KR20230120222A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230120222A
KR20230120222A KR1020220016424A KR20220016424A KR20230120222A KR 20230120222 A KR20230120222 A KR 20230120222A KR 1020220016424 A KR1020220016424 A KR 1020220016424A KR 20220016424 A KR20220016424 A KR 20220016424A KR 20230120222 A KR20230120222 A KR 20230120222A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
color filter
subpixel
encapsulation layer
thin film
Prior art date
Application number
KR1020220016424A
Other languages
English (en)
Inventor
조강문
고은별
김선광
이형섭
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220016424A priority Critical patent/KR20230120222A/ko
Priority to US17/943,650 priority patent/US20230255079A1/en
Priority to CN202310133227.2A priority patent/CN116581139A/zh
Publication of KR20230120222A publication Critical patent/KR20230120222A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 서로 다른 색을 내는 제1부화소, 제2부화소, 및 제3부화소를 포함하는 표시 장치에 있어서, 기판, 기판 상부에 배치되며 상기 제1부화소 내지 상기 제3부화소들 각각에 중첩하는 복수의 발광소자들, 상기 복수의 발광소자들 상부에 배치되는 제1박막 봉지층, 상기 제1박막 봉지층 상부에 배치되는 제2박막 봉지층, 상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소에 대응하는 제1양자점층, 상기 제2부화소에 대응하는 제2양자점층, 및 상기 제3부화소에 대응하는 투과층을 포함하는 기능층, 상기 제1박막 봉지층과 상기 기능층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소, 상기 제2부화소, 및 상기 제3부화소를 모두 커버하도록 배치되는 청색 컬러필터인 하부 컬러필터, 상기 제2박막 봉지층 상부에 배치되는 상부 컬러필터를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display Apparatus}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 핸드폰, PDA, 컴퓨터, 대형 TV와 같은 각종 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 다양한 종류의 표시 장치가 개발되고 있다. 예컨대, 시장에서 널리 사용되는 표시 장치는 백라이트 유닛을 구비하는 액정 표시 장치, 각 색영역마다 서로 다른 컬러의 빛을 방출하는 유기 발광 표시 장치가 있으며, 최근에는 양자점 색변환층(quantum dot color conversion layer; QD-CCL)을 구비한 표시 장치가 개발되고 있다. 양자점은 입사광에 의해 여기 되어 입사광의 파장보다 긴 파장을 가지는 광을 방출하는 것으로, 입사광은 주로 저파장대역의 광이 사용된다. 최근 표시 장치의 용도가 다양해지면서 표시 장치의 품질을 향상시키는 설계가 다양하게 제안되고 있다.
본 발명의 실시예들은 우수한 색 순도를 갖는 표시 장치를 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에서는, 서로 다른 색을 내는 제1부화소, 제2부화소, 및 제3부화소를 포함하는 표시 장치에 있어서, 기판; 기판 상부에 배치되며, 상기 제1부화소 내지 상기 제3부화소들 각각에 중첩하는 복수의 발광소자들; 상기 복수의 발광소자들 상부에 배치되는 제1박막 봉지층; 상기 제1박막 봉지층 상부에 배치되는 제2박막 봉지층; 상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소에 대응하는 제1양자점층, 상기 제2부화소에 대응하는 제2양자점층, 및 상기 제3부화소에 대응하는 투과층을 포함하는 기능층; 상기 제1박막 봉지층과 상기 기능층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소, 상기 제2부화소, 및 상기 제3부화소를 모두 커버하도록 배치되는 청색 컬러필터인 하부 컬러필터; 및 상기 제2박막 봉지층 상부에 배치되는 상부 컬러필터;를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 상부 컬러필터는, 상기 제1부화소에 대응하도록 배치되는 제1컬러필터; 상기 제2부화소에 대응하도록 배치되는 제2컬러필터; 및 상기 제3부화소에 대응하도록 배치되는 제3컬러필터;를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 각각은, 제1무기 봉지층; 상기 제1무기 봉지층 상의 제2무기 봉지층; 및 상기 제1무기 봉지층과 상기 제2무기 봉지층 사이에 배치되는 유기 봉지층;을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들 각각은, 부화소전극; 상기 부화소전극 상의 대향전극; 및 상기 부화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들은 모두 청색 광을 낼 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1양자점층은 제1파장대역에 속하는 광을 제2파장대역에 속하는 광으로 변환시키고, 상기 제2양자점층은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제3파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1컬러필터, 상기 제2컬러필터, 및 상기 제3컬러필터에서 선택된 적어도 두 개는 서로 중첩하여 차광부를 정의할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1컬러필터는 적색 컬러필터이고, 상기 제2컬러필터는 녹색 컬러필터이며, 상기 제3컬러필터는 청색 컬러필터일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부 컬러필터를 커버하는 유기층을 더 포함하며, 상기 유기층의 하면은 요철 구조를 가지고, 상기 유기층의 상면은 평탄한 면일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1박막 봉지층에 포함된 유기 봉지층은 청색의 안료 또는 염료를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에서는, 서로 다른 색을 내는 제1부화소, 제2부화소, 및 제3부화소를 포함하는 표시 장치에 있어서, 기판; 기판 상부에 배치되며, 상기 제1부화소 내지 상기 제3부화소들 각각에 중첩하는 복수의 발광소자들; 상기 복수의 발광소자들 상부에 배치되는 제1박막 봉지층; 상기 제1박막 봉지층 상부에 배치되는 제2박막 봉지층; 상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소에 대응하는 제1개구, 상기 제2부화소에 대응하는 제2개구, 및 상기 제3부화소에 대응하는 제3개구가 격벽에 의해 정의된 뱅크층; 상기 제1개구를 채우는 제1양자점층, 상기 제2개구를 채우는 제2양자점층, 및 상기 제3개구를 채우는 투과층을 포함하는 기능층; 및 상기 뱅크층 상부에 배치되는 상부 컬러필터;를 포함하며, 상기 제1박막 봉지층은 제1무기 봉지층, 상기 제1무기 봉지층 상부의 제2무기 봉지층, 및 상기 제1무기 봉지층과 상기 제2무기 봉지층 사이에 배치되는 유기 봉지층을 포함하고, 상기 제1박막 봉지층의 유지 봉지층은 청색의 안료 또는 염료를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 상부 컬러필터는, 상기 제1부화소에 대응하도록 배치되는 제1컬러필터; 상기 제2부화소에 대응하도록 배치되는 제2컬러필터; 및 상기 제3부화소에 대응하도록 배치되는 제3컬러필터;를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2박막 봉지층은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들 각각은, 부화소전극; 상기 부화소전극 상의 대향전극; 및 상기 부화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들은 모두 청색 광을 낼 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1양자점층은 제1파장대역에 속하는 광을 제2파장대역에 속하는 광으로 변환시키고, 상기 제2양자점층은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제3파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1컬러필터, 상기 제2컬러필터, 및 상기 제3컬러필터에서 선택된 적어도 두 개는 서로 중첩하여 차광부를 정의하고, 상기 차광부는 상기 뱅크층의 격벽과 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1컬러필터는 적색 컬러필터이고, 상기 제2컬러필터는 녹색 컬러필터이며, 상기 제3컬러필터는 청색 컬러필터일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부 컬러필터를 커버하는 유기층을 더 포함하며, 상기 유기층의 하면은 요철 구조를 가지고, 상기 유기층의 상면은 평탄한 면일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1박막 봉지층과 상기 뱅크층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소, 상기 제2부화소, 및 상기 제3부화소를 모두 커버하도록 배치되는 청색 컬러필터인 하부 컬러필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1박막 봉지층과 제2박막 봉지층 사이에 배치된 기능층을 포함하며, 제1박막 봉지층과 기능층 사이에 배치되는 청색 컬러필터를 포함함으로써, 반사광에 의한 색 순도 저하 현상을 개선할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 기능층의 각 광학층들을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 구비된 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 이미지를 구현하는 표시영역(DA) 및 이미지를 구현하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 x-y평면 상에서 2차원적으로 배열된 복수의 부화소들의 어레이를 통해 이미지를 제공할 수 있다. 각 부화소는 서로 다른 색을 발광할 수 있으며, 예를 들어, 적색 부화소, 녹색 부화소, 청색 부화소 중 하나일 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 부화소들은 제1부화소(PX1), 제2부화소(PX2), 및 제3부화소(PX3)를 포함하며, 이하에서는 설명의 편의상 제1부화소(PX1)가 적색 부화소, 제2부화소(PX2)는 녹색 부화소, 제3부화소(PX3)는 청색 부화소인 경우로 설명한다.
제1부화소(PX1), 제2부화소(PX2), 제3부화소(PX3)는 각각 적색 광(Lr), 녹색 광(Lg) 및 청색 광(Lb)을 방출할 수 있는 영역으로, 표시 장치(1)는 부화소들에서 방출되는 광을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 화소회로들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 또는 메인전압라인이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드를 포함될 수 있다.
표시영역(DA)은 도 1에 도시된 바와 같이 사각형을 포함한 다각형의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)은 가로의 길이가 세로의 길이 보다 큰 직사각형의 형상을 갖거나, 가로의 길이가 세로의 길이 보다 작은 직사각형의 형상을 갖거나, 정사각형의 형상을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 표시영역(DA)은 원형, 타원, 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있다. 또한, 도 1의 표시 장치(1)는 편평한 형태의 평판 표시 장치를 도시하나, 표시 장치(1)는 플렉서블, 폴더블, 롤러블 표시 장치 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(1)는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 다른 실시예에서, 표시 장치(1)는 무기 발광 표시 장치이거나, 양자점 발광 표시 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치에 포함된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점(Quantum Dot)을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함하거나, 유기물, 무기물, 및 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상 표시 장치(1)가 유기 발광 표시 장치인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(100) 상의 회로층(PCL)을 포함할 수 있다. 회로층(PCL)은 제1 내지 제3부화소회로(PC1, PC2, PC3) 및 절연층들을 포함하며, 제1 내지 제3부화소회로(PC1, PC2, PC3)는 각각 박막트랜지스터 및/또는 커패시터를 포함할 수 있다. 표시요소층(DEL)은 표시요소로서 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3부화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각은 표시요소층(DEL)의 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 유기물을 포함하는 유기 발광다이오드일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 무기물을 포함하는 무기 발광다이오드일 수 있다. 무기발광다이오드는 무기물 반도체 기반의 재료들을 포함하는 PN 접합 다이오드를 포함할 수 있다. PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시켜 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있다. 전술한 무기발광다이오드는 수~수백 마이크로미터 또는 수~수백 나노미터의 폭을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 양자점을 포함하는 발광다이오드일 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 동일한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 청색 광(Lb)을 방출할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 서로 다른 색의 빛을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 빛(예컨대, 청색 광, Lb)은 표시요소층(DEL) 상의 제1박막 봉지층(TFE1)을 지나 기능층(FNL)을 통과할 수 있다.
기능층(FNL)은 표시요소층(DEL)에서 방출된 빛(예, 청색 광, Lb)의 색을 변환하거나 변환하지 않고 투과시키는 광학층들을 포함할 수 있다. 예컨대, 기능층(FNL)은 표시요소층(DEL)에서 방출된 빛(예, 청색 광, Lb)을 다른 색의 빛으로 변환하는 양자점층들, 및 표시요소층(DEL)에서 방출된 빛(예, 청색 광, Lb)을 색변환하지 않고 투과시키는 투과층을 포함할 수 있다. 기능층(FNL)은 제1부화소(PX1)와 대응하는 제1양자점층(510), 제2부화소(PX2)와 대응하는 제2양자점층(520), 및 제3부화소(PX3)에 대응하는 투과층(530)을 포함할 수 있다. 제1양자점층(510)은 청색의 광(Lb)을 적색의 광(Lr)으로 변환하고, 제2양자점층(520)은 청색의 광(Lb)을 녹색의 광(Lg)로 변환할 수 있다. 투과층(530)은 청색의 광(Lb)을 변환하지 않고 통과시킬 수 있다.
상부 컬러필터(CFL)는 기능층(FNL) 상에 배치될 수 있다. 기능층(FNL)과 상부 컬러필터(CFL) 사이에는 제2박막 봉지층(TFE2)이 배치될 수 있다. 상부 컬러필터(CFL)는 서로 다른 색의 제1 내지 제3컬러필터(810, 820, 830)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1컬러필터(810)는 적색의 컬러필터이고, 제2컬러필터(820)는 녹색의 컬러필터이며, 및 제3컬러필터(830)는 청색의 컬러필터일 수 있다.
기능층(FNL)에서 색변환된 빛 및 투과된 빛은 각각 제1 내지 제3컬러필터(810, 820, 830)를 통과하면서 색순도가 향상될 수 있다. 또한, 상부 컬러필터(CFL)는 외부의 광(예컨대, 표시 장치(1)의 외부에서 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛)이 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
상부 컬러필터(CFL) 상에는 오버코트층(900)이 배치될 수 있다. 오버코트층(900)은 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 오버코트층(900)은 아크릴 계열의 수지와 같은 투광성 유기물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1박막 봉지층(TFE1) 상에 기능층(FNL), 제2박막 봉지층(TFE2), 및 상부 컬러필터(CFL)가 순차적으로 형성된 후 오버코트층(900)이 상부 컬러필터(CFL) 상에 직접 도포 및 경화되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 오버코트층(900) 상에는 다른 광학적 필름, 예컨대 AR(anti-reflection) 필름 등이 배치될 수 있다. 또한, 일부 실시예에서, 오버코트층(900) 상에는 윈도우(미도시)가 더 배치될 수 있다.
전술한 구조를 갖는 표시 장치(1)는 텔레비전, 광고판, 영화관용 스크린, 모니터, 태블릿 PC, 노트북 등과 같이 동영상 또는 정지영상을 표시할 수 있는 전자 기기를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 기능층의 각 광학층들을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 제1양자점층(510)은 입사되는 청색 광(Lb)을 적색의 광(Lr)으로 변환할 수 있다. 제1양자점층(510)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1감광성 폴리머(BR1), 제1감광성 폴리머(BR1)에 분산된 제1양자점(QD1)들과 제1산란입자(SC1)들을 포함할 수 있다.
제1양자점(QD1)들은 청색 광(Lb)에 의해 여기되어 청색 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 적색의 광(Lr)을 등방성으로 방출할 수 있다. 제1감광성 폴리머(BR1)는 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있다. 제1산란입자(SC1)들은 제1양자점(QD1)들에 흡수되지 못한 적색 광(Lb)을 산란시켜 더 많은 제1양자점(QD1)들이 여기되도록 함으로써, 색변환 효율을 증가시킬 수 있다. 제1산란입자(SC1)들은 예를 들어, 티타늄산화물(TiO2)이나 금속 입자 등일 수 있다. 제1양자점(QD1)들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
제2양자점층(520)은 입사되는 청색 광(Lb)을 녹색의 광(Lg)으로 변환할 수 있다. 제2양자점층(520)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제2감광성 폴리머(BR2), 제2감광성 폴리머(BR2)에 분산된 제2양자점(QD2)들과 제2산란입자(SC2)들을 포함할 수 있다.
제2양자점(QD2)들은 청색 광(Lb)에 의해 여기되어 청색 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 녹색의 광(Lg)을 등방성으로 방출할 수 있다. 제2감광성 폴리머(BR2)는 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있다.
제2산란입자(SC2)들은 제2양자점(QD2)들에 흡수되지 못한 청색 광(Lb)을 산란시켜 더 많은 제2양자점(QD2)들이 여기되도록 함으로써, 색변환 효율을 증가시킬 수 있다. 제2산란입자(SC2)들은, 예를 들어, 티타늄산화물(TiO2)이나 금속 입자 등일 수 있다. 제2양자점(QD2)들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
일부 실시예로서, 제1양자점(QD1) 및 제2양자점(QD2)들과 동일한 물질일 수 있다. 이 경우, 제2양자점(QD2)들의 크기는 제1양자점(QD1)들의 크기 보다 클 수 있다.
투과층(530)은 투과층(530)으로 입사하는 청색 광(Lb)을 변환하지 않고 청색 광(Lb)을 투과할 수 있다. 투과층(530)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제3산란입자(SC3)들이 분산된 제3 감광성 폴리머(BR3)를 포함할 수 있다. 제3 감광성 폴리머(BR3)는, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있으며, 제1 및 제2감광성 폴리머(BR1, BR2)와 동일한 물질일 수 있다. 제3산란입자(SC3)들은 청색 광(Lb)을 산란시켜 방출할 수 있으며, 제1 및 제2산란입자(SC1, SC2)들과 동일한 물질일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 발광다이오드 및 발광다이오드에 전기적으로 연결된 부화소회로를 나타낸 등가회로도이다. 도 4에 도시된 부화소회로(PC)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 제1 내지 제3부화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각에 해당하고, 도 4의 발광다이오드(LED)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에 해당할 수 있다.
도 4를 참조하면, 발광다이오드, 예컨대 발광다이오드(LED)의 부화소전극(예, 애노드)은 부화소회로(PC)에 연결되고, 발광다이오드(LED)의 대향전극(예, 캐소드)은 공통전압(ELVSS)을 제공하는 공통전압선(VSL) 또는 보조배선(미도시)에 연결될 수 있다. 발광다이오드(LED)는 부화소회로(PC)로부터 공급되는 전류량에 상응하는 휘도로 발광할 수 있다.
부화소회로(PC)는 데이터신호에 대응하여 구동전압(ELVDD)으로부터 발광다이오드(LED)를 경유하여 공통전압(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 부화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 제3박막트랜지스터(T3) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 제3박막트랜지스터(T3) 각각은, 산화물 반도체로 구성된 반도체층을 포함하는 산화물 반도체 트랜지스터거나, 폴리 실리콘으로 구성된 반도체층을 포함하는 실리콘 반도체 트랜지스터일 수 있다. 박막트랜지스터의 타입에 따라 제1전극은 소스전극 및 드레인전극 중 하나일 수 있고, 제2전극은 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나일 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터일 수 있다. 제1박막트랜지스터(T1)의 제1전극은 구동전압(ELVDD)을 공급하는 구동전압선(VDL)에 연결되고, 제2전극은 발광다이오드(LED)의 부화소전극에 연결될 수 있다. 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극은 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1박막트랜지스터(T1)는 제1노드(N1)의 전압에 대응하여 구동전압(ELVDD)으로부터 발광다이오드(LED)를 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터일 수 있다. 제2박막트랜지스터(T2)의 제1전극은 데이터라인(DL)에 연결되고, 제2전극은 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스캔라인(SL)에 연결될 수 있다. 제2박막트랜지스터(T2)는 스캔라인(SL)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터라인(DL)과 제1노드(N1)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제3박막트랜지스터(T3)는 초기화 박막트랜지스터 및/또는 센싱 박막트랜지스터일 수 있다. 제3박막트랜지스터(T3)의 제1전극은 제2노드(N2)에 연결될 수 있고, 제2전극은 센싱라인(ISL)에 연결될 수 있다. 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제어라인(CL)에 연결될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 예컨대, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극은 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극에 연결되고, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2커패시터전극은 발광다이오드(LED)의 부화소전극에 연결될 수 있다.
도 4에서는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 제3박막트랜지스터(T3)를 NMOS 트랜지스터로 도시하였지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 제3박막트랜지스터(T3) 중 적어도 하나는 PMOS 트랜지스터로 형성될 수 있다.
도 4에는 3개의 박막트랜지스터들이 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 부화소회로(PC)는 4개 또는 그 이상의 박막트랜지스터들을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5를 참조하면, 표시 장치(1)는 서로 다른 색을 내는 제1부화소(PX1), 제2부화소(PX2), 및 제3부화소(PX3)을 포함하며, 예컨대 제1부화소(PX1)는 적색 광(Lr), 제2부화소(PX2)는 녹색 광(Lg), 제3부화소(PX3)는 청색 광(Lb)을 구현할 수 있다.
표시 장치(1)는 기판(100), 기판(100) 상의 회로층(PCL), 표시요소층(DEL), 하부 컬러필터(400), 기능층(FNL), 및 상부 컬러필터(CFL)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 표시요소층(DEL)은 회로층(PCL)의 부화소회로들과 전기적으로 연결된 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)를 포함할 수 있다. 회로층(PCL)은 제1 내지 제3부화소(PX1, PX2, PX3)에 각각 대응되는 복수의 부화소회로들을 포함하며, 부화소회로는 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 복수의 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 예컨대, 박막트랜지스터(TFT)는 구동 박막트랜지스터(T1, 도 4)일 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지로 구비될 수 있다. 이때, 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기판(100)은 전술한 물질의 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예로, 기판(100)은 유기물/무기물/유기물의 구조를 가질 수 있다.
기판(100) 상에는 회로층(PCL)이 배치될 수 있다. 도 5는 회로층(PCL)이 박막트랜지스터(TFT), 스토리지 커패시터(Cst) 및 이들의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 제1버퍼층(111), 제2버퍼층(112), 게이트절연층(113), 층간절연층(115), 및 평탄화층(118)을 포함하는 것을 도시한다.
제1버퍼층(111) 및 제2버퍼층(112)은 기판(100)의 하부로부터의 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있다. 제1버퍼층(111) 및 제2버퍼층(112)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제1버퍼층(111) 상에는 박막트랜지스터(TFT)에 대응되도록 바이어스 전극(BSM)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 바이어스 전극(BSM)에는 전압이 인가될 수 있다. 또한, 바이어스 전극(BSM)은 외부 광이 반도체층(Act)에 도달하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 박막트랜지스터(TFT)의 특성이 안정화 될 수 있다. 일부 실시예에서, 바이어스 전극(BSM)은 생략될 수 있다.
제2버퍼층(112) 상에는 반도체층(Act)이 배치될 수 있다. 반도체층(Act)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 Zn 산화물계 물질로, Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 ZnO에 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn)과 같은 금속이 함유된 IGZO(In-Ga-Zn-O), ITZO(In-Sn-Zn-O), 또는 IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O) 반도체일 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역과 상기 채널영역의 양측에 각각 배치된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 반도체층(Act)의 채널영역과 중첩할 수 있다.
게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등의 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 재료를 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(113)이 배치될 수 있다. 게이트절연층(113)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 또는 아연산화물 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)과 동일한 층에 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극(CE1)이 배치될 수 있다. 제1전극(CE1)은 게이트전극(GE)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 도 5에서는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)과 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극(CE1)이 따로 배치되도록 도시하나, 다른 실시예에서 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이러한 경우, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극(CE1)으로의 기능을 수행할 수 있다.
층간절연층(115)은 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 층간절연층(115)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 또는 아연산화물 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
층간절연층(115) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE) 등이 배치될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 컨택홀을 통해서 반도체층(Act)의 소스영역 또는 드레인영역에 접속될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2)은 층간절연층(115)을 사이에 두고 제1전극(CE1)과 중첩하며, 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 이 경우, 층간절연층(115)은 스토리지 커패시터(Cst)의 유전체층의 기능을 할 수 있다.
평탄화층(118)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 덮도록 배치될 수 있다. 평탄화층(118)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 평탄화층(118)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
전술한 구조의 회로층(PCL) 상에는 표시요소층(DEL)이 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 표시요소로서 유기 발광다이오드인 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)을 포함할 수 있다. 제1발광다이오드(LED1), 제2발광다이오드(LED2), 및 제3발광다이오드(LED3)는 각각 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1발광다이오드(LED1), 제2발광다이오드(LED2), 및 제3발광다이오드(LED3)는 발광층(220) 및 대향전극(230)을 공통적으로 포함할 수 있다.
제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)은 ITO/Ag/ITO로 구비될 수 있다.
평탄화층(118) 상에는 제1뱅크층(215)이 배치될 수 있다. 제1뱅크층(215)은 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)의 중앙 부분을 각각 노출시키는 개구(215OP)를 구비할 수 있다. 제1뱅크층(215)은 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)의 가장자리를 각각 덮을 수 있다. 제1뱅크층(215)은 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)의 가장자리와 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B) 상부의 대향전극(230)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제1뱅크층(215)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질일 수 있다.
제1발광다이오드(LED1), 제2발광다이오드(LED2), 및 제3발광다이오드(LED3)의 발광층(220)은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 발광층(220)의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다. 발광층(220)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있다 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예에서, 발광층(220)은 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B) 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다. 어떤 경우이든, 발광층(220)은 제1색 발광층일 수 있다. 제1색 발광층은 제1파장대역의 광을 방출할 수 있는데, 예컨대 청색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 발광층(220)은 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광을 방출할 수 있다.
대향전극(230)은 발광층(220) 상에 배치되며, 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)에 대응하도록 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)은 각각 제1내지 제3부화소(PX1, PX2, PX3)에 대응될 수 있다. 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)은 각각 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에서 발생한 빛이 외부로 출사되는 영역일 수 있다. 제1발광영역(EA1)은 제1부화소전극(210R) 중 제1뱅크층(215)의 개구(215OP)에 의해 노출된 부분으로 정의할 수 있다. 제2발광영역(EA2)은 제2부화소전극(210G) 중 제1뱅크층(215)의 개구(215OP)에 의해 노출된 부분으로 정의할 수 있다. 제3발광영역(EA3)은 제3부화소전극(210B) 중 제1뱅크층(215)의 개구(215OP)에 의해 노출된 부분으로 정의할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1발광영역(EA1), 제2발광영역(EA2), 및 제3발광영역(EA3) 각각은 제1뱅크층(215)의 개구(215OP)들 각각에 의해 정의될 수 있다.
제1발광영역(EA1), 제2발광영역(EA2), 및 제3발광영역(EA3)은 서로 이격될 수 있다. 표시영역(DA) 중 제1발광영역(EA1), 제2발광영역(EA2), 및 제3발광영역(EA3)이 아닌 영역은 비발광영역일 수 있다. 제1발광영역(EA1), 및 제2발광영역(EA2), 및 제3발광영역(EA3)은 상기 비발광영역에 의해 구분될 수 있다.
제1뱅크층(215) 상에는 마스크 찍힘 방지를 위한 스페이서(미도시)가 더 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서는 제1뱅크층(215)과 일체로 형성될 수 있다. 예컨대, 스페이서와 제1뱅크층(215)은 하프톤 마스크 공정을 이용하여 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
제1박막 봉지층(TFE1)은 표시요소층(DEL)을 커버하도록 배치될 수 있다. 제1발광다이오드(LED1), 제2발광다이오드(LED2), 및 제3발광다이오드(LED3)는 외부에서 유입된 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 손상될 수 있으므로, 제1박막 봉지층(TFE1)으로 덮어 보호할 수 있다. 제1박막 봉지층(TFE1)은 표시영역(DA)을 덮으며 표시영역(DA)의 외측까지 연장될 수 있다. 제1박막 봉지층(TFE1)은 적어도 하나의 유기 봉지층 및 적어도 하나의 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1박막 봉지층(TFE1)은 순차적으로 적층된 제1무기 봉지층(310), 제1유기 봉지층(320) 및 제2무기 봉지층(330)을 포함할 수 있다.
제1무기 봉지층(310) 및 제2무기 봉지층(330)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1유기 봉지층(320)은 폴리머(polymer) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1유기 봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다. 제1유기 봉지층(320)은 모노머를 경화하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
제1박막 봉지층(TFE1)은 전술한 다층 구조를 포함하여, 제1박막 봉지층(TFE1) 내에 크랙이 발생하더라도, 제1무기 봉지층(310)과 제1유기 봉지층(320) 사이 또는 제1유기 봉지층(320)과 제2무기 봉지층(330) 사이에서 크랙이 전파되지 않도록 할 수 있다. 외부의 수분이나 산소 등이 표시영역(DA)으로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
일부 실시예에서, 제1무기 봉지층(310)과 대향전극(230) 사이에 캡핑층 등의 다른 층들이 더 개재될 수도 있다.
제1박막 봉지층(TFE1) 상부에 하부 컬러필터(400)가 배치될 수 있다. 하부 컬러필터(400)는 제1부화소(PX1), 제2부화소(PX2), 및 제3부화소(PX3)를 모두 커버하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 하부 컬러필터(400)는 제1부화소전극(210R), 제2부화소전극(210G), 및 제3부화소전극(210B)에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 하부 컬러필터(400)는 표시영역(DA)의 외측까지 연장되어 비표시영역(NDA)의 적어도 일부를 커버하도록 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 하부 컬러필터(400)는 표시영역(DA)을 커버하도록 기판(100) 상에 일체로 형성될 수 있다.
하부 컬러필터(400)는 후술하는 상부 컬러필터(CFL)와 함께 표시 장치(1)의 외광 반사를 줄일 수 있다. 예를 들어, 외광이 하부 컬러필터(400)에 도달하면 사전 설정된 파장의 광만 하부 컬러필터(400)를 통과할 수 있으며, 그 외의 파장은 하부 컬러필터(400)에 흡수될 수 있다. 하부 컬러필터(400)는 복수의 발광다이오드들 예컨대, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에서 발광되는 광만을 통과시키는 것일 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)은 청색 광을 방출할 수 있고, 하부 컬러필터(400)는 청색 컬러필터일 수 있다. 하부 컬러필터(400)는 450 nm 내지 495 nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키는 층일 수 있다.
한편, 표시 장치(1)를 향해 입사하는 외부 광이 제1 및/또는 제2양자점층(510, 520)에 도달하는 경우, 도달한 광의 일부는 양자점들을 여기시킬 수 있고, 다른 파장 대역의 광으로 변환되어 반사될 수 있다. 이와 같이 양자점층에 도달한 외광에 의한 발광 반사가 증가하는 경우, 원하지 않는 색이 발현되어 표시 장치(1)의 휘도 등에 영향을 줄 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 따르면, 하부 컬러필터(400)는 표시 장치(1)를 향해 입사한 외광 중에서 상부 컬러필터(CFL)를 통과한 광의 일부 또는 그 하부의 대향전극(230) 및/또는 제1 내지 제3부화소전극(210R, 210G, 210B)에서 반사된 광의 일부를 다시 흡수하여, 외부로 출사하는 반사광의 비율을 감소시킬 수 있다. 또한, 하부 컬러필터(400)는 상기 반사된 광의 일부가 기능층(FNL), 예컨대 제1 및 제2양자점층(510, 520)에 도달하는 것을 최소화할 수 있다.
예컨대, 제1부화소(PX1)에 해당하는 위치로 표시 장치(1)에 입사하여 제1컬러필터(810)를 통과한 광(예컨대, 적색 광)의 일부는 제1부화소전극(210R) 및/또는 대향전극(230)에 의해 반사되기 전 또는 후에 청색 컬러필터인 하부 컬러필터(400)에 의해 흡수될 수 있다.
또한, 제2부화소(PX2)에 해당하는 위치로 표시 장치(1)에 입사하여 제2컬러필터(820)를 통과한 광(예컨대, 녹색 광)의 일부는 제2부화소전극(210G) 및/또는 대향전극(230)에 의해 반사되기 전 또는 후에 청색 컬러필터인 하부 컬러필터(400)에 의해 흡수될 수 있다.
한편, 제3부화소(PX3)에 해당하는 위치로 표시 장치(1)에 입사하여 제3컬러필터(830)를 통과한 광(예컨대, 청색 광)의 경우, 청색 컬러필터인 하부 컬러필터(400)를 통과할 수 있으나, 이때 하부 컬러필터(400)는 주변의 제1 및 제2부화소(PX1, PX2)를 통해 입사하는 다른 색의 광이 하부 금속층에서 반사되어 제3부화소(PX3) 위치에서 방출되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제1캡핑층(CL1)은 하부 컬러필터(400)와 제2뱅크층(600) 및 기능층(FNL) 사이에 배치될 수 있다. 제1캡핑층(CL1)은 하부 컬러필터(400)를 보호할 수 있다. 제1캡핑층(CL1)은 외부로부터 수분 및/또는 공기 등의 불순물이 침투하여 하부 컬러필터(400)를 손상시키거나 오염시키는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다. 제1캡핑층(CL1)은 무기물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1캡핑층(CL1)은 생략 될 수도 있다.
제2뱅크층(600)은 제1캡핑층(CL1) 상에 배치될 수 있다. 제2뱅크층(600)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2뱅크층(600)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물로 형성될 수 있다. 경우에 따라, 제2뱅크층(600)이 차광층의 기능을 하도록 차광물질을 포함할 수 있다. 차광 물질은 예컨대, 흑색 안료, 흑색 염료, 흑색의 입자 또는 금속 입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2뱅크층(600)에는 개구(COP)들이 격벽에 의해 정의될 수 있다. 제2뱅크층(600)의 제1개구(COP1)는 제1뱅크층(215)의 제1부화소전극(210R)을 노출시키는 개구(215OP)에 대응하고, 제2뱅크층(600)의 제2개구(COP2)는 제1뱅크층(215)의 제2부화소전극(210G)을 노출시키는 개구(215OP)에 대응하고, 제2뱅크층(600)의 제3개구(COP3)는 제1뱅크층(215)의 제3부화소전극(210B)을 노출시키는 개구(215OP)에 대응할 수 있다. 즉, 기판(100)에 수직인 방향(z축 방향)에서 볼 때, 제2뱅크층(600)의 제1개구(COP1)는 제1뱅크층(215)의 제1부화소전극(210R)을 노출시키는 개구(215OP)에 중첩하고, 제2뱅크층(600)의 제2개구(COP2)는 제1뱅크층(215)의 제2부화소전극(210G)을 노출시키는 개구(215OP)에 중첩하고, 제2뱅크층(600)의 제3개구(COP3)는 제1뱅크층(215)의 제2부화소전극(210G)을 노출시키는 개구(215OP)에 중첩할 수 있다. 제2뱅크층(600)의 제1개구(COP1), 제2개구(COP2), 및 제3개구(COP3) 사이에는 격벽이 배치될 수 있다.
기능층(FNL)은 제2뱅크층(600)의 개구(COP)들을 채울 수 있다. 일 실시예에서, 기능층(FNL)은 양자점(Quantum Dot) 및 산란입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기능층(FNL)은 제1양자점층(510), 제2양자점층(520), 및 투과층(530)을 포함할 수 있다.
제1양자점층(510)은 제2뱅크층(600)의 제1개구(COP1)를 채울 수 있다. 제1양자점층(510)은 제1발광영역(EA1)과 중첩할 수 있다. 제1부화소(PX1)는 제1발광다이오드(LED1) 및 제1양자점층(510)을 포함할 수 있다.
제1양자점층(510)은 제1부화소전극(210R) 상의 발광층(220)에서 생성된 제1파장대역의 광을 제2파장대역의 광으로 변환할 수 있다. 제1양자점층(510)은 청색의 광을 적색의 광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 제1부화소전극(210R) 상의 발광층(220)에서 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광이 생성되면, 제1양자점층(510)은 이 광을 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 따라서, 제1부화소(PX1)에서는 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광이 외부로 방출될 수 있다.
제1양자점층(510)은 제1감광성 폴리머(BR1), 제1감광성 폴리머(BR1)에 분산된 제1양자점(QD1)들과 제1산란입자(SC1)들을 포함할 수 있다.
제2양자점층(520)은 제2뱅크층(600)의 제2개구(COP2)를 채울 수 있다. 제2양자점층(520)은 제2발광영역(EA2)과 중첩할 수 있다. 제2부화소(PX2)는 제2발광다이오드(LED2) 및 제2양자점층(520)을 포함할 수 있다.
제2양자점층(520)은 제2부화소전극(210G) 상의 발광층(220)에서 생성된 제1파장대역의 광을 제3파장대역의 광으로 변환할 수 있다. 제2양자점층(520)은 청색의 광을 녹색의 광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 제2부화소전극(210G) 상의 발광층(220)에서 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광이 생성되면, 제2양자점층(520)은 이 광을 495nm 내지 570nm에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 따라서, 제2부화소(PX2)에서는 495nm 내지 570nm에 속하는 파장의 광이 외부로 방출될 수 있다.
제2양자점층(520)은 제2감광성 폴리머(BR2), 제2감광성 폴리머(BR2)에 분산된 제2양자점(QD2)들과 제2산란입자(SC2)들을 포함할 수 있다.
투과층(530)은 제2뱅크층(600)의 제3개구(COP3)를 채울 수 있다. 투과층(530)은 제3발광영역(EA3)과 중첩할 수 있다. 제3부화소(PX3)는 제3발광다이오드(LED3) 및 투과층(530)을 포함할 수 있다.
투과층(530)은 제3부화소전극(210B) 상의 발광층(220)에서 생성된 광을 파장 변환없이 외부로 방출할 수 있다. 투과층(530)은 청색의 광을 변환하지 않고 통과시킬 수 있다. 예를 들어, 제3부화소전극(210B) 상의 발광층(220)에서 450 nm 내지 495 nm에 속하는 파장의 광이 생성되면, 투과층(530)은 파장 변환 없이 광을 외부로 방출할 수 있다.
투과층(530)은 제3산란입자(SC3)들이 분산된 제3감광성 폴리머(BR3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 투과층(530)은 양자점을 포함하지 않을 수 있다.
제1양자점(1152) 및 제2양자점(1162) 중 적어도 하나는 카드뮴설파이드(CdS), 카드늄텔레라이드(CdTe), 징크설파이드(ZnS) 또는 인듐포스파이드(InP) 등의 반도체 물질을 포함할 수 있다. 양자점은 그 크기가 수 나노미터일 수 있으며, 양자점의 사이즈에 따라 변환 후의 광의 파장이 달라질 수 있다.
일 실시예에서, 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3)는 광을 산란시켜 보다 많은 광이 출광될 수 있도록 할 수 있다. 제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3)는 출광 효율을 증가시킬 수 있다. 제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3) 중 적어도 하나는 광을 고르게 산란시키기 위한 금속 또는 금속 산화물 중 어떠한 재질도 가능하다. 예를 들어, 제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3) 중 적어도 하나는 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3, 및 ITO 중 적어도 하나일 수 있다. 또한, 제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3) 중 적어도 하나는 1.5 이상의 굴절률을 가질 수 있다. 따라서, 기능층(FNL)의 출광 효율은 향상될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1산란입자(SC1), 제2산란입자(SC2), 및 제3산란입자(SC3) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
제1감광성 폴리머(BR1), 제2감광성 폴리머(BR2), 및 제3감광성 폴리머(BR3)는 투광성 유기 물질일 수 있다. 예를 들어, 제1감광성 폴리머(BR1), 제2감광성 폴리머(BR2), 및 제3감광성 폴리머(BR3) 중 적어도 하나는 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
제2뱅크층(600) 및 기능층(FNL) 상에는 제2박막 봉지층(TFE2)이 배치될 수 있다. 제2박막 봉지층(TFE2)은 외부로부터 수분 및/또는 공기 등의 불순물이 침투하여 기능층(FNL)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지 또는 최소화할 수 있으며, 외력에 의해 크랙이 발생하고 전파되는 것을 방지할 수 있다. 제2박막 봉지층(TFE2)은 상부 기판을 포함하지 않고 단일한 기판(100) 상에 구성요소들이 적층된 구조를 갖는 표시 장치(1)에서 기능층(FNL)의 보호를 강화하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제2박막 봉지층(TFE2)은 표시영역(DA)을 덮으며 표시영역(DA)의 외측까지 연장될 수 있다. 제2박막 봉지층(TFE2)은 적어도 하나의 유기 봉지층 및 적어도 하나의 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2박막 봉지층(TFE2)은 순차로 적층된 제3무기 봉지층(710), 제2유기 봉지층(720), 및 제4무기 봉지층(730)을 포함할 수 있다.
제3무기 봉지층(710), 제4무기 봉지층(730)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제2유기 봉지층(720)은 폴리머(polymer) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2유기 봉지층(720)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다. 제2유기 봉지층(720)은 모노머를 경화하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
제2박막 봉지층(TFE2) 상부에는 상부 컬러필터(CFL)가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 컬러필터(CFL)는 제2박막 봉지층(TFE2)의 상면(z축 방향)에 직접 형성될 수 있으며, 제1컬러필터(810), 제2컬러필터(820), 및 제3컬러필터(830)를 포함할 수 있다. 제1컬러필터(810)는 제1부화소(PX1)에 대응하여 제1양자점층(510)의 상부에 배치되고, 제2컬러필터(820)는 제2부화소(PX2)에 대응하여 제2양자점층(520)의 상부에 배치되고, 제3컬러필터(830)는 제3부화소(PX3)에 대응하여 투과층(530)의 상부에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3컬러필터(810, 820, 830)는 감광성 수지를 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3컬러필터(810, 820, 830)는 각각 고유의 색을 나타내는 안료 또는 염료를 포함할 수 있다.
제1컬러필터(810)는 적색 컬러필터일 수 있다. 예컨대, 제1컬러필터(810)는 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킬 수 있다. 제1컬러필터(810)는 적색의 안료 또는 염료를 포함할 수 있다. 제2컬러필터(820)는 녹색 컬러필터일 수 있다. 예컨대, 제2컬러필터(820)는 495nm 내지 570nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킬 수 있다. 제2컬러필터(820)은 녹색의 안료 또는 염료를 포함할 수 있다. 제3컬러필터(830)는 청색 컬러필터일 수 있다. 예컨대, 제3컬러필터(830)는 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킬 수 있다. 제3컬러필터(830)는 청색의 안료 또는 염료를 포함할 수 있다.
상부 컬러필터(CFL)는 표시 장치(1)의 외광 반사를 줄일 수 있다. 예를 들어, 외광이 제1컬러필터(810)에 도달하면 전술한 바와 같이 사전설정된 파장의 광만 제1컬러필터(810)를 통과할 수 있으며, 그 외의 파장의 광은 제1컬러필터(810)에 흡수될 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)에 입사한 외광 중 사전설정된 파장의 광만 제1컬러필터(810)를 통과하고 또 그 일부가 그 하부의 대향전극(230) 및/또는 제1부화소전극(210R)에서 반사되어, 다시 외부로 방출될 수 있다. 제1컬러필터(810)는 제1부화소(PX1)가 위치하는 곳에 입사하는 외광 중 일부만 외부로 반사되도록 하여, 외광 반사를 줄이는 역할을 할 수 있다. 이러한 설명은 제2컬러필터(820) 및 제3컬러필터(830)에도 적용될 수 있다.
제1컬러필터(810), 제2컬러필터(820), 및 제3컬러필터(830) 중에서 선택된 적어도 두 개는 비발광영역에서 서로 중첩할 수 있다. 이와 관련하여 도 5는 제1컬러필터(810), 제2컬러필터(820), 및 제3컬러필터(830) 각각의 일 부분이 비발광영역에서 서로 중첩하는 것을 도시한다. 제1컬러필터(810), 제2컬러필터(820), 및 제3컬러필터(830) 각각의 적어도 일부분은 서로 중첩하여 차광부(BP)를 정의할 수 있다. 따라서, 상부 컬러필터(CFL)는 블랙매트릭스와 같은 별도의 차광 부재가 없더라도 혼색을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
다르게 말하면, 제1컬러필터(810)와 제2컬러필터(820)가 중첩된 부분, 제2컬러필터(820)와 제3컬러필터(830)가 중첩된 부분, 및 제1컬러필터(810)와 제3컬러필터(830)가 중첩된 부분은, 블랙매트릭스 역할을 할 수 있다. 예컨대 제1컬러필터(810)는 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키고 제3컬러필터(830)는 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킨다면, 제1컬러필터(810)와 제3컬러필터(830)가 중첩된 부분에서는 제1컬러필터(810)와 제3컬러필터(830)를 모두 통과할 수 있는 광이 이론상으로 존재하지 않기 때문이다.
상기 차광부(BP)는 제2뱅크층(600)의 개구들 사이에 배치되는 격벽, 예컨대 제1개구(COP1)와 제2개구(COP2) 사이에 배치된 격벽, 제2개구(COP2)와 제3개구(COP3) 사이에 배치된 격벽, 또는 제1개구(COP1)와 제3개구(COP3) 사이에 배치된 격벽과 중첩할 수 있다.
상부 컬러필터(CFL)를 덮도록 오버코트층(900)이 배치될 수 있다. 오버코트층(900)은 유기물을 포함하는 유기층일 수 있다. 예컨대, 오버코트층(900)은 아크릴 계열의 수지와 같은 무색의 투광성 유기물을 포함할 수 있다. 오버코트층(900)은 상부 컬러필터(CFL)를 보호할 수 있고, 상부 컬러필터(CFL)의 상면을 평탄화할 수 있다. 오버코트층(900)의 하면은 상부 컬러필터(CFL)의 제1 내지 제3컬러필터(810, 820, 830)의 적층 구조로 인하여 요철 구조를 가질 수 있다. 오버코트층(900)의 상면은 평탄한 면일 수 있다. 일부 실시예에서, 오버코트층(900)의 상부 및/또는 오버코트층(900)과 상부 컬러필터(CFL) 사이에는 캡핑층 등의 다른 층이 더 배치될 수 있다. 캡핑층은 무기 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 오버코트층(900)는 윈도우(미도시)로 커버될 수 있다.
본 발명의 비교예에서, 표시 장치가 청색 컬러필터인 하부 컬러필터를 포함하지 않는 경우, 복수의 발광다이오드들을 덮는 제1박막 봉지층의 상면에 곧바로 또는 상면에 인접하여 양자점층을 포함하는 기능층이 배치될 수 있으므로, 표시 장치로 입사되어 발광다이오드들의 대향전극 및/또는 부화소전극에서 반사된 광이 양자점층에 도달할 가능성이 증가하며, 양자점층의 발광 반사가 야기될 확률이 증가할 수 있다. 따라서, 의도하지 않은 색이 발현될 수 있고, 표시 장치(1)의 색 순도 및 휘도가 저하될 수 있다.
다만, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(1)는 상부 컬러필터(CFL) 및 하부 컬러필터(400)를 동시에 포함함으로써, 1차적으로 상부 컬러필터(CFL)를 이용하여, 외부에서 입사하여 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)의 제1 내지 제3부화소전극(210R, 210G, 210B) 및/또는 대향전극(230)을 향하여 이동하는 광의 일부를 흡수할 수 있고, 2차적으로는 하부 컬러필터(400)를 이용하여 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)의 제1 내지 제3부화소전극(210R, 210G, 210B) 및/또는 대향전극(230)에서 반사되어 제1 및 제2양자점층(510, 520)을 향하는 광의 일부를 차단할 수 있다. 제1 내지 제3부화소전극(210R, 210G, 210B) 및/또는 대향전극(230)에서 반사되어 외부로 출사되는 광의 비율도 감소할 수 있다. 따라서, 외광 또는 내부 반사광에 의한 양자점층의 발광 반사가 감소하여, 의도하지 않은 색이 발현되는 것을 방지할 수 있으므로, 표시 장치(1)의 색 순도 및 휘도가 더욱 개선될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(1)는 도 5를 참조하여 설명한 하부 컬러필터(400, 도 5)를 포함하지 않고, 이를 대신하여 제1박막 봉지층(TFE1)의 제1유기 봉지층(320')이 청색 안료 또는 청색 염료를 포함할 수 있다.
표시 장치(1)는 제1유기 봉지층(320')이 청색 안료 또는 청색 염료를 포함함으로써, 도 5를 참조하여 설명한 하부 컬러필터(400)에 상응하는 역할을 할 수 있다. 제1유기 봉지층(320')은 사전 설정된 파장의 광만 통과시키며 그 외의 파장은 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 제1유기 봉지층(320')은 청색 광만을 통과시킬 수 있으며, 예컨대 450 nm 내지 495 nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킬 수 있다.
이에 따라, 제1유기 봉지층(320')은 표시 장치(1)를 향해 입사한 외광 중에서 상부 컬러필터(CFL)를 통과한 광의 일부 또는 그 하부의 대향전극(230) 및/또는 제1 내지 제3부화소전극(210R, 210G, 210B)에서 반사된 광의 일부를 흡수할 수 있다. 제1유기 봉지층(320')은 상기 반사된 광의 일부가 기능층(FNL), 예컨대 제1 및 제2양자점층(510, 520)에 도달하는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 외광 또는 내부 반사광에 의한 제1 및 제2양자점층(510, 520)의 발광 반사가 감소할 수 있고, 의도하지 않은 색이 발현되는 것을 방지할 수 있다. 표시 장치(1)의 색 순도 및 휘도가 개선될 수 있다.
또한, 제1유기 봉지층(320')이 청색 안료 또는 청색 염료를 포함하도록 하는 경우, 컬러필터를 형성하는 별도의 공정을 추가하지 않고도 컬러필터에 상응하는 효과를 가질 수 있으므로, 공정상 경제적인 이점이 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시 장치(1)는 도 5를 참조하여 설명한 하부 컬러필터(400)를 포함하는 동시에, 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이 제1박막 봉지층(TFE1)의 제1유기 봉지층(320')이 청색 안료 또는 청색 염료를 포함할 수 있다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 상부 컬러필터(CFL), 하부 컬러필터(400), 및 제1유기 봉지층(320')에서 각각 외광 및/또는 내부 반사광을 저감시킬 수 있으므로, 제1 및 제2양자점층(510, 520)에서의 발광 반사가 더욱 감소하고 표시 장치(1)의 색 순도가 더욱 개선될 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치
100: 기판
PX1, PX2, PX3: 제1, 제2, 및 제3부화소
LED1, LED2, LED3: 제1, 제2, 및 제3발광다이오드
TFE1, TFE2: 제1 및 제2박막봉지층
400: 하부 컬러필터
FNL: 기능층
510, 520: 제1 및 제2양자점층
530: 투과층
600: 제2뱅크층
COP1, COP2, COP3: 제1, 제2, 및 제3개구
CFL: 상부 컬러필터
810, 820, 830: 제1, 제2, 및 제3컬러필터

Claims (20)

  1. 서로 다른 색을 내는 제1부화소, 제2부화소, 및 제3부화소를 포함하는 표시 장치에 있어서,
    기판;
    기판 상부에 배치되며, 상기 제1부화소 내지 상기 제3부화소들 각각에 중첩하는 복수의 발광소자들;
    상기 복수의 발광소자들 상부에 배치되는 제1박막 봉지층;
    상기 제1박막 봉지층 상부에 배치되는 제2박막 봉지층;
    상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소에 대응하는 제1양자점층, 상기 제2부화소에 대응하는 제2양자점층, 및 상기 제3부화소에 대응하는 투과층을 포함하는 기능층;
    상기 제1박막 봉지층과 상기 기능층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소, 상기 제2부화소, 및 상기 제3부화소를 모두 커버하도록 배치되는 청색 컬러필터인 하부 컬러필터; 및
    상기 제2박막 봉지층 상부에 배치되는 상부 컬러필터;를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 컬러필터는,
    상기 제1부화소에 대응하도록 배치되는 제1컬러필터;
    상기 제2부화소에 대응하도록 배치되는 제2컬러필터; 및
    상기 제3부화소에 대응하도록 배치되는 제3컬러필터;를 포함하는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 각각은,
    제1무기 봉지층;
    상기 제1무기 봉지층 상의 제2무기 봉지층; 및
    상기 제1무기 봉지층과 상기 제2무기 봉지층 사이에 배치되는 유기 봉지층;을 포함하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들 각각은,
    부화소전극;
    상기 부화소전극 상의 대향전극; 및
    상기 부화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들은 모두 청색 광을 내는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1양자점층은 제1파장대역에 속하는 광을 제2파장대역에 속하는 광으로 변환시키고, 상기 제2양자점층은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제3파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시키는, 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1컬러필터, 상기 제2컬러필터, 및 상기 제3컬러필터에서 선택된 적어도 두 개는 서로 중첩하여 차광부를 정의하는, 표시 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1컬러필터는 적색 컬러필터이고,
    상기 제2컬러필터는 녹색 컬러필터이며,
    상기 제3컬러필터는 청색 컬러필터인, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 상부 컬러필터를 커버하는 유기층을 더 포함하며,
    상기 유기층의 하면은 요철 구조를 가지고,
    상기 유기층의 상면은 평탄한 면인, 표시 장치.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 제1박막 봉지층에 포함된 유기 봉지층은 청색의 안료 또는 염료를 포함하는, 표시 장치.
  11. 서로 다른 색을 내는 제1부화소, 제2부화소, 및 제3부화소를 포함하는 표시 장치에 있어서,
    기판;
    기판 상부에 배치되며, 상기 제1부화소 내지 상기 제3부화소들 각각에 중첩하는 복수의 발광소자들;
    상기 복수의 발광소자들 상부에 배치되는 제1박막 봉지층;
    상기 제1박막 봉지층 상부에 배치되는 제2박막 봉지층;
    상기 제1박막 봉지층 및 상기 제2박막 봉지층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소에 대응하는 제1개구, 상기 제2부화소에 대응하는 제2개구, 및 상기 제3부화소에 대응하는 제3개구가 격벽에 의해 정의된 뱅크층;
    상기 제1개구를 채우는 제1양자점층, 상기 제2개구를 채우는 제2양자점층, 및 상기 제3개구를 채우는 투과층을 포함하는 기능층; 및
    상기 뱅크층 상부에 배치되는 상부 컬러필터;를 포함하며,
    상기 제1박막 봉지층은 제1무기 봉지층, 상기 제1무기 봉지층 상부의 제2무기 봉지층, 및 상기 제1무기 봉지층과 상기 제2무기 봉지층 사이에 배치되는 유기 봉지층을 포함하고,
    상기 제1박막 봉지층의 유지 봉지층은 청색의 안료 또는 염료를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 상부 컬러필터는,
    상기 제1부화소에 대응하도록 배치되는 제1컬러필터;
    상기 제2부화소에 대응하도록 배치되는 제2컬러필터; 및
    상기 제3부화소에 대응하도록 배치되는 제3컬러필터;를 포함하는, 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2박막 봉지층은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들 각각은,
    부화소전극;
    상기 부화소전극 상의 대향전극; 및
    상기 부화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들은 모두 청색 광을 내는, 표시 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1양자점층은 제1파장대역에 속하는 광을 제2파장대역에 속하는 광으로 변환시키고, 상기 제2양자점층은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제3파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시키는, 표시 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 제1컬러필터, 상기 제2컬러필터, 및 상기 제3컬러필터에서 선택된 적어도 두 개는 서로 중첩하여 차광부를 정의하고,
    상기 차광부는 상기 뱅크층의 격벽과 중첩하는, 표시 장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 제1컬러필터는 적색 컬러필터이고,
    상기 제2컬러필터는 녹색 컬러필터이며,
    상기 제3컬러필터는 청색 컬러필터인, 표시 장치.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 상부 컬러필터를 커버하는 유기층을 더 포함하며,
    상기 유기층의 하면은 요철 구조를 가지고,
    상기 유기층의 상면은 평탄한 면인, 표시 장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 제1박막 봉지층과 상기 뱅크층 사이에 배치되며, 상기 제1부화소, 상기 제2부화소, 및 상기 제3부화소를 모두 커버하도록 배치되는 청색 컬러필터인 하부 컬러필터를 더 포함하는, 표시 장치.
KR1020220016424A 2022-02-08 2022-02-08 표시 장치 KR20230120222A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220016424A KR20230120222A (ko) 2022-02-08 2022-02-08 표시 장치
US17/943,650 US20230255079A1 (en) 2022-02-08 2022-09-13 Display apparatus
CN202310133227.2A CN116581139A (zh) 2022-02-08 2023-02-07 显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220016424A KR20230120222A (ko) 2022-02-08 2022-02-08 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230120222A true KR20230120222A (ko) 2023-08-17

Family

ID=87520701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220016424A KR20230120222A (ko) 2022-02-08 2022-02-08 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230255079A1 (ko)
KR (1) KR20230120222A (ko)
CN (1) CN116581139A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116581139A (zh) 2023-08-11
US20230255079A1 (en) 2023-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11770960B2 (en) Color filter unit and display apparatus including the same
KR20200110505A (ko) 디스플레이 장치
KR20210057273A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210012101A (ko) 컬러 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210086791A (ko) 디스플레이 장치
CN113675237A (zh) 显示装置
KR20210129309A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220060021A (ko) 디스플레이 장치
KR20210153191A (ko) 디스플레이 장치
KR20210133371A (ko) 디스플레이 장치
US20230255079A1 (en) Display apparatus
CN220422357U (zh) 显示装置
KR20210012100A (ko) 디스플레이 장치
CN220402273U (zh) 显示设备
US20230378401A1 (en) Display apparatus
CN219577770U (zh) 显示装置
US20230209950A1 (en) Display apparatus
US20240155906A1 (en) Display apparatus
US20230172024A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220262864A1 (en) Display apparatus
KR20230105717A (ko) 표시 장치
KR20240026407A (ko) 디스플레이 장치
KR20220075104A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR20230043300A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR20230085289A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법