KR20230149450A - 니켈 헤테로렙틱 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막의 제조방법 - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
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Abstract
본 발명은 신규한 니켈 헤테로렙틱 화합물 및 이의 제조방법을 제공하며, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 니켈 함유 박막의 제조방법에 관한 것으로, 우수한 열 안정성, 높은 휘발성 및 향상된 증기압을 가지는 본 발명의 니켈 화합물을 채용하여 우수한 품질의 니켈 함유 박막을 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 신규한 니켈 헤테로렙틱 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 상기 니켈헤테로렙틱 화합물을 포함하는 니켈 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 니켈 함유 박막의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 및 자기 저장 소자를 포함하는 전자소자가 점점 미세화됨에 따라 균일한 두께의 금속 또는 금속 박막을 형성하는 것이 점점 중요해지고 있으며, 특히, 최근 들어 이차전지 등에 사용되는 전극이나 태양전지의 absorber 등의 제작에 있어서도 그 중요성이 나날이 높아지고 있다.
이러한 금속 박막 중 특히 니켈(Ni) 박막은 기존의 반도체 공정에서 오믹 컨택층으로 사용되고 있는 타이타늄 실리사이드막보다 비저항이 낮고(10 ~ 18 μΩ·cm) 열적 안정성이 우수하여 차세대 반도체 공정에서의 오믹 컨택층으로 사용되어, 잠재적인 응용분야가 넓은 물질로 알려져 있으며, 니켈 황화물의 경우 이차전지의 전극이나 태양전지의 absorber 등의 제작에 널리 사용될 것으로 예측되고 있다. 이를 위하여 니켈을 포함하는 화합물을 이용한 증착방법에 대한 많은 연구가 이루어지고 있으나, 기존의 방법으로는 니켈 황화물의 박막 형성을 위한 증착을 충분히 구현해 내지 못하고 있는 실정이다.
이러한 박막의 제조 기술로는 화학기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 및 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)이 가장 널리 이용되고 있는데, 이는 제조된 막의 층 덮임이 우수하고 기판에 대한 선택 증착이 가능하다는 장점이 있기 때문이다. 그러나 상기 증착법을 박막 제조에 효과적으로 적용하기 위해서는 우선적으로 우수한 특성을 갖는 선구 물질의 확보가 중요하며, 따라서 선구 물질의 개발과 특성의 이해가 필수적이다. 증착용 선구 물질은 증기압이 충분히 높아야 하고, 기화시키기 위해 가열하는 동안 분해되지 않을 만큼 열적으로 충분히 안정해야 하며, 비교적 낮은 기질 온도에서 분해되어 원하는 물질을 증착시킬 수 있어야 한다. 또한 취급과 저장이 용이해야 하며 인체에 유해하지 않아야 하는 부수적인 조건도 필요하다.
현재까지 개발된 니켈 화합물은 독성이 있거나, 휘발성이 충분히 높지 않거나, 제조한 막이 탄소 및 산소로 오염되는 등의 문제점이 있으며, 따라서 이러한 문제점을 해결하는 열적으로 안정하고 독성도 없으며, 휘발성이 높고 낮은 온도에서 증착이 가능한 니켈 화합물의 개발이 필요하다.
본 발명의 목적은 신규한 니켈 헤테로렙틱 화합물 및 온화한 조건의 단순한 공정으로 산업적 이용이 용이한 상기 니켈 헤테로렙틱 화합물의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 니켈헤테로렙틱 화합물을 포함하는 높은 휘발성 및 향상된 화학적 안정성을 나타내는 니켈 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 니켈 함유 박막의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C6)알킬이며, m은 1 내지 3의 정수일 수 있으며, 구체적으로 상기 화학식 1의 R1 내지 R2는 서로 독립적으로 분지쇄의 (C4-C6)알킬이며, R3 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄의 (C1-C3)알킬이고, m은 1 내지 2의 정수일 수 있다.
보다 상세하게 본 발명의 일 실시예에 따른 니켈 화합물은 하기 화합물에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명은 일 실시예에 따른 니켈 화합물의 제조방법을 제공하며, 상기 화학식 1로 표시되는 니켈 화합물은 하기 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 제조될 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[상기 화학식 2 및 3에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명은 일 실시예에 따른 니켈 화합물을 포함하는 니켈 함유 박막증착용 조성물을 제공하며, 이를 이용하는 니켈 함유 박막의 제조방법 또한 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 니켈 함유 박막의 제조방법은 원자층 증착법(ALD), 화학기상 증착법(CVD), 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 저압 화학기상 증착법(LPCVD), 플라즈마강화 화학기상 증착법(PECVD) 또는 플라즈마강화 원자층 증착법(PEALD)일 수 있다.
상기 제조방법은, a) 챔버 내에 장착된 기판을 승온시키는 단계 및 b) 상기 챔버 내에 반응가스와 상기 니켈 함유 박막증착용 조성물을 주입하여 니켈 함유 박막을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제조방법의 b)단계에서 이용되는 반응가스는 산소(O2), 오존(O3), 증류수(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 질소(N2), 하이드라진(N2H4), 아민, 다이아민, 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), C1 내지 C12 포화 또는 불포화 탄화수소, 수소(H2), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다.
본 발명은 니켈 함유 박막증착용 조성물을 이용하여 제조되는 니켈 함유 박막을 제공한다.
본 발명의 신규한 니켈 헤테로렙틱 화합물은 온화한 조건의 단순한 공정으로 공업적으로 용이한 제조방법으로 제조될 수 있으며, 상기 니켈 헤테로렙틱 화합물 및 이를 포함하는 박막증착용 조성물은 열적 안정성이 뛰어나 기화되는 동안 열적으로 안정하며, 높은 휘발성 및 비교적 낮은 분해온도를 나타내어 우수한 박막을 제조할 수 있다. 또한 수분 및 공기에 안정적이며 독성이 낮아 취급 및 저장이 용이하여 산업적으로 대량 생산에 용이하게 이용될 수 있다.
도 1은 실시예 1의 TGA 분석 결과를 나타내는 도이다.
도 2는 비교예 1의 TGA 분석 결과를 나타내는 도이다.
도 3은 비교예 3의 TGA 분석 결과를 나타내는 도이다.
도 4는 실시예 1의 결정구조를 나타내는 도이다.
도 2는 비교예 1의 TGA 분석 결과를 나타내는 도이다.
도 3은 비교예 3의 TGA 분석 결과를 나타내는 도이다.
도 4는 실시예 1의 결정구조를 나타내는 도이다.
이하, 본 발명의 니켈 헤테로렙틱 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 니켈 함유 박막증착용 조성물 및 니켈 함유 박막의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.
본 발명에 기재된 "포함한다"는 "구비한다", "함유한다", "가진다" 또는 "특징으로 한다" 등의 표현과 등가의 의미를 가지는 개방형 기재이며, 추가로 열거되어 있지 않은 요소, 재료 또는 공정을 배제하지 않는다.
본 발명에 기재된 “알킬”은 탄소 및 수소 원자만으로 구성된 1가의 직쇄 또는 분지쇄 포화 탄화수소 라디칼을 의미하는 것으로, 이러한 알킬 라디칼의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸, 노닐 등을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.]
상기 니켈 화합물은 충분한 증기압을 나타내며, 높은 휘발성으로 증착에 매우 효율적인 화합물이다. 또한 열적으로 안정하여 기화되는 동안 분해되지 않으며, 상대적으로 낮은 온도에서 분해되어 증착되는 과정에서 에너지 사용량이 줄어들 수 있다. 상기 니켈 화합물은 수분이나 공기에 안정성이 높고 독성이 낮아 공정 운행 또는 화합물의 보관 및 저장시에도 취급이 용이하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C6)알킬이며, m은 1 내지 3의 정수일 수 있으며, 구체적으로 상기 화학식 1의 R1 내지 R2는 서로 독립적으로 분지쇄의 (C4-C6)알킬이며, R3 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄의 (C1-C3)알킬이고, m은 1 내지 2의 정수일 수 있다.
보다 상세하게 본 발명의 일 실시예에 따른 니켈 화합물은 하기 화합물에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명은 일 실시예에 따른 니켈 화합물의 제조방법을 제공하며, 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 화합물은 하기 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 제조될 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[상기 화학식 1 내지 3에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.]
일 실시예에 따른 제조방법에서 사용되는 용매는 통상의 유기용매이면 모두 가능하나, 헥산, 펜탄, 다이클로로메탄(DCM), 다이클로로에탄(DCE), 벤젠(Benzene), 톨루엔(Toluene), 아세토나이트릴(MeCN), 나이트로 메탄(Nitromethan), 테트라하이드로퓨란(THF), N,N-다이메틸 포름아마이드 (DMF) 및 N,N-다이메틸아세트아마이드(DMA)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
반응온도 및 시간은 통상의 유기합성에서 사용되는 조건에서 사용 가능하나, 반응물질 및 출발물질의 양에 따라 달라질 수 있으며, 바람직하게 0℃내지 60℃ 및 5시간 내지 24시간 조건에서 수행될 수 있고, 구체적으로 10℃ 내지 50℃ 및 10시간 내지 20시간 조건에서 수행될 수 있으며, 보다 구체적으로 20℃ 내지 40℃ 및 12시간 내지 18시간 조건에서 수행될 수 있다.
반응은 NMR 등을 통하여 출발물질이 완전히 소모됨을 확인한 후 종결시키도록 한다. 이후, 추출과정, 감압 하에서 용매를 증류시키는 과정, 재결정하는 과정 및 관 크로마토그래피 등의 통상적인 방법을 통하여 목적물을 분리 정제하는 과정을 수행할 수도 있다.
본 발명은 일 실시예에 따른 니켈 화합물을 포함하는 니켈 함유 박막증착용 조성물을 제공하며, 이를 이용하는 니켈 함유 박막의 제조방법 또한 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 니켈 함유 박막의 제조방법은 원자층 증착법(ALD), 화학기상 증착법(CVD), 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 저압 화학기상 증착법(LPCVD), 플라즈마강화 화학기상 증착법(PECVD) 또는 플라즈마강화 원자층 증착법(PEALD)일 수 있다.
보다 바람직하게 일 실시예에 따른 상기 니켈 함유 박막의 제조방법은 원자층 증착법(ALD), 화학기상 증착법(CVD) 또는 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)일 수 있다.
상기 제조방법은, a) 챔버 내에 장착된 기판을 승온시키는 단계 및 b) 상기 챔버 내에 반응가스와 상기 니켈 함유 박막증착용 조성물을 주입하여 니켈 함유 박막을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일 실시예에 있어서, 상기 a)단계에서 챔버 내에 장착된 기판은 200℃ 내지 1000℃로 승온될 수 있고, 구체적으로 250℃ 내지 500℃, 보다 구체적으로 300℃ 내지 400℃로 승온될 수 있다. 상기 온도와 같이 상대적으로 낮은 온도에서 니켈 함유 박막증착용 조성물의 증착이 가능하여, 공정효율이 향상되고 증착 공정에서 사용되는 화합물들의 열분해를 감소시켜 증착 공정의 안정성 및 생산성이 크게 개선되는 효과를 가져올 수 있다. 또한 니켈 함유 박막의 탄소와 같은 불순물의 함량을 감소시켜 제조된 박막의 물성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 기판은 유리, 실리콘, 금속 폴리에스테르(Polyester, PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenapthalate, PEN), 폴리카르보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에테르이미드(Polyetherimide, PEI), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone,PES), 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone, PEEK) 및 폴리이미드(Polyimide, PI)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 기재를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제조방법의 b)단계에서 이용되는 반응가스는 산소(O2), 오존(O3), 증류수(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 질소(N2), 하이드라진(N2H4), 아민, 다이아민, 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), C1 내지 C12 포화 또는 불포화 탄화수소, 수소(H2), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다.
상기 제조방법의 b)단계에서, 목적하는 박막의 구조 또는 열적 특성에 따라 증착 조건이 조절될 수 있으며, 일 실시예에 따른 증착 조건으로는 니켈 화합물의 투입 유량, 반응가스 및 이송가스의 투입 유량, 압력, RF 파워 등이 예시될 수 있다.
이러한 증착 조건의 비한정적인 일예로는 니켈 화합물의 투입 유량은 1 내지 1000sccm, 이송 가스는 1 내지 5000sccm, 반응가스의 유량은 10 내지 5000sccm, 압력은 0.1 내지 10torr, RF 파워는 10 내지 1000W 범위에서 조절될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 있어서, 상기 증착하는 단계에서 사용되는 이송가스는 불활성 가스로, 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N2)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 니켈 함유 박막증착용 조성물을 이용하여 제조되는 니켈 함유 박막을 제공한다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명에 따른 니켈 화합물의 제조방법 및 이를 채용한 박막의 제조방법에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. 또한 본 발명에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고, 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
또한 다르게 주지되지 않는 한, 모든 실시예들은 불활성 분위기, 예를 들어, 정제된 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 하에서 당업계에서 보편적으로 알려진 공기-민감성 물질을 취급하는 기술들을 사용하여 수행되었다.
[실시예 1] 니켈 헤테로렙틱 화합물의 합성
슈렝크 플라스크에 Ni(1-dimethylamino-2-methylpropane-2-thiolate)2 (0.808g, 0.25mmol)을 THF에 용해시킨 후, 5-mercapto-2,2,6,6-tetramethyl-4-hepten-3-on (0.5g, 0.25mmol)를 넣어 15시간 동안 교반시켰다. 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 붉은색 고체화합물을 얻었다. 얻어진 화합물을 -30°C, hexane에서 재결정하여 순수한 붉은 결정을 얻었다.
도 1에는 실시예 1의 TGA 분석그래프를 나타내었으며, TGA 분석 결과, 150°C 부근에서 한 단계의 질량 감소가 관찰되었고, 200°C 부근부터 분해가 일어났으며, 최종 잔여량은 2.6%로 관찰되었다.
EI-MS: m/z=389
1H NMR (400 MHz, Benzene-d6): δ 6.69 (s, 1H), 2.18 (s, 6H), 2.10 (s, 2H), 1.53 (s, 6H), 1.16 (s, 9H), 0.96 (s, 9H).
13C NMR (125 MHz, Benzene-d6): δ 198.19, 195.25, 110.19, 81.50, 50.18, 45.83, 42.70, 42.12, 33.06, 31.19, 28.53
Elemental Analysis for C17H33NNiOS2 - Calcd.(Found): C, 52.32(52.30); H, 8.52(8.51); S, 16.43(16.31)
[비교예 1] 니켈 헤테로렙틱 화합물 1의 합성
슈렝크 플라스크에 NiCl2 (1.5 g, 0.0116 mol, 1 eq) 및 Li(1-dimethylamino-2-methylpropane-2-thiolate) (3.2 g, 0.0231 mol, 2 eq)을 넣은 후 THF (200 mL)를 첨가한 후 상온에서 24시간 교반하고 용매를 제거하여 고체 화합물을 얻었다. 불순물 제거를 위해 톨루엔으로 고체화합물을 녹여 여과한 후 여액의 용매를 제거하여 붉은색 고체 화합물을 얻었다(3.5 g, 수율 93%). 이를 정제하기 위해 THF에 화합물을 녹여 0℃에서 보관하여 결정을 얻거나, 65 ℃-1 Torr)에서 승화하여 불순 물을 제거하였다.
EI-MS: m/z=322
1H NMR (300 MHz, Benzene-d6): δ 2.2078 (s, 6H), 1.9084 (s, 2H), 1.5279 (s, 6H)
13C NMR (125 MHz, Benzene-d6): δ 85.72, 53.86, 40.92, 34.48
Elemental Analysis for C12H28N2NiS2 - Calcd.(Found): C, 44.60(43.95); N, 8.67(10.71); H, 8.73(8.42); S, 19.84(19.27)
도 2에는 비교예 1의 TGA 분석그래프를 나타내었으며, TGA 분석 결과, 150 °C 부근부터 분해가 일어났으며, 최종 잔여량은 3.3 %로 관찰되었다. 또한 비교예 1은 수분 및 공기에서 매우 불안정하여 쉽게 분해되는 것으로 확인된 반면, 실시예 1은 수분 및 공기에서 안정하여 실시예 1을 포함하는 니켈 박막증착용 조성물은 저장 및 취급에서 보다 우수한 물성을 나타낼 수 있다.
[비교예 2] 니켈 헤테로렙틱 화합물 2의 합성
슈렝크 플라스크에 NaNH2(0.0974 g, 2.50 mmol)와 THF (20mL)를 혼합한 후 5-mercapto-2,2,6,6-tetramethyl-4-hepten-3-on (0.5 g, 2.50 mmol)을 0°C에서 천천히 첨가하고 4시간동안 교반시킨다. NiCl2가 용해 되어있는 THF (20mL)에 반응이 끝난 sodium-2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-ene-3-thiolate을 -78°C에서 첨가한 후 15시간동안 교반하였다. 용매를 제거하여 고체 화합물을 얻었다. 불순물 제거를 위해 헥산으로 고체화합물을 녹여 여과한 후 여액의 용매를 제거하여 고체 화합물을 얻었다. 이를 125 ℃Torr)에서 승화하여 정제하였다.
도 3에는 비교예 2의 TGA 분석그래프를 나타내었으며, TGA 분석 결과, 230 °C 부근부터 분해가 일어났으며, 최종 잔여량은 1.0 %로 관찰되었다. 이로서 본 발명의 실시예 1은 분해 온도가 200 °C로, 비교예 2의 230 °C보다 낮아 박막 증착 공정에서 보다 효율적으로 이용될 수 있다.
1H NMR (300 MHz, Benzene-d6): δ 6.74 (s, 1H), 1.20 (s, 9H), 1.06 (s, 9H,)
13C NMR (125 MHz, Benzene-d6): δ 198.62, 193.79, 111.05, 42.51, 42.15, 31.33, 28.05
Elemental Analysis for C22H38NiO2S2 - Calcd.(Found): C, 57.78(58.08); H, 8.38(8.54); S, 14.02(13.72)
[실시예 2] 원자층 증착법에 의한 황화 니켈 박막의 형성
니켈 산화물 박막을 증착하고자 하는 실리콘 기판을 아세톤, 에탄올, 탈이온수로 차례로 세척한 뒤에 원자층 증착 반응기에 장착하고 반응기를 배기펌프로 배기하였다. 기판의 온도를 100℃로 맞추고, 실시예 1의 니켈 화합물이 들어있는 공급관의 밸브를 열면 증기압을 일정하게 유지할 수 있다. 증착 챔버, 니켈 전구체 공급관, 니켈 전구체 용기의 온도를 90℃로 일정하게 유지하고 니켈 전구체 공급, 아르곤 정화의 순서로 증착 반응을 실시하였다. 이때 정화 기체인 아르곤의 유량은 200 sccm으로, 정화 시간은 40 초로, 반응기의 공정 압력(working pressure)은 1 Torr로 조절하여 황화 니켈 박막을 제조하였다.
이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 비교예에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
Claims (11)
- 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 화합물.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.] - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C6)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수인, 니켈 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R1 내지 R2는 서로 독립적으로 분지쇄의 (C4-C6)알킬이며;
R3 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄의 (C1-C3)알킬이며;
m은 1 내지 2의 정수인, 니켈 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 니켈 화합물은 하기 화합물에서 선택되는 것인, 니켈 화합물.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 니켈 화합물은 하기 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 제조되는, 니켈 화합물.
[화학식 2]
[화학식 3]
[상기 화학식 2 및 3에서,
R1 내지 R6은 서로 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬이며;
m은 1 내지 3의 정수이다.] - 제1항에 따른 니켈 화합물을 포함하는 니켈 함유 박막증착용 조성물.
- 제6항의 니켈 함유 박막증착용 조성물을 이용하는 니켈 함유 박막의 제조방법.
- 제7항에 있어서,
상기 제조방법은 원자층 증착법(ALD), 화학기상 증착법(CVD), 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 저압 화학기상 증착법(LPCVD), 플라즈마강화 화학기상 증착법(PECVD) 또는 플라즈마강화 원자층 증착법(PEALD)인, 니켈 함유 박막의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 제조방법은,
a) 챔버 내에 장착된 기판을 승온시키는 단계; 및
b) 상기 챔버 내에 반응가스와 상기 니켈 함유 박막증착용 조성물을 주입하여 니켈 함유 박막을 제조하는 단계;를 포함하는, 니켈 함유 박막의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 반응가스는 산소(O2), 오존(O3), 증류수(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 질소(N2), 하이드라진(N2H4), 아민, 다이아민, 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), C1 내지 C12 포화 또는 불포화 탄화수소, 수소(H2), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 니켈 함유 박막의 제조방법. - 제6항에 따른 니켈 함유 박막증착용 조성물을 이용하여 제조되는 니켈 함유 박막.
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