KR100787384B1 - Electronic static chuck - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전척(Electrostatic Chuck: ESC)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체소자 제조공정의 챔버 내부 중앙에 설치되어 웨이퍼를 효과적으로 척킹(Chucking)하기 위하여 사용되는 정전척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck (ESC), and more particularly, to an electrostatic chuck installed in the center of a chamber of a semiconductor device manufacturing process and used to effectively chuck a wafer.

본 발명의 정전척은 웨이퍼를 지지하가 위한 웨이퍼 지지판과, 상기 웨이퍼 지지판의 열방출을 위한 베이스판과, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판을 결합시키기 위한 접착막을 포함하는 정전척에 있어서, 상기 웨이퍼 지지판은 Al2O3와 TiO2를 포함하는 세라믹 재질로 형성된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 정전척에서 상기 접착막은 실리콘 재질이고, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판의 접착부위를 감싸서 밀봉하기 위해 설치된 링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The electrostatic chuck of the present invention includes a wafer support plate for supporting a wafer, a base plate for heat dissipation of the wafer support plate, and an adhesive film for bonding the wafer support plate and the base plate to the wafer support plate. Is characterized in that formed of a ceramic material containing Al 2 O 3 and TiO 2 . In addition, the adhesive film in the electrostatic chuck of the present invention is characterized in that it further comprises a ring member provided to surround and seal the adhesive portion of the wafer support plate and the base plate.

정전척, 웨이퍼 Electrostatic chuck, wafer

Description

정전척{ELECTRONIC STATIC CHUCK}Electrostatic chuck {ELECTRONIC STATIC CHUCK}

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 사시도1 is a perspective view of an electrostatic chuck in accordance with one embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 분해 절개 사시도Figure 2 is an exploded perspective view of the electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention

도 3의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 단면도이고, (b)는 베이스판에 형성된 냉각유로를 설명하기 위한 베이스판의 단면도Figure 3 (a) is a cross-sectional view of the electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, (b) is a cross-sectional view of the base plate for explaining the cooling flow path formed in the base plate

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 평면도4 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5는 종래의 정전척을 설명하기 위한 도면5 is a view for explaining a conventional electrostatic chuck

도 6은 종래 정전척의 문제점을 설명하기 위한 도면6 is a view for explaining the problem of the conventional electrostatic chuck.

<부호의 간단한 설명><Short description of symbols>

10 웨이퍼 지지판 20 링부재10 Wafer support plate 20 Ring member

30 베이스 판 40 웨이퍼30 base plate 40 wafer

50 접착막50 adhesive film

본 발명은 정전척(Electrostatic Chuck: ESC)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체소자 제조공정의 챔버 내부 중앙에 설치되어 웨이퍼를 효과적으로 척 킹(Chucking)하기 위하여 사용되는 정전척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck (ESC), and more particularly, to an electrostatic chuck installed in the center of a chamber of a semiconductor device manufacturing process and used to effectively chuck a wafer.

일반적으로 반도체소자는 화학기상증착, 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온주입 등 수많은 단위 공정들이 순차적으로 또는 반복적으로 수행되며 가공되는데, 이러한 공정을 진행하기 위해서는 웨이퍼를 챔버 내부의 웨이퍼 지지대에 고정 또는 척킹시켜서 웨이퍼를 가공한 후, 다음 단계의 가공을 위해 디척킹하는 과정을 여러번 반복하게 된다.In general, a semiconductor device is processed in a number of unit processes, such as chemical vapor deposition, sputtering, photolithography, etching, ion implantation, etc. sequentially or repeatedly, in order to process the wafer is fixed or chucked to the wafer support in the chamber After the wafer is processed, the process of dechucking for the next step is repeated several times.

정전척(ESC)은 젠센-라벡효과(A. Jehnson amp; K. Rahbek's Force)에 의한 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 지지대로서, 건식가공 공정이 일반화되어가는 최근의 반도체소자 제조기술의 추세에 부응하여 진공척이나 기계식 척을 대체하여 반도체소자 제조공정 전반에 걸쳐 사용되고 있는 장치이며, 특히 플라즈마를 이용하는 드라이 에칭공정에서는, 챔버 상부에 설치되는 RF 상부전극에 대한 하부전극의 역할을 하며, 고온(약 150～200℃로 추정)가공되는 웨이퍼의 배면측에 헬륨을 공급하거나 별도의 수냉부재가 설치되어 웨이퍼의 온도가 일정하게 유지될 수 있도록 하는 기능을 수행한다.An electrostatic chuck (ESC) is a wafer support for fixing wafers by using electrostatic force by A. Jehnson amp; K. Rahbek's Force, and the trend of recent semiconductor device manufacturing technology is common in dry processing process. It is a device that is used throughout the semiconductor device manufacturing process in place of a vacuum chuck or a mechanical chuck in response to this. In particular, in a dry etching process using plasma, it serves as a lower electrode for the RF upper electrode installed in the upper part of the chamber. It is assumed that helium is supplied to the back side of the wafer to be processed or a separate water cooling member is installed so that the temperature of the wafer can be kept constant.

도 5에는 이러한 종래 정전척의 일례를 나타내었다. 도면에서 볼 수 있는 바와 같이 정전척은, 챔버(미도시) 내에서 하부전극의 역할을 하며 원판형으로서 계단식으로 형성된 몸체(4)와, 접착제(5)에 의해 몸체 상면에 고정되며 내부에는 내부전극(2)이 형성된 원판형의 플레이트(1)로 구성된다. 플레이트는 전기절연성, 내식성, 내플라즈마 부식성이 우수한 재질로 이루어져 있다.5 shows an example of such a conventional electrostatic chuck. As can be seen in the figure, the electrostatic chuck serves as a lower electrode in a chamber (not shown) and is fixed to the upper surface of the body by an adhesive 5 and a body 4 formed stepwise as a disc shape, and internally therein. It consists of the disk-shaped plate 1 in which the electrode 2 was formed. The plate is made of a material with excellent electrical insulation, corrosion resistance and plasma corrosion resistance.

부호 3은 헬륨공(미도시)을 통해 공급되는 헬륨이 웨이퍼(WF)의 배면 전체에 고루 분산될 수 있도록 플레이트(1) 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 헬륨유로인 그루브를 나타낸 것으로, 플레이트(1)의 최외곽 가장자리에 형성되는 그루브를 도시한 것이다.Reference numeral 3 denotes a groove which is a helium channel formed in a predetermined pattern on the upper surface of the plate 1 so that helium supplied through the helium hole (not shown) may be evenly distributed on the entire back surface of the wafer WF. Figure 1 shows a groove formed at the outermost edge.

한편, 플레이트 상에 웨이퍼(WF)를 올려 놓고서, 내부전극(2)에 직류전원을 인가하면 플레이트(1)를 사이에 두고 웨이퍼와 몸체 사이에 정전기력이 발생되어 웨이퍼가 플레이트 상에 척킹되며, 이때 플라즈마 챔버(미도시) 안에 공정가스(예: 불소가스)를 투입함과 아울러 플라즈마 상부전극(미도시)에 RF 전력을 인가하면 챔버 내부에는 플라즈마가 발생되는데, 이러한 플라즈마 가스가 웨이퍼(WF)에 수직하게 충돌하여 웨이퍼 상의 포토레지스트가 에칭된다.On the other hand, when the wafer WF is placed on the plate and DC power is applied to the internal electrode 2, electrostatic force is generated between the wafer and the body with the plate 1 interposed therebetween, and the wafer is chucked on the plate. Plasma is generated inside the chamber when RF gas is applied to the plasma upper electrode (not shown) while a process gas (eg, fluorine gas) is introduced into the plasma chamber (not shown). Vertically impingement etches the photoresist on the wafer.

이러한 종래의 정전척을 사용하여 에칭공정을 진행하는 경우에 발생하는 문제점을 도 6을 참조하여 살펴본다.The problem occurring when the etching process is performed using the conventional electrostatic chuck will be described with reference to FIG. 6.

도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 플레이트(1)는 평평한 원판 형상일 뿐만 아니라 그 두께가 얇고, 플레이트(1)의 재질이 Al2O3, Cr2O3를 포함한 세라믹 재질이어서 두께가 얇은 플레이트의 강도가 약한 단점이 있었다.As can be seen in Figure 6, the plate 1 is not only flat disk-shaped, but the thickness thereof is thin, and the plate 1 is made of a ceramic material including Al 2 O 3 and Cr 2 O 3 , so that the plate is thin. Its strength was weak.

또한, 플레이트(1)는 평평한 원판 형상일 뿐만 아니라 그 두께가 얇기 때문에, 플레이트와 몸체 상면 간의 접착면을 마감한 접착제(5)는 플라즈마에 쉽게 노출될 수 있는 구조가 된다. 즉, 에칭시 플라즈마 가스는 플레이트와 몸체 사이의 틈새로 들어가 접착제(5)를 침식시킴으로써 플레이트(1)가 몸체(4) 상면으로부터 들뜨게 만든다. 이러한 들뜸현상은 결국 웨이퍼 에치부가 정밀하게 제어되지 못하 여 웨이퍼의 균등 에칭이 되지 못하게 할 뿐만 아니라, 헬륨가스의 누출 및 아크를 발생시킬 수 있다.In addition, since the plate 1 is not only flat disk-shaped, but also its thickness is thin, the adhesive 5 finishing the adhesive surface between the plate and the upper surface of the body becomes a structure that can be easily exposed to the plasma. In other words, during etching, the plasma gas enters the gap between the plate and the body to erode the adhesive 5, causing the plate 1 to be lifted from the upper surface of the body 4. This lifting may not only prevent the wafer etched portion from being precisely controlled so that the wafer may be evenly etched, but may also cause helium gas leakage and arcing.

또한, 상기 본체부는 알루미늄과 황동을 이용한 합금으로 제조되기 때문에 원가가 비싼 단점이 있으며, 상기 황동성분이 온도 및 바이어스 전압의 균일전도에 악영향을 미치는 단점이 있다.In addition, since the main body is made of an alloy using aluminum and brass, there is a disadvantage that the cost is expensive, and the brass component has a disadvantage of adversely affecting the uniform conduction of temperature and bias voltage.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 여러 가지 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 지지하는 지지판의 강도를 높이고, 발생하는 플라즈마 가스에 의해 접착제의 침식이 방지되며, 냉각제에 의한 냉각효율이 증대된 정전척을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve various problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to increase the strength of the support plate for supporting the wafer, to prevent the erosion of the adhesive by the plasma gas generated, the coolant Its purpose is to provide an electrostatic chuck with increased cooling efficiency.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전척은 웨이퍼를 지지하가 위한 웨이퍼 지지판과, 상기 웨이퍼 지지판의 열방출을 위한 베이스판과, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판을 결합시키기 위한 접착막을 포함하는 정전척에 있어서, 상기 웨이퍼 지지판은 Al2O3와 TiO2를 포함하는 세라믹 재질로 형성된 것을 특징으로 한다.The electrostatic chuck of the present invention for achieving the above object includes a wafer support plate for supporting a wafer, a base plate for heat dissipation of the wafer support plate, and an adhesive film for bonding the wafer support plate and the base plate. In the electrostatic chuck, the wafer support plate is formed of a ceramic material including Al 2 O 3 and TiO 2 .

또한, 본 발명의 정전척에서 상기 접착막은 실리콘 재질이고, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판의 접착부위를 감싸서 밀봉하기 위해 설치된 링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the adhesive film in the electrostatic chuck of the present invention is characterized in that it further comprises a ring member provided to surround and seal the adhesive portion of the wafer support plate and the base plate.

또한, 본 발명의 정전척에서 상기 베이스판은 알루미늄으로 형성된 것을 특징으로 한다.In the electrostatic chuck of the present invention, the base plate is formed of aluminum.

또한, 본 발명의 정전척에서 상기 웨이퍼 지지판과, 베이스판의 내부에는 웨이퍼 지지판에 지지된 웨이퍼의 발생열을 냉각하기 위한 냉각제 유로가 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼 지지판의 냉각제 유로는 베이스판의 냉각제 유로에서 분기되어 복수개로 형성된 것을 특징으로 한다.In the electrostatic chuck of the present invention, a coolant flow path for cooling the generated heat of the wafer supported by the wafer support plate is formed in the wafer support plate and the base plate, and the coolant flow path of the wafer support plate is formed in the coolant flow path of the base plate. Branched and characterized in that formed in plural.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 분해 절개 사시도이며, 도 3의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 단면도이고, (b)는 베이스판에 형성된 냉각유로를 설명하기 위한 베이스판의 단면도이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 평면도 이다.1 is a perspective view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of the electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, Figure 3 (a) is an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention It is sectional drawing of a chuck, (b) is sectional drawing of the base board for demonstrating the cooling flow path formed in the base board, and FIG. 4 is a top view of the electrostatic chuck which concerns on one Example of this invention.

먼저, 첨부된 도면 1 내지 4를 참조하여 본 실시예의 정전척의 구조를 살펴보면 다음과 같다.First, referring to the attached drawings 1 to 4 looks at the structure of the electrostatic chuck of the present embodiment as follows.

본 실시예의 정전척(100)은 웨이퍼 지지판(10), 접착막(50), 그리고 베이스판(30)을 포함한다.The electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes a wafer support plate 10, an adhesive film 50, and a base plate 30.

상기 베이스판(30)은 챔버(미도시) 내에서 하부전극의 역할을 하며 원판형으로서 계단식으로 형성되고, 상기 웨이퍼 지지판(10)은 접착막(50)에 의해 베이스판(30) 상면에 고정되며 내부에는 전극(도면에 표시하지 않음)이 형성된다. 웨이퍼(40)는 상기 웨이퍼 지지판(10)에 고정되는 것으로서, 상기 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 지지판(10)은 전기절연성, 내식성, 내플라즈마 부식성이 우수한 Al2O3와 TiO2를 포함하는 세라믹 재질로 이루어져 있다. 따라서, 종래 Al2O3와 Cr2O3를 포함한 세라믹 재질을 이용하여 제조된 웨이퍼 지지판 보다 강도가 강해진 장점이 있다. The base plate 30 serves as a lower electrode in a chamber (not shown) and is formed stepwise as a disc shape, and the wafer support plate 10 is fixed to an upper surface of the base plate 30 by an adhesive film 50. An electrode (not shown) is formed inside. The wafer 40 is fixed to the wafer support plate 10, and the wafer support plate 10 for fixing the wafer is made of a ceramic material including Al 2 O 3 and TiO 2 having excellent electrical insulation, corrosion resistance, and plasma corrosion resistance. Consists of Therefore, there is an advantage that the strength is stronger than the wafer support plate manufactured by using a ceramic material including Al 2 O 3 and Cr 2 O 3 .

상기 웨이퍼 지지판(10)과 베이스판(30)의 접착부위에는 그 외주면을 감싸고, 접착막(50)이 형성된 부분을 밀봉하기 위한 링부재(20)가 더 설치된다. 따라서, 에칭시 플라즈마 가스가 웨이퍼 지지판(10)과 베이스판(30)의 틈새 사이도 들어가 접착막(50)을 침식시키는 현상을 방지하게 되어, 웨이퍼(40)의 에칭이 균등하게 이루어지고 내부 냉각제인 헬륨가스의 누출 및 아크발생을 방지한다. A ring member 20 is further provided on an adhesive portion of the wafer support plate 10 and the base plate 30 to surround the outer circumferential surface thereof and seal a portion where the adhesive film 50 is formed. Therefore, during etching, the plasma gas also enters between the gap between the wafer support plate 10 and the base plate 30 to prevent the erosion of the adhesive film 50, so that the etching of the wafer 40 is performed evenly and the internal coolant Prevents the leakage of phosphorous helium gas and arcing.

또한, 본 실시예의 접착막(50)은 실리콘 재질로 구비하여, 종래 인듐(Indium)을 이용하여 접착하였던 방식과는 달리, 접착강도가 강화되고, 내열성 및 프라즈마 가스에 의한 부식이 용이하지 않은 장점이 있다. In addition, the adhesive film 50 of the present embodiment is provided with a silicon material, unlike the conventional method of bonding using indium (Indium), the adhesive strength is enhanced, heat resistance and corrosion by plasma gas is not easy There is this.

또한, 본 실시예의 정전척(100)의 베이스판(30)은 알루미늄으로 형성된다. 종래 알루미늄과 황동의 합금으로 제조된 것과 비교하여 볼 때, 그 제조비용이 저렴하고 온도의 균일전도가 용이해지며, 내부 전극에 의한 바이어스 전압이 균일하게 상기 웨이퍼 지지판(10)에 인가되어 웨이퍼 지지판(10)에 웨이퍼(40)가 지지될 때 전체적으로 균일한 정전력이 발생할 수 있도록 한다. 따라서, 웨이퍼 지지판(10)에 웨이퍼(40)가 균일한 정전력으로 고정되므로 에칭 공정시 균일한 에칭이 가능해져 품질 높은 웨이퍼를 제공할 수 있다.In addition, the base plate 30 of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment is formed of aluminum. Compared with the conventional alloy made of aluminum and brass, the manufacturing cost is low and the uniformity of temperature is facilitated, and the bias voltage by the internal electrode is uniformly applied to the wafer support plate 10 so as to support the wafer support plate. When the wafer 40 is supported by 10, a uniform electrostatic force can be generated as a whole. Therefore, since the wafer 40 is fixed to the wafer support plate 10 with uniform electrostatic force, uniform etching is possible during the etching process, thereby providing a high quality wafer.

또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 에칭공정시 발생하는 웨이퍼의 열을 냉각하기 위한 냉각제의 유로(32,11)가 베이스판(30) 및 웨이퍼 지지판(10)을 관통하여 형성된다. 즉, 웨이퍼 지지판(10)에는 관통구멍(11)이 형성되어 상기 베이스판(30)의 냉각제 유로(32)와 연통되도록 상기 웨이퍼 지지판(10)이 배치된다. 상기 냉각제는 웨이퍼(40)의 전면에 걸쳐 골고루 분포되어야 냉각효율이 높아지므로, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 베이스판(30)의 냉각제 유로(32)와 웨이퍼 지지판(10)의 관통구멍(11)은 연통되고, 상기 베이스판(30)의 냉각제 유로(32)는 분기되어 베이스판(30)의 복수개의 구멍(11)으로 냉각제가 상기 웨이퍼측으로 접촉하도록 한다. In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, flow paths 32 and 11 of a coolant for cooling the heat of the wafer generated during the etching process are formed through the base plate 30 and the wafer support plate 10. That is, the wafer support plate 10 is disposed in the wafer support plate 10 so that the through hole 11 is formed to communicate with the coolant flow path 32 of the base plate 30. Since the coolant must be evenly distributed over the entire surface of the wafer 40 to increase the cooling efficiency, as shown in FIG. 3, the coolant flow path 32 of the base plate 30 and the through hole 11 of the wafer support plate 10 are shown. ) Is in communication with each other, and the coolant flow path 32 of the base plate 30 is branched so that the coolant contacts the wafer side through the plurality of holes 11 of the base plate 30.

상기와 같은 본 발명의 정전척은 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지판을 Al2O3와 TiO2를 포함하는 세라믹 재질로 형성하여 강도를 강화하여 내구성이 향상된 장점이 있다. The electrostatic chuck of the present invention as described above has the advantage that durability is improved by forming a wafer support plate supporting the wafer from a ceramic material including Al 2 O 3 and TiO 2 to enhance strength.

또한, 웨이퍼 지지판과 베이스판을 접착하는 접착제를 실리콘으로 이용함으로서 접착 강도가 강화되고, 플라즈마 가스에 의한 내부식성이 향상되는 장점이 있다.In addition, by using the adhesive for bonding the wafer support plate and the base plate as silicon, the adhesive strength is enhanced, and the corrosion resistance by plasma gas is improved.

또한, 웨이퍼 지지판과 베이스판의 접합부위를 밀봉하기 위한 링부재를 더 설치하여 플라즈마 가스의 유입을 방지하여 헬륨가스의 누출 및 아크 발생을 미연 에 방지한다. In addition, by further installing a ring member for sealing the junction between the wafer support plate and the base plate to prevent the inflow of plasma gas to prevent helium gas leakage and arc generation in advance.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.An embodiment of the present invention described above and illustrated in the drawings should not be construed as limiting the technical spirit of the present invention. The protection scope of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art can change and change the technical idea of the present invention in various forms. Therefore, such improvements and modifications will fall within the protection scope of the present invention, as will be apparent to those skilled in the art.

Claims (4)

웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지판과, 상기 웨이퍼 지지판의 열방출을 위한 베이스판과, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판을 결합시키기 위한 접착막을 포함하는 정전척에 있어서,In the electrostatic chuck comprising a wafer support plate for supporting a wafer, a base plate for heat release of the wafer support plate, and an adhesive film for bonding the wafer support plate and the base plate, 상기 웨이퍼 지지판과, 베이스판에는 웨이퍼 지지판에 지지된 웨이퍼의 발생열을 냉각하기 위한 냉각제가 흐르도록 냉각제 유로가 형성되어 있으며,A coolant flow path is formed in the wafer support plate and the base plate so that a coolant for cooling the generated heat of the wafer supported by the wafer support plate flows. 상기 웨이퍼 지지판의 냉각제 유로와 베이스 판의 냉각제 유로는 상호 연통되도록 되어 있으며,The coolant flow path of the wafer support plate and the coolant flow path of the base plate are in communication with each other, 상기 각각의 웨이퍼 지지판의 냉각제 유로 및 베이스판의 냉각제 유로는 복수개로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.And a plurality of coolant flow paths of each of the wafer support plates and a coolant flow path of the base plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착막은 실리콘 재질이고,The adhesive film is made of silicon, 상기 웨이퍼 지지판과 베이스 판의 접착부위를 감싸서 밀봉하기 위해 설치된 링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck further comprises a ring member provided to surround and seal an adhesive portion between the wafer support plate and the base plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 베이스판은 알루미늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.The base plate is electrostatic chuck, characterized in that formed of aluminum. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 지지판은 Al2O3와 TiO2를 포함하는 세라믹 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.The wafer support plate is electrostatic chuck, characterized in that formed of a ceramic material containing Al 2 O 3 and TiO 2 .
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