KR20230168194A - 열전소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그, 상기 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치되는 제2 금속기판을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 수지층과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면에 대향하며 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 제2 면, 그리고 상기 제2 면의 가장자리를 따라 배치되는 제1 돌출부를 포함하며, 이웃하는 제1 전극들 사이에 배치되는 상기 제1 수지층의 두께는 상기 제1 면의 하부에 배치되는 상기 제1 수지층의 두께보다 작다.

Description

열전소자{THERMOELECTRIC ELEMENT}
본 발명은 열전소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전소자의 전극에 관한 것이다.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.
열전소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다.
열전소자는 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다. 열전소자는 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전소자는 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.
열전소자는 기판, 전극 및 열전 레그를 포함하며, 상부기판과 하부기판 사이에 복수의 열전 레그가 어레이 형태로 배치되며, 복수의 열전 레그와 상부기판 사이에 복수의 상부 전극이 배치되고, 복수의 열전 레그와 및 하부기판 사이에 복수의 하부전극이 배치된다.
일반적으로, 복수의 전극은 지그 상에 정렬된 후 기판 상에 접합될 수 있다. 이때, 복수의 전극을 지그 상에 정렬한 후 기판 상에 접합하기까지 소정의 시간 및 공정이 요구될 수 있으며, 실리콘 테이프의 전사 및 제거 공정도 요구되고, 열전소자의 사이즈 또는 디자인 별로 지그가 제작되어야 하므로, 이는 공정 비용을 증가시키는 요인이 될 수 있다. 또한, 복수의 전극을 기판 상에 접합할 때, 복수의 전극 상에 가해지는 압력이 균일하지 않을 수 있으며, 이에 따라 복수의 전극과 기판 사이를 접합하는 물질의 일부가 복수의 전극까지 넘어올 수 있다. 복수의 전극의 일부에라도 이물질이 존재하면, 열전소자의 전기전도도에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 복수의 전극과 기판 사이의 접합 강도가 균일하지 않아, 고온부 측 기판과 전극 간 열팽창 계수 차로 인하여 일부 전극이 기판으로부터 박리될 수도 있다.
한편, 복수의 전극 각각 상에는 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치될 수 있으며, 이를 위하여 각 전극 상에 솔더층을 인쇄한 후, 솔더층 상에 P형 열전 레그와 N형 열전 레그를 접합할 수 있다. 이때, P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 솔더층 상에서 미끄러져 틸팅되거나 서로 접합하는 경우, 솔더층이 전극 밖으로 흘러 넘치는 경우 등이 종종 발생할 수 있으며, 이에 따라 쇼트 불량이 발생할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전소자의 전극 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그, 상기 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치되는 제2 금속기판을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 수지층과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면에 대향하며 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 제2 면, 그리고 상기 제2 면의 가장자리를 따라 배치되는 제1 돌출부를 포함하며, 이웃하는 제1 전극들 사이에 배치되는 상기 제1 수지층의 두께는 상기 제1 면의 하부에 배치되는 상기 제1 수지층의 두께보다 작다.
이웃하는 제1 전극들 사이에 배치되는 상기 제1 수지층의 두께는 상기 이웃하는 제1 전극들과 가까워질수록 커질 수 있다.
상기 이웃하는 제1 전극들 사이의 적어도 일부 영역에는 상기 제1 금속기판이 노출될 수 있다.
상기 제2 면의 가장자리로부터 상기 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 영역에 가까워질수록 상기 제1 돌출부의 높이는 낮아질 수 있다.
상기 제2 면의 가장자리로부터 상기 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 영역에 가까워질수록 상기 제1 돌출부는 높아지다가 다시 낮아질 수 있다.
상기 제1 돌출부의 폭은 상기 제1 전극의 상면의 장폭의 5 내지 20%일 수 있다.
상기 제1 돌출부는 탄화물을 포함하고, 상기 탄화물의 탄소 함량은 30wt%이상일 수 있다.
상기 제1 돌출부는 상기 제2 면의 가장자리를 따라 연속적으로 배치될 수 있다.
상기 제2 면 상에 배치된 제2 돌출부를 더 포함하며, 상기 제2 돌출부는 상기 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 돌출부의 최고 지점의 높이는 상기 제1 돌출부의 최고 지점의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 제2 돌출부는 상기 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그의 측면과 소정 거리로 이격될 수 있다.
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부와 연결될 수 있다.
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부와 분리될 수 있다.
상기 제1 돌출부는 상기 제2 면을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 돌출부는 탄소를 포함할 수 있다.
상기 복수의 제1 전극 중 최외측에 배치되는 일부의 측면에는 상기 제1 수지층이 배치될 수 있다.
상기 복수의 제1 전극 중 일부는 상기 복수의 제1 전극 중 외곽에 배치되는 제1 전극들이고, 상기 복수의 제1 전극 중 일부의 측면은 상기 복수의 제1 전극 중 외곽에 배치되는 제1 전극들의 측면들 중 바깥을 향하도록 배치된 측면들일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그, 상기 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치되는 제2 금속기판을 포함하고, 이웃하는 제1 전극들 사이에 배치되는 상기 제1 수지층의 높이는 상기 복수의 제1전극의 하면의 높이보다 낮게 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그, 상기 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치되는 제2 금속기판을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 수지층과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면에 대향하며 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 제2 면, 그리고 상기 제2 면에 배치되는 제1 돌출부를 포함하며, 상기 제1 돌출부는 탄화물을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제작 공정이 간단하고, 열전도도가 우수하며, 신뢰성이 높은 열전소자를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따르면, 전극 배치를 위하여 지그를 필요로 하지 아니하므로, 다양한 사이즈 및 다양한 형상의 열전소자를 구현하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자 내 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판과 수지층 간의 접합 구조를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 전극의 상면도 및 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층, 전극 및 열전 레그의 단면도이다.
도 13 내지 14는 도 12에 따른 열전소자의 전극의 상면도 및 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다.
도 16 내지 17은 본 발명의 실시예에 따라 레이저 가공에 의하여 전극을 형성한 후 촬영한 사진이고, 도 18은 본 발명의 실시예에 따라 기계 가공에 의하여 전극을 형성한 후 촬영한 사진이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기의 블록도이다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 냉장고의 블록도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C 중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다.
이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속' 되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자 내 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 2를 참조하면, 열전소자(100)는 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130), 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150) 및 제2 수지층(160)을 포함한다.
복수의 제1 전극(120)은 제1 수지층(110)과 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 하면 사이에 배치되고, 복수의 제2 전극(150)은 제2 수지층(160)과 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 상면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)는 복수의 제1 전극(120) 및 복수의 제2 전극(150)에 의하여 전기적으로 연결된다. 제1 전극(120)과 제2 전극(150) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 단위 셀을 형성할 수 있다.
각 제1 전극(120) 상에는 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치될 수 있으며, 각 제2 전극(150) 상에는 각 제1 전극(120) 상에 배치된 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 중 하나가 겹쳐지도록 한 쌍의 N형 열전 레그(140) 및 P형 열전 레그(130)가 배치될 수 있다.
여기서, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)를 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. P형 열전 레그(130)는 전체 중량 100wt%에 대하여 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Se-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다. N형 열전 레그(140)는 전체 중량 100wt%에 대하여 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Sb-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다.
P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 P형 열전 레그(130) 또는 벌크형 N형 열전 레그(140)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 적층형 P형 열전 레그(130) 또는 적층형 N형 열전 레그(140)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.
이때, 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 동일한 형상 및 체적을 가지거나, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)의 전기 전도 특성이 상이하므로, N형 열전 레그(140)의 높이 또는 단면적을 P형 열전 레그(130)의 높이 또는 단면적과 다르게 형성할 수도 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 성능은 제벡 지수로 나타낼 수 있다. 제백 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
여기서, α는 제벡계수[V/K]이고, σ는 전기 전도도[S/m]이며, α2σ는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고, T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는 a·cp·ρ로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp는 비열[J/gK]이며, ρ는 밀도[g/cm3]이다.
열전소자의 제백 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 제벡 지수(ZT)를 계산할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 도 2(b)에서 도시하는 구조를 가질 수도 있다. 도 2(b)를 참조하면, 열전 레그(130, 140)는 열전 소재층(132, 142), 열전 소재층(132, 142)의 한 면 상에 적층되는 제1 도금층(134-1, 144-1), 열전 소재층(132, 142)의 한 면과 대향하여 배치되는 다른 면에 적층되는 제2 도금층(134-2, 144-2), 열전 소재층(132, 142)과 제1 도금층(134-1, 144-1) 사이 및 열전 소재층(132, 142)과 제2 도금층(134-2, 144-2) 사이에 각각 배치되는 제1 접합층(136-1, 146-1) 및 제2 접합층(136-2, 146-2), 그리고 제1 도금층(134-1, 144-1) 및 제2 도금층(134-2, 144-2) 상에 각각 적층되는 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)을 포함한다.
이때, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1)은 서로 직접 접촉하고, 열전 소재층(132. 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2)은 서로 직접 접촉할 수 있다. 그리고, 제1 접합층(136-1, 146-1)과 제1 도금층(134-1, 144-1)은 서로 직접 접촉하고, 제2 접합층(136-2, 146-2)과 제2 도금층(134-2, 144-2)은 서로 직접 접촉할 수 있다. 그리고, 제1 도금층(134-1, 144-1)과 제1 금속층(138-1, 148-1)은 서로 직접 접촉하고, 제2 도금층(134-2, 144-2)과 제2 금속층(138-2, 148-2)은 서로 직접 접촉할 수 있다.
여기서, 열전 소재층(132, 142)은 반도체 재료인 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)을 포함할 수 있다. 열전 소재층(132, 142)은 도 1 및 도 2(a)에서 도시한 P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)와 동일한 소재 또는 형상을 가질 수 있다.
그리고, 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)은 구리(Cu), 구리 합금, 알루미늄(Al) 및 알루미늄 합금으로부터 선택될 수 있으며, 0.1 내지 0.5mm, 바람직하게는 0.2 내지 0.3mm의 두께를 가질 수 있다. 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)의 열팽창 계수는 열전 소재층(132, 142)의 열팽창 계수와 비슷하거나, 더 크므로, 소결 시 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)과 열전 소재층(132, 142) 간의 경계면에서 압축 응력이 가해지기 때문에, 균열 또는 박리를 방지할 수 있다. 또한, 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)과 전극(120, 150) 간의 결합력이 높으므로, 열전 레그(130, 140)는 전극(120, 150)과 안정적으로 결합할 수 있다.
다음으로, 제1 도금층(134-1, 144-1) 및 제2 도금층(134-2, 144-2)은 각각 Ni, Sn, Ti, Fe, Sb, Cr 및 Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 1 내지 20㎛, 바람직하게는 1 내지 10㎛의 두께를 가질 수 있다. 제1 도금층(134-1, 144-1) 및 제2 도금층(134-2, 144-2)은 열전 소재층(132, 142) 내 반도체 재료인 Bi 또는 Te와 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2) 간의 반응을 막으므로, 열전 소자의 성능 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 제1 금속층(138-1, 148-1) 및 제2 금속층(138-2, 148-2)의 산화를 방지할 수 있다.
이때, 열전 소재층(132, 142)과 제1 도금층(134-1, 144-1) 사이 및 열전 소재층(132, 142)과 제2 도금층(134-2, 144-2) 사이에는 제1 접합층(136-1, 146-1) 및 제2 접합층(136-2, 146-2)이 배치될 수 있다. 이때, 제1 접합층(136-1, 146-1) 및 제2 접합층(136-2, 146-2)은 Te를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 접합층(136-1, 146)-1 및 제2 접합층(136-2, 146-2)은 Ni-Te, Sn-Te, Ti-Te, Fe-Te, Sb-Te, Cr-Te 및 Mo-Te 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 제1 접합층(136-1, 146-1) 및 제2 접합층(136-2, 146-2) 각각의 두께는 0.5 내지 100㎛, 바람직하게는 1 내지 50㎛일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 열전 소재층(132, 142)과 제1 도금층(134-1, 144-1) 및 제2 도금층(134-2, 144-2) 사이에 Te를 포함하는 제1 접합층(136-1, 146-1) 및 제2 접합층(136-2, 146-2)을 미리 배치하여, 열전 소재층(132, 142) 내 Te가 제1 도금층(134-1, 144-1) 및 제2 도금층(134-2, 144-2)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, Bi 리치 영역의 발생을 방지할 수 있다.
이에 따르면, 열전 소재층(132, 142)의 중심부로부터 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면까지 Te 함량은 Bi 함량보다 높고, 열전 소재층(132, 142)의 중심부로부터 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면까지 Te 함량은 Bi 함량보다 높다. 열전 소재층(132, 142)의 중심부로부터 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면까지의 Te 함량 또는 열전 소재층(132, 142)의 중심부로부터 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면까지의 Te 함량은 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Te 함량 대비 0.8 내지 1배일 수 있다. 예를 들어, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면으로부터 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 방향으로 100㎛ 두께 내의 Te 함량은 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Te 함량 대비 0.8배 내지 1배일 수 있다. 여기서, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면으로부터 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 방향으로 100㎛ 두께 내에서도 Te 함량은 일정하게 유지될 수 있으며, 예를 들어 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면으로부터 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 방향으로 100㎛ 두께 내에서 Te 중량비의 변화율은 0.9 내지 1일 수 있다.
또한, 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 Te의 함량은 열전 소재층(132, 142) 내 Te의 함량과 동일하거나 유사할 수 있다. 예를 들어, 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 Te의 함량은 열전 소재층(132, 142) 내 Te의 함량의 0.8 내지 1배, 바람직하게는 0.85 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.9 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.95 내지 1배일 수 있다. 여기서, 함량은 중량비일 수 있다. 예를 들어, 열전 소재층(132, 142) 내 Te의 함량이 50wt%로 포함되는 경우, 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 Te의 함량은 40 내지 50wt%, 바람직하게는 42.5 내지 50wt%, 더욱 바람직하게는 45 내지 50wt%, 더욱 바람직하게는 47.5 내지 50wt%일 수 있다. 또한, 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 Te의 함량은 Ni대비 클 수 있다. 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내에서 Te의 함량은 일정하게 분포하는 반면, Ni 함량은 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내에서 열전 소재층(132, 142) 방향에 인접할수록 감소할 수 있다.
그리고, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면으로부터 제1 도금층(136-1, 146-1)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 제2 도금층(134-2, 144-2)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면까지의 Te 함량은 일정하게 분포될 수 있다. 예를 들어, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면으로부터 제1 도금층(136-1, 146-1)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 제2 도금층(134-2, 144-2)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면까지의 Te 중량비의 변화율은 0.8 내지 1일 수 있다. 여기서, Te 중량비의 변화율이 1에 가까울수록 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면으로부터 제1 도금층(136-1, 146-1)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 제2 도금층(134-2, 144-2)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면까지의 Te 함량이 일정하게 분포하는 것을 의미할 수 있다.
그리고, 제1 접합층(136-1, 146-1) 내 제1 도금층(134-1, 144-1)과 접하는 면, 즉 제1 도금층(136-1, 146-1)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 제2 도금층(134-2, 144-2)과 접하는 면, 즉 제2 도금층(134-2, 144-2)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면에서의 Te의 함량은 열전 소재층(132, 142) 내 제1 접합층(136-1, 146-1)과 접하는 면, 즉 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142) 내 제2 접합층(136-2, 146-2)과 접하는 면, 즉 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면에서의 Te의 함량의 0.8 내지 1배, 바람직하게는 0.85 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.9 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.95 내지 1배일 수 있다. 여기서, 함량은 중량비일 수 있다.
그리고, 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Te 함량은 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면의 Te 함량과 동일하거나 유사하게 나타남을 알 수 있다. 즉, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면의 Te 함량은 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Te 함량의 0.8 내지 1배, 바람직하게는 0.85 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.9 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.95 내지 1배일 수 있다. 여기서, 함량은 중량비일 수 있다. 여기서, 열전 소재층(132, 142)의 중심부는 열전 소재층(132, 142)의 중심을 포함하는 주변 영역을 의미할 수 있다. 그리고, 경계면은 경계면 자체를 의미하거나, 또는 경계면과 경계면으로부터 소정 거리 내에 인접하는 경계면 주변 영역을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
그리고, 제1 도금층(136-1, 146-1) 또는 제2 도금층(134-2, 144-2) 내 Te의 함량은 열전 소재층(132, 142) 내 Te의 함량 및 제1 접합층(136-1, 146-1) 또는 제2 접합층(136-2, 146-2) 내 Te의 함량보다 낮게 나타날 수 있다.
또한, 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Bi 함량은 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면의 Bi 함량과 동일하거나 유사하게 나타남을 알 수 있다. 이에 따라, 열전 소재층(132, 142)의 중심부로부터 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면에 이르기까지 Te의 함량이 Bi의 함량보다 높게 나타나므로, 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 주변 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면 주변에서 Bi함량이 Te 함량을 역전하는 구간이 존재하지 않는다. 예를 들어, 열전 소재층(132, 142)의 중심부의 Bi 함량은 열전 소재층(132, 142)과 제1 접합층(136-1, 146-1) 간의 경계면 또는 열전 소재층(132, 142)과 제2 접합층(136-2, 146-2) 간의 경계면의 Bi 함량의 0.8 내지 1배, 바람직하게는 0.85 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.9 내지 1배, 더욱 바람직하게는 0.95 내지 1배일 수 있다. 여기서, 함량은 중량비일 수 있다.
여기서, 제1 수지층(110)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 복수의 제1 전극(120), 그리고 제2 수지층(160)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 복수의 제2 전극(150)은 구리(Cu), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 제1 수지층(110)과 제2 수지층(160)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 수지층(110)과 제2 수지층(160) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다.
이때, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 원통 형상, 다각 기둥 형상, 타원형 기둥 형상 등을 가질 수 있다.
또는, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 적층형 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, P형 열전 레그 또는 N형 열전 레그는 시트 형상의 기재에 반도체 물질이 도포된 복수의 구조물을 적층한 후, 이를 절단하는 방법으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 재료의 손실을 막고 전기 전도 특성을 향상시킬 수 있다.
또는, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 존 멜팅(zone melting) 방식 또는 분말 소결 방식에 따라 제작될 수 있다. 존 멜팅 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳(ingot)을 제조한 후, 잉곳에 천천히 열을 가하여 단일의 방향으로 입자가 재배열되도록 리파이닝하고, 천천히 냉각시키는 방법으로 열전 레그를 얻는다. 분말 소결 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳을 제조한 후, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득하고, 이를 소결하는 과정을 통하여 열전 레그를 얻는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 금속기판(170) 상에 제1 수지층(110)이 배치되고, 제2 수지층(160) 상에 제2 금속기판(180)이 배치될 수 있다.
제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등으로 이루어질 수 있다. 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150), 제2 수지층(160) 등을 지지할 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자(100)가 적용되는 애플리케이션에 직접 부착되는 영역일 수 있다. 이에 따라, 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 각각 제1 금속지지체 및 제2 금속지지체와 혼용될 수 있다.
제1 금속기판(170)의 면적은 제1 수지층(110)의 면적보다 클 수 있으며, 제2 금속기판(180)의 면적은 제2 수지층(160)의 면적보다 클 수 있다. 즉, 제1 수지층(110)은 제1 금속기판(170)의 가장자리로부터 소정 거리만큼 이격된 영역 내에 배치될 수 있고, 제2 수지층(160)은 제2 금속기판(180)의 가장자리로부터 소정 거리만큼 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.
제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)은 에폭시 수지 및 무기충전재를 포함하는 에폭시 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 여기서, 무기충전재는 에폭시 수지 조성물의 68 내지 88vol%로 포함될 수 있다. 무기충전재가 68vol%미만으로 포함되면, 열전도 효과가 낮을 수 있으며, 무기충전재가 88vol%를 초과하여 포함되면 수지층과 금속기판 간의 접착력이 낮아질 수 있으며, 수지층이 쉽게 깨질 수 있다.
제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)의 두께는 0.02 내지 0.6mm, 바람직하게는 0.1 내지 0.6mm, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 0.6mm일 수 있으며, 열전도도는 1W/mK이상, 바람직하게는 10W/mK이상, 더욱 바람직하게는 20W/mK 이상일 수 있다.
에폭시 수지는 에폭시 화합물 및 경화제를 포함할 수 있다. 이때, 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 경화제 1 내지 10 부피비로 포함될 수 있다. 여기서, 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물, 비결정성 에폭시 화합물 및 실리콘 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 결정성 에폭시 화합물은 메조겐(mesogen) 구조를 포함할 수 있다. 메조겐(mesogen)은 액정(liquid crystal)의 기본 단위이며, 강성(rigid) 구조를 포함한다. 그리고, 비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A 또는 비스페놀 F로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다. 여기서, 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 2 종류 이상의 경화제를 혼합하여 사용할 수도 있다.
무기충전재는 산화알루미늄 및 질화물을 포함할 수 있으며, 질화물은 무기충전재의 55 내지 95wt%로 포함될 수 있으며, 더 좋게는 60~80wt% 일 수 있다. 질화물이 이러한 수치범위로 포함될 경우, 열전도도 및 접합 강도를 높일 수 있다. 여기서, 질화물은, 질화붕소 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 질화붕소는 판상의 질화붕소가 뭉쳐진 질화붕소 응집체일 수 있으며, 질화붕소 응집체의 표면은 하기 단위체 1을 가지는 고분자로 코팅되거나, 질화붕소 응집체 내 공극의 적어도 일부는 하기 단위체 1을 가지는 고분자에 의하여 충전될 수 있다.
단위체 1은 다음과 같다.
[단위체 1]
여기서, R1, R2, R3 및 R4 중 하나는 H이고, 나머지는 C1~C3 알킬, C2~C3 알켄 및 C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택되고, R5는 선형, 분지형 또는 고리형의 탄소수 1 내지 12인 2가의 유기 링커일 수 있다.
한 실시예로, R1, R2, R3 및 R4 중 H를 제외한 나머지 중 하나는 C2~C3 알켄에서 선택되며, 나머지 중 다른 하나 및 또 다른 하나는 C1~C3 알킬에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 고분자는 하기 단위체 2를 포함할 수 있다.
[단위체 2]
또는, 상기 R1, R2, R3 및 R4 중 H를 제외한 나머지는 C1~C3 알킬, C2~C3 알켄 및 C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 서로 상이하도록 선택될 수도 있다.
이와 같이, 단위체 1 또는 단위체 2에 따른 고분자가 판상의 질화붕소가 뭉쳐진 질화붕소 응집체 상에 코팅되고, 질화붕소 응집체 내 공극의 적어도 일부를 충전하면, 질화붕소 응집체 내의 공기층이 최소화되어 질화붕소 응집체의 열전도 성능을 높일 수 있으며, 판상의 질화붕소 간의 결합력을 높여 질화붕소 응집체의 깨짐을 방지할 수 있다. 그리고, 판상의 질화붕소가 뭉쳐진 질화붕소 응집체 상에 코팅층을 형성하면, 작용기를 형성하기 용이해지며, 질화붕소 응집체의 코팅층 상에 작용기가 형성되면, 수지와의 친화도가 높아질 수 있다.
이때, 질화붕소 응집체의 입자크기 D50은 250 내지 350㎛이고, 산화알루미늄의 입자크기 D50은 10 내지 30㎛일 수 있다. 질화붕소 응집체의 입자크기 D50과 산화알루미늄의 입자크기 D50이 이러한 수치 범위를 만족할 경우, 질화붕소 응집체와 산화알루미늄이 에폭시 수지 조성물 내에 고르게 분산될 수 있으며, 이에 따라 수지층 전체적으로 고른 열전도 효과 및 접착 성능을 가질 수 있다.
도 3 내지 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판과 수지층 간의 접합 구조를 나타낸다. 설명의 편의를 위하여 제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110)을 예로 들어 설명하나, 동일한 구조가 제2 금속기판(180)과 제2 수지층(160) 간에도 적용될 수 있다.
도 3 내지 5를 참조하면, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면, 즉 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)과 마주보는 면은 제1 영역(172) 및 제2 영역(174)을 포함하며, 제2 영역(174)은 제1 영역(172)의 내부에 배치될 수 있다. 즉, 제1 영역(172)은 제1 금속기판(170)의 가장자리로부터 가운데 영역을 향하여 소정 거리 내에 배치될 수 있으며, 제1 영역(172)은 제2 영역(174)을 둘러쌀 수 있다.
이때, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 영역(172)의 표면거칠기보다 크고, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 수지층(110)은 제1 영역(172)과 제2 영역(174) 간의 경계로부터 소정 거리만큼 이격되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174) 상에 배치되되, 제1 수지층(110)의 가장자리는 제2 영역(174) 내부에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈(400)의 적어도 일부에는 제1 수지층(110)의 일부, 즉 제1 수지층(110)에 포함되는 에폭시 수지(600) 및 무기충전재의 일부(604)가 스며들 수 있으며, 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착력이 높아질 수 있다.
다만, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 수지층(110)에 포함되는 무기충전재 중 일부의 입자크기 D50보다는 크고, 다른 일부의 입자크기 D50보다는 작게 형성될 수 있다. 여기서, 입자크기 D50은 입도분포곡선에서 중량 백분율의 50%에 해당하는 입경, 즉 통과질량 백분율이 50%가 되는 입경을 의미하며, 평균 입경과 혼용될 수 있다. 제1 수지층(110)이 무기충전재로 산화알루미늄과 질화붕소를 포함할 경우를 예로 들면, 산화알루미늄은 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착 성능에 영향을 미치지 않지만, 질화붕소는 표면이 매끄러우므로 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착 성능에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기를 제1 수지층(110)에 포함되는 산화알루미늄의 입자크기 D50보다는 크되, 질화붕소의 입자크기 D50보다는 작게 형성하면, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈 내에는 산화알루미늄만이 배치되며, 질화붕소는 배치될 수 없으므로, 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170)은 높은 접합 강도를 유지할 수 있다.
이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 수지층(110) 내에 포함된 무기충전재 중 크기가 상대적으로 작은 무기충전재(604), 예를 들어 산화알루미늄의 입자크기 D50의 1.05 내지 1.5배이고, 제1 수지층(110) 내에 포함된 무기충전재 중 크기가 상대적으로 큰 무기충전재(602), 예를 들어 질화붕소의 입자크기 D50의 0.04 내지 0.15배일 수 있다.
전술한 바와 같이, 질화붕소 응집체의 입자크기 D50이 250 내지 350㎛이고, 산화알루미늄의 입자크기 D50이 10 내지 30㎛인 경우, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 1 내지 50㎛일 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈 내에는 산화알루미늄만이 배치되며, 질화붕소 응집체는 배치되지 않을 수 있다.
이에 따르면, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈 내 에폭시 수지 및 무기충전재의 함량은 제1 금속기판(170)과 복수의 제1 전극(120) 사이의 가운데 영역에서 에폭시 수지 및 무기충전재의 함량과 상이할 수 있다.
이러한 표면거칠기는 표면거칠기 측정기를 이용하여 측정될 수 있다. 표면거칠기 측정기는 탐침을 이용하여 단면 곡선을 측정하며, 단면 곡선의 산봉우리선, 골바닥선, 평균선 및 기준길이를 이용하여 표면거칠기를 산출할 수 있다. 본 명세서에서, 표면거칠기는 중심선 평균 산출법에 의한 산술평균 거칠기(Ra)를 의미할 수 있다. 산술평균 거칠기(Ra)는 아래 수학식 2를 통하여 얻어질 수 있다.
즉, 표면거칠기 측정기의 탐침을 얻은 단면 곡선을 기준길이 L만큼 뽑아내어 평균선 방향을 x축으로 하고, 높이 방향을 y축으로 하여 함수(f(x))로 표현하였을 때, 수학식 2에 의하여 구해지는 값을 ㎛미터로 나타낼 수 있다.
도 6 내지 7을 참조하면, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면, 즉 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)과 마주보는 면은 제1 영역(172) 및 제1 영역(172)에 의하여 둘러싸이고, 제1 영역(172)보다 표면거칠기가 크게 형성된 제2 영역(174)을 포함하되, 제3 영역(176)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 제3 영역(176)은 제2 영역(174)의 내부에 배치될 수 있다. 즉, 제3 영역(176)은 제2 영역(174)에 의하여 둘러싸이도록 배치될 수 있다. 그리고, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제3 영역(176)의 표면거칠기보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제1 수지층(110)은 제1 영역(172)과 제2 영역(174) 간 경계로부터 소정 거리 이격되도록 배치되되, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174)의 일부 및 제3 영역(176)를 커버하도록 배치될 수 있다.
제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110) 간의 접합 강도를 높이기 위하여, 제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110) 사이에는 접착층(800)이 더 배치될 수 있다.
접착층(800)은 제1 수지층(110)을 이루는 에폭시 수지 조성물과 동일한 에폭시 수지 조성물일 수 있다. 예를 들어, 제1 수지층(110)을 이루는 에폭시 수지 조성물과 동일한 에폭시 수지 조성물을 미경화 상태로 제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110) 사이에 도포한 후, 경화된 상태의 제1 수지층(110)을 적층하고, 고온에서 가압하는 방식으로 제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110)을 접합할 수 있다.
이때, 접착층(800)의 일부, 예를 들어 접착층(800)을 이루는 에폭시 수지 조성물의 에폭시 수지 일부 및 무기충전재 일부는 제2 영역(174)의 표면거칠기에 따른 홈의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이며, 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층 및 전극의 단면도이며, 도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 전극의 상면도 및 단면도이다. 설명의 편의를 위하여, 제1 금속기판(170), 제1 수지층(110) 및 복수의 제1 전극(120) 측을 예로 들어 설명하나, 이로 제한되는 것은 아니며 동일한 구조가 제2 금속기판(180), 제2 수지층(160) 및 복수의 제2 전극(150) 측에도 적용될 수 있다. 또한, 복수의 제1 전극(120) 중 하나의 제1 전극(120)을 예로 들어 설명하나, 동일한 구조가 복수의 제1 전극(120) 전부 또는 일부에 적용될 수 있다.
도 8 내지 11을 참조하면, 제1 전극(120)은 제1 수지층(110)과 접촉하는 제1 면(121), 제1 면(121)에 대향하며 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치되는 제2 면(122), 그리고 제2 면(122)의 가장자리를 따라 배치되는 제1 돌출부(123)를 포함한다. 제1 전극(120)의 표면에는 도금층, 예를 들어 Ni/Sn 도금층이 형성될 수 있다. 제1 돌출부(123)는 제2 면(122) 상에서 위로 돌출될 수 있다. 이때, 도 11(a)에서 도시된 바와 같이, 제1 돌출부(123)는 제2 면(122)의 가장자리를 따라 연속적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(120)의 제2 면(122)이 직사각형 형상인 경우, 제1 돌출부(123)는 직사각형 형상의 가장자리를 따라 끊어지지 않고 연속적으로 배치될 수 있다. 이와 같이, 제1 돌출부(123)가 제2 면(122)의 가장자리를 따라 배치될 경우, 솔더링을 이용하여 제2 면(122) 상에 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)를 접합할 때 솔더층이 제1 전극(120) 바깥으로 흘러나와 전극을 쇼트시키는 문제를 방지할 수 있다. 솔더층이 제1 돌출부(123)를 타고 넘어 제1 전극(120) 바깥으로 흘러나오는 문제를 방지하기 위하여, 제1 돌출부(123)와 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 소정 간격으로 이격되도록 배치될 수도 있다. 이에 따라, 제1 돌출부(123)와 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 솔더층이 수용되는 것이 가능하다. 또한, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 제2 면(122) 상에서 틸팅되거나, 제2 면(122)으로부터 이탈되는 문제도 방지할 수 있다.
이때, 도 8에서 도시된 바와 같이, 제1 돌출부(123)는 제1 전극(120)을 이루는 물질, 즉 제2 면(122)을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 돌출부(123)는 제2 면(122)을 이루는 물질이 탄화된 물질, 즉 탄화물을 포함할 수 있으며, 이에 따라 탄소를 포함할 수도 있다. 이때, 제1 전극(120)의 측면도 탄소를 포함할 수 있다. 여기서, 탄화물의 탄소 함량은 30wt% 이상, 바람직하게는 50wt% 이상일 수 있다.
이때, 제1 돌출부(123)의 표면은 곡면을 가질 수 있으며, 제1 돌출부(123)를 포함하는 제1 전극(120)의 단면 형상은 가장자리의 높이가 높고, 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치되는 영역의 높이가 낮은 컵 형상일 수 있다. 예를 들어, 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 제2 면(122)의 가장자리로부터 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치되는 영역에 가까워질수록 제1 돌출부(123)의 높이는 낮아질 수 있다. 또는, 도 11(c)에 도시된 바와 같이, 제2 면(122)의 가장자리로부터 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치되는 영역에 가까워질수록 제1 돌출부(123)의 높이는 높아지다가 다시 낮아질 수 있다. 즉, 제1 돌출부(123)의 단면은 곡선의 산 형상을 가질 수 있다.
여기서, 제1 돌출부(123)의 단면이 완만한 곡선 형상을 가지는 것으로 도시되어 있으나, 이로 제한되는 것은 아니며, 제1 돌출부(123)의 단면은 뾰족한 형상을 가지거나, 랜덤한 형상을 가질 수도 있다.
여기서, 제1 돌출부(123)의 폭(W1)은 제1 전극(120)의 폭(W2)의 5 내지 20%일 수 있다. 여기서, 제1 전극(120)의 폭(W2)은 제1 돌출부(123)를 포함하는 전극 전체의 폭일 수 있으며, 제1 전극(120)이 직사각 형상일 경우 제1 전극(120)의 상면의 장폭을 의미할 수 있다. 여기서, 장폭은 직사각 형상에서 긴 변의 폭을 의미할 수 있다. 여기서, 제1 돌출부(123)의 폭(W1)이 제1 전극(120)의 폭(W2)의 5% 미만인 경우, 제1 돌출부(123)가 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)의 이탈 방지 기능을 충분히 하지 못할 수 있고, 제1 돌출부(123)가 쉽게 부서지면서 열전소자(100)에 이물질로 작용할 수 있다. 그리고, 제1 돌출부(123)의 폭(W1)이 제1 전극(120)의 폭(W2)의 20% 를 초과하는 경우, 제1 전극(120) 상에 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)를 실장하기 위한 영역이 줄어들 수 있으며, 이에 따라 동일 높이의 열전소자를 기준으로 소자의 저항 값이 증가하게 되어 열전소자의 특성이 저하될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따르면, 이웃하는 제1 전극들(120) 사이에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께(d1)는 제1 면(121)의 하부에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께(d2)보다 작을 수 있다. 즉, 제1 전극(120)의 측하부에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께는 제1 면(121)의 하부에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께보다 작을 수 있다.
예를 들어, 이웃하는 제1 전극(120)들 사이에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께는 이웃하는 제1 전극(120)들과 가까워질수록 커질 수 있다. 즉, 이웃하는 제1 전극들(120) 사이에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께는 각 제1 전극(120)의 제1 면(121)의 가장자리로부터 멀어지고, 이웃하는 제1 전극들(120) 사이의 중간 지점에 가까워질수록 작아질 수 있다. 즉, 이웃하는 제1 전극들(120) 사이에 배치되는 제1 수지층(110)에는 V자 또는 U자 형상의 홈이 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 10에 도시된 바와 같이, 이웃하는 제1 전극들(120) 사이의 적어도 일부 영역에는 제1 금속기판(170)이 노출될 수도 있다.
이에 따르면, 제1 전극(120)과 제1 금속기판(170) 간의 절연은 유지되되, 제1 전극(120)과 제1 금속기판(170) 간의 열전도 성능이 향상될 수 있으며, 제1 전극(120)의 상부에 제1 수지층(110)이 흘러 들어오는 문제가 없으므로, 제1 전극(120)의 전기 전도도도 향상될 수 있다.
이때, 제1 돌출부(123)의 높이(H1)는 제1 전극(120)의 높이 및 제1 수지층(110)에 형성된 홈의 높이의 합(H2), 즉 제1 전극(120)의 최상면으로부터 실제 가공되는 깊이의 2 내지 35%일 수 있다. 제1 돌출부(123)의 높이(H1)가 제1 전극(120)의 높이 및 제1 수지층(110)에 형성된 홈의 높이의 합(H2)의 2% 미만인 경우 제1 돌출부(123)가 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)의 이탈 방지 기능을 충분히 하지 못할 수 있고, 제1 돌출부(123)가 쉽게 부서지면서 열전소자(100)에 이물질로 작용할 수 있다. 그리고, 제1 돌출부(123)의 높이(H1)가 제1 전극(120)의 높이 및 제1 수지층(110)에 형성된 홈의 높이의 합(H2)의 35%를 초과하는 경우, 제1 전극(120) 상에 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)를 실장하기 위하여 솔더층을 인쇄할 때, 인쇄 마스크와 제1 전극(120)의 표면 간의 높이가 지나치게 높아지므로, 솔더층을 인쇄하는 공정이 원활하게 진행되지 않을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 금속기판(170) 상에 미경화 또는 반경화 상태로 도포된 제1 수지층(110) 상에 통판 형태의 금속층을 접합한 후, 금속층을 기계로 절단하거나, 레이저 가공하여 복수의 제1 전극(120)을 형성할 수 있다. 금속층을 기계로 절단할 경우, 도 8에 도시된 것과 같이 제2 면(122)을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어진 돌출부(123)가 제2 면(122)의 가장자리에 형성될 수 있다. 금속층을 기계로 절단할 경우, 금속층의 표면에 형성된 도금층, 예를 Ni/Sn 도금층은 기계 절단 시 벗겨질 수 있으며, 이에 따라 금속층을 이루는 금속, 예를 들어 구리가 외부에 노출될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 전극(120) 상에 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)를 실장하기 위하여 솔더층을 인쇄하는 경우, 구리와 솔더층 간의 젖음성이 좋지 않기 때문에 구리 표면에 솔더층이 접착되기 어려우며, 이에 따라 솔더층이 제1 전극(120)의 밖으로 흘러 넘치는 문제를 방지할 수 있다.
금속층을 레이저 가공에 의하여 절단할 경우, 금속층의 절단면은 레이저의 버닝(burning)에 의하여 탄화되며, 이에 따라 도 9에 도시된 것과 같이 제1 돌출부(123)가 탄소를 포함할 수 있으며, 레이저 가공에 의하여 형성된 제1 전극(120)의 측면도 탄소를 포함할 수 있다. 탄소는 전기적 절연 특성을 띄는 물질이므로, 이에 따르면 전극 간 절연 효과도 기대할 수 있다.
한편, 제1 수지층(110)의 경도는 금속층의 경도보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 전극(120)을 형성하기 위하여 금속층을 기계로 절단하거나, 레이저 가공하는 경우, 제1 수지층(110)의 적어도 일부도 함께 삭제될 수 있다. 이때, 레이저 출력 등에 따라 제1 수지층(110)이 삭제되는 높이가 달라질 수 있다.
이와 같이, 통판 형태의 금속층을 제1 수지층(110)에 배치한 후 기계로 절단하거나 레이저 가공하여 복수의 제1 전극(120)을 형성하는 경우, 지그 상에 복수의 제1 전극(120)을 정렬한 후 제1 수지층(110)에 배치하는 경우에 비하여 공정 및 비용을 절감할 수 있으며, 다양한 전극 형상, 다양한 전극 배치 구조 및 다양한 전극 개수를 용이하게 구현할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 금속기판, 수지층, 전극 및 열전 레그의 단면도이고, 도 13 내지 14는 도 12에 따른 열전소자의 전극의 상면도 및 단면도이다. 도 8 내지 11과 동일한 내용에 대해서는 중복된 설명을 생략한다.
도 12 내지 14를 참조하면, 제1 전극(120) 상에 한 쌍의 P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)가 실장되며, 이를 위하여 제1 전극(120) 및 한 쌍의 P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)를 접합하기 위한 솔더층(S)이 더 배치될 수 있다.
제1 전극(120)은 제2 면(122) 상에 배치된 제2 돌출부(124)를 더 포함한다.
제2 돌출부(124)는 한 쌍의 P형 열전 레그와 N형 열전 레그가 배치되는 제2 전극(120)의 제2 면(122) 상에서 P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140) 사이에 배치될 수 있으며, 제2 돌출부(124)는 P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140) 사이에서 P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)의 측면과 소정 거리로 이격될 수 있다. 이와 같이, 제2 돌출부(124)가 배치되면, P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)의 틸팅 또는 접합을 방지할 수 있다.
이때, 제2 돌출부(124)는 도 13 내지 14에 도시된 바와 같이 복수 개의 제2 돌출부(124)를 포함할 수 있으며, 도 13에 도시된 바와 같이 제1 돌출부(123)와 연결되거나, 도 14에 도시된 바와 같이 제1 돌출부(123)로부터 이격될 수 있다.
여기서, 도 13 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 돌출부(124)에는 홈(G)이 형성될 수 있다. 제1 돌출부(123)와 같이 제2 돌출부(124)도 기계 절단 또는 레이저 가공에 의하여 형성되는 경우, 가공 시 레이저가 가해지는 영역을 중심으로 산 형상의 오목부 및 돌출부가 형성될 수 있다. 이때, P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 제1 전극(120)은 완전히 절단될 수 없으므로, 제2 돌출부(124)를 형성하기 위하여 가해지는 레이저의 출력은 제1 돌출부(123)를 형성하기 위하여 가해지는 레이저의 출력보다 약할 수 있다. 이에 따라, 제2 돌출부(124)의 최고 지점의 높이는 제1 돌출부(123)의 최고 지점의 높이보다 낮을 수 있다.
한편, 도 8 내지 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(120)의 최외각에는 열전 레그가 배치되지 않는 더미 전극이 배치될 수 있으며, 더미 전극의 상면에는 제1 돌출부(123)가 전체적으로 형성될 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다. 도 8 내지 14와 동일한 내용은 중복된 설명을 생략한다.
도 15를 참조하면, 복수의 제1 전극(120) 중 최외측에 배치되는 일부의 측면에는 제1 수지층(110)이 배치될 수 있다. 즉, 도 8 내지 14에서 제1 전극(120)의 제1 면(121)의 측하부에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께는 제1 전극(120)의 제1 면(121)의 하부에 배치되는 제1 수지층(110)의 두께보다 작으며, 심지어는 이웃하는 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110)의 일부가 삭제되는 것으로 설명하였으나, 복수의 제1 전극(120) 중 일부의 측면에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(d3)는 제1 면(121)의 하부에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(d2)보다 두꺼울 수 있다. 이와 같이 측면에 제1 수지층(110)이 배치되는 제1 전극(120)은 복수의 제1 전극(120) 중 외곽에 배치되는 제1 전극들(120)일 수 있으며, 제1 수지층(110)이 배치되는 측면은 복수의 제1 전극(120) 중 외곽에 배치되는 제1 전극들(120)의 측면들 중 열전소자(100)의 바깥을 향하도록 배치된 측면들일 수 있다.
이는 통판 형태의 금속층을 미경화 또는 반경화 상태의 제1 수지층(110) 상에 배치한 후 가압하여 제1 수지층(110) 내에 금속층의 측면의 일부를 매립한 후 전극 형상으로 기계 절단 또는 레이저 가공하는 것에 의하여 얻어질 수 있다.
이와 같이, 복수의 제1 전극(120) 중 일부의 측면에는 제1 수지층(110)이 배치되는 경우, 제1 전극(120)과 제1 수지층(110) 간의 접촉 면적 및 접합 강도를 높일 수 있으며, 이에 따라 복수의 제1 전극(120) 중 가장자리에 배치되는 제1 전극들(120)이 열팽창에 의하여 제1 수지층(110)으로부터 이탈되기 쉬운 문제를 최소화할 수 있다.
도 16 내지 17은 본 발명의 실시예에 따라 레이저 가공에 의하여 전극을 형성한 후 촬영한 사진이고, 도 18은 본 발명의 실시예에 따라 기계 가공에 의하여 전극을 형성한 후 촬영한 사진이다.
도 16 내지 17을 참조하면, 레이저 가공에 의하여 절단된 전극의 상면 가장자리에 돌출부가 형성되며, 전극의 주변부가 탄화됨을 알 수 있다.
특히, 이웃하는 두 전극 사이의 바닥면인 A 영역, 레이저 가공에 의하여 절단된 전극의 측면인 B 영역, 전극의 상면 가장자리를 따라 형성된 돌출부인 C 영역 및 전극의 상면 가운데 영역인 D 영역에서 각각 원소 함량을 측정한 결과는 표 1 내지 4와 같다.
Element Wt% At%
Al 56.44 44.91
C 12.15 21.73
O 22.01 29.54
Si 0.88 0.67
Cu 8.01 2.71
Element Wt% At%
C 27.01 39.66
O 36.95 40.73
Al 18.75 12.28
Si 7.25 4.55
Cu 10.00 2.78
Element Wt% At%
C 59.06 65.03
O 23.58 19.49
Cu 0.9 0.19
Element Wt% At%
Cu 74.12 36.40
C 20.26 52.64
O 5.62 10.96
표 1을 참조하면, 이웃하는 두 전극 사이의 바닥면인 A 영역에 기판 성분인 Al이 검출되는 것으로 보아, 이웃하는 두 전극 사이에서 금속기판의 일부가 노출될 수 있음을 알 수 있고, 표 1 내지 4를 참조하면, 전극의 절단면 및 돌출부에서 금속의 일부가 탄화됨을 알 수 있다.
특히, 표 3을 참조하면, 돌출부의 탄화물은 30wt% 이상, 바람직하게는 50wt% 이상의 탄소를 포함함을 알 수 있다.
도 18을 참조하면, 기계 가공에 의하여 절단된 전극의 상면 가장자리에 돌출부가 형성되며, 전극 표면의 도금층이 벗겨져서 구리가 노출됨을 알 수 있다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기의 블록도이다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기(1)는 원수 공급관(12a), 정수 탱크 유입관(12b), 정수탱크(12), 필터 어셈블리(13), 냉각 팬(14), 축열조(15), 냉수 공급관(15a), 및 열전장치(1000)을 포함한다.
원수 공급관(12a)은 수원으로부터 정수 대상인 물을 필터 어셈블리(13)로 유입시키는 공급관이고, 정수 탱크 유입관(12b)은 필터 어셈블리(13)에서 정수된 물을 정수 탱크(12)로 유입시키는 유입관이고, 냉수 공급관(15a)은 정수 탱크(12)에서 열전장치(1000)에 의해 소정 온도로 냉각된 냉수가 최종적으로 사용자에게 공급되는 공급관이다.
정수 탱크(12)는 필터 어셈블리(13)를 경유하며 정수되고 정수 탱크 유입관(12b)을 통해 유입된 물을 저장 및 외부로 공급하도록 정수된 물을 잠시 수용한다.
필터 어셈블리(13)는 침전 필터(13a)와, 프리 카본 필터(13b)와, 멤브레인 필터(13c)와, 포스트 카본 필터(13d)로 구성된다.
즉, 원수 공급관(12a)으로 유입되는 물은 필터 어셈블리(13)를 경유하며 정수될 수 있다.
축열조(15)가 정수 탱크(12)와, 열전장치(1000)의 사이에 배치되어, 열전장치(1000)에서 형성된 냉기가 저장된다. 축열조(15)에 저장된 냉기는 정수 탱크(12)로 인가되어, 정수 탱크(120)에 수용된 물을 냉각시킨다.
냉기 전달이 원활하게 이루어질 수 있도록, 축열조(15)는 정수 탱크(12)와 면접촉될 수 있다.
열전장치(1000)은 상술한 바와 같이, 흡열면과 발열면을 구비하며, P 형 반도체 및 N형 반도체 상의 전자 이동에 의해, 일측은 냉각되고, 타측은 가열된다.
여기서, 일측은 정수 탱크(12) 측이며, 타측은 정수 탱크(12)의 반대측일 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 열전장치(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 정수기 내에서 정수 탱크(12)를 효율적으로 냉각할 수 있다.
이하에서는 도 20을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 냉장고에 적용된 예를 설명한다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 냉장고의 블록도이다.
냉장고는 심온 증발실내에 심온 증발실 커버(23), 증발실 구획벽(24), 메인 증발기(25), 냉각팬(26) 및 열전장치(1000)을 포함한다.
냉장고 내는 심온 증발실 커버(23)에 의하여 심온 저장실과 심온 증발실로 구획된다.
상세히, 상기 심온 증발실 커버(23)의 전방에 해당하는 내부 공간이 심온 저장실로 정의되고, 심온 증발실 커버(23)의 후방에 해당하는 내부 공간이 심온 증발실로 정의될 수 있다.
심온 증발실 커버(23)의 전면에는 토출 그릴(23a)과 흡입 그릴(23b) 이 각각 형성될 수 있다.
증발실 구획벽(24)은 인너 캐비닛의 후벽으로부터 전방으로 이격되는 지점에 설치되어, 심온실 저장 시스템이 놓이는 공간과 메인 증발기(25)가 놓이는 공간을 구획한다.
메인 증발기(25)에 의하여 냉각되는 냉기는 냉동실로 공급된 뒤 다시 메인 증발기 쪽으로 되돌아간다.
열전장치(1000)은 심온 증발실에 수용되며, 흡열면이 심온 저장실의 서랍 어셈블리 쪽을 향하고, 발열면이 증발기 쪽을 향하는 구조를 이룬다. 따라서, 열전장치(1000)서 발생되는 흡열 현상을 이용하여 서랍 어셈블리에 저장된 음식물을 섭씨 영하 50도 이하의 초저온 상태로 신속하게 냉각시키는데 사용될 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 열전장치(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 냉장고 내에서 서랍 어셈블리를 효율적으로 냉각할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 발전용 장치, 냉각용 장치, 온열용 장치 등에 작용될 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 주로 광통신 모듈, 센서, 의료 기기, 측정 기기, 항공 우주 산업, 냉장고, 칠러(chiller), 자동차 통풍 시트, 컵 홀더, 세탁기, 건조기, 와인셀러, 정수기, 센서용 전원 공급 장치, 서모파일(thermopile) 등에 적용될 수 있다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 예로, PCR(Polymerase Chain Reaction) 기기가 있다. PCR 기기는 DNA를 증폭하여 DNA의 염기 서열을 결정하기 위한 장비이며, 정밀한 온도 제어가 요구되고, 열 순환(thermal cycle)이 필요한 기기이다. 이를 위하여, 펠티어 기반의 열전소자가 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 다른 예로, 광 검출기가 있다. 여기서, 광 검출기는 적외선/자외선 검출기, CCD(Charge Coupled Device) 센서, X-ray 검출기, TTRS(Thermoelectric Thermal Reference Source) 등이 있다. 광 검출기의 냉각(cooling)을 위하여 펠티어 기반의 열전소자가 적용될 수 있다. 이에 따라, 광 검출기 내부의 온도 상승으로 인한 파장 변화, 출력 저하 및 해상력 저하 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 면역 분석(immunoassay) 분야, 인비트로 진단(In vitro Diagnostics) 분야, 온도 제어 및 냉각 시스템(general temperature control and cooling systems), 물리 치료 분야, 액상 칠러 시스템, 혈액/플라즈마 온도 제어 분야 등이 있다. 이에 따라, 정밀한 온도 제어가 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 인공 심장이 있다. 이에 따라, 인공 심장으로 전원을 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 항공 우주 산업에 적용되는 예로, 별 추적 시스템, 열 이미징 카메라, 적외선/자외선 검출기, CCD 센서, 허블 우주 망원경, TTRS 등이 있다. 이에 따라, 이미지 센서의 온도를 유지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 항공 우주 산업에 적용되는 다른 예로, 냉각 장치, 히터, 발전 장치 등이 있다.
이 외에도 본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 기타 산업 분야에 발전, 냉각 및 온열을 위하여 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (1)

  1. 제1 금속기판;
    상기 제1 금속기판 상에 배치된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 반도체 구조물;
    상기 반도체 구조물 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치된 제2 절연층; 및
    상기 제2 절연층 상에 배치된 제2 금속기판을 포함하고,
    상기 제1 절연층의 상면은 상기 제1 전극이 배치된 제1 전극 배치면, 및 상기 제1 전극 배치면 주변에 배치되고, 상기 제1 금속기판을 향하여 오목한 제1 오목면을 포함하고,
    상기 제2 절연층의 저면은 상기 제2 전극이 배치된 제2 전극 배치면, 및 상기 제2 전극 배치면 주변에 배치되고, 상기 제2 금속기판을 향하여 오목한 제2 오목면을 포함하고,
    상기 제1 오목면의 일부 영역과 상기 제2 오목면의 일부 영역은 수직으로 중첩된 열전소자.
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