KR20240000904A - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 Download PDF

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김수성
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 실란 공중합체를 포함하고, 상기 실란 공중합체는 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성이 향상되어 무기 충전제의 충진율을 증가시킴으로써 저유전 특성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 무기 충전제의 계면 접착력 향상으로 열팽창율이 감소할 수 있다.

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 {Epoxy Resin Composition for Encapsulating Semiconductor Device and Semiconductor Device Encapsulated Using the Same}
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성이 향상되어 무기 충전제의 충진율을 증가시킴으로써 저유전 특성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 무기 충전제의 계면 접착력 향상으로 열팽창율이 감소할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 패키징이란 반도체 칩이 전기전자 부품으로 작동할 수 있도록 실장하는 기술로서, 반도체 소자에 필요한 전력을 공급하고, 반도체 소자 간의 신호를 연결하고, 반도체 소자에서 발생하는 열을 방출시키고, 자연적, 화학적, 열적 환경 변화로부터 소자를 보호하는 역할을 한다.
최근 통신 정보량의 급증에 따라 전기 통신기기의 소형화, 경량화, 고속화가 진행되고 있어, 이에 대응할 수 있는 저유전율 및 저유전정접을 나타내는 재료가 요구되고 있다.
종래 반도체 밀봉재의 경우, 통상 3.5 내지 4.5의 높은 유전율을 갖는 에폭시 수지를 사용하여 제조되기 때문에 밀봉재의 유전율 및 손실값(dissipation factor)이 높은 문제점이 있었다.
반도체 밀봉재의 유전특성은 보통 무기 충전제의 함량에 의존하며 낮은 유전특성을 위해서는 고함량의 무기 충전제 첨가가 필수적이다.
그러나, 무기 충전제와 에폭시 수지의 낮은 혼화성으로 인하여 무기 충전제의 충진율을 90 중량% 이상으로 높이는데는 한계가 있었다.
대한민국 공개특허 제10-2021-0001372호에는 부타디엔계 화합물, 질소 함유 비닐계 모노머, 개시제, 폴리스티렌계 바인더 및 폴리올레핀계 바인더 중 1종 이상, 및 30 내지 90 중량%의 실리카를 포함하여 유전특성이 개선된 반도체 소자 밀봉용 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 여전히 더욱 우수한 저유전 특성을 확보할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 개발이 요구되고 있다.
아울러, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열팽창율을 낮출 수 있는 방안에 대한 개발도 필요하다.
대한민국 공개특허 제10-2021-0001372호
본 발명의 한 목적은 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성이 향상되어 무기 충전제의 충진율을 증가시킴으로써 저유전 특성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 무기 충전제의 계면 접착력 향상으로 열팽창율이 감소할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하는 것이다.
한편으로, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 실란 공중합체를 포함하고,
상기 실란 공중합체는 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
상기 식에서,
R1은 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
L1은 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기, C1-C6의 옥시알킬렌기 또는 아릴렌기이며,
R2는 히드록시기, C1-C4의 알콕시기 또는 할로겐이고,
R3은 수소 원자 또는 C1-C20의 알킬기이며,
n은 1 내지 3의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제는 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 및 비닐트리에톡시실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 실란 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 유래의 제2 반복단위를 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 2]
상기 식에서,
R4는 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
L2는 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기 또는 C1-C6의 옥시알킬렌기이며,
R5는 (메타)아크릴로일옥시기, 비닐기, 아민기, 에폭시기, C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기, C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기 또는 아릴기이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 (R)-(+)-1,2-에폭시-9-데센, 메틸 (메타)아크릴레이트, 세틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 알릴 글리시딜 에테르, 부타디엔 모노옥사이드, 1,2-에폭시-5-헥센 및 벤질 (메타)아크릴레이트로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 실란 공중합체의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 25,000일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제, 실란 커플링제, 이형제 및 착색제로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 실란 공중합체를 포함함으로써 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성을 향상시켜 무기 충전제의 충진율을 90% 이상으로 높일 수 있으며, 이에 따라 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 저유전 특성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 무기 충전제의 계면 접착력 향상으로 열팽창율도 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태는 에폭시 수지(A), 경화제(B), 무기 충전제(C) 및 실란 공중합체(D)를 포함하고, 상기 실란 공중합체(D)는 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
에폭시 수지(A)
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 에폭시 수지(A)는 반도체 소자 밀봉용으로 사용되는 일반적인 에폭시 수지로서, 구체적으로 한 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 포함하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 한 분자 내에 2 내지 8개의 에폭시기를 포함하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다.
예를 들면, 상기 에폭시 수지로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 비스페놀 A/F형 에폭시 수지, 테트라메틸비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 스틸벤형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지; 페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬형 에폭시 수지 등의 페놀아랄킬형 에폭시 수지; 디히드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 디히드록시나프탈렌의 2량체를 글리시딜에테르화하여 얻어지는 에폭시 수지 등의 나프톨형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜이소시아누레이트 등의 트리아진 핵 함유 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 유교 환상 탄화 수소 화합물 변성 페놀형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 중, 비스페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 트리페놀메탄형 에폭시 수지가 내습성, 성형성을 향상시키기에 바람직하며, 그 중 비페닐형 에폭시 수지는 유동성을 향상시키기에 특히 바람직하며, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 노볼락형 에폭시 수지는 반도체 소자의 휨을 억제하기에 바람직하며, 그 중 페놀아랄킬형 에폭시 수지는 고온의 탄성률을 제어하기에 특히 바람직하다. 상기의 원하는 특성을 향상시키기 위해 한 종류 이상의 에폭시 수지를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.1 중량% 내지 15 중량%, 바람직하게는 3 중량% 내지 15 중량%, 더욱 바람직하게는 3 중량% 내지 12 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 에폭시 수지의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 경화 후 에폭시 수지 조성물의 접착력 및 강도를 보다 우수하게 구현할 수 있다.
경화제(B)
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제(B)는 반도체 소자 밀봉용으로 사용되는 일반적인 경화제들이 제한 없이 사용될 수 있으며, 구체적으로 2개 이상의 관능기를 가진 경화제가 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 경화제로는 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 산무수물계 경화제, 머캅탄계 경화제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 내연성, 내습성, 전기 특성, 경화성, 보존 안정성 등의 밸런스의 점에서 페놀계 경화제가 바람직하다.
상기 페놀계 경화제로는, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지를 비롯한 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀, α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 페놀류와 포름알데히드나 케톤류를 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지, 상기한 페놀류와 디메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)비페닐로 합성되는 비페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬 수지, 페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬 수지 등의 페놀아랄킬 수지, 트리스페놀메탄 골격을 갖는 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상기 아민계 경화제로는, 디에틸렌트리아민(DETA)이나 메타자일렌디아민(MXDA), 트리에틸렌테트라민(TETA) 등의 지방족 폴리아민, 디아미노디페닐메탄(DDM)이나 m-페닐렌디아민(MPDA)이나 디아미노디페닐설폰(DDS) 등의 방향족 폴리아민 외에, 디시안디아마이드(DICY)나 유기산 디히드라지드 등을 포함하는 폴리아민 화합물 등을 들 수 있다.
상기 산무수물계 경화제로는, 헥사하이드로 무수 프탈산(HHPA)이나 메틸테트라하이드로 무수 프탈산(MTHPA)이나 무수 말레산 등의 지환족 산무수물, 무수 트리멜리트산(TMA)이나 무수 피로멜리트산(PMDA)이나 벤조페논테트라카복실산(BTDA), 무수 프탈산 등의 방향족 산무수물 등을 들 수 있다.
상기 머캅탄계 경화제로서는 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트) 등을 들 수 있다.
이 외에도, 이소시아네이트 프리폴리머나 블록화 이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물, 카복실산 함유 폴리에스테르 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다.
상기 경화제는 상술한 경화제들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시 수지와 경화제의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 예를 들면, 경화제에 대한　에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3 정도일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 2, 더욱 바람직하게는 1 내지 1.75일 수 있다. 에폭시 수지와 경화제의 배합비가 상기의 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물 경화 후에 우수한 강도를 구현할 수 있다.
상기 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.1 내지 13 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 7 중량%로 포함될 수 있다. 상기 경화제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 경화 후 에폭시 수지 조성물의 강도를 보다 우수하게 구현할 수 있다.
무기 충전제(C)
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 무기 충전제(C)는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성을 향상시키고 저응력화를 위한 성분이다.
상기 무기 충전제로는 반도체 밀봉용으로 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한 없이 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 무기 충전제로는 알루미나, 용융 실리카, 결정 실리카, 미분 실리카 등의 실리카, 질화 규소, 질화 알루미늄, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 몰리브덴산 아연, 붕산 아연 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 구상화가 가능한 무기 충전제 중 비유전율과 열전도도가 우수하다는 관점에서, 알루미나를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 무기 충전제로서, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 붕산 아연, 몰리브덴산 아연 등의 난연성을 부여할 수 있는 성분을 포함시키는 것도 바람직하다.
무기 충전제의 형상은 제한되지 않으나, 분상, 구상, 섬유상 등을 들 수 있으며, 구상 무기 충전제가 유동성 및 내마모성면에서 바람직하다.
무기 충전제의 평균입경(D50)은 0.1 ㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 상기 평균입경 범위에서 유동성이 좋고 열전도도 및 비유전율이 우수하다.
상기 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 90 중량% 이상, 예를 들어 90 내지 97 중량%, 바람직하게는 90 내지 95 중량%로 포함될 수 있으나, 성형성, 저응력성, 및 고온강도 등의 요구 물성에 따라 조절하여 사용할 수 있다. 상기 무기 충전제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물의 저유전 특성, 난연성, 유동성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실란 공중합체(D)
상기 실란 공중합체(D)는 상술한 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성을 향상시키고 무기 충전제의 계면 접착력을 향상시키는 역할을 한다.
상기 실란 공중합체는 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함한다.
상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
상기 식에서,
R1은 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
L1은 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기, C1-C6의 옥시알킬렌기 또는 아릴렌기이며,
R2는 히드록시기, C1-C4의 알콕시기 또는 할로겐이고,
R3은 수소 원자 또는 C1-C20의 알킬기이며,
n은 1 내지 3의 정수이다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C6의 알킬렌기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 2가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C6의 옥시알킬렌기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 2가 탄화수소에서 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환된 작용기를 의미하며, 예를 들어 옥시메틸렌, 옥시에틸렌, 옥시프로필렌, 옥시부틸렌, 옥시펜틸렌, 옥시헥실렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 아릴렌기는 2가의 아로메틱기와 헤테로아로메틱기 및 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 아로메틱기는 5원 내지 15원의 단순 또는 융합 고리형이며, 헤테로아로메틱기는 산소, 황 또는 질소를 하나 이상 포함하는 아로메틱기를 의미한다. 대표적인 아릴렌기의 예로는 페닐렌, 나프틸렌, 피리디닐렌(pyridinylene), 푸라닐렌(furanylene), 티오페닐렌(thiophenylene), 인돌릴렌(indolylene), 퀴놀리닐렌(quinolinylene), 이미다졸리닐렌(imidazolinylene), 옥사졸릴렌(oxazolylene), 티아졸릴렌(thiazolylene), 테트라히드로나프틸렌 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C4의 알콕시기는 탄소수 1 내지 4개로 구성된 직쇄형 또는 분지형 알콕시기를 의미하며, 메톡시, 에톡시, n-프로판옥시 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C20의 알킬기는 탄소수 1 내지 20개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 1가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, n-데실 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에서, L1은 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기 또는 아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, R2는 C1-C4의 알콕시기일 수 있다.
상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제로는 예를 들어 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제1 반복단위는 실란 공중합체를 구성하는 반복단위 전체 100 몰%에 대하여 5 내지 95몰%, 바람직하게는 10 내지 90몰%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 열팽창 계수가 감소할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 실란 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 유래의 제2 반복단위를 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 2]
상기 식에서,
R4는 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
L2는 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기 또는 C1-C6의 옥시알킬렌기이며,
R5는 (메타)아크릴로일옥시기, 비닐기, 아민기, 에폭시기, C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기, C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기 또는 아릴기이다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기는 탄소수 1 내지 24개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 포화 탄화수소기를 의미하며, 예컨대 C1-C24의 알킬기일 수 있다. 구체적으로, C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 언데실, 도데실, 트리데실, 세틸, 스테아릴, 옥테닐, 노네닐 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기는 탄소수 3 내지 24개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 불포화 탄화수소기를 의미하며, 예컨대 C3-C24의 알케닐기, C3-C24의 알키닐기일 수 있다. 구체적으로, C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기는 옥테닐, 노네닐 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 본 명세서에서 사용되는 C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기로는 중합성 관능기를 제외한다.
본 명세서에서 사용되는 아릴기는 아로메틱기와 헤테로아로메틱기 및 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 아로메틱기는 5원 내지 15원의 단순 또는 융합 고리형이며, 헤테로아로메틱기는 산소, 황 또는 질소를 하나 이상 포함하는 아로메틱기를 의미한다. 대표적인 아릴기의 예로는 페닐, 나프틸, 피리디닐(pyridinyl), 푸라닐(furanyl), 티오페닐(thiophenyl), 인돌릴(indolyl), 퀴놀리닐(quinolinyl), 이미다졸리닐(imidazolinyl), 옥사졸릴(oxazolyl), 티아졸릴(thiazolyl), 테트라히드로나프틸 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에서, R5는 에폭시기 또는 C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, R5는 에폭시기 또는 메틸기일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물로는 예를 들어 (R)-(+)-1,2-에폭시-9-데센, 메틸 (메타)아크릴레이트, 세틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 알릴 글리시딜 에테르, 부타디엔 모노옥사이드, 1,2-에폭시-5-헥센, 벤질 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제2 반복단위는 실란 공중합체를 구성하는 반복단위 전체 100 몰%에 대하여 5 내지 95몰%, 바람직하게는 10 내지 90몰%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 유전율이 감소할 수 있다.
상기 실란 공중합체는 상기 제1 반복단위와 제2 반복단위가 각각 일정하게 반복되는 블록 공중합체이거나, 이들이 랜덤하게 반복되는 랜덤 공중합체일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 그 화합물의 이성질체를 포함하는 것으로서, 각 화학식으로 표시되는 화합물의 이성질체가 있는 경우에는, 해당 화학식으로 표시되는 화합물은 그 이성질체까지 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 실란 공중합체의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 25,000, 바람직하게는 2,000 내지 20,000일 수 있다. 상기 실란 공중합체의 중량평균분자량이 1,000 미만이면 열팽창계수 감소 효과가 미미할 수 있고, 25,000 초과이면 열전도도가 감소하고 유전 손실율이 상승할 수 있다.
상기 실란 공중합체는 당해 기술 분야에 알려진 라디칼(radical) 중합 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 실란 공중합체를 포함함으로써 무기 충전제와 에폭시 수지의 혼화성을 향상시켜 무기 충전제의 충진율을 90% 이상으로 높일 수 있으며, 이에 따라 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 저유전 특성을 확보할 수 있다. 아울러, 본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 실란 공중합체를 포함함으로써 무기 충전제의 계면 접착력을 향상시켜 열팽창율도 감소시킬 수 있다.
상기 실란 공중합체는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%로 포함될 수 있다. 상기 실란 공중합체의 함량이 0.1 중량% 미만이면 열팽창계수 감소 효과가 미미할 수 있고, 5 중량% 초과이면 열전도도를 감소시킬 수 있다.
첨가제(D)
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 성분 외에 본 발명의 목적을 해치지 아니하는 범위에서 당업자의 필요에 따라 경화 촉진제, 실란 커플링제, 이형제 및 착색제 등의 첨가제를 병용할 수 있다.
상기 경화 촉진제는 상기 에폭시 수지와 상기 경화제의 반응을 촉진하는 물질로, 3급 아민, 유기 금속화합물, 유기 인화합물, 이미다졸류 및 붕소화합물로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 사용할 수 있다.
상기 3급 아민의 구체적인 예로는, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀 등이 있다.
상기 유기 금속화합물의 구체적인 예로는, 징크아세틸아세토네이트, 크로뮴아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트　등이 있다.
상기 유기 인화합물의 구체적인 예로는, 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논　부가물 등이 있다.
상기 이미다졸류의 구체적인 예로는, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸,　2-페닐이미다졸,　2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등을 들 수 있으나, 이에 제한하지 않는다.
상기 붕소화합물의 구체적인 예로는, 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다.
이외에도 상기 경화 촉진제로 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및　페놀노볼락 수지염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 경화 촉진제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.01 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.02 내지 1.5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 1 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 상기 에폭시 수지와 상기 경화제 간 반응을 촉진해 공정 시간을 단축할 수 있으며, 반도체 소자 밀봉 시 조성물의 경화도가 향상될 수 있다.
상기 실란 커플링제는 상기 에폭시 수지와 상기 무기 충전제 사이에서 반응하여, 상기 에폭시 수지와 상기 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 역할을 한다. 상기 실란 커플링제의 구체적인 예로는 에폭시실란, 아미노실란, 머캅토실란, 우레이도실란 등을 들 수 있으며, 이에 특별히 한정되지 않는다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.
상기 실란 커플링제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 실란 커플링제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물의 경화물의 강도가 향상될 수 있다.
상기 이형제는 반도체 밀봉시 금형으로부터 분리가 용이하게 하는 역할을 한다. 상기 이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 사용할 수 있으며, 이에 특별히 제한되지 않는다.
상기 이형제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.1 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.15 내지 0.7 중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 0.5 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 이형제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물과 반도체 기판 간 접착성 저하 없이 금형과의 우수한 이형성을 갖게 되어 성형 불량을 방지할 수 있다.
상기 착색제는 반도체 소자 밀봉 시 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 착색제로는 카본 블랙, 티탄 블랙, 티탄 질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모 등을 사용할 수 있으며, 이에 특별히 제한되지 않는다.
상기 착색제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 착색제의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 본 발명의 목적을 저해하지 않으면서 반도체 소자 밀봉재에 레이저 마킹이 용이하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 열팽창계수가 30 ppm 이하, 예를 들어 20 ppm 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자는 반도체 패키지로 이해될 수 있으며, 기판, 반도체 소자, 밀봉층 및 접속 단자를 포함할 수 있다.
상기 기판은 상기 반도체 소자를 지지하고, 상기 반도체 소자에 전기 신호를 부여하기 위한 것으로, 당해 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 반도체 실장용 기판들이 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판은 회로 기판, 리드 프레임 기판 또는 재배선층(redistribution layer)을 포함할 수 있다.
상기 기판 상에는 상기 반도체 소자가 실장된다. 이때, 상기 반도체 소자 실장 방법은, 특별히 한정되지 않으며, 당해 기술 분야에 알려진 반도체 칩 실장 기술이 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 소자는 플립 칩(flip chip) 또는 와이어 본딩(wire bonding) 등의 방법으로 기판에 실장될 수 있으며, 하나의 반도체 칩으로 이루어질 수도 있고, 다수의 반도체 칩이 관통 실리콘 비아(Through silicon Via, TSV)를 통해 통전 가능하게 적층되어 있는 적층형 반도체 소자와 같이 다수의 반도체 칩들을 포함할 수도 있다.
상기 밀봉층은 상기 반도체 소자를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 것으로, 상기한 본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로부터 형성된다. 상기 밀봉층은 기판 상부에 반도체 소자의 적어도 일부를 봉지하도록 형성된다.
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여, 반도체 장치 등의 전자 부품 장치를 밀봉하는 방법으로서는, 당해 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 방법들이 사용될 수 있으며, 저압 트랜스퍼 성형법이 가장 일반적이지만, 주입 성형법, 압축 성형법 등도 들 수 있으며, 디스펜스 방식, 주형 방식, 인쇄 방식 등을 이용할 수도 있다.
상기 기판의 하면, 즉, 상기 반도체 소자가 실장된 면의 반대면에는 상기 기판과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위한 상기 접속 단자가 형성된다. 상기 접속 단자는 당해 기술 분야에 잘 알려진 다양한 구조의 접속 단자들, 예를 들면, 리드(lead), 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array) 등이 제한 없이 사용될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
합성예 1: 실란 공중합체 1의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 2시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 5,000인 실란 공중합체 1을 수득하였다.
합성예 2: 실란 공중합체 2의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 2.5시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 10,000인 실란 공중합체 2를 수득하였다.
합성예 3: 실란 공중합체 3의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 3시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 15,000인 실란 공중합체 3을 수득하였다.
합성예 4: 실란 공중합체 4의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 3.5시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 20,000인 실란 공중합체 4를 수득하였다.
합성예 5: 실란 공중합체 5의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 4시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 25,000인 실란 공중합체 5를 수득하였다.
합성예 6: 실란 공중합체 6의 합성
3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란과 메틸 메타크릴레이트를 9 : 1의 몰비로 톨루엔에 용해시킨 뒤 AIBN을 첨가하고 100℃에서 4.5시간 동안 교반하여 중합 반응시켰다. 중합이 완료된 반응물을 과량의 헥산을 이용하여 정제하여 중량평균분자량(Mw)이 30,000인 실란 공중합체 6을 수득하였다.
실험예 1:
상기 합성예에서 제조된 실란 공중합체를 사용하여 무기 충전제의 충진율을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 비교를 위하여, 실란 공중합체 대신 실란 모노머를 사용한 경우와, 실란 공중합체를 사용하지 않는 경우의 무기 충전제의 충진율도 평가하였다.
충진율은 무기 충전제를 증량시켜가며 샘플을 제작한 후, 샘플의 부서짐 또는 무기 충전제 입자 날림을 확인하여 평가하였다. 이때, 실란 공중합체, 경화 촉진제 및 이형제의 함량은 각각 0.3 중량%, 0.07 중량% 및 0.3 중량%로 고정하고, 에폭시 수지 및 경화제의 함량은 6:4의 중량비로 조절하여 전체 100 중량%가 되도록 하였다. 사용된 무기 충전제, 경화 촉진제, 이형제, 에폭시 수지 및 경화제의 종류는 후술하는 실시예와 동일하였다.
부서짐과 입자 날림이 없는 경우 충진이 가능한 것으로 판단하였다.
실란 공중합체의 중량평균분자량 무기 충전제 충진 가능 유/무(wt%)
86 88 90 92 94
합성예 1(D-1) 5,000 ○ ○ ○ ○ ○
합성예 2(D-2) 10,000 ○ ○ ○ ○ ○
합성예 3(D-3) 15,000 ○ ○ ○ ○ ○
합성예 4(D-4) 20,000 ○ ○ ○ ○ ○
합성예 5(D-5) 25,000 ○ ○ ○ ○ ○
합성예 6(D-6) 30,000 ○ ○ ○ ○ ○
실란 모노머 (D-7) - ○ ○ × × ×
실란 공중합체 무첨가 - ○ × × × ×
D-1 내지 D-6: 합성예 1 내지 6에서 합성한 실란 공중합체
D-7: 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 3: 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 제조
하기 표 2의 조성으로 각 성분들을 녹인 뒤 믹서를 이용하여 혼합하고, 100℃에서 용융 혼련한 후 냉각 및 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다(단위: 중량%).
구분 실시예 비교예
1 2 3 4 5 1 2 3
(A) 4.640 4.640 4.640 4.640 4.640 4.640 4.640 5.599
(B) 4.090 4.090 4.090 4.090 4.090 4.090 4.090 4.017
(C) 90 90 90 90 90 90 90 90
(D-1) 0.9 - - - - - - -
(D-2) - 0.9 - - - - -
(D-3) - - 0.9 - - - - -
(D-4) - - - 0.9 - - - -
(D-5) - - - - 0.9 - - -
(D-6) - - - - - 0.9 - -
(D-7) - - - - - - 0.9 -
(E-1) 0.070 0.070 0.070 0.070 0.070 0.070 0.070 0.084
(F) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
(A) 에폭시 수지: 바이페닐형 에폭시 수지 (NC-3000, 일본 화학)
(B) 경화제: 페놀계 경화제 (MEH-7851SS, 메이와)
(C) 무기 충전제: 최대 입경 45㎛의 구상 알루미나 입자
(E-1) 경화 촉진제: 유기 인화합물 (triphenyl phosphate, 머크)
(F) 이형제: 몬탄 왁스(Montan wax) (licowax C, 클라리언트)
실험예 2:
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 175℃에서 경화시킨 후, 이에 대하여 열팽창계수 및 유전 손실율을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(1) 열팽창계수
열분석 장비(TMA 402, Netzsch)를 이용해 300℃까지 승온하면서 열팽창 계수를 측정하였다.
(2) 유전 손실율
유전 손실율은 유전　분광계(Dielectric spectrometer, Novocontrol)를 이용하여 10-1 내지 107 Hz 범위에서 측정하였다.
열팽창계수 (ppm)
(알루미나 충진율, 90wt%)		 유전 손실율
(알루미나 충진율, 90wt%)
실시예 1 20.0 0.00395
실시예 2 18.9 0.00390
실시예 3 16.4 0.00379
실시예 4 17.0 0.00389
실시예 5 18.2 0.00390
비교예 1 23.57 0.00482
비교예 2 샘플 제작 불가 샘플 제작 불가
비교예 3 샘플 제작 불가 샘플 제작 불가
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 실란 공중합체를 포함하는 실시예 1 내지 5의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 저유전 특성을 나타낼 뿐만 아니라 열팽창율도 감소하는 것을 확인하였다.
반면, 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 실란 공중합체를 포함하지 않는 비교예 2 내지 3의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 무기 충전제의 충진율이 90 중량%일 때 샘플 제작이 불가능한 것으로 나타났다. 아울러, 중량평균분자량(Mw)이 25,000을 초과하는 실란 공중합체을 사용한 비교예 1의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 열팽창율 및 유전 손실율이 증가하는 것으로 나타났다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (8)

  1. 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 실란 공중합체를 포함하고,
    상기 실란 공중합체는 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제 유래의 제1 반복단위를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]

    상기 식에서,
    R1은 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
    L1은 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기, C1-C6의 옥시알킬렌기 또는 아릴렌기이며,
    R2는 히드록시기, C1-C4의 알콕시기 또는 할로겐이고,
    R3은 수소 원자 또는 C1-C20의 알킬기이며,
    n은 1 내지 3의 정수이다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중합성 관능기를 갖는 실란 커플링제는 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 및 비닐트리에톡시실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실란 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 유래의 제2 반복단위를 추가로 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 2]

    상기 식에서,
    R4는 (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기이고,
    L2는 존재하지 않거나 C1-C6의 알킬렌기 또는 C1-C6의 옥시알킬렌기이며,
    R5는 (메타)아크릴로일옥시기, 비닐기, 아민기, 에폭시기, C1-C24의 포화 지방족 탄화수소기, C3-C24의 불포화 지방족 탄화수소기 또는 아릴기이다.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 (R)-(+)-1,2-에폭시-9-데센, 메틸 (메타)아크릴레이트, 세틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 알릴 글리시딜 에테르, 부타디엔 모노옥사이드, 1,2-에폭시-5-헥센 및 벤질 (메타)아크릴레이트로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실란 공중합체의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 25,000인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 경화 촉진제, 실란 커플링제, 이형제 및 착색제로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자.
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