KR20230127105A - 디스플레이 모듈의 리페어 방법 - Google Patents
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- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
다수의 발광 다이오드가 배열된 디스플레이 모듈의 리페어 방법이 개시된다. 개시된 방법은, 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드를 디스플레이 모듈로부터 제거하는 단계와, 불량 발광 다이오드를 제거함에 따라 노출된 디스플레이 모듈의 패널 전극에 탄성 도전 패드를 형성하는 단계와, 신규 발광 다이오드를 탄성 도전 패드에 전기적으로 연결하도록 디스플레이 모듈에 전사하는 단계와, 신규 발광 다이오드와 탄성 도전 패드를 보호 층으로 덮는 단계와, 신규 발광 다이오드와 탄성 도전 패드 사이의 탄력적인 결합이 유지되도록 보호 층을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 개시는 디스플레이 모듈의 리페어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 디스플레이 모듈에 구비된 다수의 마이크로 LED 중에서 불량 마이크로 LED를 신규 마이크로 LED로 교체하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법에 관한 것이다.
LED(light emitting diode)는 조명 장치용 광원은 물론 TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA(personal digital assistant) 등과 같은 다양한 전자 제품의 각종 디스플레이 장치들을 위한 광원으로 널리 사용되고 있다.
최근에는 크기가 약 100㎛ 이하인 마이크로 LED가 실장된 디스플레이가 개발되고 있다. 마이크로 LED는 기존의 LED에 비해 빠른 반응 속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있어 차세대 디스플레이의 발광 소자로서 각광받고 있다.
디스플레이 패널에 실장된 다수의 마이크로 LED 중에서 점등 되지 않는 불량 마이크로 LED가 발생한 경우, 불량 마이크로 LED를 디스플레이 패널로부터 제거한 후 신규 마이크로 LED로 대체한다.
그런데, 마이크로 LED의 전극 패드는 약 수 십㎛ 이하의 미세한 크기를 갖는다. 이에 따라, 디스플레이 패널의 패널에 실장된 신규 마이크로 LED는 주변 온도 변화에 따라 접속 부분이 팽창 또는 수축하게 되면 신규 마이크로 LED의 실장 위치가 변경될 수 있다. 이로 인해 대체 마이크로 LED와 디스플레이 패널 간 전기적인 접속이 불안정하여 점등되지 않는 문제가 있었다.
본 개시는 불량 발광 다이오드를 대체한 신규 발광 다이오드가 디스플레이 패널에 탄력적으로 접속하여 디스플레이 패널과 물리적 및 전기적으로 안정적인 접속이 유지되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해 상기 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈로부터 제거하는 단계; 상기 불량 발광 다이오드를 제거함에 따라 노출된 상기 디스플레이 모듈의 패널 전극에 탄성 도전 패드를 형성하는 단계; 신규 발광 다이오드를 상기 탄성 도전 패드에 전기적으로 연결하도록 상기 디스플레이 모듈에 전사하는 단계; 상기 신규 발광 다이오드와 상기 탄성 도전 패드를 보호 층으로 덮는 단계; 및 상기 신규 발광 다이오드와 상기 탄성 도전 패드 사이의 탄력적인 결합이 유지되도록 상기 보호 층을 경화하는 단계를 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 제공한다.
상기 탄성 도전 패드를 형성하는 단계는, 상기 패널 전극 상에 간격을 두고 배열되는 다수의 탄성 부재를 형성하는 단계; 및 상기 탄성 부재와 상기 패널 전극을 덮는 도전 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 탄성 부재는 상기 패널 전극 상에 간격을 두고 배열되는 다수의 범프 형상으로 형성될 수 있다.
상기 다수의 범프는 탄성을 가지는 고분자 수지로 형성될 수 있다. 상기 고분자 수지는 폴리이미드(polyimide)일 수 있다.
상기 탄성 부재는 상기 다수의 탄성을 가지는 미세 입자가 포함된 고분자 수지로 형성되고, 상기 미세 입자는 도전성을 가지는 금속 입자일 수 있다. 상기 미세 입자는 1㎛ 이하의 크기를 가질 수 있다.
본 개시에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법은 상기 신규 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈에 전사하기 전에 상기 탄성 도전 패드에 접착 층을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 신규 발광 다이오드 전사 단계는 상기 신규 발광 다이오드를 열 압착하여 상기 탄성 도전 패드에 탄력적으로 접속시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 도전 층은 CVD(chemical vapor deposition) 방식 또는 LCVD(laser chemical vapor deposition) 방식을 통해 증착될 수 있다.
상기 도전 층은 도전성 잉크를 도포 및 경화시켜 형성될 수 있다.
상기 보호 층은 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
본 개시에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법은 상기 보호 층을 형성하기 전에 상기 신규 발광 다이오드를 둘러싸는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 개시에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법은 상기 보호 층을 형성하기 전에 상기 신규 발광 다이오드에 대한 점등 검사 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 불량 발광 다이오드 제거 단계는, 상기 디스플레이 모듈의 표면에 레이저를 조사하여 상기 불량 발광 다이오드를 둘러싼 수지를 제거하는 단계; 및 상기 불량 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈로부터 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 표시된 A 부분을 나타낸 확대도이다.
도 4는 하나의 픽셀 영역에 배치된 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드가 포함된 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 픽셀 영역에서 불량 발광 다이오드를 제거한 부분에 위치한 패널 전극들을 나타낸 도면이다.
도 7은 탄성 도전 패드의 탄성 부재가 패널 전극들 상에 형성된 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 표시된 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 9는 탄성 도전 패드의 도전 층이 탄성 부재 및 패널 전극을 함께 덮은 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 탄성 도전 패드 상에 접착 층을 도포한 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 전사하기 위해 정렬하는 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 신규 발광 다이오드를 둘러싸는 블랙 매트릭스를 형성하는 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 신규 발광 다이오드를 보호 층으로 덮는 예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 표시된 A 부분을 나타낸 확대도이다.
도 4는 하나의 픽셀 영역에 배치된 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드가 포함된 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 픽셀 영역에서 불량 발광 다이오드를 제거한 부분에 위치한 패널 전극들을 나타낸 도면이다.
도 7은 탄성 도전 패드의 탄성 부재가 패널 전극들 상에 형성된 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 표시된 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 9는 탄성 도전 패드의 도전 층이 탄성 부재 및 패널 전극을 함께 덮은 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 탄성 도전 패드 상에 접착 층을 도포한 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 전사하기 위해 정렬하는 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 신규 발광 다이오드를 둘러싸는 블랙 매트릭스를 형성하는 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 신규 발광 다이오드를 보호 층으로 덮는 예를 나타낸 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시에서, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 개시에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 영상 표시용 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode)를 구비한 디스플레이 패널을 포함할 수 있다. 여기서, 디스플레이 패널은 평판 디스플레이 패널 또는 커브드 디스플레이 패널일 수 있다. 예를 들면, 디스플레이 패널은 약 100㎛ 이하인 무기 발광 다이오드(이하, 마이크로(micro) LED)가 다수 실장되어 있어 백 라이트가 필요한 LCD(liquid crystal display)에 비해 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다.
본 개시에서, 디스플레이 패널에 실장되는 마이크로 LED는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 마이크로 LED는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 예를 들면, 마이크로 LED는 LCD 또는 OLED에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 마이크로 LED는 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 마이크로 LED는 가로, 세로, 높이가 각각 약 100㎛를 초과하는 LED 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있다. 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다. 마이크로 LED는 애노드 전극(anode electrode) 및 캐소드 전극(cathode electrode)이 동일한 면에 형성되고, 애노드 전극 및 캐소드 전극이 형성된 면의 반대 측에 발광면이 위치한 플립 칩(flip chip) 구조를 가질 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 패널은 글라스 기판, 가요성(flexibility) 재질을 가지는 합성수지 계열(예를 들면, PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyether sulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등)의 기판이나 세라믹 기판을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 기판은 전면(front surface)에 TFT(thin film transistor) 회로가 형성되고, 후면(rear surface)에 TFT 회로에 전원을 공급하는 전원 공급 회로와 데이터 구동 드라이버, 게이트 구동드라이버 및 각 구동 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러가 배치될 수 있다. 기판의 전면에 배열된 다수의 픽셀은 TFT 회로에 의해 구동될 수 있다.
본 개시에서, 기판은 후면에 회로가 배치되지 않을 수 있다. 이 경우, TFT 회로는 필름 형태로 제작되어 기판(이 경우, 기판은 글라스 기판일 수 있다)의 전면에 부착될 수 있다.
본 개시에서, 기판에 제공되는 TFT는 특정 구조나 타입으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 개시에서 인용된 TFT는 a-Si TFT(amorphous silicon) TFT, LTPS(low temperature polycrystalline silicon) TFT, LTPO(low temperature polycrystalline oxide) TFT, HOP(hybrid oxide and polycrystalline silicon) TFT, LCP(liquid crystalline polymer) TFT, OTFT(organic TFT), 또는 그래핀 (graphene) TFT일 수 있다. 또는, 기판은 Si 웨이퍼 CMOS(complementary metal oxide silicon) 공정에서 P 타입(or N 타입) MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)만 적용될 수 있다.
본 개시에서, 기판은 전면이 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.
본 개시에서, 기판은 외곽에 해당하는 에지 영역을 포함할 수 있다. 기판의 에지 영역은 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역은 기판의 측면에 인접한 기판의 전면 일부와 기판의 측면에 인접한 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 기판의 에지 영역은 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 기판은 TFT 층이 없는 기판일 수 있다. 이 경우, 기판은 TFT 역할을 수행할 수 있는 다수의 마이크로 IC(micro integrated circuit)를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판은 다수의 마이크로 IC와 마이크로 LED를 전기적으로 연결하는 배선들이 형성될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈의 픽셀 구동 방식은 AM(active matrix) 구동 방식 또는 PM(passive matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 다수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 개시의 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 개시는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
이하에서는 도면을 참고하여, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.
본 개시의 디스플레이 장치(1)는 다수의 디스플레이 모듈(3)을 포함할 수 있다. 이 경우, 다수의 디스플레이 모듈(3)은 물리적으로 연결하여 대형 디스플레이(예를 들면, LFD, large format display)를 구현할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(3)과 프로세서(5)를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(3)은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 여기에서, 영상은 정지 영상 및/또는 동영상을 포함하는 개념이다. 디스플레이 모듈(3)은 방송 콘텐츠, 멀티미디어 콘텐츠 등과 같은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 또한, 디스플레이 모듈(3)은 유저 인터페이스(user interface) 및 아이콘을 표시할 수도 있다.
디스플레이 모듈(3)은 디스플레이 패널(10) 및 디스플레이 패널(10)을 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(DDI, display driver integrated circuit)(7)를 포함할 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 인터페이스 모듈(7a), 메모리(7b)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(7c), 또는 맵핑 모듈(7d)을 포함할 수 있다. 디스플레이 드라이버 IC(7)는, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(7a)을 통해 디스플레이 장치(1)의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(5)(예: 메인 프로세서(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 센서 모듈(미도시)과 인터페이스 모듈(7a)을 통하여 커뮤니케이션 할 수 있다. 또한, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(7b)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(7c)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이 패널(10)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(7d)은 이미지 처리 모듈(7c)을 통해 전처리 또는 후처리 된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이 패널(10)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이 패널(10)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이 패널(10)을 통해 표시될 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는, 프로세서(5)로부터 수신된 영상 정보에 기반하여, 디스플레이로 구동 신호(예: 드라이버 구동 신호, 게이트 구동 신호 등)를 전송할 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 영상을 표시할 수 있다. 일 예로, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 다수의 서브 픽셀들의 구동 신호를 생성하고, 구동 신호에 기초하여 다수의 서브 픽셀의 발광을 제어함으로써 영상을 표시할 수 있다.
디스플레이 모듈(3)은 터치 회로(미도시)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로는 터치 센서 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC는, 예를 들면, 디스플레이 패널(10)의 지정된 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC는 디스플레이 패널(10)의 지정된 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(5)에 제공할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 터치 회로의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC)는 디스플레이 드라이버 IC(7), 또는 디스플레이 패널(10)의 일부로, 또는 디스플레이 모듈(3)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서)의 일부로 포함될 수 있다.
프로세서(5)는 디지털 영상 신호를 처리하는 디지털 시그널 프로세서(digital signal processor(DSP), 마이크로 프로세서(microprocessor), GPU(graphics processing unit), AI(artificial intelligence) 프로세서, NPU (neural processing unit), TCON(time controller)으로 구현될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), MCU(micro controller unit), MPU(micro processing unit), 컨트롤러(controller), 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함하거나, 해당 용어로 정의될 수 있다. 또한, 프로세서(5)는 프로세싱 알고리즘이 내장된 SoC(system on chip), LSI(large scale integration)로 구현될 수도 있고, ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 형태로 구현될 수도 있다.
프로세서(5)는 운영 체제 또는 응용 프로그램을 구동하여 프로세서(5)에 연결된 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소들을 제어할 수 있고, 각종 데이터 처리 및 연산을 수행할 수 있다. 또한, 프로세서(5)는 다른 구성요소들 중 적어도 하나로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리에 로드하여 처리하고, 다양한 데이터를 비휘발성 메모리에 저장할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 표시된 A 부분을 나타낸 확대도이다.
도 2 및 3을 참조하면, 디스플레이 패널(10)은 기판과 다수의 픽셀을 포함할 수 있다. 기판에는 다수의 픽셀이 배열되는 픽셀 영역(10a)이 격자 형태로 배치될 수 있다.
하나의 픽셀 영역(10a)에는 픽셀이(100) 하나씩 배치될 수 있다. 하나의 픽셀(100)은 다수의 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 예를 들면, 다수의 서브 픽셀은 적색 파장 대역의 광을 출사하는 제1 발광 다이오드(101), 녹색 파장 대역의 광을 출사하는 제2 발광 다이오드(102) 및 청색 파장 대역의 광을 출사하는 제3 발광 다이오드(103)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)는 예를 들면, 무기 발광 소자로서 약 100㎛ 이하의 크기를 가지는 마이크로 LED(light emitting diode)일 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)는 발광면의 반대편에 제1 전극 패드(애노드 전극 패드)와 제2 전극 패드(캐소드 전극 패드)가 함께 배치된 플립 칩 타입일 수 있다.
하나의 픽셀 영역(10a)에서 제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)가 점유하지 않는 부분에 제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)를 구동하기 위한 다수의 TFT(thin film transistor)가 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)는 하나의 픽셀 영역(10a) 내에서 일정한 간격을 두고 일렬로 배열될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 내지 제3 발광 다이오드(101, 102, 103)는 L자 형태로 배열되거나, 펜타일(pentile) RGBG 방식으로 배열될 수 있다. 펜타일 RGBG 방식은 인간이 파란색을 덜 식별하고 녹색을 가장 잘 식 별하는 특성을 이용하여 빨강, 초록 및 파랑의 서브 픽셀의 개수를 1:1:2(RGBG)의 비율로 배열하는 방식이다. 펜 타일 RGBG 방식은 수율을 높이고 단가를 낮추며 작은 화면에서 고해상도를 구현할 수 있어 효과적이다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 발광 다이오드(101)는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 제1 반도체층 및 제2 반도체층 사이에 제공되는 활성층, 제1 전극 패드, 및 제2 전극 패드를 포함할 수 있다.
제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; metal organic chemical vapor deposition), 화학 증착법(CVD; chemical vapor deposition), 또는 플라즈마 화학 증착법(PECVD; plasma-enhanced chemical vapor deposition)과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1 반도체층은 예를 들어, p형 반도체층(anode)을 포함할 수 있다. p형 반도체층은 예를 들어 GaAs, GaP, GaAlAs 또는 InGaAlP에서 선택될 수 있다.
활성층은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 광을 생성할 수 있다. 활성층은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 또는, 활성층은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있으며, 단일 양자 우물(SQW: single quantum well) 구조 또는 다중 양자 우물(MQW: multi quantum well) 구조로 형성될 수 있다.
제2 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층(cathode)을 포함할 수 있다. n형 반도체층은 예를 들어 GaAs, GaP, GaAlAs 또는 InGaAlP에서 선택될 수 있다.
제1 전극 패드는 제1 반도체층과 연결되며, 불투명한 금속(예: 인 Al, Pt, Au, Cu 또는 Cr)으로 이루어질 수 있다. 제1 전극 패드는 제1 발광 다이오드(101)를 디스플레이 패널(10)에 전사 시 디스플레이 패널(10)에 배치된 제1 패널 전극(12, 도 6 참조)에 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다.
제2 전극 패드는 제2 반도체층과 연결되며, 불투명한 금속(예: 인 Al, Pt, Au, Cu 또는 Cr)으로 이루어질 수 있다. 제2 전극 패드는 제1 발광 다이오드(101)를 디스플레이 패널(10)에 전사 시 디스플레이 패널(10)에 배치된 제2 패널 전극(13, 도 6 참조)에 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다.
제2 및 제3 발광 다이오드(102, 103)의 구조는 제1 발광 다이오드(101)의 구조와 실질적으로 동일하게 이루어질 수 있다.
도 4는 하나의 픽셀 영역에 배치된 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드가 포함된 예를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 하나의 픽셀 영역(10a) 내에 배치된 다수의 발광 다이오드(101', 102, 103) 중에서 적어도 하나의 발광 다이오드(101')가 불량인 경우가 발생할 수 있다.
이하, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 통해 불량 발광 다이오드(101')를 신규 발광 다이오드로 교체하는 예를 설명한다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법을 나타낸 흐름도이다.
디스플레이 패널(10)에 배열된 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드(101', 도 4 참조)가 발생하면, 불량 발광 다이오드(101')를 디스플레이 패널(10)로부터 제거한다.
불량 발광 다이오드(101')를 디스플레이 패널(10)로부터 제거하기 위해 디스플레이 패널(10)의 표면에 레이저를 조사하여 불량 발광 다이오드(101')를 덮고 있는 수지를 제거한다(도 5의 501).
디스플레이 패널(10)의 표면으로부터 수지가 제거되면 불량 발광 다이오드(101')를 물리적으로 디스플레이 패널(10)로부터 분리시킨다.
도 6은 픽셀 영역에서 불량 발광 다이오드를 제거한 부분에 위치한 패널 전극들을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 불량 발광 다이오드(101')의 한 쌍의 전극과 접속되었던 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)이 노출된다.
제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)의 상면에 이물질(예: 접속용 도전성 물질 등)이 남아있는 경우, 후 공정에서 탄성 도전 패드(30, 도 9 참조)를 형성할 때 방해될 수 있다. 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)의 상면에 잔류하는 이물질은 화학적 세정 및/또는 물리적 세정 공정으로 제거할 수 있다.
이어서, 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)에 각각 신규 발광 다이오드(200)의 전기적 및 물리적인 접속을 위한 탄성 도전 패드(30)를 형성한다(도 5의 502).
도 7은 탄성 도전 패드의 탄성 부재가 패널 전극들 상에 형성된 예를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7에 표시된 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이고, 도 9는 탄성 도전 패드의 도전 층이 탄성 부재 및 패널 전극을 함께 덮은 예를 나타낸 도면이다.
도 7 및 8을 참조하면, 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)의 상면에 탄성 부재(31)를 형성한다.
탄성 부재(31)는 인쇄 장치의 노즐을 통해 고분자 수지를 미세한 액적 형태로 토출되어 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)의 상면에 일정한 간격을 두고 배열될 수 있다.
탄성 부재(31)는 열 안정성이 높고, 기계적 강도 및 탄성을 가지는 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 탄성 부재는 폴리이미드(polyimide)일 수 있다.
탄성 부재(31)는 도 7과 같이 평면에서 바라볼 때 점(dot) 형상으로 보일 수 있다. 또한, 탄성 부재(31)는 도 8과 같이 단면이 소정 높이를 가지는 범프(bump) 형상일 수 있다.
탄성 부재(31)는 이러한 형상에 한정되지 않고 평면에서 바라볼 때, 직선, 타원 또는 다각형으로 이루어질 수 있고, 다양한 패턴으로 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)의 상면에 배열될 수 있다.
탄성 부재(31)는 후술하는 도전 층(33)과 함께 탄성 도전 패드(30)를 이루는 구성요소일 수 있다. 탄성 부재(31)는 탄성력에 의해 도전 층(33)을 신규 발광 다이오드(200)의 제1 전극 패드(230) 및 제2 전극 패드(미도시)에 밀착시켜 안정적인 전기 접속이 가능하도록 한다.
탄성 부재(31)는 범프 형상으로 형성되는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 탄성 부재(31)는 층(layer) 형상으로 제1 및 제2 패널 전극(12, 13) 상에 각각 적층될 수 있다. 이 경우, 탄성 부재(31)는 다수의 탄성을 가지는 미세 입자가 포함된 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 미세 입자는 1㎛ 이하의 크기로 도전성을 가지는 금속 입자일 수 있다.
도전 층(33)은 제1 패널 전극(12)과 제1 패널 전극(12) 상에 형성된 탄성 부재(31)를 함께 덮도록 형성되고, 제2 패널 전극(13)과 제2 패널 전극(13) 상에 형성된 탄성 부재(31)를 함께 덮도록 형성된다.
제1 패널 전극(12) 상에 형성된 도전 층(33)은 일부가 탄성 부재(31) 위에 배치되고 나머지는 제1 패널 전극(12)과 접촉한다. 제2 패널 전극(13) 상에 형성된 도전 층(33)은 일부가 탄성 부재(31) 위에 배치되고 나머지는 제2 패널 전극(13)과 접촉한다.
이에 따라, 디스플레이 패널(10)에 신규 발광 다이오드(200)를 전사하는 경우, 제1 패널 전극(12)에 형성된 도전층(33)은 신규 발광 다이오드(200)의 제1 전극 패드(230)를 전기적으로 연결할 수 있고, 제2 패널 전극(13)에 형성된 도전층(33)은 신규 발광 다이오드(200)의 제2 전극 패드(미도시)를 전기적으로 연결할 수 있다.
도전 층(33)은 증착 공정(예: 화학 증착법(CVD: chemical vapor deposition) 또는 레이저 화학 증착법(LCVD: laser chemical vapor deposition))을 통해 제1 및 제2 패널 전극(12, 13)에 대해 국소 증착될 수 있다.
도 10은 탄성 도전 패드 상에 접착 층을 도포한 예를 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 신규 발광 다이오드(200)를 디스플레이 패널(10)에 전사하기 전에 제1 패널 전극(12)과 제2 패널 전극(13) 상에 각각 형성된 탄성 도전 패드(30) 위에 접착 수지를 도포하여 접착 층(50)을 형성할 수 있다.
접착 층(150)을 탄성 도전 패드(30) 상에 형성한 후, 신규 발광 다이오드(200)를 불량 발광 다이오드(101')를 제거한 디스플레이 기판(10)의 일 영역에 전사한다(도 5의 503).
캐리어 기판(300)과 디스플레이 패널(10)은 각각 서로 다른 스테이지(미도시)에 지지될 수 있다. 이 경우, 각 스테이지는 캐리어 기판(300)과 디스플레이 패널(10)을 X, Y, Z축 방향을 따라 이동시키고, X, Y, Z축을 중심으로 소정 각도 틸팅시킬 수 있다.
도 11은 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 전사하기 위해 정렬하는 예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 신규 발광 다이오드(200)는 캐리어 기판(300)에 부착된 상태로 디스플레이 패널(10)의 상측에 배치될 수 있다. 이 경우, 각 스테이지에 의해 캐리어 기판(300)을 이동하여 신규 발광 다이오드(200)를 전사 위치로 정렬할 수 있다.
신규 발광 다이오드(200)가 전사 위치로 정렬되면, 레이저 전사 방식(예: LLO(laser lift-off) 방식)으로 신규 발광 다이오드(200)를 캐리어 기판(300)으로부터 디스플레이 패널(10)로 전사할 수 있다.
신규 발광 다이오드(200)를 디스플레이 패널(10)로 전사하는 방식은 레이저 전사 방식에 한정되지 않고, 스탬프와 접착 층(50)의 점착력 차이를 활용한 스탬프 전사 방식이나, 진공 흡착 또는 정전기 흡착을 이용한 픽 앤 플레이스(pick and place) 전사 방식을 적용할 수 있다.
디스플레이 패널(10)로 전사된 신규 발광 다이오드(200)는 제1 전극 패드(230)와 제2 전극 패드가 각각 접착 층(50) 위에 안착될 수 있다.
도 12는 신규 발광 다이오드를 디스플레이 패널에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, 신규 발광 다이오드(200)를 디스플레이 패널(10)에 열 압착한다. 이 경우, 신규 발광 다이오드(200)의 발광면(211)이 가압 부재(미도시)에 의해 디스플레이 패널(10) 측으로 가압됨에 따라 탄성 도전 패드(30)가 납작하게 변형될 수 있다.
이때, 탄성 접속 패드(30)의 탄성 부재(31)는 탄성력에 의해 신규 발광 다이오드(200)가 가압되는 방향의 반대 방향으로 복원력이 작용한다. 탄성 접속 패드(30)의 도전 층(33)은 탄성 부재(31)의 복원력에 의해 신규 발광 다이오드(200)의 제1 전극 패드(230)에 탄력적으로 밀착될 수 있다.
이때, 도전 층(33)은 열 압착 공정 시 제공되는 열에 의해 신규 발광 다이오드(200)의 제1 전극 패드(230)에 유텍틱 본딩될 수 있다. 또한, 접착 층(50)은 열에 의해 경화될 수 있다. 이에 따라, 신규 발광 다이오드(200)의 제1 전극 패드(230)와 제2 전극 패드는 각각 접착 층(50)에 의해 디스플레이 패널(10)의 제1 패널 전극(12) 및 제2 패널 전극(13)에 물리적으로 견고하게 연결될 수 있다.
마찬가지로, 제2 전극 패드 상에 형성된 탄성 도전 패드(30)는 신규 발광 다이오드(200)의 제2 전극 패드에 탄력적으로 접속될 수 있다.
스탬프 전상 방식 이나 픽 앤드 플레이스 전사 방식으로 디스플레이 패널(10)에 신규 발광 다이오드(200)를 전사하는 경우, 전사 공정과 열 압착 공정을 함께 수행할 수도 있다.
신규 발광 다이오드(200)를 디스플레이 패널(10)에 물리적으로 견고하게 접속한 상태에서 점등 검사를 진행한다(도 5의 504).
신규 발광 다이오드(200)가 불량이거나 신규 발광 다이오드(200)와 디스플레이 패널(10) 간 접속 불량으로 인해 점등 검사를 통과하지 못하면 신규 발광 다이오드는 도 5의 501 단계와 같이 디스플레이 패널(10)로부터 제거될 수 있다. 이어서, 도 5의 502 및 503에 대응하는 공정이 순차적으로 진행될 수 있다.
신규 발광 다이오드(200)가 점등 검사를 통과하면 후 공정이 진행될 수 있다.
도 13은 신규 발광 다이오드를 둘러싸는 블랙 매트릭스를 형성하는 예를 나타낸 도면이다.
도 13을 참조하면, 신규 발광 다이오드(200) 주변에 소정 높이로 블랙 잉크를 도포하고 블랙 잉크를 경화함으로써 블랙 매트릭스(70)를 형성할 수 있다(도 5의 505).
블랙 매트릭스(70)는 신규 발광 다이오드(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이 경우, 블랙 매트릭스(70)는 디스플레이 패널(10)에 형성되어 있는 다른 블랙 매트릭스의 높이와 실질적으로 동일한 높이로 형성될 수 있다.
도 14는 신규 발광 다이오드를 보호 층으로 덮는 예를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 신규 발광 다이오드(20)와 블랙 매트릭스(70)은 보호 층(90)에 의해 함께 덮일 수 있다(도 5의 506).
예를 들면, 보호 층(90)은 투명한 고분자 수지를 신규 발광 다이오드(20)와 블랙 매트릭스(70) 상부에 도포한 후 경화함으로써 형성될 수 있다.
보호 층(70)은 신규 발광 다이오드(200)의 발광면(211)에서 방출되는 광을 차단하거나 광량을 제한하지 않도록 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
보호 층(70)은 탄성 도전 패드(30)가 눌린 상태로 유지할 수 있다. 이에 따라, 탄성 부재(31)는 변형된 상태로 복원력이 지속적으로 작용하여 신규 발광 다이오드(200)의 제1 및 제2 전극 패드와 각 패드에 대응하는 도전 층(33)을 상호 탄력적으로 접촉시킬 수 있다.
신규 발광 다이오드를 디스플레이 기판에 실장 후 보호 층(90)이 온도 변환에 따라 의해 팽창 또는 수축되더라도 탄성 도전 패드(30)의 탄성 부재(31)의 복원력에 의해, 신규 발광 다이오드(200)의 제1 및 제2 전극 패드와 이에 각각 대응하는 탄성 도전 패드(30) 간 전기적 접속을 안정적으로 유지할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 리페어 방법에서는 블랙 매트릭스(70)를 형성하는 것으로 설명하지만 이에 제한되지 않고, 경우에 따라 블랙 매트릭스(70)를 형성하지 않을 수 있다.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해돼서는 안될 것이다.
1: 디스플레이 모듈
10: 디스플레이 패널
30: 탄성 도전 패드
31: 탄성 부재
33: 도전 층
50: 접착 층
70: 블랙 매트릭스
90: 보호 층
10: 디스플레이 패널
30: 탄성 도전 패드
31: 탄성 부재
33: 도전 층
50: 접착 층
70: 블랙 매트릭스
90: 보호 층
Claims (15)
- 다수의 발광 다이오드가 배열된 디스플레이 모듈의 리페어 방법에 있어서,
상기 다수의 발광 다이오드 중에서 불량 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈로부터 제거하는 단계;
상기 불량 발광 다이오드를 제거함에 따라 노출된 상기 디스플레이 모듈의 패널 전극에 탄성 도전 패드를 형성하는 단계;
신규 발광 다이오드를 상기 탄성 도전 패드에 전기적으로 연결하도록 상기 디스플레이 모듈에 전사하는 단계;
상기 신규 발광 다이오드와 상기 탄성 도전 패드를 보호 층으로 덮는 단계; 및
상기 신규 발광 다이오드와 상기 탄성 도전 패드 사이의 탄력적인 결합이 유지되도록 상기 보호 층을 경화하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제1항에 있어서,
상기 탄성 도전 패드를 형성하는 단계는,
상기 패널 전극 상에 간격을 두고 배열되는 다수의 탄성 부재를 형성하는 단계; 및
상기 탄성 부재와 상기 패널 전극을 덮는 도전 층을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 탄성 부재는 상기 패널 전극 상에 간격을 두고 배열되는 다수의 범프 형상으로 형성되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제3항에 있어서,
상기 다수의 범프는 탄성을 가지는 고분자 수지로 형성되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제4항에 있어서,
상기 고분자 수지는 폴리이미드(polyimide)인 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 탄성 부재는 상기 다수의 탄성을 가지는 미세 입자가 포함된 고분자 수지로 형성되고,
상기 미세 입자는 도전성을 가지는 금속 입자인 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제6항에 있어서,
상기 미세 입자는 1㎛ 이하의 크기를 가지는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 신규 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈에 전사하기 전에 상기 탄성 도전 패드에 접착 층을 도포하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 신규 발광 다이오드 전사 단계는 상기 신규 발광 다이오드를 열 압착하여 상기 탄성 도전 패드에 탄력적으로 접속시키는 단계를 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 도전 층은 CVD(chemical vapor deposition) 방식 또는 LCVD(laser chemical vapor deposition) 방식을 통해 증착되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제2항에 있어서,
상기 도전 층은 도전성 잉크를 도포 및 경화시켜 형성되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호 층은 투명한 고분자 수지로 형성되는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호 층을 형성하기 전에 상기 신규 발광 다이오드를 둘러싸는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호 층을 형성하기 전에 상기 신규 발광 다이오드에 대한 점등 검사 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법. - 제1항에 있어서,
상기 불량 발광 다이오드 제거 단계는,
상기 디스플레이 모듈의 표면에 레이저를 조사하여 상기 불량 발광 다이오드를 둘러싼 수지를 제거하는 단계; 및
상기 불량 발광 다이오드를 상기 디스플레이 모듈로부터 분리하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 리페어 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2023/002049 WO2023163433A1 (ko) | 2022-02-24 | 2023-02-13 | 디스플레이 모듈의 리페어 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20220024639 | 2022-02-24 | ||
| KR1020220024639 | 2022-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230127105A true KR20230127105A (ko) | 2023-08-31 |
Family
ID=87847576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220045227A KR20230127105A (ko) | 2022-02-24 | 2022-04-12 | 디스플레이 모듈의 리페어 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230127105A (ko) |
-
2022
- 2022-04-12 KR KR1020220045227A patent/KR20230127105A/ko unknown
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