KR100703655B1 - Structure of Vacuum Chamber - Google Patents

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KR100703655B1
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김경표
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주식회사 아이피에스
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Abstract

본 발명은 진공챔버의 구조에 관한 것으로, 그 구성은 진공챔버 내부에 상부전극과 하부전극을 구비하며, 상기 전극 중 어느 하나에는 RF전원에 의해 전압(Self DC Bias)이 걸리고, 대향 되는 전극은 접지되는 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 전극은 전극판의 외곽을 감싸는 적어도 하나 이상의 절연체가 구비되는 절연층과; 상기 절연층과 결합되어 전압을 공급받는 전극판을 포함하여 이루어지며, 상기 전극 중 전압이 인가되는 전극판의 표면상에 요철이 형성되도록 하는 진공챔버의 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of a vacuum chamber, the configuration of which comprises an upper electrode and a lower electrode inside the vacuum chamber, one of the electrodes is subjected to a voltage (Self DC Bias) by the RF power source, the opposite electrode In the structure of the vacuum chamber to be grounded, the electrode comprises an insulating layer provided with at least one insulator surrounding the outside of the electrode plate; And an electrode plate coupled to the insulating layer to receive a voltage, and relates to a structure of a vacuum chamber for forming irregularities on the surface of the electrode plate to which voltage is applied.

본 발명은 대면적 기판에서 챔버벽에 의해 RF 인가 전극의 외곽이 중앙부분에 비해 상대적으로 높은 전압(Self DC Bias)이 걸리는 것을 인가 전극의 외곽 표면적을 증가시켜 인가 전극의 외곽 전압을 낮춤으로써 인가 전극 전체 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the outer wall of the RF application electrode is applied by the chamber wall to a relatively high voltage (Self DC Bias) in the large area substrate by increasing the outer surface area of the applied electrode and lowering the outer voltage of the applied electrode. There is an effect that can lower the overall voltage of the electrode.

요철, 전극판, 접점면, 절연층, 진공챔버 Unevenness, electrode plate, contact surface, insulation layer, vacuum chamber

Description

진공챔버의 구조{Structure of Vacuum Chamber}Structure of Vacuum Chamber

도 1은 종래의 진공챔버를 나타내는 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view showing a conventional vacuum chamber.

도 2a는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제1실시예를 나타내는 단면도.Figure 2a is a cross-sectional view showing a first embodiment according to the structure of a vacuum chamber of the present invention.

도 2b는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제1실시예를 나타내는 평단면도.Figure 2b is a plan sectional view showing a first embodiment according to the structure of a vacuum chamber of the present invention.

도 3a는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제2실시예를 나타내는 단면도.Figure 3a is a cross-sectional view showing a second embodiment according to the structure of the vacuum chamber of the present invention.

도 3b는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제3실시예를 나타내는 평단면도.Figure 3b is a plan sectional view showing a third embodiment according to the structure of the vacuum chamber of the present invention.

도 4는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제4실시예를 나타내는 단면도.Figure 4 is a sectional view showing a fourth embodiment according to the structure of the vacuum chamber of the present invention.

도 5a는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제4실시예를 나타내는 부분 확대 단면도.Fig. 5A is a partially enlarged sectional view showing a fourth embodiment according to the structure of a vacuum chamber of the present invention.

도 5b는 본 발명의 진공챔버의 구조에 따른 제5실시예를 나타내는 부분 확대 사시도.Figure 5b is a partially enlarged perspective view showing a fifth embodiment according to the structure of the vacuum chamber of the present invention.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 진공챔버 110 : 상부전극100: vacuum chamber 110: upper electrode

120 : 하부전극 122 : 절연층120: lower electrode 122: insulating layer

124 : 전측판 125 : 접점면124: front plate 125: contact surface

126 : RF전원공급장치 130,130',130" : 요철126: RF power supply device 130,130 ', 130 ": Unevenness

140 : 중앙부 150 : 외곽부140: center portion 150: outer portion

200 : 기판200: substrate

본 발명은 진공챔버의 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대면적 기판에서 챔버벽에 의해 RF 인가 전극의 외곽이 중앙부분에 비해 상대적으로 높은 전압(Self DC Bias)이 걸리는 것을 인가 전극의 외곽 표면적을 증가시켜 인가 전극의 외곽 전압을 낮춤으로써 인가 전극 전체 전압을 낮출 수 있는 진공챔버의 구조에 관한 것이다.The present invention relates to the structure of a vacuum chamber, and more particularly, the outer surface area of the applied electrode that the outer wall of the RF applied electrode is subjected to a relatively high voltage (Self DC Bias) compared to the center portion by the chamber wall in the large area substrate. The present invention relates to a structure of a vacuum chamber capable of lowering the total voltage of an applied electrode by increasing the lower voltage of the applied electrode.

일반적인 플라즈마 처리장치를 보면, 진공챔버(10)와 상기 진공챔버 내부에 위치한 상부전극(11)과 하부전극(12)으로 이루어져 있고 그 중 하나의 전극에 플라즈마를 발생시키기 위해 RF전원이 인가되고 대향하는 전극은 접지된다. 이때 접지되는 전극의 표면적이 크면 클수록 RF전원이 인가되는 전극에는 더 높은 전압이 걸리게 된다. 도 1을 참조하여 설명하면, 상기 하부전극(12)의 표면적을 A2, 상기 상부전극(11)의 표면적을 A1이라 하고, 그리고 상기 하부전극(12)의 표면적에 인가되는 전압을 V1, 상기 상부전극(11)에 인가되는 전압을 V2라 하였을 때, 상기 상부전극(11)과 하부전극(12)의 표면적에 대한 전압(Self DC Bias)의 변화는 V1/V2=(A2/A1)4 와 같은 수식을 성립한다.In a typical plasma processing apparatus, a vacuum chamber 10 and an upper electrode 11 and a lower electrode 12 positioned inside the vacuum chamber are provided, and an RF power source is applied to one of the electrodes to face a plasma. The electrode to be grounded is grounded. In this case, the larger the surface area of the grounded electrode is, the higher the voltage is applied to the electrode to which the RF power is applied. Referring to FIG. 1, the surface area of the lower electrode 12 is A2, the surface area of the upper electrode 11 is A1, and the voltage applied to the surface area of the lower electrode 12 is V1. When the voltage applied to the electrode 11 is V2, the change of the voltage (Self DC Bias) with respect to the surface area of the upper electrode 11 and the lower electrode 12 is V1 / V2 = (A2 / A1) 4 and The same formula holds.

이에 따라 LCD나 OLED와 같은 대면적 기판 장비의 경우는 소면적 기판 장비 에 비해 상대적으로 접지되는 전극의 표면적은 줄어든다. 이러한 접지 전극의 면적이 줄어드는 것을 방지하기 위하여 기판이 커지는 만큼 전극 사이 거리를 증가시켜 접지 전극의 면적을 증가시킨다. 대면적 기판 장비의 전극 사이 거리가 증가하게 되면 상대적으로 챔버의 크기도 따라서 커지게 되고, 또한 전극의 사이 거리가 증가하면 플라즈마의 균일도가 떨어지는 문제점이 있으며, 그리고 플라즈마의 균일도를 높이기 위해 거리를 감소시키면 전압(Self DC Bias)이 떨어지는 문제점이 발생한다.Accordingly, in the case of large area substrate equipment such as LCD or OLED, the surface area of the grounded electrode is reduced in comparison with the small area substrate equipment. In order to prevent the area of the ground electrode from being reduced, the distance between the electrodes is increased by increasing the substrate, thereby increasing the area of the ground electrode. Increasing the distance between the electrodes of the large-area substrate equipment increases the size of the chamber relatively, and if the distance between the electrodes is increased, there is a problem that the uniformity of the plasma falls, and the distance is reduced to increase the uniformity of the plasma If this occurs, the voltage (Self DC Bias) falls.

또한, 챔버벽과 인접하는 인가 전극의 외곽부분이 중앙부분의 전압보다 상대적으로 높은 전압을 형성함으로써 전압 불균일을 가중시키는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that an outer portion of the application electrode adjacent to the chamber wall forms a voltage that is relatively higher than the voltage at the center portion, thereby increasing voltage unevenness.

이러한 문제점을 해결하기 위한 기술로서 본 출원인이 출원한 츨원번호 제10-2005-0076236호가 있는데, 이를 보면 접지전극 상의 표면적을 증가시켜 상대적으로 인가 전극에 걸리는 전압을 전체적으로 높임으로써 전극 상의 전압 균일도를 갖게 하는 것이다. As a technique for solving such a problem, there is a patent application No. 10-2005-0076236 filed by the present applicant, which increases the surface area on the ground electrode to increase the voltage applied to the applied electrode as a whole to have a voltage uniformity on the electrode. It is.

그러나 상기 출원번호 제10-2005-0076236호는 접지전극의 불균일한 전압을 상기 전압을 상승시켜 균일도를 맞춤으로써, 전압 균일도는 맞출 수 있으나 상대적으로 높아진 전압에 의해 인가 전극의 절연체 및 기판 주변의 아킹 현상으로 인한 절연체 및 기판 손상을 유발시킬 수 있는 문제점이 있었다.However, the patent application No. 10-2005-0076236 adjusts the uniformity by increasing the voltage to the non-uniform voltage of the ground electrode, the voltage uniformity can be adjusted, but the arcing around the insulator of the applied electrode and the substrate due to the relatively high voltage There was a problem that may cause damage to the insulator and the substrate due to the phenomenon.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 본 발명은 대면적 기판에서 챔버벽에 의해 RF 인가 전극의 외곽이 중앙부분에 비해 상대적으로 높은 전압(Self DC Bias)이 걸리는 것을 인가 전극의 외곽 표면적을 증가시켜 인가 전극의 외곽 전압을 낮춤으로써 인가 전극 전체 전압을 낮출 수 있는 진공챔버의 구조를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the present invention is that the outside of the RF applied electrode is a relatively high voltage (Self DC Bias) compared to the center portion by the chamber wall in the large area substrate It is to provide a structure of a vacuum chamber that can lower the overall voltage of the applied electrode by lowering the outer voltage of the applied electrode by increasing the outer surface area of the applied electrode.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해 구현된다.The present invention is implemented by the embodiment having the following configuration in order to achieve the above object.

본 발명의 진공챔버의 구조는, 진공챔버 내부에 상부전극과 하부전극을 구비하며, 상기 전극 중 어느 하나에는 RF전원에 의해 전압(Self DC Bias)이 걸리고, 대향되는 전극은 접지되는 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 전극은 전극판의 외곽을 감싸는 적어도 하나 이상의 절연체가 구비되는 절연층과; 상기 절연층과 결합되어 전압을 공급받는 전극판을 포함하여 이루어지며, 상기 전극 중 전압이 인가되는 전극판의 표면상에 요철이 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.The structure of the vacuum chamber of the present invention includes an upper electrode and a lower electrode inside the vacuum chamber, and any one of the electrodes is subjected to a voltage (Self DC Bias) by an RF power source, and the opposite electrode of the vacuum chamber is grounded. In the structure, the electrode and the insulating layer provided with at least one insulator surrounding the outside of the electrode plate; And an electrode plate coupled with the insulating layer to receive a voltage, wherein the unevenness is formed on a surface of the electrode plate to which voltage is applied.

본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 요철은 상기 전극판의 상부 외곽면으로부터 전극판과 절연층이 맞다는 접점면 상에 더 연장되도록 할 수 있다.In the structure of the vacuum chamber of the present invention, the unevenness may be further extended from the upper outer surface of the electrode plate on the contact surface where the electrode plate and the insulating layer is fitted.

본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 요철은 상기 전극판과 절연층의 접점면 중 상기 전극판의 표면상에 형성되도록 할 수도 있다.In the structure of the vacuum chamber of the present invention, the unevenness may be formed on the surface of the electrode plate of the contact surface of the electrode plate and the insulating layer.

또한, 본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 요철은 다각형상 또는 반구 형상을 선택적으로 할 수 있다.Further, in the structure of the vacuum chamber of the present invention, the irregularities can be selectively polygonal or hemispherical.

또한, 본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 전극판은 상부 외곽으로부터 중앙부위로 향할수록 표면적이 작아지는 요철로 이루어질 수 있다.In addition, in the structure of the vacuum chamber of the present invention, the electrode plate may be formed of an unevenness of the surface area becomes smaller toward the central portion from the upper outer portion.

본 발명의 진공챔버의 구조는, 진공챔버 내부에 상부전극과 하부전극을 구비하며, 상기 전극 중 어느 하나에는 RF전원에 의해 전압(Self DC Bias)이 걸리고, 대향되는 전극은 접지되는 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 전극은 전극판의 외곽을 감싸는 적어도 하나 이상의 절연체가 구비되는 절연층과; 상기 절연층과 결합되어 전압을 공급하는 전극판을 포함하여 이루어지며, 상기 절연층과 전극판이 맞다는 접점면 상에 요철이 형성되도록 할 수도 있다.The structure of the vacuum chamber of the present invention includes an upper electrode and a lower electrode inside the vacuum chamber, and any one of the electrodes is subjected to a voltage (Self DC Bias) by an RF power source, and the opposite electrode of the vacuum chamber is grounded. In the structure, the electrode and the insulating layer provided with at least one insulator surrounding the outside of the electrode plate; And an electrode plate coupled to the insulating layer to supply a voltage, and may have irregularities formed on a contact surface between the insulating layer and the electrode plate.

본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 요철은 상기 전극판과 절연층의 접점면 중 상기 전극판의 표면상에 형성되도록 할 수 있다.In the structure of the vacuum chamber of the present invention, the unevenness may be formed on the surface of the electrode plate of the contact surface of the electrode plate and the insulating layer.

또한, 본 발명의 진공챔버의 구조에 있어서, 상기 요철은 다각형상 또는 반구 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 전극판은 상부 외곽으로부터 중앙부위로 향할수록 표면적이 작아지는 요철로 이루어지도록 할 수 있다.In addition, in the structure of the vacuum chamber of the present invention, the unevenness may be formed in a polygonal shape or a hemispherical shape, the electrode plate may be made of unevenness of the surface area becomes smaller toward the central portion from the upper outer portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 또는 도 2b는 본 발명에 따른 제1실시예로서, 이를 참조하면, 상기 진공챔버(100)는 소정의 공간을 가지며, 그 일측에는 진공챔버 내부를 고진공으로 유지하기 위한 펌핑장치(미도시)를 구비하고 있으며, 상기 진공챔버(100) 상,하부 상에 상부전극(110)과 하부전극(120)을 위치시킨 상태에서 상기 하부전극(120)상에 RF전원을 공급할 수 있는 전원공급장치(126)가 연결되도록 하고 있다.2A or 2B is a first embodiment according to the present invention. Referring to this, the vacuum chamber 100 has a predetermined space, and at one side thereof, a pumping device for maintaining the inside of the vacuum chamber at a high vacuum (not shown). And a power supply device capable of supplying RF power to the lower electrode 120 while the upper electrode 110 and the lower electrode 120 are positioned on the upper and lower portions of the vacuum chamber 100. 126 is being connected.

또한, 상기 상부전극(110)과 진공챔버(100)는 하부전극(120)과 달리 지면과 접지되도록 하고 있으며, 상기 상부전극(110)을 통해서는 외부의 공정가스가 공급 될 수 있도록 샤워헤드(미도시)가 구비되어, 상기 공정가스와 RF전원에 의해 기판(200) 표면상에 소정의 공정을 실시하게 된다.In addition, unlike the lower electrode 120, the upper electrode 110 and the vacuum chamber 100 are grounded to the ground, and the shower head (so that the external process gas can be supplied through the upper electrode 110) Not shown) is provided to perform a predetermined process on the surface of the substrate 200 by the process gas and the RF power source.

그리고, 상기 하부전극(120)은 RF전원을 공급받는 전극판(124)과, 상기 공정 실행시 발생하는 플라즈마로부터 전극판(124)을 보호할 수 있게 하는 다수개의 절연체(미도시)를 포함하는 절연층(122)이 그 외부를 감싸도록 하고 있는데, 상기 전극판(124)의 상부에서는 정전척(미도시)에 의해 기판(200)이 안착 될 수 있도록 되어 있다.In addition, the lower electrode 120 includes an electrode plate 124 supplied with RF power and a plurality of insulators (not shown) to protect the electrode plate 124 from plasma generated during the process. The insulating layer 122 surrounds the outside thereof, but the upper portion of the electrode plate 124 allows the substrate 200 to be seated by an electrostatic chuck (not shown).

여기서 상기 RF전원이 인가되는 하부전극(120)과 접지되어 있는 상부전극(110) 및 진공챔버(100) 상에 전압이 인가되게 되는데, 이때 상기 하부전극(120)의 중앙부(140)의 표면적과 인접하는, 상기 상부전극(110)의 표면적은 같아 두 곳의 전압은 동일하게 형성되고 있으나, 상기 하부전극(120)의 외곽부(150)와 인접하는 상부전극(110)의 외곽과 진공챔버(110) 내벽의 표면적이 상대적으로 큰 차이를 가지고 있어서, 그로 인해 상기 하부전극(120)의 외곽부(150)에 상대적으로 많은 전압이 형성되는 것을 방지하기 위해 상기 전극판(124)의 상측 외곽부에 상기 상부전극과 진공챔버의 접지면과 대향될 수 있도록 요철(130)을 형성함으로써 표면적을 증가시켜 외측부의 전압을 낮출 수 있도록 한다.Here, the voltage is applied to the lower electrode 120 to which the RF power is applied, the upper electrode 110 and the vacuum chamber 100 which are grounded, and the surface area of the central portion 140 of the lower electrode 120 Adjacent, the surface area of the upper electrode 110 is the same, but the two voltages are formed the same, but the outer portion and the vacuum chamber of the upper electrode 110 adjacent to the outer portion 150 of the lower electrode 120 ( 110, the surface area of the inner wall has a relatively large difference, so that the upper outer portion of the electrode plate 124 to prevent the formation of a relatively large voltage on the outer portion 150 of the lower electrode 120 By forming the concave-convex 130 so as to face the ground plane of the upper electrode and the vacuum chamber, it is possible to increase the surface area to lower the voltage of the outer portion.

또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 전극판(124)의 상부 외곽부로부터 중앙부위로 향할수록 표면적이 점점 작아지도록 요철(130)을 형성함으로써도 동일한 효과를 얻을 수 있게 된다.In addition, as shown in FIG. 3B, the same effect may be obtained by forming the uneven surface 130 such that the surface area becomes smaller as it goes from the upper outer portion of the electrode plate 124 toward the center portion.

예컨대, 종래 기술에서 언급한 것과 같은 V1/V2=(A2/A1)4 의 수식을 참조하면 가능하게 되는데, 상기 하부전극(120) 상에 인가되는 RF전원을 통해 상기 상부전극(110)과 하부전극(120) 상에 각각 전압(Self DC Bias)이 형성된다. 이때 상기 각각의 전압은 상기 상부전극(110)의 표면적과, 상기 하부전극(120)의 표면적, 그리고 상기 진공챔버의 내벽의 표면적에 의해 간섭을 받게 된다. 따라서 상기 하부전극(120)의 표면적을 접지전극과 대응되도록 요철을 형성시킴으로써 인가 전극의 전압을 전체적으로 낮추어 플라즈마가 균일하게 형성될 수 있게 한다.For example, it is possible to refer to the formula of V1 / V2 = (A2 / A1) 4 as mentioned in the prior art, and the upper electrode 110 and the lower part are provided through the RF power applied on the lower electrode 120. Voltages Self DC Bias are formed on the electrodes 120, respectively. At this time, the respective voltages are interfered by the surface area of the upper electrode 110, the surface area of the lower electrode 120, and the surface area of the inner wall of the vacuum chamber. Therefore, the unevenness is formed to correspond to the surface area of the lower electrode 120 to the ground electrode, thereby lowering the voltage of the applied electrode as a whole so that the plasma can be uniformly formed.

도 3a는 본 발명에 따른 제2실시예로서, 이를 참조하면, 상기 전극판(124) 상측 외곽에 형성된 요철(130)로부터 상기 절연층(122)와 전극판(124)이 맞다는 접점면(125)로 연장되는 요철(130')을 추가로 형성함으로 더욱 효율적인 전압 형성과 균일성을 가질 수 있도록 한다.FIG. 3A illustrates a second embodiment according to the present invention. Referring to this, a contact surface of the insulating layer 122 and the electrode plate 124 is fitted from an uneven surface 130 formed on the upper side of the electrode plate 124. By additionally forming the concave-convex (130 ') extending to 125 to have a more efficient voltage formation and uniformity.

도 4는 본 발명에 따른 제3실시예로서, 이를 참조하면, 상기 외곽의 표면적을 증가시켜 전압을 낮출 수 있도록 상기 전극판(124)과 절연층(122)이 맞다는 접점면(125) 상에만 요철(130")을 형성하여도 가능하게 된다.FIG. 4 is a third embodiment according to the present invention. Referring to this, on the contact surface 125 where the electrode plate 124 and the insulating layer 122 are fitted to increase the outer surface area and lower the voltage. It is possible to form the unevenness 130 "only.

도 5a는 본 발명에 따른 제4실시예로서, 이를 참조하면, 상기 요철(130,130',130")을 블라스팅(Blasting) 처리함으로써 불규칙한 크기를 가지고 불규칙하게 배열되도록 함으로써도 전압을 낮출 수 있는 효과를 가질 수 있게 된다.FIG. 5A illustrates a fourth embodiment according to the present invention. Referring to this, by applying a blasting process to the irregularities 130, 130 'and 130 " I can have it.

여기서 상기 블라스팅(Blasting)은 기계의 표면 가공방법으로 사용되는 것으로서 모래(Sand) 또는 쇠구슬(Metal Ball)을 이용해 표면을 강타시켜 표면상에 요 철이 형성되도록 하는 것이다.The blasting (Blasting) is to be used as a surface processing method of the machine is to use the sand (Sand) or metal ball (Metal Ball) to hit the surface to form the irregularities on the surface.

도 5b는 본 발명에 따른 제5실시예로서, 이를 참조하면, 상기 요철(130,130',130")을 전극판(124)과 절연층(122)이 만나는 접점면(125) 중 전극판(124)측에 반구 형상이 엇갈리게 형성할 수도 있다.5B is a fifth embodiment according to the present invention. Referring to this, the electrode plate 124 of the contact surface 125 where the unevenness 130, 130 ′, 130 ″ meets the electrode plate 124 and the insulating layer 122. The hemispherical shape may be alternately formed on the side.

또한, 상기 요철을 절연층(122)과 전극판(124)이 맞다는 접점면(125) 양측에 형성할 수도 있으나 상기 전극판(124)의 표면 상에만 형성하는 것도 가능하다.In addition, the irregularities may be formed on both sides of the contact surface 125 where the insulating layer 122 and the electrode plate 124 fit, but may be formed only on the surface of the electrode plate 124.

그리고 상기 본 발명은 하부전극에 RF전원이 인가되는 RIE Type의 경우에 대해서만 설명을 하였지만 상부전극에 RF전원이 인가되는 PE(Plasma Etching Type)의 경우에 있어서도 동일하게 적용될 수 있는 것은 주지 사실이다.Although the present invention has been described only in the case of the RIE type in which the RF power is applied to the lower electrode, it is well known that the present invention can be similarly applied to the case of the PE (Plasma Etching Type) in which the RF power is applied to the upper electrode.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 고안의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.

본 발명은 앞서 본 구성에 의해 다음과 같은 효과를 가진다.The present invention has the following effects by the above configuration.

본 발명은 대면적 기판에서 챔버벽에 의해 RF 인가 전극의 외곽이 중앙부분에 비해 상대적으로 높은 전압(Self DC Bias)이 걸리는 것을 인가 전극의 외곽 표면적을 증가시켜 인가 전극의 외곽 전압을 낮춤으로써 인가 전극 전체 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the outer wall of the RF application electrode is applied by the chamber wall to a relatively high voltage (Self DC Bias) in the large area substrate by increasing the outer surface area of the applied electrode and lowering the outer voltage of the applied electrode. There is an effect that can lower the overall voltage of the electrode.

또한, 본 발명은 인가 전극의 전압을 낮춤으로써 전압 균일도와 아킹 현상으로 인한 절연체 손상 및 기판 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of preventing the insulator damage and the substrate damage caused by the voltage uniformity and arcing phenomenon by lowering the voltage of the applied electrode.

Claims (12)

진공챔버 내부에 상부전극과 하부전극을 구비하며, 상기 전극 중 어느 하나에는 RF전원에 의해 전압(Self DC Bias)이 걸리고, 대향되는 전극은 접지되는 진공챔버의 구조에 있어서,In the vacuum chamber structure having an upper electrode and a lower electrode, one of the electrodes is subjected to a voltage (Self DC Bias) by the RF power source, and the opposite electrode is grounded, 상기 전극은 전극판의 외곽을 감싸는 하나 이상의 절연체가 구비되는 절연층과;The electrode includes an insulating layer provided with one or more insulators surrounding the outer surface of the electrode plate; 상기 절연층과 결합되어 전압을 공급받는 전극판을 포함하여 이루어지며,And an electrode plate coupled to the insulating layer to receive a voltage. 상기 전극 중 전압이 인가되는 전극판의 표면상에 요철이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The structure of the vacuum chamber, characterized in that irregularities are formed on the surface of the electrode plate to which voltage is applied among the electrodes. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 요철은 상기 전극판의 상부 외곽면으로부터 전극판과 절연층이 맞다는 접점면 상에 더 연장되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The convex and convex structure of the vacuum chamber further extends from the upper outer surface of the electrode plate on the contact surface where the electrode plate and the insulating layer is fitted. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 요철은 상기 전극판과 절연층의 접점면 중 상기 전극판의 표면상에 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.Wherein the unevenness is formed on the surface of the electrode plate among the contact surfaces of the electrode plate and the insulating layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극판은 상부 외곽으로부터 중앙부위로 향할수록 표면적이 작아지는 요철로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The electrode plate has a structure of a vacuum chamber, characterized in that the surface area is made of irregularities that decrease toward the central portion from the upper outer portion. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 요철은 다각형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that consisting of a polygonal shape. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 요철은 반구 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that made in a hemispherical shape. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 요철은 블라스팅(Blasting)으로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that to be formed by blasting (Blasting). 진공챔버 내부에 상부전극과 하부전극을 구비하며, 상기 전극 중 어느 하나에는 RF전원에 의해 전압(Self DC Bias)이 걸리고, 대향되는 전극은 접지되는 진공챔버의 구조에 있어서,In the vacuum chamber structure having an upper electrode and a lower electrode, one of the electrodes is subjected to a voltage (Self DC Bias) by the RF power source, and the opposite electrode is grounded, 상기 전극은 전극판의 외곽을 감싸는 하나 이상의 절연체가 구비되는 절연층과;The electrode includes an insulating layer provided with one or more insulators surrounding the outer surface of the electrode plate; 상기 절연층과 결합되어 전압을 공급하는 전극판을 포함하여 이루어지며,And an electrode plate coupled with the insulating layer to supply a voltage. 상기 절연층과 전극판이 맞다는 접점면 상에 요철이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The structure of the vacuum chamber, characterized in that irregularities are formed on the contact surface of the insulating layer and the electrode plate. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 요철은 상기 전극판과 절연층의 접점면 중 상기 전극판의 표면상에 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.Wherein the unevenness is formed on the surface of the electrode plate among the contact surfaces of the electrode plate and the insulating layer. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 요철은 다각형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that consisting of a polygonal shape. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 요철은 반구 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that made in a hemispherical shape. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 요철은 블라스팅(Blasting)으로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 구조.The uneven structure of the vacuum chamber, characterized in that to be formed by blasting (Blasting).
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