KR20150138959A - Contact geometry for processing object, electrostatic chuck and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a contact structure of a processing object in a chamber, comprises a groove having a grid form and a projecting structure array surrounded by the groove. Such a contact structure may be formed easily and quickly by using a mask. The fine projecting structure array maintains a relatively uniform contact rate even after a long-time use, such that problems such as stains are suppressed.

Description

챔버 내 피처리 대상물 접촉구조, 정전 척 및 그 제조방법{CONTACT GEOMETRY FOR PROCESSING OBJECT, ELECTROSTATIC CHUCK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact structure for an object to be processed in a chamber, an electrostatic chuck,

본 발명은 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조 장치 내에서 반도체 웨이퍼나 글라스 기판과 같은 처리 대상물을 지지하는 척에 있어서의 피처리 대상물과의 접촉구조, 정전 척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
More particularly, the present invention relates to a structure for contact with an object to be processed in a chuck for supporting a processing object such as a semiconductor wafer or a glass substrate in a manufacturing apparatus, an electrostatic chuck, And a manufacturing method thereof.

최근 휴대용 통신기기나 TV의 디스플레이가 대형화되고 고품질이 요구되고 있기 때문에 제조 과정 역시 까다로워지고 있다. 디스플레이용 글라스를 처리하는 플라즈마 처리 장치에서는 과거 보다 훨씬 큰 대형 글라스를 처리하면서도 품질을 그대로 유지하거나 더 높여야 하지만, 글라스의 크기가 커짐에 따라 여러 가지 어려움이 따른다. 이를테면, 기본적으로 대형 글라스는 상대적으로 넓은 처리 면적을 가지기 때문에 처리 균일도가 낮아지는 문제점이 있다. 이러한 균일도 저하를 해결하기 위하여 플라즈마 밀도 균일화를 위한 안테나의 구조를 개선하는 등의 연구와 시도가 계속되고 있고, 어느 정도 성과를 거두고 있다.In recent years, portable communication devices and TVs have become larger in size and higher in quality, making the manufacturing process more difficult. In a plasma processing apparatus for processing a display glass, it is necessary to maintain or improve the quality while processing a large glass much larger than in the past. However, as the size of the glass increases, various difficulties arise. For example, the large glass basically has a relatively wide processing area, which results in a problem that the processing uniformity is lowered. In order to solve such a decrease in the uniformity, researches and attempts have been made to improve the structure of the antenna for uniformizing the plasma density, and some achievements have been made.

그러나 위에서 말한 바와 같이 최근의 전자 장치의 디스플레이가 매우 높은 해상도를 갖기 때문에 고투명도와 같은 높은 품질이 요구된다. 이를테면, 공정 중에 글라스 표면의 스크래치나 얼룩의 발생을 최소화하여야 한다.However, as mentioned above, since displays of recent electronic devices have very high resolution, high quality such as high transparency is required. For example, scratches and smudges on the glass surface during processing should be minimized.

스크래치나 얼룩과 같은 글라스 품질 저하 요인은 주로 공정 중에 챔버 내에서 정전 척과 같은 지지구조와의 접촉이나 접촉 상태에 따라 발생한다. 공정 중에 글라스 기판과 같은 피처리 대상물을 냉각시키기 위해 글라스 기판의 배면과 접촉하는 구조를 엠보스 구조 또는 트렌치 구조로 형성하고 있는데 이러한 기존의 엠보스 또는 트렌치 구조는 아래와 같은 문제점이 있다.Glass degradation factors, such as scratches and smudges, are mainly caused by contact with and contact with support structures, such as electrostatic chucks, in the chamber during processing. An emboss structure or a trench structure is formed to contact the back surface of a glass substrate in order to cool an object to be processed such as a glass substrate during the process. The conventional emboss or trench structure has the following problems.

도 1은 종래의 정전 척의 표면 일부를 확대하여 도시한 도면으로서, (a)는 피크부가 마모되기 전을 나타내고, (b)는 피크부가 마모된 후를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is an enlarged view of a part of the surface of a conventional electrostatic chuck, in which (a) shows a state before a peak portion is worn, and (b) shows a state after a peak portion is worn.

종래의 정전 척은 피처리 대상물과의 접촉부가 좌측의 엠보스 구조이거나 우측의 트렌치 구조를 가진다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이 엠보스 구조와 트렌치 구조는 헬륨과 같은 냉각가스가 소통될 수 있는 홈을 제공하고, 엠보스 구조와 트렌치 구조의 상면부위가 글라스 기판의 배면과 접하게 된다. 엠보스나 트렌치 구조의 상면부위에는 다수개의 피크부를 가져서, 실질적으로 글라스 기판은 이들 피크부에 의해 지지된다. 또한, 피크부들 사이에 제공되는 미세한 홈으로도 냉각가스인 헬륨이 소통되어 글라스 기판이 냉각된다.In the conventional electrostatic chuck, the contact portion with the object to be processed has an emboss structure on the left side or a trench structure on the right side. As can be seen from the drawing, the embossed structure and the trench structure provide a groove through which a cooling gas such as helium can communicate, and the upper surface portions of the embossed structure and the trench structure are brought into contact with the back surface of the glass substrate. The upper surface portion of the embossed or trench structure has a plurality of peak portions, and the glass substrate is substantially supported by these peak portions. Helium, which is a cooling gas, is also communicated through the fine grooves provided between the peaks so that the glass substrate is cooled.

그러나 도 1의 (a)와 같이 정전 척의 사용 초기에는 피크부가 유지되지만, 사용 시간이 누적될수록 도 1의 (b)와 같이 피크부가 마모된다. 이 경우 피크부들 사이로 흐르는 헬륨의 양이 급격히 감소하게 되어 홈 부위와 엠보스 부위에서 온도 편차가 나게 되어 엠보스 부위(또는 접촉부위)의 반대면에 얼룩이 생성되는 문제점이 있다. 이러한 얼룩 문제는 엠보스 구조나 트렌치 구조는 피크부의 마모 시에 실질적으로 글라스와의 접촉 면적이 넓어지고, 그에 따라 온도 편차가 크게 발생하기 때문이다. 이러한 얼룩은 예를 들어 글라스 기판의 에칭 공정에서 온도편차에 따른 균일도 차이로 인해 발생되어 액정 구동 또는 백라이트 구동 시에 상면에서 생성된다.However, as shown in FIG. 1 (a), the peak portion is maintained at the beginning of the use of the electrostatic chuck, but as the use time is accumulated, the peak portion is worn as shown in FIG. In this case, the amount of helium flowing between the peaks is drastically decreased, causing a temperature deviation in the groove and emboss regions, which causes a problem of unevenness on the opposite side of the emboss region (or contact region). This problem of staining is caused by the fact that the embossed structure or the trench structure substantially enlarges the contact area with the glass when the peak portion is worn, thereby causing a large temperature deviation. Such unevenness is caused, for example, in the etching process of the glass substrate due to the difference in uniformity due to the temperature deviation, and is generated on the upper surface during liquid crystal driving or backlight driving.

한국 특허출원 공개 10-2012-0137986Korean patent application publication 10-2012-0137986

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 감안한 것으로서, 공정 중에 피처리 대상물에 균일한 온도 분포를 제공하면서 지지할 수 있는 피처리 대상물 접촉구조를 제조하는 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and provides a method of manufacturing an object-to-be-processed structure capable of supporting an object to be processed while providing a uniform temperature distribution.

본 발명은 용이하고 경제적인 방식으로 공정 중에 피처리 대상물에 균일한 온도 분포를 제공할 수 있는 피처리 대상물 접촉구조를 제조하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method for manufacturing an object to be processed contact structure capable of providing a uniform temperature distribution to an object to be processed in a process in an easy and economical manner.

본 발명은 상기의 개선된 제조방법에 의해 제조된 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조를 제공한다.The present invention provides an object to be processed contact structure in a chamber manufactured by the above-described improved manufacturing method.

본 발명은 상대적으로 사용 수명이 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조를 제공한다.The present invention provides a contact structure for the object to be processed in a chamber with a relatively long service life.

본 발명은 상술한 개선된 접촉구조를 채용하는 정전 척을 제공한다.
The present invention provides an electrostatic chuck employing the improved contact structure described above.

본 발명은 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조를 제공하며, 이는: 피처리 대상물 지지체의 접촉면에 배치된 다수개의 돌출구조로 이루어진 돌출구조 배열; 및 돌출구조 배열의 돌출구조들 사이에 제공되는 홈;을 포함하고, 홈은 그리드 형태를 가지고 냉각가스의 소통 통로를 제공한다.The present invention provides an object to be processed contact structure in a chamber, comprising: a protruding structure array having a plurality of protruding structures disposed on a contact surface of a to-be-processed object support; And a groove provided between the protruding structures of the protruding structure array, wherein the groove has a grid shape and provides the communication passage of the cooling gas.

돌출구조는 Al2O3, Y2O3, BeO, SiO2, ZrO2, CaO, MgO, TiO2, BaTiO3, Al2O3-Y2O3, Al2O3-TiO3, AIN, YSZ, 및 YAG 중에서 어느 하나 이상으로 형성된다.The protruding structure may be formed of Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BeO, SiO 2 , ZrO 2 , CaO, MgO, TiO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 -Y 2 O 3 , Al 2 O 3 -TiO 3 , AIN , YSZ, and YAG.

접촉면에 돌출구조 배열을 둘러싸도록 배치된 둑구조를 더 포함한다.And a dam structure disposed on the contact surface so as to surround the protruding structure array.

다수개의 돌출구조의 각각은 바닥부위의 장변의 길이가 100㎛ 이하, 상단부위 장변의 길이가 30㎛ 이하, 그리고 높이가 50㎛ 이상이다.Each of the plurality of protruding structures has a length of the long side of the bottom portion of 100 mu m or less, a length of the long side of the top portion of 30 mu m or less, and a height of 50 mu m or more.

다수개의 돌출구조 각각의 간격은 200㎛ 이하이다.The spacing of each of the plurality of protruding structures is 200 占 퐉 or less.

다수개의 돌출구조는 피처리 대상물과 접촉비율이 2 내지 20%이다.The plurality of protruding structures has a contact ratio of 2 to 20% with the object to be treated.

본 발명은 또한 정전 척을 제공하며, 이는: 모재; 모재 상면에 적층된 절연층; 절연층 상에 형성된 도전층; 및 도전층 상에 형성되고, 그리드 형태의 홈과 홈에 의해 형성되는 다수개의 돌출구조를 포함하는 접촉층;을 포함하고, 홈은 냉각가스 소통로를 제공한다.The present invention also provides an electrostatic chuck, comprising: a base material; An insulating layer laminated on the upper surface of the base material; A conductive layer formed on the insulating layer; And a contact layer formed on the conductive layer and including a plurality of protruding structures formed by grooves and grooves in the form of a grid, the grooves providing a cooling gas communication passage.

다수개의 돌출구조의 각각은 바닥부위의 장변의 길이가 100㎛ 이하, 상단부위 장변의 길이가 30㎛ 이하, 그리고 높이가 50㎛ 이상이다.Each of the plurality of protruding structures has a length of the long side of the bottom portion of 100 mu m or less, a length of the long side of the top portion of 30 mu m or less, and a height of 50 mu m or more.

다수개의 돌출구조 각각의 간격은 200㎛ 이하이다.The spacing of each of the plurality of protruding structures is 200 占 퐉 or less.

다수개의 돌출구조 각각의 거칠기(Ra)는 10㎛ 이상이다.The roughness Ra of each of the plurality of protruding structures is 10 占 퐉 or more.

다수개의 돌출구조는 피처리 대상물과 접촉비율이 2 내지 20%이다.The plurality of protruding structures has a contact ratio of 2 to 20% with the object to be treated.

챔버 내 피처리 대상물 접촉구조 제조방법을 제공하며, 이는: 피처리 대상물 지지체의 접촉면에 마스크를 배치하는 단계; 접촉면에 접촉층을 위한 층을 적층하는 단계; 및 마스크를 들어올려서 제거하여 다수개의 돌출부 배열을 포함하는 접촉층을 형성하는 단계;를 포함한다.There is provided a method of manufacturing an object to be processed contact structure in a chamber, comprising the steps of: disposing a mask on a contact surface of an object to be processed; Depositing a layer for the contact layer on the contact surface; And lifting and removing the mask to form a contact layer comprising a plurality of protrusion arrays.

접촉층을 위한 층은 용사법을 이용하여 형성된다.The layer for the contact layer is formed using thermal spraying.

접촉층을 위한 층은 Al2O3, Y2O3, BeO, SiO2, ZrO2, CaO, MgO, TiO2, BaTiO3, Al2O3-Y2O3, Al2O3-TiO3, AIN, YSZ, 및 YAG 중에서 어느 하나 이상으로 형성한다.The layer for the contact layer may be selected from the group consisting of Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BeO, SiO 2 , ZrO 2 , CaO, MgO, TiO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 -Y 2 O 3 , Al 2 O 3 -TiO 3 , AIN, YSZ, and YAG.

접촉면에 돌출부 배열을 둘러싸는 둑구조를 형성하는 단계를 더 포함한다.And forming a dam structure surrounding the projection arrangement on the contact surface.

접촉면에 유전층을 먼저 형성한 후 마스크를 유전층 상에 배치한다.
A dielectric layer is first formed on the contact surface, and then the mask is placed on the dielectric layer.

본 발명에 따르면, 챔버 내에서 피처리 대상물 접촉구조가 제공된다. 이는 정전 척과 같은 지지구조에 채용되는 접촉구조일 수 있고, 단위면적 당 상대적으로 많은 돌출구조가 피처리 대상물과 균일하게 접촉하기 때문에 온도편차가 거의 없다. 더구나, 본 발명의 접촉구조에서는 각 돌출구조의 상면 부위에 형성되는 피크부가 마모되더라도 동일한 면적 내에서 상대적으로 많은 돌출구조가 피처리 대상물과 접하기 때문에 온도편차가 매우 작다. 따라서 본 발명의 그리드형 접촉구조는 사용수명이 긴 장점도 가진다. 또한 메쉬를 이용하거나 에칭 등을 이용한 제조방법은 경제적인 비용으로 신속 용이하게 제조할 수 있다.
According to the present invention, an object to be processed contact structure is provided in a chamber. This can be a contact structure employed in a support structure such as an electrostatic chuck, and there is little temperature variation because a relatively large projecting structure per unit area makes uniform contact with the object to be processed. In addition, in the contact structure of the present invention, even when the peak portion formed on the upper surface portion of each protruding structure is worn, the relatively large protruding structure contacts the object to be processed within the same area, so the temperature deviation is very small. Therefore, the grid-type contact structure of the present invention also has an advantage that the service life is long. In addition, a manufacturing method using a mesh or an etching method can be quickly and easily manufactured at an economical cost.

도 1은 종래의 피처리 대상물 접촉구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 채용된 정전 척의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 채용된 정전 척의 상부 부위를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 채용된 정전 척을 개략적으로 도시한 도면으로서, 확대도에서 돌출부 배열을 보여준다.
도 6는 본 발명의 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조 일부분에 대한 전자현미경 사진이다.
도 7는 종래의 피처리 대상물 접촉구조 일부분에 대한 전자현미경 사진이다.
도 8은 본 발명의 제조방법의 일실시예에 따른 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제조방법의 다른 실시예에 따른 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional contact structure for an object to be processed.
Fig. 2 is a view schematically showing a cross section of an electrostatic chuck employing the object to be processed contact structure of the present invention. Fig.
3 is a view schematically showing an upper portion of an electrostatic chuck employing the object to be processed contact structure of the present invention.
Figs. 4 and 5 are views schematically showing an electrostatic chuck employing the object to be processed contact structure of the present invention, showing an arrangement of projections in an enlarged view. Fig.
6 is an electron micrograph of a part of the contact structure of the object to be processed in the chamber of the present invention.
7 is an electron micrograph of a part of the conventional contact structure of the object to be processed.
8 is a view for explaining a process according to an embodiment of the manufacturing method of the present invention.
9 is a view for explaining a process according to another embodiment of the manufacturing method of the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 2는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 적용된 정전 척의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3은 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 채용된 정전 척의 상부 부위를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 채용된 정전 척을 개략적으로 도시한 도면으로서, 확대도에서 돌출부 배열을 보여준다.Fig. 2 is a view schematically showing a cross section of an electrostatic chuck to which an object to be processed is to be contacted according to the present invention. Fig. 3 is a view schematically showing an upper portion of an electrostatic chuck employing the object to be processed contact structure of the present invention. Figs. 4 and 5 are views schematically showing an electrostatic chuck employing the object to be processed contact structure of the present invention, showing an arrangement of projections in an enlarged view. Fig.

본 발명의 피처리 대상물 접촉구조는 피처리 대상물 지지체(이하, '지지체'라고도 칭함)의 상면에 형성되어 피처리 대상물(G)과 접촉되는 구조에 관한 것이다. 이러한 접촉구조는 반도체 디바이스나 디스플레이용 글라스를 제조하는 장치의 챔버 내에서 실리콘 웨이퍼나 글라스 기판과 같은 피처리 대상물을 지지하는 지지체에 형성된다. 예컨대, 접촉구조는 정전 척의 본체 상면에 배치되어 피처리 대상물의 배면과 접촉하는 부위를 말한다.The object-to-be-processed structure of the present invention is formed on an upper surface of an object to be processed (hereinafter also referred to as a " support body ") and is in contact with the object to be processed. Such a contact structure is formed in a support for supporting an object to be processed such as a silicon wafer or a glass substrate in a chamber of a semiconductor device or an apparatus for producing a display glass. For example, the contact structure refers to a portion disposed on the upper surface of the main body of the electrostatic chuck and contacting the back surface of the object to be processed.

도면을 참조하여, 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조가 적용되는 정전 척은 피처리 대상물 지지체의 본체(1) 상면에 배치된 다수개의 돌출구조(211)로 이루어진 돌출구조 배열(21)을 포함한다. 이러한 돌출구조 배열(21)의 돌출구조(211) 사이에 홈(22)이 형성되고, 홈(22)은 헬륨과 같은 냉각가스의 소통 경로를 제공한다. 여기서와 같이 정전 척에 본 발명의 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조가 적용되는 경우에, 본체(1)는 모재(11), 모재(11) 상에 적층된 절연층(12), 및 절연층(12) 상에 배치되어 전극이 되는 도전층(13)을 포함한다.Referring to the drawings, an electrostatic chuck to which a target object contacting structure of the present invention is applied includes a protruding structure array 21 composed of a plurality of protruding structures 211 disposed on an upper surface of a main body 1 of a target object support . A groove 22 is formed between the protruding structures 211 of the protruding structure arrangement 21 and the groove 22 provides a communication path of the cooling gas such as helium. When the object to be processed in the chamber of the present invention is applied to the electrostatic chuck as described above, the main body 1 includes a base material 11, an insulating layer 12 stacked on the base material 11, 12, and a conductive layer 13 serving as an electrode.

도전층(13)의 상면에는 유전층(24)이 형성되어 있고, 유전층(24)의 상면에 상술한 돌출구조 배열(21)이 형성될 수 있다. 돌출구조 배열(21) 역시 유전체 물질로서 형성된다.A dielectric layer 24 is formed on the top surface of the conductive layer 13 and the above-described protruding structure array 21 may be formed on the dielectric layer 24. [ The protruding structure array 21 is also formed as a dielectric material.

도 2에서 도시한 바와 같이 모재(11), 절연층(12), 도전층(13), 및 유전접촉을 위한 층(210)을 관통하는 냉각가스 라인(14)가 구비되어 접촉구조의 접촉면으로 헬륨과 같은 가스를 공급한다. 따라서, 글라스 기판과 같은 피처리 대상물이 안착되면 둑구조(23)에 의해 냉각가스가 글라스 기판과 접촉구조 사이에서 홈(22)이 제공하는 소통 라인을 따라 순환된다.A cooling gas line 14 is provided through the base material 11, the insulating layer 12, the conductive layer 13, and the layer 210 for dielectric contact as shown in Fig. 2, Helium and other gases. Therefore, when the workpiece such as a glass substrate is placed, the duck structure 23 circulates the cooling gas along the communication line provided by the groove 22 between the glass substrate and the contact structure.

후술되는 제조 방법에 대한 설명에서 상세하게 설명되는 바와 같이, 메쉬 형상의 마스크를 본체(1) 상에 배치하고 유전체 물질로 접촉층을 위한 층을 적층한 후, 바람직하게는 마스크를 들어올려 제거함으로써 형성된다. 따라서, 돌출구조(211)들 사이에 배치되는 홈(22)은 그루브홈으로서 전체적으로 그리드 형태를 가진다.As described in detail in the description of the manufacturing method to be described later, a mesh-shaped mask is disposed on the main body 1 and a layer for the contact layer is formed of a dielectric material, and then the mask is preferably lifted and removed . Therefore, the grooves 22 disposed between the protruding structures 211 have a grid shape as a whole as groove grooves.

또한 그리드 형태의 홈(22)을 형성하는 다른 예로서, 패턴 sheet, 패턴 연마 가공, E-beam layer, ceramic micro etching 등이 이용될 수 있다.As another example of forming the groove 22 in the form of a grid, a pattern sheet, a pattern polishing process, an E-beam layer, a ceramic micro etching, or the like can be used.

또한 돌출구조(211)는 Al2O3, Y2O3, BeO, SiO2, ZrO2, CaO, MgO, TiO2, BaTiO3, Al2O3-Y2O3, Al2O3-TiO3, AIN, YSZ, 및 YAG 중에서 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.In addition, protrusion structure 211 is Al 2 O 3, Y 2 O 3, BeO, SiO 2, ZrO 2, CaO, MgO, TiO 2, BaTiO 3, Al 2 O 3 -Y 2 O 3, Al 2 O 3 - TiO 3 , AIN, YSZ, and YAG.

형성되는 돌출구조는 예를 들어 바닥부위의 장변의 길이가 100㎛ 이하, 상단부위의 장변의 길이가 30㎛ 이하, 높이 50㎛ 이상일 수 있다. 또한 Ra는 10㎛ 이상, 돌출구조 간 간격은 200㎛ 이하가 바람직할 수 있다.The protruding structure to be formed may be, for example, a length of a long side of a bottom portion of 100 m or less, a length of a long side of a top portion of 30 m or less, and a height of 50 m or more. Ra may be preferably 10 占 퐉 or more, and the interval between protruding structures may be 200 占 퐉 or less.

이러한 구조 조건은 약 2% ~ 20%의 접촉비율을 가지며, 2%이하의 낮은 접촉비율의 구조는 피크부의 마모를 가속시키며 수명을 단축하고, 20%이상의 접촉비율은 고해상도에 따라 he 유동을 저해하는 요인으로 인한 온도편차가 발생할 수 있다.These structural conditions have a contact ratio of about 2% to 20%, a structure with a low contact ratio of less than 2% accelerates wear of the peak portion and shortens the service life, and a contact ratio of 20% or more inhibits he flow Temperature fluctuations may occur due to factors such as

이러한 본 발명의 돌출구조는 플랫(Ra < 10㎛)와 트렌치 구조 보다는 매우 작고 일반적인 엠보스 구조보다는 유사 또는 큰 접촉비율을 가진다.This protruding structure of the present invention is much smaller than a flat (Ra < 10 mu m) and trench structure and has a similar or larger contact ratio than a general emboss structure.

이와 같이 돌출구조들의 표면거칠기(Ra)가 10㎛ 이상이고 마스크와 같은 일정한 패턴구조를 가지지 때문에 원활한 헬륨가스의 통로가 확보 및 유지된다.Since the surface roughness Ra of the protruding structures is 10 μm or more and has a uniform pattern structure like the mask, a smooth helium gas passage is secured and maintained.

본 발명의 피처리 대상물 접촉구조는 지지체 본체(1)의 상면에 돌출구조 배열(21)을 둘러싸도록 배치된 둑구조(23)를 포함할 수 있다. 이러한 둑구조(23)는 돌출구조 배열(21)이 형성된 부위 내의 냉각가스가 유출되지 않고 그 내부에 머무르도록 함과 동시에 피처리 대상물의 안착에 이용될 수 있다.The object contact structure of the present invention may include a weir structure 23 disposed on the upper surface of the support body 1 so as to surround the protruding structure arrangement 21. Such dirt structure 23 can be used for placing the object to be treated while allowing the cooling gas in the region where the protruding structure array 21 is formed to stay therein and not flow out.

또한 둑구조(dam)의 바로 안쪽에는 그루브 홈 패턴을 더 형성할 수 있다. 이는 공정 시에 정전 척 외각인 둑구조 부분에 놓여지는 포토레지스트의 버닝(burning)을 방지할 수 있으며, 이 경우 그루브 홈의 폭은 3 내지 5mm, 그리고 깊이는 30 내지 50㎛일 수 있다.In addition, a groove groove pattern can be formed immediately inside the dam structure. This can prevent burning of the photoresist that is placed on the heel structure part of the electrostatic chuck at the time of processing, in which case the width of the groove groove may be 3 to 5 mm and the depth may be 30 to 50 탆.

다수개의 돌출구조의 표면 패턴의 거칠기 (Ra)는 10㎛ 이상의 마스크와 같은 일정한 패턴구조가 바람직 할 수 있다.The surface roughness (Ra) of the surface pattern of a plurality of protruding structures may be preferably a constant pattern structure such as a mask of 10 탆 or more.

이 구조는 정전 척(ESC) 내 He gas의 용적율이 70% 이상의 점유율을 가지며, 원활한 He gas의 용적 확보를 통해 ESC 표면의 온도 균일도를 유지할 수 있다.This structure has the occupancy rate of 70% or more of the volume ratio of the He gas in the electrostatic chuck (ESC), and the temperature uniformity of the ESC surface can be maintained by securing the volume of the smooth gas.

바람직하게 돌출구조(211)들은 바람직하게는 용사법을 이용하여 형성되며, 이 경우 각 돌출구조(211)의 상면 부위에 형성된 다수개의 피크부를 포함할 수 있다.Preferably, the protruding structures 211 are formed using a spraying method, in which case the protruding structures 211 may include a plurality of peak portions formed on the upper surface portion of each protruding structure 211.

본 발명의 피처리 대상물 접촉구조에서는 이러한 피크부가 마모되어 글라스 기판과 같은 피처리 대상물(G)이 돌출구조(211)의 상면에 접촉되더라도 각각의 돌출구조(211)의 상면 부위가 상대적으로 작은 면적을 갖기 때문에 피처리 대상물(G)의 배면이나 상면의 전체 범위에 걸쳐서 온도편차가 거의 없거나 매우 미미한 수준을 유지할 수 있다. 따라서, 기존의 접촉구조에서 발생하였던 얼룩 등이 생기지 않는다.
In the object-to-be-contacted structure of the present invention, such peak portions are worn out, so that even if the object to be processed G such as a glass substrate is brought into contact with the upper surface of the projecting structure 211, It is possible to maintain almost no or very small temperature variation over the entire range of the back surface and the upper surface of the object to be processed G. [ Therefore, there is no stain or the like which has occurred in the existing contact structure.

이하에서는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조 제조방법을 구체적으로 설명한다. 도 8은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 제조방법의 과정을 나타낸 도면이다.Hereinafter, the method of manufacturing the contact object structure of the present invention will be described in detail. 8 is a view illustrating a process of a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

여기에서 설명하는 하나의 실시예에 따른 제조방법은 본 발명이 정전 척의 제조에 적용된 하나의 예시이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.The manufacturing method according to one embodiment described herein is one example in which the present invention is applied to the fabrication of an electrostatic chuck, and the present invention is not limited thereto.

먼저, 단계 101에서 피처리 대상물 지지체의 본체(1)를 준비한다. 상술한 바와 같이 피처리 대상물 지지체는 공정 장비의 챔버 내에 배치되는 정전 척일 수 있다. 정전 척의 본체는 일반적으로 전극으로 이용되는 도체를 포함하며, 여기서는 전극의 상면이 접촉면에 해당한다고 할 수 있다. 이러한 정전 척에서 일반적으로 본체(1)의 준비는 모재(11) 상에 절연층(12)을 형성한 후, 절연층(12) 위에 전극을 위한 도전층(13)을 형성하는 것으로 구현될 수 있다.First, in step 101, a main body 1 of a substrate to be processed is prepared. As described above, the object to be processed may be an electrostatic chuck disposed in the chamber of the process equipment. The main body of the electrostatic chuck generally includes a conductor used as an electrode, wherein the upper surface of the electrode corresponds to the contact surface. In such an electrostatic chuck, generally, preparation of the main body 1 can be realized by forming the insulating layer 12 on the base material 11, and then forming the conductive layer 13 for the electrode on the insulating layer 12 have.

단계 102에서, 지지체의 접촉면에 유전층(24)을 형성한다. 여기서 지지체 본체의 상면은 상술한 바와 같이 노출된 전극의 상면일 수 있고, 그 위에 용사법이나 다른 적층 방법을 이용하여 유전층(24)을 형성할 수 있다. 유전층(24)은 이후에 형성되는 돌출구조(211)와 같은 물질로 형성될 수 있다. 유전층(24)이 형성된 경우, 바람직하게는 연마 등을 통해 유전층(24)의 표면을 평탄화하는 과정을 더 포함할 수 있다.In step 102, a dielectric layer 24 is formed on the contact surface of the support. Here, the upper surface of the support body may be the upper surface of the exposed electrode as described above, and the dielectric layer 24 may be formed thereon by thermal spraying or other lamination method. The dielectric layer 24 may be formed of the same material as the protruding structure 211 formed later. When the dielectric layer 24 is formed, it may further include a step of planarizing the surface of the dielectric layer 24 through polishing or the like.

단계 103에서, 유전층(24)이 형성된 지지체 본체(1) 상면에 마스크를 배치한다. 마스크의 배치는 적절한 지그를 이용하여 용사 과정에서 마스크가 움직이지 않도록 견고하게 고정할 필요가 있다.In step 103, a mask is disposed on the upper surface of the support body 1 on which the dielectric layer 24 is formed. The arrangement of the mask needs to be firmly fixed so that the mask does not move during the spraying process by using an appropriate jig.

단계 104에서, 유전층(24)과 마스크가 배치된 지지체 본체(1) 상면에 접촉층을 위한 층을 형성한다. 이는 Al2O3나 Y2O3를 포함하는 물질을 이용하여 예컨대 용사법이나 다른 적층방법으로 구현될 수 있다.In step 104, a layer for the contact layer is formed on the dielectric layer 24 and the upper surface of the support body 1 on which the mask is disposed. This can be realized by using a material containing Al 2 O 3 or Y 2 O 3 , for example, by spraying or other lamination method.

단계 105에서, 마스크를 들어올려서 제거함으로써 돌출부 배열(21)을 형성하는 과정을 진행한다. 이와 같이 마스크를 제거하면 돌출구조(211)들과 함께 마스크 형상과 동일한 홈(22)이 돌출구조(211)들 사이에 형성된다.In step 105, the process of forming the projection array 21 is carried out by lifting and removing the mask. When the mask is thus removed, grooves 22, which are the same as the mask shape, are formed between the protruding structures 211 together with the protruding structures 211.

추가적으로, 지지체 접촉면에 돌출구조 배열(21)을 둘러싸도록 배치되는 둑구조(23)를 형성하는 단계를 진행할 수 있다(단계 106). 이러한 둑구조(23)의 형성은 단계 106과 같이 돌출구조 배열(21)을 형성한 이후에 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이를테면, 둑구조(23)는 돌출구조 배열을 형성하기 전에 먼저 지지체의 접촉면에 형성할 수 있다.
In addition, a step of forming a weir structure 23 disposed on the support contact surface so as to surround the protruding structure array 21 may be proceeded (step 106). It is preferable that the duck structure 23 is formed after forming the protruding structure array 21 as in step 106, but it is not necessarily limited thereto. For example, the dirt structure 23 may be formed on the contact surface of the support before forming the protruding structure array.

도 9는 본 발명의 피처리 대상물 접촉구조 제조방법의 다른 실시예의 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.Fig. 9 is a view schematically showing a process of another embodiment of the method for manufacturing a contact structure of an object to be processed according to the present invention.

본 발명의 제조방법에 관한 다른 실시예는 돌출구조 배열(21) 및 홈(22)의 형성에 다른 방식을 적용할 수 있다. 예를 들어, 유전층(24)을 적절한 두께로 형성한 이후에 그리드 형태의 홈(22)을 레이저를 이용한 식각공정을 통해 형성하거나 다른 가공 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 패턴 sheet, 패턴 연마 가공, E-beam layer, ceramic micro etching 등을 이용하여 그리드 형태의 홈을 형성할 수 있다.Other embodiments of the manufacturing method of the present invention may employ other methods for forming the protruding structure arrangement 21 and the grooves 22. [ For example, after forming the dielectric layer 24 to an appropriate thickness, the grid-shaped grooves 22 may be formed through an etching process using a laser, or may be formed using another process. For example, a grid-shaped groove can be formed by pattern sheet, pattern polishing, E-beam layer, ceramic micro etching, and the like.

이를 테면, 단계 201에서 피처리 대상물 지지체의 본체(1)를 준비한다. 상술한 바와 같이 피처리 대상물 지지체는 공정 장비의 챔버 내에 배치되는 정전 척일 수 있다. 정전 척의 본체는 일반적으로 전극으로 이용되는 도체를 포함하며, 여기서는 전극의 상면이 접촉면에 해당한다고 할 수 있다. 이러한 정전 척에서 일반적으로 본체(1)의 준비는 모재(11) 상에 절연층(12)을 형성한 후, 절연층(12) 위에 전극을 위한 도전층(13)을 형성하는 것으로 구현될 수 있다.For example, in step 201, the main body 1 of the workpiece support body is prepared. As described above, the object to be processed may be an electrostatic chuck disposed in the chamber of the process equipment. The main body of the electrostatic chuck generally includes a conductor used as an electrode, wherein the upper surface of the electrode corresponds to the contact surface. In such an electrostatic chuck, generally, preparation of the main body 1 can be realized by forming the insulating layer 12 on the base material 11, and then forming the conductive layer 13 for the electrode on the insulating layer 12 have.

단계 202에서, 지지체의 접촉면에 유전층(24)을 형성한다. 여기서 지지체 본체의 상면은 상술한 바와 같이 노출된 전극의 상면일 수 있고, 그 위에 용사법이나 다른 적층 방법을 이용하여 유전층(24)을 형성할 수 있다. 유전층(24)은 이후에 형성되는 돌출구조(211)와 같은 물질로 형성될 수 있다. 유전층(24)이 형성된 경우, 바람직하게는 연마 등을 통해 유전층(24)의 표면을 평탄화하는 과정을 더 포함할 수 있다.In step 202, a dielectric layer 24 is formed on the contact surface of the support. Here, the upper surface of the support body may be the upper surface of the exposed electrode as described above, and the dielectric layer 24 may be formed thereon by thermal spraying or other lamination method. The dielectric layer 24 may be formed of the same material as the protruding structure 211 formed later. When the dielectric layer 24 is formed, it may further include a step of planarizing the surface of the dielectric layer 24 through polishing or the like.

단계 203에서, 패턴 sheet, 패턴 연마 가공, E-beam layer, ceramic micro etching 등을 이용하여 그리드 형태의 홈을 형성한다.In step 203, a grid-shaped groove is formed by using a pattern sheet, pattern polishing, E-beam layer, ceramic micro etching, or the like.

추가적으로, 지지체 접촉면에 돌출구조 배열(21)을 둘러싸도록 배치되는 둑구조(23)를 형성하는 단계를 진행할 수 있다(단계 204). 이러한 둑구조(23)의 형성은 단계 204과 같이 돌출구조 배열(21)을 형성한 이후에 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이를테면, 둑구조(23)는 돌출구조 배열을 형성하기 전에 먼저 지지체의 접촉면에 형성할 수 있다.In addition, a step of forming a weir structure 23 disposed to surround the protruding structure arrangement 21 on the support contact surface may proceed (step 204). It is preferable that the dirt structure 23 is formed after the protruding structure array 21 is formed as in step 204, but it is not necessarily limited thereto. For example, the dirt structure 23 may be formed on the contact surface of the support before forming the protruding structure array.

이와 같이 연마나 식각과 같은 가공을 통해 그리드 형태를 식각함으로써 본 발명의 정전 척인 피처리 대상물 접촉구조를 제조할 수 있다.Thus, by etching the grid shape through processing such as polishing or etching, the object contact structure of the electrostatic chuck of the present invention can be manufactured.

도 4 및 도 5는 정전 척에 적용된 본 발명의 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.4 and 5 are views schematically showing the contact structure of the object to be processed in the chamber of the present invention applied to the electrostatic chuck.

도면에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 접촉구조에 채용되는 돌출구조(211)는 기존의 엠보스나 트렌치 구조에 비해 상대적으로 매우 작은 구조를 가진다. 따라서, 장시간의 사용 후 돌출구조들의 마모가 진행되더라도 피처리 대상물의 전체면에서 온도편차가 매우 적게 발생하여 얼룩 등이 발생하지 않는다. 참고적으로 도 3의 경우에는 이해의 편의를 위해서 돌출구조(211)를 실제보다 큰 비율로 도시하였으나, 본 발명의 돌출구조 및 돌출구조 배열은 도 4 및 5에 도시한 정도로 매우 미세한 구조이다.As can be seen from the figure, the protruding structure 211 employed in the contact structure of the present invention has a relatively small structure as compared with the conventional emboss or trench structure. Therefore, even if the abrasion of the projecting structures after use for a long time is advanced, the temperature deviation on the entire surface of the object to be processed is very small, and no stain occurs. 3, the protrusion structure 211 and the protrusion structure arrangement of the present invention are very minute in size as shown in FIGS. 4 and 5. FIG.

도 6과 도 7은 본 발명의 접촉구조와 종래의 접촉구조를 비교하기 위한 도면이다. 도 6은 본 발명의 접촉구조에 대한 SEM 사진이고 도 7은 종래의 접촉구조에 대한 SEM 사진이다. 사진에서 알 수 있는 바와 같이 동일한 척도로 촬영되었으며, 종래의 엠보스 구조에 비해 본 발명의 돌출구조(211)들은 종래의 엠보스 구조에 비해 현저하게 작다는 것을 알 수 있다. 이러한 본 발명의 돌출구조 배열(21)은 마스크를 이용하여 용이하게 제조할 수 있다.6 and 7 are diagrams for comparing the contact structure of the present invention with the conventional contact structure. FIG. 6 is a SEM photograph of the contact structure of the present invention, and FIG. 7 is a SEM photograph of a conventional contact structure. As can be seen from the photographs, they were photographed on the same scale, and it can be seen that the protruding structures 211 of the present invention are significantly smaller than the conventional embossed structure in comparison with the conventional embossed structure. Such a protruding structure arrangement 21 of the present invention can be easily manufactured using a mask.

또한, 이러한 본 발명의 돌출구조 배열(21)은 거칠기와 사이즈를 조정하여 돌출구조(211)에 대한 바람직한 조건을 도출할 수 있다.Also, the protruding structure arrangement 21 of the present invention can derive favorable conditions for the protruding structure 211 by adjusting the roughness and the size.

이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

1: 지지체의 본체 11: 모재
12: 절연층 13: 도전층
21: 돌출구조 배열 211: 돌출구조
22: 홈 23: 둑구조
24: 유전층 14: 냉각가스 라인1: Main body of support body 11: Base body
12: insulating layer 13: conductive layer
21: protruding structure array 211: protruding structure
22: Home 23: Dank Structure
24: dielectric layer 14: cooling gas line

Claims (18)

챔버 내 피처리 대상물 접촉구조로서:
피처리 대상물 지지체의 접촉면에 배치된 다수개의 돌출구조로 이루어진 돌출구조 배열; 및
상기 돌출구조 배열의 돌출구조들 사이에 제공되는 홈;을 포함하고,
상기 홈은 그리드 형태를 가지고 냉각가스의 소통 통로를 제공하는 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
1. An object to be processed in a chamber, comprising:
A protruding structure array having a plurality of protruding structures arranged on a contact surface of a target object to be processed; And
And a groove provided between the protruding structures of the protruding structure array,
Wherein the groove has a grid shape and provides a communication passage of the cooling gas.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출구조는 Al2O3, Y2O3, BeO, SiO2, ZrO2, CaO, MgO, TiO2, BaTiO3, Al2O3-Y2O3, Al2O3-TiO3, AIN, YSZ, 및 YAG 중에서 어느 하나 이상으로 형성된 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
The protruding structure may be formed of at least one of Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BeO, SiO 2 , ZrO 2 , CaO, MgO, TiO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 -Y 2 O 3 , Al 2 O 3 -TiO 3 , AIN, YSZ, and YAG.
청구항 1에 있어서,
상기 접촉면에 상기 돌출구조 배열을 둘러싸도록 배치된 둑구조를 더 포함하는 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
Further comprising a dam structure disposed on the contact surface so as to surround the projection structure array.
청구항 1에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조의 각각은 바닥부위의 장변의 길이가 100㎛ 이하, 상단부위 장변의 길이가 30㎛ 이하, 그리고 높이가 50㎛ 이상인 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of protruding structures has a length of the long side of the bottom portion of 100 mu m or less, a length of the long side of the top portion of 30 mu m or less, and a height of 50 mu m or more.
청구항 1에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조 각각의 간격은 200㎛ 이하인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between each of the plurality of protruding structures is 200 占 퐉 or less.
청구항 1에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조 각각은 거칠기(Ra)가 10㎛ 이상인 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of protruding structures has a roughness (Ra) of 10 mu m or more.
청구항 1에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조는 피처리 대상물과 접촉비율이 2 내지 20%인 것인, 챔버 내 피처리 대상물 접촉구조.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of protruding structures has a contact ratio of 2 to 20% with the object to be treated.
정전 척으로서:
모재;
상기 모재 상면에 적층된 절연층;
상기 절연층 상에 형성된 도전층; 및
상기 도전층 상에 형성되고, 그리드 형태의 홈과 상기 홈에 의해 형성되는 다수개의 돌출구조를 포함하는 접촉층;을 포함하고,
상기 홈은 냉각가스 소통로를 제공하는, 정전 척.
As electrostatic chuck:
Base metal;
An insulating layer stacked on the upper surface of the base material;
A conductive layer formed on the insulating layer; And
And a contact layer formed on the conductive layer and including a grid-shaped groove and a plurality of protruding structures formed by the grooves,
Said groove providing a cooling gas communication path.
청구항 8에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조의 각각은 바닥부위의 장변의 길이가 100㎛ 이하, 상단부위 장변의 길이가 30㎛ 이하, 그리고 높이가 50㎛ 이상인 것인, 정전 척
The method of claim 8,
Wherein each of the plurality of protruding structures has a length of the long side of the bottom portion of 100 mu m or less, a length of the long side of the top portion of 30 mu m or less, and a height of 50 mu m or more,
청구항 8에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조 각각의 간격은 200㎛ 이하인, 정전 척.
The method of claim 8,
Wherein an interval between each of the plurality of protruding structures is 200 占 퐉 or less.
청구항 8에 있어서,
상기 다수개의 돌출구조 각각은 거칠기(Ra)가 10㎛ 이상인 것인, 정전척.
The method of claim 8,
Wherein each of the plurality of protruding structures has a roughness (Ra) of 10 mu m or more.
청구항 8에 있어서,
다수개의 돌출구조는 피처리 대상물과 접촉비율이 2 내지 20%인 것인, 정전 척.
The method of claim 8,
Wherein the plurality of protruding structures has a contact ratio of 2 to 20% with the object to be processed.
챔버 내 피처리 대상물 접촉구조 제조방법으로서:
피처리 대상물 지지체의 접촉면에 마스크를 배치하는 단계;
상기 접촉면에 접촉층을 위한 층을 적층하는 단계; 및
상기 마스크를 들어올려서 제거하여 다수개의 돌출부 배열을 포함하는 접촉층을 형성하는 단계;를 포함하는, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.
A method of manufacturing a contact structure for an object to be processed in a chamber, comprising:
Disposing a mask on a contact surface of an object to be processed;
Laminating a layer for the contact layer on the contact surface; And
And lifting the mask to remove the mask to form a contact layer comprising a plurality of arrays of protrusions.
청구항 13에 있어서,
상기 접촉층을 위한 층은 용사법를 이용하여 형성되는 것인, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the layer for the contact layer is formed using a spraying method.
청구항 14에 있어서,
상기 접촉층을 위한 층은 Al2O3, Y2O3, BeO, SiO2, ZrO2, CaO, MgO, TiO2, BaTiO3, Al2O3-Y2O3, Al2O3-TiO3, AIN, YSZ, 및 YAG 중에서 어느 하나 이상으로 형성하는 것인, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.
15. The method of claim 14,
The layer for the contact layer may comprise at least one of Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BeO, SiO 2 , ZrO 2 , CaO, MgO, TiO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 -Y 2 O 3 , Al 2 O 3 - TiO 3 , AIN, YSZ, and YAG.
청구항 13에 있어서,
상기 접촉면에 돌출부 배열을 둘러싸는 둑구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising the step of forming a weir structure surrounding the projection arrangement on the contact surface.
청구항 13에 있어서,
상기 접촉면에 유전층을 먼저 형성한 후 마스크를 유전층 상에 배치하는 것인, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein a dielectric layer is first formed on the contact surface, and then a mask is disposed on the dielectric layer.
청구항 11에 있어서,
상기 지지체는 정전 척인 것인, 피처리 대상물 접촉구조 제조방법.The method of claim 11,
Wherein the support is an electrostatic chuck.
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