CN113130801B - 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了有机电子元件、包括该有机电子元件的显示面板和显示装置，该有机电子元件包括电荷生成层，该电荷生成层包括包含第一化合物和第二化合物的第一层以及包含第三化合物的第二层，使得其可以具有优异的效率或寿命。

Description

有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180017号的优先权，出于所有目的，其通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
实施方案涉及有机电子元件、包括该有机电子元件的显示面板和显示装置。
背景技术
通常，有机发光现象是指通过有机材料将电能转换为光能的现象。有机电子元件是指利用有机发光现象的电子元件。
利用有机发光现象的有机电子元件可以应用于显示装置。由于便携式显示装置由作为有限的电源的电池驱动，因此用于便携式显示装置的有机电子元件需要优异的发光效率。此外，由于应该在电子装置的使用期间正常显示图像，所以还可能需要有机电子元件的长寿命。
为了改善有机电子元件中的效率、寿命和驱动电压，已经对有机电子元件中包含的有机材料进行了研究。
发明内容
根据本发明的一个方面的实施方案可以提供具有高效率或长寿命的有机电子元件。
根据本发明的一个方面的实施方案可以通过包括上述有机电子元件来提供具有高效率或长寿命的显示面板。
此外，根据本发明的一个方面的实施方案可以通过包括上述显示面板来提供具有高效率或长寿命的显示装置。
根据一个方面，实施方案可以提供有机电子元件，该有机电子元件包括第一电极、第二电极和有机层。
有机层定位在第一电极与第二电极之间。
有机层包括：包括第一发光层的第一堆叠体、包括第二发光层的第二堆叠体；以及定位在第一堆叠体与第二堆叠体之间电荷生成层。
电荷生成层包括第一层和第二层。
第一层包含第一化合物和第二化合物。
第一化合物由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示。
[化学式1]
[化学式2]
第二化合物由以下化学式3表示。
[化学式3]
第二层包含由以下化学式4表示的第三化合物。
[化学式4]
根据另一个方面，实施方案可以提供包括子像素的显示面板，子像素包括该有机电子元件。
根据另一个方面，实施方案可以提供显示装置，显示装置包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动电路。
根据实施方案，可以提供具有高发光效率和长寿命的有机电气装置。
根据实施方案，可以提供包括具有高发光效率和长寿命的有机电气装置的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
附图说明
本公开内容的以上及其他目的、特征和优点将从以下结合附图的详细描述中更清楚地理解，在附图中：
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图；
图2是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图；以及
图3是根据实施方案的有机电气装置的示意性截面图。
具体实施方式
在以下本发明的示例或实施方案的描述中，将参照附图，其中通过图示的方式示出了可以实现的特定示例或实施方案，并且其中相同的附图标记即使当在彼此不同的附图中示出时，也可以用于指定相同或相似的组件。此外，在以下本发明的示例或实施方案的描述中，当确定本文并入的公知功能和组件的详细描述可能使本发明的一些实施方案中的主题有些不清楚时，将省略该详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……组成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式旨在包括复数形式。
在此可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本发明的要素。这些术语中的每一个并不用于限定要素的本质、次序、顺序或数量等，而仅用于将相应的要素与其他要素区分开。
当提到第一元件“连接或联接至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，应当解释为，不仅第一元件可以“直接连接或联接至”第二元件或者与第二元件“直接接触或交叠”，而且第三元件也可以“插入”到第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或联接”、“接触或交叠”等。在此，第二元件可以包括在彼此“连接或联接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个中。
当使用时间相关术语例如“在……之后”、“继……之后”、“接下来”、“在……之前”等来描述要素或配置的过程或操作、或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作，除非同时使用术语“立即”或“立刻”。
此外，当提及任何尺寸、相对尺寸等时，应考虑要素或特征或相应信息(例如，水平、范围等)的数值包括可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪音等)引起的公差或误差范围，即使当未具体说明相关描述时。此外，术语“可以”完全涵盖术语“能够”的所有含义。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“卤”或“卤素”是指氟(F)、溴(Br)、氯(Cl)或碘(I)。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“烷基”是指其中具有单键的1至60个碳原子的饱和脂族官能团，包括直链烷基、支链烷基、环烷基(脂环族)基团、烷基取代的环烷基和环烷基取代的烷基。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“卤代烷基”或“卤素烷基”意指卤素取代的烷基。
如本文所使用的术语“杂烷基”意指构成烷基的碳原子中的至少一个已用杂原子替代。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“烯基”和“炔基”分别是指其中具有双键和三键的2至60个碳原子的直链或支链，但不限于此。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“环烷基”是指形成具有3至60个碳原子的环的烷基，但不限于此。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“烷氧基”或“烷基氧基”意指具有与其连接的氧基团的1至60个碳原子的烷基，但不限于此。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“烯氧基”或“烯基氧基”意指具有与其连接的氧基团的2至60个碳原子的烯基，但不限于此。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“芳氧基”或“芳基氧基”意指具有与其连接的氧基团的6至60个碳原子的芳基，但不限于此。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“芳基”和“亚芳基”各自是指具有6至60个碳原子的芳基和亚芳基，但不限于此。在本公开内容中，芳基或亚芳基意指单个芳族环或多个芳族环，包括当相邻的取代基参与键合或反应时形成的芳族环。例如，芳基可以是苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、芴基、螺芴基或螺二芴基。
前缀“芳基”或“芳(ar)”意指经芳基取代的基团。例如，芳基烷基是经芳基取代的烷基，芳基烯基是经芳基取代的烯基。就这一点而言，经芳基取代的基团具有本文所述的碳原子数。
此外，当前缀连续命名时，这意指取代基以首先描述的次序列出。举例来说，芳基烷氧基意指经芳基取代的烷氧基，烷氧基羰基意指经烷氧基取代的羰基，以及芳基羰基烯基意指经芳基羰基取代的烯基，其中芳基羰基是经芳基取代的羰基。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“杂烷基”意指带有一个或更多个杂原子的烷基。如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“杂芳基”和“亚杂芳基”分别是指其中带有一个或更多个杂原子的2至60个碳原子的芳基和亚芳基，但不限于此。其可以包括单环和多环中的至少一者，并且可以通过使相邻的官能团结合而形成。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“杂环基”是指带有一个或更多个杂原子作为其环成员的2至60个碳原子的杂脂族环和杂芳族环中的至少一者，其可以为单环或多环的，并且可以在相邻的官能团彼此结合时形成。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“杂原子”是指N、O、S、P或Si。
“杂环基”还可以包括包含SO2代替碳原子作为环成员的环。例如，“杂环基”包括以下化合物。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“脂族”意指1至60个碳原子的脂族烃，并且“脂族环”意指3至60个碳原子的脂族烃环。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“环”是指3至60个碳原子的脂族环、6至60个碳原子的芳族环、2至60个碳原子的杂环、或由其组合组成的稠环，无论其是饱和的还是不饱和的。
除上述杂化合物以外的其他杂化合物或杂基团包含但不限于一个或更多个杂原子。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“羰基”由-COR'表示，其中R'为氢、1至20个碳原子的烷基、6至30个碳原子的芳基、3至30个碳原子的环烷基、2至20个碳原子的烯基、2至20个碳原子的炔基或其组合。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“醚”由-R-O-R'表示，其中R和R'各自独立地为1至20个碳原子的烷基、6至30个碳原子的芳基、3至30个碳原子的环烷基、2至20个碳原子的烯基、2至20个碳原子的炔基或其组合。
此外，除非另有明确说明，否则表述“经取代或未经取代的”中的术语“经取代的”意指具有选自以下但不限于以下的至少一个取代基：氘、卤素、氨基、腈基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷基胺基、C1-C20烷基噻吩基、C6-C20芳基噻吩基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基、氘取代的C6-C20芳基、C8-C20芳基烯基、硅烷基、硼基、锗基和C2-C20杂环。
此外，除非另有说明，否则本发明中使用的化学式如以下化学式中对取代基的指数部分所限定：
其中，
当a为整数0时，取代基R1不存在，
当a为整数1时，一个取代基R1与苯环的构成碳原子中的任一个键合，
当a为2或3的整数时，取代基R1可以相同或不同，各自如以下表示的键合，并且
当a为4至6的整数时，取代基R1以相同的方式与苯环的构成碳原子键合
同时未显示与苯环的构成碳原子键合的氢：
在本说明书中，通过使取代基彼此结合而形成环意指相邻基团彼此结合以形成单环或单个环、聚集的环或共轭的多环，并且单环、聚集的环和形成的共轭多环可以包括包含至少一个杂原子的杂环，并且可以包括芳族环和非芳族环。
在本说明书中，有机电子元件可以意指在阳极与阴极之间的组件，或者包括阳极、阴极和定位在其间的组件的有机发光二极管。
在本说明书中，有机电子元件可以意指有机电气装置、包括该有机电气装置的有机发光二极管和面板以及包括面板和电路的电子装置中的一种。例如，电子装置包括显示装置、照明装置、太阳能电池、便携式终端或移动终端(例如，智能电话、平板电脑、PDA、电子词典、PMP等)、导航终端、游戏机、各种电视和各种计算机监视器等，但不限于此，并且可以是任何类型的装置，只要包括所述组件即可。
在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方案。
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图。
参照图1，根据本公开内容的实施方案的显示装置100包括：显示面板110，其中布置了多条数据线DL和多条栅极线GL，并且布置了由多条数据线DL和多条栅极线GL限定的多个子像素111；用于驱动多条数据线DL的数据驱动电路DDC(或数据驱动器)；用于驱动多条栅极线GL的栅极驱动电路GDC(或栅极驱动器)；控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的控制器D-CTR等。
控制器D-CTR通过向数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC提供各自的控制信号(DCS、GCS)来控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的操作。
控制器D-CTR根据在每一帧中处理的时序开始像素扫描，转换从其他装置或其他图像提供源输入的图像数据，以适应数据驱动电路DDC中使用的数据信号形式，然后输出由转换得到的图像数据DATA，并根据扫描在预配置的时间处使数据加载到像素中。
控制器D-CTR可以实现为与数据驱动电路DDC分离的组件，或者可以与数据驱动电路DDC集成，因此控制器D-CTR可以实现为集成电路。
数据驱动电路DDC通过向数据线DL提供与从控制器D-CTR接收的图像数据DATA相对应的数据电压来驱动多条数据线DL。在此，数据驱动电路DDC有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。
数据驱动电路DDC可以包括待实现的至少一个源极驱动器集成电路SDIC。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器等。
在一些情况下，每个源极驱动器集成电路SDIC还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。
栅极驱动电路GDC通过向多条栅极线GL顺序地提供扫描信号来顺序地驱动多条栅极线GL。在此，栅极驱动电路GDC有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。
栅极驱动电路GDC可以包括待实现的至少一个栅极驱动器集成电路GDIC。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以包括移位寄存器、电平移位器等。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以带式自动焊接(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至显示面板110的焊接焊盘，或者可以如以面板内栅极(GIP)类型实现的直接设置在显示面板110上。在一些情况下，栅极驱动器集成电路GDIC可以设置成与显示面板110集成。此外，每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以膜上芯片(COF)类型实现，在所述膜上芯片(COF)类型中栅极驱动器集成电路GDIC安装在与显示面板110连接的膜上。
根据控制器D-CTR的控制，栅极驱动电路GDC顺序地将导通电压或截止电压的扫描信号提供给多条栅极线GL。
当特定的栅极线由来自栅极驱动电路GDC的扫描信号确定时，数据驱动电路DDC将从控制器D-CTR接收的图像数据DATA转换为模拟数据电压，并将获得的模拟数据电压提供给多条数据线DL。
数据驱动电路DDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如，上侧或下侧)上，或者在一些情况下，可以根据驱动方案、面板设计方案等位于但不限于显示面板110的两侧(例如，上侧和下侧)上。
栅极驱动电路GDC可以位于但不限于面板110的仅一侧(例如，左侧或右侧)上，或者在一些情况下，可以根据驱动方案、面板设计方案等位于但不限于显示面板110的两侧(例如，左侧和右侧)上。
根据本公开内容的实施方案的显示装置100可以是各种类型的显示装置例如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子显示装置等之一。
在根据本公开内容的实施方案的显示装置100是有机发光显示装置的情况下，布置在显示面板110中的每个子像素111可以包括电路组件，例如作为自发光元件的有机发光二极管(OLED)、用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管等。
每个子像素111中包括的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据面板的类型(例如，LCD面板、OLED面板等)、提供的功能、设计方案/特征等而不同。
图2是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图。
参照图2，每个子像素111可以包括有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管DRT作为基本电路组件。
参照图2，每个子像素111还可以包括：第一晶体管T1，所述第一晶体管T1允许将数据电压VDATA施加至与驱动晶体管DRT的栅极节点相对应的第一节点N1；以及存储电容器C1，所述存储电容器C1用于在一帧时间期间保持与图像信号电压相对应的数据电压VDATA或与其相对应的电压。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极221(阳极电极或阴极电极)、发光层222、第二电极223(阴极电极或阳极电极)等。
在一个实施方案中，可以将低电平电压EVSS施加至有机发光二极管OLED的第二电极223。
驱动晶体管DRT通过向有机发光二极管OLED提供驱动电流来使有机发光二极管OLED被驱动。
驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是与其栅极节点相对应的节点，并且可以电连接至第一晶体管T1的源节点或漏节点。
驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接至有机发光二极管OLED的第一电极221，并且可以是源节点或漏节点。
驱动晶体管DRT的第三节点N3可以是作为向其施加驱动电压EVDD的节点的漏节点或源节点，并且可以电连接至用于提供驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
第一晶体管T1可以电连接在数据线DL与驱动晶体管DRT的第一节点N1之间，并且可以由扫描信号SCAN控制，该扫描信号SCAN通过栅极线提供并施加至第一晶体管T1的栅极节点。
存储电容器C1可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间。
存储电容器C1是有意设计成位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部存储器，例如存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间的寄生电容器(例如，Cgs、Cgd)。
图3是根据实施方案的显示装置的截面图。
参照图3，根据实施方案的有机电子元件320包括第一电极321和第二电极323、定位在其间的有机层322。
第一电极321可以是阳极并且第二电极323可以是阴极。在倒置型的情况下，第一电极321可以是阴极并且第二电极323可以是阳极。
例如，第一电极321可以是透明电极，并且第二电极323可以是反射电极。在另一个实例中，第一电极321可以是反射电极，并且第二电极323可以是透明电极。
有机层322可以包括位于第一电极321与第二电极323之间并且包含有机材料的复数个层。
有机层322包括第一堆叠体324、第二堆叠体325以及定位在第一堆叠体324与第二堆叠体325之间的电荷生成层326。
有机电子元件320可以是包括复数个堆叠体的串联有机电子元件，每个堆叠体包括发光层。复数个发光层可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。
第一堆发光叠体324包括第一发光层324a。第一发光层324a可以包含例如主体材料和掺杂剂。
第一堆叠体324还可以包括第一空穴传输层324b和第一电子传输层324c。
第一空穴传输层324b可以定位在第一发光层324a与作为阳极电极的第一电极321和第二电极323之一之间。第一电子传输层324c可以定位在第一发光层324a与作为阴极电极的第一电极321和第二电极323之一之间。例如，当第一电极321是阳极电极并且第二电极323是阴极电极时，第一空穴传输层324b可以定位在第一电极321上，第一发光层324a可以定位在第一空穴传输层324b上，并且第一电子传输层324c可以定位在第一发光层324a上。
第二堆叠体325包括第二发光层325a。第二发光层325a可以包含例如主体材料和掺杂剂。
第二堆叠体325还可以包括第二空穴传输层325b和第二电子传输层325c。
第二空穴传输层325b可以定位在第二发光层325a与作为阳极电极的第一电极321和第二电极323之一之间。第二电子传输层325c可以定位在第二发光层325a与作为阴极电极的第一电极321和第二电极323之一之间。例如，当第一电极321是阳极电极并且第二电极323是阴极电极时，第二空穴传输层325b可以定位在第一电极321上，第二发光层325a可以定位在第二空穴传输层325b上，并且第二电子传输层325c可以定位在第二发光层325a上。
由于如上所述构造了第一堆叠体324和第二堆叠体325，因此从第一电极321和第二电极323传送的空穴和电子在第一发光层324a和第二发光层325a中彼此重新结合，使得可以通过重新组合第一发光层324a和第二发光层325a来发光。
电荷生成层326在复数个发光层之间形成以顺利地分配电荷，使得可以提高发光层的电流效率。因此，电荷生成层326定位在包括第一发光层324a的第一堆叠体324和包括第二发光层325a的第二堆叠体325之间。
电荷生成层326可以包括p型电荷生成层和n型电荷生成层以顺利地分配电荷。例如，第一层326a可以是p型电荷生成层，第二层326b可以是n型电荷生成层。当第一电极321是阳极电极并且第二电极323是阴极电极时，p型电荷生成层可以位于阴极电极侧上，而n型电荷生成层可以位于阳极侧上。例如，第一层326a可以定位在第二层326b与作为阴极电极的第二电极323之间。
虽然图3示出了包括两个堆叠体的串联有机电子元件，但是实施方案不限于包括两个堆叠体的串联有机电子元件，并且包括包含两个或更多个堆叠体的串联有机电子元件。当有机电子元件320还包括堆叠体时，电荷生成层还可以定位在另外包括的堆叠体与相邻的第一堆叠体324和第二堆叠体325之一之间。
有机电子元件320可以包括空穴注入层327。空穴注入层327可以定位在作为阳极电极的第一电极321与第一发光层324a之间。例如，空穴注入层327可以定位在作为阳极电极的第一电极321与第一空穴传输层324b之间。
虽然在图3中未示出，但是有机电子元件320还可以包括电子注入层。例如，电子注入层可以定位在作为阴极电极的第二电极323与第二电子传输层325c之间。
在另一个实例中，第一堆叠体324和第二堆叠体325中的每一个还可以包括空穴注入层和电子注入层中的一者或更多者。在每个堆叠体内，空穴注入层可以位于发光层与阳极电极之间，并且电子注入层可以位于发光层与阴极电极之间。
第一层326a包含第一化合物。第一空穴传输层324b可以包含第一化合物，并且第二空穴传输层325b也可以包含第一化合物。此外，空穴注入层也可以包含第一化合物。各层中包含的第一化合物可以彼此相同或者可以彼此不同，只要满足稍后描述的第一化合物的要求即可。
第一化合物由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示。
[化学式1]
[化学式2]
在下文中，将描述化学式1和化学式2。
R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基。
当R1至R6为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
A1至A4可以相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
在化学式1和化学式2的R1至R6和A1至A4中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当第一化合物由化学式1和化学式2中的一者或更多者表示时，例如，第一层包含一种由化学式1表示的化合物(A)和一种由化学式2表示的化合物(B)，其意指所有两种化合物(A、B)均包括在第一化合物中。
第一层326a包含第二化合物。第二化合物由以下化学式3表示。
[化学式3]
在下文中，将描述化学式3。
R1和R2可以相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C60烷基。
当R1和R2为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
L为选自以下中的一者：C6-C60亚芳基；亚芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基。
当L为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
在化学式3的R1、R2和L中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、亚芳基、亚芴基、C2-C60二价杂环基和二价稠环基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
第二层326b包含第三化合物。第三化合物可以由以下化学式4表示。
[化学式4]
在下文中，将描述化学式4。
R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基。
当R1至R6为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
当R1至R6为包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的杂环基时，其可以各自独立地为C6-C60杂环基、C6-C50杂环基或C6-C40杂环基。
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当Ar1和Ar2为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C50芳基或C6-C40芳基。
当Ar1和Ar2为包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的杂环基时，其可以各自独立地为C6-C60杂环基、C6-C50杂环基或C6-C40杂环基。
L为选自以下中的一者：C6-C60亚芳基；亚芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基。
在化学式4的R1至R6、Ar1、Ar2和L中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、烷基芳基甲硅烷基、亚芳基、亚芴基、二价杂环基、二价稠环基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
由于有机电子元件320包括包含第一化合物和第二化合物的第一层326a以及包含第三化合物的第二层326b，所以其可以具有高效率或长寿命。
第一化合物由以下化学式5和化学式6中的一者或更多者表示。
[化学式5]
[化学式6]
在下文中，将描述化学式5和化学式6。
n和m各自独立地为0至5的整数，
R7至R8可以相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氘；氚；卤素；氰基；C1-C50烷基；和C1-C30烷氧基。
当R7和R8为烷氧基时，其可以为例如C1-C30烷氧基、C1-C20烷氧基或C1-C10烷氧基。
在化学式5和化学式6的R7和R8中，烷基和烷氧基可以各自进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
当第一化合物由化学式5和化学式6中的一者或更多者表示时，例如，第一层包含一种由化学式5表示的化合物(C)和一种由化学式6表示的化合物(D)，其意指所有两种化合物(C、D)均包括在第一化合物中。
当第一层326a包含由以上化学式5和6中的一者或更多者表示的第一化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第一化合物由以下化学式7和化学式8中的一者或更多者表示。
[化学式7]
[化学式8]
将描述化学式7和化学式8。
R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基。
当R1至R6为芳基时，其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
在化学式7和化学式8的R1至R6中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当第一化合物由化学式7和化学式8中的一者或更多者表示时，例如，第一层包含一种由化学式7表示的化合物(E)和一种由化学式8表示的化合物(F)，其意指所有两种化合物(E、F)均包括在第一化合物中。
当第一层326a包含由以上化学式7和8中的一者或更多者表示的第一化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第一化合物可以为以下化合物中的一者或更多者。
当第一层326a包含由以上化合物中的一者或更多者表示的第一化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第二化合物由以下化学式9中的一者或更多者表示。
[化学式9]
A-B-A
在下文中将描述化学式9。
A为以下化学式9-A，
[化学式9-A]
B为以下中的一者。
在B中，*为键合A的位置。
在化学式9-A中，R1和R2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；芴基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基。
在化学式9-A的R1、R2中，芳基、杂环基、稠环基和烷基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当第一层326a包含第一化合物和由以上化学式9中的一者或更多者表示的第二化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第二化合物可以为以下化合物中的一者或更多者。
当第一层326a包含由以上化合物中的一者或更多者表示的第二化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第三化合物为以下化合物中的一者或更多者。
当第二层326b包含由以上化合物中的一者或更多者表示的第三化合物时，有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件320满足以下通式1。
[通式1]
L3-L1≤2.2eV
在通式1中，L3为第三化合物的LUMO(最低未占分子轨道，Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)能级。
L1为第一化合物的LUMO能级。
通式1中限定的L3-L1的上限可以为2.0eV或更小、或者1.8eV或更小。
有机电子元件320包括包含满足通式1的第一化合物的第一层，使得其可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件320满足以下通式2。
[通式2]
L3-H2≤2.8eV
在通式2中，L3为第三化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。
H2为第二化合物的HOMO(最高占据分子轨道，Highest Occupied MolecularOrbital)能级。
通式2中限定的L3-H2的上限可以为2.6eV或更小、或者2.4eV或更小。
有机电子元件320包括包含满足通式2的第二化合物和第三化合物的第一层和第二层，使得其可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件320满足以下通式3。
[通式3]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在通式3中，L1为第一化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级，以及
H2为第二化合物的HOMO(最高占据分子轨道)能级。
通式3中限定的L1-H2的下限可以为0.34eV或更大、或者0.38eV或更大。
通式3中限定的L1-H2的上限可以为0.65eV或更小、0.60eV或更小、或者0.50eV或更小。
有机电子元件320包括包含满足通式3的第一化合物和第二化合物的第一层，使得其可以具有高效率或长寿命。
包含在第一层326a中的第一化合物可以为掺杂剂，并且第二化合物可以为主体化合物。由于第一层326a包含上述第一化合物作为掺杂剂和上述第二化合物作为主体，所以第一层326a具有优异的空穴传输特性，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
第一化合物可以以10重量％至50重量％的比例掺杂到第一层326a中。当第一化合物满足以上比例时，第一层具有优异的空穴传输特性，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
第一层326a的厚度没有特别限制，但是可以为例如至
第二层326b的厚度没有特别限制，但是可以为例如至
空穴注入层327可以包含第四化合物和第五化合物。
除非另有说明，否则第四化合物的细节与上述对第一化合物的描述的那些相同。因此，第四化合物可以由化学式1和2中的一者或更多者表示。此外，第四化合物可以由式5和式6中的一者或更多者表示，或者可以由式7和式8中的一者或更多者表示。即，已经对第一化合物描述的内容可以原样应用于第四化合物。
然而，包含在根据实施方案的有机电子元件320中的特定第四化合物可以不同于第一化合物，或者可以彼此相同。
除非另有说明，否则第五化合物的细节与上述对第二化合物的描述的那些相同。因此，第五化合物可以由上述化学式3表示。即，已经对第二化合物描述的内容可以原样应用于第五化合物。
然而，包含在根据本发明的实施方案的有机电子元件320中的特定第五化合物可以不同于第二化合物，或者可以彼此相同。
由于有机电子元件320包括包含第四化合物和第五化合物的空穴注入层327，因此其可以具有高效率或长寿命。
此外，包含在空穴注入层327中的第四化合物可以为掺杂剂，并且第五化合物可以为主体化合物。空穴注入层327包含上述第四化合物作为掺杂剂和第五化合物作为主体，使得空穴注入层327具有优异的空穴注入特性，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
第四化合物可以以10重量％至50重量％的比例掺杂到空穴注入层327中。当第四化合物被掺杂为满足上述比例时，空穴注入层327具有优异的空穴注入特性，使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
空穴注入层327的厚度没有特别限制，但是可以为例如至
本发明的另一些实施方案可以提供显示面板110。
显示面板110包括子像素111，该子像素111包括上述有机电子元件220。
在根据本实施方案的显示面板110中，由于有机电子元件220与根据上述实施方案的有机电子元件220相同，因此将省略其描述。
此外，由于以上已经描述了根据实施方案的显示面板110和子像素111，因此将省略其描述。
本发明的另一些实施方案可以提供显示装置100。
显示装置100包括上述显示面板110和用于驱动上述显示面板110的驱动电路。
在根据本实施方案的显示装置100中，显示面板110与根据上述实施方案的显示面板110相同，因此将省略其描述。
此外，由于以上已经描述了根据实施方案的用于驱动显示面板的驱动电路，因此将省略其描述。
在下文中，将参照实施方案具体描述制造根据实施方案的有机电子元件的实施例，但是实施方案不限于以下实施例。
有机电子元件的制造评估
比较例1
在清洗涂覆有厚度为的ITO(铟锡氧化物)的玻璃基底之后，用溶剂例如异丙醇、丙酮或甲醇清洗基底并干燥。在该准备的ITO透明电极上，使用NPD(N,N′-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺)作为第五化合物，掺杂10％的F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷)作为第四化合物，并进行热真空沉积以形成10nm的空穴注入层。通过热真空沉积100nm的空穴传输材料(NPD)来形成第一空穴传输层(HTL1)。
之后，分别使用ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)和1,6-双(二苯胺)芘作为主体材料和掺杂剂材料(掺杂3％)，并进行热真空沉积至厚度为20nm以形成第一发光层。
随后，通过热真空沉积电子传输材料(TmPyPB，1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯)至厚度为10nm来形成第一电子传输层，并使用Bphen(红菲绕啉)作为第三化合物，并掺杂2％的Li，通过热真空沉积至厚度为20nm以形成第二层(n型电荷生成层)。
随后，使用NPD(N,N′-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺)作为第二化合物，掺杂10％的F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷)作为第一化合物，并进行热真空沉积以形成10nm的第一层(p型电荷生成层)。
随后，通过热真空沉积空穴传输材料(TCTA，三(4-咔唑基-9-基苯基)胺)至100nm的厚度来形成第二空穴传输层(HTL2)。随后，真空沉积作为空穴传输材料的NPD(N,N′-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺)至20nm的厚度，然后使用CBP(4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯)作为主体，并掺杂10％的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)作为掺杂剂。进行热真空沉积以形成20nm的第二发光层。
随后，通过使用Alq3作为电子传输材料的热真空沉积来形成第二电子传输层，然后使用LiF作为电子注入材料进行热真空沉积以形成电子注入层。随后，通过沉积Al至厚度为200nm来形成阴极，由此制造有机电子元件。
实施方案1至30和比较例2至6
以与比较例1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于以下表1和表2中所示的类型和比例使用第一化合物、第二化合物、第四化合物和第五化合物。表3和表4示出了所制造的有机电子元件的性能。
[表1]
[表2]
在表1和表2中，A04、A15和A38为被描述为可选择作为第一化合物的A04、A15和A38化合物，并且25、34和60为被描述为可选择作为第二化合物的25、34和60化合物，并且E05和E27为被描述为可选择作为第三化合物的E05和E27化合物。F4-TCNQ如下。
[表3]
[表4]
如从表3和表4的结果可以看出的，根据实施方案的有机电子元件包括电荷生成层，该电荷生成层包括包含根据实施方案的第一化合物和第二化合物的第一层以及包含第三化合物的第二层。使得与比较例的有机电子元件相比，其可以具有优异的效率或寿命。
在包括包含由化学式1和化学式2中的至少一者表示的第一化合物的第一层的实施方案1、5和9的情况下，与比较实施方案的有机电子元件相比，其效率或寿命得到改善。
此外，与实施方案1、5和9相比，可以看出，包括还包含由化学式3表示的第二化合物的第一层的实施方案的有机电子元件具有比实施方案1、5和9的有机电子元件更好的效率和更长的寿命。此外，可以看出，包括包含由化学式4表示的第三化合物的第二层的实施方案的有机电子元件具有比实施方案1、5和9的有机电子元件更好的效率和更长的寿命。此外，可以看出，包括还包含由化学式3表示的第二化合物的第一层和包含由化学式4表示的第三化合物的第二层的实施方案的有机电子元件具有比实施方案1、5和9的有机电子元件更好的效率和更长的寿命。
因此，可以看出，包含由化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第一化合物和由化学式3表示的第二化合物的特征，以及包含由化学式4表示的第三化合物的特征彼此提供协同效应，以提供更优异的有机电子元件。
此外，在比较例1、5和6中，即使当提高p型掺杂材料的掺杂比例时，驱动电压、效率和寿命也不提高，但是在实施方案的情况下，可以看出，当提高作为p型掺杂材料的第一化合物的掺杂比例时，有机电子元件在驱动电压、效率或寿命方面得到改善。
已经给出了以上描述以使本领域的任何技术人员能够制造和使用本发明的技术思想，并且已经在特定应用及其要求的上下文中提供了以上描述。对所描述的实施方案的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本文中限定的一般原理可以应用于其他实施方案和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术思想的示例。即，所公开的实施方案旨在说明本发明的技术思想的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方案，而是与与权利要求一致的最宽的范围相一致。本发明的保护范围应该基于所附的权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术思想都应当被解释为包括在本发明的范围内。
本发明还包括例如以下技术方案：
1.一种有机电子元件，包括：
第一电极；
第二电极；和
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，
其中所述有机层包括：包括第一发光层的第一堆叠体、包括第二发光层的第二堆叠体、以及定位在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间的电荷生成层，
所述电荷生成层包括第一层和第二层，
所述第一层包含由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第一化合物以及由以下化学式3表示的第二化合物，以及
所述第二层包含由以下化学式4表示的第三化合物：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
在化学式1和化学式2中，
R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基，
A1至A4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式1和化学式2的R1至R6和A1至A4中，芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式3中，
R1和R2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C60烷基，
L为选自以下中的一者：C6-C60亚芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，
在化学式3的R1、R2和L中，芳基、杂环基、稠环基、亚芳基、C2-C60二价杂环基和二价稠环基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式4中，R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基，
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
L为选自以下中的一者：C6-C60亚芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，以及
在化学式4的R1至R6、Ar1、Ar2和L中，芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、烷基芳基甲硅烷基、亚芳基、二价杂环基、二价稠环基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
2.根据项1所述的有机电子元件，其中所述芳基包括芴基，所述亚芳基包括亚芴基。
3.根据项1所述的有机电子元件，其中第一化合物由以下化学式5和化学式6中的一者或更多者表示：
[化学式5]
[化学式6]
在化学式5和化学式6中，
n和m各自独立地为0至5的整数，
R7至R8相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氘；氚；卤素；氰基；C1-C50烷基；和C1-C30烷氧基，以及
在化学式5和化学式6的R7和R8中，烷基和烷氧基任选地各自进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
4.根据项1所述的有机电子元件，其中第一化合物由以下化学式7和化学式8中的一者或更多者表示：
[化学式7]
[化学式8]
在化学式7和化学式8中，
R1至R6与化学式1和2中限定的R1至R6相同。
5.根据项1所述的有机电子元件，其中第二化合物由以下化学式9中的一者或更多者表示：
[化学式9]
A-B-A
在化学式9中，A为以下化学式9-A，
[化学式9-A]
B为以下中的一者，
在B中，*为键合A的位置，
在化学式9-A中，R1和R2与化学式3中限定的R1和R2相同。
6.根据项1所述的有机电子元件，其中第一化合物为以下化合物中的一者或更多者：
7.根据项1所述的有机电子元件，其中第二化合物为以下化合物中的一者或更多者：
8.根据项1所述的有机电子元件，其中第三化合物为以下化合物中的一者或更多者：
9.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，以及所述第一层定位在所述第二层与所述第二电极之间。
10.根据项1所述的有机电子元件，还包括位于所述第一电极与所述第一发光层之间的空穴注入层，以及
所述空穴注入层包含由化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第四化合物以及由化学式3表示的第五化合物。
11.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第四化合物为与所述第一化合物相同的化合物，以及所述第五化合物为与所述第二化合物相同的化合物。
12.根据项1所述的有机电子元件，其中满足以下通式1：
[通式1]
L3-L1≤2.2eV
在通式1中，
L3为所述第三化合物的LUMO能级，以及
L1为所述第一化合物的LUMO能级。
13.根据项1所述的有机电子元件，其中满足以下通式2：
[通式2]
L3-H2≤2.8eV
在通式2中，
L3为所述第三化合物的LUMO能级，以及
H2为所述第二化合物的HOMO能级。
14.根据项1所述的有机电子元件，其中满足以下通式3：
[通式3]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在通式3中，
L1为所述第一化合物的LUMO能级，以及
H2为所述第二化合物的HOMO能级。
15.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据项1至14中任一项所述的有机电子元件。
16.一种显示装置，包括：
根据项15所述的显示面板；和
用于驱动所述显示面板的驱动电路。

Claims (14)

1.一种有机电子元件，包括：
第一电极；
第二电极；和
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，
其中所述有机层包括：包括第一发光层的第一堆叠体、包括第二发光层的第二堆叠体、以及定位在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间的电荷生成层，
所述电荷生成层包括第一层和第二层，
所述第一层包含由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第一化合物以及由以下化学式3表示的第二化合物，以及
所述第二层包含由以下化学式4表示的第三化合物：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
在化学式1和化学式2中，
R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基；以及R1至R6中的一者或更多者为氰基，
A1至A4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式1和化学式2的R1至R6和A1至A4中，芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式3中，
R1至R4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C60烷基，
L为选自以下结构中的一者：
所述L中的*为NR1NR2或NR3NR4所键合的位置，所述结构任选地经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式3的R1至R4和L中，芳基、杂环基、稠环基、亚芳基、C2-C60二价杂环基和二价稠环基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
在化学式4中，R1至R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基，
L为选自以下中的一者：C6-C60亚芳基；含有O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，以及
在化学式4的R1至R6、Ar1、Ar2和L中，芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、烷基芳基甲硅烷基、亚芳基、二价杂环基、二价稠环基任选地各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C60烷基甲硅烷基；C18-C60芳基甲硅烷基；和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述芳基包括芴基，所述亚芳基包括亚芴基。
3.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中第一化合物由以下化学式5和化学式6中的一者或更多者表示：
[化学式5]
[化学式6]
在化学式5和化学式6中，
n和m各自独立地为0至5的整数，
R7至R8相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氘；氚；卤素；氰基；C1-C50烷基；和C1-C30烷氧基，以及
在化学式5和化学式6的R7和R8中，烷基和烷氧基任选地各自进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
4.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中第一化合物由以下化学式7和化学式8中的一者或更多者表示：
[化学式7]
[化学式8]
在化学式7和化学式8中，
R1至R6与化学式1和2中限定的R1至R6相同。
5.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中第一化合物为以下化合物中的一者或更多者：
6.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中第二化合物为以下化合物中的一者或更多者：
7.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中第三化合物为以下化合物中的一者或更多者：
8.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，以及所述第一层定位在所述第二层与所述第二电极之间。
9.根据权利要求1所述的有机电子元件，还包括位于所述第一电极与所述第一发光层之间的空穴注入层，以及
所述空穴注入层包含第四化合物以及第五化合物，其中所述第四化合物为与所述第一化合物相同的化合物，以及所述第五化合物为与所述第二化合物相同的化合物。
10.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中满足以下通式1：
[通式1]
L3-L1≤2.2eV
在通式1中，
L3为所述第三化合物的LUMO能级，以及
L1为所述第一化合物的LUMO能级。
11.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中满足以下通式2：
[通式2]
L3-H2≤2.8eV
在通式2中，
L3为所述第三化合物的LUMO能级，以及
H2为所述第二化合物的HOMO能级。
12.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中满足以下通式3：
[通式3]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在通式3中，
L1为所述第一化合物的LUMO能级，以及
H2为所述第二化合物的HOMO能级。
13.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据权利要求1至12中任一项所述的有机电子元件。
14.一种显示装置，包括：
根据权利要求13所述的显示面板；和
用于驱动所述显示面板的驱动电路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321984A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN110010781A (zh) * 2017-12-28 2019-07-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR102120520B1 (ko) * 2016-09-23 2020-06-08 주식회사 엘지화학 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321984A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN110495005A (zh) * 2017-05-31 2019-11-22 株式会社Lg化学 有机发光元件
CN110010781A (zh) * 2017-12-28 2019-07-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管

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