KR20230142233A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기술적 사상은 히터를 포함하는 가열 플레이트; 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 포함하는 변형 플레이트; 및 상기 캐비티에 공기를 주입하거나 상기 캐비티의 공기를 배기하도록 구성된 공압 조절기;를 포함하고, 상기 변형 플레이트는 상기 캐비티의 압력에 따라 상기 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된, 기판 처리 장치를 제공한다.The technical idea of the present invention is to include a heating plate including a heater; a deformable plate coupled to the main surface of the heating plate to form a cavity and including a support surface configured to support a substrate; and a pneumatic regulator configured to inject air into the cavity or exhaust air from the cavity, wherein the deformable plate has an initial state in which the support surface is flat and a deformed state in which the support surface is convex depending on the pressure of the cavity. A substrate processing apparatus configured to switch between states is provided.

Description

기판 처리 장치 {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate processing device {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명의 기술적 사상은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열 처리하도록 구성된 기판 처리 장치에 관한 것이다. The technical idea of the present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus configured to heat process a substrate.

반도체 제조 공정 중 포토 리소그래피(photo-lithography) 공정은 웨이퍼와 같은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 포토 리소그래피 공정을 수행하는 설비는 도포 공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 현상 공정(develop process)을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 상기 베이크 공정에 이용되는 베이크 챔버 내에서는 기판을 냉각 또는 가열 처리한다. 상기 베이크 챔버 내에서 기판을 가열 처리할 때, 가열되는 기판의 온도 균일성이 낮아져 기판 처리 공정의 수율이 저하되는 문제가 있다. Among the semiconductor manufacturing processes, the photo-lithography process is a process of forming a desired pattern on a substrate such as a wafer. Equipment that performs a photolithography process sequentially or selectively performs a coating process, a bake process, and a development process. In the bake chamber used in the bake process, the substrate is cooled or heated. When heat processing a substrate in the bake chamber, there is a problem that the temperature uniformity of the heated substrate is lowered and the yield of the substrate processing process is lowered.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 기판을 가열 처리하도록 구성된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the technical idea of the present invention is to provide a substrate processing device configured to heat process a substrate.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 히터를 포함하는 가열 플레이트; 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 포함하는 변형 플레이트; 및 상기 캐비티에 공기를 주입하거나 상기 캐비티의 공기를 배기하도록 구성된 공압 조절기;를 포함하고, 상기 변형 플레이트는 상기 캐비티의 압력에 따라 상기 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된, 기판 처리 장치를 제공한다.In order to solve the above-described problem, the technical idea of the present invention is to include a heating plate including a heater; a deformable plate coupled to the main surface of the heating plate to form a cavity and including a support surface configured to support a substrate; and a pneumatic regulator configured to inject air into the cavity or exhaust air from the cavity, wherein the deformable plate has an initial state in which the support surface is flat and a deformed state in which the support surface is convex depending on the pressure of the cavity. A substrate processing apparatus configured to switch between states is provided.

예시적인 실시예들에서, 상기 변형 플레이트의 가장자리부를 상기 가열 플레이트에 결합시키는 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, the method further includes a clamp that couples an edge portion of the deformable plate to the heating plate.

예시적인 실시예들에서, 상기 변형 플레이트의 상기 초기 상태에서 상기 기판의 가장자리부 및 중심부는 각각 상기 변형 플레이트의 상기 지지면에 접촉되고, 상기 변형 플레이트의 상기 변형 상태에서 상기 기판의 가장자리부는 상기 변형 플레이트의 상기 지지면으로부터 이격되고 상기 기판의 중심부는 상기 변형 플레이트의 상기 지지면에 접촉된 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, in the initial state of the deformable plate, an edge portion and a center portion of the substrate are each in contact with the support surface of the deformable plate, and in the deformed state of the deformable plate, an edge portion of the substrate is in contact with the deformable plate. It is characterized in that it is spaced apart from the support surface of the plate and the center of the substrate is in contact with the support surface of the deformable plate.

예시적인 실시예들에서, 상기 변형 플레이트는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, the deformation plate is characterized as comprising polyimide.

예시적인 실시예들에서, 상기 기판을 승강시키도록 구성된 리프트 핀을 더 포함하고, 상기 리프트 핀은 상기 가열 플레이트의 핀 홀에 수용되고, 상기 가열 플레이트의 상기 주면에 수직한 방향으로 승강하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, it further includes a lift pin configured to lift the substrate, the lift pin being received in a pin hole of the heating plate and configured to lift the substrate in a direction perpendicular to the main surface of the heating plate. It is characterized by

예시적인 실시예들에서, 상기 캐비티 내에 제공되고, 상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀 및 상기 변형 플레이트의 관통홀에 연통하는 내부 공간을 가지는 밀봉 실린더를 더 포함하고, 상기 리프트 핀은 상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀 및 상기 변형 플레이트의 관통홀을 통과하여 승강하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, it further includes a sealing cylinder provided in the cavity, the sealing cylinder having an interior space communicating with the pin hole of the heating plate and the through hole of the deformation plate, wherein the lift pin is provided in the cavity of the heating plate. It is characterized in that it is configured to be lifted up and down through the pin hole and the through hole of the deformable plate.

예시적인 실시예들에서, 상기 밀봉 실린더의 하단은 상기 가열 플레이트에 결합되고, 상기 밀봉 실린더의 상단은 상기 변형 플레이트에 결합되고, 상기 밀봉 실린더는 상기 변형 플레이트가 상기 초기 상태와 상기 변형 상태 사이에서의 변형되는 동안 신장 또는 수축하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, a lower end of the sealing cylinder is coupled to the heating plate, an upper end of the sealing cylinder is coupled to the deformation plate, and the sealing cylinder is configured to move the deformation plate between the initial state and the deformation state. It is characterized in that it is configured to expand or contract during deformation.

예시적인 실시예들에서, 상기 변형 플레이트는, 제1 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 상기 기판의 제1 부분을 지지하도록 구성된 제1 지지면을 포함하는 제1 변형 플레이트; 및 제2 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 상기 기판의 제2 부분을 지지하도록 구성된 제2 지지면을 포함하는 제2 변형 플레이트;를 포함하고, 상기 제1 변형 플레이트는 상기 제1 캐비티의 압력에 따라 상기 제1 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 제1 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성되고, 상기 제2 변형 플레이트는 상기 제2 캐비티의 압력에 따라 상기 제2 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 제2 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In example embodiments, the deformable plate may include: a first deformable plate coupled on a major surface of the heating plate to form a first cavity and including a first support surface configured to support a first portion of the substrate; and a second deformable plate coupled to the main surface of the heating plate to form a second cavity and including a second support surface configured to support the second portion of the substrate. It is configured to switch between an initial state in which the first support surface is flat and a deformed state in which the first support surface is convexly deformed according to the pressure of the first cavity, and the second deformable plate is configured to change according to the pressure of the second cavity. It is characterized in that it is configured to switch between an initial state in which the second support surface is flat and a deformed state in which the second support surface is deformed to be convex.

예시적인 실시예들에서, 상기 가열 플레이트의 상기 주면은 상기 제1 변형 플레이트가 배치되는 제1 영역 상기 제2 변형 플레이트가 배치되는 제2 영역을 포함하고, 상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀은 상기 가열 플레이트의 상기 주면의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치된 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, the main surface of the heating plate includes a first area where the first deformable plate is disposed and a second area where the second deformable plate is disposed, and the pin hole of the heating plate includes a first area where the first deformable plate is disposed. It is characterized in that it is disposed between the first area and the second area of the main surface of the plate.

예시적인 실시예들에서, 상기 변형 플레이트가 상기 변형 상태에 있을 때, 상기 가열 플레이트의 상기 주면과 상기 기판 사이의 거리는 100㎛ 내지 1mm 사이인 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, when the deformable plate is in the deformed state, the distance between the main surface of the heating plate and the substrate is between 100 μm and 1 mm.

본 발명의 에시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 근접 핀이 생략되므로, 기판에 대한 가열 처리 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상될 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention, since the proximity pin is omitted, temperature uniformity can be improved during heat treatment of the substrate, and ultimately process yield can be improved.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views showing substrate processing devices according to exemplary embodiments of the present invention.
2A to 2C are cross-sectional views showing substrate processing devices according to exemplary embodiments of the present invention.
3A to 3D are cross-sectional views showing substrate processing devices according to exemplary embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the technical idea of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions thereof are omitted.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 단면도이다. 1A and 1B are cross-sectional views showing a substrate processing apparatus 10 according to exemplary embodiments of the present invention.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 반도체 웨이퍼와 같은 기판(SB)을 가열 처리하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)는 포토 리소그래피 공정을 수행하도록 구성된 설비에 제공될 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)는 도포 공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 및/또는 현상 공정(develop process)을 수행하도록 구성된 설비에 제공될 수 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B , the substrate processing apparatus 10 may be configured to heat-process a substrate SB, such as a semiconductor wafer. For example, the substrate processing apparatus 10 may be provided in a facility configured to perform a photolithography process. For example, the substrate processing apparatus 10 may be provided in equipment configured to perform a coating process, a bake process, and/or a develop process.

기판 처리 장치(10)는 가열 플레이트(110), 변형 플레이트(120), 및 공압 조절기(140)를 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus 10 may include a heating plate 110, a deformation plate 120, and a pneumatic regulator 140.

가열 플레이트(110)는 기판(SB)을 가열 처리하기 위한 열을 기판(SB)에 제공하도록 구성될 수 있다. 가열 플레이트(110)는 처리 공간을 제공하는 챔버(도시 생략) 내에 제공될 수 있다. 가열 플레이트(110)는 베이스 몸체(111) 및 히터(119)를 포함할 수 있다. The heating plate 110 may be configured to provide heat to the substrate SB for heat processing the substrate SB. Heating plate 110 may be provided within a chamber (not shown) providing processing space. The heating plate 110 may include a base body 111 and a heater 119.

베이스 몸체(111)는 대체로 평판 형태를 가질 수 있으며, 가열 플레이트(110) 상에 탑재되는 기판(SB)과 마주하는 베이스 몸체(111)의 주면(main surface)(112)은 평면일 수 있다. 본 명세서에서, 베이스 몸체(111)의 주면(112)은 가열 플레이트(110)의 주면을 의미할 수 있다. 베이스 몸체(111)는 평면적 관점에서 원 형태 또는 사각형과 같은 다각형 형태를 가질 수 있다. 베이스 몸체(111)는 기판(SB)보다 더 큰 수평 폭을 가지도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 베이스 몸체(111)는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AIN) 등 세라믹(ceramic)을 소재로 하여 형성될 수 있다. The base body 111 may have a generally flat shape, and the main surface 112 of the base body 111 facing the substrate SB mounted on the heating plate 110 may be flat. In this specification, the main surface 112 of the base body 111 may mean the main surface of the heating plate 110. The base body 111 may have a polygonal shape such as a circle or a square in plan view. The base body 111 may be configured to have a larger horizontal width than the substrate SB. For example, the base body 111 may be formed of a ceramic material such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AIN).

히터(119)는 베이스 몸체(111) 내에 제공될 수 있다. 히터(119)는 예를 들어, 저항 가열 방식으로 열을 발생시키도록 구성된 열선과 같은 가열 요소(heating element)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터(119)는 가열 플레이트(110)의 외부에 제공된 전원 공급부로부터 제공된 전원을 공급받아 열을 발생시킬 수 있다. 히터(119)는 예를 들어, 저항 가열 방식으로 열을 발생시키기에 적합한 소재, 예를 들어 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 히터(119)는 은(Ag), 백금(Pt), 텅스텐(W), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.Heater 119 may be provided within the base body 111. The heater 119 may include a heating element, such as a heating wire configured to generate heat by, for example, a resistance heating method. For example, the heater 119 may generate heat by receiving power from a power supply provided outside the heating plate 110. The heater 119 may include a material suitable for generating heat by, for example, a resistance heating method, for example, a metal. For example, the heater 119 may include silver (Ag), platinum (Pt), tungsten (W), or a combination thereof.

변형 플레이트(120)는 가열 플레이트(110)의 베이스 몸체(111)의 주면(112) 상에 제공되며, 기판(SB)이 지지되는 지지면(121)을 제공할 수 있다. 변형 플레이트(120)는 평면적 관점에서 기판(SB)의 형태에 대응된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 변형 플레이트(120)는 평면적 관점에서 원 형태 또는 사각형과 같은 다각형 형태를 가질 수 있다. 변형 플레이트(120)의 수평 폭은 기판(SB)의 수평 폭보다 크고, 베이스 몸체(111)의 수평 폭보다 작을 수 있다. The deformable plate 120 is provided on the main surface 112 of the base body 111 of the heating plate 110 and may provide a support surface 121 on which the substrate SB is supported. The deformable plate 120 may have a shape corresponding to the shape of the substrate SB from a plan view. For example, the deformable plate 120 may have a circular shape or a polygonal shape such as a square in plan view. The horizontal width of the deformable plate 120 may be greater than the horizontal width of the substrate SB and may be smaller than the horizontal width of the base body 111.

변형 플레이트(120)는 변형 플레이트(120)와 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이에 캐비티(130)가 형성되도록 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 상기 캐비티(130)는 변형 플레이트(120)와 베이스 몸체(111)의 주면에 의해 정의된 공간으로, 밀폐된 공간일 수 있다. 변형 플레이트(120)의 가장자리부는 베이스 몸체(111)에 고정되되, 변형 플레이트(120)의 중심부는 베이스 몸체(111)로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 변형 플레이트(120)의 가장자리부는 클램프(150)를 통해 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 캐비티(130) 내의 공기가 변형 플레이트(120)의 가장자리부를 통해 외부로 누설되는 것이 방지될 수 있도록, 변형 플레이트(120)는 그 둘레를 따라 베이스 몸체(111)에 연속적으로 결합될 수 있다. The deformable plate 120 may be coupled to the base body 111 so that a cavity 130 is formed between the deformable plate 120 and the main surface 112 of the base body 111. The cavity 130 is a space defined by the main surface of the deformable plate 120 and the base body 111, and may be a closed space. The edge portion of the deformable plate 120 is fixed to the base body 111, but the center of the deformable plate 120 may be separated from the base body 111. For example, the edge portion of the deformable plate 120 may be coupled to the base body 111 through the clamp 150. The deformable plate 120 may be continuously coupled to the base body 111 along its circumference so that the air in the cavity 130 can be prevented from leaking to the outside through the edge portion of the deformable plate 120.

변형 플레이트(120)는 도 1a에 도시된 바와 같이 대체로 평평한 프로파일을 갖는 초기 상태와, 도 1b에 도시된 바와 같이 볼록한 프로파일을 갖는 변형 상태사이에서 전환 가능하도록 구성될 수 있다. 변형 플레이트(120)가 변형됨에 따라, 변형 플레이트(120)의 지지면(121)의 곡률이 변할 수 있다. 변형 플레이트(120)의 초기 상태에서, 기판(SB)에 접하는 변형 플레이트(120)의 지지면(121)은 대체로 평평하고, 기판(SB)의 바닥면은 변형 플레이트(120)의 지지면(121)에 전체적으로 접촉될 수 있다. 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서, 변형 플레이트(120)의 지지면(121)은 그 중심부가 그 가장자리부로부터 상방으로 돌출된 볼록한 형태로 변형될 수 있다. 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서, 기판(SB)의 바닥면의 중심부는 변형 플레이트(120)에 접촉되되, 기판(SB)의 바닥면의 다른 부분은 변형 플레이트(120)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 변형 플레이트(120)의 초기 상태와 변형 상태 사이에서의 상태 전환은, 캐비티(130) 내의 공압 변화에 의해 실현될 수 있다. The deformable plate 120 may be configured to be switchable between an initial state having a generally flat profile as shown in FIG. 1A and a deformed state having a convex profile as shown in FIG. 1B. As the deformable plate 120 is deformed, the curvature of the support surface 121 of the deformable plate 120 may change. In the initial state of the deformable plate 120, the support surface 121 of the deformable plate 120 in contact with the substrate SB is generally flat, and the bottom surface of the substrate SB is the support surface 121 of the deformable plate 120. ) can be contacted as a whole. When the deformable plate 120 is in a deformed state, the support surface 121 of the deformable plate 120 may be deformed into a convex shape with its center protruding upward from its edge. In the deformed state of the deformable plate 120, the center of the bottom surface of the substrate SB may be in contact with the deformable plate 120, but other portions of the bottom surface of the substrate SB may be spaced apart from the deformable plate 120. . For example, state transition between the initial state and the deformed state of the deformable plate 120 may be realized by changing the pneumatic pressure in the cavity 130.

변형 플레이트(120)의 초기 상태와 변형 상태 사이에서의 전환을 통해, 기판(SB)과 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이의 거리가 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서 기판(SB)과 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이의 거리(D1)는 수십 마이크로미터(㎛) 내지 수 밀리미터(mm) 사이의 범위 내에서 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서 기판(SB)과 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이의 거리(D1)는 100㎛ 내지 1mm 사이로 조절될 수 있다. By switching between the initial state and the deformed state of the deformable plate 120, the distance between the substrate SB and the main surface 112 of the base body 111 can be adjusted. In exemplary embodiments, the distance D1 between the main surface 112 of the substrate SB and the base body 111 in the deformed state of the deformable plate 120 ranges from several tens of micrometers (μm) to several millimeters (mm). It can be adjusted within the range. In exemplary embodiments, the distance D1 between the substrate SB and the main surface 112 of the base body 111 in the deformed state of the deformable plate 120 may be adjusted between 100 μm and 1 mm.

변형 플레이트(120)는 외력에 의해 탄성 변형 가능한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 변형 플레이트(120)는 금속, 폴리이미드와 같은 폴리머, 실리콘, 고무, 세라믹, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 기판(SB)과 접하는 변형 플레이트(120)의 표면부는 기판(SB)이 안정적으로 안착될 수 있도록, 미리 결정된 수준 이상의 마찰계수를 가지는 물질로 형성되거나 미리 결정된 수준 이상의 마찰계수를 가지도록 가공될 수 있다. The deformable plate 120 may be formed of a material that can be elastically deformed by external force. For example, deformable plate 120 may include metal, polymer such as polyimide, silicone, rubber, ceramic, or combinations thereof. In exemplary embodiments, the surface portion of the deformable plate 120 in contact with the substrate SB is formed of a material having a coefficient of friction greater than a predetermined level or has friction greater than a predetermined level so that the substrate SB can be stably seated. It can be processed to have coefficients.

공압 조절기(140)는 캐비티(130)에 연통하도록 베이스 몸체(111)에 마련된 에어 홀(113)을 통해 캐비티(130)에 공기를 주입하거나 배기함으로써 캐비티(130)의 압력을 조절할 수 있다. 공압 조절기(140)가 제공하는 공기는 청정 건조 공기, 불활성 가스 등을 포함할 수 있다. 공압 조절기(140)는 공기를 주입하기 위한 에어 인젝터, 캐비티(130)의 공기를 배기하기 위한 배기 펌프, 및 베이스 몸체(111)의 에어 홀(113)에 연결된 공기 유로에 설치된 유량 제어 밸브 등을 포함할 수 있다. 캐비티(130)의 압력에 변화됨에 따라, 변형 플레이트(120)의 형태가 변형될 수 있다. 예를 들면, 변형 플레이트(120)의 지지면(121)을 평평한 형태로부터 볼록한 형태로 변형하기 위해, 공압 조절기(140)는 캐비티(130)에 공기를 주입하여 캐비티(130)의 공압을 증가시킬 수 있다. 또한, 변형 플레이트(120)의 지지면(121)을 볼록한 형태로부터 평평한 형태로 변형하기 위해, 공압 조절기(140)는 캐비티(130) 내의 공기를 배기하여 캐비티(130)의 공압을 줄일 수 있다. The pneumatic regulator 140 may control the pressure of the cavity 130 by injecting or exhausting air into the cavity 130 through an air hole 113 provided in the base body 111 to communicate with the cavity 130. The air provided by the pneumatic regulator 140 may include clean dry air, inert gas, etc. The pneumatic regulator 140 includes an air injector for injecting air, an exhaust pump for exhausting air from the cavity 130, and a flow control valve installed in the air passage connected to the air hole 113 of the base body 111. It can be included. As the pressure of the cavity 130 changes, the shape of the deformable plate 120 may be deformed. For example, in order to deform the support surface 121 of the deformation plate 120 from a flat shape to a convex shape, the pneumatic regulator 140 may increase the pneumatic pressure of the cavity 130 by injecting air into the cavity 130. You can. Additionally, in order to deform the support surface 121 of the deformable plate 120 from a convex shape to a flat shape, the pneumatic regulator 140 may reduce the pneumatic pressure of the cavity 130 by exhausting the air within the cavity 130.

이하에서, 기판 처리 장치(10)를 이용한 기판 처리 방법을 간략히 설명한다.Below, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 10 will be briefly described.

먼저, 도 1a를 참조하면, 외부에서 제공된 기판(SB)이 초기 상태의 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 위에 안착될 수 있다. 기판(SB)은 변형 플레이트(120)의 평평한 상태의 지지면(121)에 놓여 지지될 수 있다. 기판(SB)을 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착시킨 후, 기판(SB)에 대한 가열 처리를 진행할 수 있다. 예를 들어, 가열 플레이트(110)의 히터(119)에 전원을 공급하여 생성된 열을 이용하여, 기판(SB)을 가열 처리할 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에서, 기판(SB)에 대한 가열 처리 시, 변형 플레이트(120)를 변형시켜, 기판(SB)과 베이스 몸체(111) 사이의 거리(D1)를 조절할 수도 있다. First, referring to FIG. 1A , an externally provided substrate SB may be seated on the support surface 121 of the deformable plate 120 in its initial state. The substrate SB may be supported by being placed on the flat support surface 121 of the deformable plate 120. After the substrate SB is seated on the support surface 121 of the deformable plate 120, heat treatment may be performed on the substrate SB. For example, the substrate SB may be heat treated using heat generated by supplying power to the heater 119 of the heating plate 110. In some exemplary embodiments, during heat treatment of the substrate SB, the deformable plate 120 may be deformed to adjust the distance D1 between the substrate SB and the base body 111.

다음으로, 도 1b를 참조하면, 기판(SB)에 대한 가열 처리가 완료되면, 캐비티(130)의 공압이 증가되도록 공압 조절기(140)는 캐비티(130)에 공기를 주입하고, 캐비티(130)의 공압이 증가됨에 따라 변형 플레이트(120)는 초기 상태로부터 변형 상태로 변형될 수 있다. 즉, 캐비티(130)의 공압이 증가됨에 따라, 변형 플레이트(120)의 지지면(121)은 점차 볼록한 형태로 변형될 수 있다. 변형 플레이트(120)가 초기 상태로부터 변형 상태로 변형되는 동안, 기판(SB)은 그 가장지리부로부터 그 중심부를 향하는 방향으로 점진적으로 변형 플레이트(120)로부터 분리될 수 있다. 변형 플레이트(120)가 변형 상태로 변형되었을 때, 기판(SB)의 중심부는 변형 플레이트(120)에 접촉되고, 기판(SB)의 가장자리부는 변형 플레이트(120)로부터 이격될 수 있다. 기판(SB)의 바닥면의 가장자리부가 변형 플레이트(120)로부터 이격되므로, 변형 플레이트(120)와 기판(SB) 간의 분리가 용이하게 구현 가능하다. 이후, 기판(SB)은 기판 이송 수단에 의해 변형 플레이트(120)로부터 언로딩될 수 있다. Next, referring to FIG. 1B, when the heat treatment for the substrate SB is completed, the pneumatic regulator 140 injects air into the cavity 130 so that the pneumatic pressure of the cavity 130 increases, and the cavity 130 As the pneumatic pressure increases, the deformable plate 120 may be transformed from the initial state to the deformed state. That is, as the air pressure of the cavity 130 increases, the support surface 121 of the deformable plate 120 may be gradually deformed into a convex shape. While the deformable plate 120 is deformed from the initial state to the deformed state, the substrate SB may be gradually separated from the deformable plate 120 in a direction from its edge toward its center. When the deformable plate 120 is deformed into a deformed state, the center of the substrate SB may be in contact with the deformable plate 120, and the edge portion of the substrate SB may be spaced apart from the deformable plate 120. Since the edge portion of the bottom surface of the substrate SB is spaced apart from the deformable plate 120, separation between the deformable plate 120 and the substrate SB can be easily implemented. Thereafter, the substrate SB may be unloaded from the deformable plate 120 by a substrate transfer means.

일반적인 가열 장치의 경우, 기판(SB)은 열선이 매립된 핫 플레이트의 표면으로부터 돌출된 근접 핀(proximity pin) 상에 안착되며, 근접 핀에 의해 지지된 기판(SB)은 핫 플레이트의 표면으로부터 일정 거리 이격된다. 핫 플레이트에서 기판(SB)을 가열 처리하기 위한 열이 발생되면, 기판(SB)은 기판(SB)과 핫 플레이트의 표면 사이의 공간을 통해 전달된 열을 통해 간접적으로 가열 처리된다. 그러나, 근접 핀을 포함하는 가열 장치의 경우, 기판(SB)을 가열하는 동안 근접 핀에 접촉된 기판(SB) 부분과 근접 핀에 접촉되지 않는 기판(SB)의 다른 부분 사이에서 온도 편차가 발생되는 문제가 있다. In the case of a general heating device, the substrate (SB) is seated on a proximity pin protruding from the surface of a hot plate with embedded heating wires, and the substrate (SB) supported by the proximity pin is kept constant from the surface of the hot plate. distance is separated. When heat for heat treatment of the substrate SB is generated from the hot plate, the substrate SB is indirectly heat treated through heat transferred through the space between the substrate SB and the surface of the hot plate. However, in the case of a heating device including proximity pins, while heating the substrate SB, a temperature difference occurs between the portion of the substrate SB that is in contact with the proximity pins and the other portion of the substrate SB that is not in contact with the proximity pins. There is a problem.

그러나, 본 발명의 에시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(10)에 의하면, 근접 핀이 생략되므로, 기판(SB)에 대한 가열 처리 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상될 수 있다. However, according to the substrate processing apparatus 10 according to the exemplary embodiments of the present invention, the proximity pin is omitted, so temperature uniformity can be improved during heat treatment for the substrate SB, and ultimately the process yield is reduced. It can be improved.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(11)를 나타내는 단면도이다. 이하에서, 도 1a 및 도 1b을 참조하여 설명된 기판 처리 장치(10)와의 차이점을 중심으로, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 기판 처리 장치(11)에 대해 설명한다.2A to 2C are cross-sectional views showing a substrate processing apparatus 11 according to exemplary embodiments of the present invention. Hereinafter, the substrate processing apparatus 11 shown in FIGS. 2A to 2C will be described, focusing on differences from the substrate processing apparatus 10 described with reference to FIGS. 1A and 1B.

도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 기판 처리 장치(11)는 가열 플레이트(110), 변형 플레이트(120), 공압 조절기(140), 리프트 핀(lift pin)(160), 및 밀봉 실린더(170)를 포함할 수 있다. 2A to 2C, the substrate processing device 11 includes a heating plate 110, a deformation plate 120, a pneumatic regulator 140, a lift pin 160, and a sealing cylinder 170. may include.

리프트 핀(160)은 기판(SB)을 베이스 몸체(111)의 주면(112)에 수직한 수직 방향(예를 들어, Z방향)으로 승강시키도록 구성될 수 있다. 리프트 핀(160)은 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115) 내에 이동 가능하게 장착되며, 액츄에이터에 의해 승강 운동하도록 구성될 수 있다. 변형 플레이트(120)는 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115)과 수직 방향(예를 들어, Z방향)으로 정렬된 관통홀(123)을 가지며, 리프트 핀(160)은 변형 플레이트(120)의 관통홀(123)을 통해 변형 플레이트(120)로부터 돌출된 위치까지 이동할 수 있다. 리프트 핀(160)은 기판(SB)을 지지하기에 적정한 개수로 제공될 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(11)는 방사상으로 이격된 3개 이상의 리프트 핀들(160)을 포함할 수 있다. The lift pin 160 may be configured to lift the substrate SB in a vertical direction (eg, Z direction) perpendicular to the main surface 112 of the base body 111. The lift pin 160 is movably mounted in the pin hole 115 of the base body 111 and may be configured to move up and down by an actuator. The deformable plate 120 has a through hole 123 aligned in a vertical direction (e.g., Z direction) with the pin hole 115 of the base body 111, and the lift pin 160 is connected to the deformable plate 120. It can be moved to a position protruding from the deformable plate 120 through the through hole 123. The lift pins 160 may be provided in an appropriate number to support the substrate SB. For example, the substrate processing apparatus 11 may include three or more lift pins 160 that are radially spaced apart.

리프트 핀(160)은 도 2a에 도시된 바와 같이 변형 플레이트(120)로부터 상방으로 돌출되어 기판(SB)을 지지하도록 구성된 핀-업 위치와, 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이 리프트 핀(160)의 상단이 변형 플레이트(120)보다 하측에 위치되도록 상기 핀-업 위치로부터 하강된 핀-다운 위치 사이에서 이동하도록 구성될 수 있다. 기판(SB)이 변형 플레이트(120)의 지지면(121)에 로딩되는 과정에서, 외부에서 제공된 기판(SB)은 먼저 핀-업 위치에 있는 복수의 리프트 핀(160) 상에 안착되고, 이후 리프트 핀(160)이 핀-업 위치로부터 핀-다운 위치로 하강하는 과정에서 기판(SB)은 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착될 수 있다. The lift pin 160 has a pin-up position configured to protrude upward from the deformable plate 120 and support the substrate SB as shown in FIG. 2A, and a lift pin (as shown in FIGS. 2B and 2C). 160) may be configured to move between the pin-up position and the lowered pin-down position so that the upper end of the deformation plate 120 is positioned lower than the deformation plate 120. In the process of loading the substrate SB onto the support surface 121 of the deformable plate 120, the externally provided substrate SB is first seated on the plurality of lift pins 160 in the pin-up position, and then While the lift pin 160 is lowered from the pin-up position to the pin-down position, the substrate SB may be seated on the support surface 121 of the deformable plate 120.

밀봉 실린더(170)는 캐비티(130) 내에 제공될 수 있다. 밀봉 실린더(170)는 캐비티(130) 내의 공기가 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115) 및/또는 변형 플레이트(120)의 관통홀(123)을 통해 누설되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 밀봉 실린더(170)가 제공하는 내부 공간은 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115) 및 변형 플레이트(120)의 관통홀(123)에 연통할 수 있다. 리프트 핀(160)은 수직 방향(예를 들어, Z방향)으로 정렬된 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115), 밀봉 실린더(170)의 상기 내부 공간, 및 변형 플레이트(120)의 관통홀(123)을 통과하여 수직 방향(예를 들어, Z방향)으로 이동하게 된다. A sealing cylinder 170 may be provided within the cavity 130. The sealing cylinder 170 may be configured to prevent air in the cavity 130 from leaking through the pin hole 115 of the base body 111 and/or the through hole 123 of the deformable plate 120. The internal space provided by the sealing cylinder 170 may communicate with the pin hole 115 of the base body 111 and the through hole 123 of the deformable plate 120. The lift pin 160 is connected to the pin hole 115 of the base body 111 aligned in the vertical direction (e.g., Z direction), the inner space of the sealing cylinder 170, and the through hole of the deformation plate 120. It passes through (123) and moves in the vertical direction (for example, Z direction).

밀봉 실린더(170)의 하단은 베이스 몸체(111)에 고정 결합되고, 밀봉 실린더(170)의 상단은 변형 플레이트(120)에 고정 결합될 수 있다. 밀봉 실린더(170)는 변형 플레이트(120)의 변형에 대응하여 그 길이가 가변하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉 실린더(170)는 변형 플레이트(120)의 초기 상태에서는 수축되며, 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서는 신장될 수 있다. 밀봉 실린더(170)는 고무와 같이 탄성 변형 가능한 소재로 형성될 수 있다.The lower end of the sealing cylinder 170 may be fixedly coupled to the base body 111, and the upper end of the sealing cylinder 170 may be fixedly coupled to the deformable plate 120. The sealing cylinder 170 may be configured to have a variable length in response to deformation of the deformable plate 120. For example, the sealing cylinder 170 may be contracted in the initial state of the deformable plate 120 and may be expanded in the deformed state of the deformable plate 120. The sealing cylinder 170 may be made of an elastically deformable material such as rubber.

이하에서, 기판 처리 장치(11)를 이용한 기판 처리 방법을 간략히 설명한다.Below, a substrate processing method using the substrate processing device 11 will be briefly described.

먼저, 도 2a를 참조하면, 외부에서 제공된 기판(SB)은 핀-업 위치에 위치된 리프트 핀들(160) 상에 안착될 수 있다. First, referring to FIG. 2A, the externally provided substrate SB may be seated on the lift pins 160 located at the pin-up position.

다음으로, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 리프트 핀들(160)이 핀-업 위치로부터 핀-다운 위치로 하강하며, 리프트 핀들(160)이 하강하는 동안 기판(SB)이 초기 상태에 있는 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착될 수 있다. 기판(SB)이 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착되면, 기판(SB)에 대한 가열 처리를 진행할 수 있다. 예를 들어, 가열 플레이트(110)의 히터(119)에 전원을 공급하여 생성된 열을 이용하여, 기판(SB)을 가열 처리할 수 있다. Next, referring to FIGS. 2A and 2B, the lift pins 160 are lowered from the pin-up position to the pin-down position, and the substrate SB is in its initial state while the lift pins 160 are lowered. It may be seated on the support surface 121 of the plate 120. When the substrate SB is seated on the support surface 121 of the deformable plate 120, heat treatment on the substrate SB may be performed. For example, the substrate SB may be heat treated using heat generated by supplying power to the heater 119 of the heating plate 110.

다음으로, 도 2c를 참조하면, 기판(SB)에 대한 가열 처리가 완료되면, 캐비티(130)의 공압이 증가되도록 공압 조절기(140)는 캐비티(130)에 공기를 주입하고, 캐비티(130)의 공압이 증가됨에 따라 변형 플레이트(120)는 초기 상태로부터 변형 상태로 변형될 수 있다. 변형 플레이트(120)가 초기 상태로부터 변형 상태로 변형되는 동안, 기판(SB)은 그 가장지리부로부터 그 중심부를 향하는 방향으로 점진적으로 변형 플레이트(120)로부터 분리될 수 있고, 변형 플레이트(120)의 변형 상태에서 기판(SB)의 중심부는 변형 플레이트(120)에 접촉 지지되되 기판(SB)의 중심부를 제외한 다른 부분은 변형 플레이트(120)로부터 이격될 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에서, 변형 플레이트(120)의 변형 상태로의 변형이 완료된 후, 리프트 핀(160)이 핀-업 위치로 상승되어, 기판(SB)의 중심부를 변형 플레이트(120)로부터 이격시킬 수도 있다. 이후, 기판(SB)은 기판 이송 수단에 파지되어 기판 처리 장치(11)의 외부로 언로딩될 수 있다. Next, referring to FIG. 2C, when the heat treatment for the substrate SB is completed, the pneumatic regulator 140 injects air into the cavity 130 so that the pneumatic pressure of the cavity 130 increases, and the cavity 130 As the pneumatic pressure increases, the deformable plate 120 may be transformed from the initial state to the deformed state. While the deformable plate 120 is deformed from the initial state to the deformed state, the substrate SB may be gradually separated from the deformable plate 120 in a direction from its edge toward its center, and the deformable plate 120 In the deformed state, the center of the substrate SB is supported in contact with the deformable plate 120, but other parts of the substrate SB except the center may be spaced apart from the deformable plate 120. In some example embodiments, after the deformation of the deformation plate 120 into the deformed state is completed, the lift pin 160 is raised to the pin-up position to lift the center of the substrate SB away from the deformation plate 120. It can also be separated. Thereafter, the substrate SB may be held by the substrate transfer means and unloaded to the outside of the substrate processing apparatus 11 .

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(12)를 나타내는 단면도이다. 이하에서, 앞서 설명된 것과 중복된 설명은 생략하거나 간단히 한다. 3A to 3D are cross-sectional views showing a substrate processing apparatus 12 according to exemplary embodiments of the present invention. Hereinafter, descriptions that overlap with those described above will be omitted or simplified.

도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 기판 처리 장치(12)는 베이스 몸체(111)에 결합된 복수의 변형 플레이트(120)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(12)는 베이스 몸체(111)의 주면(112)의 중심부 상에 배치된 제1 변형 플레이트(120a)와, 베이스 몸체(111)의 주면(112)의 외곽부 상에 배치된 제2 변형 플레이트(120b)를 포함할 수 있다. 제1 변형 플레이트(120a)와 제2 변형 플레이트(120b)는 베이스 몸체(111)의 주면(112)에 평행한 방향(예를 들어, X방향 및/또는 Y방향)으로 이격될 수 있다. 제2 변형 플레이트(120b)는 제1 변형 플레이트(120a)의 둘레를 따라 연속적으로 연장된 링 형태를 가질 수도 있고, 복수의 제2 변형 플레이트(120b)가 제1 변형 플레이트(120a)의 둘레를 따라 상호 이격되어 제공될 수도 있다. Referring to FIGS. 3A to 3D , the substrate processing apparatus 12 may include a plurality of deformable plates 120 coupled to the base body 111 . For example, the substrate processing device 12 includes a first deformable plate 120a disposed on the center of the main surface 112 of the base body 111 and an outer portion of the main surface 112 of the base body 111. It may include a second deformable plate 120b disposed. The first deformable plate 120a and the second deformable plate 120b may be spaced apart in a direction parallel to the main surface 112 of the base body 111 (for example, the X direction and/or the Y direction). The second deformable plate 120b may have a ring shape continuously extending along the circumference of the first deformable plate 120a, and a plurality of second deformable plates 120b may be formed around the first deformable plate 120a. Accordingly, they may be provided separately from each other.

제1 변형 플레이트(120a)는 제1 변형 플레이트(120a)와 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이에 제1 캐비티(130a)가 형성되도록 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 제1 변형 플레이트(120a)의 가장자리부는 클램프(150)에 의해 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 공압 조절기(140)는 제1 캐비티(130a)에 연통하도록 제1 베이스 몸체(111)에 마련된 제1 에어 홀(113a)을 통해 공기를 주입하거나 배기함으로써 제1 캐비티(130a)의 압력을 조절할 수 있다. 제1 변형 플레이트(120a)는 제1 캐비티(130a)의 공압의 수준에 따라 초기 상태와 변형 상태 사이에서 변형될 수 있으며, 제1 변형 플레이트(120a)의 초기 상태에서 제1 변형 플레이트(120a)의 제1 지지면(121a)은 대체로 평평하고 제1 변형 플레이트(120a)의 변형 상태에서 제1 변형 플레이트(120a)의 제1 지지면(121a)은 볼록할 수 있다. The first deformable plate 120a may be coupled to the base body 111 so that a first cavity 130a is formed between the first deformable plate 120a and the main surface 112 of the base body 111. The edge portion of the first deformable plate 120a may be coupled to the base body 111 by a clamp 150. The pneumatic regulator 140 can control the pressure of the first cavity 130a by injecting or exhausting air through the first air hole 113a provided in the first base body 111 to communicate with the first cavity 130a. there is. The first deformable plate 120a may be deformed between an initial state and a deformed state depending on the level of pneumatic pressure in the first cavity 130a, and in the initial state of the first deformable plate 120a, the first deformable plate 120a The first support surface 121a of is generally flat, and in the deformed state of the first deformable plate 120a, the first support surface 121a of the first deformable plate 120a may be convex.

제2 변형 플레이트(120b)는 제2 변형 플레이트(120b)와 베이스 몸체(111)의 주면(112) 사이에 제2 캐비티(130b)가 형성되도록 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 제2 변형 플레이트(120b)의 가장자리부는 클램프(150)에 의해 베이스 몸체(111)에 결합될 수 있다. 공압 조절기(140)는 제2 캐비티(130b)에 연통하도록 제2 베이스 몸체(111)에 마련된 제2에어 홀(113b)을 통해 공기를 주입하거나 배기함으로써 제2 캐비티(130b)의 압력을 조절할 수 있다. 제2 변형 플레이트(120b)는 제2 캐비티(130b)의 공압의 수준에 따라 초기 상태와 변형 상태 사이에서 변형될 수 있으며, 제2 변형 플레이트(120b)의 초기 상태에서 제2 변형 플레이트(120b)의 제2 지지면(121b)은 대체로 평평하고 제2 변형 플레이트(120b)의 변형 상태에서 제2 변형 플레이트(120b)의 제2 지지면(121b)은 볼록할 수 있다. The second deformable plate 120b may be coupled to the base body 111 so that a second cavity 130b is formed between the second deformable plate 120b and the main surface 112 of the base body 111. The edge portion of the second deformable plate 120b may be coupled to the base body 111 by a clamp 150. The pneumatic regulator 140 can control the pressure of the second cavity 130b by injecting or exhausting air through the second air hole 113b provided in the second base body 111 to communicate with the second cavity 130b. there is. The second deformable plate 120b may be deformed between an initial state and a deformed state depending on the level of pneumatic pressure in the second cavity 130b, and in the initial state of the second deformable plate 120b, the second deformable plate 120b The second support surface 121b of is generally flat, and in the deformed state of the second deformable plate 120b, the second support surface 121b of the second deformable plate 120b may be convex.

베이스 몸체(111)의 핀 홀(115)은 제1 변형 플레이트(120a)와 제2 변형 플레이트(120b) 사이에 제공될 수 있다. 상방에서 보았을 때, 베이스 몸체(111)의 핀 홀(115)은 제1 변형 플레이트(120a)가 배치되는 베이스 몸체(111)의 주면(112)의 제1 영역 및 제2 변형 플레이트(120b)가 배치되는 베이스 몸체(111)의 주면(112)의 제2 영역 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀(160)은 제1 변형 플레이트(120a) 및 제2 변형 플레이트(120b)에 간섭되지 않고 승강 동작할 수 있다. The pin hole 115 of the base body 111 may be provided between the first deformable plate 120a and the second deformable plate 120b. When viewed from above, the pin hole 115 of the base body 111 is the first area of the main surface 112 of the base body 111 where the first deformable plate 120a is disposed and the second deformable plate 120b. It may be disposed between the second regions of the main surface 112 of the base body 111. Accordingly, the lift pin 160 can move up and down without interfering with the first deformable plate 120a and the second deformable plate 120b.

이하에서, 기판 처리 장치(12)를 이용한 기판 처리 방법을 간략히 설명한다.Below, a substrate processing method using the substrate processing device 12 will be briefly described.

먼저, 도 3a를 참조하면, 외부에서 제공된 기판(SB)은 핀-업 위치에 위치된 리프트 핀들(160) 상에 안착될 수 있다. First, referring to FIG. 3A, the externally provided substrate SB may be seated on the lift pins 160 located at the pin-up position.

다음으로, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 리프트 핀들(160)이 핀-업 위치로부터 핀-다운 위치로 하강하며, 리프트 핀들(160)이 하강하는 동안 기판(SB)이 초기 상태에 있는 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착될 수 있다. 기판(SB)이 변형 플레이트(120)의 지지면(121) 상에 안착되면, 기판(SB)에 대한 가열 처리를 진행할 수 있다. 예를 들어, 가열 플레이트(110)의 히터(119)에 전원을 공급하여 생성된 열을 이용하여, 기판(SB)을 가열 처리할 수 있다. Next, referring to FIGS. 3A and 3B, the lift pins 160 are lowered from the pin-up position to the pin-down position, and the substrate SB is in its initial state while the lift pins 160 are lowered. It may be seated on the support surface 121 of the plate 120. When the substrate SB is seated on the support surface 121 of the deformable plate 120, heat treatment on the substrate SB may be performed. For example, the substrate SB may be heat treated using heat generated by supplying power to the heater 119 of the heating plate 110.

다음으로, 도 3c를 참조하면, 기판(SB)에 대한 가열 처리가 완료되면, 제1 캐비티(130a)의 공압이 증가되도록 공압 조절기(140)는 제1 캐비티(130a)에 공기를 주입하고, 제1 캐비티(130a)의 공압이 증가됨에 따라 제1 변형 플레이트(120a)는 초기 상태로부터 변형 상태로 변형될 수 있다. 제1 변형 플레이트(120a)가 초기 상태로부터 변형 상태로 변형되는 동안, 기판(SB)과 베이스 몸체(111) 사이의 거리가 점차 증가될 수 있다. Next, referring to FIG. 3C, when the heat treatment for the substrate SB is completed, the pneumatic pressure regulator 140 injects air into the first cavity 130a so that the air pressure in the first cavity 130a increases, As the air pressure of the first cavity 130a increases, the first deformable plate 120a may be deformed from the initial state to the deformed state. While the first deformable plate 120a is transformed from the initial state to the deformed state, the distance between the substrate SB and the base body 111 may gradually increase.

다음으로, 도 3d를 참조하면, 제2 캐비티(130b)의 공압이 증가되도록 공압 조절기(140)는 제2 캐비티(130b)에 공기를 주입하고, 제2 캐비티(130b)의 공압이 증가됨에 따라 제2 변형 플레이트(120b)는 초기 상태로부터 변형 상태로 변형될 수 있다. 제2 변형 플레이트(120b)의 변형 상태로의 변형이 완료되면, 기판(SB)의 가장자리부가 제2 변형 플레이트(120b)에 의해 지지될 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에서, 제2 변형 플레이트(120b)의 변형 상태로의 변형이 완료된 후, 리프트 핀(160)이 핀-업 위치로 상승되어, 기판(SB) 전체를 변형 플레이트(120)로부터 이격시킬 수도 있다. 이후, 기판(SB)은 기판 이송 수단에 파지되어 기판 처리 장치(12)의 외부로 언로딩될 수 있다.Next, referring to FIG. 3D, the pneumatic regulator 140 injects air into the second cavity 130b so that the air pressure of the second cavity 130b increases, and as the air pressure of the second cavity 130b increases, the air pressure regulator 140 injects air into the second cavity 130b. The second deformable plate 120b may be transformed from the initial state to the deformed state. When the transformation to the deformed state of the second deformable plate 120b is completed, the edge portion of the substrate SB may be supported by the second deformable plate 120b. In some example embodiments, after the deformation of the second deformable plate 120b into the deformed state is completed, the lift pin 160 is raised to the pin-up position to move the entire substrate SB to the deformable plate 120. It can also be separated from. Thereafter, the substrate SB may be held by a substrate transfer means and unloaded to the outside of the substrate processing apparatus 12 .

한편, 도 3c 및 도 3d에서는, 기판(SB)의 중심부를 지지하도록 구성된 제1 변형 플레이트(120a)가 초기 상태로부터 변형 상태로 변형된 이후, 제2 변형 플레이트(120b)가 초기 상태로부터 변형 상태로 변형되는 것으로 설명되었으나, 제1 변형 플레이트(120a)와 제2 변형 플레이트(120b)가 변형되는 순서가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 변형 플레이트(120a)의 초기 상태로부터 변형 상태로의 변형과 제2 변형 플레이트(120b)의 초기 상태로부터 변형 상태로의 변형은 동시에 수행될 수도 있고, 또는 제2 변형 플레이트(120b)의 초기 상태로부터 변형 상태로의 변형이 완료된 후에 제1 변형 플레이트(120a)의 초기 상태로부터 변형 상태로의 변형이 수행될 수도 있다. Meanwhile, in FIGS. 3C and 3D, after the first deformable plate 120a configured to support the center of the substrate SB is deformed from the initial state to the deformed state, the second deformable plate 120b is changed from the initial state to the deformed state. Although it has been described as being deformed, the order in which the first deformable plate 120a and the second deformable plate 120b are deformed is not limited to this. For example, the transformation of the first deformable plate 120a from its initial state to the deformed state and the deformation of the second deformable plate 120b from its initial state to the deformed state may be performed simultaneously, or the second deformable plate (120a) may be performed simultaneously. The transformation of the first deformable plate 120a from its initial state to its deformed state may be performed after the deformation of 120b) from its initial state to its deformed state is completed.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As above, exemplary embodiments have been disclosed in the drawings and specification. In this specification, embodiments have been described using specific terms, but this is only used for the purpose of explaining the technical idea of the present disclosure and is not used to limit the meaning or scope of the present disclosure described in the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present disclosure should be determined by the technical spirit of the attached claims.

10: 기판 처리 장치 110: 가열 플레이트
111: 베이스 몸체 120: 변형 플레이트
130: 캐비티 140: 공압 조절기
150: 클램프10: substrate processing device 110: heating plate
111: base body 120: deformation plate
130: Cavity 140: Pneumatic regulator
150: clamp

Claims (10)

히터를 포함하는 가열 플레이트;
캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 포함하는 변형 플레이트; 및
상기 캐비티에 공기를 주입하거나 상기 캐비티의 공기를 배기하도록 구성된 공압 조절기;
를 포함하고,
상기 변형 플레이트는 상기 캐비티의 압력에 따라 상기 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된, 기판 처리 장치. a heating plate including a heater;
a deformable plate coupled to the main surface of the heating plate to form a cavity and including a support surface configured to support a substrate; and
a pneumatic regulator configured to inject air into or exhaust air from the cavity;
Including,
The deformation plate is configured to switch between an initial state in which the support surface is flat and a deformation state in which the support surface is deformed to be convex, depending on the pressure of the cavity. 제 1 항에 있어서,
상기 변형 플레이트의 가장자리부를 상기 가열 플레이트에 결합시키는 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a clamp that couples an edge portion of the deformable plate to the heating plate. 제 1 항에 있어서,
상기 변형 플레이트의 상기 초기 상태에서 상기 기판의 가장자리부 및 중심부는 각각 상기 변형 플레이트의 상기 지지면에 접촉되고,
상기 변형 플레이트의 상기 변형 상태에서 상기 기판의 가장자리부는 상기 변형 플레이트의 상기 지지면으로부터 이격되고 상기 기판의 중심부는 상기 변형 플레이트의 상기 지지면에 접촉된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
In the initial state of the deformable plate, the edge portion and the center portion of the substrate are each in contact with the support surface of the deformable plate,
A substrate processing apparatus, wherein in the deformed state of the deformable plate, an edge portion of the substrate is spaced apart from the support surface of the deformable plate and a center portion of the substrate is in contact with the support surface of the deformable plate. 제 1 항에 있어서,
상기 변형 플레이트는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A substrate processing device, wherein the deformable plate includes polyimide. 제 1 항에 있어서,
상기 기판을 승강시키도록 구성된 리프트 핀을 더 포함하고,
상기 리프트 핀은 상기 가열 플레이트의 핀 홀에 수용되고, 상기 가열 플레이트의 상기 주면에 수직한 방향으로 승강하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
further comprising lift pins configured to lift the substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the lift pin is accommodated in a pin hole of the heating plate and is configured to rise and fall in a direction perpendicular to the main surface of the heating plate. 제 5 항에 있어서,
상기 캐비티 내에 제공되고, 상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀 및 상기 변형 플레이트의 관통홀에 연통하는 내부 공간을 가지는 밀봉 실린더를 더 포함하고,
상기 리프트 핀은 상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀 및 상기 변형 플레이트의 관통홀을 통과하여 승강하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 5,
Further comprising a sealing cylinder provided in the cavity and having an internal space communicating with the pin hole of the heating plate and the through hole of the deformation plate,
The lift pin is configured to be lifted up and down by passing through the pin hole of the heating plate and the through hole of the deformation plate. 제 6 항에 있어서,
상기 밀봉 실린더의 하단은 상기 가열 플레이트에 결합되고,
상기 밀봉 실린더의 상단은 상기 변형 플레이트에 결합되고,
상기 밀봉 실린더는 상기 변형 플레이트가 상기 초기 상태와 상기 변형 상태 사이에서의 변형되는 동안 신장 또는 수축하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 6,
The lower end of the sealing cylinder is coupled to the heating plate,
The top of the sealing cylinder is coupled to the deformation plate,
wherein the sealing cylinder is configured to expand or contract while the deformable plate is deformed between the initial state and the deformed state. 제 5 항에 있어서,
상기 변형 플레이트는,
제1 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 상기 기판의 제1 부분을 지지하도록 구성된 제1 지지면을 포함하는 제1 변형 플레이트; 및
제2 캐비티가 형성되도록 상기 가열 플레이트의 주면 상에 결합되고, 상기 기판의 제2 부분을 지지하도록 구성된 제2 지지면을 포함하는 제2 변형 플레이트;
를 포함하고,
상기 제1 변형 플레이트는 상기 제1 캐비티의 압력에 따라 상기 제1 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 제1 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성되고,
상기 제2 변형 플레이트는 상기 제2 캐비티의 압력에 따라 상기 제2 지지면이 평평한 초기 상태와 상기 제2 지지면이 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to claim 5,
The deformation plate is,
a first deformable plate coupled to a main surface of the heating plate to form a first cavity and including a first support surface configured to support a first portion of the substrate; and
a second deformable plate coupled to the main surface of the heating plate to form a second cavity and including a second support surface configured to support a second portion of the substrate;
Including,
The first deformable plate is configured to switch between an initial state in which the first support surface is flat and a deformed state in which the first support surface is convexly deformed according to the pressure of the first cavity,
The second deformable plate is configured to switch between an initial state in which the second support surface is flat and a deformed state in which the second support surface is convexly deformed according to the pressure of the second cavity. 제 8 항에 있어서,
상기 가열 플레이트의 상기 주면은 상기 제1 변형 플레이트가 배치되는 제1 영역 상기 제2 변형 플레이트가 배치되는 제2 영역을 포함하고,
상기 가열 플레이트의 상기 핀 홀은 상기 가열 플레이트의 상기 주면의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 8,
The main surface of the heating plate includes a first area where the first deformable plate is placed and a second area where the second deformable plate is placed,
The substrate processing apparatus, wherein the pin hole of the heating plate is disposed between the first area and the second area of the main surface of the heating plate. 제 1 항에 있어서,
상기 변형 플레이트가 상기 변형 상태에 있을 때, 상기 가열 플레이트의 상기 주면과 상기 기판 사이의 거리는 100㎛ 내지 1mm 사이인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
When the deformable plate is in the deformed state, the distance between the main surface of the heating plate and the substrate is between 100 μm and 1 mm.
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