KR20240008178A - 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 161
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름, 상기 필름은 제1 방향을 따라 서로 이격하는 제1 연결영역 및 제2 연결영역을 포함하고; 상기 필름의 상기 제1 연결영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제1 연결 패드들; 상기 필름의 상기 제2 연결영역 상에 상기 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제2 연결 패드들; 및 상기 필름의 상기 제1 면 상에서 제1 연결영역 및 제2 연결영역 사이에 배치되는 반도체 칩을 포함하되, 상기 반도체 칩은: 상기 제1 연결영역에 인접하는 제1 패드 영역 상에 배치되는 입력 패드들; 상기 제1 패드 영역 상에 배치되는 제1 출력 패드들; 및 상기 제2 연결영역에 인접하는 제2 패드 영역 상에 배치되는 제2 출력 패드들을 포함하고, 상기 제1 출력 패드들 중 적어도 하나는 상기 필름을 관통하는 제1 비아 및 제2 비아를 통해 상기 제2 연결 패드들 중 대응하는 제2 연결 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈에 관한 것이다.
최근 전자 제품의 소형화, 박형화 및 경량화 추세에 대응하기 위하여, 플렉서블(flexible) 필름 기판을 이용한 칩 온 필름(chip on film; 이하 COF) 패키지 기술이 제안된 바 있다. 상기 COF 패키지 기술은 반도체 칩이 플립 칩 본딩 방식으로 상기 기판에 직접 실장되고, 짧은 리드 배선에 의해 외부 회로에 접속될 수 있다. 이러한, COF 패키지는 셀룰러 폰 및 피디에이와 같은 휴대용 단말 장치, 랩탑 컴퓨터 또는 디스플레이 장치에 패널에 적용될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소형화된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 집적도가 향상된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름, 상기 필름은 제1 방향을 따라 서로 이격하는 제1 연결영역 및 제2 연결영역을 포함하고; 상기 필름의 상기 제1 연결영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제1 연결 패드들; 상기 필름의 상기 제2 연결영역 상에 상기 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제2 연결 패드들; 및 상기 필름의 상기 제1 면 상에서 제1 연결영역 및 제2 연결영역 사이에 배치되는 반도체 칩을 포함하되, 상기 반도체 칩은: 상기 제1 연결영역에 인접하는 제1 패드 영역 상에 배치되는 입력 패드들; 상기 제1 패드 영역 상에 배치되는 제1 출력 패드들; 및 상기 제2 연결영역에 인접하는 제2 패드 영역 상에 배치되는 제2 출력 패드들을 포함하고, 상기 제1 출력 패드들 중 적어도 하나는 상기 필름을 관통하는 제1 비아 및 제2 비아를 통해 상기 제2 연결 패드들 중 대응하는 제2 연결 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름 기판; 상기 필름 기판은: 상기 제1 면 상에서 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 연결 패드들; 및 상기 제1 연결 패드들과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격하는 제2 연결 패드들을 포함하고, 상기 제1 면 상에서 상기 제1 연결 패드들 및 상기 제2 연결 패드들 사이에 제공되는 반도체 칩; 상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 및 상기 제2 연결 패드들을 연결하는 배선들; 상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아들; 및 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제2 비아들을 포함하되, 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들은 상기 제1 비아들 및 상기 제2 비아들을 통해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 모듈은 회로 기판; 상기 회로 기판과 제1 방향으로 이격하는 표시 소자; 및 상기 회로 기판 및 상기 표시 소자 사이에 제공되고 상기 회로 기판 및 상기 표시 소자와 전기적으로 연결되는 필름 패키지를 포함하되, 상기 필름 패키지는:
서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름 기판;
상기 필름 기판의 제1 면 상에 실장되는 반도체 칩, 상기 반도체 칩은 상기 회로 기판과 인접한 제1 패드 영역 및 상기 표시 소자와 인접한 제2 패드 영역을 포함하고;
상기 필름 기판의 제1 면 상에서 상기 반도체 칩과 상기 회로 기판 사이에 제공되는 제1 연결 패드들; 상기 필름 기판의 제1 면 상에서 상기 반도체 칩과 상기 표시 소자 사이에 제공되는 제2 연결 패드들;
상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 및 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들을 연결하는 배선들; 상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아들; 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제2 비아들; 상기 제1 패드 영역에 제공되는 제1 출력 패드들;
상기 제2 패드 영역에 제공되는 제2 출력 패드들; 및 상기 필름 기판의 상기 제2 면 상에서 상기 제1 비아들 및 상기 제2 비아들을 연결하는 하부 배선들을 포함하고, 상기 제1 출력 패드들 중 적어도 하나는 상기 하부 배선들 중 대응하는 하부 배선을 통해 상기 제2 연결 패드들 중 대응하는 제2 연결 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지는 반도체 칩의 출력 패드들을 표시 장치와 연결되는 연결 패드들과 연결할 때, 배선들을 필름 기판의 상면뿐만 아니라 하면에도 배치할 수 있다. 따라서 반도체 칩의 출력 패드들의 개수가 늘어도 필름 기판의 크기를 유지하거나 축소할 수 있다. 따라서 소형화되고 집적도가 향상된 반도체 패키지가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 1의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 A-A'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 B-B'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 C-C'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 칩 패드들의 배치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 8의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 11는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 10의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 12은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 12의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 패키지 모듈을 도시한 평면도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 패키지 모듈을 설명하기 위한 단면도로, 도 14의 D-D'을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 1의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 A-A'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 B-B'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 C-C'선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 칩 패드들의 배치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 8의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 11는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 10의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 12은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 12의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 패키지 모듈을 도시한 평면도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 패키지 모듈을 설명하기 위한 단면도로, 도 14의 D-D'을 따라 자른 단면에 해당한다.
본 명세서에서, 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 본 명세서에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상에 있다는 것은 상기 어떤 구성 요소가 상기 다른 구성 요소의 상면, 하면, 및 측면 중에서 적어도 하나의 면 상에 있다는 것을 의미할 수 있다. 본 발명의 개념에 따른 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 1의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다. 도 3은 도 1의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 A-A'선을 따라 자른 단면에 해당한다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 B-B'선을 따라 자른 단면에 해당한다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 C-C'선을 따라 자른 단면에 해당한다. 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 칩 패드들의 배치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 패키지(1)는 필름 기판(100), 반도체 칩(200), 제1 연결 패드들(310), 제2 연결 패드들(320), 배선들(410, 420, 450) 및 비아들(412, 414)을 포함할 수 있다.
필름 기판(100)이 제공될 수 있다. 필름 기판(100)은 반도체 칩(200), 제1 연결 패드들(310), 제2 연결 패드들(320), 배선들(410, 420, 430) 및 비아들(412, 414)이 제공되는 베이스 필름일 수 있다. 필름 기판(100)은 필름 기판(100)의 상면과 평행한 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 필름 기판(100)은 고분자 물질, 예를 들면, 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 필름 기판(100)은 플렉서블(flexible)할 수 있다.
필름 기판(100)은 서로 대향하는 제1 면(100U) 및 제2 면(100D)을 가질 수 있다. 필름 기판(100)의 제1 면(100U)은 상면일 수 있고, 제2 면(100D)은 하면일 수 있다. 필름 기판(100)의 제1 단부(100a)는 필름 기판(100)의 제1 방향(D1)의 단부일 수 있고, 필름 기판(100)의 제2 단부(100b)는 필름 기판(100)의 제1 방향(D1)의 반대 방향의 단부일 수 있다. 필름 기판(100)은 제1 연결 영역(CR1), 제2 연결 영역(CR2), 및 실장 영역(MR)을 가질 수 있다. 평면적 관점에서 제1 연결 영역(CR1), 실장 영역(MR) 및 제2 연결 영역(CR2)은 제1 방향(D1)을 따라 정렬될 수 있다. 제1 연결 영역(CR1), 실장 영역(MR) 및 제2 연결 영역(CR2)은 서로 중첩되지 않을 수 있다. 실장 영역(MR)은 제1 연결 영역(CR1) 및 제2 연결 영역(CR2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 연결 영역(CR1) 및 제2 연결 영역(CR2)은 필름 기판(100)의 양단, 즉, 엣지(edge)에 연결될 수 있다. 제1 연결 영역(CR1)은 필름 기판(100)의 제1 단부(100a)에 연결될 수 있다. 제2 연결 영역(CR2)은 필름 기판(100)의 제2 단부(100b)에 연결될 수 있다. 제1 연결 영역(CR1)과 제2 연결 영역(CR2)은 실장 영역(MR)을 사이에 두고 제1 방향(D1)을 따라 이격될 수 있다. 제1 방향(D1)에 따른 실장 영역(MR)의 폭은 제1 방향(D1)에 따른 제1 연결 영역(CR1) 및 제2 연결 영역(CR2)의 폭들보다 클 수 있다.
반도체 칩(200)이 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제공될 수 있다. 반도체 칩(200)은 실장 영역(MR) 내에 제공될 수 있다. 반도체 칩(200)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U)에 페이스 다운(face down) 방식으로 배치될 수 있다. 일 예로, 반도체 칩(200)의 활성면(active surface)이 필름 기판(100)의 제1 면(100U)을 향할 수 있다. 반도체 칩은 디스플레이 구동칩(DDI, Display Driver IC)일 수 있다.
도 7을 참조하면, 반도체 칩(200)은 하면(200D) 상에 제1 패드 영역(PR1) 및 제2 패드 영역(PR2)을 포함할 수 있다. 제1 패드 영역(PR1) 및 제2 패드 영역(PR2)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제1 패드 영역(PR1) 및 제2 패드 영역(PR2)은 반도체 칩(200)의 하면(200D)의 양단, 즉 엣지(edge)에 제공될 수 있다. 제1 패드 영역(PR1)은 제2 패드 영역(PR2)보다 제1 연결 영역(CR1)에 인접할 수 있다. 제2 패드 영역(PR2)은 제1 패드 영역(PR1)보다 제2 연결 영역(CR2)에 인접할 수 있다.
제1 패드 영역(PR1)은 출력 패드 영역들(OP) 및 입력 패드 영역(IP)을 포함할 수 있다. 출력 패드 영역들(OP)은 입력 패드 영역(IP)의 양 측에 배치되어 연결될 수 있다. 출력 패드 영역들(OP) 및 입력 패드 영역(IP)은 제2 방향(D2)을 따라 정렬될 수 있다. 출력 패드 영역들(OP) 및 입력 패드 영역(IP)은 평면적 관점에서 서로 중첩되지 않을 수 있다. 출력 패드 영역들(OP)은 입력 패드 영역(IP)을 사이에 두고 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다.
입력 패드들(250)이 입력 패드 영역(IP) 내에 제공될 수 있다. 입력 패드들(250)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다. 제1 출력 패드들(210)이 출력 패드 영역들(OP) 내에 제공될 수 있다. 제1 출력 패드들(210)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다. 제2 출력 패드들(220)이 제2 패드 영역(PR2) 내에 제공될 수 있다. 제2 출력 패드들(220)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다. 입력 패드들(250), 제1 출력 패드들(210) 및 제2 출력 패드들(220)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 입력 패드들(250)은 반도체 칩(200)의 집적회로와 연결되어 입력 신호를 전달할 수 있다. 제1 출력 패드들(210 및 제2 출력 패드들(220)은 반도체 칩(200)의 집적회로와 연결되어 출력 신호를 전달할 수 있다.
도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제1 연결 패드들(310) 및 제2 연결 패드들(320)이 제공될 수 있다. 제1 연결 패드들(310)은 제1 연결 영역(CR1)내에 배치될 수 있다. 제1 연결 패드들(310)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다. 제2 연결 패드들(320)은 제2 연결 영역(CR2) 내에 배치될 수 있다. 제2 연결 패드들(320)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다. 제1 연결 패드들(310)과 제2 연결 패드들(320)은 반도체 칩(200)을 사이에 두고 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제1 연결 패드들(310) 및 제2 연결 패드들(320)은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 필름 기판(100)을 관통하는 비아들(412, 414)이 실장 영역(MR)내에 제공될 수 있다. 비아들(412, 414)은 제1 비아들(412) 및 제2 비아들(414)을 포함할 수 있다. 제1 비아들(412)은 제1 출력 패드들(210)로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 비아들(412)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제1 비아들(412) 사이의 간격은 각각 85μm 이상일 수 있다. 제2 비아들(414)은 제2 연결 패드들(320)로부터 제1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제2 비아들(414)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제1 비아들(412) 및 제2 비아들(414)의 일부들은 필름 기판(100)을 관통하여 노출될 수 있다. 제2 비아들(414) 사이의 간격은 각각 85μm 이상일 수 있다. 일 예로, 비아들(412, 414)의 지름은 23 μm일 수 있다. 비아들(412, 414)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 비아들(412, 414)은 구리를 포함할 수 있다.
필름 기판(100) 상에 배선들(410, 420, 450)이 제공될 수 있다. 배선들(410, 420, 450)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 및/또는 제2 면(100D) 상에 배치될 수 있다. 배선들(410, 420, 450)은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
배선들(410, 420, 450)은 제1 배선들(450), 제2 배선들(410) 및 제3 배선들(420)을 포함할 수 있다. 제1 배선들(450)은 필름 기판(100)의 제 1면(100U) 상에 제공될 수 있다. 제1 배선들(450)은 반도체 칩(200)과 제1 연결 패드들(310)을 연결할 수 있다. 제1 배선들(450)은 입력 패드들(250)과 제1 연결 패드들(310)을 연결할 수 있다. 제1 배선들(450)은 입력 패드들(250)로부터 제1 방향(D1)을 따라 제1 연결 영역(CR1)으로 연장될 수 있다. 제1 배선들(450)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제1 배선들(450)은 제1 연결 영역(CR1)으로 연장되어 제1 연결 패드들(310)과 연결될 수 있다. 제1 배선들(450) 간의 간격은 반도체 칩(200)으로부터 제1 연결 영역(CR1)을 향할수록 커질 수 있다. 제1 배선들(450) 각각은 입력 패드들(250) 중 하나와 제1 연결 패드들(310) 중 대응하는 제1 연결 패드(310b)를 연결할 수 있다. 제1 연결 패드(310b)는 대응하는 입력 패드(250)와 대응하는 제1 배선(450)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 제2 배선들(410)은 반도체 칩(200)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제2 배선들(410)은 제1 출력 패드들(210)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제2 배선들(410)은 제1 서브 배선들(411), 제2 서브 배선들(413) 및 제3 서브 배선들(415)을 포함할 수 있다. 제1 서브 배선들(411)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 배선들(411)은 제1 출력 패드들(210)로부터 제1 방향(D1)을 따라 제1 비아들(412)까지 연장될 수 있다. 제1 서브 배선들(411)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 일 예로, 제1 서브 배선들(411) 간의 간격은 균일하게 제공될 수 있다.
제2 서브 배선들(413)은 필름 기판(100)의 제2 면(100D) 상에 배치될 수 있다. 제2 서브 배선들(413)은 제1 비아들(412)로부터 제2 비아들(414)까지 연장될 수 있다. 제2 서브 배선들(413)은 제1 비아들(412)과 제2 비아들(414)을 연결할 수 있다. 제2 서브 배선들(414)들은 서로 이격될 수 있다. 일 예로, 제2 서브 배선들(414) 간의 간격은 균일하게 제공될 수 있다. 제2 서브 배선들(413) 각각의 적어도 일부는 평면적 관점에서 반도체 칩(200)과 중첩될 수 있다. 즉, 제2 서브 배선들(413) 각각의 적어도 일부는 반도체 칩(200)이 실장된 필름 기판(100)의 제 1면(100U)에 대응하는 제2면(100D) 상에 배치될 수 있다. 제2 서브 배선들(413)은 하부 배선들로 지칭될 수 있다.
제3 서브 배선들(415)은 필름 기판(100)의 제1 면 (100U) 상에 배치될 수 있다. 제3 서브 배선들(410)은 제2 비아들(414)로부터 제2 연결 패드들(320)까지 제1 방향(D1)의 반대 방향을 따라 연장될 수 있다. 제3 서브 배선들(415)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 일 예로, 제3 서브 배선들(415)의 간격은 균일하게 제공될 수 있다. 제2 배선들(410) 각각은 제1 출력 패드들(210) 중 하나와 제2 연결 패드들(320) 중 대응하는 제1 연결 패드(320b)를 연결할 수 있다. 제2 연결 패드(320b)는 대응하는 제1 출력 패드(210)와 대응하는 제2 배선(410)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제2 연결 패드(320b)는 대응하는 제1 출력 패드(210)와 제1 서브 배선들(411) 중 대응하는 제1 서브 배선(411), 제1 비아들(412) 중 대응하는 제1 비아(412), 제2 서브 배선들(413) 중 대응하는 제2 서브 배선(413), 제2 비아들(414) 중 대응하는 제2 비아(414) 및 제3 서브 배선들(415) 중 대응하는 제3 서브 배선(415)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 배선들(420)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제공될 수 있다. 제1 배선들(450)은 반도체 칩(200)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제3 배선들(420)은 제2 출력 패드들(220)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제3 배선들(420)은 제2 출력 패드들(220)로부터 제1 방향(D1)의 반대 방향을 따라 제2 연결 영역(CR2)으로 연장될 수 있다. 제3 배선들(420)은 서로 이격될 수 있다. 제3 배선들(420) 간의 간격은 반도체 칩(200)으로부터 제2 연결 영역(CR2)로 향할수록 커질 수 있다. 제3 배선들(420) 각각은 제2 출력 패드들(220) 중 하나와 제2 연결 패드들(320) 중 대응하는 제2 연결 패드(320c)를 연결할 수 있다. 제2 연결 패드(320c)는 대응하는 제2 출력패드와 대응하는 제3 배선(420)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 배선들(410, 420, 450)은 굴곡질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 연결 패드들(310) 및 제2 연결 패드들(320)의 배치, 반도체 칩(200)의 크기 및 반도체 칩(200)의 입력 패드들(250) 및 제1, 제2 출력 패드들(210, 220)의 배치에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나, 보호막이 배선들(410, 420, 450) 상에 제공될 수 있다. 상기 보호막은 배선들(410, 420, 450)을 덮어 배선들(410, 420, 450)을 보호할 수 있다. 상기 보호막은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막은 솔더 레지스트(solder resist) 물질을 포함할 수 있다.
반도체 패키지(1)는 제4 배선들(430)을 더 포함할 수 있다. 제4 배선들(430)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제공될 수 있다. 제4 배선들(430)은 제1 연결 패드들(310)과 제2 연결 패드들(320)을 각각 연결할 수 있다. 제4 배선들(430)은 제2 연결 패드들(320)로부터 제1 방향(D1)을 따라 제1 연결 영역(CR1)으로 연장될 수 있다. 제4 배선들(430)은 서로 이격될 수 있다. 제4 배선들(430)은 제1 연결 영역(CR1)으로 연장되어 제1 연결 패드들(310)에 연결될 수 있다. 제4 배선들(430) 각각은 제1 연결 패드들(310) 중 하나(310a)와 제2 연결 패드들(320) 중 대응하는 제2 연결 패드(320a)를 직접 연결할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 반도체 칩(200)은 필름 기판(100) 상에, 그리고 제1 배선들(450), 제2 배선들(410), 및 제3 배선들(420) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 평면적 관점에서 제1 배선들(450)의 일부, 제2 배선들(410)의 일부, 및 제3 배선들(420)의 일부는 반도체 칩(200)과 중첩될 수 있다. 제1 배선들(450)의 상기 일부, 제2 배선들(410)의 상기 일부, 및 제3 배선들(420)의 상기 일부는 반도체 칩(200)의 아래로 연장될 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 배선들(450)의 상기 일부는 입력 패드들(250)과 수직으로 중첩될 수 있고, 제2 배선들(410)의 상기 일부는 제1 출력 패드들(210)과 수직으로 중첩될 수 있으며, 제3 배선들(420)의 상기 일부는 제2 출력 패드들(220)과 수직으로 중첩될 수 있다. 칩 단자들(230)이 제1 배선들(450)의 상기 일부와 입력 패드들(250) 사이, 제2 배선들(410)의 상기 일부와 제1 출력 패드들(210) 사이, 및 제3 배선들(420)의 상기 일부와 제2 출력 패드들(220) 사이에 제공될 수 있다. 반도체 칩(200)은 칩 단자들(230)을 통해 제1 배선들(450), 제2 배선들(410), 및 제3 배선들(420)과 전기적으로 연결될 수 있다. 칩 단자들(230)은 솔더(solder), 필라(pillar) 및 범프(bump) 중에서 적어도 하나일 수 있다. 칩 단자들(230)은 금속을 포함할 수 있다.
언더필 막(240)이 필름 기판(100)과 반도체 칩(200) 사이의 갭에 형성되어, 상기 갭을 채울 수 있다. 언더필 막(240)은 칩 단자들(230)을 밀봉할 수 있다. 언더필 막(240)은 제1 배선들(450), 제2 배선들(410), 및 제3 배선들(420)의 일부를 덮을 수 있다. 언더필 막(240)은 에폭시계 폴리머와 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 제1 연결 패드들(310)과 제1 출력 패드들(210)은 제1 방향(D1)을 따라 제1 폭(W1)만큼 이격할 수 있다. 출력 패드 영역들(OP)은 각각 제2 방향(D2)을 따른 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 일 예로, 제1 폭(W1)은 제2 폭(W2)보다 같거나 작을 수 있다. 제1 출력 패드들(210) 및 제2 연결 패드들(320)이 제1 비아들(412), 제2 비아들(414), 및 필름 기판(100)의 제2 면(100D) 상의 제2 서브 배선들(413)을 통해 서로 연결됨에 따라, 제1 출력 패드들(210) 및 제2 연결 패드들(320)이 제1 면(100U)상의 배선들을 통해 연결될 때보다, 제1 폭(W1)이 감소될 수 있다. 즉, 비아들(412, 414)을 이용하면, 제1 연결 패드들(310) 쪽에 배치된 제1 출력 패드들(210)을 제2 연결 패드들(320)과 연결할 때 제2 배선들(410)이 필름 기판(100)의 제1 면(100U)상에서 배치되는 면적이 줄어들 수 있어 필름 기판(100)의 면적을 축소할 수 있다. 이에 따라, 반도체 패키지의 소형화가 이루어져 집적도가 향상될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다. 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 8의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다. 설명의 편의를 위하여 앞서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다. 위에서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 반도체 칩(200)은 제3 출력 패드들(215)을 더 포함할 수 있다. 제3 출력 패드들(215)은 출력 패드 영역들(PR) 내에 제공될 수 있다. 제3 출력 패드들(215)은 제1 출력 패드들(210)과 제2 방향(D2)을 따라 이격될 수 있다. 제3 출력 패드들(215)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제3 출력 패드들(215)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제3 출력 패드들(215)은 반도체 칩(200)의 집적회로와 연결되어 출력 신호를 전달할 수 있다.
필름 기판(100)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제5 배선들(425)을 더 포함할 수 있다. 제5 배선들(425)은 반도체 칩(200)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제5 배선들(425)은 제3 출력 패드들(215)과 제2 연결 패드들(320)을 연결할 수 있다. 제5 배선들(425)은 제2 연결 패드들(320)로부터 제1 방향(D1)을 따라 연장되어 제3 출력 패드들(215)과 연결될 수 있다. 제5 배선들(425) 각각은 제3 출력 패드들(215) 중 하나와 제 2 연결 패드들(320) 중 대응하는 제2 연결 패드(320d)를 연결할 수 있다. 제2 연결 패드(320d)는 대응하는 제3 출력 패드(320)와 제5 배선(425)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다. 도 11는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 10의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다. 설명의 편의를 위하여 앞서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다. 위에서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 반도체 칩(200)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수의 반도체 칩(200)은 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U)상에서 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제2 반도체 칩(200B)은 제1 반도체 칩(200A)에서 제1 방향(D1)의 반대방향을 따라 이격될 수 있다. 일 예로, 제2 반도체 칩(200B)은 제1 반도체 칩(200A)과 제2 연결 영역(CR2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 반도체 칩(200B)은 제2 입력 패드들(255)을 포함할 수 있다. 제2 입력 패드들(255)은 입력 패드들(250)과 실질적으로 동일할 수 있다.
필름 기판(100)은 필름 기판(100) 상에 입력 배선들(460)을 더 포함할 수 있다. 입력 배선들(460)은 반도체 칩(200)과 제1 연결 패드들(310)을 연결할 수 있다. 입력 배선들(460)은 제2 입력 패드들(255)과 제1 연결 패드들(310)을 연결할 수 있다. 입력 배선들(460) 각각은 제2 입력 패드들(255) 중 하나와 제1 연결 패드들(310) 중 대응하는 제1 연결 패드(310c)를 연결할 수 있다. 필름 기판(100)은 필름 기판(100)을 관통하는 제3 비아들(462) 및 제4 비아들(464)을 더 포함할 수 있다. 제3 비아들(462)은 제1 연결 패드들(310c)과 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 이격하여 배치될 수 있다. 일 예로, 제3 비아들(462)은 제1 연결 패드들(310c)과 제1 반도체 칩(200A) 사이에 배치될 수 있다. 제4 비아들(464)은 제2 입력 패드들(255)로부터 제1 방향(D1)을 따라 이격하여 배치될 수 있다. 제4 비아들(464)은 일 예로, 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B) 사이에 배치될 수 있다. 제3 비아들(462) 및 제4 비아들(464)은 비아들(412, 414)과 실질적으로 동일할 수 있다.
입력 배선들(460)은 제1 입력 배선들(461), 제2 입력 배선들(463), 및 제3 입력 배선들(465)을 포함할 수 있다. 제1 입력 배선들(461)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제공될 수 있다. 제1 입력 배선들(461)은 제1 연결 패드들(310c)로부터 제1 방향(D1)의 반대 방향에 따라 연장되어 제3 비아들(462)에 연결될 수 있다. 제1 입력 배선들(461)은 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다.
제2 입력 배선들(463)은 필름 기판(100)의 제2 면(100D) 상에 제공될 수 있다. 제2 입력 배선들(463)은 제3 비아들(462)로부터 제4 비아들(464)까지 연장될 수 있다. 제2 입력 배선들(463)은 제3 비아들(462)과 제4 비아들(464)을 연결할 수 있다. 제2 입력 배선들(463)은 서로 이격될 수 있다. 제2 입력 배선들(463) 각각의 적어도 일부는 평면적 관점에서 제1 반도체 칩(200A)과 중첩될 수 있다. 제2 입력 배선들(463)은 서로 이격될 수 있다.
제3 입력 배선들(465)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 배치될 수 있다. 제3 입력 배선들(465)은 제4 비아들(464)로부터 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 연장되어 제2 입력 패드들(255)에 연결될 수 있다. 제3 입력 배선들(465)은 서로 이격될 수 있다.
제1 연결 패드들 중 하나(310c)는 제1 입력 배선들(461) 중 대응하는 제1 입력 배선(461), 제3 비아들(462) 중 대응 하는 제3 비아(462), 제2 입력 배선들(463) 중 대응하는 제2 입력 배선(463), 제4 비아들(464) 중 대응하는 제4 비아(464), 및 제3 입력 배선들(465) 중 대응하는 제3 입력 배선(4650을 통해 반도체 칩(200B)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도시되지 않았으나, 반도체 칩들(200)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 제공되는 배선에 의해 제2 연결 패드들(320)과 연결되는 제3 출력 패드들을 더 포함할 수 있다.
도 12은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃이다. 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 배면도로, 도 12의 반도체 패키지의 하면을 나타낸 레이아웃이다. 설명의 편의를 위하여 앞서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다. 위에서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 반도체 칩(200)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수의 반도체 칩(200)은 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B)은 필름 기판(100)의 제1 면(100U)상에서 제2 방향(D1)을 따라 서로 이격될 수 있다. 제2 반도체 칩(200B)은 제1 반도체 칩(200A)에서 제2 방향(D1)을 따라 이격될 수 있다. 제1 반도체 칩(200A)과 제2 반도체 칩(200B)은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 반도체 칩(200)과 실질적으로 동일 할 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 패키지 모듈을 도시한 평면도이다. 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 패키지 모듈을 설명하기 위한 단면도로, 도 14의 D-D'을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 패키지 모듈(1000)은 반도체 패키지(1), 회로 기판(20) 및 표시 소자(30)를 포함할 수 있다. 패키지 모듈(1000)은 표시 장치 어셈블리 일 수 있다. 이 때, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 반도체 패키지(10)를 사용하여, 패키지 모듈(1000)이 제조될 수 있다. 반도체 패키지(1)는 필름 패키지로 지칭될 수 있다. 도 1을 다시 참조하면, 회로 기판(20)이 반도체 패키지(1)의 필름 기판(100)의 제1 단부(100a)에 실장될 수 있다. 도 15와 같이, 필름 기판(100)은 플렉서블(flexible)하여 휘어질 수 있다. 예를 들어 반도체 칩(200)이 제공되는 필름 기판(100)의 제1 면(100U)의 일부는 제1 면(100U)의 다른 일부와 마주볼 수 있다.
회로 기판(20)이 필름 기판(100)의 제1 면(100U) 상에 배치될 수 있다. 회로 기판(20)은 필름 기판(100)의 제1 단부(100a)에 인접할 수 있다. 일 예로, 인쇄회로기판(PCB) 또는 연성 인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)이 회로 기판(20)으로 사용될 수 있다. 도 1을 참조하여 설명한 보호막은 제1 연결 패드들(310)을 노출시킬 수 있다. 입력 연결부들(710)이 제1 연결 패드들(310)과 회로 기판(20)의 패드들(21) 사이에 제공될 수 있다. 입력 연결부들(710)은 이방성 도전 필름(ACF)을 포함할 수 있다. 또는, 입력 연결부들(710)은 솔더 볼(solder ball) 또는 솔더 범프(solder bump)을 포함할 수 있다. 도 15와 같이, 회로 기판(20)은 입력 연결부들(710)에 의해 제1 연결 패드들(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 기판(20)은 제1 연결 패드들(310) 및 제1 배선들(450)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 소자(30)는 필름 기판(100)의 상부면(100u) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자(30)는 필름 기판(100)의 제2 단부(100b)에 인접할 수 있다. 표시 소자(30)는 적층된 표시 기판(31), 표시 패널(32), 및 보호부(33)를 포함할 수 있다. 출력 연결부들(720)이 표시 기판(31)과 제2 연결 패드들(320) 사이에 제공될 수 있다. 출력 연결부들(720)은 이방성 도전 필름일 수 있다. 또는, 출력 연결부들(720)은 솔더 볼(solder ball) 또는 솔더 범프(solder bump)을 포함할 수 있다. 도 15와 같이, 표시 기판(31)은 출력 연결부들(720)에 의해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 소자(30)는 제2 연결 패드들(320), 제2 배선들(410) 및 제3 배선들(420)을 통해 반도체 칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 칩(200)은 제1 배선들(450)을 통해 회로 기판(20)으로부터 신호를 공급받을 수 있다. 반도체 칩(200)은 구동 집적 회로들(예를 들어, 게이트 구동 집적 회로 및/또는 데이터 구동 집적 회로)을 포함하며, 구동 신호(예를 들어, 게이트 구동신호 및/또는 데이터 구동신호)를 발생시킬 수 있다. 반도체 칩(200)에서 발생한 상기 구동 신호는 제2 배선들(410) 및 제3 배선들(420)을 통해 표시 기판(31)의 게이트 라인 및/또는 데이터 라인에 공급될 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(32)이 구동할 수 있다. 실시예들에 따르면, 반도체 칩(200)은 복수로 제공될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (10)
- 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름, 상기 필름은 제1 방향을 따라 서로 이격하는 제1 연결영역 및 제2 연결영역을 포함하고;
상기 필름의 상기 제1 연결영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제1 연결 패드들;
상기 필름의 상기 제2 연결영역 상에 상기 제2 방향을 따라 서로 이격하여 배치되는 제2 연결 패드들; 및
상기 필름의 상기 제1 면 상에서 제1 연결영역 및 제2 연결영역 사이에 배치되는 반도체 칩을 포함하되,
상기 반도체 칩은:
상기 제1 연결영역에 인접하는 제1 패드 영역 상에 배치되는 입력 패드들;
상기 제1 패드 영역 상에 배치되는 제1 출력 패드들; 및
상기 제2 연결영역에 인접하는 제2 패드 영역 상에 배치되는 제2 출력 패드들을 포함하고,
상기 제1 출력 패드들 중 적어도 하나는 상기 필름을 관통하는 제1 비아 및 제2 비아를 통해 상기 제2 연결 패드들 중 대응하는 제2 연결 패드와 전기적으로 연결되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
배선들을 더 포함하되,
상기 배선들은:
상기 입력 패드들과 상기 제1 연결 패드들을 연결하는 제1 배선들;
상기 제1 출력 패드들과 상기 제2 연결 패드들을 연결하는 제2 배선들; 및
상기 제2 출력 패드들과 상기 제2 연결 패드들을 연결하는 제3 배선들을 포함하고,
상기 제2 배선들 중 적어도 하나는 상기 필름의 상기 제2면 상에서 상기 제1 비아 및 상기 제2 비아를 전기적으로 연결하는 반도체 패키지. - 제 2항에 있어서,
상기 제2 배선들 중 상기 적어도 하나는:
상기 제1 출력 패드들 중 상기 적어도 하나와 상기 제1 비아를 연결하는 제1 서브 배선;
상기 제1 비아와 상기 제2 비아를 연결하는 제2 서브 배선; 및
상기 제2 비아와 상기 대응하는 제2 연결 패드를 연결하는 제3 서브 배선을 포함하되,
상기 제1 서브 배선 및 상기 제3 서브 배선은 상기 필름의 상기 제1 면 상에 배치되고,
상기 제2 서브 배선은 상기 필름의 상기 제2 면 상에 배치되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 패드 영역은 출력 패드 영역들 및 입력 패드 영역을 포함하되,
상기 출력 패드 영역들은 상기 입력 패드 영역의 양 측에 배치되고,
상기 제1 출력 패드들은 상기 출력 패드 영역 상에 배치되고,
상기 입력 패드들은 상기 입력 패드 영역 상에 배치되는 반도체 패키지. - 제 4항에 있어서,
상기 제1 연결 패드들과 상기 제1 출력 패드들은 상기 제1 방향을 따라 제1 폭 만큼 이격되고,
상기 출력 패드 영역들은 각각은 상기 제2 방향에 따른 제2 폭을 가지되,
상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 작거나 같은 반도체 패키지. - 제 2항에 있어서,
상기 제1 배선들 및 상기 제3 배선들은 상기 필름의 상기 제1 면 상에 배치되는 반도체 패키지. - 제 2항에 있어서,
상기 배선들은 상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 및 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들을 전기적으로 연결하는 반도체 패키지. - 회로 기판;
상기 회로 기판과 제1 방향으로 이격하는 표시 소자; 및
상기 회로 기판 및 상기 표시 소자 사이에 제공되고 상기 회로 기판 및 상기 표시 소자와 전기적으로 연결되는 필름 패키지를 포함하되,
상기 필름 패키지는:
서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 필름 기판;
상기 필름 기판의 제1 면 상에 실장되는 반도체 칩, 상기 반도체 칩은 상기 회로 기판과 인접한 제1 패드 영역 및 상기 표시 소자와 인접한 제2 패드 영역을 포함하고;
상기 필름 기판의 제1 면 상에서 상기 반도체 칩과 상기 회로 기판 사이에 제공되는 제1 연결 패드들;
상기 필름 기판의 제1 면 상에서 상기 반도체 칩과 상기 표시 소자 사이에 제공되는 제2 연결 패드들;
상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 및 상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들을 연결하는 배선들;
상기 반도체 칩과 상기 제1 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아들;
상기 반도체 칩과 상기 제2 연결 패드들 사이에 제공되고 상기 필름 기판을 관통하는 제2 비아들;
상기 제1 패드 영역에 제공되는 제1 출력 패드들;
상기 제2 패드 영역에 제공되는 제2 출력 패드들; 및
상기 필름 기판의 상기 제2 면 상에서 상기 제1 비아들 및 상기 제2 비아들을 연결하는 하부 배선들을 포함하고,
상기 제1 출력 패드들 중 적어도 하나는 상기 하부 배선들 중 대응하는 하부 배선을 통해 상기 제2 연결 패드들 중 대응하는 제2 연결 패드와 전기적으로 연결되는 반도체 모듈 - 제 8항에 있어서,
상기 제1 연결 패드들을 통해 상기 반도체 칩과 상기 회로 기판이 전기적으로 연결되고,
상기 제2 연결 패드들을 통해 상기 반도체 칩과 상기 표시 소자가 전기적으로 연결되는 반도체 모듈. - 제 8항에 있어서,
상기 제1 패드 영역은 출력 패드 영역들 및 입력 패드 영역을 포함하되,
상기 출력 패드 영역들은 상기 입력 패드 영역의 양 측에 배치되고,
상기 제1 출력 패드들은 상기 출력 패드 영역 상에 배치되고,
상기 제1 연결 패드들과 상기 제1 출력 패드들은 상기 제1 방향을 따라 제1 폭 만큼 이격되고,
상기 출력 패드 영역들은 각각은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 따른 제2 폭을 가지되,
상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 작거나 같은 반도체 패키지.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020220085242A KR20240008178A (ko) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈 |
US18/124,118 US20240014221A1 (en) | 2022-07-11 | 2023-03-21 | Semiconductor package and package module including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020220085242A KR20240008178A (ko) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈 |
Publications (1)
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KR20240008178A true KR20240008178A (ko) | 2024-01-18 |
Family
ID=89430758
Family Applications (1)
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Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US20240014221A1 (ko) |
KR (1) | KR20240008178A (ko) |
-
2022
- 2022-07-11 KR KR1020220085242A patent/KR20240008178A/ko unknown
-
2023
- 2023-03-21 US US18/124,118 patent/US20240014221A1/en active Pending
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