KR102469224B1 - Display device - Google Patents

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KR102469224B1
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하종무
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 장치는 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 이형 코너를 제외한 영역에 위치한다. 이에, 표시 장치의 베젤의 크기를 최소화할 수 있고, 표시 장치의 휘도 균일성을 개선할 수 있다.The present invention relates to a display device, and the display device according to the present invention includes: a substrate including a display area having deformed corners and a non-display area adjacent to the display area; a plurality of pixels in the display area, each including a transistor; A gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, and a plurality of gate wires disposed on at least one side of the display area. and a plurality of power supply wires branched off from the power supply wires and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver is located in an area excluding the deformed corner. Accordingly, the size of the bezel of the display device can be minimized and luminance uniformity of the display device can be improved.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도 균일도가 개선되며 코너 부분의 베젤의 폭이 최소화된 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device in which luminance uniformity is improved and the width of a bezel at a corner portion is minimized.

현재 다양한 표시 장치들이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device; FED), 전기 영동 표시 장치(electro phoretic display device; EPD), 전기 습윤 표시 장치(electro-wetting display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device; OLED), 양자점 표시 장치(quantum dot display device; QD) 등의 표시 장치가 있다.Currently, various display devices are being developed and marketed. For example, a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electrophoretic display device (EPD), an electro-wetting display device There are display devices such as a display device (EWD), an organic light emitting display device (OLED), and a quantum dot display device (QD).

표시 장치는 복수의 화소가 배치되어 영상이 구현되는 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸며 영상이 구현되지 않는 비표시영역을 포함한다. 이때, 표시 영역에는 복수의 화소가 정의될 수 있다. 또한, 비표시 영역에는 복수의 화소에 다양한 신호를 전달하기 위한 배선 및 회로가 배치된다. The display device includes a display area where a plurality of pixels are arranged to display an image and a non-display area surrounding the display area and not displaying an image. In this case, a plurality of pixels may be defined in the display area. Also, wires and circuits for transmitting various signals to a plurality of pixels are disposed in the non-display area.

이러한 표시 장치를 구현하기 위한 기술이 발전하면서 많은 제품들이 양산됨에 따라, 표시 장치는 소비자가 원하는 디자인을 구현하기 위한 기술 위주로 발전하고 있다. 그 중 한가지는 영상이 구현되는 표시 영역의 형태의 다양화이다. 구체적으로, 표시 영역은 사각형의 형태에서 벗어나 다양한 형태가 요구되고 있다. 예를 들어, 웨어러블(wearable) 표시 장치와 같이 다양한 목적을 가진 표시 장치의 표시 영역의 형태를 다변화 시킴으로써 제품 디자인의 유연성을 확보하기 위한 노력이 필요하다. 또한, 표시 영역의 형태를 다양화함에 따라 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역의 형태 및 비표시 영역에 배치되는 배선 등에 대한 설계 변경도 필요하다.As technology for realizing such a display device develops and many products are mass-produced, display devices are being developed with a focus on technology for realizing a design desired by consumers. One of them is the diversification of the form of a display area in which an image is implemented. Specifically, the display area is required to have various shapes beyond the rectangular shape. For example, efforts are needed to secure flexibility in product design by diversifying the shape of a display area of a display device having various purposes, such as a wearable display device. In addition, as the shape of the display area diversifies, it is also necessary to change the design of the shape of the non-display area surrounding the display area and wires arranged in the non-display area.

본 발명의 발명자들은 소비자들의 다양한 디자인 변화의 요구에 따라 이형 코너를 갖는 표시 영역을 갖는 표시 장치를 개발하였다. 이형 코너는 직사각형의 형상을 갖는 코너가 아닌, 라운드 코너 등 다양한 형태의 코너를 의미한다. 그리고, 표시 영역이 이형 코너를 가짐으로써, 이형 코너와 대응하는 비표시 영역의 코너도 이형 코너와 대응되는 형상을 갖게 하는 것도 발명되었다. 다만, 표시 영역의 양측에 위치하는 게이트 구동부에 의하여 비표시 영역의 면적을 줄이는데 한계가 있음을 인식하였다.The inventors of the present invention developed a display device having a display area with deformed corners according to various design changes of consumers. The deformed corner means a corner of various shapes such as a round corner, not a corner having a rectangular shape. Also, it has been invented that the display area has a molded corner, so that the corner of the non-display area corresponding to the molded corner also has a shape corresponding to the molded corner. However, it was recognized that there is a limit to reducing the area of the non-display area by the gate driver positioned on both sides of the display area.

그리고, 본 발명의 발명자들은 복수의 화소에 전원 전압을 균일하게 공급하는 것이 중요하다는 것을 인식하였다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 표시 영역의 코너를 이형 코너로 구현하는 경우, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치되는 도전층에 비하여 배치되어야 하는 배선의 수가 많아지므로, 전원 전압을 공급하기 위한 수평 배선을 이형 코너까지 배치하기 못어렵다는 것을 인식하였다.And, the inventors of the present invention recognized that it is important to uniformly supply a power supply voltage to a plurality of pixels. However, when the inventors of the present invention implement the corner of the display area as a molded corner, since the number of wires to be disposed is greater than that of the conductive layer disposed in the non-display area corresponding to the molded corner, the horizontal line for supplying the power voltage It was recognized that it was difficult to route the wiring to the deformed corner.

이에, 본 발명의 발명자들은, 이형 코너를 갖는 표시 영역에 대응하는 비표시 영역에 대한 배선 및 게이트 구동부에 대한 설계를 변경함으로써, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역의 폭을 최소화함과 동시에 복수의 화소에 전원 전압을 균일하게 공급할 수 있는 새로운 구조의 표시 장치를 개발하였다.Accordingly, the inventors of the present invention minimize the width of the non-display area corresponding to the deformed corner and simultaneously change the design of the gate driver and the wiring for the non-display area corresponding to the display area having the deformed corner. A display device with a new structure capable of uniformly supplying power voltage to pixels has been developed.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이형 코너에 대응하지 않는 비표시 영역에 게이트 구동부를 배치하여 이형 코너 영역의 베젤 넓이가 감소된 표시 장치를 제공하는 것이다.An object to be solved by the present invention is to provide a display device in which the width of a bezel in a deformed corner area is reduced by arranging a gate driver in a non-display area that does not correspond to the deformed corner.

그리고, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치된 데이터 배선과 게이트 배선이 서로 교차하지 않도록 컨택홀의 위치가 배치된 표시 장치를 제공하는 것이다.Further, an object to be solved by the present invention is to provide a display device in which contact holes are disposed so that data wires and gate wires disposed in the non-display area corresponding to the deformed corner do not cross each other.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 이형 코너를 제외한 영역에 위치한다. 이에, 게이트 구동부의 위치를 변경하여 표시 장치의 베젤의 크기를 최소화할 수 있고, 복수의 화소에 고전위 전원 전압을 공급할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having a shaped corner and a non-display area adjacent to the display area, a plurality of pixels in the display area and each including a transistor, and a plurality of pixels in the non-display area. , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, a plurality of gate wires in a non-display area, and extending in the same direction as the plurality of gate wires. A power supply wire and a plurality of power supply wires branched off from the power supply wire and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver is located in an area other than the deformed corner. Accordingly, the size of the bezel of the display device may be minimized by changing the location of the gate driver, and a high-potential power supply voltage may be supplied to a plurality of pixels.

그리고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 복수의 게이트 배선에 게이트 신호를 공급하는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 중 일부는 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 복수의 게이트 배선 중 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선에 게이트 신호를 공급한다. 이에, 이형 코너에 배치된 화소 각각에 안정적인 게이트 신호가 공급될 수 있다.In addition, a display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having a shaped corner and a non-display area adjacent to the display area, a plurality of pixels in the display area, each including a transistor, and a non-display area. , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver and supplying gate signals to a plurality of pixels, located in the non-display area and in the same direction as the plurality of gate wires. It includes an extended power supply wiring and a plurality of power supply wirings branched from the power supply wirings and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver includes a plurality of stages supplying gate signals to the plurality of gate wirings. Including, some of the plurality of stages are disposed to correspond to the molded corner, and a gate signal is supplied to a gate wire disposed in a region corresponding to the molded corner among the plurality of gate wires. Accordingly, a stable gate signal may be supplied to each of the pixels disposed at the molded corner.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖고, 트랜지스터가 구비된 복수의 화소가 정의된 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 양 측에서 이형 코너에 대응하는 비표시 영역의 면적을 최소화하도록 이형 코너를 제외한 영역에 형성된 게이트 구동부, 비표시 영역에 있는 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선과 일체로 이루어진 복수의 전원 배선을 포함하고, 전원 공급 배선은 복수의 화소에 전원 전압을 공급하도록 표시 영역 전체에 대응된 영역에 형성된다. 이에, 표시 장치에 정의된 복수의 화소 모두에 전원 전압을 공급하여, 표시 장치의 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 비표시 영역의 넓이를 줄일 수 있다.In addition, a display device according to another embodiment of the present invention has a substrate having a shape corner and including a display area in which a plurality of pixels provided with transistors are defined and a non-display area adjacent to the display area, on both sides of the display area. A gate driver formed in an area other than the deformed corner to minimize the area of the non-display area corresponding to the deformed corner, a power supply wire in the non-display area, and a plurality of power supply wires integrally formed with the power supply wire, the power supply wire is formed in an area corresponding to the entire display area to supply a power supply voltage to a plurality of pixels. Accordingly, the uniformity of luminance of the display device may be improved by supplying the power supply voltage to all of the plurality of pixels defined in the display device. Also, the width of the non-display area may be reduced.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other embodiment specifics are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 게이트 구동부를 배치하지 않음으로써 베젤 넓이를 감소시킬 수 있다.The present invention can reduce the bezel width by not disposing the gate driver in the non-display area corresponding to the deformed corner.

그리고, 본 발명은 표시 영역에 전원 공급 배선을 배치함으로써, 각각의 화소 전체에 균일한 전원 전압을 공급할 수 있으므로, 휘도의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the present invention can supply a uniform power supply voltage to the entire pixel by arranging the power supply wiring in the display area, the uniformity of luminance can be improved.

그리고, 본 발명은 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치된 데이터 배선과 게이트 배선이 서로 교차하지 않도록 컨택홀의 위치를 배치함으로써, 화소 각각에 고전위 전압을 공급할 수 있다.Further, the present invention arranges the contact hole so that the data line and the gate line disposed in the non-display area corresponding to the deformed corner do not cross each other, so that a high potential voltage can be supplied to each pixel.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A영역 및 B영역에 대한 확대 평면도이다.
도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 5는 도 4의 Va-Va' 및 Vb-Vb' 에 대한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
1 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged plan view of regions A and B of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view of IIIa-IIIa' and IIIb-IIIb' of FIG. 2 .
4 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of Va-Va' and Vb-Vb' of FIG. 4 .
6 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
7 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
8 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative, so the present invention is not limited to the details shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, 'on top of', 'on top of', 'at the bottom of', 'next to', etc. Or, unless 'directly' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes all cases where another element or layer is directly on top of another element or another layer or other element intervenes therebetween.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated components.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, and as those skilled in the art can fully understand, various interlocking and driving operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other. It may be possible to implement together in an association relationship.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 게이트 구동부(120) 및 전원 공급 배선(130)을 포함한다.1 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , the display device 100 includes a substrate 110 , a gate driver 120 and a power supply wire 130 .

기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판(110)이다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수도 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.The substrate 110 is a substrate 110 for supporting and protecting various components of the display device 100 . The substrate 110 may be made of glass or a plastic material having flexibility. When the substrate 110 is made of a plastic material, it may be made of, for example, polyimide (PI). However, it is not limited thereto.

기판(110)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)을 포함한다. The substrate 110 includes a display area AA and a non-display area NA adjacent to the display area AA.

표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 표시 영역(AA)의 코너는 이형 코너일 수 있다. 이형 코너는, 일반적인 표시 영역(AA)의 코너처럼 직사각형의 코너가 아닌, 다양한 형태의 코너를 의미한다. 예를 들면, 이형 코너는 라운드(round) 형상의 코너일 수 있으며, 오각형 또는 육각형의 일부의 형상일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The display area AA is an area where an image is displayed in the display device 100, and a display element and various driving elements for driving the display element are disposed in the display area AA. A corner of the display area AA may be a molded corner. The deformed corner means a corner of various shapes, not a rectangular corner like the corner of the general display area AA. For example, the deformed corner may be a round corner or may be a partial shape of a pentagon or hexagon, but is not limited thereto.

비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접한 영역이다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하여 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이며, 배선 및 회로부가 형성된다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에는 게이트 구동부(120) 및 전원 공급 배선(130)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 이형 코너를 가질 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않으며 수직인 두 면을 갖는 코너를 가질 수도 있다.The non-display area NA is an area adjacent to the display area AA. The non-display area NA is an area adjacent to and surrounding the display area AA. The non-display area NA is an area where no image is displayed, and wiring and circuit parts are formed. For example, the gate driver 120 and the power supply line 130 may be disposed in the non-display area NA. As shown in FIG. 1 , the non-display area NA may have an irregular corner. However, it is not limited thereto and may have a corner having two perpendicular sides.

게이트 구동부(120)는 화소(PX)에 게이트 신호를 공급하기 위한 회로이다. 게이트 구동부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 양 측에 배치될 수 있으나, 표시 영역(AA)의 일 측에 배치될 수도 있다. 게이트 구동부(120)는 표시 영역(AA)의 각각의 화소에 게이트 신호를 공급할 수 있다. The gate driver 120 is a circuit for supplying a gate signal to the pixel PX. As shown in FIG. 1 , the gate driver 120 may be disposed on both sides of the display area AA, but may also be disposed on one side of the display area AA. The gate driver 120 may supply a gate signal to each pixel of the display area AA.

전원 공급 배선(130)은 비표시 영역(NA)에 있으며, 화소에 전원 전압을 공급하기 위한 배선이다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)의 각각의 화소에 전원 전압을 공급할 수 있다. The power supply line 130 is in the non-display area NA and is a line for supplying a power voltage to a pixel. For example, the power supply line 130 may supply a power voltage to each pixel of the display area AA.

도 1에 도시되지는 않았으나, 표시 장치(100)는 외부 모듈, 예를 들어 COF(Chip On Film)을 포함할 수 있다. COF는 비표시 영역(NA)에 본딩될 수 있으며, 패드를 통하여 기판(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. COF는 절연 물질로 이루어진 베이스 필름과, 베이스 필름상에 형성된 구동 IC 등을 포함할 수 있다. COF는 패드를 통해 전원 전압 및 데이터 전압 등을 표시 영역(AA)에 공급할 수 있다.Although not shown in FIG. 1 , the display device 100 may include an external module, for example, a Chip On Film (COF). The COF may be bonded to the non-display area NA and electrically connected to the substrate 110 through a pad. The COF may include a base film made of an insulating material and a driving IC formed on the base film. The COF may supply power voltages and data voltages to the display area AA through pads.

이하에서는 표시 장치(100)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2 및 도 3을 함께 참조한다.Hereinafter, FIGS. 2 and 3 will be referred to together for a more detailed description of the display device 100 .

도 2는 도 1의 A영역 및 B영역에 대한 확대 평면도이다. 도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 단면도이다. 도 2의 A영역 및 B영역은 표시 영역(AA)의 이형 코너 부분을 확대한 평면도이다. A영역과 B영역은 대칭으로 구성될 수 있으므로 중복 설명은 생략한다.FIG. 2 is an enlarged plan view of regions A and B of FIG. 1 . FIG. 3 is a cross-sectional view of IIIa-IIIa' and IIIb-IIIb' of FIG. 2 . Areas A and B of FIG. 2 are enlarged plan views of deformed corners of the display area AA. Areas A and B can be configured symmetrically, so duplicate descriptions are omitted.

도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(AA)은 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 표시 영역(AA)에 있으며, 트랜지스터(140) 등의 소자를 구비한다. 복수의 화소(PX) 각각은 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 전원 배선(VDDL)과 연결된다. 게이트 배선(GL)은 복수의 화소(PX)에 게이트 신호를 전달하는 배선이고, 데이터 배선(DL)은 복수의 화소(PX)에 데이터 신호를 전달하는 배선이며, 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX)에 전원 전압을 공급하는 배선이다. Referring to FIGS. 2 and 3 , the display area AA includes a plurality of pixels PX. The plurality of pixels PX are in the display area AA and include elements such as the transistor 140 . Each of the plurality of pixels PX is connected to a gate line GL, a data line DL, and a power line VDDL. The gate line GL is a line that transmits a gate signal to the plurality of pixels PX, the data line DL is a line that transmits a data signal to the plurality of pixels PX, and the power line VDDL is a line that transmits a plurality of data signals to the plurality of pixels PX. It is a wire for supplying a power supply voltage to the pixel PX.

표시 영역(AA)의 각각의 화소(PX)에 대한 구조 설명을 위해 도 3을 참조하면, 기판(110) 상에는 트랜지스터(140)가 배치된다. 구체적으로, 기판(110) 상에는 트랜지스터(140)의 채널이 형성되는 액티브층(141)이 형성되고, 액티브층(141) 상에는 게이트 절연층(111)이 형성된다. 게이트 절연층(111)은 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층이거나 이들의 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 절연층(111) 상에는 게이트 전극(142)이 형성된다. 게이트 전극(142) 상에는 제1 층간 절연층(112)이 형성된다. 제1 층간 절연층(112)은 예를 들어 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 층간 절연층(112) 상에는 제2 층간 절연층(113)이 형성된다. 제2 층간 절연층(113)은 제1 층간 절연층(112)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 층간 절연층(113) 상에는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)이 형성될 수 있다. 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)은 게이트 절연층(111), 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 액티브층(141)과 전기적으로 연결된다. 도 3에서는 트랜지스터(140)가 탑 게이트(top gate) 타입의 코플라나(coplanar) 구조의 트랜지스터(140)인 것으로 도시되었으나, 트랜지스터(140)의 적층 구조는 이에 제한되지 않는다. 그리고, 도 3에서는 게이트 절연층(111) 및 제2 층간 절연층(113)이 상부를 평탄화하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 게이트 절연층(111) 및 제2 층간 절연층(113)은 하부에 배치된 구성들의 표면의 형상을 따라 컨포멀(conformal)하게 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 3 for a description of the structure of each pixel PX of the display area AA, the transistor 140 is disposed on the substrate 110 . Specifically, the active layer 141 in which the channel of the transistor 140 is formed is formed on the substrate 110 , and the gate insulating layer 111 is formed on the active layer 141 . The gate insulating layer 111 is made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), and may be a single layer or a plurality of layers thereof, but is not limited thereto. A gate electrode 142 is formed on the gate insulating layer 111 . A first interlayer insulating layer 112 is formed on the gate electrode 142 . The first interlayer insulating layer 112 may be made of, for example, silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto. A second interlayer insulating layer 113 is formed on the first interlayer insulating layer 112 . The second interlayer insulating layer 113 may be formed of the same material as the first interlayer insulating layer 112, but is not limited thereto. A source electrode 143 and a drain electrode 144 of the transistor 140 may be formed on the second interlayer insulating layer 113 . The source electrode 143 and the drain electrode 144 are electrically connected to the active layer 141 through contact holes formed in the gate insulating layer 111, the first interlayer insulating layer 112, and the second interlayer insulating layer 113. Connected. Although the transistor 140 is illustrated in FIG. 3 as a top gate type coplanar structure, the multilayer structure of the transistor 140 is not limited thereto. In addition, in FIG. 3, it is shown that the gate insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 113 planarize the top, but is not limited thereto, and the gate insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 113 It may be disposed conformally along the shape of the surface of the elements disposed below.

제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에는 도전층(150)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 2개의 층간 절연층(112, 113)을 사용하여 제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에 추가적인 도전층(150)이 배치됨에 따라, 도전층(150)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142) 사이에 배치될 수 있다. 이에, 추가적으로 배치할 수 있는 도전 패턴 및 배선의 개수가 증가됨에 따라, 보다 고해상도의 표시 장치(100)를 제공할 수 있고, 보다 저항이 낮은 배선을 제공할 수도 있으며, 표시 장치(100)에서 커패시터를 추가적으로 병렬 연결함에 따라 커패시턴스를 개선시킬 수도 있다. A conductive layer 150 may be disposed between the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113 . For example, in the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, two interlayer insulating layers 112 and 113 are used to form a gap between the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. As the additional conductive layer 150 is disposed, the conductive layer 150 may be disposed between the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 and the gate electrode 142 of the transistor 140. . Accordingly, as the number of conductive patterns and wires that can be additionally disposed increases, a higher resolution display device 100 can be provided, wires with lower resistance can be provided, and capacitors in the display device 100 can be provided. The capacitance may be improved by additionally connecting in parallel.

그리고, 도 2를 참조하면, 전원 공급 배선(130)은 복수의 게이트 배선(GL)과 동일한 방향으로 연장되며, 비표시 영역(NA)에 배치된다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 표시 영역에 배치된 복수의 제2 게이트 배선(GL2)이 연장된 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. Also, referring to FIG. 2 , the power supply line 130 extends in the same direction as the plurality of gate lines GL and is disposed in the non-display area NA. For example, the power supply line 130 may extend in the same direction as the direction in which the plurality of second gate lines GL2 disposed in the display area among the plurality of gate lines GL extend.

그리고, 전원 공급 배선(130)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 연결된다. 복수의 전원 배선(VDDL)은 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되는(branched) 배선으로서 복수의 화소(PX)에 고전위 전압을 공급한다. 복수의 전원 배선(VDDL)은 전원 공급 배선(130)과 동일한 물질이며, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130) 및 복수의 전원 배선(VDDL)은 하나의 공정으로 형성될 수 있다. 이때, 전원 공급 배선(130) 및 복수의 전원 배선(VDDL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다.And, the power supply wiring 130 is connected to a plurality of power wiring VDDL. The plurality of power lines VDDL are lines branched from the power supply line 130 and supply high potential voltages to the plurality of pixels PX. The plurality of power supply wires VDDL are made of the same material as the power supply wires 130 and may be branched from the power supply wires 130 . For example, the power supply line 130 and the plurality of power lines VDDL may be formed in one process. In this case, the power supply line 130 and the plurality of power lines VDDL may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 .

그리고, 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은, 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상일 수 있다. 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향과 평행한 방향에 대한 전원 공급 배선(130)의 폭을 의미한다. 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2)은 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL)들 중, 최외곽에 위치한 두 전원 배선(VDDL) 사이의 간격일 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA) 전체에 대응하도록 배치될 수 있다. 표시 영역(AA)의 폭(W3)은 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향에 대한 표시 영역(AA)의 최대 폭일 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 표시 영역(AA)의 폭(W3)와 동일하여 표시 영역(AA) 전체에 대응할 수 있다.Further, the width W1 of the power supply wiring 130 in the direction in which the plurality of gate lines GL extends is equal to the distance D2 between the outermost power lines VDDL among the plurality of power lines VDDL. may be ideal The width W1 of the power supply line 130 means the width of the power supply line 130 in a direction parallel to the direction in which the plurality of gate lines GL extend. The distance D2 between the outermost power lines VDDL may be the distance between the two outermost power lines VDDL among the plurality of power lines VDDL branched from the power supply line 130. . Also, the power supply wiring 130 may be arranged to correspond to the entire display area AA. The width W3 of the display area AA may be the maximum width of the display area AA in the direction in which the plurality of gate lines GL extend. For example, as shown in FIG. 2 , the width W1 of the power supply line 130 may be the same as the width W3 of the display area AA and may correspond to the entire display area AA.

이와 달리, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 표시 영역(AA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. Alternatively, the power supply wiring 130 may be formed to be larger than the width W3 of the display area AA. For example, the width W1 of the power supply line 130 may be greater than the width W3 of the display area AA.

전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상이거나 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상일 경우, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)들은 복수의 화소(PX) 중 최외곽에 위치한 화소(PX)에 전원 전압을 공급할 수 있다. 이에, 복수의 화소(PX)는 모두 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL)을 통해 고전위 전압을 공급받을 수 있다. When the width W1 of the power supply wiring 130 is greater than the distance D2 between the outermost power lines VDDL or greater than the width W3 of the display area AA, the branched power supply wiring 130 The outermost power lines VDDL among the plurality of power lines VDDL may supply power voltage to the outermost pixel PX among the plurality of pixels PX. Accordingly, all of the plurality of pixels PX may receive a high potential voltage through the plurality of power lines VDDL branched from the power supply line 130 .

도 2를 참조하면, 표시 영역(AA)의 양 측에 배치된 게이트 구동부(120)는 복수의 스테이지(121, 122)를 포함한다. 복수의 스테이지(121, 122) 각각은 복수의 게이트 배선(GL) 각각과 연결되어, 게이트 신호를 복수의 화소(PX)에 전달할 수 있다. 게이트 구동부(120)는 표시 영역(AA)의 양 측에서 표시 영역(AA)의 이형 코너를 제외한 영역에 위치된다. 예를 들면, 코너 영역(CA)은 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역(NA)일 수 있으며, 게이트 구동부(120)의 복수의 스테이지(121, 122)는 코너 영역(CA)을 제외한 비표시 영역(NA)에만 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the gate driver 120 disposed on both sides of the display area AA includes a plurality of stages 121 and 122 . Each of the plurality of stages 121 and 122 may be connected to each of a plurality of gate lines GL to transfer gate signals to the plurality of pixels PX. The gate driver 120 is located on both sides of the display area AA except for the molded corner of the display area AA. For example, the corner area CA may be a non-display area NA corresponding to the irregular corner of the display area AA, and the plurality of stages 121 and 122 of the gate driver 120 may be the corner area CA. ) may be disposed only in the non-display area NA except for.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 복수의 게이트 배선(GL)은 게이트 구동부(120)의 복수의 스테이지(121, 122) 각각과 연결되며, 게이트 구동부(120)로부터 게이트 신호를 복수의 화소(PX) 각각에 전달하는 배선이다. 복수의 게이트 배선(GL)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 및 복수의 제2 게이트 배선(GL2)을 포함한다. 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 게이트 구동부(120)로부터 연장된 배선을 의미하며, 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질이다. 또한, 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 연결되어 표시 영역(AA)으로 연장되는 배선을 의미하며, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이다. 도 3을 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 전기적으로 연결된다. Referring to FIGS. 2 and 3 , the plurality of gate lines GL are connected to the plurality of stages 121 and 122 of the gate driver 120, respectively, and transmit a gate signal from the gate driver 120 to a plurality of pixels PX. ) is a wire that is transmitted to each. The plurality of gate lines GL includes a plurality of first gate lines GL1 and a plurality of second gate lines GL2 . The plurality of first gate lines GL1 refer to lines extending from the gate driver 120 and are made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 . In addition, the plurality of second gate lines GL2 refer to lines that are connected to the plurality of first gate lines GL1 and extend into the display area AA, and are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 . to be. Referring to FIG. 3 , the plurality of first gate lines GL1 and the plurality of second gate lines GL2 are the plurality of second contacts formed on the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113 . They are electrically connected through each of the holes CH2.

도 2를 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치한다. 구체적으로, 복수의 제2 컨택홀(CH2)은 복수의 전원 배선(VDDL) 중 가장 외측에 위치한 전원 배선(VDDL) 보다 외측에 위치할 수 있다. 또한, 복수의 제2 컨택홀(CH2)는 복수의 데이터 배선(DL) 중 가장 외측에 위치한 데이터 배선(DL)보다 외측에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 2 , each of the plurality of second contact holes CH2 contacting each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of second gate lines GL2 includes a plurality of power lines VDDL and a plurality of second gate lines GL2. located outside the data line DL of Specifically, the plurality of second contact holes CH2 may be positioned outside the outermost power line VDDL among the plurality of power lines VDDL. Also, the plurality of second contact holes CH2 may be located outside the outermost data line DL among the plurality of data lines DL.

따라서, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된 영역과 상이한 영역에 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 스테이지(121, 121) 각각과 연결되며, 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 복수의 제2 게이트 배선(GL2)와 연결된다. 따라서, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 제2 컨택홀(CH2)보다 외측에 위치된다. 복수의 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)의 외측에 위치됨으로써, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 상이한 영역에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 데이터 배선(DL)과 상이한 영역에 배치될 수 있다.Accordingly, the plurality of first gate lines GL1 may be disposed in an area different from an area in which the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL are disposed. Specifically, the plurality of first gate lines GL1 are connected to each of the plurality of stages 121 and 121 and connected to the plurality of second gate lines GL2 through each of the plurality of second contact holes CH2. . Accordingly, the plurality of first gate lines GL1 are positioned outside the plurality of second contact holes CH2. Since the plurality of second contact holes CH2 are located outside the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL, the plurality of first gate lines GL1 are different from the plurality of power lines VDDL. can be placed in an area. Also, the plurality of first gate lines GL1 may be disposed in different regions from the plurality of data lines DL.

도 2를 참조하면, 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 평행하도록 배치되며, 복수의 화소(PX) 각각과 연결되어 데이터 신호를 공급할 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. Referring to FIG. 2 , the plurality of data lines DL are disposed parallel to the plurality of power lines VDDL and are connected to each of the plurality of pixels PX to supply data signals. The plurality of data lines DL may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 .

복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 데이터 링크 배선(DLL)과 연결될 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 비표시 영역(NA)에 배치되며, 복수의 데이터 배선(DL)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 제1 데이터 링크 배선(DLL1), 제2 데이터 링크 배선(DLL2), 제3 데이터 링크 배선(DLL3), 제4 데이터 링크 배선(DLL4) 및 제5 데이터 링크 배선(DLL5)을 포함할 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)의 수는 이에 제한되지 않으며, 더 많은 수의 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 존재할 수 있다. A plurality of data lines DL may be connected to a plurality of data link lines DLL. The plurality of data link lines DLL are disposed in the non-display area NA, and may supply data signals to the plurality of data lines DL. The plurality of data link wires (DLL) include a first data link wire (DLL1), a second data link wire (DLL2), a third data link wire (DLL3), a fourth data link wire (DLL4), and a fifth data link wire. (DLL5). The number of the plurality of data link wires (DLL) is not limited thereto, and a larger number of the plurality of data link wires (DLL) may exist.

그리고, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 제1 데이터 링크 및 제3 데이터 링크는 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 제2 데이터 링크 및 제4 데이터 링크는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 데이터 링크 배선(DLL1, DLL3, DLL5) 및 도전층(150)과 동일한 물질인 데이터 링크 배선(DLL2, DLL4)이 교대로 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. Also, some of the plurality of data link lines (DLL) may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and other parts may be made of the same material as the conductive layer 150. For example, the first data link and the third data link may be made of the same material as the gate electrode 142 , and the second data link and the fourth data link may be made of the same material as the conductive layer 150 . For example, data link wires DLL1 , DLL3 , and DLL5 made of the same material as the gate electrode 142 and data link wires DLL2 , DLL4 made of the same material as the conductive layer 150 may be alternately disposed. However, it is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 각각이 컨택하는 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치한다. 구체적으로, 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 가장 상부에 위치한 배선, 즉, 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)보다 상부에 위치할 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130) 보다 하부에 위치할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the plurality of first contact holes CH1 contacted by each of the plurality of data lines DL and each of the plurality of data link lines DLL are power supply lines 130 of the plurality of gate lines GL. ) and is located between the gate line GL closest to the power supply line 130. Specifically, the plurality of first contact holes CH1 may be positioned above the uppermost wiring among the plurality of gate lines GL, that is, the gate line GL closest to the power supply line 130. . And, it may be located lower than the power supply wire 130 .

예를 들면, 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 제1 데이터 링크 배선(DLL1), 제3 데이터 링크 배선(DLL3) 및 제5 데이트 링크 배선(DLL5) 각각은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제1 컨택홀(CH1)을 통하여 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 연결된다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 제2 데이터 링크 배선(DLL2) 및 제4 데이터 링크 배선(DLL) 각각은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제1 컨택홀(CH1)을 통하여 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 연결된다. 복수의 제1 컨택홀(CH1)이 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치함으로써, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 복수의 게이트 배선(GL)과 동일한 영역에 형성되지 않을 수 있다. For example, each of the first data link wire DLL1 , the third data link wire DLL3 , and the fifth data link wire DLL5 made of the same material as the gate electrode 142 is formed by the first interlayer insulating layer 112 and Each of the plurality of data lines DL is connected through the plurality of first contact holes CH1 formed in the second interlayer insulating layer 113 . In addition, each of the second data link line DLL2 and the fourth data link line DLL of the same material as the conductive layer 150 includes a plurality of first contact holes CH1 formed in the second interlayer insulating layer 113. Through this, it is connected to each of the plurality of data lines DL. Since the plurality of first contact holes CH1 are positioned between the gate line GL closest to the power supply line 130 among the plurality of gate lines GL and the power supply line 130, the plurality of data link lines ( DLL) may not be formed in the same area as the plurality of gate lines GL.

일반적인 표시 장치의 경우, 비표시 영역에 존재하는 배선의 수보다 도전층의 수가 적으므로, 전원 공급 배선이 표시 영역의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역까지 배치될 수 없었다. 이에, 전원 공급 배선은 이형 코너를 제외한 비표시 영역에 배치되었다. 따라서, 이형 코너를 제외한 표시 영역에 배치된 화소에만 전원 전압이 공급될 수 있었다. 이에, 이형 코너에 배치된 화소의 경우, 전원 공급 배선과 상이한 도전층을 이용하여 전원 전압이 공급되었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소에 공급되는 전원 전압은, 이형 코너가 아닌 영역에 배치된 화소에 공급되는 전원 전압과 비교하여, 더 큰 전압의 강하가 발생될 수 있었다. 이에, 복수의 화소에 공급되는 전원 전압의 세기가 고르지 못하여, 휘도의 균일도가 감소되었다.In the case of a general display device, since the number of conductive layers is smaller than the number of wires in the non-display area, power supply wires cannot be disposed up to the non-display area corresponding to the deformed corner of the display area. Accordingly, the power supply wiring is disposed in the non-display area except for the deformed corner. Accordingly, the power supply voltage could be supplied only to the pixels disposed in the display area excluding the molded corner. Accordingly, in the case of the pixel disposed at the molded corner, the power supply voltage was supplied using a conductive layer different from that of the power supply wiring. Accordingly, a greater voltage drop may occur in the power supply voltage supplied to the pixel disposed at the irregular corner compared to the power supply voltage supplied to the pixel disposed in a region other than the irregular corner. As a result, the intensity of the power supply voltage supplied to the plurality of pixels is uneven, reducing the uniformity of luminance.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상으로 형성되거나, 표시 영역(AA)에 대응하도록 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성될 수 있다. 이에, 표시 장치(100)의 휘도 균일도를 개선시킬 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2)보다 작거나 표시 장치(100)의 폭(W3)보다 작을 경우, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 모두에 직접적으로 고전위 전압을 인가하지 못할 수 있다. 즉, 복수의 화소(PX) 중 코너에 배치되는 화소(PX)는 복수의 전원 배선(VDDL)과 직접적으로 연결될 수 없으며, 코너 영역(CA)을 제외한 가운데 영역에 배치된 전원 배선(VDDL)으로부터 분기된 배선을 통하여 전원 전압을 공급받을 수 있다. 따라서, 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 인가되는 전원 전압은 이형 코너가 아닌 영역에 배치된 복수의 화소(PX)에 인가되는 전원 전압보다 더 큰 전압 강하가 발생될 수 있다. 이에, 표시 영역(AA)의 가운데에 배치된 화소(PX)에 비해 휘도가 감소될 수 있고, 전체 표시 장치(100)의 휘도 균일도는 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)을 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상으로 형성하거나, 표시 영역(AA) 전체에 대응하도록 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성할 수 있다. 따라서, 코너에 배치된 화소(PX)에 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 전원 배선(VDDL)이 직접적으로 연결될 수 있고, 모든 화소(PX)에 고전위 전원 전압이 공급될 수 있다. 이에 위해, 표시 영역(AA) 전체의 휘도 균일도는 향상될 수 있다. In the display device 100 according to an embodiment of the present invention, the width W1 of the power supply line 130 is greater than the distance D2 between the outermost power lines VDDL or the display area AA ) may be formed to be greater than the width W3 of the display area AA. Accordingly, luminance uniformity of the display device 100 may be improved. For example, when the width W1 of the power supply wiring 130 is smaller than the distance D2 between the outermost power wiring lines VDDL or smaller than the width W3 of the display device 100, the power supply wiring The plurality of power lines VDDL branching from 130 may not directly apply a high potential voltage to all of the plurality of pixels PX. That is, among the plurality of pixels PX, the pixel PX disposed at the corner cannot be directly connected to the plurality of power lines VDDL, and cannot be directly connected to the plurality of power lines VDDL from the power line VDDL disposed in the middle area excluding the corner area CA. The power supply voltage may be supplied through the branched wiring. Accordingly, a greater voltage drop may occur in the power supply voltage applied to the plurality of pixels PX disposed in the irregular corner than the power supply voltage applied to the plurality of pixels PX disposed in a region other than the irregular corner. Accordingly, luminance may be reduced compared to the pixel PX disposed in the center of the display area AA, and luminance uniformity of the entire display device 100 may be reduced. Therefore, in the display device 100 according to an embodiment of the present invention, the width W1 of the power supply line 130 is formed to be equal to or greater than the distance D2 between the outermost power lines VDDL, or the display area It may be formed to be equal to or larger than the width W3 of the display area AA to correspond to the entirety of (AA). Accordingly, the power line VDDL branched from the power supply line 130 may be directly connected to the pixel PX disposed at the corner, and the high potential power voltage may be supplied to all pixels PX. To this end, luminance uniformity of the entire display area AA may be improved.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치함으로써, 복수의 화소(PX) 전체에 고전위 전압을 공급할 수 있다. 예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이, 전원 공급 배선(130)이 표시 영역(AA)에 대응하여 길게 형성됨에 따라, 전원 공급 배선(130)에서 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 전체에 고전위 전압을 공급할 수 있다. 따라서, 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 중 최외곽에 위치한 화소(PX)에도 연결될 수 있다. 이때, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 내측에도 위치할 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)과 동일한 영역에 배치될 수 있다. 이때, 복수의 제1 게이트 배선(GL1), 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질로 형성된다. 따라서, 동일한 영역에 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되는 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치함으로써, 복수의 화소(PX) 각각에 고전위 전압을 공급할 수 있다. Further, the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of second contact holes CH2 through which each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of second gate lines GL2 contact each other. By being positioned outside the power supply line VDDL and the plurality of data lines DL, a high potential voltage can be supplied to all of the plurality of pixels PX. For example, as described above, as the power supply wiring 130 is formed long to correspond to the display area AA, the plurality of power supply wirings VDDL branching from the power supply wiring 130 may include a plurality of pixels ( PX) can supply high potential voltage. Accordingly, the outermost power line VDDL among the plurality of power lines VDDL may also be connected to the outermost pixel PX among the plurality of pixels PX. At this time, the second contact hole CH2 where each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of second gate lines GL2 contact is inside the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL. , the plurality of first gate lines GL1 may be disposed in the same area as the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL. In this case, the plurality of first gate lines GL1 , the plurality of power lines VDDL, and the plurality of data lines DL are formed of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 . . Therefore, a problem may occur in that a plurality of power lines VDDL, a plurality of data lines DL, and a plurality of first gate lines GL1 are disposed in the same area. Accordingly, the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of second contact holes CH2 through which each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of second gate lines GL2 contact each other. By being positioned outside the power supply line VDDL and the plurality of data lines DL of the pixel PX, a high potential voltage may be supplied to each of the plurality of pixels PX.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부가 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부가 도전층(150)과 동일한 물질이다. 이에, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 차지하는 면적이 감소될 수 있다. 예를 들면, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 모두 동일한 물질이며 동일한 층에 배치되는 경우, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)을 형성하는 포토레지스트 공정의 한계로 인하여 각각의 데이터 링크 배선(DLL) 사이의 간격은 최소 간격 이하로 작아질 수 없다. 그런데, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부가 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부가 도전층(150)과 동일한 물질일 경우, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 따라서, 각각의 데이터 링크 배선(DLL) 사이의 간격은 앞서 설명한 최소 간격 이하로 작아질 수 있다. 따라서, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 차지하는 면적은 감소될 수 있다.Also, in the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, some of the plurality of data link lines (DLL) are made of the same material as the gate electrode 142 and other parts are made of the same material as the conductive layer 150. . Accordingly, the area occupied by the plurality of data link lines (DLL) may be reduced. For example, when all of the plurality of data link wires (DLLs) are made of the same material and disposed on the same layer, due to limitations of the photoresist process for forming the plurality of data link wires (DLLs), between the respective data link wires (DLLs) The spacing of cannot be reduced to less than the minimum spacing. However, when some of the plurality of data link wires (DLL) are made of the same material as the gate electrode 142 and other parts are made of the same material as the conductive layer 150, the plurality of data link wires (DLL) are in different layers. can be placed. Accordingly, the distance between each data link line (DLL) may be smaller than the above-described minimum distance. Accordingly, the area occupied by the plurality of data link lines (DLL) can be reduced.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 5는 도 4의 Va-Va' 및 Vb-Vb' 에 대한 단면도이다. 도 4에 도시된 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 복수의 게이트 배선(GL)의 구성이 상이하다는 것만 제외하면 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.4 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of Va-Va' and Vb-Vb' of FIG. 4 . Since the display device 400 shown in FIG. 4 is substantially the same as the display device 100 shown in FIGS. 1 to 3 except for the configuration of the plurality of gate lines GL being different, duplicate descriptions are omitted. or briefly described.

도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 게이트 배선(GL)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1), 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 및 복수의 제3 게이트 배선(GL3)을 포함한다. Referring to FIGS. 4 and 5 , the plurality of gate lines GL includes a plurality of first gate lines GL1 , a plurality of second gate lines GL2 , and a plurality of third gate lines GL3 .

복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 게이트 구동부(120)로부터 연장되는 배선을 의미한다. 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. The plurality of first gate lines GL1 refer to lines extending from the gate driver 120 among the plurality of gate lines GL. The plurality of first gate lines GL1 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 .

그리고, 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 표시 영역(AA)으로 연장되는 배선을 의미한다. 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. Also, the plurality of second gate lines GL2 refer to lines extending to the display area AA among the plurality of gate lines GL. The plurality of second gate lines GL2 may be made of the same material as the gate electrode 142 of the thin film transistor.

그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 복수의 제2 게이트 배선(GL2)을 연결하는 배선을 의미한다. 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 제3 서브 게이트 배선(GL3a) 및 제3 서브 게이트 배선(GL3b)을 포함할 수 있다. 제3 서브 게이트 배선(GL3a)은 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 제3 서브 게이트 배선(GL3b)은 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 배선과 도전층(150)과 동일한 물질인 배선이 교대로 배치될 수 있다. Further, the plurality of third gate lines GL3 means a wire connecting the plurality of first gate lines GL1 and the plurality of second gate lines GL2 among the plurality of gate lines GL. Some of the plurality of third gate lines GL3 may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 , and other parts may be made of the same material as the conductive layer 150 . For example, the plurality of third gate lines GL3 may include a third sub-gate line GL3a and a third sub-gate line GL3b. The third sub-gate line GL3a may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 , and the third sub-gate line GL3b may be made of the same material as the conductive layer 150 . For example, in the plurality of third gate lines GL3 , lines made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 and lines made of the same material as the conductive layer 150 may be alternately disposed.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a)는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부(GL3b)는 도전층(150)과 동일한 물질임으로써, 게이트 신호, 데이터 신호 및 전원 신호가 복수의 화소(PX) 각각에 안정적으로 공급될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)의 위치가 도 4에 도시된 위치와 달리 최외곽 데이터 배선(DL) 또는 최외곽 전원 배선(VDDL)의 우측에 배치될 경우, 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 중첩될 수 있다. 만약, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)이 복수의 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 경우, 게이트 신호는 데이터 신호 또는 전원 신호와 중첩될 수 있어 문제된다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a)는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부(GL3b)는 도전층(150)과 동일한 물질임으로써, 게이트 신호, 데이터 신호 및 전원 신호를 안정적으로 복수의 화소(PX) 각각에 공급될 수 있다.In the display device 400 according to another embodiment of the present invention, some of the plurality of third gate lines GL3 (GL3a) are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and other portions (GL3b) is made of the same material as the conductive layer 150, so that the gate signal, the data signal, and the power signal can be stably supplied to each of the plurality of pixels PX. For example, when the positions of the plurality of first gate contact units C1 are disposed on the right side of the outermost data line DL or the outermost power line VDDL, unlike the positions shown in FIG. 4 , the plurality of data lines The wiring DL and the plurality of third gate wirings GL3 may overlap each other. If the plurality of third gate wires GL3 are made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the plurality of transistors 140, the gate signal may overlap the data signal or the power signal, causing a problem. do. Accordingly, in the display device 400 according to another embodiment of the present invention, some of the plurality of third gate lines GL3 (GL3a) are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and other portions ( GL3b) is made of the same material as the conductive layer 150, so that gate signals, data signals, and power signals can be stably supplied to each of the plurality of pixels PX.

도 4를 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각은, 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제3 서브 게이트 배선(GL3a)과 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 제2 컨택홀(CH2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제3 서브 게이트 배선(GL3b)과 제1 게이트 배선(GL1)은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 제2 컨택홀(CH2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4 , each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of third gate lines GL3 may be electrically connected through each of the plurality of second contact holes CH2 . For example, the third sub-gate line GL3a and the first gate line GL1 are electrically connected through second contact holes CH2 formed in the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. can be connected to Also, the third sub-gate line GL3b and the first gate line GL1 may be electrically connected through the second contact hole CH2 formed in the second interlayer insulating layer 113 .

도 4 내지 도 5를 참조하면, 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각은 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질로 형성된 배선(GL3a)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질로 형성된 배선(GL3b)은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)와 전기적으로 연결된다.Referring to FIGS. 4 to 5 , each of the plurality of second gate lines GL2 and each of the plurality of third gate lines GL3 may be electrically connected through the plurality of first gate contact portions C1 . The plurality of first gate contact portions C1 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 . Among the plurality of third gate lines GL3, a line GL3a formed of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 is provided in the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. It is electrically connected to the plurality of first gate contact units C1 through the formed contact holes. Among the plurality of third gate wires GL3, the wire GL3b formed of the same material as the conductive layer 150 passes through a contact hole formed in the second interlayer insulating layer 113 to form a plurality of first gate contact units C1. ) is electrically connected to

그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 배선(GL3a) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)를 이용하지 않고, 하나의 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질인 배선(GL3b) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결할 수도 있다. 이 경우, 하나의 배선으로 형성된 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 제2 게이트 배선(GL2)의 저항은, 복수의 컨택홀 각각을 이용하여 연결된 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질인 배선(GL3b) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각의 저항과 비교하여, 낮을 수 있다. 복수의 게이트 배선(GL) 각각의 저항의 편차가 클 경우, 게이트 신호가 복수의 화소(PX) 각각에 전달되는 시간의 편차가 증가될 수 있으므로, 표시 장치(400)의 구동 안정성이 저하될 수 있다.In addition, each of the plurality of third gate lines GL3 and each of the plurality of second gate lines GL2 and each of the lines GL3a having the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 are connected to a plurality of first gate contacts. It is also possible to form a single wire without using the portion C1. Further, each of the plurality of third gate lines GL3 and each of the plurality of second gate lines GL2 and each of the lines GL3b having the same material as the conductive layer 150 are formed through contact holes formed in the first interlayer insulating layer 112 . You can also connect via . In this case, the resistance of the plurality of third gate wires GL3 and the plurality of second gate wires GL2 formed of one wire is the resistance of the plurality of third gate wires GL3 connected by using the plurality of contact holes, respectively. The resistance of each wire GL3b and each of the plurality of second gate wires GL2 may be lower than that of the conductive layer 150 . When the variation in the resistance of each of the plurality of gate lines GL is large, the variation in the time for the gate signal to be transmitted to each of the plurality of pixels PX may increase, and thus driving stability of the display device 400 may deteriorate. have.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 컨택부(C1) 각각을 통하여 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 전기적으로 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL) 각각이 동일한 개수의 컨택홀을 통해 연결되는 방식으로 구현되므로 복수의 게이트 배선(GL) 간의 저항 편차를 최소화할 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을 복수의 제1 게이트 컨택부(C1) 각각을 이용하여 전기적으로 연결할 경우, 복수의 게이트 배선(GL) 각각의 저항의 편차는 감소될 수 있다. 이에, 복수의 게이트 배선(GL)에서의 게이트 신호 전달 속도의 편차가 최소화될 수 있고, 표시 장치(400)의 구동 안정성이 증가될 수 있다.Therefore, in the display device 400 according to another embodiment of the present invention, each of the plurality of first gate contact portions C1 made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 is used. Since each of the plurality of second gate lines GL2 and each of the plurality of third gate lines GL3 are electrically connected, each of the plurality of gate lines GL is connected through the same number of contact holes. It is possible to minimize the resistance deviation between the gate lines GL of the . For example, when electrically connecting each of the plurality of third gate wires GL3 and each of the plurality of second gate wires GL2 using each of the plurality of first gate contact units C1, the plurality of gate wires ( GL) The variation of each resistance can be reduced. As a result, a variation in gate signal transmission speed between the plurality of gate lines GL can be minimized, and driving stability of the display device 400 can be increased.

그리고, 도 4를 참조하면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 복수의 제2 컨택홀(CH2)은 복수의 전원 배선(VDDL) 중 가장 외측에 위치한 전원 배선(VDDL) 보다 외측에 위치할 수 있고, 복수의 데이터 배선(DL) 중 가장 외측에 위치한 데이터 배선(DL)보다 외측에 위치할 수 있다.Also, referring to FIG. 4 , the plurality of first gate contact units C1 may be positioned outside the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL. For example, the plurality of first gate contact portions C1 and the plurality of second contact holes CH2 may be positioned outside the outermost power line VDDL among the plurality of power lines VDDL. It may be positioned outside the outermost data line DL among the plurality of data lines DL.

그리고, 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 각각이 컨택하는 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치한다. 예를 들면, 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 가장 상부에 위치한 배선, 즉, 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)보다 상부에 위치할 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130)보다 하부에 위치할 수 있다. Further, the plurality of first contact holes CH1, through which each of the plurality of data lines DL and each of the plurality of data link lines DLL make contact, are closest to the power supply line 130 among the plurality of gate lines GL. It is located between the gate line GL and the power supply line 130 . For example, the plurality of first contact holes CH1 may be located above the uppermost gate line GL among the plurality of gate lines GL, that is, the gate line GL closest to the power supply line 130. have. And, it may be positioned lower than the power supply wire 130 .

따라서, 본 발명의 다른 실시에에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)과 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 상이한 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은, 트랜지스터(140)의 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 구성된 일부 배선(GL3a)과 도전층(150)과 동일한 물질로 구성된 다른 일부 배선(GL3b)을 포함한다. 그리고, 복수의 데이트 링크 배선은, 트랜지스터(140)의 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 구성된 일부 배선(DLL1, DLL3, DLL5)과 도전층(150)과 동일한 물질로 구성된 다른 일부 배선(DLL2, DLL4)을 포함한다. 따라서, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 비표시 영역(NA)의 동일한 영역에 함께 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 서로 상이한 영역에 배치될 수 있다. Therefore, in the display device 400 according to another embodiment of the present invention, the plurality of third gate lines GL3 and the plurality of data link lines DLL may be disposed in different regions. For example, the plurality of third gate lines GL3 include some lines GL3a made of the same material as the gate line GL of the transistor 140 and other lines made of the same material as the conductive layer 150 ( GL3b). In addition, the plurality of data link wirings include some wirings DLL1, DLL3, and DLL5 made of the same material as the gate wiring GL of the transistor 140 and other wirings DLL2, made of the same material as the conductive layer 150. DLL4). Therefore, the plurality of third gate lines GL3 and the plurality of data link lines DLL may not be disposed together in the same area of the non-display area NA. Accordingly, the plurality of third gate lines GL3 and the plurality of data link lines DLL may be disposed in different regions.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 6에 도시된 표시 장치(600)는 도 4 내지 도 5에 도시된 표시 장치(400)와 비교하여 복수의 게이트 배선(GL)의 구성이 상이하고 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.6 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. Since the display device 600 shown in FIG. 6 has a different and substantially the same configuration of the plurality of gate lines GL compared to the display device 400 shown in FIGS. can explain

도 6을 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 도전층(150) 또는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 도전층(150)과 동일한 물질이거나, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. Referring to FIG. 6 , the plurality of first gate lines GL1 may be made of the same material as the conductive layer 150 or the gate electrode 142 of the transistor 140 . For example, the plurality of first gate lines GL1 may be made of the same material as the conductive layer 150 or the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 .

그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각과 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)를 이용하여 컨택될 수 있다. 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 도전층(150)과 동일한 물질인 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.Further, each of the plurality of first gate lines GL1 may be in contact with each of the plurality of third gate lines GL3 using the plurality of second gate contact units C2 . The plurality of second gate contact portions C2 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 . For example, when the plurality of first gate lines GL1 are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, each of the plurality of first gate lines GL1 includes the first interlayer insulating layer 112 and Each of the plurality of second gate contact portions C2 may be electrically connected through contact holes formed in the second interlayer insulating layer 113 . Also, when the plurality of first gate lines GL1 are made of the same material as the conductive layer 150, each of the plurality of first gate lines GL1 passes through a contact hole formed in the second interlayer insulating layer 113 to form a plurality of first gate lines GL1. It may be electrically connected to each of the second gate contact portions C2.

그리고, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각은, 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 제3 게이트 배선(GL3) 중 다른 일부(GL3b) 각각은, 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. Further, each of the portions GL3a of the third gate line GL3 made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 is formed on the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. It may be electrically connected to each of the plurality of second gate contact units C2 through the contact hole. Also, each of the other part GL3b of the third gate line GL3 made of the same material as the conductive layer 150 passes through a contact hole formed in the second interlayer insulating layer 113 to form a plurality of second gate contact units C2. ) can be electrically connected to each other.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)는, 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)를 통하여 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL)에서의 저항 편차를 감소시킬 수 있다. In the display device 600 according to another embodiment of the present invention, each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of third gate lines GL3 are connected through the plurality of second gate contact units C2. By connecting, resistance variation in the plurality of gate lines GL can be reduced.

예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 경우, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각을 동일한 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3b) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결될 수 있다.For example, when the plurality of first gate lines GL1 are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, the plurality of third gate lines are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140. Each of the part GL3a of GL3 and each of the plurality of first gate lines GL1 may be formed with the same wire. In addition, each of the plurality of third gate lines GL3 and each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of third gate lines GL3 made of the same material as the conductive layer 150 are contact holes formed in the first interlayer insulating layer 112 . can be connected through

그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 도전층(150)과 동일한 물질인 경우, 도전층(150)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 다른 일부(GL3b) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각을 동일한 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각은 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결될 수 있다.Further, when the plurality of first gate lines GL1 are made of the same material as the conductive layer 150, each of the plurality of third gate lines GL3 and the plurality of third gate lines GL3b made of the same material as the conductive layer 150. Each of the first gate wires GL1 may be formed of the same wire. Further, each of a portion GL3a of the plurality of third gate lines GL3 made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 may be connected through a contact hole formed in the first interlayer insulating layer 112 .

즉예를 들면, 제1 게이트 배선(GL1)과 제3 게이트 배선(GL3)은 하나의 배선으인 일부와 컨택홀을 통하여 연결된 두 개의 배선들인 다른 일부를 포함하게 된다.That is, for example, the first gate line GL1 and the third gate line GL3 include a part that is one line and another part that is two lines connected through a contact hole.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)는, 복수의 제3 게이트 컨택부를 이용하여 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 전기적으로 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL)의 저항 편차를 감소시킬 수 있다. 이에, 복수의 화소(PX) 각각에 전달되는 게이트 신호의 전달 속도의 편차를 최소화시킬 수 있고, 표시 장치(600)의 구동 안정성은 증가될 수 있다. Accordingly, the display device 600 according to another embodiment of the present invention electrically connects each of the plurality of first gate lines GL1 and each of the plurality of third gate lines GL3 using a plurality of third gate contact units. By connecting to , it is possible to reduce the resistance deviation of the plurality of gate lines GL. Accordingly, the deviation of the transmission speed of the gate signal transmitted to each of the plurality of pixels PX can be minimized, and driving stability of the display device 600 can be increased.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 7에 도시된 표시 장치(700)는 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 전원 공급 배선(730)의 구조가 상이하고 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.7 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. Since the display device 700 shown in FIG. 7 has a different and substantially the same structure of the power supply wiring 730 than the display device 100 shown in FIGS. can do.

도 7을 참조하면, 전원 공급 배선(730)은 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장된다. 구체적으로, 전원 공급 배선(730)은 표시 영역(AA)에 대응하여 형성되며, 나아가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하여 연장될 수 있다. Referring to FIG. 7 , the power supply wiring 730 extends to one end of the plurality of gate driving units 120 . In detail, the power supply wiring 730 is formed to correspond to the display area AA and may further extend to correspond to the deformed corner of the display area AA.

일반적인 표시 장치의 경우, 비표시 영역에 존재하는 배선의 수보다 도전층의 수가 적어, 전원 공급 배선이 표시 영역의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역까지 배치될 수 없었다. 이에, 전원 공급 배선은 이형 코너를 제외한 비표시 영역에 배치되었다. 따라서, 이형 코너를 제외한 표시 영역에 배치된 화소에만 전원 전압이 공급될 수 있었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소의 경우, 전원 공급 배선과 상이한 도전층을 이용하여 전원 전압이 공급되었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소에는 고전위 전압이 인가되지 못하였다. 이에, 복수의 화소에 공급되는 전원 전압의 세기가 고르지 못하여, 휘도의 균일도가 감소되었다.In the case of a general display device, since the number of conductive layers is smaller than the number of wires in the non-display area, power supply wires cannot be disposed up to the non-display area corresponding to the deformed corner of the display area. Accordingly, the power supply wiring is disposed in the non-display area except for the deformed corner. Accordingly, the power supply voltage could be supplied only to the pixels disposed in the display area excluding the molded corner. Therefore, in the case of the pixel disposed at the molded corner, the power supply voltage was supplied using a conductive layer different from the power supply wiring. Therefore, the high potential voltage was not applied to the pixels disposed at the molded corners. As a result, the intensity of the power supply voltage supplied to the plurality of pixels is uneven, reducing the uniformity of luminance.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)는, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 복수의 전원 배선(VDDL)으로부터 복수의 화소(PX)로 공급되는 전압의 강하 현상을 저감시킬 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 전원 공급 배선(730)으로부터 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL) 각각은 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)는, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 공급되는 전압의 전압 강하 현상을 저감시킬 수 있다. 따라서, 복수의 화소(PX) 각각은 모두 고전위 전압을 공급받을 수 있고, 이에, 표시 장치(700)의 휘도 균일성은 향상될 수 있다. Therefore, in the display device 700 according to another embodiment of the present invention, the power supply line 730 is formed to extend to one end of the plurality of gate driver 120, thereby providing a plurality of lines from the plurality of power lines VDDL. A drop phenomenon of a voltage supplied to the pixel PX may be reduced. For example, since the power supply wiring 730 extends to one end of the plurality of gate driver 120, each of the plurality of power supply wirings VDDL branching from the power supply wiring 730 forms a plurality of pixels PX. can be connected to each. Accordingly, in the display device 700 according to another exemplary embodiment of the present invention, the power supply line 730 is formed to extend to one end of the plurality of gate driving units 120, and thus a plurality of pixels PX disposed at the molded corners. ) can reduce the voltage drop phenomenon of the voltage supplied to Accordingly, each of the plurality of pixels PX may receive a high potential voltage, and thus, luminance uniformity of the display device 700 may be improved.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 8에 도시된 표시 장치(800)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 게이트 구동부(820) 및 복수의 게이트 배선(GL)이 상이하고, 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.8 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. Since the display device 800 shown in FIG. 8 has a different gate driver 820 and a plurality of gate wires GL compared to the display device 100 shown in FIGS. 1 to 3 and is substantially the same, Redundant descriptions may be omitted or briefly described.

도 8을 참조하면, 게이트 구동부(820)가 포함하는 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 복수의 게이트 배선(GL) 중 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선(GL)에 게이트 신호를 공급한다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)에 대응하도록 배치될 수 있고, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역(NA)에는 전원 공급 배선(130)이 배치되지 않는 영역이 존재할 수 있다. 따라서, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치될 수 있다. 그리고, 게이트 구동부(820)는 제1 스테이지(821) 내지 제5 스테이지(825)를 포함한다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된다. 그리고, 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823) 각각은 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 연결되며, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 연결된다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823)는 복수의 게이트 배선(GL) 각각에 게이트 신호를 전달하며, 복수의 게이트 배선(GL) 각각은 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 게이트 신호를 전달할 수 있다. 또한, 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)는 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된 화소(PX)에 게이트 배선(GL)을 통하여 게이트 신호를 공급할 수 있다.Referring to FIG. 8 , some 821 , 822 , and 823 of the plurality of stages 821 , 822 , 823 , 824 , and 825 included in the gate driving unit 820 are disposed to correspond to irregular corners of the display area AA. and supplies a gate signal to the gate line GL disposed in the region corresponding to the deformed corner among the plurality of gate lines GL. For example, the power supply wiring 130 may be arranged to correspond to the display area AA, and an area in which the power supply wiring 130 is not disposed may exist in the non-display area NA corresponding to the deformed corner. have. Accordingly, some 821 , 822 , and 823 of the plurality of stages 821 , 822 , 823 , 824 , and 825 may be disposed to correspond to irregular corners of the display area AA. Also, the gate driver 820 includes a first stage 821 to a fifth stage 825 . The first stage 821 to the third stage 823 are disposed in regions corresponding to the irregular corners of the display area AA. Also, the fourth stage 824 and the fifth stage 825 are disposed in areas not corresponding to the irregular corners of the display area AA. Each of the first stage 821 to the third stage 823 is connected to each of a plurality of first gate lines GL1 , and each of the plurality of first gate lines GL1 is connected to each of a plurality of second gate lines GL2 . connected with The first stage 821 to the third stage 823 transfer gate signals to each of the plurality of gate lines GL, and each of the plurality of gate lines GL to the plurality of pixels PX disposed at the irregular corner. A gate signal can be passed. In addition, the fourth stage 824 and the fifth stage 825 disposed in an area not corresponding to an anomaly corner transmit a gate signal to a pixel PX disposed in an area not corresponding to an anomaly corner through a gate line GL. can supply

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치됨으로써, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 안정적인 게이트 신호를 공급할 수 있다. 예를 들면, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치될 경우, 이형 코너와 대응되지 않는 비표시 영역(NA)에 배치되는 경우보다, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)와 연결된 복수의 게이트 배선(GL)의 길이는 감소될 수 있다. 그리고, 복수의 게이트 배선(GL)은 직선으로 형성될 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823) 각각으로부터 공급되는 게이트 신호는 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX) 각각에 안정적으로 공급될 수 있다. In the display device 800 according to another embodiment of the present invention, some 821 , 822 , and 823 of the plurality of stages 821 , 822 , 823 , 824 , and 825 correspond to irregular corners of the display area AA. As such, a stable gate signal can be supplied to the plurality of pixels PX disposed at the irregular corners of the display area AA. For example, when some 821, 822, and 823 of the plurality of stages 821, 822, 823, 824, and 825 are arranged to correspond to the irregular corner of the display area AA, the ratio that does not correspond to the irregular corner The lengths of the plurality of gate lines GL connected to some of the plurality of stages 821 , 822 , 823 , 824 , and 825 821 , 822 , and 823 may be reduced compared to those disposed in the display area NA. . Also, the plurality of gate lines GL may be formed in a straight line. Therefore, the gate signal supplied from each of the plurality of stages 821, 822, and 823 disposed to correspond to the irregular corner of the display area AA can be stably supplied to each of the plurality of pixels PX disposed in the irregular corner. have.

그리고, 도 8을 참조하면, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 계단 형상으로 배치될 수 있다. 또한, 표시 영역(AA)에 인접하여 배치될 수 있다. 구체적으로, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너를 따라 계단 형상으로 배치될 수 있으며, 표시 영역(AA)과 인접하여 표시 영역(AA)의 이형 코너의 형태에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)과 인접하여, 이형 코너에 대응되도록 일렬로 배치되지 않고 조금씩 엇갈리며 계단 형상으로 배치될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 이형 코너에 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)를 계단 형상으로 배치함으로써, 복수의 스테이지(821, 822, 823)가 다양한 형상의 이형 코너에 대응하여 유연하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(AA)의 코너가 도 8에 도시된 바와 같이 원의 일부의 형상을 가질 경우, 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 이에 대응하여 계단식으로 배치될 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하여 비표시 영역(NA)의 코너도 이형 코너로 형성될 수 있다. Also, referring to FIG. 8 , the plurality of stages 821 , 822 , and 823 arranged to correspond to the deformed corners of the display area AA may be arranged in a stair shape. Also, it may be disposed adjacent to the display area AA. Specifically, the plurality of stages 821, 822, and 823 disposed to correspond to the irregular corners of the display area AA may be arranged in a stair shape along the irregular corners of the display area AA. It may be disposed adjacent to and corresponding to the shape of the deformed corner of the display area AA. For example, the plurality of stages 821 , 822 , and 823 may be disposed adjacent to the display area AA so as to correspond to the deformed corner, instead of being arranged in a line, and slightly staggered and stair-shaped. In the display device 800 according to another embodiment of the present invention, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the deformed corner are arranged in a stair shape, thereby forming a plurality of stages 821, 822, and 823. can be flexibly arranged to correspond to the deformed corners of various shapes. For example, when a corner of the display area AA has a partial circle shape as shown in FIG. 8 , the plurality of stages 821 , 822 , and 823 may be disposed in a stepwise manner corresponding to the corner. Accordingly, the corner of the non-display area NA may also be formed as a molded corner corresponding to the molded corner of the display area AA.

그리고, 도 8을 참조하면, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 클 수 있다. 구체적으로, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는, 표시 영역(AA)의 이형 코너가 아닌 영역에 대응하도록 배치되는 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)와 다른 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 8에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 클 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 큰 복수의 스테이지(821, 822, 823)를 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치함으로써, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응되도록 설계된 스테이지를 배치할 수 있다. Also, referring to FIG. 8 , the plurality of stages 821 , 822 , and 823 arranged to correspond to the irregular corners of the display area AA may have a small width in a horizontal direction and a large width in a vertical direction. Specifically, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the molded corners of the display area AA are arranged to correspond to areas other than the molded corners of the display area AA, the fourth stage 824 And it may be formed in a shape different from that of the fifth stage 825 . For example, as shown in FIG. 8 , the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the irregular corners of the display area AA may have a small width in the horizontal direction and a large width in the vertical direction. have. Accordingly, in the display device 800 according to another embodiment of the present invention, a plurality of stages 821, 822, and 823 having a small width in the horizontal direction and a large width in the vertical direction are deformed corners of the display area AA. By arranging to correspond to , a stage designed to correspond to the deformed corner of the display area AA may be disposed.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A display device according to embodiments of the present invention can be described as follows.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 이형 코너를 제외한 영역에 위치할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having a shaped corner and a non-display area adjacent to the display area, a plurality of pixels in the display area and each including a transistor, and a plurality of pixels in the non-display area. , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, a plurality of gate wires in a non-display area, and extending in the same direction as the plurality of gate wires. A power supply wire and a plurality of power wire branched from the power supply wire and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels may be included, and the gate driver may be located in an area other than the deformed corner.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선의 폭은, 복수의 전원 배선 중 최외곽 전원 배선들 사이의 간격 이상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the width of the power supply wires in the direction in which the plurality of gate wires extend may be equal to or greater than the distance between the outermost power wires among the plurality of power wires.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전원 공급 배선은 복수의 게이트 구동부의 일단까지 연장될 수 있다.According to another feature of the present invention, the power supply wiring may extend to one end of the plurality of gate driving units.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층, 복수의 전원 배선과 평행하고, 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선 및 비표시 영역에 있으며, 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고, 전원 공급 배선 및 복수의 전원 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.According to another feature of the present invention, a conductive layer between the source electrode and drain electrode of the transistor and the gate electrode of the transistor, a plurality of data wires parallel to the plurality of power supply wires, and supplying data signals to a plurality of pixels, and It is in the display area and further includes a plurality of data link wires for supplying data signals to the plurality of data wires, and the power supply wires and the plurality of power wires may be made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 복수의 게이트 배선 중 전원 공급 배선에 가장 가까운 게이트 배선과 전원 공급 배선 사이에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data lines are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistors, some of the plurality of data link lines are made of the same material as the gate electrodes of the transistors, and other of the plurality of data link lines are made of the same material. Part of the material is the same as the conductive layer, and the contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires is in contact may be located between the gate wire closest to the power supply wire and the power supply wire among the plurality of gate wires. .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고, 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 복수의 전원 배선 및 복수의 데이터 배선 외측에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of gate wires extend from the gate driver and are connected to the plurality of first gate wires and the plurality of first gate wires made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor to form a display area. , and includes a plurality of second gate wires made of the same material as the transistor gate electrode, and a contact hole through which each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires contacts a plurality of power wires and a plurality of data wires. It can be located outside the wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 도전층, 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선, 표시 영역으로 연장되어, 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고, 표시 장치는 복수의 제2 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며, 제1 게이트 컨택부는 복수의 전원 배선 및 복수의 데이터 배선 외측에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of gate wires extend from the gate driver, and the plurality of first gate wires made of the same material as the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the source and drain electrodes of the transistor, the display area to connect a plurality of second gate wires, a plurality of first gate wires, and a plurality of second gate wires made of the same material as the gate electrode of the transistor, some of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and some of them are of the same material as the gate electrode of the transistor. includes a plurality of third gate wires made of the same material as the conductive layer, and the display device further includes a plurality of first gate contact portions electrically connecting each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires. And, the first gate contact unit may be positioned outside the plurality of power lines and the plurality of data lines.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 컨택부는, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of first gate contact units may be made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor, and may contact the plurality of second gate wires and the plurality of third gate wires through contact holes. have.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 배선이 도전층 또는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우, 복수의 게이트 배선은, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제2 게이트 배선과 컨택하는 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, when the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor, the plurality of gate wires are made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor, and form a contact hole. A plurality of second gate contact portions contacting the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires may be further included.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 복수의 게이트 배선에 게이트 신호를 공급하는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 중 일부는 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 복수의 게이트 배선 중 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선에 게이트 신호를 공급할 수 있다.A display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having a shaped corner and a non-display area adjacent to the display area, a plurality of pixels in the display area and each including a transistor, and a plurality of pixels in the non-display area. , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, a plurality of gate wires in a non-display area, and extending in the same direction as the plurality of gate wires. A power supply wire and a plurality of power supply wires branched from the power supply wire and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver includes a plurality of stages for supplying gate signals to the plurality of gate wires. In addition, some of the plurality of stages are disposed to correspond to the molded corners, and gate signals may be supplied to gate wires disposed in regions corresponding to the molded corners among the plurality of gate wires.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 스테이지 중 일부는 계단 형상으로 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, some of the plurality of stages may be arranged in a stair shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 스테이지 중 일부는, 복수의 스테이지 중 이형 코너를 제외한 영역에 대응하도록 배치된 다른 일부에 비해 가로 방향 폭이 작고, 세로 방향 폭이 클 수 있다.According to another feature of the present invention, some of the plurality of stages may have a smaller width in the horizontal direction and a larger width in the vertical direction than other parts of the plurality of stages arranged to correspond to areas other than the deformed corner.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 이형 코너는, 라운드(round) 형상을 가질 수 있다.According to another feature of the present invention, the molded corner may have a round shape.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖고, 트랜지스터가 구비된 복수의 화소가 정의된 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 양 측에서 이형 코너에 대응하는 비표시 영역의 면적을 최소화하도록 이형 코너를 제외한 영역에 형성된 게이트 구동부, 비표시 영역에 있는 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선과 일체로 이루어진 복수의 전원 배선을 포함하고, 전원 공급 배선은 복수의 화소에 전원 전압을 공급하도록 표시 영역 전체에 대응된 영역에 형성될 수 있다.A display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate having a release corner and including a display area in which a plurality of pixels including transistors are defined and a non-display area adjacent to the display area, and release corners on both sides of the display area. and a gate driver formed in an area other than the deformed corner to minimize the area of the non-display area corresponding to , a power supply wire in the non-display area, and a plurality of power supply wires integrally formed with the power supply wire, wherein the power supply wire includes a plurality of power supply wires. It may be formed in an area corresponding to the entire display area to supply a power supply voltage to the pixels of .

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선의 폭은, 표시 영역의 폭 이상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the width of the power supply wiring in the direction in which the plurality of gate wires extend may be greater than or equal to the width of the display area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전원 공급 배선은, 전원 전압의 강하 현상을 저감시키도록 게이트 구동부의 일단까지 연장될 수 있다.According to another feature of the present invention, the power supply wiring may extend to one end of the gate driver to reduce a drop in the power supply voltage.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층 복수의 전원 배선과 평행하고, 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선, 복수의 데이터 배선과 상이한 방향으로 연장되는 복수의 게이트 배선 및 비표시 영역에 있고, 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고, 전원 공급 배선 및 복수의 전원 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.According to another feature of the present invention, a plurality of data wires parallel to the plurality of power supply wires in the conductive layer between the source electrode and drain electrode of the transistor and the gate electrode of the transistor, and supplying data signals to a plurality of pixels, a plurality of It further includes a plurality of gate wires extending in a direction different from the data wires and a plurality of data link wires in the non-display area and supplying data signals to the plurality of data wires, wherein the power supply wires and the plurality of power wires are transistors It may be the same material as the source electrode and the drain electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고, 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은, 복수의 제1 게이트 배선이 복수의 데이터 배선 및 복수의 전원 배선과 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data lines are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistors, some of the plurality of data link lines are made of the same material as the gate electrodes of the transistors, and others are made of the same material as the conductive layer. material, and the plurality of gate wires extend from the gate driver and are connected to the plurality of first gate wires and the plurality of first gate wires, which are the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor, and extend into the display area, and the transistor gate It includes a plurality of second gate wires made of the same material as the electrode, and a contact hole where each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires contact each other, and each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires contact each other. The contact hole may be positioned such that the plurality of first gate wires are disposed in a region different from the plurality of data wires and the plurality of power supply wires.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 도전층, 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선, 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선, 복수의 제1 게이트 배선과 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고, 표시 장치는 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 복수의 제2 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며, 제1 게이트 컨택부는 복수의 데이터 링크 배선과 복수의 제3 게이트 배선이 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data lines are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistors, some of the plurality of data link lines are made of the same material as the gate electrodes of the transistors, and others are made of the same material as the conductive layer. material, and the plurality of gate wires extend from the gate driver and extend to a plurality of first gate wires and a display region of the same material as the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the source and drain electrodes of the transistor, A plurality of second gate wires of the same material as the gate electrode, connecting the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires, some of which are of the same material as the gate electrode of the transistor, and the other of which are of the same material as the conductive layer. The display device includes a plurality of third gate wires, and the display device electrically connects a contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires contact each other, and each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires. A plurality of first gate contact units may be further included, and the first gate contact units may be positioned such that the plurality of data link wires and the plurality of third gate wires are disposed in different regions.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 컨택부는, 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of first gate contact units are made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor to minimize resistance variation in the plurality of gate wires, and the plurality of second gate contacts are formed through contact holes. wiring and a plurality of third gate wirings.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 배선이 도전층 또는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우, 복수의 게이트 배선은, 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함하며, 복수의 제2 게이트 컨택부는, 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, when the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor, each of the plurality of gate wires is a plurality of first gate wires and each of a plurality of third gate wires. It further includes a plurality of second gate contact units for electrically connecting the plurality of second gate contacts, the plurality of second gate contacts are made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor to minimize the resistance variation in the plurality of gate wires, , and may contact the plurality of second gate wires and the plurality of third gate wires through the contact hole.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 400, 600, 700, 800: 표시 장치
110: 기판
111: 게이트 절연층
112: 제1 층간 절연층
113: 제2 층간 절연층
120, 820: 게이트 구동부
121, 821: 제1 스테이지
122, 822: 제2 스테이지
130, 730: 전원 공급 배선
140: 박막 트랜지스터
141: 액티브층
142: 게이트 전극
143: 소스 전극
144: 드레인 전극
150: 도전층
823: 제3 스테이지
824: 제4 스테이지
825: 제5 스테이지
100, 400, 600, 700, 800: display device
110: substrate
111: gate insulating layer
112: first interlayer insulating layer
113: second interlayer insulating layer
120, 820: gate driver
121, 821: first stage
122, 822: second stage
130, 730: power supply wiring
140: thin film transistor
141: active layer
142: gate electrode
143: source electrode
144: drain electrode
150: conductive layer
823: third stage
824: fourth stage
825: 5th stage

Claims (21)

이형 코너를 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 이형 코너를 포함한 상기 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소;
상기 비표시 영역에 있으며, 상기 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부;
상기 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 상기 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선;
상기 비표시 영역에 있으며, 상기 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선; 및
상기 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 상기 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고,
상기 비표시 영역은 적어도 두개 이상의 이형 코너를 포함하며,
상기 게이트 구동부는 상기 이형 코너를 제외한 영역에 위치하고,
상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층을 포함하는, 표시 장치.
a substrate including a display area having a release corner and a non-display area adjacent to the display area;
a plurality of pixels in the display area including the shape corner, each including a transistor;
a gate driver in the non-display area and disposed on at least one side of the display area;
a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to the plurality of pixels;
a power supply wire in the non-display area and extending in the same direction as the plurality of gate wires; and
a plurality of power supply wires branched from the power supply wires and supplying a high potential voltage to the plurality of pixels;
The non-display area includes at least two deformed corners,
The gate driver is located in an area excluding the deformed corner,
and a conductive layer between the source and drain electrodes of the transistor and the gate electrode of the transistor.
제1항에 있어서,
상기 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 상기 전원 공급 배선의 폭은, 상기 복수의 전원 배선 중 최외곽 전원 배선들 사이의 간격 이상인, 표시 장치.
According to claim 1,
A width of the power supply wires in a direction in which the plurality of gate wires extend is greater than or equal to a distance between outermost power wires among the plurality of power wires.
제1항에 있어서,
상기 전원 공급 배선은 상기 복수의 게이트 구동부의 일단까지 연장된, 표시 장치.
According to claim 1,
The power supply wire extends to one end of the plurality of gate driving units.
제1항에 있어서,
상기 복수의 전원 배선과 평행하고, 상기 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선; 및
상기 비표시 영역에 있으며, 상기 복수의 데이터 배선에 상기 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고,
상기 전원 공급 배선 및 상기 복수의 전원 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.
According to claim 1,
a plurality of data wires parallel to the plurality of power supply wires and supplying data signals to the plurality of pixels; and
a plurality of data link wires in the non-display area and supplying the data signals to the plurality of data wires;
The power supply wiring and the plurality of power wirings are made of the same material as a source electrode and a drain electrode of the transistor.
제4항에 있어서,
상기 복수의 데이터 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고,
상기 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 상기 복수의 데이터 링크 배선 중 다른 일부는 상기 도전층과 동일한 물질이며,
상기 복수의 데이터 배선 각각과 상기 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 상기 복수의 게이트 배선 중 상기 전원 공급 배선에 가장 가까운 게이트 배선과 상기 전원 공급 배선 사이에 위치하는, 표시 장치.
According to claim 4,
The plurality of data wires are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor,
Some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and some of the plurality of data link wires are made of the same material as the conductive layer;
The display device of claim 1 , wherein a contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires is in contact is located between a gate wire closest to the power supply wire and the power supply wire among the plurality of gate wires.
제5항에 있어서,
상기 복수의 게이트 배선은,
상기 게이트 구동부로부터 연장되고, 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선; 및
상기 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 상기 표시 영역으로 연장되고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고,
상기 복수의 제1 게이트 배선 각각과 상기 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 상기 복수의 전원 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 외측에 위치하는, 표시 장치.
According to claim 5,
The plurality of gate wires,
a plurality of first gate wires extending from the gate driver and made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor; and
a plurality of second gate wires connected to the plurality of first gate wires to extend into the display area and made of the same material as a gate electrode of the transistor;
and a contact hole through which each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires contact each other is located outside the plurality of power supply wires and the plurality of data wires.
제5항에 있어서,
상기 복수의 게이트 배선은,
상기 게이트 구동부로부터 연장되고, 상기 도전층, 상기 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선;
상기 표시 영역으로 연장되어, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는 복수의 제2 게이트 배선; 및
상기 복수의 제1 게이트 배선과 상기 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 상기 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고,
상기 표시 장치는 복수의 제2 게이트 배선 각각과 상기 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며,
상기 제1 게이트 컨택부는 상기 복수의 전원 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 외측에 위치하는, 표시 장치.
According to claim 5,
The plurality of gate wires,
a plurality of first gate wires extending from the gate driver and made of the same material as the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the source and drain electrodes of the transistor;
a plurality of second gate wires extending into the display area and made of the same material as the gate electrode of the transistor; and
a plurality of third gate wires connecting the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires, some of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and the other are made of the same material as the conductive layer; ,
The display device further includes a plurality of first gate contact units electrically connecting each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires,
The first gate contact unit is positioned outside the plurality of power lines and the plurality of data lines.
제7항에 있어서,
상기 복수의 제1 게이트 컨택부는, 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 상기 복수의 제2 게이트 배선 및 상기 복수의 제3 게이트 배선과 컨택하는, 표시 장치.
According to claim 7,
The plurality of first gate contact portions are made of the same material as source and drain electrodes of the transistor, and contact the plurality of second gate wires and the plurality of third gate wires through contact holes.
제7항에 있어서,
상기 복수의 제1 게이트 배선이 상기 도전층 또는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우,
상기 복수의 게이트 배선은,
상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 상기 복수의 제1 게이트 배선 및 상기 복수의 제2 게이트 배선과 컨택하는 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함하는, 표시 장치.
According to claim 7,
When the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor,
The plurality of gate wires,
and a plurality of second gate contact portions made of the same material as a source electrode and a drain electrode of the transistor and contacting the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires through contact holes.
이형 코너를 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소;
상기 비표시 영역에 있으며, 상기 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부;
상기 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 상기 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선;
상기 비표시 영역에 있으며, 상기 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선; 및
상기 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 상기 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고,
상기 게이트 구동부는 상기 복수의 게이트 배선에 게이트 신호를 공급하는 복수의 스테이지를 포함하고,
상기 복수의 스테이지 중 일부는 상기 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 상기 복수의 게이트 배선 중 상기 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선에 게이트 신호를 공급하고,
상기 복수의 스테이지 중 상기 이형 코너의 영역에 대응하도록 배치된 스테이지는, 상기 이형 코너를 제외한 영역에 대응하도록 배치된 다른 일부 스테이지에 비해 가로 방향 폭이 작고, 세로 방향 폭이 큰, 표시 장치.
a substrate including a display area having a release corner and a non-display area adjacent to the display area;
a plurality of pixels in the display area, each including a transistor;
a gate driver in the non-display area and disposed on at least one side of the display area;
a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to the plurality of pixels;
a power supply wire in the non-display area and extending in the same direction as the plurality of gate wires; and
a plurality of power supply wires branched from the power supply wires and supplying a high potential voltage to the plurality of pixels;
The gate driver includes a plurality of stages supplying gate signals to the plurality of gate lines,
Some of the plurality of stages are disposed to correspond to the molded corners, and supply gate signals to gate wires disposed in regions corresponding to the molded corners among the plurality of gate wires;
Among the plurality of stages, a stage arranged to correspond to an area of the deformed corner has a smaller width in a horizontal direction and a larger width in a vertical direction than some other stages arranged to correspond to an area excluding the deformed corner.
제10항에 있어서,
상기 복수의 스테이지 중 일부는 계단 형상으로 배치된, 표시 장치.
According to claim 10,
Some of the plurality of stages are disposed in a stair shape.
삭제delete 제10항에 있어서,
상기 이형 코너는, 라운드(round) 형상을 갖는, 표시 장치.
According to claim 10,
The irregular corner has a round shape.
적어도 두개 이상의 이형 코너를 갖고, 트랜지스터가 구비된 복수의 화소가 정의된 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 표시 영역 양 측에서 상기 이형 코너에 대응하는 상기 비표시 영역의 면적을 최소화하도록 상기 이형 코너를 제외한 영역에 형성된 게이트 구동부;
상기 비표시 영역에 있는 전원 공급 배선; 및
상기 전원 공급 배선과 일체로 이루어진 복수의 전원 배선을 포함하고,
상기 전원 공급 배선은 상기 복수의 화소에 전원 전압을 공급하도록 상기 표시 영역 전체에 대응된 영역에 형성되고,
상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층을 포함하는 표시 장치.
a substrate having at least two or more molded corners and including a display area in which a plurality of pixels equipped with transistors are defined, and a non-display area adjacent to the display area;
a gate driver formed in an area excluding the deformed corner to minimize an area of the non-display area corresponding to the deformed corner on both sides of the display area;
a power supply wire in the non-display area; and
Including a plurality of power supply wiring integrally formed with the power supply wiring,
The power supply wiring is formed in an area corresponding to the entire display area to supply a power voltage to the plurality of pixels;
A display device comprising a conductive layer between the source and drain electrodes of the transistor and the gate electrode of the transistor.
제14항에 있어서,
상기 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 상기 전원 공급 배선의 폭은, 상기 표시 영역의 폭 이상인, 표시 장치.
According to claim 14,
A width of the power supply wiring in a direction in which the plurality of gate wires extend is greater than or equal to a width of the display area.
제14항에 있어서,
상기 전원 공급 배선은, 상기 전원 전압의 강하 현상을 저감시키도록 상기 게이트 구동부의 일단까지 연장된, 표시 장치.
According to claim 14,
The power supply wire extends to one end of the gate driver to reduce a drop in the power supply voltage.
제14항에 있어서,
상기 복수의 전원 배선과 평행하고, 상기 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선;
상기 복수의 데이터 배선과 상이한 방향으로 연장되는 복수의 게이트 배선; 및
상기 비표시 영역에 있고, 상기 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고,
상기 전원 공급 배선 및 상기 복수의 전원 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.
According to claim 14,
a plurality of data wires parallel to the plurality of power supply wires and supplying data signals to the plurality of pixels;
a plurality of gate wires extending in a direction different from that of the plurality of data wires; and
a plurality of data link wires in the non-display area and supplying data signals to the plurality of data wires;
The power supply wiring and the plurality of power wirings are made of the same material as a source electrode and a drain electrode of the transistor.
제17항에 있어서,
상기 복수의 데이터 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고,
상기 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 상기 도전층과 동일한 물질이며,
상기 복수의 게이트 배선은,
상기 게이트 구동부로부터 연장되고, 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선; 및
상기 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 상기 표시 영역으로 연장되고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고,
상기 복수의 데이터 배선 각각과 상기 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 상기 복수의 제1 게이트 배선 각각과 상기 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은, 상기 복수의 제1 게이트 배선이 상기 복수의 데이터 배선 및 상기 복수의 전원 배선과 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치하는, 표시 장치.
According to claim 17,
The plurality of data wires are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor,
Some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and some are made of the same material as the conductive layer;
The plurality of gate wires,
a plurality of first gate wires extending from the gate driver and made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor; and
a plurality of second gate wires connected to the plurality of first gate wires to extend into the display area and made of the same material as a gate electrode of the transistor;
A contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires contact each other and a contact hole through which each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires contact each of the plurality of first gate wires wherein the wiring is disposed in a different area from the plurality of data wires and the plurality of power supply wires.
제17항에 있어서,
상기 복수의 데이터 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고,
상기 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 상기 도전층과 동일한 물질이며,
상기 복수의 게이트 배선은,
상기 게이트 구동부로부터 연장되고, 상기 도전층, 상기 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선;
상기 표시 영역으로 연장되고, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선;
상기 복수의 제1 게이트 배선과 상기 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 상기 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고,
상기 표시 장치는 복수의 데이터 배선 각각과 상기 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 상기 복수의 제2 게이트 배선 각각과 상기 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며,
상기 제1 게이트 컨택부는 상기 복수의 데이터 링크 배선과 상기 복수의 제3 게이트 배선이 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치하는, 표시 장치.
According to claim 17,
The plurality of data wires are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor,
Some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and some are made of the same material as the conductive layer;
The plurality of gate wires,
a plurality of first gate wires extending from the gate driver and made of the same material as the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the source and drain electrodes of the transistor;
a plurality of second gate wires extending into the display area and made of the same material as the gate electrode of the transistor;
a plurality of third gate wires connecting the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires, some of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and the other are made of the same material as the conductive layer; ,
The display device may include a plurality of first contact holes through which each of the plurality of data lines and each of the plurality of data link wires contact each other and electrically connecting each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires. Further comprising a gate contact unit,
The first gate contact unit is positioned so that the plurality of data link wires and the plurality of third gate wires are disposed in different regions.
제19항에 있어서,
상기 복수의 제1 게이트 컨택부는, 상기 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 상기 복수의 제2 게이트 배선 및 상기 복수의 제3 게이트 배선과 컨택하는, 표시 장치.
According to claim 19,
The plurality of first gate contact portions are made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor to minimize resistance variation in the plurality of gate wires, and the plurality of second gate wires and the plurality of gate contacts are formed through contact holes. A display device that contacts the third gate wiring.
제20항에 있어서,
상기 복수의 제1 게이트 배선이 상기 도전층 또는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우,
상기 복수의 게이트 배선은, 상기 복수의 제1 게이트 배선 각각과 상기 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함하며,
상기 복수의 제2 게이트 컨택부는, 상기 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 컨택홀을 통해 상기 복수의 제2 게이트 배선 및 상기 복수의 제3 게이트 배선과 컨택하는, 표시 장치.
According to claim 20,
When the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor,
The plurality of gate wires further include a plurality of second gate contact portions electrically connecting each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of third gate wires,
The plurality of second gate contact units are made of the same material as the source electrode and the drain electrode of the transistor to minimize resistance variation in the plurality of gate wires, and the plurality of second gate wires and the plurality of second gate wires and the plurality of gate contacts are formed through contact holes. A display device that contacts a plurality of third gate wires.
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