KR20230143624A - 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 다중극자 디바이스, 및 하전 입자 빔 장치 - Google Patents
하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 다중극자 디바이스, 및 하전 입자 빔 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230143624A KR20230143624A KR1020237032859A KR20237032859A KR20230143624A KR 20230143624 A KR20230143624 A KR 20230143624A KR 1020237032859 A KR1020237032859 A KR 1020237032859A KR 20237032859 A KR20237032859 A KR 20237032859A KR 20230143624 A KR20230143624 A KR 20230143624A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- multipole
- charged particle
- particle beam
- electrodes
- field
- Prior art date
Links
- 230000005405 multipole Effects 0.000 title claims abstract description 294
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 18
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1504—Associated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1516—Multipoles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1518—Electrostatic means for X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1532—Astigmatism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2809—Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
- H01J2237/2811—Large objects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔(11)에 영향을 미치는 방법이 설명된다. 방법은: 4개 이상의 제1 전극들(111, 211)을 갖는 제1 다중극자(110, 210), 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들(121, 221)을 갖는 제2 다중극자(120, 220)를 포함하는 다중극자 디바이스(100, 200)의 적어도 하나의 개구부(102)를 통해 하전 입자 빔(11)을 안내하는 단계 - 제1 전극들 및 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 교번하여 배열됨 -; 및 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하기 위해 제1 다중극자를 여기시키는 단계, 및 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하기 위해 제2 다중극자를 여기시키는 단계 중 적어도 하나를 포함한다. 또한, 동일한 기판 상에 제공되는 제1 다중극자(110, 210) 및 제2 다중극자(120, 220)를 갖는 다중극자 디바이스(100, 200)뿐만 아니라, 다중극자 디바이스(100, 200)를 갖는 하전 입자 빔 장치(500)가 제공된다.
Description
본원에 설명된 실시예들은, 예를 들어, 검사 시스템 응용들, 시험 시스템 응용들, 리소그래피 시스템 응용들, 결함 검토 또는 임계 치수 응용들을 위한 하전 입자 빔 장치들에 관한 것으로, 특히, 전자 빔 검사 장치들, 더 특히, 주사 전자 현미경들에 관한 것이다. 본원에 설명된 실시예들은 추가로, 하전 입자 빔 장치들에서 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스들뿐만 아니라 다중극자 디바이스를 이용하여 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법들에 관한 것이다. 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들은, 특히, 전자 검사 및 이미징 시스템들에서, 특정 방식으로, 예를 들어, 전자 빔을 편향, 주사 및/또는 보정하는 것에 의해 전자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스들 및 방법들에 관한 것이다.
현대의 반도체 기술은, 시편들을 나노미터로 또는 심지어는 나노미터 미만 규모로 구조화하고 탐지하는 것에 대한 높은 요구를 만들어냈다. 마이크로미터 및 나노미터 규모의 프로세스 제어, 검사 또는 구조화는, 하전 입자 빔 장치들, 예컨대, 전자 현미경들 또는 전자 빔 패턴 생성기들에서 생성되고, 성형되고, 편향되고, 집속되는 하전 입자 빔들, 예를 들어, 전자 빔들을 이용하여 종종 행해진다. 검사를 목적으로, 하전 입자 빔들은, 예를 들어, 광자 빔들과 비교하여 우수한 공간 해상도를 제공한다.
하전 입자 빔들을 사용하는 검사 장치들, 예컨대, 주사 전자 현미경들(SEM)은 복수의 산업 분야들에서 제조 동안의 전자 회로들의 검사, 리소그래피를 위한 노출 시스템들, 검출 시스템들, 결함 검사 툴들, 및 집적 회로들을 위한 시험 시스템들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 많은 기능들을 갖는다. 그러한 입자 빔 시스템들에서, 높은 전류 밀도를 갖는 정밀한 빔 프로브들이 사용될 수 있다. 예를 들어, SEM의 경우에, 1차 전자 빔은 시편을 이미징하고 분석하는 데 사용될 수 있는 2차 전자들(SE) 및/또는 후방산란된 전자들(BSE)과 같은 신호 입자들을 생성한다.
그러나, 콤팩트한 하전 입자 빔 장치에서 시편들을 신속하게 검사하고/거나 이미징하는 것은 난제이다. 구체적으로, 다양한 주사 편향기들, 정렬 편향기들, 렌즈들, 빔 보정기들 및/또는 다른 빔 광학 구성요소들이 하전 입자 빔 장치의 진공 하우징 내에 광학 축을 따라 제공될 수 있고, 상당한 양의 공간을 소비할 수 있다. 그러나, 전형적으로, 하전 입자 빔 장치들에서, 특히, 대물 렌즈 근처의 영역에서는 공간이 제한된다.
일부 하전 입자 빔 장치들은, 빔 편향 및/또는 빔 보정을 위해 다중극자 디바이스들, 예를 들어, 정전 다중극자들을 사용한다. 고차 다중극자, 예컨대, 16극자 또는 32극자가 다양한 목적들을 위해, 예를 들어, 사중극자로서 또는 팔중극자로서 사용될 수 있다. 그러나, 전형적인 고차 다중극자들은 복잡한 디바이스들이고, 다수의 전극들 각각을 적절한 시간에 적절한 전압으로 신뢰가능하게 여기시키는 것이 난제이다. 그러므로, 고차 다중극자는 전형적으로, 특정 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치도록, 예를 들어, 고차 수차들을 보정하도록 적응된다.
상기 내용을 고려하여, 하전 입자 빔에 유연하고 신뢰가능하게 영향을 미치도록 적응된 콤팩트한 다중극자 디바이스를 제공하는 것이 유익할 것이다. 또한, 제한된 공간만이 이용가능하더라도, 하전 입자 빔 장치에서 하전 입자 빔에 유연하고 신뢰가능하게 영향을 미치는 방법을 제공하는 것이 유익할 것이다. 마지막으로, 제한된 공간 내에서 원하는 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기에 적합한 하전 입자 빔 장치를 제공하는 것이 유익할 것이다.
상기 내용을 고려하여, 독립 청구항들에 따라, 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스, 및 시편을 검사하거나 이미징하기 위한 하전 입자 빔 장치가 제공된다.
제1 양상에 따르면, 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법이 제공된다. 방법은, 4개 이상의 제1 전극들을 갖는 제1 다중극자, 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들을 갖는 제2 다중극자를 포함하는 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부를 통해 하전 입자 빔을 안내하는 단계 - 4개 이상의 제1 전극들 및 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -; 및 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하기 위해 제1 다중극자를 여기시키는 단계, 및 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하기 위해 제2 다중극자를 여기시키는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
다른 양상에 따르면, 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스가 제공된다. 다중극자 디바이스는, 기판을 통해 광학 축을 따라 연장되는, 하전 입자 빔을 위한 적어도 하나의 개구부를 갖는 기판; 기판 상에 제공된 4개 이상의 제1 전극들을 포함하는 제1 다중극자; 기판 상에 제공된 4개 이상의 제2 전극들을 포함하는 제2 다중극자 - 4개 이상의 제1 전극들 및 상기 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -; 제1 전극들을 제1 전압 공급부에 연결하기 위한 제1 전력 공급 배열; 및 제2 전극들을 제2 전압 공급부에 연결하기 위한 제2 전력 공급 배열을 포함한다.
제1 전력 공급 배열은, 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한, 예를 들어, 하전 입자 빔을 편향시키기 위한("빔 시프트") 제1 필드 분포를 제공하기 위해 제1 다중극자를 여기시키도록 구성될 수 있다. 제2 전력 공급 배열은, 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한, 예를 들어, 하전 입자 빔을 주사하기 위한("빔 스캔") 제2 필드 분포를 제공하기 위해 제2 다중극자를 여기시키도록 구성될 수 있고, 제1 및 제2 필드 분포는 서로 중첩될 수 있다.
다른 양상에 따르면, 하전 입자 빔으로, 특히, 전자 빔으로 시편을 이미징하고/거나 검사하기 위한 하전 입자 빔 장치가 제공된다. 하전 입자 빔 장치는, 하전 입자 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 공급원; 시편 상에 하전 입자 빔을 집속시키기 위한 대물 렌즈; 및 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스를 포함할 수 있고, 다중극자 디바이스는 본원에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에 따라 구성된다.
하전 입자 빔 장치는, 다중극자 디바이스가 대물 렌즈 부근에 또는 내부에 배열될 때 큰 시야를 제공할 수 있고, 큰 빔 시프트들을 가능하게 한다.
다중극자 디바이스는, 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한, 예를 들어, 빔 편향("빔 시프트")에 적응되는 제1 다중극자, 및 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한, 예를 들어, 특히, 빔 시프트와 동시에 빔 주사("빔 스캔")에 적응되는 제2 다중극자를 포함할 수 있다.
실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 개별 방법 액션들을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법은 하드웨어 부분들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 그 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 실시예들은 또한, 설명된 장치들을 작동시키는 방법들에 관한 것이다.
본원에 설명된 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 장점들, 특징들, 양상들 및 세부사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 하나 이상의 실시예에 관한 것이고 이하에서 설명된다.
도 1은 본원에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라 작동되도록 적응된, 본원에 설명된 실시예들에 따른 다중극자 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 2는 본원에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라 작동되도록 적응된, 본원에 설명된 실시예들에 따른 다중극자 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 3a-c는, 제1 다중극자가 쌍극자 필드를 생성하는 제1 작동 모드의, 도 2의 다중극자 디바이스를 예시하고;
도 3d는 종래의 팔중극자에 의해 생성되는 쌍극자 필드를 예시하고;
도 4는, 제1 다중극자가 사중극자 필드를 생성하는 제2 작동 모드의, 도 2의 다중극자 디바이스를 예시하고;
도 5는 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 장치의 개략도이고;
도 6은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하는 흐름도이고;
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 1은 본원에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라 작동되도록 적응된, 본원에 설명된 실시예들에 따른 다중극자 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 2는 본원에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라 작동되도록 적응된, 본원에 설명된 실시예들에 따른 다중극자 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 3a-c는, 제1 다중극자가 쌍극자 필드를 생성하는 제1 작동 모드의, 도 2의 다중극자 디바이스를 예시하고;
도 3d는 종래의 팔중극자에 의해 생성되는 쌍극자 필드를 예시하고;
도 4는, 제1 다중극자가 사중극자 필드를 생성하는 제2 작동 모드의, 도 2의 다중극자 디바이스를 예시하고;
도 5는 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 장치의 개략도이고;
도 6은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하는 흐름도이고;
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하는 흐름도이다.
다양한 실시예에 대한 참조가 이제부터 상세히 이루어질 것이고, 그의 하나 이상의 예가 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 지칭한다. 일반적으로, 개별 실시예들에 대한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되며, 제한을 의미하지 않는다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시 또는 설명된 특징들은, 더 추가의 실시예를 생성하기 위해, 다른 실시예들에 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것이 의도된다.
도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스(100)의 개략도이다. 다중극자 디바이스(100)는, 하전 입자 빔을 위한 적어도 하나의 개구부(102)를 갖는 기판(103)을 포함한다. 적어도 하나의 개구부(102)는 기판(103)을 통해 광학 축(A)을 따라 연장된다.
다중극자 디바이스(100)는, 기판(103) 상에 제공되는 4개 이상의 제1 전극들(111)을 갖는 제1 다중극자(110), 및 기판(103) 상에 제공되는 4개 이상의 제2 전극들(121)을 갖는 제2 다중극자(120)를 포함한다. 제1 전극들(111) 및 제2 전극들(121)은 기판(103)의 동일한 주 표면 상에, 특히, 광학 축(A)과 수직으로 교차하는 동일한 단면 평면에 배열될 수 있다. 이에 따라, 적어도 하나의 개구부(102)를 통해 전파되는 하전 입자 빔은, 적어도 하나의 개구부(102)의 중심 내의 또는 중심 근처의 빔 상호작용 공간에서 제1 다중극자(110)에 의해 그리고 제2 다중극자(120)에 의해 영향을 받을 수 있다.
제1 다중극자(110)는 정전 다중극자 또는 자기 다중극자일 수 있다. 제2 다중극자(120)는 정전 다중극자 또는 자기 다중극자일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 다중극자(110) 및 제2 다중극자(120) 양쪽 모두는 정전 다중극자들이다. 정전 다중극자는 전기장을 이용하여 하전 입자 빔에 영향을 미치도록 구성되고, 정전 다중극자의 전극들은 전형적으로, 미리 결정된 전위로 설정될 수 있는 전도체들(예를 들어, 전도성 몸체들 또는 트레이스들)이다. 자기 다중극자는 자기장을 이용하여 하전 입자 빔에 영향을 미치도록 구성되고, 자기 다중극자의 전극들은 전형적으로, 미리 결정된 자기장을 제공할 수 있는 자석들(예를 들어, 코일들)이다.
도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 제1 다중극자(110)의 제1 전극들(111)은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 등거리 각도 위치들에 배열될 수 있고, 제2 다중극자(120)의 제2 전극들(121)은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 등거리 각도 위치들에 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 다중극자(110) 및 제2 다중극자(120)가 (도 1에서와 같이) 사중극자들인 경우, 4개의 제1 전극들(111)은 2개의 인접한 제1 전극들이 광학 축(A)에 대해 90 °의 각각의 각도로 에워싸도록 배열될 수 있고(예를 들어, 제1 전극들은 위치들(Θ1= 0 °, 90 °, 180 °, 270 °)에 배열됨), 4개의 제2 전극들(121)은 2개의 인접한 제2 전극들이 광학 축(A)에 대해 90 °의 각각의 각도로 에워싸도록 배열될 수 있다(예를 들어, 제2 전극들은 위치들(Θ2= 45 °, 135 °, 225 °, 315 °)에 배열됨).
4개 이상의 제1 전극들(111) 및 4개 이상의 제2 전극들(121)은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 교번하여 배열된다. 도면들에서, 제1 전극들(111)은 제1 해칭(hatching)으로 예시되고 제2 전극들(121)은 제2 해칭으로 예시되며, 이로써, 적어도 하나의 개구부 주위의 제1 전극들(111) 및 제2 전극들(121)의 교번하는 배열이 명확히 보인다.
이에 따라, 다중극자 디바이스(100)는, 동일한 기판 상에 인터리빙 방식으로 배열되는 2개의 별개의 다중극자들을 포함하고, 여기서, 기판은 전극들에 대한 지지부를 형성한다. 2개의 별개의 다중극자들이, 동일한 단면 평면에서 동일한 기판 상에 배열되고 동일한 빔 상호작용 영역에서 하전 입자 빔과 상호작용하기 때문에, 공간이 절약될 수 있고 콤팩트한 다중극자 디바이스가 제공된다. 예를 들어, 적어도 2개의 별개의 다중극자들을 갖는 다중극자 디바이스가, 공간이 전형적으로 제한되는 대물 렌즈에 또는 대물 렌즈 근처에 배치될 수 있다.
"다중극자"는, 특정 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치도록 구성되는 전극들(예를 들어, 전기장 및/또는 자기장을 제공하기 위한 전극들)의 배열로서 이해될 수 있다. 본원에 설명된 다중극자 디바이스의 다중극자들은 각각 적어도 4개의 전극들을 갖는다. 예를 들어, 다중극자는, 4개의 전극들을 갖는 사중극자, 8개의 전극들을 갖는 팔중극자, 또는 더 고차의 다중극자, 예컨대, 12극자 또는 16극자일 수 있다.
4개의 전극들을 갖는 사중극자는 당연히, 예를 들어, 수차 보정(예를 들어, 비점수차 보정)을 위한 사중극자 필드를 생성하는 데 사용될 수 있지만, 사중극자는 또한, 선택가능한 방향으로 인가될 수 있는 쌍극자 필드를 생성하는 데 사용될 수 있다. 이에 따라, 사중극자는 빔을 선택가능한 편향 방향으로 편향시키기 위한 빔 편향기로서 사용될 수 있다. 유사하게, 팔중극자는 당연히, 팔중극자 필드를 생성하는 데 사용될 수 있지만, 팔중극자는 또한, (예를 들어, 비점수차 보정을 위해) 선택가능한 방향으로 작용하는 사중극자 필드를 생성하는 데 사용될 수 있고, 팔중극자는 또한, (예를 들어, 하전 입자 빔을 선택가능한 편향 방향으로 편향시키기 위해) 선택가능한 방향으로 작용하는 쌍극자 필드를 생성하는 데 사용될 수 있다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, (적어도 사중극자들 또는 더 고차의 다중극자들인) 2개의 다중극자들은, 동일한 기판 상의 동일한 단면 평면에 제공되고, 이에 의해, 하전 입자 빔은 작은 빔 상호작용 공간 내에서 하나의 콤팩트한 다중극자 디바이스에 의해 적어도 2개의 상이한 방식들로 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제1 다중극자는 빔 보정을 위해 구성될 수 있고, 제2 다중극자는 빔 정렬을 위해 구성될 수 있거나; 제1 다중극자는 시편 상의 특정 관심 영역으로 빔을 편향("빔 시프트")시키도록 구성될 수 있고, 제2 다중극자는 특정 관심 영역에서 시편에 걸쳐 빔을 주사("빔 스캔")하도록 구성될 수 있다. 그러므로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 유연하고 콤팩트한 다중극자 디바이스가 제공된다.
다중극자 디바이스(100)는, 제1 다중극자(110)의 제1 전극들(111)을 제1 전압 공급부(115)에 연결하기 위한 제1 전력 공급 배열(116) 및 제2 다중극자(120)의 제2 전극들(121)을 제2 전압 공급부(125)에 연결하기 위한 제2 전력 공급 배열(126)을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 다중극자들 각각을 각각의 별개의 전압 공급부에 연결하는 것은, 각각의 다중극자의 제어를 용이하게 하고, 실제로 2개의 별개의 다중극자들이 제공되는 것을 보장한다. 예를 들어, 제1 다중극자의 제1 전극들(111)은, 제1 및 제2 다중극자들이, 상이한 전압 공급부들에 연결될 때 제2 다중극자의 제2 전극들의 전압 공급에 부정적인 영향을 미치지 않고 그에 의해 부정적인 영향을 받지 않고, 각각의 미리 결정된 전압으로 동시에 여기되고 제어될 수 있다는 것이 보장될 수 있다. 또한, 제1 전압 공급부(115)는 제1 다중극자의 작업(예를 들어, 본원에서 "빔 시프트"로 또한 지칭되는, 저속 고전압 전력 공급부에 의해 유익하게 수행되는 강하고 느리게 변하거나 주기적으로 일정한 빔 편향일 수 있음)에 구체적으로 적응될 수 있고, 제2 전압 공급부(125)는 제2 다중극자의 작업(예를 들어, 본원에서 "빔 스캔"으로 또한 지칭되는, 고속 저전압 전력 공급부에 의해 유익하게 수행되는, 하전 입자 빔의 신속한 주사일 수 있음)에 구체적으로 적응될 수 있다.
이에 따라, 도 1의 다중극자 디바이스(100)가, 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 배열된 총 8개의 전극들을 포함하더라도, 도 1의 다중극자 디바이스(100)는, 하나의 단일 전압 공급부에 의해 전력을 공급받는 8개의 전극들을 갖는 종래의 팔중극자와 실질적으로 상이하고, 그러므로, 예를 들어, 편향을 위해 또는 빔 보정을 위해 한 번에 하나의 방식으로만 여기될 수 있다. 또한, 종래의 팔중극자는 8개의 출력 단자들을 갖는 하나의 전압 공급부에 의해 전력을 공급받으므로, 출력 단자들 중 일부의 전압 변화는 또한, 다른 출력 단자들에 영향을 미칠 것이고, 이에 의해, 종래의 팔중극자는 팔중극자의 모든 전극들에 의해 제공되는 한 번에 하나의 공통 필드 분포의 인가만을 허용한다. 종래의 팔중극자와 대조적으로, 도 1의 다중극자 디바이스(100)는, 각각의 전력 공급 배열을 통해 각각의 전압 공급부에 연결됨으로써 완전히 독립적으로 제어되고 작동될 수 있는 2개의 별개의 사중극자들을 포함한다. 이에 따라, 각각의 사중극자는 특정 작업에 맞춤화될 수 있고, 제1 전압 공급부의 출력 단자들의 출력 전압들의 변화는 제2 전압 공급부의 출력 단자들에 영향을 미치지 않으며, 이에 의해, 제1 다중극자 및 제2 다중극자가 독립적으로 제어될 수 있고, 더 정확하고 더 신뢰가능한 빔 제어를 허용한다.
구체적으로, 제1 다중극자(110)는 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하도록 여기될 수 있고, 제2 다중극자(120)는 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하도록 (적절하게, 동시에 또는 후속하여) 여기될 수 있다.
본원에 설명된 다중극자 디바이스(100)는, 다음과 같이, 광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔, 특히, 전자 빔에 영향을 미치는 데 사용될 수 있다: 하전 입자 빔은 다중극자 디바이스(100)의 적어도 하나의 개구부(102)를 통해 안내될 수 있고, 다중극자 디바이스(100)는, 4개 이상의 제1 전극들(111)을 갖는 제1 다중극자(110), 및 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들(121)을 갖는 제2 다중극자(120)를 포함하고, 4개 이상의 제1 전극들(111) 및 4개 이상의 제2 전극들(121)은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 교번하여 배열된다.
제1 다중극자(110)는 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하도록 여기될 수 있다. 동시에 또는 후속하여, 제2 다중극자(120)는 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하도록 여기될 수 있다.
제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은: 빔 편향, 빔 주사, 수차 보정, 스티그메이션, 시준, 집속, 빔 정렬 및 블랭킹으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은: 빔 편향, 빔 주사, 수차 보정, 스티그메이션, 시준, 집속, 빔 정렬 및 블랭킹으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 제2 방식은 전형적으로, 제1 방식과 상이하다. 예를 들어, 제1 필드 분포는 하전 입자 빔이 x-y 평면(시편의 평면임)의 시편의 특정 관심 영역으로 시프트하게 할 수 있고, 제2 필드 분포는 상기 관심 영역의 시편에 걸쳐 빔을 고속 주사하게 할 수 있다. 다른 예에서, 제1 필드 분포는 하전 입자 빔의 수차 보정, 예를 들어, 비점수차 보정을 야기할 수 있고, 제2 필드 분포는 시편에 걸친 고속 빔 주사를 야기하거나 하전 입자 빔의 빔 정렬이, 미리 결정된 빔 경로를 따라 전파되게 할 수 있다. 2개의 다중극자들에 의해 2가지 상이한 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 다른 예들이 가능하다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 필드 분포 및/또는 제2 필드 분포는: 선택가능한 방위각을 갖는 쌍극자 필드, 선택가능한 방위각을 갖는 사중극자 필드, 및 팔중극자 필드로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 제1 필드 분포는, 선택가능한 방위각을 갖고, 그에 의해 하전 입자 빔이, 선택가능한 방위각에 의해 한정되는 특정 방향으로 편향되는 쌍극자 필드일 수 있다. 예를 들어, 제2 필드 분포는, 시편에 걸친 빔 주사, 예를 들어, 시편에 의해 한정된 x-y 평면에서의 래스터 주사를 제공하기 위한 신속하게 변화하는 쌍극자 필드일 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 다중극자(110) 및 제2 다중극자(120)는, 제2 필드 분포 상에 중첩된 제1 필드 분포를 제공하기 위해 동시에 여기된다. 그러므로, 하전 입자 빔은 제1 및 제2 다중극자들에 의해 인가되는 2개의 중첩된 필드 분포들에 의해 2가지 상이한 방식으로 동시에 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제1 필드 분포는 비점수차 보정을 제공하는 사중극자 필드일 수 있고, 제2 필드 분포는 빔 주사를 야기하는 쌍극자 필드일 수 있고, 이에 의해, 하전 입자 빔이 다중극자 디바이스에 의해 동시에 보정되고 주사된다.
일부 실시예들에서, 제1 필드 분포 및/또는 제2 필드 분포는 쌍극자 필드들이다. 다시 말해서, (적어도 4개의 전극들을 포함하는) 제1 다중극자는 하전 입자 빔에 제1 쌍극자 필드를 인가하도록 구성되고/거나 (적어도 4개의 전극들을 포함하는) 제2 다중극자는 하전 입자 빔에 제2 쌍극자 필드를, 특히, 동시에 인가하도록 구성된다. 2개의 쌍극자 필드들은 상이한 강도들, 방향들을 가질 수 있고/거나 상이한 속도들로 변할 수 있다. 2개의 쌍극자 필드들은 상이한 목적들을 위해, 예를 들어, 빔을 편향시키고 시편 상의 미리 결정된 관심 영역으로 지향시키기 위해("빔 시프트"), 그리고 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 신속하게 주사하기 위해 인가될 수 있다. 그러므로, 아래에 더 상세하게 설명될 바와 같이, 2개의 쌍극자 필드들은 강도들 및 변동 속도들에 있어서 실질적으로 상이할 수 있다.
특히, 제1 필드 분포는 제1 쌍극자 필드일 수 있고, 제2 필드 분포는 제2 쌍극자 필드일 수 있으며, 제1 쌍극자 필드는 제2 쌍극자 필드보다 더 강하다. 예를 들어, 적어도 일시적으로, 제1 쌍극자 필드의 최대 필드 강도와 제2 쌍극자 필드의 최대 필드 강도 사이의 비율은 5:1 이상, 특히, 10:1 또는 심지어 20:1 이상이다. 쌍극자 필드의 최대 필드 강도는 전형적으로, 광학 축(A)의 위치에, 전형적으로, 대략, 적어도 하나의 개구부(102)의 중심에 위치된다.
일부 구현들에서, 제1 전압 공급부(115) 및 제2 전압 공급부(125)는 상이한 유형들의 전압 공급부들일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전압 공급부들은 상이한 최대 출력 전압들 및/또는 상이한 최대 출력 전압 변동 속도들을 제공하도록 구성될 수 있다. 특히, 제2 전압 공급부(125)는 제1 전압 공급부(115)보다 출력 전압의 더 신속한 변동을 위해 적응될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제1 전압 공급부(115)는 제2 전압 공급부(125)보다 더 높은 최대 출력 전압들을 위해 적응될 수 있다. 예를 들어, 제1 전압 공급부(115)는 100 V 이상의 최대 출력 전압 및/또는 1 GHz 미만, 예를 들어, MHz 범위의 최대 전압 변동 속도를 위해 구성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제2 전압 공급부(125)는 50 V 이하, 특히, 20 V 이하, 또는 심지어 10 V 이하의 최대 출력 전압, 및/또는 1 GHz 초과의 최대 전압 변동 속도를 위해 구성될 수 있다. 특히, 제1 전압 공급부(115)는 저속 고전압 전력 공급부일 수 있고/거나 제2 전압 공급부(125)는 고속 저전압 전력 공급부일 수 있다.
일부 실시예들에서, 제1 전력 공급 배열(116)은 제2 전력 공급 배열(126)보다 더 높은 전압들을 위해 구성된다. 특히, 제1 전력 공급 배열(116)은 제1 전극들(111) 각각과 제1 전압 공급부(115) 사이의 고전압 연결을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고전압 연결들은 100 V 이상의 전압들을 위해 적응될 수 있다. 제2 전력 공급 배열(126)은 제2 전극들(121) 각각과 제2 전압 공급부(125) 사이의 저전압 연결을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저전압 연결들은 50 V 이하의 전압들을 위해 적응될 수 있다. 일부 구현들에서, 고전압 연결의 단면적은 저전압 연결의 단면적보다 크다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제2 전력 공급 배열(126)은 제2 전극들(121) 각각과 제2 전압 공급부(125) 사이의 고속 연결로서 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전력 공급 배열(126)의 고속 연결들은 차폐될 수 있고/거나 임피던스 매칭을 가질 수 있고, GHz 범위의 전압 변동 속도들이 제2 다중극자의 제2 전극들에 신뢰가능하게 송신되는 것을 허용한다.
도 1은 하나의 단면 평면에서 인터리빙 방식으로 배열된 2개의 독립적인 사중극자들을 포함하는 다중극자 디바이스(100)의 실시예를 도시한다. 공간이 절약될 수 있고, 하전 입자 빔은 동일한 빔 상호작용 공간 내에서 상이한 방식들로 동기식으로 또는 후속하여 영향을 받을 수 있다.
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔, 특히, 전자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스(200)의 다른 실시예를 도시한다. 제1 다중극자 및 제2 다중극자의 전극들의 개수를 제외하고, 다중극자 디바이스(200)는 도 1의 다중극자 디바이스(100)와 유사하고, 이에 의해, 상기 설명들을 참조할 수 있고, 설명들은 여기서 반복되지 않는다.
다중극자 디바이스(200)는, 광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔을 위한 적어도 하나의 개구부(102)를 갖는 기판(103)을 포함한다. 제1 다중극자(210)의 8개의 제1 전극들(211)이 기판(103) 상에 제공되고, 제2 다중극자(220)의 8개의 제2 전극들(221)이 기판(103) 상에, 특히, 기판의 동일한 주 표면 상에, 예컨대, 적어도 하나의 개구부(102)를 등각 방식으로 둘러싸도록 제공된다. 8개의 제1 전극들(211) 및 8개의 제2 전극들(221)은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 교번하여 배열된다.
따라서, 도 2의 다중극자 디바이스(200)는, 하나의 단면 평면에서 인터리빙 방식으로 배열되는 2개의 독립적인 팔중극자들을 포함한다. 공간이 절약될 수 있고, 하전 입자 빔은 동일한 빔 상호작용 공간 내에서 상이한 방식들로 동기식으로 또는 후속하여 영향을 받을 수 있다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, 제1 다중극자(210)는 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하도록 여기될 수 있고, 제2 다중극자(220)는, 특히, 제1 방식과 상이한 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하도록 여기될 수 있다. 예를 들어, 제1 다중극자(210)는 하전 입자 빔을, 예를 들어, 검사될 시편의 관심 영역으로 편향시키기 위해 하전 입자 빔에 제1 쌍극자 필드를 인가할 수 있다. 제2 다중극자(220)는, 시편에 걸쳐, 특히, 관심 영역에 걸쳐, 예를 들어, 래스터 주사 패턴으로 하전 입자 빔을 주사하기 위해 하전 입자에 제2 쌍극자 필드를 인가할 수 있다. 하전 입자 빔은 도 1을 참조하여 위에서 설명된 바와 같은 다른 방식들로 영향을 받을 수 있다. 제1 필드 분포는 제1 및 제2 다중극자들을 동시에 여기시킴으로써 제2 필드 분포 상에 중첩될 수 있다.
본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 제1 다중극자(210)는 8개의 제1 전극들(211)을 갖는 제1 팔중극자이고, 제2 다중극자(220)는 8개의 제2 전극들(221)을 갖는 제2 팔중극자이며, 제1 팔중극자 및 제2 팔중극자는, 독립적으로 제어가능하고 작동가능한 독립적인 팔중극자들이다. 이에 따라, 다중극자 디바이스(200)는, 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 배열된 총 16개의 극들, 제1 팔중극자에 속하는 8개의 제1 극들, 및 제2 팔중극자에 속하는 8개의 제2 극들을 포함하며, 여기서, 제1 팔중극자의 8개의 극들 및 제2 팔중극자의 8개의 극들은 적어도 하나의 개구부(102) 주위에 교번하여 배열된다.
일부 실시예들에서, 제1 다중극자(210) 및 제2 다중극자(220)는 정전 다중극자들이고, 제1 전극들(211) 및 제2 전극들(221)은, 각각, 기판 상에 제공되고 미리 결정된 전위로 설정되도록 구성되는 전도성 부분들이다. "기판"은 그 위에 제1 및 제2 다중극자들의 전극들을 지지하기 위한 지지 몸체, 예를 들어, 얇은 플레이트로서 이해될 수 있다. 기판은 (도면들에 도시된 바와 같이) 반드시 둥글지는 않고, 또한, 상이한 형상을 가질 수 있다. 기판은 전극들이 배열되는 절연체 표면을 포함할 수 있다.
제1 다중극자(210)는 하전 입자 빔을 편향시키기 위한, 특히, 빔을 미리 결정된 기간에 걸쳐 시편의 미리 결정된 관심 영역으로 지향시키기 위한("빔 시프트") 제1 쌍극자 필드를 제공하도록 구성될 수 있고, 제2 다중극자(220)는 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 제1 쌍극자 필드 상에 중첩된 제2 쌍극자 필드를 제공하도록 구성될 수 있다.
본원에 설명된 다중극자 디바이스(200)는, 미리 결정된 주사 패턴의 하전 입자 빔의 고속 주사에 의해 중첩된, 제1 다중극자에 의한 미리 결정된 선택가능한 편향 방향으로의 큰 빔 편향, 특히, 동시에 하전 입자 빔의 저속 편향 및 고속 주사를 허용한다. 전형적으로, 편향은 비교적 느리지만, 하전 입자 빔을 시편 상의 미리 결정된 관심 영역으로 편향시키기 위해 비교적 높은 편향 전압을 사용한다. 전형적으로, 주사 전압은 비교적 빠르게 변하지만, 비교적 낮은 최대 편향 전압으로, 예를 들어, 단계적으로 또는 연속적으로 -10 V와 +10 V 사이에서 신속하게 변한다. 이에 따라, 2개의 별개로 제어가능한 팔중극자들을 사용하는 것이 유익하며, 각각의 팔중극자는, 각각의 전력 공급 배열 및 각각의 전압 공급부에 의해 전력을 공급받고, 이에 의해, 각각의 팔중극자는 수행될 작업에 맞춤화된다. 동일한 단면 평면에 제공된 전극들을 갖는 2개의 독립적으로 작동하고 제어가능한 팔중극자들이, 본원에 설명된 실시예들에 따라 제공된다.
제1 전력 공급 배열(116)은 제1 전극들(211)을 제1 전압 공급부(115)와 연결하기 위해 제공될 수 있고, 제2 전력 공급 배열(126)은 제2 전극들(221)을 제2 전압 공급부(125)에 연결하기 위해 제공될 수 있다. 그러므로, 2개의 독립적으로 제어가능한 팔중극자들이 하나의 단면 평면에 인터리빙 방식으로 제공된다.
제1 다중극자 및 제2 다중극자는, 제1 및 제2 방식들로 동기식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위해 제1 필드 분포 및 제2 필드 분포를 제공하도록 동시에 여기될 수 있다.
구체적으로, 제1 필드 분포 및 제2 필드 분포 중 적어도 하나 또는 둘 모두는 쌍극자 필드일 수 있다. 제1 필드 분포는 느리게 변화하는 또는 주기적으로 일정한 쌍극자 필드일 수 있고, 제2 필드 분포는 주사를 위해 빠르게 변화하는 쌍극자 필드일 수 있다.
일부 구현들에서, 제1 필드 분포는 제1 쌍극자 필드이고, 제2 필드 분포는 제2 쌍극자 필드이며, 제1 쌍극자 필드는 적어도 일시적으로, 예를 들어, 5배 이상, 또는 10배 이상만큼 제2 쌍극자 필드보다 더 강하다. 제1 필드 분포는 하전 입자 빔을 검사될 시편의 미리 결정된 관심 영역으로 편향시키는 쌍극자 필드일 수 있고, 제2 필드 분포는 하전 입자 빔을 시편에 걸쳐, 특히, 관심 영역에서 주사하는 쌍극자 필드일 수 있다.
일부 실시예들에서, 하전 입자 빔을 시편의 미리 결정된 관심 영역으로 편향시키기 위해 제1 필드 분포가 미리 결정된 시간 동안(예를 들어, 1초 이상 동안) 유지되는 반면, 제2 필드 분포는 상기 미리 결정된 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 변화된다.
관심 영역이, 예를 들어, 래스터 주사 방식으로 제2 필드 분포를 변화시킴으로써 주사된 후, 하전 입자 빔을 검사될 시편의 미리 결정된 제2 관심 영역으로 편향시키기 위해 제1 필드 분포가 변경될 수 있다. 변경된 제1 필드 분포는 미리 결정된 시간(예를 들어, 1초 이상) 동안 유지될 수 있는 반면, 제2 필드 분포는 상기 미리 결정된 제2 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 변화된다.
시편 검사 프로세스는, 제1 다중극자에 의해 제공되는 제1 필드 분포를 변경함으로써, 하전 입자 빔을 상이한 관심 영역들에 후속하여 지향시킴으로써 그에 따라 진행될 수 있다. 제1 필드 분포는 미리 결정된 시간 동안 각각의 관심 영역에 대해 유지될 수 있고, 그에 의해, 각각의 관심 영역은 각각의 관심 영역에서 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 제2 필드 분포를 신속하게 변화시킴으로써 검사될 수 있다. 이는, 제1 및 제2 다중극자들에 의해 제공되는 쌍극자 필드들을 그에 따라 변화시킴으로써, 큰 시편 표면이 검사되는 것을 허용한다.
신속한 빔 주사에 의해 중첩되는 신뢰가능한 빔 편향은, 제1 다중극자를 비교적 느리지만 큰 빔 편향을 위해 적응된 제1 전압 공급부에 연결하고, 제2 다중극자를 비교적 더 낮은 최대 전압을 갖는 빔 주사를 위한 신속한 전압 변동을 위해 적응된 제2 전압 공급부에 연결함으로써 제공될 수 있다.
도 3a-c는 제1 작동 모드의 도 2의 다중극자 디바이스(200)를 예시하고, 제1 작동 모드에서 제1 필드 분포, 즉, 제1 쌍극자 필드가 제1 다중극자(210)의 제1 전극들에 의해 제공되는 한편, 작은 또는 제로 전압 V2~0이 제2 다중극자(220)의 제2 전극들에 인가된다. V1*sin(θ1)의 전압들을 제1 다중극자의 제1 전극들에 인가함으로써 쌍극자 필드가 제공될 수 있고, 여기서 θ1은 각각의 제1 전극의 각도 위치를 지칭하고(θ1=0의 위치는 선택가능한 방향으로 쌍극자 필드를 인가하기 위해 임의로 선택될 수 있음), V1은 특정 시간에 제1 전압 공급부(115)에 의해 제공되는 최대 전압이다. 도 3a에 개략적으로 예시된 바와 같이, 다음의 전압들 V는 쌍극자 필드를 제공하기 위해 제1 다중극자(210)의 8개의 제1 전극들에 인가된다:
동시에, 전압 V1과 비교하여 작은 전압들(예를 들어, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제로 전압들, V2=0)이 제2 다중극자(220)의 8개의 제2 전극들에 인가되고, 결과적인 필드 분포가 전기력선들을 통해 도 3a에 도시된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 광학 축(A)이 다중극자 디바이스를 통해 연장되는 다중극자 디바이스(200)의 중심 영역에 전기 쌍극자 필드가 생성되고, 이에 의해, 광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 쌍극자 필드가 가해지고, x-y 평면에서 빔 시프트가 야기된다. 도 3a에 도시된 바와 같은 V2=0 대신에, 빔 주사를 야기하기 위해 작은 가변 전압들 V2*sin(θ2), 특히, V2<V1을 제2 전극들에 인가하는 것이 가능하다.
제1 전압 공급부에 의해 제공되는 최대 전압 V1을 조정함으로써, 제1 다중극자(210)에 의해 야기되는 편향 강도가 적절하게 설정될 수 있다. 또한, θ2가 θ2+ε(ε은 위상 항)로 대체되는 경우, 편향 방향은 x-y 평면에서 적절하게 설정될 수 있다. 도 3a에 예시적으로 도시된 필드 분포는 x 방향의 빔 편향을 야기한다.
특히, 다중극자 디바이스(200)의 제1 다중극자(210)에 의해 생성된 쌍극자 필드는 종래의 팔중극자(도 3d에 개략적으로 도시됨)에 의해 생성된 쌍극자 필드와 상이한데, 이는, 비교적 작은 또는 제로 전위(도 3a에서 V2~0 V) 상에 제공되는 제2 다중극자(220)의 제2 전극이 제1 다중극자(210)의 2개의 인접한 제1 전극들 사이에 각각 배열되기 때문이다. 그러므로, 도 3b에서 연속적인 선에 의해 개략적으로 도시된 바와 같이, 광학 축(A) 주위에 연장되는 반경(r, r=전극 반경)을 갖는 링 라인 상의 전위는 제1 및 제2 전극들의 위치들에서 V=V1*sin(θ1)과 제로 사이에서 반복적으로 변화한다. 특히, 계산들을 단순화하기 위해, 전극들은 여기에서 무한히 작은 것으로 모델링되고(즉, 점 전극들), 각각, 2개의 인접한 점 전극들 사이에서는 선형 전압 변화가 가정된다.
이와 대조적으로, 종래의 팔중극자는, 도 3b에서 파선으로 개략적으로 도시된 바와 같이, 광학 축(A)을 중심으로 반경(r)을 갖는 링 라인 상의 각도(θ)에 따라 본질적으로 사인-형상 전위를 생성한다.
일단, 반경(r, r=전극 반경)을 갖는 링 라인 상의 전압들이 알려지면, 광학 축(A)의 위치에서의 결과적인 총 필드 분포의 다중극자 성분들은 푸리에 분석으로 계산될 수 있다. 도 3c는 도 3a의 필드 분포의 고조파의 강도를 도시한다. 도 3c에서 알 수 있는 바와 같이, 기본 쌍극자의 계수는 약 0.5이고 차수 7 미만의 모든 고조파들은 제로이지만, 약 -0.3의 계수를 갖는 명확히 보이는 제7 고조파 및 0.2보다 작은 계수를 갖는 명확히 보이는 제9 고조파가 생성된다. 제7 고조파의 필드가 R-6(R은 광학 축(A)으로부터의 전자의 거리임)으로 스케일링되기 때문에, 제7 고조파의 효과는 극도로 작고 본질적으로 무시할만하다. 또한, 제9 고조파는 매우 작은 효과를 가질 것이다. 이에 따라, 비교적 작은 또는 제로 전압이 제2 다중극자(220)의 제2 전극들에 동시에 인가되더라도, 본원에 설명된 실시예들에 따른 다중극자 디바이스(200)의 제1 다중극자(210)를 이용하여, 일반적으로 양호한 쌍극자 필드가 생성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 제2 쌍극자 필드는 제2 다중극자(220)에 의해 생성되는 반면, 제1 쌍극자 필드는 제1 다중극자에 의해 생성된다. 구체적으로, V2*sin(θ2)의 전압들이 제2 다중극자의 제2 전극들에 인가되는데, θ2는 각각의 제2 전극의 각도 위치(θ2=0의 위치는 선택가능한 방향으로 쌍극자 필드를 인가하기 위해 임의로 선택되거나 변화될 수 있음)를 지칭하고, V2는 한 번에 제2 전압 공급부에 의해 제공되는 최대 전압이다. 값 V2는 시편에 걸친 라인을 따라 하전 입자 빔을 주사하기 위해 (예를 들어, -V2로부터 +V2까지) 신속하게 변할 수 있다. 추가적으로, V2*sin(θ2)의 값들이, 검사될 관심 영역에 걸쳐 x-y 평면에서 하전 입자 빔을 래스터 주사하기 위해 신속하게 변할 수 있다.
전형적인 실시예들에서, (느리게 변하거나 주기적으로 일정한 빔 시프트를 야기하는) 제1 전압 공급부에 의해 제공되는 최대 전압 V1은, (신속한 빔 주사를 야기하는) 제2 전압 공급부에 의해 제공되는 최대 전압 V2보다, 예를 들어, 5배 이상, 또는 10배 이상만큼 실질적으로 더 크다. 예를 들어, 제1 전압 공급부는 100 V 이상의 최대 전압을 제공하도록 구성되고, 큰 각도만큼의 빔 시프트를 허용하는 반면, 제2 전압 공급부는, 예를 들어, 관심 영역에서의 결함을 찾기 위해 시편의 관심 영역을 검사하기 위해서, 20 V 이하, 또는 10 V 이하의 최대 전압 V2를 제공하도록 구성될 수 있고, 시편의 미리 결정된 (작은) 관심 영역에 걸친 빔 주사를 허용한다.
도 4는 제2 작동 모드의 도 2의 다중극자 디바이스(200)를 예시하고, 제2 작동 모드에서 제1 필드 분포, 즉, 사중극자 필드가 제1 다중극자의 제1 전극들에 의해 제공되는 한편, 작은 또는 제로 전압 V2~0이 제2 다중극자의 제2 전극들에 인가된다. +V1, 0, +V1, 0, -V1, 0, -V1, 0의 전압들을 이 순서로 제1 전극들에 원주 방향으로 인가함으로써 사중극자 필드가 제공될 수 있다. 사중극자 필드는, 예를 들어, 비점수차 보정을 위해 사용될 수 있다.
모의들은, 예를 들어, 하전 입자 빔을 주사하기 위해 또는 고차 보정들을 제공하기 위해, 작은(V2<V1) 또는 본질적으로 제로인 전압들 V2~0이 제2 다중극자의 제2 전극들에 동시에 인가되더라도, 광학 축(A)의 위치에서 제1 다중극자에 의해 생성된 사중극자 필드가 상당히 양호하다는 것을 보여주었다.
이에 따라, 이전에 고려되거나 입증되지 않았던 인터리빙 방식으로 하나의 단면 평면에 제공되는 2개의 다중극자들(예를 들어, 사중극자들 또는 팔중극자들)에 의해 2가지 방식으로 하전 입자 빔에 동시에 영향을 미치는 것이 가능한 것으로 나타났다. 본원에 설명된 실시예들에 따라, 공간이 절약될 수 있고 콤팩트하며 유연하게 사용가능한 다중극자 디바이스가 제공된다.
본원에 설명된 다중극자 디바이스는 동일한 기판 상에 2개 초과의 다중극자들, 예를 들어, 동일한 단면 평면에 3개의 독립적으로 작동가능한 사중극자들, 6극자들, 또는 팔중극자들을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 본원에서 사용되는 바와 같은 제1 및 제2 전극들의 "대안적인" 배열은 광학 축을 중심으로 원주 방향으로의 제1, 제2, 및 제3(또는 추가의) 전극들의 대안적인 배열을 포괄하도록 의도된다. 또한, 다중극자들은 사중극자들 또는 더 고차의 다중극자들, 특히, 팔중극자들일 수 있고, 또한, 12극자들 또는 16극자들일 수 있다. 다중극자 디바이스가 다중 빔렛 장치를 위해 구성되는 것이 더 가능하다. 후자의 경우에, 기판은 하나 초과의 개구부를 포함하고, 2개의 독립적으로 작동가능한 다중극자들의 제1 및 제2 전극들은 하나 초과의 개구부 각각의 주위에 교번하여 배열된다.
본원에 설명된 추가의 양상에 따르면, 시편(10)을 검사하고/거나 이미징하기 위한 하전 입자 빔 장치(500)가 제공된다. 도 5는, 예를 들어, 전자 빔을 이용하여 시편(10)을 검사하기 위한 하전 입자 빔 장치(500)의 개략도를 도시한다.
하전 입자 빔 장치(500)는, 시편 스테이지(560) 상에 배치된 시편(10)을 검사하고/거나 이미징하도록 구성된 전자 검사 장치, 예를 들어, 주사 전자 현미경(SEM)일 수 있다.
하전 입자 빔 장치(500)는, 광학 축(A)을 따라 전파되는 하전 입자 빔(11)을 생성하기 위한 하전 입자 빔 공급원(505)을 포함한다. 하전 입자 빔 공급원(505)은 전자 공급원, 예를 들어, 냉전계 방출기(CFE), 열전계 방출기(TFE) 또는 다른 유형의 전자 공급원일 수 있다.
하전 입자 빔 장치(500)는 시편(10) 상에 하전 입자 빔(11)을 집속하도록 구성된 대물 렌즈(520)를 포함한다. 대물 렌즈(520)는 자기 대물 렌즈, 정전 대물 렌즈, 또는 조합된 자기정전 대물 렌즈일 수 있다.
시편(10), 예를 들어, 웨이퍼, 전자 회로, 또는 검사될 다른 기판은 시편 스테이지(560) 상에 배치될 수 있다. 시편 스테이지(560)는 시편의 평면에서, 즉, x-y 평면에서, 그리고/또는 광학 축(A)의 방향(z)으로 이동가능할 수 있다.
하전 입자 빔 장치(500)는 하전 입자 빔 장치(500)의 빔 광학 구성요소들이 배열되는 진공 하우징(501)을 포함할 수 있다. 진공 하우징(501)은 1 mbar 미만, 예를 들어, 10-5 mbar 이하의 대기압 미만 압력으로 배기될 수 있다.
하전 입자 빔 장치(500)는 추가의 빔 광학 구성요소들, 예컨대, 하전 입자 빔(11)을 시준하기 위한 집속 렌즈(510), 빔 수차들을 보정하기 위한 수차 보정기, 시편(10)에 하전 입자 빔(11)이 충돌할 때 하전 입자 빔(11)으로부터 생성된 신호 입자들(예를 들어, 2차 전자들(SE들) 및/또는 후방산란된 전자들(BSE들))을 분리하기 위한 빔 분리기(540), 및/또는 신호 입자들을 검출하기 위한 검출기(550)를 포함할 수 있다.
하전 입자 빔 장치(500)는, 본원에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 다중극자 디바이스(100)(또는 200)를 더 포함한다. 다중극자 디바이스(100)는, 광학 축(A)이 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부(102)를 통해 연장되도록 배열될 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 다중극자 디바이스(100)는 대물 렌즈(520)에 인접하여 또는 대물 렌즈 내에 배열된다. 다중극자 디바이스(100)를 대물 렌즈(520)에 가깝게 또는 심지어는 대물 렌즈(520) 내에 배열하는 것은 유익한데, 왜냐하면 다중극자 디바이스(100)가 시편(10)에 가깝게 배열되는 경우에 더 큰 편향 각도들이 가능하기 때문이다. 큰 시야(FOV)를 갖는 하전 입자 빔 장치가 제공될 수 있다. 도 5는, 대물 렌즈로부터 2 cm 이하의 거리에 있는 대물 렌즈의 상류의 위치에서의 다중극자 디바이스(100)를 도시한다. 또한, 대물 렌즈(520)에서의 다중극자 디바이스(100)의 대안적인 위치는 도 5에서 파선들로 예시된다. 일반적으로, 광학 축(A)을 따른 다중극자 디바이스(100)와 대물 렌즈(520) 사이의 거리는 5 cm 이하일 수 있고, 그에 의해, 큰 FOV를 갖는 전자 빔 검사 장치가 제공될 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 다중극자 디바이스(100)는 제1 다중극자(110)의 제1 전극들에 제1 쌍극자 필드를 인가함으로써, 하전 입자 빔을 시편의 관심 영역으로 편향시키도록 구성된다. 또한, 다중극자 디바이스(100)는, 제2 쌍극자 필드를 제2 다중극자(120)의 제2 전극들에 인가함으로써, 관심 영역에 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하도록 구성되고, 이에 의해, 제1 및 제2 쌍극자 필드들이 서로 중첩된다.
제1 쌍극자 필드는 일반적으로, 제2 쌍극자 필드보다 (예를 들어, 5배 이상, 또는 10배 이상만큼) 더 크고, 제2 쌍극자 필드는 전형적으로, 제1 쌍극자 필드보다 더 신속하게 변하고, (예를 들어, 1 GHz 이상의 변동 속도로) 시편에 걸친 하전 입자 빔(11)의 빠른 주사 이동을 제공한다.
제1 다중극자(110)는 하전 입자 빔을 시편의 상이한 관심 영역들로 편향시킬 수 있고, 검사될 각각의 관심 영역에 대해 미리 결정된 기간 동안 각각의 제1 쌍극자 필드를 유지할 수 있다. 제2 다중극자(120)는, 예를 들어, 래스터 주사 패턴으로 각각의 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 신속하게 주사할 수 있고, 이에 의해, 각각의 관심 영역이 상세히 검사될 수 있다.
도 6은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하기 위한 흐름도이다.
박스(610)에서, 하전 입자 빔은, 4개 이상의 제1 전극들을 갖는 제1 다중극자 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들을 갖는 제2 다중극자를 포함하는 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부를 통해 안내되고, 4개 이상의 제1 전극들 및 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열된다.
박스(620)에서, 제1 다중극자는 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하도록 여기된다. 예를 들어, 제1 필드 분포는 제1 쌍극자 필드일 수 있고, 제1 방식은 시편의 미리 결정된 관심 영역으로의 하전 입자 빔의 빔 편향일 수 있다. 대안적으로, 제1 필드 분포는 사중극자 필드일 수 있고, 제1 방식은 비점수차 보정 또는 다른 수차 보정일 수 있다.
박스(630)에서, 제2 다중극자는 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하도록 여기된다. 예를 들어, 제2 필드 분포는 관심 영역에서 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 신속하게 변할 수 있는 제2 쌍극자 필드일 수 있다.
박스들(620 및 630)에서의 제1 및 제2 다중극자들의 여기들은 동시에 발생할 수 있고, 그에 의해 하전 입자 빔은 하나의 다중극자 디바이스에 의해 2가지 상이한 방식으로 동시에 영향을 받는다. 구체적으로, 동일한 기판 상의 동일한 단면 평면에 배열된 2개의 독립적으로 제어되는 다중극자들에 의해 "신속한" 빔 주사 상에 "느린" 빔 편향이 중첩될 수 있다.
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법을 예시하기 위한 흐름도이다.
박스(710)에서, 하전 입자 빔은, 4개 이상의 제1 전극들을 갖는 제1 다중극자 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들을 갖는 제2 다중극자를 포함하는 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부를 통해 안내되고, 4개 이상의 제1 전극들 및 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열된다.
박스(720)에서, 하전 입자 빔은 제1 쌍극자 필드를 제1 다중극자에 인가함으로써 시편의 제1 관심 영역(ROI)으로 편향된다. 박스(730) 동안, 예를 들어, 1초 이상의 기간에 걸쳐 제1 쌍극자 필드가 유지된다.
박스(730)에서, 하전 입자 빔은, 신속하게 변하는 주사 필드를 제2 다중극자에 인가함으로써, 예를 들어, 래스터 주사 패턴으로 제1 관심 영역에 걸쳐 주사된다. 제1 관심 영역이 검사되고, 예를 들어, 제1 관심 영역에서의 시편의 결함들이 발견될 수 있다.
박스(740)에서, 하전 입자 빔은 다른 쌍극자 필드를 제1 다중극자에 인가함으로써 시편의 제2 관심 영역(ROI)으로 편향된다. 박스(750) 동안, 예를 들어, 1초 이상의 기간에 걸쳐 다른 쌍극자 필드가 유지된다.
박스(750)에서, 하전 입자 빔은, 신속하게 변하는 주사 필드를 제2 다중극자에 인가함으로써, 예를 들어, 래스터 주사 패턴으로 제2 관심 영역에 걸쳐 주사된다. 제2 관심 영역이 검사되고, 예를 들어, 제2 관심 영역에서의 시편의 결함들이 발견될 수 있다.
방법은 시편의 추가의 관심 영역들을 검사함으로써 이에 따라 계속될 수 있다.
구체적으로, 다음의 실시예들이 본원에 설명된다:
실시예 1: 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법으로서, 4개 이상의 제1 전극들을 갖는 제1 다중극자, 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들을 갖는 제2 다중극자를 포함하는 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부를 통해 하전 입자 빔을 안내하는 단계 - 4개 이상의 제1 전극들 및 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -; 및 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하기 위해 제1 다중극자를 여기시키는 단계, 및 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하기 위해 제2 다중극자를 여기시키는 단계 중 적어도 하나 또는 둘 모두를 포함한다.
실시예 2: 실시예 1에 따른 방법에 있어서, 제1 다중극자는 8개의 제1 전극들을 포함하는 제1 팔중극자이고/거나 제2 다중극자는 8개의 제2 전극들을 포함하는 제2 팔중극자이다. 특히, 제1 및 제2 다중극자들은 팔중극자들이다. 대안적으로, 제1 및 제2 다중극자들은 사중극자들일 수 있다. 대안적으로, 제1 및 제2 다중극자들은 16극자들일 수 있다.
실시예 3: 실시예 1 또는 2에 따른 방법에 있어서, 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것 및 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은: 빔 편향, 빔 주사, 수차 보정, 스티그메이션, 시준, 집속, 빔 정렬 및 블랭킹으로 구성된 군으로부터 선택된다. 특히, 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은 빔 편향을 포함할 수 있고, 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은 빔 주사를 포함할 수 있다. 대안적으로, 빔 편향은 수차 보정, 예를 들어, 비점수차와 조합될 수 있다.
실시예 4: 실시예 1 내지 3 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 필드 분포 및 제2 필드 분포는: 선택가능한 방위각을 갖는 쌍극자 필드, 선택가능한 방위각을 갖는 사중극자 필드, 및 팔중극자 필드로 구성된 군으로부터 선택된다.
실시예 5: 실시예 1 내지 4 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 다중극자 및 제2 다중극자는 제2 필드 분포 상에 중첩된 제1 필드 분포를 제공하기 위해 동시에 여기된다.
실시예 6: 실시예 1 내지 5 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 필드 분포 및 제2 필드 분포 중 적어도 하나 또는 둘 모두는 쌍극자 필드이다. 특히, 제1 필드 분포 및 제2 필드 분포 둘 모두가 쌍극자 필드들일 수 있다.
실시예 7: 실시예 1 내지 6 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 필드 분포는 제1 쌍극자 필드이고, 제2 필드 분포는 제2 쌍극자 필드이고, 제1 쌍극자 필드는 제2 쌍극자 필드보다 더 강하다. 특히, 제1 쌍극자 필드의 최대 필드 강도와 제2 쌍극자 필드의 최대 필드 강도 사이의 비율은 5:1 이상, 특히, 10:1이다.
실시예 8: 실시예 1 내지 7 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, V1*sin(θ1)의 전압들이 제1 다중극자의 제1 전극들에 인가되는데, θ1은 원주 방향으로의 각각의 제1 전극의 각도 위치를 지칭하고, V1은 조정가능한 편향 전압이다. 대안적으로 또는 부가적으로, V2*sin(θ2)의 전압들이 제2 다중극자의 제2 전극들에 인가되는데, θ2는 원주 방향으로의 각각의 제2 전극의 각도 위치를 지칭하고, V2는 20 V 이하의 가변 주사 전압이다.
실시예 9: 실시예 1 내지 8 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 필드 분포는 하전 입자 빔을 편향시키는 쌍극자 필드이고, 제2 필드 분포는 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하는 쌍극자 필드이다. 빔 편향 및 주사는 제1 및 제2 다중극자 둘 모두를 여기시킴으로써 동시에 수행될 수 있다.
실시예 10: 실시예 9에 따른 방법에 있어서, 하전 입자 빔을 시편의 제1 관심 영역으로 편향시키기 위해 제1 필드 분포가 미리 결정된 시간 동안 유지되는 반면, 제2 필드 분포는 제1 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 변화된다.
실시예 11: 실시예 10에 따른 방법에 있어서, 하전 입자 빔을 시편의 제2 관심 영역으로 편향시키기 위해 제1 필드 분포를 변경하는 단계, 이에 후속하여, 제2 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위해 제2 필드 분포가 변화되는 동안 미리 결정된 시간 동안 제1 필드 분포를 유지하는 단계를 더 포함한다.
실시예 12: 실시예 1 내지 11 중 어느 하나의 실시예에 따른 방법에 있어서, 제1 다중극자의 제1 전극들은 제1 전압 공급부에, 특히, 저속 고전압 공급부에 연결되고, 제2 다중극자의 제2 전극들은 제2 전압 공급부에, 특히, 고속 저전압 전력 공급부에 연결된다.
위의 실시예들에 따른 방법들은 본원에 설명된 다중극자 디바이스들 및/또는 하전 입자 빔 장치들 중 임의의 것에 의해 수행될 수 있다.
실시예 13: 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스로서, 기판을 통해 광학 축을 따라 연장되는, 하전 입자 빔을 위한 적어도 하나의 개구부를 갖는 기판; 기판 상에 제공된 4개 이상의 제1 전극들을 포함하는 제1 다중극자; 기판 상에 제공된 4개 이상의 제2 전극들을 포함하는 제2 다중극자 - 4개 이상의 제1 전극들 및 상기 4개 이상의 제2 전극들은 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -; 제1 전극들을 제1 전압 공급부와 연결하기 위한 제1 전력 공급 배열; 및 제2 전극들을 제2 전압 공급부와 연결하기 위한 제2 전력 공급 배열을 포함한다.
다중극자 디바이스는, 본원에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라 작동되도록 구성될 수 있다.
실시예 14: 실시예 13에 따른 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 다중극자는 8개의 제1 전극들을 포함하는 제1 팔중극자이고/거나 제2 다중극자는 8개의 제2 전극들을 포함하는 제2 팔중극자이다.
실시예 15: 실시예 13 또는 14에 따른 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 다중극자 및 제2 다중극자는 정전 다중극자들이고, 제1 전극들 및 제2 전극들은, 기판 상에 제공되고 미리 결정된 전위로 설정되도록 구성되는 전도성 부분들이다.
실시예 16: 실시예 13 내지 15 중 어느 하나의 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 전압 공급부는, 특히, 100 V 이상의 최대 전압 및 1 GHz 미만의 변동 속도를 위해 구성되는 저속 고전압 공급부이고, 제2 전압 공급부는, 특히, 50 V 이하의 최대 전압 및 1 GHz 초과의 변동 속도를 위해 구성되는 고속 저전압 전력 공급부이다.
실시예 17: 실시예 13 내지 16 중 어느 하나의 실시예에 따른 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 전력 공급 배열은 제1 전극들 각각과 제1 전압 공급부 사이의 고전압 연결을 포함하고, 제2 전력 공급 배열은 제2 전극들 각각과 제2 전압 공급부 사이의 고속 연결을 포함한다.
실시예 18: 실시예 13 내지 16 중 어느 하나의 실시예에 따른 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 다중극자는 빔 편향을 위한 제1 쌍극자 필드를 제공하도록 구성되고, 제2 다중극자는 제1 쌍극자 필드 상에 중첩되는, 시편에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하기 위한 제2 쌍극자 필드를 제공하도록 구성된다.
실시예 19: 실시예 13 내지 18 중 어느 하나의 실시예에 따른 다중극자 디바이스에 있어서, 제1 다중극자 및 제2 다중극자는 독립적으로 제어가능한 다중극자들이다.
실시예 20: 하전 입자 빔으로 시편을 검사하거나 이미징하기 위한 하전 입자 빔 장치로서, 하전 입자 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 공급원; 시편 상에 하전 입자 빔을 집속하기 위한 대물 렌즈; 및 본원에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에 따른, 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스를 포함한다.
실시예 21: 실시예 20에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 다중극자 디바이스는 대물 렌즈에 인접하여 또는 대물 렌즈 내에 배열된다.
실시예 22: 실시예 20 또는 21에 따른 하전 입자 빔 장치에 있어서, 다중극자 디바이스는 시편의 관심 영역으로 하전 입자 빔을 편향시키면서 관심 영역에 걸쳐 하전 입자 빔을 주사하도록 구성된다.
전술한 내용은 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (21)
- 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법으로서,
4개 이상의 제1 전극들을 갖는 제1 다중극자 및 동일한 단면 평면에 배열된 4개 이상의 제2 전극들을 갖는 제2 다중극자을 포함하는 다중극자 디바이스의 적어도 하나의 개구부를 통해 상기 하전 입자 빔을 안내하는 단계 - 상기 4개 이상의 제1 전극들 및 상기 4개 이상의 제2 전극들은 상기 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -; 및
제1 방식으로 상기 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제1 필드 분포를 제공하기 위해 상기 제1 다중극자를 여기시키는 단계, 및
제2 방식으로 상기 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 제2 필드 분포를 제공하기 위해 상기 제2 다중극자를 여기시키는 단계
중 적어도 하나
를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 다중극자는 8개의 제1 전극들을 포함하는 제1 팔중극자이고, 상기 제2 다중극자는 8개의 제2 전극들을 포함하는 제2 팔중극자인, 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것 및 상기 제2 방식으로 하전 입자 빔에 영향을 미치는 것은: 빔 편향, 빔 주사, 수차 보정, 스티그메이션, 시준, 집속, 빔 정렬 및 블랭킹으로 구성된 군으로부터 선택되는, 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 필드 분포 및 상기 제2 필드 분포는: 선택가능한 방위각을 갖는 쌍극자 필드, 선택가능한 방위각을 갖는 사중극자 필드, 및 팔중극자 필드로 구성된 군으로부터 선택되는, 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 다중극자 및 상기 제2 다중극자는, 상기 제1 및 제2 방식들로 상기 하전 입자 빔에 동기식으로 영향을 미치기 위해 상기 제2 필드 분포 상에 중첩되는 상기 제1 필드 분포를 제공하기 위해서 동시에 여기되는, 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 필드 분포 및 상기 제2 필드 분포 중 적어도 하나 또는 둘 모두는 쌍극자 필드인, 방법. - 제6항에 있어서,
상기 제1 필드 분포는 제1 쌍극자 필드이고, 상기 제2 필드 분포는 제2 쌍극자 필드이고, 상기 제1 쌍극자 필드는 상기 제2 쌍극자 필드보다 더 강하며, 특히, 상기 제1 쌍극자 필드의 최대 필드 강도와 상기 제2 쌍극자 필드의 최대 필드 강도 사이의 비율은, 적어도 일시적으로, 5:1 이상인, 방법. - 제6항 또는 제7항에 있어서,
V1*sin(θ1)의 전압들이 상기 제1 다중극자의 상기 제1 전극들에 인가되는데, θ1은 원주 방향으로의 각각의 제1 전극의 각도 위치이고, V1은 조정가능한 편향 전압이고,
V2*sin(θ2)의 전압들이 상기 제2 다중극자의 상기 제2 전극들에 인가되는데, θ2는 원주 방향으로의 각각의 제2 전극의 각도 위치이고, V2는 20 V 이하의 가변 주사 전압인, 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 필드 분포는 상기 하전 입자 빔을 편향시키는 쌍극자 필드이고, 상기 제2 필드 분포는 시편에 걸쳐 상기 하전 입자 빔을 주사하는 쌍극자 필드인, 방법. - 제9항에 있어서,
상기 하전 입자 빔을 상기 시편의 미리 결정된 제1 관심 영역으로 편향시키기 위해 상기 제1 필드 분포가 미리 결정된 시간 동안 유지되는 반면, 상기 제2 필드 분포는 상기 미리 결정된 제1 관심 영역에 걸쳐 상기 하전 입자 빔을 주사하기 위해 변화되는, 방법. - 제10항에 있어서,
상기 하전 입자 빔을 상기 시편의 제2 관심 영역으로 편향시키기 위해 상기 제1 필드 분포를 변경하는 단계, 이에 후속하여, 상기 제2 관심 영역에 걸쳐 상기 하전 입자 빔을 주사하기 위해 상기 제2 필드 분포가 변화되는 동안 미리 결정된 시간 동안 상기 제1 필드 분포를 유지하는 단계를 더 포함하는, 방법. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 다중극자의 상기 제1 전극들은 제1 전압 공급부, 특히, 적어도, 0 V 내지 100 V 이상의 전압들을 위해 구성된 고전압 전력 공급부에 연결되고, 상기 제2 다중극자의 상기 제2 전극들은 상기 제1 전압 공급부와 상이한 제2 전압 공급부, 특히, 1 GHZ 초과의 변동 속도를 위해 구성된 고속 전력 공급부에 연결되는, 방법. - 광학 축을 따라 전파되는 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스로서,
상기 하전 입자 빔을 위한 적어도 하나의 개구부를 갖는 기판 - 상기 적어도 하나의 개구부는 상기 기판을 통해 광학 축을 따라 연장됨 -;
상기 기판 상에 제공된 4개 이상의 제1 전극들을 포함하는 제1 다중극자;
상기 기판 상에 제공된 4개 이상의 제2 전극들을 포함하는 제2 다중극자 - 상기 4개 이상의 제1 전극들 및 상기 4개 이상의 제2 전극들은 상기 적어도 하나의 개구부 주위에 교번하여 배열됨 -;
상기 제1 전극들을 제1 전압 공급부에 연결하기 위한 제1 전력 공급 배열; 및
상기 제2 전극들을 제2 전압 공급부에 연결하기 위한 제2 전력 공급 배열
을 포함하는, 다중극자 디바이스. - 제13항에 있어서,
상기 제1 다중극자는 8개의 제1 전극들을 포함하는 제1 팔중극자이고, 상기 제2 다중극자는 8개의 제2 전극들을 포함하는 제2 팔중극자인, 다중극자 디바이스. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제1 다중극자 및 상기 제2 다중극자는 정전 다중극자들이고, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들은, 상기 기판 상에 제공되고 미리 결정된 전위로 설정되도록 구성되는 전도성 부분들인, 다중극자 디바이스. - 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전압 공급부는, 특히, 100 V 이상의 최대 전압 및 1 GHz 미만의 변동 속도를 위해 구성되는 저속 고전압 전력 공급부이고, 상기 제2 전압 공급부는, 특히, 50 V 이하의 최대 전압 및 1 GHz 초과의 변동 속도를 위해 구성되는 고속 저전압 전력 공급부인, 다중극자 디바이스. - 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 다중극자는 빔 편향을 위한 제1 쌍극자 필드를 제공하도록 구성되고, 상기 제2 다중극자는 상기 제1 쌍극자 필드 상에 중첩되는, 시편에 걸쳐 상기 하전 입자 빔을 주사하기 위한 제2 쌍극자 필드를 제공하도록 구성되는, 다중극자 디바이스. - 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 다중극자 및 상기 제2 다중극자는 독립적으로 제어가능한 다중극자들인, 다중극자 디바이스. - 하전 입자 빔을 이용하여 시편을 검사하거나 이미징하기 위한 하전 입자 빔 장치로서,
상기 하전 입자 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 공급원;
상기 시편 상에 상기 하전 입자 빔을 집속하기 위한 대물 렌즈; 및
제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른, 상기 하전 입자 빔에 영향을 미치기 위한 다중극자 디바이스
를 포함하는, 하전 입자 빔 장치. - 제19항에 있어서,
상기 다중극자 디바이스는 상기 대물 렌즈에 인접하여 또는 상기 대물 렌즈 내에 배열되는, 하전 입자 빔 장치. - 제19항 또는 제20항에 있어서,
상기 다중극자 디바이스는 상기 시편의 관심 영역으로 상기 하전 입자 빔을 편향시키면서 상기 관심 영역에 걸쳐 상기 하전 입자 빔을 주사하도록 구성되는, 하전 입자 빔 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/189,013 | 2021-03-01 | ||
| US17/189,013 US11501946B2 (en) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus |
| PCT/EP2022/052996 WO2022184387A2 (en) | 2021-03-01 | 2022-02-08 | Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230143624A true KR20230143624A (ko) | 2023-10-12 |
| KR102689369B1 KR102689369B1 (ko) | 2024-07-30 |
Family
ID=80786465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237032859A KR102689369B1 (ko) | 2021-03-01 | 2022-02-08 | 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 다중극자 디바이스, 및 하전 입자 빔 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11501946B2 (ko) |
| EP (1) | EP4302318A2 (ko) |
| JP (1) | JP2024506215A (ko) |
| KR (1) | KR102689369B1 (ko) |
| CN (1) | CN116830235A (ko) |
| TW (1) | TWI819505B (ko) |
| WO (1) | WO2022184387A2 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG11202106369RA (en) * | 2018-12-31 | 2021-07-29 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353439A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Nikon Corp | 電子光学鏡筒 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142646A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビ−ム用集束偏向装置 |
| JP2003197141A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 |
| JP2004006464A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 電子線装置の偏向制御方法およびその偏向校正方法 |
| JP5093831B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2012-12-12 | 日本電子株式会社 | 静電偏向装置 |
| JP4988216B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置 |
| NL1036912C2 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector. |
| JP5349265B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-11-20 | 新日本電工株式会社 | 静電多極子型の偏向器・レンズの製造方法および偏向器・レンズ |
| US8536538B2 (en) | 2011-02-16 | 2013-09-17 | Kla-Tencor Corporation | Multiple-pole electrostatic deflector for improving throughput of focused electron beam instruments |
| NL2007604C2 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
| EP2629317B1 (en) * | 2012-02-20 | 2015-01-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device with dynamic focus and method of operating thereof |
| US20140034845A1 (en) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | N. William Parker | Charged Particle Optics with Azimuthally-Varying Third-Order Aberrations for Generation of Shaped Beams |
| US9793089B2 (en) * | 2013-09-16 | 2017-10-17 | Kla-Tencor Corporation | Electron emitter device with integrated multi-pole electrode structure |
| US10026589B1 (en) * | 2013-11-27 | 2018-07-17 | Multibeam Corporation | Alignment and registration targets for charged particle beam substrate patterning and inspection |
| EP2879155B1 (en) | 2013-12-02 | 2018-04-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi-beam system for high throughput EBI |
| KR20240042242A (ko) | 2015-07-22 | 2024-04-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 장치 |
| US9754759B2 (en) * | 2015-11-20 | 2017-09-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
| US9620329B1 (en) | 2015-11-20 | 2017-04-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
| US9620328B1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-04-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of operating an electrostatic multipole device |
| JP2019185962A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| CN113424291B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-03-22 | Asml荷兰有限公司 | 平台装置 |
| SG11202106369RA (en) | 2018-12-31 | 2021-07-29 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection apparatus |
| CN110660634B (zh) * | 2019-08-28 | 2022-05-06 | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 | 用于带电粒子束的多极型偏转器和带电粒子束成像设备 |
-
2021
- 2021-03-01 US US17/189,013 patent/US11501946B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-08 CN CN202280012661.9A patent/CN116830235A/zh active Pending
- 2022-02-08 KR KR1020237032859A patent/KR102689369B1/ko active IP Right Grant
- 2022-02-08 WO PCT/EP2022/052996 patent/WO2022184387A2/en active Application Filing
- 2022-02-08 JP JP2023552116A patent/JP2024506215A/ja active Pending
- 2022-02-08 EP EP22708066.0A patent/EP4302318A2/en active Pending
- 2022-03-01 TW TW111107316A patent/TWI819505B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353439A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Nikon Corp | 電子光学鏡筒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202240630A (zh) | 2022-10-16 |
| CN116830235A (zh) | 2023-09-29 |
| TWI819505B (zh) | 2023-10-21 |
| JP2024506215A (ja) | 2024-02-09 |
| WO2022184387A2 (en) | 2022-09-09 |
| KR102689369B1 (ko) | 2024-07-30 |
| US20220277921A1 (en) | 2022-09-01 |
| US11501946B2 (en) | 2022-11-15 |
| WO2022184387A3 (en) | 2022-12-01 |
| EP4302318A2 (en) | 2024-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102214294B1 (ko) | 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 | |
| KR102211668B1 (ko) | 복수의 하전 입자 빔들의 장치 | |
| TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測（ｅｂｉ）的多射束裝置 | |
| KR102194561B1 (ko) | 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 영향 디바이스, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법 | |
| KR20090046699A (ko) | 웨이퍼의 전압 콘트라스트를 강화시키는 장치 및 방법 | |
| US9620329B1 (en) | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device | |
| KR100543382B1 (ko) | 하전 입자 빔 장치용 컬럼 | |
| WO2019187118A1 (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
| CN115053319A (zh) | 带电粒子操纵器装置 | |
| KR102689369B1 (ko) | 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 다중극자 디바이스, 및 하전 입자 빔 장치 | |
| KR102650480B1 (ko) | 하전 입자 디바이스를 위한 빔 분할기 | |
| US10297418B2 (en) | Method of reducing coma and chromatic aberration in a charged particle beam device, and charged particle beam device | |
| CN115223831A (zh) | 带电粒子束设备、多子束组件和检查样本的方法 | |
| JP7155393B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| US20240087837A1 (en) | Magnetic multipole device, charged particle beam apparatus, and method of influencing a charged particle beam propagating along an optical axis | |
| US20240170249A1 (en) | Charged particle beam system, corrector for aberration correction of a charged particle beam, and method thereof | |
| US20240212968A1 (en) | Lens for a charged particle beam apparatus, charged particle beam apparatus, and method of focusing a charged particle beam | |
| US20240006147A1 (en) | Flood column and charged particle apparatus | |
| KR102390312B1 (ko) | 전자 빔 분리기에서의 열적으로 유도된 빔 드리프트를 제거하는 방법 | |
| CN118251748A (zh) | 多带电粒子束装置及其操作方法 | |
| CN115335949A (zh) | 泛射柱、带电粒子工具以及用于对样品的带电粒子泛射的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |