KR20230103112A - 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230103112A
KR20230103112A KR1020210193733A KR20210193733A KR20230103112A KR 20230103112 A KR20230103112 A KR 20230103112A KR 1020210193733 A KR1020210193733 A KR 1020210193733A KR 20210193733 A KR20210193733 A KR 20210193733A KR 20230103112 A KR20230103112 A KR 20230103112A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
electrode
organic electric
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020210193733A
Other languages
English (en)
Inventor
전성수
신지철
유선근
김상범
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210193733A priority Critical patent/KR20230103112A/ko
Priority to CN202211278578.4A priority patent/CN116437785A/zh
Priority to US17/969,372 priority patent/US20230217809A1/en
Publication of KR20230103112A publication Critical patent/KR20230103112A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
    • C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C255/52—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
    • C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 개시의 실시예들은, 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 낮은 p형 도펀트를 전하생성층과 정공주입층에 적용함으로써, 광추출 효율이 우수하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.

Description

유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치{ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, DISPLAY PANEL COMPRISING THE SAME AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 개시의 실시예들은 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광 현상이란 유기물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시키는 현상을 의미한다. 유기전기소자는 유기발광 현상을 이용하는 전기소자를 지칭한다.
유기발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 표시장치에 적용될 수 있다. 휴대용 표시장치는 제한적인 전력 공급원인 배터리에 의하여 구동되므로, 휴대용 표시장치에 사용되는 유기전기소자는 우수한 발광효율이 요구된다. 또한, 전자장치의 사용 동안 화상이 정상적으로 표시되어야 하므로, 유기전기소자는 긴 수명도 요구되고 있다.
유기전기소자에 있어서 효율, 수명 및 구동전압을 개선하기 위해서 유기전기소자에 포함되는 유기물질에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 근래 멀티 스택 구조의 유기전기소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
멀티 스택 구조의 유기전기소자는 각각의 발광부에서 발생된 빛을 조합하여 외부로 빛을 방출하는 방식으로, 발광부에서 발생된 빛은 외부로 방출될 때까지 유기전기소자의 다양한 층을 반복적으로 통과하는 과정에서 빛의 세기와 효율이 떨어진다는 문제점이 있었다.
이에 본 명세서의 발명자들은 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 낮은 p형 도펀트를 전하생성층과 정공주입층에 적용함으로써, 광추출 효율이 우수하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 발명하였다.
본 개시의 실시예들은 광추출 효율이 우수하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 유기층은 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 제1 스택과 제2 스택 사이에 위치하는 전하생성층 및 제1 전극과 제1 스택 사이에 위치하는 정공주입층을 포함하는 유기전기소자를 제공할 수 있다.
전하생성층과 정공주입층 중 어느 하나의 층은 화학식 1로 표시되는 제1 화합물을 1 내지 30 중량%로 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 유기전기소자를 포함하는 표시패널을 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 표시패널과 표시패널을 구동하는 구동회로를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의하면, 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 낮은 p형 도펀트를 전하생성층과 정공주입층에 적용함으로써, 광추출 효율이 우수하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 표시패널의 서브픽셀 회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 2스택 상부 발광 구조의 광추출 경로를 설명하기 위한 유기전기소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 비교예의 청색 스펙트럼에 대한 흡수율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 개시의 다른 실시예들에 따른 유기전기소자의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 개시의 실시예와 비교예의 청색 스펙트럼에 대한 흡수율을 비교한 그래프이다.
이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
본 개시에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I) 등을 포함한다.
본 개시에서 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 단일결합으로 연결된 1 내지 60의 탄소를 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐이 치환된 알킬기를 의미할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "알케닐" 또는 "알키닐"은 다른 설명이 없는 한 각각 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가질 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "사이클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "알콕시기" 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 결합된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가질 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가질 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 개시에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리 집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 아릴기는 페닐기, 바이페닐, 나프틸, 안트릴, 인데닐, 페난트릴, 트라이페닐레닐, 피렌일, 페릴렌일, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란텐일 등을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 나프틸은, 1-나프틸 및 2-나프틸을 포함하며, 상기 안트릴은 1-안트릴, 2-안트릴 및 9-안트릴을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 플루오렌의 1가 또는 2가 작용기를 의미할 수 있다. 또한, 상기 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 치환된 플루오렌일기 또는 치환된 플루오렌일렌기를 의미할 수 있다. "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환된 플루오렌의 1가 또는 2가 작용기를 의미할 수 있다. "치환된 플루오렌"은 하기 치환기 R, R', R" 및 R'" 중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 것을 의미할 수 있다. R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함할 수 있다.
Figure pat00001
본 개시에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 개시에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리 집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미할 수 있다.
또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00002
본 개시에서 사용된 용어 "고리"는 단일환 및 다환을 포함하며, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "다환"은 고리 집합체(ring assemblies), 접합된(fused) 여러 고리계 및 스파이로 화합물을 포함하며, 방향족뿐만 아니라 비방향족도 포함하고, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리 집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미할 수 있다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.
본 개시에서 사용된 용어, "알킬실릴기"는 Si 원자에 세 개의 알킬기가 결합한 1가 치환기를 지칭할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어, "아릴실릴기"는 Si 원자에 세개의 아릴기가 결합한 1가 치환기를 지칭할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어, "알킬아릴실릴기"는 Si 원자에 한 개의 알킬기와 두 개의 아릴기가 결합하거나, 두 개의 알킬기와 한 개의 아릴기가 결합한 1가 치환기를 지칭할 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어 "고리 집합체(ring assemblies)"는 둘 또는 그 이상의 고리계(단일고리 또는 접합된 고리계)가 단일결합이나 또는 이중결합을 통해서 서로 직접 연결되어 있는 것을 의미한다. 예를 들어 아릴기의 경우, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
본 개시에서 사용된 용어 "접합된 여러 고리계"는 적어도 두 개의 원자를 공유하는 접합된(fused) 고리 형태를 의미한다. 예를 들어 아릴기의 경우, 나프탈렌일기, 페난트렌일기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
또한, 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕시카르보닐기의 경우 알콕시기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미할 수 있다. 여기서, 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기일 수 있다
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 출원에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, C1-C20의 알킬아민기, C1-C20의 알킬티오펜기, C6-C20의 아릴티오펜기, C2-C20의 알켄일기, C2-C20의 알킨일기, C3-C20의 사이클로알킬기, C6-C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기, C8-C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미할 수 있으며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
본 개시에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '작용기 명칭'은 '가수를 반영한 작용기의 명칭'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴(기)'로 2가의 기는 '페난트릴렌(기)' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일(기), 2가의 경우에는 피리미딘일렌(기) 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다. 따라서, 본 개시에서 치환기의 종류를 모체 화합물 명칭으로 기재할 경우, 모체 화합물의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자와 결합하고 있는 수소 원자가 탈리되어 형성되는 n가의 '기'를 의미할 수 있다.
또한 명시적인 설명이 없는 한,　본 개시에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에　의한 치환기 정의와 동일하게 적용될 수 있다.
Figure pat00003
여기서, a가 0 인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 이는, 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1 인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3 인 경우 각각 하기와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
Figure pat00004
본 개시에서 치환기끼리 서로 결합하여 고리를 형성한다는 것은, 인접한 기가 서로 결합하여 단일고리 또는 접합된 여러고리를 형성하는 것을 의미하고, 단일고리 및 형성된 접합된 여러고리는 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함할 수 있다.
본 개시에서 유기발광소자는, 양극과 음극 사이의 구성물(들)을 의미하거나, 양극과 음극, 그리고 그 사이에 위치하는 구성물(들)을 포함하는 유기발광다이오드를 의미할 수도 있다.
또한, 경우에 따라, 본 개시에서의 유기발광소자는, 유기발광다이오드와 이를 포함하는 패널을 의미하거나, 패널과 회로를 포함하는 전자장치를 의미할 수도 있다. 여기서 전자장치는, 예를 들어, 표시장치, 조명장치, 태양전지, 휴대 또는 모바일 단말(예: 스마트 폰, 태블릿, PDA, 전자사전, PMP 등), 네비게이션 단말, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 모니터 등을 모두 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않고, 상기 구성물(들)을 포함하는 어떠한 형태의 장치라도 포함될 수 있다.
도 1은 본 명세서의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인들(DL) 및 다수의 게이트 라인들(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인들(DL) 및 다수의 게이트 라인들(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들(111)이 배열된 표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인들(DL)을 구동하는 데이터 구동회로(DDC)와, 다수의 게이트 라인들(GL)을 구동하는 게이트 구동회로(GDC)와, 데이터 구동회로(DDC) 및 게이트 구동회로(GDC)를 제어하는 컨트롤러(D-CTR) 등을 포함한다.
컨트롤러(D-CTR)는, 데이터 구동회로(DDC) 및 게이트 구동회로(GDC)로 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여, 데이터 구동회로(DDC) 및 게이트 구동회로(GDC)를 제어한다.
이러한 컨트롤러(D-CTR)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동회로(DDC)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.
컨트롤러(D-CTR)는, 데이터 구동회로(DDC)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 구동회로(DDC)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다.
데이터 구동회로(DDC)는, 컨트롤러(D-CTR)로부터 영상 데이터(Data)를 입력 받아 다수의 데이터 라인들(DL)로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인들(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 구동회로(DDC)는 소스 구동회로라고도 한다.
이러한 데이터 구동회로(DDC)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다.
게이트 구동회로(GDC)는, 다수의 게이트 라인들(GL)로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인들(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 구동회로(GDC)는 스캔 구동회로라고도 한다.
이러한 게이트 구동회로(GDC)는, 적어도 하나의 게이트 구동회로 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다.
각 게이트 구동회로 집적회로(GDIC)는 시프트 레지스터(Shift Register), 레벨 시프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다.
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다.
게이트 구동회로(GDC)는, 컨트롤러(D-CTR)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인들(GL)로 순차적으로 공급한다.
데이터 구동회로(DDC)는, 게이트 구동회로(GDC)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(D-CTR)로부터 수신한 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인들(DL)로 공급한다.
데이터 구동회로(DDC)는, 표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다.
게이트 구동회로(GDC)는, 표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 표시장치(100)는 유기발광표시장치, 액정표시장치, 플라즈마 표시장치 등일 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 유기발광표시장치인 경우, 표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(111)은 자발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다.
각 서브픽셀(111)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.
도 2는 본 명세서의 실시예들에 따른 표시패널의 서브픽셀 회로를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 각 서브픽셀(111)은, 기본적으로, 유기발광소자(OLED)와, 유기발광소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함할 수 있다.
각 서브픽셀(111)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(VDATA) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(C1)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
유기발광소자(OLED, 220)는 제1 전극(221, 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층(220) 및 제2 전극(223, 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.
일 예로, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(223)에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광소자(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광소자(OLED)를 구동해준다.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(321)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다.
스토리지 캐패시터(C1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 스토리지 캐패시터(C1)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다.
도 3은 2스택 상부 발광 구조의 광추출 경로를 설명하기 위한 유기전기소자의 개략적인 단면도이이고, 도 4는 기존 p형 도펀트인 비교예의 청색 스펙트럼에 대한 흡수율을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 유기전기소자(300)는 복수의 발광층(304, 305) 중 최상부에 위치하는 제2 발광층(305)에서 출사된 빛 중 제2 전극(302)를 통과하여 곧바로 상부로 방출되는 빛과 제1 전극(301)에 반사된 다음 상부로 방출되는 빛으로 구분될 수 있다.
이와 같이 제1 전극(301)과 제2 전극(302)의 사이에서 반복적인 반사가 일어나는 마이크로 캐비티(micro-cavity) 효과, 즉 미세 공진 효과에 의해서 제1 전극(301)과 제2 전극(302) 사이의 캐비티 내에서 빛이 반복적으로 반사되어 광 효율이 증가하게 된다.
그러나, 제1 전극(301)으로 고반사율의 애노드을 사용하고, 제2 전극(302)으로 반투명 반사막을 갖는 캐소드를 사용하는 스트롱 캐비티(stron cavity) 구조의 경우, 애노드와 캐소드 사이에서 많은 반사가 일어나며 정공주입층(307)과 전하생성층(306)을 수차례 통과한 후 방출된다.
도 4를 참조하면, 기존 p형 도펀트는 350nm ~ 600nm 파장 영역에서 높은 흡수율을 가지며, 특히 청색 파장 영역이 포함되는 약 450nm ~ 500nm에서 현저히 높은 흡수율을 나타내고 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 이 과정에서 발광층(304, 305)에서 발생한 빛, 특히 청색 빛이 정공주입층(307)과 전하생성층(306)을 반복적으로 통과하면서 전하생성층(306)에 포함된 p형 도펀트에 흡수되어 청색 빛이 p형 도펀트의 흡수율만큼 빛의 세기가 약해지게 된다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자의 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자(400)는, 제1 전극(301)과, 제2 전극(302)과, 제1 전극(301)과 제2 전극(302) 사이에 위치하는 유기층(303)을 포함한다.
제1 전극(301)은, 예를 들면, 애노드 전극일 수 있으며, 제2 전극(302)은 캐소드 전극일 수 있다.
예를 들면, 제1 전극(301)이 고투과율의 투명 전극이고, 제2 전극(302)이 반투명 반사 전극일 수 있다. 또 다른 예시에서, 제1 전극(301)이 반투명 반사 전극이고, 제2 전극(302)이 고투과율의 투명 전극일 수 있다.
유기층(303)은, 제1 전극(301)과 제2 전극(302) 사이에 위치하면서 유기물을 포함하는 층으로서, 복수의 층으로 구성될 수 있다.
유기층(303)은 제1 스택(404), 제2 스택(405) 및 제1 스택(404)과 제2 스택(405) 사이에 위치하는 전하생성층(406)을 포함한다.
유기층(303)은 제1 스택(404), 제2 스택(405) 및 제1 스택(404)과 제2 스택(405) 사이에 위치하는 전하생성층(406)을 포함한다.
유기층(303)은 제1 전극(301)과 제1 발광층(404b) 사이에 위치하는 정공주입층(307)을 포함한다.
전하생성층(406)과 정공주입층(307) 중 어느 하나의 층 또는 두 층 모두 화학식 1로 표시되는 제1 화합물(3071, 4061)을 1 ~ 30 중량%의 비율로 포함할 수 있으며, 2 ~ 25 중량%의 비율로 포함할 수 있다. 전하생성층(406)과 정공주입층(307)에 제1 화합물(3071, 4061)을 상술한 범위로 포함하면, 전하생성층과 정공주입층에서의 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 감소하여 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
유기전기소자(400)는, 각각 발광층을 포함하는 복수개의 스택을 포함하는 탠덤형 유기전기소자일 수 있다. 복수개의 발광층은 서로 동일한 물질로 구성될 수도 있으나, 서로 상이한 물질로 구성될 수도 있다. 복수의 발광층은 동일한 색상의 발광층일 수 있고, 서로 다른 발광층일 수 있다, 예를 들어, 복수의 발광층은 모두 청색 발광층일 수 있고, 일부는 청색 발광층이고, 일부는 적색, 녹색 또는 황색 발광층일 수 있다.
제1 스택(404)은 제1 발광층(404b)을 포함한다. 제1 발광층(404b)은, 예를 들면, 호스트 물질 및 도펀트를 포함할 수 있다.
제1 발광층(404b)은 제2 전극(302)의 표면으로부터 1800 ~ 2400 Å의 범위에 위치할 수 있고, 2600 ~ 3200 Å의 범위 내에 위치할 수 있다.
제1 스택(404)은, 제1 정공수송층(404c) 및 제1 전자수송층(404a)을 추가로 포함할 수 있다.
제1 정공수송층(404c)은, 제1 발광층(404b)과, 애노드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다. 제1 전자수송층(404a)은, 제1 발광층(404b)과, 캐소드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(301)이 애노드 전극이고 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, 제1 전극(301) 상에 제1 정공수송층(404c)이 위치하고, 제1 정공수송층(404c) 상에 제1 발광층(404b)이 위치하고, 제1 발광층(404b) 상에 제1 전자수송층(404a)이 위치할 수 있다.
제2 스택(405)은 제2 발광층(405b)을 포함한다. 제2 발광층(405b)은, 예를 들면, 호스트 물질 및 도펀트를 포함할 수 있다.
제2 발광층(405b)은 제2 전극(302)의 표면으로부터 200 ~ 800 Å의 범위에 위치할 수 있고, 1000 ~ 1600 Å의 범위 내에 위치할 수 있다.
제2 스택(405)은, 제2 정공수송층(405c) 및 제2 전자수송층(405a)을 추가로 포함할 수 있다.
제2 정공수송층(405c)은, 제2 발광층(405b)과, 애노드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전자수송층(405a)은, 제2 발광층(405b)과, 캐소드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(301)이 애노드 전극이고 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, 제1 전극(301) 상에 제2 정공수송층(405c)이 위치하고, 제2 정공수송층(405c) 상에 제2 발광층(405b)이 위치하고, 제2 발광층(405b) 상에 제2 전자수송층(405a)이 위치할 수 있다.
제1 스택(404) 및 제2 스택(405)이 상술한 것처럼 구성됨으로서, 제1 전극(301) 및 제2 전극(302)으로부터 전달된 정공 및 전자가 제1 발광층(404b) 및 제2 발광층(405b)에서 만나 빛이 방출될 수 있다.
전하생성층(406)은 복수의 발광층 사이에 형성되어 전하를 원활하게 분배함으로써 발광층의 전류 효율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 전하생성층(406)은 제1 발광층(404b)을 포함하는 제1 스택(404)과 제2 발광층(405b)을 포함하는 제2 스택(405) 사이에 위치한다.
전하생성층(406)은 전하를 원활하게 분배하기 위하여 p형 전하생성층 및 n형 전하생성층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 층(406a)은, p형 전하생성층일 수 있고 제2 층(406b)은 n형 전하생성층일 수 있다. 제1 전극(301)이 애노드 전극이고, 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, p형 전하생성층이 캐소드 전극 측에 위치하고 n형 전하생성층이 애노드 측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 층(406a)이 제2 층(406b)과 캐소드 전극인 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다.
제1 층(406a)은 제1 화합물(4061)을 포함한다. 제1 층(406a)은 제1 화합물(4061)을 포함하는 하나의 층일 수도 있으며, 제1 화합물(4061) 중 각각 하나 이상을 포함하는 복수의 층으로 구성될 수도 있다. 도 5에서는 제1 층(406a)을 하나의 층으로 도시하였으나, 본 개시의 실시예들의 제1 층(406a)이 하나의 층 구조로 제한되는 것은 아니다.
제1 층(406a)에 포함되는 제1 화합물(4061)은 p형 도펀트일 수 있 수 있으며, 제1 층(406a)은 제1 화합물(4061)을 5 내지 30 중량%의 비율로 포함할 수 있으며, 10 내지 25 중량%의 비율로 포함할 수 있다. 제1 층(406a)에 제1 화합물(4061)을 상술한 범위로 포함하면, 전하생성층에서의 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 감소하여 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 5에서는 비록 두 개의 스택을 포함하는 탠덤형 유기전기소자를 도시하였으나, 본 개시의 실시예가 두 개의 스택을 포함하는 탠덤형 유기전기소자에 한정되는 것은 아니며, 두 개 이상의 스택을 포함하는 탠덤형 유기전기소자 또한 본 개시의 실시예들에 포함된다.
유기전기소자(400)에 추가로 스택이 포함되는 경우에는, 추가로 포함된 스택과 인접한 제1 스택(404) 또는 제2 스택(405) 사이에는 전하생성층이 추가적으로 위치할 수 있다.
유기전기소자(400)는 정공주입층(307)을 포함할 수 있다.
정공주입층(307)은, 애노드 전극인 제1 전극(301)과 제1 발광층(404b) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들면, 정공주입층(307)은 애노드 전극인 제1 전극(301)과 제1 정공수송층(404c) 사이에 위치할 수 있다.
정공주입층(307)은 제1 화합물(3071)을 포함한다. 정공주입층(307)에 포함되는 제1 화합물(3071)은 p형 도펀트일 수 있 수 있으며, 정공주입층(307)은 제1 화합물(3071)을 1 내지 15 중량%의 비율로 포함할 수 있으며, 2 내지 8 중량%의 비율로 포함할 수 있다. 정공주입층(307)에 제1 화합물(3071)을 상술한 범위로 포함하면, 정공주입층에서의 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 감소하여 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
전하생성층(406)과 정공주입층(307)에 포함되는 제1 화합물(3071, 4061)은 화학식 1로 표시되는 화합물로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
유기전기소자는 전자주입층(408)을 추가로 포함할 수 있다.
전자주입층(408)은, 예를 들면, 캐소드 전극인 제2 전극(302)과 제2 전자수송층(405a) 사이에 위치할 수 있다.
유기전기소자는 캡핑층(409)을 추가로 포함할 수 있다.
캡핑층(409)은, 예를 들면, 캐소드 전극인 제2 전극(302) 상에 위치할 수 있다.
또 다른 예시에서, 제1 스택(404) 및 제2 스택(405) 각각이 정공주입층 및 전자주입층 중 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다. 각 스택 내에서, 정공주입층은 발광층과 애노드 전극 사이에 위치할 수 있으며 전자주입층은 발광층과 캐소드 전극 사이에 위치할 수 있다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자의 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자(500)는, 상술한 유기전기소자(400)에서 제1 스택과 제2 스택 사이에 제1 전하생성층(507), 제3 스택(506) 및 제2 전하생성층(508)을 추가한 것으로, 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략한다.
제1 전하생성층(507)은 제1 발광층(504b)을 포함하는 제1 스택(504)과 제3 발광층(506b)을 포함하는 제3 스택(506) 사이에 위치한다.
제1 전하생성층(507)은 전하를 원활하게 분배하기 위하여 p형 전하생성층 및 n형 전하생성층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 층(507a)은, p형 전하생성층일 수 있고 제4 층(507b)은 n형 전하생성층일 수 있다. 제1 전극(301)이 애노드 전극이고, 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, p형 전하생성층이 캐소드 전극 측에 위치하고 n형 전하생성층이 애노드 측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제3 층(507a)이 제4 층(507b)과 캐소드 전극인 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다.
제3 층(507a)은 제1 화합물(5071)을 포함한다. 제3 층(507a)은 제1 화합물(5071)을 포함하는 하나의 층일 수도 있으며, 제1 화합물(5071) 중 각각 하나 이상을 포함하는 복수의 층으로 구성될 수도 있다. 도 6에서는 제3 층(507a)을 하나의 층으로 도시하였으나, 본 개시의 실시예들의 제3 층(507a)이 하나의 층 구조로 제한되는 것은 아니다
제3 층(507a)에 포함되는 제1 화합물(5071)은 p형 도펀트일 수 있 수 있으며, 제3 층(507a)은 제1 화합물(5071)을 5 내지 30 중량%의 비율로 포함할 수 있으며, 10 내지 25 중량%의 비율로 포함할 수 있다. 제3 층(507a)에 제1 화합물(5071)을 상술한 범위로 포함하면, 전하생성층에서의 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 감소하여 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
제3 스택(506)은 제3 발광층(506b)을 포함한다. 제3 발광층(506b)은, 예를 들면, 호스트 물질 및 도펀트를 포함할 수 있다.
제3 스택(506)은, 제3 정공수송층(506c) 및 제3 전자수송층(506a)을 추가로 포함할 수 있다.
제3 정공수송층(506c)은, 제3 발광층(506b)과, 애노드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다. 제3 전자수송층(506a)은, 제3 발광층(506b)과, 캐소드 전극인 제1 전극(301) 또는 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(301)이 애노드 전극이고 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, 제1 전극(301) 상에 제3 정공수송층(506c)이 위치하고, 제3 정공수송층(506c) 상에 제3 발광층(506b)이 위치하고, 제3 발광층(506b) 상에 제3 전자수송층(506a)이 위치할 수 있다.
제2 전하생성층(508)은 제2 발광층(505b)을 포함하는 제2 스택(505)과 제3 발광층(506b)을 포함하는 제3 스택(506) 사이에 위치한다.
제2 전하생성층(508)은 전하를 원활하게 분배하기 위하여 p형 전하생성층 및 n형 전하생성층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제5 층(508a)은, p형 전하생성층일 수 있고 제6 층(508b)은 n형 전하생성층일 수 있다. 제1 전극(301)이 애노드 전극이고, 제2 전극(302)이 캐소드 전극일 경우, p형 전하생성층이 캐소드 전극 측에 위치하고 n형 전하생성층이 애노드 측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제5 층(508a)이 제6 층(508b)과 캐소드 전극인 제2 전극(302) 사이에 위치할 수 있다.
제5 층(508a)은 제1 화합물(5081)을 포함한다. 제5 층(508a)은 제1 화합물(5081)을 포함하는 하나의 층일 수도 있으며, 제1 화합물(5081) 중 각각 하나 이상을 포함하는 복수의 층으로 구성될 수도 있다. 도 6에서는 제5 층(508a)을 하나의 층으로 도시하였으나, 본 개시의 실시예들의 제5 층(508a)이 하나의 층 구조로 제한되는 것은 아니다.
제5 층(508a)에 포함되는 제1 화합물(5081)은 p형 도펀트일 수 있 수 있으며, 제5 층(508a)은 제1 화합물(5081)을 5 내지 30 중량%의 비율로 포함할 수 있으며, 10 내지 25 중량%의 비율로 포함할 수 있다. 제5 층(508a)에 제1 화합물(5081)을 상술한 범위로 포함하면, 전하생성층에서의 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 감소하여 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물에 대해 설명한다.
상술한 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00005
화학식 1에서, A1 및 A2는 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6-C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; C3-C60의 지방족고리와 C6-C60의 방향족고리의 융합고리기; C1-C50의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C1-C30의 알콕시기; 및 C6-C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
C1 및 C2는 각각 독립적으로 할로겐 또는 시아노기일 수 있다.
R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6-C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; C3-C60의 지방족고리와 C6-C60의 방향족고리의 융합고리기; C1-C50의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C1-C30의 알콕시기; 및 C6-C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, R1 내지 R4 중 둘 이상은 시아노기이다.
A1, A2, R1 내지 R4가 아릴기일 경우, 상기 아릴기는, 각각 독립적으로, C6-C30의 아릴기, C6-C20의 아릴기 또는 C6-C12의 아릴기일 수 있다.
A1, A2, R1 내지 R4가 헤테로고리기일 경우, 상기 헤테로고리기는, 각각 독립적으로, C2-C30의 헤테로고리기, C2-C20의 헤테로고리기 또는 C2-C12의 헤테로고리기일 수 있다.
상술한 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기 및 아릴옥시기는 각각 니트로기; 시아노기; 할로겐기; 아미노기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 사이클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기가 치환될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 포함된 수소 중 하나 이상은, 중수소 또는 삼중수소로 치환될 수 있다.
유기발광소자가 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 낮은 p형 도펀트로 전하생성층과 정공주입층에 적용함으로써, 광추출 효율과 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00006
[화학식 1-2]
Figure pat00007
화학식 1-1 과 화학식 1-2에서, C1, C2, R3 및 R4는 상술한 화학식 1에서 정의한 것과 동일할 수 있다.
m 및 n은 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수일 수 있다.
R5 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; C1-C20의 알킬기; 및 C1-C20의 알콕시기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
알킬기 및 알콕시기는 각각 할로겐; 및 시아노기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기가 추가로 치환될 수 있다.
상술한 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 화합물에 포함된 수소 중 하나 이상은, 중수소 또는 삼중수소로 치환될 수 있다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 하나 이상일 수 있다.
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
상기 화합물 PD1 내지 PD48에 포함된 수소 중 하나 이상은, 중수소 또는 삼중수소로 치환될 수 있다.
본 개시의 실시예들은 표시패널을 제공할 수 있다.
표시패널(110)은, 상술한 유기전기소자(220)를 포함하는 서브픽셀(111)을 포함한다.
본 개시의 실시예들에 따른 표시패널(110)에 있어서, 유기전기소자(220)는 상술한 본 개시의 실시예들에 따른 유기전기소자(400, 500)와 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 본 개시의 실시예들 따른 표시패널(110)과 서브픽셀(111)에 대해서는 전술하였으므로, 이에 관한 설명은 생략하기로 한다.
본 개시의 실시예들은 표시장치를 제공할 수 있다.
표시장치(100)는, 상술한 표시패널(110) 및 상술한 표시패널(110)을 구동하는 구동회로를 포함한다.
본 개시의 실시예들에 따른 표시장치(100)에 있어서, 표시패널(110)은 상술한 본 개시의 실시예들에 따른 표시패널(110)과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 본 개시의 실시예들에 따른 표시패널을 구동하는 구동회로에 대해서는 전술하였으므로, 이에 관한 설명은 생략하기로 한다.
이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에서, 본 개시의 실시예들에 따른 유기발광소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 개시의 실시예들이 하기 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
[유기전기소자의 제조평가]
1. P-Dopant에 따른 효율 평가
본 개시의 일실시예인 도 5에 도시된 유기전기소자에 하기 표 1에 기재된 바와 같이, 정공수송층(HIL)과 p형 전하생성층을 생성하여 2스택 상부 발광 구조의 청색 유기전기소자를 제조하였다. 청색 파장인 460nm에서의 흡수율과 효율을 측정하였으며, 도 7은 실시예와 비교예의 청색 스펙트럼에 대한 흡수율을 비교한 그래프이다.
유기전기소자의 제조평가에 사용한 화합물은 아래와 같다.
Figure pat00016
Figure pat00017
P-HTL P-D01
Figure pat00018
Figure pat00019
P-D02 P-D03(PD36)
HIL p-CGL 흡수율
(460nm)		 EQE(%)
P-Host P-dopant P-Host P-dopant
비교예 1 P-HTL P-D01 P-HTL P-D01 100% 100%
비교예 2 P-HTL P-D02 P-HTL P-D02 71% 103%
실시예 1 P-HTL P-D03 P-HTL P-D03 34% 111%
표 1과 도 7을 참조하면, 본 개시의 화합물을 정공주입층과 p형 전하생성층의 p형 도펀트로 사용했을 경우, 종래기술인 비교예 1에 비해 34%까지 흡수율이 감소하고, 효율(EQE)은 11%가 향상된 것을 확인할 수 있다. 비교예 2의 화합물은 모핵의 중간에 위치한 페닐에 시아노기가 없으나, 본 개시의 실시예에 따른 화합물은 시아노기를 도입함으로써 흡수율은 저감시키고 효율은 더 향상된 것을 확인할 수 있다.
2. P-Dopant 농도에 따른 효율 평가
본 개시의 일실시예인 도 5에 도시된 유기전기소자에 하기 표 2에 기재된 바와 같이, 정공수송층(HIL)과 p형 전하생성층을 생성하여 2스택 상부 발광 구조의 청색 유기전기소자를 제조하고, p-dopant의 농도에 따른 전압변화와 효율을 측정하였다.
HIL p-CGL △V EQE (%)
P-Host P-dopant P-Host P-dopant
실시예 2 P-HTL P-DO3 2% P-HTL P-DO1 14% 0 100%
실시예 3 P-DO3 P-DO3 4% P-HTL P-DO1 14% -0.04 102%
실시예 4 P-DO3 P-DO3 6% P-HTL P-DO1 14% -0.05 102%
실시예 5 P-DO3 P-DO3 8% P-HTL P-DO1 14% -0.07 99%
실시예 6 P-HTL P-DO1 4% P-HTL P-DO3 10% 0 100%
실시예 7 P-HTL P-DO1 4% P-HTL P-DO3 15% -0.1 104%
실시예 8 P-HTL P-DO1 4% P-HTL P-DO3 20% -0.12 101%
실시예 9 P-HTL P-DO1 4% P-HTL P-DO3 25% -0.13 96%
표 2를 살펴보면, 정공수송층과 p형 전하생성층에서 p-dopant의 농도가 증가할수록 구동전압은 감소거나, 효율(EQE)이 증가하는 것을 확인할 수 있다.
구체적으로, 실시예 2 내지 실시예 5를 살펴보면, 정공주입층에서 p-dopant의 함량을 2 ~ 8 중량%로 가변할 경우 구동전압이 0.07V까지 감소되거나 효율(EQE)이 102%까지 증가되는 것을 확인할 수 있다.
실시예 6 내지 실시예 9를 살펴보면, p형 전하생성층에서 p-dopant의 함량을 10 ~ 25 중량%로 가변할 경우 구동전압이 0.13V까지 감소되거나 효율(EQE)이 104%까지 증가되는 것을 확인할 수 있다.
3. P-Dopant 농도에 따른 효율 평가
본 개시의 일실시예인 도 6에 도시된 유기전기소자에 하기 표 2에 기재된 바와 같이, 제1 p형 전하생성층과 제2 p형 전하생성층을 생성하여 3스택 하부 발광 구조의 청색 유기전기소자를 제조하고, p-dopant의 농도에 따른 전압변화와 효율을 측정하였다.
제1 p-CGL 제2 p-CGL △V EQE (%)
P-Host P-dopant P-Host P-dopant
실시예 10 P-HTL P-DO3 10% P-HTL P-DO3 10% 0 100%
실시예 11 P-HTL P-DO3 15% P-HTL P-DO3 15% -0.09 104%
실시예 12 P-HTL P-DO3 20% P-HTL P-DO3 20% -0.11 102%
실시예 13 P-HTL P-DO3 25% P-HTL P-DO3 25% -0.13 99%
표 3을 살펴보면, 제1 p형 전하생성층과 제2 p형 전하생성층에서 p-dopant의 농도가 증가할수록 구동전압은 감소하며, 효율(EQE)은 증가하다 감소하는 것을 확인할 수 있다.
구체적으로, 실시예 10 내지 실시예 13을 살펴보면, 제1 p형 전하생성층과 제2 p형 전하생성층에서 p-dopant의 함량을 10~25 중량%로 가변할 경우 구동전압이 0.13V까지 감소되거나 효율(EQE)이 104%까지 증가되는 것을 확인할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의하면, 청색 빛의 파장에 대한 흡수율이 낮은 p형 도펀트를 전하생성층과 정공주입층에 적용함으로써, 광추출 효율이 우수하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.
100: 표시장치
110: 표시패널
120: 데이터 구동 회로
130: 게이트 구동 회로
140: 컨트롤러

Claims (18)

  1. 제1 전극;
    제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기층;을 포함하고,
    상기 유기층은 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 상기 제1 스택과 상기 제2 스택 사이에 위치하는 전하생성층 및 상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이에 위치하는 정공주입층을 포함하며,
    상기 전하생성층 및 상기 정공주입층 중 어느 하나의 층은 하기 화학식 1로 표시되는 제1 화합물을 1 ~ 30 중량%의 비율로 포함하는 유기전기소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00020

    상기 화학식 1에서,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6-C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; C3-C60의 지방족고리와 C6-C60의 방향족고리의 융합고리기; C1-C50의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C1-C30의 알콕시기; 및 C6-C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며,
    C1 및 C2는 각각 독립적으로 할로겐 또는 시아노기이며,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6-C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; C3-C60의 지방족고리와 C6-C60의 방향족고리의 융합고리기; C1-C50의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C1-C30의 알콕시기; 및 C6-C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, R1 내지 R4 중 둘 이상은 시아노기이고,
    상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기 및 아릴옥시기는 각각 니트로기; 시아노기; 할로겐기; 아미노기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 사이클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기가 치환될 수 있다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 유기전기소자:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00021

    [화학식 1-2]
    Figure pat00022

    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
    C1, C2, R3 및 R4는 상기 화학식 1에서 정의한 것과 동일하며,
    m 및 n은 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이며,
    R5 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소; 할로겐; 시아노기; C1-C20의 알킬기; 및 C1-C20의 알콕시기;로 이루어진 군에서 선택되고,
    상기 알킬기 및 알콕시기는 각각 할로겐; 및 시아노기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기가 추가로 치환될 수 있다.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 화합물은 하기 화합물들 중 하나 이상인 유기전기소자:
    Figure pat00023

    Figure pat00024

    Figure pat00025

    Figure pat00026

    Figure pat00027

    Figure pat00028

    Figure pat00029

    Figure pat00030
    .
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전하생성층은 제1 층 및 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 제1 화합물을 포함하는 유기전기소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 층은 p형 전하생성층이고, 상기 제2 층은 n형 전하생성층이며,
    상기 제1 화합물은 p형 도펀트인 유기전기소자.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 층은 상기 제1 화합물을 5 ~ 30 중량%로 포함하는 유기전기소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 정공주입층은 상기 제1 화합물을 1 ~ 15 중량%로 포함하는 유기전기소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 화합물을 p형 도펀트인 유기전기소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 애노드 전극이고,
    상기 제2 전극은 캐소드 전극인 유기전기소자.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명성 전극이고,
    상기 제2 전극은 반투명 반사성 전극인 유기전기소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 캡핑층을 더 포함하는 유기전기소자.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 청색 발광층인 유기전기소자.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 발광층은 상기 제2 전극의 표면으로부터 200 ~ 800 Å의 범위 내에 위치하는 유기전기소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 발광층은 상기 제2 전극의 표면으로부터 1000 ~ 1600 Å의 범위 내에 위치하는 유기전기소자.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 상기 제2 전극의 표면으로부터 1800 ~ 2400 Å의 범위 내에 위치하는 유기전기소자.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 상기 제2 전극의 표면으로부터 2600 ~ 3200 Å의 범위 내에 위치하는 유기전기소자.
  17. 제 1항의 유기전기소자를 포함하는 서브픽셀을 포함하는 표시패널.
  18. 제 17항의 표시패널; 및
    상기 표시패널을 구동하는 구동회로;를 포함하는 표시장치.
KR1020210193733A 2021-12-31 2021-12-31 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치 KR20230103112A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210193733A KR20230103112A (ko) 2021-12-31 2021-12-31 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
CN202211278578.4A CN116437785A (zh) 2021-12-31 2022-10-19 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
US17/969,372 US20230217809A1 (en) 2021-12-31 2022-10-19 Organic electronic element, display panel comprising the same and display device comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210193733A KR20230103112A (ko) 2021-12-31 2021-12-31 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230103112A true KR20230103112A (ko) 2023-07-07

Family

ID=86991483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210193733A KR20230103112A (ko) 2021-12-31 2021-12-31 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230217809A1 (ko)
KR (1) KR20230103112A (ko)
CN (1) CN116437785A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116437785A (zh) 2023-07-14
US20230217809A1 (en) 2023-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3846240A1 (en) Organic electric element, display panel comprising the same and display device comprising the same
KR20210086209A (ko) 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
CN113130815B (zh) 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
EP3846242A1 (en) Organic electric element, display panel comprising the same and display device comprising the same
EP3846238A1 (en) Organic electric element, display panel comprising the same and display device comprising the same
KR20230103112A (ko) 유기전기소자, 이를 포함하는 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
CN113130801B (zh) 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
KR20190024398A (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102081122B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN113130797B (zh) 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
EP4216697A1 (en) Organic electric element, display panel comprising the same and display device comprising the same