KR20230149836A - 재치반 및 재치 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 관련된 재치반은, 열교환을 실시하는 매체를 유통시키는 유로가 형성되고, 워크가 재치되는 본체부를 구비하고, 본체부는, 금속 재료를 사용하여 형성되고, 당해 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 히터를 갖고, 히터를 구동하고, 유로에 매체를 유통시킨 상태에 있어서, 당해 본체부의 워크 재치면에 있어서의 외측 가장자리측과 내부측의 온도차가 20 ℃ 이상이다.
Description
본 발명은, 워크를 재치하는 재치반 (載置盤) 및 재치 구조에 관한 것이다.
종래, 산업용, 자동차용 등에 사용하는 반도체를 제조하는 반도체 제조 장치나, 액정 디스플레이를 제조하는 액정 제조 장치에 있어서는, 웨이퍼 등의 워크의 온도 분포를 균일화시키기 위해서, 워크를 유지하는 재치반이 가온 기능을 구비한다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조). 특허문헌 1 에는, 내주측과 외주측에 각각 히터 엘리먼트가 형성된 세라믹 플레이트가 개시되어 있다. 종래, 히터의 배치의 자유도, 컨테미네이션, 내열성 등의 관점에서, 일반적으로 세라믹이 사용되고 있다. 이 세라믹 플레이트는, 내주측의 히터 엘리먼트와, 외주측의 히터 엘리먼트를 각각 제어함으로써, 외주측의 온도와 내주측의 온도를 서로 상이한 온도, 예를 들면, 외주측으로 감에 따라서 고온이 되는 온도 구배 프로파일을 갖는 재치반으로 할 수 있다. 특허문헌 1 에 기재된 세라믹 플레이트는, 외주측과 내주측의 온도차가 10 ℃ 정도가 되도록 온도 구배를 가할 수 있다.
그런데, 상기 서술한 재치반의 외주측과 내주측의 온도차를 더욱 높게 하고 싶다는 요망이 있다. 그러나, 특허문헌 1 에 기재된 재치반은 세라믹제이기 때문에, 외주측과 내주측의 온도차를 10 ℃ 이상으로 하면, 재치반이 파손될 우려가 있다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 외주측과 내주측의 온도차를 크게 할 수 있는 재치반 및 재치 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관련된 재치반은, 열교환을 실시하는 매체를 유통시키는 유로가 형성되고, 워크가 재치되는 본체부를 구비하고, 상기 본체부는, 금속 재료를 사용하여 형성되고, 당해 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 히터를 갖고, 상기 히터를 구동하고, 상기 유로에 상기 매체를 유통시킨 상태에 있어서, 당해 본체부의 상기 워크 재치면에 있어서의 외측 가장자리측과 내부측의 온도차가 20 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 관련된 재치반은, 상기 발명에 있어서, 상기 본체부에는, 상기 유로를 둘러싸는 단열 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 재치반은, 상기 발명에 있어서, 상기 히터는, 상기 단열 홈보다 상기 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 재치반은, 상기 발명에 있어서, 상기 히터는, 상기 단열 홈보다 상기 본체부의 내부측에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 관련된 재치반은, 상기 발명에 있어서, 상기 본체부는, 복수의 부재를 적층하여 이루어지고, 상기 복수의 부재 중, 상기 워크 재치면을 갖는 부재에, 상기 유로가 형성됨과 함께, 상기 히터가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 재치 구조는, 워크와, 열교환을 실시하는 매체를 유통시키는 유로가 형성되고, 상기 워크가 재치되는 본체부를 갖는 재치반을 구비하고, 상기 본체부는, 금속 재료를 사용하여 형성되고, 당해 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 히터를 갖고, 상기 히터를 구동하고, 상기 유로에 상기 매체를 유통시킨 상태에 있어서, 당해 본체부의 상기 워크 재치면에 있어서의 외측 가장자리측과 내부측의 온도차가 20 ℃ 이상이고, 상기 워크는, 상기 재치반에 재치된 상태에 있어서, 최저 온도와 최고 온도의 온도차가 20 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 재치반 및, 재치반에 재치되는 워크의 외주측과 내주측의 온도차를 크게 할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 재치반의 구성을 나타내는 평면도 및 부분 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 재치반 사용시의 플레이트부의 온도 분포의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태의 변형예 1 에 관련된 재치반의 주요부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 실시형태의 변형예 2 에 관련된 재치반의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 재치반 사용시의 플레이트부의 온도 분포의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태의 변형예 1 에 관련된 재치반의 주요부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 실시형태의 변형예 2 에 관련된 재치반의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태를 도면과 함께 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하의 설명에 있어서 참조하는 각 도면은, 본 발명의 내용을 이해할 수 있는 정도로 형상, 크기 및 위치 관계를 개략적으로 나타내고 있는 것에 불과하다. 즉, 본 발명은 각 도면에서 예시된 형상, 크기 및 위치 관계에만 한정되는 것은 아니다.
(실시형태)
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 재치반의 구성을 나타내는 평면도 및 부분 단면도이다. 도 1 의 (a) 는, 재치반 (1) 의 워크 (도 1 의 (b) 에 나타내는 워크 (W)) 를 재치하는 면 (이하, 「워크 재치면」이라고 한다) 을, 그 면과 직교하는 방향에서 본 평면도이다. 도 1 의 (b) 는, 워크 재치면과 평행한 방향에서 본 부분 단면도이다. 재치반 (1) 은, 예를 들면, 반도체 제조에 있어서의, 성막 처리나 에칭 처리 등의 열처리 공정에 있어서, 워크의 온도를 유지시키거나, 워크의 온도 분포를 균일화시키거나 하기 위해서 사용된다. 여기서 워크는, 실리콘, 실리콘카바이드, 사파이어나, 인화갈륨 (GaP), 비화갈륨 (GaAs), 인화인듐 (InP), 질화갈륨 (GaN) 등의 화합물 반도체를 사용하여 형성된다. 또한, 재치반 (1) 에 워크 (W) 를 재치한 상태 (도 1 의 (b) 참조) 의 구성이, 재치 구조에 상당한다.
재치반 (1) 은, 원판 형상의 플레이트부 (10) 와, 플레이트부 (10) 의, 워크 재치면의 반대측의 면에 접속하는 접속부 (20) 를 구비한다.
플레이트부 (10) 는, 금속 재료를 사용하여 형성된다. 금속 재료로는, 중금속이나 귀금속, 그 합금을 들 수 있다. 예를 들어 금속 재료로서, 알루미늄, 알루미늄 합금, 티타늄, 티타늄 합금, 철, 철기 합금, 구리, 구리 합금, 니켈, 니켈기 합금, 몰리브덴, 텅스텐, 금 등의 금속이나 합금을 들 수 있다. 철기 합금은, 예를 들어 스테인리스강, 코발, 42 알로이 등이 있다. 니켈기 합금은, 예를 들어 인코넬, 하스텔로이 등이 있다. 금속 재료로는, 열전도성이 높은 재료인 것이 바람직하다. 플레이트부 (10) 는, 4 개의 원판 부재 (제 1 원판 부재 (11) ∼ 제 4 원판 부재 (14)) 를 적층하여 이루어진다. 구체적으로는, 워크를 재치하는 제 1 원판 부재 (11) 와 접속부 (20) 가 접속되는 제 4 원판 부재 (14) 사이에, 제 1 원판 부재 (11) 측으로부터 순서대로 제 2 원판 부재 (12) 및 제 3 원판 부재 (13) 가 위치한다.
플레이트부 (10) 에는, 열교환을 촉진하는 매체가 흐르는 유로 (15) 와, 단열 홈 (16) 이 형성되어 있다. 구체적으로는, 유로 (15) 는, 워크가 재치되는 (워크 재치면을 갖는) 제 1 원판 부재 (11) 의 워크 재치면과 반대측의 면에 형성되는 바닥이 있는 홈이, 제 2 원판 부재 (12) 의 표면에 의해 막힘으로써 형성된다. 유로 (15) 에 대한 매체의 유통에 의해, 플레이트부 (10) 에 있어서의 워크 재치면의 열교환을 실시한다. 또한, 유로 (15) 는, 파이프체나 튜브를 부재 사이에 끼워 넣음으로써 형성하도록 해도 된다.
유로 (15) 를 유통하는 매체는, 예를 들어 물 등의 액체나, 기체이다. 유로 (15) 는, 예를 들면, 제 1 개구부 (151) 로부터 매체가 도입되고, 유로를 따라서 제 1 원판 부재 (11) 를 광범위에 걸쳐 흐른 후, 제 2 개구부 (152) 로부터 제 1 원판 부재 (11) 의 외부로 방출된다. 매체의 유통에 의해, 그 매체와 플레이트부 (10) 나 워크와의 사이에서 열교환이 실시된다.
단열 홈 (16) 은, 제 1 원판 부재 (11) 및 제 3 원판 부재 (13) 에 형성되는 바닥이 있는 홈과, 제 2 원판 부재 (12) 에 형성되는 관통공이 서로 연통함으로써 형성된다. 단열 홈 (16) 은, 유로 (15) 를 둘러싸도록 형성된다. 본 실시형태에 있어서, 단열 홈 (16) 은 폐색된 공간을 형성하고, 내부가 진공의 상태인 예에 대해서 설명하지만, 진공 상태가 아니어도 되고, 일부가 외부에 연통하여 공기가 순환하는 상태여도 되며, 내부에 높은 열안정성을 갖는 용제나 수지 등을 충전해도 된다.
또한, 플레이트부 (10) 는, 단열 홈 (16) 보다 직경 방향 외측 (외주측) 에 형성되는 히터 (18) 를 구비한다. 히터 (18) 는, 도시하지 않은 제어 장치의 제어하에서 구동한다. 히터 (18) 는, 예를 들면 전열선을 사용하여 구성되고, 제 1 원판 부재 (11) 의 외주를 따라 배치 형성된다. 히터 (18) 는, 예를 들면, 재치반 (1) 이 반도체 제어 장치 등에 설치되었을 때에, 당해 반도체 제조 장치가 구비하는 제어 장치와 전기적으로 접속된다. 히터 (18) 는, 예를 들면, 제 1 원판 부재 (11) 의 홈부에 매설된 후, 용사막 등으로 덮음으로써, 제 1 원판 부재 (11) 에 장착된다.
접속부 (20) 는, 내부에 매체가 유통되는 유로 (도시 생략) 가 형성된다. 구체적으로는, 접속부 (20) 는, 유로를 통하여 제 1 개구부 (151) 에 매체를 보냄과 함께, 제 2 개구부 (152) 로부터 방출되는 매체를 받아들인다. 접속부 (20) 는, 플레이트부 (10) 에 접속하는 측과 반대측의 단부에 있어서, 매체의 공급원에 접속한다. 공급원은, 매체를 유지하는 탱크 및 펌프나, 수도관 등이다.
재치반 (1) 에서는, 히터 (18) 에 의해 플레이트부 (10) 가 가온됨과 함께, 유로 (15) 를 유통하는 매체의 흡열에 의해 온도가 조정된다. 이 때, 단열 홈 (16) 에 의해 히터 (18) 로부터의 열이 내주측에 전해지는 것이 억제됨과 함께, 열응력이 발생한 경우에, 그 응력이 단열 홈 (16) 안으로 빠져나가 응력이 완화된다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 재치반 사용시의 플레이트부의 온도 분포의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 2 의 (a) 는, 재치반 (1) 의 부분 단면도를 나타낸다. 도 2 의 (b) 는, 도 2 의 (a) 에 나타내는 재치반 (1) 의 대응하는 위치에 있어서의 표면 온도를 플롯한 그래프를 나타낸다. 또한, 재치반 (1) 의 중심을 통과하는 위치를 제로로 하고, 일방을 정 (正) 방향의 위치, 그 반대 방향을 부 (負) 방향의 위치로 한다. 도 2 는, 히터 (18) 의 온도를 110 ℃ 로 설정하여 측정을 실시한 결과이다. 또한, 도 2 의 (a) 에 나타내는 재치반 (1) 에서는, 155 mm, -155 mm 의 위치에 히터 (18) 가 위치하고, 150 mm, -150 mm 부근에 단열 홈 (16) 이 위치한다.
도 2 의 (b) 로부터 알 수 있는 바와 같이, 플레이트부 (10) 에 있어서, 외주측과 내주측에서 온도차가 발생하고 있다. 구체적으로는, 가장 고온인 155 mm, -155 mm 의 위치 (110 ℃) 와, 가장 저온인 제로 위치 (약 47 ℃) 에 있어서, 약 63 ℃ 의 온도차가 발생하고 있다.
여기서, 반도체 제조 과정에 있어서 열처리를 실시할 때, 플레이트 (재치반 (1) 에 상당) 에 재치한 워크는, 온도 분포를 균일화할 것이 요구된다. 이 때, 외주측은, 내주측과 비교하여 온도가 저하되기 쉽고, 종래의 플레이트에서는 워크의 외주측의 온도가 저하되는 경우가 있었다. 특히, 워크에 대하여 성막할 때, 예를 들면 CVD (Chemical Vapor Deposition) 나 ALD (Atomic Layer Deposition) 처리를 실시할 때에, 플라즈마의 인가에 의해, 워크 중앙부가 국소적으로 온도 상승하여, 워크의 외주측과의 온도차가 커진다. 이 때문에, 재치반 (1) 과 같이, 워크 재치면에 크게 온도차를 형성함으로써, 워크의 외주측의 온도 저하를 억제하면서, 중앙부가 고온이 된 경우라도 워크의 온도를 균일한 상태로 유지할 수 있다.
이 밖에, 프로세스에 따라서 내주측과 외주측의 온도차를 조정할 수 있다.
본 실시형태에서는, 재치반 (1) 을 금속 재료로 형성함으로써, 세라믹에 의해 균열이 발생하는 온도차보다 큰 온도차로 할 수 있다. 워크 재치면의 온도차로는, 예를 들면 20 ℃ 이상 100 ℃ 이하이고, 높은 온도차가 요구되는 경우에는 60 ℃ 이상 100 ℃ 이하이다. 이 온도 범위는, 누전이나, 액체의 변태 온도에 기초하여 설정된다. 이 때, 재치반 (1) 에 재치된 워크의 온도 분포도, 재치반 (1) 의 온도 프로파일과 동등한 프로파일이 되며, 예를 들면, 당해 워크에 있어서의 최저 온도와 최고 온도의 차가 20 ℃ 이상 100 ℃ 이하가 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 재치반 (1) 은, 금속 재료로 이루어지는 플레이트부 (10) 에, 열교환을 촉진하는 매체를 유통시키는 유로 (15) 를 형성하고, 외주측에 히터 (18) 를 형성하도록 하였다. 본 실시형태에 의하면, 유로 (15) 와 히터 (18) 에 의해 가온 및 열교환을 실시함으로써, 세라믹제의 플레이트와 비교하여, 외주측과 내주측의 온도차를 크게 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 단열 홈 (16) 에 의해, 히터 (18) 로부터의 열이 내주측에 전해지는 것이 억제됨과 함께, 단열 홈 (16) 에 의한 공간분의, 플레이트부 (10) 의 고체 부분 폐색 (단면적의 감소) 으로 인한 열저항의 증가에 의해 열유량이 감소하기 때문에, 단열 홈 (16) 은 열 폐색/서멀 초크의 역할을 담당한다.
(변형예 1)
이어서, 상기 서술한 실시형태의 변형예 1 에 대해, 도 3 을 참조하여 설명한다. 도 3 은, 본 발명의 실시형태의 변형예 1 에 관련된 재치반의 주요부의 구성을 나타내는 단면도이다. 변형예 1 에 관련된 재치반은, 상기 서술한 재치반 (1) 에 대하여, 히터 (19) 를 추가로 구비한다. 히터 (19) 이외의 구성은, 상기 서술한 재치반 (1) 과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
히터 (19) (내주측 히터) 는, 재치반의 외주측, 또한 단열 홈 (16) 보다 직경 방향 내측 (내주측) 에 형성된다. 즉, 히터 (19) 는, 단열 홈 (16) 을 개재하여 히터 (18) (외주측 히터) 의 반대측에 형성된다.
변형예 1 에 관련된 재치반에서는, 단열 홈 (16) 의 외주측 및 내주측에 있어서, 플레이트부 (10) 를 가온할 수 있다. 이 때, 히터 (18, 19) 의 출력을 개별적으로 조정함으로써, 플레이트부 (10) 의 온도 분포를 제어할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 변형예 1 에 관련된 재치반은, 실시형태와 마찬가지로, 금속 재료로 이루어지는 플레이트부 (10) 에, 열교환을 촉진하는 매체를 유통시키는 유로 (15) 를 형성하고, 외주측에 히터 (18) 를 형성하도록 했으므로, 세라믹제의 플레이트와 비교하여, 외주측과 내주측의 온도차를 크게 할 수 있다.
또한, 본 변형예 1 에 의하면, 단열 홈 (16) 을 개재하여 양측에 히터를 형성하도록 했으므로, 보다 세밀하게 온도 분포를 조정할 수 있다.
(변형예 2)
이어서, 상기 서술한 실시형태의 변형예 2 에 대해, 도 4 을 참조하여 설명한다. 도 4 는, 본 발명의 실시형태의 변형예 2 에 관련된 재치반의 구성을 나타내는 부분 단면도이다. 변형예 2 에 관련된 재치반 (1A) 은, 상기 서술한 재치반 (1) 에 대해, 플레이트부 (10) 를 대신하여 플레이트부 (30) 를 구비한다. 플레이트부 (30) 이외의 구성은, 상기 서술한 재치반 (1) 과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
플레이트부 (30) 는, 금속 재료를 사용하여 형성된다. 금속 재료로는, 플레이트부 (10) 와 동일한 금속이나 합금을 들 수 있다. 플레이트부 (30) 는, 3 개의 원판 부재 (제 1 원판 부재 (31) ∼ 제 3 원판 부재 (33)) 를 적층하여 이루어진다. 구체적으로는, 워크를 재치하는 제 1 원판 부재 (31) 와 접속부 (20) 가 접속되는 제 3 원판 부재 (33) 사이에, 제 2 원판 부재 (32) 가 위치한다.
플레이트부 (30) 에는, 열교환을 촉진하는 매체가 흐르는 유로 (15) 와, 단열 홈 (16) 이 형성되어 있다. 또한, 플레이트부 (30) 는, 단열 홈 (16) 보다 직경 방향 외측 (외주측) 에 형성되는 히터 (18) 를 구비한다.
제 1 원판 부재 (31) 는, 본체부 (311) 와, 덮개부 (312) 를 갖는다. 덮개부 (312) 는, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 의해 형성되고, 본체부 (311) 나 제 2 원판 부재 (32) 및 제 3 원판 부재 (33) 와 동일한 재료로 형성해도 되고, 상이한 재료로 형성되어도 된다.
유로 (15) 는, 본체부 (311) 에 형성된 홈을 덮개부 (312) 가 덮음으로써 형성된다. 또한 단열 홈 (16) 은, 본체부 (311) 및 제 2 원판 부재 (32) 에 형성되는 홈을 덮개부 (312) 가 덮음으로써 형성된다.
그리고 히터 (18) 는, 본체부 (311) 상에 배치된 상태로 덮개부 (312) 에 덮임으로써 제 1 원판 부재 (31) 에 고정된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 변형예 2 에 관련된 재치반은, 실시형태와 마찬가지로, 금속 재료로 이루어지는 플레이트부 (30) 에, 열교환을 촉진하는 매체를 유통시키는 유로 (15) 를 형성하고, 외주측에 히터 (18) 를 형성하도록 했으므로, 세라믹제의 플레이트와 비교하여, 외주측과 내주측의 온도차를 크게 할 수 있다.
또한, 본 변형예 2 에 의하면, 열전도성이 높은 재료로 덮개부 (312) 를 형성함으로써, 효율적인 온도 조정을 실현할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태나 변형예에서는, 단열 홈 (16) 의 외주측 및 내주측에 각각 형성되는 히터 (18 또는 19) 가, 단면에 있어서 1 개 형성되는 예에 대해 설명했지만, 외주측 및 내주측의 각각에 대해, 직경 방향으로 복수 형성하는 구성이나, 판두께 방향으로 복수 형성하는 구성으로 해도 된다. 단면에 있어서의 히터 (18 및 19) 의 수는 동일해도 되고, 서로 상이한 숫자여도 된다. 예를 들어, 외주측에 히터 (18) 를 복수 개 형성해도 되고, 내주측에 히터 (19) 를 복수 개 형성해도 되며, 외주측 및 내주측에 각각 히터 (18, 19) 를 복수 개 형성해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는, 대상의 부재를 냉각하는 예를 설명했지만, 열교환판이 대상의 부재를 따뜻하게 하기 위한 열교환을 촉진하도록 해도 된다. 열교환판이 대상 부재를 따뜻하게 하는 경우, 열교환판에는, 온수 등의 매체나, 온풍 등의 열을 공급하는 가스가 유로 (15) 에서 유통된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는 단열 홈 (16) 을 갖는 예에 대해서 설명했지만, 온도 분포를 균일하게 할 수 있으면 단열 홈 (16) 을 갖지 않는 구성으로 해도 된다. 또한, 변형예에 있어서, 히터 (18) 를 갖지 않는, 히터 (19) 만의 구성으로 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는, 플레이트부 (10) 가 4 개의 원판 부재를 적층하여 이루어지는 예에 대해 설명했지만, 4 개에 한정되지 않는다. 예를 들면, 2 개의 부재를 적층하여 이루어지는 것이어도 되고, 1 개의 부재에 유로 (15) 나 단열 홈 (16) 이 형성되고, 히터 (18, 19) 가 형성되는 것이어도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는, 플레이트부 (10) 는 원판 형상을 이루는 예에 대해 설명했지만, 원판 형상에 한정되지 않고, 예를 들면, 각기둥 형상을 이루는 것이라도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는, 외주측의 온도가 높고, 내부 (내주) 측의 온도가 낮은 예에 대해 설명했지만, 온도의 고저차가 반대여도 된다. 이 경우도, 외주측과 내부측은, 20 ℃ 이상의 온도차를 갖는다.
이와 같이, 본 발명은 여기서는 기재하지 않은 여러 가지 실시형태 등을 포함할 수 있는 것이며, 청구범위에 의해 특정되는 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지 설계 변경 등을 실시하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관련된 재치반 및 재치 구조는, 외주측과 내주측의 온도차를 크게 하는데 적합하다.
1, 1A : 재치반
10, 30 : 플레이트부
11, 31 : 제 1 원판 부재
12, 32 : 제 2 원판 부재
13, 33 : 제 3 원판 부재
14 : 제 4 원판 부재
15 : 유로
16 : 단열 홈
18, 19 : 히터
20 : 접속부
311 : 본체부
312 : 덮개부
10, 30 : 플레이트부
11, 31 : 제 1 원판 부재
12, 32 : 제 2 원판 부재
13, 33 : 제 3 원판 부재
14 : 제 4 원판 부재
15 : 유로
16 : 단열 홈
18, 19 : 히터
20 : 접속부
311 : 본체부
312 : 덮개부
Claims (6)
- 열교환을 실시하는 매체를 유통시키는 유로가 형성되고, 워크가 재치되는 본체부를 구비하고,
상기 본체부는, 금속 재료를 사용하여 형성되고,
당해 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 히터를 갖고,
상기 히터를 구동하고, 상기 유로에 상기 매체를 유통시킨 상태에 있어서, 당해 본체부의 상기 워크 재치면에 있어서의 외측 가장자리측과 내부측의 온도차가 20 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 재치반. - 제 1 항에 있어서,
상기 본체부에는, 상기 유로를 둘러싸는 단열 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 재치반. - 제 2 항에 있어서,
상기 히터는, 상기 단열 홈보다 상기 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 것을 특징으로 하는 재치반. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 히터는, 상기 단열 홈보다 상기 본체부의 내부측에 형성되는 것을 특징으로 하는 재치반. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본체부는, 복수의 부재를 적층하여 이루어지고,
상기 복수의 부재 중, 상기 워크 재치면을 갖는 부재에, 상기 유로가 형성됨과 함께, 상기 히터가 형성되는 것을 특징으로 하는 재치반. - 워크와,
열교환을 실시하는 매체를 유통시키는 유로가 형성되고, 상기 워크가 재치되는 본체부를 갖는 재치반을 구비하고,
상기 본체부는, 금속 재료를 사용하여 형성되고,
당해 본체부의 외측 가장자리측에 형성되는 히터를 갖고,
상기 히터를 구동하고, 상기 유로에 상기 매체를 유통시킨 상태에 있어서, 당해 본체부의 상기 워크 재치면에 있어서의 외측 가장자리측과 내부측의 온도차가 20 ℃ 이상이고,
상기 워크는, 상기 재치반에 재치된 상태에 있어서, 최저 온도와 최고 온도의 온도차가 20 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 재치 구조.
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Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
US20060000822A1 (en) * | 2004-02-23 | 2006-01-05 | Kyocera Corporation | Ceramic heater, wafer heating device using thereof and method for manufacturing a semiconductor substrate |
JP4495687B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2010-07-07 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
JP4392724B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2010-01-06 | 日本電熱株式会社 | サセプタ |
JP2009152475A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板温調固定装置 |
JP5544121B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-07-09 | 株式会社日立国際電気 | 加熱装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
US9831111B2 (en) * | 2014-02-12 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for measurement of the thermal performance of an electrostatic wafer chuck |
JP6741461B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2020-08-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱部材及び複合加熱部材 |
JP6966227B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2021-11-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置、成膜製品の製造方法及び電子部品の製造方法 |
JP6986937B2 (ja) * | 2017-01-05 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10415899B2 (en) * | 2017-12-28 | 2019-09-17 | Asm Ip Holding B.V. | Cooling system, substrate processing system and flow rate adjusting method for cooling medium |
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Patent Citations (1)
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