KR20170024216A - Bake unit and Apparatus for treating usbstrate with the unit - Google Patents

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KR20170024216A
KR20170024216A KR1020150118951A KR20150118951A KR20170024216A KR 20170024216 A KR20170024216 A KR 20170024216A KR 1020150118951 A KR1020150118951 A KR 1020150118951A KR 20150118951 A KR20150118951 A KR 20150118951A KR 20170024216 A KR20170024216 A KR 20170024216A
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support plate
support
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KR1020150118951A
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박민정
이정열
이정현
김기훈
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세메스 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus for supporting a substrate. A bake unit comprises a support plate, a heat treatment member, a plurality of lift pins, a pin moving member, and a support pin member. The heat treatment member performs heating treatment on the support plate. The plurality of lift pins is inserted into a plurality of pinholes arranged on the upper surface of the support plate to cover the center of the support plate, respectively. The pin moving member moves the lift pins to a descent position where upper ends of the lift pins are inserted into the pinholes or an ascent position where the upper ends of the lift pins protrude from the pinholes. The support pin member protrudes from the upper surface of the support plate and supports a substrate. The support pin member includes an inner pin and an outer pin. The inner pin is positioned nearer the center of the support plate than the lift pins when viewed from the top. The outer pin is positioned farther from the center of the support plate than the lift pins when viewed from the top. As such, heat treatment can be uniformly performed on the entire area of the substrate.

Description

베이크 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Bake unit and Apparatus for treating usbstrate with the unit}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bake unit,

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하는 기판을 지지하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly to an apparatus for supporting a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 크게 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, the photolithography process largely performs the application, exposure, and development steps sequentially. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.

일반적으로 도포 공정 및 현상 공정이 수행되기 전후에는 기판을 열처리하는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정으로는 크게 가열 유닛 및 냉각 유닛을 포함한다. 이 중 가열 유닛은 기판을 기설정된 온도로 가열 처리하는 장치이다. 도 1은 일반적인 가열 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 가열 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 가열 유닛은 지지 부재 및 히터를 포함한다. 지지 부재는 지지 플레이트(2), 리프트핀들(6), 그리고 지지핀들(4)을 포함한다. 일반적으로 지지핀(4)은 지지 플레이트(2)의 중앙 영역에 3 개, 그리고 가장자리 영역에 6 개가 위치된다. 또한 지지핀(4)은 2 mm의 직경을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 지지핀(4)은 지지 플레이트(2)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 지지 플레이트(2)에 설치된다. 일반적으로 지지핀(4)의 상단과 지지 플레이트는 0.3 mm 의 높이차를 가지도록 설정된다. 히터는 지지 플레이트(2)의 내부에서 지지 플레이트(2)를 가열하고, 그 가열된 온도에 의해 기판(W)이 가열 처리된다.Generally, before and after the coating process and the developing process are performed, a baking process for heat-treating the substrate proceeds. The baking process largely includes a heating unit and a cooling unit. The heating unit is an apparatus for heating the substrate to a predetermined temperature. FIG. 1 is a sectional view showing a general heating unit, and FIG. 2 is a plan view showing a heating unit of FIG. Referring to Figures 1 and 2, the heating unit includes a support member and a heater. The support member includes a support plate (2), lift pins (6), and support pins (4). In general, three support pins 4 are located in the central region of the support plate 2, and six in the edge region. Further, the support pin 4 is provided in the form of a pin having a diameter of 2 mm. Each support pin (4) is installed on the support plate (2) so as to protrude upward from the upper surface of the support plate (2). In general, the upper end of the support pin 4 and the support plate are set to have a height difference of 0.3 mm. The heater heats the support plate 2 inside the support plate 2, and the substrate W is heated by the heated temperature.

그러나 기판(W)의 영역들 중 지지핀(4)에 지지되지 않는 영역들은 지지되는 영역에 비해 처짐 현상이 발생된다. 이에 따라 기판(W)은 영역별 높이차가 발생되며, 그 영역 별로 온도가 상이하게 가열 처리될 수 있다.However, the regions of the substrate W that are not supported by the support pins 4 are deflected as compared with the regions to be supported. Accordingly, the height difference of the substrate W is generated in each region, and the temperature can be differently processed for each region.

또한 베이크 공정 중에는 기판을 400 ℃ 이상의 고온으로 가열 처리한다. 이러한 고온의 열 처리 공정이 지속되는 경우에는, 지지핀(4)의 손상이 빈번하게 발생된다.During the baking process, the substrate is heated to a high temperature of 400 占 폚 or higher. In the case where such a high-temperature heat treatment process is continued, damage of the support pin 4 frequently occurs.

본 발명은 기판을 영역 별로 균일하게 열 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly heat-treating a substrate by region.

또한 본 발명은 기판을 열 처리하는 중에 일부 영역이 휘는 것을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of minimizing bending of a part of a substrate during heat treatment.

또한 본 발명은 기판을 열 처리하는 과정에서 주변 장치의 손상을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a device capable of preventing damage to a peripheral device during a heat treatment process of a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 베이크 유닛은 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트를 가열 처리하는 열 처리 부재, 상기 지지 플레이트의 중심을 감싸도록 상기 지지 플레이트의 상면에 배열되는 복수의 핀 홀들 각각에 삽입되는 복수 개의 리프트 핀들, 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들에 삽입되는 하강 위치 또는 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들로부터 돌출되는 승강 위치로 상기 리프트핀들을 이동시키는 핀 이동 부재, 그리고 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하는 지지핀 부재를 포함하되, 상기 지지핀 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에 가깝게 위치되는 내측핀 및 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에서 멀게 위치되는 외측핀을 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for supporting a substrate. The bake unit includes a support plate, a heat treatment member for heating the support plate, a plurality of lift pins inserted into each of the plurality of pin holes arranged on the upper surface of the support plate so as to surround the center of the support plate, A pin moving member for moving the lift pins from a lower position where an upper end is inserted into the pin holes or a lift position where an upper end of the lift pins protrudes from the pin holes, Wherein the support pin member includes an inner pin located closer to the center of the support plate than the lift pins when viewed from the top and an inner pin located farther from the center of the support plate than the lift pins when viewed from above, And an outer pin.

상기 지지핀 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들과 상기 외측핀 사이에 위치되는 미들핀을 더 포함할 수 있다. 상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 복수 개로 제공되되, 상기 미들핀은 상기 내측핀에 비해 많은 개수로 제공되고, 상기 외측핀은 상기 미들핀에 비해 많은 개수로 제공될 수 있다. 상기 내측핀은 적어도 3 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 내측핀의 상단, 상기 미들핀의 상단, 그리고 상기 외측핀의 상단 각각은 상기 지지 플레이트의 상면과의 간격은 서로 동일할 수 있다. 상기 간격은 1.5 mm 내지 2.5 mm 일 수 있다. 상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 2.5 mm 이상의 직경을 가질 수 있다. The support pin member may further include a middle pin positioned between the lift pins and the outer pin when viewed from above. The inner pin, the middle pin, and the outer pin are each provided in a plurality of numbers, the middle pin is provided in a larger number than the inner pin, and the outer pin is provided in a larger number than the middle pin . The inner fins may be provided at least three or more. The upper end of the inner pin, the upper end of the middle fin, and the upper end of the outer pin may be spaced from each other with respect to the upper surface of the support plate. The spacing may be between 1.5 mm and 2.5 mm. Each of the inner pin, the middle pin, and the outer pin may have a diameter of 2.5 mm or more.

또한 기판 처리 장치는 기판 상에 액막을 형성하는 제1공정 챔버, 기판을 기설정 온도로 열처리하는 제2공정 챔버, 상기 제1공정 챔버 및 상기 제2공정 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇을 포함하되, 상기 제2공정 챔버는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트를 가열 처리하는 열 처리 부재, 상기 지지 플레이트의 중심을 감싸도록 상기 지지 플레이트의 상면에 배열되는 복수의 핀 홀들 각각에 삽입되는 복수 개의 리프트 핀들, 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들에 삽입되는 하강 위치 또는 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들로부터 돌출되는 승강 위치로 상기 리프트핀들을 이동시키는 핀 이동 부재, 그리고 상단이 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하는 지지핀 부재를 포함하되, 상기 지지핀 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에 가깝게 위치되는 내측핀 및 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에서 멀게 위치되는 외측핀을 포함한다. The substrate processing apparatus also includes a first processing chamber for forming a liquid film on the substrate, a second processing chamber for heat-treating the substrate at a preset temperature, and a transport robot for transporting the substrate between the first processing chamber and the second processing chamber Wherein the second process chamber comprises a support plate, a heat treatment member for heating the support plate, a plurality of lift pins inserted in each of the plurality of pin holes arranged on the upper surface of the support plate so as to surround the center of the support plate, A pin moving member for moving the lift pins from a lower position where the upper ends of the lift pins are inserted into the pin holes or a lift position where upper ends of the lift pins protrude from the pin holes, And a support pin member for supporting the substrate, wherein the support pin member is bent upward An inner pin located closer to the center of the support plate than the lift pins as viewed from the upper side and an outer pin located farther from the center of the support plate than the lift pins when viewed from above.

상기 지지핀 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들과 상기 외측핀 사이에 위치되는 미들핀을 더 포함하되, 상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 복수 개로 제공될 수 있다. 상기 내측핀의 상단, 상기 미들핀의 상단, 그리고 상기 외측핀의 상단 각각은 상기 지지 플레이트의 상면과의 간격이 서로 동일할 수 있다. 상기 간격은 1.5 mm 내지 2.5 mm일 수 있다. The support pin member may further include a middle pin positioned between the lift pins and the outer pin when viewed from above, and each of the inner pin, the middle pin, and the outer pin may be provided in plurality. The upper end of the inner pin, the upper end of the middle fin, and the upper end of the outer pin may be spaced from each other with respect to the upper surface of the support plate. The spacing may be between 1.5 mm and 2.5 mm.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 지지하는 지지핀은 기판의 중앙 영역, 가장자리 영역, 그리고 중앙 영역과 가장자리 영역의 사이 영역을 각각 지지하므로, 기판의 영역 별 높이가 동일하도록 지지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the support pins for supporting the substrate support the central region, the edge region, and the region between the central region and the edge region, respectively,

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 영역 별 높이가 동일하도록 기판을 지지하므로, 기판의 전체 영역을 균일하게 열 처리할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the substrate is supported so that the heights of the regions of the substrate are the same, the entire region of the substrate can be uniformly heat-treated.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 열 처리하는 과정에서 주변 장치의 손상을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus capable of preventing damage to a peripheral device during a heat treatment process of a substrate.

도 1은 일반적인 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 가열 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 제1공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 제2공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 지지 플레이트 및 지지핀 부재를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 지지 플레이트 및 지지핀을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 5의 지지 플레이트 및 열처리 부재를 보여주는 평면도이다.1 is a sectional view showing a general heating unit.
2 is a plan view showing the heating unit of Fig.
3 is a plan view showing the substrate processing equipment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 3;
Figure 5 is a cross-sectional view of the second process chamber of Figure 3;
Figure 6 is a top view showing the support plate and support pin member of Figure 5;
Figure 7 is a cross-sectional view showing the support plate and support pin of Figure 5;
8 is a plan view showing the support plate and the heat treatment member of Fig. 5;

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 3 to 8. FIG.

도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 3 is a plan view showing the substrate processing equipment of the present invention. 3, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버들(260)이 배치되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2공정챔버들(280)이 배치된다. 제1공정챔버들(260)과 제2공정챔버들(280)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정챔버들(280)도 제1공정챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 모두 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 각각 이송챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 이송챔버(240)의 일측에 제1공정챔버들(260)이 적층되고, 타측에 제2공정챔버들(280)이 적층되도록 위치될 수 있다. 또한, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a first process chamber 260, and a second process chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The first process chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 and the second process chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Further, some of the first process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of the first process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of the second process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. The second process chambers 280 may also be arranged in an array of M X N (where M and N are each a natural number greater than or equal to one), similar to the first process chambers 260. Here, M and N may be the same numbers as A and B, respectively. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may both be provided only on one side of the transfer chamber 240. [ In addition, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. Alternatively, the first process chambers 260 may be stacked on one side of the transfer chamber 240 and the second process chambers 280 may be stacked on the other side. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242.

제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 액막 형성 공정이 수행되고, 제2공정챔버(260)에서 베이크 공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. For example, the substrate W may be subjected to a liquid film forming process in the first process chamber 260, and the bake process may be performed in the second process chamber 260.

아래에서는 제1공정챔버(260)에 대해 설명한다. 도 4는 도 3의 제1공정 챔버를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 제1공정챔버(260)는 처리 용기(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The first process chamber 260 will be described below. 4 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 3; 4, the first process chamber 260 has a processing vessel 320, a spin head 340, a lifting unit 360, and a jetting member 380. The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery vessel 322, an intermediate recovery vessel 324, and an outer recovery vessel 326. Each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340. The intermediate recovery cylinder 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed in the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate W with the first processing solution, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate W with the second processing solution and the third processing solution, the substrate W is separated into the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, And may be located at a height corresponding to the space 326a between the cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326. [ The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

분사부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 예컨대, 처리액은 기판 상에 액막을 형성하는 케미칼일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a position in which the nozzle 384 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320 and the standby position is defined as a position in which the nozzle 384 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. For example, the treatment liquid may be a chemical that forms a liquid film on the substrate.

제2공정 챔버(280)은 기판(W)을 열 처리하는 베이크 유닛(400)으로 제공된다. 베이크 유닛(400)은 처리 액막을 기판(W) 상에 도포한 후에 처리 액막을 열처리한다. 베이크 유닛(400)은 상압 또는 이보다 낮은 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 5는 도 3의 제2공정 챔버를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 베이크 유닛(400)은 하우징(402), 지지 부재(440), 그리고 열 처리 부재(480)를 포함한다. The second process chamber 280 is provided with a bake unit 400 for heat-treating the substrate W. [ The bake unit 400 applies heat treatment liquid film to the substrate W, and then heat-treats the treatment liquid film. The bake unit 400 heat-treats the substrate W in an atmospheric pressure or lower atmosphere. Figure 5 is a cross-sectional view of the second process chamber of Figure 3; Referring to FIG. 5, the bake unit 400 includes a housing 402, a support member 440, and a heat treatment member 480.

하우징(402)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(415)을 제공한다. 처리 공간(415)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(402)은 상부 바디(410), 하부 바디(420), 그리고 실링 부재(430)를 포함한다. The housing 402 provides a processing space 415 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 415 is provided with an outer and an interrupted space. The housing 402 includes an upper body 410, a lower body 420, and a sealing member 430.

상부 바디(410)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(410)의 내부 상면은 중심축으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공된다. 상부 바디(410)의 중심에는 공급홀(412)이 형성된다. 공급홀(412)에는 처리 공간(415)을 비활성 분위기로 형성시키기 위한 가스가 공급된다. 예컨대, 공급홀(412)에는 질소 가스(N2)가 토출될 수 있다. The upper body 410 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The inner upper surface of the upper body 410 is provided with a downward slope as it is away from the central axis. A supply hole 412 is formed in the center of the upper body 410. The supply hole 412 is supplied with a gas for forming the processing space 415 in an inert atmosphere. For example, nitrogen gas (N2) may be discharged into the supply hole 412.

하부 바디(420)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(420)는 상부 바디(410)의 아래에 위치된다. 상부 바디(410) 및 하부 바디(420)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(410) 및 하부 바디(420)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(415)을 형성한다. 상부 바디(410) 및 하부 바디(420)는 서로의 중심축이 일치한 위치에서 상부 바디(410)의 하단 및 하부 바디(420)의 상단이 서로 마주보도록 제공된다. 하부 바디(420)의 바닥면에는 복수의 배기홀들(422)이 형성된다. 배기홀들(422)은 하부 바디(420)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 배기홀들(422)은 지지 플레이트(450)와 하부 바디(420)의 측벽 사이에 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 바디(420)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(410)는 이동 로봇(미도시)에 의해 하부 바디(420)와 탈착될 수 있다. The lower body 420 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 420 is positioned below the upper body 410. The upper body 410 and the lower body 420 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 410 and the lower body 420 are combined with each other to form a processing space 415 therein. The upper body 410 and the lower body 420 are provided such that the lower end of the upper body 410 and the upper end of the lower body 420 face each other at positions where the central axes of the upper body 410 and the lower body 420 coincide with each other. A plurality of exhaust holes 422 are formed in the bottom surface of the lower body 420. The exhaust holes 422 may be arranged along the circumferential direction of the lower body 420. The exhaust holes 422 may be positioned between the support plate 450 and the sidewalls of the lower body 420. According to an example, the position of the lower body 420 is fixed, and the upper body 410 can be detached from the lower body 420 by a mobile robot (not shown).

실링 부재(430)는 상부 바디(410)와 하부 바디(420) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(430)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 실링 부재(430)는 상부 바디(410)의 하단과 하부 바디(420)의 상단 사이에서 그 틈을 실링하여 처리 공간(415)을 밀폐한다. The sealing member 430 seals a gap between the upper body 410 and the lower body 420. The sealing member 430 is provided so as to have an annular ring shape. The sealing member 430 seals the gap between the lower end of the upper body 410 and the upper end of the lower body 420 to seal the processing space 415.

지지 부재(440)는 처리 공간(415)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(440)는 지지 플레이트(450), 리프트 핀(460), 핀 이동 부재, 그리고 지지핀 부재(510)를 포함한다. 지지 플레이트(450)는 처리 공간(415)에서 기판(W)을 지지한다. 도 6은 도 5의 지지 플레이트 및 지지핀 부재를 보여주는 평면도이다. 도 6을 참조하면, 지지 플레이트(450)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(450)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 지지 플레이트(450)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(460)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(460)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(460)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(460)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(460)에는 리프트 핀(460)이 제공된다. 리프트 핀(460)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 예컨대, 핀 홀들(460)은 3 개로 제공될 수 있다. The support member 440 supports the substrate W in the processing space 415. The support member 440 includes a support plate 450, a lift pin 460, a pin-moving member, and a support pin member 510. The support plate 450 supports the substrate W in the processing space 415. Figure 6 is a top view showing the support plate and support pin member of Figure 5; Referring to FIG. 6, the support plate 450 is provided in the form of a circular plate. The upper surface of the support plate 450 functions as a seating surface on which the substrate W is seated. A plurality of pin holes 460 are formed on the seating surface of the support plate 450. The pinholes 460 are arranged to surround the center of the seating surface when viewed from above. Each of the pin holes 460 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 460 are spaced apart from each other at equal intervals. Each pin hole 460 is provided with a lift pin 460. The lift pins 460 are provided to move in the vertical direction. For example, pin holes 460 may be provided in three.

리프트 핀(460)은 지지 플레이트(450)로부터 기판(W)을 들어올리거나 내린다. 리프트 핀(460)은 길이 방향이 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 리프트 핀(460)은 복수 개로 제공된다. 리프트 핀(460)은 핀 홀(460)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 각각의 리프트 핀(460)은 각 핀 홀(460)에 위치된다.The lift pins 460 lift or lower the substrate W from the support plate 450. The lift pins 460 are provided in the shape of a pin whose longitudinal direction is directed upward and downward. A plurality of lift pins 460 are provided. The lift pins 460 are provided in a number corresponding one-to-one with the pin holes 460. Each lift pin 460 is positioned in each pin hole 460.

핀 이동 부재(미도시)는 복수 개의 리프트 핀(460)들을 승강 위치 및 하강 위치로 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(460)의 상단이 핀홀로부터 위로 돌출되는 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(460)의 상단이 핀 홀(460)에 삽입되는 위치이다. 예컨대, 핀 이동 부재는 실린더 또는 모터와 같은 구동기일 수 있다.,A pin moving member (not shown) moves the plurality of lift pins 460 to the lift position and the lift position. Here, the lift-up position is a position where the upper end of the lift pin 460 protrudes upward from the pin hole, and the lowering position is a position where the upper end of the lift pin 460 is inserted into the pin hole 460. For example, the pin-moving member may be a driver such as a cylinder or a motor.

지지핀 부재(510)는 기판(W)과 안착면이 서로 이격되도록 기판(W)을 지지한다. 지지핀 부재(510)는 복수 개의 지지핀들(510)을 포함한다. 복수 개의 지지핀들(510)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀들(510)은 그 위치에 따라 서로 상이한 그룹으로 정의한다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(460)보다 안착면의 중심에 가깝게 위치한 지지핀들(510)을 내측핀 그룹으로 정의한다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(460)보다 안착면의 중심으로부터 멀게 위치한 지지핀들(510)을 외측핀(510c) 그룹으로 정의한다. 상부에서 바라볼 때 안착면에서 리프트 핀(460)과 와측핀 그룹 사이에 위치한 지지핀들(510)을 미들핀(510b) 그룹으로 정의한다. 각 그룹의 지지핀들은 서로 상이한 크기의 원주 방향을 따라 배열된다. 따라서 내측핀 그룹의 지지핀들(이하 내측핀(510a))은 미들핀(510b) 그룹에 비해 작은 원주 방향을 따라 배열되고, 미들핀(510b) 그룹의 지지핀들(이하 미들핀(510b))은 외측핀(510c) 그룹에 비해 작은 원주 방향을 따라 배열된다. 또한 미들핀(510b)들의 개수는 내측핀(510a)의 개수에 비해 크게 제공되며, 외측핀(510c) 그룹의 지지핀들(이하 외측핀(510c))의 개수에 비해 작게 제공된다. 내측핀(510a)은 적어도 3 개 이상으로 제공된다. 예컨대, 내측핀(510a)은 3 개이고, 미들핀(510b)은 4 개이며, 외측핀(510c)은 8 개일 수 있다.The support pin member 510 supports the substrate W so that the substrate W and the seating surface are spaced from each other. The support pin member 510 includes a plurality of support pins 510. The plurality of support pins 510 are positioned so as to project upward from the seating surface. The support pins 510 are defined as different groups according to their positions. Support pins 510 located closer to the center of the seating surface than the lift pins 460 when viewed from above are defined as inner pin groups. The support pins 510 located farther from the center of the seating surface than the lift pins 460 when viewed from above are defined as a group of outer pins 510c. The lift pin 460 and the support pins 510 located between the side and side pin groups are defined as a group of the middle pins 510b on the seating surface when viewed from above. The support pins of each group are arranged along circumferential directions of different sizes. The support pins (hereinafter referred to as inner pin 510a) of the inner pin group are arranged along a circumferential direction smaller than the group of the middle pins 510b and the support pins (hereinafter referred to as middle pin 510b) of the group of middle pins 510b Are arranged along a small circumferential direction as compared with the outer pin 510c group. The number of the middle pins 510b is larger than the number of the inner pins 510a and is smaller than the number of the support pins of the outer pins 510c (hereinafter referred to as the outer pins 510c). At least three inner pins 510a are provided. For example, there are three inner fins 510a, four middle fins 510b, and eight outer fins 510c.

도 7은 도 5의 지지 플레이트 및 지지핀을 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 각 그룹의 지지핀들(510)은 모두 동일한 형상을 가진다. 지지핀(510)은 지지부(512) 및 돌출부(514)를 가진다. 지지부(512)는 지지 플레이트(450)의 내부에 위치된다. 지지부(512)는 상하 방향을 향하는 통 형상을 가진다. 예컨대, 지지부(512)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 지지부(512)는 2.5 mm 의 직경을 가질 수 있으며, 선택적으로는 그 이상의 직경을 가질 수 있다. 돌출부(514)는 지지부(512)로부터 위로 연장된다. 돌출부(514)는 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 돌출부(514)는 위로 갈수록 직경이 작아지는 반구 형상으로 제공된다. 또한 각 그룹의 지지핀들(510)의 상단은 모두 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 지지핀들(510)의 상단과 안착면 간에 간격은 모두 동일하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지핀(510)의 상단과 안착면 간에 간격은 1.5 mm 내지 2.5 mm 일 수 있다. Figure 7 is a cross-sectional view showing the support plate and support pin of Figure 5; Referring to FIG. 7, the support pins 510 of each group all have the same shape. The support pin 510 has a support portion 512 and a protrusion 514. The support 512 is positioned within the support plate 450. The supporting portion 512 has a tubular shape facing upward and downward. For example, the support 512 may be provided in a cylindrical shape. The support 512 may have a diameter of 2.5 mm, and optionally may have a further diameter. The protrusion 514 extends upward from the support 512. The protrusion 514 is positioned so as to protrude upward from the seating surface. The projection 514 is provided in a hemispherical shape in which the diameter becomes smaller toward the upper side. Also, the upper ends of the support pins 510 of each group are provided so as to have the same height. The spacing between the upper end of the support pins 510 and the seating surface is provided to be the same. According to one example, the distance between the top of the support pin 510 and the seating surface may be between 1.5 mm and 2.5 mm.

열 처리 부재(480)는 지지 플레이트(450)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 도 8은 도 5의 지지 플레이트 및 열처리 부재를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 열 처리 부재(480)는 복수 개의 히터(480)를 포함한다. 각각의 히터(480)는 지지 플레이트(450)의 내부에 위치된다. 각각의 히터(480)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(480)는 지지 플레이트(450)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(480)에 대응되는 지지 플레이트(450)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15 개 일 수 있다. 예컨대, 히터는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heat treatment member 480 heats the substrate W placed on the support plate 450 to a predetermined temperature. 8 is a plan view showing the support plate and the heat treatment member of Fig. 5; Referring to FIG. 8, the heat treatment member 480 includes a plurality of heaters 480. Each heater 480 is positioned within the support plate 450. Each of the heaters 480 is located on the same plane. Each heater 480 heats different areas of the support plate 450. The regions of the support plate 450 corresponding to each heater 480 are provided with heating zones. For example, the heating zones may be fifteen. For example, the heater may be a thermoelectric element or a hot wire.

상술한 실시예에는 종래에 비해 지지핀(510)의 상단과 안착면 간에 간격이 더 적어졌다. 이에 따라 기판(W)의 영역 별 온도 편차를 최소화할 수 있다.The gap between the upper end of the support pin 510 and the seating surface is smaller than that in the conventional example. Accordingly, the temperature deviation of each region of the substrate W can be minimized.

또한 상술한 실시예에는 종래에 비해 지지핀(510)의 직경이 커졌다. 이에 따라 기판(W)을 열 처리하는 과정에서 소형화된 지지핀(510)이 파손되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, the diameter of the support pin 510 is larger than that of the conventional example. Accordingly, it is possible to minimize the damage of the miniaturized support pin 510 in the process of heat-treating the substrate W.

450: 지지 플레이트 480: 히터
510a: 내측핀 510b: 외측핀
510c: 미들핀450: support plate 480: heater
510a: Inner pin 510b: Outer pin
510c: middle pin

Claims (11)

지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 가열 처리하는 열 처리 부재와;
상기 지지 플레이트의 중심을 감싸도록 상기 지지 플레이트의 상면에 배열되는 복수의 핀 홀들 각각에 삽입되는 복수 개의 리프트 핀들과;
상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들에 삽입되는 하강 위치 또는 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들로부터 돌출되는 승강 위치로 상기 리프트핀들을 이동시키는 핀 이동 부재와;
상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하는 지지핀 부재를 포함하되,
상기 지지핀 부재는,
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에 가깝게 위치되는 내측핀과;
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에서 멀게 위치되는 외측핀을 포함하는 베이크 유닛.A support plate;
A heat treatment member for heating the support plate;
A plurality of lift pins inserted into each of a plurality of pin holes arranged on an upper surface of the support plate so as to surround the center of the support plate;
A pin moving member for moving the lift pins to a lowering position where the upper ends of the lift pins are inserted into the pin holes or a lift position where upper ends of the lift pins protrude from the pin holes;
And a support pin member projecting from an upper surface of the support plate and supporting the substrate,
The support pin member
An inner pin positioned closer to the center of the support plate than the lift pins when viewed from above;
And an outer pin located farther from the center of the support plate than the lift pins when viewed from above. 제1항에 있어서,
상기 지지핀 부재는,
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들과 상기 외측핀 사이에 위치되는 미들핀을 더 포함하는 베이크 유닛.The method according to claim 1,
The support pin member
Further comprising a middle pin positioned between said lift pins and said outer pin when viewed from above. 제2항에 있어서,
상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 복수 개로 제공되되,
상기 미들핀은 상기 내측핀에 비해 많은 개수로 제공되고,
상기 외측핀은 상기 미들핀에 비해 많은 개수로 제공되는 베이크 유닛.3. The method of claim 2,
Wherein each of the inner pin, the middle pin, and the outer pin is provided as a plurality of pins,
The middle pins are provided in a larger number than the inner pins,
Wherein the outer pins are provided in a larger number than the middle pins. 제3항에 있어서,
상기 내측핀은 적어도 3 개 이상으로 제공되는 베이크 유닛.The method of claim 3,
Wherein the inner fins are provided at least three or more. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내측핀의 상단, 상기 미들핀의 상단, 그리고 상기 외측핀의 상단 각각은 상기 지지 플레이트의 상면과의 간격은 서로 동일한 베이크 유닛.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein an upper end of the inner fin, an upper end of the middle fin, and an upper end of the outer fin are spaced from each other with respect to an upper surface of the support plate. 제5항에 있어서,
상기 간격은 1.5 mm 내지 2.5 mm 인 베이크 유닛.6. The method of claim 5,
Wherein the gap is 1.5 mm to 2.5 mm. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 2.5 mm 이상의 직경을 가지는 베이크 유닛.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein each of the inner pin, the middle pin, and the outer pin has a diameter of 2.5 mm or more. 기판 상에 액막을 형성하는 제1공정 챔버와;
기판을 기설정 온도로 열처리하는 제2공정 챔버와;
상기 제1공정 챔버 및 상기 제2공정 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇을 포함하되,
상기 제2공정 챔버는,
지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 가열 처리하는 열 처리 부재와;
상기 지지 플레이트의 중심을 감싸도록 상기 지지 플레이트의 상면에 배열되는 복수의 핀 홀들 각각에 삽입되는 복수 개의 리프트 핀들과;
상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들에 삽입되는 하강 위치 또는 상기 리프트 핀들의 상단이 상기 핀 홀들로부터 돌출되는 승강 위치로 상기 리프트핀들을 이동시키는 핀 이동 부재와;
상단이 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하는 지지핀 부재를 포함하되,
상기 지지핀 부재는,
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에 가깝게 위치되는 내측핀과;
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들보다 상기 지지 플레이트의 중심에서 멀게 위치되는 외측핀을 포함하는 기판 처리 장치.A first process chamber for forming a liquid film on the substrate;
A second process chamber for thermally treating the substrate at a predetermined temperature;
And a transfer robot for transferring the substrate between the first process chamber and the second process chamber,
Wherein the second process chamber comprises:
A support plate;
A heat treatment member for heating the support plate;
A plurality of lift pins inserted into each of a plurality of pin holes arranged on an upper surface of the support plate so as to surround the center of the support plate;
A pin moving member for moving the lift pins to a lowering position where the upper ends of the lift pins are inserted into the pin holes or a lift position where upper ends of the lift pins protrude from the pin holes;
And a support pin member protruding from an upper surface of the support plate and supporting the substrate,
The support pin member
An inner pin positioned closer to the center of the support plate than the lift pins when viewed from above;
And an outer pin located farther from the center of the support plate than the lift pins when viewed from above. 제8항에 있어서,
상기 지지핀 부재는,
상부에서 바라볼 때 상기 리프트 핀들과 상기 외측핀 사이에 위치되는 미들핀을 더 포함하되,
상기 내측핀, 상기 미들핀, 그리고 상기 외측핀 각각은 복수 개로 제공되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The support pin member
Further comprising a middle pin positioned between the lift pins and the outer pin when viewed from above,
Wherein the inner pin, the middle pin, and the outer pin are provided in plural numbers. 제9항에 있어서,
상기 내측핀의 상단, 상기 미들핀의 상단, 그리고 상기 외측핀의 상단 각각은 상기 지지 플레이트의 상면과의 간격이 서로 동일한 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein an upper end of the inner fin, an upper end of the middle fin, and an upper end of the outer fin are spaced from each other with respect to an upper surface of the support plate. 제10항에 있어서,
상기 간격은 1.5 mm 내지 2.5 mm 인 기판 처리 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the gap is 1.5 mm to 2.5 mm.
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