KR102415865B1 - Narrow bezel display device - Google Patents
Narrow bezel display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102415865B1 KR102415865B1 KR1020150138250A KR20150138250A KR102415865B1 KR 102415865 B1 KR102415865 B1 KR 102415865B1 KR 1020150138250 A KR1020150138250 A KR 1020150138250A KR 20150138250 A KR20150138250 A KR 20150138250A KR 102415865 B1 KR102415865 B1 KR 102415865B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- sealant
- disposed
- dam
- area
- Prior art date
Links
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 260
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 252
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 353
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 216
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 8
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 15
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 15
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 3
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 102100040856 Dual specificity protein kinase CLK3 Human genes 0.000 description 2
- 102100040858 Dual specificity protein kinase CLK4 Human genes 0.000 description 2
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- 101000749304 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK3 Proteins 0.000 description 2
- 101000749298 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK4 Proteins 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 101100380342 Catharanthus roseus ASO gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
비표시영역의 특정 위치에 쌍을 이루는 상부 댐 및 하부 댐과 트렌치를 조성하여, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여 씰런트와 배향 물질의 중첩을 최소화한다. 또한, 씰-영역의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적을 넓힌다. 이로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. By forming a pair of upper dams and lower dams and trenches at specific positions in the non-display area, the bezel width is reduced below a certain level, while at the same time controlling the spread of the sealant and the orientation material to overlap the sealant and the orientation material. to minimize In addition, the contact area between the sealant and the lower substrate is increased by the trench formed under the seal-region. Accordingly, it is possible to provide a display device in which adhesion between the upper substrate and the lower substrate is improved.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 외곽에서 상부 기판과 하부 기판을 합착하는 씰런트(Sealant)가, 신호배선 영역 또는 게이트 드라이버 영역에 중첩 배치됨으로써 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a display device, and more particularly, a sealant for bonding an upper substrate and a lower substrate from the outside is overlapped with a signal wiring region or a gate driver region, thereby reducing a bezel width. It relates to a display device.
액정 디스플레이 장치는 상부 기판, 하부 기판 및 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. 액정 디스플레이 장치에 인가되는 전계에 의해 배향이 제어되는 액정층을 통과하는 광에 의해 화상이 표시된다. 즉, 액정 디스플레이 장치는 액정층의 배향에 의해 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다. 상부 기판과 하부 기판 사이에 액정층이 구비될 수 있도록, 디스플레이 장치의 표시영역의 외곽 주변부에 해당하는 비표시영역(또는, 베젤(Bezel)영역)에 씰런트가 도포되어, 외곽부에서 상부 기판과 하부 기판을 합착한다. A liquid crystal display device includes an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the lower substrate. An image is displayed by light passing through a liquid crystal layer whose orientation is controlled by an electric field applied to the liquid crystal display device. That is, the liquid crystal display device is a device in which the transmittance of light is adjusted by the alignment of the liquid crystal layer to display an image. A sealant is applied to a non-display area (or a bezel area) corresponding to the outer periphery of the display area of the display device so that the liquid crystal layer can be provided between the upper substrate and the lower substrate, and the upper substrate from the outer portion and the lower substrate.
최근 디자인적인 측면에서, 베젤 폭이 줄어든 디스플레이 장치가 각광받고 있다. 이에, 업계에서는 디스플레이 장치에서 베젤 폭을 줄이기 위하여, 디스플레이 장치의 상부 기판과 하부 기판을 합착하기 위한 씰런트가 도포되는 영역, 즉, 씰-영역(Seal Region)의 면적을 줄이려는 노력을 계속하고 있다. 하지만, 씰-영역의 면적은, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력과 비례관계에 있으므로, 씰-영역의 면적을 줄이는 데에는 한계가 있다. 씰-영역은, 씰런트와의 접착력이 좋지 않은 물질로 이루어진 영역 또는 외력에 파손되기 쉬운 영역을 회피하여 설계되어야 하기 때문에, 씰-영역과 비표시영역의 회로 영역을 중첩함으로써 베젤을 축소시키는 것은 한계가 있다. In terms of design, a display device with a reduced bezel width has recently been in the spotlight. Accordingly, in order to reduce the width of the bezel in the display device, the industry continues to make efforts to reduce the area of the sealant for bonding the upper and lower substrates of the display device, that is, the seal region. have. However, since the area of the seal-region is proportional to the adhesive force between the upper substrate and the lower substrate, there is a limit to reducing the area of the seal-region. Since the seal-region should be designed to avoid an area made of a material with poor adhesion to the sealant or an area prone to breakage by external force, reducing the bezel by overlapping the circuit area of the seal-region and the non-display area is difficult. There are limits.
또한, 씰런트는 상부 기판 또는 하부 기판에, 유동성이 있는 액체 상태에서 도포됨에 따라 퍼지거나 넘칠 수 있으므로, 씰-영역의 면적을 줄이는 데에는 한계가 있다.In addition, since the sealant may spread or overflow as it is applied to the upper substrate or the lower substrate in a fluid state, there is a limit in reducing the area of the seal-region.
또한, 씰런트가 광경화되는 물질로 이루어진 경우, 씰런트를 경화하기 위하여 하부 기판의 외부에서 씰-영역을 향하여 UV와 같은 고에너지의 광이 조사되어야 한다. 이 때, 씰런트가 회로 영역 중에서 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 부분에까지 도포되거나 퍼지게 되면, 광을 반사시키는 금속 배선에 의해 광이 씰런트까지 도달하지 못함으로써, 씰런트가 경화되지 않을 수 있다. In addition, when the sealant is made of a photocurable material, high energy light such as UV must be irradiated from the outside of the lower substrate toward the seal-region in order to harden the sealant. At this time, if the sealant is applied or spread to a portion of the circuit area where the metal wires are arranged with a dense density, the light does not reach the sealant by the metal wires that reflect the light, so that the sealant may not be cured. .
게다가, 액정층의 배향을 위한 배향 물질 역시 상부 기판 또는 하부 기판에, 유동성이 있는 액체 상태에서 도포됨에 따라 퍼지거나 넘칠 수 있다. 도포된 배향 물질이 퍼져서 씰-영역까지 침범하는 경우, 씰런트와 배향 물질이 의도치 않게 중첩하게 된다. 씰런트와 배향 물질 간에는 접착력이 좋지 않기 때문에, 씰런트와 배향 물질이 중첩하는 면적이 넓어질수록, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력이 저하된다. 따라서, 도포된 배향 물질이 퍼져서 씰-영역까지 침범하지 않도록 하기 위해서는, 씰-영역과 배향 물질이 도포된 영역은 소정 간격(또는, 마진)이 필요하게 된다. 씰-영역과 배향 물질이 도포된 영역 사이의 소정 간격은, 베젤 폭이 증가하는 요인이 된다.
In addition, the alignment material for alignment of the liquid crystal layer may also spread or overflow as it is applied to the upper substrate or the lower substrate in a fluid state. When the applied orientation material spreads and invades the seal-region, the sealant and the orientation material unintentionally overlap. Since the adhesive force between the sealant and the alignment material is not good, as the overlapping area of the sealant and the alignment material increases, the adhesion between the upper substrate and the lower substrate decreases. Accordingly, a predetermined distance (or margin) is required between the seal-region and the area to which the orientation material is applied in order to prevent the applied orientation material from spreading and encroaching on the seal-region. The predetermined distance between the seal-region and the area to which the orientation material is applied causes an increase in the bezel width.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역과 회로 영역의 중첩에 의해, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력을 향상시킴과 동시에 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above-described problems in the prior art, and the narrow bezel display device according to the embodiment of the present invention improves the adhesion between the upper substrate and the lower substrate by overlapping the seal-region and the circuit region. It is an object of the present invention to provide a display device capable of reducing the bezel width to a certain level or less while simultaneously reducing the bezel width.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역과 회로 영역이 중첩된 부분에서 발생할 수 있는 회로 영역의 파손을 최소화할 수 있는 범퍼를 구성함으로써, 회로 영역의 파손에 따른 금속 배선의 전식 내지 부식의 발생이 저감되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the narrow bezel display device according to the embodiment of the present invention configures a bumper capable of minimizing damage to the circuit region that may occur in the portion where the seal-region and the circuit region overlap, thereby An object of the present invention is to provide a display device in which corrosion or corrosion of metal wiring is reduced.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여, 씰런트와 배향 물질의 중첩이 최소화되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the narrow bezel display device according to an embodiment of the present invention reduces the bezel width to a certain level or less and at the same time controls the spread of the sealant and the spread of the orientation material, thereby minimizing the overlap of the sealant and the orientation material. The purpose is to provide a device.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 네로우 베젤 디스플레이 장치는, 씰-영역의 하부 또는 씰-영역의 인근의 하부에 형성된 트렌치(trench)에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적이 넓어짐으로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, in the narrow bezel display device according to the embodiment of the present invention, the contact area between the sealant and the lower substrate is widened by a trench formed in the lower portion of the seal-region or in the vicinity of the seal-region. An object of the present invention is to provide a display device in which adhesion between a substrate and a lower substrate is improved.
또한, 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰-영역과 특정 회로 영역의 회피 설계 및 별도의 독립된 공정 프로세스 또는 마스크의 추가 없이 상부 기판과 하부 기판의 합착 불량 및 씰런트 하부의 회로의 파손에 따른 메탈 전식/부식 발생을 저감시켜 수 있는 구조를 제공하여 설계적/공정적 자유도가 높은 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
In addition, in reducing the bezel width of the display device, the seal-region and the specific circuit area avoid design, and without a separate independent processing process or addition of a mask, it is possible to prevent the failure of bonding between the upper substrate and the lower substrate and damage to the circuit under the sealant. An object of the present invention is to provide a display device with a high degree of freedom in design/process by providing a structure capable of reducing the occurrence of metal corrosion/corrosion.
전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 액정을 개재하도록 서로 마주보며 배치된 상부 기판과 하부 기판을 포함하며, 상부 기판에는 복수의 상부 스페이서가 구비되고 하부 기판에는 복수의 하부 스페이서가 구비된다. 기판의 외곽부에는 복수의 외부신호배선이 배치된 게이트 링크부 및 게이트 드라이버가 구비된다. 상기 복수의 외부신호배선과 상기 게이트 드라이버는 복수의 브릿지 영역에 의해 전기적으로 연결된다. 베젤을 축소하기 위해 상기 게이트 링크부와 상기 게이트 드라이버가 배치된 영역의 일부와 중첩되도록 씰런트가 도포되는 씰-영역에 형성되어 상부 기판과 하부 기판이 합착된다. 복수의 브릿지 영역 각각에는 제1 금속층이 노출된 제1 컨택홀 및 제2 금속층이 노출된 제2 컨택홀 상부로, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층을 연결하는 브릿지 전극이 구비된다. 하부 기판에 형성된 복수의 하부 스페이서는 상기 상부 스페이서와 대응되는 위치에 배치된 하부 스페이서 및 상기 복수의 브릿지 영역 중 적어도 하나 이상의 브릿지 영역과 중첩되어 배치된 하부 스페이서를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention includes an upper substrate and a lower substrate facing each other to interpose a liquid crystal, the upper substrate is provided with a plurality of upper spacers, and the lower substrate is provided with a plurality of lower spacers. A gate link unit and a gate driver on which a plurality of external signal wirings are disposed are provided at an outer portion of the substrate. The plurality of external signal lines and the gate driver are electrically connected by a plurality of bridge regions. In order to reduce the bezel, it is formed in a seal-region where a sealant is applied so as to overlap a portion of the region where the gate link portion and the gate driver are disposed, so that the upper substrate and the lower substrate are bonded to each other. In each of the plurality of bridge regions, the first metal layer and the second contact hole are formed above the first contact hole through which the first metal layer is exposed and the second contact hole is exposed through the second contact hole. A bridge electrode connecting the two metal layers is provided. The plurality of lower spacers formed on the lower substrate may include a lower spacer disposed at a position corresponding to the upper spacer and a lower spacer disposed to overlap with at least one bridge area among the plurality of bridge areas.
또한, 비표시영역의 특정 위치에 쌍을 이루는 상부 댐 및 하부 댐과 트렌치를 조성하여, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여 씰런트와 배향 물질의 중첩을 최소화한다. 또한, 씰-영역의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적을 넓힌다. In addition, by forming a pair of upper dams and lower dams and trenches at specific positions in the non-display area, the bezel width is reduced below a certain level and at the same time, the spread of the sealant and the orientation material are controlled to control the spread of the sealant and the orientation material. to minimize the overlap of In addition, the contact area between the sealant and the lower substrate is increased by the trench formed under the seal-region.
본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 액정층을 개재하여 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판과 제2 기판이 서로 합착되도록, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비표시영역에 배치되는 씰런트; 액정층의 액정의 초기 배향 방향을 결정하는 위치인, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서 서로 마주보며 배치되는 상부 배향막 및 하부 배향막; 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역; 제1 기판에서 제2 기판을 향해 솟은 하부 댐과 제2 기판에서 제 1기판을 향해 달린 상부 댐을 포함하는 오버랩방지영역; 및 씰런트가 흘러 들어갈 수 있도록, 복수의 트렌치를 포함하는 트렌치영역을 포함한다. 이 때, 오버랩방지영역과 트렌치영역은, 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 인접하여 배치되고 서로 중첩하는 것을 특징으로 한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area, comprising: a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween; a sealant disposed in a non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to each other; an upper alignment layer and a lower alignment layer facing each other in a display area between the first substrate and the second substrate, which is a position for determining an initial alignment direction of the liquid crystal of the liquid crystal layer; a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area; an overlap prevention region including a lower dam rising from the first substrate toward the second substrate and an upper dam running from the second substrate toward the first substrate; and a trench region including a plurality of trenches to allow the sealant to flow in. In this case, the overlap prevention region and the trench region are disposed adjacent to the boundary between the touch wiring region and the gate driver and overlap each other.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 제1 기판; 디스플레이 장치의 외곽을 둘러 배치되는 UV 경화 썰런트; UV 경화 씰런트에 의해 둘러싸이는 배향막; 디스플레이 장치의 베젤 폭을 최소화도록, 비표시영역에서 UV 경화 씰런트와 배향막의 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 제1 구조물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In another aspect, according to an embodiment of the present invention, there is provided a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area, comprising: a first substrate; UV curing thruant disposed around the periphery of the display device; an alignment layer surrounded by a UV curing sealant; and a first structure disposed at a position to prevent overlapping of the UV curing sealant and the alignment layer in the non-display area to minimize the bezel width of the display device.
본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역과 회로 영역의 중첩에 의해, 상부 기판과 하부 기판 사이의 접착력을 향상시킴과 동시에 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a display device capable of reducing the bezel width to a predetermined level or less while improving adhesion between the upper substrate and the lower substrate by overlapping the seal region and the circuit region.
또한, 본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역과 회로 영역이 중첩된 부분에서 발생할 수 있는 회로 영역의 파손을 최소화할 수 있는 범퍼를 구성함으로써, 회로 영역의 파손에 따른 금속 배선의 전식 내지 부식의 발생이 저감되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by configuring a bumper that can minimize damage to the circuit area that may occur in the portion where the seal-region and the circuit area overlap, corrosion or corrosion of the metal wiring due to the breakage of the circuit area It is possible to provide a display device in which the occurrence of
또한, 본 발명의 실시예에 따라, 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄이면서도 동시에 씰런트의 퍼짐과 배향 물질의 퍼짐을 제어하여, 씰런트와 배향 물질의 중첩이 최소화 되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a display device in which the overlap of the sealant and the alignment material is minimized by reducing the bezel width below a certain level and at the same time controlling the spread of the sealant and the alignment material. .
또한, 본 발명의 실시예에 따라, 씰-영역의 하부 또는 씰-영역의 인근의 하부에 형성된 트렌치에 의해, 씰런트와 하부 기판 간의 접촉 면적이 넓어짐으로써 상부 기판과 하부 기판 간의 접착력이 향상되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, by the trench formed in the lower portion of the seal-region or in the vicinity of the seal-region, the contact area between the sealant and the lower substrate is increased, so that the adhesion between the upper substrate and the lower substrate is improved. A display device may be provided.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effect of the present invention is not limited to the above-mentioned effects, and another effect not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the following description.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
Since the content of the invention described in the problem to be solved above, the means for solving the problem, and the effect do not specify the essential characteristics of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 상부 스페이서 및 하부 스페이서를 설명하기 위한 개략적인 평면도와 단면도들이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 4b는 도4a에 도시된 A에서부터 A'까지 연장된 라인을 따라 대응되는 영역에 대한 단면도이다.
도 4c는 도 4b에 대응하여, 다른 실시예를 표시한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시영역의 일부를 확대하여 나타낸 영역에 대한 단면도이다.
도 5는 는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 비표시영역을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 비표시영역을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7h는 도 5에 도시된 오버랩방지영역에 대응되는 평면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 오버랩방지영역 및 트렌치영역에 대응되는 평면도들이다.1 is a schematic plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
3A to 3D are schematic plan and cross-sectional views illustrating an upper spacer and a lower spacer of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4A is an enlarged plan view of a portion of a non-display area of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a cross-sectional view of a corresponding region along a line extending from A to A' shown in FIG. 4A.
4C is a cross-sectional view of an enlarged portion of a non-display area of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, corresponding to FIG. 4B, showing another exemplary embodiment.
5 is a diagram schematically illustrating a non-display area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram schematically illustrating a non-display area of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
7A to 7H are plan views corresponding to the overlap prevention area shown in FIG. 5 .
8A to 8D are plan views corresponding to the anti-overlap region and the trench region shown in FIG. 5 .
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 다양한 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 다양한 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 다양한 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become apparent with reference to the various embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the various embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these various embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
본 발명의 여러 다양한 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 다양한 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the various embodiments may be independently embodied with respect to each other or may be practiced together in a related relationship. may be
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 표시영역에 대한 개략적인 단면도이다. 1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 광을 출력하는 복수의 화소(P)들이 구비된 디스플레이 패널(100)을 포함한다. 복수의 화소(P)들이 구비된 부분은 표시영역(DA)으로, 표시영역(DA)의 외곽 주변은 비표시영역(NDA)으로 구획된다. 디스플레이 패널(100)이 액정 패널로 구현될 경우, 디스플레이 패널(100)은 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 서로 대향하여 소정의 간격으로 이격되어 있다. 이격된 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에, 표시영역(DA)에 대응하여 액정이 충진된 액정층(LC)이 구성된다. 이 때, 제1 기판(110)은 복수의 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: TFT)들이 형성된 TFT 어레이 기판일 수 있고, 제2 기판(115)은 복수의 화소(P)들에 대응하는 컬러필터층(CF)이 형성된 컬러필터 기판일 수 있다. 또는, 제2 기판(115)은 복수의 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: TFT)들이 형성된 TFT 어레이 기판일 수 있고, 제1 기판(110)은 복수의 화소(P)들에 대응하는 컬러필터층(CF)이 형성된 컬러필터 기판일 수 있다. 또는, 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 중 하나에 컬러필터층(CF)과 TFT 어레이가 함께 구성될 수도 있다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 중 적어도 하나에는 공통전극(140)과 화소전극(150)이 구비된다. 공통전극(140)과 화소전극(150)에 각각 인가되는 전압의 차이에 의하여 형성되는 수직 또는 수평 전계에 의해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 액정의 배향이 제어된다. 1 and 2 , the
또한, 디스플레이 장치(10)는 액정 패널의 광원으로서, 액정 패널의 하부에 배치되는 백라이트유닛(Backlight Unit)을 포함한다. 또한, 디스플레이 장치(10)는 액정 패널을 구동시키기 위한 각종의 구동 회로부를 포함한다. 구동 회로부는 PCB(printed circuit board)에 구현될 수 있다. 구동 회로부는, 액정 패널 외곽의 일 측면에 형성된 게이트 패드부(G_Pad) 및 데이터 패드부(D_Pad)와 연결된다. 구동 회로부는 액정 패널의 게이트 드라이버와 데이터 드라이버를 구동한다. In addition, the
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 기판(110)은 표시영역(DA)과 그 주변의 비표시영역(NDA)로 구획된다. 표시영역(DA)에는 복수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 상호 교차하여 배치되며, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하여 정의된 각각의 화소(P) 영역마다 박막 트랜지스터(130)가 구비되어 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(100)에서는 N개의 게이트 라인(GL)과 M개의 데이터 라인(DL)이 교차하여 M*N개의 화소(P)가 구비될 수 있다. 디스플레이 패널(100)의 일부 실시예에서는 서로 인접한 화소(P) 간에 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)을 서로 공유하는 구조로 설계될 수도 있다. 따라서, 디스플레이 패널(100)에서는 M×N 보다 더 많은 개수의 화소(P)가 구비될 수도 있다. 각 화소(P) 영역에 구비된 박막 트랜지스터(130)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 접속되어, 게이트 라인(GL)에 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭되고, 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 데이터 신호를 화소전극(150)에 공급한다. 화소전극(150)은 박막 트랜지스터(130)에 접속되어 박막 트랜지스터(130)로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 전계를 형성하고, 형성된 전계에 의해 액정층(LC)의 액정 배향이 조절된다.1 and 2 , the
도 2에서는, 설명의 편의를 위하여 디스플레이 패널(100)의 표시영역(DA)에 배치된 세 개의 화소(P)를 도시하고 있다. 각 화소(P)에 형성된 박막 트랜지스터(130)는, 제1 기판(110) 상에 형성된 게이트 전극(131), 액티브층(132), 제1 전극(133) 및 제2 전극(134)을 포함한다. 보다 구체적으로, 제1 기판(110) 상에 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결된 게이트 전극(131)이 형성되고, 게이트 전극(131) 상에는 게이트 절연층(121)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(121) 상에 채널이 형성되는 액티브층(132)이 형성되고, 액티브층(132) 상에 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된 제1 전극(134) 및 화소전극(150)과 전기적으로 연결된 제2 전극(133)이 형성된다. 액티브층(132)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. In FIG. 2 , three pixels P are illustrated in the display area DA of the
제1 기판(110) 상의 박막 트랜지스터(130)를 덮도록 평탄화층(122)이 형성된다. 평탄화층(122)은 박막 트랜지스터(130) 상부에 평탄한 표면을 형성한다. 평탄화층(122)은 포토 아크릴(Photo-Acryl: PAC) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에, 별도의 패시베이션층(PAS)이 구성될 수 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(130)와 평탄화층(122) 사이에 구비되는 패시베이션층(PAS)은 실리콘 계열의 무기 절연 물질로 형성될 수 있다. A
평탄화층(122) 상에 공통전극(140)이 형성된다. 공통전극(140)은 화소전극(150)과의 사이에서 전계를 형성함으로써 액정을 구동한다. 도 2에서는 화소전극(150)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결되는 부분을 도시하고 있기 때문에, 마치 공통전극(140)이 각 화소(P) 마다 분리된 것처럼 도시되어 있다. 그러나, 공통전극(140)은, 화소전극(150)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결되는 부분 이외의 부분에서, 각 화소(P)의 공통전극(140)은 별도의 컨택홀을 통해 공통전극 라인을 따라 서로 전기적으로 연결될 수 있다. A
또한, 각 화소(P)마다 별도의 공통전극(140)을 구비할 수도 있지만, 서로 인접한 복수의 화소(P)가 하나의 공통전극 블록(block)을 공유할 수도 있다. 이로써, 화면의 일 프레임 기간을 시분할하여, 일 구간에서 공통전극 라인으로 터치 입력을 감지하기 위한 신호를 인가하는 방식으로 터치 감지가 되는, 디스플레이 패널(100)을 구현할 수 있다. 각 공통전극 블록으로부터 개별적인 공통전극 라인이 연장되어, 각 공통전극 라인은 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 공통전극 라인은 박막 트랜지스터(130) 상에서, 박막 트랜지스터(130)와 공통전극 블록 사이에 배치될 수 있다. 또는, 공통전극 라인은 박막 트랜지스터(130)의 아래에 배치될 수 있다. 또는, In addition, although a separate
박막 트랜지스터(130)의 아래에 공통전극 라인이 배치되는 경우, 공통전극 라인과 박막 트랜지스터(130) 사이에는 박막 트랜지스터(130) 상에 형성되는 평탄화층(122)과는 다른, 고내열성 평탄화층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110) 상에 복수의 공통전극 라인이 형성되고, 공통전극 라인 상에 실리콘 계열의, 고내열성 평탄화층(Silicon on Glass: SOG)이 형성되고, 고내열성 평탄화층 상에 박막 트랜지스터(130)가 형성될 수 있다. When the common electrode line is disposed under the
공통전극 라인은 후술할 터치배선에 의하여, 비표시영역(NDA)에서, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)의 경계를 따라 연장되어, 터치 드라이버와 연결될 수 있다.The common electrode line may extend along a boundary between the display area DA and the non-display area NDA in the non-display area NDA to be connected to the touch driver by a touch wiring to be described later.
공통전극(140)과 화소전극(150) 사이에는 두 전극을 절연시키기 위한 절연층(123)이 형성된다. 절연층(123)은 공통전극(140)을 보호함과 동시에 공통전극(140) 상부에 평탄한 표면을 형성한다. 절연층(123)은 평탄화층(122)과 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 패시베이션층(PAS)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 즉, 절연층(123)은 곧 평탄화층(122)이거나, 패시베이션층(PAS)일 수 있다. 또는, 절연층(123)은 패시베이션층 및 평탄화층(122)과는 상이한 절연 물질로 형성될 수도 있다.An insulating
화소전극(150)은 평탄화층(122) 및 절연층(123)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(130)의 제1 전극(133)과 전기적으로 연결된다. 화소전극(150)과 공통전극(140)은 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)와 같은, 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 화소전극(150)에는 공통전극(140)과 수평 전계를 형성하도록 복수의 슬릿(Slit)이 형성될 수 있다. 그러나 이는 예시적일 뿐, 공통전극(140)과 화소전극(150)간의 구조 및 배치관계가 이에 한정되지는 않는다. 따라서, 일부 실시예에서는 공통전극(140)이 화소전극(150) 상부에 배치되거나 화소전극(150)과 공통전극(140)이 동일층에 배치될 수도 있다. 또한 일부 실시예에서는, 화소전극(150) 대신에 공통전극(140)이 복수의 슬릿(Slit)을 가지도록 형성될 수도 있다.The
도 2를 참조하면, 제1 기판(110)에 대향하여 배치된 제2 기판(115)은 디스플레이 패널(100)의 컬러필터 기판이다. 제2 기판(115)는 복수의 화소(P)에 차광 영역과 개구 영역을 각각 구획하는 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터층(CF)이 구비된다. 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 영역은 차광 영역으로 정의되고, 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 영역은 개구 영역으로 정의된다. 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에는 박막 트랜지스터(130), 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 등과 같은 다양한 구동 소자 및 배선이 형성된다. 개구 영역에는 화소전극(150)과 공통전극(140)이 형성된다. 도 2에서는 디스플레이 패널(100)의 게이트 라인(GL)을 따라 절단된 단면을 도시하고 있기 때문에 블랙 매트릭스(BM)가 연속적으로 연장되어 있다. 즉, 도 2에서는 차광 영역에서의 단면도를 도시하고 있다. 하지만 개구 영역에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성되어 있지 않다. 블랙 매트릭스(BM)는 서로 인접한 두 화소(P) 사이에 배치됨에 따라, 하부의 데이터 라인(DL), 박막 트랜지스터(130) 과 같은, 외광을 반사할 수 있는 구조물을 가리도록 배치되어 있다. Referring to FIG. 2 , the
제2 기판(115)에는 디스플레이 패널(100)의 각 화소(P)에 대응하여 복수의 컬러필터(CF1, CF2, CF3)가 형성된다. 즉, 컬러필터층(CF)은 컬러필터(CF1, CF2, CF3)를 포함한다. 구체적으로, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 각각의 개구 영역에 대응하도록 컬러필터(CF1, CF2, CF3)가 형성된다. 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 각각의 일부 영역은 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 블랙 매트릭스(BM)가, 컬러필터층(CF)보다, 제2 기판(115)에 더 가깝게 배치되어 있다. 하지만, 일부 다른 실시예에서는 인접한 화소(P) 간에 빛이 새어나가는 것을 저감하기 위해, 컬러필터층(CF)이, 블랙 매트릭스(BM)보다, 제2 기판(115)에 더 가깝게 배치되고, 블랙 매트릭스(BM)가 제1 기판(110)의 표면에 배치될 수도 있다. A plurality of color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed on the
블랙 매트릭스(BM) 및 컬러필터층(CF)을 덮도록, 제2 기판(115)에 오버 코팅층(OC)이 형성된다. 오버 코팅층(OC)은 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터층(CF)을 덮어, 제2 기판(115)에 평탄한 표면을 제공하기 위한 층이다. 또한, 오버 코팅층(OC)는 컬러필터층(CF)의 각종 안료에 의한 액정 오염을 방지한다. 예를 들어, 오버 코팅층(OC)은 아크릴 계열의 레진이나 에폭시 계열의 레진으로 구성될 수 있다. 또는, 오버 코팅층(OC)은 평탄화층(122)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. An overcoat layer OC is formed on the
제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에는 패드부(PAD), 데이터 링크부(D_Link), 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)가 구비된다. 패드부(PAD)는 데이터 패드부(D_Pad) 및 게이트 패드부(G_Pad)를 포함한다. 게이트 패드부(G_Pad)는 데이터 패드부(D_Pad)의 일측에 형성되어 외부의 구동 회로부에 접속된다. 데이터 패드부(D_Pad)는 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)의 일측에 형성되어 외부 구동 회로부에 접속될 수 있다. 또한 데이터 패드부(D_Pad)에는 집적 회로(Integrated Circuit; IC) 구조의 데이터 드라이버가 칩-온-글래스(Chip-On-Glass; COG) 방식으로 제1 기판(110)에 직접 접속될 수도 있다. A pad part PAD, a data link part D_Link, a gate link part G_Link, and a gate driver GIP are provided in the non-display area NDA of the
패드부(PAD)에는 전술한 데이터 패드부(D_Pad)와 게이트 패드부(G_Pad) 이외에도 디스플레이 패널(100)의 화소(P)를 구동하거나 그 이외의 여러 가지 추가 기능들을 구현하는데 필요한 신호의 입출력을 위한 패드들이 구비될 수 있다. 예를 들어, 패드부(PAD)에는, 구동 회로부의 공통 전압 생성부에 접속되는 공통 전압 패드가 구성될 수 있다. 또는 패드부(PAD)에는, 디스플레이 패널의 터치인식 기능을 수행하기 위한 터치 드라이버와 접속되는 터치센서 패드가 구성될 수 있다. 각 패드부(PAD)의 위치는 비표시영역(NDA)의 일 측에 한정되지 않고 비표시영역(NDA)의 상측, 하측, 좌측, 우측 중 적어도 하나 이상의 측에 구성될 수 있다. In addition to the above-described data pad unit D_Pad and gate pad unit G_Pad, the pad unit PAD includes input/output of signals necessary for driving the pixel P of the
데이터 링크부(D_Link)에는 표시영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)과 데이터 패드부(D_Pad) 사이에 배치되어, 서로를 전기적으로 접속시키는 데이터 링크 배선(D_LL)이 구성될 수 있다. 게이트 링크부(G_Link)에는 게이트 드라이버(GIP)를 구동하기 위한 각종의 외부신호가 공급되는 외부신호배선이 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 스타트 신호배선(VST), 복수의 클럭 신호배선(CLK1-4), 리셋 신호배선(RESET), 전압배선(VSS, VDD, VDD1) 등이 게이트 링크부(G_Link)에 구성될 수 있다. 게이트 패드부(G_Pad)에 전기적으로 접속된 게이트 링크부(G_Link)의 각 외부신호배선은 연결배선(CL)을 통해 게이트 드라이버에 접속된다.The data link part D_Link may include a data link line D_LL disposed between the data line DL disposed in the display area DA and the data pad part D_Pad to electrically connect each other. An external signal line to which various external signals for driving the gate driver GIP are supplied may be configured in the gate link unit G_Link. For example, as shown in FIG. 1 , the gate start signal line VST, the plurality of clock signal lines CLK1-4, the reset signal line RESET, the voltage lines VSS, VDD, VDD1, etc. are gated. It may be configured in the link unit (G_Link). Each external signal line of the gate link unit G_Link electrically connected to the gate pad unit G_Pad is connected to the gate driver through the connection line CL.
게이트 드라이버는, 표시영역(DA)의 박막 트랜지스터(130)를 형성하는 과정 중에, 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 형성된, 박막 트랜지스터(130)에 의해 구성될 수 있다. 주그 디스플레이 패널의 일 기판에 배치된 게이트 드라이버는 게이트-인 패널(Gate-In-Panel; GIP) 방식으로 구성될 수 있다. 게이트 드라이버는 게이트 신호를 생성하여 표시영역(DA)에 배치된 게이트 라인(GL)에 순차적으로 공급한다. 이를 위해, 게이트 드라이버는 게이트 라인(GL) 각각에 접속된 복수의 스테이지(ST)를 포함한다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 각 외부신호배선은 연결배선(CL)을 통해 게이트 드라이버(GIP)의 각 스테이지(ST)과 선택적으로 접속된다. The gate driver may be configured by the
복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 배선(VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 응답하여, 복수의 클럭 신호 배선(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) 중 어느 하나로부터 공급되는 클럭 신호를 게이트 신호로서 인가받는다. 그리고 복수의 스테이지(ST) 각각은 인가 받은 게이트 신호를 게이트 라인(GL)에 공급한다. 이러한 복수의 스테이지(ST) 각각은 게이트 스타트 신호 라인(VST) 또는 이전 단 스테이지로부터 공급되는 게이트 스타트 신호에 따라 순차적으로 동작함으로써 게이트 신호를 첫번째 게이트 라인(GL)에서부터 마지막 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급하거나 마지막 게이트 라인(GL)에서부터 첫 번째 게이트 라인(GL)까지 순차적으로 공급한다.Each of the plurality of stages ST receives a clock supplied from any one of the plurality of clock signal lines CLK1 , CLK2 , CLK3 and CLK4 in response to the gate start signal line VST or a gate start signal supplied from the previous stage. The signal is applied as a gate signal. In addition, each of the plurality of stages ST supplies the applied gate signal to the gate line GL. Each of the plurality of stages ST sequentially operates the gate signal from the first gate line GL to the last gate line GL by sequentially operating according to the gate start signal line VST or the gate start signal supplied from the previous stage. or sequentially from the last gate line GL to the first gate line GL.
제1 기판(100)의 가장자리 또는 제2 기판(115)의 가장자리에, 비표시영역(NDA)을 따라, 씰런트가 도포된다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115)는 표시영역(DA)에서 액정층(LC)을 사이에 두고 서로 대향 합착된다. 씰런트가 도포된 씰-영역과 제1 기판(110)의 비표시영역(NDA)은, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 블랙 매트릭스(BM)이나 디스플레이 장치의 하우징(housing)에 의해 가려지게 된다. 이 때, 블랙 매트릭스(BM)나 하우징에 의해 가려지는 비표시영역(NDA)을 베젤(bezel)이라 부르기도 한다. 베젤의 폭을 감소시키기 위해, 씰런트가 도포되는 씰-영역은 비표시영역(NDA)에서의 회로 영역과 중첩될 수 있다. 즉, 씰-영역은 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되거나, 연장배선(CL)이 배치된 영역과 중첩되거나 또는 게이트 드라이버가 형성된 영역과도 중첩될 수 있다.A sealant is applied to the edge of the
씰-영역에 구비된 씰런트에 의해 합착된 제1 기판(110) 및 제2 기판(115) 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에는 스페이서가 구비된다. 스페이서는 제1 기판(110)의 일 면에 구성되거나, 제2 기판(115)의 일 면에 구성될 수 있다. 디스플레이 패널이 외력을 받게 되면 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 정렬이 서로 어긋나게 된다. 이 때, 스페이서가 제1 기판(110)의 일 면에 구성된 경우, 스페이서는 제2 기판(115)의 일 면에 구비된 배향막을 손상시킬 수 있다. 이에 따라, 의도하지 않은 액정 배향의 틀어짐이 발생하게 되고, 액정 배향의 틀어짐에 의한 빛샘이 발생하게 된다. 새어 나오는 빛은, 사용자에게 디스플레이 패널이 블랙 화상을 표시할 때, 스페이서의 위치에 대응하여 붉은(reddish) 색, 녹(greenish) 색 또는 푸른(bluish) 색의 빛으로 인식된다. 즉, 블랙 화상에서의 빛샘 불량은 스페이서에 의한 배향막 손상에서 기인한다. 전술한 스페이서에 의한, 배향막의 손상 따른 빛샘 불량을 저감하기 위해, 스페이서를 가리는 블랙 매트릭스(BM)의 면적을 보다 확대하여 설계할 수도 있다. 그러나, 디스플레이 패널에서의 고해상도 및 고개구율을 고려하면, 블랙 매트릭스(BM)의 면적을 확대하는 방식을 빛샘 불량을 해결하는 것은 지양되어야 한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 제1 기판의 일 면에 스페이서가 구성되고, 그에 대응하여 마주보도록, 제2 기판의 일 면에 스페이서가 구성된다. In order to maintain a constant distance between the
도 2를 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서, 제2 기판(115)의 오버 코팅층(OC) 상에 복수의 상부 스페이서(U_SP)가 배치된다. 상부 스페이서(U_SP)는 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 차광 영역에 배치된다. 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에서, 제1 기판(110)의 평탄화층(122) 및 절연층(123) 상에 복수의 하부 스페이서(L_SP)가 배치된다. 하부 스페이서(L_SP)는 상부 스페이서(U_SP)와 서로 대향하여 마주보도록, 배치된다. Referring to FIG. 2 , a plurality of upper spacers U_SP are disposed on the overcoat layer OC of the
제1 기판(110) 및 제2 기판(115)에 각각에 구비된 복수의 스페이서(U_SP, L_SP) 중 일부의 높이는 다른 스페이서(U_SP, L_SP)의 높이에 비해 더 길거나 짧을 수 있다. 즉, 복수의 상부 스페이서(U_SP)는 각각의 길이가 균일하지 않을 수 있다. 또한, 복수의 하부 스페이서(L_SP)는 각각의 길이가 균일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상부 스페이서(U_SP) 중 일부는 나머지에 비해 더 긴 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP) 간의 거리(또는, 간격)도 역시 균일하지 않을 수 있다. The heights of some of the plurality of spacers U_SP and L_SP respectively provided on the
나머지에 비해 더 긴 높이를 가지는 일부 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP)에 의하여, 디스플레이 패널(100)의 셀 갭(cell gap)이 고정된다. 예를 들어, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 셀 갭을 유지하기 위한, 하부 스페이서(L_SP) 및 그에 대응하는 상부 스페이서(U_SP) 각각의 높이의 합은, 셀 갭과 동일할 수 있다. 이로써, 하부 스페이서(L_SP)의 상면과, 그에 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 하면이 서로 접촉할 수 있다. A cell gap of the
짧은 높이를 가지는 나머지 상부 스페이서(U_SP) 및 그에 대응하는 하부 스페이서(L_SP)에 의하여, 디스플레이 패널(100)에 외압이 가해질 경우에 디스플레이 패널(100)의 셀 갭이 순간적으로 감소되더라도, 셀 갭이 특정 수치 이하로 줄어드는 현상이 방지된다.Even if the cell gap of the
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)에 구비되는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 설명하기 위한 개략적인 단면도와 평면도들이다. 도 3a 내지 도3d에서는 설명의 편의를 위해 전술한 디스플레이 패널(100)의 구성요소들 중, 제1 기판(110) 상에 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에서, 평탄화층(122), 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀(Contact Hole), 화소전극(150), 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)만을 도시하였다. 3A to 3D are schematic cross-sectional views and plan views for explaining an upper spacer U_SP and a lower spacer L_SP provided in the
도 3a를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 바(Bar) 형태로 구현된다. 바 형태의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)는 게이트 라인(GL)과 중첩되며 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되도록 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응하는 위치에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 데이터 라인(DL)과 중첩되며 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 형성된다. 도 3a에서 상부 스페이서(U_SP)는 서로 인접한 두 화소(P) 영역의 컨택홀을 넘어서지 않는(또는, 지나치지 않는) 범위에서 게이트 라인(GL)을 따라 연장되어 형성된다. 하지만, 상부 스페이서(U_SP)는 이에 한정되지 않고, 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소의 컨택홀을 넘어서도록(또는, 지나치도록) 연장되어 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A , the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP are implemented in a bar shape. The bar-shaped upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP may be formed in a light blocking area by the black matrix BM disposed along the gate line GL. The upper spacer U_SP overlaps the gate line GL and is formed to extend in the same direction as the extension direction of the gate line GL. The lower spacer L_SP disposed at a position corresponding to the upper spacer U_SP overlaps the data line DL on the
도 3b를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 대응하여 형성된다. 도 3b의 실시예에서 상부 스페이서(U_SP)는 데이터 라인(DL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 데이터 라인(DL)과 중첩하여 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)와 대응하는 위치에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩하여 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)가, 디스플레이 패널(100)에 가해진 외부 압력에 의해 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 미소하게 엇갈리는 경우, 상부 스페이서(U_SP)의 위치가 변동됨에 따라 상부 스페이서(U_SP)가 컨택홀 상에 위치하게 될 수 있다. 이 때, 디스플레이 패널(100)에 가해지던 외부 압력이 없어진 후에도 상부 스페이서(U_SP)가 본래 위치로 회복되지 않을 수 있다. 따라서, 상부 스페이서(U_SP)가 컨택홀(Contact Hole)에 끼이지 않도록, 상부 스페이서(U_SP)의 가로의 길이 또는 세로의 길이를 길게 형성한다. 이로써, 컨택홀에 상부 스페이서(U_SP)가 끼이지 않는다. 즉, 상부 스페이서(U_SP)의 가로의 길이가 컨택홀의 가로의 길이보다 길거나, 상부 스페이서(U_SP)의 세로의 길이가 컨택홀의 세로의 길이보다 길도록, 상부 스페이서(U_SP)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3B , the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP are formed to correspond to the light blocking area by the black matrix BM disposed along the gate line GL. 3B , the upper spacer U_SP extends in the same direction as the extension direction of the data line DL and overlaps the data line DL. The lower spacer L_SP disposed at a position corresponding to the upper spacer U_SP extends in the same direction as the extending direction of the gate line GL on the
다른 방법으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 복수의 컨택홀(Contact Hole)을 덮는 구조로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라, 게이트 라인(GL) 상에 라인 형상으로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL) 상에 라인 형상으로 형성될 경우, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 액정 양을 최적화하기 어려울 수 있다. 따라서, 하부 스페이서(L_SP)는 하부 스페이서(L_SP)와 인접한 소정의 개수만큼의 컨택홀 만을 덮도록, 형성될 수 있다. 즉, 하부 스페이서(L_SP)는 라인 형상이 아닐 수 있다. 예를 들어, 하부 스페이서(L_SP)는 하부 스페이서(L_SP)와 인접한 두 개의 컨택홀 만을 덮는 길이로 형성될 수 있다. Alternatively, as shown in FIG. 3B , the lower spacer L_SP may extend in the same direction as the extending direction of the gate line GL to cover the plurality of contact holes. The lower spacer L_SP may be formed in a line shape along the gate line GL and on the gate line GL. When the lower spacer L_SP is formed in a line shape on the gate line GL, it may be difficult to optimize the amount of liquid crystal between the
상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는, 도 3a 내지 도 3b에서 도시된 바 형태와는 다르게, 원형으로 형성될 수 있다. 도 3c를 참조하면, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다. 상부 스페이서(U_SP)는 콘(Cone) 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 콘 형태의 뾰족한 부분은 제2 기판(115)으로부터 제1 기판(110)을 향한다. 상부 스페이서(U_SP)에 대향하는 하부 스페이서(L_SP)는, 제1 기판(110) 상에서 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 중첩되어 형성된다. 이 때, 하부 스페이서(L_SP)의 지름은, 하부 스페이서(L_SP)와 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 지름보다 더 길 수 있다. 즉, 하부 스페이서의 원 넓이가, 하부 스페이서(_SP)와 대응하는 상부 스페이서(U_SP)의 원 넓이보다 더 넓을 수 있다. 추가로, 도 3b의 실시예와 같이 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 복수의 화소들의 컨택홀을 덮거나, 혹은 하부 스페이서(L_SP)에 인접한 두 개의 컨택홀 만을 덮을 수 있다. The upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP may be formed in a circular shape, different from the shape shown in FIGS. 3A to 3B . Referring to FIG. 3C , the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP are formed in a light blocking area by the black matrix BM disposed along the gate line GL. The upper spacer U_SP may be formed in a cone shape. At this time, the cone-shaped sharp portion faces the
도 3d는 복수의 스페이서 중 다른 스페이서에 비해 더 짧은 높이로 형성된 스페이서(이하에서, Push 스페이서라 한다)의 일 예를 도시한 단면도이다. Push 스페이서는 디스플레이 패널에 외력이 가해졌을 때, 셀 갭이 순간적으로 미소하게 줄어들더라도, 일정 수준 이하로 줄어들지는 않도록 하는 역할을 한다. 도 3d에서는 Push 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 도시하고 있다. 한편, 도 3a 내지 도3c에서는 기판에 구비된 복수의 스페이서 중 다른 스페이서에 비해 더 긴 높이로 형성된 스페이서(이하에서, Gap 스페이서)의 일 예를 도시하고 있다. Gap 스페이서는 디스플레이 패널의 셀 갭을 고정하는 역할을 한다. 도 3a 내지 도3c에서는 Gap 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)를 도시하고 있다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리가, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리보다 더 멀다. 예를 들어, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 사이의 거리는 0(zero)일 수 있다. Push 스페이서 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 Gap 스페이서의 역할을 하는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)와 마찬가지로, 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 블랙 매트릭스(BM)에 의한 차광 영역에 형성된다. 3D is a cross-sectional view illustrating an example of a spacer (hereinafter, referred to as a push spacer) formed to have a shorter height than other spacers among a plurality of spacers. The push spacer serves to prevent the cell gap from being reduced below a certain level even if the cell gap is momentarily slightly reduced when an external force is applied to the display panel. 3D illustrates an upper spacer U_SP and a lower spacer L_SP serving as a push spacer. Meanwhile, FIGS. 3A to 3C illustrate an example of a spacer (hereinafter, a gap spacer) formed to have a longer height than other spacers among a plurality of spacers provided on the substrate. The gap spacer serves to fix the cell gap of the display panel. 3A to 3C illustrate an upper spacer U_SP and a lower spacer L_SP serving as a gap spacer. The distance between the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as the push spacer is greater than the distance between the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as the gap spacer. For example, the distance between the upper spacer U_SP serving as the gap spacer and the lower spacer L_SP may be 0 (zero). The upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as a push spacer are the same as the upper spacer U_SP and lower spacer L_SP serving as the gap spacer, the black matrix BM disposed along the gate line GL. ) is formed in the light-shielded area.
도 3d에서 Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는 게이트 라인(GL) 축으로 서로 인접한 화소의 컨택홀(Contact Hole) 사이에 배치된다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는, Gap 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)에 비해, 각각 더 작은 면적을 가지도록 형성되어 있다. Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP) 둘 중 하나는 게이트 라인(GL) 축으로 연장되고 나머지 다른 하나는 데이터 라인(DL) 축으로 연장되어 구성될 수 있다. 또한, Push 스페이서 역할의 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)는, 하부 스페이서(L_SP)가 게이트 라인(GL)을 따라 연장되어 두 개 이상의 컨택홀을 덮는 형태로 구성될 수 있다.In FIG. 3D , the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as a push spacer are disposed between contact holes of pixels adjacent to each other along the axis of the gate line GL. The upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as the push spacer are formed to have a smaller area than the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as the gap spacer, respectively. One of the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP extends along the gate line GL axis and the other of the upper spacer U_SP and lower spacer L_SP serves as a push spacer along the data line DL axis. may be extended to In addition, the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP serving as the push spacer may be configured in such a way that the lower spacer L_SP extends along the gate line GL to cover two or more contact holes.
상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 동일한 물질로 형성되거나 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)와 상부 스페이서(U_SP)를 동일한 물질로 형성할 경우, 하부 스페이서(L_SP)와 상부 스페이서(U_SP) 간에 마찰계수, 탄성 및 외압 전후의 복원력이 동일하게 되어 디스플레이 패널(100)의 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)를 설계함에 있어서 쉽게 최적의 높이, 넓이 및 배치관계를 설정할 수 있다. 다만, 제1 기판(110)의 생산라인에도 제2 기판(115)의 생산라인에 구성된 상부 스페이서(U_SP)를 생산하는 장비가 같이 구비되거나 아니면 제1 기판(110)을 여러 생산라인으로 옮겨 다니면서 제작해야 하는 번거로움이 있을 수 있다. The upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP may be formed of the same material or may be formed of different materials. When the lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP) are formed of the same material, the friction coefficient, elasticity, and restoring force before and after external pressure are the same between the lower spacer (L_SP) and the upper spacer (U_SP). In designing the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP, an optimal height, width, and arrangement relationship can be easily set. However, the equipment for producing the upper spacer (U_SP) configured in the production line of the
상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다. 스페이서의 높이 및 형상을 조절하는 측면에서는 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)를 유기 물질로 형성하는 것이 비교적 더 쉬울 수 있다. 예를 들어, 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)는 포토 아크릴 (Photo Acryl: PAC) 또는 폴리이미드 (Polyimide: PI) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. 상부 스페이서(U_SP)와, 제2 기판(115) 상의 배향막 사이의 이격 거리를 확보하기 위해, 하부 스페이서(L_SP)의 높이는 4000Å 또는 그 이상일 수 있다.The upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP may be formed of an organic material or an inorganic material. In terms of adjusting the height and shape of the spacer, it may be relatively easier to form the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP using an organic material. For example, the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP may be formed of an organic material such as photo acryl (PAC) or polyimide (PI). In order to secure a separation distance between the upper spacer U_SP and the alignment layer on the
전술한 상부 스페이서(U_SP) 및 하부 스페이서(L_SP)의 구조와 및 배치 관계에 따라, 디스플레이 패널(100)에 외력이 가해지더라도 상부 스페이서(U_SP)와 하부 스페이서(L_SP)가 배향막에 접촉하지 않게 된다. 이로써, 배향막의 손상에 의한 액정 틀어짐에 따른, 빛샘 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 블랙 매트릭스(BM)의 폭을 넓히지 않고도, 빛샘 불량을 방지할 수 있게 됨에 따라, 고개구율 및 고해상도를 가진 디스플레이 패널(100)을 구현할 수 있다.According to the structure and arrangement relationship of the above-described upper spacer U_SP and lower spacer L_SP, the upper spacer U_SP and the lower spacer L_SP do not contact the alignment layer even when an external force is applied to the
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4a는 제1 기판(110)상에서 비표시영역(NDA)에 포함된 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 "A" 지점부터 "A'" 지점까지 연장된 라인을 따른 디스플레이 패널(200)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 4A to 4B are diagrams schematically illustrating a non-display area NDA of the
도 4a를 참조하면, 제1 기판(110)의 외각 측으로 복수의 외부신호배선이 형성된 게이트 링크부(G_Link)가 형성되어 있고, 게이트 링크부(G_Link)를 기준으로, 표시영역(DA) 측으로 게이트 드라이버(GIP)가 위치한다. 본 발명의 다양한 실시예에서와 같이, 게이트 드라이버(GIP)가 제1 기판(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터(130)로 구현된 경우, 제1 기판(110) 상에는 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)이 형성됨과 동시에 상기 게이트 링크부(G_Link)에 형성된 외부신호배선에서 인가되는 외부신호를 게이트 드라이버(GIP)로 전달하기 위한 연결배선(CL)이 형성된다. 연결배선(CL)은 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 사이에 위치하거나, 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)에 걸쳐 형성되어 있을 수 있다. Referring to FIG. 4A , a gate link part G_Link in which a plurality of external signal wirings are formed is formed on the outer side of the
도 4a에 도시된 바와 같이, 연결배선(CL)은 복수의 외부신호배선을 가로질러 게이트 드라이버(GIP) 측으로 연장된다. 따라서, 게이트 링크부(G_Link)의 외부신호배선과 연결배선(CL)은 서로 다른 전도층에 의해 구성되고, 외부신호배선이 형성되는 전도층과 연결배선(CL)이 형성되는 전도층 간에는 절연층이 개재될 수 있다. 이로써, 연결배선(CL)이 선택적인 외부신호배선과 연결되고 그 이외에 다른 외부신호배선을 가로질러 게이트 드라이버(GIP) 측으로 연장될 수 있다. 서로 상이한 두 전도층 간에 전기적인 연결을 위해 디스플레이 패널(100)에는 복수의 브릿지 영역(BRA)이 구비된다.As shown in FIG. 4A , the connection line CL extends toward the gate driver GIP across the plurality of external signal lines. Accordingly, the external signal wiring and the connection wiring CL of the gate link part G_Link are composed of different conductive layers, and an insulating layer is formed between the conductive layer in which the external signal wiring is formed and the conductive layer in which the connection wiring CL is formed. This may be interposed. Accordingly, the connection line CL may be connected to the selective external signal line and may extend to the gate driver GIP side across the other external signal lines. A plurality of bridge areas BRA are provided in the
도 4b에서는 설명의 편의를 위해 전술한 여러 외부신호배선 중 하나의 연결구조를 예시적으로 도시하였다. 도 4b를 참조하면, 외부신호배선은 제1 금속층(M1)으로 형성되고 연결배선(CL)은 제2 금속층(M2)으로 형성되며, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있다. 4B exemplarily shows a connection structure of one of the above-described various external signal wirings for convenience of explanation. Referring to FIG. 4B , the external signal wiring is formed of a first metal layer M1 and the connection wiring CL is formed of a second metal layer M2, and one or more insulating layers are formed between the external signal wiring and the connection wiring CL. This is interposed.
예를 들어, 외부신호배선은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성될 수 있다. 그리고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)일 수 있다.For example, the external signal wiring may be formed of a metal layer forming the
또는, 외부신호배선은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)으로 형성될 수 있다. 그리고, 연결배선(CL)은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 게이트 절연층(121)이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 제1 기판(110)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(130)의 소스/드레인 전극(133, 134)을 형성하는 금속층(S/D Metal)일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(131)을 형성하는 금속층(Gate Metal)일 수 있다. Alternatively, the external signal wiring may be formed of a metal layer (S/D Metal) forming the source/
또는, 외부신호배선은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층으로 형성될 수 있다. 그리고, 외부신호배선과 연결배선(CL) 사이에는 하나 이상의 절연층이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층일 수 있다. Alternatively, the external signal wiring may be formed of the same conductive layer as the gate line GL, and the connection wiring CL may be formed of the same conductive layer as the data line DL. In addition, one or more insulating layers may be interposed between the external signal wiring and the connection wiring CL. In this case, the first metal layer M1 may be the same conductive layer as the gate line GL, and the second metal layer M2 may be the same conductive layer as the data line DL.
또는, 외부신호배선은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층으로 형성되고, 연결배선(CL)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층으로 형성될 수도 있다. 그리고, 외부신호배선과 연결배선 사이에는 표시영역(DA)에서 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 사이에 개재된 절연층과 동일한 절연층이 개재되어 있을 수 있다. 이 때, 제1 금속층(M1)은 데이터 라인(DL)과 동일한 전도층일 수 있고, 제2 금속층(M2)은 게이트 라인(GL)과 동일한 전도층일 수 있다.Alternatively, the external signal wiring may be formed of the same conductive layer as the data line DL, and the connection wiring CL may be formed of the same conductive layer as the gate line GL. In addition, the same insulating layer as the insulating layer interposed between the gate line GL and the data line DL in the display area DA may be interposed between the external signal wiring and the connection wiring. In this case, the first metal layer M1 may be the same conductive layer as the data line DL, and the second metal layer M2 may be the same conductive layer as the gate line GL.
외부신호배선과 연결배선(CL) 상부에도 적어도 하나 이상의 절연층이 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 외부신호배선과 연결배선(CL) 상부에는 절연층으로서의, 패시베이션층(PAS) 및 평탄화층(122)이 형성되어 있을 수 있다. 서로 다른 전도층으로 형성된 외부신호배선 및 연결배선(CL)을 전기적으로 연결시키기 위해서, 외부신호배선 및 연결배선(CL) 상부의 절연층에는 외부신호배선 및 연결배선(CL) 각각의 컨택 영역을 노출시키는 컨택홀이 형성된다. 외부신호배선의 컨택 영역 및 연결배선(CL)의 컨택 영역 상에는, 외부신호배선의 컨택 영역 및 연결배선(CL)의 컨택 영역에 동시에 접하는 브릿지 전극(BRL)이 형성된다. 브릿지 전극(BRL)은 외부신호배선과 연결배선(CL)을 전기적으로 연결한다. At least one insulating layer may also be provided on the external signal wiring and the connection wiring CL. For example, as shown in FIG. 4B , a passivation layer PAS and a
제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)의 컨택 영역을 노출하는 컨택홀 상에, 브릿지 전극(BRL)이 연장되어 각 전도층의 컨택 영역에 동시에 접함으로써 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)을 전기적으로 연결하는 영역은 브릿지 영역(BRA)으로 지칭된다.On the contact hole exposing the contact region of the first metal layer M1 and the second metal layer M2, the bridge electrode BRL extends to contact the contact region of each conductive layer at the same time, so that the first metal layer M1 and the second metal layer M1 and the second metal layer M2 are simultaneously contacted. A region electrically connecting the two metal layers M2 is referred to as a bridge region BRA.
마찬가지로 게이트 드라이버(GIP)의 각 스테이지(ST)에 신호 입력단도 연결배선(CL)과 다른 전도층으로 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 도시된 것과 같이, 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)은 외부신호배선을 형성하는 전도층과 같은 전도층으로 형성될 수 있다. 이 경우, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)을 덮고 있는 절연층에는, 연결배선(CL)의 게이트 드라이버(GIP)측 일부를 노출시키는 컨택홀과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)의 일부를 노출시키는 컨택홀이 형성된다. 게이트 드라이버(GIP) 측에 위치한 연결배선(CL)의 컨택 영역과, 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)의 컨택 영역도 연결배선(CL)과 외부신호배선을 연결하는 브릿지 영역(BRA)과 동일한 구조로 서로 연결된다. 이로써 외부신호배선으로부터 인가된 외부신호가 게이트 드라이버(GIP)로 전달된다. 즉, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 덮는 절연층의 컨택홀을 통해, 절연층의 하부에 위치한 외부신호배선을 형성하는 제1 금속층(M1) 및 연결배선(CL)을 형성하는 제2 금속층(M2)에 접촉하는 복수의 브릿지 전극(BRL) 패턴이 게이트 링크부(G_Link)에 형성된다. Similarly, the signal input terminal of each stage ST of the gate driver GIP may also be formed of a conductive layer different from that of the connection wiring CL. For example, as shown in FIG. 4B , the signal input terminal S_In of the gate driver GIP may be formed of the same conductive layer as the conductive layer forming the external signal wiring. In this case, in the insulating layer covering the connection wiring CL and the signal input terminal S_In of the gate driver GIP, a contact hole exposing a part of the gate driver GIP side of the connection wiring CL and the gate driver GIP ), a contact hole exposing a part of the signal input terminal S_In is formed. The contact area of the connection wiring CL located on the side of the gate driver GIP and the contact area of the signal input terminal S_In of the gate driver GIP also have a bridge area BRA connecting the connection wiring CL and the external signal wiring. are connected to each other in the same structure as Accordingly, the external signal applied from the external signal wiring is transmitted to the gate driver GIP. That is, through the contact hole of the insulating layer covering the external signal wiring and the connection wiring CL, the first metal layer M1 forming the external signal wiring located below the insulating layer and the second forming the connection wiring CL are formed. A plurality of bridge electrode BRL patterns in contact with the metal layer M2 are formed on the gate link portion G_Link.
또한, 도 1에서 도시되었던, 구동 회로부로부터 인가되는 신호를 데이터 드라이버로 전달하거나 데이터 패드부(D_Pad)에 COG 방식으로 구비된 데이터 드라이버에서 출력된 데이터 신호를 디스플레이 영역(DA)에 배치된 데이터 라인(DL)으로 전달하기 위한 데이터 링크배선(D_LL)도, 외부신호배선과 게이트 드라이버(GIP) 사이에 형성된 연결배선(CL)과 같이, 각각의 대응되는 컨택홀 상부에 형성된 브릿지 전극(BRL)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 게이트링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 주변에 복수의 브릿지 영역(BRA)이 구비될 수 있을 뿐만 아니라, 게이트링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버 영역주변 영역 이외의, 비표시영역(NDA)에도 복수의 브릿지 영역(BRA)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시되었던 패드부(PAD)에도 브릿지 영역(BRA)이 적용될 수 있다.Also, as shown in FIG. 1 , a signal applied from the driving circuit unit is transferred to the data driver or a data signal output from the data driver provided in the data pad unit D_Pad in a COG method is transferred to a data line arranged in the display area DA. The data link wiring D_LL for transferring to the DL also connects the bridge electrode BRL formed on the respective corresponding contact hole like the connection wiring CL formed between the external signal wiring and the gate driver GIP. can be electrically connected through. Accordingly, not only the plurality of bridge regions BRA may be provided around the gate link part G_Link and the gate driver GIP, but also the non-display regions other than the regions around the gate link part G_Link and the gate driver region A plurality of bridge areas BRA may also be formed in the NDA). For example, the bridge area BRA may also be applied to the pad portion PAD illustrated in FIG. 1 .
전술한 바와 같이, 더 좁은 베젤 폭을 구현함과 동시에 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(115)의 접착력을 보강하기 위해서, 씰-영역(Seal)은 비표시영역(NDA)에 형성된 게이트 링크부(G_Link) 혹은 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP)와 중첩될 수 있다. 그리고, 씰런트가 일부 브릿지 영역(BRA)을 덮도록, 브릿지 영역(BRA) 상에 도포될 수 있다. 하지만 브릿지 영역(BRA)에 형성된 브릿지 전극(BRL)은 씰런트와의 접착력이 좋지 않은 물질로 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)로 형성된 브릿지 전극(BRL)은 씰런트와 접착력이 좋지 않을 뿐만 아니라 경화된 씰런트를 통해 전달되는 외력에 의해 쉽게 크랙이 발생할 수 있다. 다시 말해, 씰런트가 게이트 드라이버(GIP)의 일부까지 연장되어 구비되더라도, 씰런트와 브릿지 전극(BRL) 사이의 접착력 약화로 인해 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량이 발생할 수 있다. 또한, 씰런트와 중첩되어 있는 브릿지 전극(BRL)에 크랙이 발생할 경우, 크랙을 통해 이물질이 침투하여 브릿지 전극(BRL) 하부의 금속 배선들의 전식/부식을 유발하게 된다.As described above, in order to realize a narrower bezel width and to reinforce the adhesion between the
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)에서, 제1 기판(110)에 형성되는 복수의 하부 스페이서(L_SP) 중 일부는 제1 기판(110)의 브릿지 영역(BRA)과 대응되는 위치에 형성된 하부 스페이서(L_SP)를 포함한다. 다시 말해, 제1 기판(110)에 구비되는 하부 스페이서(L_SP) 중 일부는 비표시영역(NDA)에 위치한 브릿지 전극(BRL)을 덮도록 형성된다. 브릿지 영역(BRA) 상에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)는, 도 4a 및 도 4b에서 도시된 바와 같이, 하나의 개별적인 하부 스페이서(L_SP)가 하나의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 구비될 수 있다. 도 4b에서는, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 전기적으로 접속시키는 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)가, 브릿지 전극(BRL)이 컨택 영역에 접하기 위해 형성된 컨택홀을 채우도록 형성된다. 마찬가지로, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호입력단(S_In)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)도, 브릿지 전극(BRL)이 컨택 영역에 접하기 위해 형성된 컨택홀을 채우도록 형성된다. Accordingly, in the
비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)는, 표시영역(DA)에 배치되고 상부 스페이서(U_SP)와 대응되도록 배치된 하부 스페이서(L_SP)와 동일한 물질로 같은 공정에서 형성된다. 따라서, 비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 동일한 높이로 형성될 수 있다. 다만, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에서는 각각, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에 형성되는 구조물들이 서로 다를 수 있기 때문에, 비표시영역(NDA)에 배치되고 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 필요에 따라서 서로 다른 높이로 형성될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 비표시영역(NDA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)도 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 셀-갭에 영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)를 표시영역(DA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 낮은 높이로 형성할 수 있다. 또 다른 예로, 브릿지 영역(BRA)의 보호 측면에서는 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)의 높이를 표시영역(DA)에 형성되는 하부 스페이서(L_SP)에 비해 더 높은 높이로 형성하는 것이 더 바람직할 수도 있다. 브릿지 영역(BRA)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)와 표시영역(DA)에 배치되는 하부 스페이서(L_SP)의 높이를 서로 다르게 하기 위해서, Half-Tone 마스크를 이용할 수 있다. The lower spacer L_SP disposed in the non-display area NDA and covering the bridge area BRA is made of the same material as the lower spacer L_SP disposed in the display area DA and disposed to correspond to the upper spacer U_SP. formed in the same process. Accordingly, the lower spacer L_SP disposed in the non-display area NDA and covering the bridge area BRA and the lower spacer L_SP disposed in the display area DA may be formed to have the same height. However, since structures formed between the
도 4b에서는 브릿지 영역(BRA)의 브릿지 전극(BRL)을 덮는 하부 스페이서(L_SP)가, 씰런트에 의해 덮인 것으로 도시되어 있다. 하지만 전술하였듯이, 씰-영역(Seal)은 게이트 링크부(G_Link)의 일부와 중첩되고, 나머지 일부의 게이트 링크부(G_Link)는 씰-영역(Seal)과 중첩되지 않을 수 있다. 또한, 씰-영역(Seal)이 게이트 링크부(G_Link) 전(全) 영역과 중첩되더라도, 게이트 드라이버(GIP)에 구비된 일부 브릿지 영역(BRA)은 씰-영역(Seal)에서 벗어난 곳에 위치해 있을 수 있다. 즉, 씰-영역(Seal)과 중첩되어 있지 않은 곳에도 브릿지 영역(BRA)이 구비되어 있을 수 있으며, 씰-영역(Seal)과 중첩되지 않은 브릿지 영역(BRA) 상에도 하부 스페이서(L_SP)가 구비되어 있을 수 있다.In FIG. 4B , the lower spacer L_SP covering the bridge electrode BRL of the bridge area BRA is illustrated as being covered with a sealant. However, as described above, the seal-region Seal may overlap a portion of the gate link portion G_Link, and the remaining portion of the gate link portion G_Link may not overlap the seal-region Seal. Also, even if the seal area overlaps the entire area of the gate link part G_Link, some bridge areas BRA provided in the gate driver GIP may be located outside the seal area. can That is, the bridge area BRA may be provided even where the seal area does not overlap the seal, and the lower spacer L_SP is also provided on the bridge area BRA which does not overlap the seal area. may be available.
도 4b에 도시된 바와 같이 씰런트 하부에 위치한 각 브릿지 영역(BRA)에 하부 스페이서(L_SP)를 국부적으로 형성할 경우, 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차로 인하여, 씰-영역(Seal) 주변으로 얼룩이 발생될 수 있다. 씰-영역(Seal)에서 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차를 감소시키기 위해, 하나의 하부 스페이서(L_SP)가 복수의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 배치될 수 있다.As shown in FIG. 4B , when the lower spacers L_SP are locally formed in each bridge area BRA located under the sealant, due to the step difference by the lower spacer L_SP, the Staining may occur. In order to reduce a step difference caused by the lower spacers L_SP in the seal area, one lower spacer L_SP may be disposed to cover the plurality of bridge areas BRA.
도 4c는 본 발명에 실시예에 따라, 복수의 브릿지 영역(BRA) 상에 연장되어 배치된 하부 스페이서(L_SP)가 구비된 디스플레이 패널(300)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4c를 참조하면, 외부신호배선과 연결배선(CL)을 접속시키는 브릿지 영역(BRA)과, 연결배선(CL)과 게이트 드라이버(GIP)의 신호 입력단(S_In)을 접속시키는 브릿지 영역(BRA)이 하나의 하부 스페이서(L_SP)에 의해 덮혀 있다. 이와 같이, 하나의 하부 스페이서(L_SP)를 복수의 브릿지 영역(BRA)에 대응하도록 형성함에 따라, 씰런트 하부에 배치된 하부 스페이서(L_SP)에 의한 단차를 감소시킬 수 있다. FIG. 4C is a cross-sectional view schematically illustrating a
비표시영역(NDA)에 배치된 하부 스페이서(L_SP)는 연결배선(CL)의 양쪽 끝단에 위치한 두 브릿지 영역(BRA)뿐만 아니라 주변에 다른 브릿지 영역(BRA)까지도 더 연장되어 두 개 이상의 브릿지 영역(BRA)을 덮도록 형성될 수 있다. 하부 스페이서(L_SP)를 형성하는 물질과 씰런트 사이에 접착성을 고려하여, 비표시영역(NDA)의 하부 스페이서(L_SP)는 단일 패턴으로 게이트 링크부(G_Link)의 일부 또는 전면을 덮거나 게이트 드라이버(GIP)의 일부 또는 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 스페이서(L_SP)가 포토 아크릴(Photo acryl, PAC) 또는 폴리이미드(Polyimide, PI)와 같은 물질로 형성되고, 브릿지 전극(BRL)이 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO)로 형성된 경우, 하부 스페이서(L_SP)가, 브릿지 전극(BRL) 대비 씰런트와의 접착력이 더 우수하다. 따라서, 각각의 브릿지 영역(BRA)을 1:1로 국부적으로 덮는 하부 스페이서(L_SP)보다 씰-영역(Seal)에 면적에 비례하여 일정한 면적을 가진 단일 패턴의 하부 스페이서(L_SP)를 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)에 걸쳐 배치하는 것이, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착과 브릿지 영역(BRA)의 보호에 더 유리할 수 있다.The lower spacer L_SP disposed in the non-display area NDA extends not only to the two bridge areas BRA located at both ends of the connection line CL, but also to other bridge areas BRA in the vicinity of the two or more bridge areas. (BRA) may be formed to cover. In consideration of adhesiveness between the material forming the lower spacer L_SP and the sealant, the lower spacer L_SP of the non-display area NDA may cover a portion or the entire surface of the gate link part G_Link in a single pattern or It may be formed to cover a part or the entire surface of the driver GIP. For example, the lower spacer (L_SP) is formed of a material such as photo acryl (PAC) or polyimide (PI), and the bridge electrode (BRL) is formed of indium tin oxide (ITO). When formed, the lower spacer L_SP has better adhesion to the sealant than the bridge electrode BRL. Accordingly, the lower spacer L_SP of a single pattern having a constant area in proportion to the area of the seal-region, rather than the lower spacer L_SP that locally covers each bridge area BRA in a 1:1 ratio, is used in the gate link part. Disposing over G_Link and the gate driver GIP may be more advantageous in bonding the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(400)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다.5 is a diagram schematically illustrating a non-display area NDA of the
전술한 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 전술한 설명과 동일한 설명이 적용되므로, 별도의 설명을 반복하지 않고, 전술한 설명에 추가가 필요한 부분에 한하여 설명을 더한다.Since the same description as that described above is applied to the same components as the above-described components, a separate description is not repeated, and only the parts that need to be added to the above description are added.
도 5는 제1 기판(110) 상에 게이트 절연층(121), 게이트 절연층(121) 상에 제1 금속층(M1), 제1 금속층(M1) 상에 중간층(Interlayer)(120), 중간층(120) 상에 제2 금속층(M2) 및 제2 금속층(M2)을 덮는 제1 패시베이션층(PAS1), 제1 패시베이션층(PAS1) 상에 평탄화층(122), 평탄화층(122)에 배치된 트렌치(T) 및 컨택홀, 평탄화층(122) 상에 배치되면서 컨택홀에 의해 제2 금속층(M2)에 연결되는 제3 금속층(M3) 및 제3 금속층(M3)을 덮는 제2 패시베이션층(PAS2)을 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널(400)의 외곽에, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)을 합착하기 위한 씰런트가 배치된다. 씰런트는 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC)과, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 사이에 배치된다. 씰런트와 중첩하지 않도록, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 상부 배향막(U_AL)이 배치된다. 또한, 씰런트와 중첩하지 않도록, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 하부 배향막(L_AL)이 배치된다. 블랙 매트릭스(BM)는 비표시영역(NDA)에 배치된 각종의 금속 배선을 가리도록, 비표시영역(NDA) 일부 또는 전체에 배치된다.5 shows a
씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 배치되고, 하부 댐(L_DM)은, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 배치된다. 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 평탄화층(122)에 형성된 트렌치(T)가 구성된다. An upper dam U_DM and a lower dam L_DM are disposed at a point where the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL may overlap. The upper dam U_DM is disposed under the overcoat layer OC disposed under the
비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 끝에서부터 디스플레이 패널(400)의 외곽 방향으로, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 포함하는 터치배선영역(RVcomA), 게이트 드라이버(GIP), 게이트 링크부(G_Link)가 순차로 배치된다. 즉, 비표시영역(NDA)에 포함되는 터치배선영역(RVcomA), 게이트 드라이버(GIP), 게이트 링크부(G_Link) 중, 터치배선영역(RVcomA)이 가장 표시영역(DA)에 가까이 배치된다. In the non-display area NDA, a touch wiring area RVcomA including a plurality of touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 densely arranged in an outer direction of the
터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮춤으로써 터치 감지 성능을 향상시킬 수 있다. 그런데 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮추기 위해 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 폭을 넓히는 경우, 베젤 폭이 증가한다는 단점이 있다. 베젤 폭을 넓히지 않으면서 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2)과 아래층의 터치배선(RVcom_1)을 평탄화층(122)의 컨택홀을 통해 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제2 금속층(M2)에 의해 복수의 제1 터치배선(RVcom_1)이 형성된다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제1 터치배선(RVcom_1) 위에 평탄화층(122)이 배치되고, 평탄화층(122) 위에 제1 터치배선(RVcom_1)과 겹치는 형상으로, 제3 금속층(M3)에 의해 복수의 제2 터치배선(RVcom_2)이 형성된다. 그리고, 제1 터치배선(RVcom_1)과, 그에 대응하는 제2 터치배선(RVcom_2)은 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 이로써 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. By lowering the resistance of the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2, the touch sensing performance can be improved. However, when the widths of the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 are widened to lower the resistance of the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2, there is a disadvantage in that the bezel width increases. In order to lower the resistance of the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 without increasing the bezel width, the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 are arranged as densely as possible while overlapping the touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 in a plurality of layers. In addition, the touch wiring RVcom_2 of the upper layer and the touch wiring RVcom_1 of the lower layer are electrically connected through the contact hole of the
터치배선(RVcom_1, RVcom_2)은 전술한 공통전극 라인과 터치 드라이버를 연결할 수 있다. 이로써, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)에 연결된 공통전극 라인으로 터치 입력을 감지하기 위한 신호를 인가하는 방식에 의해 터치를 감지할 수 있는 디스플레이 패널(400)을 구현할 수 있다.The touch wirings RVcom_1 and RVcom_2 may connect the aforementioned common electrode line and the touch driver. Accordingly, it is possible to implement the
제2 패시베이션층(PAS2) 상에, 게이트 링크부(G_Link) 전(全) 영역과 게이트 드라이버(GIP)의 일부 영역에 중첩하여 씰런트가 배치될 수 있다. 즉, 씰런트가 도포된 씰-영역(Seal)은 비표시영역(NDA) 중에서도 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)에 중첩할 수 있다. 어떠한 경우든, 씰-영역(Seal)은 터치배선영역(RVcomA)과는 중첩하지 않는다. A sealant may be disposed on the second passivation layer PAS2 to overlap the entire area of the gate link part G_Link and a partial area of the gate driver GIP. That is, the seal-region to which the sealant is applied may overlap the gate link part G_Link and the gate driver GIP among the non-display area NDA. In any case, the seal-area Seal does not overlap the touch wiring area RVcomA.
디스플레이 패널(400)의 외곽에 씰런트가 배치됨으로써 형성되는 씰-영역(Seal)은, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이에 액정층(LC)이 될 수 있는 공간을 확보한다. 즉, 씰-영역(Seal)의 씰런트에 의해, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)이 셀 갭을 확보하면서 서로 합착되고, 셀 갭에 대응하여 정의되는 액정층(LC)의 액정이 디스플레이 패널(400) 외부로 새어나가지 않게 된다. 씰런트는 유동성 있는 액체 상태에서 도포되어, 광경화에 의하여 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 씰런트가 광경화되는 물질로 이루어진 경우, 씰런트를 경화하기 위하여 씰-영역(Seal)을 향하여 UV와 같은 고에너지의 광이 조사되어야 한다. 이 때, 제2 기판(115)으로부터 씰-영역(Seal)으로 고에너지의 광을 조사하는 경우, 광을 흡수하는 성질의 블랙 매트릭스(BM)에 의하여 광이 씰-영역(Seal)에 도달하지 못하므로 효과적이지 못하다. 따라서, 제1 기판(110)으로부터 씰-영역(Seal)으로 고에너지의 광을 조사하는 것이 가능하다. 만일, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에까지 도포되거나, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에 도포되진 않았으나 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 따라, 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)에도 있을 수 있다. 이러한 경우, 씰런트를 경화하기 위해서는 제1 기판(110)으로부터 씰-영역(Seal)으로 광을 조사함에 있어서 게이트 링크부(G_Link)와 게이트 드라이버(GIP)뿐만 아니라, 터치배선영역(RVcomA)에까지 광을 조사해야 할 필요가 있을 수 있다. 그러나, 터치배선영역(RVcomA)에서는, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2)에 의하여 광의 대부분이 반사되기 때문에, 충분한 양의 광이 씰런트로 도달하지 못한다. The seal-region (Seal) formed by disposing the sealant on the periphery of the
보다 구체적으로, 회로 영역 중 어떤 영역에서 금속 배선이 촘촘한 정도는, 해당 영역에서의 개구율(open ratio)로 나타낼 수 있다. 해당 영역에서의 개구율이란, 해당 영역 전체 면적 중에서 금속 배선에 의하여 가려지지 않은 영역의 비율을 의미한다. 회로 영역 중에서, 터치배선영역(RVcomA)은, 촘촘하게 배치된 복수의 터치배선에 의하여 20% 이하의 개구율을 가진다. 그런데, 적어도 50% 이상의 개구율을 가지는 영역에서 광이 조사되어야, 씰런트에서 광경화가 일어날 수 있을 정도의 광이 씰런트로 도달할 수 있다. 즉, 터치배선영역(RVcomA)을 통해서는, 씰런트를 광경화할 수 있을 정도의 광이 씰런트로 도달하지 못한다. More specifically, the degree to which the metal wiring is dense in a certain area of the circuit area may be expressed as an open ratio in the corresponding area. The aperture ratio in the corresponding region means the ratio of the region not covered by the metal wiring in the total area of the corresponding region. Among the circuit areas, the touch wiring area RVcomA has an aperture ratio of 20% or less due to a plurality of densely arranged touch wirings. However, when light is irradiated in a region having an aperture ratio of at least 50% or more, light sufficient to cause photocuring in the sealant can reach the sealant. That is, through the touch wiring area RVcomA, light sufficient to photocur the sealant does not reach the sealant.
따라서, 씰런트는 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역 위에는 도포되지 않아야 한다. 또한, 씰런트는 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역 위에까지 퍼지지 않아야 한다. 씰런트가 회로 영역 중에서 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역에까지 도포되거나 퍼지게 되면, 광을 반사시키는 금속 배선에 의해, 해당 영역의 씰런트를 광경화할 정도의 광량이 씰런트로 도달하지 못한다. 결국, 해당 영역에서의 씰런트가 경화되지 않음에 따라, 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 합착 불량의 요인이 된다. 이 때, 회로 영역 중, 금속 배선이 촘촘한 밀도로 배치된 영역이란, 해당 영역의 개구율이 50% 미만인 영역을 의미한다. 따라서, 씰런트는 회로 영역 중, 개구율이 50% 미만인 영역 위에까지 퍼져서는 안 된다. 다시 말해, 씰런트는 회로 영역 중, 개구율이 50% 이상인 영역 위에 배치되어야 한다. 예를 들어, 씰런트는 터치배선영역(RVcomA) 위에는 도포되지 않는다. 또한, 씰런트는 터치배선영역(RVcomA) 위에까지 퍼지지 않는다.Therefore, the sealant should not be applied on the circuit area where the metal wirings are densely arranged. In addition, the sealant should not spread over the circuit area where the metal wirings are densely arranged. When the sealant is applied or spread to a region in which the metal wiring is arranged in a densely dense circuit area, the amount of light sufficient to photocur the sealant in the corresponding region does not reach the sealant by the metal wiring reflecting the light. As a result, since the sealant in the corresponding area is not cured, it becomes a cause of poor bonding between the
씰런트가 터치배선영역(RVcomA) 위에까지 퍼지지 않도록, 씰-영역(Seal)과 터치배선영역(RVcomA)의 사이에는 상부 댐(U_DM)과 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은 제1 기판(110)을 향하여, 오버 코팅층(OC)에 달려있다. 다시 말해, 상부 댐(U_DM)은 오버 코팅층(OC)에서 제1 기판(110)을 향하여 돌출되어 배치된다. 하부 댐(L_DM)은 상부 댐(U_DM)에 대응하여, 제2 패시베이션층(PAS2)에서 제2 기판(115)을 향하여 솟아있다. 다시 말해, 하부 댐(L_DM)은 상부 댐(U_DM)에 대응하여, 제2 패시베이션층(PAS2)에서 제2 기판(115)을 향하여 돌출되여 배치된다. 예를 들어, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치될 수 있다. 또는, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐 배치될 수 있다. An upper dam U_DM and a lower dam L_DM corresponding to the upper dam U_DM are formed between the seal and the touch wiring area RVcomA so that the sealant does not spread over the touch wiring area RVcomA. are placed The upper dam U_DM faces the
상부 댐(U_DM)은 전술한 상부 스페이서(U_SP)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 또한 하부 댐(L_DM)은 전술한 하부 스페이서(L_SP)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)은 폴리이미드(Polyimide, PI)로 형성되거나, 포토 아크릴(Photo Acryl, PAC)로 형성될 수 있다. The upper dam U_DM may be formed of the same material as the above-described upper spacer U_SP in the same process. Also, the lower dam L_DM may be formed of the same material as the above-described lower spacer L_SP in the same process. For example, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be formed of polyimide (PI) or photo acryl (PAC).
상부 배향막(U_AL)은 배향 물질에 의하여 형성되며, 액정층(LC)에 포함된 액정의 초기 배향 방향을 결정한다. 예를 들어, 상부 배향막(U_AL)을 구성하는 배향 물질은 폴리이미드(Polyimide, PI)일 수 있다. 상부 배향막(U_AL)은 오버 코팅층(OC) 하에 표시영역(DA)에 배치된다. 따라서, 상부 배향막(U_AL)은 비표시영역(NDA)에 배치되는 씰런트에 의하여 둘러싸인다. 상부 배향막(U_AL)을 형성하기 위한 배향 물질은 유동성이 있는 액체 상태로 표시영역(DA)에 대응하는 오버 코팅층(OC) 일 면에 도포된다. 배향 물질의 퍼지는 성질에 따라, 배향 물질이 표시영역(DA)에만 형성되는 것이 아니라, 비표시영역(NDA) 방향(D2)으로도 퍼질 수 있다. 이에 따라, 상부 배향막(U_AL)은 비표시영역(NDA)까지 연장되어 형성될 수 있다. The upper alignment layer U_AL is formed of an alignment material and determines an initial alignment direction of the liquid crystal included in the liquid crystal layer LC. For example, the alignment material constituting the upper alignment layer U_AL may be polyimide (PI). The upper alignment layer U_AL is disposed in the display area DA under the overcoat layer OC. Accordingly, the upper alignment layer U_AL is surrounded by the sealant disposed in the non-display area NDA. An alignment material for forming the upper alignment layer U_AL is applied to one surface of the overcoat layer OC corresponding to the display area DA in a fluid state. Depending on the spreading property of the alignment material, the alignment material may not only be formed in the display area DA but also spread in the non-display area NDA direction D2 . Accordingly, the upper alignment layer U_AL may be formed to extend to the non-display area NDA.
하부 배향막(L_AL) 역시 상부 배향막(U_AL)과 마찬가지로 배향 물질에 의하여 형성되며, 액정층(LC)에 포함된 액정의 초기 배향 방향을 결정한다. 예를 들어, 하부 배향막(L_AL)을 구성하는 배향 물질은 폴리이미드(Polyimide, PI)일 수 있다. 하부 배향막(L_AL)은 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 표시영역(DA)에 배치된다. 따라서, 하부 배향막(L_AL)은 비표시영역(NDA)에 배치되는 씰런트에 의하여 둘러싸인다. 하부 배향막(L_AL)을 형성하기 위한 배향 물질은 유동성이 있는 액체 상태로 표시영역(DA)에 대응하는 오버 코팅층(OC) 일 면에 도포된다. 배향 물질의 퍼지는 성질에 따라, 배향 물질이 표시영역(DA)에만 형성되는 것이 아니라, 비표시영역(NDA) 방향(D2)으로도 퍼질 수 있다. 이에 따라, 하부 배향막(L_AL)은 비표시영역(NDA)에까지 연장되어 형성될 수 있다.Like the upper alignment layer U_AL, the lower alignment layer L_AL is also formed of an alignment material, and determines the initial alignment direction of the liquid crystal included in the liquid crystal layer LC. For example, the alignment material constituting the lower alignment layer L_AL may be polyimide (PI). The lower alignment layer L_AL is disposed on the second passivation layer PAS2 in the display area DA. Accordingly, the lower alignment layer L_AL is surrounded by the sealant disposed in the non-display area NDA. An alignment material for forming the lower alignment layer L_AL is applied to one surface of the overcoat layer OC corresponding to the display area DA in a fluid state. Depending on the spreading property of the alignment material, the alignment material may not only be formed in the display area DA but also spread in the non-display area NDA direction D2 . Accordingly, the lower alignment layer L_AL may be formed to extend to the non-display area NDA.
씰-영역(Seal)의 씰런트 역시, 경화 이전에 유동성 있는 액체 상태에서 도포되어 퍼지게 된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 따라, 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)을 일부 덮을 가능성이 있다. 즉, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있다. 그런데, 제2 패시베이션층(PAS2)이 실리콘 계열의 무기 물질로 구성되고, 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)이 폴리이미드로 구성되는 경우, 씰런트와 제2 패시베이션층(PAS2) 사이의 접착력이, 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL) 사이의 접착력보다 훨씬 강하다. 즉, 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는 하부 배향막(L_AL)이 서로 중첩하는 영역에서는, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 낮아지게 된다. 이는 제1 기판(110)과 제2 기판(115) 사이의 합착 불량의 원인이 된다. The sealant of the seal-region is also applied and spread in a fluid state before curing. As the sealant spreads in the display area DA direction D1 , it may partially cover the upper alignment layer U_AL or the lower alignment layer L_AL. That is, there is a possibility that the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL overlap. However, when the second passivation layer PAS2 is made of a silicon-based inorganic material and the upper alignment layer U_AL or the lower alignment layer L_AL is made of polyimide, the gap between the sealant and the second passivation layer PAS2 is The adhesive force is much stronger than the adhesive force between the sealant and the upper alignment layer U_AL or the lower alignment layer L_AL. That is, in a region where the sealant and the upper alignment layer U_AL or the lower alignment layer L_AL overlap each other, the bonding strength between the
따라서, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 또는, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치되는 영역을 오버랩방지영역(OA)이라 한다. 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치될 수 있다. 또는, 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 이로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.Accordingly, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are disposed so that the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL do not overlap. Alternatively, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are disposed so that the sealant does not spread in the display area DA direction D1 . An area in which the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are disposed is referred to as an overlap prevention area OA. The overlap prevention area OA may be disposed across a boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP. Alternatively, the overlap prevention area OA may be disposed to be biased toward the gate driver GIP based on the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in bonding strength between the
씰런트의 접착력이 상승하도록, 평탄화층(122)에 복수의 트렌치(T)가 형성된다. 씰런트의 가장자리에 대응하는 위치에서, 평탄화층(122)이 움푹 파여 트렌치(T)가 형성된다. 복수의 트렌치(T)가 배치된 영역을 트렌치영역(TA)이라 한다. 도포된 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우에, 씰런트가 트렌치(T)로 흘러들게 된다. 씰런트가 트렌치(T)의 굴곡을 채움으로써, 씰런트의 접착 면적이 증가하게 된다. 씰런트의 접착 면적이 증가하게 됨에 따라, 씰런트에 의한 접착력이 향상된다. 또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지더라도, 트렌치(T)를 채우게 됨에 따라 퍼지는 정도, 즉, 퍼짐폭이 줄어들게 된다. 씰런트의 퍼짐폭이 줄어들게 됨에 따라, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 트렌치(T)에 의해 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상이 최소화됨으로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.A plurality of trenches T are formed in the
오버랩방지영역(OA)과 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 인접하여 배치되며, 서로 중첩한다. The overlap prevention area OA and the trench area TA are disposed adjacent to the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP and overlap each other.
이 때, 오버랩방지영역(OA)과 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. In this case, the overlap prevention area OA and the trench area TA may be disposed to be biased toward the gate driver GIP based on the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP.
또는, 오버랩방지영역(OA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되고, 트렌치영역(TA)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 다시 말해, 오버랩방지영역(OA) 일부와 트렌치영역(TA) 일부가 중첩하고, 오버랩방지영역(OA)이 트렌치영역(TA)보다 더 터치배선영역(RVcomA)에 가까이 배치될 수 있다. 즉, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되면서, 트렌치(T)는 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로, 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 트렌치(T)는 평탄화층(122)에 홈이 형성됨으로써 구성되기 때문에, 평탄화층(122)의 컨택홀에 의하여 윗층의 터치배선과 아래층의 터치배선이 연결되는 터치배선영역(RVcomA)에 배치될 수가 없는 반면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)은 터치배선 상에 위치함으로써, 터치배선영역(RVcomA)에 배치될 수 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 있어, 1차적으로 트렌치(T)가 씰런트를 받아들이게 되는 웅덩이 역할을 하고, 2차적으로 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)으로까지 흘러들지 않도록 막는 장벽 역할을 할 수 있다.Alternatively, the overlap prevention area OA is disposed across the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP, and the trench area TA is based on the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP. As a result, it may be disposed to be biased toward the gate driver GIP. In other words, a portion of the overlap prevention area OA and a portion of the trench area TA may overlap, and the overlap prevention area OA may be disposed closer to the touch wiring area RVcomA than the trench area TA. That is, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are disposed across the boundary between the touch wiring region RVcomA and the gate driver GIP, and the trench T is formed between the touch wiring region RVcomA and the gate driver GIP. Based on the boundary of , it may be disposed to be biased toward the gate driver GIP. Since the trench T is formed by forming a groove in the
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널(500)의 비표시영역(NDA)을 개략적으로 나타낸 도면이다.6 is a diagram schematically illustrating a non-display area (NDA) of the
전술한 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 전술한 설명과 동일한 설명이 적용되므로, 별도의 설명을 반복하지 않고, 전술한 설명에 추가가 필요한 부분에 한하여 설명을 더한다.Since the same description as that described above is applied to the same components as the above-described components, a separate description is not repeated, and only the parts that need to be added to the above description are added.
도 6은 제1 기판(110) 상에 게이트 절연층(121), 게이트 절연층(121) 상에 제1 금속층(M1), 제1 금속층(M1) 상에 중간층(Interlayer)(120), 중간층(120) 상에 제2 금속층(M2) 및 제2 금속층(M2)을 덮는 펑탄화층(122), 평탄화층(122) 상에 제2 서브 금속층(M2_s) 및 제2 서브 금속층(M2_s)을 덮는 서브 평탄화층(122_s), 서브 평탄화층(122_s)에 배치된 트렌치(T) 및 컨택홀, 서브 평탄화층(122_s) 상에 배치되면서 컨택홀에 의해 제2 금속층(M2)에 연결되는 제3 금속층(M3) 및 제3 금속층(M3)을 덮는 제2 패시베이션층(PAS2)을 포함할 수 있다. 이 때, 서브 평탄화층(122_s)는 평탄화층(122)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 6 shows a
씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치된다. 상부 댐(U_DM)은, 제2 기판(115)의 하부에 배치된 오버 코팅층(OC) 하에 배치되고, 하부 댐(L_DM)은, 제1 기판(110)의 상부에 배치된 제2 패시베이션층(PAS2) 상에 배치된다. 씰런트와 상부 배향막(U_AL) 또는, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩할 가능성이 있는 지점에, 서브 평탄화층에 형성된 트렌치(T)가 구성된다. An upper dam U_DM and a lower dam L_DM are disposed at a point where the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL may overlap. The upper dam U_DM is disposed under the overcoat layer OC disposed under the
터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮춤으로써 터치 감지 성능을 향상시킬 수 있다. 그런데 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위해 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 폭을 넓히는 경우, 베젤 폭이 증가한다는 단점이 있다. 베젤 폭을 넓히지 않으면서 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2, RVcom_3)과 아래층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_3)을 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제2 금속층(M2)에 의해 복수의 제1 터치배선(RVcom_1)이 형성된다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제1 터치배선(RVcom_1) 위에 평탄화층(122)이 배치되고, 평탄화층(122) 위에 제1 터치배선(RVcom_1)과 겹치는 형상으로, 제2 서브 금속층(M2_s)에 의해 복수의 제3 터치배선(RVcom_3)이 형성될 수 있다. 또한, 터치배선영역(RVcomA)에는, 제3 터치배선(RVcom_3) 위에 서브 평탄화층(122_s)이 배치되고, 서브 평탄화층(122_s) 위에 제3 터치배선(RVcom_3)과 겹치는 형상으로, 제3 금속층(M3)에 의해 복수의 제2 터치배선(RVcom_2)이 형성될 수 있다. 그리고 제1 터치배선(RVcom_1)과, 그에 대응하는 제3 터치배선(RVcom_3)은 평탄화층(122)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 그리고 제3 터치배선(RVcom_3)과, 그에 대응하는 제2 터치배선(RVcom_2)은 서브 평탄화층(122_s)에 형성된 컨택홀에 의해 서로 연결된다. 이렇게 3층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)에 의하여, 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. By lowering the resistance of the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3, the touch sensing performance can be improved. However, when the widths of the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3 are widened in order to lower the resistance of the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3, the bezel width increases. In order to lower the resistance of the touch wirings (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) without increasing the bezel width, the touch wirings (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are arranged as densely as possible and the touch wirings (RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3) are arranged in multiple layers. overlap to form Then, the upper layer touch wirings (RVcom_2, RVcom_3) and the lower layer touch wirings (RVcom_1, RVcom_3) are electrically connected. More specifically, in the touch wiring area RVcomA, a plurality of first touch wirings RVcom_1 is formed by the second metal layer M2 . In addition, in the touch wiring area RVcomA, a
도 7a 내지 도 7h는 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)에 대응되는 평면도들이다. 7A to 7H are plan views corresponding to the anti-overlap area OA shown in FIG. 5 .
도 7a를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍이 복수 개 일 때, 각 쌍 마다 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 다를 수 있다. 예를 들어, 씰-영역(Seal)에 가까운 쌍일수록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 멀 수 있다. 또한, 씰-영역(Seal)에서 가장 멀리 떨어져 있는 쌍은, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM) 사이의 이격 거리가 실질적으로 0(zero)일 수 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 씰런트로부터 가까운 쌍에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트로부터 먼 쌍에 의해 완전히 막아줌으로써 씰런트가 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7A , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other to form a pair, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may have two or three pairs. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM have a plurality of pairs, the separation distance between the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be different for each pair. For example, as the pair is closer to the seal-region Seal, the separation distance between the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be greater. In addition, in the pair furthest from the seal-region Seal, the separation distance between the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be substantially zero. Accordingly, when the sealant is spread in the direction D1 of the display area DA, a predetermined amount of the sealant is allowed to leak by a pair close to the sealant, thereby preventing the sealant from bursting during bonding. In addition, by completely blocking the sealant by a pair far from the sealant, it is possible to prevent the sealant from finally passing the overlap preventing area OA.
도 7b를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하되, 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 아래에, 제2 기판(115)이 위에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 제2 패시베이션층(PAS2)을 따라 흐르게 되는 경우에, 하부 댐(L_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 하부 댐(L_DM)은 선형으로 배치되고, 상부 댐(U_DM)은 점선형으로 배치됨으로써, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 발생한 틈으로, 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7B , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other, but the upper dam U_DM is disposed in a dotted line between the seal-region Seal and the alignment layer AL, and the lower The dam L_DM is disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other to form a pair, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may have two or three pairs. In particular, in the case where the sealant flows along the second passivation layer PAS2 as the
도 7c를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 중첩하여 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치됨으로써, 하부댐과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 하부댐과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역에서 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7C , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a dotted line shape between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other to form a pair, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may have two or three pairs. Since the lower dam L_DM and the upper dam U_DM are arranged in a dotted line, a gap is generated in an area where the lower dam and the upper dam U_DM do not exist. Accordingly, when the sealant spreads in the display area DA direction D1, a certain amount of the sealant is allowed to leak through the gap that occurred in the area where the lower dam and the upper dam U_DM are not, so that the sealant does not burst during bonding. can do. In addition, as the flow velocity decreases while the sealant flows to find a gap avoiding the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, it is possible to prevent the sealant from finally crossing the overlap prevention area OA.
도 7d를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7D , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately disposed and disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to form a pair, the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be two or three. Accordingly, when the sealant spreads in the direction D1 of the display area DA, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged and a certain amount of the sealant is allowed to leak through the gap, thereby allowing the sealant to leak out. It can prevent the sealant from bursting. In addition, as the flow velocity decreases while the sealant flows to find a gap avoiding the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, it is possible to prevent the sealant from finally crossing the overlap prevention area OA.
도 7e를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 아래에, 제2 기판(115)이 위에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 제2 패시베이션층(PAS2)을 따라 흐르게 되는 경우에, 하부 댐(L_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7E , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately disposed and the upper dam U_DM is disposed in a dotted line between the seal-region Seal and the alignment layer AL, and the lower dam U_DM is disposed in a dotted line. The dam L_DM is disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to form a pair, the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be two or three. In particular, in the case where the sealant flows along the second passivation layer PAS2 as the
도 7f를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 상부 댐(U_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치되고, 하부 댐(L_DM)은 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 특히, 제1 기판(110)이 위에, 제2 기판(115)이 아래에 배치되도록 합착을 하고 경화를 진행함에 따라 씰런트가 오버 코팅층(OC)을 따라 흐르게 되는 경우에, 상부 댐(U_DM)이 실선형으로 배치되는 것이 유리하다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7F , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately disposed and the upper dam U_DM is disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL, and the lower The dam L_DM is disposed in a dotted line shape between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to form a pair, the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be two or three. In particular, in the case where the sealant flows along the overcoat layer OC as the
도 7g를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 점선형으로 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치되고, 서로 엇갈리게 배치되면서, 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 없는 영역, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역 및 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7G , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately disposed and disposed in a dotted line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to form a pair, the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be two or three. The lower dam (L_DM) and the upper dam (U_DM) are arranged in a dotted line, and are alternately arranged, and the area without the lower dam (L_DM) and the upper dam (U_DM), the upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM) ) and a region without the lower dam L_DM corresponding to the upper dam U_DM. As a result, when the sealant spreads in the display area DA direction D1, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to allow a certain amount of sealant to leak through the gap, thereby It can prevent the sealant from bursting. In addition, as the flow velocity decreases while the sealant flows to find a gap avoiding the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, it is possible to prevent the sealant from finally crossing the overlap prevention area OA.
도 7h를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 각각 점선형으로 배치되면서, 동시에 체크 무늬 형상을 이루도록 배치된다. 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 서로 엇갈리게 배치되어 한 쌍을 이룬다고 볼 때, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 두 개가 될 수도, 세 개가 될 수도 있다. 하부 댐(L_DM)과 상부 댐(U_DM)이 점선형으로 배치되고, 서로 엇갈리게 배치되면서 동시에 체크 무늬 형상을 이루게 됨에 따라, 하부 댐(L_DM)에 대응하는 상부 댐(U_DM)이 없는 영역 및 상부 댐(U_DM)에 대응하는 하부 댐(L_DM)이 없는 영역에서 틈이 생기게 된다. 이로써, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 체크 무늬를 이루도록 배치되어 발생한 틈으로 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. 또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 7H , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged in a dotted line shape along between the seal-region Seal and the alignment layer AL while forming a checkered shape at the same time. are placed When the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are alternately arranged to form a pair, the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM may be two or three. As the lower dam (L_DM) and the upper dam (U_DM) are arranged in a dotted line and are alternately arranged and form a checkered shape at the same time, the area without the upper dam (U_DM) corresponding to the lower dam (L_DM) and the upper dam A gap is generated in a region where there is no lower dam L_DM corresponding to (U_DM). Accordingly, when the sealant is spread in the display area DA direction D1, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are arranged to form a checkered pattern so that a certain amount of the sealant can leak through the gap, It can prevent the sealant from bursting during bonding. In addition, as the flow velocity decreases while the sealant flows to find a gap avoiding the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, it is possible to prevent the sealant from finally crossing the overlap prevention area OA.
도 7a 내지 도 7h에 도시된 오버랩방지영역(OA)은, 도 5에 도시된 디스플레이 패널뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 실시예에 조합하여 적용될 수 있다. The anti-overlap area OA shown in FIGS. 7A to 7H may be applied in combination to various embodiments of the present invention as well as the display panel shown in FIG. 5 .
도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA) 및 트렌치영역(TA)에 대응되는 평면도들이다. 8A to 8D are plan views corresponding to the anti-overlap area OA and the trench area TA shown in FIG. 5 .
도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)으로서, 도 7a에 도시된 오버랩방지영역(OA)에 대한 평면도를 도시하였으나, 이는 예시적일 뿐 이에 한정되지 않는다. 즉, 도 7b 내지 도 7h 중 어느 하나가 도 5에 도시된 오버랩방지영역(OA)으로서 도 8a에 적용될 수 있다. 또한, 도시되지 않았더라도 발명의 상세한 설명을 통해 본 발명으로서 설명되는 범위 내에 해당하는 어떠한 형태의 오버랩방지영역(OA)이라도 도 8a에 적용될 수 있다. As the anti-overlapping area OA shown in FIG. 5, a plan view of the anti-overlapping area OA shown in FIG. 7A is shown, but this is only exemplary and not limited thereto. That is, any one of FIGS. 7B to 7H may be applied to FIG. 8A as the overlap prevention area OA shown in FIG. 5 . In addition, although not shown, any type of overlap prevention area OA that falls within the scope described as the present invention through the detailed description of the present invention may be applied to FIG. 8A .
도 8a를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 교차하는 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다.Referring to FIG. 8A , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. On the other hand, the plurality of trenches T are arranged in a solid line shape that intersects the upper dam U_DM and the lower dam L_DM in the solid line shape. When the sealant spreads in the display area DA direction D1 , the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM sequentially contacts the sealant, whereas the plurality of trenches T are all in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. In addition, the sealant fills the plurality of trenches T before leaking beyond the upper dam U_DM and the lower dam L_DM. Therefore, as the area in contact with the sealant by the trench (T) increases, the adhesive force of the sealant increases, and the trench (T) provides a space for the sealant to stay without going over the overlap prevention area (OA). It is possible to control the spread width of the sealant. The plurality of trenches T are not perpendicular to the upper dam U_DM and the lower dam L_DM of the solid or dotted line, but intersect at an angle, thereby making the path of the trench T long. By making the path of the trench T long, the space in which the sealant can stay without going over the overlap prevention area OA as the trench T can be increased.
도 8b를 참조하면, 상부댐과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하는 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 8B , the upper dam and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. In contrast, the plurality of trenches T are disposed in a plurality of solid lines orthogonal to the upper dam U_DM and the lower dam L_DM of a solid or dotted line. When the sealant spreads in the display area DA direction D1 , the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM sequentially contacts the sealant, whereas the plurality of trenches T are all in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. In addition, the sealant fills the plurality of trenches T before leaking beyond the upper dam U_DM and the lower dam L_DM. Therefore, as the area in contact with the sealant by the trench (T) increases, the adhesive force of the sealant increases, and the trench (T) provides a space for the sealant to stay without going over the overlap prevention area (OA). It is possible to control the spread width of the sealant.
도 8c를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 인접하여 복수의 실선형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되고, 복수의 트렌치(T) 역시 순차적으로 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 8C , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. In contrast, the plurality of trenches T are arranged in a plurality of solid lines adjacent to the solid upper dam U_DM and the lower dam L_DM. When the sealant spreads in the display area DA direction D1 , the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM sequentially comes into contact with the sealant, and the plurality of trenches T also sequentially contact the sealant. come into contact with In addition, the sealant fills the trench T before leaking beyond the upper dam U_DM and the lower dam L_DM. Therefore, as the area in contact with the sealant by the trench (T) increases, the adhesive force of the sealant increases, and the trench (T) provides a space for the sealant to stay without going over the overlap prevention area (OA). It is possible to control the spread width of the sealant.
도 8d를 참조하면, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이, 서로 중첩하여 씰-영역(Seal)과 배향막(AL) 사이를 따라 실선형으로 배치된다. 이에 대하여, 복수의 트렌치(T)는, 실선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 교차하는 복수의 V자형으로 배치된다. 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지는 경우, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 이루는 쌍은 순차적으로 씰런트와 접하게 되는데 반하여, 복수의 트렌치(T)는 순서 없이 모두 동등한 조건에서 씰런트와 접하게 된다. 또한, 씰런트는 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)을 넘어서 새어나가기 전에, 먼저 복수의 트렌치(T)를 채우게 된다. 따라서, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다. 또한, 복수의 트렌치(T)가 V자형으로 형성됨으로써, 트렌치(T)에 흘러드는 씰런트의 퍼짐 방향을 한번 꺾어줌으로써, 씰런트의 유속을 낮출 수 있다.Referring to FIG. 8D , the upper dam U_DM and the lower dam L_DM overlap each other and are disposed in a solid line between the seal-region Seal and the alignment layer AL. In contrast, the plurality of trenches T are arranged in a plurality of V-shapes that intersect with the solid upper dam U_DM and the lower dam L_DM. When the sealant spreads in the display area DA direction D1 , the pair formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM sequentially contacts the sealant, whereas the plurality of trenches T are all in no order. It comes into contact with the sealant under equal conditions. In addition, the sealant fills the plurality of trenches T before leaking beyond the upper dam U_DM and the lower dam L_DM. Therefore, as the area in contact with the sealant by the trench (T) increases, the adhesive force of the sealant increases, and the trench (T) provides a space for the sealant to stay without going over the overlap prevention area (OA). It is possible to control the spread width of the sealant. The plurality of trenches T are not perpendicular to the upper dam U_DM and the lower dam L_DM of the solid or dotted line, but intersect at an angle, thereby making the path of the trench T long. By making the path of the trench T long, the space in which the sealant can stay without going over the overlap prevention area OA as the trench T can be increased. In addition, since the plurality of trenches T are formed in a V shape, the spreading direction of the sealant flowing into the trench T is bent once, thereby reducing the flow rate of the sealant.
도 8a 내지 도 8d에 도시된 트렌치영역(TA)은, 도 5에 도시된 디스플레이 패널뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 실시예에 조합하여 적용될 수 있다. The trench area TA shown in FIGS. 8A to 8D may be applied in combination to various embodiments of the present invention as well as the display panel shown in FIG. 5 .
도면을 참조하여 설명한 본 발명의 다양한 실시예에서는 씰-영역과 비표시영역(NDA)에 배치된 게이트 링크부(G_Link) 및 게이트 드라이버(GIP) 등이 중첩된 영역에서, 씰런트가 보다 향상된 접착력을 가지도록 함으로써, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량의 발생을 감소시킬 뿐만 아니라 동시에 디스플레이 장치의 베젤 폭을 일정 수준 이하로 줄일 수 있다.In various embodiments of the present invention described with reference to the drawings, in the area where the seal-region and the gate link part G_Link and the gate driver GIP disposed in the non-display area NDA overlap, the sealant has improved adhesion. By having the , it is possible to reduce the occurrence of a bonding defect between the
또한, 씰-영역과 비표시영역(NDA)이 중첩된 영역에서 씰런트 하부의 브릿지 전극(BRL)의 파손에 따른 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)의 전식/부식 발생을 최소화함에 따라 더욱 강건한 디스플레이 패널을 제공할 수 있다. In addition, in the area where the seal-region and the non-display area NDA overlap, the occurrence of corrosion/corrosion of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 due to the breakage of the bridge electrode BRL under the sealant is minimized. Accordingly, a more robust display panel can be provided.
또한, 디스플레이 장치의 베젤 폭을 감소시키는데 있어서, 씰-영역과 브릿지 영역(BRA)의 회피 설계 및 별도의 공정이나 새로운 마스크의 추가 없이, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 불량 및 배선들의 전식/부식의 발생을 저감시킬 수 있는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다. In addition, in reducing the bezel width of the display device, the
또한, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항을 낮추기 위하여, 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 최대한 촘촘히 배치하면서도, 복수의 층으로 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)을 겹쳐 형성한다. 그리고 위층의 터치배선(RVcom_2, RVcom_3)과 아래층의 터치배선(RVcom_1, RVcom_3)을 전기적으로 연결한다. 이로써 각 터치배선(RVcom_1, RVcom_2, RVcom_3)의 저항이 감소하는 효과를 얻으면서도 베젤의 폭을 좁게 형성할 수 있다. In addition, in order to lower the resistance of the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3, the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3 are arranged as densely as possible, and the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3 are overlapped in a plurality of layers. Then, the upper layer touch wirings (RVcom_2, RVcom_3) and the lower layer touch wirings (RVcom_1, RVcom_3) are electrically connected. Accordingly, the width of the bezel can be narrowed while obtaining the effect of reducing the resistance of each of the touch wirings RVcom_1, RVcom_2, and RVcom_3.
또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지지 않도록, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 배치됨으로써, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.In addition, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM are disposed so that the sealant does not spread in the display area DA direction D1, so that the sealant and the upper alignment layer U_AL, or the sealant and the lower alignment layer L_AL ) can provide a non-overlapping display panel.
또한, 오버랩방지영역(OA)이 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계에 걸쳐서 배치되거나, 터치배선영역(RVcomA)과 게이트 드라이버(GIP)의 경계를 기준으로 게이트 드라이버(GIP) 쪽으로 치우쳐서 배치되도록 설계함으로써, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않는 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.In addition, the overlap prevention area OA is disposed over the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP, or the gate driver GIP based on the boundary between the touch wiring area RVcomA and the gate driver GIP. By designing to be biased toward the side, a display panel in which the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL do not overlap may be provided.
또한, 씰런트와 상부 배향막(U_AL), 또는 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하지 않음으로써, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, since the sealant and the upper alignment layer U_AL or the sealant and the lower alignment layer L_AL do not overlap, a decrease in bonding strength between the
또한, 씰런트가 퍼지면서 트렌치(T)의 굴곡을 채움으로써 씰런트의 접착 면적이 증가하게 됨에 따라, 씰런트에 의한 접착력이 향상되어, 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의 합착 강도가 상승할 수 있다.In addition, as the adhesive area of the sealant increases by filling the curvature of the trench T while the sealant is spread, the adhesive force by the sealant is improved, so that the
또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼지더라도, 퍼진 씰런트가 트렌치(T)를 채우게 됨에 따라 씰런트의 퍼짐폭이 줄어들어, 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상을 최소화할 수 있다. Also, even if the sealant spreads in the display area DA direction D1, as the spread sealant fills the trench T, the spread width of the sealant decreases, so that the sealant and the lower alignment layer L_AL overlap. can be minimized.
또한, 트렌치(T)에 의해 씰런트와 하부 배향막(L_AL)이 중첩하는 현상이 최소화됨으로써 제1 기판(110)과 제2 기판(115)의, 씰런트에 의한 합착 강도가 저하되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the overlapping phenomenon of the sealant and the lower alignment layer L_AL by the trench T is minimized, thereby preventing a decrease in bonding strength between the
또한, 씰런트가 표시영역(DA) 방향(D1)으로 퍼짐에 있어, 1차적으로 트렌치(T)가 씰런트를 받아들이게 되는 웅덩이 역할을 하고, 2차적으로 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)이 씰런트가 터치배선영역(RVcomA)으로까지 흘러들지 않도록 막는 장벽 역할을 할 수 있다.In addition, when the sealant is spread in the display area DA direction D1, the trench T primarily serves as a puddle to receive the sealant, and secondarily, the upper dam U_DM and the lower dam L_DM ) can serve as a barrier preventing the sealant from flowing into the touch wiring area (RVcomA).
또한, 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)으로 조성된 틈에 의해 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있도록 함으로써, 합착 시 씰런트가 터지지 않도록 할 수 있다. In addition, by allowing a certain amount of sealant to leak through the gap formed by the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, the sealant may not burst during bonding.
또한, 씰런트가 상부 댐(U_DM) 및 하부 댐(L_DM)을 피해 틈을 찾아 흐르면서 유속이 줄어듦에 따라 씰런트가 최종적으로 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않도록 할 수 있다.In addition, as the flow velocity decreases while the sealant flows to find a gap avoiding the upper dam U_DM and the lower dam L_DM, it is possible to prevent the sealant from finally crossing the overlap prevention area OA.
또한, 씰런트가 트렌치(T)에 의해서 접하는 면적이 증가함에 따라 씰런트의 접착력이 상승하고, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 제공하여 씰런트의 퍼짐폭을 제어할 수 있다. In addition, as the area in contact with the sealant by the trench (T) increases, the adhesive force of the sealant increases, and the trench (T) provides a space for the sealant to stay without going over the overlap prevention area (OA). It is possible to control the spread width of the sealant.
또한, 복수의 트렌치(T)가 실선형 또는 점선형의 상부 댐(U_DM)과 하부 댐(L_DM)에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차함으로써, 트렌치(T)의 경로를 길게 만들 수 있다. 트렌치(T)의 경로를 길게 만듦으로써, 트렌치(T)로써 씰런트가 오버랩방지영역(OA)을 넘어가지 않고 머무를 수 있는 공간을 늘릴 수 있다.In addition, the plurality of trenches (T) do not orthogonal to the upper dam (U_DM) and the lower dam (L_DM) of the solid or dotted line type, but intersect obliquely, it is possible to make the path of the trench (T) long. By making the path of the trench T long, the space in which the sealant can stay without going over the overlap prevention area OA as the trench T can be increased.
본 발명의 예시적인 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.A display apparatus according to various exemplary embodiments of the present invention may be described as follows.
본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 액정층을 개재하여 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판과 제2 기판이 서로 합착되도록, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비표시영역에 배치되는 씰런트; 액정층의 액정의 초기 배향 방향을 결정하는 위치인, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서 서로 마주보며 배치되는 상부 배향막 및 하부 배향막; 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역; 제1 기판에서 제2 기판을 향해 솟은 하부 댐과 제2 기판에서 제 1기판을 향해 달린 상부 댐을 포함하는 오버랩방지영역; 및 씰런트가 흘러 들어갈 수 있도록, 복수의 트렌치를 포함하는 트렌치영역을 포함한다. 이 때, 오버랩방지영역과 트렌치영역은, 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 인접하여 배치되고 서로 중첩하는 것을 특징으로 한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area, comprising: a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween; a sealant disposed in a non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to each other; an upper alignment layer and a lower alignment layer facing each other in a display area between the first substrate and the second substrate, which is a position for determining an initial alignment direction of the liquid crystal of the liquid crystal layer; a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area; an overlap prevention region including a lower dam rising from the first substrate toward the second substrate and an upper dam running from the second substrate toward the first substrate; and a trench region including a plurality of trenches to allow the sealant to flow in. In this case, the overlap prevention region and the trench region are disposed adjacent to a boundary between the touch wiring region and the gate driver and overlap each other.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 표시영역의 끝에서부터 디스플레이 장치의 외곽 방향으로, 터치배선영역, 게이트 드라이버 및 게이트 링크부가 순차로 배치되고, 트렌치영역은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다. In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, a touch wiring region, a gate driver, and a gate link part are sequentially disposed from the end of the display region to an outer direction of the display device, and the trench region is a portion of the touch wiring region and the gate driver. It is characterized in that the arrangement is biased toward the gate driver based on the boundary.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 표시영역의 끝에서부터 디스플레이 장치의 외곽 방향으로, 터치배선영역, 게이트 드라이버 및 게이트 링크부가 순차로 배치되고, 오버랩방지영역은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.Further, in the display device according to the embodiment of the present invention, the touch wiring region, the gate driver and the gate link part are sequentially disposed from the end of the display region to the outer direction of the display device, and the overlap prevention region includes the touch wiring region and the gate driver. It is characterized in that it is disposed over the boundary of
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역에는, 제2 금속층으로 구성되는 복수의 제1 터치배선, 제1 터치배선 위에 배치되는 절연성의 평탄화층, 평탄화층 위에, 제1 터치배선과 겹치는 형상으로, 제3 금속층으로 구성되는 복수의 제2 터치배선이 더 배치되고, 제1 터치배선과, 제1 터치배선에 대응하는 제2 터치배선은 평탄화층에 배치된 컨택홀에 의해 서로 연결되고, 트렌치는 평탄화층에 배치된 컨택홀과 별도로 평탄화층에 구성되는 홈을 포함하여, 상기 터치배선영역과 중첩하지 않고, 상부 댐과 하부 댐은 터치배선 상에 위치함으로써, 오버랩방지영역과 터치배선영역이 일부 중첩하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, in the touch wiring region, a plurality of first touch wirings composed of a second metal layer, an insulating planarization layer disposed on the first touch wiring, and a first touch on the planarization layer A plurality of second touch wirings formed of a third metal layer are further disposed in a shape overlapping the wirings, and the first touch wirings and the second touch wirings corresponding to the first touch wirings are formed by a contact hole disposed in the planarization layer. Connected to each other, the trench includes a groove configured in the planarization layer separately from the contact hole disposed in the planarization layer, so that it does not overlap the touch wiring area, and the upper dam and the lower dam are located on the touch wiring, thereby preventing overlapping area and the touch wiring area partially overlap.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 트렌치는 씰런트의 퍼짐을 받아들이는 위치에 1차적으로 배치되고, 상부 댐과 하부 댐은 씰런트의 퍼짐이 터치배선영역으로까지 흘러들지 않도록 막는 위치에 2차적으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to the embodiment of the present invention, the trench is primarily arranged at a position to receive the spread of the sealant, and the upper dam and the lower dam prevent the spread of the sealant from flowing into the touch wiring area. It is characterized in that it is secondarily arranged in a position.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역의 개구율은 20% 이하인 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the aperture ratio of the touch wiring area is 20% or less.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하부 댐은 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴 (Photo Acryl) 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to the embodiment of the present invention, the lower dam is characterized in that it is formed of either polyimide (Polyimide) or photo acryl (Photo Acryl).
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 씰런트는 비표시영역 중, 개구율이 50% 이상인 영역에 배치되는 것을 특징으로 한다. In addition, the display device according to the embodiment of the present invention is characterized in that the sealant is disposed in an area having an aperture ratio of 50% or more among the non-display areas.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 터치배선영역은 비표시영역 중, 개구율이 50% 미만인 영역에 속하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to the embodiment of the present invention, the touch wiring area is characterized in that it belongs to an area having an aperture ratio of less than 50% among the non-display areas.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제2 기판은 복수의 화소에 차광 영역과 개구 영역을 각각 구획하는 블랙 매트릭스와 컬러필터층 및 블랙 매트릭스와 컬러필터층을 덮어 평탄화하는 오버 코팅층을 구비하고, 제1 기판은 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮도록 배치되는 평탄화층을 구비하고, 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서, 제2 기판의 오버 코팅층 상에 배치되는 복수의 상부 스페이서; 및 제1 기판과 제2 기판 사이의 표시영역에서, 제1 기판의 평탄화층 상에 배치되는 복수의 하부 스페이서;를 더 포함한다. 이 때, 상부 스페이서는 블랙 매트릭스가 배치된 차광 영역에 배치되고, 하부 스페이서는 셀 갭을 유지하거나, 셀 갭이 순간적으로 감소되더라도 셀 갭이 특정 수치 이하로 줄어드는 현상이 최소화되도록, 상부 스페이서와 서로 대향하여 배치되고, 하부 댐은 하부 스페이서와 동일한 물질로 구성되고, 상부 댐은 상부 스페이서와 동일한 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the second substrate includes a black matrix and a color filter layer for partitioning a light blocking area and an opening area in a plurality of pixels, respectively, and an overcoat layer for flattening the black matrix and the color filter layer by covering it, , wherein the first substrate includes a thin film transistor and a planarization layer disposed to cover the thin film transistor, and in a display area between the first substrate and the second substrate, a plurality of upper spacers disposed on the overcoat layer of the second substrate; and a plurality of lower spacers disposed on the planarization layer of the first substrate in the display area between the first substrate and the second substrate. At this time, the upper spacer is disposed in the light blocking area where the black matrix is disposed, and the lower spacer maintains the cell gap or minimizes the reduction of the cell gap to a specific value or less even if the cell gap is momentarily reduced. It is disposed to face each other, and the lower dam is made of the same material as the lower spacer, and the upper dam is made of the same material as the upper spacer.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 트렌치의 경로가 길어지도록, 트렌치는 상부 댐과 하부 댐에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차하도록 배치된 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid line or a dotted line between the area to which the sealant is applied and the lower alignment layer, and the path of the trench is long. , the trench is not perpendicular to the upper dam and the lower dam, but is characterized in that it is arranged to cross at an angle.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 트렌치에 흘러드는 씰런트의 퍼짐 방향이 꺾어지도록, 트렌치는 V자형으로 배치된 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid or dotted shape along a region where the sealant is applied and the lower alignment layer, and the sealant flowing into the trench It is characterized in that the trench is arranged in a V shape so that the spreading direction of the is bent.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 엇갈리게 배치되면서 씰런트가 도포되는 영역과 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치됨으로써, 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있는 틈이 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to the embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam are arranged in a solid or dotted line shape along the area to which the sealant is applied and the lower alignment layer while being alternately arranged, so that a certain amount of the sealant is It is characterized in that a gap that can leak out is configured.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상부 댐과 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰-영역과 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고, 서로 중첩하는 상부 댐과 하부 댐이 한 쌍을 이루고, 상부 댐과 하부 댐이 이루는 쌍이 복수 개 일 때, 씰런트가 도포된 영역에 가까운 쌍일수록, 상부 댐과 하부 댐 사이의 이격 거리가 먼 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid line or a dotted line along a space between the seal-region and the alignment layer, and the upper dam and the lower dam overlap each other. When there are a plurality of pairs formed by the upper dam and the lower dam, the closer the pair is to the area to which the sealant is applied, the greater the separation distance between the upper dam and the lower dam is.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 씰런트는 광경화 씰런트인 것을 특징으로 한다.In addition, in the display device according to an embodiment of the present invention, the sealant is a photocurable sealant.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예에 따른 화상을 표시하는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역으로 구획된 디스플레이 장치에 있어서, 제1 기판; 디스플레이 장치의 외곽을 둘러 배치되는 UV 경화 썰런트; UV 경화 씰런트에 의해 둘러싸이는 배향막; 디스플레이 장치의 베젤 폭을 최소화도록, 비표시영역에서 UV 경화 씰런트와 배향막의 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 제1 구조물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, according to an embodiment of the present invention, there is provided a display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area, comprising: a first substrate; UV curing thruant disposed around the periphery of the display device; an alignment layer surrounded by a UV curing sealant; and a first structure disposed at a position to prevent overlapping of the UV curing sealant and the alignment layer in the non-display area to minimize the bezel width of the display device.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역;을 더 포함한다. 이 때, 제1 구조물은 하부 댐인 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention further includes a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area. At this time, the first structure is characterized in that the lower dam.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하부 댐은 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the lower dam is disposed across the boundary between the touch wiring area and the gate driver.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역;을 더 포함한다. 이 때, 제1 구조물은 트렌치인 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention further includes a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area. At this time, the first structure is characterized in that the trench.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 트렌치는 터치배선영역과 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the trench is disposed to be biased toward the gate driver based on the boundary between the touch wiring region and the gate driver.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 다양한 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 다양한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although various embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. have. Accordingly, the various embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the various embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
10: 디스플레이 장치 100, 200, 300, 400: 디스플레이 패널
110: 제1 기판 115: 제2 기판
120: 중간층 121: 게이트 절연층
122: 평탄화층 122_s: 서브 평탄화층
123: 절연층 130: 박막 트랜지스터
131: 게이트 전극 132: 액티브층
133: 제1 전극 134: 제2 전극
140: 공통전극 150: 화소전극
BM: 블랙 매트릭스 OC: 오버 코팅층
U_SP: 상부 스페이서 L_SP: 하부 스페이서
G_Link: 게이트 링크부 GIP: 게이트 드라이버
D_LL: 데이터 링크배선 CL: 연결배선
GL: 게이트 라인 DL: 데이터 라인
ST: 스테이지 LC: 액정층
DA: 표시영역 NDA: 비표시영역
BRA: 브릿지 영역 BRL: 브릿지 전극
PAD: 패드부 D_Link: 데이터 링크부
CLK1, CLK2, CLK3, CLK4: 클럭 신호 Seal: 씰-영역
G_Pad: 게이트 패드부 D_Pad: 데이터 패드부
S_In: 신호입력단 CF1, CF2, CF3: 컬러필터
CF: 컬러필터층 PAS, PAS1, PAS2: 패시베이션층
M1: 제1 금속층 M2: 제2 금속층
M2_s: 제2 서브 금속층 M3: 제3 금속층
OA: 오버랩방지영역 TA: 트렌치영역
T: 트렌치 P: 화소
D1: 표시영역 방향 D2: 비표시영역 방향
U_DM: 상부 댐 L_DM: 하부 댐
U_AL: 상부 배향막 L_AL: 하부 배향막
RVcomA: 터치배선영역 RVcom_1: 제1 터치배선(RVcom_1)
RVcom_2: 제2 터치배선(RVcom_2) RVcom_3: 제3 터치배선(RVcom_3)10:
110: first substrate 115: second substrate
120: intermediate layer 121: gate insulating layer
122: planarization layer 122_s: sub-planarization layer
123: insulating layer 130: thin film transistor
131: gate electrode 132: active layer
133: first electrode 134: second electrode
140: common electrode 150: pixel electrode
BM: black matrix OC: overcoat layer
U_SP: upper spacer L_SP: lower spacer
G_Link: gate link part GIP: gate driver
D_LL: Data link wiring CL: Connection wiring
GL: gate line DL: data line
ST: stage LC: liquid crystal layer
DA: display area NDA: non-display area
BRA: bridge area BRL: bridge electrode
PAD: Pad part D_Link: Data link part
CLK1, CLK2, CLK3, CLK4: Clock signal Seal: Seal-area
G_Pad: Gate pad part D_Pad: Data pad part
S_In: signal input terminal CF1, CF2, CF3: color filter
CF: color filter layer PAS, PAS1, PAS2: passivation layer
M1: first metal layer M2: second metal layer
M2_s: second sub-metal layer M3: third metal layer
OA: Anti-overlap area TA: Trench area
T: trench P: pixel
D1: Display area direction D2: Non-display area direction
U_DM: upper dam L_DM: lower dam
U_AL: upper alignment layer L_AL: lower alignment layer
RVcomA: touch wiring area RVcom_1: first touch wiring (RVcom_1)
RVcom_2: 2nd touch wiring (RVcom_2) RVcom_3: 3rd touch wiring (RVcom_3)
Claims (20)
액정층을 개재하여 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판;
상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 서로 합착되도록, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 상기 비표시영역에 배치되는 씰런트;
상기 액정층의 액정의 초기 배향 방향을 결정하며, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 상부 배향막 및 하부 배향막;
상기 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역;
상기 제1 기판에서 상기 제2 기판을 향하여 배치된 하부 댐과 상기 제2 기판에서 상기 제 1기판을 향하여 배치된 상부 댐을 포함하는 오버랩방지영역; 및
상기 씰런트가 흘러 들어갈 수 있도록, 복수의 트렌치를 포함하는 트렌치영역을 포함하고,
상기 오버랩방지영역과 상기 트렌치영역은, 상기 터치배선영역과 상기 게이트 드라이버의 경계에 인접하여 배치되고 서로 중첩하는, 디스플레이 장치.In the display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area,
a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween;
a sealant disposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate so that the first substrate and the second substrate are bonded to each other;
an upper alignment layer and a lower alignment layer that determine an initial alignment direction of the liquid crystal of the liquid crystal layer and are positioned between the first substrate and the second substrate;
a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area;
an overlap prevention region including a lower dam disposed from the first substrate toward the second substrate and an upper dam disposed from the second substrate toward the first substrate; and
a trench region including a plurality of trenches to allow the sealant to flow in;
The overlap prevention region and the trench region are disposed adjacent to a boundary between the touch wiring region and the gate driver and overlap each other.
상기 표시영역의 끝에서부터 상기 디스플레이 장치의 외곽 방향으로, 상기 터치배선영역, 상기 게이트 드라이버 및 상기 게이트 링크부가 순차로 배치되고,
상기 트렌치영역은 상기 터치배선영역과 상기 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 상기 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는, 디스플레이 장치.According to claim 1,
the touch wiring region, the gate driver, and the gate link part are sequentially disposed in an outer direction of the display device from the end of the display region;
The trench region is disposed to be biased toward the gate driver based on a boundary between the touch wiring region and the gate driver.
상기 오버랩방지영역은 상기 터치배선영역과 상기 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는, 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
The display apparatus of claim 1, wherein the anti-overlapping area is disposed across a boundary between the touch wiring area and the gate driver.
상기 터치배선영역에는, 제2 금속층으로 구성되는 복수의 제1 터치배선, 상기 제1 터치배선 위에 배치되는 절연성의 평탄화층, 상기 평탄화층 위에, 상기 제1 터치배선과 겹치는 형상으로, 제3 금속층으로 구성되는 복수의 제2 터치배선이 더 배치되고,
상기 제1 터치배선과, 상기 제1 터치배선에 대응하는 상기 제2 터치배선은 상기 평탄화층에 배치된 컨택홀에 의해 서로 연결되고,
상기 트렌치는 상기 평탄화층에 배치된 상기 컨택홀과 별도로 상기 평탄화층에 구성되는 홈을 포함하여, 상기 터치배선영역과 중첩하지 않고,
상기 상부 댐과 상기 하부 댐은 상기 터치배선 상에 위치하여, 상기 오버랩방지영역과 상기 터치배선영역이 일부 중첩하는, 디스플레이 장치.According to claim 1,
In the touch wiring region, a plurality of first touch wirings composed of a second metal layer, an insulating planarization layer disposed on the first touch wiring, and a third metal layer on the planarization layer in a shape overlapping with the first touch wiring, A plurality of second touch wirings composed of
The first touch wiring and the second touch wiring corresponding to the first touch wiring are connected to each other by a contact hole disposed in the planarization layer,
The trench includes a groove formed in the planarization layer separately from the contact hole disposed in the planarization layer, and does not overlap the touch wiring area;
The upper dam and the lower dam are positioned on the touch wiring so that the overlap prevention area and the touch wiring area partially overlap.
상기 트렌치는 상기 씰런트의 퍼짐을 받아들이는 위치에 1차적으로 배치되고,
상기 상부 댐과 상기 하부 댐은 상기 씰런트의 퍼짐이 상기 터치배선영역으로까지 흘러들지 않도록 막는 위치에 2차적으로 배치되는, 디스플레이 장치.5. The method of claim 4,
The trench is primarily disposed at a position to receive the spread of the sealant,
The display device, wherein the upper dam and the lower dam are secondarily disposed at positions preventing the spread of the sealant from flowing into the touch wiring region.
상기 터치배선영역의 개구율은 20% 이하인, 디스플레이 장치.5. The method of claim 4,
An aperture ratio of the touch wiring area is 20% or less.
상기 하부 댐은 폴리이미드(Polyimde) 또는 포토아크릴 (Photo Acryl) 중 어느 하나로 구성된, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The lower dam is composed of any one of polyimide (Polyimde) or photo acryl (Photo Acryl), the display device.
상기 씰런트는 상기 비표시영역 중, 개구율이 50% 이상인 영역에 배치되는, 디스플레이 장치. According to claim 1,
and the sealant is disposed in an area having an opening ratio of 50% or more among the non-display areas.
상기 터치배선영역은 상기 비표시영역 중, 개구율이 50% 미만인 영역에 속하는, 디스플레이 장치. 9. The method of claim 8,
and the touch wiring area belongs to an area having an aperture ratio of less than 50% among the non-display areas.
상기 제2 기판은 복수의 화소에 차광 영역과 개구 영역을 각각 구획하는 블랙 매트릭스와 컬러필터층 및 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러필터층 위에 오버 코팅층을 더 포함하고,
상기 제1 기판은 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 평탄화층을 더 포함하고,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 표시영역에서, 상기 제2 기판의 상기 오버 코팅층 상에 배치되는 복수의 상부 스페이서; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 표시영역에서, 상기 제1 기판의 상기 평탄화층 상에 배치되는 복수의 하부 스페이서;를 더 포함하고,
상기 상부 스페이서는 상기 블랙 매트릭스가 배치된 차광 영역에 배치되고,
상기 하부 스페이서는 셀 갭을 유지하거나, 상기 셀 갭이 순간적으로 감소되더라도 상기 셀 갭이 특정 수치 이하로 줄어드는 현상이 최소화되도록, 상기 상부 스페이서와 서로 대향하여 마주보도록 배치되고
상기 하부 댐은 상기 하부 스페이서와 동일한 물질로 구성되고,
상기 상부 댐은 상기 상부 스페이서와 동일한 물질로 구성되는, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The second substrate further includes a black matrix and a color filter layer for partitioning a light blocking area and an opening area in a plurality of pixels, and an overcoat layer on the black matrix and the color filter layer,
The first substrate further includes a thin film transistor and a planarization layer on the thin film transistor,
a plurality of upper spacers disposed on the overcoat layer of the second substrate in a display area between the first substrate and the second substrate; and
a plurality of lower spacers disposed on the planarization layer of the first substrate in a display area between the first substrate and the second substrate;
the upper spacer is disposed in a light blocking area in which the black matrix is disposed;
The lower spacer is disposed to face each other and face the upper spacer so as to maintain the cell gap or minimize the reduction in the cell gap to a specific value or less even if the cell gap is momentarily reduced
The lower dam is made of the same material as the lower spacer,
and the upper dam is made of the same material as the upper spacer.
상기 상부 댐과 상기 하부 댐이, 서로 중첩하여 상기 씰런트가 도포되는 영역과 상기 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고,
상기 트렌치의 경로가 길어지도록, 상기 트렌치는 상기 상부 댐과 상기 하부 댐에 대하여 직교하지 않고, 비스듬하게 교차하도록 배치된, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid line or a dotted line along a region where the sealant is applied and the lower alignment layer,
The display apparatus of claim 1, wherein the trench is disposed to cross the upper dam and the lower dam at an angle rather than orthogonally to the upper dam and the lower dam so that the path of the trench becomes longer.
상기 상부 댐과 상기 하부 댐이, 서로 중첩하여 상기 씰런트가 도포되는 영역과 상기 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고,
상기 트렌치에 흘러드는 상기 씰런트의 퍼짐 방향이 꺾어지도록, 상기 트렌치는 V자형으로 배치된, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid line or a dotted line along a region where the sealant is applied and the lower alignment layer,
The display device, wherein the trench is disposed in a V-shape such that a spreading direction of the sealant flowing into the trench is bent.
상기 상부 댐과 상기 하부 댐이, 서로 엇갈리게 배치되면서 상기 씰런트가 도포되는 영역과 상기 하부 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치됨으로써, 상기 씰런트가 일정 량 새어나올 수 있는 틈이 구성되는, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The upper dam and the lower dam are arranged in a solid line or a dotted line along a region to which the sealant is applied and the lower alignment layer while being alternately arranged, thereby forming a gap through which a predetermined amount of the sealant can leak. , display device.
상기 상부 댐과 상기 하부 댐이, 서로 중첩하여 씰-영역과 배향막 사이를 따라 실선형 또는 점선형으로 배치되고,
서로 중첩하는 상기 상부 댐과 상기 하부 댐이 한 쌍을 이루고, 상기 상부 댐과 상기 하부 댐이 이루는 쌍이 복수 개 일 때,
상기 씰런트가 도포된 영역에 가까운 쌍일수록, 상기 상부 댐과 상기 하부 댐 사이의 이격 거리가 먼, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The upper dam and the lower dam overlap each other and are disposed in a solid line or a dotted line shape along a space between the seal-region and the alignment layer,
When the upper dam and the lower dam overlapping each other form a pair, and the upper dam and the lower dam form a plurality of pairs,
The closer the pair to the area to which the sealant is applied, the greater the separation distance between the upper dam and the lower dam.
상기 씰런트는 광경화 씰런트인, 디스플레이 장치.According to claim 1,
The sealant is a photocurable sealant, the display device.
제1 기판;
상기 디스플레이 장치의 외곽을 둘러 배치되는 UV 경화 씰런트;
상기 UV 경화 씰런트에 의해 둘러싸이는 배향막;
상기 제1 기판 상에 구비되며, 상기 디스플레이 장치의 베젤 폭을 최소화도록, 상기 비표시영역에서 상기 UV 경화 씰런트와 상기 배향막의 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 하부 댐 및 복수의 트렌치; 및
상기 비표시영역에 배치되는 게이트 링크부, 게이트 드라이버 및 터치배선영역을 포함하고,
상기 하부 댐은 상기 복수의 트렌치와 중첩되고,
상기 하부 댐은 상기 터치배선영역과 상기 게이트 드라이버의 경계에 걸쳐서 배치되는, 디스플레이 장치.In the display device divided into a display area for displaying an image and a non-display area around the display area,
a first substrate;
UV curing sealant disposed around the periphery of the display device;
an alignment layer surrounded by the UV curing sealant;
a lower dam and a plurality of trenches provided on the first substrate and disposed at positions to prevent overlapping of the UV-curable sealant and the alignment layer in the non-display area to minimize a bezel width of the display device; and
a gate link unit, a gate driver, and a touch wiring area disposed in the non-display area;
the lower dam overlaps the plurality of trenches;
The lower dam is disposed across a boundary between the touch wiring region and the gate driver.
상기 복수의 트렌치는 상기 터치배선영역과 상기 게이트 드라이버의 경계를 기준으로 상기 게이트 드라이버 쪽으로 치우쳐서 배치되는, 디스플레이 장치.
17. The method of claim 16,
The plurality of trenches are disposed to be biased toward the gate driver based on a boundary between the touch wiring region and the gate driver.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150138250A KR102415865B1 (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Narrow bezel display device |
KR1020220078970A KR102457067B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-06-28 | Narrow bezel display device |
KR1020220133122A KR102495270B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-10-17 | Narrow bezel display device |
KR1020230011934A KR20230020483A (en) | 2015-09-30 | 2023-01-30 | Narrow bezel display device |
KR1020230139625A KR20230149784A (en) | 2015-09-30 | 2023-10-18 | Narrow bezel display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150138250A KR102415865B1 (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Narrow bezel display device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220078970A Division KR102457067B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-06-28 | Narrow bezel display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170038605A KR20170038605A (en) | 2017-04-07 |
KR102415865B1 true KR102415865B1 (en) | 2022-06-30 |
Family
ID=58583849
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150138250A KR102415865B1 (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Narrow bezel display device |
KR1020220078970A KR102457067B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-06-28 | Narrow bezel display device |
KR1020220133122A KR102495270B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-10-17 | Narrow bezel display device |
KR1020230011934A KR20230020483A (en) | 2015-09-30 | 2023-01-30 | Narrow bezel display device |
KR1020230139625A KR20230149784A (en) | 2015-09-30 | 2023-10-18 | Narrow bezel display device |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220078970A KR102457067B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-06-28 | Narrow bezel display device |
KR1020220133122A KR102495270B1 (en) | 2015-09-30 | 2022-10-17 | Narrow bezel display device |
KR1020230011934A KR20230020483A (en) | 2015-09-30 | 2023-01-30 | Narrow bezel display device |
KR1020230139625A KR20230149784A (en) | 2015-09-30 | 2023-10-18 | Narrow bezel display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (5) | KR102415865B1 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102400648B1 (en) | 2017-08-18 | 2022-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and fabricating method of the same |
KR102605294B1 (en) * | 2018-12-20 | 2023-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
WO2020207160A1 (en) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 惠科股份有限公司 | Display panel, manufacturing method for display panel, and display device |
KR20210083005A (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Touch display panel |
KR20220138861A (en) * | 2020-03-03 | 2022-10-13 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro LED and modular display device using same |
CN112905048B (en) * | 2021-02-07 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Touch display screen and display device |
CN115206995A (en) * | 2021-04-09 | 2022-10-18 | 株式会社日本显示器 | Display device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101108782B1 (en) * | 2004-07-30 | 2012-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid Crystal Display device and the fabrication method thereof |
JP4869892B2 (en) | 2006-12-06 | 2012-02-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Liquid crystal display |
KR101736923B1 (en) * | 2010-11-25 | 2017-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal panel and liquid crystal display device comprising the same |
KR102144278B1 (en) * | 2011-11-11 | 2020-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same |
KR101932993B1 (en) * | 2012-04-16 | 2018-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
CN104335111B (en) * | 2012-05-25 | 2017-03-29 | 夏普株式会社 | Liquid crystal indicator |
KR20140062669A (en) * | 2012-11-14 | 2014-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel and manufacturing method of the same |
KR102159830B1 (en) * | 2013-12-30 | 2020-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
-
2015
- 2015-09-30 KR KR1020150138250A patent/KR102415865B1/en active IP Right Grant
-
2022
- 2022-06-28 KR KR1020220078970A patent/KR102457067B1/en active IP Right Grant
- 2022-10-17 KR KR1020220133122A patent/KR102495270B1/en active IP Right Grant
-
2023
- 2023-01-30 KR KR1020230011934A patent/KR20230020483A/en active Application Filing
- 2023-10-18 KR KR1020230139625A patent/KR20230149784A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102495270B1 (en) | 2023-02-06 |
KR102457067B1 (en) | 2022-10-19 |
KR20230020483A (en) | 2023-02-10 |
KR20230149784A (en) | 2023-10-27 |
KR20220145312A (en) | 2022-10-28 |
KR20220093075A (en) | 2022-07-05 |
KR20170038605A (en) | 2017-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102457067B1 (en) | Narrow bezel display device | |
US10114258B2 (en) | Narrow bezel display device | |
US9507222B2 (en) | Display device | |
CN108305889B (en) | Touch type organic light emitting display device | |
JP4477552B2 (en) | COT-structured liquid crystal display device for preventing light leakage from outer portion of pixel region and manufacturing method thereof | |
US8866782B2 (en) | Display device | |
JP5239368B2 (en) | Array substrate and display device | |
KR101579853B1 (en) | Display panel | |
KR20130116576A (en) | Display device | |
KR102439841B1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2009162981A (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
JP2016071083A (en) | Display device and drive circuit | |
US8854592B2 (en) | Liquid crystal display and manufacturing method thereof | |
WO2014129272A1 (en) | Display device | |
KR102596850B1 (en) | Narrow bezel display device | |
US20210033909A1 (en) | Display device, manufacturing method thereof, and multi-display device | |
KR102586665B1 (en) | Display device | |
JP2020144300A (en) | Display | |
KR101878481B1 (en) | High light transmittance thin film transistor substrate having color filter layer and manufacturing the same | |
KR102470891B1 (en) | Array substrate and display device having the same | |
WO2016157399A1 (en) | Liquid crystal panel and liquid crystal display device | |
KR102420997B1 (en) | Display device | |
KR20170063308A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2021139937A (en) | Display device | |
KR102469692B1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
GRNT | Written decision to grant |