KR20230174672A - 윈도우 글라스, 이를 포함하는 전자 장치 및 윈도우 글라스의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
윈도우 글라스에 있어서, 글라스층, 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함하고, 상기 증착층은, 상기 글라스층의 표면에 형성되고 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층, 상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층, 및 상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함하는 윈도우 글라스가 개시된다. 이 외에도 본 문서를 통해 파악되는 다양한 실시예들이 가능하다.
Description
본 발명의 다양한 실시예들은, 윈도우 글라스, 윈도우 글라스를 포함하는 전자 장치 및 윈도우 글라스의 제조 방법에 관한 것이다.
스마트 폰과 같은 전자 장치는 다양한 컨텐츠를 표시하기 위한 디스플레이를 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치는 디스플레이를 보호하기 위한 윈도우 글라스를 포함할 수 있다. 이와 같은 윈도우 글라스는 미감 향상 및 전자 장치를 손으로 쥐었을 때 편안한 그립감을 위해 적어도 일부분이 곡면 형상을 가질 수 있다.
기존의 윈도우 글라스를 제조하는 방법에서는 글라스를 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형한 후, 증착을 통해 글라스의 후면에 박막을 형성하여 색상을 구현할 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스는 증착을 통한 색상 구현 시, 증착 직진성으로 인해 곡면 부분(또는 굴곡부)에서 증착 박막의 두께가 균일하지 않을 수 있다. 이에 따라, 윈도우 글라스는 곡면 부분에서 이색 현상(예: 투 톤(two tone) 현상)이 발생하고, 전면 메탈과의 형합 시 컬러 매칭이 어려울 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들은, 증착을 통해 글라스의 후면에 박막을 형성한 후, 글라스의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형하는 윈도우 글라스, 윈도우 글라스를 포함하는 전자 장치 및 윈도우 글라스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 윈도우 글라스는, 글라스층 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함할 수 있다. 상기 증착층은, 상기 글라스층의 표면에 형성되고 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층, 상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층, 및 상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 일면을 형성하면서 상기 전자 장치의 일면으로부터 상기 전자 장치의 타면 방향으로 휘어져 연장된 곡면 부분을 포함하는 윈도우 글라스 및 상기 전자 장치의 타면을 형성하는 플레이트를 포함하는 하우징, 및 상기 윈도우 글라스와 상기 플레이트 사이에 배치되는 디스플레이를 포함할 수 있다. 상기 윈도우 글라스는, 글라스층 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함할 수 있다. 상기 증착층은, 상기 글라스층의 표면에 형성되고, 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층, 상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 제1 물질을 포함하는 제2 소스층, 및 상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법은, 글라스의 후면에 유도 결합 플라즈마 방식의 스퍼터링 공법을 통해 증착층을 형성하는 증착 공정, 및 상기 증착층이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 상기 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 증착을 통해 글라스의 후면에 박막을 형성한 후, 글라스의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형함으로써, 증착 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일한 윈도우 글라스를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 증착 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일하기 때문에, 이색 현상을 방지하고, 광의 파장 별 반사율도 균일하게 제공할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 전면을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 배면을 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 전면을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 배면을 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들이 설명된다. 설명의 편의를 위하여 도면에 도시된 구성요소들은 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있으며, 본 발명이 반드시 도시된 바에 의해 한정되는 것은 아니다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 전면을 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 배면을 도시한 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(200)(예: 도 1의 전자 장치(101))는, 제1 면(또는 "전면")(210A), 제2 면(또는 "배면")(210B), 및 제1 면(210A)과 제2 면(210B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(또는 "측벽")(210C)을 포함하는 하우징(210)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하우징(210)은, 도 2 및 도 3의 제1 면(210A), 제2 면(210B) 및 측면(210C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 면(210A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(202)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전면 플레이트(202)는 적어도 일측 단부(side edge portion)에서 제1 면(210A)으로부터 제2 면(210B)(예: 배면 플레이트(211)) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 면(210B)은 실질적으로 불투명한 배면 플레이트(211)에 의하여 형성될 수 있다. 배면 플레이트(211)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS) 또는 마그네슘) 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배면 플레이트(211)는, 적어도 일측 단부에서 제2 면(210B)으로부터 제1 면(210A)(예: 전면 플레이트(202)) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 측면(210C)은 전면 플레이트(202) 및 배면 플레이트(211)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 부재(또는 "브라켓")(218)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서, 배면 플레이트(211) 및 측면 부재(218)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 디스플레이(201), 오디오 모듈(203), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(205, 212, 213, 214, 215, 206), 키 입력 장치(217) 및 커넥터 홀(208) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서, 전자 장치(200)는 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(217))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 일 예시에서, 전자 장치(200)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 센서 모듈은 전면 플레이트(202)를 통해 전자 장치(200)의 외부에 보여지는 디스플레이(201)의 화면 표시 영역의 배면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(201)의 화면 표시 영역의 배면에는 광학 센서, 초음파 센서 또는 정전 용량형 센서(capacitive sensor) 중 적어도 하나가 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 어떤 실시예에서, 전자 장치(200)는 발광 소자를 더 포함할 수 있으며, 발광 소자는 전면 플레이트(202)가 제공하는 영역 내에서 디스플레이(201)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, 전자 장치(200)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 발광 소자는, 예를 들어, 카메라 모듈(205)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다.
디스플레이(201)는, 예를 들어, 전면 플레이트(202)의 상당 부분을 통하여 전자 장치(200)의 외부로 보일 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이(201)의 가장자리는 전면 플레이트(202)의 인접한 외곽 형상(예: 곡면)과 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 장치(200)는 디스플레이(201)의 화면 표시 영역의 일부에 형성된 리세스(recess), 노치(notch), 또는 개구부(opening)를 포함할 수 있다. 전자 장치(200)는 상기 리세스, 노치 또는 개구부와 정렬되는 전자 부품, 예를 들어, 카메라 모듈(205) 또는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(200)는 디스플레이(201)의 화면 표시 영역의 배면에, 카메라 모듈(예: 212, 213, 214, 215), 지문 센서, 및 플래시(예: 206) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이(201)는 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
오디오 모듈(203)은, 마이크 홀 및 스피커 홀을 포함할 수 있다. 마이크 홀의 내부에는 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수 개의 마이크가 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀과 마이크 홀이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀 없이 스피커(예: 피에조 스피커)가 포함될 수 있다. 스피커 홀은 외부 스피커 홀 및 통화용 리시버 홀을 포함할 수 있다.
전자 장치(200)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함함으로써, 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈은, 예를 들어, 하우징(210)의 제1 면(210A)에 배치된 근접 센서, 디스플레이(201)의 배면에 배치되는 지문 센서, 및/또는 상기 하우징(210)의 제2 면(210B)에 배치된 생체 센서(예: HRM 센서)를 포함할 수 있다. 전자 장치(200)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(205, 212, 213, 214, 215, 206)은, 전자 장치(200)의 제1 면(210A)에 배치된 제1 카메라 장치(205), 및 제2 면(210B)에 배치된 제2 카메라 장치(212, 213, 214, 215), 및/또는 플래시(206)를 포함할 수 있다. 상술한 카메라 장치들(205, 212, 213, 214, 215)은 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(206)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(200)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(217)는 하우징(210)의 측면(210C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 장치(200)는 상기 언급된 키 입력 장치(217) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(217)는 디스플레이(201) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(210)의 제2 면(210B)에 배치된 지문 센서의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(208)은 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터, 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(208)은 USB 커넥터 또는 이어폰 잭을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, USB 커넥터와 이어폰 잭은 하나의 홀(예: 도 2 및 도 3의 208)로 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 별도의 커넥터 홀 없이 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102, 104))와 전력 및/또는 데이터를 송수신하거나, 오디오 신호를 송수신할 수 있다.
본 개시에서는 도 2 및 도 3의 +z 방향의 면을 전면이라 하고, 도 2 및 도 3의 -z 방향의 면을 배면(또는 후면)이라 하고, 도 2 및 도 3의 +y 방향을 상단이라 하고, 도 2 및 도 3의 -y 방향을 하단이라 한다.
이하의 설명에서, 윈도우 글라스는 도 2 및 도 3에서의 전면 플레이트(202)에 대응될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 글라스는 도 2 및 도 3에서 제2 면(210B)의 적어도 일부를 형성할 수도 있다. 또한, 이하의 설명에서, 윈도우 글라스는 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))의 일면(예: 전면)을 형성하면서 상기 전자 장치의 일면으로부터 상기 전자 장치의 타면(예: 후면) 방향으로 휘어져 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다. 이에 따라, 윈도우 글라스는 3D 글라스로 지칭될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 윈도우 글라스(400)(예: 도 2 및 도 3의 전면 플레이트(202))의 제조 방법은 글라스(예: 글라스층(410))의 후면에 박막(예: 증착층(420))을 형성하는 증착 공정 및 상기 박막이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 상기 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 포함할 수 있다. 증착 공정을 통해 상기 글라스의 후면에 상기 박막을 형성한 후, 글라스의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형 공정을 수행함으로써, 증착된 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일한 윈도우 글라스(400)를 제공할 수 있다. 이에 따라, 곡면 부분에서의 이색 현상이 방지되고, 광의 파장 별 반사율도 균일하도록 윈도우 글라스(400)를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착 공정은 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 방식의 스퍼터링(sputtering) 공법이 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 공정에서는, ICP 방식의 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스의 후면에 상기 박막이 형성될 수 있다. ICP 스퍼터링 공법은 물리 증착법(physical vapor deposition, PVD)의 일종으로, 드럼(drum)이 고속으로 회전하면서, 1차 양이온(예: Ar+)에 스퍼터링된 소재가 글라스에 증착된 후, 플라스마 소스 존(plasma source zone)에서 플라스마 가스와 반응하여 산화물(oxide) 또는 질화물(nitride)을 형성하는 방법을 포함할 수 있다.
균일한 두께의 증착 박막(예: 증착층(420))을 형성하기 위해, 2D 상태의 글라스(예: 글라스층(410))에 우선 증착 공정을 수행하고, 이후 박막이 형성된 글라스를 성형 공정을 통해 열 성형하여 3D 글라스(예: 윈도우 글라스(400))를 제조할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 박막은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 어느 하나를 포함하거나 조합하는 것으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착 박막은 접착력 향상을 위해 글라스의 표면에는 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층(source layer)이 형성되고, 상기 제1 소스층의 후면에는 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층이 적층되고, 상기 제2 소스층의 후면에 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층이 적층될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층이, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다. 즉, 증착 공정 후 성형 공정이 수행됨으로써, 윈도우 글라스(400)의 증착층(420)의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일해지기 때문에, 곡면 부분에서의 광의 파장 별 반사율을 평면 부분에서의 광의 파장 별 반사율과 동일하게 적용할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 소스층은 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치될 수 있다. 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 상기 실리콘이 상기 증착층(420)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(400)의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 데코 필름(deco film))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(400)는 데코 필름 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제8 소스층, 및 상기 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 제9 소스층이, 상기 제6 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 이 경우, 실리콘을 포함하는 상기 제 6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제9 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 또한, 실리콘을 포함하는 소스층의 개수는 3개 이하가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착층(420)은 상기 제6 소스층 및 두 개 이하의 제9 소스층을 포함할 수 있다.
상기 성형 공정은 상기 박막이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 글라스의 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 성형 공정은 투입 단계, 예열 단계, 성형 단계 및 냉각 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 성형 공정을 수행하기 위한 설비는 단독 설비로서, 인라인 방식으로 동작될 수 있다. 상기 성형 단계에서의 성형 온도는 예를 들어, 650도 내지 760도의 범위를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 증착층(420)에 포함되는 물질 즉, 박막 물질에 따라 다양한 온도가 선택될 수 있다. 일 예로, 증착층(420)에 포함되는 물질이 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함되는 경우, 성형 온도는 글라스의 성형 온도인 650도 내지 760도의 범위 이상부터 박막 물질의 소결 온도(예: 융점의 70%) 이하의 구간에서 열 성형 온도가 선택될 수 있다. 일반적으로 소결 온도 이상에서 물질을 구성하는 원자의 이동이나 유동이 발생할 수 있기 때문에 글라스와 함께 박막의 성형을 위해서는, 박막 물질의 소결 온도 이상에 해당하는 열 성형 온도가 필요해 보이지만, 실질적으로는 소결 온도보다 훨씬 낮은 온도에서도 박막 물질의 성형이 가능할 수 있다. 이는, 박막의 두께가 나노 단위로서, 매우 얇은 상태이기 때문인데, 통상적으로 물질이 나노 사이즈가 되면 벌크(bulk) 상태일 때와 물리적 성질이 달리기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 성형 공정에서는, 윈도우 글라스(400)의 곡면 부분의 곡률(R) 값이 고려될 수 있다. 예를 들어, 상기 박막이 형성된 글라스의 열 성형 시, 윈도우 글라스(400)의 곡면 부분의 곡률이 지정된 값 이상이 되면, 상기 박막에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 성형 공정에서, 윈도우 글라스(400)의 곡면 부분의 곡률 값이 4.5 이내가 되도록 설정할 수 있다. 그러나, 윈도우 글라스(400)의 곡면 부분의 곡률 값이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 글라스(400)의 곡면 부분의 곡률 값은 박막 물질의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 윈도우 글라스(500)(예: 도 2 및 도 3의 전면 플레이트(202))의 제조 방법은 제1 글라스(예: 제1 글라스층(510))의 후면에 박막(예: 증착층(520))을 형성하는 증착 공정, 상기 박막의 후면에 제2 글라스(예: 제2 글라스층(530))를 부착하는 부착 공정, 및 상기 제1 글라스, 상기 박막 및 상기 제2 글라스를 포함하는 윈도우 글라스(500)의 적어도 일측 단부가 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 포함할 수 있다. 증착 공정을 통해 제1 글라스의 후면에 상기 박막을 형성하고, 상기 박막의 후면에 제2 글라스를 부착한 후, 윈도우 글라스(500)의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형 공정을 수행함으로써, 증착된 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일한 윈도우 글라스(500)를 제공할 수 있다. 이에 따라, 곡면 부분에서의 이색 현상이 방지되고, 광의 파장 별 반사율도 균일하도록 윈도우 글라스(500)를 제공할 수 있다. 또한, 윈도우 글라스(500)가 제1 글라스와 쌍을 이루는 제2 글라스를 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
상기 증착 공정은 도 4에서 설명한 증착 공정과 동일 또는 유사할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 공정은 ICP 방식의 스퍼터링 공법이 이용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 어느 하나를 포함하거나 조합하는 것으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착 박막은 제1 글라스와의 접착력 향상을 위해 제1 글라스의 표면에는 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층이 형성되고, 상기 제1 소스층의 후면에는 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층이 적층되고, 상기 제2 소스층의 후면에 제2 글라스와의 접착력 향상을 위해 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층이 적층될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층이, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다. 즉, 증착 공정 후 성형 공정이 수행됨으로써, 윈도우 글라스(500)의 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일해지기 때문에, 곡면 부분에서의 광의 파장 별 반사율을 평면 부분에서의 광의 파장 별 반사율과 동일하게 적용할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 소스층은 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치될 수 있다. 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 상기 실리콘이 상기 증착층(520)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(500)의 배면에 합지하는 필름(예: 데코 필름(deco film))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(500)는 데코 필름 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제8 소스층, 및 상기 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 제9 소스층이, 상기 제6 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 이 경우, 실리콘을 포함하는 상기 제 6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제9 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 또한, 실리콘을 포함하는 소스층의 개수는 3개 이하가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착층(520)은 상기 제6 소스층 및 두 개 이하의 제9 소스층을 포함할 수 있다.
상기 성형 공정은 도 4에서 설명한 성형 공정과 동일 또는 유사할 수 있다. 예를 들어, 상기 성형 공정은 투입 단계, 예열 단계, 성형 단계 및 냉각 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 성형 공정을 수행하기 위한 설비는 단독 설비로서, 인라인 방식으로 동작될 수 있다. 상기 성형 단계에서의 성형 온도는 예를 들어, 650도 내지 760도의 범위를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 증착층(520)에 포함되는 물질 즉, 박막 물질에 따라 다양한 온도가 선택될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 성형 공정에서는, 윈도우 글라스(500)의 곡면 부분의 곡률(R) 값이 고려될 수 있다. 예를 들어, 상기 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 윈도우 글라스(500)의 곡면 부분의 곡률이 지정된 값 이상이 되면, 상기 박막에 크랙이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 성형 공정에서, 윈도우 글라스(500)의 곡면 부분의 곡률 값이 4.5 이내가 되도록 설정할 수 있다. 그러나, 윈도우 글라스(500)의 곡면 부분의 곡률 값이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 글라스(500)의 곡면 부분의 곡률 값은 박막 물질의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 6의 윈도우 글라스(400)는 상술한 도 4의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다.
도 6을 참조하면, 윈도우 글라스(400)는 글라스층(410) 및 증착층(420)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층(410)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 상기 글라스층(410)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(611), 상기 제1 소스층(611)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(620), 및 상기 제2 소스층(620)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(612)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(611)은 상기 글라스층(410)과 상기 증착층(420)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 따르면, 글라스층(410)의 두께는 약 0.6cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(611) 및 상기 제3 소스층(612)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(620)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(611)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(620)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(612)의 두께는 약 45nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(611) 및 상기 제3 소스층(612)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(620)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 다음의 표 1과 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
| Material | Start Pressure (Pa) | Temperature (℃) | Si Power (Kw) | Ar (Sccm) | ICP Power (Kw) | ICP O2 (Sccm) | ICP N2 (Sccm) |
| SiO2 | 4.00E-05 | 150 | 13.5 | 300 | 2 | 450 | 0 |
| Si3N4 | 4.00E-05 | 150 | 16 | 240 | 1.5 | 0 | 450 |
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 윈도우 글라스(400)는 상술한 도 4의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 7에서는, 도 6의 증착층(420) 구조에 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 7을 참조하면, 윈도우 글라스(400)는 글라스층(410) 및 증착층(420)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층(410)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 상기 글라스층(410)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(711), 상기 제1 소스층(711)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(721), 상기 제2 소스층(721)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(712), 상기 제3 소스층(712)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제4 소스층(722) 및 상기 제4 소스층(722)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제5 소스층(713)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7의 증착층(420)은 도 6의 증착층(420)과 비교하여, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(712) 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제4 소스층(722)이 상기 제2 소스층(721)(예: 도 6의 제2 소스층(620))과 상기 제5 소스층(713)(예: 도 6의 제3 소스층(612)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다. 그러나, 추가로 배치되는 소스층들의 종류 및 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 소스층(예: 제3 소스층(712))과 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층(예: 제4 소스층(722))은 복수 개가 포함될 수 있고, 상기 복수 개의 실리콘 산화물을 포함하는 소스층과 상기 복수 개의 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 상기 제2 소스층(721)과 상기 제5 소스층(713) 사이에서 교대로 적층될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(711)은 상기 글라스층(410)과 상기 증착층(420)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 증착층(420)에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 글라스층(410)의 두께는 약 0.6cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(711), 상기 제3 소스층(712) 및 상기 제5 소스층(713)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(721) 및 상기 제4 소스층(722)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(711)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(721)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(712)의 두께는 약 45nm이고, 상기 제4 소스층(722)의 두께는 약 60nm이며, 상기 제5 소스층(713)의 두께는 약 25nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(711), 상기 제3 소스층(712) 및 상기 제5 소스층(713)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(721) 및 상기 제4 소스층(722)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 상기 표 1과 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다. 도 8의 윈도우 글라스(400)는 도 6 및 도 7의 윈도우 글라스(400)에 대응될 수 있다.
도 8을 참조하면, 윈도우 글라스(400)의 후면에는 필름(800)이 부착(또는 합지)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(800)은 라미네이트(laminate) 공법으로 상기 윈도우 글라스(400)의 후면에 부착(또는 합지)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 필름(800)은 상기 필름(800)을 상기 증착층(420)의 후면에 부착시키기 위한 접착층(810), 상기 접착층(810)의 후면에 적층되는 PET(polyethylene terephthalate)층(820), 상기 PET층(820)의 후면에 적층되는 UV 몰딩층(830), 상기 UV 몰딩층(830)의 후면에 적층되는 증착층(840), 및 상기 증착층(840)의 후면에 적층되는 인쇄층(850)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 필름(800)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(800)은 상술한 구성요소들 중 적어도 하나를 생략할 수 있고, 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 접착층(810)은 광학용 접착 물질(optically clear adhesive, OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층(820)은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 9의 윈도우 글라스(400)는 상술한 도 4의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 9에서는, 도 6의 증착층(420) 구조에 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 9를 참조하면, 윈도우 글라스(400)는 글라스층(410) 및 증착층(420)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층(410)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 상기 글라스층(410)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(911), 상기 제1 소스층(911)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(920), 상기 제2 소스층(920)의 후면에 적층되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(930) 및 상기 제3 소스층(930)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(912)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 9의 증착층(420)은 도 6의 증착층(420)과 비교하여, 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(930)이 상기 제2 소스층(920)(예: 도 6의 제2 소스층(620))과 상기 제4 소스층(912)(예: 도 6의 제3 소스층(612)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(911)은 상기 글라스층(410)과 상기 증착층(420)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 실리콘이 상기 증착층(420)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(400)의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 도 8의 필름(800))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(400)는 데코 필름(예: 도 8의 필름(800)) 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(930)의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(930)의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 글라스층(410)의 두께는 약 0.6cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(911) 및 상기 제4 소스층(912)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(920)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(930)이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(911)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(920)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(930)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제4 소스층(912)의 두께는 약 60nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(911) 및 상기 제4 소스층(912)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(920)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(930)이 실리콘을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 다음의 표 2와 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
| Material | Start Pressure (Pa) | Temperature (℃) | Si Power (Kw) | Ar (Sccm) | ICP Power (Kw) | ICP O2 (Sccm) | ICP N2 (Sccm) |
| SiO2 | 4.00E-05 | 150 | 13.5 | 300 | 2 | 450 | 0 |
| Si3N4 | 4.00E-05 | 150 | 16 | 240 | 1.5 | 0 | 450 |
| Si | 4.00E-05 | 150 | 11 | 150 | - | - | 200 |
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 10의 윈도우 글라스(400)는 상술한 도 4의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 10에서는, 도 9의 증착층(420) 구조에 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 10을 참조하면, 윈도우 글라스(400)는 글라스층(410) 및 증착층(420)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층(410)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(420)은 상기 글라스층(410)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(1011), 상기 제1 소스층(1011)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(1021), 상기 제2 소스층(1021)의 후면에 적층되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(1031), 상기 제3 소스층(1031)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(1012), 상기 제4 소스층(1012)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제5 소스층(1022), 상기 제5 소스층(1022)의 후면에 적층되고 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층(1032), 상기 제6 소스층(1032)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제7 소스층(1013), 상기 제7 소스층(1013)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제8 소스층(1023), 상기 제8 소스층(1023)의 후면에 적층되고 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제9 소스층(1033) 및 상기 제9 소스층(1033)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제10 소스층(1014)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 10의 증착층(420)은 도 9의 증착층(420)과 비교하여, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(1012), 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제5 소스층(1022), 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층(1032), 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제7 소스층(1013), 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제8 소스층(1023), 및 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제9 소스층(1033)이 상기 제3 소스층(1031)(예: 도 9의 제3 소스층(920))과 상기 제10 소스층(1014)(예: 도 9의 제4 소스층(912)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다. 그러나, 추가로 배치되는 소스층들의 종류 및 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 복수 개의 실리콘 산화물을 포함하는 소스층, 상기 복수 개의 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층, 및 상기 복수 개의 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 상기 제3 소스층(1031)과 상기 제10 소스층(1014) 사이에서 교대로 적층될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1011)은 상기 글라스층(410)과 상기 증착층(420)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 증착층(420)에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 실리콘이 상기 증착층(420)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(400)의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 도 8의 필름(800))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(400)는 데코 필름(예: 도 8의 필름(800)) 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(1031), 상기 제6 소스층(1032) 및 상기 제9 소스층(1033)의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 글라스층(410)의 두께는 약 0.6cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1011), 상기 제4 소스층(1012), 상기 제7 소스층(1013) 및 상기 제10 소스층(1014)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1021), 상기 제5 소스층(1022) 및 상기 제8 소스층(1023)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1031), 상기 제6 소스층(1032) 및 상기 제9 소스층(1033)이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(1011)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(1021)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(1031)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제4 소스층(1012)의 두께는 약 60nm이며, 상기 제5 소스층(1022)의 두께는 약 80nm이고, 상기 제6 소스층(1032)의 두께는 약 6nm이며, 상기 제7 소스층(1013)의 두께는 약 100nm이고, 상기 제8 소스층(1023)의 두께는 약 25nm이며, 상기 제9 소스층(1033)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제10 소스층(1014)의 두께는 약 40nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1011), 상기 제4 소스층(1012), 상기 제7 소스층(1013) 및 상기 제10 소스층(1014)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1021), 상기 제5 소스층(1022) 및 상기 제8 소스층(1023)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1031), 상기 제6 소스층(1032) 및 상기 제9 소스층(1033)이 실리콘을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 상기 표 2와 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다. 도 11의 윈도우 글라스(400)는 도 9 및 도 10의 윈도우 글라스(400)에 대응될 수 있다.
도 11을 참조하면, 윈도우 글라스(400)의 후면에는 필름(1100)이 부착(또는 합지)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1100)은 라미네이트 공법으로 상기 윈도우 글라스(400)의 후면에 부착(또는 합지)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 필름(1100)은 상기 필름(1100)을 상기 증착층(420)의 후면에 부착시키기 위한 접착층(1110) 및 상기 접착층(810)의 후면에 적층되는 PET층(1120)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 필름(1100)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1100)은 상술한 구성요소들 외에 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 접착층(1110)은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층(1120)은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
도 11의 필름(1100)은 도 8의 필름(800)과 비교하여, UV 몰딩층(예: UV 몰딩층(830)), 증착층(예: 증착층(840)) 및 인쇄층(예: 인쇄층(850))이 생략된 구조를 가질 수 있다. 이는, 상기 필름(1100)이 부착되는 윈도우 글라스(400)의 증착층(420)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하기 때문이다. 예를 들어, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질이 증착층(420)에 포함되는 경우, 윈도우 글라스(400)는 데코 필름(예: 도 8의 필름(800)) 대신에 비산 방지용 필름(예: 도 11의 필름(1100))을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 12의 윈도우 글라스(500)는 상술한 도 5의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 12에서는, 도 6의 윈도우 글라스(400) 구조에 글라스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 12를 참조하면, 윈도우 글라스(500)는 제1 글라스층(510), 증착층(520) 및 제2 글라스층(530)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 글라스층(530)은 상기 증착층(520)이 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성된 후, 상기 증착층(520)의 후면에 부착될 수 있다. 상기 제1 글라스층(510) 및 상기 제2 글라스층(530)은 동일한 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스(500)가 제1 글라스층(510)과 쌍을 이루는 제2 글라스층(530)을 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 상기 제1 글라스층(510)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(1211), 상기 제1 소스층(1211)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(1220), 및 상기 제2 소스층(1220)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(1212)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1211)은 상기 제1 글라스층(510)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제3 소스층(1212)은 상기 제2 글라스층(530)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 따르면, 제1 글라스층(510) 및 제2 글라스층(530)의 두께는 약 0.3cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1211) 및 상기 제3 소스층(1212)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1220)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(1211)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(1220)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(1212)의 두께는 약 45nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1211) 및 상기 제3 소스층(1212)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1220)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 상기 표 1과 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 13의 윈도우 글라스(500)는 상술한 도 5의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 13에서는, 도 12의 증착층(520) 구조에 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 13을 참조하면, 윈도우 글라스(500)는 제1 글라스층(510), 증착층(520) 및 제2 글라스층(530)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 글라스층(530)은 상기 증착층(520)이 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성된 후, 상기 증착층(520)의 후면에 부착될 수 있다. 상기 제1 글라스층(510) 및 상기 제2 글라스층(530)은 동일한 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스(500)가 제1 글라스층(510)과 쌍을 이루는 제2 글라스층(530)을 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 상기 제1 글라스층(510)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(1311), 상기 제1 소스층(1311)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(1321), 상기 제2 소스층(1321)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(1312), 상기 제3 소스층(1312)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제4 소스층(1322) 및 상기 제4 소스층(1322)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제5 소스층(1313)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13의 증착층(520)은 도 12의 증착층(520)과 비교하여, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층(1312) 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제4 소스층(1322)이 상기 제2 소스층(1321)(예: 도 12의 제2 소스층(1220))과 상기 제5 소스층(1313)(예: 도 12의 제3 소스층(1212)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다. 그러나, 추가로 배치되는 소스층들의 종류 및 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 소스층(예: 제3 소스층(1312))과 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층(예: 제4 소스층(1322))은 복수 개가 포함될 수 있고, 상기 복수 개의 실리콘 산화물을 포함하는 소스층과 상기 복수 개의 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 상기 제2 소스층(1321)과 상기 제5 소스층(1313) 사이에서 교대로 적층될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1311)은 상기 제1 글라스층(510)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제5 소스층(1313)은 상기 제2 글라스층(530)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 증착층(520)에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 글라스층(510) 및 제2 글라스층(530)의 두께는 약 0.3cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1311), 상기 제3 소스층(1312) 및 상기 제5 소스층(1313)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1321) 및 상기 제4 소스층(1322)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(1311)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(1321)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(1312)의 두께는 약 45nm이고, 상기 제4 소스층(1322)의 두께는 약 60nm이며, 상기 제5 소스층(1313)의 두께는 약 25nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1311), 상기 제3 소스층(1312) 및 상기 제5 소스층(1313)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1321) 및 상기 제4 소스층(1322)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 상기 표 1과 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다. 도 14의 윈도우 글라스(500)는 도 12 및 도 13의 윈도우 글라스(500)에 대응될 수 있다.
도 14를 참조하면, 윈도우 글라스(500)의 후면에는 필름(1400)이 부착(또는 합지)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1400)은 라미네이트 공법으로 상기 윈도우 글라스(500)의 후면에 부착(또는 합지)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 필름(1400)은 상기 필름(1400)을 상기 제2 글라스층(530)의 후면에 부착시키기 위한 접착층(1410), 상기 접착층(1410)의 후면에 적층되는 PET층(1420), 상기 PET층(1420)의 후면에 적층되는 UV 몰딩층(1430), 상기 UV 몰딩층(1430)의 후면에 적층되는 증착층(1440), 및 상기 증착층(1440)의 후면에 적층되는 인쇄층(1450)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 필름(1400)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1400)은 상술한 구성요소들 중 적어도 하나를 생략할 수 있고, 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 접착층(1410)은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층(1420)은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 15의 윈도우 글라스(500)는 상술한 도 5의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 15에서는, 도 12의 증착층(520) 구조에 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 15를 참조하면, 윈도우 글라스(500)는 제1 글라스층(510), 증착층(520) 및 제2 글라스층(530)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 글라스층(530)은 상기 증착층(520)이 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성된 후, 상기 증착층(520)의 후면에 부착될 수 있다. 상기 제1 글라스층(510) 및 상기 제2 글라스층(530)은 동일한 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스(500)가 제1 글라스층(510)과 쌍을 이루는 제2 글라스층(530)을 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 상기 제1 글라스층(510)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(1511), 상기 제1 소스층(1511)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(1520), 상기 제2 소스층(1520)의 후면에 적층되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(1530) 및 상기 제3 소스층(1530)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(1512)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 15의 증착층(520)은 도 12의 증착층(520)과 비교하여, 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(1530)이 상기 제2 소스층(1520)(예: 도 12의 제2 소스층(1220))과 상기 제4 소스층(1512)(예: 도 12의 제3 소스층(1212)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1511)은 상기 제1 글라스층(510)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제4 소스층(1512)은 상기 제2 글라스층(530)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 실리콘이 상기 증착층(520)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(500)의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 도 14의 필름(1400))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(500)는 데코 필름(예: 도 14의 필름(1400)) 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(1530)의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(1530)의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 제1 글라스층(510) 및 제2 글라스층(530)의 두께는 약 0.3cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1511) 및 상기 제4 소스층(1512)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1520)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1530)이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(1511)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(1520)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(1530)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제4 소스층(1512)의 두께는 약 60nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1511) 및 상기 제4 소스층(1512)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1520)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1530)이 실리콘을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 다음의 표 2와 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 서로 다른 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 복수의 소스층들 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스의 증착층을 설명하기 위한 도면이다. 도 16의 윈도우 글라스(500)는 상술한 도 5의 제조 방법을 통해 마련될 수 있다. 도 16에서는, 도 15의 증착층(520) 구조에 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층 및 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 소스층이 추가로 더 배치된 구조를 나타낼 수 있다.
도 16을 참조하면, 윈도우 글라스(500)는 제1 글라스층(510), 증착층(520) 및 제2 글라스층(530)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 스퍼터링 공법을 통해 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 글라스층(530)은 상기 증착층(520)이 상기 제1 글라스층(510)의 후면에 형성된 후, 상기 증착층(520)의 후면에 부착될 수 있다. 상기 제1 글라스층(510) 및 상기 제2 글라스층(530)은 동일한 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스(500)가 제1 글라스층(510)과 쌍을 이루는 제2 글라스층(530)을 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스(500)의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 증착층(520)은 상기 제1 글라스층(510)의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층(1611), 상기 제1 소스층(1611)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층(1621), 상기 제2 소스층(1621)의 후면에 적층되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제3 소스층(1631), 상기 제3 소스층(1631)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(1612), 상기 제4 소스층(1612)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제5 소스층(1622), 상기 제5 소스층(1622)의 후면에 적층되고 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층(1632), 상기 제6 소스층(1632)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제7 소스층(1613), 상기 제7 소스층(1613)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제8 소스층(1623), 상기 제8 소스층(1623)의 후면에 적층되고 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제9 소스층(1633) 및 상기 제9 소스층(1633)의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제10 소스층(1614)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 16의 증착층(520)은 도 15의 증착층(520)과 비교하여, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제4 소스층(1612), 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제5 소스층(1622), 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층(1632), 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제7 소스층(1613), 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제8 소스층(1623), 및 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제9 소스층(1633)이 상기 제3 소스층(1631)(예: 도 15의 제3 소스층(1520))과 상기 제10 소스층(1614)(예: 도 15의 제4 소스층(1512)) 사이에 추가로 배치된 구조를 나타낼 수 있다. 그러나, 추가로 배치되는 소스층들의 종류 및 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 복수 개의 실리콘 산화물을 포함하는 소스층, 상기 복수 개의 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 소스층, 및 상기 복수 개의 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층이 상기 제3 소스층(1631)과 상기 제10 소스층(1614) 사이에서 교대로 적층될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1611)은 상기 제1 글라스층(510)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제10 소스층(1614)은 상기 제2 글라스층(530)과 상기 증착층(520)의 접착력 향상을 위해 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 증착층(520)에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 실리콘이 상기 증착층(520)에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스(500)의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 도 14의 필름(1400))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스(500)는 데코 필름(예: 도 14의 필름(1400)) 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제3 소스층(1631), 상기 제6 소스층(1632) 및 상기 제9 소스층(1633)의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 제1 글라스층(510) 및 제2 글라스층(530)의 두께는 약 0.6cm일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1611), 상기 제4 소스층(1612), 상기 제7 소스층(1613) 및 상기 제10 소스층(1614)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1621), 상기 제5 소스층(1622) 및 상기 제8 소스층(1623)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1631), 상기 제6 소스층(1632) 및 상기 제9 소스층(1633)이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 제1 소스층(1611)의 두께는 약 40nm이고, 상기 제2 소스층(1621)의 두께는 약 110nm이며, 상기 제3 소스층(1631)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제4 소스층(1612)의 두께는 약 60nm이며, 상기 제5 소스층(1622)의 두께는 약 80nm이고, 상기 제6 소스층(1632)의 두께는 약 6nm이며, 상기 제7 소스층(1613)의 두께는 약 100nm이고, 상기 제8 소스층(1623)의 두께는 약 25nm이며, 상기 제9 소스층(1633)의 두께는 약 6nm이고, 상기 제10 소스층(1614)의 두께는 약 40nm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 소스층(1611), 상기 제4 소스층(1612), 상기 제7 소스층(1613) 및 상기 제10 소스층(1614)이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 소스층(1621), 상기 제5 소스층(1622) 및 상기 제8 소스층(1623)이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제3 소스층(1631), 상기 제6 소스층(1632) 및 상기 제9 소스층(1633)이 실리콘을 포함하는 경우, 물질에 따른 증착 조건은 상기 표 2와 같을 수 있다. 다만, 증착 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 박막을 형성하는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 소스층을 포함하는 윈도우 글라스 및 윈도우 글라스에 적용되는 필름을 설명하기 위한 도면이다. 도 17의 윈도우 글라스(500)는 도 15 및 도 16의 윈도우 글라스(500)에 대응될 수 있다.
도 17을 참조하면, 윈도우 글라스(500)의 후면에는 필름(1700)이 부착(또는 합지)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1700)은 라미네이트 공법으로 상기 윈도우 글라스(500)의 후면에 부착(또는 합지)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 필름(1700)은 상기 필름(1700)을 제2 글라스층(530)의 후면에 부착시키기 위한 접착층(1710) 및 상기 접착층(1710)의 후면에 적층되는 PET층(1720)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 필름(1700)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 필름(1700)은 상술한 구성요소들 외에 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 접착층(1710)은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층(1720)은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
도 17의 필름(1700)은 도 14의 필름(1400)과 비교하여, UV 몰딩층(예: UV 몰딩층(1430)), 증착층(예: 증착층(1440)) 및 인쇄층(예: 인쇄층(1450))이 생략된 구조를 가질 수 있다. 이는, 상기 필름(1700)이 부착되는 윈도우 글라스(500)의 증착층(520)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하기 때문이다. 예를 들어, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질이 증착층(520)에 포함되는 경우, 윈도우 글라스(500)는 데코 필름(예: 도 14의 필름(1400)) 대신에 비산 방지용 필름(예: 도 17의 필름(1700))을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 실시예에 따르면, 윈도우 글라스는, 글라스층 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함할 수 있다. 상기 증착층은, 상기 글라스층의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층, 상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 제1 물질을 포함하는 제2 소스층, 및 상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 상기 박막의 밀도는 2.8 g/cm3 내지 3.3 g/cm3일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층을 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제5 소스층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는, 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 필름은, 상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층, 상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층, 상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 다른 증착층, 및 상기 다른 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 제2 물질을 포함하는 제4 소스층을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 제2 물질을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층을 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층은, 상기 제4 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층의 두께는 6nm 이하일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는, 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 필름은, 상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 및 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는, 상기 증착층의 후면에 배치되는 다른 글라스층을 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치는, 상기 전자 장치의 일면을 형성하면서 상기 전자 장치의 일면으로부터 상기 전자 장치의 타면 방향으로 휘어져 연장된 곡면 부분을 포함하는 윈도우 글라스 및 상기 전자 장치의 타면을 형성하는 플레이트를 포함하는 하우징, 및 상기 윈도우 글라스와 상기 플레이트 사이에 배치되는 디스플레이를 포함할 수 있다. 상기 윈도우 글라스는, 글라스층 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함할 수 있다. 상기 증착층은, 상기 글라스층의 표면에 형성되고, 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층, 상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 제1 물질을 포함하는 제2 소스층, 및 상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스층의 후면에 형성되는 박막을 포함할 수 있다. 상기 박막의 밀도는 2.8 g/cm3 내지 3.3 g/cm3일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층을 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제5 소스층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 필름은, 상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층, 상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층, 상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 다른 증착층, 및 상기 다른 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 제2 물질을 포함하는 제4 소스층을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 증착층은, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 제2 물질을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층을 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층은, 상기 제4 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층의 두께는 6nm 이하일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 필름은, 상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 및 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 다른 글라스층을 더 포함할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 18의 윈도우 글라스의 제조 방법은 도 4의 윈도우 글라스(400)의 제조 방법의 일부를 포함할 수 있다.
도 18을 참조하면, 동작 1810에서, 글라스 원판을 가공하여, 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))에 적합한 글라스(예: 도 4의 글라스층(410))를 마련할 수 있다. 일 예로, 전자 장치의 하우징의 크기 및 모양에 맞도록 글라스 원판을 CNC(computerized numerical control) 가공할 수 있다.
동작 1820에서, 상기 마련된 글라스의 후면에 박막(예: 도 4의 증착층(420))이 형성되도록 증착 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착 공정은 ICP 방식의 스퍼터링 공법이 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 공정에서는, ICP 방식의 스퍼터링 공법을 통해 상기 글라스의 후면에 상기 박막이 형성될 수 있다. ICP 스퍼터링 공법은 물리 증착법(PVD)의 일종으로, 드럼이 고속으로 회전하면서, 1차 양이온(예: Ar+)에 스퍼터링된 소재가 글라스에 증착된 후, 플라스마 소스 존에서 플라스마 가스와 반응하여 산화물 또는 질화물을 형성하는 방법을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 ICP 방식의 스퍼터링 공법에서, 우선 DC-RF 스퍼터링으로 Si를 증착하고 이후 동일 챔버 내에서 ICP 소스가 위치한 구간으로 샘플을 이동시켜 고밀도의 질소 플라즈마(ICP 플라즈마) 처리를 통해 기 증착된 Si 박막을 질화 처리하는 방식으로 Si3N4 박막을 구현할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 어느 하나를 포함하거나 조합하는 것으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착 박막은 접착력 향상을 위해 글라스의 표면에는 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층이 형성되고, 상기 제1 소스층의 후면에는 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층이 적층되고, 상기 제2 소스층의 후면에 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층이 적층될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층이, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 소스층은 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치될 수 있다. 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 상기 실리콘이 상기 박막에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 데코 필름(deco film))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스는 데코 필름 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제8 소스층, 및 상기 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 제9 소스층이, 상기 제6 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 이 경우, 실리콘을 포함하는 상기 제 6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제9 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 또한, 실리콘을 포함하는 소스층의 개수는 3개 이하가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착층(420)은 상기 제6 소스층 및 두 개 이하의 제9 소스층을 포함할 수 있다.
동작 1830에서, 상기 박막이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 글라스의 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 수행할 수 있다. 상기 성형 공정은 투입 단계, 예열 단계, 성형 단계 및 냉각 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 성형 공정을 수행하기 위한 설비는 단독 설비로서, 인라인 방식으로 동작될 수 있다. 상기 성형 단계에서의 성형 온도는 예를 들어, 650도 내지 760도의 범위를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 박막에 포함되는 물질 즉, 박막 물질에 따라 다양한 온도가 선택될 수 있다. 일 예로, 상기 박막에 포함되는 물질이 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함되는 경우, 성형 온도는 글라스의 성형 온도인 650도 내지 760도의 범위 이상부터 박막 물질의 소결 온도(예: 융점의 70%) 이하의 구간에서 열 성형 온도가 선택될 수 있다. 일반적으로 소결 온도 이상에서 물질을 구성하는 원자의 이동이나 유동이 발생할 수 있기 때문에 글라스와 함께 박막의 성형을 위해서는, 박막 물질의 소결 온도 이상에 해당하는 열 성형 온도가 필요해 보이지만, 실질적으로는 소결 온도보다 훨씬 낮은 온도에서도 박막 물질의 성형이 가능할 수 있다. 이는, 박막의 두께가 나노 단위로서, 매우 얇은 상태이기 때문인데, 통상적으로 물질이 나노 사이즈가 되면 벌크 상태일 때와 물리적 성질이 달리기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 성형 공정에서는, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 고려될 수 있다. 예를 들어, 상기 박막이 형성된 글라스의 열 성형 시, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률이 지정된 값 이상이 되면, 상기 박막에 크랙이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 성형 공정에서, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 4.5 이내가 되도록 설정할 수 있다. 그러나, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값은 박막 물질의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
증착 공정(예: 동작 1820)을 통해 상기 글라스의 후면에 상기 박막을 형성한 후, 글라스의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형 공정(예: 동작 1830)을 수행함으로써, 증착된 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일한 윈도우 글라스를 제공할 수 있다. 이에 따라, 곡면 부분에서의 이색 현상이 방지되고, 광의 파장 별 반사율도 균일하도록 윈도우 글라스를 제공할 수 있다.
동작 1840에서, 윈도우 글라스의 표면을 폴리싱(polishing) 처리할 수 있고, 동작 1850에서, 윈도우 글라스의 표면을 화학 강화 처리할 수 있다.
동작 1860에서, 윈도우 글라스에 필름을 부착할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하지 않는 경우, 상기 윈도우 글라스의 후면에 데코 필름(예: 도 8의 필름(800))이 부착될 수 있다. 상기 데코 필름은 상기 윈도우 글라스의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층, 상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층, 상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 증착층, 및 상기 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 데코 필름의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 데코 필름은 상술한 구성요소들 중 적어도 하나를 생략할 수 있고, 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 접착층은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하는 경우, 상기 윈도우 글라스의 후면에 비산 방지용 필름(예: 도 11의 필름(1100))이 부착될 수 있다. 상기 비산 방지용 필름은 상기 윈도우 글라스의 후면에 부착시키기 위한 접착층 및 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 비산 방지용 필름의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 비산 방지용 필름은 상술한 구성요소들 외에 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 접착층은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질이 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)에 포함되는 경우, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 통해, 상기 윈도우 글라스의 광 차폐성을 구현할 수 있기 때문에, 상기 윈도우 글라스는 상기 데코 필름 대신에 상기 비산 방지용 필름을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
동 1870에서, 윈도우 글라스의 표면에 안티-핑거(anti-finger) 처리를 할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 글라스의 표면에 지문 방지 코팅을 적용할 수 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 글라스들을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 19의 윈도우 글라스의 제조 방법은 도 5의 윈도우 글라스(500)의 제조 방법의 일부를 포함할 수 있다.
도 19를 참조하면, 동작 1910에서, 글라스 원판을 가공하여, 전자 장치(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(200))에 적합한 제1 글라스(예: 도 5의 제1 글라스층(510)) 및 제2 글라스(예: 도 5의 제2 글라스층(530))를 마련할 수 있다. 일 예로, 전자 장치의 하우징의 크기 및 모양에 맞도록 글라스 원판을 CNC 가공할 수 있다.
동작 1920에서, 상기 마련된 제1 글라스의 후면에 박막(예: 도 5의 증착층(520))이 형성되도록 증착 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착 공정은 ICP 방식의 스퍼터링 공법이 이용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 어느 하나를 포함하거나 조합하는 것으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 증착 박막은 제1 글라스와의 접착력 향상을 위해 제1 글라스의 표면에는 실리콘 산화물을 포함하는 제1 소스층이 형성되고, 상기 제1 소스층의 후면에는 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 제2 소스층이 적층되고, 상기 제2 소스층의 후면에 제2 글라스와의 접착력 향상을 위해 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층이 적층될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층이, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물(Ti3O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막에 실리콘 산화물과 같은 지정된 크기 미만의 광 굴절률을 가지는 소스층과 실리콘 질화물 또는 티타늄 산화물과 같은 지정된 크기 이상의 광 굴절률을 가지는 소스층이 교대로 적층되는 경우, 상기 소스층들의 두께를 조절함으로써 광의 특정 파장 대역의 반사율이 조절(예: 증가 또는 감소)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 박막은 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 포함하는 제6 소스층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 소스층은 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치될 수 있다. 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질은 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 상기 실리콘이 상기 박막에 포함되는 경우, 기존에 윈도우 글라스의 배면(후면)에 합지하는 필름(예: 데코 필름(deco film))이 생략될 수 있다. 이 경우, 윈도우 글라스는 데코 필름 대신에 비산 방지용 필름 또는 인쇄층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 이는 실리콘을 포함하는 상기 제6 소스층의 두께가 지정된 크기(예: 6nm)를 초과하면, 실리콘이 가지는 도전성으로 인해 전자 장치의 전파 통신이 방해될 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층, 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 물질을 포함하는 적어도 하나의 제8 소스층, 및 상기 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 제9 소스층이, 상기 제6 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 더 적층될 수 있다. 이 경우, 실리콘을 포함하는 상기 제 6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제9 소스층의 두께는 6nm 이하가 될 수 있다. 또한, 실리콘을 포함하는 소스층의 개수는 3개 이하가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착층(420)은 상기 제6 소스층 및 두 개 이하의 제9 소스층을 포함할 수 있다.
동작 1930에서, 상기 박막의 후면에 제2 글라스를 부착할 수 있다. 윈도우 글라스가 제1 글라스와 쌍을 이루는 제2 글라스를 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
동작 1940에서, 상기 제1 글라스, 상기 박막 및 상기 제2 글라스를 포함하는 윈도우 글라스의 적어도 일측 단부가 윈도우 글라스의 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 수행할 수 있다. 상기 성형 공정은 투입 단계, 예열 단계, 성형 단계 및 냉각 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 성형 공정을 수행하기 위한 설비는 단독 설비로서, 인라인 방식으로 동작될 수 있다. 상기 성형 단계에서의 성형 온도는 예를 들어, 650도 내지 760도의 범위를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 박막에 포함되는 물질 즉, 박막 물질에 따라 다양한 온도가 선택될 수 있다. 일 예로, 상기 박막에 포함되는 물질이 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함되는 경우, 성형 온도는 글라스의 성형 온도인 650도 내지 760도의 범위 이상부터 박막 물질의 소결 온도(예: 융점의 70%) 이하의 구간에서 열 성형 온도가 선택될 수 있다. 일반적으로 소결 온도 이상에서 물질을 구성하는 원자의 이동이나 유동이 발생할 수 있기 때문에 글라스와 함께 박막의 성형을 위해서는, 박막 물질의 소결 온도 이상에 해당하는 열 성형 온도가 필요해 보이지만, 실질적으로는 소결 온도보다 훨씬 낮은 온도에서도 박막 물질의 성형이 가능할 수 있다. 이는, 박막의 두께가 나노 단위로서, 매우 얇은 상태이기 때문인데, 통상적으로 물질이 나노 사이즈가 되면 벌크 상태일 때와 물리적 성질이 달리기 때문이다.
일 실시예에 따르면, 상기 성형 공정에서는, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 고려될 수 있다. 예를 들어, 상기 박막이 형성된 글라스의 열 성형 시, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률이 지정된 값 이상이 되면, 상기 박막에 크랙이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 성형 공정에서, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 4.5 이내가 되도록 설정할 수 있다. 그러나, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 글라스의 곡면 부분의 곡률 값은 박막 물질의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
증착 공정(예: 동작 1920)을 통해 제1 글라스의 후면에 상기 박막을 형성하고, 상기 박막의 후면에 제2 글라스를 부착(예: 동작 1930)한 후, 윈도우 글라스의 적어도 일부분이 곡면 형상을 가지도록 성형 공정(예: 동작 1940)을 수행함으로써, 증착된 박막의 두께가 평면 부분뿐만 아니라 곡면 부분에서도 균일한 윈도우 글라스를 제공할 수 있다. 이에 따라, 곡면 부분에서의 이색 현상이 방지되고, 광의 파장 별 반사율도 균일하도록 윈도우 글라스를 제공할 수 있다. 또한, 윈도우 글라스가 제1 글라스와 쌍을 이루는 제2 글라스를 포함하고 있기 때문에, 윈도우 글라스의 열 성형 시, 인장 또는 압축 응력을 감소시켜, 곡면 부분에서의 크랙이 발생하는 것을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
동작 1950에서, 윈도우 글라스의 표면을 폴리싱 처리할 수 있고, 동작 1960에서, 윈도우 글라스의 표면을 화학 강화 처리할 수 있다.
동작 1970에서, 윈도우 글라스에 필름을 부착할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하지 않는 경우, 상기 윈도우 글라스의 후면에 데코 필름(예: 도 14의 필름(1400))이 부착될 수 있다. 상기 데코 필름은 상기 윈도우 글라스의 후면에 부착시키기 위한 접착층, 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층, 상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층, 상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 증착층, 및 상기 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 데코 필름의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 데코 필름은 상술한 구성요소들 중 적어도 하나를 생략할 수 있고, 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 접착층은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)이 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질(예: 실리콘)을 포함하는 경우, 상기 윈도우 글라스의 후면에 비산 방지용 필름(예: 도 17의 필름(1700))이 부착될 수 있다. 상기 비산 방지용 필름은 상기 윈도우 글라스의 후면에 부착시키기 위한 접착층 및 상기 접착층의 후면에 적층되는 PET층을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 비산 방지용 필름의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면, 상기 비산 방지용 필름은 상술한 구성요소들 외에 적어도 하나의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 접착층은 광학용 접착 물질(OCA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 PET층은 비산 방지 기능을 제공할 수 있다.
상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질이 상기 윈도우 글라스의 박막(예: 증착층)에 포함되는 경우, 상기 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 물질을 통해, 상기 윈도우 글라스의 광 차폐성을 구현할 수 있기 때문에, 상기 윈도우 글라스는 상기 데코 필름 대신에 상기 비산 방지용 필름을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제품의 원가가 절감될 수 있고, 총 두께를 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
동 1980에서, 윈도우 글라스의 표면에 안티-핑거(anti-finger) 처리를 할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 글라스의 표면에 지문 방지 코팅을 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 실시예에 따르면, 윈도우 글라스의 제조 방법은, 글라스의 후면에 유도 결합 플라즈마(ICP) 방식의 스퍼터링 공법을 통해 증착층을 형성하는 증착 공정, 및 상기 증착층이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 상기 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 윈도우 글라스의 제조 방법은, 상기 성형 공정 전에 상기 증착층의 후면에 다른 글라스를 부착하는 부착 공정을 더 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101))에 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
Claims (20)
- 윈도우 글라스에 있어서,
글라스층; 및
상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함하고,
상기 증착층은,
상기 글라스층의 표면에 형성되고 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층;
상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 제1 물질을 포함하는 제2 소스층; 및
상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함하는 윈도우 글라스. - 청구항 1에 있어서,
상기 증착층은,
스퍼터링(sputtering) 공법을 통해 상기 글라스층의 후면에 형성되는 박막을 포함하고,
상기 박막의 밀도는 2.8 g/cm3 내지 3.3 g/cm3인 윈도우 글라스. - 청구항 1에 있어서,
상기 증착층은,
상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제5 소스층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층되는 윈도우 글라스. - 청구항 1에 있어서,
상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함하고,
상기 필름은,
상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층;
상기 접착층의 후면에 적층되는 PET(polyethylene terephthalate)층;
상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층;
상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 다른 증착층; 및
상기 다른 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함하는 윈도우 글라스. - 청구항 1에 있어서,
상기 증착층은,
상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 제2 물질을 포함하는 제4 소스층을 더 포함하는 윈도우 글라스. - 청구항 5에 있어서,
상기 증착층은,
상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 제2 물질을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층은, 상기 제4 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층되는 윈도우 글라스. - 청구항 6에 있어서,
상기 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층의 두께는 6nm 이하인 윈도우 글라스. - 청구항 5에 있어서,
상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함하고,
상기 필름은,
상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층; 및
상기 접착층의 후면에 적층되는 PET(polyethylene terephthalate)층을 포함하는 윈도우 글라스. - 청구항 1에 있어서,
상기 증착층의 후면에 배치되는 다른 글라스층을 더 포함하는 윈도우 글라스. - 전자 장치에 있어서,
상기 전자 장치의 일면을 형성하면서 상기 전자 장치의 일면으로부터 상기 전자 장치의 타면 방향으로 휘어져 연장된 곡면 부분을 포함하는 윈도우 글라스 및 상기 전자 장치의 타면을 형성하는 플레이트를 포함하는 하우징; 및
상기 윈도우 글라스와 상기 플레이트 사이에 배치되는 디스플레이를 포함하고,
상기 윈도우 글라스는,
글라스층 및 상기 글라스층의 후면에 배치되는 증착층을 포함하고,
상기 증착층은,
상기 글라스층의 표면에 형성되고, 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 제1 소스층;
상기 제1 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물보다 큰 광 굴절률을 가지는 제1 물질을 포함하는 제2 소스층; 및
상기 제2 소스층의 후면에 적층되고 상기 실리콘 산화물을 포함하는 제3 소스층을 포함하는 전자 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 증착층은,
스퍼터링(sputtering) 공법을 통해 상기 글라스층의 후면에 형성되는 박막을 포함하고,
상기 박막의 밀도는 2.8 g/cm3 내지 3.3 g/cm3인 전자 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 증착층은,
상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제5 소스층은, 상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층되는 전자 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함하고,
상기 필름은,
상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층;
상기 접착층의 후면에 적층되는 PET(polyethylene terephthalate)층;
상기 PET층의 후면에 적층되는 UV 몰딩층;
상기 UV 몰딩층의 후면에 적층되는 다른 증착층; 및
상기 다른 증착층의 후면에 적층되는 인쇄층을 포함하는 전자 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 증착층은,
상기 제2 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 배치되고 지정된 크기 이상의 광 차폐율을 가지는 제2 물질을 포함하는 제4 소스층을 더 포함하는 전자 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 증착층은,
상기 실리콘 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 제1 물질을 포함하는 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 제2 물질을 포함하는 적어도 하나의 제7 소스층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제5 소스층, 상기 적어도 하나의 제6 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층은, 상기 제4 소스층과 상기 제3 소스층 사이에 교대로 적층되는 전자 장치. - 청구항 15에 있어서,
상기 제4 소스층 및 상기 적어도 하나의 제7 소스층의 두께는 6nm 이하인 전자 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 필름을 더 포함하고,
상기 필름은,
상기 필름을 상기 증착층의 후면에 부착시키기 위한 접착층; 및
상기 접착층의 후면에 적층되는 PET(polyethylene terephthalate)층을 포함하는 전자 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 윈도우 글라스는 상기 증착층의 후면에 배치되는 다른 글라스층을 더 포함하는 전자 장치. - 윈도우 글라스의 제조 방법에 있어서,
글라스의 후면에 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 방식의 스퍼터링(sputtering) 공법을 통해 증착층을 형성하는 증착 공정; 및
상기 증착층이 형성된 글라스의 적어도 일측 단부가 상기 후면 방향으로 휘어져 연장되도록 성형하는 성형 공정을 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법. - 청구항 19에 있어서,
상기 성형 공정 전에 상기 증착층의 후면에 다른 글라스를 부착하는 부착 공정을 더 포함하는 윈도우 글라스의 제조 방법.
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- 2022-07-01 KR KR1020220081409A patent/KR20230174672A/ko unknown
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