KR20240011289A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 197
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 256
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/805—Electrodes
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- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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Abstract
본 개시는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하고, 화소 개구부를 포함하는 제1 격벽, 상기 제1 격벽 위에 위치하는 보조 전극, 상기 보조 전극 위에 위치하는 제2 격벽, 상기 화소 개구부 내에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층 및 상기 제2 격벽 위에 위치하고, 상기 보조 전극과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 어느 하나의 측면보다 돌출되어 있다.
Description
본 개시는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 네비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가진다.
유기 발광 표시 장치의 각 화소는 화소 정의막에 의해 구분될 수 있고, 잉크젯 프린팅 공정 등을 이용하여 화소 정의막의 개구부 내에 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 잉크의 넘침이나 미채움 등의 불량이 발생할 수 있다.
실시예들은 발광층을 안정적으로 형성할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 외광이 반사되어 시인되는 것을 방지할 수 있고, 전극의 저항을 감소시킬 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하고, 화소 개구부를 포함하는 제1 격벽, 상기 제1 격벽 위에 위치하는 보조 전극, 상기 보조 전극 위에 위치하는 제2 격벽, 상기 화소 개구부 내에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층 및 상기 제2 격벽 위에 위치하고, 상기 보조 전극과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 어느 하나의 측면보다 돌출되어 있다.
상기 보조 전극의 폭은 상기 제1 격벽의 상부면의 폭보다 클 수 있다.
상기 보조 전극의 폭은 상기 제2 격벽의 하부면의 폭보다 클 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 보조 전극의 양측 단부와 접할 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 발광층의 상부면, 상기 보조 전극의 양측 단부의 상부면 및 측면, 상기 제2 격벽의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다.
상기 보조 전극의 단부는 상기 기판을 향해 구부러진 형상을 가질 수 있다.
상기 보조 전극의 단부의 경사각은 상기 제1 격벽의 측면의 경사각과 동일할 수 있다.
상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽의 측면과 이격될 수 있다.
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 어느 하나는 친수성 물질을 포함하고, 다른 하나는 소수성 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광층 및 상기 제1 격벽은 소수성 물질을 포함하고, 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽은 친수성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 격벽은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 티타늄, 산화티타늄, 질화티타늄, 알루미늄, 질화알루미늄, 몰리브덴, 산화몰리브덴, 갈륨 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 및 아연 인듐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터에 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 서로 중첩하는 제1 격벽, 보조 전극, 및 제2 격벽을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 발광층 및 상기 제2 격벽 위에 상기 보조 전극과 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 어느 하나의 측면보다 돌출될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 격벽, 상기 보조 전극, 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계 이후에, 애싱 공정을 진행하는 단계를 더 포함하고, 상기 애싱 공정에 의해 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 폭이 줄어들게 될 수 있다.
상기 제1 격벽, 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 제1 절연 물질층, 도전성 물질층, 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하여 형성하는 단계, 및 상기 제1 절연 물질층, 상기 도전성 물질층, 및 상기 제2 절연 물질층을 패터닝하여 상기 제1 격벽, 상기 보조 전극, 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 위치하고, 상기 보조 전극은 단면상에서 상기 기판의 상부면에 나란한 방향으로 길게 연장되어 있는 막대 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 격벽, 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 제1 절연 물질층을 형성하고, 상기 제1 절연 물질층을 패터닝하여 상기 제1 격벽을 형성하는 단계, 상기 제1 격벽 위에 도전성 물질층 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하여 형성하는 단계, 및 상기 도전성 물질층 및 상기 제2 절연 물질층을 패터닝하여 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 위치하고, 상기 보조 전극의 단부는 단면상에서 상기 기판을 향해 구부러진 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 발광층의 상부면, 상기 보조 전극의 양측 단부의 상부면 및 측면, 상기 제2 격벽의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다.
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 어느 하나는 친수성 물질을 포함하고, 다른 하나는 소수성 물질을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 표시 장치의 발광층을 안정적으로 형성할 수 있다.
표시 장치로 입사되는 외광이 반사되어 시인되는 것을 방지할 수 있고, 전극의 저항을 감소시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10 내지 도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17 내지 도 19는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 20은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 21 내지 도 23은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 24는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10 내지 도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17 내지 도 19는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 20은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 21 내지 도 23은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 24는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서 도 1을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다.
기판(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 기판(110)은 단층 또는 다층일 수 있다. 기판(110)은 순차적으로 적층된 고분자 수지를 포함하는 적어도 하나의 베이스층과 적어도 하나의 무기층이 교번하여 적층될 수 있다.
기판(110) 위에는 기판(110)의 표면을 평탄하게 하고 불순 원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(111)이 더 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(111)은 상기 물질의 단일층 혹은 다층구조일 수 있다. 기판(110) 위에는 베리어층(미도시)이 더 위치할 수 있다. 이때, 베리어층은 기판(110)과 버퍼층(111) 사이에 위치할 수 있다. 베리어층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 베리어층은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
버퍼층(111) 위에는 반도체(130)가 위치할 수 있다. 반도체(130)는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(130)는 저온폴리실리콘(LTPS)을 포함하거나 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(130)는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다. 반도체(130)는 불순물 도핑 여부에 따라 구분되는 제1 영역(131), 채널 영역(132), 및 제2 영역(133)을 포함할 수 있다. 반도체(130)의 채널 영역(132)의 양측에 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)이 각각 위치할 수 있다. 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)은 도전체에 상응하는 도전 특성을 가질 수 있다.
반도체(130) 위에는 게이트 절연막(120)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(120)은 반도체(130) 및 기판(110)을 덮을 수 있다. 게이트 절연막(120)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(120)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
게이트 절연막(120) 위에는 게이트 전극(124)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(124)은 반도체(130)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 게이트 전극(124)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 게이트 전극(124)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(124)은 이중층으로 이루어질 수 있고, 알루미늄(Al)을 포함하는 층과 티타늄(Ti)을 포함하는 층을 포함할 수 있다.
게이트 전극(124)을 형성한 후 도핑 공정 또는 플라즈마 처리를 진행할 수 있다. 게이트 전극(124)에 의해 가려진 반도체(130)의 부분은 도핑이나 플라즈마 처리가 되지 않고, 게이트 전극(124)에 의해 덮여 있지 않은 반도체(130)의 부분은 도핑되거나 플라즈마 처리가 되어 도전체와 동일한 특성을 가질 수 있다. 반도체(130) 중 평면상 게이트 전극(124)과 중첩하는 영역이 채널 영역(132)이 될 수 있다.
게이트 전극(124) 위에는 층간 절연막(160)이 위치할 수 있다. 층간 절연막(160)은 게이트 전극(124) 및 게이트 절연막(120)을 덮을 수 있다. 층간 절연막(160)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연막(160)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 위치할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(120)에 형성된 개구부에 의해 반도체(130)의 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)에 각각 연결되어 있다. 이에 따라, 전술한 반도체(130), 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 실시예에 따라서는 트랜지스터(TFT)가 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 대신 반도체(130)의 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)만을 포함할 수도 있다. 도 1에는 하나의 트랜지스터(TFT)가 도시되어 있으나, 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함할 수 있고, 복수의 화소 각각은 복수의 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금을 포함하는 하부막, 비저항이 낮은 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속을 포함하는 중간막, 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속을 포함하는 상부막의 삼중막 구조를 가질 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 보호막(180)이 위치할 수 있다. 보호막(180)은 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 층간 절연막(160)을 덮을 수 있다. 보호막(180)은 트랜지스터(TFT)가 구비된 기판(110)의 표면을 평탄화하기 위한 것으로, 유기 절연막일 수 있다. 보호막(180)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
보호막(180) 위에는 발광 소자(ED)가 위치할 수 있다. 발광 소자(ED)는 트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다.
제1 전극(191)은 보호막(180) 위에 위치할 수 있다. 제1 전극(191)은 애노드 전극이라고도 하며, 투명 전도성 산화물 또는 금속 물질을 포함하는 단일층 또는 이들을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다. 투명 전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), 폴리(poly)-ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등을 포함할 수 있다. 금속 물질은 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(191)은 하부층, 중간층, 및 상부층을 포함할 수 있다. 제1 전극(191)의 하부층은 보호막(180) 바로 위에 위치할 수 있고, 중간층은 하부층 위에 위치할 수 있으며, 상부층은 중간층 위에 위치할 수 있다. 이때, 제1 전극(191)의 중간층은 하부층 및 상부층과 상이한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 중간층은 은(Ag)으로 이루어질 수 있고, 하부층 및 상부층은 ITO로 이루어질 수 있다.
보호막(180)은 제1 전극(191) 및 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구부(181)를 포함할 수 있다. 제1 전극(191)은 개구부(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다. 따라서, 제1 전극(191)은 트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다.
제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)은 화소 정의층(Pixel Defining Layer; PDL)이라고도 하며, 제1 전극(191)의 적어도 일부와 중첩하는 화소 개구부(351)를 포함한다. 이때, 화소 개구부(351)는 제1 전극(191)의 중심부와 중첩할 수 있고, 제1 전극(191)의 가장자리부와는 중첩하지 않을 수 있다. 따라서, 화소 개구부(351)의 크기는 제1 전극(191)의 크기보다 작을 수 있다. 제1 격벽(350)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 또는 제1 격벽(350)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수도 있다.
제1 격벽(350) 위에는 보조 전극(275)이 위치할 수 있고, 보조 전극(275) 위에는 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 즉, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350)과 제2 격벽(352) 사이에 위치할 수 있다.
보조 전극(275)은 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면과 정렬되지 않고, 돌출될 수 있다. 제1 격벽(350)은 제1 전극(191) 및 보호막(180)과 접하는 하부면, 보조 전극(275)과 접하는 상부면을 포함할 수 있다. 제1 격벽(350)은 측면이 기울어지도록 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제1 격벽(350)의 상부면의 폭은 하부면의 폭보다 좁을 수 있다. 단면상에서 제1 격벽(350)은 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 점차적으로 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제1 격벽(350)의 상부면의 폭보다 클 수 있다. 또한, 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 폭보다 클 수 있다. 따라서, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출되어 있는 형상을 가질 수 있다.
보조 전극(275)은 단면상에서 수평 방향으로 길게 연장되어 있는 막대 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)은 단면상에서 기판(110)의 상부면에 나란한 방향으로 길게 연장되어 있는 막대 형상을 가질 수 있다.
보조 전극(275)은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다. 따라서, 보조 전극(275)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다. 예를 들면, 보조 전극(275)은 티타늄(Ti), 산화티타늄(TiOx), 질화티타늄(TiNx), 알루미늄(Al), 질화알루미늄(AlNx), 몰리브덴(Mo), 산화몰리브덴(MoOx), 갈륨 아연 산화물(GZO, Gallium Zinc Oxide), 인듐 주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 아연 인듐 산화물(ZIO, Zinc Indium Oxide) 등을 포함할 수 있다. 보조 전극(275)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 보조 전극(275)은 산화티타늄(TiOx)으로 이루어진 층과 질화티타늄(TiNx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 질화알루미늄(AlNx)으로 이루어진 층과 질화티타늄(TiNx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 질화알루미늄(AlNx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 산화알루미늄(AlOx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 산화몰리브덴(MoOx)으로 이루어진 층과 산화티타늄(TiOx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 산화몰리브덴(MoOx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 갈륨 아연 산화물(GZO)로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 아연 인듐 산화물(ZIO)로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다. 또는 보조 전극(275)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 층과 산화티타늄(TiOx)으로 이루어진 층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있다.
제2 격벽(352)은 보조 전극(275)과 접하는 하부면, 하부면과 마주보는 상부면을 포함할 수 있다. 제2 격벽(352)의 측면은 기울어지도록 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제2 격벽(352)의 상부면의 폭은 하부면의 폭보다 좁을 수 있다. 단면상에서 제2 격벽(352)은 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 점차적으로 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 하부면의 폭보다 클 수 있다.
제2 격벽(352)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 또는 제2 격벽(352)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수도 있다. 또는 제2 격벽(352)은 광차단 물질을 포함할 수도 있다. 이때, 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴, 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예컨대, 크롬 산화물) 또는 금속 질화물 입자(예컨대, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 제2 격벽(352)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 제2 격벽(352)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다.
제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에는 발광층(370)이 위치할 수 있다. 발광층(370)은 제1 전극(191)과 중첩할 수 있다. 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색 등의 빛을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 저분자 또는 고분자의 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 단일층으로 도시되어 있지만, 실제로는 발광층(370)의 상하에 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL)과 같은 보조층이 더 위치할 수 있다. 이때, 발광층(370)의 하부에 정공 주입층 및 정공 전달층이 위치할 수 있고, 발광층(370)의 상부에 전자 전달층 및 전자 주입층이 위치할 수 있다.
발광층(370)은 소수성 물질을 포함할 수 있고, 발광층(370)과 접하는 제1 격벽(350)은 소수성 물질을 포함할 수 있다. 이때, 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)은 친수성 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 발광층(370)이 보조 전극(275)이나 제2 격벽(352)의 상부에 남지 않을 수 있고, 화소 개구부(351) 내에 안정적으로 채워질 수 있다. 상기에서 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)이 제1 격벽(350)과 상이한 특성을 가지는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 보조 전극(275)이 제1 격벽(350)과 상이한 특성을 가지고, 제2 격벽(352)은 제1 격벽(350)과 유사한 특성을 가질 수도 있다. 예를 들면, 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)은 소수성 물질을 포함하고, 보조 전극(275)이 친수성 물질을 포함할 수 도 있다. 또한, 발광층(370)이 다른 특성을 가지는 물질로 이루어질 수도 있으며, 이에 따라 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)도 다른 물질로 대체될 수 있다. 예를 들면, 발광층(370)이 친수성 물질을 포함할 수 있고, 이때 제1 격벽(350)은 친수성 물질을 포함하고, 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)은 소수성 물질을 포함할 수 있다.
발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다. 제2 전극(270)은 기판(110) 위의 대부분의 영역에 전체적으로 위치할 수 있다. 제2 전극(270)은 발광층(370)의 상부면과 접할 수 있고, 보조 전극(275)의 양측 단부와 접할 수 있으며, 제2 격벽(352)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다. 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출된 부분이 제2 전극(270)과 접할 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(270)은 공통 전압을 전달할 수 있으며, 전도성을 가지는 보조 전극(275)과 연결됨으로써, 저항이 낮아질 수 있다. 따라서, 제2 전극(270)이 전달하는 전압의 강하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제2 전극(270)은 캐소드 전극이라고도 하며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등을 포함하는 반사성 금속 또는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다.
제1 전극(191), 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 함께 발광 소자(ED)를 이룰 수 있다. 이때, 제1 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드 전극이고, 제2 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드 전극일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 구동 방법에 따라 애노드 전극과 캐소드 전극이 이와 반대로 이루어질 수도 있다.
제1 전극(191) 및 제2 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
도시는 생략하였으나, 제2 전극(270) 위에는 봉지층이 더 위치할 수 있다. 봉지층은 외부로부터 유입될 수 있는 수분이나 산소 등으로부터 발광 소자(ED)를 보호하기 위한 것으로, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층이 적층된 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 봉지층을 구성하는 무기막과 유기막의 수는 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함할 수 있으며, 각 화소는 복수의 트랜지스터 및 이들에 연결되어 있는 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기에서 발광 소자에 연결되어 있는 하나의 트랜지스터의 구조에 대해 설명하였으나, 하나의 화소 내에는 복수의 트랜지스터가 위치할 수 있다. 예를 들면, 하나의 화소가 2개의 트랜지스터 및 이들에 연결되어 있는 발광 소자를 포함할 수 있다. 하나의 화소에 포함되어 있는 복수의 트랜지스터들 중 일부는 다결정 트랜지스터로 이루어지고, 다른 일부는 산화물 트랜지스터로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 도 2 내지 도 8을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 2 내지 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 이용하여 버퍼층(111)을 형성한다. 버퍼층(111)은 기판(110) 위에 전체적으로 형성할 수 있다.
버퍼층(111) 위에 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 물질 등과 같은 반도체 물질을 이용하여 반도체(130)를 형성한다. 반도체(130) 위에 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(120)을 형성한다.
게이트 절연막(120) 위에 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 이용하여 게이트 전극(124)을 형성한다. 이때, 둘 이상의 금속 물질층을 연속 증착하여 형성한 후 이를 동시에 패터닝하여 게이트 전극(124)을 형성할 수도 있다. 이어, 도핑 공정 또는 플라즈마 처리를 진행할 수 있다. 게이트 전극(124)에 의해 가려진 반도체(130)의 부분은 도핑이나 플라즈마 처리가 되지 않고, 채널 영역(132)이 될 수 있다. 게이트 전극(124)에 의해 덮여 있지 않은 반도체(130)의 부분은 도핑되거나 플라즈마 처리가 되어 도전체와 동일한 특성을 가질 수 있으며, 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)이 될 수 있다. 반도체(130)의 제1 영역(131) 및 제2 영역(133)은 채널 영역(132)의 양측에 위치할 수 있다. 게이트 전극(124) 위에 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 이용하여 층간 절연막(160)을 형성한다. 포토 및 식각 공정을 이용하여 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(120)을 패터닝하여 개구부를 형성한다.
층간 절연막(160) 위에 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 이용하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이때, 둘 이상의 금속 물질층을 연속 증착하여 형성한 후 이를 동시에 패터닝하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성할 수도 있다. 예를 들면, 티타늄을 포함하는 물질층, 알루미늄을 포함하는 물질층, 및 티타늄을 포함하는 물질층으로 순차적으로 형성한 후 이들 물질층을 패터닝하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성할 수 있다. 소스 전극(173)은 개구부를 통해 반도체(130)의 제1 영역(131)과 연결될 수 있고, 드레인 전극(175)은 개구부를 통해 반도체(130)의 제2 영역(133)과 연결될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기 절연 물질을 이용하여 보호막(180)을 형성한다. 보호막(180)을 패터닝하여 개구부(181)를 형성한다. 개구부(181)에 의해 드레인 전극(175)의 상부면이 외부로 노출될 수 있다.
이어, 보호막(180) 위에 투명 전도성 산화물 또는 금속 물질을 이용하여 제1 전극(191)을 형성한다. 이때, 둘 이상의 물질층을 연속 증착하여 형성한 후 이를 동시에 패터닝하여 제1 전극(191)을 형성할 수도 있다. 예를 들면, ITO를 포함하는 물질층, 은(Ag)을 포함하는 물질층, 및 ITO를 포함하는 물질층을 순차적으로 형성한 후 이들 물질층을 패터닝하여 제1 전극(191)을 형성할 수 있다. 제1 전극(191)은 개구부(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 전극(191) 및 보호막(180) 위에 제1 절연 물질층(350a), 도전성 물질층(275a), 및 제2 절연 물질층(352a)을 순차적으로 적층하여 형성한다. 제1 절연 물질층(350a) 위에 도전성 물질층(275a)이 위치하게 되고, 도전성 물질층(275a) 위에 제2 절연 물질층(352a)이 위치하게 된다. 도전성 물질층(275a)의 하부면은 제1 절연 물질층(350a)과 접할 수 있고, 도전성 물질층(275a)의 상부면은 제2 절연 물질층(352a)과 접할 수 있다.
제1 절연 물질층(350a) 및 제2 절연 물질층(352a)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연 물질 또는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 도전성 물질층(275a)은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다. 도전성 물질층(275a)은 티타늄(Ti), 산화티타늄(TiOx), 질화티타늄(TiNx), 알루미늄(Al), 질화알루미늄(AlNx), 몰리브덴(Mo), 산화몰리브덴(MoOx), 갈륨 아연 산화물(GZO, Gallium Zinc Oxide), 인듐 주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 아연 인듐 산화물(ZIO, Zinc Indium Oxide) 등을 포함할 수 있다. 이때, 도전성 물질층(275a)은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2개 이상의 층이 적층되어 이루어질 수도 있다.
제1 절연 물질층(350a)은 소수성 물질을 포함할 수 있고, 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)은 친수성 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 절연 물질층(350a) 및 제2 절연 물질층(352a)이 소수성 물질을 포함하고, 도전성 물질층(275a)이 친수성 물질을 포함할 수도 있다. 또한, 제1 절연 물질층(350a)이 친수성 물질을 포함하고, 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)이 소수성 물질을 포함할 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 절연 물질층(350a), 도전성 물질층(275a), 및 제2 절연 물질층(352a)을 패터닝하여 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)을 형성한다. 제1 절연 물질층(350a)이 패터닝되어 제1 격벽(350)이 되고, 도전성 물질층(275a)이 패터닝되어 보조 전극(275)이 되며, 제2 절연 물질층(352a)이 패터닝되어 제2 격벽(352)이 될 수 있다. 따라서, 제1 격벽(350) 위에 보조 전극(275)이 위치하고, 보조 전극(275) 위에 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 즉, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350)과 제2 격벽(352) 사이에 위치하게 된다.
이때, 제2 격벽(352)의 하부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 격벽(350)의 상부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭보다 조금 더 클 수 있다.
제1 격벽(350)은 화소 개구부(351)를 포함할 수 있으며, 화소 개구부(351)는 제1 전극(191)의 중심부와 중첩할 수 있다. 화소 개구부(351)에 의해 제1 전극(191)의 상부면이 노출될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 애싱 공정을 진행하여 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 폭이 줄어들게 된다. 따라서, 제1 격벽(350)과 제2 격벽(352) 사이에 위치하는 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출된 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제1 격벽(350)의 상부면의 폭보다 클 수 있다. 또한, 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 폭보다 클 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)을 형성할 수 있다. 도 7에서 발광층(370)은 단일층으로 도시되어 있지만, 실제로는 발광층(370)의 상하에 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL)과 같은 보조층을 더 형성할 수 있다.
발광층(370)은 소수성 물질을 포함할 수 있고, 이때 제1 격벽(350)은 소수성 물질을 포함하고, 보조 전극(275)은 친수성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라 발광층(370)이 보조 전극(275)의 상부에 남지 않고, 화소 개구부(351) 내에 안정적으로 채워질 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등을 포함하는 반사성 금속 또는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)을 이용하여 제2 전극(270)을 형성한다. 제2 전극(270)은 기판(110) 위의 대부분의 영역에 전체적으로 위치할 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출된 부분이 제2 전극(270)과 접할 수 있다. 제1 전극(191), 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 함께 발광 소자(ED)를 이룰 수 있다.
도시는 생략하였으나, 제2 전극(270) 위에 봉지층을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9에 도시된 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극의 형상이 앞선 실시예와 일부 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
앞선 실시예에서 보조 전극(275)은 단면상에서 수평 방향으로 길게 연장되어 있는 막대 형상으로 이루어질 수 있고, 본 실시예에서 보조 전극(275)은 앞선 실시예와 유사한 형상으로 이루어지되, 보조 전극(275)의 단부가 꺾여 있는 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 기판(110)을 향해 구부러진 형상을 가질 수 있다. 이때, 보조 전극(275)의 양측 단부는 소정의 경사각을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각에 대응할 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각과 실질적으로 동일할 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 제1 격벽(350)의 측면과 소정 간격 이격되어 있을 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출되어 있을 수 있다.
다음으로, 도 10 내지 도 15를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 10 내지 도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 버퍼층(111)을 형성하고, 버퍼층(111) 위에 반도체(130), 게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 포함하는 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180)을 형성하고, 이를 패터닝하여 개구부(181)를 형성한다.
이어, 보호막(180) 위에 투명 전도성 산화물 또는 금속 물질을 이용하여 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 개구부(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
이어, 제1 전극(191) 및 보호막(180) 위에 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 이용하여 제1 절연 물질층(350a)을 형성한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제1 절연 물질층(350a)을 패터닝하여 제1 격벽(350)을 형성한다. 제1 격벽(350)은 화소 개구부(351)를 포함할 수 있으며, 화소 개구부(351)는 제1 전극(191)의 중심부와 중첩할 수 있다. 화소 개구부(351)에 의해 제1 전극(191)의 상부면이 노출될 수 있다. 제1 격벽(350)의 측면은 소정의 경사각을 가질 수 있다. 제1 격벽(350)은 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 단면상에서 제1 격벽(350)은 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 점차적으로 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제1 격벽(350) 및 제1 전극(191) 위에 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)을 순차적으로 적층하여 형성한다. 이때, 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)은 화소 개구부(351) 내에도 형성될 수 있다. 도전성 물질층(275a)은 제1 격벽(350)의 경사진 측면 위에도 형성될 수 있다. 도전성 물질층(275a)은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함할 수 있고, 제1 절연 물질층(350a)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)을 패터닝하여 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)을 형성한다. 도전성 물질층(275a)이 패터닝되어 보조 전극(275)이 되고, 제2 절연 물질층(352a)이 패터닝되어 제2 격벽(352)이 될 수 있다. 따라서, 제1 격벽(350) 위에 보조 전극(275)이 위치하고, 보조 전극(275) 위에 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 즉, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350)과 제2 격벽(352) 사이에 위치하게 된다.
이때, 제2 격벽(352)의 하부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭과 유사할 수 있다. 제1 격벽(350)의 경사진 측면 위에 위치하는 도전성 물질층(275a)의 부분이 일부 남을 수 있다. 따라서, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350)의 상부면 및 측면 일부를 덮을 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 기판(110)을 향해 구부러진 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각에 대응할 수 있다. 제1 격벽(350)의 상부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭보다 조금 더 작을 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 애싱 공정을 진행하여 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 폭이 줄어들게 된다. 따라서, 제1 격벽(350)과 제2 격벽(352) 사이에 위치하는 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출된 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제1 격벽(350)의 상부면의 폭보다 클 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 제1 격벽(350)의 측면과 소정 간격 이격될 수 있다. 또한, 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 폭보다 클 수 있다.
앞선 실시예에서는 제1 절연 물질층(350a), 도전성 물질층(275a), 및 제2 절연 물질층(352a)을 순차적으로 형성한 후 이를 동시에 패터닝하여 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)을 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 제1 절연 물질층(350a)을 패터닝하여 제1 격벽(350)을 형성한 후 도전성 물질층(275a) 및 제2 절연 물질층(352a)을 형성하고, 이를 패터닝하여 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)을 형성할 수 있다. 즉, 본 실시예에서 제1 격벽(350)은 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)과 별도의 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)을 형성할 수 있다. 이어, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에 제2 전극(270)을 형성한다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출된 부분이 제2 전극(270)과 접할 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있다.
다음으로, 도 16을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 16에 도시된 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극이 제1 및 제2 격벽의 측면보다 돌출되어 있지 않다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
앞선 실시예에서는 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출될 수 있고, 본 실시예에서는 보조 전극(275)이 제1 격벽(350) 및 제2 격벽(352)의 측면보다 돌출되지 않을 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제1 격벽(350)의 상부면의 폭보다 작을 수 있다. 따라서, 제1 격벽(350)의 양측 단부의 상부면은 보조 전극(275)에 의해 덮여 있지 않을 수 있다. 또한, 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 하부면의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 전극(270)은 발광층(370)의 상부면과 접할 수 있고, 보조 전극(275)의 양측 단부와 접할 수 있으며, 제2 격벽(352)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다. 앞선 실시예에서는 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있고, 본 실시예에서는 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 측면과 접할 수 있다. 보조 전극(275)의 상부면이 전체적으로 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있으므로, 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 상부면과는 접하지 않을 수 있다. 따라서, 앞선 실시예에서 제2 전극(270)과 보조 전극(275)의 접촉 면적이 좀 더 크다고 볼 수 있고, 저항 면에서 좀 더 유리할 수 있다.
다음으로, 도 17 내지 도 19를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 17 내지 도 19는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 버퍼층(111)을 형성하고, 버퍼층(111) 위에 반도체(130), 게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 포함하는 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180)을 형성하고, 보호막(180) 위에 제1 전극(191)을 형성한다.
이어, 제1 전극(191) 및 보호막(180) 위에 제1 절연 물질층, 도전성 물질층, 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하고, 이를 패터닝하여 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)을 형성한다.
이때, 보조 전극(275)의 폭은 제1 격벽(350)의 상부면의 폭보다 작을 수 있다. 따라서, 제1 격벽(350)의 양측 단부의 상부면은 보조 전극(275)에 의해 덮여 있지 않고, 노출될 수 있다. 또한, 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 하부면의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
앞선 실시예에서는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)을 형성한 후 애싱 공정을 진행할 수 있고, 본 실시예에서는 애싱 공정을 생략할 수 있다. 애싱 공정을 생략함에 따라 보조 전극(275)이 제1 및 제2 격벽(350, 352)의 측면으로부터 돌출되지 않는 형상을 가지게 된다.
도 18에 도시된 바와 같이, 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)을 형성할 수 있다. 발광층(370)은 소수성 물질을 포함할 수 있고, 이때 제1 격벽(350)은 소수성 물질을 포함하고, 보조 전극(275)은 친수성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라 발광층(370)이 보조 전극(275)의 측면 위에 남지 않고, 화소 개구부(351) 내에 안정적으로 채워질 수 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에 제2 전극(270)을 형성한다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 측면과 접할 수 있다.
다음으로, 도 20을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 20에 도시된 실시예에 따른 표시 장치는 도 9에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극이 제2 격벽의 측면보다 돌출되어 있지 않다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 20은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
보조 전극(275)은 단부가 꺾여 있는 형상을 가질 수 있으며, 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각에 대응할 수 있다. 앞선 실시예에서는 보조 전극(275)의 양측 단부는 제1 격벽(350)의 측면과 소정 간격 이격되어 있을 수 있고, 본 실시예에서 보조 전극(275)의 양측 단부는 제1 격벽(350)의 측면과 이격되지 않고, 접할 수 있다.
앞선 실시예에서는 보조 전극(275)의 폭이 제2 격벽(352)의 하부면의 폭보다 클 수 있고, 본 실시예에서는 보조 전극(275)의 폭이 제2 격벽(352)의 하부면의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 전극(270)은 발광층(370)의 상부면과 접할 수 있고, 보조 전극(275)의 양측 단부와 접할 수 있으며, 제2 격벽(352)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다. 앞선 실시예에서는 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있고, 본 실시예에서는 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 측면과 접할 수 있다. 보조 전극(275)의 상부면이 전체적으로 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있으므로, 제2 전극(270)이 보조 전극(275)의 단부의 상부면과는 접하지 않을 수 있다.
다음으로, 도 21 내지 도 23을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 21 내지 도 23은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 21에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 버퍼층(111)을 형성하고, 버퍼층(111) 위에 반도체(130), 게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 포함하는 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180)을 형성하고, 보호막(180) 위에 제1 전극(191)을 형성한다.
이어, 제1 전극(191) 및 보호막(180) 위에 제1 절연 물질층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제1 격벽(350)을 형성한다. 제1 격벽(350) 및 제1 전극(191) 위에 도전성 물질층 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하고, 이를 패터닝하여 보조 전극(275) 및 제2 격벽(352)을 형성한다.
이때, 제2 격벽(352)의 하부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭과 유사할 수 있다. 제1 격벽(350)의 경사진 측면 위에 위치하는 도전성 물질층(275a)의 부분이 일부 남을 수 있다. 따라서, 보조 전극(275)은 제1 격벽(350)의 상부면 및 측면 일부를 덮을 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부는 기판(110)을 향해 구부러진 형상을 가질 수 있다. 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각에 대응할 수 있다. 제1 격벽(350)의 상부면의 폭은 보조 전극(275)의 폭보다 조금 더 작을 수 있다.
앞선 실시예에서는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)을 형성한 후 애싱 공정을 진행할 수 있고, 본 실시예에서는 애싱 공정을 생략할 수 있다. 애싱 공정을 생략함에 따라 보조 전극(275)이 제2 격벽(352)의 측면으로부터 돌출되지 않는 형상을 가지게 된다.
도 22에 도시된 바와 같이, 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)을 형성할 수 있다. 발광층(370)은 소수성 물질을 포함할 수 있고, 이때 제1 격벽(350)은 소수성 물질을 포함하고, 보조 전극(275)은 친수성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라 발광층(370)이 보조 전극(275)의 측면 위에 남지 않고, 화소 개구부(351) 내에 안정적으로 채워질 수 있다.
도 23에 도시된 바와 같이, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에 제2 전극(270)을 형성한다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 측면과 접할 수 있다.
다음으로, 도 24를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 24에 도시된 실시예에 다른 표시 장치는 도 16에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극의 단부의 상부면이 제2 격벽에 의해 덮여 있지 않다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 24는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 24에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
앞선 실시예에서는 보조 전극(275)의 상부면이 전체적으로 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있을 수 있고, 본 실시예에서는 보조 전극(275)의 상부면의 적어도 일부가 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있지 않을 수 있다. 보조 전극(275)의 단부의 상부면은 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있지 않을 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 하부면의 폭보다 클 수 있다.
제2 전극(270)은 발광층(370)의 상부면과 접할 수 있고, 보조 전극(275)의 양측 단부와 접할 수 있으며, 제2 격벽(352)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있다.
다음으로, 도 25를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 25에 도시된 실시예에 다른 표시 장치는 도 20에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극의 단부의 상부면이 제2 격벽에 의해 덮여 있지 않다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 25에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
보조 전극(275)은 단부가 꺾여 있는 형상을 가질 수 있으며, 보조 전극(275)의 양측 단부의 경사각은 제1 격벽(350)의 측면의 경사각에 대응할 수 있다. 앞선 실시예에서는 보조 전극(275)의 상부면이 전체적으로 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있을 수 있고, 본 실시예에서는 보조 전극(275)의 상부면의 적어도 일부가 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있지 않을 수 있다. 보조 전극(275)의 단부의 상부면은 제2 격벽(352)에 의해 덮여 있지 않을 수 있다. 보조 전극(275)의 폭은 제2 격벽(352)의 하부면의 폭보다 클 수 있다.
제2 전극(270)은 발광층(370)의 상부면과 접할 수 있고, 보조 전극(275)의 양측 단부와 접할 수 있으며, 제2 격벽(352)의 상부면 및 측면을 덮을 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)의 단부의 상부면 및 측면과 접할 수 있다.
다음으로, 도 26을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 26에 도시된 실시예에 다른 표시 장치는 도 1에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 보조 전극이 공통 전압선과 연결되어 있다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더 설명한다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 26에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 및 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(191), 발광층(370), 및 제2 전극(270)을 포함할 수 있다. 제1 전극(191) 위에는 제1 격벽(350), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350)의 화소 개구부(351) 내에 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370), 보조 전극(275), 및 제2 격벽(352) 위에는 제2 전극(270)이 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 격벽(350) 아래에 위치하는 공통 전압선(271)을 더 포함할 수 있다. 공통 전압선(271)은 공통 전압을 전달할 수 있다. 공통 전압선(271)은 보조 전극(275)과 적어도 일부 중첩할 수 있다. 공통 전압선(271)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 다만 이는 하나의 예시에 불과하며, 공통 전압선(271)은 다른 층에 위치할 수도 있다. 예를 들면, 공통 전압선(271)이 게이트 전극(124)과 동일한 층에 위치할 수도 있다.
보조 전극(275)과 공통 전압선(271) 사이에는 제1 격벽(350) 및 보호막(180)이 위치할 수 있다. 제1 격벽(350) 및 보호막(180)에는 보조 전극(275) 및 공통 전압선(271)과 중첩하는 개구부(353)가 형성될 수 있다. 보조 전극(275)은 개구부(353)를 통해 공통 전압선(271)과 연결될 수 있다. 제2 전극(270)은 보조 전극(275)과 전기적으로 연결될 수 있고, 보조 전극(275)은 공통 전압선(271)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제2 전극(270)의 저항이 낮아질 수 있으며, 제2 전극(270)이 전달하는 전압의 강하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판
TFT: 트랜지스터
191: 제1 전극
270: 제2 전극
275: 보조 전극
275a: 도전성 물질층
350: 제1 격벽
350a: 제1 절연 물질층
352: 제2 격벽
352a: 제2 절연 물질층
370: 발광층
TFT: 트랜지스터
191: 제1 전극
270: 제2 전극
275: 보조 전극
275a: 도전성 물질층
350: 제1 격벽
350a: 제1 절연 물질층
352: 제2 격벽
352a: 제2 절연 물질층
370: 발광층
Claims (20)
- 기판,
상기 기판 위에 위치하는 트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극,
상기 제1 전극 위에 위치하고, 화소 개구부를 포함하는 제1 격벽,
상기 제1 격벽 위에 위치하는 보조 전극,
상기 보조 전극 위에 위치하는 제2 격벽,
상기 화소 개구부 내에 위치하는 발광층, 및
상기 발광층 및 상기 제2 격벽 위에 위치하고, 상기 보조 전극과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,
상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 어느 하나의 측면보다 돌출되어 있는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 보조 전극의 폭은 상기 제1 격벽의 상부면의 폭보다 큰 표시 장치. - 제2항에서,
상기 보조 전극의 폭은 상기 제2 격벽의 하부면의 폭보다 큰 표시 장치. - 제3항에서,
상기 제2 전극은 상기 보조 전극의 양측 단부와 접하는 표시 장치. - 제4항에서,
상기 제2 전극은 상기 발광층의 상부면, 상기 보조 전극의 양측 단부의 상부면 및 측면, 상기 제2 격벽의 상부면 및 측면을 덮는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 보조 전극의 단부는 상기 기판을 향해 구부러진 형상을 가지는 표시 장치. - 제6항에서,
상기 보조 전극의 단부의 경사각은 상기 제1 격벽의 측면의 경사각과 동일한 표시 장치. - 제6항에서,
상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽의 측면과 이격되어 있는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 어느 하나는 친수성 물질을 포함하고, 다른 하나는 소수성 물질을 포함하는 표시 장치. - 제9항에서,
상기 발광층 및 상기 제1 격벽은 소수성 물질을 포함하고,
상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽은 친수성 물질을 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제2 격벽은 광차단 물질을 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 보조 전극은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함하는 표시 장치. - 제12항에서,
상기 보조 전극은 티타늄, 산화티타늄, 질화티타늄, 알루미늄, 질화알루미늄, 몰리브덴, 산화몰리브덴, 갈륨 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 및 아연 인듐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치. - 기판 위에 트랜지스터를 형성하는 단계,
상기 트랜지스터에 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계,
상기 제1 전극 위에 서로 중첩하는 제1 격벽, 보조 전극, 및 제2 격벽을 형성하는 단계,
상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계, 및
상기 발광층 및 상기 제2 격벽 위에 상기 보조 전극과 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 보조 전극의 단부는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 어느 하나의 측면보다 돌출되어 있는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 제1 격벽, 상기 보조 전극, 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계 이후에
애싱 공정을 진행하는 단계를 더 포함하고,
상기 애싱 공정에 의해 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 폭이 줄어들게 되는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 제1 격벽, 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 위에 제1 절연 물질층, 도전성 물질층, 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하여 형성하는 단계, 및
상기 제1 절연 물질층, 상기 도전성 물질층, 및 상기 제2 절연 물질층을 패터닝하여 상기 제1 격벽, 상기 보조 전극, 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 보조 전극은 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 위치하고,
상기 보조 전극은 단면상에서 상기 기판의 상부면에 나란한 방향으로 길게 연장되어 있는 막대 형상을 가지는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 제1 격벽, 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 위에 제1 절연 물질층을 형성하고, 상기 제1 절연 물질층을 패터닝하여 상기 제1 격벽을 형성하는 단계,
상기 제1 격벽 위에 도전성 물질층 및 제2 절연 물질층을 순차적으로 적층하여 형성하는 단계, 및
상기 도전성 물질층 및 상기 제2 절연 물질층을 패터닝하여 상기 보조 전극 및 상기 제2 격벽을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 보조 전극은 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 위치하고,
상기 보조 전극의 단부는 단면상에서 상기 기판을 향해 구부러진 형상을 가지는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 제2 전극은 상기 발광층의 상부면, 상기 보조 전극의 양측 단부의 상부면 및 측면, 상기 제2 격벽의 상부면 및 측면을 덮는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 어느 하나는 친수성 물질을 포함하고, 다른 하나는 소수성 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에서,
상기 보조 전극은 저반사성 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220088277A KR20240011289A (ko) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US18/185,218 US20240023406A1 (en) | 2022-07-18 | 2023-03-16 | Display device and method for manufacturing the same |
| CN202321642559.5U CN220422359U (zh) | 2022-07-18 | 2023-06-27 | 显示装置 |
| CN202310764108.7A CN117425378A (zh) | 2022-07-18 | 2023-06-27 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220088277A KR20240011289A (ko) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240011289A true KR20240011289A (ko) | 2024-01-26 |
Family
ID=89509657
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020220088277A KR20240011289A (ko) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240023406A1 (ko) |
| KR (1) | KR20240011289A (ko) |
| CN (2) | CN220422359U (ko) |
-
2022
- 2022-07-18 KR KR1020220088277A patent/KR20240011289A/ko unknown
-
2023
- 2023-03-16 US US18/185,218 patent/US20240023406A1/en active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN220422359U (zh) | 2024-01-30 |
| CN117425378A (zh) | 2024-01-19 |
| US20240023406A1 (en) | 2024-01-18 |
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