KR102596850B1 - Narrow bezel display device - Google Patents

Narrow bezel display device Download PDF

Info

Publication number
KR102596850B1
KR102596850B1 KR1020160059666A KR20160059666A KR102596850B1 KR 102596850 B1 KR102596850 B1 KR 102596850B1 KR 1020160059666 A KR1020160059666 A KR 1020160059666A KR 20160059666 A KR20160059666 A KR 20160059666A KR 102596850 B1 KR102596850 B1 KR 102596850B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
area
bridge
signal transmission
gip
gate
Prior art date
Application number
KR1020160059666A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160141368A (en
Inventor
김상운
유상희
조성현
이상걸
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to US15/167,369 priority Critical patent/US10114258B2/en
Publication of KR20160141368A publication Critical patent/KR20160141368A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102596850B1 publication Critical patent/KR102596850B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Abstract

표시장치는 표시영역과 비표시영역으로 구분되는 하부기판 및 하부기판에 대응하며, 블랙매트리스(BM)를 구비하는 상부기판을 포함한다. 또한, 표시장치는 비표시영역상에 위치하며, 표시영역의 일측에서 멀어지는 방향으로 GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, GIP 구동부와 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역(Seal area)을 포함하는 베젤(Bezel), 비표시영역상에 위치하며, GIP 구동부와 연결 배선 및 연결배선과 복수의 신호전송 배선들을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 브릿지(Bridge) 패턴, 및 복수의 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함한다. 복수의 쉴드(Shield) 패턴은 씰런트(Sealant)와 복수의 브릿지 패턴이 직접적으로 접촉하는 면적을 최소화 한다. The display device includes a lower substrate divided into a display area and a non-display area, and an upper substrate that corresponds to the lower substrate and includes a black mattress (BM). In addition, the display device is located on the non-display area, and in the direction away from one side of the display area, a GIP driver, a plurality of signal transmission wires, connection wires connecting the GIP driver and a plurality of signal transmission wires, and a sealant are installed. A bezel including a seal area, located on the non-display area, and a plurality of bridges that electrically connect the GIP driver and the connection wiring and the connection wiring and a plurality of signal transmission wires. It includes a pattern and a plurality of shield patterns surrounding each of the plurality of bridge patterns. Multiple shield patterns minimize the area where the sealant and multiple bridge patterns are in direct contact.

Figure R1020160059666
Figure R1020160059666

Description

네로우 베젤 디스플레이 장치 {NARROW BEZEL DISPLAY DEVICE}Narrow bezel display device {NARROW BEZEL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 기판과 하부 기판을 합착하는 씰런트(Sealant)가 신호배선 부위 또는 GIP(Gate In Panel) 구동부로 연장되어 배치될 수 있도록 함으로써 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display device, and more specifically, the sealant that bonds the upper and lower substrates can be arranged to extend to the signal wiring area or the GIP (Gate In Panel) driver, thereby forming a bezel. This relates to a display device that can reduce the width.

디스플레이 장치에는 상부기판, 하부기판, 및 양 기판 사이에 형성된 액정층 또는 유기발광소자를 포함하여 구성되는 액정표시장치 및 유기전계발광 표시장치 등이 존재한다. 액정표시장치는 전계 인가 유무에 따라 액정층의 배열이 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상을 표시하는 장치이다.Display devices include liquid crystal displays and organic electroluminescent displays that include an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer or organic light emitting element formed between the two substrates. A liquid crystal display device is a device that displays images by adjusting the arrangement of the liquid crystal layer depending on whether an electric field is applied and the light transmittance is adjusted accordingly.

통상적으로, 유기전계발광 표시장치(OLED)는 유기발광 소자를 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 OLED(PMOLED)와 액티브 매트릭스형 OLED(AMOLED)로 분류된다.Typically, organic electroluminescent displays (OLEDs) are classified into passive matrix OLEDs (PMOLEDs) and active matrix OLEDs (AMOLEDs) depending on the method of driving the organic light emitting elements.

상기 AMOLED는 복수개의 게이트 전극라인, 복수개의 데이터 라인 및 복수개의 전원라인과, 상기 라인들에 연결되어 매트릭스 형태로 배열되는 복수개의 화소를 구비한다. 또한, 상기 각 화소는 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기발광 소자와, OLED를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다. 화소 회로는 주로 데이터신호를 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터와, 상기 데이터신호에 따라 상기 EL 소자를 구동시키기 위한 구동 트랜지스터와, 상기 데이터전압을 유지시키기 위한 하나의 커패시터를 포함한다. 상기 스위칭 트랜지스터는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 커패시터에 충전한다. 구동 트랜지스터는 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절하는 장치이다. The AMOLED includes a plurality of gate electrode lines, a plurality of data lines, a plurality of power lines, and a plurality of pixels connected to the lines and arranged in a matrix form. In addition, each pixel includes an organic light-emitting element composed of an organic light-emitting layer between an anode and a cathode, and a pixel circuit that independently drives the OLED. The pixel circuit mainly includes a switching transistor for transmitting a data signal, a driving transistor for driving the EL element according to the data signal, and a capacitor for maintaining the data voltage. The switching transistor charges the data voltage to the capacitor in response to the scan pulse. The driving transistor is a device that controls the amount of light emitted by the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the capacitor.

디스플레이 장치의 표시영역의 외부 주변부에 해당하는 비-표시영역(베젤영역)에 위치한 씰 영역(Seal area)에는 씰런트가 도포되어 상부기판과 하부기판이 합착된다. A sealant is applied to a seal area located in a non-display area (bezel area) corresponding to the outer periphery of the display area of the display device, and the upper substrate and lower substrate are bonded.

최근 사용자의 다양한 요구를 충족시키고 미감을 증진시키기 위해서 디스플레이 장치의 베젤 폭을 줄이는 노력이 꾸준히 이어오고 있다. 디스플레이 장치에서 베젤 폭이 계속해서 감소함에 따라, 디스플레이 장치의 상부기판과 하부기판을 합착하기 위한 씰 영역(Seal area)의 사이즈도 저감되어야 한다. 하지만, 씰 영역(Seal area)의 폭이 감소되면 상부기판과 하부기판 사이의 접착력 또한 감소된다. Recently, efforts have been made to reduce the bezel width of display devices in order to meet the diverse needs of users and improve aesthetics. As the bezel width in display devices continues to decrease, the size of the seal area for bonding the upper and lower substrates of the display device must also be reduced. However, as the width of the seal area decreases, the adhesive force between the upper and lower substrates also decreases.

더 좁은 베젤 폭을 구현함과 동시에 상부기판과 하부기판의 접착력을 보강하기 위해서, 씰런트가 패널의 비표시영역에 형성된 외부신호배선의 상부 혹은 더 나아가서 게이트 드라이버의 상부까지 연장되어 배치되기도 한다. 하지만 이러한 비표시영역의 회로의 일부 영역들은 씰런트와 접착력이 좋지 않은 물질로 형성되어 있을 수 있기 때문에, 씰런트가 회로 부위까지 연장되더라도 접착력 약화로 인해 상부기판과 하부기판의 합착 불량이 발생될 수 있다. 또한, 씰런트와 중첩된 회로부는 패널에 가해지는 외력에 의해 파손되기 쉽다. 이 경우, 파손된 부위를 통해 이물질이 침투하여 메탈 배선들의 전식/부식과 같은 문제점들을 유발하게 된다. 예를 들어, 씰런트와 중첩된 회로 영역 중 ITO로 형성된 부위는 씰런트와 접착력이 좋지 않을 뿐만 아니라 외력에 의한 크랙에 취약하다. 씰런트와 중첩된 영역 중 ITO로 형성된 부위가 증가할수록, 패널의 합착 불량을 유발하게 되고 ITO 부위에 크랙 발생 시에 수분 및 염분과 같은 외부 오염원의 침투 경로가 형성되어 패널의 배선들의 전식/부식 불량을 초래하게 된다. In order to implement a narrower bezel width and at the same time strengthen the adhesive force between the upper and lower substrates, the sealant is sometimes arranged to extend to the top of the external signal wiring formed in the non-display area of the panel or even to the top of the gate driver. However, since some areas of the circuit in these non-display areas may be made of a material that has poor adhesion to the sealant, even if the sealant extends to the circuit area, poor adhesion between the upper and lower substrates may occur due to weakened adhesion. You can. Additionally, the circuit part overlapping with the sealant is prone to damage by external force applied to the panel. In this case, foreign substances penetrate through the damaged area, causing problems such as corrosion/corrosion of metal wiring. For example, among the circuit areas overlapped with the sealant, the area formed of ITO not only has poor adhesion to the sealant, but is also vulnerable to cracks due to external forces. As the area formed of ITO increases among the areas overlapping with the sealant, it causes poor adhesion of the panel, and when cracks occur in the ITO area, a penetration path for external contaminants such as moisture and salt is formed, leading to corrosion/corrosion of the wiring of the panel. It causes defects.

결국, 씰 영역(Seal area)은 씰런트와 접착력이 좋지 않은 부위 또는 실런트로 전달되는 외력에 파손되기 쉬운 부위를 회피하여 설계되어야 하기 때문에, 씰 영역(Seal area)과 회로부를 중첩하여 베젤을 축소시키는 것에는 한계가 있다.Ultimately, the seal area must be designed to avoid areas that have poor adhesion to the sealant or areas that are prone to damage from external forces transmitted to the sealant, so the bezel can be reduced by overlapping the seal area and the circuit part. There is a limit to what you can do.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 씰 영역과 회로부가 중첩된 영역에서, 씰런트(Sealant)가 기존 구조에 비해 더욱 향상된 접착력을 가질 수 있도록 하여 상부기판과 하부기판의 합착 불량의 발생을 감소시킴과 동시에 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above-described conventional problems. In the area where the seal area and the circuit part overlap, the sealant can have more improved adhesion compared to the existing structure, thereby preventing defective adhesion between the upper and lower substrates. The purpose is to provide a display device that can reduce the occurrence of and at the same time reduce the bezel width below a certain level.

또한, 씰 영역과 회로부가 중첩된 영역에서, 씰런트 하부의 회로의 파손에 따른 메탈의 전식/부식 발생을 저감시켜 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the purpose is to provide a display device that can reduce the bezel width below a certain level by reducing the occurrence of metal corrosion/corrosion due to damage to the circuit under the sealant in the area where the seal area and the circuit part overlap.

또한, 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰 영역과 특정 회로 영역의 회피 설계 및 별도의 독립된 공정 프로세스 또는 마스크의 추가 없이 상부기판과 하부기판의 합착 불량 및 씰런트 하부의 회로의 파손에 따른 메탈의 전식/부식 발생을 저감시켜 수 있는 구조를 제공하여 설계적/공정적 자유도가 높은 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, in reducing the bezel width of the display device, design to avoid the seal area and specific circuit area, and without adding a separate independent process or mask, can cause damage due to poor adhesion of the upper and lower substrates and damage to the circuit under the sealant. The purpose is to provide a display device with a high degree of design/process freedom by providing a structure that can reduce the occurrence of metal corrosion/corrosion.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시영역과 비표시영역으로 구분되는 하부기판, 하부기판에 대응하며, 블랙매트리스(BM)를 구비하는 상부기판, 비표시영역상에 위치하며, 표시영역의 일측에서 멀어지는 방향으로 GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, GIP 구동부와 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역(Seal area)을 포함하는 베젤(Bezel), 비표시영역상에 위치하며, GIP 구동부와 연결 배선 및 연결배선과 복수의 신호전송 배선들을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 브릿지(Bridge) 패턴, 및 복수의 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함하며, 복수의 쉴드(Shield) 패턴은 씰런트(Sealant)와 복수의 브릿지 패턴이 직접적으로 접촉하는 면적을 최소화 한다.In order to achieve the above object, a display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate divided into a display area and a non-display area, an upper substrate having a black mattress (BM), and a non-display area. Located on the top, in the direction away from one side of the display area, a seal area equipped with a GIP driver, a plurality of signal transmission wires, connection wires connecting the GIP driver and a plurality of signal transmission wires, and a sealant. A bezel including a bezel, located on the non-display area, a plurality of bridge patterns that electrically connect the GIP driver and the connection wiring and the connection wiring and a plurality of signal transmission wires, and a plurality of bridge patterns, respectively. It includes a plurality of shield patterns surrounding the , and the plurality of shield patterns minimize the area where the sealant and the plurality of bridge patterns directly contact.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치는 액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부기판과 하부기판, 상부기판에 구비된 복수의 상부 스페이서, 하부기판에 구비된 복수의 하부 스페이서, 복수의 외부신호배선이 배치된 게이트 링크부, 쉬프트레지스터가 구비된 GIP 구동부, 복수의 외부신호배선과 GIP 구동부를 전기적으로 연결하는 복수의 브릿지 영역, 게이트 링크부와 GIP 구동부의 일부와 중첩되는 씰 영역에 구비된 씰런트, 및 복수의 브릿지 영역 각각에는 제1 금속층이 노출된 제1 컨택트홀 및 제2 금속층이 노출된 제2 컨택트홀 상에 배치되어 제1 컨택트홀 및 제2 컨택트홀을 통해 제1 금속층과 제2 금속층을 연결하는 브릿지 전극을 포함하며, 복수의 하부 스페이서의 일부는 상부 스페이서와 대응되는 위치에 배치되고, 복수의 하부 스페이서의 다른 일부는 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치된다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention includes an upper substrate and a lower substrate arranged to face each other with liquid crystal interposed, a plurality of upper spacers provided on the upper substrate, and a plurality of upper spacers provided on the lower substrate. a lower spacer, a gate link part in which a plurality of external signal wires are arranged, a GIP driving part equipped with a shift register, a plurality of bridge areas electrically connecting a plurality of external signal wires and the GIP driving part, and a part of the gate link part and the GIP driving part. The sealant provided in the overlapping seal area, and each of the plurality of bridge areas is disposed on the first contact hole where the first metal layer is exposed and the second contact hole where the second metal layer is exposed, so as to form the first contact hole and the second contact hole. It includes a bridge electrode connecting the first metal layer and the second metal layer through a contact hole, wherein a portion of the plurality of lower spacers is disposed at a position corresponding to the upper spacer, and another portion of the plurality of lower spacers is in one of the plurality of bridge regions. It is placed overlapping with at least one bridge area.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는 유기발광 소자를 구비한 복수의 화소가 배치된 표시영역과 비표시영역을 포함하는 기판, 비표시영역상에 위치하며, 표시영역의 일측에서 멀어지는 방향으로 GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, GIP 구동부와 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역을 포함하는 베젤(Bezel), 비표시영역상에 위치하며, GIP 구동부와 연결 배선 및 연결배선과 복수의 신호전송 배선들을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 브릿지(Bridge) 패턴, 및 복수의 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is located on a substrate including a display area and a non-display area on which a plurality of pixels equipped with organic light emitting elements are arranged, and a non-display area. In the direction away from one side of the display area, a bezel includes a GIP driver, a plurality of signal transmission wires, connection wires connecting the GIP driver and a plurality of signal transmission wires, and a seal area equipped with a sealant. , located on the non-display area, a plurality of bridge patterns that electrically connect the GIP driver and the connection wiring and the connection wiring and a plurality of signal transmission wires, and a plurality of shields surrounding each of the plurality of bridge patterns ( Shield) pattern.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시영역에 위치하는 화소의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 4a는 도 3에 표시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 부위의 단면을 나타낸 도면이다.
도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도3에 표시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 부위의 단면을 나타낸 도면이다.
1 is a schematic plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a pixel located in the display area of a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a plan view showing an enlarged portion of a non-display area of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a cross-sectional view of a corresponding portion along a line extending from A to A' shown in FIG. 3.
FIG. 4B is a cross-sectional view of a corresponding portion along a line extending from A to A' shown in FIG. 3 according to another embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시영역에 위치하는 화소에 대한 개략적인 단면도이다. FIG. 1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a pixel located in a display area of the display device according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치에는 빛을 출력하는 복수의 화소(P)들이 구비된 디스플레이 패널(100)이 구비된다. 디스플레이 패널(100)이 액정패널로 구현될 경우, 디스플레이 패널(100)은 서로 대향하여 소정의 간격을 두고 이격된 제1 기판(110)(상부기판 또는 하부기판)과 제2 기판(115)(상부기판 또는 하부기판) 사이에 액정(LC)이 충진된 구조로 구성된다. 이때, 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 중 하나는 복수의 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: TFT)들이 형성된 TFT 어레이기판이고, 다른 하나의 기판은 복수의 화소(P)들에 대응되도록 컬러필터(CF)가 형성된 컬러필터 기판일 수 있다. 또한, 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 중 하나의 기판에 컬러필터(CF)와 TFT 어레이가 동시에 구비될 수도 있다. 제1 기판과 제2 기판 중 적어도 하나의 기판에는 공통전극(140)과 화소전극(150)이 구비되고, 각 전극에 인가되는 전압의 차이에 의하여 발생되는 수직 또는 수평 전기장이 두 기판 사이에 위치하는 액정(LC)의 방향을 제어하는 방식으로 구동된다. 또한, 디스플레이 장치는 액정패널의 하부에 배치되고 광원으로 이용되는 백라이트장치, 그리고 액정패널 외곽에 위치하며 액정패널을 구동시키기 위한 구동회로부를 포함한다. 구동회로부는 비표시 영역(NDA)에 위치하며, 액정패널의 일 측면에 형성된 게이트 패드부(G_Pad)와 연결되어 액정패널의 구동에 관여하는 GIP 구동부 (GIP-DP) 및 비표시 영역(NDA)에 위치하며, 액정패널의 일 측면에 형성된 데이터 패드부(D-Pad)와 연결된 데이터 드라이버(미표시)를 포함한다. 데이터 드라이버는 PCB(printed circuit board)에 구현될 수 있다Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device includes a display panel 100 including a plurality of pixels (P) that output light. When the display panel 100 is implemented as a liquid crystal panel, the display panel 100 includes a first substrate 110 (upper substrate or lower substrate) and a second substrate 115 ( It consists of a structure filled with liquid crystal (LC) between the upper or lower substrates. At this time, one of the first substrate 110 and the second substrate 115 is a TFT array substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, and the other substrate corresponds to a plurality of pixels (P). Preferably, it may be a color filter substrate on which a color filter (CF) is formed. Additionally, a color filter (CF) and a TFT array may be provided simultaneously on one of the first substrate 110 and the second substrate 115. At least one of the first and second substrates is provided with a common electrode 140 and a pixel electrode 150, and a vertical or horizontal electric field generated by the difference in voltage applied to each electrode is positioned between the two substrates. It is driven by controlling the direction of liquid crystal (LC). Additionally, the display device includes a backlight device disposed below the liquid crystal panel and used as a light source, and a driving circuit located outside the liquid crystal panel to drive the liquid crystal panel. The driving circuit part is located in the non-display area (NDA), and is connected to the gate pad part (G_Pad) formed on one side of the liquid crystal panel, and the GIP driving part (GIP-DP) and non-display area (NDA) are involved in driving the liquid crystal panel. It is located in and includes a data driver (not shown) connected to a data pad portion (D-Pad) formed on one side of the liquid crystal panel. Data drivers can be implemented on a printed circuit board (PCB).

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 기판(110)의 표시영역(DA)에는 복수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 상호 교차하여 배치되며, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하여 정의된 각각의 화소(P)에 박막 트랜지스터(130)가 구비되어 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(100)에서는 N개의 게이트 라인(GL)과 M개의 데이터 라인(DL)이 교차하여 MxN개의 화소(P)가 구비될 수 있다. 하지만 디스플레이 패널(100)의 일부 실시예에서는 서로 인접한 화소들이 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)을 서로 공유하는 구조로 설계될 수 있기 때문에 MxN 보다 더 많은 수의 화소(P)가 구비될 수도 있다. 각 화소(P)에 구비된 박막 트랜지스터(130)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 접속되어 게이트 라인(GL)으로부터 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 데이터 신호를 화소전극(150)에 공급한다. 화소전극(150)은 박막 트랜지스터(130)에 접속되어 박막 트랜지스터(130)로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 전계를 형성해 액정층(LC)의 액정을 재배열한다.Referring to FIGS. 1 and 2 , a plurality of gate lines (GL) and data lines (DL) are arranged to intersect each other in the display area (DA) of the first substrate 110, and the gate lines (GL) and data lines A thin film transistor 130 is provided in each pixel (P) defined by the intersection of (DL). For example, in the display panel 100, N gate lines (GL) and M data lines (DL) may intersect to form MxN pixels (P). However, in some embodiments of the display panel 100, adjacent pixels may be designed in a structure in which they share the gate line (GL) or data line (DL), so a larger number of pixels (P) than MxN may be provided. It may be possible. The thin film transistor 130 provided in each pixel (P) is connected to the gate line (GL) and the data line (DL) and is switched according to the gate signal applied from the gate line (GL). A data signal is supplied to the pixel electrode 150. The pixel electrode 150 is connected to the thin film transistor 130 and generates an electric field according to the data signal supplied from the thin film transistor 130 to rearrange the liquid crystals of the liquid crystal layer LC.

도 2에서는 설명의 편의를 위해 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소만을 도시하였다. 각각의 화소(R, G, B)에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)는 제1 기판(110) 상에 형성된 게이트 전극(131), 액티브층(132), 제1 전극(134) 및 제2 전극(133)을 포함한다. 구체적으로, 제1 기판(110) 상에 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결된 게이트 전극(131)이 형성되고, 게이트 전극(131) 상에는 게이트 절연층(121)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(121) 상에는 채널이 형성되는 액티브층(132)이 형성되고, 액티브층(132) 상에 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된 제1 전극(134) 및 화소전극(150)과 전기적으로 연결된 제2 전극(133)이 형성된다. 액티브층(132)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. In Figure 2, only red pixels, green pixels, and blue pixels are shown for convenience of explanation. The thin film transistor (TFT) formed in each pixel (R, G, B) is formed on the first substrate 110, the gate electrode 131, the active layer 132, the first electrode 134, and the second electrode ( 133). Specifically, a gate electrode 131 electrically connected to the gate line GL is formed on the first substrate 110, and a gate insulating layer 121 is formed on the gate electrode 131. An active layer 132 in which a channel is formed is formed on the gate insulating layer 121, and a first electrode 134 electrically connected to the data line DL and a pixel electrode 150 are formed on the active layer 132. A second electrode 133 connected to is formed. The active layer 132 may be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, oxide semiconductor, etc.

제1 기판(110) 상의 박막 트랜지스터(130)를 덮도록 평탄화층(122)이 형성되어, 박막 트랜지스터(130) 상부에 평탄한 표면을 형성한다. 평탄화층(122)은 포토 아크릴(Photo-Acryl: PAC) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 도 2에서는 도시되지 않았으나, 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에는 별도의 패시베이션막(PAS)이 구비될 수 있다. 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에 구비되는 패시베이션막은 실리콘 계열의 무기 물질일 수 있다. A planarization layer 122 is formed to cover the thin film transistor 130 on the first substrate 110 to form a flat surface on the thin film transistor 130. The planarization layer 122 may be formed of an organic insulating material such as photo-acryl (PAC). Although not shown in FIG. 2, a separate passivation film (PAS) may be provided between the thin film transistor 130 and the planarization layer 122. The passivation film provided between the thin film transistor 130 and the planarization layer 122 may be a silicon-based inorganic material.

평탄화층(122) 상에는 공통전극(140)이 형성된다. 공통전극(140)은 화소전극(150)과 대응하여 전계를 형성함으로써 액정을 구동한다. 도 2에서는 화소전극(150)이 컨택트홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제2 전극(133)과 전기적으로 연결되는 부분을 나타내고 있기 때문에 공통전극(140)이 각 화소 마다 분리되어 도시되어 있다. 하지만 공통전극(140)은 화소전극(150)와 박막 트랜지스터(130)가 컨택트홀을 통해 연결되는 영역을 제외한 영역에서 연결된 단일 패턴으로 복수의 화소(P)에 걸쳐 구비되어 있다. 공통전극(140)은 별도의 컨택홀을 통해 공통전극 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. A common electrode 140 is formed on the planarization layer 122. The common electrode 140 drives the liquid crystal by forming an electric field in response to the pixel electrode 150. In Figure 2, since the pixel electrode 150 shows a portion electrically connected to the second electrode 133 of the thin film transistor 130 through a contact hole, the common electrode 140 is shown separately for each pixel. However, the common electrode 140 is provided across a plurality of pixels (P) in a single pattern connected in areas excluding the area where the pixel electrode 150 and the thin film transistor 130 are connected through contact holes. The common electrode 140 may be electrically connected to the common electrode line through a separate contact hole.

또한, 공통전극(140)은 복수의 공통전극 블록(미도시)으로 나뉘고, 복수의 화소(P)가 하나의 공통전극 블럭을 공유하는 구조로 구성될 수 있다. 이 경우, 화면의 일 프레임 기간을 시분할하여, 일 구간에서 공통전극 라인으로 터치 입력을 감지하기 위한 신호를 인가하여 터치 인식이 가능한 디스플레이 패널(100)을 구현할 수 있다. 각 공통전극 블록은 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)과 적어도 일부가 중첩되어 연장되는 개별적인 공통전극 라인에 연결되어 있을 수 있다. 공통전극(140)은 박막 트랜지스터(130)의 하부에 배치될 수 있다. 공통전극(140)이 박막 트랜지스터(130)의 하부에 배치되는 경우, 공통전극(140)과 박막 트랜지스터(130) 사이에는 박막 트랜지스터(130) 상부에 형성되는 평탄화층(122)과는 다른 추가적인 평탄화층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110) 상부에 복수의 공통전극(140)이 형성되고, 그 상부에 실리콘 계열의 평탄화층(Silicon on Glass: SOG)이 형성되고, 그 상부에 박막 트랜지스터(130)가 형성될 수 있다. Additionally, the common electrode 140 may be divided into a plurality of common electrode blocks (not shown), and may be configured in a structure where a plurality of pixels (P) share one common electrode block. In this case, the display panel 100 capable of touch recognition can be implemented by time-dividing one frame period of the screen and applying a signal for detecting a touch input to a common electrode line in one section. Each common electrode block may be connected to an individual common electrode line that extends to at least partially overlap the gate line (GL) or the data line (DL). The common electrode 140 may be disposed below the thin film transistor 130. When the common electrode 140 is disposed below the thin film transistor 130, additional planarization is provided between the common electrode 140 and the thin film transistor 130, which is different from the planarization layer 122 formed on the top of the thin film transistor 130. A layer may be provided. For example, a plurality of common electrodes 140 are formed on the first substrate 110, a silicon-based planarization layer (Silicon on Glass: SOG) is formed on the top, and a thin film transistor 130 is formed on the top. can be formed.

공통전극(140)과 화소전극(150) 사이에는 두 전극을 절연시키기 위한 절연층(123)이 형성된다. 절연층(123)은 공통전극(140)을 보호함과 동시에 공통전극(140) 상부를 평탄화한다. 절연층(123)은 평탄화층(122)과 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 평탄화층(122)과는 상이한 절연 물질로 형성될 수도 있다.An insulating layer 123 is formed between the common electrode 140 and the pixel electrode 150 to insulate the two electrodes. The insulating layer 123 protects the common electrode 140 and simultaneously flattens the top of the common electrode 140. The insulating layer 123 may be formed of the same material as the planarization layer 122, or may be formed of an insulating material different from the planarization layer 122.

화소전극(150)은 평탄화층(122) 및 절연층(123)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제2 전극(133)과 전기적으로 연결된다. 화소전극(150)과 공통전극(140)은 투명 도전성 물질(예를 들어, ITO)로 형성될 수 있으며, 화소전극(150)에는 공통전극(140)과 수평 전계를 형성하도록 복수의 슬릿(Slit)이 형성될 수 있다. 하지만, 공통전극(140)과 화소전극(150)간의 구조 및 배치관계는 이에 한정되지 않는다. 따라서, 일부 실시예에서는 공통전극(140)이 화소전극(150) 상부에 배치되거나 화소전극(150)과 공통전극(140)이 동일층에 배치될 수도 있다. 또한 일부 실시예에서는, 화소전극(150) 대신에 공통전극(140)이 다수의 슬릿(Slit)을 가지도록 형성될 수도 있다.The pixel electrode 150 is electrically connected to the second electrode 133 of the thin film transistor 130 through a contact hole formed in the planarization layer 122 and the insulating layer 123. The pixel electrode 150 and the common electrode 140 may be formed of a transparent conductive material (e.g., ITO), and the pixel electrode 150 may have a plurality of slits (Slit) to form a horizontal electric field with the common electrode 140. ) can be formed. However, the structure and arrangement relationship between the common electrode 140 and the pixel electrode 150 are not limited to this. Accordingly, in some embodiments, the common electrode 140 may be disposed on top of the pixel electrode 150, or the pixel electrode 150 and the common electrode 140 may be disposed on the same layer. Additionally, in some embodiments, the common electrode 140 may be formed to have a plurality of slits instead of the pixel electrode 150.

도 2에 도시된 실시예에서, 전술한 제1 기판(110)에 대향하여 배치된 제2 기판(115)은 디스플레이 패널(100)의 컬러 필터 기판으로서, 복수의 화소(P)를 차광 영역과 개구 영역으로 정의하는 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터층(CF)이 구비된다. 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 영역은 차광 영역으로 정의되고, 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 영역은 개구영역으로 정의된다. 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에는 박막 트랜지스터(130), 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 등과 같은 다양한 구동 소자 및 배선이 형성되고, 개구영역으로 정의되는 영역에는 화소전극(150)과 공통전극(140)이 형성된다. 도 2에서는 디스플레이 패널(100)의 게이트 라인(GL)을 따라 절단된 단면을 도시하고 있기 때문에 블랙 매트릭스(BM)가 연속적으로 연장되어 있다. 하지만 개구영역에서는 블랙 매트릭스(BM)가 인접한 두 화소 사이에 배치되어 그 하부의 데이터 라인(DL), 박막 트랜지스터(130) 또는 외광을 반사하는 구성물을 가리도록 배치되어 있다. In the embodiment shown in FIG. 2, the second substrate 115 disposed opposite to the above-described first substrate 110 is a color filter substrate of the display panel 100, and provides a light blocking area and a plurality of pixels P. A black matrix (BM) and a color filter layer (CF) defining the opening area are provided. The area where the black matrix (BM) is formed is defined as a light blocking area, and the area where the black matrix (BM) is not formed is defined as an opening area. Various driving elements and wiring, such as the thin film transistor 130, data line (DL), and gate line (GL), are formed in the light blocking area by the black matrix (BM), and the pixel electrode 150 is formed in the area defined as the opening area. and a common electrode 140 are formed. Since FIG. 2 shows a cross section cut along the gate line GL of the display panel 100, the black matrix BM is continuously extended. However, in the opening area, the black matrix BM is disposed between two adjacent pixels to block the data line DL, thin film transistor 130, or components that reflect external light below it.

제2 기판(115)에는 디스플레이 패널(100)의 화소들에 대응되도록 컬러필터층(CF)이 형성된다. 구체적으로, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 각각의 개구 영역에 대응하도록 각각의 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)가 형성된다. 컬러 필터(CF1, CF2, CF3) 각각의 일부 영역은 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 블랙 매트릭스(BM)가 컬러 필터들에 비해 제2 기판(115)에 가깝게 배치되어 있다. 하지만, 일부 다른 실시예에서는 인접한 화소(P) 간에 빛이 새어나가는 것을 줄이기 위해, 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)가 제2 기판(115)에 더 가깝게 형성되고, 블랙 매트릭스(BM)가 컬러 필터층(CF)의 표면상에 형성될 수 있다. 여기서, 컬러필터층(CF)의 표면은 컬러필터층(CF)의 표면들 중 제1 기판(110)에 대향하면서 제1 기판(110)에 근접한 표면을 의미한다. A color filter layer (CF) is formed on the second substrate 115 to correspond to the pixels of the display panel 100. Specifically, color filters CF1, CF2, and CF3 are formed to correspond to the opening areas of the red pixel, green pixel, and blue pixel, respectively. Some areas of each of the color filters CF1, CF2, and CF3 may overlap with the black matrix BM. In the embodiment shown in FIG. 2, the black matrix BM is disposed closer to the second substrate 115 than the color filters. However, in some other embodiments, in order to reduce light leakage between adjacent pixels P, the color filters CF1, CF2, and CF3 are formed closer to the second substrate 115, and the black matrix BM is formed as a color filter. It may be formed on the surface of the filter layer (CF). Here, the surface of the color filter layer (CF) refers to a surface that faces the first substrate 110 and is close to the first substrate 110 among the surfaces of the color filter layer (CF).

블랙 매트릭스(BM) 및 컬러필터층(CF)을 덮도록 제2 기판(115)에 오버 코팅층(OC)이 형성된다. 오버 코팅층(OC)은 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터층(CF)이 형성된 제2 기판(115)에서 제1 기판(110)을 대향하는 측으로 평탄한 표면을 제공하기 위한 층으로서, 평탄화층(122)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. An over coating layer (OC) is formed on the second substrate 115 to cover the black matrix (BM) and the color filter layer (CF). The overcoating layer (OC) is a layer for providing a flat surface on the side opposite the first substrate 110 from the second substrate 115 on which the black matrix (BM) and the color filter layer (CF) are formed, and the planarization layer 122 It may be formed of the same material as.

도 2를 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위해 두 기판 사이에는 스페이서가 구비된다. 디스플레이 패널(100)이 외력을 받게 되면 스페이서는 다방면으로 이동하게 된다.Referring to FIG. 2, a spacer is provided between the first substrate 110 and the second substrate 115 to maintain a constant distance between the two substrates. When the display panel 100 receives an external force, the spacers move in various directions.

이 때, 이동하는 스페이서는 액정층(LC)과 마주하는 기판의 표면에 구비된 배향막을 손상시킬 수 있고, 이에 따라 의도하지 않은 액정 배열의 틀어짐으로 인해 빛이 새어 나오게 된다. 이렇게 새어 나오는 빛은 디스플레이 패널(100)의 블랙 화상에서 스페이서의 형성 위치에 따라 붉은(reddish)색을 띠거나, 녹(greenish)색을 띠거나, 또는 푸른(bluish)색을 띠는 빛샘 불량을 일으킬 수 있다.At this time, the moving spacer may damage the alignment film provided on the surface of the substrate facing the liquid crystal layer LC, and as a result, light leaks due to unintended distortion of the liquid crystal arrangement. The light leaking in this way causes light leakage defects that appear reddish, greenish, or bluish depending on the location of the spacer in the black image of the display panel 100. It can cause it.

전술한 스페이서의 이동에 따른 빛샘을 감소시키기 위해 스페이서의 형성 위치를 기준으로 블랙 매트릭스(BM)의 크기를 확대 설계할 수도 있지만, 이는 디스플레이 패널에서 고해상도 및 고개구율을 구현하기 힘들게 하는 요소가 된다. 따라서, 본 발명에 디스플레이 패널(100)에는 제1 기판(110)과 제2 기판(115)에 각각에 복수의 스페이서들이 구비된다. In order to reduce light leakage due to movement of the above-mentioned spacer, the size of the black matrix (BM) may be designed to be enlarged based on the formation position of the spacer, but this becomes a factor that makes it difficult to implement high resolution and high aperture ratio in the display panel. Accordingly, in the display panel 100 of the present invention, a plurality of spacers are provided on each of the first substrate 110 and the second substrate 115.

도 2를 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서 제2 기판의 오버 코팅층(OC) 상에 복수의 상부 스페이서(U_SP)가 배치된다. 상부 스페이서(U_SP)는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 차광 영역에 형성된다. 또한, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서 제1 기판(110)의 절연층(123)의 상면에는 제2 기판(115)에 구비된 상부 스페이서(U_SP)에 대응되도록 하부 스페이서(L_SP)가 배치된다. Referring to FIG. 2 , a plurality of upper spacers U_SP are disposed between the first substrate 110 and the second substrate 115 on the overcoating layer OC of the second substrate. The upper spacer (U_SP) is formed in the light blocking area where the black matrix (BM) is formed. In addition, between the first substrate 110 and the second substrate 115, the upper surface of the insulating layer 123 of the first substrate 110 has a lower surface to correspond to the upper spacer (U_SP) provided on the second substrate 115. A spacer (L_SP) is placed.

제1 기판(110) 및 제2 기판(115)에 각각에 구비된 복수의 스페이서들 중 일부는 다른 스페이서들에 비해 더 길거나 짧은 높이로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상부 스페이서(U_SP) 중 일부 상부 스페이서는 다른 상부 스페이서(U_SP)에 비해 더 긴 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 즉, 일부 상부 스페이서(U_SP)와 이에 대응되는 하부 스페이서(L_SP) 간에 거리는 다른 상부 스페이서(U_SP)와 그에 대응되는 하부 스페이서(L_SP) 간에 거리에 비해 더 짧을 수 있다.Some of the plurality of spacers provided on each of the first substrate 110 and the second substrate 115 may be formed to have a longer or shorter height than other spacers. For example, as shown in FIG. 2, some of the upper spacers (U_SP) may be formed to have a longer height than other upper spacers (U_SP). That is, the distance between some upper spacers (U_SP) and the corresponding lower spacers (L_SP) may be shorter than the distance between other upper spacers (U_SP) and the corresponding lower spacers (L_SP).

마찬가지로, 하부 스페이서(L_SP) 중 일부도 다른 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 긴 높이로 형성될 수 있다. 이렇게 다른 스페이서보다 더 긴 높이로 형성되는 상부 스페이서(U_SP)는 디스플레이 패널(100)의 셀 갭(cell gap)을 유지한다. 예를 들어, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)간에 셀 갭(cell gap)을 유지하기 위한 하부 스페이서(L_SP)와 상부 스페이서(U_SP) 각각의 높이는 하부 스페이서(L_SP)의 상면과 상부 스페이서(U_SP)의 하면이 서로 접할 수 있는 높이로 형성될 수 있다. Likewise, some of the lower spacers (L_SP) may also be formed to have a longer height than other lower spacers (L_SP). The upper spacer (U_SP), which is formed to have a longer height than other spacers, maintains the cell gap of the display panel 100. For example, the height of each of the lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP) for maintaining the cell gap between the first substrate 110 and the second substrate 115 is equal to the upper surface of the lower spacer (L_SP) The lower surfaces of the upper spacers (U_SP) may be formed at a height where they can be in contact with each other.

같은 기판에 형성된 다른 스페이서에 비해 더 짧은 높이로 형성되어 반대쪽 기판에 대응된 스페이서와의 거리가 더 넓게 배치된 스페이서는 디스플레이 패널(100)에 외압이 가해질 경우에 디스플레이 패널(100)의 유연성을 유지함과 동시에 두 기판 사이의 거리가 특정 거리 이상으로 가까워지는 것을 막는 역할을 한다.A spacer formed at a shorter height than other spacers formed on the same substrate and placed at a wider distance from the corresponding spacer on the opposite substrate maintains the flexibility of the display panel 100 when external pressure is applied to the display panel 100. At the same time, it serves to prevent the distance between the two substrates from getting closer than a certain distance.

또한, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 바(Bar) 형태로 구현된다. 바 형태의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)는 게이트 라인(GL)과 중첩되며 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되도록 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응되는 위치에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 데이터 라인(DL)과 중첩되며 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 형성된다. Additionally, the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) are implemented in the form of a bar. The bar-shaped upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) may be formed in a light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL). The upper spacer (U_SP) overlaps the gate line (GL) and is formed to extend in the same direction as the extension direction of the gate line (GL). The lower spacer (L_SP) formed at a position corresponding to the upper spacer (U_SP) overlaps the data line (DL) on the first substrate 110 and extends in the same direction as the extension direction of the data line (DL).

상부 스페이서(U_SP)는 서로 인접한 두 화소(P)의 컨택트홀을 지나치지 않는 범위에서 게이트 라인(GL)을 따라 연장되어 형성될 수 있다. 하지만, 상부 스페이서(U_SP)의 길이는 이에 한정되지 않고, 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소의 컨택트홀을 지나치도록 연장되어 형성될 수 있다.The upper spacer (U_SP) may be formed to extend along the gate line (GL) within a range that does not pass through the contact holes of the two adjacent pixels (P). However, the length of the upper spacer (U_SP) is not limited to this, and may be formed to extend along the gate line (GL) to pass through the contact holes of a plurality of pixels.

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다.The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) are formed in a light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL).

상부 스페이서(U_SP)는 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장 되어 데이터 라인(DL)과 중첩되어 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응되는 위치에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩되어 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)가 외부 압력에 의해 움직여 컨택트홀 상부에 위치하게 될 경우, 디스플레이 패널(100)에 외부 압력이 없어진 후에도 상부 스페이서(U_SP)가 원래 위치로 돌아오지 않을 수 있다. 따라서, 상부 스페이서(U_SP)가 컨택트홀에 빠져들지 않도록, 상부 스페이서(U_SP)의 길이를 컨택트홀의 넓이보다 더 길게 형성할 수 있다.The upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extension direction of the data line (DL) and overlaps the data line (DL). The lower spacer (L_SP) formed at a position corresponding to the upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extending direction of the gate line (GL) on the first substrate 110 and overlaps the gate line (GL). When the upper spacer (U_SP) is moved by external pressure and positioned at the top of the contact hole, the upper spacer (U_SP) may not return to its original position even after the external pressure on the display panel 100 disappears. Therefore, to prevent the upper spacer (U_SP) from falling into the contact hole, the length of the upper spacer (U_SP) can be made longer than the width of the contact hole.

다른 방법으로, 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 더 연장되어 복수의 컨택트홀을 덮는 구조로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 전면에 형성될 수도 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)의 전면에 형성될 경우, 제1 기판과 제2 기판 사이 액정층(LC)의 량을 최적화하기 어려워 질 수 있다. 따라서, 하부 스페이서(L_SP)는 서로 인접해 있는 특정 개수만큼의 컨택트홀들만을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 스페이서(L_SP)는 서로 인접한 두 개의 컨택트홀만을 덮는 길이로 형성될 수 있다. Alternatively, the lower spacer L_SP may be formed to extend further along the gate line GL to cover a plurality of contact holes. A lower spacer (L_SP) may be formed on the front surface along the gate line (GL). When the lower spacer (L_SP) is formed on the front surface of the gate line (GL), it may become difficult to optimize the amount of liquid crystal layer (LC) between the first and second substrates. Accordingly, the lower spacer (L_SP) may be formed to cover only a certain number of contact holes adjacent to each other. For example, the lower spacer L_SP may be formed to have a length that covers only two adjacent contact holes.

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 바(Bar) 형태와는 다르게 원형으로 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)는 제2 기판(115)에서부터 제1 기판측(110)을 향한 콘(Cone) 형태로 형성되어 있다. 상부 스페이서(U_SP)와 대향하는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩되어 형성된다. 이때, 상부 스페이서(U_SP)와 대응되는 하부 스페이서(L_SP)의 일부분은 상부 스페이서(U_SP)의 지름보다 더 큰 지름을 가진 원 형태일 수 있다. 추가로, 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소들의 컨택트홀을 덮도록 혹은 서로 인접한 두 개의 화소의 컨택트홀만을 덮도록 형성될 수 있다. The upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) may be formed in a circular shape, different from the bar shape. The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) are formed in a light blocking area by the black matrix (BM) disposed along the gate line (GL). The upper spacer (U_SP) is formed in a cone shape from the second substrate 115 toward the first substrate side 110. The lower spacer (L_SP) opposite to the upper spacer (U_SP) extends in the same direction as the extension direction of the gate line (GL) on the first substrate 110 and overlaps the gate line (GL). At this time, a portion of the lower spacer (L_SP) corresponding to the upper spacer (U_SP) may have a circular shape with a diameter larger than that of the upper spacer (U_SP). Additionally, the lower spacer L_SP may be formed to cover the contact holes of a plurality of pixels along the gate line GL or to cover only the contact holes of two pixels adjacent to each other.

상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다. 하지만, 스페이서의 높이 및 형상을 조절하는 측면에서는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)를 유기 물질로 형성하는 것이 비교적 더 쉬울 수 있다. 예를 들어, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 포토 아크릴 (Photo Acryl: PAC) 또는 폴리이미드 (Polyimide: PI) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)와 제2 기판(115)상의 배향막 사이의 이격 거리를 확보하기 위해 하부 스페이서(L_SP)의 높이는 4000A 또는 그 이상일 수 있다.The upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed of an organic material or an inorganic material. However, in terms of controlling the height and shape of the spacer, it may be relatively easier to form the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) from an organic material. For example, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be formed of an organic material such as photo acryl (PAC) or polyimide (PI). In order to secure the separation distance between the upper spacer (U_SP) and the alignment layer on the second substrate 115, the height of the lower spacer (L_SP) may be 4000A or higher.

상술한 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)의 구조와 두 스페이서들 간의 배치에 따라 디스플레이 패널(100)에 외력이 가해지더라도 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)가 배향막에 접촉하지 않게 함으로써 배향막의 파손에 의한 빛샘 불량이 방지될 수 있다. 따라서, 빛샘 불량에 따른 화질적 문제를 감소하기 위해 설정되었던 블랙 매트릭스(BM)의 크기를 줄일 수 있어, 더 향상된 개구율 및 높은 해상도를 가진 디스플레이 패널(100)가 구현될 수 있다.According to the above-described structure of the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) and the arrangement between the two spacers, the upper spacer (U_SP) and lower spacer (L_SP) are prevented from contacting the alignment film even when an external force is applied to the display panel 100. By doing so, light leakage defects due to damage to the alignment film can be prevented. Accordingly, the size of the black matrix (BM), which was set to reduce image quality problems due to poor light leakage, can be reduced, and the display panel 100 with a more improved aperture ratio and higher resolution can be implemented.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에는 패드부(PAD), 데이터 링크부(D_Link), 게이트 링크부(G_Link), 연결배선(CL), 브릿지 영역(BRA), 쉴드 패턴 (Shield Pattern) 씰 영역(Seal area) 및 GIP구동부(GIP-DP)가 구비된다.Referring to FIG. 1, the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention includes a pad portion (PAD), a data link portion (D_Link), and a gate link portion in the non-display area (NDA) of the first substrate 110. (G_Link), connection wiring (CL), bridge area (BRA), shield pattern, seal area, and GIP driving part (GIP-DP) are provided.

패드부(PAD)는 데이터 패드부(D_Pad) 및 게이트 패드부(G_Pad)를 포함한다. 게이트 패드부(G_Pad)는 데이터 패드부(D_Pad)의 일측에 형성되어 외부의 구동 회로부에 접속된다. 데이터 패드부(D_Pad)는 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)의 일측에 형성되어 외부 구동 회로부(미도시)에 접속될 수 있다. 또한 데이터 패드부(D_Pad)에는 IC(Integrated Circuit)구조의 데이터 드라이버가 COG(Chip-On-Glass) 방식으로 제1 기판(110)에 직접 접속하여 구비될 수도 있다. The pad portion (PAD) includes a data pad portion (D_Pad) and a gate pad portion (G_Pad). The gate pad part (G_Pad) is formed on one side of the data pad part (D_Pad) and is connected to an external driving circuit part. The data pad portion D_Pad may be formed on one side of the non-display area NDA of the first substrate 110 and connected to an external driving circuit portion (not shown). Additionally, a data driver with an integrated circuit (IC) structure may be provided in the data pad portion (D_Pad) by directly connecting to the first substrate 110 in a chip-on-glass (COG) method.

패드부(PAD)에는 전술한 데이터 패드부(D_Pad)와 게이트 패드부(G_Pad) 이외에도 디스플레이 패널(100)의 화소(P)를 구동하거나 그 이외의 여러 가지 추가 기능들을 구현하는데 필요한 신호의 입출력을 위한 패드들이 구비될 수 있다. 예를 들어, 구동 회로부의 공통 전압 생성부에 접속되는 공통 전압 패드부 또는 디스플레이 패널의 터치인식 기능을 수행하기 위한 터치 드라이버와 접속되는 터치센서 패드가 구비될 수 있다. 상술한 각 패드부의 위치는 도 1에 도시된 바와 같이 비표시영역(NDA)의 상측에 한정되지 않고 비표시영역(NDA)의 다른 측에 구비되거나 복수의 측에 구비될 수 있다. In addition to the data pad part (D_Pad) and gate pad part (G_Pad) described above, the pad part (PAD) includes input and output of signals necessary to drive the pixel (P) of the display panel 100 or implement various other additional functions. Pads may be provided for. For example, a common voltage pad connected to the common voltage generator of the driving circuit part or a touch sensor pad connected to a touch driver for performing a touch recognition function of the display panel may be provided. The location of each pad part described above is not limited to the upper side of the non-display area (NDA) as shown in FIG. 1, but may be provided on another side of the non-display area (NDA) or on multiple sides.

데이터 링크부(D_Link)에는 표시영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)과 데이터 패드부(D_Pad) 사이에 연장되어 서로를 전기적으로 접속시키는 데이터 링크 배선(D_LL)이 구비된다.The data link unit (D_Link) is provided with a data link wire (D_LL) that extends between the data line (DL) disposed in the display area (DA) and the data pad unit (D_Pad) and electrically connects them to each other.

게이트 링크부(G_Link)에는 GIP구동부(GIP-DP)를 구동하기 위한 외부신호들이 공급되는 신호전송 배선들이 구비된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 스타트 신호 (VST), 복수의 클럭 신호 (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4), 리셋 신호 (RESET), 복수의 전압 (VSS, VDD, VDD1) 등을 전송하는 복수의 신호전송 배선들이 게이트 링크부(G_Link)에 구비될 수 있다. 게이트 링크부(G_Link)의 복수의 신호전송 배선 중 어느 하나 배선은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다.The gate link unit (G_Link) is provided with signal transmission wires through which external signals are supplied to drive the GIP driver unit (GIP-DP). For example, as shown in Figure 1, a gate start signal (VST), a plurality of clock signals (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4), a reset signal (RESET), a plurality of voltages (VSS, VDD, VDD1), etc. A plurality of signal transmission wires that transmit may be provided in the gate link unit (G_Link). One of the plurality of signal transmission wires of the gate link unit (G_Link) may be made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor 130.

연결배선(CL)은 게이트 패드부(G_Pad)에 전기적으로 접속된 게이트 링크부(G_Link)의 각 신호전송 배선과 GIP 구동부(GIP-DP)를 접속 시킨다. 따라서, 비표시영역(NDA)에서, 게이트 링크부(G_Link)의 각 신호전송 배선과 연결배선(CL)이 컨택되고, 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)가 컨택된다. 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인과 동일 물질로 구성될 수 있다.The connection wire (CL) connects each signal transmission wire of the gate link unit (G_Link) electrically connected to the gate pad unit (G_Pad) and the GIP driver unit (GIP-DP). Therefore, in the non-display area (NDA), each signal transmission wire of the gate link unit (G_Link) and the connection wire (CL) are contacted, and the connection wire (CL) and the GIP driving unit (GIP-DP) are contacted. The connection wiring CL may be made of the same material as the source/drain of the thin film transistor 130.

GIP구동부(GIP-DP)는 전술한 화소(P)의 박막 트랜지스터(130)를 형성하는 과정에서 함께 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 형성된 박막 트랜지스터들에 의해 게이트-인-패널(Gate-In-Panel; GIP) 방식으로 구성된다. GIP구동부(GIP-DP)는 게이트 신호를 생성하여 표시영역(DA)에 배치된 게이트 라인(GL)에 순차적으로 공급한다. 이를 위해, GIP구동부(GIP-DP)는 게이트 라인(GL) 각각에 접속된 복수의 스테이지(ST)를 구비한다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 각 외부신호 배선은 연결배선(CL)을 통해 GIP구동부(GIP-DP)의 스테이지(ST)들과 선택적으로 접속된다. The GIP driver (GIP-DP) is gated-in by thin film transistors formed in the non-display area (NDA) of the first substrate 110 during the process of forming the thin film transistor 130 of the pixel P described above. It is composed of a panel (Gate-In-Panel; GIP) method. The GIP driver (GIP-DP) generates a gate signal and sequentially supplies it to the gate lines (GL) arranged in the display area (DA). For this purpose, the GIP driving unit (GIP-DP) is provided with a plurality of stages (ST) connected to each gate line (GL). Accordingly, each external signal wire of the gate link unit (G_Link) is selectively connected to the stages (ST) of the GIP driving unit (GIP-DP) through the connection wire (CL).

복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 (VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 응답하여, 복수의 클럭 신호 (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) 중 어느 하나의 클럭 신호를 게이트 신호로 하여 게이트 라인(GL)에 공급한다. 이러한 복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 (VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 따라 순차적으로 동작함으로써 게이트 신호를 첫번째 게이트 라인(GL)에서부터 마지막 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급하거나 마지막 게이트 라인(GL)에서부터 첫번째 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급한다.Each of the plurality of stages (ST) responds to the gate start signal (VST) or the gate start signal supplied from the previous stage, and sends any one of the plurality of clock signals (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) to the gate signal. and supplies it to the gate line (GL). Each of these plural stages (ST) operates sequentially according to the gate start signal (VST) or the gate start signal supplied from the previous stage, thereby sequentially transmitting the gate signal from the first gate line (GL) to the last gate line (GL). It is supplied sequentially from the last gate line (GL) to the first gate line (GL).

브릿지 영역(BRA)에는 게이트 링크부(G_Link)의 각 신호전송 배선과 연결배선(CL)을 서로 컨택 시키기 위한 브릿지 패턴(BRP)을 구비한다. 또한, 브릿지 패턴(BRP)은 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)를 서로 컨택 할 수도 있다.The bridge area (BRA) is provided with a bridge pattern (BRP) for contacting each signal transmission wire of the gate link unit (G_Link) and the connection wire (CL) with each other. Additionally, the bridge pattern (BRP) can contact the connection wiring (CL) and the GIP driving unit (GIP-DP).

브릿지 패턴(BRP)은 데이터 신호 라인과 표시영역에 위치하며 화소에 데이터 전압을 전송하는 데이터 라인을 서로 컨택시키기 위해서 이용될 수 있다. The bridge pattern (BRP) is located in the display area and the data signal line and can be used to contact the data line that transmits the data voltage to the pixel.

씰 영역(Seal area)은 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 가장자리 부분에 비표시영역(NDA)을 따라 표시영역(DA)의 외곽부에 형성되어 액정층(LC)을 사이에 두고 제1 기판(110) 및 제2 기판(115)을 대향 합착시키기 위한 씰런트(Sealant)를 구비한다. 씰 영역과 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)은 영상을 표시하는 영역이 아니므로 디스플레이 장치의 하우징(housing)에 의해 가려지게 된다. 이때, 하우징에 의해 가려지는 부분을 베젤(bezel)이라 부르기도 한다. 베젤의 폭을 감소시키기 위해 씰 영역은 전술한 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되거나 더 나아가서 연결배선(CL)이 배치된 영역 또는 GIP구동부(GIP-DP)가 형성된 영역과도 중첩될 수 있다.The seal area is formed on the edge of the first substrate 110 and the second substrate 115 along the non-display area (NDA) and on the outside of the display area (DA), and is formed between the liquid crystal layer (LC). A sealant is provided to bond the first substrate 110 and the second substrate 115 to each other. Since the seal area and the non-display area (NDA) of the first substrate 110 are not areas that display images, they are obscured by the housing of the display device. At this time, the part covered by the housing is also called a bezel. In order to reduce the width of the bezel, the seal area may overlap with a part of the gate link part (G_Link) described above, or further overlap with the area where the connection wire (CL) is placed or the area where the GIP driving part (GIP-DP) is formed. there is.

디스플레이 장치에서 베젤 폭이 계속해서 감소함에 따라, 디스플레이 장치의 상부기판과 하부기판을 합착하기 위한 씰 영역(Seal area)의 사이즈도 저감될 수 있다. 하지만, 씰 영역(Seal area)의 폭이 감소되면 상부기판과 하부기판 사이의 접착력 또한 감소된다. As the bezel width in the display device continues to decrease, the size of the seal area for bonding the upper and lower substrates of the display device may also be reduced. However, as the width of the seal area decreases, the adhesive force between the upper and lower substrates also decreases.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치는 더 좁은 베젤 폭을 구현함과 동시에 상부기판과 하부기판의 접착력을 보강하기 위해서, 씰런트가 패널의 비표시영역에 형성된 게이트 링크부의 복수 신호전송 배선 및 연결배선(CL)의 상부 혹은 더 나아가서 GIP구동부(GIP-DP) 일부의 상부까지 연장되어 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, the display device according to an embodiment of the present invention has a gate link in which a sealant is formed in the non-display area of the panel in order to realize a narrower bezel width and at the same time reinforce the adhesive force between the upper and lower substrates. It may be arranged to extend to the upper part of the plurality of signal transmission wires and connection wires (CL) or further to the upper part of the GIP driving unit (GIP-DP).

게이트 링크부 및 연결배선(CL) 혹은 더 나아가서 GIP구동부(GIP-DP)는 씰런트와 접착력이 좋지 않은 물질로 형성되어 있을 수 있기 때문에, 씰런트가 게이트 링크부의 복수 신호전송 배선 및 연결배선(CL)의 상부 혹은 더 나아가서 GIP구동부(GIP-DP) 일부의 상부까지 연장되더라도 접착력 약화로 인해 상부기판과 하부기판의 합착 불량이 발생될 수 있다.Since the gate link part and connection wiring (CL) or even the GIP driving part (GIP-DP) may be made of a material that has poor adhesion to the sealant, the sealant may be used on the gate link part's multiple signal transmission wiring and connection wiring (GIP-DP). Even if it extends to the top of the CL) or even to the top of part of the GIP driving part (GIP-DP), poor adhesion of the upper and lower substrates may occur due to weakened adhesive strength.

비표시영역에는 이러한 합착 불량을 개선하기 위한 쉴드패턴(Shield Pattern)이 구비 된다. 비표시 영역에 위치하는 쉴드패턴(Shield Pattern)은, 표시영역에 위치하며, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위한 스페이서와 동시에 형성될 수 있다. 쉴드패턴(Shield Pattern)은 폴리이미드 (polyimide: PI) 또는 포토아크릴 (photo-acryl: PAC)로 구성될 수 있다. In the non-display area, a shield pattern is provided to improve these bonding defects. The shield pattern located in the non-display area is located in the display area and may be formed simultaneously with the spacer for maintaining a constant distance between the first substrate 110 and the second substrate 115. The shield pattern may be composed of polyimide (PI) or photo-acryl (PAC).

또한, 비표시영역에 위치하며, 씰런트와 중첩된 배선 및 구동부는 패널에 가해지는 외력에 의해 파손되기 쉽다. 이 경우, 파손된 부위를 통해 이물질이 침투하여 메탈 배선들의 전식/부식과 같은 문제점들을 유발하게 된다. 예를 들어, 씰런트와 중첩된 배선 영역 중 ITO로 형성된 브릿지 패턴(BRP)은 씰런트와 접착력이 좋지 않을 뿐만 아니라 외력에 의한 크랙에 취약하다. 씰런트와 중첩된 영역 중 브릿지 패턴(BRP)으로 형성된 영역이 증가할수록, 패널의 합착 불량을 유발하게 되고 브릿지 패턴 영역에 크랙 발생 시에 수분 및 염분과 같은 외부 오염원의 침투 경로가 형성되어 패널의 배선들의 전식/부식 불량을 초래하게 된다. 따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치에서 쉴드패턴(Shield Pattern)은 씰런트와 브릿지 패턴(BRP)의 접착력을 개선하고, 브릿지 패턴에서 발생하는 크랙을 최소화 할 수 있다. Additionally, the wiring and driving unit located in the non-display area and overlapping with the sealant are easily damaged by external force applied to the panel. In this case, foreign substances penetrate through the damaged area, causing problems such as corrosion/corrosion of metal wiring. For example, among the wiring areas overlapping with the sealant, the bridge pattern (BRP) formed of ITO not only has poor adhesion to the sealant, but is also vulnerable to cracks due to external forces. As the area formed by the bridge pattern (BRP) increases among the areas overlapping with the sealant, it causes poor adhesion of the panel, and when cracks occur in the bridge pattern area, a penetration path for external contaminants such as moisture and salt is formed, damaging the panel. This results in electrical/corrosive defects in the wiring. Therefore, in the display device according to an embodiment of the present invention, the shield pattern can improve the adhesion between the sealant and the bridge pattern (BRP) and minimize cracks occurring in the bridge pattern.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 4a는 도 3에 표시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 부위의 단면을 나타낸 도면이다. Figure 3 is a plan view showing an enlarged portion of a non-display area of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4A is a cross-sectional view of a corresponding portion along a line extending from A to A' shown in FIG. 3.

도 3은 비표시영역(NDA)에서, 게이트 링크부(G_Link)의 각 신호전송 배선과 연결배선(CL)이 컨택되고, 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)가 컨택되는 것을 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 4a는 도 3에 도시된 A지점부터 A’지점까지 연장된 라인을 따른 디스플레이 패널(100)의 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)의 일부를 계략적으로 나타낸 단면도이다. Figure 3 is an enlarged view of the contact between each signal transmission wire of the gate link unit (G_Link) and the connection wire (CL) and the contact between the connection wire (CL) and the GIP driving unit (GIP-DP) in the non-display area (NDA). This is a floor plan shown as follows. FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing a portion of the non-display area (NDA) and the display area (DA) of the display panel 100 along a line extending from point A to point A' shown in FIG. 3.

도 3을 참조하면, 제1 기판(110)의 외곽 측으로 복수의 신호전송 배선을 포함하는 게이트 링크부(G_Link)가 형성되어 있고, 게이트 링크부(G_Link) 보다 더 표시영역(DA)에 측으로 GIP구동부(GIP-DP)가 위치해 있다. 본 발명의 실시예들에서와 같이 GIP구동부(GIP-DP)가 제1 기판(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터로 구현된 경우, 제1 기판(110)상에는 게이트 링크부(G_Link) 및 GIP구동부(GIP-DP)를 형성함과 동시에 게이트 링크부(G_Link)에 형성된 복수의 신호전송 배선에서 인가되는 신호를 GIP구동부(GIP-DP)로 전달하기 위한 연결배선(CL)이 형성된다. 연결배선(CL)은 게이트링크부(G_Link) 및 GIP구동부(GIP-DP)사이에 위치하거나 두 영역에 걸쳐 형성되어 있을 수 있다. Referring to FIG. 3, a gate link portion (G_Link) including a plurality of signal transmission wires is formed on the outer side of the first substrate 110, and a GIP is formed further toward the display area DA than the gate link portion (G_Link). The driving part (GIP-DP) is located. As in the embodiments of the present invention, when the GIP driver (GIP-DP) is implemented with a thin film transistor formed on the first substrate 110, the gate link portion (G_Link) and the GIP driver ( At the same time as forming the GIP-DP), a connection wire (CL) is formed to transmit signals applied from a plurality of signal transmission wires formed in the gate link unit (G_Link) to the GIP driving unit (GIP-DP). The connection wire (CL) may be located between the gate link part (G_Link) and the GIP driving part (GIP-DP) or may be formed across two areas.

도 3에 도시된 바와 같이, 연결배선(CL)은 복수의 신호전송 배선을 가로질러 GIP구동부(GIP-DP) 측으로 연장된다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 신호전송 배선과 연결배선(CL)은 서로 다른 전도층으로 구성되고 신호전송 배선과 연결배선(CL)이 형성되는 전도층 간에는 절연층이 개재됨에 따라, 연결배선(CL)이 선택적인 신호전송 배선과 연결되고 그 이외에 다른 신호전송 배선을 가로질러 GIP구동부(GIP-DP)) 측으로 연장될 수 있다. 이렇게 서로 상이한 두 전도층 간에 전기적인 연결을 위해 디스플레이 패널(100)에는 복수의 브릿지 영역(BRA)이 구비된다.As shown in FIG. 3, the connection wire (CL) extends toward the GIP driving unit (GIP-DP) across a plurality of signal transmission wires. Therefore, the signal transmission wire and the connection wire (CL) of the gate link unit (G_Link) are composed of different conductive layers, and an insulating layer is interposed between the conductive layer where the signal transmission wire and the connection wire (CL) are formed, so that the connection wire (CL) is connected to an optional signal transmission wire and may extend across other signal transmission wires to the GIP drive unit (GIP-DP). For electrical connection between the two different conductive layers, the display panel 100 is provided with a plurality of bridge areas (BRA).

도 4a에서는 설명의 편의를 위해 전술한 여러 신호전송 배선들 중 하나의 배선과 연결배선(CL)의 연결구조를 예시적으로 도시하였다. 도 4a를 참조하면, 신호전송 배선은 제1 도전층(M1)으로 형성되고 연결배선(CL)은 제2 도전층(M2)으로 형성되며, 신호전송 배선과 연결배선(CL)사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있다. 예를 들어, 신호전송 배선은 제1 기판(110)에 형성된 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성되고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성될 수 있다. 반대로, 신호전송 배선은 제1 기판(110)에 형성된 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성되고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 신호전송 배선과 연결배선(CL) 사이에는 게이트 절연막(Gate Insulation: GI)이 개재되어 있을 수 있다. For convenience of explanation, FIG. 4A exemplarily illustrates the connection structure between one of the signal transmission wires described above and the connection wire CL. Referring to FIG. 4A, the signal transmission wire is formed of a first conductive layer (M1) and the connection wire (CL) is formed of a second conductive layer (M2), and one or more wires are formed between the signal transmission wire and the connection wire (CL). An insulating layer is interposed. For example, the signal transmission wiring is formed of a metal layer (Gate Metal) that forms the gate electrode 131 of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110, and the connection wiring CL is formed on the thin film transistor 130. It may be formed of a metal layer (S/D Metal) that forms source/drain electrodes. Conversely, the signal transmission wiring is formed of a metal layer (S/D Metal) that forms the source/drain electrodes of the thin film transistor 130 formed on the first substrate 110, and the connecting wiring CL is of the thin film transistor 130. It may be formed of a metal layer (Gate Metal) that forms a gate electrode. In this case, a gate insulation (GI) film may be interposed between the signal transmission wire and the connection wire (CL).

또한, 신호전송 배선은 게이트 라인(GL)과 동일한 도전층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 데이터 라인(DL)과 동일한 도전층으로 형성되며, 신호전송 배선과 연결배선(CL)사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있을 수 있다. 반대로, 신호전송 배선은 데이터 라인(DL)과 동일한 도전층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 게이트 라인(GL)과 동일한 도전층으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 신호전송 배선과 연결배선(CL) 사이에는 표시영역(DA)에서 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 사이에 개재된 절연층과 동일한 절연층이 개재되어 있을 수 있다. In addition, the signal transmission wiring is formed of the same conductive layer as the gate line (GL), the connection wiring (CL) is formed of the same conductive layer as the data line (DL), and there is a single layer between the signal transmission wiring and the connection wiring (CL). The above insulating layer may be interposed. Conversely, the signal transmission line may be formed of the same conductive layer as the data line DL, and the connection line CL may be formed of the same conductive layer as the gate line GL. In this case, an insulating layer similar to the insulating layer interposed between the gate line GL and the data line DL in the display area DA may be interposed between the signal transmission wire and the connection wire CL.

신호전송 배선과 연결배선(CL) 상부에도 적어도 하나 이상의 절연층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 4a에 도시된 바와 같이 신호전송 배선과 연결배선(CL) 상부에는 패시베이션막(PAS) 및 평탄화층(122)이 형성되어 있을 수 있다. 이와 같이 서로 다른 도전층으로 형성된 신호전송 배선 및 연결배선(CL)을 전기적으로 연결시키기 위해서, 신호전송 배선 및 연결배선(CL) 상부의 절연층에는 신호전송 배선 및 연결배선(CL)이 연결되는 제1 컨택영역이 존재한다. 제1 컨택영역에는 제1, 제2 컨택홀(H1, H2)이 형성된다. 신호전송 배선의 일부가 위치하는 제1 컨택영역의 제1 컨택홀(H1)과 연결배선(CL)의 일부가 위치하는 제1 컨택영역의 제2 컨택홀(H2)에는 브릿지 패턴(BRP)이 형성되어 신호전송 배선과 연결배선(CL)을 전기적으로 연결한다. 상술한 제1 도전층(M1)과 제2 도전층(M2)의 일부가 위치하는 제1 컨택영역을 노출하는 컨택홀(H1, H2)들 상에 브릿지 패턴(BRP)이 형성되어 제1 도전층(M1)과 제2 도전층(M2)을 전기적으로 연결하는 영역은 브릿지 영역(BRA)으로 지칭된다.At least one insulating layer may also be provided on the signal transmission wire and the connection wire (CL). For example, as shown in FIG. 4A, a passivation film (PAS) and a planarization layer 122 may be formed on the signal transmission wire and the connection wire CL. In order to electrically connect the signal transmission wiring and connection wiring (CL) formed of different conductive layers, the signal transmission wiring and connection wiring (CL) are connected to the insulating layer on top of the signal transmission wiring and connection wiring (CL). A first contact area exists. First and second contact holes H1 and H2 are formed in the first contact area. A bridge pattern (BRP) is formed in the first contact hole (H1) of the first contact area where a part of the signal transmission wire is located and the second contact hole (H2) of the first contact area where a part of the connection wire (CL) is located. It is formed to electrically connect the signal transmission wire and the connection wire (CL). A bridge pattern (BRP) is formed on the contact holes (H1, H2) exposing the first contact area where the above-described first conductive layer (M1) and a portion of the second conductive layer (M2) are located, thereby forming the first conductive layer (M1) The area electrically connecting the layer M1 and the second conductive layer M2 is referred to as the bridge area BRA.

즉, 비표시영역에는 신호전송 배선과 연결배선(CL)을 덮는 절연층의 컨택트홀을 통해 그 하부에 위치한 신호전송 배선과 연결배선(CL) 각각을 형성하는 제1 도전층(M1) 및 제2 도전층(M2)과 동시에 접촉하는 다수의 브릿지 패턴(BRP)패턴이 형성된다. That is, in the non-display area, a first conductive layer (M1) and a first conductive layer (M1) forming the signal transmission wire and the connection wire (CL) located below through the contact hole of the insulating layer covering the signal transmission wire and the connection wire (CL). 2 A plurality of bridge patterns (BRP) patterns are formed that simultaneously contact the conductive layer (M2).

마찬가지로 GIP구동부(GIP-DP)의 각 스테이지(ST)에 신호 입력단(S_In)도 연결배선(CL)과 다른 도전층으로 형성되어 있을 수 있다.Likewise, the signal input terminal (S_In) at each stage (ST) of the GIP driving unit (GIP-DP) may be formed of a conductive layer different from the connection wiring (CL).

GIP 구동부(GIP-DP)는 게이트 전극, 액티브 층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT)를 구비하며, 박막 트랜지스터는 신호전송배선에 의해 인가되는 게이트 구동 신호가 표시영역에 위치하는 복수의 게이트 배선에 순차적으로 출력되도록 구성된다. GIP구동부(GIP-DP)의 각 스테이지(ST)에 신호 입력단(S_In)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 해당 될 수 있다.The GIP driver (GIP-DP) is equipped with a plurality of thin film transistors (TFTs) including a gate electrode, an active layer, and source/drain electrodes, and the gate driving signal applied by the signal transmission line of the thin film transistor is located in the display area. It is configured to be sequentially output to a plurality of gate wires. The signal input terminal (S_In) of each stage (ST) of the GIP driver (GIP-DP) may correspond to the gate electrode of the thin film transistor.

복수의 신호전송배선 중 어느 하나 배선은 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(M1)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 금속층일 수 있다.One of the plurality of signal transmission wires may be made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor. Accordingly, the first conductive layer M1 may be the same metal layer as the gate electrode of the thin film transistor.

복수의 연결배선(CL) 중 어느 하나 배선은 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다. 따라서, 제2 도전층(M2)은 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 동일 금속층일 수 있다.One of the plurality of connection wires CL may be made of the same material as the source/drain electrodes of the thin film transistor. Accordingly, the second conductive layer M2 may be the same metal layer as the source/drain electrodes of the thin film transistor.

브릿지 패턴(BRP)은 게이트 전극과 동일 물질로 구성된 복수의 신호전송배선의 어느 하나 배선과 상기 소스/드레인 전극과 동일 물질로 구성된 복수의 연결배선의 어느 하나 배선이 연결되도록 형성되어 있다.The bridge pattern (BRP) is formed to connect one of a plurality of signal transmission wires made of the same material as the gate electrode and one of a plurality of connection wires made of the same material as the source/drain electrodes.

도 4a에 도시된 것과 같이, GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)은 신호전송 배선을 형성하는 도전층과 같은 도전층으로 형성될 수 있다. 이 경우, 서로 다른 도전층으로 형성된 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)과 연결배선(CL)을 전기적으로 연결시키기 위해서, GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In) 및 연결배선(CL) 상부의 절연층에는 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In) 및 연결배선(CL)이 연결되는 제2 컨택영역이 존재한다. 제2 컨택영역에는 제3, 제4 컨택홀(H3, H4)이 형성된다. 연결배선(CL)의 일부가 위치하는 제2 컨택영역의 제3 컨택홀(H3)과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)의 일부가 위치하는 제2 컨택영역의 제4 컨택홀(H4)에는 브릿지 패턴(BRP)이 형성되어 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)과 연결배선(CL)을 전기적으로 연결한다. 따라서, 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)을 덮고있는 절연층에는 연결배선(CL)의 일부를 노출시키는 제3 컨택홀과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)의 일부를 노출시키는 제4 컨택홀이 형성된다. As shown in FIG. 4A, the signal input terminal (S_In) of the GIP driving unit (GIP-DP) may be formed of a conductive layer similar to the conductive layer that forms the signal transmission wiring. In this case, in order to electrically connect the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) formed of different conductive layers and the connection wire (CL), the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) is connected to the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP). In the insulating layer above the wiring (CL), there is a second contact area where the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) and the connection wiring (CL) are connected. Third and fourth contact holes H3 and H4 are formed in the second contact area. The third contact hole (H3) in the second contact area where part of the connection wire (CL) is located and the fourth contact hole in the second contact area where part of the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) is located. A bridge pattern (BRP) is formed at (H4) to electrically connect the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) and the connection wire (CL). Therefore, the insulating layer covering the connection wiring (CL) and the signal input terminal (S_In) of the GIP driving unit (GIP-DP) includes a third contact hole exposing a part of the connecting wiring (CL) and a third contact hole of the GIP driving unit (GIP-DP). A fourth contact hole is formed exposing a portion of the signal input terminal (S_In).

또한, 제2 컨택영역을 노출하는 컨택홀(H3, H4)들 상에 브릿지 패턴(BRP)이 형성되어 제1 도전층(M1)과 제2 도전층(M2)을 전기적으로 연결하는 영역은 브릿지 영역(BRA)으로 지칭된다. GIP구동부(GIP-DP)측에 위치한 연결배선(CL)의 컨택 영역과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)의 컨택 영역도 연결배선(CL)과 신호전송 배선을 연결하는 브릿지 영역(BRA)과 동일한 구조로 서로 연결되어 신호전송 배선으로부터 인가된 신호를 GIP구동부(GIP-DP)로 전달 하게 된다. In addition, a bridge pattern (BRP) is formed on the contact holes (H3, H4) exposing the second contact area, and the area that electrically connects the first conductive layer (M1) and the second conductive layer (M2) is called a bridge. It is referred to as an area (BRA). The contact area of the connecting wire (CL) located on the GIP driving part (GIP-DP) side and the contact area of the signal input terminal (S_In) of the GIP driving part (GIP-DP) are also bridge areas that connect the connecting wiring (CL) and the signal transmission wiring. They are connected to each other in the same structure as the (BRA) and transmit the signal applied from the signal transmission wire to the GIP driver (GIP-DP).

또한, 도 1에서 도시되었던, 구동회로부로부터 인가되는 신호를 데이터 드라이버로 전달하거나 데이터 패드부(D_Pad)에 COG 방식으로 구비된 데이터 드라이버에서 출력된 데이터 신호를 디스플레이 영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)으로 전달하기 위한 데이터 링크배선(D_LL)도 신호전송 배선과 GIP구동부(GIP-DP)간에 형성된 연결배선(CL)과 같이 각각의 대응되는 컨택홀 (미도시) 상부에 형성된 브릿지 패턴(BRP)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the signal applied from the driving circuit shown in FIG. 1 is transmitted to the data driver, or the data signal output from the data driver provided in the data pad portion D_Pad in the COG method is transmitted to the data line disposed in the display area DA. The data link wire (D_LL) for transmission to (DL) also has a bridge pattern (not shown) formed on the top of each corresponding contact hole (not shown), like the connection wire (CL) formed between the signal transmission wire and the GIP driver (GIP-DP). It can be electrically connected through BRP).

데이터 링크배선(D_LL)은 표시영역(DA)에 위치하는 데이터 라인(DL)에 신호를 전송하는 데이터 신호 전송배선이 될 수 있다.The data link wire (D_LL) may be a data signal transmission wire that transmits a signal to the data line (DL) located in the display area (DA).

따라서, 게이트링크부(G_Link) 및 GIP구동부(GIP-DP) 주변영역 각각에 다수의 브릿지 영역(BRA)이 구비될 수 있을 뿐만 아니라, 게이트링크부(G_Link) 및 GIP구동부(GIP-DP) 영역 이외의 비표시영역(NDA)에도 다수의 브릿지 영역(BRA)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시되었던 패드부(PAD)에도 상술한 브릿지 영역(BRA)이 적용될 수 있다.Therefore, not only can a plurality of bridge areas (BRA) be provided in each of the surrounding areas of the gate link part (G_Link) and the GIP driving part (GIP-DP), but also the gate link part (G_Link) and the GIP driving part (GIP-DP) area. Multiple bridge areas (BRA) may be formed in other non-display areas (NDA). For example, the bridge area BRA described above may also be applied to the pad portion PAD shown in FIG. 1.

상술하였듯이, 더 좁은 베젤 폭을 구현함과 동시에 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 접착력을 보강하기 위해서 씰 영역은 비표시영역(NDA)에 형성된 게이트링크부(G_Link) 혹은 더 나아가서 GIP구동부(GIP-DP)가 형성된 부위와 중첩되도록 설계될 수 있다. 이 경우, 씰런트가 일부 브릿지 영역(BRA)들 상에 도포될 수 있다. 하지만 브릿지 영역(BRA)에 형성된 브릿지 패턴(BRP)은 씰런트와 접착력이 좋지 않은 물질로 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, ITO로 형성된 브릿지 패턴(P)일 경우 씰런트와 접착력이 좋지 않을 뿐만 아니라 경화된 씰런트를 통해 전달되는 외력에 의해 쉽게 크랙이 발생할 수 있다. 결국, 씰런트가 GIP구동부(GIP-DP)의 일부까지 연장되어 구비되더라도 씰런트와 브릿지 패턴(BRP)간에 접착력 약화로 인해 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량이 발생할 수 있다. 또한, 씰런트와 중첩된 브릿지 패턴(BRP)에 크랙이 발생할 경우, 파손된 부위를 통해 이물질이 침투하여 브릿지 패턴(BRP) 하부에 금속층으로 형성된 배선들의 전식/부식을 유발하게 된다.As described above, in order to implement a narrower bezel width and at the same time reinforce the adhesive force between the first substrate 110 and the second substrate 115, the seal area is formed by a gate link portion (G_Link) or more formed in the non-display area (NDA). Furthermore, it can be designed to overlap with the area where the GIP driving part (GIP-DP) is formed. In this case, sealant may be applied on some bridge areas (BRAs). However, the bridge pattern (BRP) formed in the bridge area (BRA) may be made of a material that has poor adhesion to the sealant. For example, in the case of a bridge pattern (P) formed of ITO, not only does it have poor adhesion to the sealant, but cracks can easily occur due to external force transmitted through the cured sealant. Ultimately, even if the sealant extends to a part of the GIP driving part (GIP-DP), defective adhesion of the first substrate 110 and the second substrate 115 may occur due to weakened adhesive strength between the sealant and the bridge pattern (BRP). You can. Additionally, when a crack occurs in the bridge pattern (BRP) overlapping with the sealant, foreign substances penetrate through the damaged area, causing corrosion/corrosion of the wiring formed in the metal layer below the bridge pattern (BRP).

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(100)에서, 제1 기판(110)의 표시영역(DA)에 형성되는 복수의 하부 스페이서(L_SP)와 동일 물질로 형성된 쉴드 패턴(SHP)이 비표시영역(NDA)의 브릿지 영역(BRA)과 대응되는 위치에 형성된다. 다시 말해서, 쉴드 패턴(SHP)이 비표시영역(NDA)에 위치한 브릿지 패턴(BRP)을 덮도록 형성된다. 브릿지 영역(BRA)상에 배치되는 하나의 개별적인 쉴드 패턴(SHP)은, 도 3 및 도 4a에서 도시된 바와 같이, 하나의 브릿지 패턴(BRP)을 덮도록 형성될 수 있다. 도 4a에서는 신호전송 배선과 연결배선을 전기적으로 접속시키는 브릿지 패턴(BRP)의 상부를 덮는 쉴드 패턴(SHP)은 브릿지 패턴(BRP)을 제1 컨택영역에 접하기 위해 형성된 컨택홀(H1, H2)들을 채우도록 형성된다. 마찬가지로, 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호입력단(S_In)를 전기적으로 연결하는 브릿지 패턴(BRP)의 상부에도 반대측 브릿지 패턴(BRP)과 동일한 형태로 쉴드 패턴(SHP)이 컨택홀(H3, H4)들을 채우도록 형성되어 있다.Therefore, in the display panel 100 according to embodiments of the present invention, a shield pattern (SHP) formed of the same material as the plurality of lower spacers (L_SP) formed in the display area (DA) of the first substrate 110 It is formed in a position corresponding to the bridge area (BRA) of the non-display area (NDA). In other words, the shield pattern (SHP) is formed to cover the bridge pattern (BRP) located in the non-display area (NDA). One individual shield pattern (SHP) disposed on the bridge area (BRA) may be formed to cover one bridge pattern (BRP), as shown in FIGS. 3 and 4A. In Figure 4a, the shield pattern (SHP) covering the upper part of the bridge pattern (BRP) that electrically connects the signal transmission wire and the connection wire is the contact hole (H1, H2) formed to contact the bridge pattern (BRP) to the first contact area. ) is formed to fill the Likewise, a shield pattern (SHP) is formed on the top of the bridge pattern (BRP) that electrically connects the connection wire (CL) and the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP) in the same form as the bridge pattern (BRP) on the opposite side. It is formed to fill the contact holes (H3, H4).

또한, 도 1에서 도시되었던, 데이터 드라이버에서 출력된 데이터 신호를 디스플레이 영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)으로 전달하기 위한 데이터 신호전송 배선도 신호전송 배선과 GIP구동부(GIP-DP)간에 형성된 연결배선(CL)과 같이, 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되도록 브릿지 패턴(BRP)이 형성될 수 있다. 데이터 신호전송 배선과 데이터 라인(DL)이 브릿지 패턴(BRP)에 의해 컨택되는 제3 컨택영역이 구비될 수 있다. In addition, the data signal transmission wiring shown in FIG. 1 for transmitting the data signal output from the data driver to the data line (DL) disposed in the display area (DA) is also formed between the signal transmission wiring and the GIP driving unit (GIP-DP). Like the connection wire CL, a bridge pattern BRP may be formed to be electrically connected to the data line DL. A third contact area may be provided in which the data signal transmission wiring and the data line (DL) are contacted by a bridge pattern (BRP).

브릿지 패턴(BRP)의 양단에는 데이터 신호전송라인과 데이터 라인(DL)이 컨택하는 컨택홀이 위치하는 제3 컨택영역이 형성 될 수 있다.A third contact area may be formed at both ends of the bridge pattern (BRP) where contact holes through which the data signal transmission line and the data line (DL) contact each other are located.

도 4a를 참조하면, 브릿지 패턴(BRP) 상부에 배치된 쉴드 패턴(SHP)은 표시영역(DA)에서 상부 스페이서(U_SP)와 대응되도록 배치된 하부 스페이서(L_SP)와 동일한 물질로 같은 공정과정에서 형성될 수 있다. 따라서, 브릿지 영역(BRA)에 배치된 쉴드 패턴(SHP)과 표시영역(DA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 동일한 높이로 형성될 수 있다. 다만, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)간에는 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에 형성되는 구조물들이 다를 수 있기 때문에, 브릿지 영역(BRA)에 배치되는 쉴드 패턴(SHP)과 표시영역(DA)에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는 필요에 따라서 서로 다른 높이로 형성될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 영역(BRA), 즉 비표시영역(NDA)에 형성되는 쉴드 패턴(SHP)도 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 셀-갭에 영향을 끼칠 수 있기 때문에 브릿지 영역(BRA) 상부에 형성되는 쉴드 패턴(SHP)이 표시영역(DA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 낮은 높이로 형성할 수 있다. 또 다른 예로, 브릿지 영역(BRA)의 보호 측면에서는 브릿지 영역(BRA)을 덮는 쉴드 패턴(SHP)의 높이를 높게 하는 것이 더 바람 직 할 수도 있다. 브릿지 영역(BRA)의 쉴드 패턴(SHP)과 표시영역(DA)의 하부 스페이서(L_SP)의 높이를 서로 다르게 하기 위해서 Half-Tone 마스크를 이용하여 두 영역 중 하나의 영역에 형성되는 쉴드 패턴(SHP) 또는 하부 스페이서(L_SP)를 다른 영역의 쉴드 패턴(SHP) 또는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 높은 높이 또는 더 낮은 높이로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 4A, the shield pattern (SHP) disposed on top of the bridge pattern (BRP) is made of the same material as the lower spacer (L_SP) disposed to correspond to the upper spacer (U_SP) in the display area (DA) during the same process. can be formed. Accordingly, the shield pattern SHP disposed in the bridge area BRA and the lower spacer L_SP disposed in the display area DA may be formed at the same height. However, since the structures formed between the first substrate 110 and the second substrate 115 may be different between the display area DA and the non-display area NDA, the shield pattern disposed in the bridge area BRA ( The lower spacer (L_SP) disposed in the SHP) and display area (DA) may be formed at different heights as needed. For example, the shield pattern (SHP) formed in the bridge area (BRA), that is, the non-display area (NDA), may also affect the cell gap between the first substrate 110 and the second substrate 115. Therefore, the shield pattern (SHP) formed in the upper part of the bridge area (BRA) can be formed at a lower height than the lower spacer (L_SP) formed in the display area (DA). As another example, in terms of protecting the bridge area (BRA), it may be more desirable to increase the height of the shield pattern (SHP) covering the bridge area (BRA). In order to make the height of the shield pattern (SHP) of the bridge area (BRA) and the lower spacer (L_SP) of the display area (DA) different from each other, a shield pattern (SHP) is formed in one of the two areas using a Half-Tone mask. ), or the lower spacer (L_SP) may be formed to have a higher or lower height than the shield pattern (SHP) or lower spacer (L_SP) in other areas.

도 4a에서는 브릿지 영역(BRA)의 브릿지 패턴(BRP)을 덮고 있는 쉴드 패턴(SHP) 모두가 씰런트에 의해 덮혀 있는 것으로 도시되어 있다. 하지만 전술하였듯이, 씰 영역은 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되고 그 이외의 게이트 링크부(G_Link)는 씰 영역과 중첩되어 있지 않을 수 있다. 또한, 씰 영역이 게이트 링크부(G_Link) 전 영역과 중첩되더라도 GIP구동부(GIP-DP)영역의 구비된 일부 브릿지 영역(BRA)은 씰 영역에서 벗어난 곳에 위치해 있을 수 있다. 이렇게 씰 영역과 중첩되어 있지 않은 곳에도 브릿지 영역(BRA)이 구비되어 있을 수 있으며, 씰 영역과 중첩되지 않은 브릿지 영역(BRA) 상에도 쉴드 패턴(SHP)이 구비되어 있을 수 있다.In FIG. 4A, it is shown that the entire shield pattern (SHP) covering the bridge pattern (BRP) of the bridge area (BRA) is covered by the sealant. However, as described above, the seal area may overlap with a portion of the gate link part (G_Link), and other parts of the gate link part (G_Link) may not overlap with the seal area. In addition, even if the seal area overlaps the entire area of the gate link part (G_Link), some bridge areas (BRA) provided in the GIP driving part (GIP-DP) area may be located outside the seal area. A bridge area (BRA) may be provided even in a place that does not overlap with the seal area, and a shield pattern (SHP) may be provided on the bridge area (BRA) that does not overlap the seal area.

도 4a에 도시된 바와 같이 씰런트 하부에 위치한 각 브릿지 영역(BRA)에 쉴드 패턴(SHP)를 국부적으로 형성할 경우, 쉴드 패턴(SHP)의 단차에 의해 씰 영역 주변으로 얼룩이 발생될 수 있다. 씰 영역에서 쉴드 패턴(SHP)에 의한 단차를 감소시키기 위해 하나의 쉴드 패턴(SHP)이 복수의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 배치될 수 있다.As shown in FIG. 4A, when the shield pattern (SHP) is locally formed in each bridge area (BRA) located below the sealant, stains may occur around the seal area due to the step of the shield pattern (SHP). In order to reduce the step caused by the shield pattern (SHP) in the seal area, one shield pattern (SHP) may be arranged to cover a plurality of bridge areas (BRA).

또한, 도 4a를 참조하면, 액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부기판과 하부기판에 각각의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)가 위치할 수 있다. 이 중에 하부 스페이서(L_SP)가 브릿지 영역(BRA)의 브릿지 패턴(BRP)을 덮고 있는 쉴드 패턴(SHP)이 될 수 있다. Additionally, referring to FIG. 4A, the upper spacer (U_SP) and the lower spacer (L_SP) may be positioned on the upper and lower substrates facing each other with the liquid crystal interposed therebetween. Among these, the lower spacer (L_SP) may be a shield pattern (SHP) covering the bridge pattern (BRP) of the bridge area (BRA).

복수의 브릿지 영역(BRA) 각각에는 제1 금속층(M1)이 노출된 제1 컨택트홀(H1) 및 제2 금속층(M2)이 노출된 제2 컨택트홀(H2) 상에 배치되어 제1 컨택트홀(H1) 및 제2 컨택트홀(H2)을 통해 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)을 연결하는 브릿지 패턴(BRP)이 구비될 수 있다. In each of the plurality of bridge areas (BRA), the first contact hole (H1) in which the first metal layer (M1) is exposed and the second contact hole (H2) in which the second metal layer (M2) is exposed are disposed on the first contact hole (H1) A bridge pattern (BRP) may be provided that connects the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) through (H1) and the second contact hole (H2).

하부 스페이서(L_SP)의 일부는 상부 스페이서(U_SP)와 대응되는 위치에 배치되고, 하부 스페이서(L_SP)의 다른 일부는 복수의 브릿지 영역(BRA) 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치될 수 있다.A portion of the lower spacer (L_SP) may be disposed at a position corresponding to the upper spacer (U_SP), and another portion of the lower spacer (L_SP) may be disposed to overlap with at least one bridge area among the plurality of bridge areas (BRA). .

제1 금속층(M1)은 게이트 메탈층이고, 제2 금속층(M2)은 소스/드레인 메탈층이며, 브릿지 전극(BRP)은 ITO로 형성된다. The first metal layer (M1) is a gate metal layer, the second metal layer (M2) is a source/drain metal layer, and the bridge electrode (BRP) is made of ITO.

복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역은 씰 영역 안에 위치한다.At least one bridge area among the plurality of bridge areas is located within the seal area.

하부기판에 구비된 하부 스페이서(L_SP)와 상부기판에 구비된 상부 스페이서(U_SP)는 서로 같은 물질로 구성될 수 있다.The lower spacer (L_SP) provided on the lower substrate and the upper spacer (U_SP) provided on the upper substrate may be made of the same material.

스페이서는 폴리이미드 (polyimide: PI) 또는 포토아크릴 (photo-acryl: PAC)로 구성될 수 있다.The spacer may be composed of polyimide (PI) or photo-acryl (PAC).

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 브릿지 영역(BRA)의 브릿지 패턴(BRP)을 덮고 있는 쉴드 패턴(SHP)은 유기발광 소자를 구비한 복수의 화소가 배치된 유기발광 표시장치에서 복수의 화소 각각을 구분하는 뱅크 패턴이 될 수 있다.In addition, the shield pattern (SHP) covering the bridge pattern (BRP) of the bridge area (BRA) according to an embodiment of the present invention is a plurality of pixels in an organic light emitting display device in which a plurality of pixels with organic light emitting elements are arranged. It can be a bank pattern that distinguishes each.

도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도3에 표시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 부위의 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 4B is a cross-sectional view of a corresponding portion along a line extending from A to A' shown in FIG. 3 according to another embodiment of the present invention.

도 4b는 본 발명에 다른 실시예에 따라, 복수의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 배치된 쉴드 패턴(SP)이 구비된 디스플레이 패널(100)을 계략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4b를 참조하면 신호전송 배선과 연결배선(CL)을 접속시키는 브릿지 패턴(BRP)과 연결배선(CL)과 GIP구동부(GIP-DP)의 신호 입력단(S_In)를 접속시키는 브릿지 패턴(BRP)이 하나의 쉴드 패턴(SHP)에 의해 덮혀 있다. 이와 같이 쉴드 패턴(SHP)를 여러 개의 브릿지 패턴(BRP)을 덮도록 형성함에 따라 씰런트 하부에 배치된 쉴드 패턴(SHP)들에 의한 단차를 감소시킬 수 있다. FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing the display panel 100 provided with a shield pattern (SP) arranged to cover a plurality of bridge areas (BRA) according to another embodiment of the present invention. Referring to Figure 4b, a bridge pattern (BRP) connects the signal transmission wire and the connection wire (CL), and a bridge pattern (BRP) connects the connection wire (CL) and the signal input terminal (S_In) of the GIP driver (GIP-DP). This is covered by a single shield pattern (SHP). In this way, by forming the shield pattern (SHP) to cover several bridge patterns (BRP), the step caused by the shield patterns (SHP) disposed below the sealant can be reduced.

비표시영역(NDA)에 배치된 쉴드 패턴(SHP)은 연결배선(CL)의 양쪽 끝단에 위치한 두 브릿지 패턴(BRP)뿐만 아니라 주변에 다른 브릿지 패턴(BRP)까지도 더 연장되어 두 개 이상의 브릿지 패턴(BRP)들을 덮도록 형성될 수 있다. 쉴드 패턴(SHP)를 형성하는 물질과 씰런트 사이에 접착성에 따라 비표시영역(NDA)의 쉴드 패턴(SHP)은 단일 패턴으로 게이트 링크부(G_Link)의 일부 또는 전면을 덮거나 GIP구동부(GIP-DP)의 일부 또는 전면에 걸쳐 형성될 수 있다. 특히, 쉴드 패턴(SHP)가 ITO로 형성된 브릿지 전극(BRL) 대비 씰런트와 더 좋은 접착성을 가진 물질로 형성될 경우에는 각각의 브릿지 패턴(BRP)을 국부적으로 덮는 쉴드 패턴(SHP)보다 씰 영역에 면적에 비례하여 일정한 면적을 가진 단일패턴의 쉴드 패턴(SHP)를 게이트 링크부(G_Link)와 GIP구동부(GIP-DP)에 걸쳐 배치하는 것이 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착과 브릿지 패턴(BRP)의 보호에 더 유리할 수 있다. 이러한 쉴드 패턴(SHP)을 형성하는 재료로는 포토 아크릴 (Photo Acryl: PAC) 또는 폴리이미드 (Polyimide: PI)가 있다.The shield pattern (SHP) placed in the non-display area (NDA) extends not only to the two bridge patterns (BRP) located at both ends of the connection wire (CL), but also to other bridge patterns (BRP) around it, creating two or more bridge patterns. (BRP) can be formed to cover them. Depending on the adhesion between the material forming the shield pattern (SHP) and the sealant, the shield pattern (SHP) in the non-display area (NDA) covers part or the entire gate link part (G_Link) in a single pattern, or covers the GIP driver part (GIP). -DP) may be formed over part or the entire area. In particular, when the shield pattern (SHP) is formed of a material that has better adhesive properties with the sealant compared to the bridge electrode (BRL) formed of ITO, the sealant pattern (SHP) that locally covers each bridge pattern (BRP) A single pattern shield pattern (SHP) with a constant area in proportion to the area is disposed across the gate link part (G_Link) and the GIP driver part (GIP-DP) to form the first substrate 110 and the second substrate 115. ) may be more advantageous for cementation and protection of the bridge pattern (BRP). Materials that form this shield pattern (SHP) include Photo Acryl (PAC) or Polyimide (PI).

도면을 참조하여 설명한 본 발명의 실시예들에서는 씰 영역 (Seal area)과 비표시영역(NDA)에 배치된 게이트링크부(G_Link), 연결배선 및 GIP구동부(GIP-DP) 등이 중첩된 영역에서, 씰런트가 기존 구조에 비해 더욱 향상된 접착력을 가질 수 있도록 함으로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량의 발생을 감소시킬 뿐만 아니라 동시에 디스플레이 장치의 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있다.In the embodiments of the present invention described with reference to the drawings, the gate link part (G_Link), connection wiring, and GIP driving part (GIP-DP) arranged in the seal area and non-display area (NDA) overlap. By allowing the sealant to have more improved adhesion compared to the existing structure, it not only reduces the occurrence of bonding defects between the first substrate 110 and the second substrate 115, but also reduces the bezel width of the display device below a certain level. It can be reduced to

또한, 씰 영역과 비표시영역(NDA)이 중첩된 영역에서 씰런트 하부의 브릿지 패턴(BRP)의 파손에 따른 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)의 전식/부식 발생을 억제함에 따라 더욱 강건한 디스플레이 패널(100)을 제공할 수 있다. In addition, in the area where the seal area and the non-display area (NDA) overlap, corrosion/corrosion of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) due to damage to the bridge pattern (BRP) at the bottom of the sealant is suppressed. Accordingly, a more robust display panel 100 can be provided.

더 나아가서 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰 영역 (Seal area)과 브릿지 영역(BRA)의 회피 설계 및 별도의 공정 프로세스나 새로운 마스크의 추가 없이 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량 및 배선들의 전식/부식의 발생을 저감시킬 수 있기 때문에 설계적/공정적 자유도가 높은 디스플레이 패널(100)을 만들 수 있다. Furthermore, in reducing the bezel width of the display device, the first substrate 110 and the second substrate 115 are designed to avoid the seal area and bridge area (BRA) and without adding a separate process or new mask. ), and the occurrence of corrosion/corrosion of wiring can be reduced, making it possible to manufacture the display panel 100 with a high degree of design/process freedom.

본 발명의 표시장치는 표시영역과 비표시영역으로 구분되는 하부기판, 하부기판에 대응하며, 블랙매트리스(BM)를 구비하는 상부기판, 비표시영역상에 위치하며, 표시영역의 일측에서 멀어지는 방향으로 GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, GIP 구동부와 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역(Seal area)을 포함하는 베젤(Bezel), 비표시영역상에 위치하며, GIP 구동부와 연결 배선 및 연결배선과 복수의 신호전송 배선들을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 브릿지(Bridge) 패턴, 및 복수의 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함하며, 복수의 쉴드(Shield) 패턴은 씰런트(Sealant)와 복수의 브릿지 패턴이 직접적으로 접촉하는 면적을 최소화 한다.The display device of the present invention has a lower substrate divided into a display area and a non-display area, corresponding to the lower substrate, and an upper substrate including a black mattress (BM), located on the non-display area and in a direction away from one side of the display area. A bezel including a GIP driving unit, a plurality of signal transmission wires, a seal area equipped with a connection wire and sealant connecting the GIP driving unit and a plurality of signal transmission wires, and a non-display area. Located in the GIP driver and connection wiring, a plurality of bridge patterns that electrically connect the connection wiring and a plurality of signal transmission wires, and a plurality of shield patterns surrounding each of the plurality of bridge patterns. In addition, the multiple shield patterns minimize the area where the sealant and the multiple bridge patterns are in direct contact.

씰 영역에서, 씰런트는 하부기판과 상부기판을 합착할 수 있다.In the seal area, the sealant can bond the lower substrate and upper substrate.

씰런트는 신호전송배선과 국부적으로 중첩하게 배치되어, 베젤(Bezel)의 면적을 최소화할 수 있다.The sealant is placed to locally overlap with the signal transmission wiring, thereby minimizing the bezel area.

GIP 구동부는 게이트 전극, 액티브 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하며, 박막 트랜지스터는 복수의 신호전송배선에 의해 인가되는 게이트 구동 신호가 표시영역에 위치하는 복수의 게이트 배선에 순차적으로 출력되도록 구성될 수 있다.The GIP driver includes a plurality of thin film transistors (TFTs) including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode, and the thin film transistors have a plurality of gate driving signals applied by a plurality of signal transmission wires located in the display area. It can be configured to be output sequentially to the gate wiring of .

복수의 신호전송배선 중 어느 하나 배선은 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다.One of the plurality of signal transmission wires may be made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor.

복수의 연결배선 중 어느 하나 배선은 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다.One of the plurality of connection wires may be made of the same material as the source electrode or drain electrode of the thin film transistor.

복수의 브릿지 패턴은 게이트 전극과 동일 물질로 구성된 복수의 신호전송배선의 어느 하나 배선과 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질로 구성된 복수의 연결배선의 어느 하나 배선이 연결되도록 배치될 수 있다.The plurality of bridge patterns may be arranged so that one of a plurality of signal transmission wires made of the same material as the gate electrode is connected to one of a plurality of connection wires made of the same material as the source electrode or the drain electrode.

브릿지 패턴의 양단은 신호전송배선과 연결배선이 연결되도록 제1 컨택영역을 구비할 수 있다.Both ends of the bridge pattern may be provided with a first contact area to connect signal transmission wires and connection wires.

제1 컨택영역의 일부가 씰 영역 안에 배치될 수 있다.A portion of the first contact area may be disposed within the seal area.

브릿지 패턴은 ITO(Indium Tin Oxide)로 구성될 수 있다.The bridge pattern may be made of ITO (Indium Tin Oxide).

쉴드 패턴은 제1 컨택영역을 덮도록 배치될 수 있다.The shield pattern may be arranged to cover the first contact area.

쉴드 패턴과 씰런트의 접착력이 씰런트와 브릿지 패턴 사이의 접착력보다 클 수 있다.The adhesion between the shield pattern and the sealant may be greater than the adhesion between the sealant and the bridge pattern.

복수의 쉴드 패턴은 폴리이미드 (polyimide: PI) 또는 포토아크릴 (photo-acryl: PAC)로 구성될 수 있다.The plurality of shield patterns may be made of polyimide (PI) or photo-acryl (PAC).

브릿지 패턴은 복수의 연결배선 중의 어느 하나 배선과 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 연결 시킬 수 있다.The bridge pattern can connect any one of a plurality of connection wires to the gate electrode of the thin film transistor.

브릿지 패턴의 양단은 신호 전송배선과 박막 트랜지스터가 연결되도록 제2 컨택영역을 구비할 수 있다.Both ends of the bridge pattern may be provided with a second contact area to connect the signal transmission wire and the thin film transistor.

제2 컨택영역의 일부가 씰 영역 안에 배치될 수 있다.A portion of the second contact area may be disposed within the seal area.

비표시영역에 위치하며, 외부로부터 입력된 데이터 신호를 표시영역의 데이터 라인으로 전송하는 복수의 데이터 신호 전송배선을 더 포함할 수 있다.It is located in the non-display area and may further include a plurality of data signal transmission wires that transmit data signals input from the outside to data lines in the display area.

복수의 데이터 신호 전송배선 중 어느 하나는 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질로 구성될 수 있다.One of the plurality of data signal transmission wires may be made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor.

게이트 전극과 동일 물질로 구성된 복수의 데이터 신호 전송배선의 어느 하나는 브릿지 패턴을 통해 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. Any one of the plurality of data signal transmission wires made of the same material as the gate electrode may be electrically connected to the data line through a bridge pattern.

브릿지 패턴의 양단에는 데이터 신호전송라인과 데이터 라인 각각과 컨택하는 제3 컨택영역이 구비될 수 있다.A third contact area may be provided at both ends of the bridge pattern to contact each of the data signal transmission line and the data line.

본 발명의 액정표시장치는 액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부기판과 하부기판, 상부기판에 구비된 복수의 상부 스페이서, 하부기판에 구비된 복수의 하부 스페이서, 복수의 외부신호배선이 배치된 게이트 링크부, 쉬프트레지스터가 구비된 GIP 구동부, 복수의 외부신호배선과 GIP 구동부를 전기적으로 연결하는 복수의 브릿지 영역, 게이트 링크부와 GIP 구동부의 일부와 중첩되는 씰 영역에 구비된 씰런트, 및 복수의 브릿지 영역 각각에는 제1 금속층이 노출된 제1 컨택트홀 및 제2 금속층이 노출된 제2 컨택트홀 상에 배치되어 제1 컨택트홀 및 제2 컨택트홀을 통해 제1 금속층과 제2 금속층을 연결하는 브릿지 전극을 포함하며, 복수의 하부 스페이서의 일부는 상부 스페이서와 대응되는 위치에 배치되고, 복수의 하부 스페이서의 다른 일부는 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치된다.The liquid crystal display device of the present invention includes an upper substrate and a lower substrate arranged to face each other with liquid crystal interposed, a plurality of upper spacers provided on the upper substrate, a plurality of lower spacers provided on the lower substrate, and a plurality of external signal wires. A gate link unit, a GIP driver equipped with a shift register, a plurality of bridge areas electrically connecting a plurality of external signal wires and the GIP driver, a sealant provided in the seal area overlapping with a portion of the gate link unit and the GIP driver, and Each of the plurality of bridge regions is disposed on a first contact hole where the first metal layer is exposed and a second contact hole where the second metal layer is exposed, so that the first metal layer and the second metal layer are connected through the first contact hole and the second contact hole. It includes a connecting bridge electrode, where a portion of the plurality of lower spacers is disposed at a position corresponding to the upper spacer, and another portion of the plurality of lower spacers is disposed to overlap with at least one bridge region among the plurality of bridge regions.

씰 영역은 게이트 링크부 또는 GIP 구동부와 적어도 일부가 중첩될 수 있다.The seal area may at least partially overlap the gate link unit or the GIP driver unit.

제1 금속층은 게이트 메탈층이고, 제2 금속층은 소스/드레인 메탈층이며, 브릿지 전극은 ITO로 형성될 수 있다.The first metal layer is a gate metal layer, the second metal layer is a source/drain metal layer, and the bridge electrode may be formed of ITO.

복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역은 씰 영역 안에 위치할 수 있다.At least one bridge area among the plurality of bridge areas may be located within the seal area.

하부기판에 구비된 하부 스페이서와 상부기판에 구비된 상부 스페이서는 서로 같은 물질로 구성될 수 있다.The lower spacer provided on the lower substrate and the upper spacer provided on the upper substrate may be made of the same material.

하부기판에 구비된 하부 스페이서와 상부기판에 구비된 상부 스페이서는 서로 다른 물질로 구성되며, 하부기판에 구비된 스페이서는 폴리이미드 (polyimide: PI) 또는 포토아크릴 (photo-acryl: PAC)로 구성될 수 있다.The lower spacer provided on the lower substrate and the upper spacer provided on the upper substrate are made of different materials, and the spacer provided on the lower substrate may be made of polyimide (PI) or photo-acryl (PAC). You can.

본 발명의 유기발광표시장치는 유기발광 소자를 구비한 복수의 화소가 배치된 표시영역과 비표시영역을 포함하는 기판, 비표시영역상에 위치하며, 표시영역의 일측에서 멀어지는 방향으로 GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, GIP 구동부와 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역을 포함하는 베젤(Bezel), 비표시영역상에 위치하며, GIP 구동부와 연결 배선 및 연결배선과 복수의 신호전송 배선들을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 브릿지(Bridge) 패턴, 및 복수의 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함한다.The organic light emitting display device of the present invention includes a substrate including a display area and a non-display area on which a plurality of pixels equipped with organic light emitting elements are arranged, located on the non-display area, and a GIP driver in a direction away from one side of the display area. Bezel including a seal area equipped with multiple signal transmission wires, connection wires connecting the GIP driver and multiple signal transmission wires, and sealant, located on the non-display area and connected to the GIP driver. It includes a plurality of bridge patterns that electrically connect the wiring and connection wiring and a plurality of signal transmission wires, and a plurality of shield patterns surrounding each of the plurality of bridge patterns.

표시영역에서, 복수의 화소 영역 각각을 구분하는 뱅크 패턴을 더 포함할 수 있다.The display area may further include a bank pattern that separates each of the plurality of pixel areas.

쉴드 패턴은 뱅크 패턴과 동일 물질로 구성될 수 있다.The shield pattern may be made of the same material as the bank pattern.

쉴드패턴은 복수의 신호전송 배선, 연결배선 및 GIP 구동부 각각 일부를 덮도록 구성될 수 있다.The shield pattern may be configured to cover a portion of each of the plurality of signal transmission wires, connection wires, and the GIP driver.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

10: 디스플레이 장치 100: 디스플레이 패널
110: 제1 기판 115: 제2 기판
121: 게이트 절연막 122: 평탄화층
123: 절연층 130: 박막 트랜지스터
131: 게이트 전극 132: 액티브층
133: 제2 전극 134: 제1 전극
140: 공통전극 150: 화소전극
BM: 블랙 매트릭스 OC: 오버코트층
U_SP: 상부 스페이서 L_SP: 하부 스페이서
G_Link: 게이트 링크부 GIP-DP: GIP 구동부
D_LL: 데이터 링크배선 CL: 연결배선
DA: 표시영역 NDA: 비표시영역
BRA: 브릿지 영역 BRP: 브릿지 패턴
G_Pad: 게이트 패드부 D_Pad: 데이터 패드부
S_In: 신호입력단 CF1-CF3: 컬러필터
M1: 제1 도전층 M2: 제2 도전층
SHP: 쉴드 패턴 H1, H2, H3, H4: 제1, 제2, 제3, 제4 컨택홀
10: display device 100: display panel
110: first substrate 115: second substrate
121: gate insulating film 122: planarization layer
123: Insulating layer 130: Thin film transistor
131: gate electrode 132: active layer
133: second electrode 134: first electrode
140: common electrode 150: pixel electrode
BM: Black matrix OC: Overcoat layer
U_SP: Upper spacer L_SP: Lower spacer
G_Link: Gate link part GIP-DP: GIP driving part
D_LL: Data link wiring CL: Connection wiring
DA: Display area NDA: Non-display area
BRA: Bridge area BRP: Bridge pattern
G_Pad: Gate pad part D_Pad: Data pad part
S_In: Signal input terminal CF1-CF3: Color filter
M1: first conductive layer M2: second conductive layer
SHP: Shield pattern H1, H2, H3, H4: 1st, 2nd, 3rd, 4th contact holes

Claims (30)

표시영역과 비표시영역으로 구분되는 하부기판;
상기 하부기판에 대응하는 상부기판;
상기 비표시영역 상에 위치하며, GIP 구동부, 복수의 신호전송 배선, 상기 GIP 구동부와 상기 복수의 신호전송 배선을 연결하는 연결배선 및 씰런트(Sealant)를 구비한 씰 영역(Seal area)을 포함하는 베젤(Bezel);
상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에서 상기 하부기판 상에 배치된 복수의 하부 스페이서;
상기 비표시영역 상에 위치하며, 상기 GIP 구동부와 상기 연결배선 및 상기 연결배선과 상기 복수의 신호전송 배선을 각각 전기적으로 연결시키는 복수의 제1 브릿지(Bridge) 패턴; 및
상기 하부 스페이서와 동일 층에 배치되며, 상기 복수의 제1 브릿지 패턴 각각을 둘러싸는 복수의 쉴드(Shield) 패턴을 포함하며,
상기 복수의 쉴드(Shield) 패턴은 상기 씰런트(Sealant)와 상기 복수의 제1 브릿지 패턴이 직접적으로 접촉하는 면적을 최소화하는, 표시장치.
A lower substrate divided into a display area and a non-display area;
an upper substrate corresponding to the lower substrate;
Located on the non-display area, it includes a GIP driver, a plurality of signal transmission wires, a seal area equipped with a connection wire and sealant connecting the GIP driver and the plurality of signal transmission wires. Bezel;
a plurality of lower spacers disposed on the lower substrate between the lower substrate and the upper substrate;
A plurality of first bridge patterns located on the non-display area and electrically connecting the GIP driver and the connection wire, and the connection wire and the plurality of signal transmission wires, respectively; and
It is disposed on the same layer as the lower spacer and includes a plurality of shield patterns surrounding each of the plurality of first bridge patterns,
The display device wherein the plurality of shield patterns minimize the area where the sealant and the plurality of first bridge patterns are in direct contact.
제1 항에 있어서,
상기 씰 영역에서, 상기 씰런트는 상기 하부기판과 상기 상부기판을 합착하며,
상기 씰런트는 상기 신호전송 배선과 국부적으로 중첩하게 배치되어, 상기 베젤의 면적을 최소화 하는, 표시장치.
According to claim 1,
In the seal area, the sealant bonds the lower substrate and the upper substrate,
The sealant is disposed to locally overlap the signal transmission wire, thereby minimizing the area of the bezel.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 GIP 구동부는, 게이트 전극, 액티브 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 복수의 신호전송 배선에 의해 인가되는 게이트 구동 신호가 상기 표시영역에 위치하는 복수의 게이트 라인에 순차적으로 출력되도록 구성된, 표시장치.
According to claim 1,
The GIP driver includes a plurality of thin film transistors (TFTs) including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode, and the thin film transistor is configured to transmit a gate driving signal applied by the plurality of signal transmission wires to the display. A display device configured to sequentially output output to a plurality of gate lines located in an area.
제4 항에 있어서,
상기 복수의 신호전송 배선 중 어느 하나의 신호전송 배선은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질로 구성되며,
상기 복수의 연결배선 중 어느 하나의 연결배선은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질로 구성되는, 표시장치.
According to clause 4,
One signal transmission wire among the plurality of signal transmission wires is made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor,
A display device, wherein any one of the plurality of connection wires is made of the same material as the source electrode or drain electrode of the thin film transistor.
삭제delete 제5 항에 있어서,
상기 복수의 제1 브릿지 패턴은, 상기 게이트 전극과 동일 물질로 구성된 상기 어느 하나의 신호전송 배선과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 동일 물질로 구성된 상기 어느 하나의 연결배선이 연결되도록 배치된, 표시장치.
According to clause 5,
The plurality of first bridge patterns are arranged so that one of the signal transmission wires made of the same material as the gate electrode and the one connection wire made of the same material as the source electrode or the drain electrode are connected. Device.
제4 항에 있어서,
상기 제1 브릿지 패턴의 양단은 상기 신호전송 배선과 상기 연결배선이 연결되도록 제1 컨택영역을 구비하며,
상기 제1 컨택영역의 일부는 상기 씰 영역 안에 배치되는, 표시장치.
According to clause 4,
Both ends of the first bridge pattern are provided with a first contact area to connect the signal transmission wire and the connection wire,
A portion of the first contact area is disposed within the seal area.
삭제delete 삭제delete 제8 항에 있어서,
상기 쉴드 패턴은 상기 제1 컨택영역을 덮도록 배치되는, 표시장치.
According to clause 8,
The shield pattern is arranged to cover the first contact area.
제1 항에 있어서,
상기 쉴드 패턴과 상기 씰런트의 접착력이 상기 씰런트와 상기 제1 브릿지 패턴 사이의 접착력보다 큰, 표시장치.
According to claim 1,
A display device wherein an adhesive force between the shield pattern and the sealant is greater than an adhesive force between the sealant and the first bridge pattern.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 쉴드 패턴은 폴리이미드 (polyimide: PI) 또는 포토아크릴 (photo-acryl: PAC)로 구성된, 표시장치.
According to claim 1,
A display device wherein the plurality of shield patterns are made of polyimide (PI) or photo-acryl (PAC).
제4 항에 있어서,
상기 제1 브릿지 패턴은 상기 복수의 연결배선 중의 어느 하나의 연결배선과 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 연결 시키는, 표시장치.
According to clause 4,
The first bridge pattern connects one of the plurality of connection wires to a gate electrode of the thin film transistor.
제14 항에 있어서,
상기 제1 브릿지 패턴의 양단은 상기 신호전송 배선과 상기 박막 트랜지스터가 연결되도록 제2 컨택영역을 구비하며,
상기 제2 컨택영역의 일부는 상기 씰 영역 안에 배치되는, 표시장치.
According to claim 14,
Both ends of the first bridge pattern are provided with second contact areas to connect the signal transmission wire and the thin film transistor,
A portion of the second contact area is disposed within the seal area.
삭제delete 제4 항에 있어서,
상기 비표시영역에 위치하며, 외부로부터 입력된 데이터 신호를 상기 표시영역의 데이터 라인으로 전송하는 복수의 데이터 신호전송 배선을 더 포함하며,
상기 복수의 데이터 신호전송 배선 중 어느 하나의 데이터 신호전송 배선은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질로 구성되는, 표시장치.
According to clause 4,
Located in the non-display area, it further includes a plurality of data signal transmission wires that transmit data signals input from the outside to data lines in the display area,
A display device, wherein one of the plurality of data signal transmission wires is made of the same material as a gate electrode of the thin film transistor.
삭제delete 제17 항에 있어서,
상기 어느 하나의 데이터 신호전송 배선은 제2 브릿지 패턴을 통해 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는, 표시장치.
According to claim 17,
A display device, wherein the one data signal transmission wire is electrically connected to the data line through a second bridge pattern.
제1 항에 있어서,
상기 쉴드 패턴과 상기 하부 스페이서는 서로 다른 높이를 가지는, 표시장치.
According to claim 1,
The shield pattern and the lower spacer have different heights.
액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부기판과 하부기판;
상기 상부기판에 구비된 복수의 상부 스페이서;
상기 하부기판에 구비된 복수의 하부 스페이서;
복수의 외부신호배선이 배치된 게이트 링크부;
쉬프트레지스터가 구비된 GIP 구동부;
복수의 브릿지 영역에 위치하며, 상기 복수의 외부신호배선과 상기 GIP 구동부를 전기적으로 연결하는 브릿지 전극; 및
상기 게이트 링크부와 상기 GIP 구동부의 일부와 중첩되는 씰 영역에 구비된 씰런트를 포함하며,
상기 브릿지 전극은 제1 금속층이 노출된 제1 컨택트홀 및 제2 금속층이 노출된 제2 컨택트홀 상에 배치되어 상기 제1 컨택트홀 및 상기 제2 컨택트홀을 통해 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층을 연결하며,
상기 복수의 하부 스페이서의 일부는 상기 상부 스페이서와 대응되는 위치에 배치되고, 상기 복수의 하부 스페이서의 다른 일부는 상기 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치되는, 액정표시장치.
An upper substrate and a lower substrate disposed facing each other with liquid crystal interposed therebetween;
a plurality of upper spacers provided on the upper substrate;
a plurality of lower spacers provided on the lower substrate;
A gate link unit in which a plurality of external signal wires are arranged;
GIP driving unit equipped with a shift register;
Bridge electrodes located in a plurality of bridge areas and electrically connecting the plurality of external signal wires and the GIP driver; and
It includes a sealant provided in a seal area overlapping with a portion of the gate link portion and the GIP driving portion,
The bridge electrode is disposed on the first contact hole where the first metal layer is exposed and the second contact hole where the second metal layer is exposed, and connects the first metal layer and the second contact hole through the first contact hole and the second contact hole. Connects the metal layers,
A portion of the plurality of lower spacers is disposed at a position corresponding to the upper spacer, and another portion of the plurality of lower spacers is disposed to overlap at least one bridge region among the plurality of bridge regions.
제21 항에 있어서,
상기 씰 영역은 상기 게이트 링크부 또는 상기 GIP 구동부와 적어도 일부가 중첩된, 액정표시장치.
According to claim 21,
The seal area is at least partially overlapped with the gate link unit or the GIP driver unit.
제21 항에 있어서,
상기 제1 금속층은 게이트 메탈층이고, 상기 제2 금속층은 소스/드레인 메탈층이며, 상기 브릿지 전극은 ITO로 형성된, 액정표시장치.
According to claim 21,
The first metal layer is a gate metal layer, the second metal layer is a source/drain metal layer, and the bridge electrode is formed of ITO.
제21 항에 있어서,
상기 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역은 상기 씰 영역 안에 위치한, 액정표시장치.
According to claim 21,
At least one bridge area among the plurality of bridge areas is located within the seal area.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 표시영역은 유기발광 소자를 구비한 복수의 화소가 배치되며,
상기 표시영역에서, 상기 복수의 화소 각각을 구분하는 뱅크 패턴을 더 포함하며,
상기 쉴드 패턴은 상기 뱅크 패턴과 동일 물질로 구성되는, 표시장치.
According to claim 1,
In the display area, a plurality of pixels equipped with organic light-emitting elements are arranged,
In the display area, further comprising a bank pattern that distinguishes each of the plurality of pixels,
The display device wherein the shield pattern is made of the same material as the bank pattern.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 쉴드 패턴은 상기 복수의 신호전송 배선, 상기 연결배선 및 상기 GIP 구동부 각각 일부를 덮도록 구성된, 표시장치.
According to claim 1,
The shield pattern is configured to cover a portion of each of the plurality of signal transmission wires, the connection wires, and the GIP driver.
KR1020160059666A 2015-05-31 2016-05-16 Narrow bezel display device KR102596850B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/167,369 US10114258B2 (en) 2015-05-31 2016-05-27 Narrow bezel display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150076972 2015-05-31
KR20150076972 2015-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160141368A KR20160141368A (en) 2016-12-08
KR102596850B1 true KR102596850B1 (en) 2023-11-01

Family

ID=57577117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160059666A KR102596850B1 (en) 2015-05-31 2016-05-16 Narrow bezel display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102596850B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102469224B1 (en) * 2017-09-15 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 Display device
KR102477605B1 (en) * 2018-01-23 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and method of manufacturing the same
CN113359359B (en) * 2021-04-20 2023-08-25 绵阳惠科光电科技有限公司 Display panel and display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050023967A (en) * 2003-09-04 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid Crystal Display Panel
KR101433109B1 (en) * 2007-10-16 2014-08-26 엘지디스플레이 주식회사 An Array Substrate of Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof
KR101248901B1 (en) * 2008-06-02 2013-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device And Method of Fabricating The Same
KR101463650B1 (en) * 2011-08-30 2014-11-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device
KR101818471B1 (en) * 2011-10-28 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode device and mehtod for fabricating the same
KR101932993B1 (en) * 2012-04-16 2018-12-27 엘지디스플레이 주식회사 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160141368A (en) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10114258B2 (en) Narrow bezel display device
CN110007808B (en) Electroluminescent display including touch sensor
US10481717B2 (en) Display device
JP6510609B2 (en) Flat panel display with front and back of substrate connected through through holes
KR102468366B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device
CN106886104B (en) Liquid crystal display device having a plurality of pixel electrodes
KR102204976B1 (en) Display apparatus and fabrication method thereof
KR102457067B1 (en) Narrow bezel display device
JP2008070873A (en) Flat panel display device
US9897846B2 (en) Liquid crystal display device
CN103383512A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20190044716A (en) Display device
KR102308663B1 (en) Display device and display panel
KR101650197B1 (en) Liquid Crystal Display Device and Manufacturing Method thereof
KR20190047565A (en) Display device
KR102596850B1 (en) Narrow bezel display device
JP2008064961A (en) Wiring structure, and display device
CN112786657A (en) Transparent display panel and transparent display device comprising same
TWI438527B (en) Display panel
KR20210084913A (en) Organic light emitting display device
KR102050384B1 (en) Flat Display Panel Having Narrow Bezel
CN112640578A (en) Display device and method for manufacturing display device
KR101667055B1 (en) Display Device And Manufacturing Method Of The Same
CN115835691A (en) Substrate, display panel and display device comprising same
CN111886643A (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right