KR20230089551A - Composition for forming separation layer, support base provided with separation layer, laminate, method of producing the same, and method of producing electronic component - Google Patents

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Abstract

[과제] 지지 기체와, 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 광 반응성이 보다 높아져 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상한 분리층을 형성할 수 있는 분리층 형성용 조성물 등을 제공한다.
[해결 수단] 광을 투과하는 지지 기체(1)와, 기판(4)의 사이에, 분리층(2) 및 접착층(3)을 구비하는 적층체(10)에 있어서, 지지 기체 측으로부터의 광의 조사에 의해 변질하여, 적층체로부터 지지 기체를 분리 가능하게 하는 분리층을 형성하기 위한 분리층 형성용 조성물로서, 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분(P)을 함유하는, 분리층 형성용 조성물을 채용한다. 일반식(p1) 중, LP1은, 2가의 연결기를 나타낸다. RP1은, 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기를 나타낸다.
[화 1]

Figure pat00023
[Problem] A composition for forming a separation layer capable of forming a separation layer in a laminate having a separation layer between a support substrate and a substrate, with higher photoreactivity and improved separation of the support substrate from the laminate. provide etc.
[Solution] In a laminate 10 having a separation layer 2 and an adhesive layer 3 between a light-transmitting support base 1 and a substrate 4, light from the support base side A composition for forming a separation layer for forming a separation layer capable of separating a support substrate from a laminate by being altered in quality by irradiation, comprising a resin component (P) having a repeating unit represented by formula (p1). A composition for layer formation is employed. In general formula (p1), L P1 represents a divalent linking group. R P1 represents a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.
[Tue 1]
Figure pat00023

Description

분리층 형성용 조성물, 분리층 부착 지지 기체, 적층체 및 그의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법{COMPOSITION FOR FORMING SEPARATION LAYER, SUPPORT BASE PROVIDED WITH SEPARATION LAYER, LAMINATE, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT}Composition for forming separation layer, support base with separation layer, laminate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing electronic components PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은, 분리층 형성용 조성물, 분리층 부착 지지 기체(基體), 적층체 및 그의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for forming a separation layer, a support base with a separation layer, a laminate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an electronic component.

반도체 소자를 포함하는 반도체 패키지(전자 부품)에는, 대응 사이즈에 따라 여러가지 형태가 존재하고, 예를 들면 WLP(Wafer Level Package), PLP(Panel Level Package) 등이 있다. There are various types of semiconductor packages (electronic components) including semiconductor elements depending on the corresponding size, and there are, for example, WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package), and the like.

반도체 패키지의 기술로서는, 팬 인형 기술, 팬 아웃형 기술을 들 수 있다. 팬 인형 기술에 의한 반도체 패키지로서는, 베어 칩 단부에 있는 단자를 칩 에어리어 내에 재배치하는, 팬 인형 WLP(Fan-in Wafer Level Package) 등이 알려져 있다. 팬 아웃형 기술에 의한 반도체 패키지로서는, 상기 단자를 칩 에어리어 외에 재배치하는, 팬 아웃형 WLP(Fan-out Wafer Level Package) 등이 알려져 있다. As a technology of a semiconductor package, a fan doll technology and a fan-out type technology are mentioned. As a semiconductor package based on the fan doll technology, a fan doll WLP (Fan-in Wafer Level Package) or the like is known in which terminals at the end of a bare chip are rearranged in a chip area. As a semiconductor package based on fan-out technology, a fan-out wafer level package (WLP) or the like in which the terminals are rearranged outside the chip area is known.

근래, 특히 팬 아웃형 기술은, 패널 상에 반도체 소자를 배치하여 패키지화하는 팬 아웃형 PLP(Fan-out Panel Level Package)에 응용되는 등, 반도체 패키지에 있어서의, 한층 더 고집적화, 박형화 및 소형화 등을 실현할 수 있는 방법으로서 주목을 끌고 있다. In recent years, in particular, fan-out technology has been applied to a fan-out panel level package (PLP) in which semiconductor elements are arranged and packaged on a panel, and further integration, thinning, and miniaturization of semiconductor packages, etc. is attracting attention as a way to realize it.

반도체 패키지의 소형화를 도모하기 위해서는, 조립되는 소자에 있어서의 기판의 두께를 얇게 하는 것이 중요해진다. 그렇지만, 기판의 두께를 얇게 하면, 그 강도가 저하하여, 반도체 패키지 제조 시에 기판의 파손을 발생하기 쉬워진다. 이것에 대하여, 기판에 지지 기체를 첩합시킨 적층체가 채용되고 있다. In order to achieve miniaturization of a semiconductor package, it becomes important to make the thickness of the board|substrate in an assembled element thin. However, if the thickness of the substrate is reduced, its strength is reduced, making it easier to damage the substrate during semiconductor package manufacturing. In contrast, a laminate in which a substrate is bonded to a support substrate is employed.

특허문헌 1에는, 광 투과성의 지지 기체와, 기판을, 지지 기체 측에 설치된 광 열 변환층(분리층) 및 접착층을 통해서 첩합시키고, 기판을 가공 처리한 후, 지지 기체측으로부터 분리층에 방사 에너지(광)를 조사하여 분리층을 변질시켜 분해하는 것에 의해, 가공 처리 후의 기판과, 지지 기체를 분리하여 적층체를 제조하는 방법이 개시되어 있다. In Patent Document 1, a light-transmitting support substrate and a substrate are bonded via a light-to-heat conversion layer (separation layer) provided on the support substrate side and an adhesive layer, and after processing the substrate, radiation is applied to the separation layer from the support substrate side Disclosed is a method of manufacturing a laminate by irradiating energy (light) to alter and decompose a separation layer, thereby separating a substrate after processing and a support substrate.

[특허문헌 1] 일본 특개 2004-64040호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-64040

특허문헌 1에 기재와 같게, 기판에 지지 기체를 첩합시킨 적층체를 채용하여 반도체 패키지의 소형화를 도모하는 경우, 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 문제가 된다. As described in Patent Literature 1, when a semiconductor package is miniaturized by employing a laminate in which a support substrate is bonded to a substrate, separability of the support substrate from the laminate becomes a problem.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 지지 기체와 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 광 반응성이 보다 높아져서 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상한 분리층을 형성할 수 있는 분리층 형성용 조성물, 이것을 이용한 분리층 부착 지지 기체, 적층체 및 그의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a laminate having a separation layer between a support substrate and a substrate, a separation layer having higher photoreactivity and improved separation of the support substrate from the laminate is formed. It is an object to provide a composition for forming a separation layer that can be used, a support substrate with a separation layer using the same, a laminate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of an electronic component.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용했다. In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.

즉, 본 발명의 제1의 태양은, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 상기 지지 기체 측으로부터의 광의 조사에 의해 변질하고, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리 가능하게 하는 상기 분리층을 형성하기 위한 분리층 형성용 조성물로서, 하기 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분(P)을 함유하는 것을 특징으로 하는, 분리층 형성용 조성물이다. That is, in the first aspect of the present invention, in a laminate having a separation layer between a support substrate through which light is transmitted and a substrate, the laminate is changed in quality by irradiation of light from the support substrate side, and the laminate is formed. A composition for forming a separation layer for forming the separation layer capable of separating the support gas from the separation layer, characterized in that it contains a resin component (P) having a repeating unit represented by the following general formula (p1), composition for formation.

Figure pat00001
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[식 중, LP1은, 2가의 연결기를 나타낸다. RP1은, 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기를 나타낸다.][In formula, L P1 represents a divalent linking group. R P1 represents a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.]

본 발명의 제2의 태양은, 지지 기체와, 상기 제1의 태양에 따른 분리층 형성용 조성물을 이용하여 상기 지지 기체 상에 형성된 분리층을 구비하는 것을 특징으로 하는, 분리층 부착 지지 기체이다. A second aspect of the present invention is a support substrate with a separation layer characterized by comprising a support substrate and a separation layer formed on the support substrate using the composition for forming a separation layer according to the first aspect. .

본 발명의 제3의 태양은, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 적층체로서, 상기 분리층은, 상기 제1의 태양에 따른 분리층 형성용 조성물의 소성체인 것을 특징으로 하는, 적층체이다. A third aspect of the present invention is a laminate having a separation layer between a support substrate that transmits light and a substrate, wherein the separation layer is formed by firing the composition for forming a separation layer according to the first aspect. It is a laminate characterized by being a chain.

본 발명의 제4의 태양은, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 적층체의 제조 방법으로서, 상기 기판 상 또는 상기 지지 기체 상의 적어도 한쪽에, 상기 제1의 태양에 따른 분리층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후에 소성하는 것에 의해 상기 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과, 상기 기판과 상기 지지 기체를, 상기 분리층을 통해서 적층하는 적층 공정을 가지는 것을 특징으로 하는, 적층체의 제조 방법이다. A fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing a laminate comprising a separation layer between a support substrate that transmits light and a substrate, wherein the first layer is disposed on at least one of the substrate and the support substrate. Having a separation layer forming step of forming the separation layer by applying a composition for forming a separation layer according to the embodiment and then firing it, and a lamination step of laminating the substrate and the support substrate through the separation layer It is characterized by the manufacturing method of a laminated body.

본 발명의 제5의 태양은, 상기 제4의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하고, 상기 분리층을 변질시키는 것에 의해, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리하는 분리 공정과, 상기 분리 공정의 후, 상기 기판에 부착하는 상기 분리층을 제거하는 제거 공정을 가지는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 방법이다.A fifth aspect of the present invention is to irradiate the separation layer with light through the supporting substrate to alter the quality of the separation layer after obtaining the laminate by the method for manufacturing the laminate according to the fourth aspect. A method of manufacturing an electronic component characterized by comprising a separation step of separating the support substrate from the layered body and a removal step of removing the separation layer attached to the substrate after the separation step.

본 발명에 의하면, 지지 기체와 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 광 반응성이 보다 높아져서 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상한 분리층을 형성할 수 있는 분리층 형성용 조성물, 이것을 이용한 분리층 부착 지지 기체, 적층체 및 그의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, in a laminate having a separation layer between a support substrate and a substrate, for forming a separation layer capable of forming a separation layer with improved separation of the support substrate from the laminate due to higher photoreactivity. The composition, a support base with a separation layer using the same, a laminate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of an electronic component can be provided.

[도 1] 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내는 모식도이다.
[도 2] 적층체의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 2(a)는, 분리층 형성 공정을 설명하는 도이며, 도 2(b)는, 적층 공정을 설명하는 도이다.
[도 3] 적층체의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 3(a)는, 제1 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 적층체를 나타내는 도이며, 도 3(b)는, 봉지 공정을 설명하는 도이다.
[도 4] 적층체의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 4(a)는, 제2 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 봉지체를 나타내는 도이며, 도 4(b)는, 연삭 공정을 설명하는 도이며, 도 4(c)는 재배선 형성 공정을 설명하는 도이다.
[도 5] 반도체 패키지(전자 부품)의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 5(a)는, 제3 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 적층체를 나타내는 도이며, 도 5(b)는, 분리 공정을 설명하는 도이며, 도 5(c)는, 제거 공정을 설명하는 도이다.
[도 6] 반도체 패키지(전자 부품)의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 6(a)는, 본 발명을 적용한 적층체의 다른 실시 형태를 나타내는 모식도이며, 도 6(b)는, 분리 공정을 설명하는 도이며, 도 6(c)는, 제거 공정을 설명하는 도이다.
[Fig. 1] It is a schematic diagram showing one embodiment of a laminate to which the present invention is applied.
[Fig. 2] It is a schematic process diagram explaining one embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig. 2(a) is a diagram explaining a separation layer forming process, and Fig. 2(b) is a diagram explaining a lamination process.
[ Fig. 3 ] It is a schematic process diagram explaining another embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig.3 (a) is a figure which shows the laminated body manufactured by the manufacturing method of 1st Embodiment, and Fig.3 (b) is a figure explaining the sealing process.
[ Fig. 4 ] It is a schematic process diagram explaining another embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig. 4 (a) is a diagram showing an encapsulated body manufactured by the manufacturing method of the second embodiment, Fig. 4 (b) is a diagram explaining a grinding step, and Fig. 4 (c) is a rewiring forming step. It is a diagram explaining
[ Fig. 5 ] It is a schematic process diagram explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). Fig. 5 (a) is a diagram showing a laminate manufactured by the manufacturing method of the third embodiment, Fig. 5 (b) is a diagram explaining a separation step, and Fig. 5 (c) is a diagram illustrating a removal step It is an explanatory diagram.
[ Fig. 6 ] It is a schematic process chart explaining another embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). Fig. 6 (a) is a schematic diagram showing another embodiment of a laminate to which the present invention is applied, Fig. 6 (b) is a diagram explaining a separation step, and Fig. 6 (c) is a diagram explaining a removal step am.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다. In this specification and the claims of this patent, "aliphatic" is defined as a relative concept with respect to aromatic, meaning a group or compound that does not have aromaticity.

「알킬기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 1가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 마찬가지이다. "Alkyl group" shall include linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.

「알킬렌기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 2가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다. "Alkylene group" shall include linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified.

「할로겐화 알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. A "halogenated alkyl group" is a group in which some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atoms include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms.

「불소화 알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다. A "fluorinated alkyl group" refers to a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms.

「반복 단위」란, 고분자 화합물(수지, 중합체, 공중합체)을 구성하는 모노머 단위(단량체 단위)를 의미한다. A "repeating unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 가져도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자(-H)를 1가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기(-CH2-)를 2가의 기로 치환하는 경우의 양쪽 모두를 포함한다. When describing "it may have a substituent", both the case where a hydrogen atom (-H) is substituted with a monovalent group and the case where a methylene group (-CH 2 -) is substituted with a divalent group are included.

「스티렌」이란, 스티렌 및 스티렌의 α위(位)의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다. 덧붙여, α위(α위의 탄소 원자)란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠환이 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다. "Styrene" is a concept that includes styrene and those in which hydrogen atoms at the α position of styrene are substituted with other substituents such as alkyl groups and halogenated alkyl groups. Incidentally, the α-position (carbon atom on α-position) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded unless otherwise specified.

상기 α위의 치환기로서의 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소수 1~5의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다. The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched chain alkyl group, specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group , tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.

또한, α위의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α위의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. In addition, the halogenated alkyl group as a substituent at α-position specifically includes a group in which part or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as a substituent at α-position” are substituted with halogen atoms. As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is especially preferable.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는, 부제탄소(不齊炭素)가 존재하고, 이넨티오 이성체(enantiomer)나 다이아스테레오 이성체(diastereomer)가 존재할 수 있는 것이다. 그 경우는 하나의 화학식으로 그들 이성체를 대표하여 나타낸다. 그러한 이성체는 단독으로 이용해도 되고, 혼합물로서 이용해도 된다. In this specification and claims of this patent, depending on the structure represented by the chemical formula, asymmetric carbon exists, and enantiomers and diastereomers may exist. In that case, those isomers are represented by a single chemical formula. Such isomers may be used alone or as a mixture.

(분리층 형성용 조성물)(Composition for Forming Separation Layer)

본 발명의 제1의 태양에 따른 분리층 형성용 조성물은, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 상기 지지 기체 측으로부터의 광의 조사에 의해 변질하여, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리 가능하게 하는 상기 분리층을 형성하기 위한 것이다. 본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물은, 적어도, 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분(P)을 함유한다. In the composition for forming a separation layer according to the first aspect of the present invention, in a laminate having a separation layer between a light-transmitting support substrate and a substrate, the composition is altered by irradiation of light from the side of the support substrate. This is to form the separation layer capable of separating the support gas from the laminate. The composition for forming a separation layer of the present embodiment contains at least a resin component (P) having a repeating unit represented by general formula (p1).

도 1은, 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내고 있다. 1 shows an embodiment of a laminate to which the present invention is applied.

도 1에 나타내는 적층체(10)는, 지지 기체(1)와 기판(4)의 사이에, 분리층(2) 및 접착층(3)을 구비하는 것이며, 지지 기체(1) 상에 분리층(2), 접착층(3), 기판(4)이 이 순서대로 적층하고 있다. The laminate 10 shown in FIG. 1 includes a separation layer 2 and an adhesive layer 3 between a support substrate 1 and a substrate 4, and on the support substrate 1 a separation layer ( 2), the adhesive layer 3, and the substrate 4 are laminated in this order.

지지 기체(1)는, 광을 투과하는 재료로 이루어진다. 적층체(10)에 대해서는, 분리층(2)에 대하여, 지지 기체(1) 측으로부터 광을 조사하는 것에 의해서, 분리층(2)이 변질하여 분해하기 때문에, 적층체(10)로부터 지지 기체(1)가 분리한다. The supporting body 1 is made of a material that transmits light. Regarding the laminate 10, since the separation layer 2 is altered and decomposed by irradiating the separation layer 2 with light from the support substrate 1 side, the separation layer 2 is decomposed from the support substrate 10. (1) isolates.

이 적층체(10)에 있어서의 분리층(2)은, 본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. The separation layer 2 in this layered product 10 can be formed using the composition for forming a separation layer of the present embodiment.

<수지 성분(P)><Resin component (P)>

수지 성분(P)(이하 「(P) 성분」이라고도 말한다.)는, 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분이다. The resin component (P) (hereinafter also referred to as “component (P)”) is a resin component having a repeating unit represented by general formula (p1).

(P) 성분은, 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기(RP1)를, 반복 단위 중에 갖는다. 이것에 의해, (P) 성분을 함유하는 분리층 형성용 조성물에 의해 형성되는 분리층에 있어서는, 레이저 반응성이 강해져, 광 반응성이 보다 높아져서, 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상한다. Component (P) has a condensed polycyclic aromatic group (R P1 ) which may have a substituent in the repeating unit. As a result, in the separation layer formed from the composition for forming a separation layer containing the component (P), the laser reactivity is enhanced, the photoreactivity is further enhanced, and the separation of the supporting substrate from the laminate is improved.

덧붙여, (P) 성분은, 2가의 연결기(LP1)를, 반복 단위 중에 갖는다. 이 때문에, (P) 성분은, 가열 등에 의해 변질(산화 등)하기 쉽다. 이러한 (P) 성분을 함유하는 분리층 형성용 조성물에 의해 형성되는 분리층에 있어서는, 광의 흡수성이 높아져서, 광 반응성이 뛰어나다. In addition, component (P) has a divalent linking group (L P1 ) in the repeating unit. For this reason, component (P) tends to change in quality (oxidation, etc.) by heating or the like. In the separation layer formed from the composition for forming a separation layer containing the component (P), the light absorption property is increased and the photoreactivity is excellent.

도 1에서, (P) 성분을 함유하는 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 분리층(2)를 구비하는 적층체(10)에 대해서는, 지지 기체(1) 측으로부터의 광의 조사에 의해, 분리층(2)이 변질하여 기판(4)으로부터 용이하게 벗겨져 지지 기체(1)이 분리한다. 또한, (P) 성분을 함유하는 분리층(2)은, 기판(4)으로부터 벗겨질 때, 기판(4)에의 부착 잔류물(잔사)이 적고, 기판(4)으로부터의 제거성도 양호하다. 덧붙여, (P) 성분은, 2가의 연결기(LP1)를 반복 단위 중에 가짐으로써, (P) 성분을 함유하는 분리층(2)은, 내열성을 높일 수 있고, 또한, 높은 내약품성도 갖는다. In FIG. 1, the laminate 10 having the separation layer 2 formed by using the composition for forming a separation layer containing component (P) is separated by irradiation of light from the support substrate 1 side. The layer 2 is altered and easily peeled off from the substrate 4, and the support substrate 1 is separated. In addition, when the separation layer 2 containing component (P) is peeled off from the substrate 4, there is little residue (residue) adhering to the substrate 4, and the removability from the substrate 4 is also good. In addition, component (P) has a divalent linking group (L P1 ) in the repeating unit, so that the separation layer 2 containing component (P) can increase heat resistance and also has high chemical resistance.

추가로, (P) 성분은, 레이저 반응성이 강한 것으로부터, (P) 성분을 함유하는 분리층(2)은 레이저 데미지가 억제되고, 또한, 레이저 강도를 높게 할 수 있어, 프로세스 시간의 단축을 도모할 수 있다. In addition, since the component (P) has strong laser reactivity, the separation layer 2 containing the component (P) can suppress laser damage, increase the laser intensity, and shorten the process time. can help

(P) 성분은, 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위에 더하여, 그 외 반복 단위를 가지는 것이어도 된다. Component (P) may have other repeating units in addition to the repeating unit represented by general formula (p1).

≪일반식(p1)로 나타내는 반복 단위≫<<repeating unit represented by general formula (p1)>>

(P) 성분은, 하기 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위(이하 「반복 단위(p1)」라고도 말한다)를 갖는다. Component (P) has a repeating unit represented by the following general formula (p1) (hereinafter also referred to as “repeating unit (p1)”).

Figure pat00002
Figure pat00002

[식 중, LP1은, 2가의 연결기를 나타낸다. RP1은, 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기를 나타낸다.][In formula, L P1 represents a divalent linking group. R P1 represents a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.]

상기 식(p1) 중, LP1에 있어서의 2가의 연결기는, 방향환을 포함하고 있어도 되고, 복수 종류의 방향환을 포함하고 있어도 되고, 방향환과 지방환이 축합한 환구조를 포함하고 있어도 된다. In the above formula (p1), the divalent linking group in L P1 may contain an aromatic ring, may contain a plurality of types of aromatic rings, or may contain a ring structure in which an aromatic ring and an aliphatic ring are condensed.

LP1에 있어서의 2가의 연결기가 방향환을 포함하는 경우, 이 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 특별히 한정되지 않고, 단환식이어도 다환식이어도 된다. 방향환의 탄소수는, 5~30인 것이 바람직하고, 탄소수 5~20이 보다 바람직하고, 탄소수 6~15가 더욱 바람직하고, 탄소수 6~12가 특히 바람직하다. When the divalent linking group in L P1 contains an aromatic ring, the aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The aromatic ring preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, still more preferably 6 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms.

방향환으로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서 구체적으로는, 피리딘환, 티오펜환 등을 들 수 있다. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; An aromatic heterocycle in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom; and the like. As a hetero atom in an aromatic heterocycle, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. As an aromatic heterocycle, a pyridine ring, a thiophene ring, etc. are mentioned specifically,.

2가의 연결기가 포함하는 방향환은, 1개이어도 되고, 2개 이상이어도 되고, 광 반응성이 보다 뛰어난 것으로부터, 2개 이상이 바람직하다. The number of aromatic rings in which the divalent linking group is included may be one or two or more, and two or more are preferable since photoreactivity is more excellent.

혹은, 상기 식(p1) 중, LP1에 있어서의 2가의 연결기는, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 바람직하다. Lp1로서는, 원하는 특성을 부여하기 위해서, 여러 가지의 골격을 도입한 연결기를 들 수 있다. Alternatively, in the formula (p1), the divalent linking group in L P1 is preferably a divalent linking group containing a hetero atom. Examples of L p1 include linking groups in which various skeletons are introduced in order to impart desired characteristics.

상기 「여러 가지의 골격을 도입한 연결기」에 있어서의 골격으로서는, 예를 들면, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 크산텐 골격, 플루오렌 골격, 비스페놀A 골격 등을 들 수 있다. Examples of the skeleton in the "linking group into which various skeletons are introduced" include naphthalene skeleton, anthracene skeleton, xanthene skeleton, fluorene skeleton, and bisphenol A skeleton.

Lp1로서는, 예를 들면, 비스페놀류의 에테르 결합기, 디올류의 에테르 결합기, 디카르복시산류의 에스테르 결합기, Si-O 결합기 또는 이들 결합기의 반복 구조 등을 들 수 있다. Examples of L p1 include bisphenol-type ether linking groups, diol-type ether linking groups, dicarboxylic acid-type ester linking groups, Si-O linking groups, or repeating structures of these linking groups.

당해 비스페놀류로서는, 비스페놀 F, 비스페놀 A, 비스페놀 Z, 비페놀 또는 이들의 중합체 등을 들 수 있다. Examples of the bisphenols include bisphenol F, bisphenol A, bisphenol Z, biphenol, and polymers thereof.

당해 디올류로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 나프탈렌 디올(디히드록시나프탈렌), 안트라센 디올(디히드록시안트라센), 2,2-비스(4-히드록시페닐) 프로판 또는 이들의 중합체 등을 들 수 있다. As the diols concerned, ethylene glycol, propylene glycol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, naphthalene diol (dihydroxynaphthalene), anthracene diol (dihydroxyanthracene), 2,2-bis(4-hydroxy phenyl) propane or polymers thereof; and the like.

당해 디카르복시산류로서는, 말레인산, 프탈산, 수첨형 프탈산, 테레프탈산 등을 들 수 있다. Examples of the dicarboxylic acids include maleic acid, phthalic acid, hydrogenated phthalic acid, and terephthalic acid.

Lp1로서, 비스페놀류의 에테르 결합기를 선택했을 경우, (P) 성분제 필름의 굴곡성을 높이기 쉬워진다. When bisphenol-type ether bonding group is selected as L p1 , it becomes easy to improve the flexibility of the film of component (P).

Lp1로서, 디올류의 에테르 결합기를 선택했을 경우, (P) 성분의 알칼리 용해성을 용이하게 조정할 수 있다. 디올류의 에테르 결합기로서는, 글리콜 골격을 도입한 연결기가 바람직하다. 글리콜 골격으로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜 골격을 들 수 있다. When an ether bond group of diols is selected as L p1 , the alkali solubility of component (P) can be easily adjusted. As the ether linking group of diols, a linking group into which a glycol skeleton is introduced is preferable. As a glycol skeleton, a propylene glycol skeleton is mentioned, for example.

Lp1로서, Si-O 결합기를 선택했을 경우, (P) 성분 성형체의 저유전화를 도모하기 쉬워진다. When a Si-O bond group is selected as L p1 , it becomes easy to achieve a low dielectric constant of the molded article of component (P).

이하에, 상기 식(p1) 중의 LP1(2가의 연결기)에 대한 적합한 구체예를 나타내다. 이하의 식 중, *는, 메틸렌기(CH2)와 결합하는 결합손인 것을 나타내다. 화학식(LP1-9)의 n은, 옥시 프로필렌기의 반복수를 나타낸다. Preferable specific examples for L P1 (divalent linking group) in the formula (p1) are shown below. In the formulas below, * represents a bond bonded to a methylene group (CH 2 ). n in the formula (L P1-9 ) represents the repeating number of the oxypropylene group.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식(p1) 중, RP1은, 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기이다. In the formula (p1), R P1 is a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.

RP1에 있어서의 축합 다환 방향족 기는, 축합 다환 방향족 환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기이다. 이 축합 다환 방향족 환은, 복수의 방향환이 축합 한 환 구조이어도 되고, 방향환과 지방환이 축합한 환 구조이어도 된다. 방향환과 지방환이 축합한 환 구조에 대해서는, 방향환의 개수가 복수이어도 되고, 지방환의 개수가 복수이어도 되고, 방향환과 지방환이 1개씩이어도 된다. The condensed polycyclic aromatic group in R P1 is a group obtained by removing one hydrogen atom from the condensed polycyclic aromatic ring. This condensed polycyclic aromatic ring may have a ring structure in which a plurality of aromatic rings are condensed, or a ring structure in which an aromatic ring and an aliphatic ring are condensed. Regarding the ring structure in which an aromatic ring and an aliphatic ring are condensed, the number of aromatic rings may be plural, the number of aliphatic rings may be plural, or the number of aromatic rings and aliphatic rings may be one each.

이 축합 다환 방향족 환을 구성하는 환수는, 바람직하게는 2~5개, 보다 바람직하게는 2~3개, 더욱 바람직하게는 3개이다. The number of rings constituting this condensed polycyclic aromatic ring is preferably 2 to 5, more preferably 2 to 3, still more preferably 3.

상기 식(p1) 중, RP1에 있어서의 축합 다환 방향족 기가 가져도 되는 치환기로서는, 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등), 알킬옥시카르보닐기, 옥소기(=O) 등을 들 수 있다. In the formula (p1), examples of the substituent that the condensed polycyclic aromatic group in R P1 may have include a hydroxyl group, a carboxy group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), an alkyloxycarbonyl group, an oxo group (=O), and the like.

또한, RP1에 있어서의 축합 다환 방향족 기 중의 탄화수소기는, 그 탄화수소쇄의 도중에 에테르 결합을 가져도 된다. In addition, the hydrocarbon group in the condensed polycyclic aromatic group in R P1 may have an ether bond in the middle of the hydrocarbon chain.

RP1로서는, 예를 들면, 나프탈렌환, 아줄렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 피렌환, 크리센환, 트리페닐렌환, 페릴렌환, 안트리퀴논환, 또는 나프토퀴논환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기를 들 수 있다. As R P1 , for example, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, a triphenylene ring, a perylene ring, an anthriquinone ring, or a naphthoquinone ring excluding one hydrogen atom. can lift

이들 안에서도, RP1로서는, 안트리퀴논환 또는 나프토퀴논환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기가 바람직하고, 안트리퀴논환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기가 보다 바람직하다. Among these, as R P1 , a group in which one hydrogen atom is removed from an anthriquinone ring or a naphthoquinone ring is preferable, and a group in which one hydrogen atom is removed from an anthraquinone ring is more preferable.

이하에, 반복 단위(p1)에 대한 적합한 구체예를 나타내다. 화학식(p1-6) 중의 n1은, 옥시 프로필렌기의 반복수를 나타낸다. Preferable specific examples of the repeating unit (p1) are shown below. n1 in formula (p1-6) represents the repeating number of an oxypropylene group.

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

(P) 성분이 가지는 반복 단위(p1)은, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. (P) The repeating unit (p1) which component has may be 1 type or 2 or more types may be sufficient as it.

(P) 성분 중의 반복 단위(p1)의 비율은, (P) 성분을 구성하는 전체 반복 단위의 합계(100 몰%)에 대해서, 1 몰% 이상이 바람직하고, 1~100 몰%이어도 된다. The ratio of the repeating unit (p1) in component (P) is preferably 1 mol% or more, and may be 1 to 100 mol%, based on the total (100 mol%) of all repeating units constituting component (P).

(P) 성분이, 반복 단위(p1)에 더하여, 그 외 반복 단위를 가지는 경우, (P) 성분 중의 반복 단위(p1)의 비율은, (P) 성분을 구성하는 전체 반복 단위의 합계(100 몰%)에 대해서, 1~99 몰%가 바람직하고, 1~70 몰%가 보다 바람직하고, 1~50 몰%가 더욱 바람직하다. When the component (P) has other repeating units in addition to the repeating unit (p1), the ratio of the repeating units (p1) in the component (P) is the sum of all repeating units constituting the component (P) (100 mol%), 1 to 99 mol% is preferable, 1 to 70 mol% is more preferable, and 1 to 50 mol% is still more preferable.

반복 단위(p1)의 비율이, 상기의 바람직한 범위의 하한치 이상이면, 레이저 반응성이 강해지기 쉬워진다. 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한치 이하이면, 그 외 반복 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다. When the ratio of the repeating unit (p1) is equal to or greater than the lower limit of the above preferred range, the laser reactivity tends to be enhanced. On the other hand, if it is below the upper limit of the above preferable range, it becomes easy to balance with other repeating units.

≪그 외 반복 단위≫≪Other repeating units≫

(P) 성분은, 상술한 반복 단위(p1)에 더하여, 그 외 반복 단위를 가지는 것이어도 된다. Component (P) may have other repeating units in addition to the repeating unit (p1) described above.

그 외 반복 단위로서는, 예를 들면, 후술의 일반식(p2)로 나타내는 반복 단위 등을 들 수 있다. Examples of other repeating units include repeating units represented by general formula (p2) described later.

일반식(p2)로 나타내는 반복 단위에 대하여: Regarding the repeating unit represented by the general formula (p2):

(P) 성분은, 상술한 반복 단위(p1)에 더하여, 추가로, 하기 일반식(p2)로 나타내는 반복 단위(이하 「반복 단위(p2)」라고도 말한다)를 가지는 수지가 바람직하다. Component (P) is preferably a resin having, in addition to the repeating unit (p1) described above, a repeating unit represented by the following general formula (p2) (hereinafter also referred to as “repeating unit (p2)”).

Figure pat00006
Figure pat00006

[식 중, LP2는, 2가의 연결기를 나타낸다. RP2는, 치환기를 가져도 되는 단환 방향족 기를 나타낸다.][In formula, L P2 represents a divalent linking group. R P2 represents a monocyclic aromatic group which may have a substituent.]

상기 식(p2) 중, LP2에 대한 설명은, 상기 식(p1) 중의 LP1에 있어서의, 2가의 연결기에 대한 설명과 같다. The description of L P2 in the above formula (p2) is the same as the description of the divalent linking group in L P1 in the above formula (p1).

LP2(2가의 연결기)의 적합한 구체예로서는, 상기의 화학식(LP1-1)~(LP1-9)로 각각 나타내는 연결기와 같은 것을 들 수 있다. Preferable specific examples of L P2 (divalent linking group) include the same linking groups respectively represented by the above formulas (L P1-1 ) to (L P1-9 ).

상기 식(p2) 중, RP2에 있어서의 단환 방향족 기는, 방향환 1개를 가지는 탄화수소기이다. 이 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 된다. In the formula (p2), the monocyclic aromatic group for R P2 is a hydrocarbon group having one aromatic ring. This aromatic ring may be a cyclic conjugated system having 4n+2 pi electrons.

RP2에 있어서의 단환 방향족 기를 구성하는 방향환으로서 구체적으로는, 벤젠환; 피리딘환, 티오펜환, 피롤환, 이미다졸환, 퓨란환, 티아졸환 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, RP2로서는, 벤젠환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기가 바람직하다. Specific examples of the aromatic ring constituting the monocyclic aromatic group for R P2 include a benzene ring; A pyridine ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a furan ring, a thiazole ring, etc. are mentioned. Among these, as R P2 , a group in which one hydrogen atom is removed from the benzene ring is preferable.

상기의 RP2로 나타내는 탄화수소기가 치환되어 있는 경우, 그 치환기로서는, 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등), 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다. When the hydrocarbon group represented by R P2 is substituted, examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group) groups, butoxy groups, etc.), alkyloxycarbonyl groups, and the like.

이하에, 반복 단위(p2)에 대한 적합한 구체예를 나타내다. 화학식(p2-6) 중의 n2는, 옥시 프로필렌기의 반복수를 나타낸다. Preferred specific examples of the repeating unit (p2) are shown below. n2 in formula (p2-6) represents the repeating number of an oxypropylene group.

Figure pat00007
Figure pat00007

(P) 성분이 반복해 단위(p2)를 가지는 경우, 반복 단위(p2)는, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. (P) When a component has a repeating unit (p2), 1 type or 2 or more types of repeating units may be sufficient as the repeating unit (p2).

(P) 성분이 반복 단위(p2)를 가지는 경우, (P) 성분 중의 반복 단위(p2)의 비율은, (P) 성분을 구성하는 전체 반복 단위의 합계(100 몰%)에 대해서, 1~99 몰%가 바람직하고, 30~99 몰%가 보다 바람직하고, 50~99 몰%가 더욱 바람직하다. When the component (P) has a repeating unit (p2), the ratio of the repeating unit (p2) in the component (P) is 1 to 1 to the total (100 mol%) of all repeating units constituting the component (P). 99 mol% is preferable, 30 to 99 mol% is more preferable, and 50 to 99 mol% is still more preferable.

반복 단위(p2)의 비율이, 상기의 바람직한 범위의 하한치 이상이면, 광 반응성을 높이기 쉬워진다. 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한치 이하이면, 반복 단위(p1)와의 밸런스를 잡기 쉬워진다. When the ratio of the repeating unit (p2) is equal to or greater than the lower limit of the above preferred range, the photoreactivity is easily improved. On the other hand, if it is below the upper limit of the above preferable range, it becomes easy to balance with the repeating unit (p1).

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서, (P) 성분은, 반복 단위(p1)를 적어도 가지는 수지이다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, component (P) is a resin having at least a repeating unit (p1).

(P) 성분은, 반복 단위(p1)만으로 이루어지는 수지이어도 된다. Component (P) may be a resin composed only of the repeating unit (p1).

바람직한(P) 성분으로서는, 반복 단위(p1)과 반복 단위(p2)를 가지는 수지를 들 수 있다. 이 경우, 당해 수지 중의 반복 단위(p1)과 반복 단위(p2)의 비율(몰비)은, 반복 단위(p1):반복 단위(p2)=1:99~99:1이 바람직하고, 1:99~70:30이 보다 바람직하고, 1:99~50:50이 더욱 바람직하다. As a preferable (P) component, resin which has a repeating unit (p1) and a repeating unit (p2) is mentioned. In this case, the ratio (molar ratio) of the repeating unit (p1) to the repeating unit (p2) in the resin is preferably repeating unit (p1):repeating unit (p2) = 1:99 to 99:1, 1:99 -70:30 is more preferred, and 1:99 - 50:50 is still more preferred.

혹은, (P) 성분은, 반복 단위(p1)를 적어도 가지는 수지와, 반복 단위(p2)만으로 이루어지는 수지의 혼합 수지이어도 된다. 이 경우, 혼합 수지를 구성하는 전체 반복 단위의 합계(100 몰%)에 대해서, 반복 단위(p1)의 비율이, 1~99 몰%인 것이 바람직하고, 1~70 몰%인 것이 보다 바람직하고, 1~50 몰%인 것이 더욱 바람직하다. 혼합 수지를 구성하는 전체 반복 단위(p1)과 전체 반복 단위(p2)의 비율(몰비)이, 전체 반복 단위(p1):전체 반복 단위(p2)=1:99~99:1인 것이 바람직하고, 1:99~70:30인 것이 보다 바람직하고, 1:99~50:50인 것이 더욱 바람직하다. Alternatively, the component (P) may be a mixed resin of a resin having at least the repeating unit (p1) and a resin consisting only of the repeating unit (p2). In this case, the proportion of the repeating unit (p1) is preferably 1 to 99 mol%, more preferably 1 to 70 mol%, relative to the total (100 mol%) of all repeating units constituting the mixed resin. , more preferably 1 to 50 mol%. It is preferable that the ratio (molar ratio) of all repeating units (p1) and all repeating units (p2) constituting the mixed resin is all repeating units (p1):all repeating units (p2) = 1:99 to 99:1, , It is more preferably 1:99 to 70:30, and more preferably 1:99 to 50:50.

(P) 성분은, 막형성능을 갖고, 바람직하게는 분자량이 1000 이상이다. (P) 성분의 분자량이 1000 이상인 것에 의해, 막형성능이 향상한다. (P) 성분의 분자량은, 1000~30000이 보다 바람직하고, 1500~25000이 더욱 바람직하고, 1500~20000이 특히 바람직하고, 2000~15000이 가장 바람직하다. Component (P) has film-forming ability, and preferably has a molecular weight of 1000 or more. (P) When the molecular weight of the component is 1000 or more, the film-forming ability is improved. As for the molecular weight of component (P), 1000-30000 are more preferable, 1500-25000 are more preferable, 1500-20000 are especially preferable, and 2000-15000 are the most preferable.

(P) 성분의 분자량이, 상기의 바람직한 범위의 상한치 이하인 것에 의해, 분리층 형성용 조성물의 용매에 대한 용해성을 높일 수 있다. When the molecular weight of component (P) is equal to or less than the upper limit of the above preferred range, the solubility of the composition for forming a separation layer in a solvent can be improved.

또한, 수지 성분의 분자량으로서는, GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)을 이용하는 것으로 한다. In addition, as a molecular weight of a resin component, the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.

(P) 성분으로서는, 예를 들면, 상품명이 GSP-112, GSP-113, GSP-117의 GSP 시리즈(군에이 카가쿠 코교 가부시키가이샤 제) 등을 이용할 수 있다. As the component (P), for example, the GSP series (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) with trade names of GSP-112, GSP-113, and GSP-117 can be used.

또한, (P) 성분으로서, 아미노 안트리퀴논 또는 아미노 나프토퀴논과, 아미노 페놀류, 아미노 나프톨류 또는 아닐린류와, 1 분자 중에 에폭시기를 2개 가지는 화합물을 반응시켜 생성하는 수지를 이용할 수도 있다. Further, as component (P), a resin produced by reacting amino antriquinone or amino naphthoquinone with amino phenols, amino naphthols or anilines and a compound having two epoxy groups in one molecule can also be used.

아미노 페놀류로서는, 2-아미노 페놀, 3-아미노 페놀, 4-아미노 페놀, 4-아미노-3-메틸 페놀, 2-아미노-4-메틸 페놀, 3-아미노-2-메틸 페놀, 5-아미노-2-메틸 페놀 등을 들 수 있다. 아미노 나프톨류로서는, 1-아미노-2-나프톨, 3-아미노-2-나프톨, 5-아미노-1-나프톨 등을 들 수 있다. As amino phenols, 2-amino phenol, 3-amino phenol, 4-amino phenol, 4-amino-3-methyl phenol, 2-amino-4-methyl phenol, 3-amino-2-methyl phenol, 5-amino- 2-methyl phenol etc. are mentioned. Examples of amino naphthols include 1-amino-2-naphthol, 3-amino-2-naphthol, and 5-amino-1-naphthol.

1 분자 중에 에폭시기를 2개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 상품명이 EPICLON850, EPICLON830(DIC 가부시키가이샤 제), jERYX-4000(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제) 등의 비스페놀형 에폭시 수지; DENACOL EX-211, DENACOL EX-212, DENACOL EX-810, DENACOL EX-830, DENACOL EX-911, DENACOL EX-920, DENACOL EX-930(나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제) 등의 디올형 에폭시 수지; DENACOL EX-711, DENACOL EX-721(나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제), jER191P(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제) 등의 디카르복시산 에스테르형 에폭시 수지; X-22-163, KF-105(신에츠 카가쿠 코교 가부시키가이샤 제) 등의 실리콘형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. As a compound which has two epoxy groups in 1 molecule, For example, bisphenol-type epoxy resins, such as a brand name EPICLON850, EPICLON830 (made by DIC Corporation), and jERYX-4000 (made by Mitsubishi Chemical Corporation); diol type epoxy resins such as DENACOL EX-211, DENACOL EX-212, DENACOL EX-810, DENACOL EX-830, DENACOL EX-911, DENACOL EX-920, and DENACOL EX-930 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.); dicarboxylic acid ester type epoxy resins such as DENACOL EX-711, DENACOL EX-721 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) and jER191P (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); Silicone type epoxy resins, such as X-22-163 and KF-105 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), etc. are mentioned.

이러한 반응 때의 가열 처리 온도는, 60℃ 이상 250℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 80℃ 이상 180℃ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. The heat treatment temperature at the time of such a reaction is preferably 60°C or higher and 250°C or lower, and more preferably 80°C or higher and 180°C or lower.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 (P) 성분은, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. The component (P) contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be one type or two or more types.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물 중의 (P) 성분의 함유량은, 형성하려고 하는 분리층의 두께 등에 따라 조정하면 된다. The content of component (P) in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be adjusted according to the thickness of the separation layer to be formed.

이러한 분리층 형성용 조성물 중의 (P) 성분의 함유량은, 예를 들면, 당해 조성물(100 질량%)에 대해서, 1~100 질량%가 바람직하고, 1~70 질량%가 보다 바람직하고, 5~50 질량%가 더욱 바람직하고, 10~50 질량%가 특히 바람직하다. The content of component (P) in such a composition for forming a separation layer is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 1 to 70% by mass, and 5 to 70% by mass, for example, based on the composition (100% by mass). 50 mass % is more preferable, and 10-50 mass % is especially preferable.

(P) 성분의 함유량이, 상기의 바람직한 범위의 하한치 이상이면, 분리층의 광 반응성을 보다 높이기 쉬워진다. 덧붙여, 내약품성도 높이기 쉬워진다. 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한치 이하이면, 광 반응성, 박리성을 보다 높이기 쉬워진다. When the content of component (P) is equal to or greater than the lower limit of the above preferred range, the photoreactivity of the separation layer is more likely to be enhanced. In addition, it becomes easy to improve chemical resistance. On the other hand, if it is below the upper limit of said preferable range, it becomes easy to improve photoreactivity and peelability more.

<그 외 성분><Other ingredients>

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물은, 상술한 (P) 성분 이외의 성분(임의 성분)을 추가로 함유해도 된다. The composition for forming a separation layer of the present embodiment may further contain components (optional components) other than the component (P) described above.

이러한 임의 성분으로서는, 이하에 나타내는 (P) 성분 이외의 수지, 열 산 발생제 성분, 광 산 발생제 성분, 감광제 성분, 유기 용제 성분, 계면활성제, 증감제 등을 들 수 있다. Examples of such optional components include resins other than the component (P) shown below, thermal acid generator components, photoacid generator components, photosensitizer components, organic solvent components, surfactants, and sensitizers.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, (P) 성분 이외의 수지를 함유해도 된다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, resins other than component (P) may be contained within a range not impairing the effects of the present invention.

(P) 성분 이외의 수지로서는, 예를 들면, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 히드록시스티렌 수지, 히드록시페닐실세스퀴옥산 수지, 히드록시벤질실세스퀴옥산 수지, 페놀 골격 함유 아크릴 수지 등을 들 수 있다. Examples of resins other than component (P) include novolac-type phenol resins, resol-type phenol resins, hydroxystyrene resins, hydroxyphenylsilsesquioxane resins, hydroxybenzylsilsesquioxane resins, and phenol skeleton-containing An acrylic resin etc. are mentioned.

(P) 성분 이외의 수지로서 노볼락형 페놀 수지를, (P) 성분과 병용하는 것에 의해, 가열에 의한 보이드의 발생도 억제되기 쉬워진다. By using a novolac-type phenolic resin as a resin other than the component (P) in combination with the component (P), generation of voids due to heating is also easily suppressed.

≪열 산 발생제≫≪Thermal acid generator≫

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서는, 추가로, 열 산 발생제(이하 「(T) 성분」이라고도 말한다.)를 함유하는 것이 바람직하다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, it is preferable to further contain a thermal acid generator (hereinafter also referred to as "component (T)").

이러한 분리층 형성용 조성물이 (T) 성분을 함유함으로써, 소성시의 가열 등에, (T) 성분으로부터 발생하는 산의 작용에 의해서 분리층은 산화가 촉진되기 때문에, 광의 조사에 의해 변질하기 쉬워진다(분리층의 광 반응성을 높일 수 있다). When such a composition for forming a separation layer contains the component (T), oxidation of the separation layer is promoted by the action of the acid generated from the component (T) during heating during firing, etc., so that the separation layer is easily changed in quality by irradiation with light. (The photoreactivity of the separation layer can be increased).

(T) 성분에는, 공지의 것으로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있고, 산을 발생시키기 위한 온도가, 분리층 형성용 조성물을 도포한 지지 기체를 프리베이크할 때의 온도 이상인 것이 바람직하고, 110℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 130℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. Component (T) can be appropriately selected and used from known ones, and the temperature for generating the acid is preferably equal to or higher than the temperature at the time of prebaking the support substrate coated with the composition for forming a separation layer, and is 110°C or higher. It is more preferable, and it is more preferable that it is 130 degreeC or more.

이러한 (T) 성분으로서는, 예를 들면, 트리플루오로메탄 설폰산 염, 6 플루오르화 인산염, 퍼플루오로부탄 설폰산염, 3 플루오르화 붕소염, 3 플루오르화 붕소 에테르 착화합물 등을 들 수 있다. 바람직한 (T) 성분으로서, 이하에 나타내는 양이온부와 음이온부로 이루어지는 화합물을 들 수 있다. Examples of the component (T) include trifluoromethane sulfonic acid salts, hexafluorophosphate salts, perfluorobutane sulfonate salts, boron trifluoride salts, and boron trifluoride ether complex compounds. As a preferable component (T), compounds comprising a cation moiety and an anion moiety shown below are exemplified.

Figure pat00008
Figure pat00008

[식(T-ca-1) 중, Rh01~Rh04는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이며, Rh01~Rh04 가운데 적어도 하나는, 아릴기이다. 상기의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 가져도 된다. 식(T-ca-2) 중, Rh05~Rh07은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~20의 알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이며, Rh05~Rh07 가운데 적어도 하나는, 아릴기이다. 상기의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 가져도 된다.][In formula (T-ca-1), R h01 to R h04 are each independently a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an aryl group, and at least one of R h01 to R h04 is an aryl group. The said alkyl group or aryl group may have a substituent. In formula (T-ca-2), R h05 to R h07 are each independently a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an aryl group, and at least one of R h05 to R h07 is an aryl group am. The above alkyl group or aryl group may have a substituent.]

ㆍ(T) 성분의 양이온부에 대하여ㆍAbout the cationic part of component (T)

상기 식(T-ca-1) 중, Rh01~Rh04에 있어서의 알킬기는, 탄소수가 1~20이며, 탄소수 1~10이 바람직하고, 탄소수 1~5가 보다 바람직하고, 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다. In the formula (T-ca-1), the alkyl group for R h01 to R h04 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and 1 to 5 carbon atoms. A straight-chain or branched-chain alkyl group of is more preferable. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned, Among these, a methyl group, An ethyl group is preferred.

Rh01~Rh04에 있어서의 알킬기는, 치환기를 가져도 된다. 이 치환기로서는, 예를 들면, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 환식 기 등을 들 수 있다. The alkyl group in R h01 to R h04 may have a substituent. As this substituent, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, a cyclic group etc. are mentioned, for example.

알킬기의 치환기로서의 알콕시기는, 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 더욱 바람직하다. The alkoxy group as a substituent of the alkyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group, and a methoxy group An ethoxy group is more preferable.

알킬기의 치환기로서의 할로겐 원자는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. As for the halogen atom as a substituent of an alkyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

알킬기의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 탄소수 1~5의 알킬기, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. The halogenated alkyl group as a substituent of the alkyl group is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc., in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with the halogen atoms. can

알킬기의 치환기로서의 카르보닐기는, 알킬기를 구성하는 메틸렌기(-CH2-)를 치환하는 기(>C=O)이다. A carbonyl group as a substituent of an alkyl group is a group (>C=O) that substitutes a methylene group (-CH 2 -) constituting the alkyl group.

알킬기의 치환기로서의 환식 기는, 방향족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기(다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다)를 들 수 있다. 여기서의 방향족 탄화수소기는, 후술의 Rh01~Rh04에 있어서의 아릴기와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 여기서의 지환식 탄화수소기에 있어서, 단환식의 지환식 탄화수소기로서는, 모노시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 상기 모노시클로알칸으로서는, 탄소수 3~6의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 또한, 다환식의 지환식 탄화수소기로서는, 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 상기 폴리시클로알칸으로서는, 탄소수 7~30인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 상기 폴리시클로알칸으로서는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교환계의 다환식 골격을 가지는 폴리시클로알칸; 스테로이드 골격을 가지는 환식 기 등의 축합환계의 다환식 골격을 가지는 폴리시클로알칸이 보다 바람직하다. Examples of the cyclic group as a substituent for the alkyl group include an aromatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group (which may be polycyclic or monocyclic). Examples of the aromatic hydrocarbon group include the same as the aryl groups for R h01 to R h04 described later. In the alicyclic hydrocarbon group herein, as the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from monocycloalkane is preferable. As said monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, and a cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically,. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, examples of the polycycloalkanes include polycycloalkanes having a polycyclic backbone of a bridge exchange system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane; A polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton is more preferable.

상기 식(T-ca-1) 중, Rh01~Rh04에 있어서의 아릴기는, 방향환을 적어도 1개가지는 탄화수소기이다. In the above formula (T-ca-1), the aryl group in R h01 to R h04 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 특별히 한정되지 않고, 단환식이어도 다환식이어도 된다. 방향환의 탄소수는 5~30인 것이 바람직하고, 5~20이 보다 바람직하고, 6~15가 더욱 바람직하고, 6~12가 특히 바람직하다. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12.

방향환으로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서 구체적으로는, 피리딘환, 티오펜환 등을 들 수 있다. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; An aromatic heterocycle in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom; and the like. As a hetero atom in an aromatic heterocycle, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. As an aromatic heterocycle, a pyridine ring, a thiophene ring, etc. are mentioned specifically,.

Rh01~Rh04에 있어서의 아릴기로서 구체적으로는, 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기; 2개 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물(예를 들어 비페닐, 플루오렌 등)로부터 수소 원자를 1개제외한 기; 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기(예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴 알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1~4인 것이 바람직하고, 1~2인 것이 보다 바람직하고, 1인 것이 특히 바람직하다. 이들 중에서도, 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기, 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기가 보다 바람직하고, 상기 방향족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기, 상기 방향족 탄화수소환의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기가 더욱 바람직하다. As the aryl group for R h01 to R h04 , specifically, a group obtained by removing one hydrogen atom from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle; A group obtained by excluding one hydrogen atom from an aromatic compound (for example, biphenyl, fluorene, etc.) containing two or more aromatic rings; A group in which one of the hydrogen atoms of the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group (eg, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, aryl alkyl groups such as a 2-naphthylethyl group, etc.); and the like. As for carbon number of the alkylene group couple|bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring, it is preferable that it is 1-4, it is more preferable that it is 1-2, and it is especially preferable that it is 1. Among these, a group in which one hydrogen atom is removed from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle, or a group in which one of the hydrogen atoms of the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group is more preferable, and the above aromatic hydrocarbon ring A group in which one hydrogen atom is removed from , and a group in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring is substituted with an alkylene group are more preferable.

Rh01~Rh04에 있어서의 아릴기는, 치환기를 가져도 된다. 이 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 환식 기, 알킬카르보닐옥시기 등을 들 수 있다. The aryl group in R h01 to R h04 may have a substituent. As this substituent, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, a cyclic group, an alkyl carbonyloxy group etc. are mentioned, for example.

아릴기의 치환기로서의 알킬기는, 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 바람직하다. The alkyl group as a substituent for the aryl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

아릴기의 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 환식 기에 대한 설명은, 상술한 알킬기의 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 환식 기에 대한 설명과 같다. Descriptions of alkoxy groups, halogen atoms, halogenated alkyl groups, carbonyl groups, and cyclic groups as substituents for aryl groups are the same as those for alkoxy groups, halogen atoms, halogenated alkyl groups, carbonyl groups, and cyclic groups as substituents for alkyl groups described above.

아릴기의 치환기로서의 알킬카르보닐옥시 기에 있어서, 알킬 부분의 탄소수는 1~5가 바람직하고, 알킬 부분은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. In the alkylcarbonyloxy group as a substituent for the aryl group, the alkyl moiety preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples of the alkyl moiety include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and the like. Among these, a methyl group and an ethyl group are It is preferable, and a methyl group is more preferable.

단, 상기 식(T-ca-1) 중, Rh01~Rh04 가운데 적어도 하나는, 치환기를 가져도 되는 아릴기이다. However, in the formula (T-ca-1), at least one of R h01 to R h04 is an aryl group which may have a substituent.

이하에, 상기 식(T-ca-1)로 나타내는 양이온의 구체예를 나타내다. Below, the specific example of the cation represented by the said formula (T-ca-1) is shown.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 식(T-ca-2) 중, Rh05~Rh07에 있어서의 알킬기, 아릴기에 대한 설명은, 각각, 상술한 Rh01~Rh04에 있어서의 알킬기, 아릴기에 대한 설명과 같다. In the above formula (T-ca-2), the description of the alkyl group and the aryl group in R h05 to R h07 is the same as the description of the alkyl group and aryl group in R h01 to R h04 described above, respectively.

단, 상기 식(T-ca-2) 중, Rh05~Rh07 가운데 적어도 하나는, 치환기를 가져도 되는 아릴기이다. However, in the formula (T-ca-2), at least one of R h05 to R h07 is an aryl group which may have a substituent.

이하에, 상기 식(T-ca-2)로 나타내는 양이온의 구체예를 나타내다. Below, the specific example of the cation represented by the said formula (T-ca-2) is shown.

Figure pat00010
Figure pat00010

ㆍ(T) 성분의 음이온부에 대하여ㆍAbout the anion part of component (T)

(T) 성분의 음이온부로서는, 예를 들면, 6 플루오르화 인산 음이온, 트리플루오로메탄 설폰산 음이온, 퍼플루오로부탄 설폰산 음이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐) 붕산 음이온 등을 들 수 있다. Examples of the anion moiety of component (T) include hexafluorophosphate anion, trifluoromethanesulfonate anion, perfluorobutanesulfonate anion, tetrakis(pentafluorophenyl)borate anion, and the like. .

이들 중에서도, 6 플루오르화 인산 음이온, 트리플루오로메탄 설폰산 음이온, 퍼플루오로부탄 설폰산 음이온이 바람직하고, 6 플루오르화 인산 음이온, 트리플루오로메탄 설폰산 음이온이 보다 바람직하다. Among these, hexafluorophosphate anion, trifluoromethanesulfonic acid anion, and perfluorobutane sulfonic acid anion are preferable, and hexafluorophosphate anion and trifluoromethanesulfonic acid anion are more preferable.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서는, (T) 성분으로서, 예를 들면 상품명이 산에이드 SI-45, SI-47, SI-60, SI-60L, SI-80, SI-80L, SI-100, SI-100L, SI-110, SI-110L, SI-145, I-150, SI-160, SI-180L, SI-B3, SI-B2A, SI-B3A, SI-B4, SI-300(이상, 산신 카가쿠 코교 가부시키가이샤 제); CI-2921, CI-2920, CI-2946, CI-3128, CI-2624, CI-2639, CI-2064(니혼소다 가부시키가이샤 제); CP-66, CP-77(가부시키가이샤 ADEKA 제); FC-520(3M사 제); K-PURE TAG-2396, TAG-2713S, TAG-2713, TAG-2172, TAG-2179, TAG-2168E, TAG-2722, TAG-2507, TAG-2678, TAG-2681, TAG-2679, TAG-2689, TAG-2690, TAG-2700, TAG-2710, TAG-2100, CDX-3027, CXC-1615, CXC-1616, CXC-1750, CXC-1738, CXC-1614, CXC-1742, CXC-1743, CXC-1613, CXC-1739, CXC-1751, CXC-1766, CXC-1763, CXC-1736, CXC-1756, CXC-1821, CXC-1802-60, CXC-2689(이상, KING INDUSTRY사 제) 등의 시판품을 이용할 수 있다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, as component (T), for example, trade names San-Aid SI-45, SI-47, SI-60, SI-60L, SI-80, SI-80L, SI -100, SI-100L, SI-110, SI-110L, SI-145, I-150, SI-160, SI-180L, SI-B3, SI-B2A, SI-B3A, SI-B4, SI-300 (Above, manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.); CI-2921, CI-2920, CI-2946, CI-3128, CI-2624, CI-2639, CI-2064 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.); CP-66, CP-77 (manufactured by ADEKA Corporation); FC-520 (manufactured by 3M); K-PURE TAG-2396, TAG-2713S, TAG-2713, TAG-2172, TAG-2179, TAG-2168E, TAG-2722, TAG-2507, TAG-2678, TAG-2681, TAG-2679, TAG-2689 , TAG-2690, TAG-2700, TAG-2710, TAG-2100, CDX-3027, CXC-1615, CXC-1616, CXC-1750, CXC-1738, CXC-1614, CXC-1742, CXC-1743, CXC -1613, CXC-1739, CXC-1751, CXC-1766, CXC-1763, CXC-1736, CXC-1756, CXC-1821, CXC-1802-60, CXC-2689 (above, manufactured by KING INDUSTRY), etc. A commercial product can be used.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 (T) 성분은, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. The component (T) contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be one type or two or more types.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서는, 상기 중에서도, (T) 성분으로서 6 플루오르화 인산염, 트리플루오로메탄 설폰산 염, 퍼플루오로부탄 설폰산 염이 바람직하고, 트리플루오로메탄 설폰산 염이 보다 바람직하고, 트리플루오로메탄 설폰산의 제4급 암모늄염이 더욱 바람직하다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, among the above, as the component (T), hexafluorophosphate, trifluoromethanesulfonic acid salt, and perfluorobutanesulfonic acid salt are preferred, and trifluoromethanesulfonic acid A salt is more preferred, and a quaternary ammonium salt of trifluoromethane sulfonic acid is still more preferred.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 (T) 성분을 함유하는 경우, (T) 성분의 함유량은, (P) 성분 100 질량부에 대해서, 0.01~20 질량부인 것이 바람직하고, 1~15 질량부가 보다 바람직하고, 2~10 질량부가 더욱 바람직하다. When the composition for forming a separation layer of the present embodiment contains component (T), the content of component (T) is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and preferably 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (P). Part is more preferable, and 2 to 10 parts by mass is even more preferable.

(T) 성분의 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 광의 조사에 의해 변질하기 쉬워진다(분리층의 광 반응성을 높일 수 있다). 예를 들면, 소성하는 것에 의해, 파장 600 nm 이하의 범위의 광을 적합하게 흡수하는 것이 가능한 소성체를 용이하게 형성할 수 있다. 덧붙여, 내약품성도 보다 향상한다. When the content of component (T) is within the above preferred range, it is easily changed in quality by light irradiation (photoreactivity of the separation layer can be improved). For example, by firing, a fired body capable of suitably absorbing light in a wavelength range of 600 nm or less can be easily formed. In addition, chemical resistance is also further improved.

≪광 산 발생제≫≪Mine Generator≫

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물은, 추가로, 광 산 발생제를 함유해도 된다. The composition for forming a separation layer of the present embodiment may further contain a photoacid generator.

이러한 분리층 형성용 조성물은 광 산 발생제를 함유함으로써도, 상술한 바와 같이 (T) 성분을 함유하는 경우와 같이, 소성시의 가열 등으로, 광 산 발생제로부터 발생하는 산의 작용에 의해서 분리층은 산화가 촉진되기 때문에, 광의 조사에 의해 변질하기 쉬워진다(분리층의 광 반응성을 높일 수 있다). Such a composition for forming a separation layer contains a photo-acid generator, as in the case of containing the component (T) as described above, by the action of an acid generated from the photo-acid generator by heating during firing or the like. Since the oxidation of the separation layer is accelerated, it is easily deteriorated by light irradiation (photoreactivity of the separation layer can be enhanced).

광 산 발생제로서는, 예를 들면, 설포늄염 등의 오늄염계 산 발생제가 적합하게 들 수 있다. As the photo-acid generator, for example, onium salt-based acid generators such as sulfonium salts are preferred.

오늄염계 산 발생제에 있어서, 바람직한 양이온부로서는, 설포늄 양이온, 요오드늄 양이온을 들 수 있다. In the onium salt-based acid generator, sulfonium cations and iodonium cations are exemplified as preferable cation moieties.

오늄염계 산 발생제에 있어서, 바람직한 음이온부로서는, 테트라키스(펜타플루오로페닐) 보레이트([B(C6F5)4]-); 테트라키스[(트리플루오로메틸) 페닐]보레이트([B(C6H4CF3)4]-); 디플루오로 비스(펜타플루오로페닐) 보레이트([(C6F5)2BF2]-); 트리플루오로(펜타플루오로페닐) 보레이트([(C6F5)BF3]-); 테트라키스(디플루오로페닐) 보레이트([B(C6H3F2)4]-) 등을 들 수 있다. 또한, 하기 일반식(b0-2a)로 나타내는 음이온도 바람직하다. In the onium salt-based acid generator, preferred anion moieties include tetrakis(pentafluorophenyl) borate ([B(C 6 F 5 ) 4 ] - ); tetrakis[(trifluoromethyl)phenyl]borate ([B(C 6 H 4 CF 3 ) 4 ] - ); difluoro bis(pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5 ) 2 BF 2 ] - ); trifluoro(pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5 )BF 3 ] - ); tetrakis(difluorophenyl) borate ([B(C 6 H 3 F 2 ) 4 ] - ); and the like. An anion represented by the following general formula (b0-2a) is also preferable.

Figure pat00011
Figure pat00011

[식 중, Rbf05는, 치환기를 가져도 되는 불소화 알킬기이다. nb1은, 1~5의 정수이다.][In formula, R bf05 is a fluorinated alkyl group which may have a substituent. nb 1 is an integer of 1 to 5.]

상기 식(b0-2 a) 중, Rbf05에 있어서의 불소화 알킬기는, 탄소수가 1~10인 것이 바람직하고, 탄소수 1~8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~5인 것이 더욱 바람직하다. 그 중에서도 Rbf05로서는, 탄소수 1~5의 불소화 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~5의 퍼플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기 또는 펜타플루오로에틸기가 더욱 바람직하다. In the formula (b0-2a), the fluorinated alkyl group for R bf05 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms. Especially, as R bf05 , a C1-C5 fluorinated alkyl group is preferable, a C1-C5 perfluoroalkyl group is more preferable, and a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group is still more preferable.

상기 식(b0-2 a) 중, nb1은, 1~4의 정수가 바람직하고, 2~4의 정수가 보다 바람직하고, 3이 가장 바람직하다. In the formula (b0-2a), nb 1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably an integer of 2 to 4, and most preferably 3.

nb1이 2 이상인 경우, 복수의 Rbf05는, 동일해도 되고, 각각 상이해도 된다. When nb 1 is 2 or more, a plurality of R bf05 ' s may be the same or different.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 광 산 발생제는, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. The photo-acid generator contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be one type or two or more types.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 광 산 발생제를 함유하는 경우, 광 산 발생제의 함유량은, (P) 성분 100 질량부에 대해서, 0.01~20 질량부인 것이 바람직하고, 1~15 질량부가 보다 바람직하고, 2~10 질량부가 더욱 바람직하다. When the composition for forming a separation layer of the present embodiment contains a photoacid generator, the content of the photoacid generator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and preferably 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (P). Part is more preferable, and 2 to 10 parts by mass is even more preferable.

광 산 발생제의 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 광의 조사에 의해 변질하기 쉬워진다(분리층의 광 반응성을 높일 수 있다). 예를 들면, 소성하는 것에 의해, 파장 600 nm 이하의 범위의 광을 적합하게 흡수하는 것이 가능한 소성체를 용이하게 형성할 수 있다. 덧붙여, 내약품성도 보다 향상한다. When the content of the photo-acid generator is within the above preferred range, it is easily changed in quality by light irradiation (photoreactivity of the separation layer can be improved). For example, by firing, a fired body capable of suitably absorbing light in a wavelength range of 600 nm or less can be easily formed. In addition, chemical resistance is also further improved.

≪감광제 성분≫≪Photosensitizer Component≫

감광제 성분(이하 「(C) 성분」이라고도 말한다.)으로서는, 예를 들면, 하기 화학식(c1)로 나타내는 페놀성 수산기 함유 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드 설폰산 화합물의 에스테르화 반응 생성물(이하 「(C1) 성분」이라고도 말한다.)이 적합한 것으로서 들 수 있다. As the photosensitizer component (hereinafter also referred to as “component (C)”), for example, an esterification reaction between a phenolic hydroxyl group-containing compound represented by the following formula (c1) and a 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid compound A product (hereinafter also referred to as "component (C1)") is mentioned as a suitable one.

Figure pat00012
Figure pat00012

1,2-나프토퀴논디아지드 설폰산 화합물로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 화합물, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 화합물 등을 들 수 있고, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 화합물이 바람직하다. Examples of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid compounds include 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl compounds, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl compounds, and the like. , 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl compounds are preferred.

이하에, (C1) 성분의 적합한 구체예를 나타내다. Below, the suitable specific example of component (C1) is shown.

Figure pat00013
Figure pat00013

[식(c1-1) 중, D1~D4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐기를 나타낸다. D1~D4의 가운데 적어도 하나는, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐기를 나타낸다.][In formula (c1-1), D 1 to D 4 each independently represent a hydrogen atom or a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group. At least one of D 1 to D 4 represents a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group.]

상기 (C1) 성분의 에스테르화율은, 50~70%인 것이 바람직하고, 55~65%인 것이 보다 바람직하다. 상기 에스테르화율이 50% 이상이면, 알칼리 현상 후의 막감소가 보다 억제되어, 잔막율이 높아진다. 상기 에스테르화율이 70% 이하이면, 보존 안정성이 보다 향상한다. It is preferable that it is 50 to 70 %, and, as for the esterification rate of the said component (C1), it is more preferable that it is 55 to 65 %. When the esterification rate is 50% or more, the film reduction after alkali development is more suppressed, and the remaining film rate is increased. Storage stability improves more as the said esterification rate is 70 % or less.

여기서 말하는 「에스테르화율」이란, 상기 식(c1-1)로 나타내는 화합물에 대해서는, 식(c1-1) 중의 D1~D4가 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐기로 치환되어 있는 비율을 나타내다. "Esterification rate" as used herein means that D 1 to D 4 in formula (c1-1) are substituted with 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl groups in the compound represented by formula (c1-1). indicate the percentage of

상기 (C1) 성분은, 매우 염가이면서, 고감도화를 도모할 수 있는 점으로부터도 바람직하다. The component (C1) is also preferable from the viewpoint of being very inexpensive and highly sensitive.

또한, (C) 성분으로서는, 상기 (C1) 성분 이외의 그 외 감광제 성분(이하 이것을 「(C2) 성분」이라고도 말한다.)을 이용할 수 있다. In addition, as component (C), other photosensitizer components (hereinafter, this is also referred to as "component (C2)") other than the component (C1) can be used.

(C2) 성분으로서는, 예를 들면, 하기의 페놀성 수산기 함유 화합물((c2-phe) 성분)과, 1,2-나프토퀴논디아지드 설폰산 화합물(바람직하게는, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 화합물, 또는, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 화합물)의 에스테르화 반응 생성물을 적합한 것으로서 들 수 있다. As the component (C2), for example, the following phenolic hydroxyl group-containing compound ((c2-phe) component) and a 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid compound (preferably 1,2-naphtho An esterification reaction product of a quinonediazide-5-sulfonyl compound or a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl compound) is mentioned as a suitable one.

상기 (c2-phe) 성분으로서는, 예를 들면, 트리스(4-히드록시페닐) 메탄, 비스(4-히드록시-3-메틸페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,3,5-트리메틸페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-4-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-3-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-4-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-3-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-2,4-디히드록시페닐 메탄, 비스(4-히드록시페닐)-3-메톡시-4-히드록시페닐 메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-4-히드록시페닐 메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-3-히드록시페닐 메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐 메탄, 비스(2,3,5-트리메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐 메탄, 1-[1-(4-히드록시페닐) 이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐) 에틸]벤젠, 1-[1-(3-메틸-4-히드록시페닐) 이소프로필]-4-[1,1-비스(3-메틸-4-히드록시페닐) 에틸]벤젠, 2-(2,3,4-트리히드록시페닐)-2-(2',3',4'-트리히드록시페닐) 프로판, 2-(2,4-디히드록시페닐)-2-(2',4'-디히드록시페닐) 프로판, 2-(4-히드록시페닐)-2-(4'-히드록시페닐) 프로판, 2-(3-플루오로-4-히드록시페닐)-2-(3'-플루오로-4'-히드록시페닐) 프로판, 2-(2,4-디히드록시페닐)-2-(4'-히드록시페닐) 프로판, 2-(2,3,4-트리히드록시페닐)-2-(4'-히드록시페닐) 프로판, 2-(2,3,4-트리히드록시페닐)-2-(4'-히드록시-3',5'-디메틸페닐) 프로판, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 메탄, 비스(2,4-디히드록시페닐) 메탄, 2,3,4-트리히드록시페닐-4'-히드록시페닐 메탄, 1,1-디(4-히드록시페닐) 시클로헥산, 2,4-비스[1-(4-히드록시페닐) 이소프로필]-5-히드록시페놀 등을 들 수 있다. As the component (c2-phe), for example, tris(4-hydroxyphenyl)methane, bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2 ,3,5-trimethylphenyl)-2-hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethyl Phenyl)-3-hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-4-hydroxy hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-3-hydroxyphenyl methane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenyl methane, bis( 4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenyl methane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenyl methane, bis ( 4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2,4-dihydroxyphenyl methane, bis (4-hydroxyphenyl) -3-methoxy-4-hydroxyphenyl methane, bis (5-cyclohexyl -4-hydroxy-2-methylphenyl) -4-hydroxyphenyl methane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3-hydroxyphenyl methane, bis (5-cyclohexyl-4 -Hydroxy-2-methylphenyl)-2-hydroxyphenyl methane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-3,4-dihydroxyphenyl methane, bis(2,3,5 -trimethyl-4-hydroxyphenyl)-2-hydroxyphenyl methane, 1-[1-(4-hydroxyphenyl) isopropyl]-4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl) ethyl] Benzene, 1-[1-(3-methyl-4-hydroxyphenyl)isopropyl]-4-[1,1-bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)ethyl]benzene, 2-(2, 3,4-trihydroxyphenyl)-2-(2',3',4'-trihydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(2',4' -dihydroxyphenyl) propane, 2-(4-hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl) propane, 2-(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)-2-(3' -Fluoro-4'-hydroxyphenyl) propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl) propane, 2-(2,3,4-trihydroxy Phenyl) -2- (4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (4'-hydroxy-3', 5'-dimethylphenyl) propane, Bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, 2,3,4-trihydroxyphenyl-4'-hydroxyphenyl methane, 1,1 -Di(4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,4-bis[1-(4-hydroxyphenyl)isopropyl]-5-hydroxyphenol, etc. are mentioned.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 (C) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. Component (C) contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be used alone or in combination of two or more.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서는, 상기 중에서도, (C) 성분으로서 (C1) 성분을 이용하는 것이 바람직하다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, among the above, it is preferable to use the component (C1) as the component (C).

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 (C) 성분을 함유하는 경우, (C) 성분의 함유량은, (P) 성분 100 질량부에 대해서, 95 질량부 이하인 것이 바람직하고, 50~95 질량부가 보다 바람직하고, 60~90 질량부가 더욱 바람직하다. When the composition for forming a separation layer of the present embodiment contains component (C), the content of component (C) is preferably 95 parts by mass or less, and 50 to 95 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (P). It is more preferable, and 60-90 mass parts is still more preferable.

(C) 성분의 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 분리층의 광 반응성이 보다 높아진다. When the content of component (C) is within the above preferred range, the separation layer has higher photoreactivity.

≪유기 용제 성분≫≪Organic Solvent Component≫

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물은, 도포 작업성 등을 조정하기 위해, 유기 용제 성분(이하 「(S) 성분」이라고도 말한다.)을 함유해도 된다. The composition for forming a separation layer of the present embodiment may contain an organic solvent component (hereinafter also referred to as "component (S)") in order to adjust coating workability and the like.

(S) 성분으로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직쇄상의 탄화수소; 탄소수 4에서 15의 분기쇄상의 탄화수소; 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 테트라히드로나프탈렌 등의 환상 탄화수소; p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투잔, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디히드로테르피닐 아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 이오논, 투욘, 캄폴, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제; γ-부티로락톤 등의 락톤류; 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논(CH), 메틸-n-펜틸 케톤, 메틸 이소펜틸 케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류; 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜 모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 가지는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 가지는 화합물의 모노메틸 에테르, 모노에틸 에테르, 모노프로필 에테르, 모노부틸 에테르 등의 모노알킬 에테르 또는 모노페닐 에테르 등의 에테르 결합을 가지는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체(이들 중에서는, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME)가 바람직하다); 디옥산과 같은 환식 에테르류나, 락트산 메틸, 락트산 에틸(EL), 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 메톡시프로필 아세테이트, 메톡시부틸 아세테이트, 피르빈산 메틸, 피르빈산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 아니솔, 에틸 벤질 에테르, 크레실 메틸 에테르, 디페닐 에테르, 디벤질 에테르, 페네톨, 부틸페닐 에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다. Examples of the component (S) include linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, and tridecane; branched chain hydrocarbons of 4 to 15 carbon atoms; cyclic hydrocarbons such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene, and tetrahydronaphthalene; p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmentane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornane, norbornane, finan, thuzane, karan, longipolene, geraniol, Nerol, linalool, citral, citronerol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinene-4 Terpenes such as -ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineol, 1,8-cineol, borneol, carvone, ionone, thuyon, campol, d-limonene, l-limonene, and dipentene solvent; lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH ), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Polyhydric alcohols, such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; A compound having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether of the polyhydric alcohol or compound having the ester bond, monoethyl ether, Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether or compounds having an ether bond such as monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferred); Cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxypropyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyrbate, ethyl pyrbate, methyl methoxypropionate, et esters such as ethyl oxypropionate; aromatic organic solvents such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, and butylphenyl ether; and the like.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 (S) 성분은, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. The component (S) contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be one type or two or more types.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물에 있어서, (S) 성분의 사용량은, 특별히 한정되지 않고, 지지 기체 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막 두께나 도포성에 따라서 적절히 설정된다. 바람직하게는, 분리층 형성용 조성물 중의 상기 (P) 성분의 총량이, 상기 조성물의 전체 질량(100 질량%)에 대해서, 70 질량% 이하, 보다 바람직하게는 10~50 질량%의 범위 내가 되도록 (S) 성분은 이용된다. In the composition for forming a separation layer of the present embodiment, the amount of component (S) used is not particularly limited, and is appropriately set at a concentration that can be applied to a support substrate or the like depending on the coating film thickness and applicability. Preferably, the total amount of the component (P) in the composition for forming a separation layer is 70% by mass or less, more preferably in the range of 10 to 50% by mass, based on the total mass (100% by mass) of the composition. (S) component is used.

≪계면활성제≫«Surfactants»

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물은, 도포 작업성 등을 조정하기 위해, 계면활성제를 함유해도 된다. The composition for forming a separation layer of the present embodiment may contain a surfactant in order to adjust coating workability and the like.

계면활성제로서는, 예를 들면, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 실리콘계 계면활성제로는, 예를 들면 BYK-077, BYK-085, BYK-300, BYK-301, BYK-302, BYK-306, BYK-307, BYK-310, BYK-320, BYK-322, BYK-323, BYK-325, BYK-330, BYK-331, BYK-333, BYK-335, BYK-341, BYK-344, BYK-345, BYK-346, BYK-348, BYK-354, BYK-355, BYK-356, BYK-358, BYK-361, BYK-370, BYK-371, BYK-375, BYK-380, BYK-390(이상, BYK Chemie사 제) 등을 이용할 수 있다. 불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 F-114, F-177, F-410, F-411, F-450, F-493, F-494, F-443, F-444, F-445, F-446, F-470, F-471, F-472SF, F-474, F-475, F-477, F-478, F-479, F-480SF, F-482, F-483, F-484, F-486, F-487, F-172D, MCF-350SF, TF-1025SF, TF-1117SF, TF-1026SF, TF-1128, TF-1127, TF-1129, TF-1126, TF-1130, TF-1116SF, TF-1131, TF-1132, TF-1027SF, TF-1441, TF-1442(이상, DIC 주식사 제); 폴리폭스 시리즈의 PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520(이상, 옴노바사 제) 등을 이용할 수 있다. As surfactant, a silicone type surfactant and a fluorochemical surfactant are mentioned, for example. Examples of the silicone surfactant include BYK-077, BYK-085, BYK-300, BYK-301, BYK-302, BYK-306, BYK-307, BYK-310, BYK-320, BYK-322, and BYK. -323, BYK-325, BYK-330, BYK-331, BYK-333, BYK-335, BYK-341, BYK-344, BYK-345, BYK-346, BYK-348, BYK-354, BYK-355 , BYK-356, BYK-358, BYK-361, BYK-370, BYK-371, BYK-375, BYK-380, BYK-390 (above, manufactured by BYK Chemie) and the like can be used. As a fluorochemical surfactant, for example, F-114, F-177, F-410, F-411, F-450, F-493, F-494, F-443, F-444, F-445, F- 446, F-470, F-471, F-472SF, F-474, F-475, F-477, F-478, F-479, F-480SF, F-482, F-483, F-484, F-486, F-487, F-172D, MCF-350SF, TF-1025SF, TF-1117SF, TF-1026SF, TF-1128, TF-1127, TF-1129, TF-1126, TF-1130, TF- 1116SF, TF-1131, TF-1132, TF-1027SF, TF-1441, TF-1442 (above, manufactured by DIC Corporation); Polyfox series PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520 (above, manufactured by Omnova), etc. can be used.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 함유하는 계면활성제는, 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다. The surfactant contained in the composition for forming a separation layer of the present embodiment may be one type or two or more types.

본 실시 형태의 분리층 형성용 조성물이 계면활성제를 함유하는 경우, 계면활성제의 함유량은, (P) 성분 100 질량부에 대해서, 0.01~10 질량부인 것이 바람직하고, 0.02~2 질량부가 보다 바람직하고, 0.03~1 질량부가 더욱 바람직하다. When the composition for forming a separation layer of the present embodiment contains a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.02 to 2 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (P). , 0.03 to 1 part by mass is more preferred.

계면활성제의 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 분리층 형성용 조성물을 지지 기체 상에 도포했을 때에, 평탄성이 높은 분리층을 용이하게 형성할 수 있다. When the content of the surfactant is within the above preferred range, a separation layer having high flatness can be easily formed when the composition for forming a separation layer is applied onto a supporting substrate.

(분리층 부착 지지 기체)(supporting base with separation layer)

본 발명의 제2의 태양에 따른 분리층 부착 지지 기체는, 지지 기체와, 상기 제1의 태양에 따른 분리층 형성용 조성물을 이용하여 상기 지지 기체 상에 형성된 분리층을 구비하는 것이다. A support substrate with a separation layer according to a second aspect of the present invention includes a support substrate and a separation layer formed on the support substrate using the composition for forming a separation layer according to the first aspect.

본 실시 형태의 분리층 부착 지지 기체는, 지지 기체 상에, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 분리층을 구비한다. 따라서, 이러한 분리층 부착 지지 기체에 대해서는, 광 반응성, 내약품성이 높아져 있다. The support substrate with a separation layer of this embodiment is equipped with the separation layer formed using the separation layer forming composition of the above-mentioned embodiment on a support substrate. Accordingly, the light reactivity and chemical resistance of such a support substrate with a separation layer are high.

<지지 기체><support gas>

지지 기체는, 광을 투과하는 특성을 갖는다. 지지 기체는, 기판을 지지하는 부재이며, 분리층을 통해서 기판에 첩합된다. 그 때문에, 지지 기체로서는, 봉지체의 박화, 기판의 반송, 기판에의 실장 등의 때에, 기판의 파손 또는 변형을 막기 위해서 필요한 강도를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 지지 기체는, 분리층을 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 것이 바람직하다. The supporting substrate has a property of transmitting light. The support substrate is a member that supports the substrate and is bonded to the substrate through a separation layer. Therefore, as the support substrate, it is preferable to have strength required to prevent breakage or deformation of the substrate at the time of thinning of the encapsulation body, transport of the substrate, mounting on the substrate, and the like. Further, the support substrate preferably transmits light of a wavelength capable of altering the separation layer.

지지 기체의 재료로서는, 예를 들면, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지 등이 이용된다. 지지 기체의 형상으로서는, 예를 들면 직사각형, 원형 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. As the material of the support substrate, glass, silicone, acrylic resin, etc. are used, for example. As a shape of a support body, although a rectangle, circular shape, etc. are mentioned, for example, it is not limited to this.

또한, 지지 기체로서는, 한층 더 고밀도 집적화나 생산 효율의 향상을 위해서, 원형인 지지 기체의 사이즈를 대형화한 것, 상면시(上面視)에 있어서의 형상이 사각형인 대형 패널을 이용할 수도 있다. Further, as the support body, for further high-density integration and improvement in production efficiency, a circular support body having an enlarged size or a large panel having a rectangular shape in a top view can be used.

<분리층><Separation layer>

분리층은, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성할 수 있고, 분리층 형성용 조성물이 함유하는 수지 성분(P)를 소성하는 것에 의해 형성되는 소성체로 이루어지는 층이다. 이 분리층은, 지지 기체를 투과하여 조사되는 광을 흡수하는 것에 의해서 적합하게 변질한다. The separation layer can be formed using the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment, and is a layer made of a fired body formed by firing the resin component (P) contained in the composition for forming a separation layer. This separation layer is suitably changed in quality by absorbing light that passes through the supporting substrate and is irradiated.

또한, 분리층은, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 해치지 않는 범위에서, 광을 흡수하는 구조를 가지지 않은 재료가 배합된 층이어도 되지만, 광 반응성, 분리성의 관점으로부터, 광을 흡수하는 재료만으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. Further, the separation layer may be a layer in which a material having no light-absorbing structure is blended within a range that does not impair the essential characteristics of the present invention, but is formed only of a light-absorbing material from the viewpoint of light reactivity and separability. It is desirable to be

여기서 말하는 소성체란, (P) 성분을 함유하는 조성물을 소성한 것을 말한다. A fired body here means what fired the composition containing (P) component.

이 소성체는, 대기 환경 하, 즉, 산소가 존재하는 환경 하, (P) 성분을 함유하는 조성물을 소성함으로써 형성되어 있고, 당해 조성물이 적어도 일부가 탄화하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 분리층을 구성하는 소성체는, 파장 600 nm 이하의 범위의 광을 적합하게 흡수할 수 있고, 바람직하게는 높은 내약품성을 구비한다. This calcined body is formed by calcining a composition containing the component (P) in an atmospheric environment, that is, in an environment in which oxygen exists, and at least a part of the composition is carbonized. The fired body constituting the separation layer in the present embodiment can suitably absorb light in a wavelength range of 600 nm or less, and preferably has high chemical resistance.

분리층이 「변질한다」란, 분리층이 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 층과의 접착력이 저하한 상태가 되는 현상을 말한다. 분리층은, 광을 흡수하는 것에 의해서 물러지고, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 이러한 분리층의 변질은, 흡수한 광의 에너지에 의한 분해, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 등을 일으킴으로써 발생한다. The separation layer "degenerates" refers to a state in which the separation layer can be destroyed by receiving an external force or a state in which the adhesion between the separation layer and a contacting layer is reduced. The separation layer becomes brittle by absorbing light and loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. The deterioration of such a separation layer occurs by causing decomposition by energy of absorbed light, change in steric arrangement, or dissociation of functional groups.

분리층의 두께는, 예를 들면 0.05μm 이상, 50μm 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.3μm 이상, 1μm 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The thickness of the separation layer is preferably within a range of, for example, 0.05 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 0.3 μm or more and 1 μm or less.

분리층의 두께가 0.05μm 이상, 50μm 이하의 범위 내이면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해서, 분리층에 원하는 변질을 일으키게 할 수 있다. 또한, 분리층의 두께는, 생산성의 관점으로부터 1μm 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다. When the thickness of the separation layer is within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, the desired change in quality can be caused to the separation layer by irradiation with light for a short period of time and light with low energy. Further, the thickness of the separation layer is particularly preferably within a range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

예를 들면 도 1에 나타내는 적층체(10)에 있어서, 분리층은, 접착층에 접하는 측의 면이 평탄한(요철(凹凸)이 형성되어 있지 않다) 것이 바람직하고, 이것에 의해, 접착층의 형성이 용이하게 수행되고, 또한, 지지 기체와 기판을 균일하게 첩부하는 것이 용이해진다. For example, in the laminate 10 shown in FIG. 1, the surface of the separation layer in contact with the adhesive layer is preferably flat (no irregularities are formed), thereby facilitating formation of the adhesive layer. It is easily carried out, and also it becomes easy to adhere the support substrate and the substrate uniformly.

본 실시 형태의 분리층 부착 지지 기체는, 후술의 [분리층 형성 공정]의 조작을 마찬가지로 하여 수행하는 것에 의해 제조할 수 있다. The support base body with a separation layer of this embodiment can be manufactured by similarly carrying out the operation of [separation layer formation process] mentioned later.

본 실시 형태의 분리층 부착 지지 기체는, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 적용한 분리층이 설치되어 있기 때문에, 레이저 반응성이 강해져, 광 반응성이 보다 높아진다. 바람직하게는 내약품성도 높아진다. Since the support substrate with a separation layer of this embodiment is provided with a separation layer to which the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment is applied, the laser reactivity is enhanced and the photoreactivity is further increased. Preferably, chemical resistance also increases.

(적층체)(Laminate)

본 발명의 제3의 태양에 따른 적층체는, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 것이다. 이 분리층은, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물의 소성체이다. A laminate according to a third aspect of the present invention includes a separation layer between a light-transmitting support substrate and a substrate. This separation layer is a fired body of the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment.

도 1에 나타낸 대로, 본 실시 형태의 적층체(10)는, 지지 기체(1) 상에 분리층(2), 접착층(3), 기판(4)이 이 순서대로 적층한 것이다. As shown in FIG. 1 , in the laminate 10 of this embodiment, a separation layer 2, an adhesive layer 3, and a substrate 4 are laminated in this order on a support base 1.

지지 기체(1)에 대한 설명은, 상기 <지지 기체>에 있어서의 설명과 같다. The description of the support base body 1 is the same as the description in the above <support base>.

분리층(2)에 대한 설명은, 상기 <분리층>에 있어서의 설명과 같다. Description of the separation layer 2 is the same as the description in the above <separation layer>.

<접착층><Adhesive layer>

접착층(3)은, 지지 기체(1)와 기판(4)를 첩합하기 위한 층이며, 접착층 형성용 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. The adhesive layer 3 is a layer for bonding the support substrate 1 and the substrate 4 together, and can be formed using a composition for forming an adhesive layer.

이러한 접착층 형성용 조성물은, 예를 들면 열가소성 수지, 희석제, 및, 첨가제 등의 그 외 성분을 함유하고 있는 것을 들 수 있다. 이 열가소성 수지로서는, 접착력을 발현하는 것이면 되고, 탄화수소 수지(바람직하게는 시클로올레핀 폴리머 등), 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지, 폴리설폰계 수지 등의 1종 또는 2종 이상일 수 있다. 희석제로서는, 상기 (S) 성분과 마찬가지의 것을 들 수 있다. 그 외 성분으로서는, 접착층의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 경화성 모노머, 광 중합 개시제, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제, 계면활성제 등을 들 수 있다. Examples of such a composition for forming an adhesive layer include those containing other components such as thermoplastic resins, diluents, and additives. The thermoplastic resin may be one or two or more of hydrocarbon resins (preferably cycloolefin polymers, etc.), acrylic-styrene resins, maleimide resins, elastomer resins, polysulfone resins, etc. can As a diluent, the thing similar to the said (S) component is mentioned. Examples of other components include additional resins for improving the performance of the adhesive layer, curable monomers, photoinitiators, plasticizers, adhesive aids, stabilizers, colorants, thermal polymerization inhibitors, surfactants, and the like.

접착층(3)의 두께는, 예를 들면 0.1μm 이상, 50μm 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 1μm 이상, 10μm 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The thickness of the adhesive layer 3 is preferably within a range of, for example, 0.1 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 1 μm or more and 10 μm or less.

접착층의 두께가 0.1μm 이상, 50μm 이하의 범위 내이면, 지지 기체(1)와 기판(4)를 보다 양호하게 첩합할 수 있다. 또한, 접착층의 두께가 1μm 이상인 것에 의해, 기판을 지지 기체 상에 충분히 고정할 수 있고, 접착층의 두께가 10μm 이하인 것에 의해, 후의 제거 공정에 있어서 접착층을 용이하게 제거할 수 있다. If the thickness of the adhesive layer is in the range of 0.1 μm or more and 50 μm or less, the support substrate 1 and the substrate 4 can be more favorably bonded. In addition, when the thickness of the adhesive layer is 1 μm or more, the substrate can be sufficiently fixed on the support substrate, and when the thickness of the adhesive layer is 10 μm or less, the adhesive layer can be easily removed in a subsequent removal step.

<기판><substrate>

기판(4)은, 지지 기체(1)에 지지된 상태로, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공된다. 기판(4)에는, 예를 들면 집적 회로나 금속 범프 등의 구조물이 실장된다. The substrate 4 is subjected to processes such as thinning and mounting in a state supported by the support base 1 . On the substrate 4, structures such as integrated circuits and metal bumps are mounted, for example.

기판(4)으로서는, 전형적으로는, 실리콘 웨이퍼 기판이 이용되지만, 이것으로 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉서블 기판 등을 이용해도 된다. As the substrate 4, a silicon wafer substrate is typically used, but it is not limited thereto, and a ceramic substrate, a thin film substrate, a flexible substrate, or the like may be used.

본 실시 형태에 있어서, 소자는, 반도체 소자 또는 그 외 소자이며, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 또한, 소자가 반도체 소자인 경우, 봉지 기판을 다이싱하는 것에 의해 얻어지는 전자 부품은 반도체 장치가 된다. In this embodiment, the element is a semiconductor element or other element, and may have a single-layer or multi-layered structure. In addition, when the element is a semiconductor element, an electronic component obtained by dicing the sealing substrate becomes a semiconductor device.

상술한 실시 형태의 적층체는, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 적용한 분리층이 설치되어 있기 때문에, 레이저 반응성이 강해져, 광 반응성이 보다 높아져서(광의 조사에 의해 적합하게 변질하여) 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상하고 있다. Since the laminate of the above-described embodiment is provided with a separation layer to which the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment is applied, the laser reactivity is enhanced and the photoreactivity is further increased (suitably altered by light irradiation), and the laminate is laminated. Separability of the supporting gas from the sieve is improved.

덧붙여, 실시 형태의 적층체는, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 적용한 분리층이 설치되어 있기 때문에, 내약품성이 높아진다. 이것에 의해, 실시 형태의 적층체는, 에칭 처리, 리소그래피 처리 등에서 이용되는 약품 등의 영향에 의해서 파손하기 어렵다. In addition, since the layered product of the embodiment is provided with a separation layer to which the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment is applied, chemical resistance is increased. As a result, the laminate of the embodiment is less likely to be damaged by the influence of chemicals used in etching treatment, lithography treatment, and the like.

상술한 실시 형태의 적층체에 대해서는, 지지 기체(1)와 분리층(2)가 인접하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 지지 기체(1)와 분리층(2)의 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은, 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이것에 의하면, 분리층(2)에의 광의 입사를 방해하는 것 없이, 적층체(10)에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 분리층(2)을 구성하고 있는 재료의 종류에 의해서, 이용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 파장의 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층(2)을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다. In the laminate of the above-described embodiment, the support substrate 1 and the separation layer 2 are adjacent to each other, but it is not limited to this, and another layer is added between the support substrate 1 and the separation layer 2. may be formed. In this case, the other layer may be made of a material that transmits light. According to this, it is possible to appropriately add a layer that imparts desirable properties and the like to the layered product 10 without obstructing the incidence of light to the separation layer 2 . Depending on the type of material constituting the separation layer 2, the wavelength of light that can be used is different. Therefore, the materials constituting the other layers do not need to transmit light of all wavelengths, and can be appropriately selected from materials that transmit light of a wavelength capable of deteriorating the material constituting the separation layer 2.

또한, 상술한 실시 형태의 적층체는, 지지 기체(1)와 기판(4)를 첩합하기 위한 접착층(3)을 갖추고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 지지 기체(1)와 기판(4)의 사이에 분리층(2)만을 구비하는 것이어도 된다. 이 경우에 있어서는, 예를 들면, 접착층의 기능도 겸비한 분리층이 이용된다. In addition, although the laminate of the above-described embodiment is equipped with an adhesive layer 3 for bonding the support base 1 and the substrate 4, it is not limited to this, and the support base 1 and the substrate 4 It may be provided with only the separation layer 2 in between. In this case, for example, a separation layer that also serves as an adhesive layer is used.

(적층체의 제조 방법)(Method of manufacturing laminated body)

본 발명의 제4의 태양은, 광을 투과하는 지지 기체와, 기판의 사이에, 분리층을 구비하는 적층체의 제조 방법으로서, 분리층 형성 공정과, 적층 공정을 갖는다. A fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing a laminate having a separation layer between a light-transmitting support substrate and a substrate, comprising a separation layer forming step and a lamination step.

<제1 실시 형태><First Embodiment>

도 2는, 적층체의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 2(a)는, 분리층 형성 공정을 설명하는 도이며, 도 2(b)는, 적층 공정을 설명하는 도이다. 2 is a schematic process diagram illustrating one embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig. 2(a) is a diagram explaining a separation layer forming process, and Fig. 2(b) is a diagram explaining a lamination process.

본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분((P) 성분)이 유기 용제 성분((S) 성분)에 용해한 분리층 형성용 조성물이 이용되고 있다. 또한, 탄화수소 수지가 (S) 성분에 용해한 접착층 형성용 조성물이 이용되고 있다. In the method for producing a laminate of the present embodiment, a composition for forming a separation layer in which a resin component (component (P)) having a repeating unit represented by the general formula (p1) is dissolved in an organic solvent component (component (S)) It is being used. In addition, a composition for forming an adhesive layer in which a hydrocarbon resin is dissolved in component (S) is used.

[분리층 형성 공정][Separation layer formation process]

실시 형태에 있어서의 분리층 형성 공정은, 지지 기체 상의 한쪽에, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후에 소성하는 것에 의해 분리층을 형성하는 공정이다. The separation layer forming step in the embodiment is a step of forming a separation layer by applying the composition for forming a separation layer according to the above-described embodiment to one side of a support substrate and then firing it.

도 2(a)에서는, 지지 기체(1) 상에, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후에 소성하는 것에 의해 분리층(2)이 형성되어 있다(즉, 분리층 부착 지지 기체가 제작되어 있다). In Fig. 2(a), the separation layer 2 is formed by applying the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment onto a support substrate 1 and then firing it (that is, with a separation layer). A supporting body has been produced).

지지 기체(1) 상에의 분리층 형성용 조성물의 도포 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 스핀 코트, 디핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 들 수 있다. A method of applying the composition for forming a separation layer onto the support substrate 1 is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dipping, roller blade coating, spray coating, and slit coating.

분리층 형성 공정에서는, 가열 환경 하, 또는 감압 환경 하, 지지 기체(1) 상에 도포된 분리층 형성용 조성물의 도공층으로부터 (S) 성분을 제거하여 성막한다. (S) 성분의 제거는, 예를 들면 베이크 처리를, 80~150℃의 온도 조건에서 120~360초간 행하여 수행할 수 있다. In the separation layer forming step, the component (S) is removed from the coating layer of the composition for forming a separation layer applied on the support substrate 1 under a heating environment or a reduced pressure environment to form a film. Removal of component (S) can be performed, for example, by performing a bake treatment at a temperature condition of 80 to 150°C for 120 to 360 seconds.

그 후, 대기 환경 하, 상기의 도공층으로부터 (S) 성분이 제거되어서 이루어지는 막을 소성하여, 소성체로 이루어지는 분리층(2)을 형성한다. Thereafter, in an atmospheric environment, a film obtained by removing component (S) from the above coated layer is fired to form a separation layer 2 made of a fired body.

상기의 도공층으로부터 (S) 성분이 제거되어서 이루어지는 막을 소성할 때의 온도는, (P) 성분의 종류에 따라 적절히 설정되고, 예를 들면 200℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 250℃ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 소성할 때의 온도가, 상기의 바람직한 범위의 하한치 이상이면, 파장 600 nm 이하의 범위의 광을 흡수할 수 있는 분리층을 보다 안정하게 형성할 수 있다. The temperature at the time of firing the film obtained by removing the component (S) from the above coating layer is appropriately set depending on the type of component (P), and is preferably set to, for example, 200°C or higher, and is set to 250°C or higher. it is more preferable If the temperature during firing is at least the lower limit of the above preferred range, a separation layer capable of absorbing light in a wavelength range of 600 nm or less can be formed more stably.

소성할 때의 온도의 상한치는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 800℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 600℃ 이하이다. The upper limit of the temperature during firing is not particularly limited, but is preferably, for example, 800°C or lower, and more preferably 600°C or lower.

소성 시간은, 3분간 이상, 3시간 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3분간 이상, 30분간 이하이다. 이것에 의해, 파장 600 nm 이하의 범위의 광을 흡수할 수 있는 분리층을 확실히 형성할 수 있다. The firing time is preferably 3 minutes or more and 3 hours or less, more preferably 3 minutes or more and 30 minutes or less. In this way, it is possible to reliably form a separation layer capable of absorbing light in a wavelength range of 600 nm or less.

[적층 공정][lamination process]

실시 형태에 있어서의 적층 공정은, 상기 분리층을 형성한 상기 지지 기체와, 상기 분리층을 형성하고 있지 않는 상기 기판을, 상기 분리층과 상기 접착층을 통해서 적층하는 공정이다. The lamination step in the embodiment is a step of laminating the support substrate on which the separation layer is formed and the substrate on which the separation layer is not formed via the separation layer and the adhesive layer.

도 2(b)에서는, 분리층(2)이 형성된 지지 기체(1)와, 분리층(2)를 형성하고 있지 않는 기판(4)이, 분리층(2)과 접착층(3)을 통해서 적층되고, 지지 기체(1), 분리층(2), 접착층(3), 기판(4)의 순서대로 겹겹이 쌓인 적층체(10)가 얻어지고 있다. In FIG. 2( b ), a support substrate 1 on which a separation layer 2 is formed and a substrate 4 on which the separation layer 2 is not formed are laminated via the separation layer 2 and the adhesive layer 3. Thus, a laminate 10 is obtained in which the support substrate 1, the separation layer 2, the adhesive layer 3, and the substrate 4 are stacked in this order.

적층 공정의 구체적인 방법으로서는, 분리층(2) 상에, 접착층 형성용 조성물을 도포하고, 가열하는 것에 의해 접착층(3)을 형성하고, 그 후, 지지 기체(1)와 기판(4)를 첩합하는 방법을 들 수 있다. As a specific method of the lamination step, the adhesive layer 3 is formed by applying a composition for forming an adhesive layer on the separation layer 2 and heating, and then the support substrate 1 and the substrate 4 are laminated. method of combining.

분리층(2) 상에의 접착층 형성용 조성물의 도포 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 상술한 지지 기체(1) 상에의 분리층 형성용 조성물의 도포 방법과 같게 하여 수행하면 된다. The method of applying the composition for forming an adhesive layer onto the separation layer 2 is not particularly limited, but may be carried out in the same manner as the method of applying the composition for forming a separation layer onto the support substrate 1 described above.

접착층(3)을 형성할 때의 베이크 처리는, 예를 들면, 온도를 상승시키면서 단계적으로 가열하는 것에 의해 수행하고, 접착층 형성용 조성물로부터 (S) 성분을 제거함으로써 접착층(3)을 형성한다. The baking treatment at the time of forming the adhesive layer 3 is performed by, for example, stepwise heating while raising the temperature, and the adhesive layer 3 is formed by removing component (S) from the composition for forming the adhesive layer.

지지 기체(1)와 기판(4)를 첩합하는 방법은, 접착층(3) 상의 소정 위치에 기판(4)을 배치하고, 진공 하에서 가열(예를 들면 100℃ 정도)하면서, 다이본더 등에 의해서 지지 기체(1)와 기판(4)을 압착하는 것에 의해 수행한다. The method of bonding the support substrate 1 and the substrate 4 is to place the substrate 4 at a predetermined position on the adhesive layer 3 and support it with a die bonder or the like while heating it in a vacuum (for example, at about 100° C.) It is performed by pressing the base 1 and the substrate 4.

제1 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 의하면, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 적용하여 분리층이 설치되기 때문에, 레이저 반응성이 강해져, 광 반응성이 보다 높아져 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상하고 있다. 바람직하게는, 내약품성이 높은 적층체를 제조할 수 있다. According to the manufacturing method of the laminate of the first embodiment, since the separation layer is provided by applying the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment, the laser reactivity becomes stronger and the photoreactivity becomes higher, so that the support substrate from the laminate Separability is improved. Preferably, a laminate with high chemical resistance can be manufactured.

상술한 본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 있어서는, 분리층(2)이 지지 기체(1) 상에 형성되어 있었지만, 이것으로 한정되지 않고, 분리층(2)이 기판(4) 상에 형성되어 있어도 된다. In the manufacturing method of the laminate of the present embodiment described above, the separation layer 2 is formed on the support base 1, but is not limited to this, and the separation layer 2 is formed on the substrate 4 it may be

상술한 본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 있어서는, 접착층(3)이 분리층(2) 상에 형성되어 있었지만, 이것으로 한정되지 않고, 접착층(3)이 기판(4) 상에 형성되어 있어도 된다. In the manufacturing method of the laminate of the present embodiment described above, although the adhesive layer 3 is formed on the separation layer 2, it is not limited to this, even if the adhesive layer 3 is formed on the substrate 4 do.

또한, 분리층(2)은, 지지 기체(1) 상 및 기판(4) 상의 양쪽에 형성되어 있어도 되고, 이 경우, 지지 기체(1)와 기판(4)은, 분리층(2), 접착층(3) 및 분리층(2)을 통해서 첩합한다. In addition, the separation layer 2 may be formed on both the support substrate 1 and the substrate 4. In this case, the support substrate 1 and the substrate 4, the separation layer 2, the adhesive layer (3) and bonding through the separation layer (2).

<제2 실시 형태><Second Embodiment>

도 3은, 적층체의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 3(a)는, 제1 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 적층체를 나타내는 도이며, 도 3(b)는, 봉지 공정을 설명하는 도이다. 3 is a schematic process diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig.3 (a) is a figure which shows the laminated body manufactured by the manufacturing method of 1st Embodiment, and Fig.3 (b) is a figure explaining the sealing process.

이러한 다른 실시 형태의 적층체의 제조 방법은, 상기의 분리층 형성 공정 및 적층 공정에 더하여, 추가로, 봉지 공정을 갖는다. The manufacturing method of the laminate of this other embodiment further includes a sealing step in addition to the separation layer forming step and the lamination step described above.

[봉지 공정][Encapsulation process]

실시 형태에 있어서의 봉지 공정은, 상기 적층 공정의 후, 상기 접착층을 통해서 상기 지지 기체에 첩합한 상기 기판을, 봉지재에 의해 봉지하여 봉지체를 제작하는 공정이다. The sealing step in the embodiment is a step of producing a sealing body by sealing the substrate bonded to the support substrate through the adhesive layer with a sealing material after the lamination step.

도 3(b)에서는, 접착층(3) 상에 배치된 기판(4)의 전체가, 봉지재에 의해 봉지된 봉지체(20)(적층체)가 얻어지고 있다. In FIG. 3( b ), a sealing body 20 (laminated body) in which the entirety of the substrate 4 disposed on the adhesive layer 3 is sealed with a sealing material is obtained.

봉지 공정에 있어서는, 예를 들면 130~170℃로 가열된 봉지재가, 고점도의 상태를 유지하면서, 기판(4)를 덮도록, 접착층(3) 상에 공급되고, 압축 성형되는 것에 의해서, 접착층(3) 상에 봉지재층(5)이 설치된 봉지체(20)(적층체)가 제작된다. In the encapsulation step, for example, the encapsulant heated to 130 to 170 ° C. is supplied on the adhesive layer 3 so as to cover the substrate 4 while maintaining a high viscosity state, and by compression molding, the adhesive layer ( 3) The encapsulant 20 (laminate) on which the encapsulant layer 5 is provided is produced.

봉지재로는, 예를 들면, 에폭시계 수지 또는 실리콘계 수지를 함유하는 조성물을 이용할 수 있다. 봉지재층(5)은, 개개의 기판(4)마다 설치되어 있는 것이 아니고, 접착층(3) 상의 기판(4) 전부를 덮도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. As the sealing material, for example, a composition containing an epoxy-based resin or a silicone-based resin can be used. It is preferable that the sealing material layer 5 is provided so as to cover all of the substrates 4 on the adhesive layer 3, rather than being provided for each substrate 4.

제2 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 의하면, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 적용하여 분리층 및 접착층 상에 기판(배선층)을 구비하는 봉지 기판을 적합하게 형성하는 것이 가능하다. According to the method for manufacturing a laminate of the second embodiment, it is possible to suitably form a sealing substrate having a substrate (wiring layer) on the separation layer and the adhesive layer by applying the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment.

<제3 실시 형태><Third Embodiment>

도 4는, 적층체의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 4(a)는, 제2 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 봉지체를 나타내는 도이며, 도 4(b)는, 연삭 공정을 설명하는 도이며, 도 4(c)는, 재배선 형성 공정을 설명하는 도이다. 4 is a schematic process diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a laminate. Fig. 4 (a) is a diagram showing an encapsulated body manufactured by the manufacturing method of the second embodiment, Fig. 4 (b) is a diagram explaining a grinding step, and Fig. 4 (c) is a diagram illustrating rewiring formation. It is a diagram explaining the process.

이러한 다른 실시 형태의 적층체의 제조 방법은, 상기의 분리층 형성 공정, 적층 공정 및 봉지 공정에 더하여, 추가로, 연삭 공정과 재배선 형성 공정을 갖는다. The manufacturing method of the laminate of this other embodiment further includes a grinding step and a rewiring forming step in addition to the above separation layer forming step, lamination step, and sealing step.

[연삭 공정][Grinding process]

실시 형태에 있어서의 연삭 공정은, 상기 봉지 공정의 후, 봉지체(20)에 있어서의 봉지재 부분(봉지재층(5))을, 기판(4)의 일부가 노출하도록 연삭하는 공정이다. The grinding process in the embodiment is a process of grinding the sealing material portion (sealing material layer 5) in the sealing body 20 after the sealing process so that a part of the substrate 4 is exposed.

봉지재 부분의 연삭은, 예를 들면 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지재층(5)을, 기판(4)과 거의 동등의 두께가 될 때까지 깎는 것에 의해 수행한다. Grinding of the sealing material portion is performed by scraping the sealing material layer 5 until it becomes substantially equivalent to the thickness of the substrate 4, as shown in FIG. 4(b), for example.

[재배선 형성 공정][Rewiring formation process]

실시 형태에 있어서의 재배선 형성 공정은, 상기 연삭 공정의 후, 상기의 노출한 기판(4) 상에 재배선층(6)을 형성하는 공정이다. The rewiring formation step in the embodiment is a step of forming the rewiring layer 6 on the exposed substrate 4 after the grinding step.

재배선층은, RDL(Redistribution Layer: 재배선층)이라고도 불리고, 소자에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이며, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 재배선층은, 유전체(산화 실리콘(SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등)에, 도전체(알루미늄, 구리, 티탄, 니켈, 금, 은 등의 금속 및 은-주석 합금 등의 합금)에 의해서 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. The redistribution layer is also called a redistribution layer (RDL), and is a thin-film wiring body constituting wiring connected to elements, and may have a single-layer or multi-layered structure. For example, in the redistribution layer, a dielectric (silicon oxide (SiO x ), photosensitive resin such as photosensitive epoxy, etc.) and a conductor (a metal such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold, silver, silver-tin alloy, etc.) The wiring may be formed by an alloy of), but is not limited thereto.

재배선층(6)을 형성하는 방법으로서는, 우선, 봉지재층(5) 상에, 산화 실리콘(SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화 실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들면 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들면 스핀 코트, 디핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해, 봉지재층(5) 상에, 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다. As a method of forming the redistribution layer 6, first, a dielectric layer made of silicon oxide (SiO x ) or a photosensitive resin is formed on the sealing material layer 5. The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, sputtering or vacuum deposition. The dielectric layer made of the photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin onto the encapsulant layer 5 by a method such as spin coating, dipping, roller blade coating, spray coating, or slit coating.

이어서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해서 배선을 형성한다. Next, wiring is formed in the dielectric layer with a conductor such as metal.

배선을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 포토 리소그래피(레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지의 반도체 프로세스 수법을 이용할 수 있다. 이러한, 리소그래피 처리로서는, 예를 들면, 포지티브형 레지스트 재료를 이용한 리소그래피 처리, 네거티브형 레지스트 재료를 이용한 리소그래피 처리를 들 수 있다. As a method of forming the wiring, known semiconductor process methods such as lithography processing such as photolithography (resist lithography) and etching processing can be used, for example. Examples of such a lithography process include a lithography process using a positive resist material and a lithography process using a negative resist material.

이와 같이, 포토 리소그래피 처리 및 에칭 처리 등을 수행할 때, 분리층(2)은, 플루오르화 수소산 등의 산, 수산화 테트라메틸 암모늄(TMAH) 등의 알칼리, 또는 레지스트 재료를 용해하기 위한 레지스트 용제에 노출된다. 특히, 팬 아웃형 기술에 있어서는, 레지스트 용제로서, PGMEA, 시클로펜탄온, 시클로헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 또는 시클로헥산온 등이 이용된다. In this way, when performing photolithography treatment, etching treatment, etc., the separation layer 2 is in an acid such as hydrofluoric acid, an alkali such as tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), or a resist solvent for dissolving the resist material. Exposed. In particular, in the fan-out technology, PGMEA, cyclopentanone, cycloheptanone, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) or cyclohexanone is used as the resist solvent.

그렇지만, 상술한 실시 형태의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 분리층을 형성하는 것에 의해, 분리층은 높은 내약품성을 갖추고 있다. 이 때문에, 분리층은, 산, 알칼리 뿐만 아니라, 레지스트 용제에 노출되어도, 용해 또는 박리 하기 어렵다. However, by forming the separation layer using the composition for forming a separation layer of the above-described embodiment, the separation layer has high chemical resistance. For this reason, even if the separation layer is exposed to not only acids and alkalis but also resist solvents, it is difficult to dissolve or peel off.

이와 같이, 봉지재층(5) 상에, 재배선층(6)을 적합하게 형성할 수 있다. In this way, on the sealing material layer 5, the redistribution layer 6 can be suitably formed.

제3 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 의하면, 지지 기체(1)와, 분리층(2)과, 접착층(3)과, 기판(4)를 덮는 봉지재층(5)과, 재배선층(6)이 이 순서대로 적층되어서 이루어지는 적층체(30)를 안정하게 제조할 수 있다. According to the manufacturing method of the laminate of the third embodiment, the support substrate 1, the separation layer 2, the adhesive layer 3, the sealing material layer 5 covering the substrate 4, and the redistribution layer 6 ) can stably manufacture the laminate 30 formed by laminating in this order.

이러한 적층체(30)는, 기판(4)에 설치된 단자가 칩 에어리어 외로 퍼지는 재배선층(6)에 실장되는, 팬 아웃형 기술에 근거하는 과정에 있어서 제작되는 적층체이다. Such a laminate 30 is a laminate manufactured in a process based on a fan-out type technology in which terminals provided on the substrate 4 are mounted on a redistribution layer 6 extending out of the chip area.

본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 있어서는, 추가로, 재배선층(6) 상에 범프의 형성, 또는 소자의 실장을 수행할 수 있다. 재배선층(6) 상에의 소자의 실장은, 예를 들면, 팁 마운터 등을 이용하여 수행할 수 있다. In the manufacturing method of the laminate of this embodiment, it is possible to further form bumps or mount elements on the redistribution layer 6 . Mounting of elements on the redistribution layer 6 can be performed using, for example, a tip mounter or the like.

(전자 부품의 제조 방법)(Method of manufacturing electronic parts)

본 발명의 제5의 태양에 따른 전자 부품의 제조 방법은, 상기 제4의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 분리 공정과, 제거 공정을 갖는다. A method for manufacturing an electronic component according to a fifth aspect of the present invention includes a separation step and a removal step after obtaining a laminate according to the method for manufacturing a laminate according to the fourth aspect.

도 5는, 반도체 패키지(전자 부품)의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 5(a)는, 제3 실시 형태의 제조 방법에 의해 제조된 적층체를 나타내는 도이며, 도 5(b)는, 분리 공정을 설명하는 도이며, 도 5(c)는, 제거 공정을 설명하는 도이다. 5 is a schematic process diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). Fig. 5 (a) is a diagram showing a laminate manufactured by the manufacturing method of the third embodiment, Fig. 5 (b) is a diagram explaining a separation step, and Fig. 5 (c) is a diagram illustrating a removal step It is an explanatory diagram.

[분리 공정][Separation process]

실시 형태에 있어서의 분리 공정은, 지지 기체(1)을 통해서 분리층(2)에 광(화살표)을 조사하여, 분리층(2)을 변질시키는 것에 의해, 적층체(30)로부터 지지 기체(1)를 분리하는 공정이다. In the separation step in the embodiment, light (arrow) is irradiated to the separation layer 2 through the support substrate 1 to change the quality of the separation layer 2, so that the laminate 30 is separated from the support substrate ( 1) is the process of separating.

도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지 기체(1)를 통해서, 분리층(2)에 광(화살표)을 조사함으로써, 분리층(2)을 변질시킨다. As shown in Fig. 5(a), in the separation step, the separation layer 2 is changed in quality by irradiating the separation layer 2 with light (arrow) through the support substrate 1.

분리층(2)을 변질시킬 수 있는 파장으로서는, 예를 들면 600 nm 이하의 범위를 들 수 있다. As a wavelength capable of changing the quality of the separation layer 2, a range of 600 nm or less is exemplified.

조사하는 광의 종류 및 파장은, 지지 기체(1)의 투과성, 및 분리층(2)의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들면, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유전자 레이저 등의 레이저광, 비레이저광을 이용할 수 있다. 이것에 의해, 분리층(2)을 변질시켜, 지지 기체(1)와 기판(4)을 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다. The type and wavelength of light to be irradiated may be appropriately selected according to the permeability of the support substrate 1 and the material of the separation layer 2, and examples include YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, and LD laser. , solid lasers such as fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, CO 2 lasers, excimer lasers, Ar lasers, gas lasers such as He-Ne lasers, laser lights such as semiconductor lasers, free electron lasers, and non-laser lights. can As a result, the separation layer 2 is altered in quality, so that the support substrate 1 and the substrate 4 can be easily separated.

레이저광을 조사하는 경우, 레이저광 조사 조건의 일례로서, 이하의 조건을 들 수 있다. When irradiating a laser beam, the following conditions are mentioned as an example of laser beam irradiation conditions.

레이저광의 평균 출력치는, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하가 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하가 보다 바람직하다. 레이저광의 반복 주파수는, 20 kHz 이상, 60 kHz 이하가 바람직하고, 30 kHz 이상, 50 kHz 이하가 보다 바람직하다. 레이저광의 주사 속도는, 100 mm/s 이상, 10000 mm/s 이하가 바람직하다. 1.0 W or more and 5.0 W or less are preferable, and, as for the average output value of a laser beam, 3.0 W or more and 4.0 W or less are more preferable. 20 kHz or more and 60 kHz or less are preferable, and, as for the repetition frequency of a laser beam, 30 kHz or more and 50 kHz or less are more preferable. As for the scanning speed of a laser beam, 100 mm/s or more and 10000 mm/s or less are preferable.

분리층(2)에 광(화살표)을 조사하여 분리층(2)을 변질시킨 후, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 적층체(30)으로부터 지지 기체(1)를 분리한다. After irradiating the separation layer 2 with light (arrow) to change the quality of the separation layer 2, as shown in FIG. 5(b), the support substrate 1 is separated from the laminate 30.

예를 들면, 지지 기체(1)와 기판(4)이 서로 떨어지는 방향으로 힘을 가하는 것에 의해, 지지 기체(1)와 기판(4)을 분리한다. 구체적으로는, 지지 기체(1) 또는 기판(4) 측(재배선층(6))의 한쪽을 스테이지에 고정한 상태로, 다른 쪽을 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비하는 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올리는 것에 의해, 지지 기체(1)와, 기판(4)을 분리할 수 있다. For example, the support base 1 and the substrate 4 are separated by applying force in a direction in which the support base 1 and the substrate 4 are separated from each other. Specifically, with one side of the support substrate 1 or the substrate 4 side (rewiring layer 6) being fixed to the stage, the other side being adsorbed and held by a separation plate provided with an adsorption pad such as a bellows pad, By lifting, the support substrate 1 and the substrate 4 can be separated.

적층체(30)에 가하는 힘은, 적층체(30)의 크기 등에 의해 적절히 조정하면 되고, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 직경이 300 mm 정도의 적층체이면, 0.1~5 kgf(0.98~49 N) 정도의 힘을 가하는 것에 의해서, 지지 기체(1)와 기판(4)를 적합하게 분리할 수 있다. The force applied to the laminate 30 may be appropriately adjusted depending on the size of the laminate 30 and the like, and is not limited thereto. By applying a force of about 49 N), the support substrate 1 and the substrate 4 can be suitably separated.

[제거 공정][Removal process]

실시 형태에 있어서의 제거 공정은, 상기 분리 공정의 후, 기판(4)에 부착하는 접착층(3)및 분리층(2)을 제거하는 공정이다. The removal step in the embodiment is a step of removing the adhesive layer 3 and the separation layer 2 attached to the substrate 4 after the separation step.

도 5(b)에서는, 분리 공정의 후, 기판(4)에 접착층(3) 및 분리층(2)이 부착하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제거 공정에 있어서, 기판(4)에 부착하는 접착층(3) 및 분리층(2)을 제거하는 것에 의해, 도 5(c)에 나타내는 전자 부품(40)이 얻어지고 있다. In FIG. 5( b ), the adhesive layer 3 and the separation layer 2 are attached to the substrate 4 after the separation step. In this embodiment, the electronic component 40 shown in FIG. 5(c) is obtained by removing the adhesive layer 3 and the separation layer 2 adhering to the substrate 4 in the removal step.

기판(4)에 부착하는 접착층(3) 등을 제거하는 방법으로서는, 예를 들면, 세정액을 이용하여 접착층(3) 및 분리층(2)의 잔사를 제거하는 방법, 또는 플라즈마를 조사하는 방법을 들 수 있다. As a method of removing the adhesive layer 3 attached to the substrate 4, for example, a method of removing residues of the adhesive layer 3 and the separation layer 2 using a cleaning solution or a method of irradiating plasma. can be heard

세정액에는, 유기 용제를 함유하는 세정액이 적합하게 이용된다. 유기 용제로서는, 분리층 형성용 조성물에 배합된 유기 용제, 접착층 형성용 조성물에 배합된 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. As the cleaning liquid, a cleaning liquid containing an organic solvent is preferably used. As the organic solvent, it is preferable to use an organic solvent blended in the composition for forming a separation layer and an organic solvent blended in the composition for forming an adhesive layer.

<그 외 실시 형태><Other embodiments>

도 6은, 반도체 패키지(전자 부품)의 제조 방법의 다른 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 6(a)는, 본 발명을 적용한 적층체의 다른 실시 형태를 나타내는 모식도이며, 도 6(b)는, 분리 공정을 설명하는 도이며, 도 6(c)는, 제거 공정을 설명하는 도이다. 6 is a schematic process diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). Fig. 6 (a) is a schematic diagram showing another embodiment of a laminate to which the present invention is applied, Fig. 6 (b) is a diagram explaining a separation step, and Fig. 6 (c) is a diagram explaining a removal step am.

도 6(a)에 나타내는 실시 형태의 적층체(50)는, 최표면(51S) 측으로부터, 지지 기체(51), 분리층(52), 배선층(57), 기판(54), 봉지재층(55)가 이 순서대로 적층한 것이다. The laminate 50 of the embodiment shown in FIG. 6 (a) includes, from the outermost surface 51S side, a support substrate 51, a separation layer 52, a wiring layer 57, a substrate 54, a sealing material layer ( 55) are stacked in this order.

지지 기체(51)에 대한 설명은, 상기 <지지 기체>에 있어서의 설명과 같다. Description of the support base body 51 is the same as the description in the above <support base>.

분리층(52)에 대한 설명은, 상기 <분리층>에 있어서의 설명과 같다. The description of the separation layer 52 is the same as that of the above <separation layer>.

배선층(57)은, 예를 들면, 유전체(산화 실리콘(SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등)에, 도전체(알루미늄, 구리, 티탄, 니켈, 금, 은 등의 금속 및 은-주석 합금 등의 합금)에 의해서 배선이 형성된 것을 들 수 있다. The wiring layer 57 is made of, for example, dielectric (silicon oxide (SiO x ), photosensitive resin such as photosensitive epoxy), conductor (metal such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold, silver, and silver-tin). alloys such as alloys) in which wiring is formed.

기판(54)에 대한 설명은, 상기 <기판>에 있어서의 설명과 같다. Description of the board|substrate 54 is the same as the description in <substrate> mentioned above.

봉지재층(55)은, 예를 들면, 에폭시계 수지 또는 실리콘계 수지를 함유하는 조성물을 이용하여 형성된 것을 들 수 있다. Examples of the sealing material layer 55 include those formed using a composition containing an epoxy-based resin or a silicone-based resin.

적층체(50)는, 예를 들면, 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. The laminate 50 can be manufactured as follows, for example.

우선, 지지 기체(51)의 최표면(51S)과 반대측의 면에, 분리층(52)을 형성한다. 이러한 분리층(52)의 형성은, 상기 [분리층 형성 공정]과 같이 하여 수행하면 된다. First, the separation layer 52 is formed on the surface opposite to the outermost surface 51S of the support substrate 51 . Formation of such a separation layer 52 may be performed in the same manner as in the above [separation layer forming step].

그 다음에, 분리층(52)의 지지 기체(51)와 반대측의 면에, 배선층(57)을 형성한다. 이러한 배선층(57)의 형성은, 상기 [재배선 형성 공정]과 같이 하여 수행하면 된다. Next, a wiring layer 57 is formed on the surface of the separation layer 52 opposite to the support substrate 51 . The formation of such a wiring layer 57 may be performed in the same manner as in the above [rewiring formation step].

그 다음에, 배선층(57)의 분리층(52)과 반대측의 면에, 예를 들면 범프를 통해서, 기판(54)을 첩합한다. Next, a substrate 54 is bonded to the surface of the wiring layer 57 opposite to the separation layer 52 via, for example, a bump.

그 다음에, 배선층(57)에 첩합한 기판(54)을 덮도록 봉지재에 의해 봉지하여, 봉지재층(55)을 형성한다. 이러한 봉지재층(55)의 형성은, 상기 [봉지 공정]과 같이 하여 수행하면 된다. 이것에 의해, 적층체(50)가 제조된다. Then, the substrate 54 bonded to the wiring layer 57 is sealed with a sealing material so as to cover it, thereby forming a sealing material layer 55 . The formation of such a sealing material layer 55 may be performed in the same manner as in the above [sealing step]. In this way, the laminate 50 is manufactured.

도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 있어서의 분리 공정에서는, 지지 기체(51)를 통해서 분리층(52)에 광(화살표)을 조사하여, 분리층(52)을 변질시킨다. As shown in Fig. 6(a) , in the separation step in the embodiment, the separation layer 52 is irradiated with light (arrow) through the support substrate 51 to change the quality of the separation layer 52.

분리층(52)에 광(화살표)을 조사하여 분리층(52)을 변질시킨 후, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 적층체(50)으로부터 지지 기체(51)를 분리한다. 이러한 분리 공정에 있어서의 조작은, 상기 [분리 공정]에 있어서의 조작과 같이 하여 수행하면 된다. After irradiating the separation layer 52 with light (arrow) to change the quality of the separation layer 52, as shown in FIG. 6(b), the support substrate 51 is separated from the laminate 50. The operation in this separation step may be performed in the same manner as the operation in the above [separation step].

도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 있어서의 제거 공정에서는, 상기 분리 공정의 후, 배선층(57)에 부착하는 분리층(52)을 제거하는 것에 의해, 전자 부품(60)이 얻어지고 있다. As shown in FIG. 6(c) , in the removal step in the embodiment, the electronic component 60 is obtained by removing the separation layer 52 attached to the wiring layer 57 after the separation step. are losing

배선층(57)에 부착하는 분리층(52)을 제거하는 방법으로서는, 예를 들면, 플라즈마를 조사하는 방법, 또는 세정액을 이용하여 분리층(52)의 잔사를 제거하는 방법을 들 수 있다. 상기 플라즈마로서는, 산소 플라즈마가 적합하게 이용된다. As a method of removing the separation layer 52 adhering to the wiring layer 57, for example, a method of irradiating plasma or a method of removing residues of the separation layer 52 using a cleaning solution is exemplified. As the plasma, oxygen plasma is suitably used.

본 실시 형태의 전자 부품의 제조 방법은, 상기의 제거 공정의 후, 추가로, 전자 부품에 대해서 솔더볼 형성, 다이싱, 또는 산화막 형성 등의 처리를 수행해도 된다. In the electronic component manufacturing method of the present embodiment, processing such as solder ball formation, dicing, or oxide film formation may be further performed on the electronic component after the above removal step.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 추가로 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해서 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be further described in detail by examples, but the present invention is not limited by these examples.

<수지 성분><Resin component>

수지 성분으로서, 이하에 나타내는 수지(P-1), 수지(P-2), 수지(P-3), 수지(Q-1), 수지(Q-2)를 이용했다. As the resin component, Resin (P-1), Resin (P-2), Resin (P-3), Resin (Q-1), and Resin (Q-2) shown below were used.

수지(P-1): 하기 화학식(p1-2)로 나타내는 반복 단위(p12)와, 하기 화학식(p2-2)로 나타내는 반복 단위(p22)를 가지는 수지. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 6000, 분자량 분산도(Mw/Mn)는 1.62. 13C-NMR에 의해 구한 공중합 조성비(구조식 중의 각 반복 단위의 비율(몰비))는, 반복 단위(p12)/반복 단위(p22)=10/90.Resin (P-1): A resin having a repeating unit (p12) represented by the following formula (p1-2) and a repeating unit (p22) represented by the following formula (p2-2). The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 6000, and the molecular weight dispersion (Mw/Mn) was 1.62. The copolymerization composition ratio (ratio (molar ratio) of each repeating unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is repeating unit (p12)/repeating unit (p22) = 10/90.

수지(P-2): 하기 화학식(p1-2)로 나타내는 반복 단위(p12)와, 하기 화학식(p2-2)로 나타내는 반복 단위(p22)를 가지는 수지. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 5500, 분자량 분산도(Mw/Mn)는 1.60. 13C-NMR에 의해 구한 공중합 조성비(구조식 중의 각 반복 단위의 비율(몰비))는, 반복 단위(p12)/반복 단위(p22)=5/95. Resin (P-2): A resin having a repeating unit (p12) represented by the following chemical formula (p1-2) and a repeating unit (p22) represented by the following chemical formula (p2-2). The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 5500, and the molecular weight dispersion (Mw/Mn) was 1.60. The copolymerization composition ratio (ratio (molar ratio) of each repeating unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is repeating unit (p12)/repeating unit (p22) = 5/95.

Figure pat00014
Figure pat00014

수지(P-3): 하기 화학식(p1-6)으로 나타내는 반복 단위(p16)와, 하기 화학식(p2-6)으로 나타내는 반복 단위(p26)를 가지는 수지. 화학식(p1-6) 중의 n1=3, 화학식(p2-6) 중의 n2=3. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 2000, 분자량 분산도(Mw/Mn)는 2.10. 13C-NMR에 의해 구한 공중합 조성비(구조식 중의 각 반복 단위의 비율(몰비))은, 반복 단위(p16)/반복 단위(p26)=50/50.Resin (P-3): A resin having a repeating unit (p16) represented by the following chemical formula (p1-6) and a repeating unit (p26) represented by the following chemical formula (p2-6). n1 = 3 in formula (p1-6) and n2 = 3 in formula (p2-6). The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 2000, and the molecular weight dispersion (Mw/Mn) was 2.10. The copolymerization composition ratio (ratio (molar ratio) of each repeating unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is repeating unit (p16)/repeating unit (p26) = 50/50.

Figure pat00015
Figure pat00015

수지(Q-1): 하기 화학식(p2-1)로 나타내는 반복 단위(p21)를 가지는 수지. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 12000, 분자량 분산도(Mw/Mn)는 2.10. 중합 조성비(구조식 중의 반복 단위의 비율(몰비))는, 반복 단위(p21)=100.Resin (Q-1): A resin having a repeating unit (p21) represented by the following formula (p2-1). The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 12000, and the molecular weight dispersity (Mw/Mn) was 2.10. The polymerization composition ratio (ratio (molar ratio) of repeating units in the structural formula) is repeating unit (p21) = 100.

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Figure pat00016

수지(Q-2): 상기 화학식(p2-6)으로 나타내는 반복 단위(p26)를 가지는 수지. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 2300, 분자량 분산도(Mw/Mn)는 2.00. 중합 조성비(구조식 중의 반복 단위의 비율(몰비))은, 반복 단위(p26)=100.Resin (Q-2): A resin having a repeating unit (p26) represented by the above formula (p2-6). The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 2300, and the molecular weight dispersity (Mw/Mn) was 2.00. The polymerization composition ratio (ratio (molar ratio) of repeating units in the structural formula) is repeating unit (p26) = 100.

<분리층 형성용 조성물의 조제><Preparation of Composition for Forming Separation Layer>

(실시예 1~5, 비교예 1~2)(Examples 1-5, Comparative Examples 1-2)

표 1에 나타내는 각 성분을 혼합하고 용해하여, 각 예의 분리층 형성용 조성물(수지 성분 농도 20 질량%)을 각각 조제했다. Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved to prepare a composition for forming a separation layer (resin component concentration: 20% by mass) in each case.

Figure pat00017
Figure pat00017

표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 내의 수치는 배합량(질량부)이다. In Table 1, each symbol has the following meaning respectively. The numerical value in [ ] is the compounding amount (parts by mass).

(P)-1: 수지(P-1)(P)-1: Resin (P-1)

(P)-2: 수지(P-2)(P)-2: Resin (P-2)

(P)-3: 수지(P-3)(P)-3: Resin (P-3)

(P)-4: 수지(Q-1)(P)-4: Resin (Q-1)

(P)-5: 수지(Q-2)(P)-5: Resin (Q-2)

(T)-1: 하기 화학식(T-1)로 나타내는 화합물로 이루어지는 열 산 발생제(T)-1: Thermal acid generator composed of a compound represented by the following formula (T-1)

(S)-1: 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME)(S)-1: propylene glycol monomethyl ether (PGME)

Figure pat00018
Figure pat00018

<분리층의 형성><Formation of Separation Layer>

베어 유리 지지 기체(12 인치, 두께 0.7 mm) 상에, 각 예의 분리층 형성용 조성물을 각각 스핀 도포하고, 온도 100℃에서 300초간의 조건으로 가열하고, 이어서, 온도 150℃에서 300초간의 조건으로 가열하는 것에 의해 용제를 제거하여, 막 두께 1μm의 막을 형성했다. On a bare glass support substrate (12 inches, 0.7 mm thick), each composition for forming a separation layer was spin-coated in each example, heated at a temperature of 100°C for 300 seconds, and then heated at a temperature of 150°C for 300 seconds. The solvent was removed by heating to form a film having a thickness of 1 μm.

그 다음에, 형성된 막을, 대기 환경 하, 온도 300℃에서 20분간의 조건으로 소성하고, 베어 유리 지지 기체 상에, 막 두께 0.3μm의 분리층을 형성하는 것에 의해, 분리층 부착 지지 기체를 얻었다. Next, the formed film was baked under the conditions of 20 minutes at a temperature of 300° C. in an atmospheric environment to form a separation layer having a film thickness of 0.3 μm on the bare glass support substrate, thereby obtaining a support substrate with a separation layer. .

[분리층에 있어서의 광의 투과율의 평가][Evaluation of Light Transmittance in Separation Layer]

상술한 <분리층의 형성>에 있어서, 각 예의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성한 소성 전의 상태의 막, 및 소성 후의 상태의 막(분리층)에 대하여, 분광 분석 측정 장치 UV-3600(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제)을 이용하여, 파장 380~780 nm의 광을 조사하는 것에 의해, 베어 유리 지지 기체 상에 형성된 각 막에 있어서의 파장 532 nm의 광의 투과율(%)을 평가했다. 이 평가 결과를 표 2에 나타냈다. In the above-described <formation of separation layer>, the film in a state before firing and the film (separation layer) formed using the composition for forming a separation layer in each example were measured using a spectroscopic analysis measuring device UV-3600 ( The transmittance (%) of light with a wavelength of 532 nm in each film formed on the bare glass support substrate was evaluated by irradiating light with a wavelength of 380 to 780 nm using a film manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd. . Table 2 shows the results of this evaluation.

[분리층에 있어서의 레이저 반응성의 평가][Evaluation of laser reactivity in separation layer]

각 예의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성한 분리층에 대하여, 주사 속도 7200 mm/초, 주파수 40 kHz, 출력(전류치) 24 A, 조사 피치 140μm의 조건에서, 파장 532 nm의 레이저광을 조사하는 것에 의해, 레이저 반응성의 평가를 수행했다. A laser beam having a wavelength of 532 nm was irradiated to the separation layer formed using the composition for forming a separation layer in each case under conditions of a scanning speed of 7200 mm/sec, a frequency of 40 kHz, an output (current value) of 24 A, and an irradiation pitch of 140 μm. By doing so, evaluation of laser reactivity was performed.

이러한 레이저 반응성의 평가는, 현미경 VHX-600(Keyence사 제)을 이용하여, 분리층에 조사된 레이저광의 흔적의 상태를 관찰하고, 분리층 표면에 있어서의 레이저광의 흔적의 크기(레이저 타흔 직경/m)를 구하는 것에 의해 수행했다. 평가 기준을, 이하와 같이 설정했다. 이 평가 결과를 표 2에 나타냈다. Evaluation of such laser reactivity is carried out by observing the state of the traces of the laser beam irradiated onto the separation layer using a microscope VHX-600 (manufactured by Keyence), and observing the size of the traces of the laser beam on the surface of the separation layer (diameter of laser imprint / m) by finding The evaluation criteria were set as follows. Table 2 shows the results of this evaluation.

평가 기준Evaluation standard

◎: 레이저 타흔 직경이 160μm 이상이었다. (double-circle): The laser mark diameter was 160 micrometers or more.

○: 레이저 타흔 직경이 150μm 이상 160μm 미만이었다. ○: The laser mark diameter was 150 μm or more and less than 160 μm.

△: 레이저 타흔 직경이 100μm 이상 150μm 미만이었다. (triangle|delta): The laser mark diameter was 100 micrometers or more and less than 150 micrometers.

Х: 레이저 타흔 직경이 100μm 미만이었다. Х: The laser mark diameter was less than 100 μm.

Figure pat00019
Figure pat00019

표 2에 나타내는 결과로부터, 실시예 1~5의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 분리층은, 모두, 비교예 1~2의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 분리층에 비하여, 광의 투과율이 낮은 것, 레이저 타흔 직경이 현저하게 큰 것을 알 수 있다. From the results shown in Table 2, all of the separation layers formed using the composition for forming a separation layer of Examples 1 to 5 had a light transmittance higher than that of the separation layer formed using the composition for forming a separation layer of Comparative Examples 1 to 2. It turns out that this low thing and the laser mark diameter are remarkably large.

즉, 본 발명을 적용한 분리층 형성용 조성물에 의하면, 광 반응성이 보다 높아져서 적층체로부터의 지지 기체의 분리성이 향상한 분리층을 형성할 수 있는 것이 확인되었다. That is, it was confirmed that the composition for forming a separation layer to which the present invention was applied had a higher photoreactivity and thus a separation layer with improved separation of the supporting substrate from the laminate could be formed.

<적층체의 제조><Manufacture of laminated body>

상술한 <분리층의 형성>과 마찬가지의 방법에 의해, 베어 유리 지지 기체(12 인치, 두께 0.7 mm) 상에, 각 실시예의 분리층 형성용 조성물을 각각 스핀 도포하고, 온도 100℃에서 300초간의 조건으로 가열하고, 이어서, 온도 150℃에서 300초간의 조건으로 가열하는 것에 의해 용제를 제거하여, 막을 형성했다. 그 다음에, 이 형성된 막을, 대기 환경 하, 300℃에서 20분간의 조건에서 소성하여, 베어 유리 지지 기체 상에 두께 0.5μm의 분리층을 형성했다(분리층 형성 공정). In the same manner as in <Formation of Separation Layer>, the composition for forming a separation layer of each Example was spin-coated on a bare glass support substrate (12 inches, 0.7 mm thick), respectively, at a temperature of 100° C. for 300 seconds. The solvent was removed by heating under conditions of 150° C. for 300 seconds to form a film. Then, the formed film was fired under the condition of 300 DEG C for 20 minutes in an atmospheric environment to form a separation layer having a thickness of 0.5 μm on the bare glass support substrate (separation layer forming step).

한편, 반도체 웨이퍼 기판(12 인치, 실리콘)에, 접착제 조성물 TZNR(등록상표)-A4012(도쿄 오카 교고 가부시키가이샤 제)를 스핀 도포하고, 90℃, 160℃, 220℃의 온도에서 각 4분간 베이크하여, 막 두께 50μm의 접착층을 형성했다. On the other hand, the adhesive composition TZNR (registered trademark) -A4012 (manufactured by Tokyo Oka Kyogo Co., Ltd.) was spin-coated on a semiconductor wafer substrate (12-inch, silicon), and each at a temperature of 90 ° C., 160 ° C., 220 ° C. for 4 minutes By baking, an adhesive layer having a film thickness of 50 µm was formed.

다음에, 상기의, 분리층을 형성한 베어 유리 지지 기체와, 접착층을 형성한 반도체 웨이퍼 기판을, 반도체 웨이퍼 기판, 접착층, 분리층 및 베어 유리 지지 기체가 이 순서가 되도록 포개고, 진공 하(5 Pa), 215℃의 조건에 있어서, 4000 kgf(약 39.2 kN)의 첩부 압력에 의해 2분간 압압(押壓)했다. 이것에 의해, 베어 유리 지지 기체와 반도체 웨이퍼 기판을, 분리층과 접착층을 통해서 적층하여, 적층체를 얻었다(적층 공정).Next, the bare glass support substrate on which the separation layer is formed and the semiconductor wafer substrate on which the adhesive layer is formed are stacked so that the semiconductor wafer substrate, the adhesive layer, the separation layer and the bare glass support substrate are in this order, and under vacuum (5 Pa), and 215 degreeC conditions WHEREIN: It pressed for 2 minutes with the sticking pressure of 4000 kgf (about 39.2 kN). Thus, the bare glass support base and the semiconductor wafer substrate were laminated via the separation layer and the adhesive layer to obtain a laminate (lamination step).

적층체를 얻은 후, 적층체의 지지 기체측으로부터, 분리층에 대하여, 주사 속도 3000 mm/초, 주파수 40 kHz, 출력(전류치) 24 A, 조사 피치 140μm의 조건에서, 파장 532 nm의 레이저광을 조사했다(분리 공정). 이 후, p-멘탄을 이용하여 접착층의 세정 제거를 수행했다(제거 공정). After obtaining the laminate, a laser beam with a wavelength of 532 nm was applied to the separation layer from the support substrate side of the laminate under conditions of a scanning speed of 3000 mm/sec, a frequency of 40 kHz, an output (current value) of 24 A, and an irradiation pitch of 140 μm. was investigated (separation process). After that, washing removal of the adhesive layer was performed using p-menthane (removal step).

이상의 조작에 의해, 적층체가 구비하는 반도체 웨이퍼 기판으로부터, 지지 기체가 분리하는 것이 확인되었다. Through the above operation, it was confirmed that the support substrate was separated from the semiconductor wafer substrate provided with the laminate.

<전자 부품의 제조예(1)><Production Example (1) of Electronic Components>

상술한 <분리층의 형성>과 마찬가지의 방법에 의해, 베어 유리 지지 기체(12 인치, 두께 0.7 mm) 상에, 각 실시예의 분리층 형성용 조성물을 각각 스핀 도포하고, 온도 100℃에서 300초간의 조건으로 가열하고, 이어서, 온도 150℃에서 300초간의 조건으로 가열하는 것에 의해 용제를 제거하여, 막을 형성했다. 그 다음에, 이 형성된 막을, 대기 환경 하, 300℃에서 20분간의 조건으로 소성하여, 베어 유리 지지 기체 상에 두께 0.5μm의 분리층을 형성하는 것에 의해, 분리층 부착 지지 기체를 얻었다(분리층 형성 공정). In the same manner as in <Formation of Separation Layer>, the composition for forming a separation layer of each Example was spin-coated on a bare glass support substrate (12 inches, 0.7 mm thick), respectively, and held at 100° C. for 300 seconds. The solvent was removed by heating under conditions of 150° C. for 300 seconds to form a film. Next, the formed film was fired under the condition of 300° C. for 20 minutes in an atmospheric environment to form a separation layer having a thickness of 0.5 μm on the bare glass support substrate, thereby obtaining a support substrate with a separation layer (separation layer). layer forming process).

그 후, 이 분리층 상에, 접착제 조성물 TZNR(등록상표)-A4012(도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 제)를 스핀 도포하고, 90℃, 160℃, 220℃의 온도로 각 4분간 베이크하여, 막 두께 50μm의 접착층을 형성했다. Then, on this separation layer, the adhesive composition TZNR (registered trademark) -A4012 (manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated, and baked at temperatures of 90°C, 160°C, and 220°C for 4 minutes each, An adhesive layer having a thickness of 50 µm was formed.

그 다음에, 다이본더(TRESKY사 제)를 이용하여, 다이본더의 플레이트를 150℃로 가열하고, 35 N의 압력으로 1초간, 상기 접착층 상에, 2 mm 각(角)의 실리콘제의 베어 칩을 압착했다. 실리콘제의 베어 칩을 배치 후, 질소 분위기 하, 200℃에서 1시간 가열하여, 적층체를 얻었다(적층 공정). Next, using a die bonder (manufactured by TRESKY), the plate of the die bonder is heated to 150°C, and a 2 mm square silicon bare bear is placed on the adhesive layer at a pressure of 35 N for 1 second. Chips were pressed. After placing the bare chip made of silicon, it was heated at 200°C for 1 hour in a nitrogen atmosphere to obtain a laminate (lamination process).

얻어진 적층체를, 50℃로 가열한 플레이트 상에 재치하고, 에폭시 수지를 포함하는 봉지제 12 g을, 베어 칩을 덮도록 올리고, 10 Pa 보다도 낮은 감압 조건하, 첩부 장치를 이용하여, 130℃로 가열한 압압용 플레이트에서 1톤의 압력을 가하여, 5분간 압축했다. 이와 같이 하여, 접착층 상에 배치된 베어 칩을 봉지재에 의해 봉지하여, 봉지체를 제작했다(봉지 공정). The obtained laminate is placed on a plate heated to 50°C, and 12 g of sealing agent containing an epoxy resin is placed so as to cover the bare chip. A pressure of 1 ton was applied with a pressure plate heated by , and compression was performed for 5 minutes. In this way, the bare chip disposed on the adhesive layer was sealed with a sealing material to produce a sealed body (sealing step).

봉지체를 제작한 후, 봉지체의 지지 기체 측으로부터, 분리층에 대하여, 주사 속도 3000 mm/초, 주파수 40 kHz, 출력(전류치) 24 A, 조사 피치 140μm의 조건에서, 파장 532 nm의 레이저광을 조사했다(분리 공정). 이 후, p-멘탄을 이용하여 접착층의 세정 제거를 수행했다(제거 공정). After manufacturing the encapsulation body, from the support substrate side of the encapsulation body, with respect to the separation layer, under the conditions of a scanning speed of 3000 mm/sec, a frequency of 40 kHz, an output (current value) of 24 A, and an irradiation pitch of 140 μm, a laser with a wavelength of 532 nm Light was irradiated (separation step). After that, washing removal of the adhesive layer was performed using p-menthane (removal step).

이상의 조작에 의해, 봉지체로부터, 지지 기체가 분리하는 것이 확인되었다. 상기와 같이 하여 전자 부품을 얻었다. It was confirmed by the above operation that the support gas was separated from the sealing body. An electronic component was obtained as described above.

<전자 부품의 제조예(2)><Manufacture example of electronic parts (2)>

상술한 <분리층의 형성>과 마찬가지의 방법에 의해, 베어 유리 지지 기체(12 인치, 두께 0.7 mm) 상에, 각 실시예의 분리층 형성용 조성물을 스핀 도포하고, 온도 90℃에서 180초간의 조건으로 가열하는 것에 의해 용제를 제거하여, 막을 형성했다. 그 다음에, 이 형성된 막을, 대기 환경 하, 300℃에서 10분간의 조건으로 소성하여, 베어 유리 지지 기체 상에 두께 0.35μm의 분리층을 형성하는 것에 의해, 분리층 부착 지지 기체를 얻었다(분리층 형성 공정). In the same manner as in <Formation of Separation Layer>, the composition for forming a separation layer of each Example was spin-coated on a bare glass support substrate (12 inches, 0.7 mm thick), and held at a temperature of 90° C. for 180 seconds. The solvent was removed by heating under conditions to form a film. Next, the formed film was fired under the condition of 300° C. for 10 minutes in an atmospheric environment to form a separation layer having a thickness of 0.35 μm on the bare glass support substrate, thereby obtaining a support substrate with a separation layer (separation layer). layer forming process).

그 다음에, 상기 분리층 상에, 배선층 형성용 재료(상품명 TMMR S2000)를 도포하고, 대기 환경 하, 90℃에서 3분간의 조건으로 소성하는 것에 의해, 분리층 상에 두께 10μm의 배선층을 형성하여, 적층체를 얻었다. Next, a wiring layer forming material (trade name: TMMR S2000) is applied on the separation layer, and baked in an atmospheric environment at 90° C. for 3 minutes to form a wiring layer having a thickness of 10 μm on the separation layer. Thus, a laminate was obtained.

배선층을 형성한 후, 적층체의 베어 유리 지지 기체 측으로부터, 분리층에 대하여, 조사량 200 mJ/cm2, 출력(전류치) 22 A, 조사 피치 80μm의 조건에서, 파장 532 nm의 레이저광을 조사했다. 그 다음에, 세정액으로서 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)에 침지한 후, 90℃에서 5분간의 조건으로 베이크했다. 계속하여, 추가로, 질소 분위기 하, 200℃에서 60분간의 조건에 의한 소성을 3회 반복하여 수행하는 것에 의해, 적층체로부터 지지 기체를 분리시켰다(분리 공정). 그 후, 배선층의 분리층 측의 면에, 산소 플라즈마를 조사(전력 2000 W, 산소의 유량 2000 sccm, 압력 75 Pa, 온도 50℃, 조사 시간 5분간)하여, 배선층에 부착한 분리층의 제거를 수행했다(제거 공정). After forming the wiring layer, a laser beam with a wavelength of 532 nm is irradiated from the side of the bare glass support base of the laminate to the separation layer under conditions of an irradiation amount of 200 mJ/cm 2 , an output (current value) of 22 A, and an irradiation pitch of 80 μm. did. Next, it was immersed in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a cleaning solution, and then baked at 90°C for 5 minutes. Subsequently, the supporting substrate was separated from the layered product by further repeating the firing under nitrogen atmosphere at 200°C for 60 minutes three times (separation step). Thereafter, oxygen plasma was irradiated to the surface of the wiring layer on the separation layer side (power: 2000 W, oxygen flow rate: 2000 sccm, pressure: 75 Pa, temperature: 50° C., irradiation time: 5 minutes) to remove the separation layer adhering to the wiring layer. (removal process).

이상의 조작에 의해, 적층체로부터, 지지 기체가 분리하는 것이 확인되었다. 상기와 같이 하여 전자 부품을 얻었다.It was confirmed by the above operation that the support substrate was separated from the laminate. An electronic component was obtained as described above.

1 지지 기체, 2 분리층, 3 접착층, 4 기판, 5 봉지재층, 6 재배선층, 10 적층체, 20 봉지체, 30 적층체, 40 전자 부품, 50 적층체, 51 지지 기체, 52 분리층, 54 기판, 55 봉지재층, 57 배선층, 60 전자 부품1 support substrate, 2 separation layer, 3 adhesive layer, 4 substrate, 5 encapsulation layer, 6 redistribution layer, 10 laminate, 20 encapsulation, 30 laminate, 40 electronic component, 50 laminate, 51 support substrate, 52 separation layer, 54 board, 55 encapsulant layer, 57 wiring layer, 60 electronic component

Claims (10)

광을 투과하는 지지 기체와 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체에 있어서, 상기 지지 기체 측으로부터의 광의 조사에 의해 변질하여, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리 가능하게 하는 상기 분리층을 형성하기 위한 분리층 형성용 조성물로서,
하기 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분(P)을 함유하는, 분리층 형성용 조성물.
[화 1]
Figure pat00020

[식 중, LP1은 2가의 연결기를 나타낸다. RP1은 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기를 나타낸다.]
In a laminate having a separation layer between a support substrate and a substrate through which light is transmitted, the separation layer which is changed in quality by irradiation of light from the side of the support substrate and enables separation of the support substrate from the laminate As a composition for forming a separation layer to form,
A composition for forming a separation layer, comprising a resin component (P) having a repeating unit represented by the following general formula (p1).
[Tue 1]
Figure pat00020

[In formula, L P1 represents a divalent linking group. R P1 represents a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.]
청구항 1에 있어서,
광을 투과하는 지지 기체와 기판의 사이에 분리층 및 접착층을 구비하는 적층체에 있어서, 상기 지지 기체 측으로부터의 광의 조사에 의해 변질하여, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리 가능하게 하는 상기 분리층을 형성하기 위한 분리층 형성용 조성물로서,
하기 일반식(p1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 수지 성분(P)을 함유하는, 분리층 형성용 조성물.
[화 2]
Figure pat00021

[식 중, LP1은 2가의 연결기를 나타낸다. RP1은 치환기를 가져도 되는 축합 다환 방향족 기를 나타낸다.]
The method of claim 1,
In a laminate having a separation layer and an adhesive layer between a support substrate and a substrate through which light is transmitted, the separation is made possible to separate the support substrate from the laminate by being changed in quality by irradiation of light from the side of the support substrate. As a composition for forming a separation layer for forming a layer,
A composition for forming a separation layer, comprising a resin component (P) having a repeating unit represented by the following general formula (p1).
[Tue 2]
Figure pat00021

[In formula, L P1 represents a divalent linking group. R P1 represents a condensed polycyclic aromatic group which may have a substituent.]
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 수지 성분(P)은, 추가로, 하기 일반식(p2)로 나타내는 반복 단위를 가지는, 분리층 형성용 조성물.
[화 3]
Figure pat00022

[식 중, LP2는 2가의 연결기를 나타낸다. RP2는 치환기를 가져도 되는 단환 방향족 기를 나타낸다.]
According to claim 1 or claim 2,
The composition for forming a separation layer, wherein the resin component (P) further has a repeating unit represented by the following general formula (p2).
[Tue 3]
Figure pat00022

[In formula, L P2 represents a divalent linking group. R P2 represents a monocyclic aromatic group which may have a substituent.]
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 열 산 발생제를 함유하는, 분리층 형성용 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Further, a composition for forming a separation layer containing a thermal acid generator.
지지 기체와,
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 상기 지지 기체 상에 형성된 분리층
을 구비하는, 분리층 부착 지지 기체.
a supporting body;
A separation layer formed on the support substrate using the composition for forming a separation layer according to any one of claims 1 to 4
A support substrate with a separation layer comprising:
광을 투과하는 지지 기체와 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체 로서,
상기 분리층은 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 분리층 형성용 조성물의 소성체인, 적층체.
A laminate having a separation layer between a support substrate and a substrate that transmits light,
The separation layer is a sintered body of the composition for forming a separation layer according to any one of claims 1 to 4, a laminate.
광을 투과하는 지지 기체와 기판의 사이에 분리층을 구비하는 적층체의 제조 방법으로서,
상기 기판 상 또는 상기 지지 기체 상의 적어도 한쪽에, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 분리층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후에 소성하는 것에 의해 상기 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정과,
상기 기판과 상기 지지 기체를 상기 분리층을 통해서 적층하는 적층 공정
을 가지는, 적층체의 제조 방법.
A method of manufacturing a laminate having a separation layer between a light-transmitting support substrate and a substrate,
A separation layer forming step of forming the separation layer by applying the composition for forming a separation layer according to any one of claims 1 to 4 on at least one of the substrate or the support substrate and then firing it;
A lamination process of laminating the substrate and the support substrate through the separation layer.
Having a method for producing a laminate.
청구항 7에 있어서,
상기 적층 공정의 후, 상기 분리층을 통해서 상기 지지 기체에 첩합한 상기 기판을, 봉지재에 의해 봉지하여 봉지체를 제작하는 봉지 공정을 추가로 가지는, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 7,
The manufacturing method of the laminated body which further has the sealing process of manufacturing the sealing body by sealing the said board|substrate bonded to the said support substrate through the said separation layer with a sealing material after the said lamination process.
청구항 8에 있어서,
상기 봉지 공정의 후, 상기 봉지체에 있어서의 봉지재 부분을, 상기 기판의 일부가 노출하도록 연삭하는 연삭 공정과,
상기 연삭 공정의 후, 상기의 노출한 기판 상에 재배선을 형성하는 재배선 형성 공정
을 추가로 가지는, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 8,
After the sealing step, a grinding step of grinding a portion of the sealing material in the sealing body so that a part of the substrate is exposed;
A redistribution forming step of forming redistribution on the exposed substrate after the grinding step.
The manufacturing method of the laminated body which further has.
청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하여, 상기 분리층을 변질시키는 것에 의해, 상기 적층체로부터 상기 지지 기체를 분리하는 분리 공정과,
상기 분리 공정의 후, 상기 기판에 부착하는 상기 분리층을 제거하는 제거 공정
을 가지는, 전자 부품의 제조 방법.
After obtaining a laminate by the method of manufacturing a laminate according to any one of claims 7 to 9, the separation layer is irradiated with light through the support substrate to degenerate the separation layer, thereby removing the above from the laminate. a separation step of separating a supporting gas;
After the separation step, a removal step of removing the separation layer attached to the substrate
A method of manufacturing an electronic component having a.
KR1020220171281A 2021-12-13 2022-12-09 Composition for forming separation layer, support base provided with separation layer, laminate, method of producing the same, and method of producing electronic component KR20230089551A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004064040A (en) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co Laminate including substrate to be ground, method of manufacturing the same, method of manufacturing ultrathin substrate using the laminate, and apparatus therefor

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