KR20230172892A - 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법 및 상기 코팅 방법으로 제조된 코팅막 - Google Patents

이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법 및 상기 코팅 방법으로 제조된 코팅막 Download PDF

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Abstract

모재 표면에 이트륨계 분말을 대기 플라즈마 용사하는 코팅 방법으로서, 상기 이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 범위이고, 상기 이트륨계 분말의 시드(seed) 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 인, 코팅 방법에 관한 것이다.

Description

이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법 및 상기 코팅 방법으로 제조된 코팅막{Method of Coating Using Yittrium Powder and Coating Film Produced by the Method}
본 발명은 반도체, FPD(Flat Panel Display) 장치 등에 사용되는 모재에 내플라즈마성을 부여하기 위한 코팅 방법 및 상기 코팅 방법으로 제조된 코팅막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법 및 코팅막에 관한 것이다.
반도체, FPD 장치 등에 사용되는 소자의 제조에서는 고밀도 플라즈마 환경에서 건식 식각 공정 등을 수행한다. 상기 건식 식각 공정은 강한 부식성 환경을 만들고, 소자 외의 다른 장치 부품들도 부식시켜, 장치 부품의 수명을 단축하고, 장치 부품으로부터 파티클이 발생되어 소자의 불량을 유발하였다.
이러한 장치 부품의 부식을 방지하기 위해, 대기 플라즈마 용사를 통해 Y2O3 분말을 이용한 코팅 방법이 사용되었지만, 상기 Y2O3 분말을 이용한 코팅 방법은, 코팅막 내부에 기공과 균열 등이 발생하기 쉬운 문제점이 있었다.
이에, Y2O3 분말과는 다른 종류의 분말 즉, YOF, YAG, YF3 또는 SiO2 등을 혼합하여 코팅막을 형성하는 방식 등을 시도하였고, 대기 플라즈마 용사 방식과는 다른 종류의 방식 즉, 서스펜션 대기 플라즈마 용사, PVD(Physical Vapor Deposition), AD(Aerosol Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식 등을 시도하였다.
특허문헌 1 은 대기 플라즈마 용사 후, 에어로졸 증착을 통한 이중 밀봉을 함으로써 내플라즈마성을 높이는 것을 개시하고 있다.
특허문헌 2 에서는 이트륨 화합물 분말에 실리카 분말을 혼합시킴으로써, 이트륨계 화합물의 녹는점을 낮추고 코팅막의 밀도를 높이는 것을 개시하고 있다.
한국공개특허 10-2017-0080123(2017.07.10) 한국등록특허 10-2266655(2021.06.18)
본 발명은 코팅의 내부 밀도를 높이고, 우수한 내플라즈마성을 부여할 수 있는, 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 식각 공정 중 장치 부품으로부터 발생되는 파티클을 저감하는 코팅막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 하기의 [1] ~ [10] 에 관한 것이다.
[1] 모재 표면에 이트륨계 분말을 대기 플라즈마 용사하는 코팅 방법으로서, 상기 이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 범위이고, 상기 이트륨계 분말의 시드(seed) 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 인, 코팅 방법.
[2] 상기 [1] 의 시드(seed) 입자 중 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 30 % 내지 70 % 인, 코팅 방법.
[3] 상기 [1] 의 이트륨계 분말은 Y2O3, YF3 및 Y3Al5O12 로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인, 코팅 방법.
[4] 상기 [1] 의 대기 플라즈마 용사는, 아르곤 가스 및 수소 가스를 이송 가스로 사용하고, 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 1 내지 5 인, 코팅 방법.
[5] 상기 [1] 의 대기 플라즈마 용사는, 출력이 30 kW 내지 50 kW 인, 코팅 방법.
[6] 상기 [1] 의 대기 플라즈마 용사는, 상기 이트륨계 분말을 주입하는 단계를 포함하고, 상기 이트륨계 분말 주입 시 주입 속도가 15 g/min 내지 30 g/min 인, 코팅 방법.
[7] 상기 [6] 의 이트륨계 분말 주입 시, 유량이 3 SLPM 내지 8 SLPM 인 불활성 가스를 사용하는, 코팅 방법.
[8] 상기 [1] 의 대기 플라즈마 용사는, 용사 거리가 120 mm 내지 180 mm 이고, 용사 방향과 모재와의 각도가 수직인, 코팅 방법.
[9] 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 코팅 방법으로 제조된, 코팅막.
[10] 상기 [9] 의 코팅막의 기공율이 1 % 내지 3.1 % 이거나, 조도가 3 ㎛ 내지 5.5 ㎛ 이거나, 두께가 50 ㎛ 내지 400 ㎛ 인, 코팅막.
본 발명의 코팅 방법에 의해, 코팅의 내부 밀도를 높이고, 우수한 내플라즈마성을 부여할 수 있다.
본 발명의 코팅막에 의해, 식각 공정 중 장치 부품으로부터 발생되는 파티클을 저감할 수 있다.
도 1 (a) 내지 (c) 는 이트륨계 분말의 평균 입경값에 따라 대기 플라즈마 용사에 의해 코팅하는 과정의 모식도이다.
도 2 는 이트륨계 분말의 단면 이미지이다.
도 3 (a) 내지 (c) 는 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법에 의해 제조된 코팅막의 단면 이미지이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법은, 종래의 코팅막보다 고밀도의 코팅을 가능하게 하고, 상기 코팅 방법에 따라 제조된 코팅막은 내플라즈마성이 우수하다는 장점을 갖는다.
본 발명은 모재 표면에 이트륨계 분말을 대기 플라즈마 용사하는 코팅 방법으로서, 상기 이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 범위이고, 상기 이트륨계 분말의 시드(seed) 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 일 수 있다.
이트륨계 분말의 평균 입경이 상기 범위보다 큰 경우, 분말의 비표면적이 감소하여 모재에 코팅되었을 때 기공이 많이 발생한다. 또한, 분말의 평균 입경이 크므로 분말 중심부의 시드 입자까지 열 전달이 충분히 되지 않고, 분말이 내부까지 완전히 용융되지 않아 모재에 코팅되었을 때 잘 펴지지 않고 기공이 증가하며 코팅막의 품질이 저하된다.
반대로, 이트륨계 분말의 평균 입경이 상기 범위보다 작은 경우, 용융된 분말의 무게가 감소하여 대기 플라즈마로부터 얻게 되는 운동 에너지가 저하된다. 그 결과, 유동성이 감소하고, 코팅막이 형성되기 전에 용융된 분말끼리 뭉치게 된다. 이에 따라, 형성된 코팅막에는 기공이 많이 발생한다.
이트륨계 분말의 시드 입자의 크기가 상기 범위보다 큰 경우, 분말 중심부의 시드 입자까지 열 전달이 충분히 되지 않고, 분말이 내부까지 완전히 용융되지 않아 모재에 코팅되었을 때 잘 펴지지 않고 기공이 증가하며 코팅막의 품질이 저하된다.
이트륨계 분말의 시드 입자의 크기가 상기 범위보다 작은 경우, 분말이 과용융되어 원하지 않는 결정상을 이루게 된다. 또한, 과용융된 분말이 모재에 코팅될 때(모재에 도달하여 액적상태에서 고체상태로 변화할 때) 급속 수축되어 뭉치게 되고 기공이 증가하며 코팅의 밀착성이 약화된다.
이트륨계 분말의 평균 입경 및 시드 입자의 크기가 상기 범위를 만족함으로써, 코팅의 내부 밀도를 높이고, 우수한 내플라즈마성을 부여할 수 있으며, 제조된 코팅막은 식각 공정 중 장치 부품으로부터 발생되는 파티클을 저감할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 코팅 방법은 이트륨계 분말의 시드(seed) 입자 중 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 30 % 내지 70 %, 바람직하게는 50 % 내지 60 % 일 수 있다.
시드 입자 중 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 상기 범위보다 큰 경우, 분말 중심부의 시드 입자까지 열 전달이 충분히 되지 않고, 분말이 내부까지 완전히 용융되지 않아 모재에 코팅되었을 때 잘 펴지지 않고 기공이 증가하며 코팅막의 품질이 저하된다.
시드 입자 중 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 상기 범위보다 작은 경우, 분말이 과용융되어 원하지 않는 결정상을 이루게 된다. 또한, 과용융된 분말이 모재에 코팅될 때(모재에 도달하여 액적상태에서 고체상태로 변화할 때) 급속 수축되어 뭉치게 되고 기공이 증가하며 코팅의 밀착성이 약화된다.
본 발명에 따른 코팅 방법은 대기 플라즈마 용사 시 이트륨계 분말을 이용할 수 있다. 바람직하게는, 상기 이트륨계 분말은 Y2O3, YF3 및 Y3Al5O12 로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 이트륨계 분말은 내플라즈마성이 매우 우수하고, 화학적 안정성이 높으며, 기타 산화물과 반응성이 낮다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사에는, 압축 공기나 불활성 가스를 이송 가스로 사용할 수 있다. 불활성 가스로서는, 아르곤(Ar), 수소(H2), 헬륨(He) 또는 질소(N2) 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사의 이송 가스로서, 아르곤 가스를 1 차 가스로, 수소 가스를 2 차 가스로서 사용할 수 있다. 이 때, 아르곤 가스는 플라즈마를 발생시키고, 수소 가스는 플라즈마 열원을 형성한다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사 시, 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비는 1 내지 5, 바람직하게는 1 내지 3 일 수 있다.
수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 상기 범위보다 큰 경우, 플라즈마 열원이 감소하고, 이로 인해 분말이 충분히 용융되지 않은 채 코팅되어, 코팅막의 기공이 증가한다. 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 상기 범위보다 작은 경우, 플라즈마 열원이 크게 증가하여 분말이 과용융되고, 이로 인해 모재에 코팅될 때 급속 수축되고 뭉치게 되어, 코팅막의 기공이 증가하고 코팅의 밀착성이 약화된다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사는, 출력이 30 kW 내지 50 kW, 바람직하게는 40 kW 내지 45 kW 일 수 있다.
대기 플라즈마 용사의 출력을 지나치게 증가시킬 경우, 플라즈마 밀도가 증가하여 플라즈마 주위의 산소 고갈을 발생시키고, 이트륨계 분말의 색상을 검정색으로 변화(블랙스팟 발생)시킨다. 대기 플라즈마 용사의 출력이 낮을 경우, 플라즈마 밀도가 감소하여 플라즈마가 분말에 전달하는 열량이 감소하게 되고, 이로 인해 분말의 미용융 등의 문제가 발생하여 코팅막의 기공이 증가한다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사는, 이트륨계 분말을 주입하는 단계를 포함하고, 분말 주입 시 주입 속도가 15 g/min 내지 30 g/min 일 수 있다.
주입 속도가 너무 빠를 경우, 분말이 모두 용융되지 않고 미용융 분말인 채로 코팅되어, 코팅막의 기공이 증가한다. 주입 속도가 너무 느릴 경우, 코팅 속도가 너무 느려 생산성이 저하된다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사는, 상기 이트륨계 분말 주입 시 유량이 3 SLPM 내지 8 SLPM 인 불활성 가스를 사용할 수 있다.
불활성 가스의 유량이 너무 많을 경우, 분말이 분출되는 속도가 너무 빨라져 플라즈마 열원에서 분말이 잘 녹는 최적의 궤적을 벗어난다. 불활성 가스의 유량이 너무 적을 경우, 분말이 플라즈마 열원에 충분히 도달하지 못한다. 이로 인해, 미용융된 분말이 고체 상태 그대로 코팅되어, 코팅막의 기공이 증가한다.
본 발명에 따른 대기 플라즈마 용사는, 용사 거리가 120 mm 내지 180 mm 이고, 용사 방향과 모재와의 각도가 수직일 수 있다.
용사 거리가 너무 멀어지면, 용융되었던 분말이 다시 고체 상태로 변한채 코팅되므로, 코팅막의 기공이 증가한다. 용사 거리가 너무 짧으면, 고온의 플라즈마로 인해 코팅막의 균열이 발생한다.
용사 각도가 수직에서 벗어나면, 각도에 따라 이트륨계 분말이 플라즈마를 통과하는 궤적이 달라지게 되고, 이로 인해 코팅막의 기공률 또는 부착력 등의 물성이 달라져 코팅막이 불균일해진다.
본 발명에 따른 이트륨계 분말을 이용한 코팅막은 기공율이 1 % 내지 3.1 % 일 수 있다. 상기 범위의 기공율을 유지함으로써, 고밀도의 코팅막을 구현할 수 있고, 내플라즈마성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 이트륨계 분말을 이용한 코팅막은 조도가 3 ㎛ 내지 5.5 ㎛ 이다. 코팅막의 조도가 상기 범위를 유지함으로써 보다 매끄러운 코팅 표면을 갖게 될 수 있다.
본 발명에 따른 이트륨계 분말을 이용한 코팅막은 두께가 50 ㎛ 내지 400 ㎛ 이다. 코팅막의 두께가 상기 범위임으로써, 반도체, FPD 장치 등에 사용되는 소자의 건식 식각 공정에서, 소자 외의 다른 장치 부품들을 충분히 보호할 수 있다.
이하, 본 발명을 시험예를 통해 더욱 상세히 설명한다. 그러나 하기 시험예는 본 발명을 예시하는 것일뿐, 본 발명이 하기 시험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
시험예 1 : 이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 에 따른 코팅막의 기공율
스프레이 드라이어에 의하여 평균 입경값 (D50) 이 하기 표 1 과 같고 시드 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 이고 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 50 % 내지 60 % 인 Y2O3 분말을 얻고, 플라즈마 건을 이용하고, 이송 가스로서 유량비 1:5 인 아르곤 가스 및 수소 가스를 열원으로 하여, 20 g/min 의 분말 주입 속도 및 5 SLPM 의 이송 가스의 유량을 40kW 의 출력으로 플라즈마를 생성하며, 모재와의 거리 150 mm 에서 수직 각도로 대기 플라즈마 용사하여 모재에 200 ㎛ 두께의 코팅막을 형성했다.
이에 따른 코팅막을 전자 현미경(TESCAN사, XEIA GMH)을 사용하여 그 단면 화상을 촬영하고 화상 해석 소프트(MEDIA CYBERNETICS, Image Pro)를 사용하여　기공율을 측정하였다. 그 결과가 하기 표 1 에 개시되어 있다.
Y 2 O 3 분말의 평균 입경값
(D50) 		코팅막의 기공율
41 ㎛ 4.6 %
38 ㎛ 3.9 %
36 ㎛ 3.8 %
28 ㎛ 3.1 %
25 ㎛ 2.3 %
22 ㎛ 2.7 %
Y2O3 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 인 경우, 입경값 (D50) 이 28 ㎛ 초과인 경우에 비해, 코팅막의 기공율이 낮았다.
도 1 (a) 내지 (c) 는 이트륨계 분말의 평균 입경값에 따라 대기 플라즈마 용사에 의해 코팅하는 과정의 모식도이다.
이트륨계 분말의 평균 입경이 28 ㎛ 보다 큰 경우(도 1 (a)), 용융된 분말 (4) 의 비표면적이 감소하여 코팅막 (5) 에 기공 (2) 이 많이 발생하였다. 또한, 이트륨계 분말이 완전 용융되지 않아 코팅막 (5) 내 미용융 부분이 발생하여 코팅막의 품질이 저하되었다.
이트륨계 분말의 평균 입경이 20 ㎛ 보다 작은 경우(도 1 (c)), 용융된 분말 (4) 의 무게가 감소하여 대기 플라즈마 (7) 로부터 얻게 되는 운동 에너지가 저하되었다. 그 결과, 유동성이 감소하고, 코팅막이 형성되기 전에 용융된 분말끼리 뭉침현상이 발생하였다. 이에 따라, 형성된 코팅막 (5) 에는 기공 (2) 이 많이 발생하였다.
이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 인 경우(도 1 (b)), 상기 범위를 만족하지 않는 경우에 비해, 코팅막 (5) 에 기공 (2) 이 적게 발생하였다.
시험예 2 : Y 2 O 3 분말의 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율에 따른 코팅막의 기공율
Y2O3 분말의 평균 입경값 (D50) 을 25 ㎛ 로 고정하고, 시드 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 인 시드 입자 중, 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율을 하기 표 2 와 같이 조절한 것을 제외하고는, 상기 시험예 1 과 동일한 방법으로 코팅막을 제조하고, 코팅막의 기공율을 측정하였다. 그 결과가 하기 표 2 에 개시되어 있다.
Y 2 O 3 분말의 평균 입경값
(D50) 		시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율 코팅막의 기공율
25 ㎛ 14 % 3.1 %
41 % 2.5 %
53 % 2.3 %
68 % 2.6 %
Y2O3 분말의 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 30 % 내지 70 % 인 경우 코팅막의 기공율이 낮고, 상기 비율이 53 % 인 경우, 코팅막의 기공율이 특히 낮았다.
시험예 3 : 대기 플라즈마 용사의 출력 및 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비에 따른 Y 2 O 3 분말을 이용한 코팅막의 기공율
Y2O3 분말의 평균 입경값 (D50) 을 25 ㎛ 로 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율을 53 % 로 고정하고, 대기 플라즈마 용사의 출력과 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비를 하기 표 3 와 같이 조절한 것을 제외하고는, 상기 시험예 1 과 동일한 방법으로 코팅막을 제조하고, 코팅막의 기공율을 측정하였다. 그 결과가 하기 표 3 에 개시되어 있다.
Y 2 O 3 분말의 평균 입경값
(D50) 		시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율 출력 Ar:H 2
유량비 		코팅막의 기공율 기타
25 ㎛ 53 % 29 kW 3 : 1 3.0 %
40 kW 5 : 1 2.3 %
43 kW 3 : 1 1.5 %
51 kW 5 : 1 1.9 % 블랙스팟
54 kW 3 : 1 1.7 % 블랙스팟
대기 플라즈마 용사의 출력이 40 kW 및 43 kW 인 경우, 코팅막의 기공율이 더욱 낮았고, 특히, 대기 플라즈마 용사에 사용되는 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 1 내지 3 인 경우, 코팅막의 기공율이 더욱 낮았다. 한편, 출력이 51 kW 이상인 경우 블랙스팟이 발생하였다.
도 3 (a) 내지 (c) 는 이트륨계 분말을 이용한 코팅 방법에 의해 제조된 코팅막의 단면 이미지이다.
도 3 (a) 는 종래의 코팅막의 단면 이미지로, 조도가 6±1 ㎛ 인 반면, 도 3 (b) 는 평균 입경값 (D50) 이 25 ㎛ 이고 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 53 % 인 Y2O3 분말을 사용한 코팅막의 단면 이미지로, 조도가 4.5±1 ㎛ 이다.
도 3 (c) 는 평균 입경값 (D50) 이 25 ㎛ 이고, 시드 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 53 % 인 Y2O3 분말을 사용하고, 대기 플라즈마 용사의 출력이 43 kW 이고, 사용되는 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 3 인 코팅막의 단면 이미지로, 조도가 4±1 ㎛ 이다.
1 : 분말 투입 위치
2 : 기공(흰부분)
3 : 대기 플라즈마 건
4 : 플라즈마에 의해 용융된 분말
5 : 코팅막
6 : 모재
7 : 대기 플라즈마
8 : 분말의 용융 이후 모재까지의 비행 거리(용사거리)

Claims (10)

  1. 모재 표면에 이트륨계 분말을 대기 플라즈마 용사하는 코팅 방법으로서,
    상기 이트륨계 분말의 평균 입경값 (D50) 이 20 ㎛ 내지 28 ㎛ 범위이고,
    상기 이트륨계 분말의 시드(seed) 입자의 크기가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 인, 코팅 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시드(seed) 입자 중 입자 크기가 3 ㎛ 이상인 비율이 30 % 내지 70 % 인, 코팅 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이트륨계 분말은 Y2O3, YF3 및 Y3Al5O12 로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인, 코팅 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기 플라즈마 용사는, 아르곤 가스 및 수소 가스를 이송 가스로 사용하고, 수소 가스에 대한 아르곤 가스의 유량비가 1 내지 5 인, 코팅 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기 플라즈마 용사는, 출력이 30 kW 내지 50 kW 인, 코팅 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기 플라즈마 용사는, 상기 이트륨계 분말을 주입하는 단계를 포함하고, 상기 이트륨계 분말 주입 시 주입 속도가 15 g/min 내지 30 g/min 인, 코팅 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 이트륨계 분말 주입 시, 유량이 3 SLPM 내지 8 SLPM 인 불활성 가스를 사용하는, 코팅 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기 플라즈마 용사는, 용사 거리가 120 mm 내지 180 mm 이고, 용사 방향과 모재와의 각도가 수직인, 코팅 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 코팅 방법으로 제조된, 코팅막.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 코팅막의 기공율이 1 % 내지 3.1 % 이거나, 조도가 3 ㎛ 내지 5.5 ㎛ 이거나, 두께가 50 ㎛ 내지 400 ㎛ 인, 코팅막.
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KR20170080123A (ko) 2015-12-31 2017-07-10 (주)코미코 내플라즈마 코팅막 및 이의 형성방법
KR102266655B1 (ko) 2020-12-10 2021-06-18 (주)코미코 이트륨계 과립 분말을 이용한 용사 피막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이트륨계 용사 피막

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