KR20230152108A - 기판 상의 나노와이어들의 갈바닉 성장 - Google Patents

Abstract

기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1) 로서,
기판 홀더 (4) 및 상기 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 을 포함하고,
상기 장치 (1) 는 상기 기판 (3) 을 갖는 상기 기판 홀더 (4) 가 상기 리셉터클 (5) 에 수용되었을 때, 상기 기판 상 (3) 에 상기 복수의 나노와이어들을 성장시키도록 설계되고, 상기 기판 홀더 (4) 는 상기 나노와이어들 (2) 의 성장에 영향을 미치도록 설계되는 전자장치 (6) 를 갖는다.

Description

기판 상의 나노와이어들의 갈바닉 성장

본 발명은 기판 상에 복수의 나노와이어들을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.

나노와이어들이 생성될 수 있는 장치들 및 방법들이 알려져 있다. 예를 들어, 나노와이어들은 갈바닉 프로세스들에 의해 또는 박막 기술로부터 알려진 방법들을 통해 획득될 수 있다. 많은 알려진 방법들은 복잡한 기계들을 필요로 하는 것이 일반적이며, 특히 이러한 이유로 일반적으로 실험실들 및 클린 룸들에서만 보통 사용된다 (사용만 될 수 있음). 특히, 대부분의 알려진 방법들은 산업용에는 적합하지 않다.

또한, 많은 알려진 장치들 및 방법들은 획득된 나노와이어들이 이들의 속성들, 그리고 특히 이들의 품질과 관련하여 크게 달라진다는 단점이 있다. 상이한 성장 프로세스들로부터의 나노와이어들은, 동일한 기계들, 출발 재료들, 및/또는 포뮬레이션들이 사용되더라도, 종종, 때때로, 상당히 상이하다. 나노와이어들의 품질은 종종 대응하는 방법의 사용자 또는 대응하는 장치의 사용자의 능력, 환경적 영향들, 및/또는 단순히 우연에 특히 의존한다. 이 모든 것은 나노와이어가 때때로 광학 현미경으로도 볼 수 없는 구조라는 사실에 의해 더 어렵게 된다. 따라서, 설명된 속성들 (그리고 특히 이들에서의 변동들) 을 먼저 확인하는 것을 가능하게 하기 위해 정교한 조사가 필요할 수 도 있다.

이에 기초하여, 본 발명의 목적은 특히 일관된 품질로 복수의 나노와이어들이 생성될 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

이 목적은 독립항들에 따른 장치 및 방법에 의해 달성된다. 추가적인 유리한 구성들은 종속 청구항들에 나타낸다. 청구항들 및 설명에 나타낸 특징들은 임의의 기술적으로 의미있는 방식으로 서로 조합될 수 있다.

본 발명에 따르면, 기판 상에 복수의 나노와이어들을 갈바닉 성장시키기 위한 장치가 제공된다. 장치는 기판 홀더 및 기판 홀더를 위한 리셉터클을 포함하고, 장치는 기판을 갖는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되었을 때 기판 상에 복수의 나노와이어들을 성장시키도록 설계되고, 기판 홀더는 나노와이어들의 성장에 영향을 미치도록 설계되는 전자장치를 갖는다.

설명된 장치로, 나노와이어들이 생성될 수 있다. 나노와이어는 여기서 수 나노미터 내지 수 마이크로미터 범위의 사이즈 및 와이어형 형상을 갖는 임의의 바디 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 나노와이어는 예를 들어, 원형, 타원형 또는 다각형 베이스 영역을 가질 수도 있다. 특히, 나노와이어는 육각형 베이스 영역을 가질 수도 있다.

나노와이어들은 바람직하게 100 nm (나노미터) 내지 100 ㎛ (마이크로미터) 의 범위, 특히 500 nm 내지 60 ㎛ 의 범위의 길이를 갖는다. 나노와이어들은 또한 바람직하게는 10 nm 내지 10 ㎛ 범위, 특히 30 nm 내지 2 ㎛ 범위의 직경을 갖는다. 여기서, 용어 직경은 원형 베이스 영역에 관한 것이며, 베이스 영역이 이로부터 벗어나는 경우 적용가능한 직경의 비교할만한 정의이다. 사용된 모든 나노와이어들이 동일한 길이 및 동일한 직경을 갖는 것이 특히 바람직하다.

설명된 장치는 나노와이어들의 매우 다양한 재료들에 사용될 수 있다. 전기 전도성 재료들, 특히 금속들, 예컨대 구리, 은, 금, 니켈, 주석 및 백금이 나노와이어들의 재료로서 바람직하다. 그러나, 비-전도성 재료들, 예컨대 금속 산화물이 또한 바람직하다. 바람직하게, 나노와이어들 모두가 동일한 재료로 형성된다.

나노와이어들은 장치로 기판의 표면 상으로 성장될 수도 있다. 기판의 표면은 바람직하게는 전기 전도성으로 이루어진다. 표면이 다르게는 전기 전도성이 아닌 기판의 일부인 경우, 전기 전도성은 예를 들어 금속화에 의해 달성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 전기 전도성이 아닌 기판은 금속의 얇은 층으로 코팅될 수도 있다. 금속화는 특히 전극 층을 제작하기 위해 사용될 수 있다. 전극 층 및/또는 기판의 표면 재료에 의존하여, 전극 층과 표면 사이에 접착 결합을 부여하는 결합 층을 전극 층과 기판의 표면 사이에 제공하는 것이 바람직할 수도 있다.

기판의 표면의 전기 전도성은 나노와이어들의 갈바닉 성장을 위한 전극으로서 사용될 수 있도록 한다. 기판은 특히 실리콘 기판일 수도 있다. 기판은 특히 전기 전도성 구조체들이 제공된 바디일 수도 있다. 이는 특히 실리콘 칩 또는 소위 인쇄 회로 보드 (PCB) 일 수도 있다.

설명된 장치로, 나노와이어들은 포일의 기공들에서 기판의 표면 상에 갈바닉 성장될 수 있다. 이를 위해 전해질이 사용된다. 성장 동안, 포일이 기판의 표면에 대해 밀착되고 전해질이 포일 위에 균일하게 분포되는 경우, 나노와이어들이 특히 일관된 품질로 제공될 수 있다. 이는 포일 상에 놓이는 스폰지와 같은 전해질에 투과성인 탄성 엘리먼트에 의해 달성될 수 있다. 전해질이 탄성 엘리먼트를 통해 포일 상으로 방출될 수 있고 포일은 기판의 표면 상에 유지될 수 있다.

포일은 바람직하게는 나노와이어들의 성장의 시작 전에 기판의 성장될 표면 상으로 배치된다. 포일은 바람직하게는 플라스틱 재료, 특히 폴리머 재료로 형성된다. 특히, 포일이 미끄러지지 않는 방식으로 포일이 표면에 연결되는 것이 바람직하다. 이는 성장된 나노와이어들의 품질을 감소시킬 수 있다.

포일은 나노와이어들이 성장될 수 있는 복수의 통과 기공들을 갖는다. 기공들은 바람직하게는 포일의 상부 측으로부터 포일의 하부측으로 통과하는 채널들에 의해 형성됨으로써 포일을 통과하도록 제조된다. 특히, 기공들은 원통형으로 제조되는 것이 바람직하다. 그러나, 기공들은 곡선 경로를 따르는 채널들로 만들어지는 것이 또한 가능하다. 기공은 예를 들어 원형, 타원형 또는 다각형 베이스 영역을 가질 수도 있다. 특히, 기공은 육각형 베이스 영역을 가질 수도 있다. 기공들은 균일하게 형성되는 것이 바람직하다 (즉, 기공들은 바람직하게는 사이즈, 형상, 배열 및/또는 인접 기공들에 대한 거리와 관련하여 상이하지 않다). 나노와이어들이 성장되고 있을 때, 기공들은 바람직하게는 (특히 완전하게) 갈바닉 성막된 재료로 채워진다. 이는 나노와이어들이 기공들의 사이즈, 형상 및 배열을 취하게 한다. 따라서, 성장될 나노와이어들의 속성들은 포일 또는 그 내의 기공들의 선정에 의해 확립되거나 영향을 받을 수 있다. 따라서, 포일은 또한 "템플릿", "템플릿 포일" 또는 "패턴"으로 지칭될 수도 있다.

장치는 기판 홀더 및 기판 홀더를 위한 리셉터클을 포함한다. 기판은 기판 홀더에 의해 유지될 수 있고 기판 홀더로 리셉터클에 수용될 수 있다. 기판을 갖는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되면, 기판 상에 나노와이어들이 성장될 수 있다. 이를 위해, 기판 홀더는 전해질이 기판의 성장될 표면과 접촉하게 될 수 있는 방식으로 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 기판 홀더는 예를 들어 기판이 배치될 수 있는 함몰부를 가질 수도 있다. 전해질이 함몰부 내로 도입될 수 있어서, 기판 상에 성장될 표면은 전해질에 의해 완전히 커버된다.

장치는 바람직하게는 리셉터클이 형성되는, 하우징을 갖는다. 이 정도로, 장치는 컴팩트한 기계인 것으로 간주될 수 있다. 하우징은 바람직하게는 리셉터클이 배열되는 챔버를 포함한다. 기판 홀더는 이 경우에 기판 홀더가 리셉터클 내로 삽입됨으로써 챔버 내로 도입될 수도 있다. 챔버는 폐쇄가능한 것이 바람직하다. 예를 들어, 챔버는 하우징 벽의 개구를 통해 접근가능할 수도 있어서, 기판 홀더는 챔버 내로 그리고 개구를 통해 리셉터클 내로 삽입될 수 있다. 개구는 예를 들어 플랩(flap)에 의해 폐쇄가능할 수도 있다. 폐쇄된 상태에서, 챔버는 바람직하게는 액밀 및 기밀이다. 따라서, 나노와이어들의 성장을 위해 요망된 분위기가 챔버 내부에 생성될 수 있다. 또한, 화학물질들이 챔버로부터 빠져나가는 것이 방지될 수 있다. 챔버는 바람직하게 로킹될 수도 있다. 따라서, 개구는 예를 들어 플랩에 의해 폐쇄될 수도 있고 플랩은 로킹 메커니즘에 의해 그의 포지션에 유지될 수도 있다. 결과적으로, 성장 프로세스 동안 챔버의 부주의한 개방이 방지될 수 있다. 챔버는 바람직하게는 나노와이어들을 성장시킬 때 사용된 화학물질들, 예를 들어 강철 또는 플라스틱에 내성이 있는 재료의 경계 인클로저 내에 형성된다.

챔버는 바람직하게는 적어도 하나의 화학물질을 위한 개개의 피드를 갖는다. 예를 들어, 나노와이어들의 성장을 위해 사용된 전해질이 이러한 방식으로 제공될 수도 있다. 전해질은 예를 들어 대응하는 피드를 통해 기판 홀더의 함몰부 내로 도입될 수도 있어서, 전해질이 함몰부에 배열된 기판과 접촉하게 된다. 또한, 물, 특히 탈이온수 (DI water) 를 위한 피드가 제공될 수도 있다. 이는 나노와이어들의 성장 완료 후 기판을 린싱하기 위해 사용될 수도 있다. 이러한 방식으로, 전해질의 잔여량들이 기판과 함께 장치를 나가는 것이 방지될 수 있다. 또한, 챔버는 적어도 하나의 배출구를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 예를 들어, 나노와이어들의 성장 완료 후 전해질이 챔버 밖으로 배출될 수 있는 배출구가 제공될 수 있다. 린싱을 위해 사용된 물을 위한 배출구가 또한 제공될 수도 있다. 전해질 및 물은 동일한 배출구를 통해 또는 상이한 배출구를 통해 챔버 밖으로 배출될 수도 있다.

또한, 챔버는 환기구들을 갖는 것이 바람직하다. 이는 챔버에서의 가스들이 챔버 밖으로 배출될 수 있도록 한다. 따라서, 챔버가 개방되었을 때 챔버로부터 빠져나가는 유해 가스로부터 사용자가 보호될 수 있다. 가스는 환기구를 통해 챔버로부터 추출될 수 있고, 예를 들어 신선한 공기 또는 불활성 대기로 대체될 수 있다. 추출된 가스들은 예를 들어 세정될 수도 있다. 또한, 나노와이어들의 성장을 위해 설계된 전극이 챔버에 배열되는 것이 바람직하다. 따라서, 나노와이어들을 성장시키기 위해 기판의 성장될 표면과 전극 사이에 전압이 인가될 수도 있다. 전극은 바람직하게는 램(ram) 상에 유지된다. 램은 바람직하게는 자동으로 이동가능하다. 따라서, 램은 나노와이어들을 성장시키기 위해 전극을 전해질과 접촉시키는데 사용될 수 있다. 이는 램에 의해 포일 상으로 가압되는, 포일 상에 배치되는 스폰지와 같은 탄성 엘리먼트를 수반할 수도 있다. 포일은 이러한 방식으로 그의 포지션에 유지될 수 있다. 램은 또한 전해질 분배기를 가질 수도 있다. 따라서, 전해질은 기판의 성장될 표면에 램에 의해 피드될 수 있다. 전해질 분배기는 배출구 측 상에 복수의 배출구들을 가질 수도 있어서, 전해질이 전해질 분배기를 통해 상기 기판의 성장될 표면에 균일하게 피드될 수 있다. 전극은 전해질 분배기의 배출구 측에 형성될 수도 있다. 따라서, 배출구들은 전극에서 대응하는 관통- 개구들에 인접할 수도 있어서, 전해질이 관통- 개구들을 통해 전극을 통과할 수 있다.

기판 홀더는 바람직하게는 서랍으로서 형성된다. 이는 기판 홀더가 예를 들어, 리셉터클에서 측방향으로 배열된 가이드 레일들 위에서 리셉터클 내로 푸시될 수 있음을 의미한다. 서랍은 장치의 나머지 부분으로부터 완전히 분리될 수 있는 것이 바람직하다. 또는, 서랍이 밖으로 당겨질 수 있는 양은 최대 정도로 제한될 수도 있어서, 최대 정도를 넘어 서랍이 밖으로 당겨질 수 없다.

장치는 바람직하게는 기판 홀더를 이동시키기 위한 드라이브를 갖는다. 예를 들어, 기판 홀더는 로딩 포지션 내로 수동으로 이동되고 이로부터 드라이브에 의해 자동화된 방식으로 리셉터클 내로 인입될 수도 있다. 나노와이어들의 성장 완료 후, 기판 홀더는 자동화된 방식으로 리셉터클로부터, 특히 바람직하게는 로딩 포지션과 동일한 제거 포지션 내로 이동될 수도 있다. 제거 포지션으로부터, 기판 홀더는 수동으로 제거될 수 있다. 대안으로, 장치는 기판 홀더를 리셉터클 내로 그리고 리셉터클 밖으로 완전히 수동으로 이동시키도록 설계될 수도 있다. 기판 홀더를 위한 드라이브를 갖는 장치는 자동으로 이동된 기판 홀더 또는 수동으로 이동된 기판 홀더로의 선정에 따라 동작되는 것이 또한 생각될 수 있다.

장치는 바람직하게는 기판 홀더를 리셉터클에 어레스팅(arresting)하기 위한 어레스팅 메커니즘을 갖는다. 어레스팅 메커니즘은 바람직하게는 어레스팅 메커니즘이 활성 상태 및 활성화해제된 상태를 갖도록 형성된다. 따라서, 어레스팅 메커니즘은 스위치 온 및 오프될 수 있다. 예를 들어 이를 위해 스위치-온된 상태에서 리셉터클에 기판 홀더를 유지하는 전자석이 제공될 수도 있다. 따라서, 어레스팅 메커니즘으로, 기판 홀더가 나노와이어들의 성장 동안 리셉터클에 고정될 수 있다. 나노와이어들의 성장 완료 후, 어레스팅 메커니즘은 활성화해제될 수 있고 기판 홀더는 리셉터클로부터 제거될 수 있다.

장치는 바람직하게는 클린 룸 요건들에 따라 형성된다. 장치가 클린 룸에서 사용되는 경우, 장치로 성장된 나노와이어들은 또한 리셉터클로부터 기판 홀더의 제거 후에 보호될 수 있다.

기판 홀더는 나노와이어들의 성장에 영향을 미치도록 설계된 전자장치를 갖는다. 이를 위해, 예를 들어 다음의 파라미터들이 전자장치에 의해 모니터링될 수도 있다: 기판의 성장될 표면의 온도, 이 온도의 분포, 전해질의 충전 레벨, 나노와이어들의 성장을 위해 사용된 전류의 전류 강도. 또한, 전자장치는 전해질을 식별하도록 설계될 수도 있다. 따라서, 예를 들어, 의도된 전해질 이외의 전해질이 검출되는 경우 응답이 트리거될 수 있다. 전해질의 조성은 또한 전자장치에 의해 결정될 수 있다. 전자장치는 또한 프로세스 순서들의 모니터링 및/또는 제어에 기여하도록 설계될 수도 있다.

장치는 바람직하게는 하나 이상의 특정된 전제조건들이 만족되었다는 것이 전자장치에 의해 검출된 경우에만 나노와이어들의 성장이 시작되도록 설계된다. 따라서, 예를 들어, 전자장치는 정확한 기판 홀더가 리셉터클 내로 삽입되었는지 여부를 체크하는데 사용될 수 있는 식별부를 가질 수도 있다. 유지보수 작업이 필요한 때가 또한 전자장치에 저장될 수도 있다. 이 경우 특정된 전제조건들 중 하나는 그 시점에 어떠한 유지보수 작업도 예정되어 있지 않다는 것일 수도 있다.

기판 홀더는 바람직하게는 히터를 갖는다. 이는 나노와이어들의 성장 동안 우세한 온도에 영향을 미치는데 사용될 수 있다. 따라서, 히터는 기판의 성장될 표면 및/또는 전해질을 가열하도록 설계될 수도 있다. 히터는 바람직하게는 전기 히터이다. 히터는 기판 홀더의 전자장치에 의해 및/또는 외부에서 제어될 수도 있다.

장치의 바람직한 실시형태에서, 기판 홀더는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되었을 때 전자장치가 장치의 제어 유닛에 연결되는 인터페이스를 갖는다.

인터페이스는 예를 들어 하나 이상의 플러그-인 커넥션들을 포함할 수도 있다. 플러그-인 커넥션들은 바람직하게는 기판 홀더가 리셉터클 내로 삽입될 때 기판 홀더의 전자장치가 제어 유닛에 연결되는 방식으로 형성된다. 오퍼레이터에 의한 별도의 조작, 예를 들어 케이블들의 연결은 이러한 경우에 필요하지 않다.

제어 유닛은 바람직하게는 기판 홀더의 전자장치에 의해 출력된 신호를 프로세싱하고 및/또는 기판 홀더의 전자장치에 제어 신호들을 출력하도록 설계된다. 제어 유닛은 데이터베이스를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판 홀더의 전자장치로부터 제어 유닛으로 송신된 파라미터들은 대응하는 예상된 값들과 비교될 수 있다. 불일치의 경우, 예를 들어 경고 신호가 방출될 수도 있는 경우, 프로세스는 중단될 수도 있고 및/또는 대응하는 제어 신호를 통해 자동화된 방식으로 정정이 수행될 수도 있다. 대응하는 제어 신호를 통해, 기판 홀더의 가열이 제어 유닛에 의해 제어될 수도 있다.

제어 유닛은 바람직하게는 하우징에 배열된다. 또한, 장치는 바람직하게는 특히 제어 유닛에 연결되는 디스플레이 수단 및/또는 동작 수단을 갖는다. 디스플레이 수단 및/또는 동작 수단은 바람직하게는 사용자가 접근가능한 방식으로 하우징에 또는 그 상에 유지된다. 디스플레이 수단은 사용자에게 성장 프로세스에 대한 정보가 표시될 수도 있도록 하며, 동작 수단은 사용자가 프로세스를 제어할 수 있도록 한다. 디스플레이 수단 및 동작 수단은 또한 디스플레이 및 동작 수단으로서, 예를 들어 터치스크린으로서 형성될 수도 있다.

장치가 리셉터클에 기판 홀더를 어레스팅하기 위한 어레스팅 메커니즘을 갖는 경우, 제어 유닛은 바람직하게는 어레스팅 메커니즘을 모니터링 및/또는 제어하도록 설계된다. 장치가 기판 홀더를 이동시키기 위한 드라이브를 갖는 경우, 제어 유닛은 바람직하게 드라이브를 모니터링 및/또는 제어하도록 설계된다. 장치가 로킹 메커니즘에 의해 로킹될 수 있는 플랩에 의해 폐쇄가능한 챔버를 갖는 경우, 제어 유닛은 바람직하게는 로킹 메커니즘을 모니터링 및/또는 제어하도록 설계된다. 예를 들어, 제어 유닛은 기판 홀더가 로딩 포지션 내로 배치되었음을 검출하고, 이에 응답하여, 기판 홀더가 자동화된방 식으로 리셉터클 내로 인입되고 어레스팅 메커니즘에 의해 거기에 어레스팅되며 챔버의 개구가 플랩에 의해 폐쇄되고 플랩이 로킹되는 대응 제어 신호들을 통해 개시할 수도 있다. 나노와이어들의 성장 동안, 제어 유닛은 어레스팅 메커니즘 및 로킹 메커니즘이 변경되지 않은 상태로 유지되는지를 모니터링할 수도 있다. 나노와이어들의 성장 완료 후, 제어 유닛은 플랩의 로킹 메커니즘이 해제되고 플랩이 개방되며, 어레스팅 메커니즘이 해제되고 기판 홀더가 제거 포지션으로 자동화된 방식으로 이동되는 대응 제어 신호들에 의해 개시할 수도 있다.

장치의 추가 바람직한 실시형태에서, 기판 홀더의 전자장치는 디지털 통신을 위해 제어 유닛에 연결되는 디지털화 유닛을 포함한다.

이 실시형태에서, 전자장치에 의해 제어 유닛으로 방출된 신호들은 디지털 신호들이다. 그 결과, 특히 전자장치와 제어 유닛 사이의 낮은 간섭 통신이 달성될 수 있다.

장치의 추가의 바람직한 실시형태에서, 기판 홀더의 전자장치는 센서리를 포함한다.

센서리는 바람직하게는 적어도 하나의 성장 파라미터를 기록하도록 설계된다. 성장 파라미터들로서 특히 고려되는 것은 기판의 성장될 표면의 온도, 이 온도의 분포, 전해질의 충전 레벨, 나노와이어들의 성장을 위해 사용된 전류의 전류 강도이다. 센서리는 바람직하게는 측정될 파라미터들에 대한 개개의 센서를 포함한다. 센서리는 또한 전해질을 식별하도록 설계된 센서를 포함할 수도 있다. 센서리는 또한 전해질의 조성을 결정하도록 설계되는 센서를 포함할 수도 있다.

추가 바람직한 실시형태에서, 장치는 또한 기판을 갖는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되었을 때 기판에 연결되는 레퍼런스 전극을 포함한다.

레퍼런스 전극으로, 나노와이어들의 성장이 모니터링될 수 있다. 이를 위해, 전극과 레퍼런스 전극 사이의 전압이 레퍼런스 전극으로 측정될 수 있다. 배열체는 하나 이상의 레퍼런스 전극들을 포함할 수도 있다.

전극은 바람직하게는 제 1 케이블을 통해 전압 소스에 연결된다. 기판의 성장될 표면은 바람직하게는 제 2 케이블을 통해 전압 소스에 연결된다. 레퍼런스 전극은 바람직하게는 제 3 케이블을 통해 전압계에 연결된다. 기판의 표면은 바람직하게는 제 4 케이블에 의해 전압계에 연결된다. 제 2 케이블 및 제 4 케이블은 바람직하게는 각각의 경우에 표면에 직접 연결된다. 이를 위해, 기판의 표면은 개개의 접촉 패드를 가질 수도 있으며, 이를 통해 제 2 케이블 및 제 4 케이블이 예를 들어, 개개의 전도성 테이프를 통해 기판의 표면에 연결된다. 따라서, 레퍼런스 전극은 제 2 케이블의 분기에 의해 연결되는 레퍼런스 전극에 의해 기판의 표면에 단순히 연결되지 않는다. 이에 비해, 기판의 표면에 대한 레퍼런스 전극의 직접적인 부착은 더 정확한 결과들을 생성한다는 것을 알아내었다.

제 1 케이블, 제 2 케이블, 제 3 케이블 및 제 4 케이블은, 각각의 경우, 예를 들어 플러그-인 커넥션들을 통해 서로 연결되는 다수의 부분들로 분할될 수도 있다. 제 2 케이블, 제 3 케이블 및/또는 제 4 케이블은 각각의 경우에 대응하는 케이블의 2개의 인접한 부분들 사이의 개개의 트랜지션이 서랍의 에지에 배열되는 방식으로 부분들로 분할될 수도 있다. 서랍은 이들 3개의 케이블 각각에 대해 대응하는 커넥터를 가질 수도 있다. 따라서, 기판의 표면과 레퍼런스 전극 사이의 전기적 접촉은 형성되는 3개의 플러그-인 커넥션들에 의해 서랍이 리셉터클 내로 푸시될 때 이루어질 수도 있다. 전압계 및 전압 소스는 바람직하게는 하우징 내부 및 서랍의 리셉터클 외부에 배열된다.

장치의 추가의 바람직한 실시형태에서, 나노와이어들의 갈바닉 성장을 위해 설계된 장치의 전극은 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들을 갖고 및/또는 기판 홀더는 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들을 갖는 히터를 갖는다. "및" 의 경우가 바람직하다.

나노와이어들의 갈바닉 성장을 위해, 기판의 성장될 표면과 전극 사이에 전압이 인가된다. 전극이 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들을 갖는 경우, 장치는 상이한 사이즈들의 기판들 상에 나노와이어들을 성장시키기는데 특히 적합하다. 따라서, 기판의 사이즈 및 형상에 의존하여, 전극의 다양한 세그먼트들이 사용될 수도 있다. 따라서, 전압은 기판이 전극에 대향하여 놓이는 국부적으로 한정된 방식으로 전극에 인가될 수 있다. 상이한 전압들이 전극의 다양한 세그먼트들로 적용되는 것이 또한 생각될 수 있다. 따라서, 나노와이어들의 성장은 국부적으로 선택적으로 제어될 수 있다. 전극은 기판을 갖는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되었을 때 세그먼트들의 각각이 기판의 성장될 표면의 개개의 부분에 대향하게 놓이는 방식으로 세그먼트들로 분할된다.

기판 홀더가 독립적으로 제어가능한 다수의 세그먼트들을 갖는 히터를 갖는 경우, 기판의 온도는 국부적으로 선택적으로 제어될 수 있다. 기판이 기판 홀더에 의해 수용될 수 있는 기판의 최대 사이즈보다 작은 경우, 기판이 존재하는 곳에서만 활성화되는 히터에 의해 에너지가 절약될 수 있다. 히터는 기판을 갖는 기판 홀더가 리셉터클에 수용되었을 때 세그먼트들의 각각이 기판의 개개의 부분에 대향하게 놓이는 방식으로 세그먼트들로 분할된다.

전극 및/또는 히터의 세그먼트들의 제어는 바람직하게 제어 유닛에 의해 수행된다. 예를 들어, 로딩된 기판의 사이즈 및 형상은 기판 홀더의 센서리에 의해 검출되고 대응하는 신호를 통해 제어 유닛에 송신될 수 있으며, 제어 유닛은 그 후 대응하는 제어 신호들에 의해 전극 및/또는 히터를 제어한다.

장치의 추가 바람직한 실시형태에서, 기판 홀더의 전자장치는 나노와이어들의 성장을 위한 전압 또는 전류를 제어하도록 설계된다.

이러한 실시형태에서, 제어 유닛은 설정될 전압 또는 설정될 전류를 특정할 수 있고, 예를 들어 대응하는 제어 신호를 통해 기판 홀더의 전자장치로 이들을 송신할 수 있다. 이를 위해, 기판 홀더의 전자장치는 원하는 전압 또는 원하는 전류를 설정하도록 설계된다. 이를 위해, 전자장치는 전압 또는 전류를 측정하고 이를 원하는 설정포인트 값으로 제어할 수 있다. 이 구성은 제어 유닛을 사용하여 수행되는 제어보다 더 유연하다. 이는 장치가 각각 그 자신의 제어 특성들을 갖는, 상이한 기판 홀더들과 특히 쉽게 사용될 수 있도록 한다. 제어 유닛은 제어 특성들을 알 필요가 없다. 대신에, 이들은 각각의 기판 홀더에서 개별적으로 고려될 수 있다.

발명의 추가 양태로서, 기판 상에 복수의 나노와이어들을 갈바닉 성장시키기 위한 방법이 제공된다. 방법은

a) 기판 홀더 내로 기판을 배치하는 단계,

b) 기판 홀더를 위한 리셉터클 내로 기판 홀더를 삽입하는 단계,

c) 기판 상에 나노와이어들을 갈바닉 성장시키는 단계를 포함하고,

기판 홀더는 나노와이어들의 성장에 영향을 미치는 전자장치를 갖는다.

장치의 설명된 이점들 및 특징들은 방법에 적용되고 트랜스퍼될 수 있으며, 그 역 또한 마찬가지이다. 장치는 바람직하게는 방법에 따라 동작되기 위해 설계된다. 방법은 바람직하게는 장치로 수행된다.

단계들 a) 내지 단계 c) 는 바람직하게는 주어진 순서로 수행된다.

단계 a) 에서, 기판은 기판 홀더 내로 배치된다. 포일은 바람직하게는 기판이 기판 홀더 내에 배치될 때 기판 상으로 배치된다. 대안으로, 포일은 또한 기판이 기판 홀더 내로 배치된 후에 기판 상으로 배치될 수도 있다. 기판이 기판 홀더 내로 배치될 때, 전해질에 투과성인 탄성 엘리먼트가 포일 상에 배치되는 것이 또한 바람직하다. 대안으로, 탄성 엘리먼트는 또한 기판이 기판 홀더 내로 배치된 후에 기판 상으로 배치될 수도 있다. 바람직하게, 단계 a) 에서, 기판 홀더의 전자장치는 기판의 상세들, 예를 들어 기판의 성장될 표면의 사이즈, 형상 및 재료를 기록하는데 사용된다.

단계 b) 에서, 기판을 갖는 기판 홀더는 기판 홀더를 위한 리셉터클 내로 삽입된다. 이는 기판 홀더를 로딩 포지션으로 수동으로 가져오고 거기서부터 자동화된 방식으로, 특히 기판 홀더를 이동시키기 위한 드라이브를 통해 리셉터클 내로 인입됨으로써 수행될 수 있다.

단계 c) 에서, 나노와이어들이 갈바닉 성장된다. 이를 위해, 전해질이 기판 및 전극의 성장될 표면과 접촉하게 되고 기판의 표면과 전극 사이에 전압을 인가될 수 있다. 프로세스는 바람직하게는 제어 유닛을 통해 제어된다. 나노와이어들은 기판 상으로 배치된 포일의 기공들 내로 성장될 수 있다.

방법은 바람직하게는 또한

d) 리셉터클로부터 기판 홀더를 제거하는 단계를 포함한다.

단계 d) 는 단계 c) 에 따른 나노와이어들의 성장 완료 후 수행되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 기판 홀더는 예를 들어, 특히 기판 홀더를 이동시키기 위한 드라이브를 통해, 제거 포지션 내로 자동화된 방식으로 이동될 수도 있다. 제거 포지션으로부터, 기판 홀더는 수동으로 제거될 수 있다. 후속하여, 기판은 기판 홀더로부터 제거될 수 있다. 기판 홀더는 후속하여 새로운 성장 프로세스를 위해 사용될 수 있다.

방법의 바람직한 실시예에서, 단계 a) 이전에, 단계 c) 에서 고려되는 성장 파라미터들이 기판 홀더의 전자장치에 저장된다.

이러한 실시형태에서, 기판 홀더는 기판 홀더가 로딩 포지션 내로 수동으로 배치되자마자 나노와이어들의 성장이 완전히 자동화된 방식으로 진행되는 정도로 준비될 수도 있다. 따라서, 제어 유닛은 기판 홀더가 로딩 포지션 내로 배치되었음을 검출할 수 있고, 기판 홀더가 자동화된 방식으로 리셉터클 내로 인입되는 것을 개시할 수 있다. 기판 홀더의 전자장치와 제어 유닛 사이의 커넥션이 형성되자마자, 제어 유닛은 예를 들어, 나노와이어들의 성장을 위해 어떤 성장 파라미터들이 제공되는지를 기판 홀더의 전자장치로부터 판독할 수 있다. 나노와이어들의 성장은 이러한 파라미터들로 수행될 수 있다. 후속하여, 기판 홀더는 자동화된 방식으로 제거 포지션으로 이동되고 거기서 제거될 수도 있다. 이 경우, 오퍼레이터는 장치에 대해 어떠한 설정들도 행할 필요가 없다. 기판 홀더를 준비할 때, 오퍼레이터가 기판 홀더의 전자장치에 성장 파라미터를 저장하는 것으로 충분하다. 이를 위해, 기판 홀더는 입력 디바이스를 갖거나 이에 연결될 수도 있다.

특히 성장 파라미터들로서 다음을 고려한다: 성장 시간, 전압 또는 전류, 기판에 대해 설정될 온도.

방법의 추가 바람직한 실시형태에서, 단계 c) 에서 기판의 온도는 15℃ 와 100℃ 사이, 바람직하게는 30℃ 와 90℃ 사이에 놓인다. 상세들은 특히 기판의 성장될 표면의 온도와 관련된다.

본 발명은 도면들에 기초하여 하기에서 더 상세히 설명된다. 도면들은 특히 바람직한 예시적인 실시형태들을 나타내지만, 이에 본 발명이 한정되지 않는다. 도면들 및 이에 나타낸 상대적 사이즈들은 단지 개략적일 뿐이다. 도면들에서,
도 1 은 기판 상에 복수의 나노와이어들을 갈바닉 성장시키기 위한 본 발명에 따른 장치를 나타낸다.
도 2 는 도 1 로부터의 장치의 일부에 대한 개략적 표현을 나타낸다.
도 3 은 도 1 및 도 2 로부터의 장치에 대한 레퍼런스 전극의 커넥션을 나타낸다.
도 4 는 도 1 및 도 2 로부터의 장치에 대한 전극의 구성을 나타낸다.
도 5 는 도 1 및 도 2 로부터의 장치에 대한 히터의 구성을 나타낸다.

도 1 은 기판 (3) 의 표면 (27) 상으로 복수의 나노와이어들 (2)(도 2 에 나타냄) 를 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1) 를 나타낸다. 장치 (1) 는 챔버 (18) 에 형성된, 서랍으로서 형성되는 기판 홀더 (4), 및 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 을 포함한다. 리셉터클 (5) 은 기판 홀더 (4) 가 리셉터클 (5) 내로 푸시될 수 있고 리셉터클 (5) 로부터 밖으로 당겨질 수 있는 가이드 레일들 (25) 을 갖는다. 어레스팅 메커니즘 (26) 으로, 기판 홀더 (4) 는 리셉터클 (5) 에 어레스팅될 수 있다.

도 1 에 나타낸 상황에서, 기판 홀더 (4) 는 리셉터클 (5) 에 의해 수용되었다. 장치 (1) 는 나타낸 바와 같이, 기판 (3) 을 갖는 기판 홀더 (4) 가 리셉터클 (5) 에 수용될 때 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 성장시키도록 설계된다. 기판 홀더 (4) 는 나노와이어들 (2) 의 성장에 영향을 미치도록 설계된 전자장치 (6) 를 갖는다. 기판 홀더 (4) 는 인터페이스 (7) 를 가지며, 이는 나타낸 바와 같이, 플러그-인 커넥션으로서 형성되고, 이를 통해 기판 홀더 (4) 가 리셉터클 (5) 에 수용되었을 때 전자장치 (6) 가 장치 (1) 의 제어 유닛 (8) 에 연결되는 인터페이스 (7) 를 갖는다. 제어 유닛 (8) 은 또한 디스플레이 및 동작 수단 (23) 으로서 터치스크린에 연결된다. 제어 유닛 (8) 은 특히 전해질의 흐름 및/또는 압력을 확인하도록 설계된다.

장치 (1) 로, 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 다음의 방법이 수행될 수 있다:

a) 기판 (3) 을 기판 홀더 (4) 내로 배치하는 단계,

b) 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 내로 기판 홀더 (4) 를 삽입하는 단계,

c) 기판 (3) 상에 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키는 단계로서, 기판 (3) 의 온도는 15℃ 와 100℃ 에 놓이는, 상기 갈바닉 성장시키는 단계.

기판 (3) 상에 통과-기공들 (29)(도 2 에서 볼 수 있음) 을 갖는 포일 (28)(도 1 에는 상세히 볼 수 없음) 이 놓여 있다. 포일 (28) 상에는 탄성 엘리먼트 (19) 로서 스펀지가 놓이며, 이를 통해 전해질이 포일 (28) 상으로 방출될 수 있다. 탄성 엘리먼트 (19) 상에는 전극 (12) 이 놓인다. 전극 (12) 과 기판 (3) 의 표면 (27) 사이에 전압을 인가함으로써, 나노와이어들 (2) 이 성장될 수 있다. 전극 (12) 은 램 (20) 을 통해 유지되고, 이를 사용하여, 드라이브 (21) 를 통해 이동될 수 있다.

기판 홀더 (4) 의 전자장치 (6) 는 단계 c) 에 따라 나노와이어들 (2) 의 성장에 영향을 미친다. 기판 홀더 (4) 의 전자장치 (6) 는 디지털 통신을 위해 제어 유닛 (8) 에 연결되는 디지털화 유닛 (9) 을 포함한다. 또한, 기판 홀더 (4) 의 전자장치 (6) 는 나타낸 실시형태들에서 2개의 센서들에 의해 형성되는 센서리(sensory)(10) 를 포함한다. 또한, 기판 홀더 (4) 의 전자장치 (6) 는 메모리 (24) 를 포함한다. 여기에서는 예를 들어, 나노와이어들 (2) 의 성장 동안 고려되는 성장 파라미터들이 저장될 수도 있다. 또한, 기판 홀더 (4) 의 전자장치 (6) 는 나노와이어들 (2) 의 성장을 위한 전압 또는 전류를 제어하도록 설계된다. 전자장치 (6) 는 또한 히터 (14) 에 부착되고, 여기서 기판 (3) 이 가열될 수 있다.

장치 (1) 는 하우징 (34) 을 가지며, 그 내부에 챔버 (18) 가 형성된다. 챔버 (18) 의 내부 측 (42) 은 전해질-내성 재료로 형성된다. 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 은 챔버 (18) 에 형성되어, 기판 홀더 (4) 가 챔버 (18) 에 의해 수용될 수 있다. 챔버 (18) 는 개구 (17) 를 가지며, 이를 통해 기판 홀더 (4) 가 챔버 (18) 내로 삽입될 수 있고 챔버 (18) 외부로 이동될 수 있다. 개구 (17) 는 플랩 (16) 을 통해 폐쇄될 수도 있다. 플랩 (16) 은 로킹 메커니즘 (22) 으로 로킹될 수도 있다. 장치 (1) 는 기판 (3) 을 갖는 기판 홀더 (4) 가 리셈터클 (5) 에 수용되었을 때 기판 (3) 상으로 전해질로부터 복수의 나노와이어들 (2) 을 성장시키도록 설계된다.

또한 개개의 전해질을 위한 3개의 저장 탱크들 (35) 이 하우징 (34) 에 배열된다. 저장 탱크들 (35) 중 하나는 커넥션 (36) 및 펌프 (38) 를 통해 전해질 라인 (37) 에 부착된다. 전해질 라인 (37) 을 통해, 전해질은 기판 홀더 (4) 내로 도입되고 나노와이어들 (2) 의 성장을 위해 사용될 수 있다. 펌프 (38) 는 전해질을 저장 탱크 (35) 로부터 챔버 (18) 내로 펌핑하도록 설계된다. 펌프 (38) 는 지지체 (39) 상의 댐퍼 (40) 를 통해 감쇠된 방식으로 유지되고, 이는 하우징 (34) 에서의 추가 댐퍼 (40) 를 통해 감쇠된 방식으로 유지된다. 커넥션 (36) 은 저장 탱크 (35) 가 제어 유닛 (8) 을 통해 의해 식별될 수 있고 저장 탱크 (35) 에 할당된 적어도 하나의 파라미터가 확인될 수 있는, 센서 (더 이상 구체적으로 나타내지 않음) 를 갖는다. 또한, 하우징 (34) 에는 전해질을 위한 필터 (41) 및 전해질 프로세서 (42) 가 배열된다. 나타낸 실시형태에서, 필터 (41) 및 전해질 프로세서 (42) 는 전해질 라인 (37) 에 통합된다. 전해질 프로세서 (42) 의 상세들은 전반적인 명확성을 위해 나타내지 않는다. 따라서, 전해질 프로세서 (42) 는 예를 들어 라인을 통해 탱크에 연결될 수도 있으며, 이를 통해 전해질을 프로세싱하는데 사용될 수 있는 물질들이 전해질 프로세서 (42) 에 피드된다.

도 2 는 도 1 로부터의 장치 (1) 의 일부를 개략적인 표현으로 나타낸다. 나노와이어들 (2) 이 성장될 표면 (27) 을 갖는 기판 (3) 이 나타나 있다. 나노와이어들 (2) 이 전해질로부터 성장될 수 있는 복수의 통과 기공들 (29) 을 갖는 포일 (28) 이 기판 (3) 의 표면 (27) 상에 배치되었다. 기판 (3) 의 표면 (27) 은 클리어런스들 (32) 을 갖는 구조화 층 (31) 을 갖는다. 나노와이어들 (2) 은 클리어런스들 (32) 에서만 성장될 수 있다. 따라서, 나노와이어들 (2) 의 성장은 국부적으로 선택적으로 발생할 수 있다. 또한, 전해질에 투과성인 탄성 엘리먼트 (19) 가 포일 (27) 상으로 배치되었다. 전해질은 탄성 엘리먼트 (19) 를 통해 포일 (28) 과 접촉하게 될 수 있다. 또한, 도 2 에는 전압 소스 (30)(전반적인 명확성을 위해 도 1 에 나타내지 않음) 가 나타나 있으며, 이는 나노와이어들 (2) 의 성장을 위한 전압을 인가하기 위해 기판 (3) 의 표면 (27) 및 전극 (12) 에 연결된다. 전극 (12) 은 램 (20) 으로 탄성 엘리먼트 (19) 에 대해 가압될 수도 있다.

도 3 은 전반적인 명확성을 위해, 도 1 및 도 2 에 나타내지 않은 도 1 및 도 2 로부터의 장치 (1) 의 추가 엘리먼트들을 나타낸다. 따라서, 전압 소스 (30), 전극 (12) 및 표면 (27) 을 갖는 기판 (3) 과 함께, 레퍼런스 전극 (11) 이 또한 나타나 있다. 레퍼런스 전극 (11) 은 전압계 (33) 를 통해 기판 (3) 의 표면 (27) 에 연결된다. 전압 소스 (30) 및 레퍼런스 전극 (11) 은 서로 독립적으로 기판 (3) 의 표면 (27) 에 부착된다.

도 4 는 도 1 및 도 2 로부터의 장치 (1) 에 대한 전극 (12) 의 구성을 나타낸다. 전극 (12) 은 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들 (13) 을 갖는다. 전극 (12) 은 평면도로 나타낸다. 기판 (3) 의 성장될 표면 (27) 은 도면의 평면에 평행하게 놓일 것이다.

도 5 는 도 1 및 도 2 로부터의 장치 (1) 에 대한 히터 (14) 의 구성을 나타낸다. 히터 (14) 는 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들 (15) 을 갖는다. 히터 (14) 는 평면도로 나타낸다. 기판 (3) 의 성장될 표면 (27) 은 도면의 평면에 평행하게 놓일 것이다. 도 1 에 나타낸 단순한 히터 (14) 대신에 도 5 에 나타낸 바와 같은 히터 (14) 가 사용될 수도 있다.

1 장치
2 나노와이어들
3 기판
4 기재 홀더
5 리셉터클
6 전자장치
7 인터페이스
8 제어 유닛
9 디지털화 유닛
10 센서리
11 레퍼런스 전극
12 전극
13 세그먼트
14 히터
15 세그먼트
16 플랩
17 개구
18 챔버
19 탄성 엘리먼트
20 램
21 드라이브
22 로킹 메카니즘
23 디스플레이 및 동작 수단
24 메모리
25 가이드 레일
26 어레스팅 메커니즘
27 표면
28 포일
29 기공
30 전압 소스
31 구조화 층
32 클리어런스
33 전압계
34 하우징
35 저장 탱크
36 커넥션
37 신호 라인
38 펌프
39 지지체
40 댐퍼
41 필터
42 내부 측
43 전해질 프로세서

Claims (10)

1. 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1) 로서,
   기판 홀더 (4) 및 상기 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 을 포함하고,
   상기 장치 (1) 는 상기 기판 (3) 을 갖는 상기 기판 홀더 (4) 가 상기 리셉터클 (5) 에 수용되었을 때, 상기 기판 (3) 상에 상기 복수의 나노와이어들을 성장시키도록 설계되고, 상기 기판 홀더 (4) 는 상기 나노와이어들 (2) 의 성장에 영향을 미치도록 설계되는 전자장치 (6) 를 갖는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 기판 홀더 (4) 는 상기 기판 홀더 (4) 가 상기 리셉터클 (5) 에 수용되었을 때 상기 전자장치 (6) 가 상기 장치 (1) 의 제어 유닛 (8) 에 연결되는, 인터페이스 (7) 를 갖는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 기판 홀더 (4) 의 상기 전자장치 (6) 는 디지털 통신을 위해 상기 제어 유닛 (8) 에 연결되는 디지털화 유닛 (9) 을 포함하는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 홀더 (4) 의 상기 전자장치 (6) 는 센서리 (10) 를 포함하는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 (3) 을 갖는 상기 기판 홀더 (4) 가 상기 리셉터클 (5) 에 수용되었을 때 상기 기판 (3) 에 연결되는, 레퍼런스 전극 (11) 을 또한 포함하는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 나노와이어들 (2) 의 갈바닉 성장을 위해 설계된 상기 장치 (1) 의 전극 (12) 은 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들 (13) 을 갖고 및/또는 상기 기판 홀더 (4) 는 다수의 독립적으로 제어가능한 세그먼트들 (15) 을 갖는 히터를 갖는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 홀더 (4) 의 상기 전자장치 (6) 는 상기 나노와이어들 (2) 의 성장을 위한 전압 또는 전류를 제어하도록 설계되는, 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 장치 (1).
8. 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 방법으로서,
   a) 기판 홀더 (4) 내로 상기 기판 (3) 을 배치하는 단계,
   b) 상기 기판 홀더 (4) 를 위한 리셉터클 (5) 내로 상기 기판 홀더 (4) 를 삽입하는 단계,
   c) 상기 기판 (3) 상에 상기 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키는 단계를 포함하고,
   상기 기판 홀더 (4) 는 상기 나노와이어들 (2) 의 성장에 영향을 미치는 전자장치 (6) 를 갖는, 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 방법.
9. 제 8 항에 있어서,
   단계 a) 이전에, 단계 c) 에서 고려되는 성장 파라미터들이 상기 기판 홀더 (4) 의 상기 전자장치 (6) 에 저장되는, 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 방법.
10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    단계 c) 에서 상기 기판 (3) 의 온도는 15℃ 와 100℃ 사이에 놓이는, 기판 (3) 상에 복수의 나노와이어들 (2) 을 갈바닉 성장시키기 위한 방법.