KR20230146449A - Processing data analysis method and information processing device - Google Patents

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KR20230146449A KR1020230042410A KR20230042410A KR20230146449A KR 20230146449 A KR20230146449 A KR 20230146449A KR 1020230042410 A KR1020230042410 A KR 1020230042410A KR 20230042410 A KR20230042410 A KR 20230042410A KR 20230146449 A KR20230146449 A KR 20230146449A
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류타로 이시이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 처리 데이터의 해석에 필요로 하는 시간을 단축하면서, 처리 데이터의 적절한 개소를 안정적으로 해석할 수가 있는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 처리 데이터의 해석 방법은, 기판 처리 장치의 가동 시에 취득된 처리 데이터를 해석한다. 처리 데이터의 해석 방법은, 처리 데이터를 취득하는 공정과, 처리 데이터를 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과, 분할한 복수의 구간 중 특정의 구간에 있어서의 처리 데이터에 근거하여, 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 가진다. 복수의 구간으로 분할하는 공정에서는, 복수의 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 센서의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정한다.[Project] Provide technology that can stably analyze appropriate points in the processed data while reducing the time required to analyze the processed data.
[Solution] A method of analyzing processing data analyzes processing data acquired during operation of a substrate processing apparatus. The method of analyzing processing data includes a step of acquiring processing data, a step of dividing the processing data into a plurality of sections in a time series, and processing of a substrate based on processing data in a specific section among the plurality of divided sections. It has a process for diagnosing the health status of the device. In the process of dividing into multiple sections, the start and end times of the multiple sections are set at the time when one or two or more parameters selected from the parameters of a plurality of sensors reach a predetermined specified value or change from the specified value. Decide accordingly.

Figure P1020230042410
Figure P1020230042410

Description

처리 데이터의 해석 방법, 및 정보 처리 장치{PROCESSING DATA ANALYSIS METHOD AND INFORMATION PROCESSING DEVICE}Method for interpreting processed data, and information processing device {PROCESSING DATA ANALYSIS METHOD AND INFORMATION PROCESSING DEVICE}

본 개시는, 처리 데이터의 해석 방법, 및 정보 처리 장치에 관한 것이다.This disclosure relates to an analysis method of processed data and an information processing device.

기판 처리 장치는, 기판의 처리 중에, 복수의 센서에 의해 각종의 파라미터를 측정하여, 각종의 파라미터의 각각과 시간이 연결된 처리 데이터(로그 정보)를 기억하고 있다. 그리고, 기판 처리의 불량의 발생 시 등에 있어서, 기판 처리 장치에 접속된 정보 처리 장치는, 처리 데이터에 근거하여 이상의 원인을 특정한다.A substrate processing apparatus measures various parameters using a plurality of sensors during processing of a substrate, and stores processing data (log information) linked to each of the various parameters and time. And, when a substrate processing defect occurs, the information processing device connected to the substrate processing device identifies the cause of the abnormality based on the processing data.

예를 들면, 특허 문헌 1에는, 테이스팅 데이터(처리 데이터)를 해석하는 알고리즘을 가지는 상태 예측 장치(정보 처리 장치)가 개시되어 있다. 이 상태 예측 장치는, 정상인 장치로 측정한 처리 데이터의 제1특징량과, 평가하는 장치로 측정한 처리 데이터의 제2특징량을 이용하여, 플라즈마 처리 장치 상태를 예측한다.For example, Patent Document 1 discloses a state prediction device (information processing device) having an algorithm for analyzing tasting data (processing data). This state prediction device predicts the state of the plasma processing device using a first characteristic quantity of process data measured by a normal device and a second characteristic quantity of process data measured by an evaluation device.

근래에는, 보다 정밀한 기판 처리를 행하기 위하여, 제어 내용이 고도화되고 있다. 이에 따라 기판 처리의 실시 기간 중의 파라미터도 방대한 량이 되어, 다량인 파라미터로부터 장치 상태를 진단할 필요가 있다.In recent years, control content has become more sophisticated in order to perform more precise substrate processing. Accordingly, the number of parameters during the period of substrate processing increases, and it is necessary to diagnose the state of the device based on a large number of parameters.

[특허 문헌 1] 일본 특개 2020－31096호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Publication No. 2020-31096

본 개시는, 처리 데이터의 해석에 필요로 하는 시간을 단축하면서, 처리 데이터의 적의의 개소를 안정적으로 해석할 수가 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique that can stably analyze inappropriate portions of processed data while shortening the time required to analyze the processed data.

본 개시의 일 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 가동 시에 취득된 처리 데이터의 해석 방법으로서,According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method for analyzing processing data acquired during operation of a substrate processing apparatus, comprising:

상기 처리 데이터는, 상기 기판 처리 장치의 복수의 센서의 각각이 측정한 파라미터와, 측정한 시간을 연결한 것이고, 상기 처리 데이터를 취득하여 기억부에 기억하는 공정과, 상기 기억부로부터 상기 처리 데이터를 판독하여, 상기 처리 데이터를 상기 측정한 시간에 따른 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과, 분할한 복수의 상기 구간 중 특정의 구간에 있어서의 상기 처리 데이터에 근거하여, 상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 갖고, 복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에서는, 복수의 상기 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 상기 센서의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 상기 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정하는 처리 데이터의 해석 방법이 제공된다.The processing data is a combination of parameters measured by each of the plurality of sensors of the substrate processing apparatus and a measured time, and a process of acquiring the processing data and storing it in a storage unit, and storing the processing data in a storage unit. A step of reading and dividing the processing data into a plurality of sections in a time series according to the measured time, based on the processing data in a specific section among the plurality of divided sections, the substrate processing device In the step of diagnosing the health status of and dividing into a plurality of sections, the start and end times of the plurality of sections are determined by one or two or more parameters selected from the parameters of the plurality of sensors, A method of interpreting processed data is provided that determines the time point at which a predetermined standard value is reached or the time point at which a change occurs from the specified value.

일 태양에 의하면, 처리 데이터의 해석에 필요로 하는 시간을 단축하면서, 처리 데이터의 적의의 개소를 안정적으로 해석할 수가 있다.According to one aspect, it is possible to stably analyze inappropriate portions of the processed data while shortening the time required to analyze the processed data.

도 1은 일실시 형태에 따른 정보 처리 장치를 가지는 정보 처리 시스템의 일례를 나타내는 구성도이다.
도 2는 FPD 제조 장치의 전체 구성을 나타내는 단면 모식도이다.
도 3은 컴퓨터의 일례를 나타내는 하드웨어 구성도이다.
도 4는 고주파 전력의 파라미터의 시간 변화를 예시하는 그래프이다.
도 5는 처리 데이터 해석 방법을 실시하는 서버의 기능 블록을 나타내는 블럭도이다.
도 6은 처리 데이터의 구간 분할 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 고주파 전력의 파라미터를 복수의 구간으로 분할한 예를 나타내는 그래프이다.
도 8은 건강치 산출 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 처리 데이터의 해석 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a configuration diagram showing an example of an information processing system including an information processing device according to an embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional schematic diagram showing the overall configuration of the FPD manufacturing equipment.
3 is a hardware configuration diagram showing an example of a computer.
4 is a graph illustrating time changes in parameters of high-frequency power.
Figure 5 is a block diagram showing the functional blocks of a server that implements the processing data analysis method.
Figure 6 is a flowchart showing section division processing of processed data.
Figure 7 is a graph showing an example of dividing the parameters of high frequency power into a plurality of sections.
Figure 8 is a flowchart showing the health value calculation process.
9 is a flowchart showing a method of interpreting processed data.

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일 구성 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.Hereinafter, a mode for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same reference numerals are given to the same components, and redundant descriptions may be omitted.

＜정보 처리 시스템(100)의 구성＞<Configuration of information processing system 100>

도 1은, 일실시 형태에 따른 정보 처리 장치를 가지는 정보 처리 시스템(100)의 일례를 나타내는 구성도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 정보 처리 시스템(100)은, 복수의 FPD(Flat Panel Display) 제조 장치(1)와, 네트워크(120)를 통하여 각 FPD 제조 장치(1)가 접속되는 서버(110)를 가진다. 또한, 네트워크(120)는, FPD 제조 장치(1)와 서버(110) 사이를 통신 가능한 여러 가지의 통신 환경(유선 LAN, 무선 LAN 등)을 채용해도 좋다.FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an information processing system 100 including an information processing device according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the information processing system 100 includes a plurality of FPD (Flat Panel Display) manufacturing devices 1 and a server 110 to which each FPD manufacturing device 1 is connected via a network 120. has Additionally, the network 120 may employ various communication environments (wired LAN, wireless LAN, etc.) that enable communication between the FPD manufacturing device 1 and the server 110.

복수의 FPD 제조 장치(1)는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 일례이다. FPD 제조 장치(1)는, 기판 처리에 있어서의 각종의 파라미터(물리량)를 측정하는 복수의 센서(8)와, 기판 처리를 제어하는 장치 컨트롤러(9)를 구비한다.The plurality of FPD manufacturing devices 1 is an example of a substrate processing device that processes substrates. The FPD manufacturing device 1 includes a plurality of sensors 8 that measure various parameters (physical quantities) in substrate processing and a device controller 9 that controls substrate processing.

FPD 제조 장치(1)는, 장치 컨트롤러(9)를 장치 본체에 탑재해도 좋고, 장치 컨트롤러(9)를 다른 위치에 설치하여 장치 본체에 통신 가능하게 접속한 구성이라도 좋다. 장치 컨트롤러(9)는, FPD 제조 장치(1)의 제어 부품을 제어하는 지령을 FPD 제조 장치(1)에 출력한다. 또, 장치 컨트롤러(9)는, 제어를 행하고 있는 FPD 제조 장치(1)의 각 센서(8)에 있어서 측정된 측정치를 파라미터로서 취득한다.The FPD manufacturing device 1 may be configured to have the device controller 9 mounted on the device main body, or the device controller 9 may be installed at another location and connected to the device main body to enable communication. The device controller 9 outputs commands to the FPD manufacturing device 1 to control the control components of the FPD manufacturing device 1 . Additionally, the device controller 9 acquires measurement values measured by each sensor 8 of the FPD manufacturing device 1 being controlled as parameters.

또한, 장치 컨트롤러(9)는, FPD 제조 장치(1)에 관련되는 정보를 유저에게 제공함과 아울러, FPD 제조 장치(1)에 대한 지시를 작업자로부터 받아들이는 유저 인터페이스의 기능을 가진다. 또한, 정보 처리 시스템(100)은, 각 FPD 제조 장치(1)의 유저 인터페이스로서의 기능을, 서버(110) 측에 구비해도 좋다. 또한, 하나의 장치 컨트롤러(9)는, 다른 FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)와 직접 통신을 행하거나, 또는 서버(110)를 통하여 다른 FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)와 통신을 행하는 기능을 가지고 있어도 좋다. 이것에 의해, 장치 컨트롤러(9)는, 복수의 FPD 제조 장치(1)에 관련되는 정보(동일한 레시피에 따라 기판 처리를 실행한 경우의 파라미터 등)를 이용할 수가 있다.Additionally, the device controller 9 has a user interface function that provides information related to the FPD manufacturing device 1 to the user and receives instructions regarding the FPD manufacturing device 1 from the operator. Additionally, the information processing system 100 may provide a function as a user interface for each FPD manufacturing device 1 on the server 110 side. Additionally, one device controller 9 communicates directly with the device controller 9 of another FPD manufacturing device 1, or communicates directly with the device controller 9 of another FPD manufacturing device 1 through the server 110. ) may have the function of communicating with. As a result, the device controller 9 can use information (parameters when substrate processing is performed according to the same recipe, etc.) related to the plurality of FPD manufacturing devices 1.

각 장치 컨트롤러(9)는, 네트워크(120)를 통하여 서버(110)와의 사이에서 정보 통신을 행한다. 서버(110)는, 각 장치 컨트롤러(9)로부터 송신된 각 FPD 제조 장치(1)에 관련되는 정보를 관리함과 아울러, 각 장치 컨트롤러(9)가 실행하는 프로그램, 레시피 등을 송수신한다.Each device controller 9 communicates information with the server 110 through the network 120 . The server 110 manages information related to each FPD manufacturing device 1 transmitted from each device controller 9, and also transmits and receives programs, recipes, etc. executed by each device controller 9.

또한, 도 1에 나타내는 정보 처리 시스템(100)은, 일례이며, 용도나 목적에 따라 여러 가지 시스템 구성예가 있는 것은 말할 필요도 없다. 예를 들면, 정보 처리 시스템(100)은, 복수의 FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)를 한 개의 장치 컨트롤러로 통합한 컨트롤러를 구비해도 좋고, 이 컨트롤러에 서버(110)를 적용해도 좋다.In addition, the information processing system 100 shown in FIG. 1 is an example, and needless to say, there are various system configuration examples depending on the use or purpose. For example, the information processing system 100 may be provided with a controller that integrates the device controllers 9 of a plurality of FPD manufacturing devices 1 into one device controller, and the server 110 may be applied to this controller. good night.

＜FPD 제조 장치(1)의 구성＞<Configuration of FPD manufacturing equipment (1)>

다음에, 상기의 정보 처리 시스템(100)에 적용되는 FPD 제조 장치(1)의 일례에 대해, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, FPD 제조 장치(1)의 전체 구성을 나타내는 단면 모식도이다. 도 2에 나타내는 FPD 제조 장치(1)는, FPD용의 평면에서 보아 직사각형의 기판 G에 대해서, 각종의 기판 처리를 실행하는 유도 결합형 플라즈마(Inductive Coupled Plasma: ICP) 처리 장치이다.Next, an example of the FPD manufacturing device 1 applied to the information processing system 100 described above will be described with reference to FIG. 2 . FIG. 2 is a cross-sectional schematic diagram showing the overall configuration of the FPD manufacturing apparatus 1. The FPD manufacturing device 1 shown in FIG. 2 is an inductively coupled plasma (ICP) processing device that performs various substrate processes on a substrate G that is rectangular in plan view for FPD.

FPD는, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence: EL), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등 중 어느 하나이어도 좋다. 기판 G의 재료로서는, 주로 유리가 이용되고, 용도에 따라서는 투명한 합성 수지 등이 이용되어도 좋다. 기판 G는, 그 표면에 전자 회로나 발광 소자 등이 패터닝된 것이어도 좋고, 혹은 지지 기판이어도 좋다. FPD 제조 장치(1)의 기판 처리로서는, 에칭 처리, 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용한 성막 처리 등을 들 수 있다.The FPD may be any one of a Liquid Crystal Display (LCD), Electro Luminescence (EL), or Plasma Display Panel (PDP). As the material for the substrate G, glass is mainly used, and depending on the application, transparent synthetic resin or the like may be used. The substrate G may have electronic circuits, light-emitting elements, etc. patterned on its surface, or may be a support substrate. Examples of the substrate processing of the FPD manufacturing apparatus 1 include etching processing or film forming processing using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

FPD 제조 장치(1)는, 직방체 형상의 상자형의 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에 있어서 기판 G를 탑재하는 평면에서 보아 직사각형의 기판 탑재대(60)와, 상기의 장치 컨트롤러(9)를 가진다.The FPD manufacturing device 1 includes a rectangular box-shaped processing container 10, a substrate mounting table 60 rectangular in plan view on which the substrate G is placed within the processing container 10, and the device controller described above. We have (9).

처리 용기(10)는, 유전체판(11)에 의해 상하로 구획되어 있다. 위쪽 공간인 안테나실은 상 챔버 용기(12)에 의해 형성되어 있고, 아래쪽 공간인 처리실 S는 하 챔버 용기(13)에 의해 형성되어 있다. 처리 용기(10)는, 상 챔버 용기(12)와 하 챔버 용기(13)의 경계에 직사각형 프레임 형상의 지지 프레임(14)을 구비하고, 이 지지 프레임(14)에 유전체판(11)을 창부재로서 탑재하고 있다. 또, 처리 용기(10)는, 접지선(13e)을 통하여 접지되어 있다.The processing container 10 is partitioned upward and downward by a dielectric plate 11. The antenna room, which is the upper space, is formed by the upper chamber container 12, and the processing chamber S, which is the lower space, is formed by the lower chamber container 13. The processing container 10 is provided with a rectangular support frame 14 at the boundary between the upper chamber container 12 and the lower chamber container 13, and a dielectric plate 11 is placed on this support frame 14. It is mounted as a member. Additionally, the processing container 10 is grounded through the ground wire 13e.

하 챔버 용기(13)는, 기판 G를 반입출하기 위한 반입출구(13b)를 측벽(13a)에 가짐과 아울러, 반입출구(13b)를 개폐하는 게이트 밸브(20)를 가진다. 하 챔버 용기(13)에는, 반송 기구를 구비한 반송 모듈(도시하지 않음)이 인접해 있다. FPD 제조 장치(1)는, 게이트 밸브(20)를 개방하고, 반입출구(13b)를 통하여 반송 기구에 의한 기판 G의 반입출을 행한다.The lower chamber container 13 has a loading and unloading port 13b on the side wall 13a for loading and unloading the substrate G, and a gate valve 20 for opening and closing the loading and unloading port 13b. Adjacent to the lower chamber container 13 is a transfer module (not shown) provided with a transfer mechanism. The FPD manufacturing apparatus 1 opens the gate valve 20 and carries out loading and unloading of the substrate G by a transfer mechanism through the loading/unloading port 13b.

또, 하 챔버 용기(13)는, 복수의 배기구(13f)를 저판(13d)에 가진다. 배기구(13f)에는 가스 배기부(50)가 접속되어 있다. 가스 배기부(50)는, 배기구(13f)에 접속되는 가스 배기관(51)과. 가스 배기관(51)에 마련되는 압력 제어 밸브(52) 및 배기 장치(53)를 가진다. 배기 장치(53)는, 터보 분자 펌프, 진공 펌프 등을 갖고, 기판 처리 시에 하 챔버 용기(13) 내를 감압한다.Additionally, the lower chamber container 13 has a plurality of exhaust ports 13f in the bottom plate 13d. A gas exhaust unit 50 is connected to the exhaust port 13f. The gas exhaust unit 50 includes a gas exhaust pipe 51 connected to the exhaust port 13f. It has a pressure control valve 52 and an exhaust device 53 provided in the gas exhaust pipe 51. The exhaust device 53 has a turbo molecular pump, a vacuum pump, etc., and reduces the pressure inside the lower chamber container 13 during substrate processing.

하 챔버 용기(13)의 상단에는, 복수의 장척 형상 부재로 되어 처리실 S에 처리 가스를 토출하는 샤워 헤드(30)가, 유전체판(11)을 지지하는 지지 빔을 겸하여 마련되어 있다. 샤워 헤드(30)는, 알루미늄 등의 금속으로 형성되고, 양극 산화에 의한 표면 처리가 이루어져 있다. 샤워 헤드(30)는, 수평 방향으로 연장되는 가스 유로(31)와, 가스 유로(31) 및 처리실 S 사이를 연통하는 복수의 가스 토출 구멍(32)을 가진다.At the upper end of the lower chamber container 13, a shower head 30 made of a plurality of elongated members and discharging processing gas into the processing chamber S is provided to also serve as a support beam for supporting the dielectric plate 11. The shower head 30 is made of a metal such as aluminum, and has been surface treated by anodizing. The shower head 30 has a gas flow path 31 extending in the horizontal direction and a plurality of gas discharge holes 32 communicating between the gas flow path 31 and the processing chamber S.

처리 용기(10)는, 유전체판(11)의 상면에, 가스 유로(31)에 연통하는 가스 도입관(45)을 연결하고 있다. 가스 도입관(45)은, 상 챔버 용기(12)의 천정(12a)을 기밀하게 관통하고, 처리 가스 공급부(40)에 접속되어 있다. 처리 가스 공급부(40)는, 가스 도입관(45)에 접속되는 가스 공급관(41)과, 가스 공급관(41)의 도중 위치에 마련되는 개폐 밸브(42) 및 유량 제어기(43)와, 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(44)을 포함한다. 처리 가스는, 처리 가스 공급원(44)으로부터 가스 공급관(41) 및 가스 도입관(45)을 통하여 샤워 헤드(30)에 공급되고, 가스 유로(31) 및 가스 토출 구멍(32)를 통하여 처리실 S에 토출된다.In the processing container 10, a gas introduction pipe 45 communicating with the gas flow path 31 is connected to the upper surface of the dielectric plate 11. The gas introduction pipe 45 airtightly penetrates the ceiling 12a of the upper chamber container 12 and is connected to the processing gas supply unit 40 . The processing gas supply unit 40 includes a gas supply pipe 41 connected to the gas introduction pipe 45, an opening/closing valve 42 and a flow rate controller 43 provided at a position in the middle of the gas supply pipe 41, and a processing gas. It includes a process gas source 44 that supplies. The processing gas is supplied to the shower head 30 from the processing gas supply source 44 through the gas supply pipe 41 and the gas introduction pipe 45, and into the processing chamber S through the gas flow path 31 and the gas discharge hole 32. is discharged to

처리 용기(10)는, 안테나실을 형성하는 상 챔버 용기(12) 내에, 고주파 안테나(15)를 구비한다. 고주파 안테나(15)는, 동 등의 도전성의 금속으로 이루어지는 안테나 선(15a)을, 고리 형상 혹은 소용돌이 형상으로 감아 형성되어 있다.The processing vessel 10 is provided with a high-frequency antenna 15 within an upper chamber vessel 12 forming an antenna chamber. The high-frequency antenna 15 is formed by winding an antenna wire 15a made of a conductive metal such as copper into a ring shape or a swirl shape.

상 챔버 용기(12)는, 안테나 선(15a)의 단자로부터 위쪽으로 연장되는 급전 부재(16)를 가진다. 이 급전 부재(16)의 상단에는 급전선(17)이 접속되어 있다. 급전선(17)은, 처리 용기(10)의 외부에 있어서, 임피던스 정합을 행하는 정합기(18)를 통하여 고주파 전원(19)에 접속되어 있다. FPD 제조 장치(1)는, 고주파 전원(19)으로부터 예를 들면 13.56MHz의 고주파 전력을 고주파 안테나(15)에 공급하는 것에 의해, 하 챔버 용기(13) 내에 유도 전계를 형성한다. 이 유도 전계에 의해, 샤워 헤드(30)로부터 처리실 S에 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어 유도 결합형 플라즈마가 생성되고, 플라즈마 중의 이온이나 중성 래디칼 등이 기판 G에 제공된다.The upper chamber container 12 has a power feeding member 16 extending upward from the terminal of the antenna line 15a. A feed line 17 is connected to the upper end of this feed member 16. The power supply line 17 is connected to the high-frequency power source 19 outside the processing container 10 through a matching device 18 that performs impedance matching. The FPD manufacturing apparatus 1 supplies high frequency power of, for example, 13.56 MHz from the high frequency power source 19 to the high frequency antenna 15, thereby forming an induced electric field in the lower chamber container 13. Due to this induced electric field, the processing gas supplied from the shower head 30 to the processing chamber S is converted into plasma to generate inductively coupled plasma, and ions, neutral radicals, etc. in the plasma are supplied to the substrate G.

한편, 기판 탑재대(60)는, 기재(63)와, 기재(63)의 상면(63a)에 설치되는 정전척(66)을 포함한다. 기재(63)는, 기판 G와 동일한 정도의 평면 치수를 가지는 평면에 보아 직사각형으로 형성되어 있다. 기재(63)는, 스텐레스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등에 의해 형성된다. 기재(63)의 내부에는, 사행(蛇行)한 온도 조절 매체 유로(62a)가 마련되어 있다. 또한, 온도 조절 매체 유로(62a)는, 정전척(66) 내에 마련되어도 좋다.Meanwhile, the substrate mounting table 60 includes a substrate 63 and an electrostatic chuck 66 installed on the upper surface 63a of the substrate 63. The substrate 63 is formed in a rectangular shape in plan view, having the same planar dimensions as the substrate G. The base material 63 is made of stainless steel, aluminum, aluminum alloy, etc. Inside the base material 63, a meandering temperature regulation medium flow path 62a is provided. Additionally, the temperature control medium flow path 62a may be provided within the electrostatic chuck 66.

온도 조절 매체 유로(62a)의 양단에는, 온도 조절 매체 유로(62a)에 대해서 온도 조절 매체를 유입 및 유출시키는 순환 배관(62b)이 연통하고 있다. 순환 배관(62b)은 칠러(62c)에 접속되어 있다. 칠러(62c)는, 갈덴(등록 상표)이나 플루어리너트(등록 상표) 등의 온도 조절 매체를 순환시킨다. 또한, 기재(63)는, 히터 등을 내장하고, 히터에 의해 온도 조절하는 구성이어도 좋고, 온도 조절 매체와 히터의 양쪽으로 온도 조절하는 구성이라도 좋다. 기재(63)에는 열전쌍 등의 온도 센서가 배설되어 있고, 온도 센서의 측정치(파라미터)는 장치 컨트롤러(9)에 송신된다. 장치 컨트롤러(9)는, 송신된 파라미터에 근거하여, 칠러(62c)의 온도 조절 동작을 제어한다.At both ends of the temperature regulation medium flow path 62a, circulation pipes 62b are connected to allow the temperature regulation medium to flow in and out of the temperature regulation medium flow path 62a. The circulation pipe 62b is connected to the chiller 62c. The chiller 62c circulates a temperature control medium such as Galden (registered trademark) or Fluorinert (registered trademark). Additionally, the base material 63 may have a built-in heater or the like, and may be configured to control the temperature by the heater, or may be configured to adjust the temperature by both the temperature control medium and the heater. A temperature sensor such as a thermocouple is disposed on the base material 63, and the measured values (parameters) of the temperature sensor are transmitted to the device controller 9. The device controller 9 controls the temperature control operation of the chiller 62c based on the transmitted parameters.

기판 탑재대(60)의 내부에는, 반송 기구와 사이에서 기판 G의 수취 및 수수를 행하는 리프트 핀(78)이 복수(예를 들면, 12개) 마련되어 있다(도 1에서는, 대표적으로 2개의 리프트 핀(78)을 도시하고 있다). 복수의 리프트 핀(78)은, 기판 탑재대(60)를 관통하고, 연결 부재를 통하여 전해지는 모터의 동력에 의해 상하로 움직인다. 하 챔버 용기(13)의 저판(13d) 위에는, 절연 재료에 의해 형성되고, 내측에 단부를 가지는 대좌(68)가 고정되어 있다. 대좌(68)의 단부에는 기재(63)가 탑재되고, 기재(63)의 상면에는 기판 G를 직접 탑재하는 정전척(66)이 설치된다.Inside the substrate mounting table 60, a plurality of lift pins 78 (for example, 12) are provided for receiving and transferring the substrate G between the transfer mechanism and the transfer mechanism (in FIG. 1, two lift pins are typically used). pin (78) is shown). The plurality of lift pins 78 penetrate the substrate mounting table 60 and move up and down by the power of the motor transmitted through the connecting member. On the bottom plate 13d of the lower chamber container 13, a pedestal 68 is formed of an insulating material and has an end on the inside. A substrate 63 is mounted on the end of the pedestal 68, and an electrostatic chuck 66 for directly mounting the substrate G is installed on the upper surface of the substrate 63.

정전척(66)은, 알루미나 등의 세라믹스를 용사하여 형성되는 유전체 피막인 세라믹스층(64)과, 세라믹스층(64)의 내부에 마련되어 정전 흡착을 행하는 흡착 전극(65)을 가진다. 흡착 전극(65)은, 급전선(74) 및 스위치(76)를 통하여 직류 전원(75)에 접속되어 있다. 장치 컨트롤러(9)는, 스위치(76)를 온하는 것으로, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 직류 전압을 인가한다. 이것에 의해, 흡착 전극(65)은, 클롱력이 발생하고, 정전척(66)에 기판 G를 정전 흡착한다. 또, 스위치(76)가 오프되고, 급전선(74)으로부터 분기된 그라운드 라인에 개재하는 스위치(77)가 온되면, 흡착 전극(65)에 모인 전하가 그라운드에 흐른다.The electrostatic chuck 66 has a ceramic layer 64, which is a dielectric film formed by thermally spraying ceramics such as alumina, and an adsorption electrode 65 provided inside the ceramic layer 64 to perform electrostatic adsorption. The adsorption electrode 65 is connected to a direct current power source 75 through a power supply line 74 and a switch 76. The device controller 9 applies a direct current voltage from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65 by turning on the switch 76 . As a result, the suction electrode 65 generates a Khlong force and electrostatically adsorbs the substrate G to the electrostatic chuck 66. Additionally, when the switch 76 is turned off and the switch 77 located on the ground line branched from the feed line 74 is turned on, the electric charge accumulated in the adsorption electrode 65 flows to the ground.

정전척(66)의 외주에 있어서의 대좌(68)의 상면에는, 알루미나 등의 세라믹스 혹은 석영 등으로 형성된 직사각형 프레임 형상의 포커스 링(69)이 탑재되어 있다. 포커스 링(69)의 상면은, 정전척(66)의 상면보다 낮아지도록 설정되어 있다.A focus ring 69 in the shape of a rectangular frame made of ceramics such as alumina or quartz is mounted on the upper surface of the pedestal 68 on the outer periphery of the electrostatic chuck 66. The upper surface of the focus ring 69 is set to be lower than the upper surface of the electrostatic chuck 66.

기재(63)의 하면에는, 급전 부재(70)가 연결되고, 급전 부재(70)의 하단에는 급전선(71)이 접속되어 있다. 급전선(71)은, 임피던스 정합을 행하는 정합기(72)를 통하여 바이어스원인 고주파 전원(73)에 접속되어 있다. 고주파 전원(73)은, 기판 탑재대(60)에 대해서 예를 들면 3.2MHz의 고주파 전력을 공급한다. 이것에 의해, 기재(63)는, 처리실 S에 있어서 생성된 이온을 기판 G로 끌어당긴다.A power feeding member 70 is connected to the lower surface of the base material 63, and a power feeding line 71 is connected to the lower end of the power feeding member 70. The feed line 71 is connected to a high-frequency power source 73, which is a bias source, through a matching device 72 that performs impedance matching. The high-frequency power source 73 supplies high-frequency power of, for example, 3.2 MHz to the board mounting table 60. As a result, the substrate 63 attracts the ions generated in the processing chamber S to the substrate G.

즉, 고주파 안테나(15)에 접속되어 있는 고주파 전원(19)은, 플라즈마 발생용의 소스원이고, 기판 탑재대(60)에 접속되어 있는 고주파 전원(73)은, 발생한 이온을 끌어당겨 운동 에너지를 부여하는 바이어스원이다. 이것에 의해, FPD 제조 장치(1)는, 플라즈마의 생성과 이온 에너지의 제어가 독립하여 행해지고, 기판 처리의 자유도를 높일 수가 있다.That is, the high-frequency power source 19 connected to the high-frequency antenna 15 is a source for plasma generation, and the high-frequency power source 73 connected to the substrate mounting table 60 attracts the generated ions to generate kinetic energy. It is a bias source that gives . As a result, the FPD manufacturing apparatus 1 can independently generate plasma and control ion energy, thereby increasing the degree of freedom in substrate processing.

FPD 제조 장치(1)의 센서(8)는, 처리 용기(10) 내의 적의의 개소에 마련되어, 기판 처리 등의 실시 시에 측정을 행한다. 예를 들면, 센서(8)는, 고주파 전원(19)으로부터 공급되는 전력 및 처리 용기(10)의 내부로부터 반사되는 전력을 검출하는 소스용 전력 센서(81)와, 고주파 전원(73)으로부터 공급되는 전력 및 처리 용기(10)의 내부로부터 반사되는 전력을 검출하는 바이어스용 전력 센서(82)를 들 수 있다. 소스용 전력 센서(81)는, 정합기(18) 내에 마련되어 있다. 바이어스용 전력 센서(82)는, 정합기(72) 내에 마련되어 있다. 소스용 전력 센서(81) 및 바이어스용 전력 센서(82)는, 예를 들면, 0.1초마다의 샘플링 간격으로 전력을 측정하고, 측정한 전력을 장치 컨트롤러(9) 등에 송신한다. 또, FPD 제조 장치(1)의 센서(8)로서는, 그 밖에도, 처리 용기(10) 내의 압력을 검출하는 압력 센서, 기재(63)의 온도를 검출하는 온도 센서, 공급하는 처리 가스의 유량을 검출하는 유량 센서 등을 들 수 있다.The sensor 8 of the FPD manufacturing apparatus 1 is provided at an appropriate location within the processing container 10 and performs measurement during substrate processing, etc. For example, the sensor 8 includes a source power sensor 81 that detects the power supplied from the high-frequency power source 19 and the power reflected from the inside of the processing container 10, and the power supplied from the high-frequency power source 73. A bias power sensor 82 that detects the power generated and the power reflected from the inside of the processing container 10 can be mentioned. The source power sensor 81 is provided in the matching device 18. The bias power sensor 82 is provided within the matching device 72. The source power sensor 81 and the bias power sensor 82 measure power at a sampling interval of, for example, every 0.1 second, and transmit the measured power to the device controller 9 and the like. In addition, the sensor 8 of the FPD manufacturing apparatus 1 includes a pressure sensor for detecting the pressure within the processing container 10, a temperature sensor for detecting the temperature of the substrate 63, and a flow rate of the supplied processing gas. Examples include a flow sensor that detects.

각 센서(8)가 측정한 파라미터(측정치)는, 장치 컨트롤러(9)에 송신되고, 장치 컨트롤러(9)에 의한 각 구성의 제어에 있어서 이용된다. 또, 파라미터는, 네트워크(120)를 통하여 장치 컨트롤러(9)로부터 서버(110)에 송신되고, 서버(110)에 있어서 FPD 제조 장치(1) 상태를 관리하기 위해서 이용된다. 또한, 정보 처리 시스템(100)은, 각 센서(8)의 파라미터를, 장치 컨트롤러(9)를 통하지 않고 서버(110)에 직접 송신하는 구성이라도 좋다.The parameters (measured values) measured by each sensor 8 are transmitted to the device controller 9 and used by the device controller 9 to control each configuration. Additionally, the parameters are transmitted from the device controller 9 to the server 110 via the network 120, and are used by the server 110 to manage the status of the FPD manufacturing device 1. Additionally, the information processing system 100 may be configured to transmit the parameters of each sensor 8 directly to the server 110 without going through the device controller 9.

＜정보 처리 장치의 하드웨어 구성＞＜Hardware configuration of information processing device＞

도 1에 나타내는 정보 처리 시스템(100)의 장치 컨트롤러(9), 및 서버(110)는, 예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같은 하드웨어 구성의 컴퓨터(500)(정보 처리 장치)에 의해 실현된다. 도 3은, 컴퓨터(500)의 일례를 나타내는 하드웨어 구성도이다.The device controller 9 and server 110 of the information processing system 100 shown in FIG. 1 are realized by, for example, a computer 500 (information processing device) with a hardware configuration as shown in FIG. 3 . FIG. 3 is a hardware configuration diagram showing an example of the computer 500.

도 3의 컴퓨터(500)는, 입력 장치(501), 출력 장치(502), 외부 I/F(인터페이스)(503), RAM(Random Access Memory)(504), ROM(Read Only Memory)(505), CPU(Central Processing Unit)(506), 통신 I/F(507) 및 HDD(508) 등을 구비하고, 각 구성을 버스 B로 서로 접속하고 있다.The computer 500 in FIG. 3 includes an input device 501, an output device 502, an external I/F (interface) 503, a random access memory (RAM) 504, and a read only memory (ROM) 505. ), CPU (Central Processing Unit) 506, communication I/F 507, HDD 508, etc., and each component is connected to each other through bus B.

입력 장치(501) 및 출력 장치(502)는, 상기한 유저 인터페이스를 구성하고 있고, 예를 들면, 터치 패널을 적용할 수 있다. 혹은, 입력 장치(501)은, 키보드, 마우스, 마이크 등을 적용해도 좋고, 출력 장치(502)는, 디스플레이, 스피커 등을 적용해도 좋다. 외부 I/F(503)는, 외부 장치와의 인터페이스이다. 컴퓨터(500)는, 외부 I/F(503)를 통하여 외부 기록 매체(503a) 등의 외부 장치의 판독이나 기입을 행할 수가 있다. 통신 I/F(507)는, 컴퓨터(500)를 네트워크(120)에 접속하는 인터페이스이다.The input device 501 and the output device 502 constitute the above-described user interface, and for example, a touch panel can be applied. Alternatively, the input device 501 may be a keyboard, mouse, microphone, etc., and the output device 502 may be a display, a speaker, etc. The external I/F 503 is an interface with an external device. The computer 500 can read or write to an external device such as the external recording medium 503a through the external I/F 503. The communication I/F 507 is an interface that connects the computer 500 to the network 120.

RAM(504)은, 프로그램이나 데이터를 일시 유지하는 휘발성의 반도체 메모리(기억 장치)의 일례이다. ROM(505)은, 프로그램이나 데이터를 인스톨하고 있는 불휘발성의 반도체 메모리(기억 장치)의 일례이다. HDD(508)는, 프로그램, 데이터, 레시피 등을 저장하고 있는 불휘발성의 기억 장치의 일례이다. CPU(506)은, ROM(505)이나 HDD(508) 등의 기억 장치로부터 프로그램이나 데이터를 RAM(504) 상에 판독하여 연산하는 것으로, 컴퓨터(500) 전체의 제어나 기능을 실현한다.RAM 504 is an example of a volatile semiconductor memory (storage device) that temporarily stores programs and data. The ROM 505 is an example of a non-volatile semiconductor memory (storage device) in which programs and data are installed. The HDD 508 is an example of a non-volatile memory device that stores programs, data, recipes, etc. The CPU 506 reads programs and data from storage devices such as the ROM 505 and HDD 508 onto the RAM 504 and performs calculations, thereby realizing control and functions of the entire computer 500.

컴퓨터(500)는, FPD 제조 장치(1)의 기판 처리 시에 각 센서(8)가 측정한 파라미터를 수신하고, 컴퓨터(500) 내에서 측정되어 있는 시간과 함께, 기판 처리의 처리 데이터 D(로그 정보)로서 기억 장치(예를 들면, HDD(508))에 기억한다. 예를 들면, 컴퓨터(500)는, 소스용 전력 센서(81)가 검출한 RF 소스 진행파(83) 및 RF 소스 반사파(84), 바이어스용 전력 센서(82)가 검출한 RF 바이어스 진행파(85) 및 RF 바이어스 반사파(86)의 각 파라미터를 기억한다.The computer 500 receives the parameters measured by each sensor 8 during the substrate processing of the FPD manufacturing device 1, and together with the time measured in the computer 500, the processing data D ( Log information) is stored in a storage device (e.g., HDD 508). For example, the computer 500 detects the RF source traveling wave 83 and the RF source reflected wave 84 detected by the source power sensor 81, and the RF bias traveling wave 85 detected by the bias power sensor 82. and each parameter of the RF bias reflected wave 86 is stored.

도 4는, 고주파 전력(RF 소스 진행파(83), RF 소스 반사파(84), RF 바이어스 진행파(85), RF 바이어스 반사파(86))의 파라미터의 시간 변화를 예시하는 그래프이다. 도 4에 있어서, 횡축은 시간이며, 종축은 고주파 전력이다.4 is a graph illustrating time changes in parameters of high frequency power (RF source traveling wave 83, RF source reflected wave 84, RF bias traveling wave 85, RF bias reflected wave 86). In Figure 4, the horizontal axis is time, and the vertical axis is high frequency power.

예를 들면 도 4에 나타내는 RF 바이어스 진행파(85)는, 기판 처리에 있어서 거의 제로 상태로부터 급격하게 상승한 후, 설정된 전력치(규정치)로 일정하게 된다. 또한, RF 바이어스 진행파(85)는, 소정의 시간이 경과한 후에, 전력치의 하강이 생겨 일단 낮은 전력(규정치)으로 일정하게 된다. 이 낮은 전력으로 소정의 시간이 경과한 후에, RF 바이어스 진행파(85)는, 전력치의 하강이 생겨 거의 제로가 된다.For example, the RF bias traveling wave 85 shown in FIG. 4 rises rapidly from an almost zero state during substrate processing and then becomes constant at the set power value (standard value). Additionally, the power value of the RF bias traveling wave 85 decreases after a predetermined period of time elapses and becomes constant at a low power (standard value). After a predetermined period of time elapses at this low power, the power value of the RF bias traveling wave 85 decreases and becomes almost zero.

한편, RF 바이어스 반사파(86)는, 고주파 전원(19)의 고주파 전력의 공급 시에 있어서의 임피던스의 부정합에 의해 생기기 때문에, RF 바이어스 진행파(85)의 변화에 연동한 파형을 그린다. 구체적으로는, RF 바이어스 반사파(86)는, RF 바이어스 진행파(85)의 상승에 있어서 진폭을 반복하고, RF 바이어스 진행파(85)가 규정치로 안정화하면, 거의 제로에 돌아온다. 또, RF 바이어스 반사파(86)는, RF 바이어스 진행파(85)의 하강에 있어서 다시 진폭을 반복하여, 제로에 돌아온다.On the other hand, since the RF bias reflected wave 86 is generated by impedance mismatch when supplying high frequency power from the high frequency power source 19, a waveform linked to the change in the RF bias traveling wave 85 is drawn. Specifically, the RF bias reflected wave 86 repeats its amplitude as the RF bias traveling wave 85 rises, and returns to almost zero when the RF bias traveling wave 85 stabilizes to a specified value. Additionally, the RF bias reflected wave 86 repeats its amplitude again during the fall of the RF bias traveling wave 85 and returns to zero.

또한, RF 소스 진행파(83)는, RF 바이어스 반사파(86)의 하강 후에 있어서 급격하게 상승하고, RF 바이어스 진행파보다 큰 전력치(규정치)로 안정화한다. 그리고, RF 소스 진행파(83)는, 규정치 그대로 소정 기간이 경과한 후에 급격하게 하강한다.Additionally, the RF source traveling wave 83 rises rapidly after the RF bias reflected wave 86 falls, and stabilizes at a power value (standard value) greater than that of the RF bias traveling wave. Then, the RF source traveling wave 83 drops rapidly after a predetermined period of time remains at the specified value.

한편, RF 소스 반사파(84)는, 고주파 전원(73)의 고주파 전력의 공급 시에 있어서의 임피던스의 부정합에 의해 생기기 때문에, RF 소스 진행파(83)의 변화에 연동한 파형을 그린다. 즉, RF 소스 반사파(84)는, RF 소스 진행파의 상승이나 하강으로 진폭을 반복하는 파형을 나타내고 있다.On the other hand, since the RF source reflected wave 84 is generated by impedance mismatch when supplying high frequency power from the high frequency power source 73, a waveform linked to the change in the RF source traveling wave 83 is drawn. That is, the RF source reflected wave 84 represents a waveform whose amplitude repeats as the RF source traveling wave rises or falls.

＜센서(8)의 측정치의 감시＞＜Monitoring the measured values of sensor (8)＞

그리고, 정보 처리 시스템(100)은, 기판 처리 시의 각 센서(8)가 측정한 측정 결과 및 기판 처리의 기판 상태 등에 근거하여, FPD 제조 장치(1)의 건강 상태를 진단하는 처리 데이터의 해석 방법을 행한다. 특히 본 실시 형태에서는, 복수의 FPD 제조 장치(1)가 접속된 서버(110)가, 각 FPD 제조 장치(1)에 있어서의 각 센서(8)의 파라미터를 수집하여 처리 데이터의 해석 방법을 실시한다. 또한, 처리 데이터의 해석 방법은, FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)에 있어서, FPD 제조 장치(1)마다 실시되어도 좋다.Then, the information processing system 100 analyzes the processing data to diagnose the health state of the FPD manufacturing device 1 based on the measurement results measured by each sensor 8 during substrate processing and the substrate state of the substrate processing. do the way In particular, in this embodiment, the server 110 to which a plurality of FPD manufacturing devices 1 are connected collects the parameters of each sensor 8 in each FPD manufacturing device 1 and performs an analysis method of the processed data. do. Additionally, the method of analyzing the processed data may be performed for each FPD manufacturing device 1 in the device controller 9 of the FPD manufacturing device 1.

도 5는, 처리 데이터 해석 방법을 실시하는 서버(110)의 기능 블록을 나타내는 블럭도이다. 서버(110)의 CPU(506)(도 3 참조)는, 기억 장치에 기억된 프로그램을 연산하는 것으로, 서버(110) 내에, 도 5에 나타내는 바와 같은 기능부를 형성한다. 구체적으로는, 서버(110)의 내부에는, 처리 데이터 취득부(111)와, 기억 영역(112)과, 데이터 해석부(113)가 형성된다.Fig. 5 is a block diagram showing functional blocks of the server 110 that implements the processing data analysis method. The CPU 506 (see FIG. 3) of the server 110 operates the program stored in the storage device, forming a functional unit as shown in FIG. 5 in the server 110. Specifically, a process data acquisition unit 111, a storage area 112, and a data analysis unit 113 are formed inside the server 110.

처리 데이터 취득부(111)는, 네트워크(120)를 통하여 장치 컨트롤러(9)에 기억된 처리 데이터 D를 취득하여, 기억 영역(112)에 기억한다. 처리 데이터 D는, 장치 컨트롤러(9)에 있어서, 각 센서(8)의 파라미터와 시간을 연결한 시계열의 정보로서 계속적으로 축적되어 간다. 기억 영역(112)은, 이 처리 데이터 D를 기억하기 위해, 큰 기억 용량을 가지도록 구성되어 있다. 처리 데이터 취득부(111)는, 복수의 FPD 제조 장치(1)마다에 있어서의 각 센서(8)의 파라미터에 대해 라벨링하여 기억 영역(112) 내에 기억하는 것이 바람직하다. 또한, 서버(110)는, 각 센서(8)의 파라미터를 직접 수신하여, 서버(110) 내에서 시간에 연결한 처리 데이터 D를 형성하여 기억해도 좋다.The process data acquisition unit 111 acquires the process data D stored in the device controller 9 via the network 120 and stores it in the storage area 112. The processing data D is continuously accumulated in the device controller 9 as time series information linking the parameters of each sensor 8 and time. The storage area 112 is configured to have a large storage capacity in order to store this processed data D. The processing data acquisition unit 111 preferably labels the parameters of each sensor 8 in each of the plurality of FPD manufacturing devices 1 and stores them in the storage area 112. Additionally, the server 110 may directly receive the parameters of each sensor 8, form and store processing data D linked to time within the server 110.

데이터 해석부(113)는, 기억 영역(112)에 기억된 처리 데이터 D를 해석하여, FPD 제조 장치(1)의 건강 상태의 진단을 실제로 행하는 기능부이다. 특히, 데이터 해석부(113)는, 처리 데이터 D의 해석 시에, 해당 처리 데이터 D를 복수의 구간으로 분할하는 것으로, 처리의 효율화를 실현하고 있다.The data analysis unit 113 is a functional unit that analyzes the process data D stored in the storage area 112 and actually diagnoses the health state of the FPD manufacturing device 1. In particular, the data analysis unit 113 realizes processing efficiency by dividing the processed data D into a plurality of sections when analyzing the processed data D.

즉, 개개의 FPD 제조 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 기간 전체에서는, 각 센서(8)가 측정하는 파라미터가 방대한 양이 된다. 만일, 기판 처리에서 기판 G에 불량이 생기고 있었던 경우에, 기판 처리의 기간 전체에 있어서의 각 센서(8)의 파라미터를 모두 확인하여, 불량의 요인을 탐색하려고 하면, 다대한 시간(공수)이 걸리게 된다. 따라서, 처리 데이터 D의 해석 방법에서는, 처리 데이터 D를 분할하는 소정의 룰을 레시피에 있어서 설정해 두고, 처리 데이터 D의 구간의 분할, 및 분할한 복수의 구간 중 특정의 구간(관심 구간)의 처리 데이터 D의 추출을 행한다. 이것에 의해, 서버(110)는, 확인하는 파라미터의 수를 짜는 것이 가능해지고, 해석에 걸리는 시간을 짧게 할 수가 있다.In other words, during the entire period of substrate processing in each FPD manufacturing device 1, the parameters measured by each sensor 8 become enormous. If a defect occurs in substrate G during substrate processing, checking all the parameters of each sensor 8 during the entire substrate processing period and trying to find the cause of the defect would take a lot of time (man-hours). It gets caught. Therefore, in the analysis method of the processed data D, a predetermined rule for dividing the processed data D is set in the recipe, division of the sections of the processed data D, and processing of a specific section (section of interest) among the plurality of divided sections are performed. Data D is extracted. This makes it possible for the server 110 to narrow down the number of parameters to be checked and shorten the time required for analysis.

구체적으로는, 데이터 해석부(113)는, 구간 설정부(114) 및 진단부(115)를 내부에 구비한다. 구간 설정부(114)는, 처리 데이터 D의 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하여, 분할한 구간의 처리 데이터 D를 추출 가능으로 하는 기능을 가진다.Specifically, the data analysis unit 113 includes a section setting unit 114 and a diagnosis unit 115 therein. The section setting unit 114 has a function of dividing the time series of the processing data D into a plurality of sections and extracting the processing data D of the divided sections.

처리 데이터 D의 분할은, 레시피에 있어서 설정된 이하의 (A)~(C)의 분할의 룰에 따라, 복수의 구간을 설정하고, 소정의 구간의 처리 데이터 D(복수의 센서(8)의 파라미터)를 취출 가능하게 한다.The processing data D is divided into a plurality of sections according to the following division rules (A) to (C) set in the recipe, and the processing data D (parameters of the plurality of sensors 8) in a predetermined section are divided. ) makes it possible to extract.

(A) 제1조건으로서, 임의의 센서의 처리 데이터 D의 값에 대해, 미리 정한 규정치에 대해 크거나, 작거나 또는 같은 등의 변화가 생긴 시점을 특정한다.(A) As the first condition, the point in time when a change such as greater, smaller, or equal to a predetermined specified value occurs in the value of the processed data D of an arbitrary sensor is specified.

(B) 구간 조건(제2조건)으로서, 제1조건을 조합하여, 구간의 개시 시점과 구간의 종료 시점을 각각 특정하고, 복수의 구간을 정의한다.(B) As a section condition (second condition), the first condition is combined to specify the start time and end time of the section, respectively, and define a plurality of sections.

(C) 구간의 개시 시점, 구간의 종료 시점을 만족시키는 범위의 처리 데이터 D를 추출한다.(C) Extract processed data D in a range that satisfies the start time of the section and the end time of the section.

상기의 룰에 근거하여, 구간의 구분을 행하기 위해, 구간 설정부(114)의 내부에는, 자동 분할 설정부(114a) 및 유저 분할 설정부(114b)가 형성되어 있다. 자동 분할 설정부(114a)는, 처리 데이터 D의 분할하는 구간을 자동적으로 설정하는 기능부이다. 유저 분할 설정부(114b)는, 입력 장치(501) 및 출력 장치(502)(도 3 참조)를 통하여, 유저에 의해 처리 데이터 D의 분할하는 구간을 설정하게 하는 기능부이다.In order to classify sections based on the above rules, an automatic division setting section 114a and a user division setting section 114b are formed inside the section setting section 114. The automatic division setting unit 114a is a functional unit that automatically sets the section into which the processed data D is divided. The user division setting unit 114b is a functional unit that allows the user to set the section into which the processed data D is divided through the input device 501 and the output device 502 (see FIG. 3).

자동 분할 설정부(114a)는, 처리 데이터의 해석을 개시하는 트리거 조건을 수신하면, 기억 장치로부터 판독한 레시피의 룰에 근거하여, 처리 데이터 D의 복수의 구간을 자동적으로 설정해 나간다. 트리거 조건으로서는, 예를 들면, FPD 제조 장치(1)로부터 해석을 실시하는 코드를 수신한다, 또는 입력 장치(501)를 통하여 유저에 의한 해석의 실시의 지령을 수신하는 등을 들 수 있다. 일례로서, FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)는, 자기 진단에 의한 이변을 인식한 경우에 해석을 요구하면 좋다. 또 유저는, 기판 처리 후의 기판 G에 불량이 발생하고 있었던 경우에 해석을 행하면 좋다. 혹은, 트리거 조건은, 소정의 감시 기간이 경과한 타이밍이나 소정 횟수의 기판 처리를 실시한 타이밍 등이어도 좋다.When the automatic division setting unit 114a receives a trigger condition for starting analysis of the process data, it automatically sets a plurality of sections of the process data D based on the rules of the recipe read from the storage device. Trigger conditions include, for example, receiving a code for performing analysis from the FPD manufacturing device 1, or receiving an instruction for performing analysis by the user through the input device 501. As an example, the device controller 9 of the FPD manufacturing device 1 may request analysis when an abnormality is recognized through self-diagnosis. Additionally, the user may perform analysis in the case where a defect occurs in the substrate G after substrate processing. Alternatively, the trigger condition may be the timing at which a predetermined monitoring period has elapsed or the timing at which a predetermined number of substrate processes have been performed.

이하, 처리 데이터 D로서, 고주파 전력(RF 소스 진행파(83), RF 소스 반사파(84), RF 바이어스 진행파(85) 및 RF 바이어스 반사파(86))에 있어서의 구간의 설정 순서에 대해, 도 6의 처리 흐름을 참조하면서 상술해 나간다. 도 6은, 처리 데이터 D의 구간 분할 처리를 나타내는 흐름도이다.Hereinafter, as processing data D, the setting order of sections in high frequency power (RF source traveling wave 83, RF source reflected wave 84, RF bias traveling wave 85, and RF bias reflected wave 86) is shown in FIG. 6. This will be explained in detail with reference to the processing flow. Fig. 6 is a flowchart showing section division processing of processed data D.

자동 분할 설정부(114a)는, 구간 분할 처리에 있어서, 우선 RF 소스 진행파(83)의 전력치 또는 RF 바이어스 진행파(85)의 전력치가, 소정의 값 이상 변화하는(커지거나 또는 작아지는) 시점을 특정한다(스텝 S11). 이 처리는, 상기한 (A)의 분할의 룰에 들어맞는다. 처리 데이터 D의 변화를 파악하기 위한 「소정의 값」은, 미리 정해진 수치 폭으로서, 각 센서(8)의 특성에 따라 결정되는 것이 바람직하고, 예를 들면, 각 센서(8)에 생기는 노이즈를 제외할 수 있는 노이즈 이상의 값이다.In section division processing, the automatic division setting unit 114a first sets the point at which the power value of the RF source traveling wave 83 or the power value of the RF bias traveling wave 85 changes (increases or decreases) more than a predetermined value. is specified (step S11). This processing conforms to the division rule of (A) described above. The “predetermined value” for detecting changes in the processed data D is a predetermined numerical range, and is preferably determined according to the characteristics of each sensor 8. For example, the noise generated in each sensor 8 is preferably determined. It is a value beyond noise that can be excluded.

다음에, 자동 분할 설정부(114a)는, 스텝 S11에서 특정한 시점에 대해, 고주파 전력의 전력치가 제로(규정치)로부터 천이했는지 여부를 판정한다(스텝 S12). 그리고, 전력치가 제로로부터 천이한 경우(스텝 S12：YES)에는, 스텝 S13으로 진행하고, 전력치가 제로 이외로부터 천이한 경우(스텝 S12：NO)에는, 스텝 S17로 진행한다.Next, the automatic division setting unit 114a determines whether the power value of the high-frequency power has transitioned from zero (standard value) at the time specified in step S11 (step S12). Then, when the power value transitions from zero (step S12: YES), the process proceeds to step S13, and when the power value transitions from a place other than zero (step S12: NO), the process proceeds to step S17.

스텝 S13에 있어서, 자동 분할 설정부(114a)는, 전력치의 제로로부터의 변화의 개시를 구간의 개시 시점으로 설정한다. 이 처리는, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 적의의 파라미터(RF 소스 진행파(83), RF 바이어스 진행파(85))의 전력치가 제로로부터 상승한 시점을, 1개의 구간, 즉, 제로로부터 변화하여 파라미터가 불안정한 상태의 구간에 포함시키는 것이 가능해진다.In step S13, the automatic division setting unit 114a sets the start of the change from zero in the power value as the start point of the section. This processing conforms to the division rule of (B) described above. As a result, the automatic division setting unit 114a changes the point at which the power value of the hostile parameter (RF source traveling wave 83, RF bias traveling wave 85) rises from zero by one section, that is, from zero. It becomes possible to include parameters in sections where they are unstable.

스텝 S13 후, 자동 분할 설정부(114a)는, RF 소스 진행파(83) 또는 RF 바이어스 진행파(85)의 중 어느 하나가 규정치가 되고, 또한 RF 소스 반사파(84) 또는 RF 바이어스 반사파(86)가 제로가 되는 시점을 종료 시점으로 설정한다(스텝 S14). 이 처리도, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 이 스텝에 있어서의 「규정치」는, 고주파 전원(19)이 처리 용기(10)에 출력하는 RF 소스용의 전력에 따른 것, 또는 고주파 전원(73)이 출력하는 RF 바이어스용의 전력에 따른 것으로, 따라서 레시피에 기술된 값으로부터 산출할 수 있다. 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 적의의 파라미터의 전력치가 변화하고 나서 규정치로 안정화하는 시점까지의 전력치의 변화 범위를, 전술의, 제로로부터 변화하여 파라미터가 불안정한 상태의 구간에 포함시킬 수가 있다.After step S13, the automatic division setting unit 114a sets either the RF source traveling wave 83 or the RF bias traveling wave 85 to a specified value, and also sets the RF source reflected wave 84 or the RF bias reflected wave 86 to a specified value. The point in time when it becomes zero is set as the end point (step S14). This processing also conforms to the division rule of (B) described above. The “standard value” in this step is based on the RF source power output by the high-frequency power source 19 to the processing container 10, or the RF bias power output by the high-frequency power source 73. , Therefore, it can be calculated from the value described in the recipe. As a result, the automatic division setting unit 114a includes the range of change in the power value from the change in the power value of the hostile parameter until it stabilizes at the specified value in the above-mentioned section in which the parameter changes from zero and is in an unstable state. I can do it.

또한, 자동 분할 설정부(114a)는, 스텝 S14와 동일 시점을 다음의 구간의 개시 시점으로 설정한다(스텝 S15). 이 처리도, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 다음의 구간의 개시 시점을 간단하게 설정할 수 있다.Additionally, the automatic division setting unit 114a sets the same time point as step S14 as the start time point of the next section (step S15). This processing also conforms to the division rule of (B) described above. By this, the automatic division setting unit 114a can easily set the start time of the next section.

스텝 S15 후, 자동 분할 설정부(114a)는, 규정치에 있는 RF 소스 진행파(83) 또는 RF 바이어스 진행파(85)가 변화하는 시점을 종료 시점으로 설정한다(스텝 S16). 이 처리도, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 적의의 파라미터의 전력치가 규정치로 안정화하고 나서 변화하는 시점까지의 전력치의 범위를, 파라미터가 안정된 상태의 구간에 포함시킬 수가 있다.After step S15, the automatic division setting unit 114a sets the point at which the RF source traveling wave 83 or the RF bias traveling wave 85 at the specified value changes as the end point (step S16). This processing also conforms to the division rule of (B) described above. As a result, the automatic division setting unit 114a can include the range of the power value of the desired parameter from when it stabilizes to the specified value to the point at which it changes in the section in which the parameter is in a stable state.

한편, 전력치가 제로 이외로부터 천이한 경우, 자동 분할 설정부(114a)는, 그 제로 이외의 변화 위치의 개시를 구간의 개시 시점으로 설정한다(스텝 S17). 이 처리도, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 전력치가 제로 이외로부터 천이한 경우, RF 소스 반사파(84) 또는 RF 바이어스 반사파(86)는, 대부분 변화하지 않고 제로 상태를 계속한다. 이 때문에, 자동 분할 설정부(114a)는, RF 소스 진행파(83) 또는 RF 바이어스 진행파(85)를 감시하고 있으면, 각 진행파의 변화 시점을 파악할 수가 있다.On the other hand, when the power value transitions from a point other than zero, the automatic division setting unit 114a sets the start of the change position other than zero as the start point of the section (step S17). This processing also conforms to the division rule of (B) described above. When the power value transitions from a value other than zero, the RF source reflected wave 84 or the RF bias reflected wave 86 does not change in most cases and continues in the zero state. For this reason, if the automatic division setting unit 114a monitors the RF source traveling wave 83 or the RF bias traveling wave 85, it can determine the change point of each traveling wave.

스텝 S17 후, 자동 분할 설정부(114a)는, RF 소스 진행파(83) 또는 RF 바이어스 진행파(85)가 규정치가 되는 시점을 종료 시점으로 설정한다(스텝 S18). 이 처리도, 상기한 (B)의 분할의 룰에 들어맞는다. 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 전력치가 제로 이외로부터 천이한 경우에도, 그 전력치가 규정치가 되는 시점까지의 전력치의 범위를 1개의 구간에 포함시킬 수가 있다.After step S17, the automatic division setting unit 114a sets the point at which the RF source traveling wave 83 or the RF bias traveling wave 85 reaches a specified value as the end point (step S18). This processing also conforms to the division rule of (B) described above. As a result, the automatic division setting unit 114a can include the range of the power value up to the point when the power value becomes the specified value in one section even when the power value transitions from a value other than zero.

그리고, 자동 분할 설정부(114a)는, 스텝 S18 후, 스텝 S16의 종료와 마찬가지로 스텝 S19로 진행한다. 스텝 S16 또는 S18 후, 자동 분할 설정부(114a)는, 처리 데이터 D의 구간의 설정에 대해, 기판 처리의 전체 기간에 걸쳐서 실시했는지 여부를 판정한다(스텝 S19). 그리고, 기판 처리의 전체 기간에 걸쳐서 실시하고 있지 않는 경우(스텝 S19：NO)에는, 스텝 S12으로 돌아와 이하 동일한 처리 흐름을 반복한다. 한편, 기판 처리의 전체 기간에 걸쳐서 실시한 경우(스텝 S19：YES)에는, 스텝 S20으로 진행한다.Then, the automatic division setting unit 114a proceeds to step S19 after step S18, similarly to the end of step S16. After step S16 or S18, the automatic division setting unit 114a determines whether the setting of the section of the processing data D was performed over the entire period of substrate processing (step S19). If the substrate processing is not performed throughout the entire period (step S19: NO), the process returns to step S12 and the same processing flow is repeated. On the other hand, in the case where the substrate processing is carried out over the entire period (step S19: YES), the process proceeds to step S20.

스텝 S20에 있어서, 자동 분할 설정부(114a)는, 스텝 S12~S18의 스텝을 반복하여 설정한 복수의 구간에 있어서, 처리 데이터 D를 추출하는 특정의 구간(관심 구간)을 선택한다. 이 처리는, 상기한 (C)의 분할의 룰에 들어맞는다. 관심 구간은, 기판 처리의 내용 및 기판 G 상태 등에 따라, 자동적으로 또는 유저의 사전의 선택에 의해 설정할 수가 있다.In step S20, the automatic division setting unit 114a selects a specific section (section of interest) from which to extract the processed data D from a plurality of sections set by repeating steps S12 to S18. This processing conforms to the division rule of (C) described above. The section of interest can be set automatically or by prior selection by the user, depending on the content of the substrate processing, the state of the substrate G, etc.

예를 들면, 기판 G의 대략 전면에 기판 처리의 불량이 생기고 있는 경우, 기판 처리에 있어서 고주파 전력의 공급이 목표보다 낮은 것이이 상정되기 때문에, 자동 분할 설정부(114a)는, 전력치가 규정치로 안정된 상태가 되는 구간을 관심 구간으로서 특정한다. 또 예를 들면, 전압의 상승 시나 하강 시의 이상 코드 등을 FPD 제조 장치(1)로부터 수신하는 것에 근거하여, 자동 분할 설정부(114a)는, 전력치의 상승 시나 하강 시의 불안정한 상태를 관심 구간으로서 특정해도 좋다.For example, when a defect in substrate processing occurs on approximately the entire surface of the substrate G, it is assumed that the supply of high-frequency power in substrate processing is lower than the target, so the automatic division setting unit 114a sets the power value to a stable level at the specified value. The section in the state is specified as the section of interest. Also, for example, based on receiving an error code, etc. when the voltage rises or falls, the automatic division setting unit 114a sets the unstable state when the power value rises or falls into a section of interest. You can specify it as:

그리고, 자동 분할 설정부(114a)는, 스텝 S20에서 특정한 관심 구간에 있어서의 각 센서(8)의 파라미터를 추출한다(스텝 S21). 이것에 의해, 자동 분할 설정부(114a)는, 자동적으로 분할한 구간에서 또한 관심 구간에 있어서의 처리 데이터 D만을 제공하는 것으로, 이후의 진단부(115)에 있어서의 처리를 효율화할 수가 있다.Then, the automatic division setting unit 114a extracts the parameters of each sensor 8 in the specific section of interest in step S20 (step S21). As a result, the automatic division setting unit 114a can streamline the subsequent processing in the diagnosis unit 115 by providing only the processing data D for the automatically divided section and the section of interest.

다음에, 상기한 구간 분할 처리에 의해 분할한 고주파 전력의 일례에 대해, 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7은, 고주파 전력의 파라미터를 복수의 구간으로 분할한 예를 나타내는 그래프이다.Next, an example of high-frequency power divided by the section division process described above will be described using FIG. 7. Figure 7 is a graph showing an example of dividing the parameters of high frequency power into a plurality of sections.

고주파 전력의 각 파라미터는, 구간 분할 처리에 의해, 구간 A~구간 G로 분할된 상태가 된다. 여기서, 구간 A는, 시점 t1이 개시 시점이고, 시점 t2가 종료 시점이다. 시점 t1은, RF 바이어스 진행파(85)가 제로로부터 급격하게 상승한 개시 시점에 해당하고, 도 6의 스텝 S13에 있어서 특정된다. 시점 t2는, RF 바이어스 진행파(85)가 소정의 규정치가 되고, 또한 RF 바이어스 반사파(86)가 제로가 된 종료 시점에 해당하고, 도 6의 스텝 S14에 있어서 특정된다.Each parameter of high-frequency power is divided into sections A through G through section division processing. Here, in section A, time t1 is the start time, and time t2 is the end time. The time point t1 corresponds to the start point when the RF bias traveling wave 85 rises rapidly from zero, and is specified in step S13 in FIG. 6. The time point t2 corresponds to the end point when the RF bias traveling wave 85 reaches a predetermined specified value and the RF bias reflected wave 86 becomes zero, and is specified in step S14 of FIG. 6 .

또, 구간 B는, 시점 t2가 개시 시점이고, 시점 t3이 종료 시점이다. 구간 B의 개시점으로서의 시점 t2는, 도 6의 스텝 S15에 있어서 특정된다. 시점 t3은, RF 바이어스 진행파(85)가 하강한 종료 시점에 해당하고, 도 6의 스텝 S16에 있어서 특정된다.Additionally, in section B, time t2 is the start time, and time t3 is the end time. The time point t2 as the starting point of section B is specified in step S15 of FIG. 6. The time point t3 corresponds to the end point when the RF bias traveling wave 85 falls, and is specified in step S16 of FIG. 6.

구간 C는, 시점 t3이 개시 시점이고, 시점 t4가 종료 시점이다. 구간 C의 개시점으로서의 시점 t3은, 도 6의 스텝 S17에 있어서 특정된다. 시점 t4는, 도 6의 스텝 S18에 있어서 특정된다.In section C, time t3 is the start time, and time t4 is the end time. The time point t3 as the starting point of section C is specified in step S17 of FIG. 6. The time point t4 is specified in step S18 in FIG. 6.

구간 D는, 시점 t4가 개시 시점이고, 시점 t5가 종료 시점이다. 구간 D의 개시점으로서의 시점 t4는, 도 6의 스텝 S16에 있어서 특정된다. 시점 t5는, 도 6의 스텝 S17에 있어서 특정된다.In section D, time t4 is the start time, and time t5 is the end time. The time point t4 as the starting point of section D is specified in step S16 of FIG. 6. The time point t5 is specified in step S17 in FIG. 6.

또, RF 소스 진행파에 대해서도 마찬가지로 구간을 분할할 수가 있다. 즉, 구간 E는, RF 소스 진행파(83)의 상승 시의 변화 범위를 파악한 구간이고, 시점 t6이 개시 시점, 시점 t7이 종료 시점이다. 구간 F는, RF 소스 진행파(83)의 규정치로 안정화한 안정 범위를 파악한 구간이고, 시점 t7이 개시 시점, 시점 t8이 종료 시점이다. 구간 G는, RF 소스 진행파(83)의 하강 시의 변화 범위를 파악한 구간이며, 시점 t8이 개시 시점, 시점 t9가 종료 시점이다.Additionally, sections can be similarly divided for the RF source traveling wave. That is, section E is a section in which the range of change during the rise of the RF source traveling wave 83 is identified, and time t6 is the start time and time t7 is the end time. Section F is a section in which the stable range stabilized at the specified value of the RF source traveling wave 83 is identified, and time t7 is the start time and time t8 is the end time. Section G is a section in which the range of change during the descent of the RF source traveling wave 83 is determined, and time t8 is the start time and time t9 is the end time.

이와 같이, 자동 분할 설정부(114a)는, 상기의 구간 분할 처리의 처리 흐름을 행하는 것으로, 기판 처리에 있어서의 각 파라미터에 대해, 안정된 상태의 구간, 불안정한 상태의 구간으로 스무스하게 분할할 수가 있다. 또, 자동 분할 설정부(114a)는, 다른 센서(8)의 처리 데이터 D에 대해서도, 동일한 구간 분할 처리에 의해, 변화 범위 및 안정 범위의 구간으로 분할할 수 있는 것은 물론이다.In this way, the automatic division setting unit 114a can smoothly divide each parameter in the substrate processing into a section in a stable state and a section in an unstable state by performing the processing flow of the section division process described above. . In addition, it goes without saying that the automatic division setting unit 114a can divide the processed data D of other sensors 8 into sections of the change range and stable range by the same section division process.

도 5로 돌아와, 데이터 해석부(113)의 진단부(115)는, 구간 설정부(114)에 있어서 추출된 관심 구간의 처리 데이터 D에 근거하여, 각각의 관심 구간에 대한 건강 상태를 연산하여, 각 FPD 제조 장치(1)의 건강 상태를 진단한다. 장치의 「건강 상태」란, 예를 들면, 장치의 정상인 상태에 있어서의 기준치에 대해서 처리 데이터 D의 각 파라미터가 어느 정도 어긋나 있는지를, 건강치(건강 상태를 나타내는 지표)로서 수치화한 것, 또는 건강치에 근거하여 정상 또는 이상을 판정한 것이다. 이때의 「기준치」는, 실험 또는 시뮬레이션 등을 행하는 것으로 장치의 출하 시에 미리 설정하거나, 혹은 장치의 운용 시에, 정상으로 하는 특정 수의 처리 데이터 D의 파라미터를 교사 데이터로 하여 학습하는 것에 의해 적절한 값으로 설정할 수 있다.Returning to FIG. 5, the diagnosis unit 115 of the data analysis unit 113 calculates the health status for each interest section based on the processed data D of the interest section extracted by the section setting unit 114. , the health status of each FPD manufacturing device (1) is diagnosed. The “health state” of the device is, for example, the degree to which each parameter of the processed data D deviates from the reference value in the normal state of the device, quantified as a health value (an indicator of the health state), or It is judged as normal or abnormal based on health values. The “standard value” at this time is set in advance at the time of shipment of the device by performing an experiment or simulation, etc., or is learned by using the parameters of a certain number of normally processed data D as teacher data when operating the device. It can be set to an appropriate value.

이 때문에, 진단부(115)는, 건강치 산출부(115a) 및 이상 판정부(115b)를 내부에 구비한다. 예를 들면, 건강치 산출부(115a)는, 구간 설정부(114)에 의한 관심 구간의 처리 데이터 D에 근거하여, 건강치를 산출하기 때문에, 도 8에 나타내는 바와 같은 건강치 산출 처리를 실시한다. 도 8은, 건강치 산출 처리를 나타내는 흐름도이다.For this reason, the diagnosis unit 115 is provided with a health value calculation unit 115a and an abnormality determination unit 115b therein. For example, the health value calculation unit 115a calculates the health value based on the processed data D of the section of interest by the section setting unit 114, and therefore performs the health value calculation process as shown in FIG. 8. . Figure 8 is a flowchart showing the health value calculation process.

건강치 산출 처리에 있어서, 건강치 산출부(115a)는, 구간 설정부(114)가 선택한 관심 구간의 처리 데이터 D를 취득한다(스텝 S31). 이때, 건강치 산출부(115a)는, 관심 구간의 처리 데이터 D에 있어서의 모든 파라미터를 취득해도 좋고, 이상의 가능성에 근거하는 특정의 파라미터를 추출해도 좋다. 예를 들면, FPD 제조 장치(1)의 전력 계통의 건강 상태에 이상이 있다고 추정되는 경우에, 건강치 산출부(115a)는, 전력 계통에 관계되는 처리 데이터 D의 파라미터를 취득한다.In the health value calculation process, the health value calculation unit 115a acquires processing data D for the section of interest selected by the section setting unit 114 (step S31). At this time, the health value calculation unit 115a may acquire all parameters in the processed data D of the section of interest, or may extract specific parameters based on the above possibilities. For example, when it is estimated that there is an abnormality in the health state of the power system of the FPD manufacturing device 1, the health value calculation unit 115a acquires the parameters of the processing data D related to the power system.

또한, 건강치 산출부(115a)는, 취득한 관심 구간의 센서(8)마다의 파라미터에 대해 각각을 표준화하여, 건강치를 각각 산출한다(스텝 S32). 이 건강치의 산출에서는, 예를 들면 이하의 식 (1)을 이용하여, 표준화에 의한 처리 데이터 D의 각 파라미터의 특징량 V를 적용한다.Additionally, the health value calculation unit 115a standardizes the parameters for each sensor 8 in the acquired section of interest and calculates each health value (step S32). In calculating this health value, the characteristic quantity V of each parameter of the data D processed by standardization is applied, for example, using the following equation (1).

V=(Da－X)/Y …(1)V=(Da－X)/Y... (One)

여기서, 식 (1)의 Da는, 표준화 전의 처리 데이터 D의 파라미터이다. X는, 정상인 FPD 제조 장치(1)에 있어서의 특징량의 전체 샘플의 평균이다. Y는, 정상인 FPD 제조 장치(1)에 있어서의 특징량의 전체 샘플의 분산치(또는 표준 편차)이다.Here, Da in equation (1) is a parameter of the processed data D before normalization. X is the average of all samples of characteristic quantities in the normal FPD manufacturing apparatus 1. Y is the dispersion value (or standard deviation) of all samples of characteristic quantities in the normal FPD manufacturing apparatus 1.

상기의 식 (1)로 산출된 처리 데이터 D의 특징량 V는, 장치가 정상인 상태로부터의 벗어나는 상태를 나타내는 건강 상태를 수치화한 지표, 즉 건강치에 상당한다. 따라서, 이 건강치가 클수록, 장치가 정상적인 상태로부터 멀어진 값이 되고, 반대로 이 값이 작을수록, 그 장치가 정상인 상태에 가까운 것으로 간주할 수가 있다. 그 때문에, 건강치 산출부(115a)는, 스텝 S32에 있어서 관심 구간의 처리 데이터 D의 각 파라미터에 관해서, 모든 특징량 V를 산출하여 기억 장치에 기억한다. 이상의 건강치 산출 처리에 의해, 진단부(115)는, 센서(8)마다의 관심 구간의 건강치(특징량 V)를 얻을 수 있다.The characteristic quantity V of the processed data D calculated by the above equation (1) corresponds to a quantifiable index of the health state indicating a state in which the device deviates from the normal state, that is, a health value. Therefore, the larger this health value, the further away the device is from a normal state, and conversely, the smaller this value, the closer the device can be considered to a normal state. Therefore, in step S32, the health value calculation unit 115a calculates all feature quantities V for each parameter of the processing data D of the section of interest and stores them in the storage device. Through the above health value calculation processing, the diagnosis unit 115 can obtain the health value (feature quantity V) of the section of interest for each sensor 8.

또한, 진단부(115)의 이상 판정부(115b)는, 관심 구간의 센서(8)마다의 건강치를 이용하여, FPD 제조 장치(1)의 정상 또는 이상을 판정한다. 예를 들면, 이상 판정부(115b)는, 센서(8)마다의 관심 구간의 건강치와, 미리 설정되어 있는 센서(8)마다의 건강치의 허용 범위를 비교한다. 그리고, 이상 판정부(115b)는, 건강치가 허용 범위 내이면 그 FPD 제조 장치(1)에 이상이 없는 것을 판정하는 한편, 건강치가 허용 범위 외인 경우에 그 FPD 제조 장치(1)에 이상이 생기고 있는 것을 판정한다.Additionally, the abnormality determination unit 115b of the diagnosis unit 115 determines whether the FPD manufacturing device 1 is normal or abnormal using the health value of each sensor 8 in the section of interest. For example, the abnormality determination unit 115b compares the health value of the section of interest for each sensor 8 with a preset allowable range of the health value for each sensor 8. Then, the abnormality determination unit 115b determines that there is no abnormality in the FPD manufacturing device 1 if the health value is within the allowable range, while if the health value is outside the allowable range, an abnormality occurs in the FPD manufacturing device 1. Determine what exists.

또 건강치가 허용 범위를 벗어나고 있는 경우, 이상 판정부(115b)는, 그 센서(8)를 특정하는 것으로, 장치의 어느 부분에 이상이 생기고 있는지를 특정한다. 예를 들면, RF 바이어스 진행파(85)의 관심 구간에 있어서 산출된 건강치가 허용 범위를 벗어나고 있는 경우에, 이상 판정부(115b)는, RF 바이어스 진행파(85)에 관련되는 구성(급전 부재(70), 급전선(71), 정합기(72), 고주파 전원(73) 등)의 이상을 특정한다. 그리고, 진단부(115)는, 특정한 이상에 대해 출력 장치(502)를 통하여 유저에게 통지를 행하는 것으로, 유저에게 필요한 대처를 촉구할 수가 있다.Additionally, when the health value is outside the allowable range, the abnormality determination unit 115b specifies the sensor 8 to determine which part of the device is abnormal. For example, when the calculated health value in the section of interest of the RF bias traveling wave 85 is outside the allowable range, the abnormality determination unit 115b determines the configuration related to the RF bias traveling wave 85 (power supply member 70 ), feeder line 71, matcher 72, high frequency power source 73, etc.). And the diagnosis unit 115 can notify the user of a specific abnormality through the output device 502, thereby urging the user to take necessary action.

또한, 진단부(115)는, 건강치와 허용 범위를 비교하여 장치의 정상 또는 이상을 판정하는 구성으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 진단부(115)는, FPD 제조 장치(1)의 건강 상태로서 건강치를 그대로 출력 장치(502)에 표시해도 좋다. 이 건강 상태의 표시에 있어서, 건강치를 유저가 인식하기 쉬운 표시 정보(예를 들면, 정상, 경계, 요 메인트넌스 등의 화상 정보)에 적용시켜 통지를 행해도 좋다. 또한, 정보 처리 시스템(100)은, 이상을 판정한 FPD 제조 장치(1)를 가동 정지하거나, 기판 처리를 비실시로 하는 등의 대처를 채택해도 좋다.In addition, the diagnostic unit 115 is not limited to a configuration that determines whether the device is normal or abnormal by comparing healthy values and acceptable ranges. For example, the diagnosis unit 115 may display the health value as is on the output device 502 as the health state of the FPD manufacturing device 1. In this display of health status, notification may be made by applying the health value to display information that is easy for the user to recognize (for example, image information such as normal, alert, and essential maintenance). Additionally, the information processing system 100 may adopt countermeasures such as stopping the operation of the FPD manufacturing device 1 that has determined an abnormality or not performing substrate processing.

본 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(100)은, 기본적으로는, 이상과 같이 구성되며, 이하 그 동작(처리 데이터의 해석 방법)에 대해 설명한다.The information processing system 100 according to the present embodiment is basically configured as described above, and its operation (method of analyzing processed data) will be described below.

정보 처리 시스템(100)의 서버(110)는, 각 FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)와 정보 통신을 행하고, 각 FPD 제조 장치(1) 상태(가동의 유무, 기판 G의 유무, 기판 처리의 동작 내용, 처리 시간 등)를 관리하고 있다. 또, 서버(110)는, 각 FPD 제조 장치(1)에 인접하여 설치되는 반송 모듈에 지령을 행하고, 반송 기구에 의해 각 FPD 제조 장치(1)의 처리실 S 내에 기판 G를 반입출하게 한다.The server 110 of the information processing system 100 communicates information with the device controller 9 of each FPD manufacturing device 1, and the status of each FPD manufacturing device 1 (whether or not it is in operation, presence or absence of substrate G, The operation details of substrate processing, processing time, etc.) are managed. Additionally, the server 110 issues a command to the transfer module installed adjacent to each FPD manufacturing device 1 and causes the substrate G to be loaded into and removed from the processing chamber S of each FPD manufacturing device 1 by the transfer mechanism.

각 FPD 제조 장치(1)의 장치 컨트롤러(9)는, 처리 용기(10) 내에 기판 G를 수용한 후, 기판 G에 대해서 기판 처리를 실시한다. 기판 처리 시에, 각 센서(8)가 계속적으로 측정을 행하여 측정치를 장치 컨트롤러(9)에 송신하는 것으로, 장치 컨트롤러(9)는, 각 센서(8)의 측정치에 근거하여 각 구성을 적의 제어한다. 또, 장치 컨트롤러(9)는, 각 센서(8)의 측정치(파라미터)와 시간을 연결한 처리 데이터 D를 기억 장치에 축적해 나간다.The device controller 9 of each FPD manufacturing device 1 accommodates the substrate G in the processing container 10 and then performs substrate processing on the substrate G. During substrate processing, each sensor 8 continuously measures and transmits the measured values to the device controller 9, so that the device controller 9 appropriately controls each configuration based on the measured values of each sensor 8. do. Additionally, the device controller 9 stores processing data D, which links the measured values (parameters) of each sensor 8 and time, in a storage device.

도 9는, 처리 데이터의 해석 방법을 나타내는 흐름도이다. FPD 제조 장치(1)의 기판 처리 후에, 서버(110)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 장치 컨트롤러(9)에 기억되어 있는 처리 데이터 D를 취득하여, 서버(110)의 기억 영역(112)에 기억한다(스텝 S1).Fig. 9 is a flowchart showing a method of analyzing processed data. After substrate processing in the FPD manufacturing device 1, the server 110 acquires the processing data D stored in the device controller 9, as shown in FIG. 9, and stores it in the storage area 112 of the server 110. Remember (step S1).

그리고, 서버(110)는, 처리 데이터 D의 해석을 행하는 트리거 조건이 성립했는지 여부를 판정한다(스텝 S2). 트리거 조건은, 상기한 바와 같이, FPD 제조 장치(1)로부터의 해석의 요구 또는 유저의 조작에 따른 해석의 요구 등을 들 수 있다.Then, the server 110 determines whether the trigger condition for analyzing the processed data D is satisfied (step S2). As described above, trigger conditions include a request for analysis from the FPD manufacturing device 1 or a request for analysis based on user operation.

서버(110)는, 트리거 조건이 성립하고 있지 않은 경우는 대기 상태가 된다. 해석의 필요가 없는 경우에는, 트리거 조건이 성립하는 경우는 없기 때문에, 그대로 처리는 종료가 된다(스텝 S2：NO). 한편, 서버(110)는, 트리거 조건이 성립한 경우(스텝 S2：YES)에, 대상이 되는 FPD 제조 장치(1)의 처리 데이터 D를 해석하는 처리로 이행한다. 대기 상태에 있어서 트리거 조건이 성립한 경우에도 동일하다.The server 110 enters a standby state when the trigger condition is not met. If there is no need for analysis, the trigger condition is not satisfied, so the processing ends as is (step S2: NO). On the other hand, when the trigger condition is satisfied (step S2: YES), the server 110 moves on to processing to analyze the processing data D of the target FPD manufacturing device 1. The same applies when the trigger condition is established in the standby state.

이때, 데이터 해석부(113)는, 기억 영역(112)에 기억된 각 센서(8)의 처리 데이터 D에 대해서 구간 분할 처리의 서브 루틴을 실시한다(스텝 S3). 구간 분할 처리에 있어서, 자동 분할 설정부(114a)는, 상기한 도 6에 나타내는 처리 흐름을 행하는 것으로, 각 센서(8)의 처리 데이터 D에 대해 복수의 구간으로 분할하고, 또한 관심 구간의 처리 데이터 D를 추출한다.At this time, the data analysis unit 113 performs a subroutine of section division processing on the processed data D of each sensor 8 stored in the storage area 112 (step S3). In the section division processing, the automatic division setting unit 114a performs the processing flow shown in FIG. 6 above to divide the processed data D of each sensor 8 into a plurality of sections and further processes the section of interest. Extract data D.

다음에, 진단부(115)는, 스텝 S3에서 추출한 관심 구간의 처리 데이터 D를 사용하여, 센서(8)마다의 관심 구간의 건강치를 산출하는 건강치 산출 처리의 서브 루틴을 실시한다(스텝 S4). 건강치 산출 처리에 있어서, 진단부(115)는, 상기한 도 8에 나타내는 처리 흐름을 행하는 것으로, 건강치를 산출한다.Next, the diagnosis unit 115 performs a subroutine of health value calculation processing to calculate the health value of the section of interest for each sensor 8 using the processing data D of the section of interest extracted in step S3 (step S4 ). In the health value calculation process, the diagnosis unit 115 calculates the health value by performing the processing flow shown in FIG. 8 above.

그리고, 진단부(115)는, 산출한 센서(8)마다의 관심 구간의 건강치와 허용 범위를 비교하여, 건강치가 허용 범위 내에 있는지 여부를 판정한다(스텝 S5). 건강치가 허용 범위 내에 있는 경우(스텝 S5：YES)에는 스텝 S6으로 진행하는 한편, 건강치가 허용 범위를 벗어나고 있는 경우(스텝 S5：NO)에는 스텝 S7로 진행된다.Then, the diagnosis unit 115 compares the calculated health value of the section of interest for each sensor 8 with the tolerance range and determines whether the health value is within the tolerance range (step S5). If the health value is within the allowable range (step S5: YES), the process proceeds to step S6, while if the health value is outside the allowable range (step S5: NO), the process proceeds to step S7.

스텝 S6에 있어서, 데이터 해석부(113)는, 출력 장치(502)를 통하여 처리 데이터 D의 해석을 행한 FPD 제조 장치(1)의 정상을 통지한다. 이때, 데이터 해석부(113)는, 해석을 행한 처리 데이터 D를 표시하거나, 또는 산출한 센서(8)마다의 건강치를 표시하는 등의 처리를 행해도 좋다.In step S6, the data analysis unit 113 notifies the normal state of the FPD manufacturing device 1 that analyzed the processed data D through the output device 502. At this time, the data analysis unit 113 may perform processing such as displaying the analyzed processed data D or displaying the calculated health value for each sensor 8.

한편, 스텝 S7에 있어서, 데이터 해석부(113)는, 출력 장치(502)를 통하여 처리 데이터 D의 해석을 행한 FPD 제조 장치(1)의 이상을 통지한다. 이때, 데이터 해석부(113)는, 센서(8)마다의 처리 데이터 D에 근거하여 특정한 이상의 개소를 표시하거나, 또는 산출한 센서(8)마다의 건강치를 표시하는 등의 처리를 행해도 좋다.Meanwhile, in step S7, the data analysis unit 113 notifies the abnormality of the FPD manufacturing device 1 that analyzed the processed data D through the output device 502. At this time, the data analysis unit 113 may perform processing such as displaying a specific abnormal location based on the processed data D for each sensor 8 or displaying the calculated health value for each sensor 8.

그리고, 스텝 S6 또는 S7의 처리 흐름이 종료하면, 서버(110)는, 이번 처리 데이터 D의 해석 방법을 종료한다.Then, when the processing flow of step S6 or S7 ends, the server 110 ends the analysis method of the current processed data D.

또한, 본 개시에 따른 처리 데이터 D의 해석 방법 및 정보 처리 장치는, 상기로 한정되지 않고, 여러 가지의 변형예를 취할 수 있다. 예를 들면, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 기판 처리 장치의 온도, 압력, 유량 등의 파라미터에 대해서도 상기의 고주파 전력의 해석과 동일하게 해석할 수 있다. 또 예를 들면, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 기판 처리에 있어서의 복수의 스텝에 근거하여, 처리 데이터 D를 먼저 분할하고, 소정의 스텝의 처리 데이터 D에 대해 복수의 구간의 설정과, 건강 상태의 진단을 실시해도 좋다. 이것에 의해 처리 데이터 D의 해석에 걸리는 시간을 한층 짧게 할 수가 있다. 또, 스텝 S1과 스텝 S2의 차례를 교체해도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 해석을 행하는 트리거 조건이 성립한 것을 인풋 조건으로 하여 스텝 S2의 해석 처리를 스타트하고, 처리 데이터 D를 취득하여 기억 영역(112)에 기억하도록 해도 좋다. 그 후, 계속하여 스텝 S3 이후의 처리가 행해지는 것은, 상기와 같다.In addition, the method of analyzing processed data D and the information processing device according to the present disclosure are not limited to the above and can take various modifications. For example, the processing data D can be analyzed in the same way as the above-described high-frequency power analysis for parameters such as temperature, pressure, and flow rate of the substrate processing device. For example, the analysis method of processing data D first divides the processing data D based on a plurality of steps in substrate processing, sets a plurality of sections for the processing data D of a given step, and You may conduct a diagnosis of the condition. This makes it possible to further shorten the time required to analyze the processed data D. Additionally, the order of step S1 and step S2 may be swapped. Specifically, for example, the analysis process in step S2 may be started using the fact that the trigger condition for performing the analysis is established as an input condition, and the processing data D may be acquired and stored in the storage area 112. After that, the processing from step S3 is continued as described above.

처리 데이터 D의 해석 방법은, 처리 데이터 D를 분할한 구간의 시간 길이를 이용하여, 장치의 건강 상태를 진단해도 좋다. 예를 들면, 처리 데이터 D에 있어서 불안정한 상태의 구간의 시간 길이가 기준 시간보다 긴 경우에, 장치에 이상이 생기고 있다고 판정할 수가 있다. 또한, 처리 데이터 D의 해석 방법에 있어서, 분할한 처리 데이터 D로부터 건강치를 산출하는 건강치 산출 처리의 처리 흐름은, 도 8의 예로 한정되지 않고, 여러 가지의 처리 흐름을 채택해도 좋다. 예를 들면, 진단부(115)는, 처리 데이터 D의 각 파라미터와, 거기에 대응하는 기준치의 상관 계수를 산출하고, 산출한 상관 계수를 건강치로 해도 좋다.The analysis method of the processed data D may use the time length of the section into which the processed data D is divided to diagnose the health state of the device. For example, if the time length of the section in an unstable state in the processed data D is longer than the reference time, it can be determined that a problem has occurred in the device. In addition, in the method of analyzing the processed data D, the processing flow of the health value calculation process for calculating the health value from the divided processed data D is not limited to the example in FIG. 8, and various processing flows may be adopted. For example, the diagnosis unit 115 may calculate the correlation coefficient between each parameter of the processed data D and the corresponding reference value, and the calculated correlation coefficient may be considered a health value.

이상의 실시 형태로 설명한 본 개시의 기술적 사상 및 효과에 대해 이하에 기재한다.The technical idea and effects of the present disclosure explained in the above embodiments are described below.

본 발명의 제1태양은, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 가동 시에 취득된 처리 데이터 D의 해석 방법으로서, 처리 데이터 D는, 기판 처리 장치의 복수의 센서(8)의 각각이 측정한 파라미터와, 측정한 시간을 연결한 것이고, 처리 데이터를 취득하여 기억부(HDD(508))에 기억하는 공정과, 기억부로부터 처리 데이터 D를 판독하여, 처리 데이터 D를 측정한 시간에 따른 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과, 분할한 복수의 구간 중 특정의 구간(관심 구간)에 있어서의 처리 데이터 D에 근거하여, 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 갖고, 복수의 구간으로 분할하는 공정에서는, 복수의 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 센서(8)의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정한다.A first aspect of the present invention is a method of analyzing processing data D acquired during operation of a substrate processing apparatus (FPD manufacturing apparatus 1), wherein the processing data D is obtained from each of the plurality of sensors 8 of the substrate processing apparatus. This measured parameter and the measured time are connected, the process of acquiring the process data and storing it in the storage unit (HDD 508), and the time of reading the process data D from the storage unit and measuring the process data D. A step of dividing the time series into a plurality of sections, and a step of diagnosing the health of the substrate processing device based on the processing data D in a specific section (section of interest) among the plurality of divided sections, In the process of dividing into a plurality of sections, the start and end points of the plurality of sections are the time when one or two or more parameters selected from the parameters of the plurality of sensors 8 reach a predetermined specified value or change from the specified value. It is decided depending on the time of action.

상기에 의하면, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 선택된 파라미터가 규정치가 되는 시점 또는 규정치로부터 변화하는 시점에 근거하여 복수의 구간으로 분할하는 것으로, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 건강 상태를 진단하는 처리 데이터 D를 간단하게 한정할 수 있다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 처리 데이터 D의 해석에 필요로 하는 시간을 단축하면서, 처리 데이터 D의 적절한 개소를 안정적으로 해석할 수가 있다. 그 결과, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 기판 처리 장치의 건강 상태를 정밀도 좋게 진단하는 것이 가능해진다.According to the above, the analysis method of the processing data D is to divide the selected parameter into a plurality of sections based on the time when it becomes a specified value or when it changes from the specified value, and the health status of the substrate processing device (FPD manufacturing device 1) The processing data D for diagnosing can be simply defined. Thereby, the analysis method of the process data D can stably analyze appropriate points of the process data D while shortening the time required for analysis of the process data D. As a result, the method of analyzing the processing data D makes it possible to diagnose the health state of the substrate processing device with high precision.

또, 복수의 구간으로 분할하는 공정에 있어서 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터가 변화하는 경우에는, 변화에 따라 불안정한 상태가 되는 파라미터를 포함하는 구간과, 변화 후에 안정된 상태만의 파라미터를 포함하는 구간으로 분할한다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 파라미터가 불안정한 상태의 구간과, 파라미터가 안정된 상태의 구간으로 분할할 수가 있고, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 건강 상태를 목적에 따라 양호하게 진단하는 것이 가능해진다.In addition, in the process of dividing into multiple sections, when one or two or more parameters change, a section includes parameters that become unstable due to change and a section includes parameters that remain stable after the change. Divide. As a result, the analysis method of the processing data D can be divided into a section in which the parameters are unstable and a section in which the parameters are stable, and the health status of the substrate processing device (FPD manufacturing device 1) can be determined according to the purpose. It becomes possible to make a good diagnosis.

또, 불안정한 상태는, 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터가 제로로부터 변화한 때에 생기는 것이다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 파라미터가 제로로부터 변화한 때의 파라미터의 과도 현상의 구간과, 파라미터가 안정된 구간으로 스무스하게 분할할 수 있다.Additionally, an unstable state occurs when one or two or more parameters change from zero. As a result, the analysis method of the processed data D can be smoothly divided into a section where the parameter transient phenomenon occurs when the parameter changes from zero, and a section where the parameter is stable.

또, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 하나의 구간의 종료 시점을, 하나의 구간에 계속되는 다음의 구간의 개시 시점으로 한다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 하나의 구간과 다음의 구간을 간단하게 설정할 수 있다.In addition, the analysis method of the processed data D assumes the end time of one section as the start time of the next section following one section. By this, the analysis method of the processed data D can easily set one section and the next section.

또, 복수의 구간으로 분할하는 공정에서는, 파라미터가 규정치에 대해서 미리 정해진 수치 폭 이상 커지는 시점, 또는 미리 정해진 수치 폭 이상 작아지는 시점을, 규정치로부터 변화하는 시점으로서 특정한다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 센서(8)에 생기는 노이즈를 용이하게 제외하여, 파라미터가 변화하는 시점을 특정할 수가 있다.In addition, in the process of dividing into a plurality of sections, the point in time when the parameter becomes larger than a predetermined numerical range with respect to the specified value or the time when the parameter decreases by more than the predetermined numerical value is specified as the time point at which the parameter changes from the specified value. As a result, the analysis method of the processed data D can easily exclude noise generated in the sensor 8 and specify the point in time when the parameter changes.

또, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 건강 상태를 진단하는 공정에서는, 특정의 구간(관심 구간)의 처리 데이터 D에 근거하여 기판 처리 장치의 건강 상태를 나타내는 지표의 수치인 건강치를 산출한다. 이와 같이 관심 구간의 처리 데이터 D에 근거하여 건강치를 산출하는 것으로, 처리 데이터의 해석 방법은, 수치화한 건강 상태를 유저에게 인식시키는 것이 가능해진다.In addition, in the process of diagnosing the health state of the substrate processing device (FPD manufacturing device 1), the health value, which is an indicator value indicating the health state of the substrate processing device, is calculated based on the processing data D of a specific section (section of interest). Calculate By calculating the health value based on the processed data D of the interest section in this way, the analysis method of the processed data becomes possible to make the user recognize the quantified health state.

또, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 건강 상태를 진단하는 공정에서는, 산출한 건강치가, 설정된 허용 범위 내에 있는지 여부를 비교하고, 건강치가 허용 범위 내에 있는 경우에 기판 처리 장치가 정상이라고 판정하고, 건강치가 허용 범위 내에 없는 경우에 기판 처리 장치가 이상이라고 판정한다. 이것에 의해, 처리 데이터의 해석 방법은, 산출한 건강치에 근거하여 기판 처리 장치의 정상 또는 이상을 정밀도 좋게 판정할 수가 있다.In addition, in the process of diagnosing the health state of the substrate processing device (FPD manufacturing device 1), it is compared whether the calculated health value is within the set tolerance range, and if the health value is within the tolerance range, the substrate processing device is normal. , and if the health value is not within the allowable range, it is determined that the substrate processing device is abnormal. As a result, the processing data analysis method can accurately determine whether the substrate processing device is normal or abnormal based on the calculated health values.

또, 처리 데이터 D는, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))에 있어서 기판 처리를 실시했을 때에 복수의 센서(8)의 각각이 측정한 파라미터이다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, 기판 처리 시의 파라미터를 이용하여 기판 처리 장치의 건강 상태를 양호하게 감시하는 것이 가능해진다.In addition, the processing data D is a parameter measured by each of the plurality of sensors 8 when processing a substrate in a substrate processing apparatus (FPD manufacturing apparatus 1). As a result, the analysis method of the processing data D enables good monitoring of the health state of the substrate processing apparatus using parameters during substrate processing.

또, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))는, 플라즈마 처리를 기판에 실시하는 플라즈마 처리 장치이고, 복수의 센서(8)는, 파라미터로서 RF 소스 진행파 및 RF 소스 반사파를 측정하는 소스용 전력 센서(81)와, 파라미터로서 RF 바이어스 진행파 및 RF 바이어스 반사파를 측정하는 바이어스용 전력 센서(82)를 포함하고, 복수의 구간으로 분할하는 공정에서는, RF 소스 진행파 또는 RF 바이어스 진행파가 제로로부터 변화한 시점을 구간의 개시 시점으로 하고, 해당 구간의 개시 시점 후에 RF 소스 반사파 또는 RF 바이어스 반사파가 제로로 안정화한 시점을 구간의 종료 시점으로 한다. 이것에 의해, 처리 데이터 D의 해석 방법은, RF 소스 진행파, RF 소스 반사파, RF 바이어스 진행파 및 RF 바이어스 반사파에 근거하여, 처리 데이터 D를 분할하는 구간을 적절히 설정할 수 있다.In addition, the substrate processing device (FPD manufacturing device 1) is a plasma processing device that performs plasma processing on a substrate, and the plurality of sensors 8 are source power for measuring RF source traveling waves and RF source reflected waves as parameters. In the process of dividing into a plurality of sections, including a sensor 81 and a bias power sensor 82 that measures the RF bias traveling wave and the RF bias reflected wave as parameters, the RF source traveling wave or the RF bias traveling wave changes from zero. The time point is set as the start point of the section, and the time point when the RF source reflected wave or RF bias reflected wave stabilizes to zero after the start point of the section is set as the end point of the section. Thereby, the analysis method of the processed data D can appropriately set the section into which the processed data D is divided based on the RF source traveling wave, RF source reflected wave, RF bias traveling wave, and RF bias reflected wave.

또, 본 개시의 제2태양은, 기판 처리 장치(FPD 제조 장치(1))의 가동 시에 취득된 처리 데이터 D를 해석하는 정보 처리 장치(장치 컨트롤러(9), 서버(110))로서, 처리 데이터 D는, 기판 처리 장치의 복수의 센서(8)의 각각이 측정한 파라미터와, 측정한 시간을 연결한 것이고, 정보 처리 장치는, 처리 데이터 D를 취득하여 기억부(HDD(508))에 기억하는 공정과, 기억부로부터 처리 데이터 D를 판독하여, 처리 데이터 D를 측정한 시간에 따른 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과, 분할한 복수의 구간 중 특정의 구간(관심 구간)에 있어서의 처리 데이터 D에 근거하여, 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 실시하고, 복수의 구간으로 분할하는 공정에서는, 복수의 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 센서(8)의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정한다. 이 경우에도, 정보 처리 장치는, 처리 데이터 D의 해석에 필요로 하는 시간을 단축하면서, 처리 데이터 D의 적절한 개소를 안정적으로 해석할 수가 있다.Additionally, the second mode of the present disclosure is an information processing device (device controller 9, server 110) that analyzes processing data D acquired during operation of a substrate processing device (FPD manufacturing device 1), The processing data D is a connection between the parameters measured by each of the plurality of sensors 8 of the substrate processing device and the measured time, and the information processing device acquires the processing data D and stores it in a storage unit (HDD 508). A process of storing the processed data D from the storage unit, a process of dividing the processed data D into a plurality of sections in a time series according to the measurement time, and a specific section (section of interest) among the plurality of divided sections. Based on the processing data D in For one or two or more parameters selected from the parameters, it is determined according to the point in time when it reaches a predetermined standard value or when it changes from the standard value. Even in this case, the information processing device can stably analyze appropriate locations of the processed data D while shortening the time required to analyze the processed data D.

이번 개시된 실시 형태에 따른 처리 데이터 D의 해석 방법 및 정보 처리 장치는, 모든 점에 있어서 예시이며 제한적인 것은 아니다. 실시 형태는, 첨부의 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 여러 가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있고 또, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수가 있다.The analysis method and information processing device for processed data D according to the presently disclosed embodiment are examples in all respects and are not restrictive. The embodiments can be modified and improved in various ways without departing from the scope of the appended claims and the general spirit thereof. Matters described in the above plurality of embodiments can have different configurations within a range that is not inconsistent, and can be combined within a range that is not inconsistent.

본 개시의 기판 처리 장치는, FPD 제조 장치(1) 이외의, 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 처리하는 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 것은 물론이다. 또, 본 개시에서는, 유전체판을 창부재로서 이용하는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 처리 장치에 대해 설명했지만, 유전체판 대신에 금속판을 창부재로서 이용하는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 처리 장치여도 좋다. 또, 유도 결합형 플라즈마(ICP) 처리 장치에 한정되지 않고, 예를 들면, 기판 처리 장치로서는, Atomic Layer Deposition(ALD) 장치, Capacitively Coupled Plasma(CCP) 장치, Radial Line Slot Antenna(RLSA) 장치, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR) 장치, Helicon Wave Plasma(HWP) 장치 등을 들 수 있다.It goes without saying that the substrate processing apparatus of the present disclosure can be applied to substrate processing apparatuses other than the FPD manufacturing apparatus 1, for example, which process semiconductor wafers. Additionally, in this disclosure, an inductively coupled plasma (ICP) processing device using a dielectric plate as a window member has been described, but an inductively coupled plasma (ICP) processing device using a metal plate as a window member instead of the dielectric plate may be used. In addition, it is not limited to inductively coupled plasma (ICP) processing equipment, and examples of substrate processing equipment include Atomic Layer Deposition (ALD) equipment, Capacitively Coupled Plasma (CCP) equipment, Radial Line Slot Antenna (RLSA) equipment, Examples include Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR) devices and Helicon Wave Plasma (HWP) devices.

1 　 FPD 제조 장치
8 　 센서
9 　 장치 컨트롤러
110 서버
D 　 처리 데이터
508 HDD1 FPD manufacturing device
8 sensors
9 device controller
110 servers
D processing data
508HDD

Claims (10)

기판 처리 장치의 가동 시에 취득된 처리 데이터의 해석 방법으로서,
상기 처리 데이터는, 상기 기판 처리 장치의 복수의 센서의 각각이 측정한 파라미터와, 측정한 시간을 연결한 것이고,
상기 처리 데이터를 취득하여 기억부에 기억하는 공정과,
상기 기억부로부터 상기 처리 데이터를 판독하여, 상기 처리 데이터를 상기 측정한 시간에 따른 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과,
분할한 복수의 상기 구간 중 특정의 구간에 있어서의 상기 처리 데이터에 근거하여, 상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 갖고,
복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에서는,
복수의 상기 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 상기 센서의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 상기 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정하는
처리 데이터의 해석 방법.A method of analyzing processing data acquired during operation of a substrate processing device, comprising:
The processing data is a connection between the parameters measured by each of the plurality of sensors of the substrate processing apparatus and the measured time,
A process of acquiring the processed data and storing it in a storage unit;
A step of reading the processed data from the storage unit and dividing the processed data into a plurality of sections in a time series according to the measured time;
A step of diagnosing a health state of the substrate processing apparatus based on the processing data in a specific section among the plurality of divided sections,
In the process of dividing into a plurality of sections,
The start and end times of the plurality of sections are determined according to the time when one or two or more parameters selected from the parameters of the plurality of sensors reach a predetermined specified value or change from the specified value.
How to interpret processed data. 제1항에 있어서,
복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에 있어서 한 개 혹은 두 개 이상의 상기 파라미터가 변화하는 경우에는, 상기 변화에 따라 불안정한 상태가 되는 상기 파라미터를 포함하는 구간과, 상기 변화 후에 안정된 상태만의 상기 파라미터를 포함하는 구간으로 분할하는
처리 데이터의 해석 방법.According to paragraph 1,
In the process of dividing into a plurality of sections, when one or two or more of the parameters change, a section containing the parameter that becomes unstable due to the change and a section that is only in a stable state after the change are divided into a section. divided into sections containing
How to interpret processed data. 제2항에 있어서,
상기 불안정한 상태는, 한 개 혹은 두 개 이상의 상기 파라미터가 제로로부터 변화한 때에 생기는 것인
처리 데이터의 해석 방법.According to paragraph 2,
The unstable state occurs when one or two or more of the parameters change from zero.
How to interpret processed data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
하나의 상기 구간의 종료 시점을, 하나의 상기 구간에 계속되는 다음의 상기 구간의 개시 시점으로 하는
처리 데이터의 해석 방법.According to any one of claims 1 to 3,
Let the end time of one of the sections be the start of the next section that continues the one of the sections.
How to interpret processed data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에서는, 상기 파라미터가 상기 규정치에 대해서 미리 정해진 수치 폭 이상 커지는 시점, 또는 미리 정해진 수치 폭 이상 작아지는 시점을, 상기 규정치로부터 변화하는 시점으로서 특정하는
처리 데이터의 해석 방법.According to any one of claims 1 to 3,
In the step of dividing into the plurality of sections, the point in time when the parameter becomes larger than a predetermined numerical range with respect to the specified value or the time when it becomes smaller than the predetermined numerical range is specified as the time point at which the parameter changes from the specified value.
How to interpret processed data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정에서는, 특정의 상기 구간의 상기 처리 데이터에 근거하여 상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 나타내는 지표의 수치인 건강치를 산출하는
처리 데이터의 해석 방법.According to any one of claims 1 to 3,
In the step of diagnosing the health state of the substrate processing apparatus, a health value, which is an indicator value indicating the health state of the substrate processing apparatus, is calculated based on the processing data of the specific section.
How to interpret processed data. 제6항에 있어서,
상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정에서는, 산출한 상기 건강치가, 설정된 허용 범위 내에 있는지 여부를 비교하고, 상기 건강치가 상기 허용 범위 내에 있는 경우에 상기 기판 처리 장치가 정상이라고 판정하고, 상기 건강치가 상기 허용 범위 내에 없는 경우에 상기 기판 처리 장치가 이상이라고 판정하는
처리 데이터의 해석 방법.According to clause 6,
In the step of diagnosing the health state of the substrate processing apparatus, it is compared whether the calculated health value is within a set tolerance range, and if the health value is within the tolerance range, it is determined that the substrate processing apparatus is normal, and If the health value is not within the tolerance range, the substrate processing device determines that it is abnormal.
How to interpret processed data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 데이터는, 상기 기판 처리 장치에 있어서 기판 처리를 실시했을 때에 복수의 상기 센서의 각각이 측정한 파라미터인
처리 데이터의 해석 방법.According to any one of claims 1 to 3,
The processing data is a parameter measured by each of the plurality of sensors when processing a substrate in the substrate processing apparatus.
How to interpret processed data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 플라즈마 처리를 기판에 실시하는 플라즈마 처리 장치이고,
복수의 상기 센서는, 상기 파라미터로서 RF 소스 진행파 및 RF 소스 반사파를 측정하는 소스용 전력 센서와, 상기 파라미터로서 RF 바이어스 진행파 및 RF 바이어스 반사파를 측정하는 바이어스용 전력 센서를 포함하고,
복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에서는, 상기 RF 소스 진행파 또는 상기 RF 바이어스 진행파가 제로로부터 변화한 시점을 상기 구간의 개시 시점으로 하고, 해당 구간의 개시 시점 후에 상기 RF 소스 반사파 또는 상기 RF 바이어스 반사파가 제로로 안정화한 시점을 상기 구간의 종료 시점으로 하는
처리 데이터의 해석 방법.According to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing device is a plasma processing device that performs plasma processing on a substrate,
The plurality of sensors include a source power sensor that measures an RF source traveling wave and an RF source reflected wave as the parameters, and a bias power sensor that measures an RF bias traveling wave and an RF bias reflected wave as the parameters,
In the process of dividing into a plurality of sections, the time when the RF source traveling wave or the RF bias traveling wave changes from zero is set as the starting time of the section, and after the starting time of the section, the RF source reflected wave or the RF bias reflected wave is The point at which it stabilizes at zero is set as the end point of the above section.
How to interpret processed data. 기판 처리 장치의 가동 시에 취득된 처리 데이터를 해석하는 정보 처리 장치로서,
상기 처리 데이터는, 상기 기판 처리 장치의 복수의 센서의 각각이 측정한 파라미터와, 측정한 시간을 연결한 것이고,
상기 정보 처리 장치는,
상기 처리 데이터를 취득하여 기억부에 기억하는 공정과,
상기 기억부로부터 상기 처리 데이터를 판독하여, 상기 처리 데이터를 상기 측정한 시간에 따른 시계열에 있어서 복수의 구간으로 분할하는 공정과,
분할한 복수의 상기 구간 중 특정의 구간에 있어서의 상기 처리 데이터에 근거하여, 상기 기판 처리 장치의 건강 상태를 진단하는 공정을 실시하고,
복수의 상기 구간으로 분할하는 공정에서는,
복수의 상기 구간의 개시 시점과 종료 시점을, 복수의 상기 센서의 파라미터로부터 선택한 한 개 혹은 두 개 이상의 파라미터에 대해, 미리 정한 규정치가 되는 시점 또는 상기 규정치로부터 변화하는 시점에 따라 정하는
정보 처리 장치.An information processing device that interprets processing data acquired during operation of a substrate processing device, comprising:
The processing data is a connection between the parameters measured by each of the plurality of sensors of the substrate processing apparatus and the measured time,
The information processing device,
A process of acquiring the processed data and storing it in a storage unit;
A step of reading the processed data from the storage unit and dividing the processed data into a plurality of sections in a time series according to the measured time;
Performing a process of diagnosing a health state of the substrate processing apparatus based on the processing data in a specific section among the plurality of divided sections,
In the process of dividing into a plurality of sections,
The start and end times of the plurality of sections are determined according to the time when one or two or more parameters selected from the parameters of the plurality of sensors reach a predetermined specified value or change from the specified value.
Information processing device.
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