KR100994476B1 - Embossed esc and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세라믹볼을 이용하여 엠보싱 처리된 정전척을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an electrostatic chuck, and more particularly, to a method of manufacturing an embossed electrostatic chuck using a ceramic ball.

본 발명에 따른 정전척에 의하면, 반도체 기판의 제작공정상 기판의 손상과 파티클 발생을 방지하도록 엠보싱 처리된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 세라믹볼을 이용하여 엠보싱 처리를 함으로써 세라믹볼의 마모시 교체가 가능하고 세라믹볼 표면의 조도조절이 가능하여, 빠르고 정확하게 엠보싱 정전척을 생성하고 사용수명이 연장된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.According to the electrostatic chuck according to the present invention, there is an effect of providing an embossed electrostatic chuck and its manufacturing method to prevent damage to the substrate and generation of particles in the manufacturing process of the semiconductor substrate. In addition, by embossing the ceramic ball, it is possible to replace the ceramic ball when worn and adjust the roughness of the surface of the ceramic ball, thereby creating an embossed electrostatic chuck quickly and accurately and extending the service life of the electrostatic chuck and its manufacturing method. It is effective to provide.

정전척, 엠보싱, 세라믹볼, 용사코팅 Electrostatic chuck, embossing, ceramic ball, spray coating

Description

정전척 및 그 제조방법{EMBOSSED ESC AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Electrostatic chuck and its manufacturing method {EMBOSSED ESC AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 정전척의 구조를 개략적으로 설명하는 단면도. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of an electrostatic chuck.

도 2는 종래의 정전척 제조방법의 공정도. Figure 2 is a process diagram of a conventional electrostatic chuck manufacturing method.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 제조방법의 공정도이다. 3 is a process chart of the electrostatic chuck manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조방법을 개략적으로 설명하는 사시도.Figure 4 is a perspective view schematically illustrating a method of manufacturing an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 상부 유전체층 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view schematically showing a method of manufacturing an upper dielectric layer of an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 개략적으로 도시한 단면도.6 is a cross-sectional view schematically showing an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 정전척 2 : 피고정부재1: electrostatic chuck 2: fixed member

10 : 전극 20 : 절연층10 electrode 20 insulation layer

30 : 전극 패턴 40 : 하부 유전체층30 electrode pattern 40 lower dielectric layer

50 : 상부 유전체층 52 : 돌기부50: upper dielectric layer 52: protrusion

53 : 홈부 54 : 세라믹볼53: groove 54: ceramic ball

본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세라믹볼을 이용하여 엠보싱 처리된 정전척을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an electrostatic chuck, and more particularly, to a method of manufacturing an embossed electrostatic chuck using a ceramic ball.

최근 반도체 건식처리에서 반도체 기판의 패터닝시 위치정밀도를 향상시킬 필요가 대두되었으며, 정전척은 정전기력을 이용하여 이러한 위치정밀도의 향상을 위해 사용되어지는 장치이다. 도 1은 정전척(1)을 개략적으로 나타내는 단면도로서, 이하에서는 도 1을 참조하여 일반적인 정전척을 설명한다. Recently, there has been a need to improve the positional accuracy during patterning of semiconductor substrates in semiconductor dry processing, and electrostatic chucks are devices that are used to improve such positional accuracy by using electrostatic force. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the electrostatic chuck 1, hereinafter, a general electrostatic chuck will be described with reference to FIG. 1.

먼저 금속 재질의 전극(10)이 최하부에 형성된다. 이 전극(10)은 플라즈마 처리를 위하여 RF 전력이 인가되는 구성요소이다. 따라서 도전성 소재로 형성되는 것이다. 그리고 이 전극(10)의 상부에 절연층(20)이 형성된다. 이 절연층(20)은 RF 전력이 인가되는 전극과 정전척 작동을 위하여 DC전원이 인가되는 정전척 전극 패턴(40)과의 전기적 접촉을 방지하기 위한 것이다. 이러한 절연층(20)으로는 AlN(질화 알루미늄)이 많이 사용되며, 용사코팅 방법으로 형성된다. First, a metal electrode 10 is formed at the lowermost portion. This electrode 10 is a component to which RF power is applied for plasma processing. Therefore, it is formed of a conductive material. The insulating layer 20 is formed on the electrode 10. The insulating layer 20 is for preventing electrical contact between the electrode to which the RF power is applied and the electrostatic chuck electrode pattern 40 to which the DC power is applied for the electrostatic chuck operation. AlN (aluminum nitride) is widely used as the insulating layer 20, and is formed by a spray coating method.

그리고 이 절연층(20) 상부에는 하부 유전체층(40)이 형성된다. 이 하부 유전체층(40)은 그 상부에 형성되는 전극 패턴(30)을 하부에서 감싸는 구조이며, 역시 용사코팅 방법으로 형성된다. 또한 하부 유전체층(40)의 상부에는 특정한 전극 패턴(30)이 형성된다. 이 전극 패턴(30)은 정전척 구동을 위한 DC전원이 인가되는 구성요소로서, 정전척으로 고정시키는 피고정부재의 형상에 따라 일정한 형태로 패터닝된다. 다음으로 이 전극 패턴(30)의 상부에는 상부 유전체층(50)이 형성된다. 이 상부 유전체층(50)은 전극 패턴을 상부에서 감싸는 구조로 마련되며, 용사코팅 방법으로 형성된다. 보다 정확하게는 하부 유전체층(40)과 상부 유전체층(50) 사이에 전극 패턴(30)이 부유되는(floating) 형태를 취한다. 따라서 전극 패턴(30)이 외부로 노출되지 않고, 유전체(40, 50)에 의하여 전체적으로 감싸지는 형태를 취하는 것이다. 그리고 이 상부 유전체층(50)의 상면에 기판과 같은 피고정부재가 위치되어 고정된다. The lower dielectric layer 40 is formed on the insulating layer 20. The lower dielectric layer 40 has a structure surrounding the electrode pattern 30 formed on the upper portion of the lower dielectric layer 40, and is also formed by a spray coating method. In addition, a specific electrode pattern 30 is formed on the lower dielectric layer 40. The electrode pattern 30 is a component to which a DC power source for driving an electrostatic chuck is applied, and is patterned in a predetermined form according to the shape of a member to be fixed by the electrostatic chuck. Next, an upper dielectric layer 50 is formed on the electrode pattern 30. The upper dielectric layer 50 is provided in a structure surrounding the electrode pattern on the top, and is formed by a spray coating method. More precisely, the electrode pattern 30 is floating between the lower dielectric layer 40 and the upper dielectric layer 50. Accordingly, the electrode pattern 30 is not exposed to the outside, but is entirely wrapped by the dielectrics 40 and 50. A pinned member such as a substrate is positioned and fixed on the upper surface of the upper dielectric layer 50.

이하에서는 이러한 정전척을 제조하는 방법을 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 종래의 정전척 제조방법의 공정도이다. Hereinafter, a method of manufacturing such an electrostatic chuck will be described with reference to FIG. 2. 2 is a process chart of a conventional electrostatic chuck manufacturing method.

우선 금속 재질의 전극을 형성하는 공정(S 10)이 진행된다. 이때 전극의 형상은 원형의 반도체 웨이퍼를 처리하는 경우에는 원형으로 형성되고, 직사각형의 평판표시소자 기판을 처리하는 경우에는 직사각형으로 형성된다. 다음으로는 이 전극 상면의 이물질을 제거하는 공정 후에 절연층 형성 공정(S 20)이 진행된다. 이 공정에서는 용사 코팅 방법을 사용하여 절연층을 형성한다. 이 절연층은 판상의 형상을 취하여 일반적으로는 80㎛정도의 두께로 형성된다. First, a step (S 10) of forming a metal electrode is performed. At this time, the electrode has a circular shape when processing a circular semiconductor wafer, and a rectangular shape when processing a rectangular flat panel display element substrate. Next, an insulating layer forming step (S20) is performed after the step of removing the foreign matter on the upper surface of the electrode. In this process, an insulating layer is formed using a thermal spray coating method. The insulating layer has a plate shape and is generally formed to a thickness of about 80 m.

다음으로는 이 절연층 상부에 하부 유전체층을 형성시키는 공정(S 30)이 진행된다. 이 공정에서는 절연층을 용사 코팅 방법으로 형성시키며, 일반적으로 하부 유전체층은 500㎛의 두께로 형성된다. 그리고 하부 유전체층의 상부에 전극 패턴을 형성시키는 공정(S 40)이 진행된다. 이 공정에서는 원하는 패턴 형상으로 전극을 형성시킨다. 이 전극 패턴은 얇은 판상의 형상을 취하며, 일반적으로 20㎛정도의 두께로 형성된다. 이러한 전극 패턴은 텅스텐 재질로 형성된다. Next, the process (S30) of forming a lower dielectric layer on this insulating layer is advanced. In this process, the insulating layer is formed by a spray coating method, and generally, the lower dielectric layer is formed to a thickness of 500 mu m. In operation S 40, an electrode pattern is formed on the lower dielectric layer. In this step, electrodes are formed in a desired pattern shape. This electrode pattern takes the shape of a thin plate and is generally formed to a thickness of about 20 mu m. The electrode pattern is formed of tungsten material.

다음으로는 이 전극 패턴의 상부에 상부 유전체층을 형성시키는 공정(S 50) 이 진행된다. 이 공정에서는 하부 유전층 상부에 형성된 전극 패턴을 완전히 감싸도록 용사 코팅 방법을 사용하여 상부 유전체층을 형성시킨다. 이 상부 유전체층은 일반적으로 약 400㎛정도의 두께로 형성된다. Next, the process (S50) of forming an upper dielectric layer on this electrode pattern is performed. In this process, the upper dielectric layer is formed using a thermal spray coating method to completely surround the electrode pattern formed on the lower dielectric layer. The upper dielectric layer is generally formed to a thickness of about 400 mu m.

그러나, 이와 같은 종래의 정전척(1)은 기판(2)과 면접촉을 함에 따라, 기판상에 파티클이 발생할 우려가 있으며, 기판 전체면이 정전척과 접촉함에 따라 기판의 평판도를 유지하는데 어려움이 있고, 이에 따라 기판 제작상 균일한 표면처리와 구조적인 평판도를 확보하기가 어렵다는 문제점이 있었다. 그리고, 정전척과 기판이 면접촉함에 따라, 기판의 제조공정상 식각 또는 증착시 온도, 압력 등의 공정조건의 균일성을 확보하기가 어렵다는 문제점이 있었다.However, in the conventional electrostatic chuck 1 as described above, surface contact with the substrate 2 may cause particles to occur on the substrate, and as the entire surface of the substrate contacts the electrostatic chuck, it may be difficult to maintain the flatness of the substrate. As a result, it is difficult to ensure uniform surface treatment and structural flatness in manufacturing the substrate. In addition, the surface contact between the electrostatic chuck and the substrate has a problem that it is difficult to ensure uniformity of process conditions such as temperature and pressure during etching or deposition in the manufacturing process of the substrate.

이에 대하여 상기와 같이 정전척과 기판의 면접촉을 감소시키고자 접촉면을 엠보싱처리한 정전척이 사용되었으나 엠보싱의 접촉에 의한 마멸로 인해 기판상에 파티클 발생 및 파손의 우려가 있으며, 엠보싱부의 수명이 짧아 정전척 제작비용이 과다하게 소요된다는 문제가 있었다.On the other hand, the electrostatic chuck which embossed the contact surface was used to reduce the surface contact between the electrostatic chuck and the substrate as described above. There was a problem that the production cost of the electrostatic chuck is excessive.

따라서, 본 발명의 목적은, 반도체 기판의 제작공정상 기판의 손상과 파티클 발생을 방지하도록 엠보싱 처리된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck embossed to prevent damage to the substrate and generation of particles during the fabrication process of the semiconductor substrate and a method of manufacturing the same.

또한, 세라믹볼을 이용하여 엠보싱 처리를 함으로써 기능상 및 제작상의 안정성이 확보되고 사용수명이 연장된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, an embossing process using a ceramic ball is to provide an electrostatic chuck and a method of manufacturing the same, which ensures functional and manufacturing stability and has an extended service life.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 정전척 제조방법에 있어서, 1)전극패턴을 포함하는 유전체의 상부 유전체층 형성시, 상기 상부 유전체층 상면에 홈부를 형성하는 단계; 및 2)상기 홈부에 세라믹볼을 결합하여 볼록부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. According to a feature of the present invention for achieving the above object, the present invention provides a method for manufacturing an electrostatic chuck, 1) forming a groove on the upper dielectric layer, the upper portion of the dielectric layer comprising an electrode pattern ; And 2) forming a convex portion by coupling a ceramic ball to the groove portion.

이때, 상기 제2)단계에서는, 각 홈부의 위치와 대응되는 돌기부의 말단에 접착제를 묻히고, 상기 돌기부를 하강시켜 각 홈부에 상기 접착제를 부착하는 하는 것이 바람직하다. 상기 제2)단계에서는, 상기 홈부의 개수보다 많은 개수의 세라믹볼을 상기 상부 유전체층 상면에 투입하고 흔들어줌으로써 모든 홈부에 한 개의 세라믹볼이 결합되도록 한다. At this time, in the second step, it is preferable to apply an adhesive to the end of the projection corresponding to the position of each groove, and to attach the adhesive to each groove by lowering the projection. In the second step, one ceramic ball is coupled to all the grooves by inserting and shaking more ceramic balls than the number of the grooves on the upper dielectric layer.

상기 제2)단계 완료 후에는 상기 세라막볼이 결합된 상기 상부 유전체층에 용사코팅하여 결합을 강화하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. After the second step is completed, it is preferable to further include a step of strengthening the bond by thermal spray coating on the upper dielectric layer to which the ceramic ball is coupled.

또한, 상기 세라믹볼은 표면조도(surface roughtness)가 큰 것을 사용하여 정전기력을 강화할 수 있다. In addition, the ceramic ball may enhance the electrostatic force by using a large surface roughness (surface roughtness).

이하에서는 상기한 바와 같은 본 발명에 의한 엠보싱 정전척의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the embossed electrostatic chuck according to the present invention as described above will be described in detail.

본 실시예에 따른 엠보싱 정전척의 제조방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 전극패턴을 포함하는 유전체의 상부 유전체층을 형성함에 있어서, 상기 상부 유전체 층 상면에 일정한 간격을 가지고 홈부가 형성되도록 한다. (S110). 그리고 나서 상기 홈부의 위치와 대응되는 위치에 돌기가 형성된 돌기부를 사용하여 각 홈부에 접착제를 바른다(S120). 그리고 나서 상기 홈부에는 세라믹볼을 결합하여 볼록부를 형성한다(S130). 이때, 상기 세라믹볼이 쉽게 분리되지 않도록 용사코팅을 한다(S140). 이와 같은 공정을 통하여 다수개의 볼록부가 구비된 엠보싱 정전척을 제조한다. In the method of manufacturing an embossed electrostatic chuck according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, in forming an upper dielectric layer of a dielectric including an electrode pattern, grooves are formed at regular intervals on the upper dielectric layer. (S110). Then, an adhesive is applied to each of the grooves by using the protrusions having protrusions formed at positions corresponding to the positions of the grooves (S120). Then, the convex portion is formed by coupling the ceramic balls to the groove portion (S130). At this time, the thermal spray coating so that the ceramic ball is not easily separated (S140). Through this process, an embossed electrostatic chuck having a plurality of convex parts is manufactured.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엠보싱 정전척의 제조방법을 개략적으로 설명하는 사시도이다. 하부 유전체층 상면 및 전극 패턴 상면에 용사 코팅 방법으로 상부 유전체층(50)을 형성하되, 도 4a와 같이 상기 상부 유전체층 상면에 일정한 간격 또는 불규칙적으로 홈부(53)를 형성한다. 4 is a perspective view schematically illustrating a method of manufacturing an embossed electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. The upper dielectric layer 50 is formed on the upper surface of the lower dielectric layer and the upper surface of the electrode pattern by spray coating, and the groove 53 is formed on the upper dielectric layer upper surface at regular intervals or irregularly as shown in FIG. 4A.

그리고 나서 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 홈부의 위치와 대응되는 위치에 다수개의 돌기가 형성되어 있는 돌기부를 이용하여 각 홈부에 접착제를 바른다. 즉, 각 돌기의 말단에 접착제가 묻어 있는 상기 돌기부를 하강시켜 각 홈부의 내부에 일정량의 접착제가 발라지도록 하는 것이다. Then, as illustrated in FIG. 4B, adhesive is applied to each of the grooves by using a protrusion having a plurality of protrusions formed at a position corresponding to the position of the groove. That is, by lowering the projections with the adhesive on the end of each projection so that a certain amount of adhesive is applied to the inside of each groove.

그 후 도 4c에 도시된 바와 같이 상기 홈부의 개수보다 많은 수의 세라믹볼(54)을 상부 유전체층 상부에 투입하고 흔들어주어 각 홈부에 세라믹볼이 결합하도록 한다. 이를 통해 도 4c와 같이 다수개의 세라믹볼(54)이 피고정부재의 위치부인 상부 유전체층 상에 결합되어 볼록부를 형성함으로써 엠보싱 처리된 정전척을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 4C, more ceramic balls 54 are inserted into the upper dielectric layer than the number of the grooves and shaken to couple the ceramic balls to each groove. As a result, as shown in FIG. 4C, a plurality of ceramic balls 54 are combined on the upper dielectric layer, which is a position of the pinned member, to form a convex portion to form an embossed electrostatic chuck.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 돌기부(52)의 말단에 접착제를 묻혀놓 아, 상기 돌기부의 말단과 접촉한 상기 홈부(53)에 접착제가 마련되도록 할 수 있다. 이를 통해 각 각의 홈부(53)에 세라믹볼(54) 결합되어 쉽게 분리되지 않도록 할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, an adhesive may be buried at an end of the protrusion 52 so that an adhesive may be provided at the groove 53 in contact with the end of the protrusion. Through this, the ceramic balls 54 are coupled to the respective grooves 53 so that they are not easily separated.

도 6a에 도시된 바와 같이, 다수개의 세라믹볼(54)은 상기 상부 유전체층(50)과 결합되나, 일체형으로 구성되지 않고 분리가능하므로 마모된 경우 교체가 가능하다. 또한, 세라믹볼(54) 자체의 표면조도(surface roughness)의 조절이 가능하다. 거친 표면을 가지는 세라믹볼(54)을 결합하여 볼록부를 형성한 경우 더 높은 정전기력을 발생시킬 수 있는 구조를 개시한다. As shown in FIG. 6A, the plurality of ceramic balls 54 are combined with the upper dielectric layer 50, but are not integrally formed and are detachable, and thus can be replaced when worn. In addition, it is possible to adjust the surface roughness (surface roughness) of the ceramic ball 54 itself. When the convex portion is formed by combining the ceramic balls 54 having the rough surface, a structure capable of generating higher electrostatic force is disclosed.

이때, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 세라믹볼이 결합된 상기 상부 유전체층은 열 분사(Thermal Spray)방식으로 상부를 용사 코팅(55)하여 결합부의 틈새가 없도록 구성하는 것이 바람직하다.In this case, as shown in FIG. 6B, the upper dielectric layer to which the ceramic ball is coupled is preferably configured such that there is no gap in the coupling part by spray coating 55 on the upper part by a thermal spray method.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and those skilled in the art can make various modifications and adaptations within the scope of the claims. It is self-evident.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 정전척에 의하면, 반도체 기판의 제작공정상 기판의 손상과 파티클 발생을 방지하도록 엠보싱 처리된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 장점이 있다. As described above, the electrostatic chuck according to the present invention has an advantage of providing an embossed electrostatic chuck and a method of manufacturing the same so as to prevent damage to the substrate and generation of particles during the manufacturing process of the semiconductor substrate.

또한, 세라믹볼을 이용하여 엠보싱 처리를 함으로써 세라믹볼의 마모시 교체가 가능하고 표면의 조도조절이 가능하여, 빠르고 정확하게 엠보싱 정전척을 생성하고 사용수명이 연장된 정전척 및 그 제조방법을 제공하는 장점이 있다.In addition, the embossing process using the ceramic ball can be replaced when the wear of the ceramic ball and the surface roughness can be adjusted, creating an embossed electrostatic chuck quickly and accurately, providing an electrostatic chuck with an extended service life and its manufacturing method. There is an advantage.

Claims (7)

정전척 제조방법에 있어서,In the electrostatic chuck manufacturing method, 1)전극패턴을 포함하는 유전체층 형성시, 상기 유전체층 상면에 홈부를 형성하는 단계; 및1) forming a groove on an upper surface of the dielectric layer when forming a dielectric layer including an electrode pattern; And 2)상기 홈부에 세라믹볼을 결합하여 볼록부를 형성하는 단계;를 포함하며,2) forming a convex portion by coupling a ceramic ball to the groove portion; 상기 제2)단계에서는, 각 홈부의 위치와 대응되는 돌기부의 말단에 접착제를 묻히고, 상기 돌기부를 하강시켜 각 홈부에 상기 접착제를 부착하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.In the second step, the adhesive is applied to the end of the projection corresponding to the position of each groove, the projection is lowered to attach the adhesive to each groove portion manufacturing method of the electrostatic chuck. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제2)단계에서는,The method of claim 1, wherein in the second step, 상기 홈부의 개수보다 많은 개수의 세라믹볼을 상부 유전체층 상면에 투입하고 흔들어줌으로써 상기 홈부에 상기 세라믹볼이 결합되도록 하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.The method of manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that the ceramic ball is coupled to the groove by inserting and shaking more ceramic balls than the number of the groove on the upper dielectric layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2)단계 완료 후에, 상기 세라믹볼이 결합된 상기 유전체층에 코팅 작업을 진행하여 상기 세라믹볼과 홈부의 결합을 강화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.After the completion of the second step, the method of manufacturing an electrostatic chuck further comprising the step of strengthening the coupling of the ceramic ball and the groove by performing a coating operation on the dielectric layer to which the ceramic ball is coupled. 제4항에 있어서, 상기 코팅 작업은 용사코팅인 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.The method of claim 4, wherein the coating operation is a thermal spray coating. 삭제delete 제1항, 제3항 내지 제5항 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 정전척.An electrostatic chuck produced by the method of any one of claims 1 and 3.
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