KR20240021327A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되고, 산란 입자를 포함하는 색 변환 패턴, 색 변환 패턴 아래에 배치되고, 색 변환 패턴의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제1 화소 전극, 색 변환 패턴 상에 배치되고, 제1 화소 전극과 연결되는 제2 화소 전극 및 제2 화소 전극 상에 배치되는 발광층을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 시각 정보를 제공하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 발광층 및 복수의 색 변환 패턴들을 포함한다. 상기 발광층에서는 광이 방출되며, 상기 색 변환 패턴들은 상기 광의 색을 변환한다. 따라서, 상기 색 변환 패턴들은 입사광과 다른 색을 갖는 광을 방출할 수 있다.
상기 색 변환 패턴들은 퀀텀닷을 포함할 수 있으며, 적색 색 변환 패턴, 녹색 색 변환 패턴, 및 산란 패턴(또는, 청색 색 변환 패턴)으로 구분된다. 상기 적색 색 변환 패턴은 적색 화소를 구현하고, 상기 녹색 색 변환 패턴은 녹색 화소를 구현하며, 상기 산란 패턴은 청색 화소를 구현한다.
본 발명의 목적은 표시 품질이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 산란 입자를 포함하는 색 변환 패턴, 상기 색 변환 패턴 아래에 배치되고, 상기 색 변환 패턴의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제1 화소 전극, 상기 색 변환 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극과 연결되는 제2 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 발광층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 상기 색 변환 패턴 아래에 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 측부에서부터 상기 색 변환 패턴의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 전극의 상기 제2 부분과 직접적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극과 중첩하는 개구부가 정의된 비아 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 화소 전극 및 상기 색 변환 패턴은 상기 개구부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 비아 절연층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판 상에 배치되는 비아 절연층 및 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아 절연층의 상면의 일부를 노출시키는 개구부가 정의된 제1 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 제1 화소 전극 및 상기 색 변환 패턴은 상기 개구부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 정의막 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제2 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 다층 구조를 가지고, 상기 제2 화소 전극은 단층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 ITO/Ag/ITO를 포함하고, 상기 제2 화소 전극은 ITO를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 색 변환 패턴의 상면은 오목한 단면 형상 또는 볼록한 단면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 색 변환 패턴의 상면의 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 발광층 상에 배치되고, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 다층 구조를 가지는 제1 화소 전극, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극의 상면의 일부를 노출시키는 개구부가 정의된 비아 절연층, 상기 개구부에 배치되고, 산란 입자를 포함하는 색 변환 패턴, 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아 절연층을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 제1 화소 전극과 연결되며, 단층 구조를 가지는 제2 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 발광층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 ITO/Ag/ITO를 포함하고, 상기 제2 화소 전극은 ITO를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비아 절연층은 고굴절 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비아 절연층의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 색 변환 패턴의 상면은 오목한 단면 형상 또는 볼록한 단면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 색 변환 패턴의 상면의 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 있어서, 색 변환 패턴이 제1 화소 전극과 제2 화소 전극 사이에 배치됨으로써, 발광층과 색 변환 패턴의 거리가 단축될 수 있다. 따라서, 색 변환 패턴에 포함된 양자점 및 산란 입자에 의한 산란 반사 현상 및 외부 광원에 의한 양자점의 미세 발광에 기인한 산란 반사 현상이 개선될 수 있다.
또한, 색 변환 패턴을 위한 별도의 공간이 필요하지 않으므로, 표시 장치의 제조 공정이 단순화될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 표시 품질 및 생산성이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A영역을 확대한 단면도이다.
도 4 내지 도 12는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A영역을 확대한 단면도이다.
도 4 내지 도 12는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시에에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 발광 영역들 및 차광 영역(BA)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 영역들은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 발광 소자에서 방출된 광이 표시 장치(10)의 외부로 방출되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(LA1)은 제1 색의 광을 방출하고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 색의 광을 방출하며, 제3 발광 영역(LA3)은 제3 색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 광은 적색 광이고, 상기 제2 광은 녹색 광이며, 상기 제3 광은 청색 광일 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 4개 이상의 광을 방출할 수도 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 적색, 녹색 및 청색의 광들에 더하여 황색, 청록색 및 심홍색의 광들 중 적어도 하나를 더 방출하도록 조합될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)은 백색의 광을 더 방출하도록 조합될 수 있다.
평면 상에서, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 행(row) 방향 및 열(column) 방향을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 구체적으로, 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각은 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다.
차광 영역(BA)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 평면 상에서, 차광 영역(BA)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)을 둘러쌀 수 있다. 차광 영역(BA)은 광을 방출하지 않을 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면도이고, 도 3은 도 2의 A영역을 확대한 단면도이다. 예를 들어, 도 2 및 도 3은 도 1의 표시 장치(10)의 표시 영역(DA)의 일 예를 나타내는 단면도들이다.
예를 들어, 도 3은 제1 발광 영역(LA1)에서 회로층(CL)을 확대 도시한 단면도이다. 도 3에는 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 회로층(CL)의 단면 구조가 도시되지 않았지만, 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 회로층(CL)의 단면 구조는 제1 발광 영역(LA1)에서 회로층(CL)의 단면 구조와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 회로층(CL), 제1 화소 전극(PE1), 비아 절연층(VIA), 색 변환 패턴(CCP), 제2 화소 전극(PE2), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE), 박막 봉지층(TFE) 및 컬러 필터층(CFL)을 포함할 수 있다.
회로층(CL)은 기판(SUB), 하부 패턴(BML), 버퍼층(BFR), 제1 액티브 패턴(AP1), 제2 액티브 패턴(AP2), 게이트 절연층(GI), 제1 게이트 전극(GE1), 제2 게이트 전극(GE2), 층간 절연층(ILD), 제1 전극(SD1), 제2 전극(SD2), 제3 전극(SD3) 및 패시베이션층(PVX)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 물질 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 유리, 석영, 플라스틱 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
하부 패턴(BML)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 하부 패턴(BML)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 하부 패턴(BML)으로 사용될 수 있는 도전 물질의 예로는, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
버퍼층(BFR)은 기판(SUB) 상에 배치되고, 하부 패턴(BML)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 버퍼층(BFR)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFR)으로 사용될 수 있는 무기 물질의 예로는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다. 버퍼층(BFR)은 금속 원자들이나 불순물들이 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2)으로 침투되지 않도록 할 수 있다. 또한, 버퍼층(BFR)은 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절할 수 있다.
제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2)은 버퍼층(BFR) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2) 각각은 실리콘 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2) 각각에 사용될 수 있는 상기 실리콘 반도체 물질의 예로는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등이 있을 수 있다. 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2) 각각에 사용될 수 있는 상기 산화물 반도체 물질의 예로는 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO) 등이 있을 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다. 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2) 각각은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
게이트 절연층(GI)은 버퍼층(BFR) 상에 배치되고, 제1 액티브 패턴(AP1) 및 제2 액티브 패턴(AP2)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 절연층(GI)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 게이트 절연층(GI)으로 사용될 수 있는 무기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(GE1)은 제1 액티브 패턴(AP1)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제2 액티브 패턴(AP2)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 각각은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 각각에 사용될 수 있는 도전 물질의 예로는, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 은, 마그네슘, 금, 니켈, 네오듐, 이리듐, 크롬, 리튬, 칼슘, 몰리브데늄, 티타늄, 텅스텐, 구리 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
층간 절연층(ILD)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치되고, 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 층간 절연층(ILD)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연층(ILD)으로 사용될 수 있는 무기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
제1 전극(SD1), 제2 전극(SD2) 및 제3 전극(SD3)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 전극들(SD1, SD2, SD3) 각각은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 전극들(SD1, SD2, SD3) 각각에 사용될 수 있는 도전 물질의 예로는, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 은, 마그네슘, 금, 니켈, 네오듐, 이리듐, 크롬, 리튬, 칼슘, 몰리브데늄, 티타늄, 텅스텐, 구리 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 전극(SD1)은 버퍼층(BFR), 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)에 형성되는 콘택홀을 통해 하부 패턴(BML)과 접촉할 수 있다. 또한, 제1 전극(SD1)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)에 형성되는 콘택홀을 통해 제1 액티브 패턴(AP1)의 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다. 제2 전극(SD2)은 층간 절연층(ILD)에 형성되는 콘택홀을 통해 제1 게이트 전극(GE1)과 접촉할 수 있다. 또한, 제2 전극(SD2)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)에 형성되는 콘택홀을 통해 제2 액티브 패턴(AP2)의 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다. 제3 전극(SD3)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(ILD)에 형성되는 콘택홀을 통해 제1 액티브 패턴(AP1)의 상기 소스 영역과 접촉할 수 있다.
패시베이션층(PVX)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치되고, 제1 전극(SD1), 제2 전극(SD2) 및 제3 전극(SD3)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화소 전극(PE1)은 패시베이션층(PVX)에 형성된 콘택홀을 통해 제1 전극(SD1)과 접촉할 수 있다. 패시베이션층(PVX)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 패시베이션층(PVX)으로 사용될 수 있는 무기 물질의 예로는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 패시베이션층(PVX)으로 사용될 수 있는 유기 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 배치될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)으로 사용될 수 있는 도전 물질의 예로는, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 은, 마그네슘, 금, 니켈, 네오듐, 이리듐, 크롬, 리튬, 칼슘, 몰리브데늄, 티타늄, 텅스텐, 구리, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 화소 전극(PE1)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 전극(PE1)은 ITO/Ag/ITO을 포함할 수 있다.
비아 절연층(VIA)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 비아 절연층(VIA)에는 제1 화소 전극(PE1)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 개구부(OP)는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 각각 중첩할 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 비아 절연층(VIA)으로 사용될 수 있는 유기 절연 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 비아 절연층(VIA)은 고굴절 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비아 절연층(VIA)의 굴절률은 약 1.6 이상일 수 있다. 다른 실시예에서, 비아 절연층(VIA)은 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하는 유기 물질을 포함할 수 있다.
색 변환 패턴(CCP)은 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 색 변환 패턴(CCP)은 비아 절연층(VIA)의 상기 개구부(OP)에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 색 변환 패턴(CCP)은 제1 색 변환 패턴(CCP1), 제2 색 변환 패턴(CCP2) 및 투과 패턴(LTP)을 포함할 수 있다. 제1 색 변환 패턴(CCP1)은 제1 발광 영역(LA1)에 배치되고, 제2 색 변환 패턴(CCP2)은 제2 발광 영역(LA2)에 배치되며, 투과 패턴(LTP)은 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 색 변환 패턴들(CCP1, CCP2)은 발광층(EL)에서 방출되는 광을 특정한 파장을 갖는 광으로 변환시킬 수 있다.
제1 색 변환 패턴(CCP1)은 발광층(EL)으로부터 방출된 광에 의해 여기되어 제1 색의 광을 방출하는 제1 양자점들을 포함할 수 있다. 또한, 제1 색 변환 패턴(CCP1)은 제1 산란 입자들 및 상기 제1 산란 입자들이 분산된 제1 감광성 폴리머를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(CCP1)은 발광층(EL)으로부터 방출된 상기 광을 상기 제1 색의 광으로 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)에서 방출된 상기 광이 제1 색 변환 패턴(CCP1)을 통과함에 따라, 제1 발광 영역(LA1)에서 적색 광이 방출될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 색 변환 패턴(CCP2)은 발광층(EL)으부터 방출된 상기 광에 의해 여기되어 제2 색의 광을 방출하는 제2 양자점들을 포함할 수 있다. 또한, 제2 색 변환 패턴(CCP2)은 제2 산란 입자들 및 상기 제2 산란 입자들이 분산된 제2 감광성 폴리머를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 색 변환 패턴(CCP2)은 발광층(EL)으로부터 방출된 상기 광을 상기 제2 색의 광으로 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)에서 방출된 상기 광이 제2 색 변환 패턴(CCP2)을 통과함에 따라, 제2 발광 영역(LA2)에서 녹색 광이 방출될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
투과 패턴(LTP)은 제3 산란 입자들 및 상기 제3 산란 입자들이 분산된 제3 감광성 폴리머를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 투과 패턴(LTP)은 발광층(EL)으로부터 방출된 상기 광을 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)에서 방출된 상기 광이 투과 패턴(LTP)을 통과함에 따라, 제3 발광 영역(LA3)에서 청색 광이 방출될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제3 산란 입자들은 발광층(EL)으로부터 방출된 상기 광을 산란시켜 방출시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 산란 입자들은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 감광성 폴리머들 각각은 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 광 투과성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 비아 절연층(VIA) 및 색 변환 패턴(CCP) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 각각에 배치될 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)으로 사용될 수 있는 도전 물질의 예로는, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 은, 마그네슘, 금, 니켈, 네오듐, 이리듐, 크롬, 리튬, 칼슘, 몰리브데늄, 티타늄, 텅스텐, 구리, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 화소 전극(PE2)은 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 전극(PE2)은 ITO를 포함할 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 비아 절연층(VIA)에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 제1 화소 전극(PE1)과 연결될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)에는 제2 화소 전극(PE2)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 정의될 수 있다. 상기 개구부는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 각각 중첩할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)으로 사용될 수 있는 유기 절연 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
발광층(EL)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 발광층(EL)은 유기 물질로 형성되고, 기설정된 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 청색 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
공통 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(CE)은 금속을 포함할 수 있다. 공통 전극(CE)으로 사용될 수 있는 금속의 예로는, 리튬, 칼슘, 알루미늄, 은, 마그네슘 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 박막 봉지층(TFE)은 무기층들과 유기층들이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 발광층(EL)으로 이물이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
컬러 필터층(CFL)은 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 제1 컬러 필터(CF1), 제2 컬러 필터(CF2) 및 제3 컬러 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 특정 파장을 갖는 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제1 색 변환 패턴(CCP1)과 부분적으로 중첩하고, 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 색 변환 패턴(CCP2)과 부분적으로 중첩하며, 제3 컬러 필터(CF3)는 투과 패턴(LTP)과 부분적으로 중첩할 수 있다.
예를 들어, 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 광을 투과시키고, 상기 적색 광과 다른 색을 갖는 광들을 차단시킬 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 광을 투과시키고, 상기 녹색 광과 다른 색을 갖는 광들을 차단시킬 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 청색 광을 투과시키고, 상기 청색 광과 다른 색을 갖는 광들을 차단시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
색 변환 패턴을 형성하기 위한 별도의 상부 공간이 박막 봉지층 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 색 변환 패턴에 포함된 양자점 및 산란 입자에 의한 산란 반사 현상이 증가하여 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 색 변환 패턴(CCP)이 제1 화소 전극(PE1)과 제2 화소 전극(PE2) 사이에 배치됨으로써, 발광층(EL)과 색 변환 패턴(CCP)의 거리가 단축될 수 있다. 따라서, 색 변환 패턴(CCP)에 포함된 양자점 및 산란 입자에 의한 산란 반사 현상 및 외부 광원에 의한 상기 양자점의 미세 발광에 기인한 산란 반사 현상이 개선될 수 있다.
또한, 색 변환 패턴(CCP)을 위한 별도의 공간이 필요하지 않으므로, 표시 장치(10)의 제조 공정이 단순화될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(10)의 표시 품질 및 생산성이 향상될 수 있다.
도 4 내지 도 12는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들어, 도 4 내지 도 12는 제1 발광 영역(LA1)에서 표시 장치(10)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 4 내지 도 12에는 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 표시 장치(10)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 구조가 도시되지 않았지만, 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 표시 장치(10)의 제조 방법은 제1 발광 영역(LA1)에서 표시 장치(10)의 제조 방법과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 4를 참조하면, 회로층(CL) 상에 제1 화소 전극(PE1)이 형성될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화소 전극(PE1)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 전극(PE1)은 ITO/Ag/ITO을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 회로층(CL) 상에 비아 절연층(VIA)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 비아 절연층(VIA)에는 제1 화소 전극(PE1)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 개구부(OP)는 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 또한, 비아 절연층(VIA)에는 제1 화소 전극(PE1)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 콘택홀(CNT)이 형성될 수 있다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1 화소 전극(PE1) 상에 제1 색 변환 패턴(CCP1)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 색 변환 패턴(CCP1)은 비아 절연층(VIA)의 개구부(OP)에 형성될 수 있고, 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다.
개구부(OP)는 제1 색 변환 패턴(CCP1)을 형성하는 과정에서 잉크 조성물을 수용할 수 있다. 여기서, 상기 잉크 조성물은 제1 색 변환 패턴(CCP1)을 형성하는 물질일 수 있다. 예를 들어, 잉크젯 장치가 개구부(OP)에 상기 잉크 조성물을 반복적으로 적하하고, 상기 잉크 조성물을 경화시킴으로써 제1 색 변환 패턴(CCP1)이 형성될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 상기 잉크 조성물이 개구부(OP)의 외부로 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(CCP1)이 상기 잉크 조성물에 의해 형성됨에 따라, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면은 오목한 단면 형상을 가질 수 있다(도 7 참조). 다른 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면은 볼록한 단면 형상을 가질 수도 있다(도 8 참조).
도 9 내지 도 11을 참조하면, 비아 절연층(VIA) 상에 제2 화소 전극(PE2)이 형성될 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면 전체를 커버할 수 있고, 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 비아 절연층(VIA)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 제1 화소 전극(PE1)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 화소 전극(PE2)은 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 전극(PE2)은 ITO을 포함할 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 즉, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면과 중첩하는 제2 화소 전극(PE2)의 상면은 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면과 동일한 단면 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면이 오목한 단면 형상을 가지는 경우, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면과 중첩하는 제2 화소 전극(PE2)의 상면은 오목한 단면 형상을 가질 수 있다(도 10 참조). 다른 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면이 볼록한 단면 형상을 가지는 경우, 제1 색 변환 패턴(CCP1)의 상면과 중첩하는 제2 화소 전극(PE2)의 상면은 볼록한 단면 형상을 가질 수도 있다(도 11 참조).
도 12를 참조하면, 비아 절연층(VIA) 상에 화소 정의막(PDL)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제2 화소 전극(PE2)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 형성될 수 있다. 상기 개구부는 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다.
화소 정의막(PDL) 상에 발광층(EL)이 전체적으로 형성될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 제1 발광 영역(LA1) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부에서 제2 화소 전극(PE2)과 접촉할 수 있다.
발광층(EL) 상에 공통 전극(CE)이 형성될 수 있다. 공통 전극(CE)은 제1 발광 영역(LA1) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 형성될 수 있다.
공통 전극(CE) 상에 박막 봉지층(TFE)이 형성될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제1 발광 영역(LA1) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 형성될 수 있다.
박막 봉지층(TFE) 상에 컬러 필터층(CFL)이 형성될 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 제1 컬러 필터(CF1), 제2 컬러 필터(CF2) 및 제3 컬러 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 발광 영역(LA1) 및 제1 색 변환 패턴(CCP1)과 부분적으로 중첩하도록 형성될 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(20)는 회로층(CL), 비아 절연층(VIA), 제1 화소 전극(PE1), 색 변환 패턴(CCP), 제2 화소 전극(PE2), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE), 박막 봉지층(TFE) 및 컬러 필터층(CFL)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
비아 절연층(VIA)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 비아 절연층(VIA)에는 회로층(CL) 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 개구부(OP)는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 각각 중첩할 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 화소 전극(PE1)은 비아 절연층(VIA)의 개구부(OP)에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 화소 전극(PE1)은 제1 부분(PE11) 및 제2 부분(PE12)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(PE11)은 색 변환 패턴(CCP) 아래에 배치될 수 있다. 제2 부분(PE12)은 제1 부분(PE11)의 측부에서부터 색 변환 패턴(CCP)의 측면을 둘러싸도록 연장될 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 제1 화소 전극(PE1)의 제2 부분(PE12)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 따라서, 제2 화소 전극(PE2)은 제2 부분(PE12)을 통해 제1 화소 전극(PE1)과 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(20)에 있어서, 제1 화소 전극(PE1)이 색 변환 패턴(CCP)의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제2 부분(PE12)을 포함함에 따라, 색 변환 패턴(CCP)에 포함된 산란 입자들이 산란시킨 광이 격면 반사되어 발광 효율이 증가할 수 있다. 따라서, 표시 장치(20)의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(30)는 회로층(CL), 비아 절연층(VIA), 제1 화소 정의막(PDL1), 제1 화소 전극(PE1), 색 변환 패턴(CCP), 제2 화소 전극(PE2), 제2 화소 정의막(PDL2), 발광층(EL), 공통 전극(CE), 박막 봉지층(TFE) 및 컬러 필터층(CFL)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 13을 참조하여 설명한 표시 장치(20)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
비아 절연층(VIA)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다.
제1 화소 정의막(PDL1)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화소 정의막(PDL1)에는 비아 절연층(VIA)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 개구부(OP)는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 각각 중첩할 수 있다.
제1 화소 정의막(PDL1)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 화소 정의막(PDL1)으로 사용될 수 있는 유기 절연 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 화소 전극(PE1)은 제1 화소 정의막(PDL1)의 개구부(OP)에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 화소 전극(PE1)은 제1 부분(PE11) 및 제2 부분(PE12)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(PE11)은 색 변환 패턴(CCP) 아래에 배치될 수 있다. 제2 부분(PE12)은 제1 부분(PE11)의 측부에서부터 색 변환 패턴(CCP)의 측면을 둘러싸도록 연장될 수 있다.
색 변환 패턴(CCP)은 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 색 변환 패턴(CCP)은 제1 화소 정의막(PDL1)의 개구부(OP)에 배치될 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 제1 화소 정의막(PDL1) 및 색 변환 패턴(CCP) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 색 변환 패턴(CCP)의 상면 전체를 커버할 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 제1 화소 전극(PE1)의 제2 부분(PE12)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 따라서, 제2 화소 전극(PE2)은 제2 부분(PE12)을 통해 제1 화소 전극(PE1)과 연결될 수 있다.
제2 화소 정의막(PDL2)은 제1 화소 정의막(PDL1) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 화소 정의막(PDL2)에는 제2 화소 전극(PE2)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 정의될 수 있다. 상기 개구부는 제1 내지 제3 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 각각 중첩할 수 있다. 제2 화소 정의막(PDL2)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 화소 정의막(PDL2)으로 사용될 수 있는 유기 절연 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(40)는 회로층(CL), 제1 화소 전극(PE1), 색 변환 패턴(CCP), 비아 절연층(VIA), 제2 화소 전극(PE2), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE), 박막 봉지층(TFE) 및 컬러 필터층(CFL)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
컬러 필터층(CFL)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제1 색 변환 패턴(CCP1)과 중첩하고, 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 색 변환 패턴(CCP2)과 중첩하며, 제3 컬러 필터(CF3)는 투과 패턴(LTP)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 광을 투과시키고, 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 광을 투과시키며, 제3 컬러 필터(CF3)는 청색 광을 투과시킬 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 색 변환 패턴(CCP)로부터 방출된 서로 다른 색의 광이 혼색되지 않도록 할 수 있다. 또한, 차광부(BM)는 인접하는 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10, 20, 30, 40: 표시 장치
CCP1: 제1 색 변환 패턴
CCP2: 제2 색 변환 패턴 LTP: 투과 패턴
PE1, PE2: 제1 및 제2 화소 전극들
PE11, PE12: 제1 및 제2 부분들
CF1, CF2, CF3: 제1 내지 제3 컬러 필터들
LA1, LA2, LA3: 제1 내지 제3 발광 영역들
BA: 차광 영역 VIA: 비아 절연층
PDL: 화소 정의막 EL: 발광층
CCP2: 제2 색 변환 패턴 LTP: 투과 패턴
PE1, PE2: 제1 및 제2 화소 전극들
PE11, PE12: 제1 및 제2 부분들
CF1, CF2, CF3: 제1 내지 제3 컬러 필터들
LA1, LA2, LA3: 제1 내지 제3 발광 영역들
BA: 차광 영역 VIA: 비아 절연층
PDL: 화소 정의막 EL: 발광층
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 산란 입자를 포함하는 색 변환 패턴;
상기 색 변환 패턴 아래에 배치되고, 상기 색 변환 패턴의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제1 화소 전극;
상기 색 변환 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극과 연결되는 제2 화소 전극; 및
상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 화소 전극은 상기 색 변환 패턴 아래에 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 측부에서부터 상기 색 변환 패턴의 측면을 둘러싸도록 연장되는 제2 부분을 포함하고,
상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 전극의 상기 제2 부분과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극과 중첩하는 개구부가 정의된 비아 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 화소 전극 및 상기 색 변환 패턴은 상기 개구부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 비아 절연층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제4 항에 있어서,
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 비아 절연층; 및
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아 절연층의 상면의 일부를 노출시키는 개구부가 정의된 제1 화소 정의막을 더 포함하고,
상기 제1 화소 전극 및 상기 색 변환 패턴은 상기 개구부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제7 항에 있어서,
상기 제1 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제2 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 화소 전극은 다층 구조를 가지고,
상기 제2 화소 전극은 단층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 화소 전극은 ITO/Ag/ITO를 포함하고,
상기 제2 화소 전극은 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 색 변환 패턴의 상면은 오목한 단면 형상 또는 볼록한 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 화소 전극은 상기 색 변환 패턴의 상면의 프로파일을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 발광층 상에 배치되고, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 다층 구조를 가지는 제1 화소 전극;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극의 상면의 일부를 노출시키는 개구부가 정의된 비아 절연층;
상기 개구부에 배치되고, 산란 입자를 포함하는 색 변환 패턴;
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아 절연층을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 제1 화소 전극과 연결되며, 단층 구조를 가지는 제2 화소 전극; 및
상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 화소 전극은 ITO/Ag/ITO를 포함하고,
상기 제2 화소 전극은 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서, 상기 비아 절연층은 고굴절 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제17 항에 있어서, 상기 비아 절연층의 굴절률은 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제14 항에 있어서,
상기 색 변환 패턴의 상면은 오목한 단면 형상 또는 볼록한 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제19 항에 있어서,
상기 제2 화소 전극은 상기 색 변환 패턴의 상면의 프로파일을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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|---|---|---|---|
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