KR20230142234A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230142234A
KR20230142234A KR1020220041225A KR20220041225A KR20230142234A KR 20230142234 A KR20230142234 A KR 20230142234A KR 1020220041225 A KR1020220041225 A KR 1020220041225A KR 20220041225 A KR20220041225 A KR 20220041225A KR 20230142234 A KR20230142234 A KR 20230142234A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
side wall
louver
protruding
processing
Prior art date
Application number
KR1020220041225A
Other languages
English (en)
Inventor
손영준
이우람
백혜빈
박은우
김대성
최진호
임재현
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220041225A priority Critical patent/KR20230142234A/ko
Publication of KR20230142234A publication Critical patent/KR20230142234A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 기술적 사상은 세정 공정에서, 미스트가 기판의 상면으로 튀어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하다. 그 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지며, 상부가 개방된 원통 형상을 갖는 처리 용기; 상기 처리 용기 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판으로 처리액을 분사하는 분사부;를 포함하고, 상기 처리 용기는 상기 기판 지지부를 둘러싸는 측벽과 및 상기 측벽 부분의 상부 끝단에서 내부 쪽으로 연장된 덮개를 포함하며, 상기 처리 용기의 측벽에는 루버(louver) 패턴이 형성된다.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}
본 발명의 기술적 사상은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 기판을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다. 한편, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 및 기판 지지 부재의 측면과 상부 일부를 둘러싸는 처리 용기를 포함할 수 있다. 처리 용기의 내 측면은 매끄러운 면으로 제공되고, 세정 공정에서 세정에 사용된 미스트(mist)가 원심력에 의해 처리 용기의 내 측면에 부딪힌 후, 다시 기판으로 튀어 기판을 재오염시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 세정 공정에서, 미스트가 기판의 상면으로 튀어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기술적 사상은, 내부에 처리 공간을 가지며, 상부가 개방된 원통 형상을 갖는 처리 용기; 상기 처리 용기 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판으로 처리액을 분사하는 분사부;를 포함하고, 상기 처리 용기는 상기 기판 지지부를 둘러싸는 측벽과 및 상기 측벽 부분의 상부 끝단에서 내부 쪽으로 연장된 덮개를 포함하며, 상기 처리 용기의 측벽에는 루버(louver) 패턴이 형성된, 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 루버 패턴은 상기 측벽에 2차원 어레이 구조로 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 루버 패턴은 상기 측벽을 관통하는 구조를 가지며, 상기 루버 패턴은 상기 루버 패턴에 입사되는 물질이 상기 처리 용기의 외부로 방출되는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 루버 패턴은, 하방으로 갈수록 상기 측벽에서 점점 멀어지는 형태의 돌출 덮개와 상기 돌출 덮개 양쪽에서 상기 측벽으로 연결된 돌출 측면을 포함하고, 상기 루버 패턴은, 상기 돌출 덮개의 상부 라인과 2개의 상기 돌출 측면의 수직 라인에 의해 정의되는 입구부와, 상기 돌출 덮개의 하부 라인과 2개의 상기 돌출 측면의 하부 라인에 의해 정의되는 출구부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 돌출 덮개는 평면 형태를 가지거나 하방으로 구부려진 곡면 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 입구부로 향하는 미스트(mist)는, 상기 돌출 덮개에 부딪쳐 상기 하방으로 꺾여 상기 출구부를 방출되거나, 또는 상기 루버 패턴 내부에서 와류를 형성하여 유속이 감속된 후, 상기 출구부로 방출될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치에서, 처리 용기는 측벽, 덮개, 및 루버를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치는, 세정 공정에서, 처리 용기의 측벽에 설치된 루버(louver)를 통해 미스트(mist)를 포함한 공기(Air)가 외부로 배출됨으로써, 미스트가 기판의 상면으로 튀어 올라 기판을 오염시키는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 참고로, 기존의 기판 처리 장치의 경우, 처리 용기의 측벽에 루버가 설치되지 않는다. 그에 따라, 세정 공정에서, 미스트를 포함한 공기가 측벽을 통해 튀어 기판의 상면을 오염시키는 일이 종종 발생할 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치에서는, 처리 용기의 측벽에 루버가 설치됨으로써, 미스트를 포함한 공기가 기판의 상면으로 튀어 올라 기판을 오염시키는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 주요 부분을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 I-I' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 3a 내지 도 4는 도 1의 기판 처리 장치에서, 처리 용기의 상부 부분을 보여주는 사시도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3a의 처리 용기의 측벽에 배치된 루버를 통한 미스트 배출 원리를 설명하기 위한 개념도들이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 통상의 기술자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 연결된다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소와 바로 연결될 수도 있지만, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 유사하게, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 구조나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었고, 설명과 관계없는 부분은 생략되었다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 주요 부분을 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 I-I' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)는 기판 지지부(110), 세정부(120), 및 처리 용기(130)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 처리 장치(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공하는 챔버에 의해 둘러싸일 수 있다.
기판 지지부(110)는 스핀 헤드, 지지축, 그리고 회전 구동부 등을 포함할 수 있다. 스핀 헤드는 상부에서 바라볼 때 원형의 상부면을 가질 수 있다. 스핀 헤드는 지지핀, 및 척핀을 포함할 수 있다. 지지핀은 복수 개 제공될 수 있다. 예컨대, 지지핀은 스핀 헤드의 상부면의 소정 간격으로 이격 배치될 수 있다. 지지핀은 스핀 헤드의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면을 지지할 수 있다. 스핀 헤드에는 지지축이 결합될 수 있다. 지지축은 회전 구동부에 의해 회전하며, 그에 따라, 기판(W)이 회전할 수 있다. 척핀은 복수 개 제공되고, 척핀은 지지핀의 외측에 배치될 수 있다. 척핀은 기판 지지부(110)가 회전할 때, 기판(W)이 측면 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지할 수 있다.
세정부(120)는, 다수의 분사 유닛들을 포함하며, 기판(W) 하면 상에 위치하도록 배치될 수 있다. 다수의 분사 유닛들 각각은 기판(W)의 하부에서 기판(W)의 하면 쪽, 즉 기판(W)의 이면 쪽으로 세정액을 분사할 수 있다. 세정액은, 예컨대, 탈이온수(DIW), DIW 오존수의 혼합액, 혹은 DIW와 알칼리액의 혼합액 등을 포함할 수 있다.
처리 용기(130)는 기판 지지부(110)를 둘러싸는 구조를 가지며, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공할 수 있다. 처리 용기(130)는 기판(W)의 수평 사이즈에 대응하는 개구부가 형성될 수 있다. 이러한 개구부를 통해 기판(W)이 기판 지지부(110)에 제공되고, 또한, 기판 지지부(110)로부터 이탈되어 외부로 이송될 수 있다.
본 실시예의 기판 처리 장치(100)에서, 처리 용기(130)는 측벽(도 3a의 132 참조), 덮개(도 3a의 134 참조), 및 루버(louver, 도 3a의 136)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 기판 처리 장치(100)는, 처리 용기(130)의 측벽(1320에 루버(136)를 포함함으로써, 세정 공정에서, 미스트(mist)를 포함한 공기(Air)가 기판(W)의 상면으로 튀어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 참고로, 기존의 기판 처리 장치의 경우, 처리 용기의 측벽에 루버가 배치되지 않는다. 그에 따라, 기존의 기판 처리 장치의 경우, 도 2에서 화살표와 타원의 해칭 부분으로 표시된 바와 같이, 세정 공정에서, 미스트를 포함한 공기가 측벽을 통해 튀어 올라 기판(W)의 상면을 오염시키는 일이 종종 발생할 수 있다. 그러나 본 실시예의 기판 처리 장치(100)에서는, 처리 용기(130)의 측벽(132)에 루버(136)가 설치됨으로써, 미스트를 포함한 공기가 루버(136)를 통해 외부로 효과적으로 배출될 수 있고, 그에 따라, 미스트를 포함한 공기가 기판(W)의 상면으로 튀어 올라 기판을 오염시키는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
처리 용기(130)의 구조에 대해서는 도 3a 및 도 3b의 설명 부분에서 좀더 상세하게 설명한다. 또한, 측벽(132)에 설치된 루버(136)를 통해 미스트를 포함한 공기를 배출하는 원리에 대해서는, 도 5a 및 도 5b의 설명 부분에서 좀더 상세히 설명한다.
도 3a 내지 4는 도 1의 기판 처리 장치에서, 처리 용기의 상부 부분을 보여주는 사시도들이다. 도 3b는 도 3a의 루버가 배치된 부분을 절단하여 보여주는 확대 사시도이다. 도 4는 다른 형태의 루버를 보여주는 확대 사시도이고, 도 3b에 대응한다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하여 설명하고, 도 1 및 도 2의 설명 부분에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)에서, 처리 용기(130)는 측벽(132), 덮개(134), 및 루버(136)를 포함할 수 있다. 측벽(132)은 기판 지지부(110)을 측면을 둘러쌀 수 있다. 특히, 측벽(132)은 기판(W)이 배치되는 기판 지지부(110)의 상부 부분의 측면을 둘러쌀 수 있다. 측벽(132)은 세정 공정 등에서, 세정액, 또는 미스트를 포함한 공기 등이 측면으로 방사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 측벽(132)은 세정액, 또는 미스트를 포함한 공기가 상방으로 향하여 기판(W)의 상면으로 튀는 것을 방지할 수 있다.
덮개(134)는 측벽(132)의 상단 끝단에서 내부 안쪽으로 수평하게 연장하는 구조를 가질 수 있다. 다시 말해서, 기판(W)의 상면을 기준으로 측벽(132)이 수직 방향으로 연장하는 형태를 가진 반면, 덮개(134)는 기판(W) 상면에 수평하게 연장하는 구조를 가질 수 있다. 또한, 덮개(134) 부분에는 전술한 바와 같이 개구부가 형성될 수 있고, 개구부를 통해 기판(W)이 기판 지지부(110)로 제공되고, 또한, 기판 지지부(110)로부터 이탈될 수 있다. 덮개(134) 역시, 세정 공정 등에서, 세정액, 또는 미스트를 포함한 공기 등이 측벽(132)을 통해 튀어 올라 기판(W) 상면으로 진행하는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다.
루버(136)는 측벽(132)에 2차워 어레이 구조로 배치될 수 있다. 예컨대, 도 3a에 도시된 바와 같이, 루버(136)가 측벽(132)에 5*8의 어레이 구조로 배치될 수 있다. 그러나 루버(136)의 배치 구조가 5*8의 어레이 구조에 한정되는 것은 아니다.
루버(136) 각각은 일반적인 루버에 유사한 형태를 가질 수 있다. 다시 말해서, 루버(136)는 측벽(142)로부터 외부로 돌출되는 돌출 덮개(136p)와 돌출 덮개(136p) 양 측면에 돌출 측면(136s)을 포함할 수 있다. 또한, 루버(136)는 돌출 덮개(136p)과 돌출 측면(136s)을 통해 정의되는 2개의 개구부들(136h1, 136h2)이 형성될 수 있다.
돌출 덮개(136p)는 하방으로 갈수록 측벽(132)에서 점점 멀어지는 형태를 가질 수 있다. 도 3b나 도 4b 등을 통해 알 수 있듯이, 돌출 덮개(136p)는 하방으로 구부러진 곡면 형태를 가질 수 있다. 그러나 돌출 덮개(136p)의 형태가 그에 한정되는 것은 아니다. 돌출 측면(136s)은 돌출 덮개(136p)의 양 측면에서 돌출 덮개(136p)과 측벽(132)을 연결할 수 있다.
한편, 돌출 덮개(136p)의 상부 라인, 돌출 측면들(136s)의 수직 라인들, 및 측벽(132)의 수평 라인이 개구부들 중 입구부(136h1)를 구성할 수 있다. 여기서, 돌출 덮개(136p)의 상부 라인은 돌출 덮개(136p)가 측벽(132)에 연결된 라인에 해당할 수 있다. 돌출 측면들(136s)의 수직 라인들은 돌출 측면들(136s) 각각에서, 상방으로 연장하는 라인에 해당할 수 있다. 또한, 측벽(132)의 수평 라인은 측벽(132)의 잘린 부분의 라인에 해당할 수 있다.
또한, 돌출 덮개(136p)의 하부 라인, 돌출 측면들(136s)의 수평 라인들, 및 측벽(132)의 수평 라인이 개구부들 중 출구부(136h2)를 구성할 수 있다. 여기서, 돌출 덮개(136p)의 하부 라인은 돌출 덮개(136p)의 끝단의 라인에 해당할 수 있다. 돌출 측면들(136s)의 수평 라인들은 돌출 측면들(136s) 각각에서, 수평으로 연장하는 라인에 해당할 수 있다.
도 3b를 통해 알 수 있듯이, 측벽(132)의 내측벽 상의 루버(136)의 수평 단면, 즉 입구부(136h1)의 수평 단면은 사다리꼴 형태를 가질 수 있다. 다시 말해서, 돌출 덮개(136p)의 상부 라인이 측벽(132)의 수평 라인보다 짧을 수 있다. 그러나 입구부(136h1)의 수평 단면이 사다리꼴에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 입구부(136h1)의 수평 단면은 직사각형 형태를 가질 수도 있다.
도 4를 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)의 처리 용기(130a)는, 도 3b의 처리 용기(130)와 유사한 형태를 가지나 루버(136a)의 형태에서, 도 3b의 처리 용기(130)와 약간 다를 수 있다. 구체적으로, 도 3b의 처리 용기(130)에서, 루버(136)의 돌출 덮개(136p)는 하방으로 갈수록 측벽(132)에서 점점 멀어지면서 하방으로 굽어진 곡면 형태를 가질 수 있다.
그에 반해, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)의 처리 용기(130a)의 측벽(132)에 설치된 루버(136a)에서, 돌출 덮개(136pa)는 하방으로 갈수록 측벽(132)에서 점점 멀어지는 형태를 가지되, 곡면 형태가 아닌 평평한 평면 형태를 가질 수 있다. 그 외 돌출 덮개(136pa), 돌출 측면들(136s), 및 측벽(132)에 의해 정의되는 개구부들, 즉 입구부(136h1)와 출구부(136h2)는 앞서 도 3b의 설명 부분에서 설명한 바와 같다.
지금까지 2가지 형태의 루버에 대해서 설명하였지만, 루버의 형태가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 처리 용기 내부의 미스트를 포함한 공기를 효과적으로 외부로 배출할 수 있는 다양한 형태의 루버가 처리 용기에 채용될 수 있다. 한편, 도 3b와 도 4에서 루버들(136, 136a)이 2차원 어레이 구조로 배치되고 있지만, 루버의 배치 구조가 2차원 어레이 구조에 한정되는 것도 아니다. 예컨대, 루버 각각이 수평 방향으로 길게 연장된 구조를 가지며, 그러한 구조의 복수의 루버들이 수직 방향을 따라 서로 인접하여 배치된 구조를 가질 수도 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 3a의 처리 용기의 측벽에 배치된 루버를 통한 미스트 배출 원리를 설명하기 위한 개념도들이다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하여 설명하면, 도 1 내지 도 4에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 도 5a의 굵은 화살표로 표시된 바와 같이, 세정 공정에서, 처리 용기(130)의 측벽(132)으로 미스트를 포함한 공기가 진행할 수 있다. 루버가 설치되지 않는 경우, 그러한 미스트를 포함한 공기는 측벽(132)에 부딪쳐 상방이나 하방으로 튀게 되고, 특히 상방으로 튀게 된 미스트를 포함한 공기는 기판(W)의 상면으로 진행하여 기판(W)의 상면을 오염시킬 수 있다.
그러나 본 실시예의 기판 처리 장치(100)에서는, 처리 용기(130)의 측벽(132)에 루버(136)가 설치됨으로써, 작은 화살표들로 표시된 바와 같이, 처리 용기(130)의 측벽(132)으로 진행한 미스트를 포함한 공기가 루버(136)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)는, 세정 공정 중에 미스트를 포함한 공기가 기판(W)의 상면으로 튀어 올라 기판(W)의 상면을 오염시키는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
한편, 도 5b에 도시된 바와 같이, 미스트를 포함한 공기는 루버(136)를 통해 한번에 외부로 배출되지 않고, 루버(136) 내의 공간에서 와류를 형성하면서 외부로 배출될 수도 있다. 이와 같이 미스트를 포함한 공기의 일부가 루버(136)를 통해 와류가 형성됨으로써, 유속이 감소되어 처리 용기(130)의 측벽(132)을 통해 튀기는 힘이 줄어들고, 일부는 루버를 통해 외부로 배출되고 일부는 측벽(132)의 내벽을 타고 하방으로 흘러갈 수 있다. 따라서, 미스트를 포함한 공기가 기판(W) 상면으로 진행하여 기판(W) 상면을 오염시키는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 처리 장치, 110: 기판 지지부, 120: 세정부, 130, 130a: 처리 용기, 132: 측벽, 134: 덮개, 136, 136a: 루버, 136p, 136pa: 돌출 덮개, 136s: 돌출 측면, 136h1: 입구부, 136h2: 출구부

Claims (6)

  1. 내부에 처리 공간을 가지며, 상부가 개방된 원통 형상을 갖는 처리 용기;
    상기 처리 용기 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
    상기 기판으로 처리액을 분사하는 분사부;를 포함하고,
    상기 처리 용기는 상기 기판 지지부를 둘러싸는 측벽과 및 상기 측벽 부분의 상부 끝단에서 내부 쪽으로 연장된 덮개를 포함하며,
    상기 처리 용기의 측벽에는 루버(louver) 패턴이 형성된, 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 루버 패턴은 상기 측벽에 2차원 어레이 구조로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 루버 패턴은 상기 측벽을 관통하는 구조를 가지며,
    상기 루버 패턴은 상기 루버 패턴에 입사되는 물질이 상기 처리 용기의 외부로 방출되는 구조를 갖는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 루버 패턴은, 하방으로 갈수록 상기 측벽에서 점점 멀어지는 형태의 돌출 덮개와 상기 돌출 덮개 양쪽에서 상기 측벽으로 연결된 돌출 측면을 포함하고,
    상기 루버 패턴은, 상기 돌출 덮개의 상부 라인과 2개의 상기 돌출 측면의 수직 라인에 의해 정의되는 입구부와, 상기 돌출 덮개의 하부 라인과 2개의 상기 돌출 측면의 하부 라인에 의해 정의되는 출구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 돌출 덮개는 평면 형태를 가지거나 하방으로 구부려진 곡면 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 입구부로 향하는 미스트(mist)는, 상기 돌출 덮개에 부딪쳐 상기 하방으로 꺾여 상기 출구부를 방출되거나, 또는
    상기 루버 패턴 내부에서 와류를 형성하여 유속이 감속된 후, 상기 출구부로 방출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.



KR1020220041225A 2022-04-01 2022-04-01 기판 처리 장치 KR20230142234A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220041225A KR20230142234A (ko) 2022-04-01 2022-04-01 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220041225A KR20230142234A (ko) 2022-04-01 2022-04-01 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230142234A true KR20230142234A (ko) 2023-10-11

Family

ID=88295234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220041225A KR20230142234A (ko) 2022-04-01 2022-04-01 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230142234A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5852898B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI529776B (zh) 基板處理裝置
TWI557792B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP5536009B2 (ja) 基板加工装置
US8881996B2 (en) Swing nozzle unit and substrate processing apparatus with swing nozzle unit
TWI529798B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI656913B (zh) 基板處理裝置
US7412981B2 (en) Liquid processing apparatus and method
TW201400195A (zh) 液體處理裝置
JP2013065795A (ja) 基板処理方法
JP2005353739A (ja) 基板洗浄装置
KR100695228B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20230142234A (ko) 기판 처리 장치
KR102208287B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4805051B2 (ja) 液処理装置
TWM479507U (zh) 用於清洗晶圓之盤式載具
JP2001351847A (ja) 半導体製造装置
JP4347765B2 (ja) 基板処理装置
KR101318493B1 (ko) 스핀 린스 드라이 장치
KR20170073294A (ko) 스핀식 헹굼 건조 장치
KR101081519B1 (ko) 약액 분사 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101677037B1 (ko) 스핀식 헹굼 건조 장치
KR101398441B1 (ko) 매엽식 세정장치
KR20240105763A (ko) 기판 처리용 바울 및 이를 포함하는 기판처리장치
TW201628727A (zh) 基板洗淨裝置