KR20230149784A - Narrow bezel display device - Google Patents

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Abstract

비표시영역의 특정 위치에 쌍을 이루는 상부 댐 및 하부 댐과 트렌치를 조성하여, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여 씰런트와 배향 물질의 중첩을 최소화한다. 또한, 씰-영역의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적을 넓힌다. 이로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. By creating a paired upper dam, lower dam, and trench at a specific location in the non-display area, the bezel width is reduced to a certain level or less, while at the same time controlling the spread of the sealant and the orientation material to overlap the sealant and the orientation material. minimize. Additionally, the contact area between the sealant and the underlying substrate is expanded by the trench formed at the bottom of the seal-region. As a result, it is possible to provide a display device in which adhesion between the upper substrate and the lower substrate is improved.

Description

네로우 베젤 디스플레이 장치 {NARROW BEZEL DISPLAY DEVICE}Narrow bezel display device {NARROW BEZEL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 외곽에서 상부 기판과 하부 기판을 합착하는 씰런트(Sealant)가, 신호배선 영역 또는 게이트 드라이버 영역에 중첩 배치됨으로써 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display device, and more specifically, a sealant that joins the upper and lower substrates on the outside to reduce the bezel width by overlapping the signal wiring area or gate driver area. It concerns display devices.

액정 디스플레이 장치는 상부 기판, 하부 기판 및 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. 액정 디스플레이 장치에 인가되는 전계에 의해 배향이 제어되는 액정층을 통과하는 광에 의해 화상이 표시된다. 즉, 액정 디스플레이 장치는 액정층의 배향에 의해 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다. 상부 기판과 하부 기판 사이에 액정층이 구비될 수 있도록, 디스플레이 장치의 표시영역의 외곽 주변부에 해당하는 비표시영역(또는, 베젤(Bezel)영역)에 씰런트가 도포되어, 외곽부에서 상부 기판과 하부 기판을 합착한다. A liquid crystal display device includes an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the lower substrate. An image is displayed by light passing through a liquid crystal layer whose orientation is controlled by an electric field applied to the liquid crystal display device. In other words, a liquid crystal display device is a device that displays images by adjusting light transmittance by the orientation of the liquid crystal layer. A sealant is applied to the non-display area (or bezel area) corresponding to the outer periphery of the display area of the display device so that a liquid crystal layer can be provided between the upper substrate and the lower substrate, and the upper substrate is sealed from the outer portion. Cement the and lower substrates.

최근 디자인적인 측면에서, 베젤 폭이 줄어든 디스플레이 장치가 각광받고 있다. 이에, 업계에서는 디스플레이 장치에서 베젤 폭을 줄이기 위하여, 디스플레이 장치의 상부 기판과 하부 기판을 합착하기 위한 씰런트가 도포되는 영역, 즉, 씰-영역(Seal Region)의 면적을 줄이려는 노력을 계속하고 있다. 하지만, 씰-영역의 면적은, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력과 비례관계에 있으므로, 씰-영역의 면적을 줄이는 데에는 한계가 있다. 씰-영역은, 씰런트와의 접착력이 좋지 않은 물질로 이루어진 영역 또는 외력에 파손되기 쉬운 영역을 회피하여 설계되어야 하기 때문에, 씰-영역과 비표시영역의 회로 영역을 중첩함으로써 베젤을 축소시키는 것은 한계가 있다. Recently, from a design perspective, display devices with reduced bezel width have been in the spotlight. Accordingly, in order to reduce the bezel width in display devices, the industry continues to make efforts to reduce the area of the seal region, the area where sealant is applied to bond the upper and lower substrates of the display device. there is. However, since the area of the seal region is proportional to the adhesive force between the upper and lower substrates, there is a limit to reducing the area of the seal region. Since the seal-area must be designed to avoid areas made of materials with poor adhesion to the sealant or areas that are prone to damage by external forces, it is difficult to reduce the bezel by overlapping the circuit areas of the seal-area and the non-display area. There are limits.

또한, 씰런트는 상부 기판 또는 하부 기판에, 유동성이 있는 액체 상태에서 도포됨에 따라 퍼지거나 넘칠 수 있으므로, 씰-영역의 면적을 줄이는 데에는 한계가 있다.Additionally, since the sealant may spread or overflow as it is applied to the upper or lower substrate in a fluid liquid state, there is a limit to reducing the area of the seal-region.

또한, 씰런트가 광경화되는 물질로 이루어진 경우, 씰런트를 경화하기 위하여 하부 기판의 외부에서 씰-영역을 향하여 UV와 같은 고에너지의 광이 조사되어야 한다. 이 때, 씰런트가 회로 영역 중에서 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 부분에까지 도포되거나 퍼지게 되면, 광을 반사시키는 금속 배선에 의해 광이 씰런트까지 도달하지 못함으로써, 씰런트가 경화되지 않을 수 있다. Additionally, when the sealant is made of a photocurable material, high-energy light such as UV must be irradiated from the outside of the lower substrate toward the seal-area to cure the sealant. At this time, if the sealant is applied or spread to the part of the circuit area where metal wiring is arranged at a high density, the sealant may not harden because the light cannot reach the sealant due to the metal wiring that reflects light. .

게다가, 액정층의 배향을 위한 배향 물질 역시 상부 기판 또는 하부 기판에, 유동성이 있는 액체 상태에서 도포됨에 따라 퍼지거나 넘칠 수 있다. 도포된 배향 물질이 퍼져서 씰-영역까지 침범하는 경우, 씰런트와 배향 물질이 의도치 않게 중첩하게 된다. 씰런트와 배향 물질 간에는 접착력이 좋지 않기 때문에, 씰런트와 배향 물질이 중첩하는 면적이 넓어질수록, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력이 저하된다. 따라서, 도포된 배향 물질이 퍼져서 씰-영역까지 침범하지 않도록 하기 위해서는, 씰-영역과 배향 물질이 도포된 영역은 소정 간격(또는, 마진)이 필요하게 된다. 씰-영역과 배향 물질이 도포된 영역 사이의 소정 간격은, 베젤 폭이 증가하는 요인이 된다. In addition, the alignment material for aligning the liquid crystal layer may also spread or overflow as it is applied in a fluid liquid state to the upper or lower substrate. If the applied orientation material spreads and invades the seal area, the sealant and orientation material may overlap unintentionally. Since the adhesion between the sealant and the alignment material is poor, the larger the overlapping area between the sealant and the alignment material, the lower the adhesion between the upper substrate and the lower substrate. Therefore, in order to prevent the applied orientation material from spreading and invading the seal area, a predetermined gap (or margin) is required between the seal area and the area to which the orientation material is applied. The predetermined gap between the seal-area and the area where the orientation material is applied causes the bezel width to increase.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역과 회로 영역의 중첩에 의해, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력을 향상시킴과 동시에 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was designed to solve the above-mentioned conventional problems, and the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention improves the adhesion between the upper substrate and the lower substrate by overlapping the seal-region and the circuit region. The purpose is to provide a display device that can reduce the bezel width to a certain level or at the same time.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역과 회로 영역이 중첩된 부분에서 발생할 수 있는 회로 영역의 파손을 최소화할 수 있는 범퍼를 구성함으로써, 회로 영역의 파손에 따른 금속 배선의 전식 내지 부식의 발생이 저감되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention configures a bumper that can minimize damage to the circuit area that may occur in the area where the seal-area and the circuit area overlap, thereby preventing damage to the circuit area. The purpose is to provide a display device in which the occurrence of electrostatic or corrosion of metal wiring is reduced.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여, 씰런트와 배향 물질의 중첩이 최소화되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention reduces the bezel width to a certain level or less while simultaneously controlling the spread of the sealant and the spread of the orientation material, so that the overlap between the sealant and the orientation material is minimized. The purpose is to provide a device.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역의 하부 또는 씰-영역의 인근의 하부에 형성된 트렌치(trench)에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적이 넓어짐으로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention expands the contact area between the sealant and the lower substrate by a trench formed in the lower part of the seal-region or the lower part near the seal-region, thereby increasing the contact area between the sealant and the lower substrate. The purpose is to provide a display device in which adhesion between a substrate and a lower substrate is improved.

또한, 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰-영역과 특정 회로 영역의 회피 설계 및 별도의 독립된 공정 프로세스 또는 마스크의 추가 없이 상부 기판과 하부 기판의 합착 불량 및 씰런트 하부의 회로의 파손에 따른 메탈 전식/부식 발생을 저감시켜 수 있는 구조를 제공하여 설계적/공정적 자유도가 높은 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, in reducing the bezel width of the display device, avoiding design of the seal-area and specific circuit area and preventing defective adhesion of the upper and lower substrates and damage to the circuit under the sealant without adding a separate independent process or mask. The purpose is to provide a display device with a high degree of design/process freedom by providing a structure that can reduce the occurrence of metal corrosion/corrosion.

전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부 기판과 하부 기판을 포함하며, 상부 기판에는 복수의 상부 스페이서가 구비되고 하부 기판에는 복수의 하부 스페이서가 구비된다. 기판의 외곽부에는 복수의 외부신호배선이 배치된 게이트 링크부 및 게이트 드라이버가 구비된다. 상기 복수의 외부신호배선과 상기 게이트 드라이버는 복수의 브릿지 영역에 의해 전기적으로 연결된다. 베젤을 축소하기 위해 상기 게이트 링크부와 상기 게이트 드라이버가 배치된 영역의 일부와 중첩되도록 씰런트가 도포되는 씰-영역에 형성되어 상부 기판과 하부 기판이 합착된다. 복수의 브릿지 영역 각각에는 제1 금속층이 노출된 제1 컨택홀 및 제2 금속층이 노출된 제2 컨택홀 상부로, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층을 연결하는 브릿지 전극이 구비된다. 하부 기판에 형성된 복수의 하부 스페이서는 상기 상부 스페이서와 대응되는 위치에 배치된 하부 스페이서 및 상기 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치된 하부 스페이서를 포함한다.In order to achieve the above-described object, the present invention includes an upper substrate and a lower substrate arranged to face each other with liquid crystal interposed, the upper substrate is provided with a plurality of upper spacers, and the lower substrate is provided with a plurality of lower spacers. A gate link unit and a gate driver on which a plurality of external signal wires are arranged are provided on the outer part of the substrate. The plurality of external signal wires and the gate driver are electrically connected by a plurality of bridge regions. In order to reduce the bezel, a sealant is formed in the seal-area to overlap a portion of the area where the gate link portion and the gate driver are disposed, and the upper substrate and the lower substrate are bonded. Each of the plurality of bridge regions has a first contact hole where the first metal layer is exposed and an upper part of a second contact hole where the second metal layer is exposed, and the first metal layer and the second contact hole are connected through the first contact hole and the second contact hole. A bridge electrode connecting the two metal layers is provided. The plurality of lower spacers formed on the lower substrate include a lower spacer disposed at a position corresponding to the upper spacer and a lower spacer disposed to overlap at least one bridge region among the plurality of bridge regions.

또한, 비표시영역의 특정 위치에 쌍을 이루는 상부 댐 및 하부 댐과 트렌치를 조성하여, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여 씰런트와 배향 물질의 중첩을 최소화한다. 또한, 씰-영역의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적을 넓힌다. In addition, by creating a paired upper dam, lower dam, and trench at a specific location in the non-display area, the bezel width is reduced to a certain level or less, while at the same time controlling the spread of the sealant and the orientation material to control the spread of the sealant and the orientation material. Minimize overlap. Additionally, the contact area between the sealant and the underlying substrate is expanded by the trench formed at the bottom of the seal-region.

본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 액정층을 개재하여 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판과 제2 기판이 서로 합착되도록, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비표시영역에 배치되는 씰런트; 액정층의 액정의 초기 배향 방향을 결정하는 위치인, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서 서로 마주보며 배치되는 상부 배향막 및 하부 배향막; 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역; 제1 기판에서 제2 기판을 향해 솟은 하부 댐과 제2 기판에서 제 1기판을 향해 달린 상부 댐을 포함하는 오버랩방지영역; 및 씰런트가 흘러 들어갈 수 있도록, 복수의 트렌치를 포함하는 트렌치영역을 포함한다. 이 때, 오버랩방지영역과 트렌치영역은, 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 인접하여 배치되고 서로 중첩하는 것을 특징으로 한다. A display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area according to an embodiment of the present invention, comprising: a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween; a sealant disposed in a non-display area between the first and second substrates so that the first and second substrates are bonded to each other; an upper alignment film and a lower alignment film disposed facing each other in the display area between the first and second substrates, which are positions that determine the initial alignment direction of the liquid crystal of the liquid crystal layer; A gate link unit, gate driver, and touch wiring area arranged in a non-display area; an overlap prevention area including a lower dam rising from the first substrate toward the second substrate and an upper dam extending from the second substrate toward the first substrate; and a trench region including a plurality of trenches through which the sealant flows. At this time, the overlap prevention area and the trench area are disposed adjacent to the boundary of the touch wiring area and the gate driver and overlap each other.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 제1 기판; 디스플레이 장치의 외곽을 둘러 배치되는 UV 경화 썰런트; UV 경화 씰런트에 의해 둘러싸이는 배향막; 디스플레이 장치의 베젤 폭을 최소화도록, 비표시영역에서 UV 경화 씰런트와 배향막의 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 제1 구조물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area according to an embodiment of the present invention, comprising: a first substrate; UV curing slant placed around the outside of the display device; an alignment film surrounded by a UV cured sealant; It is characterized in that it includes a first structure disposed at a position to prevent overlap of the UV curing sealant and the alignment layer in the non-display area to minimize the bezel width of the display device.

본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역과 회로 영역의 중첩에 의해, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력을 향상시킴과 동시에 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a display device that can improve the adhesion between the upper substrate and the lower substrate and reduce the bezel width below a certain level by overlapping the seal-region and the circuit region.

또한, 본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역과 회로 영역이 중첩된 부분에서 발생할 수 있는 회로 영역의 파손을 최소화할 수 있는 범퍼를 구성함으로써, 회로 영역의 파손에 따른 금속 배선의 전식 내지 부식의 발생이 저감되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by constructing a bumper that can minimize damage to the circuit area that may occur in the area where the seal area and the circuit area overlap, electrolysis or corrosion of the metal wiring due to damage to the circuit area is prevented. It is possible to provide a display device in which the occurrence of is reduced.

또한, 본 발명의 실시예에 따라, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여, 씰런트와 배향 물질의 중첩이 최소화 되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a display device in which the overlap between the sealant and the alignment material is minimized by reducing the bezel width to a certain level or less and controlling the spread of the sealant and the alignment material at the same time. .

또한, 본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역의 하부 또는 씰-영역의 인근의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적이 넓어짐으로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the contact area between the sealant and the lower substrate is expanded by the trench formed in the lower part of the seal area or the lower part near the seal area, thereby improving the adhesion between the upper substrate and the lower substrate. A display device may be provided.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described in the problem to be solved, the means for solving the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 상부 스페이서 및 하부 스페이서를 설명하기 위한 개략적인 평면도와 단면도들이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 4b는 도4a에 도시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 영역에 대한 단면도이다.
도 4c는 도 4b에 대응하여, 다른 실시예를 표시한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 영역에 대한 단면도이다.
도 5는 는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 비표시영역을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 비표시영역을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7h는 도 5에 도시된 오버랩방지영역에 대응되는 평면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 오버랩방지영역 및 트렌치영역에 대응되는 평면도들이다.
1 is a schematic plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
3A to 3D are schematic plan views and cross-sectional views for explaining an upper spacer and a lower spacer of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4A is an enlarged plan view of a portion of a non-display area of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a cross-sectional view of the corresponding area along the line extending from A to A' shown in FIG. 4A.
FIG. 4C is a cross-sectional view of an enlarged portion of a non-display area of a display device according to an embodiment of the present invention, showing another embodiment, corresponding to FIG. 4B.
Figure 5 is a diagram schematically showing a non-display area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a diagram schematically showing a non-display area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figures 7a to 7h are plan views corresponding to the overlap prevention area shown in Figure 5.
Figures 8a to 8d are plan views corresponding to the overlap prevention area and trench area shown in Figure 5.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 다양한 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 다양한 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 다양한 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the various embodiments described in detail below in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the various embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present various embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and are within the scope of common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless used, non-consecutive cases may also be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 다양한 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 다양한 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, and various technical interconnections and operations are possible, and each of the various embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. It may be possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 표시영역에 대한 개략적인 단면도이다. FIG. 1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display area of a display panel according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 광을 출력하는 복수의 화소(P)들이 구비된 디스플레이 패널(100)을 포함한다. 복수의 화소(P)들이 구비된 부분은 표시영역(DA)으로, 표시영역(DA)의 외곽 주변은 비표시영역(NDA)으로 구획된다. 디스플레이 패널(100)이 액정 패널로 구현될 경우, 디스플레이 패널(100)은 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 서로 대향하여 소정의 간격으로 이격되어 있다. 이격된 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에, 표시영역(DA)에 대응하여 액정이 충진된 액정층(LC)이 구성된다. 이 때, 제1 기판(110)은 복수의 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: TFT)들이 형성된 TFT 어레이 기판일 수 있고, 제2 기판(115)은 복수의 화소(P)들에 대응하는 컬러필터층(CF)이 형성된 컬러필터 기판일 수 있다. 또는, 제2 기판(115)은 복수의 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: TFT)들이 형성된 TFT 어레이 기판일 수 있고, 제1 기판(110)은 복수의 화소(P)들에 대응하는 컬러필터층(CF)이 형성된 컬러필터 기판일 수 있다. 또는, 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 중 하나에 컬러필터층(CF)과 TFT 어레이가 함께 구성될 수도 있다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 중 적어도 하나에는 공통전극(140)과 화소전극(150)이 구비된다. 공통전극(140)과 화소전극(150)에 각각 인가되는 전압의 차이에 의하여 형성되는 수직 또는 수평 전계에 의해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 액정의 배향이 제어된다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device 10 includes a display panel 100 provided with a plurality of pixels P that output light. The area provided with the plurality of pixels (P) is divided into a display area (DA), and the outer periphery of the display area (DA) is divided into a non-display area (NDA). When the display panel 100 is implemented as a liquid crystal panel, the first substrate 110 and the second substrate 115 face each other and are spaced apart from each other at a predetermined distance. A liquid crystal layer LC filled with liquid crystal is formed between the spaced apart first substrate 110 and the second substrate 115, corresponding to the display area DA. At this time, the first substrate 110 may be a TFT array substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, and the second substrate 115 may be a color filter layer (color filter layer) corresponding to a plurality of pixels (P). CF) may be a color filter substrate formed. Alternatively, the second substrate 115 may be a TFT array substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, and the first substrate 110 may be a color filter layer (CF) corresponding to a plurality of pixels (P). ) may be a color filter substrate on which a color filter substrate is formed. Alternatively, the color filter layer CF and the TFT array may be formed together on one of the first substrate 110 and the second substrate 115. At least one of the first substrate 110 and the second substrate 115 is provided with a common electrode 140 and a pixel electrode 150. The orientation of the liquid crystal between the first substrate 110 and the second substrate 115 is controlled by a vertical or horizontal electric field formed by the difference in voltage applied to the common electrode 140 and the pixel electrode 150, respectively. .

또한, 디스플레이 장치(10)는 액정 패널의 광원으로서, 액정 패널의 하부에 배치되는 백라이트유닛(Backlight Unit)을 포함한다. 또한, 디스플레이 장치(10)는 액정 패널을 구동시키기 위한 각종의 구동 회로부를 포함한다. 구동 회로부는 PCB(printed circuit board)에 구현될 수 있다. 구동 회로부는, 액정 패널 외곽의 일 측면에 형성된 게이트 패드부(G_Pad) 및 데이터 패드부(D_Pad)와 연결된다. 구동 회로부는 액정 패널의 게이트 드라이버와 데이터 드라이버를 구동한다. Additionally, the display device 10 is a light source of the liquid crystal panel and includes a backlight unit disposed below the liquid crystal panel. Additionally, the display device 10 includes various driving circuits for driving the liquid crystal panel. The driving circuit part may be implemented on a printed circuit board (PCB). The driving circuit part is connected to the gate pad part (G_Pad) and the data pad part (D_Pad) formed on one side of the outer side of the liquid crystal panel. The driving circuit unit drives the gate driver and data driver of the liquid crystal panel.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 기판(110)은 표시영역(DA)과 그 주변의 비표시영역(NDA)로 구획된다. 표시영역(DA)에는 복수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 상호 교차하여 배치되며, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하여 정의된 각각의 화소(P) 영역마다 박막 트랜지스터(130)가 구비되어 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(100)에서는 N개의 게이트 라인(GL)과 M개의 데이터 라인(DL)이 교차하여 M*N개의 화소(P)가 구비될 수 있다. 디스플레이 패널(100)의 일부 실시예에서는 서로 인접한 화소(P) 간에 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)을 서로 공유하는 구조로 설계될 수도 있다. 따라서, 디스플레이 패널(100)에서는 M×N 보다 더 많은 개수의 화소(P)가 구비될 수도 있다. 각 화소(P) 영역에 구비된 박막 트랜지스터(130)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 접속되어, 게이트 라인(GL)에 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭되고, 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 데이터 신호를 화소전극(150)에 공급한다. 화소전극(150)은 박막 트랜지스터(130)에 접속되어 박막 트랜지스터(130)로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 전계를 형성하고, 형성된 전계에 의해 액정층(LC)의 액정 배향이 조절된다.Referring to Figures 1 and 2, the first substrate 110 is divided into a display area (DA) and a non-display area (NDA) surrounding it. In the display area (DA), a plurality of gate lines (GL) and data lines (DL) are arranged to intersect each other, and each pixel (P) area is defined by the intersection of the gate lines (GL) and data lines (DL). A thin film transistor 130 is provided. For example, in the display panel 100, M*N pixels (P) may be provided by crossing N gate lines (GL) and M data lines (DL). In some embodiments of the display panel 100, the display panel 100 may be designed in a structure in which adjacent pixels P share a gate line GL or a data line DL. Accordingly, the display panel 100 may be provided with more pixels (P) than M×N. The thin film transistor 130 provided in each pixel (P) area is connected to the gate line (GL) and the data line (DL), and switches according to the gate signal applied to the gate line (GL), and the data line (DL) The data signal applied from is supplied to the pixel electrode 150. The pixel electrode 150 is connected to the thin film transistor 130 to form an electric field according to the data signal supplied from the thin film transistor 130, and the liquid crystal orientation of the liquid crystal layer LC is adjusted by the formed electric field.

도 2에서는, 설명의 편의를 위하여 디스플레이 패널(100)의 표시영역(DA)에 배치된 세 개의 화소(P)를 도시하고 있다. 각 화소(P)에 형성된 박막 트랜지스터(130)는, 제1 기판(110) 상에 형성된 게이트 전극(131), 액티브층(132), 제1 전극(133) 및 제2 전극(134)을 포함한다. 보다 구체적으로, 제1 기판(110) 상에 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결된 게이트 전극(131)이 형성되고, 게이트 전극(131) 상에는 게이트 절연층(121)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(121) 상에 채널이 형성되는 액티브층(132)이 형성되고, 액티브층(132) 상에 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된 제1 전극(134) 및 화소전극(150)과 전기적으로 연결된 제2 전극(133)이 형성된다. 액티브층(132)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. FIG. 2 shows three pixels P arranged in the display area DA of the display panel 100 for convenience of explanation. The thin film transistor 130 formed in each pixel (P) includes a gate electrode 131, an active layer 132, a first electrode 133, and a second electrode 134 formed on the first substrate 110. do. More specifically, a gate electrode 131 electrically connected to the gate line GL is formed on the first substrate 110, and a gate insulating layer 121 is formed on the gate electrode 131. An active layer 132 in which a channel is formed is formed on the gate insulating layer 121, and a first electrode 134 and a pixel electrode 150 electrically connected to the data line DL are formed on the active layer 132. An electrically connected second electrode 133 is formed. The active layer 132 may be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, oxide semiconductor, etc.

제1 기판(110) 상의 박막 트랜지스터(130)를 덮도록 평탄화층(122)이 형성된다. 평탄화층(122)은 박막 트랜지스터(130) 상부에 평탄한 표면을 형성한다. 평탄화층(122)은 포토 아크릴(Photo-Acryl: PAC) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에, 별도의 패시베이션층(PAS)이 구성될 수 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에 구비되는 패시베이션층(PAS)은 실리콘 계열의 무기 절연 물질로 형성될 수 있다. A planarization layer 122 is formed to cover the thin film transistor 130 on the first substrate 110. The planarization layer 122 forms a flat surface on the thin film transistor 130. The planarization layer 122 may be formed of an organic insulating material such as photo-acryl (PAC). A separate passivation layer (PAS) may be formed between the thin film transistor 130 and the planarization layer 122. For example, the passivation layer (PAS) provided between the thin film transistor 130 and the planarization layer 122 may be formed of a silicon-based inorganic insulating material.

평탄화층(122) 상에 공통전극(140)이 형성된다. 공통전극(140)은 화소전극(150)과의 사이에서 전계를 형성함으로써 액정을 구동한다. 도 2에서는 화소전극(150)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결되는 부분을 도시하고 있기 때문에, 마치 공통전극(140)이 각 화소(P) 마다 분리된 것처럼 도시되어 있다. 그러나, 공통전극(140)은, 화소전극(150)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결되는 부분 이외의 부분에서, 각 화소(P)의 공통전극(140)은 별도의 컨택홀을 통해 공통전극 라인을 따라 서로 전기적으로 연결될 수 있다. A common electrode 140 is formed on the planarization layer 122. The common electrode 140 drives the liquid crystal by forming an electric field between it and the pixel electrode 150. Since FIG. 2 shows a portion where the pixel electrode 150 is electrically connected to the first electrode 133 of the thin film transistor 130 through a contact hole, it is as if the common electrode 140 is connected to each pixel (P). They are shown as if separated. However, the common electrode 140 is the common electrode of each pixel (P) in parts other than the part where the pixel electrode 150 is electrically connected to the first electrode 133 of the thin film transistor 130 through the contact hole. (140) may be electrically connected to each other along the common electrode line through a separate contact hole.

또한, 각 화소(P)마다 별도의 공통전극(140)을 구비할 수도 있지만, 서로 인접한 복수의 화소(P)가 하나의 공통전극 블록(block)을 공유할 수도 있다. 이로써, 화면의 일 프레임 기간을 시분할하여, 일 구간에서 공통전극 라인으로 터치 입력을 감지하기 위한 신호를 인가하는 방식으로 터치 감지가 되는, 디스플레이 패널(100)을 구현할 수 있다. 각 공통전극 블록으로부터 개별적인 공통전극 라인이 연장되어, 각 공통전극 라인은 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 공통전극 라인은 박막 트랜지스터(130) 상에서, 박막 트랜지스터(130)와 공통전극 블록 사이에 배치될 수 있다. 또는, 공통전극 라인은 박막 트랜지스터(130)의 아래에 배치될 수 있다. 또는, Additionally, each pixel P may be provided with a separate common electrode 140, but a plurality of pixels P adjacent to each other may share one common electrode block. As a result, the display panel 100 that detects touch can be implemented by time-dividing one frame period of the screen and applying a signal for detecting a touch input to a common electrode line in one section. An individual common electrode line extends from each common electrode block, and each common electrode line may be arranged so that at least a portion of the common electrode line overlaps the gate line GL or the data line DL. The common electrode line may be disposed on the thin film transistor 130, between the thin film transistor 130 and the common electrode block. Alternatively, the common electrode line may be disposed below the thin film transistor 130. or,

박막 트랜지스터(130)의 아래에 공통전극 라인이 배치되는 경우, 공통전극 라인과 박막 트랜지스터(130) 사이에는 박막 트랜지스터(130) 상에 형성되는 평탄화층(122)과는 다른, 고내열성 평탄화층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110) 상에 복수의 공통전극 라인이 형성되고, 공통전극 라인 상에 실리콘 계열의, 고내열성 평탄화층(Silicon on Glass: SOG)이 형성되고, 고내열성 평탄화층 상에 박막 트랜지스터(130)가 형성될 수 있다. When the common electrode line is disposed below the thin film transistor 130, a highly heat-resistant planarization layer, different from the planarization layer 122 formed on the thin film transistor 130, is formed between the common electrode line and the thin film transistor 130. It can be provided. For example, a plurality of common electrode lines are formed on the first substrate 110, a silicon-based, high heat-resistant planarization layer (Silicon on Glass (SOG)) is formed on the common electrode line, and a high heat-resistant planarization layer is formed on the high heat-resistant planarization layer. A thin film transistor 130 may be formed.

공통전극 라인은 후술할 터치배선에 의하여, 비표시영역(NDA)에서, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)의 경계를 따라 연장되어, 터치 드라이버와 연결될 수 있다.The common electrode line may extend from the non-display area (NDA) along the boundary between the display area (DA) and the non-display area (NDA) and be connected to the touch driver by the touch wiring, which will be described later.

공통전극(140)과 화소전극(150) 사이에는 두 전극을 절연시키기 위한 절연층(123)이 형성된다. 절연층(123)은 공통전극(140)을 보호함과 동시에 공통전극(140) 상부에 평탄한 표면을 형성한다. 절연층(123)은 평탄화층(122)과 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 패시베이션층(PAS)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 즉, 절연층(123)은 곧 평탄화층(122)이거나, 패시베이션층(PAS)일 수 있다. 또는, 절연층(123)은 패시베이션층 및 평탄화층(122)과는 상이한 절연 물질로 형성될 수도 있다.An insulating layer 123 is formed between the common electrode 140 and the pixel electrode 150 to insulate the two electrodes. The insulating layer 123 protects the common electrode 140 and forms a flat surface on top of the common electrode 140. The insulating layer 123 may be formed of the same material as the planarization layer 122 or may be formed of the same material as the passivation layer (PAS). That is, the insulating layer 123 may be a planarization layer 122 or a passivation layer (PAS). Alternatively, the insulating layer 123 may be formed of an insulating material different from the passivation layer and the planarization layer 122.

화소전극(150)은 평탄화층(122) 및 절연층(123)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결된다. 화소전극(150)과 공통전극(140)은 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)와 같은, 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 화소전극(150)에는 공통전극(140)과 수평 전계를 형성하도록 복수의 슬릿(Slit)이 형성될 수 있다. 그러나 이는 예시적일 뿐, 공통전극(140)과 화소전극(150)간의 구조 및 배치관계가 이에 한정되지는 않는다. 따라서, 일부 실시예에서는 공통전극(140)이 화소전극(150) 상부에 배치되거나 화소전극(150)과 공통전극(140)이 동일층에 배치될 수도 있다. 또한 일부 실시예에서는, 화소전극(150) 대신에 공통전극(140)이 복수의 슬릿(Slit)을 가지도록 형성될 수도 있다.The pixel electrode 150 is electrically connected to the first electrode 133 of the thin film transistor 130 through a contact hole formed in the planarization layer 122 and the insulating layer 123. The pixel electrode 150 and the common electrode 140 may be formed of a transparent conductive material, such as indium tin oxide (ITO), and the pixel electrode 150 and the common electrode 140 form a horizontal electric field. A plurality of slits may be formed to do so. However, this is only an example, and the structure and arrangement relationship between the common electrode 140 and the pixel electrode 150 are not limited to this. Accordingly, in some embodiments, the common electrode 140 may be disposed on top of the pixel electrode 150, or the pixel electrode 150 and the common electrode 140 may be disposed on the same layer. Additionally, in some embodiments, the common electrode 140 may be formed to have a plurality of slits instead of the pixel electrode 150.

도 2를 참조하면, 제1 기판(110)에 대향하여 배치된 제2 기판(115)은 디스플레이 패널(100)의 컬러필터 기판이다. 제2 기판(115)는 복수의 화소(P)에 차광 영역과 개구 영역을 각각 구획하는 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터층(CF)이 구비된다. 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 영역은 차광 영역으로 정의되고, 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 영역은 개구 영역으로 정의된다. 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에는 박막 트랜지스터(130), 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 등과 같은 다양한 구동 소자 및 배선이 형성된다. 개구 영역에는 화소전극(150)과 공통전극(140)이 형성된다. 도 2에서는 디스플레이 패널(100)의 게이트 라인(GL)을 따라 절단된 단면을 도시하고 있기 때문에 블랙 매트릭스(BM)가 연속적으로 연장되어 있다. 즉, 도 2에서는 차광 영역에서의 단면도를 도시하고 있다. 하지만 개구 영역에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성되어 있지 않다. 블랙 매트릭스(BM)는 서로 인접한 두 화소(P) 사이에 배치됨에 따라, 하부의 데이터 라인(DL), 박막 트랜지스터(130) 과 같은, 외광을 반사할 수 있는 구조물을 가리도록 배치되어 있다. Referring to FIG. 2, the second substrate 115 disposed opposite the first substrate 110 is a color filter substrate of the display panel 100. The second substrate 115 is provided with a black matrix (BM) and a color filter layer (CF) that partition light-shielding areas and opening areas into the plurality of pixels (P), respectively. The area where the black matrix (BM) is formed is defined as a light blocking area, and the area where the black matrix (BM) is not formed is defined as an opening area. Various driving elements and wiring, such as a thin film transistor 130, a data line (DL), and a gate line (GL), are formed in the light blocking area by the black matrix (BM). A pixel electrode 150 and a common electrode 140 are formed in the opening area. Since FIG. 2 shows a cross section cut along the gate line GL of the display panel 100, the black matrix BM is continuously extended. That is, Figure 2 shows a cross-sectional view in the light-shielding area. However, the black matrix (BM) is not formed in the opening area. As the black matrix BM is disposed between two adjacent pixels P, it is arranged to block structures that may reflect external light, such as the lower data line DL and the thin film transistor 130.

제2 기판(115)에는 디스플레이 패널(100)의 각 화소(P)에 대응하여 복수의 컬러필터(CF1, CF2, CF3)가 형성된다. 즉, 컬러필터층(CF)은 컬러필터(CF1, CF2, CF3)를 포함한다. 구체적으로, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 각각의 개구 영역에 대응하도록 컬러필터(CF1, CF2, CF3)가 형성된다. 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 각각의 일부 영역은 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 블랙 매트릭스(BM)가, 컬러필터층(CF)보다, 제2 기판(115)에 더 가깝게 배치되어 있다. 하지만, 일부 다른 실시예에서는 인접한 화소(P) 간에 빛이 새어나가는 것을 저감하기 위해, 컬러필터층(CF)이, 블랙 매트릭스(BM)보다, 제2 기판(115)에 더 가깝게 배치되고, 블랙 매트릭스(BM)가 제1 기판(110)의 표면에 배치될 수도 있다. A plurality of color filters CF1, CF2, and CF3 are formed on the second substrate 115 to correspond to each pixel P of the display panel 100. That is, the color filter layer CF includes color filters CF1, CF2, and CF3. Specifically, color filters CF1, CF2, and CF3 are formed to correspond to the opening areas of each of the red pixel (R), green pixel (G), and blue pixel (B). Some areas of each color filter (CF1, CF2, CF3) may overlap with the black matrix (BM). In the embodiment shown in FIG. 2, the black matrix BM is disposed closer to the second substrate 115 than the color filter layer CF. However, in some other embodiments, in order to reduce light leakage between adjacent pixels P, the color filter layer CF is disposed closer to the second substrate 115 than the black matrix BM, and the black matrix (BM) may be disposed on the surface of the first substrate 110.

블랙 매트릭스(BM) 및 컬러필터층(CF)을 덮도록, 제2 기판(115)에 오버 코팅층(OC)이 형성된다. 오버 코팅층(OC)은 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터층(CF)을 덮어, 제2 기판(115)에 평탄한 표면을 제공하기 위한 층이다. 또한, 오버 코팅층(OC)는 컬러필터층(CF)의 각종 안료에 의한 액정 오염을 방지한다. 예를 들어, 오버 코팅층(OC)은 아크릴 계열의 레진이나 에폭시 계열의 레진으로 구성될 수 있다. 또는, 오버 코팅층(OC)은 평탄화층(122)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. An over coating layer (OC) is formed on the second substrate 115 to cover the black matrix (BM) and the color filter layer (CF). The overcoating layer (OC) is a layer to provide a flat surface to the second substrate 115 by covering the black matrix (BM) and the color filter layer (CF). Additionally, the overcoating layer (OC) prevents contamination of the liquid crystal by various pigments of the color filter layer (CF). For example, the overcoating layer (OC) may be composed of acrylic resin or epoxy resin. Alternatively, the overcoating layer OC may be made of the same material as the planarization layer 122.

제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에는 패드부(PAD), 데이터 링크부(D_Link), 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)가 구비된다. 패드부(PAD)는 데이터 패드부(D_Pad) 및 게이트 패드부(G_Pad)를 포함한다. 게이트 패드부(G_Pad)는 데이터 패드부(D_Pad)의 일측에 형성되어 외부의 구동 회로부에 접속된다. 데이터 패드부(D_Pad)는 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)의 일측에 형성되어 외부 구동 회로부에 접속될 수 있다. 또한 데이터 패드부(D_Pad)에는 집적 회로(Integrated Circuit; IC) 구조의 데이터 드라이버가 칩-온-글래스(Chip-On-Glass; COG) 방식으로 제1 기판(110)에 직접 접속될 수도 있다. The non-display area (NDA) of the first substrate 110 is provided with a pad portion (PAD), a data link portion (D_Link), a gate link portion (G_Link), and a gate driver (GIP). The pad portion (PAD) includes a data pad portion (D_Pad) and a gate pad portion (G_Pad). The gate pad portion (G_Pad) is formed on one side of the data pad portion (D_Pad) and is connected to an external driving circuit portion. The data pad portion D_Pad may be formed on one side of the non-display area NDA of the first substrate 110 and connected to an external driving circuit. Additionally, a data driver with an integrated circuit (IC) structure may be directly connected to the first substrate 110 in the data pad portion (D_Pad) using a chip-on-glass (COG) method.

패드부(PAD)에는 전술한 데이터 패드부(D_Pad)와 게이트 패드부(G_Pad) 이외에도 디스플레이 패널(100)의 화소(P)를 구동하거나 그 이외의 여러 가지 추가 기능들을 구현하는데 필요한 신호의 입출력을 위한 패드들이 구비될 수 있다. 예를 들어, 패드부(PAD)에는, 구동 회로부의 공통 전압 생성부에 접속되는 공통 전압 패드가 구성될 수 있다. 또는 패드부(PAD)에는, 디스플레이 패널의 터치인식 기능을 수행하기 위한 터치 드라이버와 접속되는 터치센서 패드가 구성될 수 있다. 각 패드부(PAD)의 위치는 비표시영역(NDA)의 일 측에 한정되지 않고 비표시영역(NDA)의 상측, 하측, 좌측, 우측 중 적어도 하나 이상의 측에 구성될 수 있다. In addition to the data pad part (D_Pad) and gate pad part (G_Pad) described above, the pad part (PAD) includes input and output of signals necessary to drive the pixel (P) of the display panel 100 or implement various other additional functions. Pads may be provided for. For example, the pad portion (PAD) may include a common voltage pad connected to the common voltage generator of the driving circuit portion. Alternatively, the pad portion (PAD) may be configured with a touch sensor pad connected to a touch driver for performing the touch recognition function of the display panel. The location of each pad portion (PAD) is not limited to one side of the non-display area (NDA), but may be located on at least one side of the top, bottom, left, and right side of the non-display area (NDA).

데이터 링크부(D_Link)에는 표시영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)과 데이터 패드부(D_Pad) 사이에 배치되어, 서로를 전기적으로 접속시키는 데이터 링크 배선(D_LL)이 구성될 수 있다. 게이트 링크부(G_Link)에는 게이트 드라이버(GIP)를 구동하기 위한 각종의 외부신호가 공급되는 외부신호배선이 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 스타트 신호배선(VST), 복수의 클럭 신호배선(CLK1-4), 리셋 신호배선(RESET), 전압배선(VSS, VDD, VDD1) 등이 게이트 링크부(G_Link)에 구성될 수 있다. 게이트 패드부(G_Pad)에 전기적으로 접속된 게이트 링크부(G_Link)의 각 외부신호배선은 연결배선(CL)을 통해 게이트 드라이버에 접속된다.The data link unit (D_Link) may include a data link wire (D_LL) that is disposed between the data line (DL) and the data pad unit (D_Pad) disposed in the display area (DA) and electrically connect them to each other. The gate link unit (G_Link) may be configured with an external signal wire through which various external signals are supplied to drive the gate driver (GIP). For example, as shown in FIG. 1, a gate start signal line (VST), a plurality of clock signal lines (CLK1-4), a reset signal line (RESET), and voltage lines (VSS, VDD, VDD1) are connected to the gate. It can be configured in the link unit (G_Link). Each external signal wire of the gate link unit (G_Link) electrically connected to the gate pad unit (G_Pad) is connected to the gate driver through the connection wire (CL).

게이트 드라이버는, 표시영역(DA)의 박막 트랜지스터(130)를 형성하는 과정 중에, 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 형성된, 박막 트랜지스터(130)에 의해 구성될 수 있다. 주그 디스플레이 패널의 일 기판에 배치된 게이트 드라이버는 게이트-인 패널(Gate-In-Panel; GIP) 방식으로 구성될 수 있다. 게이트 드라이버는 게이트 신호를 생성하여 표시영역(DA)에 배치된 게이트 라인(GL)에 순차적으로 공급한다. 이를 위해, 게이트 드라이버는 게이트 라인(GL) 각각에 접속된 복수의 스테이지(ST)를 포함한다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 각 외부신호배선은 연결배선(CL)을 통해 게이트 드라이버(GIP)의 각 스테이지(ST)과 선택적으로 접속된다. The gate driver may be formed by the thin film transistor 130 formed in the non-display area NDA of the first substrate 110 during the process of forming the thin film transistor 130 in the display area DA. The gate driver disposed on one substrate of the JUG display panel may be configured in a gate-in-panel (GIP) method. The gate driver generates a gate signal and sequentially supplies it to the gate lines (GL) arranged in the display area (DA). To this end, the gate driver includes a plurality of stages ST connected to each gate line GL. Accordingly, each external signal wire of the gate link unit (G_Link) is selectively connected to each stage (ST) of the gate driver (GIP) through the connection wire (CL).

복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 배선(VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 응답하여, 복수의 클럭 신호 배선(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) 중 어느 하나로부터 공급되는 클럭 신호를 게이트 신호로서 인가받는다. 그리고 복수의 스테이지(ST) 각각은 인가 받은 게이트 신호를 게이트 라인(GL)에 공급한다. 이러한 복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 라인(VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 따라 순차적으로 동작함으로써 게이트 신호를 첫번째 게이트 라인(GL)에서부터 마지막 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급하거나 마지막 게이트 라인(GL)에서부터 첫 번째 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급한다.Each of the plurality of stages (ST) responds to the gate start signal wire (VST) or the gate start signal supplied from the previous stage, and clocks supplied from one of the plurality of clock signal wires (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4). The signal is applied as a gate signal. And each of the plurality of stages (ST) supplies the received gate signal to the gate line (GL). Each of these multiple stages (ST) operates sequentially according to the gate start signal line (VST) or the gate start signal supplied from the previous stage, thereby sequentially transmitting the gate signal from the first gate line (GL) to the last gate line (GL). or supplied sequentially from the last gate line (GL) to the first gate line (GL).

제1 기판(100)의 가장자리 또는 제2 기판(115)의 가장자리에, 비표시영역(NDA)을 따라, 씰런트가 도포된다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115)는 표시영역(DA)에서 액정층(LC)을 사이에 두고 서로 대향 합착된다. 씰런트가 도포된 씰-영역과 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)은, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 블랙 매트릭스(BM)이나 디스플레이 장치의 하우징(housing)에 의해 가려지게 된다. 이 때, 블랙 매트릭스(BM)나 하우징에 의해 가려지는 비표시영역(NDA)을 베젤(bezel)이라 부르기도 한다. 베젤의 폭을 감소시키기 위해, 씰런트가 도포되는 씰-영역은 비표시영역(NDA)에서의 회로 영역과 중첩될 수 있다. 즉, 씰-영역은 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되거나, 연장배선(CL)이 배치된 영역과 중첩되거나 또는 게이트 드라이버가 형성된 영역과도 중첩될 수 있다.A sealant is applied to the edge of the first substrate 100 or the edge of the second substrate 115 along the non-display area NDA. The first substrate 110 and the second substrate 115 are bonded opposite each other in the display area DA with the liquid crystal layer LC interposed therebetween. Since the seal-area where the sealant is applied and the non-display area (NDA) of the first substrate 110 are not areas where images are displayed, they are obscured by the black matrix (BM) or the housing of the display device. do. At this time, the non-display area (NDA) obscured by the black matrix (BM) or housing is also called a bezel. To reduce the width of the bezel, the seal-area where the sealant is applied may overlap the circuit area in the non-display area (NDA). That is, the seal-area may overlap with a portion of the gate link portion (G_Link), may overlap with an area where the extension wiring (CL) is disposed, or may also overlap with an area where the gate driver is formed.

씰-영역에 구비된 씰런트에 의해 합착된 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에는 스페이서가 구비된다. 스페이서는 제1 기판(110)의 일 면에 구성되거나, 제2 기판(115)의 일 면에 구성될 수 있다. 디스플레이 패널이 외력을 받게 되면 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 정렬이 서로 어긋나게 된다. 이 때, 스페이서가 제1 기판(110)의 일 면에 구성된 경우, 스페이서는 제2 기판(115)의 일 면에 구비된 배향막을 손상시킬 수 있다. 이에 따라, 의도하지 않은 액정 배향의 틀어짐이 발생하게 되고, 액정 배향의 틀어짐에 의한 빛샘이 발생하게 된다. 새어 나오는 빛은, 사용자에게 디스플레이 패널이 블랙 화상을 표시할 때, 스페이서의 위치에 대응하여 붉은(reddish) 색, 녹(greenish) 색 또는 푸른(bluish) 색의 빛으로 인식된다. 즉, 블랙 화상에서의 빛샘 불량은 스페이서에 의한 배향막 손상에서 기인한다. 전술한 스페이서에 의한, 배향막의 손상 따른 빛샘 불량을 저감하기 위해, 스페이서를 가리는 블랙 매트릭스(BM)의 면적을 보다 확대하여 설계할 수도 있다. 그러나, 디스플레이 패널에서의 고해상도 및 고개구율을 고려하면, 블랙 매트릭스(BM)의 면적을 확대하는 방식을 빛샘 불량을 해결하는 것은 지양되어야 한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 제1 기판의 일 면에 스페이서가 구성되고, 그에 대응하여 마주보도록, 제2 기판의 일 면에 스페이서가 구성된다. In order to maintain a constant gap between the first substrate 110 and the second substrate 115 bonded by the sealant provided in the seal area, there is a gap between the first substrate 110 and the second substrate 115. A spacer is provided. The spacer may be formed on one side of the first substrate 110 or on one side of the second substrate 115. When the display panel receives an external force, the alignment of the first substrate 110 and the second substrate 115 becomes misaligned. At this time, if the spacer is formed on one side of the first substrate 110, the spacer may damage the alignment film provided on one side of the second substrate 115. Accordingly, unintended distortion of the liquid crystal orientation occurs, and light leakage occurs due to the distortion of the liquid crystal orientation. The leaking light is recognized as reddish, greenish, or bluish light depending on the position of the spacer when the display panel displays a black image to the user. In other words, light leakage defects in black images result from damage to the alignment film caused by the spacer. In order to reduce light leakage defects due to damage to the alignment layer due to the above-mentioned spacer, the area of the black matrix BM that covers the spacer may be designed to be larger. However, considering the high resolution and high aperture ratio of the display panel, solving light leakage defects by expanding the area of the black matrix (BM) should be avoided. Accordingly, in the display panel 100 according to an embodiment of the present invention, a spacer is formed on one side of the first substrate, and a spacer is formed on one side of the second substrate to face the spacer correspondingly.

도 2를 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서, 제2 기판(115)의 오버 코팅층(OC) 상에 복수의 상부 스페이서(U_SP)가 배치된다. 상부 스페이서(U_SP)는 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 차광 영역에 배치된다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서, 제1 기판(110)의 평탄화층(122) 및 절연층(123) 상에 복수의 하부 스페이서(L_SP)가 배치된다. 하부 스페이서(L_SP)는 상부 스페이서(U_SP)와 서로 대향하여 마주보도록, 배치된다. Referring to FIG. 2 , a plurality of upper spacers U_SP are disposed between the first substrate 110 and the second substrate 115 on the overcoating layer OC of the second substrate 115 . The upper spacer (U_SP) is disposed in the light blocking area where the black matrix (BM) is disposed. Between the first substrate 110 and the second substrate 115, a plurality of lower spacers L_SP are disposed on the planarization layer 122 and the insulating layer 123 of the first substrate 110. The lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP) are disposed to face each other.

제1 기판(110) 및 제2 기판(115)에 각각에 구비된 복수의 스페이서(U_SP, L_SP) 중 일부의 높이는 다른 스페이서(U_SP, L_SP)의 높이에 비해 더 길거나 짧을 수 있다. 즉, 복수의 상부 스페이서(U_SP)는 각각의 길이가 균일하지 않을 수 있다. 또한, 복수의 하부 스페이서(L_SP)는 각각의 길이가 균일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상부 스페이서(U_SP) 중 일부는 나머지에 비해 더 긴 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP) 간의 거리(또는, 간격)도 역시 균일하지 않을 수 있다. The height of some of the plurality of spacers (U_SP, L_SP) provided on each of the first substrate 110 and the second substrate 115 may be longer or shorter than the height of the other spacers (U_SP, L_SP). That is, the length of each of the plurality of upper spacers (U_SP) may not be uniform. Additionally, the lengths of the plurality of lower spacers L_SP may not be uniform. For example, some of the upper spacers (U_SP) may be formed to have a longer height than the others. Additionally, the distance (or spacing) between the upper spacer (U_SP) and the corresponding lower spacer (L_SP) may also not be uniform.

나머지에 비해 더 긴 높이를 가지는 일부 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP)에 의하여, 디스플레이 패널(100)의 셀 갭(cell gap)이 고정된다. 예를 들어, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 셀 갭을 유지하기 위한, 하부 스페이서(L_SP) 및 그에 대응하는 상부 스페이서(U_SP) 각각의 높이의 합은, 셀 갭과 동일할 수 있다. 이로써, 하부 스페이서(L_SP)의 상면과, 그에 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 하면이 서로 접촉할 수 있다. The cell gap of the display panel 100 is fixed by some upper spacers (U_SP) and corresponding lower spacers (L_SP) that have a longer height than the rest. For example, for maintaining the cell gap between the first substrate 110 and the second substrate 115, the sum of the heights of the lower spacer (L_SP) and the corresponding upper spacer (U_SP) is the cell gap and may be the same. As a result, the upper surface of the lower spacer (L_SP) and the lower surface of the corresponding upper spacer (U_SP) can contact each other.

짧은 높이를 가지는 나머지 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP)에 의하여, 디스플레이 패널(100)에 외압이 가해질 경우에 디스플레이 패널(100)의 셀 갭이 순간적으로 감소되더라도, 셀 갭이 특정 수치 이하로 줄어드는 현상이 방지된다.Due to the remaining upper spacer (U_SP) and the corresponding lower spacer (L_SP) having a short height, even if the cell gap of the display panel 100 is momentarily reduced when external pressure is applied to the display panel 100, the cell gap remains. Reduction below a certain value is prevented.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)에 구비되는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 설명하기 위한 개략적인 단면도와 평면도들이다. 도 3a 내지 도3d에서는 설명의 편의를 위해 전술한 디스플레이 패널(100)의 구성요소들 중, 제1 기판(110) 상에 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에서, 평탄화층(122), 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀(Contact Hole), 화소전극(150), 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)만을 도시하였다. FIGS. 3A to 3D are schematic cross-sectional views and plan views for explaining the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) provided in the display panel 100 according to various embodiments of the present invention. 3A to 3D , for convenience of explanation, planarization is performed in the area where the gate line GL and the data line DL intersect on the first substrate 110 among the components of the display panel 100 described above. Only the contact hole formed in the layer 122 and the planarization layer 122, the pixel electrode 150, the upper spacer (U_SP), and the lower spacer (L_SP) are shown.

도 3a를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 바(Bar) 형태로 구현된다. 바 형태의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)는 게이트 라인(GL)과 중첩되며 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되도록 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응하는 위치에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 데이터 라인(DL)과 중첩되며 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 형성된다. 도 3a에서 상부 스페이서(U_SP)는 서로 인접한 두 화소(P) 영역의 컨택홀을 넘어서지 않는(또는, 지나치지 않는) 범위에서 게이트 라인(GL)을 따라 연장되어 형성된다. 하지만, 상부 스페이서(U_SP)는 이에 한정되지 않고, 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소의 컨택홀을 넘어서도록(또는, 지나치도록) 연장되어 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) are implemented in the form of a bar. The bar-shaped upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) may be formed in a light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL). The upper spacer (U_SP) overlaps the gate line (GL) and is formed to extend in the same direction as the extension direction of the gate line (GL). The lower spacer (L_SP) disposed at a position corresponding to the upper spacer (U_SP) overlaps the data line (DL) on the first substrate 110 and extends in the same direction as the extension direction of the data line (DL). In FIG. 3A , the upper spacer U_SP is formed to extend along the gate line GL within a range that does not exceed (or does not pass) the contact holes of two adjacent pixel P areas. However, the upper spacer U_SP is not limited to this, and may be formed to extend beyond (or past) the contact holes of the plurality of pixels along the gate line GL.

도 3b를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 대응하여 형성된다. 도 3b의 실시예에서 상부 스페이서(U_SP)는 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 데이터 라인(DL)과 중첩하여 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응하는 위치에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩하여 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)가, 디스플레이 패널(100)에 가해진 외부 압력에 의해 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 미소하게 엇갈리는 경우, 상부 스페이서(U_SP)의 위치가 변동됨에 따라 상부 스페이서(U_SP)가 컨택홀 상에 위치하게 될 수 있다. 이 때, 디스플레이 패널(100)에 가해지던 외부 압력이 없어진 후에도 상부 스페이서(U_SP)가 본래 위치로 회복되지 않을 수 있다. 따라서, 상부 스페이서(U_SP)가 컨택홀(Contact Hole)에 끼이지 않도록, 상부 스페이서(U_SP)의 가로의 길이 또는 세로의 길이를 길게 형성한다. 이로써, 컨택홀에 상부 스페이서(U_SP)가 끼이지 않는다. 즉, 상부 스페이서(U_SP)의 가로의 길이가 컨택홀의 가로의 길이보다 길거나, 상부 스페이서(U_SP)의 세로의 길이가 컨택홀의 세로의 길이보다 길도록, 상부 스페이서(U_SP)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3B, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) are formed to correspond to the light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL). In the embodiment of FIG. 3B, the upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extension direction of the data line (DL) and overlaps the data line (DL). The lower spacer (L_SP) disposed at a position corresponding to the upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extending direction of the gate line (GL) on the first substrate 110 and overlaps the gate line (GL). When the first substrate 110 and the second substrate 115 of the upper spacer (U_SP) are slightly offset due to external pressure applied to the display panel 100, the position of the upper spacer (U_SP) changes and the upper spacer (U_SP) (U_SP) may be located on the contact hole. At this time, the upper spacer (U_SP) may not be restored to its original position even after the external pressure applied to the display panel 100 disappears. Therefore, to prevent the upper spacer (U_SP) from getting caught in the contact hole, the horizontal or vertical length of the upper spacer (U_SP) is formed to be long. As a result, the upper spacer (U_SP) is not caught in the contact hole. That is, the upper spacer (U_SP) may be formed so that the horizontal length of the upper spacer (U_SP) is longer than the horizontal length of the contact hole, or the vertical length of the upper spacer (U_SP) is longer than the vertical length of the contact hole.

다른 방법으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 복수의 컨택홀(Contact Hole)을 덮는 구조로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라, 게이트 라인(GL) 상에 라인 형상으로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL) 상에 라인 형상으로 형성될 경우, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 액정 양을 최적화하기 어려울 수 있다. 따라서, 하부 스페이서(L_SP)는 하부 스페이서(L_SP)와 인접한 소정의 개수만큼의 컨택홀 만을 덮도록, 형성될 수 있다. 즉, 하부 스페이서(L_SP)는 라인 형상이 아닐 수 있다. 예를 들어, 하부 스페이서(L_SP)는 하부 스페이서(L_SP)와 인접한 두 개의 컨택홀 만을 덮는 길이로 형성될 수 있다. Alternatively, as shown in FIG. 3B, the lower spacer (L_SP) may be formed in a structure that extends in the same direction as the extension direction of the gate line (GL) and covers a plurality of contact holes. The lower spacer L_SP may be formed in a line shape along the gate line GL and on the gate line GL. When the lower spacer L_SP is formed in a line shape on the gate line GL, it may be difficult to optimize the amount of liquid crystal between the first substrate 110 and the second substrate 115. Accordingly, the lower spacer (L_SP) may be formed to cover only a predetermined number of contact holes adjacent to the lower spacer (L_SP). That is, the lower spacer (L_SP) may not have a line shape. For example, the lower spacer (L_SP) may be formed to have a length that covers only the two contact holes adjacent to the lower spacer (L_SP).

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는, 도 3a 내지 도 3b에서 도시된 바 형태와는 다르게, 원형으로 형성될 수 있다. 도 3c를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)는 콘(Cone) 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 콘 형태의 뾰족한 부분은 제2 기판(115)으로부터 제1 기판(110)을 향한다. 상부 스페이서(U_SP)에 대향하는 하부 스페이서(L_SP)는, 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩되어 형성된다. 이 때, 하부 스페이서(L_SP)의 지름은, 하부 스페이서(L_SP)와 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 지름보다 더 길 수 있다. 즉, 하부 스페이서의 원 넓이가, 하부 스페이서(_SP)와 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 원 넓이보다 더 넓을 수 있다. 추가로, 도 3b의 실시예와 같이 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소들의 컨택홀을 덮거나, 혹은 하부 스페이서(L_SP)에 인접한 두 개의 컨택홀 만을 덮을 수 있다. The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed in a circular shape, different from the bar shape shown in FIGS. 3A and 3B. Referring to FIG. 3C, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) are formed in a light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL). The upper spacer (U_SP) may be formed in a cone shape. At this time, the cone-shaped pointed portion faces from the second substrate 115 to the first substrate 110. The lower spacer (L_SP) opposing the upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extending direction of the gate line (GL) on the first substrate 110 and overlaps the gate line (GL). At this time, the diameter of the lower spacer (L_SP) may be longer than the diameter of the upper spacer (U_SP) corresponding to the lower spacer (L_SP). That is, the circle area of the lower spacer may be wider than the circle area of the upper spacer (U_SP) corresponding to the lower spacer (_SP). Additionally, as in the embodiment of FIG. 3B, the lower spacer (L_SP) may cover the contact holes of a plurality of pixels along the gate line (GL), or may cover only two contact holes adjacent to the lower spacer (L_SP).

도 3d는 복수의 스페이서 중 다른 스페이서에 비해 더 짧은 높이로 형성된 스페이서(이하에서, Push 스페이서라 한다)의 일 예를 도시한 단면도이다. Push 스페이서는 디스플레이 패널에 외력이 가해졌을 때, 셀 갭이 순간적으로 미소하게 줄어들더라도, 일정 수준 이하로 줄어들지는 않도록 하는 역할을 한다. 도 3d에서는 Push 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 도시하고 있다. 한편, 도 3a 내지 도3c에서는 기판에 구비된 복수의 스페이서 중 다른 스페이서에 비해 더 긴 높이로 형성된 스페이서(이하에서, Gap 스페이서)의 일 예를 도시하고 있다. Gap 스페이서는 디스플레이 패널의 셀 갭을 고정하는 역할을 한다. 도 3a 내지 도3c에서는 Gap 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 도시하고 있다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리가, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리보다 더 멀다. 예를 들어, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리는 0(zero)일 수 있다. Push 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 Gap 스페이서의 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)와 마찬가지로, 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다. FIG. 3D is a cross-sectional view showing an example of a spacer (hereinafter referred to as a push spacer) formed with a shorter height than other spacers among a plurality of spacers. The push spacer serves to prevent the cell gap from shrinking below a certain level even if the cell gap is momentarily slightly reduced when an external force is applied to the display panel. Figure 3d shows the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) serving as push spacers. Meanwhile, FIGS. 3A to 3C show an example of a spacer (hereinafter referred to as a gap spacer) formed to have a longer height than other spacers among a plurality of spacers provided on the substrate. Gap spacers serve to fix the cell gap of the display panel. 3A to 3C show an upper spacer (U_SP) and a lower spacer (L_SP) that serve as gap spacers. The distance between the upper spacer (U_SP), which acts as a push spacer, and the lower spacer (L_SP), is farther than the distance between the upper spacer (U_SP), which acts as a gap spacer, and the lower spacer (L_SP). For example, the distance between the upper spacer (U_SP), which acts as a gap spacer, and the lower spacer (L_SP) may be 0 (zero). The upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), which act as push spacers, are black matrix (BM) arranged along the gate line (GL), as are the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), which act as gap spacers. ) is formed in the light-shielding area.

도 3d에서 Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL) 축으로 서로 인접한 화소의 컨택홀(Contact Hole) 사이에 배치된다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)에 비해, 각각 더 작은 면적을 가지도록 형성되어 있다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 둘 중 하나는 게이트 라인(GL) 축으로 연장되고 나머지 다른 하나는 데이터 라인(DL) 축으로 연장되어 구성될 수 있다. 또한, Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는, 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 연장되어 두 개 이상의 컨택홀을 덮는 형태로 구성될 수 있다.In FIG. 3D, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP), which serve as push spacers, are disposed between contact holes of pixels adjacent to each other along the gate line (GL) axis. The upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), which serve as push spacers, are each formed to have a smaller area than the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), which serve as gap spacers. The upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), which act as push spacers, extend to the gate line (GL) axis and the other extends to the data line (DL) axis. It can be extended and configured. In addition, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP), which serve as push spacers, may be configured in such a way that the lower spacer (L_SP) extends along the gate line (GL) and covers two or more contact holes.

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 동일한 물질로 형성되거나 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)와 상부 스페이서(U_SP)를 동일한 물질로 형성할 경우, 하부 스페이서(L_SP)와 상부 스페이서(U_SP) 간에 마찰계수, 탄성 및 외압 전후의 복원력이 동일하게 되어 디스플레이 패널(100)의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)를 설계함에 있어서 쉽게 최적의 높이, 넓이 및 배치관계를 설정할 수 있다. 다만, 제1 기판(110)의 생산라인에도 제2 기판(115)의 생산라인에 구성된 상부 스페이서(U_SP)를 생산하는 장비가 같이 구비되거나 아니면 제1 기판(110)을 여러 생산라인으로 옮겨 다니면서 제작해야 하는 번거로움이 있을 수 있다. The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed of the same material or may be formed of different materials. When the lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP) are formed of the same material, the friction coefficient, elasticity, and restoring force before and after external pressure become the same between the lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP), so that the display panel 100 When designing the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), the optimal height, width, and arrangement relationship can be easily set. However, the production line for the first substrate 110 is also equipped with equipment for producing the upper spacer (U_SP) configured in the production line for the second substrate 115, or the first substrate 110 is moved to various production lines. There may be some hassle in producing it.

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다. 스페이서의 높이 및 형상을 조절하는 측면에서는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)를 유기 물질로 형성하는 것이 비교적 더 쉬울 수 있다. 예를 들어, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 포토 아크릴 (Photo Acryl: PAC) 또는 폴리이미드 (Polyimide: PI) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)와, 제2 기판(115) 상의 배향막 사이의 이격 거리를 확보하기 위해, 하부 스페이서(L_SP)의 높이는 4000Å 또는 그 이상일 수 있다.The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed of an organic material or an inorganic material. In terms of controlling the height and shape of the spacer, it may be relatively easier to form the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) from an organic material. For example, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed of an organic material such as photo acryl (PAC) or polyimide (PI). In order to secure the separation distance between the upper spacer (U_SP) and the alignment layer on the second substrate 115, the height of the lower spacer (L_SP) may be 4000Å or more.

전술한 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)의 구조와 및 배치 관계에 따라, 디스플레이 패널(100)에 외력이 가해지더라도 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)가 배향막에 접촉하지 않게 된다. 이로써, 배향막의 손상에 의한 액정 틀어짐에 따른, 빛샘 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 블랙 매트릭스(BM)의 폭을 넓히지 않고도, 빛샘 불량을 방지할 수 있게 됨에 따라, 고개구율 및 고해상도를 가진 디스플레이 패널(100)을 구현할 수 있다.According to the structure and arrangement relationship of the above-described upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP), even if an external force is applied to the display panel 100, the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) do not contact the alignment film. . As a result, it is possible to prevent light leakage defects caused by distortion of the liquid crystal due to damage to the alignment film. Accordingly, as it is possible to prevent light leakage defects without increasing the width of the black matrix (BM), the display panel 100 with a high aperture ratio and high resolution can be implemented.

도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4a는 제1 기판(110)상에서 비표시영역(NDA)에 포함된 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 "A" 지점부터 "A'" 지점까지 연장된 라인을 따른 디스플레이 패널(200)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 4A to 4B are diagrams schematically showing the non-display area (NDA) of the display panel 200 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4A is an enlarged plan view showing a portion of the gate link portion (G_Link) and gate driver (GIP) included in the non-display area (NDA) on the first substrate 110. FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing the non-display area (NDA) of the display panel 200 along a line extending from point “A” to point “A’” shown in FIG. 4A.

도 4a를 참조하면, 제1 기판(110)의 외각 측으로 복수의 외부신호배선이 형성된 게이트 링크부(G_Link)가 형성되어 있고, 게이트 링크부(G_Link)를 기준으로, 표시영역(DA) 측으로 게이트 드라이버(GIP)가 위치한다. 본 발명의 다양한 실시예에서와 같이, 게이트 드라이버(GIP)가 제1 기판(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터(130)로 구현된 경우, 제1 기판(110) 상에는 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)이 형성됨과 동시에 상기 게이트 링크부(G_Link)에 형성된 외부신호배선에서 인가되는 외부신호를 게이트 드라이버(GIP)로 전달하기 위한 연결배선(CL)이 형성된다. 연결배선(CL)은 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 사이에 위치하거나, 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)에 걸쳐 형성되어 있을 수 있다. Referring to FIG. 4A, a gate link portion (G_Link) on which a plurality of external signal wires are formed is formed on the outer side of the first substrate 110, and with the gate link portion (G_Link) as a reference, a gate is formed toward the display area (DA). The driver (GIP) is located. As in various embodiments of the present invention, when the gate driver (GIP) is implemented with the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110, the gate link portion (G_Link) and the gate At the same time as the driver (GIP) is formed, a connection wire (CL) is formed to transmit an external signal applied from the external signal wire formed in the gate link unit (G_Link) to the gate driver (GIP). The connection wire (CL) may be located between the gate link part (G_Link) and the gate driver (GIP), or may be formed across the gate link part (G_Link) and the gate driver (GIP).

도 4a에 도시된 바와 같이, 연결배선(CL)은 복수의 외부신호배선을 가로질러 게이트 드라이버(GIP) 측으로 연장된다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 외부신호배선과 연결배선(CL)은 서로 다른 전도층에 의해 구성되고, 외부신호배선이 형성되는 전도층과 연결배선(CL)이 형성되는 전도층 간에는 절연층이 개재될 수 있다. 이로써, 연결배선(CL)이 선택적인 외부신호배선과 연결되고 그 이외에 다른 외부신호배선을 가로질러 게이트 드라이버(GIP) 측으로 연장될 수 있다. 서로 상이한 두 전도층 간에 전기적인 연결을 위해 디스플레이 패널(100)에는 복수의 브릿지 영역(BRA)이 구비된다.As shown in FIG. 4A, the connection wire (CL) extends toward the gate driver (GIP) across a plurality of external signal wires. Therefore, the external signal wiring and the connection wiring (CL) of the gate link unit (G_Link) are composed of different conductive layers, and an insulating layer is formed between the conductive layer on which the external signal wiring is formed and the conductive layer on which the connection wiring (CL) is formed. This may be involved. As a result, the connection wire (CL) can be connected to an optional external signal wire and extend across other external signal wires to the gate driver (GIP) side. For electrical connection between two different conductive layers, the display panel 100 is provided with a plurality of bridge areas (BRA).

도 4b에서는 설명의 편의를 위해 전술한 여러 외부신호배선 중 하나의 연결구조를 예시적으로 도시하였다. 도 4b를 참조하면, 외부신호배선은 제1 금속층(M1)으로 형성되고 연결배선(CL)은 제2 금속층(M2)으로 형성되며, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있다. In Figure 4b, for convenience of explanation, the connection structure of one of the various external signal wires described above is shown as an example. Referring to FIG. 4b, the external signal wire is formed of a first metal layer (M1), the connection wire (CL) is formed of a second metal layer (M2), and one or more insulating layers are formed between the external signal wire and the connection wire (CL). This is included.

예를 들어, 외부신호배선은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성될 수 있다. 그리고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)일 수 있다.For example, the external signal wiring may be formed of a metal layer (Gate Metal) that forms the gate electrode 131 of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110. Additionally, the connection wiring CL may be formed of a metal layer (S/D Metal) that forms the source/drain electrodes 133 and 134 of the thin film transistor 130. At this time, the first metal layer (M1) may be a metal layer (Gate Metal) that forms the gate electrode 131 of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110, and the second metal layer (M2) may be It may be a metal layer (S/D Metal) that forms the source/drain electrodes 133 and 134 of the thin film transistor 130.

또는, 외부신호배선은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성될 수 있다. 그리고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 게이트 절연층(121)이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)일 수 있다. Alternatively, the external signal wiring may be formed of a metal layer (S/D Metal) that forms the source/drain electrodes 133 and 134 of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110. Additionally, the connection wire CL may be formed of a metal layer (Gate Metal) that forms the gate electrode 131 of the thin film transistor 130. In this case, a gate insulating layer 121 may be interposed between the external signal wire and the connection wire (CL). At this time, the first metal layer (M1) may be a metal layer (S/D Metal) that forms the source/drain electrodes 133 and 134 of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110. 2 The metal layer (M2) may be a metal layer (Gate Metal) that forms the gate electrode 131 of the thin film transistor 130.

또는, 외부신호배선은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층으로 형성될 수 있다. 그리고, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층일 수 있다. Alternatively, the external signal line may be formed of the same conductive layer as the gate line (GL), and the connection line (CL) may be formed of the same conductive layer as the data line (DL). Additionally, one or more insulating layers may be interposed between the external signal wire and the connection wire (CL). At this time, the first metal layer M1 may be the same conductive layer as the gate line GL, and the second metal layer M2 may be the same conductive layer as the data line DL.

또는, 외부신호배선은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층으로 형성될 수도 있다. 그리고, 외부신호배선과 연결배선 사이에는 표시영역(DA)에서 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 사이에 개재된 절연층과 동일한 절연층이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층일 수 있다.Alternatively, the external signal line may be formed of the same conductive layer as the data line DL, and the connection line CL may be formed of the same conductive layer as the gate line GL. Additionally, an insulating layer similar to the insulating layer interposed between the gate line GL and the data line DL in the display area DA may be interposed between the external signal wire and the connection wire. At this time, the first metal layer M1 may be the same conductive layer as the data line DL, and the second metal layer M2 may be the same conductive layer as the gate line GL.

외부신호배선과 연결배선(CL) 상부에도 적어도 하나 이상의 절연층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 외부신호배선과 연결배선(CL) 상부에는 절연층으로서의, 패시베이션층(PAS) 및 평탄화층(122)이 형성되어 있을 수 있다. 서로 다른 전도층으로 형성된 외부신호배선 및 연결배선(CL)을 전기적으로 연결시키기 위해서, 외부신호배선 및 연결배선(CL) 상부의 절연층에는 외부신호배선 및 연결배선(CL) 각각의 컨택 영역을 노출시키는 컨택홀이 형성된다. 외부신호배선의 컨택 영역 및 연결배선(CL)의 컨택 영역 상에는, 외부신호배선의 컨택 영역 및 연결배선(CL)의 컨택 영역에 동시에 접하는 브릿지 전극(BRL)이 형성된다. 브릿지 전극(BRL)은 외부신호배선과 연결배선(CL)을 전기적으로 연결한다. At least one insulating layer may also be provided on the external signal wire and the connection wire (CL). For example, as shown in FIG. 4B, a passivation layer (PAS) and a planarization layer 122 as an insulating layer may be formed on the external signal wiring and the connection wiring CL. In order to electrically connect the external signal wires and connection wires (CL) formed of different conductive layers, a contact area for each of the external signal wires and connection wires (CL) is installed on the insulating layer on top of the external signal wires and connection wires (CL). An exposed contact hole is formed. On the contact area of the external signal wire and the contact area of the connection wire CL, a bridge electrode BRL is formed that simultaneously contacts the contact area of the external signal wire and the contact area of the connection wire CL. The bridge electrode (BRL) electrically connects the external signal wire and the connection wire (CL).

제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)의 컨택 영역을 노출하는 컨택홀 상에, 브릿지 전극(BRL)이 연장되어 각 전도층의 컨택 영역에 동시에 접함으로써 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)을 전기적으로 연결하는 영역은 브릿지 영역(BRA)으로 지칭된다.On the contact hole exposing the contact area of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2), the bridge electrode (BRL) extends and simultaneously contacts the contact area of each conductive layer, thereby connecting the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2). The area that electrically connects the two metal layers (M2) is referred to as the bridge area (BRA).

마찬가지로 게이트 드라이버(GIP)의 각 스테이지(ST)에 신호 입력단도 연결배선(CL)과 다른 전도층으로 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 도시된 것과 같이, 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)은 외부신호배선을 형성하는 전도층과 같은 전도층으로 형성될 수 있다. 이 경우, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)을 덮고 있는 절연층에는, 연결배선(CL)의 게이트 드라이버(GIP)측 일부를 노출시키는 컨택홀과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)의 일부를 노출시키는 컨택홀이 형성된다. 게이트 드라이버(GIP) 측에 위치한 연결배선(CL)의 컨택 영역과, 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)의 컨택 영역도 연결배선(CL)과 외부신호배선을 연결하는 브릿지 영역(BRA)과 동일한 구조로 서로 연결된다. 이로써 외부신호배선으로부터 인가된 외부신호가 게이트 드라이버(GIP)로 전달된다. 즉, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 덮는 절연층의 컨택홀을 통해, 절연층의 하부에 위치한 외부신호배선을 형성하는 제1 금속층(M1) 및 연결배선(CL)을 형성하는 제2 금속층(M2)에 접촉하는 복수의 브릿지 전극(BRL) 패턴이 게이트 링크부(G_Link)에 형성된다. Likewise, the signal input terminal of each stage (ST) of the gate driver (GIP) may be formed of a conductive layer different from the connection wire (CL). For example, as shown in FIG. 4B, the signal input terminal (S_In) of the gate driver (GIP) may be formed of a conductive layer such as the conductive layer that forms the external signal wiring. In this case, the insulating layer covering the connection wiring (CL) and the signal input terminal (S_In) of the gate driver (GIP) includes a contact hole that exposes a part of the gate driver (GIP) side of the connection wiring (CL) and the gate driver (GIP). ) A contact hole is formed exposing part of the signal input terminal (S_In). The contact area of the connection wire (CL) located on the gate driver (GIP) side and the contact area of the signal input terminal (S_In) of the gate driver (GIP) are also a bridge area (BRA) that connects the connection wire (CL) and the external signal wire. are connected to each other with the same structure. As a result, the external signal applied from the external signal wiring is transmitted to the gate driver (GIP). That is, through the contact hole of the insulating layer covering the external signal wiring and the connecting wiring (CL), the first metal layer (M1) forming the external signal wiring located below the insulating layer and the second metal layer (M1) forming the connecting wiring (CL). A plurality of bridge electrode (BRL) patterns contacting the metal layer (M2) are formed in the gate link portion (G_Link).

또한, 도 1에서 도시되었던, 구동 회로부로부터 인가되는 신호를 데이터 드라이버로 전달하거나 데이터 패드부(D_Pad)에 COG 방식으로 구비된 데이터 드라이버에서 출력된 데이터 신호를 디스플레이 영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)으로 전달하기 위한 데이터 링크배선(D_LL)도, 외부신호배선과 게이트 드라이버(GIP) 사이에 형성된 연결배선(CL)과 같이, 각각의 대응되는 컨택홀 상부에 형성된 브릿지 전극(BRL)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 게이트링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 주변에 복수의 브릿지 영역(BRA)이 구비될 수 있을 뿐만 아니라, 게이트링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버 영역주변 영역 이외의, 비표시영역(NDA)에도 복수의 브릿지 영역(BRA)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시되었던 패드부(PAD)에도 브릿지 영역(BRA)이 적용될 수 있다.In addition, the signal applied from the driving circuit shown in FIG. 1 is transmitted to the data driver, or the data signal output from the data driver provided in the data pad portion D_Pad in the COG method is transmitted to the data line disposed in the display area DA. The data link wire (D_LL) for transmission to (DL), like the connection wire (CL) formed between the external signal wire and the gate driver (GIP), connects the bridge electrode (BRL) formed on the top of each corresponding contact hole. can be electrically connected through Therefore, not only can a plurality of bridge areas (BRA) be provided around the gate link part (G_Link) and the gate driver (GIP), but also a non-display area ( Multiple bridge areas (BRA) may also be formed in NDA). For example, the bridge area (BRA) may also be applied to the pad area (PAD) shown in FIG. 1.

전술한 바와 같이, 더 좁은 베젤 폭을 구현함과 동시에 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(115)의 접착력을 보강하기 위해서, 씰-영역(Seal)은 비표시영역(NDA)에 형성된 게이트 링크부(G_Link) 혹은 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)와 중첩될 수 있다. 그리고, 씰런트가 일부 브릿지 영역(BRA)을 덮도록, 브릿지 영역(BRA) 상에 도포될 수 있다. 하지만 브릿지 영역(BRA)에 형성된 브릿지 전극(BRL)은 씰런트와의 접착력이 좋지 않은 물질로 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)로 형성된 브릿지 전극(BRL)은 씰런트와 접착력이 좋지 않을 뿐만 아니라 경화된 씰런트를 통해 전달되는 외력에 의해 쉽게 크랙이 발생할 수 있다. 다시 말해, 씰런트가 게이트 드라이버(GIP)의 일부까지 연장되어 구비되더라도, 씰런트와 브릿지 전극(BRL) 사이의 접착력 약화로 인해 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량이 발생할 수 있다. 또한, 씰런트와 중첩되어 있는 브릿지 전극(BRL)에 크랙이 발생할 경우, 크랙을 통해 이물질이 침투하여 브릿지 전극(BRL) 하부의 금속 배선들의 전식/부식을 유발하게 된다.As described above, in order to implement a narrower bezel width and at the same time reinforce the adhesive force between the first substrate 110 and the second substrate 115, the seal area (Seal) is formed in the non-display area (NDA). It may overlap with the gate link unit (G_Link) or the gate link unit (G_Link) and gate driver (GIP). Additionally, the sealant may be applied on the bridge area BRA to partially cover the bridge area BRA. However, the bridge electrode (BRL) formed in the bridge area (BRA) may be made of a material that has poor adhesion to the sealant. For example, a bridge electrode (BRL) made of indium tin oxide (ITO) not only has poor adhesion to the sealant, but also can easily crack due to external force transmitted through the cured sealant. In other words, even if the sealant extends to a part of the gate driver (GIP), defective adhesion of the first substrate 110 and the second substrate 115 occurs due to weakening of the adhesive force between the sealant and the bridge electrode (BRL). It can happen. Additionally, when a crack occurs in the bridge electrode (BRL) overlapping with the sealant, foreign substances penetrate through the crack and cause corrosion/corrosion of the metal wires under the bridge electrode (BRL).

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)에서, 제1 기판(110)에 형성되는 복수의 하부 스페이서(L_SP) 중 일부는 제1 기판(110)의 브릿지 영역(BRA)과 대응되는 위치에 형성된 하부 스페이서(L_SP)를 포함한다. 다시 말해, 제1 기판(110)에 구비되는 하부 스페이서(L_SP) 중 일부는 비표시영역(NDA)에 위치한 브릿지 전극(BRL)을 덮도록 형성된다. 브릿지 영역(BRA) 상에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는, 도 4a 및 도 4b에서 도시된 바와 같이, 하나의 개별적인 하부 스페이서(L_SP)가 하나의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 구비될 수 있다. 도 4b에서는, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 전기적으로 접속시키는 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)가, 브릿지 전극(BRL)이 컨택 영역에 접하기 위해 형성된 컨택홀을 채우도록 형성된다. 마찬가지로, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)도, 브릿지 전극(BRL)이 컨택 영역에 접하기 위해 형성된 컨택홀을 채우도록 형성된다. Accordingly, in the display panel 200 according to an embodiment of the present invention, some of the plurality of lower spacers (L_SP) formed on the first substrate 110 correspond to the bridge area (BRA) of the first substrate 110. It includes a lower spacer (L_SP) formed in position. In other words, some of the lower spacers L_SP provided on the first substrate 110 are formed to cover the bridge electrode BRL located in the non-display area NDA. The lower spacer (L_SP) disposed on the bridge area (BRA) may be provided so that one individual lower spacer (L_SP) covers one bridge area (BRA), as shown in FIGS. 4A and 4B. . In FIG. 4B, the lower spacer (L_SP) covering the bridge electrode (BRL) that electrically connects the external signal wire and the connection wire (CL) fills the contact hole formed for the bridge electrode (BRL) to contact the contact area. is formed Likewise, the lower spacer (L_SP) covering the bridge electrode (BRL), which electrically connects the connection wire (CL) and the signal input terminal (S_In) of the gate driver (GIP), is also used to allow the bridge electrode (BRL) to contact the contact area. It is formed to fill the formed contact hole.

비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)는, 표시영역(DA)에 배치되고 상부 스페이서(U_SP)와 대응되도록 배치된 하부 스페이서(L_SP)와 동일한 물질로 같은 공정에서 형성된다. 따라서, 비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 동일한 높이로 형성될 수 있다. 다만, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에서는 각각, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에 형성되는 구조물들이 서로 다를 수 있기 때문에, 비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 필요에 따라서 서로 다른 높이로 형성될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 비표시영역(NDA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)도 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 셀-갭에 영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)를 표시영역(DA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 낮은 높이로 형성할 수 있다. 또 다른 예로, 브릿지 영역(BRA)의 보호 측면에서는 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)의 높이를 표시영역(DA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 높은 높이로 형성하는 것이 더 바람직할 수도 있다. 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)의 높이를 서로 다르게 하기 위해서, Half-Tone 마스크를 이용할 수 있다. The lower spacer (L_SP) disposed in the non-display area (NDA) and covering the bridge area (BRA) is made of the same material as the lower spacer (L_SP) disposed in the display area (DA) and disposed to correspond to the upper spacer (U_SP). Formed in the same process. Accordingly, the lower spacer L_SP disposed in the non-display area NDA and covering the bridge area BRA and the lower spacer L_SP disposed in the display area DA may be formed at the same height. However, since the structures formed between the first substrate 110 and the second substrate 115 may be different in the display area DA and the non-display area NDA, respectively, they are disposed in the non-display area NDA. The lower spacer L_SP covering the bridge area BRA and the lower spacer L_SP disposed in the display area DA may be formed at different heights as needed. For example, the lower spacer (L_SP) formed in the non-display area (NDA) to cover the bridge area (BRA) may also affect the cell gap between the first substrate 110 and the second substrate 115. there is. Accordingly, the lower spacer L_SP covering the bridge area BRA can be formed at a lower height than the lower spacer L_SP formed in the display area DA. As another example, in terms of protecting the bridge area (BRA), the height of the lower spacer (L_SP) covering the bridge area (BRA) is formed to be higher than the lower spacer (L_SP) formed in the display area (DA). It may be more desirable. A Half-Tone mask can be used to make the heights of the lower spacer (L_SP) covering the bridge area (BRA) and the lower spacer (L_SP) disposed in the display area (DA) different from each other.

도 4b에서는 브릿지 영역(BRA)의 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)가, 씰런트에 의해 덮인 것으로 도시되어 있다. 하지만 전술하였듯이, 씰-영역(Seal)은 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되고, 나머지 일부의 게이트 링크부(G_Link)는 씰-영역(Seal)과 중첩되지 않을 수 있다. 또한, 씰-영역(Seal)이 게이트 링크부(G_Link) 전(全) 영역과 중첩되더라도, 게이트 드라이버(GIP)에 구비된 일부 브릿지 영역(BRA)은 씰-영역(Seal)에서 벗어난 곳에 위치해 있을 수 있다. 즉, 씰-영역(Seal)과 중첩되어 있지 않은 곳에도 브릿지 영역(BRA)이 구비되어 있을 수 있으며, 씰-영역(Seal)과 중첩되지 않은 브릿지 영역(BRA) 상에도 하부 스페이서(L_SP)가 구비되어 있을 수 있다.In FIG. 4B, the lower spacer L_SP covering the bridge electrode BRL in the bridge area BRA is shown as being covered with a sealant. However, as described above, the seal area (Seal) may overlap with part of the gate link part (G_Link), and the remaining part of the gate link part (G_Link) may not overlap with the seal area (Seal). In addition, even if the seal area (Seal) overlaps the entire gate link part (G_Link), some bridge areas (BRA) provided in the gate driver (GIP) may be located outside of the seal area (Seal). You can. In other words, the bridge area (BRA) may be provided even in a place that does not overlap with the seal area, and the lower spacer (L_SP) may also be provided on the bridge area (BRA) that does not overlap with the seal area. It may be available.

도 4b에 도시된 바와 같이 씰런트 하부에 위치한 각 브릿지 영역(BRA)에 하부 스페이서(L_SP)를 국부적으로 형성할 경우, 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차로 인하여, 씰-영역(Seal) 주변으로 얼룩이 발생될 수 있다. 씰-영역(Seal)에서 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차를 감소시키기 위해, 하나의 하부 스페이서(L_SP)가 복수의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 배치될 수 있다.As shown in FIG. 4b, when the lower spacer (L_SP) is formed locally in each bridge area (BRA) located below the sealant, due to the step caused by the lower spacer (L_SP), the spacer is formed around the seal area (Seal). Stains may occur. In order to reduce the step caused by the lower spacer (L_SP) in the seal area (Seal), one lower spacer (L_SP) may be arranged to cover the plurality of bridge areas (BRA).

도 4c는 본 발명에 실시예에 따라, 복수의 브릿지 영역(BRA) 상에 연장되어 배치된 하부 스페이서(L_SP)가 구비된 디스플레이 패널(300)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4c를 참조하면, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 접속시키는 브릿지 영역(BRA)과, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호 입력단(S_In)을 접속시키는 브릿지 영역(BRA)이 하나의 하부 스페이서(L_SP)에 의해 덮혀 있다. 이와 같이, 하나의 하부 스페이서(L_SP)를 복수의 브릿지 영역(BRA)에 대응하도록 형성함에 따라, 씰런트 하부에 배치된 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차를 감소시킬 수 있다. FIG. 4C is a cross-sectional view schematically showing the display panel 300 provided with lower spacers (L_SP) extended and disposed on a plurality of bridge areas (BRA) according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 4c, a bridge area (BRA) connects the external signal wire and the connection wire (CL), and a bridge area (BRA) connects the connection wire (CL) and the signal input terminal (S_In) of the gate driver (GIP). This is covered by one lower spacer (L_SP). In this way, by forming one lower spacer (L_SP) to correspond to the plurality of bridge areas (BRA), the step caused by the lower spacer (L_SP) disposed below the sealant can be reduced.

비표시영역(NDA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 연결배선(CL)의 양쪽 끝단에 위치한 두 브릿지 영역(BRA)뿐만 아니라 주변에 다른 브릿지 영역(BRA)까지도 더 연장되어 두 개 이상의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)를 형성하는 물질과 씰런트 사이에 접착성을 고려하여, 비표시영역(NDA)의 하부 스페이서(L_SP)는 단일 패턴으로 게이트 링크부(G_Link)의 일부 또는 전면을 덮거나 게이트 드라이버(GIP)의 일부 또는 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 스페이서(L_SP)가 포토 아크릴(Photo acryl, PAC) 또는 폴리이미드(Polyimide, PI)와 같은 물질로 형성되고, 브릿지 전극(BRL)이 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)로 형성된 경우, 하부 스페이서(L_SP)가, 브릿지 전극(BRL) 대비 씰런트와의 접착력이 더 우수하다. 따라서, 각각의 브릿지 영역(BRA)을 1:1로 국부적으로 덮는 하부 스페이서(L_SP)보다 씰-영역(Seal)에 면적에 비례하여 일정한 면적을 가진 단일 패턴의 하부 스페이서(L_SP)를 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)에 걸쳐 배치하는 것이, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착과 브릿지 영역(BRA)의 보호에 더 유리할 수 있다.The lower spacer (L_SP) placed in the non-display area (NDA) extends not only to the two bridge areas (BRA) located at both ends of the connection wire (CL), but also to other bridge areas (BRA) around it, creating two or more bridge areas. It can be formed to cover (BRA). Considering the adhesion between the material forming the lower spacer (L_SP) and the sealant, the lower spacer (L_SP) in the non-display area (NDA) covers part or the entire surface of the gate link part (G_Link) in a single pattern, or covers the gate link part (G_Link). It may be formed to cover part or the entire driver (GIP). For example, the lower spacer (L_SP) is made of a material such as photo acryl (PAC) or polyimide (PI), and the bridge electrode (BRL) is made of indium tin oxide (ITO). When formed, the lower spacer (L_SP) has better adhesion to the sealant than the bridge electrode (BRL). Therefore, rather than the lower spacer (L_SP) that locally covers each bridge area (BRA) 1:1, a lower spacer (L_SP) of a single pattern with a constant area in proportion to the area of the seal area (Seal) is used in the gate link unit. Arranging it across the (G_Link) and the gate driver (GIP) may be more advantageous for bonding the first substrate 110 and the second substrate 115 and protecting the bridge area (BRA).

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(400)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다.Figure 5 is a diagram schematically showing the non-display area (NDA) of the display panel 400 according to an embodiment of the present invention.

전술한 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 전술한 설명과 동일한 설명이 적용되므로, 별도의 설명을 반복하지 않고, 전술한 설명에 추가가 필요한 부분에 한하여 설명을 더한다.Since the same description as the above description applies to the same components as the above-described components, separate descriptions will not be repeated, and only the parts that need to be added to the above-described description will be added.

도 5는 제1 기판(110) 상에 게이트 절연층(121), 게이트 절연층(121) 상에 제1 금속층(M1), 제1 금속층(M1) 상에 중간층(Interlayer)(120), 중간층(120) 상에 제2 금속층(M2) 및 제2 금속층(M2)을 덮는 제1 패시베이션층(PAS1), 제1 패시베이션층(PAS1) 상에 평탄화층(122), 평탄화층(122)에 배치된 트렌치(T) 및 컨택홀, 평탄화층(122) 상에 배치되면서 컨택홀에 의해 제2 금속층(M2)에 연결되는 제3 금속층(M3) 및 제3 금속층(M3)을 덮는 제2 패시베이션층(PAS2)을 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널(400)의 외곽에, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)을 합착하기 위한 씰런트가 배치된다. 씰런트는 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC)과, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 사이에 배치된다. 씰런트와 중첩하지 않도록, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 상부 배향막(U_AL)이 배치된다. 또한, 씰런트와 중첩하지 않도록, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 하부 배향막(L_AL)이 배치된다. 블랙 매트릭스(BM)는 비표시영역(NDA)에 배치된 각종의 금속 배선을 가리도록, 비표시영역(NDA) 일부 또는 전체에 배치된다.5 shows a gate insulating layer 121 on the first substrate 110, a first metal layer (M1) on the gate insulating layer 121, an interlayer (Interlayer) 120 on the first metal layer (M1), and an interlayer. A second metal layer (M2) on (120), a first passivation layer (PAS1) covering the second metal layer (M2), a planarization layer 122 on the first passivation layer (PAS1), disposed on the planarization layer 122. A third metal layer (M3) disposed on the trench (T), contact hole, and planarization layer (122) and connected to the second metal layer (M2) by a contact hole, and a second passivation layer covering the third metal layer (M3) (PAS2) may be included. Additionally, a sealant for bonding the first substrate 110 and the second substrate 115 is disposed on the outside of the display panel 400. The sealant is disposed between the overcoating layer OC disposed on the lower portion of the second substrate 115 and the second passivation layer PAS2 disposed on the upper portion of the first substrate 110 . The upper alignment layer (U_AL) is disposed under the overcoating layer (OC) disposed on the lower portion of the second substrate 115 so as not to overlap the sealant. Additionally, the lower alignment layer L_AL is disposed on the second passivation layer PAS2 disposed on the upper part of the first substrate 110 so as not to overlap the sealant. The black matrix BM is disposed in part or the entire non-display area NDA to cover various metal wires disposed in the non-display area NDA.

씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 배치되고, 하부 댐(L_DM)은, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 배치된다. 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 평탄화층(122)에 형성된 트렌치(T)가 구성된다. The upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are disposed at a point where the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) may overlap. The upper dam (U_DM) is disposed under the overcoating layer (OC) disposed on the lower portion of the second substrate 115, and the lower dam (L_DM) is disposed on the upper portion of the first substrate 110. It is placed on PAS2). A trench T formed in the planarization layer 122 is formed at a point where the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) may overlap.

비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 끝에서부터 디스플레이 패널(400)의 외곽 방향으로, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 포함하는 터치배선영역(RVcomA), 게이트 드라이버(GIP), 게이트 링크부(G_Link)가 순차로 배치된다. 즉, 비표시영역(NDA)에 포함되는 터치배선영역(RVcomA), 게이트 드라이버(GIP), 게이트 링크부(G_Link) 중, 터치배선영역(RVcomA)이 가장 표시영역(DA)에 가까이 배치된다. In the non-display area (NDA), a touch wiring area (RVcomA) including a plurality of touch wires (RVcom_1, RVcom_2) densely arranged from the end of the display area (DA) toward the outside of the display panel 400, and a gate driver. (GIP) and gate link unit (G_Link) are arranged sequentially. That is, among the touch wiring area (RVcomA), gate driver (GIP), and gate link part (G_Link) included in the non-display area (NDA), the touch wiring area (RVcomA) is placed closest to the display area (DA).

터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮춤으로써 터치 감지 성능을 향상시킬 수 있다. 그런데 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮추기 위해 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 폭을 넓히는 경우, 베젤 폭이 증가한다는 단점이 있다. 베젤 폭을 넓히지 않으면서 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2)과 아래층의 터치배선(RVcom_1)을 평탄화층(122)의 컨택홀을 통해 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제2 금속층(M2)에 의해 복수의 제1 터치배선(RVcom_1)이 형성된다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제1 터치배선(RVcom_1) 위에 평탄화층(122)이 배치되고, 평탄화층(122) 위에 제1 터치배선(RVcom_1)과 겹치는 형상으로, 제3 금속층(M3)에 의해 복수의 제2 터치배선(RVcom_2)이 형성된다. 그리고, 제1 터치배선(RVcom_1)과, 그에 대응하는 제2 터치배선(RVcom_2)은 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 이로써 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. Touch detection performance can be improved by lowering the resistance of the touch wiring (RVcom_1, RVcom_2). However, when the width of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2) is widened to lower the resistance of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2), there is a disadvantage that the bezel width increases. In order to lower the resistance of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2) without increasing the bezel width, the touch wires (RVcom_1, RVcom_2) are arranged as closely as possible, and the touch wires (RVcom_1, RVcom_2) are overlapped in multiple layers. Then, the touch wire (RVcom_2) on the upper floor and the touch wire (RVcom_1) on the lower floor are electrically connected through the contact hole of the planarization layer (122). More specifically, a plurality of first touch wires (RVcom_1) are formed in the touch wire area (RVcomA) by the second metal layer (M2). In addition, in the touch wiring area (RVcomA), a planarization layer 122 is disposed on the first touch wiring (RVcom_1), and has a shape that overlaps the first touch wiring (RVcom_1) on the planarization layer 122, and a third metal layer (M3) is formed. ) to form a plurality of second touch wires (RVcom_2). Also, the first touch wire (RVcom_1) and the corresponding second touch wire (RVcom_2) are connected to each other through a contact hole formed in the planarization layer 122. This has the effect of reducing the resistance of each touch wire (RVcom_1, RVcom_2) while making it possible to narrow the bezel width.

터치배선(RVcom_1, RVcom_2)은 전술한 공통전극 라인과 터치 드라이버를 연결할 수 있다. 이로써, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)에 연결된 공통전극 라인으로 터치 입력을 감지하기 위한 신호를 인가하는 방식에 의해 터치를 감지할 수 있는 디스플레이 패널(400)을 구현할 수 있다.The touch wires (RVcom_1, RVcom_2) can connect the above-described common electrode line and the touch driver. As a result, the display panel 400 capable of detecting a touch can be implemented by applying a signal for detecting a touch input to a common electrode line connected to the touch wires (RVcom_1, RVcom_2).

제2 패시베이션층(PAS2) 상에, 게이트 링크부(G_Link) 전(全) 영역과 게이트 드라이버(GIP)의 일부 영역에 중첩하여 씰런트가 배치될 수 있다. 즉, 씰런트가 도포된 씰-영역(Seal)은 비표시영역(NDA) 중에서도 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)에 중첩할 수 있다. 어떠한 경우든, 씰-영역(Seal)은 터치배선영역(RVcomA)과는 중첩하지 않는다. On the second passivation layer (PAS2), a sealant may be disposed to overlap the entire area of the gate link part (G_Link) and a partial area of the gate driver (GIP). In other words, the seal area (Seal) where the sealant is applied can overlap the gate link part (G_Link) and the gate driver (GIP) among the non-display area (NDA). In any case, the seal-area (Seal) does not overlap with the touch wiring area (RVcomA).

디스플레이 패널(400)의 외곽에 씰런트가 배치됨으로써 형성되는 씰-영역(Seal)은, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에 액정층(LC)이 될 수 있는 공간을 확보한다. 즉, 씰-영역(Seal)의 씰런트에 의해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 셀 갭을 확보하면서 서로 합착되고, 셀 갭에 대응하여 정의되는 액정층(LC)의 액정이 디스플레이 패널(400) 외부로 새어나가지 않게 된다. 씰런트는 유동성 있는 액체 상태에서 도포되어, 광경화에 의하여 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 씰런트가 광경화되는 물질로 이루어진 경우, 씰런트를 경화하기 위하여 씰-영역(Seal)을 향하여 UV와 같은 고에너지의 광이 조사되어야 한다. 이 때, 제2 기판(115)으로부터 씰-영역(Seal)으로 고에너지의 광을 조사하는 경우, 광을 흡수하는 성질의 블랙 매트릭스(BM)에 의하여 광이 씰-영역(Seal)에 도달하지 못하므로 효과적이지 못하다. 따라서, 제1 기판(110)으로부터 씰-영역(Seal)으로 고에너지의 광을 조사하는 것이 가능하다. 만일, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에까지 도포되거나, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에 도포되진 않았으나 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 따라, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에도 있을 수 있다. 이러한 경우, 씰런트를 경화하기 위해서는 제1 기판(110)으로부터 씰-영역(Seal)으로 광을 조사함에 있어서 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)뿐만 아니라, 터치배선영역(RVcomA)에까지 광을 조사해야 할 필요가 있을 수 있다. 그러나, 터치배선영역(RVcomA)에서는, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)에 의하여 광의 대부분이 반사되기 때문에, 충분한 양의 광이 씰런트로 도달하지 못한다. The seal area formed by placing a sealant on the outside of the display panel 400 secures a space for the liquid crystal layer LC between the first substrate 110 and the second substrate 115. do. That is, the first substrate 110 and the second substrate 115 are bonded to each other while securing a cell gap by the sealant of the seal area, and the liquid crystal layer LC defined corresponding to the cell gap is Liquid crystal does not leak out of the display panel 400. Sealant may be composed of a material that is applied in a fluid liquid state and hardened by photocuring. If the sealant is made of a photocurable material, high-energy light such as UV must be irradiated toward the seal area to cure the sealant. At this time, when high-energy light is irradiated from the second substrate 115 to the seal area (Seal), the light does not reach the seal area (Seal) due to the black matrix (BM) that absorbs light. It is not effective because it is not effective. Therefore, it is possible to irradiate high energy light from the first substrate 110 to the seal area. If the sealant is applied to the touch wiring area (RVcomA), or if the sealant is not applied to the touch wiring area (RVcomA) but spreads in the direction (D1) of the display area (DA), the sealant may be applied to the touch wiring area (RVcomA). ) can also be present. In this case, in order to cure the sealant, light is irradiated from the first substrate 110 to the seal area (Seal), not only to the gate link part (G_Link) and gate driver (GIP), but also to the touch wiring area (RVcomA). It may be necessary to irradiate light. However, in the touch wiring area RVcomA, since most of the light is reflected by the plurality of closely spaced touch wirings RVcom_1 and RVcom_2, a sufficient amount of light does not reach the sealant.

보다 구체적으로, 회로 영역 중 어떤 영역에서 금속 배선이 촘촘한 정도는, 해당 영역에서의 개구율(open ratio)로 나타낼 수 있다. 해당 영역에서의 개구율이란, 해당 영역 전체 면적 중에서 금속 배선에 의하여 가려지지 않은 영역의 비율을 의미한다. 회로 영역 중에서, 터치배선영역(RVcomA)은, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선에 의하여 20% 이하의 개구율을 가진다. 그런데, 적어도 50% 이상의 개구율을 가지는 영역에서 광이 조사되어야, 씰런트에서 광경화가 일어날 수 있을 정도의 광이 씰런트로 도달할 수 있다. 즉, 터치배선영역(RVcomA)을 통해서는, 씰런트를 광경화할 수 있을 정도의 광이 씰런트로 도달하지 못한다. More specifically, the degree to which metal wiring is dense in a certain area of the circuit area can be expressed by the open ratio in that area. The aperture ratio in the corresponding area refers to the ratio of the area not covered by the metal wiring among the total area of the corresponding area. Among the circuit areas, the touch wiring area (RVcomA) has an aperture ratio of 20% or less due to a plurality of touch wirings tightly arranged. However, light must be irradiated in an area with an aperture ratio of at least 50% or more for light sufficient to photocure the sealant to reach the sealant. In other words, light sufficient to photocure the sealant does not reach the sealant through the touch wiring area (RVcomA).

따라서, 씰런트는 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역 위에는 도포되지 않아야 한다. 또한, 씰런트는 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역 위에까지 퍼지지 않아야 한다. 씰런트가 회로 영역 중에서 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역에까지 도포되거나 퍼지게 되면, 광을 반사시키는 금속 배선에 의해, 해당 영역의 씰런트를 광경화할 정도의 광량이 씰런트로 도달하지 못한다. 결국, 해당 영역에서의 씰런트가 경화되지 않음에 따라, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 합착 불량의 요인이 된다. 이 때, 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역이란, 해당 영역의 개구율이 50% 미만인 영역을 의미한다. 따라서, 씰런트는 회로 영역 중, 개구율이 50% 미만인 영역 위에까지 퍼져서는 안 된다. 다시 말해, 씰런트는 회로 영역 중, 개구율이 50% 이상인 영역 위에 배치되어야 한다. 예를 들어, 씰런트는 터치배선영역(RVcomA) 위에는 도포되지 않는다. 또한, 씰런트는 터치배선영역(RVcomA) 위에까지 퍼지지 않는다.Therefore, the sealant should not be applied on the circuit area where metal wiring is arranged at a high density. Additionally, the sealant should not spread over areas where metal wiring is densely arranged in the circuit area. If the sealant is applied or spread to an area in the circuit area where metal wires are arranged at a high density, the amount of light sufficient to photocure the sealant in the area does not reach the sealant due to the metal wires that reflect light. Ultimately, as the sealant in the corresponding area is not cured, it becomes a factor in poor adhesion between the first substrate 110 and the second substrate 115. At this time, among the circuit areas, an area where metal wiring is arranged at a high density means an area where the opening ratio of the area is less than 50%. Therefore, the sealant should not spread over the circuit area where the opening ratio is less than 50%. In other words, the sealant must be placed on the circuit area where the opening ratio is 50% or more. For example, sealant is not applied over the touch wiring area (RVcomA). Additionally, the sealant does not spread over the touch wiring area (RVcomA).

씰런트가 터치배선영역(RVcomA) 위에까지 퍼지지 않도록, 씰-영역(Seal)과 터치배선영역(RVcomA)의 사이에는 상부 댐(U_DM)과 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은 제1 기판(110)을 향하여, 오버 코팅층(OC)에 달려있다. 다시 말해, 상부 댐(U_DM)은 오버 코팅층(OC)에서 제1 기판(110)을 향하여 돌출되어 배치된다. 하부 댐(L_DM)은 상부 댐(U_DM)에 대응하여, 제2 패시베이션층(PAS2)에서 제2 기판(115)을 향하여 솟아있다. 다시 말해, 하부 댐(L_DM)은 상부 댐(U_DM)에 대응하여, 제2 패시베이션층(PAS2)에서 제2 기판(115)을 향하여 돌출되여 배치된다. 예를 들어, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치될 수 있다. 또는, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐 배치될 수 있다. To prevent the sealant from spreading over the touch wiring area (RVcomA), there is an upper dam (U_DM) and a lower dam (L_DM) corresponding to the upper dam (U_DM) between the seal area (Seal) and the touch wiring area (RVcomA). It is placed. The upper dam (U_DM) faces the first substrate 110 and rests on the overcoating layer (OC). In other words, the upper dam (U_DM) is disposed to protrude from the overcoating layer (OC) toward the first substrate 110. The lower dam (L_DM) rises toward the second substrate 115 from the second passivation layer (PAS2), corresponding to the upper dam (U_DM). In other words, the lower dam (L_DM) is disposed to protrude from the second passivation layer (PAS2) toward the second substrate 115, corresponding to the upper dam (U_DM). For example, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be arranged across the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). Alternatively, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be disposed biased toward the gate driver (GIP) based on the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP).

상부 댐(U_DM)은 전술한 상부 스페이서(U_SP)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 또한 하부 댐(L_DM)은 전술한 하부 스페이서(L_SP)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)은 폴리이미드(Polyimide, PI)로 형성되거나, 포토 아크릴(Photo Acryl, PAC)로 형성될 수 있다. The upper dam (U_DM) may be formed of the same material and in the same process as the above-described upper spacer (U_SP). Additionally, the lower dam (L_DM) may be formed of the same material and in the same process as the above-described lower spacer (L_SP). For example, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be formed of polyimide (PI) or photo acryl (PAC).

상부 배향막(U_AL)은 배향 물질에 의하여 형성되며, 액정층(LC)에 포함된 액정의 초기 배향 방향을 결정한다. 예를 들어, 상부 배향막(U_AL)을 구성하는 배향 물질은 폴리이미드(Polyimide, PI)일 수 있다. 상부 배향막(U_AL)은 오버 코팅층(OC) 하에 표시영역(DA)에 배치된다. 따라서, 상부 배향막(U_AL)은 비표시영역(NDA)에 배치되는 씰런트에 의하여 둘러싸인다. 상부 배향막(U_AL)을 형성하기 위한 배향 물질은 유동성이 있는 액체 상태로 표시영역(DA)에 대응하는 오버 코팅층(OC) 일 면에 도포된다. 배향 물질의 퍼지는 성질에 따라, 배향 물질이 표시영역(DA)에만 형성되는 것이 아니라, 비표시영역(NDA) 방향(D2)으로도 퍼질 수 있다. 이에 따라, 상부 배향막(U_AL)은 비표시영역(NDA)까지 연장되어 형성될 수 있다. The upper alignment layer (U_AL) is formed by an alignment material and determines the initial alignment direction of the liquid crystal included in the liquid crystal layer (LC). For example, the alignment material constituting the upper alignment layer (U_AL) may be polyimide (PI). The upper alignment layer (U_AL) is disposed in the display area (DA) under the overcoating layer (OC). Accordingly, the upper alignment layer (U_AL) is surrounded by the sealant disposed in the non-display area (NDA). The alignment material for forming the upper alignment layer (U_AL) is applied in a fluid liquid state to one side of the overcoating layer (OC) corresponding to the display area (DA). Depending on the spreading property of the alignment material, the alignment material may not only be formed in the display area (DA) but may also spread in the non-display area (NDA) direction D2. Accordingly, the upper alignment layer (U_AL) may be formed to extend to the non-display area (NDA).

하부 배향막(L_AL) 역시 상부 배향막(U_AL)과 마찬가지로 배향 물질에 의하여 형성되며, 액정층(LC)에 포함된 액정의 초기 배향 방향을 결정한다. 예를 들어, 하부 배향막(L_AL)을 구성하는 배향 물질은 폴리이미드(Polyimide, PI)일 수 있다. 하부 배향막(L_AL)은 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 표시영역(DA)에 배치된다. 따라서, 하부 배향막(L_AL)은 비표시영역(NDA)에 배치되는 씰런트에 의하여 둘러싸인다. 하부 배향막(L_AL)을 형성하기 위한 배향 물질은 유동성이 있는 액체 상태로 표시영역(DA)에 대응하는 오버 코팅층(OC) 일 면에 도포된다. 배향 물질의 퍼지는 성질에 따라, 배향 물질이 표시영역(DA)에만 형성되는 것이 아니라, 비표시영역(NDA) 방향(D2)으로도 퍼질 수 있다. 이에 따라, 하부 배향막(L_AL)은 비표시영역(NDA)에까지 연장되어 형성될 수 있다.Like the upper alignment layer (U_AL), the lower alignment layer (L_AL) is also formed of an alignment material and determines the initial alignment direction of the liquid crystal included in the liquid crystal layer (LC). For example, the alignment material constituting the lower alignment layer (L_AL) may be polyimide (PI). The lower alignment layer (L_AL) is disposed in the display area (DA) on the second passivation layer (PAS2). Accordingly, the lower alignment layer (L_AL) is surrounded by the sealant disposed in the non-display area (NDA). The alignment material for forming the lower alignment layer (L_AL) is applied in a fluid liquid state to one side of the overcoating layer (OC) corresponding to the display area (DA). Depending on the spreading property of the alignment material, the alignment material may not only be formed in the display area (DA) but may also spread in the non-display area (NDA) direction D2. Accordingly, the lower alignment layer (L_AL) may be formed to extend to the non-display area (NDA).

씰-영역(Seal)의 씰런트 역시, 경화 이전에 유동성 있는 액체 상태에서 도포되어 퍼지게 된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 따라, 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)을 일부 덮을 가능성이 있다. 즉, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있다. 그런데, 제2 패시베이션층(PAS2)이 실리콘 계열의 무기 물질로 구성되고, 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)이 폴리이미드로 구성되는 경우, 씰런트와 제2 패시베이션층(PAS2) 사이의 접착력이, 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL) 사이의 접착력보다 훨씬 강하다. 즉, 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)이 서로 중첩하는 영역에서는, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 낮아지게 된다. 이는 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 합착 불량의 원인이 된다. The sealant in the seal area is also applied and spread in a fluid liquid state before curing. As the sealant spreads in the display area DA direction D1, there is a possibility that it partially covers the upper alignment layer U_AL or the lower alignment layer L_AL. That is, there is a possibility that the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) overlap. However, when the second passivation layer (PAS2) is made of a silicon-based inorganic material and the upper alignment layer (U_AL) or the lower alignment layer (L_AL) is made of polyimide, the gap between the sealant and the second passivation layer (PAS2) The adhesive force is much stronger than the adhesive force between the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the lower alignment layer (L_AL). That is, in the area where the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or lower alignment layer (L_AL) overlap each other, the bonding strength of the first substrate 110 and the second substrate 115 by the sealant is lowered. This causes poor adhesion between the first substrate 110 and the second substrate 115.

따라서, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 또는, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치되는 영역을 오버랩방지영역(OA)이라 한다. 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치될 수 있다. 또는, 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 이로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.Accordingly, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged so that the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) do not overlap. Alternatively, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are arranged so that the sealant does not spread in the display area DA direction D1. The area where the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are placed is called the overlap prevention area (OA). The overlap prevention area (OA) may be placed across the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). Alternatively, the overlap prevention area (OA) may be disposed with a bias toward the gate driver (GIP) based on the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). As a result, it is possible to prevent the bonding strength of the first substrate 110 and the second substrate 115 from being reduced due to the sealant.

씰런트의 접착력이 상승하도록, 평탄화층(122)에 복수의 트렌치(T)가 형성된다. 씰런트의 가장자리에 대응하는 위치에서, 평탄화층(122)이 움푹 파여 트렌치(T)가 형성된다. 복수의 트렌치(T)가 배치된 영역을 트렌치영역(TA)이라 한다. 도포된 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우에, 씰런트가 트렌치(T)로 흘러들게 된다. 씰런트가 트렌치(T)의 굴곡을 채움으로써, 씰런트의 접착 면적이 증가하게 된다. 씰런트의 접착 면적이 증가하게 됨에 따라, 씰런트에 의한 접착력이 향상된다. 또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지더라도, 트렌치(T)를 채우게 됨에 따라 퍼지는 정도, 즉, 퍼짐폭이 줄어들게 된다. 씰런트의 퍼짐폭이 줄어들게 됨에 따라, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 트렌치(T)에 의해 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상이 최소화됨으로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.A plurality of trenches T are formed in the planarization layer 122 to increase the adhesive strength of the sealant. At a position corresponding to the edge of the sealant, the planarization layer 122 is recessed to form a trench T. The area where a plurality of trenches (T) are arranged is called a trench area (TA). When the applied sealant spreads in the display area DA direction D1, the sealant flows into the trench T. As the sealant fills the curves of the trench (T), the adhesive area of the sealant increases. As the adhesive area of the sealant increases, the adhesive strength of the sealant improves. In addition, even if the sealant spreads in the display area DA direction D1, the degree of spread, that is, the spread width, decreases as it fills the trench T. As the spread width of the sealant is reduced, the phenomenon of overlap between the sealant and the lower alignment layer (L_AL) can be minimized. In addition, the overlapping phenomenon between the sealant and the lower alignment layer (L_AL) is minimized by the trench (T), thereby preventing a decrease in the bonding strength of the first substrate 110 and the second substrate 115 due to the sealant. can do.

오버랩방지영역(OA)과 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 인접하여 배치되며, 서로 중첩한다. The overlap prevention area (OA) and the trench area (TA) are disposed adjacent to the boundary of the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP) and overlap each other.

이 때, 오버랩방지영역(OA)과 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. At this time, the overlap prevention area (OA) and the trench area (TA) may be disposed with a bias toward the gate driver (GIP) based on the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP).

또는, 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되고, 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 다시 말해, 오버랩방지영역(OA) 일부와 트렌치영역(TA) 일부가 중첩하고, 오버랩방지영역(OA)이 트렌치영역(TA)보다 더 터치배선영역(RVcomA)에 가까이 배치될 수 있다. 즉, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되면서, 트렌치(T)는 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 트렌치(T)는 평탄화층(122)에 홈이 형성됨으로써 구성되기 때문에, 평탄화층(122)의 컨택홀에 의하여 윗층의 터치배선과 아래층의 터치배선이 연결되는 터치배선영역(RVcomA)에 배치될 수가 없는 반면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은 터치배선 상에 위치함으로써, 터치배선영역(RVcomA)에 배치될 수 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 있어, 1차적으로 트렌치(T)가 씰런트를 받아들이게 되는 웅덩이 역할을 하고, 2차적으로 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)으로까지 흘러들지 않도록 막는 장벽 역할을 할 수 있다.Alternatively, the overlap prevention area (OA) is placed across the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP), and the trench area (TA) is based on the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). Therefore, it can be placed biased toward the gate driver (GIP). In other words, a portion of the overlap prevention area (OA) and a portion of the trench area (TA) overlap, and the overlap prevention area (OA) may be placed closer to the touch wiring area (RVcomA) than the trench area (TA). That is, the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are placed across the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP), and the trench (T) is located between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). Based on the boundary of , it can be placed biased toward the gate driver (GIP). Since the trench T is constructed by forming a groove in the planarization layer 122, it will be placed in the touch wiring area (RVcomA) where the touch wiring on the upper layer and the touch wiring on the lower layer are connected by the contact hole in the planarization layer 122. On the other hand, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are located on the touch wiring, so they can be placed in the touch wiring area (RVcomA). As a result, as the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the trench (T) primarily acts as a pool to receive the sealant, and secondarily, the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) ) can act as a barrier to prevent the sealant from flowing into the touch wiring area (RVcomA).

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(500)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다.Figure 6 is a diagram schematically showing the non-display area (NDA) of the display panel 500 according to an embodiment of the present invention.

전술한 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 전술한 설명과 동일한 설명이 적용되므로, 별도의 설명을 반복하지 않고, 전술한 설명에 추가가 필요한 부분에 한하여 설명을 더한다.Since the same description as the above description applies to the same components as the above-described components, separate descriptions will not be repeated, and only the parts that need to be added to the above-described description will be added.

도 6은 제1 기판(110) 상에 게이트 절연층(121), 게이트 절연층(121) 상에 제1 금속층(M1), 제1 금속층(M1) 상에 중간층(Interlayer)(120), 중간층(120) 상에 제2 금속층(M2) 및 제2 금속층(M2)을 덮는 펑탄화층(122), 평탄화층(122) 상에 제2 서브 금속층(M2_s) 및 제2 서브 금속층(M2_s)을 덮는 서브 평탄화층(122_s), 서브 평탄화층(122_s)에 배치된 트렌치(T) 및 컨택홀, 서브 평탄화층(122_s) 상에 배치되면서 컨택홀에 의해 제2 금속층(M2)에 연결되는 제3 금속층(M3) 및 제3 금속층(M3)을 덮는 제2 패시베이션층(PAS2)을 포함할 수 있다. 이 때, 서브 평탄화층(122_s)는 평탄화층(122)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 6 shows a gate insulating layer 121 on the first substrate 110, a first metal layer (M1) on the gate insulating layer 121, an interlayer (Interlayer) 120 on the first metal layer (M1), and an interlayer. A second metal layer (M2) on (120) and a flattening layer (122) covering the second metal layer (M2), a second sub-metal layer (M2_s) and a second sub-metal layer (M2_s) on the planarization layer (122). A covering sub-flattening layer 122_s, a trench T and a contact hole disposed on the sub-flattening layer 122_s, and a third metal layer disposed on the sub-flattening layer 122_s and connected to the second metal layer M2 by a contact hole. It may include a metal layer (M3) and a second passivation layer (PAS2) covering the third metal layer (M3). At this time, the sub-planarization layer 122_s may be made of the same material as the planarization layer 122.

씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 배치되고, 하부 댐(L_DM)은, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 배치된다. 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 서브 평탄화층에 형성된 트렌치(T)가 구성된다. The upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are disposed at a point where the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) may overlap. The upper dam (U_DM) is disposed under the overcoating layer (OC) disposed on the lower portion of the second substrate 115, and the lower dam (L_DM) is disposed on the upper portion of the first substrate 110. It is placed on PAS2). A trench (T) formed in the sub-planarization layer is formed at a point where the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) may overlap.

터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮춤으로써 터치 감지 성능을 향상시킬 수 있다. 그런데 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위해 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 폭을 넓히는 경우, 베젤 폭이 증가한다는 단점이 있다. 베젤 폭을 넓히지 않으면서 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2, RVcom_3)과 아래층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_3)을 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제2 금속층(M2)에 의해 복수의 제1 터치배선(RVcom_1)이 형성된다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제1 터치배선(RVcom_1) 위에 평탄화층(122)이 배치되고, 평탄화층(122) 위에 제1 터치배선(RVcom_1)과 겹치는 형상으로, 제2 서브 금속층(M2_s)에 의해 복수의 제3 터치배선(RVcom_3)이 형성될 수 있다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제3 터치배선(RVcom_3) 위에 서브 평탄화층(122_s)이 배치되고, 서브 평탄화층(122_s) 위에 제3 터치배선(RVcom_3)과 겹치는 형상으로, 제3 금속층(M3)에 의해 복수의 제2 터치배선(RVcom_2)이 형성될 수 있다. 그리고 제1 터치배선(RVcom_1)과, 그에 대응하는 제3 터치배선(RVcom_3)은 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 그리고 제3 터치배선(RVcom_3)과, 그에 대응하는 제2 터치배선(RVcom_2)은 서브 평탄화층(122_s)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 이렇게 3층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)에 의하여, 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. Touch detection performance can be improved by lowering the resistance of the touch wiring (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3). However, when the width of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) is widened to lower the resistance of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3), there is a disadvantage that the bezel width increases. In order to lower the resistance of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) without increasing the bezel width, the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are arranged as closely as possible, and the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are laid out in multiple layers. Formed by overlapping. Then, electrically connect the touch wires (RVcom_2, RVcom_3) on the upper floor to the touch wires (RVcom_1, RVcom_3) on the lower floor. More specifically, a plurality of first touch wires (RVcom_1) are formed in the touch wire area (RVcomA) by the second metal layer (M2). In addition, in the touch wiring area RVcomA, a planarization layer 122 is disposed on the first touch wiring RVcom_1, and has a shape that overlaps the first touch wiring RVcom_1 on the planarization layer 122, and a second sub-metal layer ( A plurality of third touch wires (RVcom_3) may be formed by M2_s). Additionally, in the touch wiring area (RVcomA), a sub-flattening layer (122_s) is disposed on the third touch wiring (RVcom_3), and has a shape that overlaps the third touch wiring (RVcom_3) on the sub-flattening layer (122_s), and a third metal layer is formed. A plurality of second touch wires (RVcom_2) may be formed by (M3). And the first touch wire (RVcom_1) and the corresponding third touch wire (RVcom_3) are connected to each other through a contact hole formed in the planarization layer 122. And the third touch wire (RVcom_3) and the corresponding second touch wire (RVcom_2) are connected to each other through a contact hole formed in the sub-flattening layer (122_s). By using the three-layer touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3), the bezel width can be narrowed while reducing the resistance of each touch wire (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3).

도 7a 내지 도 7h는 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)에 대응되는 평면도들이다. FIGS. 7A to 7H are plan views corresponding to the anti-overlap area (OA) shown in FIG. 5.

도 7a를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍이 복수 개 일 때, 각 쌍 마다 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 다를 수 있다. 예를 들어, 씰-영역(Seal)에 가까운 쌍일수록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 멀 수 있다. 또한, 씰-영역(Seal)에서 가장 멀리 떨어져 있는 쌍은, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 실질적으로 0(zero)일 수 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 씰런트로부터 가까운 쌍에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트로부터 먼 쌍에 의해 완전히 막아줌으로써 씰런트가 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7A, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other and are disposed in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). Considering that the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other to form a pair, there may be two or three pairs of the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM). When there are multiple pairs of the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM), the separation distance between the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be different for each pair. For example, the closer the pair is to the seal area, the farther the separation distance between the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be. Additionally, for the pair furthest from the seal area (Seal), the separation distance between the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) may be substantially 0 (zero). Accordingly, when the sealant spreads in the direction D1 of the display area DA, a certain amount of sealant can be leaked by a pair close to the sealant, thereby preventing the sealant from bursting during bonding. In addition, by completely blocking the sealant by a pair far from the sealant, it is possible to prevent the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7b를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하되, 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 아래에, 제2 기판(115)이 위에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 제2 패시베이션층(PAS2)을 따라 흐르게 되는 경우에, 하부 댐(L_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 하부 댐(L_DM)은 선형으로 배치되고, 상부 댐(U_DM)은 점선형으로 배치됨으로써, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 발생한 틈으로, 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7b, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other, but the upper dam (U_DM) is arranged in a dotted line between the seal-area (Seal) and the alignment film (AL), and the lower dam (U_DM) is disposed in a dotted line shape. The dam (L_DM) is arranged in a solid line between the seal-area (Seal) and the alignment layer (AL). Considering that the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other to form a pair, there may be two or three pairs of the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM). In particular, when the sealant flows along the second passivation layer (PAS2) as the first substrate 110 is placed below and the second substrate 115 is placed above and cemented and cured, the lower dam ( It is advantageous for L_DM) to be arranged in a solid line. Since the lower dam (L_DM) is arranged linearly and the upper dam (U_DM) is arranged in a dotted line, a gap is created in an area where there is no upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM). As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created in the area where there is no upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM). This can prevent the sealant from bursting during cementation. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7c를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치됨으로써, 하부댐과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 하부댐과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7C, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other and are arranged in a dotted line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). Considering that the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other to form a pair, there may be two or three pairs of the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM). As the lower dam (L_DM) and upper dam (U_DM) are arranged in a dotted line, a gap is created in the area where there is no lower dam and upper dam (U_DM). As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created in the area where there is no lower dam and upper dam (U_DM), thereby preventing the sealant from bursting when cemented. can do. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7d를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7D, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL) while being staggered. Considering that the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are arranged alternately to form a pair, the number of pairs formed by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) may be two or three. As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) being staggered, thereby ensuring cementation. This can prevent the sealant from bursting. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7e를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 아래에, 제2 기판(115)이 위에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 제2 패시베이션층(PAS2)을 따라 흐르게 되는 경우에, 하부 댐(L_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7e, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged in a staggered manner, with the upper dam (U_DM) arranged in a dotted line shape between the seal-area (Seal) and the alignment film (AL), and the lower dam (U_DM) The dam (L_DM) is arranged in a solid line between the seal-area (Seal) and the alignment layer (AL). Considering that the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are arranged alternately to form a pair, the number of pairs formed by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) may be two or three. In particular, when the sealant flows along the second passivation layer (PAS2) as the first substrate 110 is placed below and the second substrate 115 is placed above and cemented and cured, the lower dam ( It is advantageous for L_DM) to be arranged in a solid line. As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) being staggered, thereby ensuring cementation. This can prevent the sealant from bursting. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7f를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 위에, 제2 기판(115)이 아래에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 오버 코팅층(OC)을 따라 흐르게 되는 경우에, 상부 댐(U_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7f, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged in a staggered manner, with the upper dam (U_DM) arranged in a solid line between the seal-area (Seal) and the alignment film (AL), and the lower dam (U_DM) The dam (L_DM) is arranged in a dotted line shape between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). Considering that the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are arranged alternately to form a pair, the number of pairs formed by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) may be two or three. In particular, when the sealant flows along the overcoating layer (OC) as the first substrate 110 is placed on top and the second substrate 115 is placed below and curing proceeds, the upper dam (U_DM) It is advantageous to arrange this in a solid line. As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) being staggered, thereby allowing a certain amount of sealant to leak out during cementation. This can prevent the sealant from bursting. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7g를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치되고, 서로 엇갈리게 배치되면서, 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역 및 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7G, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged in a dotted line shape along the seal area (Seal) and the alignment layer (AL) while being staggered. Considering that the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are arranged alternately to form a pair, the number of pairs formed by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) may be two or three. The lower dam (L_DM) and the upper dam (U_DM) are arranged in a dotted line and staggered, so that the area without the lower dam (L_DM) and the upper dam (U_DM), the upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM) ) A gap is created in the area where there is no lower dam (L_DM) corresponding to the upper dam (U_DM). As a result, when the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), a certain amount of sealant can leak out through the gap created by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) being staggered, thereby allowing a certain amount of sealant to leak out during cementation. This can prevent the sealant from bursting. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7h를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 각각 점선형으로 배치되면서, 동시에 체크 무늬 형상을 이루도록 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치되고, 서로 엇갈리게 배치되면서 동시에 체크 무늬 형상을 이루게 됨에 따라, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역 및 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 체크 무늬를 이루도록 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7h, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged in a dotted line shape along the seal-area (Seal) and the alignment layer (AL), alternating with each other, while simultaneously forming a checkered shape. It is placed. Considering that the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) are arranged alternately to form a pair, the number of pairs formed by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) may be two or three. As the lower dam (L_DM) and upper dam (U_DM) are arranged in a dotted line and staggered to form a checkered shape, the area where there is no upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM) and the upper dam A gap is created in the area where there is no lower dam (L_DM) corresponding to (U_DM). Accordingly, when the sealant spreads in the display area (DA) direction D1, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged to form a checkered pattern, allowing a certain amount of sealant to leak out through the gap created. This can prevent the sealant from bursting during cementation. In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

도 7a 내지 도 7h에 도시된 오버랩방지영역(OA)은, 도 5에 도시된 디스플레이 패널뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 실시예에 조합하여 적용될 수 있다. The overlap prevention area (OA) shown in FIGS. 7A to 7H can be applied in combination not only to the display panel shown in FIG. 5 but also to various embodiments of the present invention.

도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA) 및 트렌치영역(TA)에 대응되는 평면도들이다. Figures 8a to 8d are plan views corresponding to the overlap prevention area (OA) and trench area (TA) shown in Figure 5.

도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)으로서, 도 7a에 도시된 오버랩방지영역(OA)에 대한 평면도를 도시하였으나, 이는 예시적일 뿐 이에 한정되지 않는다. 즉, 도 7b 내지 도 7h 중 어느 하나가 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)으로서 도 8a에 적용될 수 있다. 또한, 도시되지 않았더라도 발명의 상세한 설명을 통해 본 발명으로서 설명되는 범위 내에 해당하는 어떠한 형태의 오버랩방지영역(OA)이라도 도 8a에 적용될 수 있다. As for the overlap prevention area (OA) shown in FIG. 5, a plan view of the overlap prevention area (OA) shown in FIG. 7A is shown, but this is only an example and is not limited thereto. That is, any one of FIGS. 7B to 7H can be applied to FIG. 8A as the overlap prevention area (OA) shown in FIG. 5. In addition, even if not shown, any type of overlap prevention area (OA) that falls within the scope described as the present invention through the detailed description of the invention can be applied to FIG. 8A.

도 8a를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 교차하는 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다.Referring to FIG. 8A, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other and are disposed in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). In contrast, the plurality of trenches T are arranged in a plurality of solid lines intersecting the upper dam U_DM and the lower dam L_DM. When the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the pair formed by the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) sequentially comes into contact with the sealant, while the plurality of trenches (T) are all exposed in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. Additionally, the sealant first fills a plurality of trenches (T) before leaking beyond the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM). Therefore, as the area in contact with the sealant increases with the trench (T), the adhesive strength of the sealant increases, and the trench (T) provides a space where the sealant can stay without exceeding the overlap prevention area (OA). The spread width of the sealant can be controlled. The path of the trench (T) can be made longer by the plurality of trenches (T) crossing the solid or dotted upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) diagonally rather than perpendicular to them. By making the path of the trench (T) longer, the space where the sealant can stay without crossing the overlap prevention area (OA) can be increased.

도 8b를 참조하면, 상부댐과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하는 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 8B, the upper dam and the lower dam (L_DM) overlap each other and are arranged in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment film (AL). In contrast, the plurality of trenches (T) are arranged in a plurality of solid lines orthogonal to the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) in the form of solid or dotted lines. When the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the pair formed by the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) sequentially comes into contact with the sealant, while the plurality of trenches (T) are all exposed in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. Additionally, the sealant first fills a plurality of trenches (T) before leaking beyond the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM). Therefore, as the area in contact with the sealant increases with the trench (T), the adhesive strength of the sealant increases, and the trench (T) provides a space where the sealant can stay without exceeding the overlap prevention area (OA). The spread width of the sealant can be controlled.

도 8c를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 인접하여 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되고, 복수의 트렌치(T) 역시 순차적으로 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 8C, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other and are disposed in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). In contrast, the plurality of trenches T are arranged in a plurality of solid lines adjacent to the upper dam U_DM and the lower dam L_DM in the solid line shape. When the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the pair formed by the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) sequentially comes into contact with the sealant, and the plurality of trenches (T) are also sequentially sealed. comes into contact with Additionally, the sealant first fills the trench (T) before leaking beyond the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM). Therefore, as the area in contact with the sealant increases with the trench (T), the adhesive strength of the sealant increases, and the trench (T) provides a space where the sealant can stay without exceeding the overlap prevention area (OA). The spread width of the sealant can be controlled.

도 8d를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 교차하는 복수의 V자형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다. 또한, 복수의 트렌치(T)가 V자형으로 형성됨으로써, 트렌치(T)에 흘러드는 씰런트의 퍼짐 방향을 한번 꺾어줌으로써, 씰런트의 유속을 낮출 수 있다.Referring to FIG. 8D, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) overlap each other and are arranged in a solid line between the seal area (Seal) and the alignment layer (AL). In contrast, the plurality of trenches (T) are arranged in a plurality of V shapes intersecting the solid upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM). When the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the pair formed by the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) sequentially comes into contact with the sealant, while the plurality of trenches (T) are all exposed in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. Additionally, the sealant first fills a plurality of trenches (T) before leaking beyond the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM). Therefore, as the area in contact with the sealant increases with the trench (T), the adhesive strength of the sealant increases, and the trench (T) provides a space where the sealant can stay without exceeding the overlap prevention area (OA). The spread width of the sealant can be controlled. The path of the trench (T) can be made longer by the plurality of trenches (T) crossing the solid or dotted upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) diagonally rather than perpendicular to them. By making the path of the trench (T) longer, the space where the sealant can stay without crossing the overlap prevention area (OA) can be increased. In addition, since the plurality of trenches T are formed in a V shape, the flow rate of the sealant can be lowered by bending the spreading direction of the sealant flowing into the trench T.

도 8a 내지 도 8d에 도시된 트렌치영역(TA)은, 도 5에 도시된 디스플레이 패널뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 실시예에 조합하여 적용될 수 있다. The trench area TA shown in FIGS. 8A to 8D can be applied in combination to various embodiments of the present invention as well as the display panel shown in FIG. 5.

도면을 참조하여 설명한 본 발명의 다양한 실시예에서는 씰-영역과 비표시영역(NDA)에 배치된 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 등이 중첩된 영역에서, 씰런트가 보다 향상된 접착력을 가지도록 함으로써, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량의 발생을 감소시킬 뿐만 아니라 동시에 디스플레이 장치의 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있다.In various embodiments of the present invention described with reference to the drawings, the sealant has improved adhesion in the area where the gate link part (G_Link) and gate driver (GIP) arranged in the seal area and the non-display area (NDA) overlap. By having it, not only can the occurrence of bonding defects between the first substrate 110 and the second substrate 115 be reduced, but at the same time, the bezel width of the display device can be reduced to below a certain level.

또한, 씰-영역과 비표시영역(NDA)이 중첩된 영역에서 씰런트 하부의 브릿지 전극(BRL)의 파손에 따른 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)의 전식/부식 발생을 최소화함에 따라 더욱 강건한 디스플레이 패널을 제공할 수 있다. In addition, in the area where the seal area and the non-display area (NDA) overlap, the occurrence of corrosion/corrosion of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) due to damage to the bridge electrode (BRL) at the bottom of the sealant is minimized. As a result, a more robust display panel can be provided.

또한, 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰-영역과 브릿지 영역(BRA)의 회피 설계 및 별도의 공정이나 새로운 마스크의 추가 없이, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량 및 배선들의 전식/부식의 발생을 저감시킬 수 있는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다. In addition, in reducing the bezel width of the display device, avoidance design of the seal-area and bridge area (BRA) and bonding of the first substrate 110 and the second substrate 115 without a separate process or addition of a new mask are performed. It is possible to provide a display panel that can reduce the occurrence of defects and corrosion/corrosion of wiring.

또한, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2, RVcom_3)과 아래층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_3)을 전기적으로 연결한다. 이로써 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. Additionally, in order to lower the resistance of the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3), the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are arranged as closely as possible, and the touch wires (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are overlapped in multiple layers. Then, electrically connect the touch wires (RVcom_2, RVcom_3) on the upper floor to the touch wires (RVcom_1, RVcom_3) on the lower floor. This has the effect of reducing the resistance of each touch wire (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) while making it possible to narrow the bezel width.

또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치됨으로써, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.In addition, the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) are arranged to prevent the sealant from spreading in the display area (DA) direction (D1), so that the sealant and the upper alignment layer (U_AL), or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) ) can provide a display panel that does not overlap.

또한, 오버랩방지영역(OA)이 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되거나, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치되도록 설계함으로써, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.In addition, the overlap prevention area (OA) is placed across the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP), or the gate driver (GIP) is placed based on the boundary between the touch wiring area (RVcomA) and the gate driver (GIP). By designing the display panel to be disposed biased toward the side, it is possible to provide a display panel in which the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL) do not overlap.

또한, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않음으로써, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, by not overlapping the sealant and the upper alignment layer (U_AL) or the sealant and the lower alignment layer (L_AL), it is possible to prevent the bonding strength of the first substrate 110 and the second substrate 115 from decreasing. there is.

또한, 씰런트가 퍼지면서 트렌치(T)의 굴곡을 채움으로써 씰런트의 접착 면적이 증가하게 됨에 따라, 씰런트에 의한 접착력이 향상되어, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 강도가 상승할 수 있다.In addition, as the adhesive area of the sealant increases as the sealant spreads and fills the curves of the trench T, the adhesive strength of the sealant is improved, and the bond between the first substrate 110 and the second substrate 115 is improved. The cementation strength may increase.

또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지더라도, 퍼진 씰런트가 트렌치(T)를 채우게 됨에 따라 씰런트의 퍼짐폭이 줄어들어, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상을 최소화할 수 있다. In addition, even if the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), as the spread sealant fills the trench (T), the spread width of the sealant decreases, causing the sealant and the lower alignment layer (L_AL) to overlap. can be minimized.

또한, 트렌치(T)에 의해 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상이 최소화됨으로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the overlapping phenomenon between the sealant and the lower alignment layer (L_AL) is minimized by the trench (T), thereby preventing a decrease in the bonding strength of the first substrate 110 and the second substrate 115 due to the sealant. can do.

또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 있어, 1차적으로 트렌치(T)가 씰런트를 받아들이게 되는 웅덩이 역할을 하고, 2차적으로 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)으로까지 흘러들지 않도록 막는 장벽 역할을 할 수 있다.In addition, as the sealant spreads in the display area (DA) direction (D1), the trench (T) primarily acts as a pool to receive the sealant, and secondarily, the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM) ) can act as a barrier to prevent the sealant from flowing into the touch wiring area (RVcomA).

또한, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)으로 조성된 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. In addition, by allowing a certain amount of sealant to leak out through the gap created by the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the sealant can be prevented from bursting during cementation.

또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.In addition, as the sealant flows through gaps avoiding the upper dam (U_DM) and lower dam (L_DM), the flow rate decreases, thereby preventing the sealant from ultimately exceeding the overlap prevention area (OA).

또한, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. In addition, as the area in contact with the sealant increases with the trench (T), the adhesive strength of the sealant increases, and the trench (T) provides a space where the sealant can stay without exceeding the overlap prevention area (OA). The spread width of the sealant can be controlled.

또한, 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다.In addition, the path of the trench T can be made longer by the plurality of trenches T crossing the solid or dotted upper dam U_DM and lower dam L_DM diagonally rather than perpendicular to them. By making the path of the trench (T) longer, it is possible to increase the space where the sealant can stay without crossing the overlap prevention area (OA).

본 발명의 예시적인 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.A display device according to various exemplary embodiments of the present invention may be described as follows.

본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 액정층을 개재하여 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판과 제2 기판이 서로 합착되도록, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비표시영역에 배치되는 씰런트; 액정층의 액정의 초기 배향 방향을 결정하는 위치인, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서 서로 마주보며 배치되는 상부 배향막 및 하부 배향막; 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역; 제1 기판에서 제2 기판을 향해 솟은 하부 댐과 제2 기판에서 제 1기판을 향해 달린 상부 댐을 포함하는 오버랩방지영역; 및 씰런트가 흘러 들어갈 수 있도록, 복수의 트렌치를 포함하는 트렌치영역을 포함한다. 이 때, 오버랩방지영역과 트렌치영역은, 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 인접하여 배치되고 서로 중첩하는 것을 특징으로 한다. A display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area according to an embodiment of the present invention, comprising: a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween; a sealant disposed in a non-display area between the first and second substrates so that the first and second substrates are bonded to each other; An upper and lower alignment layer disposed facing each other in the display area between the first and second substrates, which are positions that determine the initial alignment direction of the liquid crystal of the liquid crystal layer; A gate link unit, gate driver, and touch wiring area arranged in a non-display area; an overlap prevention area including a lower dam rising from the first substrate toward the second substrate and an upper dam extending from the second substrate toward the first substrate; and a trench region including a plurality of trenches through which the sealant flows. At this time, the overlap prevention area and the trench area are disposed adjacent to the boundary of the touch wiring area and the gate driver and overlap each other.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 표시영역의 끝에서부터 디스플레이 장치의 외곽 방향으로, 터치배선영역, 게이트 드라이버 및 게이트 링크부가 순차로 배치되고, 트렌치영역은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다. In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, a touch wiring area, a gate driver, and a gate link unit are sequentially arranged from the end of the display area toward the outside of the display device, and the trench area is an area between the touch wiring area and the gate driver. It is characterized by being arranged biased toward the gate driver based on the boundary.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 표시영역의 끝에서부터 디스플레이 장치의 외곽 방향으로, 터치배선영역, 게이트 드라이버 및 게이트 링크부가 순차로 배치되고, 오버랩방지영역은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, a touch wiring area, a gate driver, and a gate link are sequentially arranged from the end of the display area toward the outside of the display device, and the overlap prevention area is a touch wiring area and a gate driver. It is characterized by being placed across the border of.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역에는, 제2 금속층으로 구성되는 복수의 제1 터치배선, 제1 터치배선 위에 배치되는 절연성의 평탄화층, 평탄화층 위에, 제1 터치배선과 겹치는 형상으로, 제3 금속층으로 구성되는 복수의 제2 터치배선이 더 배치되고, 제1 터치배선과, 제1 터치배선에 대응하는 제2 터치배선은 평탄화층에 배치된 컨택홀에 의해 서로 연결되고, 트렌치는 평탄화층에 배치된 컨택홀과 별도로 평탄화층에 구성되는 홈을 포함하여, 상기 터치배선영역과 중첩하지 않고, 상부 댐과 하부 댐은 터치배선 상에 위치함으로써, 오버랩방지영역과 터치배선영역이 일부 중첩하는 것을 특징으로 한다. In addition, the display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of first touch wires composed of a second metal layer in the touch wire area, an insulating planarization layer disposed on the first touch wire, and a first touch wire on the planarization layer. A plurality of second touch wires composed of a third metal layer are further disposed in a shape that overlaps the wire, and the first touch wire and the second touch wire corresponding to the first touch wire are formed by contact holes disposed in the planarization layer. They are connected to each other, and the trenches include contact holes arranged in the planarization layer and grooves formed in the planarization layer separately, so that they do not overlap with the touch wiring area, and the upper dam and lower dam are located on the touch wiring, thereby creating an overlap prevention area. and the touch wiring area partially overlap.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 트렌치는 씰런트의 퍼짐을 받아들이는 위치에 1차적으로 배치되고, 상부 댐과 하부 댐은 씰런트의 퍼짐이 터치배선영역으로까지 흘러들지 않도록 막는 위치에 2차적으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the trench is primarily placed at a position to receive the spread of the sealant, and the upper dam and lower dam prevent the spread of the sealant from flowing into the touch wiring area. It is characterized by being placed secondarily in the location.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역의 개구율은 20% 이하인 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the aperture ratio of the touch wiring area is 20% or less.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하부 댐은 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴 (Photo Acryl) 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the lower dam is made of either polyimide or photo acryl.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 씰런트는 비표시영역 중, 개구율이 50% 이상인 영역에 배치되는 것을 특징으로 한다. Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the sealant is disposed in an area where the aperture ratio is 50% or more among the non-display area.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역은 비표시영역 중, 개구율이 50% 미만인 영역에 속하는 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the touch wiring area belongs to an area with an aperture ratio of less than 50% among the non-display areas.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제2 기판은 복수의 화소에 차광 영역과 개구 영역을 각각 구획하는 블랙 매트릭스와 컬러필터층 및 블랙 매트릭스와 컬러필터층을 덮어 평탄화하는 오버 코팅층을 구비하고, 제1 기판은 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮도록 배치되는 평탄화층을 구비하고, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서, 제2 기판의 오버 코팅층 상에 배치되는 복수의 상부 스페이서; 및 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서, 제1 기판의 평탄화층 상에 배치되는 복수의 하부 스페이서;를 더 포함한다. 이 때, 상부 스페이서는 블랙 매트릭스가 배치된 차광 영역에 배치되고, 하부 스페이서는 셀 갭을 유지하거나, 셀 갭이 순간적으로 감소되더라도 셀 갭이 특정 수치 이하로 줄어드는 현상이 최소화되도록, 상부 스페이서와 서로 대향하여 배치되고, 하부 댐은 하부 스페이서와 동일한 물질로 구성되고, 상부 댐은 상부 스페이서와 동일한 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the second substrate includes a black matrix and a color filter layer that separate light blocking areas and opening areas in a plurality of pixels, and an overcoating layer that covers and flattens the black matrix and the color filter layer, , the first substrate has a thin film transistor, a planarization layer disposed to cover the thin film transistor, and a plurality of upper spacers disposed on the overcoating layer of the second substrate in the display area between the first substrate and the second substrate; and a plurality of lower spacers disposed on the planarization layer of the first substrate in the display area between the first substrate and the second substrate. At this time, the upper spacer is placed in the light-shielding area where the black matrix is disposed, and the lower spacer maintains the cell gap or is spaced with the upper spacer to minimize the phenomenon of the cell gap being reduced below a certain value even if the cell gap is momentarily reduced. They are arranged opposite each other, and the lower dam is made of the same material as the lower spacer, and the upper dam is made of the same material as the upper spacer.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 트렌치의 경로가 길어지도록, 트렌치는 상부 댐과 하부 댐에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차하도록 배치된 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam are arranged in a solid line or dotted line along the area between the area where the sealant is applied and the lower alignment film by overlapping each other, and the path of the trench is long. , the trench is not perpendicular to the upper dam and the lower dam, but is arranged to intersect obliquely.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 트렌치에 흘러드는 씰런트의 퍼짐 방향이 꺾어지도록, 트렌치는 V자형으로 배치된 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam are arranged in a solid line or dotted line along the area between the area where the sealant is applied by overlapping each other and the lower alignment film, and the sealant flowing into the trench The trench is arranged in a V shape so that the spreading direction is bent.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치됨으로써, 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있는 틈이 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam are arranged in a solid line or dotted line along the area between the area where the sealant is applied and the lower alignment film while alternating with each other, so that a certain amount of sealant is applied. It is characterized by a gap through which leakage can occur.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰-영역과 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 서로 중첩하는 상부 댐과 하부 댐이 한 쌍을 이루고, 상부 댐과 하부 댐이 이루는 쌍이 복수 개 일 때, 씰런트가 도포된 영역에 가까운 쌍일수록, 상부 댐과 하부 댐 사이의 이격 거리가 먼 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam overlap each other and are arranged in a solid line or dotted line along the seal-region and the alignment film, and the overlapping upper dam and lower dam are When there are a plurality of pairs of an upper dam and a lower dam, the closer the pair is to the area where the sealant is applied, the greater the separation distance between the upper dam and the lower dam.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 씰런트는 광경화 씰런트인 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the sealant is a photocuring sealant.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 제1 기판; 디스플레이 장치의 외곽을 둘러 배치되는 UV 경화 썰런트; UV 경화 씰런트에 의해 둘러싸이는 배향막; 디스플레이 장치의 베젤 폭을 최소화도록, 비표시영역에서 UV 경화 씰런트와 배향막의 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 제1 구조물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area according to an embodiment of the present invention, comprising: a first substrate; UV curing slant placed around the outside of the display device; an alignment film surrounded by a UV cured sealant; It is characterized in that it includes a first structure disposed at a position to prevent overlap of the UV curing sealant and the alignment layer in the non-display area to minimize the bezel width of the display device.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역;을 더 포함한다. 이 때, 제1 구조물은 하부 댐인 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention further includes a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in a non-display area. At this time, the first structure is characterized as a lower dam.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하부 댐은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the lower dam is disposed across the boundary between the touch wiring area and the gate driver.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역;을 더 포함한다. 이 때, 제1 구조물은 트렌치인 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention further includes a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in a non-display area. At this time, the first structure is characterized as a trench.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 트렌치는 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.Additionally, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the trench is disposed with a bias toward the gate driver based on the boundary between the touch wiring area and the gate driver.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 다양한 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 다양한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified and implemented without departing from the technical spirit of the present invention. there is. Accordingly, the various embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the various embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

10: 디스플레이 장치 100, 200, 300, 400: 디스플레이 패널
110: 제1 기판 115: 제2 기판
120: 중간층 121: 게이트 절연층
122: 평탄화층 122_s: 서브 평탄화층
123: 절연층 130: 박막 트랜지스터
131: 게이트 전극 132: 액티브층
133: 제1 전극 134: 제2 전극
140: 공통전극 150: 화소전극
BM: 블랙 매트릭스 OC: 오버 코팅층
U_SP: 상부 스페이서 L_SP: 하부 스페이서
G_Link: 게이트 링크부 GIP: 게이트 드라이버
D_LL: 데이터 링크배선 CL: 연결배선
GL: 게이트 라인 DL: 데이터 라인
ST: 스테이지 LC: 액정층
DA: 표시영역 NDA: 비표시영역
BRA: 브릿지 영역 BRL: 브릿지 전극
PAD: 패드부 D_Link: 데이터 링크부
CLK1, CLK2, CLK3, CLK4: 클럭 신호 Seal: 씰-영역
G_Pad: 게이트 패드부 D_Pad: 데이터 패드부
S_In: 신호입력단 CF1, CF2, CF3: 컬러필터
CF: 컬러필터층 PAS, PAS1, PAS2: 패시베이션층
M1: 제1 금속층 M2: 제2 금속층
M2_s: 제2 서브 금속층 M3: 제3 금속층
OA: 오버랩방지영역 TA: 트렌치영역
T: 트렌치 P: 화소
D1: 표시영역 방향 D2: 비표시영역 방향
U_DM: 상부 댐 L_DM: 하부 댐
U_AL: 상부 배향막 L_AL: 하부 배향막
RVcomA: 터치배선영역 RVcom_1: 제1 터치배선(RVcom_1)
RVcom_2: 제2 터치배선(RVcom_2) RVcom_3: 제3 터치배선(RVcom_3)
10: Display device 100, 200, 300, 400: Display panel
110: first substrate 115: second substrate
120: middle layer 121: gate insulating layer
122: Flattening layer 122_s: Sub-flattening layer
123: Insulating layer 130: Thin film transistor
131: gate electrode 132: active layer
133: first electrode 134: second electrode
140: common electrode 150: pixel electrode
BM: Black matrix OC: Over coating layer
U_SP: Upper spacer L_SP: Lower spacer
G_Link: Gate link GIP: Gate driver
D_LL: Data link wiring CL: Connection wiring
GL: Gate line DL: Data line
ST: Stage LC: Liquid crystal layer
DA: Display area NDA: Non-display area
BRA: Bridge area BRL: Bridge electrode
PAD: Pad section D_Link: Data link section
CLK1, CLK2, CLK3, CLK4: Clock signal Seal: Seal-area
G_Pad: Gate pad part D_Pad: Data pad part
S_In: Signal input terminal CF1, CF2, CF3: Color filter
CF: Color filter layer PAS, PAS1, PAS2: Passivation layer
M1: first metal layer M2: second metal layer
M2_s: second sub-metal layer M3: third metal layer
OA: Overlap prevention area TA: Trench area
T: Trench P: Pixel
D1: Display area direction D2: Non-display area direction
U_DM: Upper dam L_DM: Lower dam
U_AL: Upper alignment layer L_AL: Lower alignment layer
RVcomA: Touch wiring area RVcom_1: First touch wiring (RVcom_1)
RVcom_2: 2nd touch wire (RVcom_2) RVcom_3: 3rd touch wire (RVcom_3)

Claims (17)

화상을 표시하는 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서,
상부 기판 및 상기 상부 기판과 마주보는 하부 기판;
상기 상부 기판 하부에 배치된 블랙 매트릭스 및 컬러 필터층;
상기 블랙 매트릭스 및 컬러 필터층 하부에 배치된 오버 코팅층;
상기 오버 코팅층 하부에 배치된 상부 배향막;
상기 하부 기판 상에 배치된 하부 배향막;
상기 표시 영역에서, 상기 하부 기판 상에 배치된 복수의 픽셀, 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인;
상기 비표시 영역에서, 상기 하부 기판 상에 배치된 게이트 드라이버 및 게이트 링크부;
상기 비표시 영역에서, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 씰런트;
상기 오버 코팅층 하부에 배치된 복수의 상부 스페이서; 및
상기 상부 스페이서와 상기 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인과 중첩되도록 배치된 복수의 하부 스페이서를 포함하고,
상기 게이트 링크부는 외부신호배선, 연결배선 및 브릿지 전극을 포함하고,
상기 연결배선은 적어도 두 개의 층을 포함하며,
상기 연결배선의 일부분은 상기 씰런트와 중첩되는, 디스플레이 장치.
A display device comprising a display area for displaying an image and a non-display area around the display area,
an upper substrate and a lower substrate facing the upper substrate;
a black matrix and color filter layer disposed below the upper substrate;
An over coating layer disposed below the black matrix and color filter layer;
an upper alignment layer disposed below the overcoating layer;
a lower alignment layer disposed on the lower substrate;
In the display area, a plurality of pixels, a plurality of gate lines, and a plurality of data lines arranged on the lower substrate;
In the non-display area, a gate driver and a gate link unit disposed on the lower substrate;
a sealant disposed between the lower substrate and the upper substrate in the non-display area;
a plurality of upper spacers disposed below the overcoating layer; and
It includes a plurality of lower spacers disposed to overlap the upper spacer, the plurality of gate lines, and the plurality of data lines,
The gate link unit includes an external signal wire, a connection wire, and a bridge electrode,
The connection wiring includes at least two layers,
A portion of the connection wire overlaps the sealant.
제1 항에 있어서,
복수의 트렌치가 배치된 트렌치영역을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
A display device further comprising a trench area where a plurality of trenches are disposed.
제2 항에 있어서,
상기 씰런트 및 상기 하부 배향막 각각은 상기 복수의 트렌치 중 적어도 하나 이상을 채우는, 디스플레이 장치.
According to clause 2,
Each of the sealant and the lower alignment layer fills at least one of the plurality of trenches.
제1 항에 있어서,
상기 외부신호배선과 상기 연결배선 사이에는 적어도 하나의 절연층이 형성된, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
A display device wherein at least one insulating layer is formed between the external signal wire and the connection wire.
제4 항에 있어서,
상기 외부신호배선 및 상기 연결배선 상에는 절연층이 형성되며,
상기 절연층은 상기 외부신호배선 및 상기 연결배선 각각의 컨택 영역을 노출시키는 컨택홀을 포함하고,
상기 브릿지 전극은 상기 외부신호배선의 컨택 영역 및 상기 연결배선의 컨택 영역에 동시에 접하는, 디스플레이 장치.
According to clause 4,
An insulating layer is formed on the external signal wire and the connection wire,
The insulating layer includes a contact hole exposing a contact area of each of the external signal wire and the connection wire,
The bridge electrode is simultaneously in contact with the contact area of the external signal wire and the contact area of the connection wire.
제5항에 있어서,
복수의 하부 스페이서 중 적어도 하나는 상기 브릿지 전극을 덮으며, 상기 컨택홀을 채우는, 디스플레이 장치.
According to clause 5,
At least one of the plurality of lower spacers covers the bridge electrode and fills the contact hole.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀 각각은 트랜지스터 및 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하며,
상기 트랜지스터는 게이트전극, 액티브층 및 소스/드레인 전극을 포함하는, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
Each of the plurality of pixels includes a transistor and a first electrode electrically connected to the transistor,
A display device wherein the transistor includes a gate electrode, an active layer, and source/drain electrodes.
제7 항에 있어서,
상기 브릿지 전극은 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성된, 디스플레이 장치.
According to clause 7,
The bridge electrode is formed of the same material as the first electrode.
제7 항에 있어서,
상기 연결배선은 하부 배선 및 상기 하부 배선 상에 형성된 상부 배선을 포함하고,
상기 하부 배선은 상기 액티브층과 동일한 물질로 형성되고,
상기 상부 배선은 상기 소스/드레인 전극과 동일한 물질로 형성된, 디스플레이 장치.
According to clause 7,
The connection wiring includes a lower wiring and an upper wiring formed on the lower wiring,
The lower wiring is formed of the same material as the active layer,
The display device wherein the upper wiring is formed of the same material as the source/drain electrodes.
제9 항에 있어서,
상기 상부 배선은 상기 하부 배선의 끝단을 노출시키는, 디스플레이 장치.
According to clause 9,
The display device wherein the upper wiring exposes an end of the lower wiring.
제1 항에 있어서,
상기 비표시 영역에서, 상기 블랙 매트릭스 및 오버 코팅층의 일부는 상기 게이트 드라이버와 중첩되는, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
In the non-display area, a portion of the black matrix and overcoating layer overlaps the gate driver.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 하부 스페이서 중 적어도 하나의 면적은 다른 하나의 면적과 상이한, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
A display device, wherein an area of at least one of the plurality of lower spacers is different from an area of the other one.
제1 항에 있어서,
상기 비표시 영역에서, 상기 블랙 매트릭스 및 오버 코팅층의 일부는 상기 게이트 드라이버와 중첩된, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
In the non-display area, a portion of the black matrix and the overcoating layer overlap the gate driver.
제1 항에 있어서,
상기 비표시 영역에서, 상기 블랙 매트릭스 및 오버 코팅층의 일부는 상기 게이트 드라이버와 중첩된, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
In the non-display area, a portion of the black matrix and the overcoating layer overlap the gate driver.
제1 항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스는 개구부를 가지며,
상기 개구부는 상기 게이트 링크부와 중첩되는, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The black matrix has an opening,
The display device wherein the opening overlaps the gate link portion.
제1 항에 있어서,
상기 씰런트는 상기 블랙 매트릭스 및 오버 코팅층과 중첩되는, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The sealant overlaps the black matrix and the overcoating layer.
제1 항에 있어서,
상기 상부 배향막 및 하부 배향막은 상기 씰런트와 이격된, 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The upper alignment layer and the lower alignment layer are spaced apart from the sealant.
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