CN113130797B - 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置，其包含特定化合物并且满足与组分化合物的能级相关的特定通式，使得它们可以具有优异的效率或寿命。

Description

有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180033号的优先权，其在此出于所有目的通过引用并入，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

实施方案涉及有机电子元件、包括有机电子元件的显示面板和显示装置。

背景技术

通常，有机发光现象是指通过有机材料将电能转换为光能的现象。有机电子元件是指利用有机发光现象的电子元件。

利用有机发光现象的有机电子元件可以应用于显示装置。由于便携式显示装置通过作为有限电源的电池驱动，因此用于便携式显示装置的有机电子元件需要优异的发光效率。此外，由于在电子装置的使用期间应正常显示图像，因此也可能需要有机电子元件的长寿命。

为了改善有机电子元件中的效率、寿命和驱动电压，已对有机电子元件中包含的有机材料进行了研究。

发明内容

实施方案可以提供具有高效率或长寿命的有机电子元件。

实施方案可以提供通过包括上述有机电子元件而具有高效率或长寿命的显示面板。

此外，实施方案可以提供通过包括上述显示面板而具有高效率或长寿命的显示装置。

根据一个方面，实施方案可以提供有机电子元件，其包括第一电极、第二电极和有机层。

有机层定位在第一电极与第二电极之间。

有机层包括发光层和第一层。

第一层包含第一化合物、第二化合物和第三化合物。

第一化合物是HOMO(最高占据分子轨道)能级为-5.5eV至-5.0eV的化合物。

有机电子元件满足以下通式1。

[通式1]

0.1eV≤L₃-L₂≤0.5eV

在通式1中，L₃为第三化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。L₂为第二化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。

实施方案可以提供包括子像素的显示面板，所述子像素包括有机电子元件。

根据另一个方面，实施方案可以提供显示装置，其包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动电路。

根据实施方案，可以提供通过包括具有优异的空穴注入特性和电荷控制能力的层而具有高发光效率和长寿命的有机电子元件。

根据实施方案，可以提供包括具有高发光效率和长寿命的有机电子元件的显示面板和包括其的显示装置。

附图说明

结合附图，从以下详细描述中将更清楚地理解本公开的以上和其他目的、特征和优点，在附图中：

图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图；

图2和图3是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图；以及

图4至图6是根据实施方案的有机电子元件的示意性截面图。

具体实施方式

在本发明的实例或实施方案的以下描述中，将参照附图，其中通过图示的方式示出了可以实施的具体实例或实施方案，并且其中即使当相同的附图标记在彼此不同的附图中示出时，相同的附图标记也可以用于指示相同或相似的组件。此外，在本发明的实例或实施方案的以下描述中，当确定本文并入的公知功能和组件的详细描述可能使本发明的一些实施方案中的主题反而不清楚时，将省略该详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……构成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所用，除非上下文另外明确指出，否则单数形式旨在包括复数形式。

在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本发明的要素。这些术语中的每一者并不用于限定要素的本质、次序、顺序或数量等，而是仅用于将相应的要素与其他要素区分开。

当提及第一要素“连接或耦接至”第二要素、与第二要素“接触或交叠”等时，应解释为不仅第一要素可以“直接连接或耦接至”第二要素或者与第二要素“直接接触或交叠”，而且第三要素也可以“介于”第一要素与第二要素之间，或者第一要素和第二要素可以经由第四要素彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。在此，第二要素可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个要素中的至少一者中。

当使用时间相对术语例如“在……之后”、“继……之后”、“接下来”、“在……之前”等来描述要素或配置的过程或操作、或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作，除非同时使用术语“立刻”或“立即”。

此外，当提及任何尺寸、相对尺寸等时，应考虑要素或特征或相应信息(例如，水平、范围等)的数值包括可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪音等)引起的公差或误差范围，即使当未具体说明相关描述时。此外，术语“可以”完全涵盖术语“可/可以”的所有含义。

在本说明书中，有机电子元件可以意指在阳极与阴极之间的组件，或者包括阳极、阴极和定位在其间的组件的有机发光二极管。

在本说明书中，有机电子元件可以意指有机电子装置、有机发光二极管和包括其的面板以及包括面板和电路的电子装置中的一者。例如，电子装置包括显示装置、照明装置、太阳能电池、便携式终端或移动终端(例如，智能电话、平板电脑、PDA、电子词典、PMP等)、导航终端、游戏机、各种TV和各种计算机监视器等，但不限于此，并且可以为任何类型的装置，只要包括所述组件即可。

在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施方案。

图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图。

参照图1，根据本公开的实施方案的显示装置100包括：显示面板110，其中布置有复数条数据线DL和复数条栅极线GL，并且布置有由复数条数据线DL和复数条栅极线GL限定的复数个子像素111；用于驱动复数条数据线DL的数据驱动电路DDC(或数据驱动器)；用于驱动复数条栅极线GL的栅极驱动电路GDC(或栅极驱动器)；控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的显示控制器D-CTR等。

显示控制器D-CTR通过向数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC供应各自的控制信号(DCS、GCS)来控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的操作。

显示控制器D-CTR根据在每一帧中处理的时机开始像素扫描，转换从其他装置或其他图像提供源输入的图像数据，以适应数据驱动电路DDC中使用的数据信号形式，然后输出由转换得到的图像数据DATA，并根据扫描在预配置的时间使数据加载到像素中。

显示控制器D-CTR可以实施为相对于数据驱动电路DDC的单独组件，或者可以与数据驱动电路DDC集成，因此显示控制器D-CTR可以实施为集成电路。

数据驱动电路DDC通过向数据线DL提供对应于从显示控制器D-CTR接收的图像数据DATA的数据电压来驱动复数条数据线DL。在此，数据驱动电路DDC有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。

数据驱动电路DDC可以包括待实施的至少一个源极驱动器集成电路SDIC。

各源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器等。

在一些情况下，各源极驱动器集成电路SDIC还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。

栅极驱动电路GDC通过向复数条栅极线GL顺序地提供扫描信号来顺序地驱动复数条栅极线GL。在此，栅极驱动电路GDC有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。

栅极驱动电路GDC可以包括待实施的至少一个栅极驱动器集成电路GDIC。

各栅极驱动器集成电路GDIC可以包括移位寄存器、电平移位器等。

各栅极驱动器集成电路GDIC可以以带载自动封装(TAB)型或玻上芯片(COG)型连接至显示面板110的焊接焊盘，或者可以直接设置在显示面板110上，如以面板内栅极(GIP)型实施的。在一些情况下，栅极驱动器集成电路GDIC可以设置成与显示面板110集成。此外，各栅极驱动器集成电路GDIC可以以膜上芯片(COF)型实施，在所述膜上芯片(COF)型中栅极驱动器集成电路GDIC安装在与显示面板110连接的膜上。

根据显示控制器D-CTR的控制，栅极驱动电路GDC顺序地向复数条栅极线GL提供导通电压或截止电压的扫描信号。

当特定的栅极线由来自栅极驱动电路GDC的扫描信号确定时，数据驱动电路DDC将从显示控制器D-CTR接收的图像数据DATA转换为模拟数据电压，并向复数条数据线DL提供获得的模拟数据电压。

根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路DDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如，上侧或下侧)上，或者在一些情况下，可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如，上侧和下侧)上。

根据驱动方案、面板设计方案等，栅极驱动电路GDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如，左侧或右侧)上，或者在一些情况下，可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如，左侧和右侧)上。

根据本公开的实施方案的显示装置100可以为各种类型的显示装置例如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等中的一者。

在根据本公开的实施方案的显示装置100为有机发光显示装置的情况下，布置在显示面板110中的各子像素111可以包括电路组件，例如作为自发光元件的有机发光二极管(OLED)、用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管等。

各子像素111中包括的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据面板的类型(例如，LCD面板、OLED面板等)、提供的功能、设计方案/特征等而不同。

图2和图3是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图。

参照图2和图3，各子像素111可以包括有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管DRT作为基本电路组件。

参照图2，各子像素111还可以包括：第一晶体管T1，所述第一晶体管T1允许将数据电压VDATA施加至对应于驱动晶体管DRT的栅极节点的第一节点N1；以及存储电容器C1，所述存储电容器C1用于在一帧时间期间保持对应于图像信号电压的数据电压VDATA或对应于其的电压。

有机发光二极管OLED可以包括第一电极221(阳极电极或阴极电极)、有机层222、第二电极223(阴极电极或阳极电极)等。

在一个实施方案中，可以将低电平电压EVSS施加至有机发光二极管OLED的第二电极223。

驱动晶体管DRT通过向有机发光二极管OLED提供驱动电流来使有机发光二极管OLED被驱动。

驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。

驱动晶体管DRT的第一节点N1可以为对应于其栅极节点的节点，并且可以电连接至第一晶体管T1的源极节点或漏极节点。

驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接至有机发光二极管OLED的第一电极221，并且可以为源极节点或漏极节点。

驱动晶体管DRT的第三节点N3可以为作为向其施加驱动电压EVDD的节点的漏极节点或源极节点，并且可以电连接至用于供应驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。

第一晶体管T1可以电连接在数据线DL与驱动晶体管DRT的第一节点N1之间，并且可以由扫描信号SCAN控制，所述扫描信号SCAN通过栅极线提供并施加至第一晶体管T1的栅极节点。

存储电容器C1可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间。

存储电容器C1是有意设计成位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部电容器，例如存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间的寄生电容器(例如，Cgs、Cgd)。

参照图3，设置在根据本实施方案的显示面板上的各子像素111不仅包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DRT、第一晶体管T1和存储电容器C1，而且还包括第二晶体管T2。

第二晶体管T2电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2与供应基准电压VREF的基准电压线RVL之间，并且可以通过接收感测信号SENSE来控制，所述感测信号SENSE是一种到其栅极节点的扫描信号。

通过进一步包括上述第二晶体管T2，可以有效地控制子像素111中的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压状态。

第二晶体管T2被感测信号SENSE导通以将通过基准电压线RVL供应的基准电压VREF施加至驱动晶体管DRT的第二节点N2。

同时，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以为分开的栅极信号。在这种情况下，可以通过不同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE分别施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。

在一些情况下，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以为相同的栅极信号。在这种情况下，可以通过相同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE共同施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。

图4是根据实施方案的有机电子元件的截面图。

参照图4，根据实施方案的有机电子元件220包括第一电极221和第二电极223、定位在其间的有机层222。

第一电极221可以为阳极，第二电极223可以为阴极。在倒置型的情况下，第一电极221可以为阴极，第二电极223可以为阳极。

例如，第一电极221可以为透明电极，第二电极223可以为反射电极。在另一个实例中，第一电极221可以为反射电极，第二电极223可以为透明电极。

有机层222可以包括复数个层，其位于第一电极221与第二电极223之间并且包含有机材料。

有机层包括发光层222b和第一层222a。

有机电子元件220可以为包括复数个堆叠体的串联有机电子元件，所述堆叠体各自包括发光层222b。复数个发光层可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。

发光层222b是这样的层：其中通过电子和空穴的复合产生的能量作为光发射，并且可以包含例如主体材料和掺杂剂。

第一层222a可以定位在发光层222b与第一电极221之间。在该实例中，第一电极221可以为阳极电极，第一层222a可以为空穴传输层或空穴注入层。当第一层222a定位在发光层222b与第一电极221之间时，有机电子元件可以具有高效率或长寿命。

第一层222a包含第一化合物、第二化合物和第三化合物。第一层222a可以为包含第一化合物、第二化合物和第三化合物的一个层，或者可以由各自包含第一化合物、第二化合物和第三化合物中的一者或更多者的复数个层构成。例如，第一层222a可以包括包含第一化合物的第一化合物层、包含第二化合物的第二化合物层和包含第三化合物的第三化合物层。在图4中，第一层222a示出为一个层，但是实施方案的第一层222a不限于单层结构。

虽然未在图4中示出，但是有机电子元件220还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一者。

第一化合物是HOMO(最高占据分子轨道)能级为-5.5eV至-5.0eV的化合物。当第一化合物的HOMO能级满足以上范围时，包含其的第一层可以具有优异的空穴注入特性和电荷控制能力。

有机电子元件中包含的第二化合物和第三化合物满足以下通式1。

[通式1]

0.1eV≤L₃-L₂≤0.5eV

在通式1中，L₃为第三化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。L₂为第二化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。

通式1中限定的L₃-L₂的下限可以为0.1eV或更大、或者0.2eV或更大。

通式1中限定的L₃-L₂的上限可以为0.5eV或更小、或者0.4eV或更小。

如果第二化合物和第三化合物满足通式1，则包含它们的第一层可以具有优异的空穴注入特性和电荷控制能力。

第二化合物的LUMO能级可以为-4.0eV或更小。第二化合物的LUMO能级的上限可以为例如-4.5eV或更小、或者-5.0eV或更小。第二化合物的LUMO能级的下限可以为例如-6.0eV或更大、或者-5.5eV或更大。

当第二化合物的LUMO能级满足以上范围时，第一层具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

第三化合物的LUMO能级可以为-4.0eV或更小。第三化合物的LUMO能级的上限可以为例如-4.5eV或更小。第三化合物的LUMO能级的下限可以为例如-6.0eV或更大、或者-5.5eV或更大。

当第三化合物的LUMO能级满足以上范围时，第一层具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

第三化合物的LUMO能级可以大于第一化合物的HOMO能级。当第三化合物的LUMO能级和第一化合物的HOMO能级满足以上关系时，第一层具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

有机电子元件中包含的第一化合物和第三化合物满足以下通式2。

[通式2]

2.0eV≤L₁-L₃≤3.0eV

在通式2中，L₁为第一化合物的LUMO能级。

通式2中限定的L₁-L₃的下限可以为2.2eV或更大、或者2.4eV或更大。通式2中限定的L₁-L₃的上限可以为2.8eV或更小、或者2.7eV或更小。

如果第一化合物和第三化合物满足通式2，则包含它们的第一层可以具有优异的空穴注入特性和电荷控制能力。

有机电子元件中包含的第一化合物和第三化合物满足以下通式3。

[通式3]

0.2eV≤L₃-H₁≤1.0eV

在通式3中，H₁为第一化合物的HOMO能级。

通式3中限定的L₃-H₁的下限可以为0.3eV或更大、或者0.35eV或更大。通式3中限定的L₃-H₁的上限可以为0.8eV或更小、或者0.6eV或更小。

如果第一化合物和第三化合物满足通式3，则包含它们的第一层可以具有优异的空穴注入特性和电荷控制能力。

第一化合物可以为满足上述能级的材料，并且可以为例如基于叔胺的材料。

基于叔胺的材料为例如N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)、NPD(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺)、MTDATA、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)、CuPC、TCTA、三(三氟乙烯基醚)-三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TFV-TCTA)、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、三-对甲苯基胺、N-[1,1’-联苯基]-4-基-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)和/或1,1-双(4-(N,N’-二(对甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)等。在另一个实例中，第一化合物可以为NPD。

第二化合物可以为满足上述能级的材料，并且可以为例如基于氰基烃的材料。

基于氰基烃的材料可以为例如衍生自四氰基醌二甲烷的化合物，并且可以为四氟-四氰基醌二甲烷。

第三化合物可以为满足上述能级的材料，并且可以为例如基于引达省的材料。

基于引达省的材料可以为例如以下化合物中的一者或更多者。

第一层222a可以包含第一化合物作为主体化合物。因此，第一层222a包含第二化合物和第三化合物，其中根据第一化合物、第二化合物和第三化合物的总重量，第二化合物的重量和第三化合物的重量之和可以为0.1重量％至50重量％。

此外，第一层222a中包含的第一化合物可以为主体化合物，第二化合物和第三化合物可以为掺杂剂。由于第一层222a包含上述第一化合物作为主体，并且包含第二化合物和第三化合物作为掺杂剂，因此第一层222a具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

第一层222a中包含的第二化合物的重量(A)与第三化合物的重量(B)的比例(A:B)可以为(1:99)至(99:1)。当第二化合物和第三化合物满足以上比例时，第一层具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

第一层222a的厚度没有特别限制，但是可以为例如至/>当第一层222a的厚度满足以上范围时，第一层222a具有优异的空穴传输特性和优异的电荷控制特性，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。

根据本发明的实施方案的有机电子元件的有机层可以包括两个或更多个发光层。

图5是根据实施方案的有机电子元件的截面图。

参照图5，根据实施方案的有机电子元件320包括第一电极321和第二电极323、定位在其间的有机层322。

有机层322包括发光层322b和第一层322a。

有机层322可以包括两个或更多个发光层322b。发光层322b可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。

第一层322a可以定位在第一电极321与邻近第一电极321的发光层322b之间。邻近第一电极321的发光层322b意指复数个发光层322b中的最靠近第一电极321的发光层322b。在该实例中，第一电极321可以为阳极电极，第一层322a可以为空穴传输层或空穴注入层。由于第一层322a如上所述定位，因此有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。

第一层322a可以定位在复数个发光层322b之间。因此，有机电子元件320的有机层322可以包括至少一个第一层322a。当第一层322a为复数个时，第一层322a中的每一者可以由相同材料制成，或者可以由不同材料制成。

当第一层322a定位在复数个发光层322b之间时，第一层322a可以为电荷生成层，并且特别是P型电荷生成层。当有机电子元件320包括电荷生成层时，电荷生成层可以包括N型电荷生成层和作为P型电荷生成层的第一层322a。

第一层322a可以定位在第一电极321与邻近其的发光层322b之间以及定位在发光层322b之间。在该实例中，第一电极321可以为阳极电极，如上所述定位的第一层322a可以为空穴注入层或空穴传输层。

当第一层322a为复数个层时，第一层322a中的每一者包含第一化合物、第二化合物和第三化合物。此外，各第一层中包含的第一化合物可以彼此不同或相同，第二化合物和第三化合物也彼此不同或相同。

当包括复数个第一层322a时，一个第一层322a中包含的第一化合物、第二化合物和第三化合物具有与上图4所示的实施方案中描述的相同的能级。因此，第一层322a中的每一者可以具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力。

在图5中，第一层322a定位在第一电极321与发光层322b之间以及定位在发光层322b之间，但是实施方案不限于此。实施方案可以仅包括一个第一层322a。

图6是根据实施方案的有机电子元件的截面图。

参照图6，根据实施方案的有机电子元件420包括第一电极421和第二电极423、定位在其间的有机层422。

有机层422包括发光层422b和第一层422a。

有机电子元件420可以包括两个或更多个发光层422b。在图6中，作为一个实例，有机层422可以包括三个发光层422b。发光层422b可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。

即使包括三个发光层422b，第一层422a的位置也参照图5与第一层322a的位置相似。

在图6中，第一层422a定位在第一电极421与发光层422b之间以及定位在发光层422b之间，但是实施方案不限于此。本发明的实施方案可以仅包括一个第一层422a。

当包括复数个第一层422a时，一个第一层422a中包含的第一化合物、第二化合物和第三化合物具有与上图4所示的实施方案中描述的相同的能级。因此，第一层422a中的每一者可以具有优异的空穴传输特性和电荷控制能力。

在本发明的实施方案中，还包括这样的有机电子元件：其包括四个或更多个发光层，并且本领域技术人员可以参照图4至图6理解在这种情况下的第一电极、有机层和第二电极的结构和位置。

根据使用的材料，根据实施方案的有机电子元件220、320和420可以为前发射型、后发射型或双侧发射型。

此外，虽然未在图4至图6中示出，但是除了第一层222a、322a和422a以及发光层222b、322b和422b之外，有机层222、322和422还可以包括另外的层。例如，有机层222、322和422中可以包括可以通常应用在有机电子元件的领域中的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和电荷生成层。

本发明的另一些实施方案可以提供显示面板110。

显示面板110包括子像素111，所述子像素111包括前述有机电子元件220、320和420。

在根据本实施方案的显示面板110中，由于有机电子元件220、320和420与根据上述实施方案的有机电子元件220、320和420相同，因此将省略其详细描述。

此外，由于以上已描述了根据实施方案的显示面板110和子像素111，因此将省略其详细描述。

本发明的另一些实施方案可以提供显示装置100。

显示装置100包括上述显示面板110和用于驱动上述显示面板110的驱动电路。

在根据本实施方案的显示装置100中，显示面板110与根据上述实施方案的显示面板110相同，因此将省略其描述。

此外，由于以上已描述了用于驱动根据实施方案的显示面板的驱动电路，因此将省略其描述。

在下文中，将参照实施方案具体描述制造根据实施方案的有机电子元件的实施例，但是实施方案不限于以下实施例。

有机电子元件的制造和评估

实施方案1

在将涂覆有厚度为的ITO(氧化铟锡)的玻璃基板洗涤之后，将基板用溶剂例如异丙醇、丙酮或甲醇洗涤并干燥。

在准备的ITO透明电极上，通过将空穴注入材料(HI-01)热真空沉积至10nm的厚度来形成空穴注入层，然后将空穴传输材料(HT1)热真空沉积至80nm的厚度以形成空穴传输层。此后，将BH-1和BD-1(以5％掺杂)分别用作主体和掺杂剂材料，并热真空沉积至30nm的厚度以形成第一发光层。

随后，将电子传输材料ET2热真空沉积至10nm的厚度以形成电子传输层，将N型电荷生成材料NC1热真空沉积至20nm的厚度以形成N型电荷生成层。随后，使用PH1作为第一化合物、掺杂5％的PD1作为第二化合物、掺杂5％的CCM1作为第三化合物，将第一层热真空沉积至25nm的厚度。

随后，将作为空穴传输材料的HT1热真空沉积至5nm的厚度，然后以5:5的比例将作为主体材料的PhHA和PhHB热真空沉积，然后掺杂20％PhD2作为掺杂剂。

随后，将作为电子传输层材料的ET1化合物热真空沉积至20nm的厚度，然后将LiF和Al热真空沉积至4nm和100nm的厚度以形成阴极，从而制造有机电子元件。

以下化合物是在上述有机电子元件的制造中使用的化合物。

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实施方案2

在上述实施方案1中，以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用以下CCM2作为第三化合物代替CCM1。

比较例1

以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用以上HI-01作为第三化合物代替CCM1。

表1示出了在实施方案和比较例中使用的一些化合物的HOMO能级和LUMO能级。

[表1]

表2示出了实施方案和比较例中的制造的有机电子元件的性能。

[表2]

如从表2的结果可以看出，与比较例1的有机电子元件相比，由于根据实施方案1和2的有机电子元件包括包含第一化合物、第二化合物和第三化合物的第一层，因此其可以具有优异的效率或寿命。

本公开中公开了如下技术方案：

1.一种有机电子元件，包括：

第一电极；

第二电极；以及

有机层，所述有机层定位在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括第一层和发光层，

其中所述第一层包含第一化合物、第二化合物和第三化合物，以及

所述第一化合物是HOMO能级为-5.5eV至-5.0eV的化合物，

所述有机电子元件满足以下通式1：

[通式1]

0.1eV≤L₃-L₂≤0.5eV

在通式1中，L₃为所述第三化合物的LUMO能级，以及L₂为所述第二化合物的LUMO能级。

2.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第二化合物和所述第三化合物的LUMO能级分别为-4.0eV或更小。

3.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第三化合物的LUMO能级大于所述第一化合物的HOMO能级。

4.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机电子元件中包含的所述第一化合物和所述第三化合物满足以下通式2：

[通式2]

2.0eV≤L₁-L₃≤3.0eV

在通式2中，L₁为所述第一化合物的LUMO能级。

5.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机电子元件中包含的所述第一化合物和所述第三化合物满足以下通式3：

[通式3]

0.2eV≤L₃-H₁≤1.0eV

在通式3中，H₁为所述第一化合物的HOMO能级。

6.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一层定位在所述第一电极与所述发光层之间。

7.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个发光层，以及所述第一层定位在所述第一电极与所述发光层之间。

8.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个发光层，以及所述第一层定位在所述发光层之间。

9.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一化合物为基于叔胺的材料。

10.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第二化合物为基于氰基烃的材料。

11.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第三化合物为基于引达省的材料。

12.根据项1所述的有机电子元件，其中根据所述第一化合物、所述第二化合物和所述第三化合物的总重量，所述第二化合物的重量和所述第三化合物的重量之和为0.1重量％至50重量％。

13.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一层中包含的所述第二化合物的重量与所述第三化合物的重量的比例为1:99至99:1。

14.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据项1至13中任一项所述的有机电子元件。

15.一种显示装置，包括：

根据项14所述的显示面板；以及

用于驱动所述显示面板的驱动电路。

已呈现了以上描述以使本领域任何技术人员能够获得和使用本发明的技术构思，并且已在特定应用及其要求的上下文中提供了以上描述。对所描述的实施方案的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以将本文中限定的一般原理应用于其他实施方案和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术构思的实例。即，所公开的实施方案旨在说明本发明的技术构思的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方案，而是应给予与权利要求一致的最宽范围。本发明的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同方案的范围内的所有技术构思都应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种有机电子元件，包括：

第一电极；

第二电极；以及

有机层，所述有机层定位在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括第一层和发光层，

其中所述第一层包含第一化合物、第二化合物和第三化合物，以及

所述第一化合物是HOMO能级为-5.5eV至-5.0eV的化合物，

所述有机电子元件满足以下通式1：

[通式1]

0.1eV≤L₃-L₂≤0.5eV

在通式1中，L₃为所述第三化合物的LUMO能级，以及L₂为所述第二化合物的LUMO能级，

其中所述第一化合物选自N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺、MTDATA、1,3-双(N-咔唑基)苯、CuPC、TCTA、三(三氟乙烯基醚)-三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、三-对甲苯基胺、N-[1,1’-联苯基]-4-基-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯和1,1-双(4-(N,N’-二(对甲苯基)氨基)苯基)环己烷，

所述第二化合物为四氟-四氰基醌二甲烷，以及

所述第三化合物为以下化合物中的一者或更多者：

2.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第二化合物和所述第三化合物的LUMO能级分别为-4.0eV或更小。

3.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第三化合物的LUMO能级大于所述第一化合物的HOMO能级。

4.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机电子元件中包含的所述第一化合物和所述第三化合物满足以下通式2：

[通式2]

2.0eV≤L₁-L₃≤3.0eV

在通式2中，L₁为所述第一化合物的LUMO能级。

5.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机电子元件中包含的所述第一化合物和所述第三化合物满足以下通式3：

[通式3]

0.2eV≤L₃-H₁≤1.0eV

在通式3中，H₁为所述第一化合物的HOMO能级。

6.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第一层定位在所述第一电极与所述发光层之间。

7.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个发光层，以及所述第一层定位在所述第一电极与所述发光层之间。

8.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个发光层，以及所述第一层定位在所述发光层之间。

9.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中根据所述第一化合物、所述第二化合物和所述第三化合物的总重量，所述第二化合物的重量和所述第三化合物的重量之和为0.1重量％至50重量％。

10.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第一层中包含的所述第二化合物的重量与所述第三化合物的重量的比例为1:99至99:1。

11.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据权利要求1至10中任一项所述的有机电子元件。

12.一种显示装置，包括：

根据权利要求11所述的显示面板；以及

用于驱动所述显示面板的驱动电路。