KR20230091643A - A two-piece electrode mounted in the chamber of an etching apparatus for semiconductors - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체용 에창징치의 챔버에 장착되는 전극을 장착전극(10)과 노출전극(20)으로 구분되게 각각 구성하되, 상호 결합될 수 있는 구조로 구성하여 장기간 사용 중 교체가 필요한 부분만 분리하여 교체할 수가 있어 유지보수에 탁월한 효과를 가질 수가 있는 한편, 노출전극(20)의 상측 가장자리에 삽입테(22)를 형성하고 상기 삽입테(22)에 가스켓(30)을 구성하여, 전극의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, 상호 체결할 수 있는 구조로 구성되어, 장착전극 또는 노출전극 중 어느 하나만을 교체할 수 있어. 유지보수에 탁월한 효과를 가지는 한편, 장착전극과 노출전극을 결합 시, 뒤틀림을 방지할 수 있어 일체화된 전극이 가스홀의 동심도의 정확성을 높여 가스의 원활한 이동이 가능함은 물론, 가스켓의 구성으로 장착전극에서 노출전극으로 최종 배출되는 가스가 이동 중 기타 다른 방향으로 누설되는 것을 원천적으로 차단할 수 있은 유용한 발명이다.The present invention relates to a dual-type electrode mounted in a chamber of an etching device for semiconductors, and more particularly, an electrode mounted in a chamber of an etching device for semiconductors is divided into a mounting electrode 10 and an exposed electrode 20, respectively. However, it is composed of a structure that can be mutually coupled, so that only parts that need to be replaced during long-term use can be separated and replaced, which can have an excellent effect in maintenance, while the insertion frame 22 on the upper edge of the exposed electrode 20 ) is formed and a gasket 30 is formed on the insertion frame 22 to maintain the original purpose of the electrode, and at the same time, it is composed of a structure that can be mutually fastened, replacing only one of the mounting electrode or the exposed electrode. you can do it. While having an excellent maintenance effect, distortion can be prevented when the mounting electrode and the exposed electrode are combined, so the integrated electrode increases the accuracy of the concentricity of the gas hole, enabling smooth movement of gas, as well as the configuration of the gasket to ensure that the mounting electrode It is a useful invention that can fundamentally block the gas finally discharged to the exposed electrode from leaking in other directions during movement.
Description
본 발명은 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 챔버에 장착되는 장착전극과 플라즈마 가스에 노출되는 노출전극으로 구분되게 구성하여 필요에 따라 선택적인 교체가 가능한 기술이다.The present invention relates to a two-piece electrode mounted in a chamber of an etching apparatus for semiconductors, and more particularly, is configured to be divided into a mounting electrode mounted in the chamber and an exposed electrode exposed to plasma gas, which can be selectively replaced as needed. It is a skill.
통상적으로 반도체 공정은 회로 패터닝을 디자인하고, 디자인 된 패턴을 새길 수 있도록 원판 필름(마스크)을 제작하는 회로 설계와 마스크 제작 공정이 있고, 설계한 패턴을 웨이퍼로 옮기는 공정으로서 감광액을 도포하고 노광장치에 노출 시킨 후 현상하면 패턴이 형성되도록 하는 리소그래피(포토공정)공정이 있다.In general, the semiconductor process includes circuit design and mask manufacturing processes that design circuit patterning, manufacture original film (mask) to engrave the designed pattern, and transfer the designed pattern to a wafer, applying photoresist and exposure equipment. There is a lithography (photo process) process in which patterns are formed by exposure and then development.
또한, 회로 패턴을 정밀하게 만드는 공정으로 불필요한 부분을 물리/화학적으로 정밀하게 제거해 웨이퍼 패턴을 마스크 패턴과 동일하게 만드는 엣칭(식각공정)공정이 있으며, 이온 형태의 불순물을 주입함으로써 전자 활동 영역을 생성하고, 웨이퍼 표면에 증착시켜 막을 형성하는 확산공정이 있다. In addition, there is an etching (etching process) process that makes the wafer pattern the same as the mask pattern by physically/chemically precisely removing unnecessary parts as a process of making circuit patterns precisely, and by injecting impurities in the form of ions, an electronic active area is created. and a diffusion process in which a film is formed by depositing on the surface of a wafer.
한편, 반도체 표면을 상호 연결하기 위해 표면에 박막을 증착 합니다. 금속막을 증착함으로써 배선을 패터닝하고, 실리콘 산화막을 증착함으로써 절연막을 형성하여 웨이퍼를 보호하도록 하는 박막 증착 공정이 있고, 제조 공정 중의 오염원을 화학 물질을 사용해 제거하여 반도체의 전기/물리적 특성을 향상시키는 세정작업 및 웨이퍼 표면을 평평하게 만드는 화학/기계적 연마작업을 거치는 세정 및 화학적/기계적 연마 공정이 있다. Meanwhile, to interconnect the semiconductor surface, we deposit a thin film on the surface. There is a thin film deposition process in which wiring is patterned by depositing a metal film, and an insulating film is formed by depositing a silicon oxide film to protect the wafer, and a cleaning process in which contaminants during the manufacturing process are removed using chemicals to improve the electrical/physical properties of the semiconductor. There are cleaning and chemical/mechanical polishing processes that go through chemical/mechanical polishing to flatten the working and wafer surfaces.
또한, 웨이퍼를 낱개로 자르고, 리드프레임/서브스트레이트와 결합시켜 완제품을 조립하는 패키징공정, 제품의 신뢰성과 정밀성을 확보하기 위해 전기적 검사, 가혹 환경 검사 등의 테스트 과정을 거치는 테스트공정으로 이루어져 있다. In addition, it consists of a packaging process that cuts wafers individually and combines them with lead frames/substrates to assemble a finished product, and a test process that undergoes test processes such as electrical inspection and harsh environment inspection to ensure reliability and precision of the product.
여기서, 상기 에칭공정은 웨이퍼 상의 특정 지역에 화학 반응을 통해 제거해 내는 공정으로서 화학 용액을 사용하는 Wet Etch방법과 특정 Gas를 플라즈마 상태로 변환시키는 Dry Etch방법이 있다. Here, the etching process is a process of removing a specific area on the wafer through a chemical reaction, and there are a wet etch method using a chemical solution and a dry etch method converting a specific gas into a plasma state.
상기 Dry Etch방법은 플라즈마 에칭장치의 내부 상하부에 고주파 RF전원으로부터 전원을 인가 받아 상하부전극이 전기장을 발생시켜 상기 플라즈마 에칭장치의 내부로 유입되는 Gas를 해리시키며 웨이퍼의 표면으로 반응성 이온과 화학적 상호작용과 웨이퍼 표면에 부딪히는 이온의 운동량 전달에 의해 마스크 되지 않은 웨이퍼 영역에 충돌되어 웨이퍼로부터 원자를 제거하게 되는 것이다. The Dry Etch method receives power from a high-frequency RF power source to the upper and lower parts of the plasma etching device, and the upper and lower electrodes generate an electric field to dissociate the gas flowing into the plasma etching device and chemically interact with reactive ions on the surface of the wafer. The momentum transfer of the ions colliding with the wafer surface collides with the unmasked wafer area and removes atoms from the wafer.
이러한 에칭장치의 챔버 내부에 장착되는 전극은 대체적으로 일체형으로 사용되고 있으나, 근래에는 유지보수 등 다양한 문제점들로 인해 이체형으로 구성하여 사용되고 있다. The electrode mounted inside the chamber of the etching apparatus is generally used as an integral type, but recently, due to various problems such as maintenance, it is configured and used as a two-piece type.
등록번호 10-0867961호(특)는 본 발명의 출원인이 출원한 발명으로, 상압 및 가압 소결에 의해 제조된 α형 SiC 분말을 카본 분말과 혼합하여 카본-α형 SiC 혼합체를 얻는단계; 상기 카본-α형 SiC 혼합체를 고온에서 가압하여 카본-α형 SiC 성형체를 얻는 단계; 상기 카본-α형 SiC 성형체를 진공 내에서 1,400 ℃~2,000 ℃의 고온으로 첨가되는 붕소(boron)의 양을 통해 저항 조절을 한 실리콘을 반응시켜 침윤시키는 단계;를 포함하여 SiC소재를 제조하는 방법을 이용하여, 전극을 이체형으로 제조하는 기술이다. Registration No. 10-0867961 (Special) is an invention filed by the applicant of the present invention, comprising the steps of mixing α-type SiC powder prepared by normal pressure and pressure sintering with carbon powder to obtain a carbon-α-type SiC mixture; obtaining a carbon-α type SiC molded article by pressing the carbon-α type SiC mixture at a high temperature; Infiltrating the carbon-α type SiC molded body by reacting and infiltrating the silicon whose resistance is adjusted through the amount of boron added at a high temperature of 1,400 ° C to 2,000 ° C in a vacuum; It is a technology for manufacturing electrodes in a two-body type using
그러나, 상기한 종래기술은 이체형 전극을 구성함에 있어서 상호 겹쳐서 결합하는 것으로만 기재하고 있어, 상호 맞닿는 면으로 가스가 누설될 수가 있고, 결합되는 부분이 단순히 볼트 등과 같은 결합으로 인해 볼트의 나사산부분과 전극 내부에 결합되는 결합홀의 내측에 나사산 부분이 결합 시 기타 다양한 외부요인으로 파손 등이 발생할 수가 있는 문제점을 갖고 있다. However, the prior art described above is only described as overlapping and coupling each other in constructing the two-piece electrode, so that gas may leak to the mutually abutting surface, and the coupled portion is simply the threaded portion of the bolt due to coupling such as a bolt. And when the threaded part is coupled to the inside of the coupling hole coupled to the inside of the electrode, damage may occur due to various external factors.
또한, 상호 결합 시, 단순히 볼트에 의해 결합됨에 따라, 뒤틀림이 발생할 수밖에 없어, 결합 후 일체화된 전극의 불균형을 초래할 수밖에 없다.In addition, when mutually coupled, as they are simply coupled by bolts, distortion inevitably occurs, which inevitably results in imbalance of the integrated electrodes after coupling.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출해낸 것으로, 전극을 이체형으로 장착전극과 노출전극으로 구분되게 각각 구성하되, 서로 동일 또는 다른 재질로 구성될 수 있도록 하고, 상기 장착전극과 노출전극을 상호 결합 시, 상기 노출전극의 상측 가장자리에 일체 또는 분할된 형태의 가스켓을 구성하여 이동하는 가스가 누설되는 것을 방지할 수 있도록 하며, 상기 장착전극과 노출전극에 각각 형성되는 제1,2가스홀이 동일 또는 서로 다른 크기로 형성하도록 하여 제1가스홀로부터 이동하는 가스가 제2가스홀로 이동이 원활하게 이루어질 수 있도록 함은 물론, 장착전극 또는 노출전극만 교체가능함에 따라 유지보수에 탁월한 효과를 가질 수가 있는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극을 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로 완성해낸 것이다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and the electrodes are configured to be divided into a mounting electrode and an exposed electrode in a two-piece type, so that they can be composed of the same or different materials, and the mounting electrode and When the exposed electrodes are coupled to each other, an integral or divided gasket is formed on the upper edge of the exposed electrode to prevent leakage of moving gas, and the first, respectively formed on the mounting electrode and the exposed electrode, The two gas holes are formed in the same or different sizes so that the gas moving from the first gas hole can move smoothly to the second gas hole. It was completed as a technical task with an emphasis on providing a two-piece electrode mounted in the chamber of an etching device for semiconductors that can have excellent effects.
이에 본 발명은, 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 있어서, 원형의 형상을 하며, 상부에 상,하부로 관통되는 두 개 이상의 제1홀(11)과 다수의 제1가스홀(13)이 각각 형성되어, 상기 챔버에 장착되는 장착전극(10)과, 상기 장착전극(10)의 하부에 배치되며, 상부 가장자리에 삽입테(22)가 형성되고, 상기 삽입테의 일측에 상기 제1홀(11)과 대응하는 제2홀(21)과 상기 제2홀(21)이 형성되지 않은 장착전극(10)의 일측에 상기 제1가스홀(13)과 대응하는 제2가스홀(23)이 각각 형성되는 노출전극(20)과, 상기 삽입테(22)에 끼워지되 상기 삽입테(22)에 끼움 시 그 상측이 상기 노출전극(20)의 상측면보다 상부방향으로 조금 더 돌출되게 배치되며 상기 제1,2홀(11, 21)과 대응하는 관통된 홀(31)이 형성되는 가스켓(30)으로 구성되어, 상기 제1,2홀(11, 21)과 관통된 홀(31)을 체결부재(40)로 체결하여 일체화되는 기술적 특징으로 한다.Accordingly, the present invention, in a two-piece electrode mounted in a chamber of an etching apparatus for semiconductors, has a circular shape, and has two or more
상기 가스켓(30)은 일체 또는 분할된 형태로 형성되며, 외측에 절개된 하나 이상의 절개홈(33)이 형성되고, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)에는 상기 절개홈(33)과 대응하는 위치에 고정홈(17, 27)가 각각 형성되며, 상기 절개홈(33)에 끼워지되, 상, 하부가 상기 고정홈(17, 27)에 각각 끼워져 고정하여 장착전극(10)과 노출전극(20)을 결합 시 뒤틀림을 방지하기 위한 고정핀(50)을 더 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
The
상기 장착전극(10)과 노출전극(20)의 제1,2홀(11, 21)에는, 상기 체결부재(40)를 이용하여 상호 체결 시 토크 파손을 방지하기 위하여 인서트(25)가 구성되어, 상기 체결부재(40)가 상기 인서트(25)와 체결되는 것을 기술적 특징으로 한다.
상기 제1,2가스홀(13, 23)은, 서로 동일한 지름으로 형성되거나, 서로 다른 지름으로 형성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
The technical feature is that the first and
상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 평면, 오목, 볼록 중 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
The
상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 가장자리에 위치하며 평면을 이루는 제1면(26a)과, 상기 제1면(26a)에서 중앙부측 방향으로 연장되되 하부방향으로 돌출되어 오목한 형상을 형성하는 제2면(26b)과, 상기 노출전극(20)의 하단면의 중앙부에 상기 제2면(26b)에서 연장되는 평면을 이루는 제3면(26c)으로 형성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
The
상기 장착전극(10)과 노출전극(20)은 동일 또는 서로 다른 소재로 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.The technical feature is that the
본 발명의 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 의하면, 전극의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, 상호 체결할 수 있는 구조로 구성되어, 장착전극 또는 노출전극 중 어느 하나만을 교체할 수 있어. 유지보수에 탁월한 효과를 가지는 한편, 장착전극과 노출전극을 결합 시, 뒤틀림을 방지할 수 있어 일체화된 전극이 가스홀의 동심도의 정확성을 높여 가스의 원활한 이동이 가능함은 물론, 가스켓의 구성으로 장착전극에서 노출전극으로 최종 배출되는 가스가 이동 중 기타 다른 방향으로 누설되는 것을 원천적으로 차단할 수 있은 유용한 발명이다.According to the two-piece electrode mounted in the chamber of the etching apparatus for semiconductors of the present invention, the original purpose of the electrode is maintained as it is, and at the same time, it is composed of a structure that can be fastened to each other, so that only one of the mounting electrode or the exposed electrode can be replaced. I can. While having an excellent maintenance effect, distortion can be prevented when the mounting electrode and the exposed electrode are combined, so the integrated electrode increases the accuracy of the concentricity of the gas hole, enabling smooth movement of gas, as well as the configuration of the gasket to ensure that the mounting electrode It is a useful invention that can fundamentally block the gas finally discharged to the exposed electrode from leaking in other directions during movement.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 사시도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도, 확대도
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 정면도, 단면도
도 4는 본 발명의 제1,2가스홀의 바람직한 실시 예를 나타내는 단면도, 확대도
도 5는 본 발명의 고정핀의 바람직한 실시 예를 나타내는 단면도, 분해도
도 6은 본 발명의 가스켓의 바람직한 실시 예를 나타내는 평면도
도 7은 본 발명의 인서트의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 8은 본 발명의 노출전극의 하부면의 구조에 대한 바람직한 실시 예를 나타내는 도면1 is a perspective view showing a preferred embodiment of the present invention
Figure 2 is an exploded and enlarged view showing a preferred embodiment of the present invention
3 is a front view and cross-sectional view showing a preferred embodiment of the present invention
4 is a cross-sectional and enlarged view showing a preferred embodiment of first and second gas holes of the present invention;
Figure 5 is a cross-sectional, exploded view showing a preferred embodiment of the fixing pin of the present invention
6 is a plan view showing a preferred embodiment of the gasket of the present invention
Figure 7 is an exploded view showing a preferred embodiment of the insert of the present invention
8 is a view showing a preferred embodiment of the structure of the lower surface of the exposed electrode of the present invention
본 발명은 챔버에 장착되는 장착전극과 플라즈마 가스에 노출되는 노출전극으로 구분되게 구성하여 필요에 따라 선택적인 교체가 가능한 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극을 제공한다. The present invention provides a two-piece electrode mounted in a chamber of a semiconductor etching apparatus, which is configured to be divided into a mounting electrode mounted in a chamber and an exposed electrode exposed to plasma gas, and can be selectively replaced as needed.
이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 구성 및 작용에 대하여 도 1 내지 도 8을 참고로 하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a preferred configuration and operation of the present invention for achieving the above object will be described with reference to FIGS. 1 to 8 with reference to the accompanying drawings.
우선 본 발명을 설명하기에 앞서 그 구성을 도 1 내지 5를 참고하여 살펴보면, 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 있어서, 원형의 형상을 하며, 상부에 상,하부로 관통되는 두 개 이상의 제1홀(11)과 다수의 제1가스홀(13)이 각각 형성되어, 상기 챔버에 장착되는 장착전극(10)과, 상기 장착전극(10)의 하부에 배치되며, 상부 가장자리에 삽입테(22)가 형성되고, 상기 삽입테의 일측에 상기 제1홀(11)과 대응하는 제2홀(21)과 상기 제2홀(21)이 형성되지 않은 장착전극(10)의 일측에 상기 제1가스홀(13)과 대응하는 제2가스홀(23)이 각각 형성되는 노출전극(20)과, 상기 삽입테(22)에 끼워지되 상기 삽입테(22)에 끼움 시 그 상측이 상기 노출전극(20)의 상측면보다 상부방향으로 조금 더 돌출되게 배치되며 상기 제1,2홀(11, 21)과 대응하는 관통된 홀(31)이 형성되는 가스켓(30)으로 구성되어, 상기 제1,2홀(11, 21)과 관통된 홀(31)을 체결부재(40)로 체결하여 일체화하여 구성된다.
First, prior to describing the present invention, referring to FIGS. 1 to 5 for its configuration, in a two-piece electrode mounted in a chamber of an etching apparatus for semiconductors, it has a circular shape and has two upper and lower penetrations at the top. At least one
즉, 본 발명의 이체형 전극은 장착전극(10)과 노출전극(20) 및 그 사이에 가스켓(30)이 구성되어서, 상호 결합되는 구조 및 상기 가스켓(30)에 의해 가스가 이동될 때, 제1,2가스홀(13, 23)으로만 이동하고 다른 방향으로 누설되는 것을 차단할 수 있게 구성된다.
That is, in the two-piece electrode of the present invention, the
통상적으로 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 전극은 하나의 형태로써, 상부가 챔버에 장착되고, 하부에 플라즈마 가스에 노출되게 되어 있으며, 장기간 사용 시에 다양한 변수들로 인해 상기 전극을 교체해야 한다. In general, the electrode mounted in the chamber of the semiconductor etching apparatus is of one type, the upper part is mounted in the chamber and the lower part is exposed to plasma gas, and the electrode must be replaced due to various variables during long-term use .
이때, 상기 전극이 하나의 형태로 형성됨에 따라 교체 시, 많은 비용이 발생할 수밖에 없다. At this time, since the electrode is formed in one shape, a lot of cost is inevitably incurred when replacing the electrode.
그러나, 본 발명에서는 이러한 종래의 번거로움 및 경제적 효율성이 떨어지는 것을 극복하고자, 하나의 형태로 형성된 전극이 아닌, 챔버에 장착되는 장착전극(10)과 플라즈마가스에 노출되는 노출전극(20)을 각각 구분되게 구성되고, 그 사이에 가스켓(30)을 구성하여 통상의 체결부재(볼트 등)로 체결하여 일체화시켜 하나의 전극으로 구성함으써, 종래의 전극과 유사 또는 동일한 효과를 가질 수가 있다. 나아가, 플라즈마 가스에 의해 비교적 시각이 많이 발생되는 노츨전극(20)만을 분리시켜서 교체할 수가 있게 되어, 경제적 효율성을 높일 수가 있다.
However, in the present invention, in order to overcome the conventional inconvenience and low economic efficiency, the
다시 말해, 종래에는 플라즈마 가스에 의해 노출되는 면에 의해 전극을 전체적으로 교체하였으나, 본 발명에서는 노출전극(20)만 분리시켜서 교체할 수 있도록 함으로, 경제적 효율을 높일 수가 있다.
In other words, in the prior art, the entire electrode was replaced by the surface exposed by the plasma gas, but in the present invention, only the exposed
한편, 도 2 또는 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 가스켓(30)은 일체 또는 분할된 형태로 형성되며, 외측에 절개된 하나 이상의 절개홈(33)이 형성되고, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)에는 상기 절개홈(33)과 대응하는 위치에 고정홈(17, 27)가 각각 형성되며, 상기 절개홈(33)에 끼워지되, 상, 하부가 상기 고정홈(17, 27)에 각각 끼워져 고정하여 장착전극(10)과 노출전극(20)을 결합 시 뒤틀림을 방지하기 위한 고정핀(50)을 더 포함하여 구성될 수가 있다.
On the other hand, as shown in FIG. 2 or 6, the
상기 가스켓(30)은 분할된 형태로 형성되는 목적으로는 사용 중 또는 기타 외부요인으로 인해 일부분이 훼손이 발생할 경우 훼손이 발생한 부분만 분리시켜 교체할 수 있도록 함으로 경제적 효율성을 높일 수가 있다.
For the purpose of being formed in a divided form, when a portion of the
또한, 상기 절개홈(33)의 경우 두 개 이상으로 형성되는 그 목적으로는 고정핀(50)이 2개가 배치되며, 장착전극(10)의 고정홈(17)과 노출전극(20)의 고정홈(27)에 끼워져야 하는데 이때, 가스켓(30)의 절개홈(33)에 의해 고정핀(50)이 원활한 배치가 가능하게 된다.
In addition, in the case of the
상기 고정핀(50)은 도 2 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)을 상호 체결함에 있어서, 체결부재(40)를 이용하여 체결 시 뒤틀림이 발생하는 것을 할 수가 있는데, 이때, 장착전극(10)과 노출전극(20)의 뒤틀림을 방지할 수 있도록 장착전극(10)의 하부와 노출전극(20)의 상부에 상호 마주하는 부분에 고정홈(17, 27)을 각각 형성하고, 상기 고정핀(50)의 양측을 상기 고정홈(17, 27)에 각각 끼워 고정토록 함으로써, 뒤틀림 없이 원활한 체결이 가능하게 된다.
As shown in FIG. 2 or 5, the fixing
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)의 제1,2홀(11, 21)에는, 상기 체결부재(40)를 이용하여 상호 체결 시 토크 파손을 방지하기 위하여 인서트(25)가 구성되어, 상기 체결부재(40)가 상기 인서트(25)와 체결된다.
On the other hand, as shown in FIG. 7, the first and
본 발명은 장착전극(10)과 노출전극(20)을 상호 체결함에 있어서, 제1,2홀(11, 21) 내측에 나사산을 형성하여 체결하거나, 상기 나사산의 파손이 발생할 시, 장착전극(10) 또는 노출전극(20)이 파손되거나 체결 후 견고한 고정력을 가질 수가 없는 등의 문제점을 보완하고자, 내측에 나사산이 형성된 인서트(25)를 구성한 후, 상기 제1홀(11) 또는 제2홀(21)에 끼워넣어 고정시킨 후, 체결부재(40)로 체결하되, 이때, 체결부재(40)의 나사산이 상기 인서트(25)의 나사산과 체결되어 토크 파손을 방지할 수 있다.
In the present invention, in fastening the mounting
여기서, 상기 인서트(25)의 고정을 위해, 상기 제1홀(11)의 중앙부에서 하단부 방향의 지름을 조금 더 크기 형성하고, 상기 인서트(25)를 상기 조금더 큰 지름에 삽입시켜 구성할 수도 있고, 상기 인서트(25)의 이탈방지를 위해 제1홀(11)과 인서트(25)를 접착시켜 일체로 형성할 수가 있다.
Here, in order to fix the
또한, 상기 장착전극(10)의 제1홀(11)과 인서트(25)의 구성을 노출전극(20)의 제2홀(21)에 인서트(25)의 일체화시키는 방법을 그대로 적용할 수가 있다.
In addition, the method of integrating the configuration of the
이러한 인서트(25)의 구성을 통해, 장착전극(10)과 노출전극(20)의 제1,2홀(11, 21)의 내부에 나사산이 형성되지 않아, 기타 외부요인으로 물리적인 충격이 발생하거나, 체결부재(40)를 이용하여 체결 시, 나사산이 훼손 또는 파손된다고 하더라도 장착전극(10) 또는 노출전극(20)을 교체하지 않고, 인서트(25)만을 교체할 수가 있어, 이 또한 경제적 효율성이 높은 효과가 있다.
Through the configuration of the
한편, 상기 인서트(25) 토론, 피크, 엔지니어링 플라스틱 등의 재질로 구성될 수가 있다.
Meanwhile, the
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)의 제1,2가스홀(11, 21)은, 서로 동일한 지름으로 형성되거나, 서로 다른 지름으로 형성될 수가 있다.
As shown in FIG. 4 , the first and second gas holes 11 and 21 of the mounting
상기 제1,2가스홀(13, 23)이 동일한 지름으로 형성될 시에는 이동하는 가스가 투입과 배출의 균일성을 확보할 수가 있는데, 본 발명의 전극은 장착전극(10)과 노출전극(20)을 상호 체결하여 하나의 전극으로 구성되는데, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)을 체결 시, 미세한 뒤틀림이 발생하게 되어 제1,2가스홀(13, 23)의 동심도가 맞지 않는 경우가 종종 발생하는데 이러한 문제점을 극복하고자 서로 다른 지름을 갖도록 형성하여, 동심도를 맞춤으로써, 원활한 가스 이동이 가능하게 된다.
When the first and second gas holes 13 and 23 are formed to have the same diameter, uniformity of input and discharge of moving gas can be ensured. 20) is mutually fastened to form one electrode. When the mounting
여기서, 상기 제1,2가스홀(11, 21)의 가장 바람직한 지름은 0.5~０８mm이다. Here, the most preferred diameter of the first and second gas holes 11 and 21 is 0.5 to 08 mm.
또한, 상기 제1,2가스홀(11, 21)을 서로 다른 지름으로 형성할 시, 전체적으로 서로 다른 지름으로 형성하지 않고, 서로 근접하는 부분의 일부분만 서로 다른 지름으로 형성할 수도 있다. In addition, when the first and second gas holes 11 and 21 are formed to have different diameters, they may not be entirely formed to have different diameters, but only parts of adjacent parts may be formed to have different diameters.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 평면으로 형성될 수가 있고, 상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 가장자리에서 중앙부측 방향으로 경사지게 형성될 수가 있으며, 상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 가장자리에 위치하며 평면을 이루는 제1면(26a)과, 상기 제1면(26a)에서 중앙부측 방향으로 연장되되 하부방향으로 돌출되어 오목한 형상을 형성하는 제2면(26b)과, 상기 노출전극(20)의 하단면의 중앙부에 상기 제2면(26b)에서 연장되는 평면을 이루는 제3면(26c)으로 형성된다.
As shown in FIG. 8, the
또한, 상기 장착전극(10)과 노출전극(20)은 필요에 따라서 동일 또는 서로 다른 소재로 구성될 수가 있다.
In addition, the mounting
본 발명의 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극에 의하면, 전극의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, 상호 체결할 수 있는 구조로 구성되어, 장착전극 또는 노출전극 중 어느 하나만을 교체할 수 있어. 유지보수에 탁월한 효과를 가지는 한편, 장착전극과 노출전극을 결합 시, 뒤틀림을 방지할 수 있어 일체화된 전극이 가스홀의 동심도의 정확성을 높여 가스의 원활한 이동이 가능함은 물론, 가스켓의 구성으로 장착전극에서 노출전극으로 최종 배출되는 가스가 이동 중 기타 다른 방향으로 누설되는 것을 원천적으로 차단할 수 있는 유용한 발명이다.According to the two-piece electrode mounted in the chamber of the etching apparatus for semiconductors of the present invention, the original purpose of the electrode is maintained as it is, and at the same time, it is composed of a structure that can be fastened to each other, so that only one of the mounting electrode or the exposed electrode can be replaced. I can. While having an excellent maintenance effect, distortion can be prevented when the mounting electrode and the exposed electrode are combined, so the integrated electrode increases the accuracy of the concentricity of the gas hole, enabling smooth movement of gas, as well as the configuration of the gasket to ensure that the mounting electrode It is a useful invention that can fundamentally block the gas finally discharged to the exposed electrode from leaking in other directions during movement.
10 : 장착전극
11 : 제1홀
13 : 제1가스홀
17 : 고정홈
20 : 노출전극
21 : 제2홀
22 : 삽입테
23 : 제2가스홀
25 : 인서트
26 : 하단면
26a : 제1면
26b : 제2면
26c : 제3면
27 : 고정홈
30 : 가스켓
31 : 홀
33 : 절개홈
40 : 체결부재
50 : 고정핀10: mounting electrode 11: first hole 13: first gas hole
17: fixed groove
20: exposed electrode 21: second hole 22: insertion frame
23: second gas hole 25: insert 26: bottom surface
26a:
27: fixed groove
30: gasket 31: hole 33: incision groove
40: fastening member 50: fixing pin
Claims (7)
원형의 형상을 하며, 상부에 상,하부로 관통되는 두 개 이상의 제1홀(11)과 다수의 제1가스홀(13)이 각각 형성되어, 상기 챔버에 장착되는 장착전극(10)과,
상기 장착전극(10)의 하부에 배치되며, 상부 가장자리에 삽입테(22)가 형성되고, 상기 삽입테의 일측에 상기 제1홀(11)과 대응하는 제2홀(21)과 상기 제2홀(21)이 형성되지 않은 장착전극(10)의 일측에 상기 제1가스홀(13)과 대응하는 제2가스홀(23)이 각각 형성되는 노출전극(20)과,
상기 삽입테(22)에 끼워지되 상기 삽입테(22)에 끼움 시 그 상측이 상기 노출전극(20)의 상측면보다 상부방향으로 조금 더 돌출되게 배치되며 상기 제1,2홀(11, 21)과 대응하는 관통된 홀(31)이 형성되는 가스켓(30)으로 구성되어,
상기 제1,2홀(11, 21)과 관통된 홀(31)을 체결부재(40)로 체결하여 일체화되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극. In the two-piece electrode mounted in the chamber of the etching apparatus for semiconductors,
A mounting electrode 10 having a circular shape, having two or more first holes 11 penetrating upwards and downwards and a plurality of first gas holes 13 formed on the upper portion, respectively, and mounted in the chamber;
It is disposed below the mounting electrode 10, and an insertion frame 22 is formed on an upper edge, and a second hole 21 corresponding to the first hole 11 and the second hole 21 are formed on one side of the insertion frame. An exposed electrode 20 in which a second gas hole 23 corresponding to the first gas hole 13 is formed on one side of the mounting electrode 10 on which the hole 21 is not formed, respectively;
It is inserted into the insertion frame 22, and when inserted into the insertion frame 22, its upper side protrudes slightly more upward than the upper side of the exposed electrode 20, and the first and second holes 11, 21 ) and a gasket 30 in which a corresponding through hole 31 is formed,
The two-piece electrode mounted in the chamber of the etching device for semiconductors, characterized in that the first and second holes (11, 21) and the through hole (31) are integrated by fastening with a fastening member (40).
상기 가스켓(30)은 일체 또는 분할된 형태로 형성되며, 외측에 절개된 하나 이상의 절개홈(33)이 형성되고,
상기 장착전극(10)과 노출전극(20)에는 상기 절개홈(33)과 대응하는 위치에 고정홈(17, 27)가 각각 형성되며,
상기 절개홈(33)에 끼워지되, 상, 하부가 상기 고정홈(17, 27)에 각각 끼워져 고정하여 장착전극(10)과 노출전극(20)을 결합 시 뒤틀림을 방지하기 위한 고정핀(50)을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극. According to claim 1,
The gasket 30 is formed in an integral or divided form, and has one or more incision grooves 33 cut out on the outside,
Fixing grooves 17 and 27 are formed at positions corresponding to the incision groove 33 in the mounting electrode 10 and the exposed electrode 20, respectively.
The fixing pin 50 is inserted into the incision groove 33, and the upper and lower portions are inserted and fixed into the fixing grooves 17 and 27, respectively, to prevent twisting when the mounting electrode 10 and the exposed electrode 20 are combined. ) The two-piece electrode mounted in the chamber of the etching apparatus for semiconductors, characterized in that configured to further include.
상기 장착전극(10)과 노출전극(20)의 제1,2홀(11, 21)에는,
상기 체결부재(40)를 이용하여 상호 체결 시 토크 파손을 방지하기 위하여 인서트(25)가 구성되어, 상기 체결부재(40)가 상기 인서트(25)와 체결되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극.According to claim 1,
In the first and second holes 11 and 21 of the mounting electrode 10 and the exposed electrode 20,
An insert (25) is configured to prevent torque damage when mutually fastening using the fastening member (40), and the fastening member (40) is fastened with the insert (25) of the semiconductor etching device, characterized in that Two-piece electrode mounted in the chamber.
상기 제1,2가스홀(13, 23)은,
서로 동일한 지름으로 형성되거나, 서로 다른 지름으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극. According to claim 1,
The first and second gas holes 13 and 23,
Two-piece electrodes mounted in the chamber of an etching apparatus for semiconductors, characterized in that they are formed to have the same diameter or to have different diameters.
상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 평면, 오목, 볼록 중 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극. According to claim 1,
The lower surface 26 of the exposed electrode 20 is a two-piece electrode mounted in a chamber of a semiconductor etching apparatus, characterized in that formed in any one of a flat shape, a concave shape, and a convex shape.
상기 노출전극(20)의 하단면(26)은 가장자리에 위치하며 평면을 이루는 제1면(26a)과,
상기 제1면(26a)에서 중앙부측 방향으로 연장되되 하부방향으로 경사지며 오목한 형상을 형성하는 제2면(26b)과,
상기 노출전극(20)의 하단면의 중앙부에 상기 제2면(26b)에서 연장되는 평면을 이루는 제3면(26c)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극. According to claim 1,
The lower surface 26 of the exposed electrode 20 is located at the edge and has a first surface 26a forming a plane;
A second surface 26b extending from the first surface 26a toward the center and inclined downward to form a concave shape;
The two-piece electrode mounted in the chamber of the semiconductor etching apparatus, characterized in that the third surface 26c forming a plane extending from the second surface 26b is formed at the center of the lower surface of the exposed electrode 20. .
상기 장착전극(10)과 노출전극(20)은 동일 또는 서로 다른 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 에칭장치의 챔버에 장착되는 이체형 전극.
According to claim 1,
The mounting electrode 10 and the exposed electrode 20 are two-piece electrodes mounted in the chamber of a semiconductor etching apparatus, characterized in that composed of the same or different materials.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |