KR20230148357A - 광회로 기판 및 그것을 사용한 광학 부품 실장 구조체 - Google Patents
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Abstract
배선 기판과 광도파로를 포함한다. 배선 기판은 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면을 갖는다. 광도파로는 배선 기판 상에 있어서의 광학 부품의 실장 영역에 인접하여 위치하고, 배선 기판의 상면측으로부터 하부 클래드층, 신호용 코어 및 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 포함한다. 얼라인먼트용 코어는 광학 부품의 실장 영역측에 제 1 끝면을 갖고, 제 1 끝면은 배선 기판의 상면에 대하여 경사져 있다.
Description
본 발명은 광회로 기판 및 그것을 사용한 광학 부품 실장 구조체에 관한 것이다.
최근, 대용량의 데이터를 고속으로 통신 가능한 광 파이버가 정보 통신에 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 광신호의 송수신은 이 광 파이버와 광학 소자(실리콘 포토닉스 디바이스) 사이에서 행해진다.
배선 기판과 광도파로를 포함한다. 배선 기판은 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면을 갖는다. 광도파로는 배선 기판 상에 있어서의 광학 부품의 실장 영역에 인접하여 위치하고, 배선 기판의 상면측으로부터 하부 클래드층, 신호용 코어 및 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 포함한다. 얼라인먼트용 코어는 광학 부품의 실장 영역측에 제 1 끝면을 갖고, 제 1 끝면은 배선 기판의 상면에 대하여 경사져 있다. 본 개시에 관한 광학 부품 실장 구조체는 상기의 광회로 기판과 광학 부품을 포함한다.
본 개시에 관한 광회로 기판의 제조 방법은 광도파로 형성 영역 및 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면, 상면 중 광도파로 형성 영역과 광학 부품의 실장 영역 사이에 위치하는 제 1 도체층, 및 제 1 도체층을 피복하는 솔더 레지스트를 구비하는 배선 기판을 얻는 공정과, 광도파로 형성 영역으로부터 솔더 레지스트의 제 1 상면에 걸쳐, 하부 클래드층, 신호용 코어 및 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 순서대로 적층하고, 광학 부품의 실장 영역측의 제 1 끝면이 배선 기판의 상면에 대하여 경사지도록 광도파로 전구체를 형성하는 공정과, 신호용 코어가 배선 기판의 상면을 따르도록, 광도파로 전구체에 있어서, 솔더 레지스트의 제 1 상면에 위치하는 신호용 코어 및 신호용 코어 아래에 위치하는 솔더 레지스트를 제거하여 광도파로를 형성하는 공정을 포함한다.
도 1의 (A)는 본 개시의 일 실시형태에 관한 광회로 기판에 실리콘 포토닉스 디바이스 및 전자 부품이 실장된 광학 부품 실장 구조체를 나타내는 평면도이며, (B)는 (A)에 나타내는 영역(X)에 있어서의 신호용 코어를 통과하는 단면을 설명하기 위한 확대 설명도이다.
도 2는 도 1(B)에 나타내는 영역(Y)의 평면도(단, 실리콘 포토닉스 디바이스 및 광도파로가 갖는 상부 클래드층을 제외한다)이다.
도 3의 (A)는 도 2에 나타내는 화살표(A) 방향으로부터 본 얼라인먼트용 코어를 통과하는 단면을 설명하기 위한 설명도이며, (B)는 도 2에 나타내는 B-B선으로 절단했을 때의 신호용 코어를 통과하는 단면을 설명하기 위한 설명도이며, (C)는 (B)에 나타내는 광도파로가 캐비티를 가질 경우의 단면을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4의 (A)∼(C)는 배선 기판의 각 제조 공정에 있어서의 상기 영역(Y) 부근의 평면도이다.
도 2는 도 1(B)에 나타내는 영역(Y)의 평면도(단, 실리콘 포토닉스 디바이스 및 광도파로가 갖는 상부 클래드층을 제외한다)이다.
도 3의 (A)는 도 2에 나타내는 화살표(A) 방향으로부터 본 얼라인먼트용 코어를 통과하는 단면을 설명하기 위한 설명도이며, (B)는 도 2에 나타내는 B-B선으로 절단했을 때의 신호용 코어를 통과하는 단면을 설명하기 위한 설명도이며, (C)는 (B)에 나타내는 광도파로가 캐비티를 가질 경우의 단면을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4의 (A)∼(C)는 배선 기판의 각 제조 공정에 있어서의 상기 영역(Y) 부근의 평면도이다.
광회로 기판에 실리콘 포토닉스 디바이스와 같은 광학 부품을 실장할 때에, 보다 정밀도가 높은 액티브 얼라인먼트가 채용되고 있다. 「액티브 얼라인먼트」란 얼라인먼트용 코어에 광을 조사하고, 수광한 광의 피크가 최대가 되도록 광학 부품과 광회로 기판을 움직여 조절하여, 광학 부품의 실장 위치를 결정하는 수단이다. 그러나, 종래의 광회로 기판은 구조상, 정밀도가 높은 액티브 얼라인먼트를 채용하는 것이 곤란하다. 즉, 광의 출입부인 얼라인먼트용 코어의 끝면이 배선 기판의 표면에 가까워, 얼라인먼트용의 광원과의 사이에서 광을 효율적으로 수수하는 것이 곤란하다.
따라서, 실리콘 포토닉스 디바이스 등의 광학 부품을 실장할 때에, 액티브 얼라인먼트를 채용할 수 있고, 광학 부품을 고정밀도로 실장하는 것이 가능한 광회로 기판이 요구되고 있다.
본 개시에 관한 광회로 기판에 의하면, 광학 부품을 고정밀도로 실장할 수 있다. 또한, 본 개시에 관한 광회로 기판의 제조 방법에 의하면, 광도파로 도통 검사를 용이하게 행하는 것이 가능하다.
본 개시의 일 실시형태에 관한 광회로 기판을 도 1∼3에 근거하여 설명한다. 도 1(A)는 본 개시의 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에, 실리콘 포토닉스 디바이스(광학 부품)(4)가 실장된 광학 부품 실장 구조체(10)를 나타내는 평면도이다.
본 개시의 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)은 배선 기판(2)과 광도파로(3)를 포함한다. 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에 포함되는 배선 기판(2)으로서는 일반적으로 광회로 기판에 사용되는 배선 기판을 들 수 있다.
이러한 배선 기판(2)에는 구체적으로 도시하고 있지 않지만, 예를 들면, 코어 기판과, 코어 기판의 양면에 적층된 빌드업층을 포함한다. 코어 기판은 절연성을 갖는 소재이면 특별히 한정되지 않는다. 절연성을 갖는 소재로서는 예를 들면, 에폭시 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 등의 수지를 들 수 있다. 이들 수지는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 코어 기판은 통상, 코어 기판의 상하면을 전기적으로 접속하기 위해서 스루홀 도체를 갖고 있다.
코어 기판은 보강재를 포함하고 있어도 된다. 보강재로서는 예를 들면, 유리 섬유, 유리 부직포, 아라미드 부직포, 아라미드 섬유, 폴리에스테르 섬유 등의 절연성 포재를 들 수 있다. 보강재는 2종 이상을 병용해도 된다. 또한, 코어 기판에는 실리카, 황산바륨, 탤크, 클레이, 유리, 탄산칼슘, 산화티탄 등의 무기 필러가 분산되어 있어도 된다.
빌드업층은 절연층과 도체층이 교대로 적층된 구조를 갖고 있다. 최표면의 도체층(배선 기판의 상면에 위치하는 도체층)의 일부는 광도파로(3)가 위치하는 제 2 도체층(21b)을 포함하고 있다. 도체층은 예를 들면 구리 등의 금속으로 형성된 금속층이다. 빌드업층에 포함되는 절연층은 코어 기판과 마찬가지로 절연성을 갖는 소재이면 특별히 한정되지 않는다. 절연성을 갖는 소재로서는 예를 들면, 에폭시 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 등의 수지를 들 수 있다. 이들 수지는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
빌드업층에 절연층이 2층 이상 존재할 경우, 각각의 절연층은 같은 수지여도 되고 상이한 수지여도 된다. 빌드업층에 포함되는 절연층과 코어 기판은 같은 수지여도 되고 상이한 수지여도 된다. 빌드업층은 통상, 층간을 전기적으로 접속하기 위한 비아 홀 도체를 갖고 있다.
또한, 빌드업층에 포함되는 절연층에는 실리카, 황산바륨, 탤크, 클레이, 유리, 탄산칼슘, 산화티탄 등의 무기 필러가 분산되어 있어도 된다.
도 1(B)에 나타낸 바와 같이, 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에 포함되는 광도파로(3)는 배선 기판(2)의 표면의 제 2 도체층(21b)의 표면에 위치하고 있다. 도 1(B)는 도 1(A)에 나타내는 영역(X)의 단면을 설명하는 확대 설명도이다. 광도파로(3)는 제 2 도체층(21b)측으로부터 하부 클래드층(31), 코어(32) 및 상부 클래드층(33)의 순서로 적층된 구조를 갖고 있다.
광도파로(3)에 포함되는 하부 클래드층(31)은 배선 기판(2)의 표면, 구체적으로는 배선 기판(2)의 광도파로 형성 영역(R1)의 표면에 위치하는 제 2 도체층(21b)의 표면에 위치하고 있다. 하부 클래드층(31)을 형성하고 있는 재료는 한정되지 않고, 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
광도파로(3)에 포함되는 상부 클래드층(33)에 대해서도, 하부 클래드층(31)과 마찬가지의 재료로 형성되어 있다. 하부 클래드층(31)과 상부 클래드층(33)은 같은 재료여도 되고 상이한 재료여도 된다. 또한, 하부 클래드층(31) 및 상부 클래드층(33)은 같은 두께를 갖고 있어도 되고, 상이한 두께를 갖고 있어도 된다. 하부 클래드층(31) 및 상부 클래드층(33)은 예를 들면, 각각 5㎛ 이상 150㎛ 이하 정도의 두께를 갖는다.
광도파로(3)에 포함되는 코어(32)는 광도파로(3)에 침입한 광이 전파하는 부분이다. 코어(32)를 형성하고 있는 재료는 한정되지 않고, 예를 들면, 광의 투과성이나 전파하는 광의 파장 특성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 재료로서는 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 코어(32)는 예를 들면, 3㎛ 이상 50㎛ 이하 정도의 두께를 갖는다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 1개의 광도파로(3)는 복수의 코어(32)를 갖고 있다. 도 1(B)에 나타내는 영역(Y)의 평면도(단, 실리콘 포토닉스 디바이스(4) 및 광도파로(3)가 갖는 상부 클래드층(33)을 제외한다)이다. 코어(32)는 신호용 코어(32a)와 얼라인먼트용 코어(32b)를 포함한다. 신호용 코어(32a)는 복수 존재하고 있고, 이들 복수의 신호용 코어(32a)를 끼우도록, 2개의 얼라인먼트용 코어(32b)가 위치하고 있다. 신호용 코어(32a)와 얼라인먼트용 코어(32b)는 같은 재료(수지)로 형성되어 있어도 되고, 상이한 재료(수지)로 형성되어 있어도 된다.
광도파로(3)의 일방의 단부에 있어서, 신호용 코어(32a)는 실리콘 포토닉스 디바이스(4)에 포함되는 실리콘 도파로(Si 도파로)(41)와 대향하도록 위치하고 있다. 즉, Si 도파로(41)의 끝면과, 광도파로(3)의 신호용 코어(32a)의 끝면이 대향하도록 위치하고 있다. 이 단부에 있어서, 신호용 코어(32a)와 Si 도파로(41) 사이에서 광신호의 송수신이 행해진다.
얼라인먼트용 코어(32b)는 도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 광학 부품(4)의 실장 영역(R2)측의 제 1 끝면(3a)이 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사져 있다. 도 3(A)는 도 2에 나타내는 화살표(A) 방향으로부터 본 측면을 설명하기 위한 설명도이다. 제 1 끝면(3a)이 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사진 구조는 한정되지 않고, 예를 들면, 도 3(A)에 나타내는 바와 같은 구조를 들 수 있다. 구체적으로는 배선 기판(2)의 상면에 있어서, 광도파로(3)와 광학 부품(4)의 실장 영역(R2) 사이에 제 1 도체층(21a)이 위치하고 있고, 이 제 1 도체층(21a)을 피복하도록 솔더 레지스트(8)가 위치하고 있다. 이 솔더 레지스트(8) 상에 광도파로(3) 중, 얼라인먼트용 코어(32b)의 제 1 끝면(3a)을 포함하는 부분이 위치하고 있다. 이 때문에, 예를 들면 신호용 코어(32a)의 끝면과 배선 기판(2)의 상면이 이루는 각도와, 얼라인먼트용 코어(32b)의 끝면(제 1 끝면(3a))과 배선 기판(2)의 상면이 이루는 각도는 상이하다. 솔더 레지스트(8)는 수지로 형성되어 있고, 수지로서는 예를 들면 아크릴 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이와 같이, 제 1 끝면(3a)이 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사져 있으면, 광원과 얼라인먼트용 코어(32b) 사이에서 광의 수수가 이루어지기 쉬워진다. 그 때문에, 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에 광학 부품(4)을 실장할 때, 액티브 얼라인먼트를 채용할 수 있다. 그 결과, 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에 광학 부품(4)을 고정밀도로 실장할 수 있다. 얼라인먼트용 코어(32b)는 도 3(C)에 나타낸 바와 같이, 광학 부품(4)의 실장 영역(R2)측에 캐비티(C)를 갖고, 캐비티(C)를 구성하는 하나의 면이 제 1 끝면(3a)인 구조여도 된다.
제 1 끝면(3a)은 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사져 있으면 그 각도는 한정되지 않는다. 예를 들면, 배선 기판(2)의 상면과 제 1 끝면(3a)이 이루는 각은 예를 들면 1°이상 30°이하의 각도를 갖는다. 배선 기판(2)의 상면과 제 1 끝면(3a)이 이루는 각이 이러한 각도를 갖고 있으면, 광원과 얼라인먼트용 코어(32b) 사이에서 광의 수수를 조사하기 쉬워진다. 그 결과, 액티브 얼라인먼트로서의 기능이 충분히 발휘된다.
신호용 코어(32a)는 도 3(B)에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(2)의 상면에 대하여 평행해지도록 위치하고 있다. 도 3(B)는 도 2에 나타내는 B-B선으로 절단했을 때의 단면을 설명하기 위한 설명도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 신호용 코어(32a)에 있어서의 광학 부품(4)의 실장 영역측의 끝면의 하부에는 솔더 레지스트(8)가 존재하고 있지 않다.
신호용 코어(32a)가 배선 기판(2)의 상면에 대하여 평행해지도록 위치하고 있음으로써, 실장되는 광학 부품(4)과의 사이에서, 광신호가 효율적으로 송수신된다. 본 명세서에 있어서 「평행」이란 완전한 평행에 한정되지 않는다. 배선 기판(2)의 상면에 대하여 몇도 정도(예를 들면 5°이하)의 경사를 가질 경우에도 「평행」이라고 정의한다.
일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)의 제조 방법은 상술한 구조를 갖도록 광회로 기판(1)을 제조할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 본 개시의 일 실시형태에 관한 광회로 기판의 제조 방법은 하기의 공정(a)∼ (c)을 포함한다.
공정(a): 광도파로 형성 영역 및 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면, 상기 상면 중 광도파로 형성 영역과 광학 부품의 실장 영역 사이에 위치하는 제 1 도체층, 및 제 1 도체층을 피복하는 솔더 레지스트를 구비하는 배선 기판을 얻는 공정.
공정(b): 광도파로 형성 영역으로부터 솔더 레지스트의 제 1 상면에 걸쳐서, 하부 클래드층, 신호용 코어 및 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 순서대로 적층하고, 광학 부품의 실장 영역측의 제 1 끝면이 배선 기판의 상면에 대하여 경사지도록 광도파로 전구체를 형성하는 공정.
공정(c): 신호용 코어가 배선 기판의 상면을 따르도록, 광도파로 전구체에 있어서, 솔더 레지스트의 제 1 상면에 위치하는 신호용 코어 및 신호용 코어 아래에 위치하는 솔더 레지스트를 제거하여 광도파로를 형성하는 공정.
공정(a)에서는 도 4(A)에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(2)을 준비한다. 배선 기판(2)의 상면에는 광도파로 형성 영역(R1), 광학 부품(4)의 실장 영역(R2), 광도파로 형성 영역(R1)과 광학 부품(4)의 실장 영역(R2) 사이에 위치하는 제 1 도체층(21a), 광도파로 형성 영역(R1)에 위치하는 제 1 도체층(21b), 실장 영역(R2)에 위치하는 전극(21c) 및 실장 영역(R2) 및 제 1 도체층(21a)을 피복하는 솔더 레지스트(8)가 구비되어 있다. 배선 기판(2)에 포함되는 제 1 도체층(21a) 등의 도체층은 구리 도금 등의 금속 도금, 동박 등의 금속박에 의해 형성된다. 전극(21c)은 솔더 레지스트(8)의 개구 내에 위치하고 있다. 솔더 레지스트(8)는 예를 들면, 상술한 수지로 형성된 시트를 사용하고, 노광, 현상 등을 행함으로써 얻어진다.
공정(b)에서는 도 4(B)에 나타낸 바와 같이, 얻어진 배선 기판(2)의 상면에 있어서, 광도파로 형성 영역(R1)으로부터 제 1 도체층(21a) 상의 솔더 레지스트(8)의 제 1 상면에 걸쳐서 광도파로 전구체(3P)를 형성한다. 광도파로 전구체(3P)는 하부 클래드층(31), 신호용 코어(32a) 및 얼라인먼트용 코어(32b)를 포함하는 복수의 코어(32), 및 상부 클래드층(33)을 순서대로 적층함으로써 얻을 수 있다.
구체적으로는 하부 클래드층(31), 복수의 코어(32) 및 상부 클래드층(33)은 상술한 수지로 형성된 시트를 사용하여, 노광, 현상 등을 행함으로써 얻어진다. 신호용 코어(32a) 및 얼라인먼트용 코어(32b)는 같은 수지로 형성된 시트를 사용해도 되고, 상이한 수지로 형성된 시트를 사용해도 된다.
광도파로 전구체(3P)에 있어서, 얼라인먼트용 코어(32b)의 제 1 끝면(3a)을 포함하는, 광학 부품(4)의 실장 영역(R2)측의 코어(32)의 끝면은 제 1 도체층(21a) 상의 솔더 레지스트(8)의 제 1 상면에 위치하고 있다. 그 때문에, 도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 얼라인먼트용 코어(32b)의 제 1 끝면(3a)은 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사져 있다. 배선 기판(2)의 상면과 제 1 끝면(3a)이 이루는 각도는 상술한 바와 같으며, 상세한 설명은 생략한다.
공정(b)에서는 신호용 코어(32a)에 있어서 실장 영역(R2)측의 끝면도 얼라인먼트용 코어(32b)의 제 1 끝면(3a)과 마찬가지로, 배선 기판(2)의 상면에 대하여 경사져 있다. 그 때문에, 공정(b)과 후술하는 공정(c) 사이에, 신호용 코어(32a)에 있어서, 실장 영역(R2)측의 끝면과 광원 사이에서 광의 수수가 이루어지기 쉽게 되어 있다. 그 결과, 광회로 기판의 제조 공정에 있어서, 광도파로 도통 검사를 용이하게 행할 수 있다.
이와 같이, 광도파로 전구체(3P)를 형성하는 공정(공정(b)) 후에, 신호용 코어(32a)에 있어서, 실장 영역(R2)측의 끝면과 실장 영역(R2)의 반대측의 끝면 사이에서 광의 도통 검사 공정을 더 포함하고 있어도 된다.
공정(c)에서는 도 4(C)에 나타낸 바와 같이, 광도파로 전구체(3P)에 있어서, 솔더 레지스트(8)의 제 1 상면에 위치하는 신호용 코어(32a) 및 신호용 코어(32a) 아래에 위치하는 솔더 레지스트(8)를 제거한다. 구체적으로는 도 2에 나타낸 바와 같이, 신호용 코어(32a) 아래에 위치하는 제 1 도체층(21a)이 평면에서 보았을 경우에 솔더 레지스트(8)로부터 노출되도록 하면 된다. 신호용 코어(32a) 및 신호용 코어(32a) 아래에 위치하는 솔더 레지스트(8)는 예를 들면, 레이저 처리에 의해 제거된다.
솔더 레지스트(8)의 제 1 상면에 위치하는 신호용 코어(32a) 및 신호용 코어(32a) 아래에 위치하는 솔더 레지스트(8)를 제거함으로써, 신호용 코어(32a)가 배선 기판(2)의 상면에 대하여 따르는 (평행한) 부분만이 된다. 그 결과, 배선 기판(2)의 상면에 광도파로(3)가 형성된다. 이와 같이 하여 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)이 얻어진다.
다음으로, 본 개시의 광학 부품 실장 구조체에 대해서 설명한다. 본 개시의 일 실시형태에 관한 광학 부품 실장 구조체(10)는 일 실시형태에 관한 광회로 기판(1)에 실리콘 포토닉스 디바이스(4) 및 전자 부품(6)이 실장된 구조를 갖고 있다. 전자 부품(6)으로서는 예를 들면, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), 드라이버 IC 등을 들 수 있다.
실리콘 포토닉스 디바이스(4)는 도 1(B)에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(2)의 광학 부품의 실장 영역에 위치하는 전극(21c)과 땜납(7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 전극(21c)은 배선 기판(2)의 상면에 위치하는 도체층의 일부이며, 솔더 레지스트(8)의 개구부로부터 노출되도록 위치하고 있다.
실리콘 포토닉스 디바이스(4)는 예를 들면 규소(Si)를 코어로 하고, 이산화규소(SiO2)를 클래드로 하는 광도파로의 일종이다. 실리콘 포토닉스 디바이스(4)는 상술한 바와 같이 Si 도파로(41)를 포함하고, 도시하고 있지 않지만, 패시베이션막, 광원부, 광검출부 등을 더 포함하고 있다. 상술한 바와 같이, Si 도파로(41)는 광도파로(3)의 일방의 단부에 있어서, 광도파로(3)에 포함되는 신호용 코어(32a)와 대향하도록 위치하고 있다.
예를 들면, 배선 기판(2)으로부터의 전기 신호가 땜납(7)을 통해 실리콘 포토닉스 디바이스(4)에 포함되는 광원부에 전파된다. 전파된 전기 신호를 수신한 광원부는 발광한다. 발광한 광신호가 신호 전파용의 Si 도파로(41a) 및 광도파로(3)의 신호용 코어(32a)를 경유하여, 광 커넥터(5a)를 개재하여 접속되어 있는 광 파이버(5)에 전파된다.
1; 광회로 기판
2; 배선 기판
21a; 제 1 도체층
2lb; 제 2 도체층
21c; 전극
23; 절연층
3; 광도파로
31; 하부 클래드층
32; 코어
32a; 신호용 코어
32b; 얼라인먼트용 코어
33; 상부 클래드층
3a; 제 1 끝면
4; 실리콘 포토닉스 디바이스(광학 부품)
41; 실리콘 도파로(Si 도파로)
5; 광 파이버
5a; 광 커넥터
6; 전자 부품
7; 땜납
8; 솔더 레지스트
10; 광학 부품 실장 구조체
R1; 광도파로 형성 영역
R2; 실장 영역
C; 캐비티
2; 배선 기판
21a; 제 1 도체층
2lb; 제 2 도체층
21c; 전극
23; 절연층
3; 광도파로
31; 하부 클래드층
32; 코어
32a; 신호용 코어
32b; 얼라인먼트용 코어
33; 상부 클래드층
3a; 제 1 끝면
4; 실리콘 포토닉스 디바이스(광학 부품)
41; 실리콘 도파로(Si 도파로)
5; 광 파이버
5a; 광 커넥터
6; 전자 부품
7; 땜납
8; 솔더 레지스트
10; 광학 부품 실장 구조체
R1; 광도파로 형성 영역
R2; 실장 영역
C; 캐비티
Claims (8)
- 배선 기판과 광도파로를 포함하고,
상기 배선 기판은 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면을 갖고,
상기 광도파로는 상기 배선 기판 상에 있어서의 상기 광학 부품의 실장 영역에 인접하여 위치하고, 상기 배선 기판의 상기 상면측으로부터 하부 클래드층, 신호용 코어 및 상기 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 포함하고,
상기 얼라인먼트용 코어는 상기 광학 부품의 실장 영역측에 제 1 끝면을 갖고,
상기 제 1 끝면은 상기 배선 기판의 상기 상면에 대하여 경사져 있는 광회로 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선 기판의 상기 상면에는 상기 광도파로와 상기 광학 부품의 실장 영역 사이에 위치하는 제 1 도체층, 및 상기 제 1 도체층을 피복하는 솔더 레지스트가 구비되어 있고,
상기 광도파로 중, 상기 얼라인먼트용 코어의 상기 제 1 끝면을 포함하는 부분이 상기 솔더 레지스트 상에 위치하고, 상기 제 1 끝면을 포함하는 부분이 상기 제 1 끝면에 가까워짐에 따라 상기 배선 기판의 상기 상면으로부터 멀어지도록 경사져 있는 광회로 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 얼라인먼트용 코어는 캐비티를 갖고, 상기 캐비티를 구성하는 1개의 면이 상기 제 1 끝면인 광회로 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배선 기판은 상기 상면에 제 2 도체층을 갖고,
상기 광도파로가 상기 제 2 도체층 상에 위치하고 있는 광회로 기판. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 광회로 기판과 광학 부품을 포함하는 광학 부품 실장 구조체.
- 제 5 항에 있어서,
상기 광학 부품이 실리콘 포토닉스 디바이스이며, 상기 실리콘 포토닉스 디바이스가 실리콘 도파로를 갖고,
상기 실리콘 도파로가 상기 신호용 코어와 대향하도록 위치하고 있는 광학 부품 실장 구조체. - 광도파로 형성 영역 및 광학 부품의 실장 영역을 포함하는 상면, 상기 상면 중 상기 광도파로 형성 영역과 상기 광학 부품의 실장 영역 사이에 위치하는 제 1 도체층, 및 상기 제 1 도체층을 피복하는 솔더 레지스트를, 구비하는 배선 기판을 얻는 공정과,
상기 광도파로 형성 영역으로부터 상기 솔더 레지스트의 제 1 상면에 걸쳐서, 하부 클래드층, 신호용 코어 및 상기 신호용 코어를 사이에 두고 위치하는 얼라인먼트용 코어를 포함하는 복수의 코어, 및 상부 클래드층을 순서대로 적층하고, 적어도 상기 얼라인먼트용 코어에 있어서의 상기 광학 부품의 실장 영역측의 제 1 끝면이 상기 배선 기판의 상면에 대하여 경사지도록 광도파로 전구체를 형성하는 공정과,
상기 광도파로 전구체에 있어서, 적어도 상기 신호용 코어에 있어서의 상기 솔더 레지스트의 상기 제 1 상면에 위치하는 부분을 제거하고, 상기 솔더 레지스트의 상기 제 1 상면의 상기 얼라인먼트용 코어를 포함하는 부분을 남겨 광도파로를 형성하는 공정을 포함하는 광회로 기판의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 광도파로 전구체를 형성하는 공정 후에, 상기 신호용 코어에 있어서, 상기 실장 영역측의 끝면과 상기 실장 영역의 반대측의 끝면 사이에서 광의 도통 검사를 행하는 공정을 더 포함하는 제조 방법.
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