KR20230108814A - 전원 공급 장치를 포함하는 반도체 테스트 장치 - Google Patents

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KR20230108814A
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조효익
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Abstract

발열량과 소모 전력을 감소시키기 위해 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치가 제공된다. 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 반도체 디바이스에 테스트 신호를 인가하고, 상기 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.

Description

전원 공급 장치를 포함하는 반도체 테스트 장치{SEMICONDUCTOR TEST APPARATUS INCLUDING DEVICE POWER SUPPLY}
본 개시는 발열량과 소모 전력을 감소시키기 위해 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 테스트 장치는 자동 테스트 장치(Automatic Test Equipment, ATE)로도 지칭되며, 반도체 디바이스에 전기적 테스트 신호를 인가하고 그에 대한 응답을 분석하여 반도체 디바이스의 양품 여부를 테스트하는 장치이다.
반도체 테스트 장치는 내부 하드웨어 구성 요소로써, 전원 공급 장치, 계측기, 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator, ALPG), 타이밍 생성기(Timing Generator, TG), 드라이버 및 비교기가 내장된 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics, PE) 및 이들을 제어하기 위한 중앙 처리 장치인 CPU 등을 포함한다.
그 중 전원 공급 장치는 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 장치이다. 종래의 전원 공급 장치(e.g., 도 4에 도시된 전원 공급 장치)는 반도체 디바이스의 테스트 시 발생되는 과다한 발열로 인하여, 반도체 테스트 장치의 안정성을 저하시키고, 방열을 위한 과다한 비용을 발생시켰다.
따라서, 전원 공급 장치의 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 기술이 요구된다.
대한민국 등록 특허 제10- 2293671호 (2019.06.07 공개)
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치의 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치의 안정성을 향상시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치의 방열을 위해 소모되는 비용을 감소시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 전원 공급 장치의 집적도를 높이기 위한 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 개시의 기술분야에서의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 반도체 디바이스에 테스트 신호를 인가하고, 상기 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 오프셋 전압은, 상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되, 상기 전원 공급 장치는, 상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급할 수 있다.
본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 구동 전압에 기초하여, 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치 및 상기 반도체 디바이스의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성하고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 디바이스에 인가하는 핀 일렉트로닉스를 포함하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 오프셋 전압은, 상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되, 상기 전원 공급 장치는, 상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급할 수 있다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치가 적용될 수 있는 예시적인 환경을 도시한다.
도 2 및 도 3은 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4는 도 1 내지 3을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈과 비교 설명하기 위한 도면으로써, 종래의 전원 공급 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 본 개시의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 개시의 기술적 사상은 이하의 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 이하의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 완전하도록 하고, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 개시의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 개시의 기술적 사상은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 개시를 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprises)" 및/또는 "포함하는 (comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 본 개시의 다양한 실시예들에 대하여 첨부된 도면에 따라 상세하게 설명한다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치(10)가 적용될 수 있는 예시적인 환경을 도시한다. 도 1에 도시된 반도체 테스트 장치(10)는 반도체 디바이스(20, Device Under Test)에 테스트 신호를 인가하고, 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 반도체 디바이스의 양품 여부를 테스트할 수 있다.
한편, 도 1은 본 개시의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 도시하고 있을 뿐이며, 필요에 따라 일부 구성 요소가 추가되거나 삭제될 수 있다. 예를 들어, 반도체 테스트 장치(10)는 도 1에 도시된 각 구성 요소들을 제어하기 위한 중앙 처리 장치인 CPU를 더 포함할 수 있다. 전술한 예시 외에도 다양한 구성 요소들이 도 1에 도시된 반도체 테스트 장치(10)에 더 포함될 수 있으며, 반도체 테스트 장치(10)가 속한 기술 분야의 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.
이하, 도 1의 반도체 테스트 장치(10)를 구성하는 구성 요소에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 반도체 테스트 장치(10)는 전원 공급 모듈(100), 타이밍 생성기(200, Timing Generator), 핀 일렉트로닉스(300, Pin Electronics), 테스트 분석 모듈(400), 및 ALPG(500, Algorithmic Pattern Generator)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 전원 공급 모듈(100)은, 구동 전압에 기초하여 반도체 디바이스(20)에 전원을 공급할 수 있다. 여기서, 구동 전압과 반도체 디바이스(20)에 공급되는 전압(i.e., 출력 전압)의 차이로 인하여, 전원 공급 모듈(100)은 전력을 소모하게 되며, 소모되는 전력으로 인하여 발열이 발생하게 된다. 이처럼 전원 공급 모듈(100)에서 발생되는 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 본 개시의 몇몇 실시예들에 대해서는 추후 구체적으로 설명하기로 하며, 중복된 설명을 배제하기 위해 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 타이밍 생성기(200)는 복수의 채널을 통해 입력되는 펄스 데이터를 기초로 타이밍 신호를 생성할 수 있다. 이렇게 생성된 타이밍 신호는 핀 일렉트로닉스(300)에 전달될 수 있다.
다음으로, 핀 일렉트로닉스(300)는 타이밍 신호를 이용하여 반도체 디바이스(20)의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성할 수 있다. 또한, 핀 일렉트로닉스(300)는 이렇게 생성된 테스트 신호를 반도체 디바이스(20)에 인가할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 핀 일렉트로닉스(300)는 타이밍 신호와 패턴 신호를 입력 받아, 타이밍 신호를 기초로 패턴 신호를 변조하여 테스트 신호를 생성하는 DCL(Driver Comparator Logic, 미도시)을 포함할 수 있다.
다음으로, 테스트 분석 모듈(400)은 테스트 신호의 인가에 따른 반도체 디바이스(20)의 전기적 상태 변화 또는 리스폰스를 테스트 결과(i.e., 도 1의 응답 신호)로서 수신할 수 있다. 또한, 테스트 분석 모듈(400)은 테스트 결과를 분석하여 반도체 디바이스(20)의 양품 여부를 판단할 수 있다. 이러한 상기 양품 여부 판단 결과에 따라, 페일(fail)로 판단된 반도체 디바이스(20)에 대해서는 리페어(repair) 작업이 수행될 수 있다.
다음으로, ALPG(500)는 메모리에 저장된 데이터를 이용하여 순차적으로 로직 데이터를 생성할 수 있다. 이러한 로직 데이터는 반도체 디바이스(20)에 인가될 어드레스, 데이터, 제어 신호 등을 포함할 수 있다. 구체적으로, 로직 데이터들은 "0", "1" 로 표현되는 펄스 데이터의 형태로 클럭 신호와 함께 타이밍 생성기(100)에 제공될 수 있다.
도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100), 타이밍 생성기(200), 핀 일렉트로닉스(300), 테스트 분석 모듈(400), ALPG(500)의 일반적인 구성 및 기능은 당해 기술 분야에 널리 알려져 있으므로, 본 개시의 논지를 흐리지 않기 위해 각 구성 및 기능에 대한 추가적인 설명을 생략하기로 한다.
지금까지 도 1을 참조하여 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치의 구성에 대해 설명하였다. 이하에서는, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 개시의 몇몇 실시예에서 참조될 수 있는 전원 공급 모듈(100)에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100)을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 2는 본 개시의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 도시하고 있을 뿐이며, 필요에 따라 일부 구성 요소가 추가되거나 삭제될 수 있음을 유의해야 한다.
도 2를 참조하면, 전원 공급 장치(110)는 구동 전압(VR)에 기초하여 반도체 디바이스(20)에 전원을 공급할 수 있다. 여기서, 구동 전압(VR)은 전원 공급 장치(110)의 구동을 위해 인가되는 전압을 의미할 수 있다.
이러한 전원 공급 장치(110)는 입력 전압(Vin)을 참조하여, 출력 전압(Vout) 출력하기 위한 다양한 소자로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 전원 공급 장치(110)는 노이즈 특성이 좋은 Linear IC(Integrated Circuit)으로 구현될 수 있다. 구체적인 예로써, Linear IC는 OPA548과 같은 다양한 OP-AMP로 구현될 수 있다.
다음으로, 가산 증폭기(120)는 전원 공급 장치(110)의 출력 전압(Vout)과 오프셋 전압(Voffset)을 가산하여, 기준 전압(VRef)을 출력할 수 있다. 여기서, 오프셋 전압(Voffset)은 전원 공급 장치(110)의 구동에 요구되는 최소 전압으로 설정될 수 있다. 추후 설명되겠지만, 전원 공급 장치(110)의 출력 전압(Vout)을 피드백으로 이용하여 전원 공급 장치(110)의 구동에 요구되는 최소 전압인 오프셋 전압(Voffset)과 가산하여 기준 전압(VRef)을 출력하고, 기준 전압(VRef)이 전원 공급 장치(110)의 구동 전압(VR)의 기준이 됨으로써, 전원 공급 장치(110)에서 발생되는 발열량과 소모 전력이 감소될 수 있다.
다음으로, 스위칭 레귤레이터(130, Switching Regulator)는 가산 증폭기(120)의 기준 전압(VRef)을 추종하도록 구동 전압(VR)을 출력할 수 있다. 여기서, 스위칭 레귤레이터(130)를 구동시키기 위한 별도의 전압(Vcc)이 연결될 수 있다.
이러한 스위칭 레귤레이터(130)는 요구되는 전압(e.g., 기준 전압(VRef))이 될 때까지 스위치 소자(e.g., MOSFET)을 활성화 또는 비활성화를 고속으로 반복할 수 있으며, 스위칭 레귤레이터(130)를 구현하기 위한 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.
도 3은 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100)을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)은 도 2에 도시된 전원 공급 모듈(100)과 달리, 로우 패스 필터(140)를 더 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 로우 패스 필터(140, Low Pass Filter)는 스위칭 레귤레이터(130)가 출력하는 구동 전압을 필터링할 수 있으며, 구체적으로 고주파 대역을 필터링할 수 있다. 이렇게 로우 패스 필터(140)에 의해 필터링된 구동 전압이 전원 공급 장치(110)에 인가됨으로써, 전원 공급 장치(110)가 구동될 수 있다. 여기서, 로우 패스 필터(140)를 구현하기 위한 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.
도 3을 참조하여 설명된 실시예에 따르면, 스위칭 레귤레이터(130)에서 발생될 수 있는 고주파 대역의 노이즈가 필터링될 수 있으며, 반도체 테스트 장치(10)의 안정성이 향상될 수 있다.
이하, 도 4와 도 2 내지 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)의 비교를 통해, 발생되는 소모 전력을 보다 구체적으로 비교하기로 한다.
도 4는 도 1 내지 3을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈과 비교 설명하기 위한 도면으로써, 종래의 전원 공급 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4를 참조하면, Vcc가 전원 공급 장치(110)에 직접 연결되어 있으며, 이때, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력(W)은 아래와 같은 수학식에 의해 산출될 수 있다.
수학식 1을 참조하여 도 4와 관련된 구체적인 예를 들어 설명하면, Vcc가 9[V]이고, Vout이 0.1[V]이고, Iout이 1.2[A]이고, Iambient가 0.02[A]이면, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력은 10.86[W]이다. 만약, 전원 공급 장치(110)가 96개 집적되어 있는 환경이면, 소모 전력은 1042.56[W]이고, 이러한 소모 전력은 열의 형태로 외부로 방출될 수 있다.
반면에 도 3의 전원 공급 장치(110) 및 스위칭 레귤레이터(130)에서 소모되는 소모 전력(W)은 아래와 같은 수학식에 의해 산출될 수 있다.
여기서, W1은 스위칭 레귤레이터(130)가 소모하는 소모 전력(W1)이고, W2는 전원 공급 장치(110)가 소모하는 소모 전력(W2)을 의미할 수 있다. 이때, 스위칭 레귤레이터(130)의 소모 전력인 W1은, 구동 전압(VR)의 최대치와 스위칭 효율에 따라 결정되는 eff로 산출될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 효율이 90%인 스위칭 레귤레이터(130)의 eff는 0.1로 결정될 수 있다.
수학식 2를 참조하여 도 3과 관련된 구체적인 예를 들어 설명하면, Vcc가 9[V]이고, Vout이 0.1[V]이고, Voffset이 1.25[V]이고, Iout이 1.2[A]이고, Iambient가 0.02[A]이고, 스위칭 효율이 90%이면, 스위칭 레귤레이터(130)에서 소모되는 소모 전력(W1)은 1.08[W](=9*1.2*0.1)이다. 또한, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력(W2)은 1.68[W](=(1.26-0.1)*1.2+(0.02*9))이다. 만약, 전원 공급 장치(110)가 96개 집적되어 있는 환경이라면, 총 소모 전력은 264.96[W](=(1.08+1.68)*96)이다.
도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)에서 소모되는 소모 전력은 2.76[W]인데 반해, 도 4에 도시된 종래의 전원 공급 모듈(100)에서 소모되는 소모 전력은 10.86[W]임을 확인할 수 있다. 다시 말하면, 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)은 종래의 전원 공급 모듈(e.g., 도 4에 도시된 전원 공급 모듈(100)) 대비 약 74%(=(10.86-2.76)/10.86*100)의 소모 전력이 감소될 수 있다.
지금까지 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치를 설명하였다. 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 실시예들에 따르면, 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압이 구동 전압으로 전원 공급 장치에 인가됨으로써, 전원 공급 장치의 소모 전력이 효과적으로 감소될 수 있다. 이러한 소모 전력의 감소에 따라 발열량 또한 효과적으로 감소될 수 있다. 특히, 반도체 디바이스의 테스트를 위해 고집적된 전원 공급 장치가 요구되는 환경에서 소모 전력 및 발열량이 효과적으로 감소됨에 따라, 반도체 테스트 장치의 안정성이 향상될 수 있고, 반도체 테스트 장치의 방열을 위해 소모되는 비용이 감소될 수 있다.
지금까지 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들 및 그 실시예들에 따른 효과들을 언급하였다. 본 개시의 기술적 사상에 따른 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 명세서의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상에서, 본 개시의 실시예를 구성하는 모든 구성 요소들이 하나로 결합되거나 결합되어 동작하는 것으로 설명되었다고 해서, 본 개시의 기술적 사상이 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 개시의 목적 범위 안에서라면, 그 모든 구성 요소들이 하나 이상으로 선택적으로 결합하여 동작할 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들을 설명하였지만, 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 본 개시가 다른 구체적인 형태로도 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시에 의해 정의되는 기술적 사상의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 반도체 디바이스에 테스트 신호를 인가하고, 상기 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 반도체 테스트 장치에 있어서,
    구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치;
    상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기; 및
    상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함하는,
    반도체 테스트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 오프셋 전압은,
    상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압인,
    반도체 테스트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되,
    상기 전원 공급 장치는,
    상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는,
    반도체 테스트 장치.
  4. 구동 전압에 기초하여, 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치; 및
    상기 반도체 디바이스의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성하고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 디바이스에 인가하는 핀 일렉트로닉스를 포함하는 반도체 테스트 장치에 있어서,
    상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기; 및
    상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함하는,
    반도체 테스트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 오프셋 전압은,
    상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압인,
    반도체 테스트 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되,
    상기 전원 공급 장치는,
    상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는,
    반도체 테스트 장치.
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