속부(102)에 의해 상하 방향으로부터 끼워지는 것에 의해 고정되어 스핀들(242)과 함께 회전한다. Specifically, the guide member 248 has a circular receiving plate shape as viewed in plan, and is disposed below the second arm body 247 and isolated from the second arm body 247. The guide member 248 has an insertion through hole 248e at the center and the spindle 242 is inserted into the insertion through hole 248e and the stepped portion formed on the spindle 242 and the back surface brush 241 by being fitted in the vertical direction by the connecting portion 102 of the spindle 242 and rotated together with the spindle 242.

여기서, 안내 부재(248)의 구성에 관해 도 9를 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 9는, 안내 부재(248)의 모식 사시도이다. Here, the configuration of the guide member 248 will be described in detail with reference to Fig. 9 is a schematic perspective view of the guide member 248. Fig.

도 9에 나타낸 바와 같이, 안내 부재(248)는, 받침면(248a)과 배출부(248b)를 구비한다. 받침면(248a)은, 토출부(247e)의 하측에 배치되고, 토출부(247e)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치로부터 스핀들(242)을 향해 아래로 경사진 사면이다. As shown in Fig. 9, the guide member 248 has a receiving surface 248a and a discharge portion 248b. The bearing surface 248a is a slope disposed below the discharge portion 247e and inclined downward from the position away from the spindle 242 toward the spindle 242 than the discharge portion 247e.

배출부(248b)는, 받침면(248a) 중 이면 브러시(241)의 중공부(113)의 바로 위에 위치하는 영역에 설치되고, 받침면(248a)에서 받은 처리액을 중공부(113)를 향해 배출한다. 구체적으로는, 배출부(248b)는, 받침면(248a)에 대하여 원주형으로 나란히 배치되는 복수의 배출구(248b1)를 구비한다. 이에 따라, 예컨대 단일한 배출구를 설치한 경우와 비교하여, 받침면(248a)에서 받은 처리액을 중공부(113)를 향해 균등하게 낙하시킬 수 있다. The discharge portion 248b is provided in a region directly above the hollow portion 113 of the brush 241 in the receiving surface 248a and the processing liquid received from the receiving surface 248a is supplied to the hollow portion 113 . Specifically, the discharge portion 248b has a plurality of discharge ports 248b1 arranged circumferentially and side by side with respect to the receiving surface 248a. Accordingly, the treatment liquid received from the receiving surface 248a can be evenly dropped toward the hollow portion 113, for example, as compared with the case where a single discharge port is provided.

또한, 안내 부재(248)는, 받침면(248a)의 외주부로부터 상측을 향해 세워져 설치된 둘레형상의 제1 벽부(248c)를 구비한다. 이에 따라, 받침면(248a)에서 받은 처리액이 받침면(248a)의 외주부로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 안내 부재(248)는, 배출부(248b)와 스핀들(242) 사이에, 상측을 향해 세워져 설치된 둘레형상의 제2 벽부(248d)를 구비한다. 이에 따라, 받침면(248a)에서 받은 처리액이 스핀들(242)을 타고 접속부(102)의 삽입 구멍(121) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이러한 처리액에 의한 스핀들(242)이나 접속부(102)의 열화를 방지할 수 있다. Further, the guide member 248 has a first wall portion 248c of a peripheral shape which is erected upward from the outer peripheral portion of the receiving surface 248a. Thus, the treatment liquid received from the receiving surface 248a can be prevented from falling from the outer peripheral portion of the receiving surface 248a. The guide member 248 is provided between the discharge portion 248b and the spindle 242 and has a second wall portion 248d of a peripheral shape which is provided upwardly and upwardly. This makes it possible to prevent the processing liquid received from the receiving surface 248a from entering the insertion hole 121 of the connection portion 102 by taking the spindle 242. [ Further, deterioration of the spindle 242 and the connection portion 102 due to such a treatment liquid can be prevented.

계속해서, 이면 브러시(241)의 중공부(113)의 구성에 관해 도 8 및 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은, 이면 브러시(241)의 모식 사시도이다. Next, the configuration of the hollow portion 113 of the back side brush 241 will be described with reference to Figs. 8 and 10. Fig. Fig. 10 is a schematic perspective view of the back side brush 241. Fig.

도 8에 나타낸 바와 같이, 이면 브러시(241)의 본체부(101)는, 상하 양단이 개구되는 중공부(113)를 구비한다. 중공부(113)에서의 상부 개구(113a)는 제1 본체부(111)에 설치된다. 상부 개구(113a)의 내주면은, 안내 부재(248)의 배출부(248b)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 설치된다. As shown in Fig. 8, the main body portion 101 of the back side brush 241 is provided with a hollow portion 113 in which upper and lower ends are opened. The upper opening 113a in the hollow portion 113 is provided in the first main body 111. [ The inner peripheral surface of the upper opening 113a is provided at a position away from the spindle 242 than the discharge portion 248b of the guide member 248. [

중공부(113)에서의 하부 개구(113b)는, 제2 본체부(112)에 설치된다. 하부 개구(113b)는, 상부 개구(113a)보다 작은 직경을 갖는다. 구체적으로는, 하부 개구(113b)의 내주면은, 안내 부재(248)의 배출부(248b)보다 스핀들(242)에 가까운 위치에 설치된다. 따라서, 안내 부재(248)의 배출부(248b)로부터 배출된 처리액은, 상부 개구(113a)로부터 중공부(113) 내에 침입한 후, 스핀들(242)측으로 한데 모여 하부 개구(113b)로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출되게 된다. The lower opening 113b in the hollow portion 113 is provided in the second main body portion 112. [ The lower opening 113b has a smaller diameter than the upper opening 113a. Concretely, the inner peripheral surface of the lower opening 113b is provided at a position closer to the spindle 242 than the discharge portion 248b of the guide member 248. [ The processing liquid discharged from the discharge portion 248b of the guide member 248 is gathered from the upper opening 113a into the hollow portion 113 and then gathered toward the spindle 242, (W).

도 10에 나타낸 바와 같이, 중공부(113)의 중도부에는 복수의 개구부(113c)가 설치된다. 복수의 개구부(113c)는 제1 본체부(111)에 설치된다. 또한, 각 개구부(113c)의 사이에는, 제1 본체부(111)와 접속부(102)의 연결부(113d)가 설치된다. As shown in Fig. 10, a plurality of openings 113c are provided in the middle portion of the hollow portion 113. Fig. A plurality of openings 113c are provided in the first main body 111. The first main body 111 and the connecting portion 113d of the connecting portion 102 are provided between the respective openings 113c.

<이면 브러시의 수용부의 구성>&Lt; Configuration of receiving portion of brush &

다음으로, 이면 브러시(241)의 수용부(208a)의 구성에 관해 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은, 수용부(208a)의 모식 측면도이다. Next, the configuration of the receiving portion 208a of the back side brush 241 will be described with reference to Fig. 11 is a schematic side view of the accommodating portion 208a.

도 11에 나타낸 바와 같이, 이면 브러시(241)의 후퇴 위치인 수용부(208a)의 바닥면(281)에는, 후퇴 위치에 배치된 이면 브러시(241)를 세정하는 브러시 세정부(282)가 설치된다. 브러시 세정부(282)는, 수직 상측을 향해 세정액을 토출하는 토출구를 가지며, 밸브(283)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 세정액 공급원(284)에 접속된다. 이러한 브러시 세정부(282)는, 세정액 공급원(284)으로부터 공급되는 세정액(여기서는 순수로 한다)을 수용부(208a)의 바닥면(281) 상의 토출구로부터 이면 브러시(241)를 향해 수직 상측으로 토출함으로써, 세정액을 이용하여 이면 브러시(241)를 세정한다. 11, a brush cleaning portion 282 for cleaning the back side brush 241 disposed at the retreated position is provided on the bottom surface 281 of the accommodating portion 208a, which is the retreat position of the back side brush 241 do. The brush cleaning section 282 has a discharge port for discharging the cleaning liquid toward the vertical upper side and is connected to the cleaning liquid supply source 284 through a valve 283 and a flow rate regulator (not shown). The brush cleaning section 282 discharges the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 284 from the discharge port on the bottom surface 281 of the accommodating section 208a to the backside brush 241 Whereby the backing brush 241 is cleaned using the cleaning liquid.

브러시 세정부(282)의 토출구는, 후퇴 위치에 배치된 세정체(103)의 외주부와 액받침 부재(104)의 기단부(基端部)를 포함하는 영역의 수직 하측에 배치되어 있고, 이 영역에 대하여 세정액인 순수를 공급한다. 이에 따라, 세정체(103)뿐만 아니라 액받침 부재(104)를 세정할 수 있다. The discharge port of the brush cleaning section 282 is disposed vertically below the region including the outer peripheral portion of the cleaning body 103 disposed at the retreated position and the base end portion of the liquid receiving member 104, The pure water as a cleaning liquid is supplied. As a result, not only the cleaning body 103 but also the liquid receiving member 104 can be cleaned.

또한, 이러한 브러시 세정 처리중에 있어서, 이면 세정부(204)는, 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터 순수를 토출한다. 이에 따라, 세정체(103)의 외측뿐만아니라 내측도 세정할 수 있다. During the brush cleaning process, the backside cleaning part 204 discharges pure water from the hollow part 113 of the backside brush 241. [ As a result, not only the outer side but also the inner side of the cleaning body 103 can be cleaned.

또, 수용부(208a)의 바닥면(281)에는, 브러시 세정 처리에서 브러시 세정부(282)나 중공부(113)로부터 토출된 순수를 외부로 배출하기 위한 배출부(285)가 설치된다. 수용부(208a)의 바닥면(281)은, 배출부(285)를 향해 아래로 경사져 있다. The bottom surface 281 of the accommodating portion 208a is provided with a discharge portion 285 for discharging pure water discharged from the brush cleaning portion 282 and the hollow portion 113 in the brush cleaning process to the outside. The bottom surface 281 of the accommodating portion 208a is inclined downward toward the discharge portion 285. [

<이면 세정 처리의 처리 순서>&Lt; Sequence of processing of washing process >

다음으로, 제2 처리 유닛(28)에서 실행되는 이면 세정 처리의 구체적인 처리 순서에 관해 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는, 이면 세정 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 12에 나타내는 각 처리 순서는, 제어부(51)가 제2 처리 유닛(28)의 기판 유지부(202), 이면 세정부(204), 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206) 등을 제어함으로써 실행된다. Next, a specific processing procedure of the backside cleaning process executed in the second processing unit 28 will be described with reference to Fig. 12 is a flowchart showing the processing procedure of the back side cleaning processing. 12 are the same as those in the first embodiment except that the control unit 51 controls the substrate holding unit 202, the backside cleaning unit 204, the first supply unit 205 and the second supply unit 206 of the second processing unit 28 And the like.

도 12에 나타낸 바와 같이, 제2 처리 유닛(28)에서는, 챔버(201) 내에 반입된 웨이퍼(W)를 기판 유지부(202)에 유지시킨 후, 제1 약액 처리를 행한다(단계 S101). 제1 약액 처리에서는, 우선, 제1 공급부(205)의 선회 승강 기구(253)를 이용하여 노즐 아암(252)을 선회시켜 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 상측에 위치시킨 후, 이면 세정부(204)의 선회 승강 기구(244)를 이용하여 아암(243)을 선회시켜 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)의 상측에 위치시킨다. 그 후, 승강 기구(271)를 이용하여 둘레벽부(207)를 상승시켜 둘레벽부(207)의 높이 위치를 제3 높이 위치(H3)(도 7 참조)로부터 제1 높이 위치(H1)로 변화시킨다. As shown in Fig. 12, in the second processing unit 28, the wafer W carried into the chamber 201 is held on the substrate holding portion 202, and then the first chemical solution processing is performed (Step S101). In the first chemical liquid treatment, first, the nozzle arm 252 is pivoted by using the pivot elevating mechanism 253 of the first supply unit 205 to position the nozzle 251 on the upper side of the wafer W, The arm 243 is pivoted by using the orbiting-hoisting mechanism 244 of the arm 204 to position the backing brush 241 on the upper side of the wafer W. [ Thereafter, the peripheral wall portion 207 is raised using the lifting mechanism 271 to change the height position of the peripheral wall portion 207 from the third height position H3 (see FIG. 7) to the first height position H1 .

계속해서, 기판 유지부(202)의 구동부(224)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시키고, 이면 세정부(204)의 구동부(246a)를 이용하여 이면 브러시(241)를 회전시킨다. 또한, 제1 공급부(205)의 노즐(251)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 제1 약액인 SC-1을 공급하고, 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터도 웨이퍼(W)에 대하여 SC-1을 공급한다. 그리고, 이면 세정부(204)의 선회 승강 기구(244)를 이용하여 이면 브러시(241)를 하강시켜 세정체(103)를 웨이퍼(W)에 압박한 후, 이면 브러시(241) 및 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. 이에 따라, 세정체(103)에 의한 물리적인 세정력과, SC-1에 의한 화학적인 세정력에 의해 웨이퍼(W)로부터 파티클이 제거된다. Subsequently, the wafer W is rotated using the driving unit 224 of the substrate holding unit 202, and the back side brush 241 is rotated using the driving unit 246a of the back side cleaning unit 204. [ The first chemical liquid SC-1 is supplied to the wafer W from the nozzle 251 of the first supply unit 205 so that the wafer W is supplied to the wafer W from the hollow portion 113 of the back side brush 241 Supply SC-1. The backing brush 241 is lowered by using the orbital lifting mechanism 244 of the backside cleaning section 204 to press the cleaning body 103 against the wafer W and then the backside brush 241 and the nozzle 251 Is moved from the central portion of the wafer W toward the outer peripheral portion. As a result, the particles are removed from the wafer W by the physical cleaning force by the cleaning body 103 and the chemical cleaning force by the SC-1.

여기서, 제1 약액 처리에서의 이면 브러시(241)와 제1 공급부(205)의 위치 관계에 관해 도 13을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 13은, 이면 브러시(241)와 제1 공급부(205)의 위치 관계를 나타내는 도면이다. Here, the positional relationship between the back side brush 241 and the first supply portion 205 in the first chemical solution treatment will be described in detail with reference to Fig. Fig. 13 is a diagram showing the positional relationship between the back side brush 241 and the first supply portion 205. Fig.

이면 브러시(241)의 외측으로부터 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 토출하는 경우, 웨이퍼(W)에 대한 처리액의 공급 위치는 이면 브러시(241)에 가능한 한 가까운 편이 좋다. 이것은, 처리액의 공급 위치가 이면 브러시(241)에 가까울수록, 처리액의 액막을 이면 브러시(241)의 주위에 형성하기 쉬워지기 때문이다.The supply position of the processing liquid to the wafer W should be as close as possible to the back side brush 241 when discharging the processing liquid from the outside of the brush 241 to the wafer W. This is because, as the supply position of the process liquid is closer to the back side brush 241, the liquid film of the process liquid becomes easier to form around the back side brush 241.

그러나, 노즐(251)을 이면 브러시(241)에 지나치게 가깝게 하면, 제1 공급부(205)와 이면 세정부(204)가 접촉해 버릴 가능성이 있다. However, if the nozzle 251 is brought too close to the backing brush 241, there is a possibility that the first supply part 205 and the backside cleaning part 204 are in contact with each other.

따라서, 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 공급부(205)의 노즐(251)은, 이면 브러시(241)의 외측으로부터 이면 브러시(241)보다 전방의 웨이퍼(W) 상의 위치를 향해 SC-1을 비스듬히 토출한다. 이와 같이, SC-1을 비스듬히 토출하도록 함으로써, 제1 공급부(205)와 이면 세정부(204)의 충돌을 회피하면서, SC-1의 액막을 이면 브러시(241)의 주위에 형성할 수 있다. 13, the nozzle 251 of the first supply unit 205 moves from the outer side of the back side brush 241 toward the position on the wafer W ahead of the back side brush 241, Discharge at an angle. By thus discharging the SC-1 obliquely, the liquid film of the SC-1 can be formed around the backing brush 241 while avoiding collision between the first supply portion 205 and the backside cleaning portion 204. [

또, 「이면 브러시(241)보다 전방의 웨이퍼(W) 상의 위치」는, 웨이퍼(W) 상에 형성되는 SC-1의 액막이 이면 브러시(241)에 도달 가능한 웨이퍼(W) 상의 위치이다. The position of the wafer W in front of the back side brush 241 is a position on the wafer W that can reach the brush 241 if the SC-1 liquid film formed on the wafer W is a liquid film.

처리액을 비스듬히 토출하는 경우, 처리액을 수직 방향으로 토출하는 경우와 비교해서 처리액이 웨이퍼(W)에 접촉한 후의 반동이 커질 가능성이 있다. 처리액의 반동이 커지면, 반동한 처리액이, 예를 들면 둘레벽부(207)(도 5 참조)를 넘어서 비산할 우려가 있다. There is a possibility that the rebound after the treatment liquid comes into contact with the wafer W may become larger as compared with the case where the treatment liquid is discharged in the vertical direction when the treatment liquid is discharged obliquely. When the recoil of the processing liquid becomes large, there is a fear that the recycled processing liquid may be scattered over, for example, the peripheral wall portion 207 (see FIG. 5).

따라서, 제1 공급부(205)의 노즐(251)은, 이면 브러시(241)의 외측으로부터 이면 브러시(241)보다 전방의 웨이퍼(W) 상의 위치이자, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 SC-1을 액받침 부재(104)의 하면(141)에 의해 받아내는 위치를 향해 SC-1을 비스듬히 토출한다. 바꿔 말하면, 노즐(251)의 경사 각도 및 웨이퍼(W) 상에서의 높이 위치 및 수평 위치는, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 SC-1을 액받침 부재(104)의 하면(141)에 의해 받아낼 수 있는 경사 각도 및 높이 위치 및 수평 위치로 설정된다. The nozzle 251 of the first supply unit 205 is moved from the outer side of the back side brush 241 to the position on the wafer W in front of the back side brush 241 and to the SC- And the SC-1 is discharged obliquely toward the position to be received by the lower surface 141 of the liquid receiving member 104. In other words, the inclination angle of the nozzle 251 and the height position and the horizontal position on the wafer W are set such that the SC-1 which is recoiled on the wafer W is received by the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 And is set to a horizontal position.

이에 따라, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 SC-1을 액받침 부재(104)의 하면(141)에 의해 받아낼 수 있기 때문에, SC-1의 비산을 억제할 수 있다. 또한, SC-1의 비산이 억제됨으로써, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 SC-1이 이면 브러시(241)의 본체부(101)나 접속부(102) 등에 부착되는 것을 억제할 수 있다. As a result, the SC-1 that is repelled on the wafer W can be received by the lower surface 141 of the liquid receiving member 104, and thus scattering of the SC-1 can be suppressed. Further, by suppressing the scattering of the SC-1, it is possible to suppress the SC-1, which is recoiled on the wafer W, from adhering to the main body portion 101 or the connecting portion 102 of the backing brush 241 or the like.

제어부(51)는, 이면 세정부(204)의 선회 승강 기구(244) 및 제1 공급부(205)의 선회 승강 기구(253)를 제어하여, 전술한 이면 브러시(241)와 노즐(251)의 위치 관계를 유지하면서 이면 브러시(241) 및 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. 이에 따라, SC-1의 비산을 억제하면서, 웨이퍼(W)의 전면을 처리할 수 있다. The control unit 51 controls the swing lifting mechanism 244 of the back side cleaning unit 204 and the swing lifting mechanism 253 of the first supply unit 205 to drive the above described back side brush 241 and the nozzle 251 The backside brush 241 and the nozzle 251 are moved from the central portion of the wafer W toward the outer peripheral portion while maintaining the positional relationship. Thus, the entire surface of the wafer W can be processed while suppressing scattering of the SC-1.

이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(251) 및 중공부(113)로부터의 SC-1의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시켜, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 또한, 이면 브러시(241) 및 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 중심부로 이동시킨다. The supply of the SC-1 from the nozzle 251 and the hollow portion 113 is stopped and the backside brush 241 is raised so that the backside brush 241 ). Further, the backside brush 241 and the nozzle 251 are moved to the center of the wafer W. [

계속해서, 제2 처리 유닛(28)에서는 제1 린스 처리가 행해진다(단계 S102). 제1 린스 처리에서는, 웨이퍼(W)에 토출하는 처리액을 제1 약액으로부터 린스액인 순수로 전환하여, 이면 세정부(204) 및 제1 공급부(205)를 전술한 제1 약액 처리와 동일하게 동작시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 SC-1이 순수에 의해 세정된다.Subsequently, the first rinse process is performed in the second processing unit 28 (step S102). In the first rinsing process, the process liquid discharged onto the wafer W is converted from the first chemical liquid to the pure water as the rinsing liquid, and the back surface cleaning unit 204 and the first supply unit 205 are processed in the same manner as the first chemical liquid process . As a result, SC-1 on the wafer W is cleaned with pure water.

제1 린스 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(251)의 위치 관계는, 전술한 제1 약액 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(251)의 위치 관계와 동일하다. 즉, 제1 공급부(205)의 노즐(251)은, 이면 브러시(241)의 외측으로부터 이면 브러시(241)보다 전방의 웨이퍼(W) 상의 위치이자, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 순수를 액받침 부재(104)의 하면(141)에 의해 받아내는 위치를 향해 순수를 비스듬히 토출한다. The positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 251 in the first rinsing process is the same as the positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 251 in the first chemical solution process. That is, the nozzle 251 of the first supply unit 205 is positioned on the wafer W in front of the back side brush 241 from the outside of the back side brush 241, And discharges the pure water obliquely toward the position to be received by the lower surface 141 of the member 104.

제1 린스 처리에 의하면, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 순수가 액받침 부재(104)의 하면(141)에 공급됨으로써, 액받침 부재(104)의 하면(141)에 잔류하는 SC-1을 세정할 수 있다. 또한, 제1 린스 처리에 의하면, 세정체(103)의 외주부를 순수에 의해 세정할 수 있다. Pure water recoiled on the wafer W is supplied to the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 so that the SC-1 remaining on the lower surface 141 of the liquid receiving member 104 is cleaned can do. Further, according to the first rinsing process, the outer peripheral portion of the cleaning body 103 can be cleaned with pure water.

또, 제1 린스 처리의 종료후, 노즐(251)로부터 토출되는 순수를 이용하여 세정체(103)를 세정하는 처리를 행해도 좋다. 이 때, 제어부(51)는, 노즐(251)로부터 토출되는 순수가 세정체(103)에 직접 공급되도록 노즐(251)의 위치를 조정해도 좋다. 이에 따라, 세정 효과를 높일 수 있다. After the completion of the first rinsing process, a process of cleaning the cleaning body 103 using pure water discharged from the nozzle 251 may be performed. At this time, the control unit 51 may adjust the position of the nozzle 251 so that the pure water discharged from the nozzle 251 is directly supplied to the cleaning body 103. As a result, the cleaning effect can be enhanced.

이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(251) 및 중공부(113)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시켜, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 그 후, 둘레벽부(207)를 제3 높이 위치(H3)로부터 제2 높이 위치(H2)로 변위시켜, 이면 브러시(241) 및 제1 공급부(205)를 웨이퍼(W) 상에서 후퇴시킨다. The supply of the pure water from the nozzle 251 and the hollow portion 113 is stopped and the back surface brush 241 is raised so that the back surface of the back surface brush 241 Stop the rotation. Thereafter, the peripheral wall portion 207 is displaced from the third height position H3 to the second height position H2 to retract the back surface brush 241 and the first supply portion 205 on the wafer W.

계속해서, 제2 처리 유닛(28)에서는 제2 약액 처리가 행해진다(단계 S103). 제2 약액 처리에서는, 우선, 제2 공급부(206)의 노즐(261)을 웨이퍼(W) 상에 배치시킨 후, 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W) 상에 배치시키고, 그 후, 둘레벽부(207)를 제2 높이 위치(H2)로부터 제3 높이 위치(H3)로 변위시킨다. Subsequently, the second chemical liquid processing is performed in the second processing unit 28 (step S103). In the second chemical liquid treatment, first, the nozzle 261 of the second supply part 206 is placed on the wafer W, the back side brush 241 is placed on the wafer W, (207) from the second height position (H2) to the third height position (H3).

계속해서, 이면 브러시(241)를 회전시켜, 제2 공급부(206)의 노즐(261)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 제2 약액인 DHF를 공급하고, 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터도 웨이퍼(W)에 대하여 DHF를 공급한다. 그리고, 이면 브러시(241)를 하강시켜 세정체(103)를 웨이퍼(W)에 압박한 후, 이면 브러시(241) 및 노즐(261)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. 이에 따라, 세정체(103)에 의한 물리적인 세정력과, DHF에 의한 화학적인 세정력에 의해 웨이퍼(W)로부터 파티클이 제거된다. Subsequently, the back side brush 241 is rotated to supply the second chemical solution DHF to the wafer W from the nozzle 261 of the second supply portion 206, and the hollow portion 113 of the back side brush 241, The wafer W is supplied with DHF from the wafer W as well. The backside brush 241 is lowered to press the cleaning body 103 against the wafer W and then the backside brush 241 and the nozzle 261 are moved from the central portion of the wafer W toward the outer peripheral portion. As a result, the particles are removed from the wafer W by the physical cleaning force by the cleaning body 103 and the chemical cleaning force by the DHF.

제2 약액 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(261)의 위치 관계는, 전술한 제1 약액 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(251)의 위치 관계와 동일하다. 즉, 제2 공급부(206)의 노즐(261)은, 이면 브러시(241)의 외측으로부터 이면 브러시(241)보다 전방의 웨이퍼(W) 상의 위치이자, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 DHF를 액받침 부재(104)에 의해 받아내는 위치를 향해 순수를 비스듬히 토출한다. 또한, 제어부(51)는, 전술한 이면 브러시(241)와 노즐(261)의 위치 관계를 유지하면서 이면 브러시(241) 및 노즐(261)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. The positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 261 in the second chemical solution processing is the same as the positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 251 in the first chemical solution processing described above. That is, the nozzle 261 of the second supply unit 206 is located at a position on the wafer W in front of the back side brush 241 from the outside of the back side brush 241, And discharges the pure water obliquely toward the position to be received by the member (104). The controller 51 moves the backing brush 241 and the nozzle 261 from the central portion of the wafer W toward the outer peripheral portion while maintaining the positional relationship between the backside brush 241 and the nozzle 261. [

이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(261) 및 중공부(113)로부터의 DHF의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시켜, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 그 후, 둘레벽부(207)를 제3 높이 위치(H3)로부터 제2 높이 위치(H2)로 변위시켜 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W) 상에서 후퇴시킨다. The supply of the DHF from the nozzle 261 and the hollow portion 113 is stopped and the backside brush 241 is raised so that the backside brush 241 Stop the rotation. Thereafter, the peripheral wall portion 207 is displaced from the third height position H3 to the second height position H2 to retract the backing brush 241 on the wafer W.

계속해서, 제2 처리 유닛(28)에서는 제2 린스 처리가 행해진다(단계 S104). 제2 린스 처리에서는, 제2 공급부(206)의 노즐(261)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 린스액인 순수를 공급한다. 이에 따라 웨이퍼(W) 상의 DHF가 순수에 의해 세정된다. 그 후, 노즐(261)로부터의 순수의 공급을 정지하여, 제2 공급부(206)를 웨이퍼(W) 상에서 후퇴시킨다. Subsequently, the second rinse process is performed in the second processing unit 28 (step S104). In the second rinsing process, pure water as a rinsing liquid is supplied to the wafer W from the nozzle 261 of the second supply unit 206. As a result, DHF on the wafer W is cleaned with pure water. Thereafter, the supply of the pure water from the nozzle 261 is stopped, and the second supply portion 206 is retracted on the wafer W.

제2 린스 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(261)의 위치 관계는, 전술한 제2 약액 처리에서의 이면 브러시(241)와 노즐(261)의 위치 관계와 동일하다. The positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 261 in the second rinsing process is the same as the positional relationship between the back side brush 241 and the nozzle 261 in the second chemical solution process.

계속해서, 제2 처리 유닛(28)에서는 브러시 세정 처리가 행해진다(단계 S105). 브러시 세정 처리에서는, 후퇴 위치인 수용부(208a) 내에서 이면 브러시(241)를 회전시켜, 세정체(103)의 외주부와 액받침 부재(104)의 기단부를 포함하는 영역에 대하여 바닥면(281)으로부터 순수를 공급한다. 또한, 회전하는 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터 순수를 토출한다. 이에 따라, 세정체(103)의 외측 및 내측이 세정됨과 함께, 액받침 부재(104)가 세정된다. Subsequently, in the second processing unit 28, a brush cleaning process is performed (step S105). In the brush cleaning process, the back side brush 241 is rotated in the accommodating portion 208a at the retreated position to rotate the bottom brush 281 against the area including the outer peripheral portion of the cleaning body 103 and the proximal end portion of the liquid receiving member 104, ). Further, pure water is discharged from the hollow portion 113 of the rotating back side brush 241. As a result, the outside and inside of the cleaning body 103 are cleaned, and the liquid receiving member 104 is cleaned.

계속해서, 제2 처리 유닛(28)에서는 건조 처리가 행해진다(단계 S106). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)를 제2 린스 처리 시간보다 빠른 회전 속도로 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 순수가 제거되어 웨이퍼(W)가 건조한다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시켜, 둘레벽부(207)를 제2 높이 위치(H2)로부터 제1 높이 위치(H1)로 변위시킨다. Subsequently, the second processing unit 28 performs drying processing (step S106). In the drying process, the wafer W is rotated at a rotational speed faster than the second rinsing time. As a result, the pure water on the wafer W is removed and the wafer W is dried. Thereafter, the rotation of the wafer W is stopped, and the peripheral wall portion 207 is displaced from the second height position H2 to the first height position H1.

또, 브러시 세정 처리는, 제2 린스 처리나 건조 처리와 병행하여 행해져도 좋다. 또한, 브러시 세정 처리는, 처리된 웨이퍼(W)의 반출 처리나 미처리된 웨이퍼(W)의 반출 처리와 병행하여 행해져도 좋다. The brush cleaning process may be performed in parallel with the second rinsing process and the drying process. The brush cleaning process may be performed in parallel with the unloading process of the processed wafer W and the unloading process of the unprocessed wafer W. [

이와 같이, 이면 세정부(204)에서는, 제1 약액 처리, 제1 린스 처리 및 제2 약액 처리에서, 이면 브러시(241)의 외측으로부터 뿐만 아니라, 이면 브러시(241)의 내측으로부터도 처리액을 토출하는 것으로 했기 때문에, 웨이퍼(W)에서 제거된 파티클 등을 세정체(103)의 내측에 잔류시키기 어렵게 할 수 있다. As described above, in the first chemical liquid processing, the first rinsing processing, and the second chemical liquid processing, the backside cleaning section 204 is configured not only to remove the processing liquid from the outside of the back side brush 241 but also from the inside of the back side brush 241 The particles or the like removed from the wafer W can be made difficult to remain inside the cleaning body 103. [

또한, 이면 세정부(204)의 토출부(247e)(도 8 참조)는, 복수 종류의 처리액 중 제1 처리액인 제1 약액을 토출한 후 계속하여 제2 처리액인 순수를 토출하고, 그 후, 제3 처리액인 제2 약액을 토출한다. 이와 같이, 제1 약액 처리후 및 제2 약액 처리전의 제1 린스 처리에서, 이면 브러시(241)의 중공부(113), 즉 세정체(103)의 내측으로부터 순수를 토출함으로써 세정체(103)로부터 SC-1을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 제2 약액 처리에서 DHF와 SC-1이 반응하여 염이 발생하는 것을 방지할 수 있다. The discharging portion 247e (see Fig. 8) of the backside cleaning portion 204 discharges the first chemical liquid, which is the first processing liquid among the plurality of kinds of processing liquid, and then discharges the pure water which is the second processing liquid , And thereafter discharges the second chemical liquid as the third processing liquid. As described above, in the first rinsing process after the first chemical solution process and before the second chemical solution process, pure water is discharged from the hollow portion 113 of the back side brush 241, that is, the inside of the cleaning member 103, The SC-1 can be more reliably removed. Therefore, it is possible to prevent the generation of salt by the reaction of DHF and SC-1 in the second chemical solution treatment.

그런데, 제2 처리 유닛(28)은, 예컨대 전원 투입후에, 이면 세정부(204), 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)를 각각의 초기 위치인 후퇴 위치로 복귀시키는 이니셜라이즈 처리를 행한다. 이러한 이니셜라이즈 처리에서, 제2 처리 유닛(28)은, 이면 세정부(204)의 아암(243)과 제1 공급부(205)의 노즐 아암(252)과 제2 공급부(206)의 노즐 아암(262)을 동시에 동일한 속도로 후퇴 위치를 향해 선회시킨다. The second processing unit 28 performs initialization processing for returning the back surface cleaning section 204, the first supply section 205, and the second supply section 206 to their retreat positions, which are initial positions, respectively, . In this initialization process, the second processing unit 28 is connected to the arm 243 of the backside cleaning unit 204, the nozzle arm 252 of the first supply unit 205, and the nozzle arm (not shown) of the second supply unit 206 262 are simultaneously turned at the same speed toward the retreat position.

이면 세정부(204)의 아암(243)은, 제1 공급부(205)의 노즐 아암(252)의 선회 궤적 및 제2 공급부(206)의 노즐 아암(262)의 선회 궤적과 교차하는 궤적으로 이면 브러시(241)를 선회시키지만, 상기와 같이 아암(243) 및 노즐 아암(252, 262)을 동시에 동일한 속도로 이동시키는 것으로 하면, 가령, 전원 비공급시에 작업원 등이 수동으로 아암(243) 등을 작동시키거나 하여, 아암(243) 등이 정규 위치로부터 틀어졌다 하더라도, 서로 간섭시키지 않고 초기 위치인 후퇴 위치로 복귀시킬 수 있다. The arm 243 of the back surface cleaning section 204 is formed as a trajectory intersecting with the turning locus of the nozzle arm 252 of the first supplying section 205 and the turning locus of the nozzle arm 262 of the second supplying section 206 When the arm 243 and the nozzle arms 252 and 262 are simultaneously moved at the same speed as described above when the brush 241 is rotated, The arm 243 or the like can be returned to the initial retracted position without interfering with each other even if the arm 243 is displaced from the normal position.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 제2 처리 유닛(28)(기판 세정 장치의 일례)은, 기판 유지부(202)와, 이면 브러시(241)(브러시의 일례)와, 아암(243)과, 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)(공급부의 일례)를 구비한다. 기판 유지부(202)는, 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 회전 가능하게 유지한다. 아암(243)은, 이면 브러시(241)를 스핀들(242)을 통해 회전 가능하게 지지한다. 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다. 또한, 이면 브러시(241)는, 본체부(101)와, 세정체(103)와, 액받침 부재(104)를 구비한다. 본체부(101)는 스핀들(242)에 접속된다. 세정체(103)는, 본체부(101)의 하부에 설치되고, 웨이퍼(W)에 압박된다. 액받침 부재(104)는, 본체부(101)의 외주부에 설치되고, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 받아낸다. As described above, the second processing unit 28 (an example of the substrate cleaning apparatus) according to the present embodiment includes a substrate holding portion 202, a back side brush 241 (an example of a brush), an arm 243 And a first supply unit 205 and a second supply unit 206 (an example of a supply unit). The substrate holding portion 202 rotatably holds the wafer W (an example of the substrate). The arm 243 rotatably supports the back side brush 241 through the spindle 242. [ The first supply part 205 and the second supply part 206 supply the processing solution to the wafer W. [ The backing brush 241 includes a main body 101, a cleaning body 103, and a liquid receiving member 104. The body 101 is connected to the spindle 242. The cleaning body 103 is provided at the lower portion of the main body 101 and pressed against the wafer W. [ The liquid receiving member 104 is provided on the outer peripheral portion of the main body 101 and receives the processing liquid scattering from the cleaning body 103. [

따라서, 본 실시형태에 관한 제2 처리 유닛(28)은, 처리액의 비산을 억제할 수 있다. Therefore, the second processing unit 28 according to the present embodiment can suppress scattering of the processing liquid.

또한, 본 실시형태에 관한 제2 처리 유닛(28)(기판 세정 장치의 일례)은, 기판 유지부(202)와, 이면 브러시(241)(브러시의 일례)와, 아암(243)과, 토출부(247e)와, 안내 부재(248)를 구비한다. 기판 유지부(202)는, 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 회전 가능하게 유지한다. 이면 브러시(241)는, 상하 양단이 개구된 중공형상의 브러시이다. 아암(243)은, 이면 브러시(241)를 스핀들(242)을 통해 회전 가능하게 지지한다. 토출부(247e)는, 아암(243)에 설치되고, 복수 종류의 처리액을 전환하여 토출할 수 있다. 안내 부재(248)는, 토출부(247e)와 이면 브러시(241) 사이에 배치되고, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액을 일단 받아서 상기 브러시의 중공부(113)로 유도한다. The second processing unit 28 (an example of the substrate cleaning apparatus) according to the present embodiment includes a substrate holding portion 202, a back side brush 241 (an example of a brush), an arm 243, And a guide member 248, The substrate holding portion 202 rotatably holds the wafer W (an example of the substrate). The rear surface brush 241 is a hollow brush having both upper and lower ends opened. The arm 243 rotatably supports the back side brush 241 through the spindle 242. [ The discharging portion 247e is provided on the arm 243 and can switch and discharge a plurality of kinds of processing liquid. The guide member 248 is disposed between the discharge portion 247e and the back side brush 241 and once receives the treatment liquid discharged from the discharge portion 247e and guides it to the hollow portion 113 of the brush.

따라서, 본 실시형태에 관한 제2 처리 유닛(28)에 의하면, 복수의 상이한 종류의 세정액을 이면 브러시(241)에 공급하는 경우에도 양호한 세정 처리를 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에서 제거된 파티클 등을 이면 세정부(204)의 세정체(103)에 잔류시키기 어렵게 할 수 있다. Therefore, according to the second processing unit 28 of the present embodiment, even when a plurality of different types of cleaning liquid are supplied to the backing brush 241, a good cleaning process can be performed. Further, particles or the like removed from the wafer W can be made difficult to remain in the cleaning body 103 of the backside cleaning section 204. [

전술한 실시형태에서는, 안내 부재(248)가 이면 브러시(241)와 일체화하여 회전하는 경우의 예에 관해 설명했지만, 안내 부재(248)는, 제2 아암체(247)와 일체화하여 회전하지 않도록 해도 좋다. Although the guide member 248 has been described as being rotated integrally with the backing brush 241 in the above-described embodiment, the guide member 248 may be integrally formed with the second arm member 247 so as not to rotate Maybe.

또한, 전술한 실시형태에서는, 액받침 부재(104)가 본체부(101)의 제2 본체부(112)에 설치되는 경우의 예에 관해 설명했지만, 액받침 부재(104)는 제1 본체부(111)에 설치되어도 좋다. Although the liquid receiving member 104 is provided on the second main body 112 of the main body 101 in the above embodiment, (Not shown).

또한, 전술한 실시형태에서는, 기판의 이면을 세정하기 위한 이면 브러시를 예로 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 표면을 세정하기 위한, 또는, 기판의 주연부를 세정하기 위한 브러시에 동일한 구성을 적용해도 좋다. Although the back surface brush for cleaning the back surface of the substrate has been described as an example in the above-described embodiment, the present invention is not limited thereto, and the same configuration may be applied to the brush for cleaning the surface or for cleaning the periphery of the substrate good.

또한, 전술한 실시형태에서는, 제2 내부 공간(R2)(도 8 참조)의 하측 내부 공간(R2b)에 대하여 불활성 가스를 공급하면서, 상측 내부 공간(R2a)의 분위기를 흡기하는 것으로 했지만, 상측 내부 공간(R2a)에 대하여 불활성 가스를 공급하면서, 하측 내부 공간(R2b)의 분위기를 흡기하는 것으로 해도 좋다. 또한, 이면 세정부(204)는, 반드시 흡기부(247c)를 구비할 필요는 없다.In the above-described embodiment, the atmosphere of the upper internal space R2a is taken in while the inert gas is supplied to the lower internal space R2b of the second internal space R2 (see Fig. 8) The atmosphere of the lower internal space R2b may be taken in while the inert gas is supplied to the internal space R2a. Further, the back surface cleaning section 204 does not necessarily have the suction section 247c.

또한, 전술한 실시형태에서는, 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206)의 쌍방이, 린스액인 순수를 공급할 수 있게 구성되는 경우의 예에 관해 설명했지만, 제1 공급부(205) 및 제2 공급부(206) 중 어느 하나만이, 린스액인 순수를 공급할 수 있게 구성되어도 좋다. 또한, 이면 세정부(204)는, 린스액을 공급하는 제3 공급부를 별도로 구비하고 있어도 좋다. Although the first embodiment has been described with respect to the case where both of the first supply section 205 and the second supply section 206 are configured to be capable of supplying pure water which is a rinsing liquid, Only one of the second supply units 206 may be configured to supply pure water which is a rinsing liquid. Further, the backside cleaning section 204 may be provided with a third supply section for supplying the rinse liquid separately.

(다른 실시형태)(Other Embodiments)

다음으로, 제1 처리 유닛(18)의 구성에 관해 도 14를 참조하여 설명한다. Next, the configuration of the first processing unit 18 will be described with reference to Fig.

도 14는, 제1 처리 유닛(18)의 모식 측면도이다. 14 is a schematic side view of the first processing unit 18.

도 14에 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(301)는, 제1 유지부(302), 제1 회수컵(303), 베벨 세정부(304) 및 제1 토출부(305)를 수용한다. 제1 챔버(301)의 천장부에는, 제1 챔버(301) 내에 다운플로우를 형성하는 FFU(311)가 설치된다. 14, the first chamber 301 houses the first holding portion 302, the first recovery cup 303, the bevel cleaning portion 304, and the first discharge portion 305. [ In the ceiling portion of the first chamber 301, an FFU 311 forming a down flow in the first chamber 301 is provided.

제1 유지부(302)는, 흡착 유지부(321)와, 지주 부재(322)와, 구동부(323)를 구비한다. 흡착 유지부(321)는, 예컨대 진공척이며, 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 지주 부재(322)는, 흡착 유지부(321)의 하부에 설치되어 있고, 제1 챔버(301) 및 제1 회수컵(303)에 대하여 베어링(도시하지 않음)을 통해 회전 가능하게 지지된다. 구동부(323)는, 지주 부재(322)의 하부에 설치되고, 지주 부재(322)를 수직축 둘레에 회전시킨다. The first holding portion 302 includes a suction holding portion 321, a strut member 322, and a driving portion 323. The suction holding section 321 is, for example, a vacuum chuck, and sucks and holds the wafer W. The strut member 322 is provided below the suction holding portion 321 and is rotatably supported to the first chamber 301 and the first recovery cup 303 through a bearing (not shown). The driving unit 323 is provided below the strut member 322 and rotates the strut member 322 around the vertical axis.

제1 회수컵(303)은, 제1 유지부(302)를 둘러싸도록 배치된다. 제1 회수컵(303)의 바닥부에는, 제1 토출부(305)로부터 토출되는 약액을 제1 챔버(301)의 외부로 배출하기 위한 배액구(331)와, 제1 챔버(301) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(332)가 형성된다. The first collection cup 303 is arranged so as to surround the first holding portion 302. The bottom of the first recovery cup 303 is provided with a liquid drain port 331 for discharging the chemical liquid discharged from the first discharge port 305 to the outside of the first chamber 301, An exhaust port 332 for exhausting the atmosphere is formed.

베벨 세정부(304)는, 베벨 브러시(341)와, 수평 방향(여기서는 Y축 방향)으로 연장되며 제1 샤프트(342)를 통해 베벨 브러시(341)를 상측으로부터 지지하는 아암(345)과, 아암(345)을 수평 방향(여기서는 X축 방향)으로 이동시키는 이동 기구(도시하지 않음)를 구비한다. 이 이동 기구는, 아암(345)을 수직 방향(Z축 방향)으로도 이동시키는 것이 가능하다. The bevel cleaning section 304 includes a bevel brush 341, an arm 345 extending in the horizontal direction (Y-axis direction here) and supporting the bevel brush 341 from above through the first shaft 342, And a moving mechanism (not shown) for moving the arm 345 in the horizontal direction (X-axis direction in this case). This moving mechanism is capable of moving the arm 345 also in the vertical direction (Z-axis direction).

본 실시형태에서 아암(345)은, 제1 샤프트(342)를 통해 베벨 브러시(341)를 상측으로부터 지지하는 동작과, 제2 샤프트(343)를 통해 베벨 브러시(344)를 상측으로부터 지지하는 동작을 전환할 수 있다. 도 14는, 베벨 브러시(344)가 제거되고, 베벨 브러시(341)만을 이용하여 웨이퍼(W)의 베벨 세정을 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 또, 베벨 브러시(341)와 베벨 브러시(344) 양방을 지지하여 2개의 브러시로 웨이퍼(W)의 베벨 세정을 행하는 동작도 가능하지만, 본 실시형태에서는 그 설명은 생략한다. In the present embodiment, the arm 345 is operated to support the bevel brush 341 from above through the first shaft 342 and to move the bevel brush 344 from the upper side through the second shaft 343 Can be switched. 14 shows a state in which the bevel brush 344 is removed and the bevel cleaning of the wafer W is performed using only the bevel brush 341. [ It is also possible to support both the bevel brush 341 and the bevel brush 344 to perform bevel cleaning of the wafer W with two brushes, but a description thereof will be omitted in this embodiment.

수용부(308)는, 제거된 베벨 브러시(341) 또는 베벨 브러시(344)를 수용한다. 아암(345)은, 수평 방향(X축 방향)과 수직 방향(Z축 방향)으로 이동함으로써, 웨이퍼(W)의 처리 위치와 수용부(308)의 사이에서 이동할 수 있다. 제1 토출부(305)는, 예컨대 제1 회수컵(303)의 바닥부에 설치되고, 밸브(351)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해, 예컨대 SC1(암모니아/과산화수소/물의 혼합액) 등을 공급하는 약액 공급원(352)에 접속된다. The receiving portion 308 accommodates the removed bevel brush 341 or the bevel brush 344. The arm 345 can move between the processing position of the wafer W and the accommodating portion 308 by moving in the horizontal direction (X-axis direction) and the vertical direction (Z-axis direction) The first discharging portion 305 is provided at the bottom of the first recovery cup 303 and is supplied with SC1 (ammonia / hydrogen peroxide / water mixture liquid) through a valve 351, a flow rate regulator And the like.

제1 처리 유닛(18)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 표면을 위로 향하게 한 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지부(321)로 흡착 유지한 상태로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 제1 처리 유닛(18)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향해 제1 토출부(305)로부터 약액을 토출하면서, 베벨 세정부(304)의 베벨 브러시(341)를 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉시킴으로써, 약액에 의한 화학적인 세정과, 베벨 브러시(341)에 의한 물리적인 세정을 행한다. 또, 제1 처리 유닛(18)은, 베벨 세정 처리후, 제1 토출부(305)로부터 순수 등의 린스액을 공급하는 것에 의한 린스 처리와, 웨이퍼(W)를 회전시키는 것에 의한 웨이퍼(W)의 건조 처리를 행한다. The first processing unit 18 is configured as described above and rotates the wafer W in a state in which the back surface of the wafer W whose surface is faced upwardly is attracted and held by the attracting and holding unit 321. The first processing unit 18 discharges the chemical liquid from the first discharging portion 305 toward the peripheral edge of the back surface of the rotating wafer W while moving the bevel brush 341 of the bevel cleaning portion 304 to the wafer W, chemical cleaning by the chemical liquid and physical cleaning by the bevel brush 341 are performed. The first processing unit 18 performs a rinsing process by supplying a rinsing liquid such as pure water from the first discharging portion 305 after the bevel cleaning process and a rinsing process by supplying a rinsing liquid such as pure water from the first discharging portion 305 to the wafers W ) Is carried out.

도 15a∼도 15c는, 수용부(308)의 모식 측면도이다. 도 15c에 나타낸 바와 같이, 수용부(308)에는, 후퇴 위치에 배치된 베벨 브러시(341) 및 베벨 브러시(344)를 세정하기 위한 브러시 세정부(386)가 설치되어 있고, 밸브(384)나 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 통해 세정액 공급원(383)에 접속된다. 이러한 브러시 세정부(386)는, 세정액 공급원(383)으로부터 공급되는 세정액(여기서는 순수로 한다)을 수용부(308)의 상측으로부터 브러시를 향해 토출한다. 또, 수용부(308)의 바닥면(381)에는, 브러시 세정 처리에서 브러시 세정부(386)로부터 토출된 순수를 외부로 배출하기 위한 배출부(385)가 설치된다. Figs. 15A to 15C are schematic side views of the accommodating portion 308. Fig. A brush cleaning portion 386 for cleaning the bevel brush 341 and the bevel brush 344 disposed at the retreated position is provided in the accommodating portion 308 and the valve 384 And is connected to the cleaning liquid supply source 383 through a flow rate regulator (not shown) or the like. The brush cleaning section 386 discharges the cleaning liquid (herein, pure water) supplied from the cleaning liquid supply source 383 from the upper side of the accommodating section 308 toward the brush. The bottom surface 381 of the accommodating portion 308 is provided with a discharge portion 385 for discharging the pure water discharged from the brush cleaning portion 386 to the outside in the brush cleaning process.

브러시 세정을 행하고 있는 동안, 유지부(387)는 브러시를 수평으로 유지한다. 유지부(387)는, 도시하지 않은 회전 구동 기구를 갖고 있고, 베벨 브러시(344)를 유지한 채로 회전시키고 있다. 본 실시형태에서는, 수평으로 회전시키고 있지만, 경사를 부여하여 유지하여 회전시켜도 좋다. 그 경우, 수평으로 유지하는 것보다 브러시 세정부(386)로부터 공급된 세정액을 베벨 브러시(344)의 상면으로부터 털어내기 쉬워져 세정 효율이 향상된다. While the brush cleaning is performed, the holding portion 387 holds the brush horizontally. The holding portion 387 has a rotation driving mechanism (not shown) and rotates while holding the bevel brush 344. [ In the present embodiment, although it is rotated horizontally, it may be rotated by holding it with inclination. In this case, the cleaning liquid supplied from the brush cleaning section 386 can be easily removed from the upper surface of the bevel brush 344, thereby improving the cleaning efficiency.

도 15a 및 도 15b는, 도 15c의 세정 동작을 행하기 전에, 수용부(308)가 베벨 브러시(344)를 수납하기까지의 동작을 설명하는 것이다. 우선, 도 15a에 나타낸 바와 같이, 아암(345)이 수용부(308)의 상측까지 X축 방향으로 이동하고, 그 후 Z축 방향으로 하강한다. 유지부(387)는 가동식으로 되어 있고, 이 상태에서는, 베벨 브러시(344)가 수용부(308) 내에 진입할 수 있도록 후퇴 위치에 있다. 그 후, 베벨 브러시(344)가 소정의 높이가 될 때까지 하강하면, 유지부(387)는 화살표로 나타내는 X축 방향으로 이동을 시작한다. 그리고, 베벨 브러시(344)의 상부를 가로 방향으로부터 파지하는 위치까지 이동함으로써, 베벨 브러시(344)의 위치를 고정한다. 유지부(387)의 평면에서 본 형상은 한정되지 않지만, 도 15c와 같이 브러시 세정부(386)가 세정액을 토출하더라도, 세정액이 충돌하지 않고 빠져 나가 베벨 브러시(344)에 도달하는 만큼의 개구 또는 영역이 확보되어 있는 것으로 한다. Figs. 15A and 15B illustrate operations until the accommodating portion 308 accommodates the bevel brush 344 before performing the cleaning operation of Fig. 15C. First, as shown in Fig. 15A, the arm 345 moves in the X-axis direction to the upper side of the accommodating portion 308, and then descends in the Z-axis direction. The holding portion 387 is movable. In this state, the bevel brush 344 is in the retracted position so as to be able to enter the receiving portion 308. Thereafter, when the bevel brush 344 is lowered to a predetermined height, the holding portion 387 starts to move in the X-axis direction indicated by an arrow. Then, the position of the bevel brush 344 is fixed by moving the upper portion of the bevel brush 344 from the lateral direction to the gripping position. The shape viewed from the plane of the holding portion 387 is not limited. However, even if the brush cleaning portion 386 discharges the cleaning liquid as shown in FIG. 15C, the opening or the opening for allowing the cleaning liquid to reach the bevel brush 344 without collision Assume that the area is secured.

도 15b에 나타낸 바와 같이, 베벨 브러시(344)가 수용부(308) 내에서 고정되면, 아암(345)이 상승한다. 제2 샤프트(343)의 부착부(348)는 볼록형상으로 되어 있고, 베벨 브러시(344)는, 그 상측에 설치된 도시하지 않은 오목부와 결합함으로써, 제2 샤프트(343)에 부착되어 있다. 도시한 바와 같이, 아암(345)을 상승시킴으로써, 제2 샤프트(343)로부터 베벨 브러시(344)를 제거할 수 있다. As shown in Fig. 15B, when the bevel brush 344 is fixed in the accommodating portion 308, the arm 345 rises. The attachment portion 348 of the second shaft 343 has a convex shape and the bevel brush 344 is attached to the second shaft 343 by engaging with a not shown recess provided on the upper side thereof. As shown, the bevel brush 344 can be removed from the second shaft 343 by raising the arm 345.

베벨 브러시(344)가 제거된 후, 아암(345)은 웨이퍼(W)의 위치까지 이동할 수 있기 때문에, 도 15c에 나타낸 바와 같이 베벨 브러시(344)가 세정되고 있는 동안, 도 14에 나타낸 바와 같은 베벨 브러시(341)에 의한 웨이퍼(W)의 베벨 세정 처리를 병행하여 행할 수 있다. 마찬가지로 베벨 브러시(341)가 세정되고 있는 동안, 베벨 브러시(344)에 의한 웨이퍼(W)의 베벨 세정 처리를 병행하여 행할 수 있다. 따라서, 하나의 베벨 브러시를 사용하여, 오염될 때마다 수용부(308)에서 브러시를 세정하는 방식과 비교해서 베벨 세정 처리의 휴지 시간을 삭감할 수 있어, 제1 처리 유닛(18)의 운용 효율을 향상시킬 수 있다. Since the arm 345 can move to the position of the wafer W after the bevel brush 344 is removed, while the bevel brush 344 is being cleaned as shown in Fig. 15C, The bevel cleaning process of the wafer W by the bevel brush 341 can be performed in parallel. Similarly, while the bevel brush 341 is being cleaned, the bevel cleaning process of the wafer W by the bevel brush 344 can be performed in parallel. Therefore, the use of one bevel brush can reduce the downtime of the bevel cleaning process as compared with a method of cleaning the brush in the accommodating portion 308 every time contamination occurs, and the operating efficiency of the first processing unit 18 Can be improved.

전술한 실시형태에서는, 이면 브러시(241)의 내측 및 외측 양방으로부터, 즉, 이면 브러시(241)의 중공부(113) 및 제1 공급부(205) 또는 제2 공급부(206)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급하는 경우의 예에 관해 설명했다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 이면 브러시(241)의 내측, 즉, 이면 브러시(241)의 중공부(113)만으로부터 처리액을 토출해도 좋다. 이 경우, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 액받침 부재(104)의 하면(141)에서 받아내는 것에 의해, 처리액이 둘레벽부(207)를 넘어서 비산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이면 브러시(241)의 외측, 즉, 제1 공급부(205) 또는 제2 공급부(206)만으로부터 처리액을 공급해도 좋다. 이 경우, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 액받침 부재(104)의 하면(141)에서 받아내는 것에 의해, 처리액이 둘레벽부(207)를 넘어서 비산하는 것을 방지할 수 있고, 또한, 웨이퍼(W) 상에서 반동한 처리액이 이면 브러시(241)의 본체부(101)나 접속부(102) 등에 부착하는 것을 억제할 수 있다. The wafer W is discharged from both the inner side and the outer side of the back side brush 241, that is, from the hollow portion 113 of the back side brush 241 and the first supply portion 205 or the second supply portion 206, In the case of supplying the process liquid to the process liquid. However, the present invention is not limited to this, and the treatment liquid may be discharged from the inner side of the back side brush 241, that is, only the hollow portion 113 of the back side brush 241. In this case, the treatment liquid scattering from the cleaning body 103 is received by the lower surface 141 of the liquid receiving member 104, so that the treatment liquid can be prevented from scattering beyond the peripheral wall portion 207. Further, the processing liquid may be supplied from the outside of the back side brush 241, that is, only the first supply part 205 or the second supply part 206. [ In this case, the treatment liquid scattering from the cleaning body 103 is received by the lower surface 141 of the liquid receiving member 104, so that the treatment liquid can be prevented from scattering beyond the peripheral wall portion 207, , It is possible to suppress adhesion of the processing liquid repelled on the wafer W to the main body portion 101 or the connection portion 102 of the back side brush 241 or the like.

또한, 전술한 실시형태에서는, 선회 승강 기구(244)(제1 이동 기구의 일례)에 의해 아암(243)을 선회 이동시키는 것으로 했지만, 제1 이동 기구는, 예를 들면 레일을 따라서 아암(243)을 직선 이동시키는 것이어도 좋다. 마찬가지로, 전술한 실시형태에서는, 선회 승강 기구(253)(제2 이동 기구의 일례)에 의해 노즐 아암(252)을 선회 이동시키는 것으로 했지만, 제2 이동 기구는, 예를 들면 레일을 따라서 노즐 아암(252)을 직선 이동시키는 것이어도 좋다. 노즐 아암(262)을 선회 이동시키는 것으로 한 선회 승강 기구(263)(제2 이동 기구의 일례)에 관해서도 동일하다. Although the arm 243 is pivotally moved by the voyage elevating mechanism 244 (an example of the first moving mechanism) in the above-described embodiment, the first moving mechanism is not limited to the arm 243 May be linearly moved. Similarly, in the above-described embodiment, the nozzle arm 252 is pivotally moved by the voyage elevating mechanism 253 (an example of the second moving mechanism). However, the second moving mechanism may be, for example, (252) may be linearly moved. The same is applied to the swing lifting mechanism 263 (an example of the second moving mechanism) for pivotally moving the nozzle arm 262.

또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 설명한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다. Other effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and illustrated above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

W : 웨이퍼
28 : 제2 처리 유닛
101 : 본체부
102 : 접속부
103 : 세정체
104 : 액받침 부재
111 : 제1 본체부
112 : 제2 본체부
113 : 중공부
202 : 기판 유지부
203 : 회수컵
204 : 이면 세정부
205 : 제1 공급부
206 : 제2 공급부
207 : 둘레벽부
241 : 이면 브러시
242 : 스핀들
243 : 아암
244 : 선회 승강 기구 W: Wafer
28: second processing unit
101:
102:
103:
104: Liquid receiving member
111: first main body part
112: second main body part
113: hollow part
202:
203: recovery cup
204:
205:
206:
207:
241: Back side brush
242: Spindle
243:
244:

Claims

A substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate using a brush,
A substrate holder for rotatably holding the substrate;
An arm rotatably supporting the brush through a spindle,
A supply portion for supplying a treatment liquid to the substrate,
And,
The brush includes:
A main body connected to the spindle,
A cleaning body provided at a lower portion of the main body and pressed against the substrate,
A liquid receiving portion provided on an outer peripheral portion of the main body portion,
The substrate cleaning apparatus comprising:

The liquid ejecting apparatus according to claim 1,
Wherein the upper surface has a slanting oblique shape.

The liquid ejecting apparatus according to claim 1,
Is disposed above the attachment surface of the cleaning body in the main body portion.

The apparatus according to claim 2,
Is disposed above the attachment surface of the cleaning body in the main body portion.

The substrate processing apparatus according to claim 3,
A grip portion for gripping a peripheral edge portion of the substrate,
And,
Wherein the lower surface of the liquid receiving member is located above the upper end of the grip portion in a state in which the cleaning body is pressed against the substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 4,
A grip portion for gripping a peripheral edge portion of the substrate,
And,
Wherein the lower surface of the liquid receiving member is located above the upper end of the grip portion in a state in which the cleaning body is pressed against the substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a peripheral wall portion surrounding the periphery of the substrate holding portion,
And,
The diameter of the liquid receiving member
Is determined based on at least a relationship between an angle of the treatment liquid scattered from the cleaning body with respect to the substrate and a height of the peripheral wall portion.

The brush cleaner according to claim 1, further comprising: a brush cleaner provided at a retreat position of the brush and having a discharge port for discharging a cleaning liquid toward a vertical upper side, the brush cleaner being disposed at the retracted position using a cleaning liquid discharged from the discharge port,
And,
Wherein the discharge port of the brush cleaning section is disposed vertically below the region including the outer peripheral portion of the cleaning body disposed at the retracted position and the base end portion of the liquid receiving member.

The apparatus of claim 1,
A driving unit for rotating the spindle, a first inner space for accommodating a part of the spindle,
A second inner space communicating with the first inner space and covering a part of the spindle exposed from the first inner space,
A gas supply part for supplying an inert gas to the second inner space,
The substrate cleaning apparatus comprising:

10. The apparatus of claim 9,
And an intake part
The substrate cleaning apparatus comprising:

11. The air conditioner according to claim 10,
Wherein the gas supply unit is installed at a position nearer to the first inner space than the gas supply unit.

The plasma display apparatus according to claim 11,
A grip portion for gripping a peripheral edge portion of the substrate,
And,
Wherein a lower surface of the liquid receiving member is disposed on an upper side of an attachment surface of the cleaning body in the main body portion and is located above the upper end of the gripping portion in a state in which the cleaning body is pressed onto the substrate, Cleaning device.

The apparatus according to claim 1,
Characterized in that the processing liquid is discharged at an angle from the outside of the brush toward the position on the substrate ahead of the brush toward the position where the liquid receiving member recovers the process liquid which has recoiled on the substrate, .

14. The apparatus according to claim 13,
A nozzle for discharging the treatment liquid,
A nozzle arm for supporting the nozzle,
A first moving mechanism for moving the arm,
A second moving mechanism for moving the nozzle arm,
Wherein the supply unit is located at a position on the substrate in front of the brush from the outside of the brush and controls the first moving mechanism and the second moving mechanism so that the liquid receiving member receives the process liquid recoiled on the substrate And a controller for moving the brush and the nozzle while maintaining a state in which the processing liquid is discharged obliquely toward the position,
The substrate cleaning apparatus comprising: