KR20230085575A - 미세플라스틱 분석 모니터링 방법 및 장치 - Google Patents

미세플라스틱 분석 모니터링 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 미세플라스틱 분석 모니터링 방법 및 장치에 관한 것으로서, 미세플라스틱 시료를 입력받는 단계, 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는 단계 및 상기 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 단계를 포함한다.

Description

미세플라스틱 분석 모니터링 방법 및 장치{METHOD FOR MONITORING MICROPLASTICS ANALYSIS AND THE DEVICE THEREOF}
본 발명은 미세플라스틱 분석 모니터링 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 획득하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 기술에 관한 것이다.
미세플라스틱 문제는 2004년부터 인류의 생존과 직결되는 잠재적 위험물질로 제기되고 있다. 이에, 전세계적으로 미세플라스틱의 발생원인 및 유해성 그리고 관련 규제의 신설에도 불구하고 손쉽게 사용하고 있는 생활용품(치약/세안제/바디로션 등) 1회 사용 시 10만개 이상의 미세플라스틱이 발생하여 하천 및 바다로 유입되어 해양생물체 흡수 후 식생활을 통해 다시 인간 체내에 흡수되고 있다. 이와 관련하여 학계에서는 미세플라스틱의 인체유입이 입증됨과 동시에 미세플라스틱이 흡착하고 있는 독성물질이 체내 다량 흡수되고 있음을 보고하고 있다. 이러한, 미세플라스틱 현안에 대응하기 위해 방안으로 미세 플라스틱의 영향을 줄이기 위해 플라스틱 사용량 감소를 위한 움직임이 전 세계적으로 확산되고 있으나 현재, 사용되고 있는 자동수질 측정기기는 pH, TOC, SS, T-N, T-P 와 같은 분석 항목들에 대해서는 표준 일원화가 잘 되어 관리가 되고 있는 반면, 미세플라스틱의 정량검출방법에 대한 국가 및 정부부처별 일원화된 공인 측정방법과 정확한 가이드라인 제시가 정립되지 않아, 샘플링-전처리-분석방법/장비에 대해 측정 그룹의 개별적인 판단으로 진행되고 있지 않은 실정이다. 이러한 미세플라스틱 이슈와 관리체계 효과적으로 대응하기 위해 미세플라스틱정량 검출방법에 대한 국가 및 정부부처별 일원화 된 새로운 표준 자동 정량화 기술이 필요하다.
미세플라스틱 검출 방법 중에서 본 발명의 핵심 기술인 전위차 측정기술은 기존 광학적 기반의 현미경 관찰법(Microscopy)법, 분광 분석법(Spectroscopy), 열 분석법(Thermal analysis), 열중량 분석기(thermogravimetric analysis, TGA 기술과 달리 초소형 직접회로 소자 또는 반도체 소자들를 사용하기 때문에 낮은 비용과 부피를 최소화 할 수 있는 특장점이 있으며, 무라벨(lable free) 방법으로 미세플라스틱 검출에 있어 신속 정확하게 연속적으로 처리를 할 수 있어 지속가능한 스마트 물 관리체계에 적합하다. 현재, 기존 미세플라스틱 정량 측정방법에 있어 현미경 분석 과정이 가장 널리 사용되는 방법으로 사용되고 있는데, 실험자가 직접 현미경을 보면서 사이즈와 형태에 따라 분류한다. 이러한 측정 방법은 시료의 채취부터 분석까지 연속적으로 처리될 수 없고, 현재 스마트 수처리 시스템과 연동이 용이 하지 않아 관리체계와의 연계가 어렵다. 또한, 연구자의 숙련도에 의존성이 높고 많은 시료의 측정을 처리하기엔 힘들기 때문에 수작업으로 계수 할 수 있는 농도와 실험자가 다룰 수 있는 수준의 부피로 표본 측정되기 때문에 실제 시료와 오차율, 실험자의 숙련도에 의한 오차율, 수작업으로 인한 장시간이 실시간 측정과 경제적 방법의 장애 요인으로 작용한다는 한계가 존재한다.
또한, 광학적 기반 기술은 비싼 광학 부품의 사용과 광학정렬이 반드시 필요하기 때문에 분석 시스템 자체가 커질 수밖에 없으며, 광학 시스템을 기존 연속적 수처리시스템에 직접화 하기에는 어려움이 있다.
전술한 기존 기술의 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 처리량을 높여 보다 많은 시료를 검사하여 실제 시료와의 차이와 희석으로 인한 오차율을 줄이고 연구자나 측정자의 주관성, 숙련도를 최소화하여 측정 정확도와 결과의 객관성을 개선하고자 하며, 지속가능한 가장 경제적이고 신속한 전자동 미세플라스틱 정량 관리체계를 구축 하고자 한다.
본 발명의 목적은 전기적 기반의 독자적 전위차 측정 방법을 이용하여, 5mm 이하부터 수um 수준의 미세플라스틱을 연속적 모니터링 신속 정확하게 수행함과 동시에 지속 가능한 스마트 수처리시스템 기반 미세플라스틱 정량 측정 기술을 구현하고자 한다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제들은 상기 과제로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않은 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 미세플라스틱 시료를 입력받는 단계, 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는 단계 및 상기 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 단계를 포함한다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 상기 전위차 신호를 획득 및 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 입력받는 단계는 상기 전위차 분석칩에 포함된 상기 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능할 수 있다.
상기 획득하는 단계는 상기 미세플라스틱 시료가 상기 전위차 분석칩 내 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 상기 전위차 측정 방법을 이용하여 상기 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다.
상기 획득하는 단계는 상기 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(strip)의 입력 여부를 판단하는 단계, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하는 단계, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 볼륨 시작(volume start)을 감지하는 단계 및 상기 전위차 분석칩의 5번 핀에서의 볼륨 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 획득하는 단계는 상기 전위차 분석칩에 검사하는 상기 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀의 각 전극을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 획득할 수 있다.
상기 감지하는 단계는 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 볼륨 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며, 상기 AD 데이터를 획득하는 단계는 5번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 볼륨 종료(volume start)를 획득할 수 있다.
상기 AD 데이터를 획득하는 단계는 상기 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득할 수 있다.
상기 제공하는 단계는 통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 상기 파형에 의한 상기 측정 신호를 전송하여 상기 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는 미세플라스틱 시료를 입력받는 입력부, 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는 신호 획득부 및 상기 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 결과 제공부를 포함한다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는 유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 상기 전위차 신호를 획득 및 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 입력부는 상기 전위차 분석칩에 포함된 상기 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능할 수 있다.
상기 신호 획득부는 상기 미세플라스틱 시료가 상기 전위차 분석칩 내 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 상기 전위차 측정 방법을 이용하여 상기 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다.
상기 신호 획득부는 상기 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(strip)의 입력 여부를 판단하고, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하며, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 볼륨 시작(volume start)과 상기 전위차 분석 센서의 5번 핀에서의 볼륨 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 상기 전위차 측정 방법을 이용할 수 있다.
상기 신호 획득부는 상기 전위차 분석칩에 검사하는 상기 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀의 각 전극을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 획득할 수 있다.
상기 신호 획득부는 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 볼륨 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며, 5번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 볼륨 종료(volume start)를 획득할 수 있다.
상기 신호 획득부는 상기 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득할 수 있다.
상기 결과 제공부는 통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 상기 파형에 의한 상기 측정 신호를 전송하여 상기 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반영구적으로 사용할 수 있는 유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 높은 처리량으로 처리되는 기존 정수장 시설 정비나, 수도처리망의 직접화와 관리가 용이할 수 있다. 유리 기반의 센서는 반영구적으로 지속 가능한 형태이며, 1×3cm 글라스 내 16개 이상의 다중 미세채널의 병렬화로 분석 가능하기 때문에 최대 초당 5만개 이상의 수준으로 장기간 효율적인 방법으로 데이터 축적 및 관리가 가능할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 연속적인 시료를 센서에서 측정된 미세플라스틱의 분석 정보를 실시간으로 크기, 농도 및 형태로 정량화할 수 있으며, 사물인터넷(IoT) 기반으로 연속적으로 계수한 정량 정보를 실시간 데이터화하여 관제소로 송수신할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 자립형 시스템과 연동이 가능한 미세플라스틱 분석 및 모니터링 전용 모바일 어플리케이션과 서버를 구축하여, 산업용 규제를 위한 미세플라스틱 현장 실사 검사 및 관리체계를 서비스할 수 있다. 이러한 미세플라스틱 분석 데이터는 모바일 - 단말기 - 서버로 필요시 실시간으로 데이터를 송수신하여 빅데이터로 축적함과 동시에 원격으로 관리체계를 운영할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법의 동작 흐름도를 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 제품 예를 도시한 것이며, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 시료를 분석하기 위한 전위차 분석칩의 간략 예를 도시한 것이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전위차 측정 방법을 설명하기 위해 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 세부 구성을 블록도로 도시한 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법의 동작 흐름도를 도시한 것이다. 또한, 도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 제품 예를 도시한 것이며, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 시료를 분석하기 위한 전위차 분석칩의 간략 예를 도시한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 전위차 신호를 획득하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 미세플라스틱 검출에 있어 신속 정확하게 연속적으로 처리할 수 있어 지속 가능한 검출이 가능한 것을 특징으로 한다.
도 1을 참조하면, 단계 S110에서, 미세플라스틱 시료를 입력받는다.
예를 들어, 미세플라스틱 시료가 포함된 전위차 분석칩(11)을 도 2a에 도시된 미세플라스틱 분석 모니터링 장치(10)에 삽입하면, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에서 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법의 단계 S110은 미세플라스틱 시료를 입력받는다. 이때, 본 발명은 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능하며, 이로 인해 미세플라스틱 검출에 있어 신속 정확하게 연속적으로 처리 가능한 것을 특징으로 한다.
도 2a에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는 내장된 통신모듈을 통해 미세플라스틱 검출 및 모니터링의 과정과 결과를 외부에 위치한 단말기로 전송할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 미세플라스틱 분석 모니터링 장치(10)를 통해 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 기반으로 측정 신호를 출력하며, 측정 신호에 대한 결과를 통신모듈을 통해 외부의 단말기로 전송하는 것을 특징으로 한다. 이에, 단말기는 미세플라스틱 분석 모니터링 장치(10)로부터 수신된 측정 신호에 대한 결과를 이용하여 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태를 정량화할 수 있다. 이때, 단말기는 스마트폰, 태블릿 PC 및 PC 중 어느 하나일 수 있으며, 단말기를 통해 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 온(On)/오프(Off)의 작동 여부뿐 아니라, 스트립 삽입 여부, 미세플라스틱에 대한 전위차 신호 검출 과정 및 검출 결과를 모니터링할 수 있다.
단계 S120에서, 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득한다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 전위차 분석칩은 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다. 보다 상세하게, 단계 S120은 미세플라스틱 시료가 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다.
전위차 측정 방법에 대해 설명하자면, 단계 S120은 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(또는 전위차 분석칩, strip)의 입력 여부를 판단하는 제1 단계, 미세플라스틱 시료에 의한 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하는 제2 단계, 미세플라스틱 시료에 의한 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 부피 시작(volume start)을 감지하는 제3 단계, 그리고 전위차 분석칩의 5번 핀에서의 부피 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 제4 단계를 포함할 수 있다. 단계 S120은 전위차 분석칩에 검사하는 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 각 전극(2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀)을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 정확하게 획득할 수 있으며, 이를 통해 시료의 검사 평균 유속과, 검사 시료의 농도를 추정할 수 있다. 여기서, 상기 제3 단계는 전위차 분석칩의 4번 핀에서 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 부피 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며, 상기 제4 단계는 5번 핀에서 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 부피 종료(volume start)를 획득할 수 있다. 또한, 상기 제4 단계는 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득하는 것을 특징으로 한다. 전술한 전위차 측정 방법에 대해서는 이하의 도 3 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명한다.
단계 S130에서, 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공한다. 단계 S130은 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 포함된 통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 파형에 의한 측정 신호를 전송하여 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공할 수 있다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전위차 측정 방법을 설명하기 위해 도시한 것이다.
도 3, 도 4a, 도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 전위차 분석칩의 간략한 단면도를 도시한 것으로, 도 3, 도 4a, 도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 7a에 도시된 바와 같이 전위차 분석칩은 커넥터의 스트립 센스(Strip Sense)의 1번 핀, 바이어스 N(Bias N)의 2번 핀, 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀, 바이어스 G(Bias G)의 4번 핀, 바이어스 P(Bias P)의 5번 핀을 포함할 수 있다.
도 3의 제1 단계에서, 전위차 분석칩의 스트립 센스(Strip sense)의 1번 핀에서는 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 삽입되기 전에는 4.5V가 출력되다가, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 삽입되면 바이어스 N(-2.5V)과 쇼트가 되는 순간 0V의 스트립 센스 신호를 출력하게 된다. 이에, 100Hz 정도로 계속적으로 센싱하는 상태가 유지된다. 이와 반대로 전위차 분석칩(이하에서는 ‘스트립’이라 칭함)이 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에서 제거되는 것도 마찬가지로 시간제 중단(timer interrupt)이 되어 스트립 센스의 1번 핀에서는 0V에서 4.5V가 출력된다.
여기서, 스트립 센스는 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 MCU(Micro Controller Unit) 61번 핀으로 들어가서 MCU 내장 10bit AD로 스트립이 삽입되었는지 여부를 센싱한다. 또한, 스트립이 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 삽입되었을 때는 하드웨어에서 MCU 44번에 연결된 LED를 인디케이터로 사용한다. 또한, 스트립이 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 삽입되면, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는 연동된 단말기의 상태 표시창에 스트립 삽입(Insert strip)에서 레디(Ready)로 바뀌는 명령을 제공한다.
도 4a 내지 도 5b의 제2 단계에서, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치와 연동된 단말기는 스트립이 삽입된 상태이고, 상태 표시창에 레디(Ready)가 표시되면, 도 4a에 도시된 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀 상에 리퀴드 센스(Liquid Sense) 쪽에서 AD 하다가 신호의 변화를 센싱하게 된다.
이때, 물(또는 미세플라스틱 시료)이 ⓐ에 도달하기 전에는 U9의 아날로그 스위치가 Low, 평소에 용액이 없는 상태로 높은 저항 1M로 풀 다운(pull down)하고 있어 0V에 가까운 신호가 되다가, 물이 ⓐ에 도달하면 1M보다 작아서 전압이 상승하게 된다. 이에 따라서, AD이었던 리퀴드 센스 신호가 +로 되면서 풀 다운 저항 컨트롤(Pulldown resistance control)을 high로 바꾸어, 스위치를 온(ON)하여 풀 다운(Pull down)을 끄고 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀에서 신호를 읽게 한다(도 4a 내지 도 5b 참조).
더욱이, 리퀴드 센스(Liquid sense)에서 신호가 읽히면, 포트(Port) 하나를 새로 해서 Atmega에서 제어하여 끊으며, 풀 다운(Pull down)과 리퀴드 센스(Liquid sense)를 차단한다. 이에, ⓐ에 도달하게 되면 리퀴드 센스(Liquid sense)에서 신호가 바뀌며, 이때부터 자동으로 계수 시스템이 시작하게 된다. 이에 따라서, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치와 연동된 단말기에서는 레디(Ready)에서 처리중(Counting)으로 상태창이 바뀌게 된다.
도 6a 및 도 6b의 제3 단계에서, 물이 ⓑ에 도달하면, 전위차 분석칩의 바이어스 G(Bias G)의 4번 핀에서 전류가 흐르며, 볼륨 시작(volume start)을 나타낸다. 이때, 전류가 흘러 나가게 되면서 리퀴드 센스(Liquid sense)가 뜨고, 조금 후 전압이 오른다. 이때부터 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터가 중요한 역할을 하게 된다. Uart Timer interrupt과 SPI timer interrupt 2개를 이용하여 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀과 볼륨 시작(Volume start) 및 볼륨 종료(Volume end)를 고속으로 스위치 하면서 50KHz 정도로 AD를 한다. 이때, 3byte로 통신하며, Data는 16bit, status option 명령어는 5bit면(한 개는 Error표시/펌웨어/AD에 대한 것(strip insert/volume start/volume end), 또는 지금 현재 상태가 레디(ready)인지 처리중(counting)인지 같은 처리 과정을 알 수 있다.
도 7a 및 도 7b의 제4 단계에서, 물이 ⓒ에 도달하기 전에는 바이어스 P(Bias P)의 5번 핀은 Ref 2.5V에서의 반인 1.25V에 유지되어 있다. ⓒ에 물이 도달하면, 바이어스 P(Bias P)의 5번 핀은 1.25V를 출력하다가 전압이 오르게 된다. 이에, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치와 연동된 단말기에서는 상태 표시창에서 완료 상태가 출력되고, 스트립이 삽입된 상태로 유지되어 있으면, 제거하라는 상태를 표시하게 된다. 만약, 스트립이 제거되면 초기 100Hz로 스트립의 삽입을 기다리게 된다.
본 발명은 최종적으로 시간상 볼륨 시작(Volume start)에서 볼륨 종료(Volume End) 사이에 전위차법(Potentiometry)의 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱 분석 모니터링 장치와 연동된 단말기에서 파형의 측정 신호를 이용하여 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태를 정량화하고, 분석 및 모니터링 결과를 제공한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법이 전기적 기반의 전위차 측정 방법으로 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 획득하며, 이로 인해 출력되는 파형의 측정 신호를 외부의 연동된 단말기로 전송함으로써, 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로의 정량화가 가능할 수 있다.
본 발명의 선행연구로 실험실 수준에서 개발된 프로토타입을 이용하여 실시간 미세플라스틱 입자 크기별 분석을 PC(또는 단말기)와 연동하여 실제 입자 TEST 및 성능 검증을 수행하였다. 이로 인해, 미세플라스틱의 정확한 전위차 분석을 하기 위해 아날로그 하드웨어 회로 구성을 자체 구성 하여 전위차 신호를 획득하였다.
실시간(Real time)으로 PC와 연동을 통해 실제 입자 및 미세플라스틱이 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때, 변화 되는 전위차를 실시간으로 확인 할 수 있는 분석 알고리즘과 소프트웨어를 구성하였다. 이런 유동 입자 분석 시스템을 통합하여 성능시험평가서비스 기관인 바이오나노헬스가드연구단으로부터 성능 검사를 수행하여 30um, 40um를 구분하여 사이즈별 계수를 수행 할 수 있으며, 최대10만개의 입자를 10초 내에 90% 이상의 정확도로 계수 할 수 있음을 확인하였고 평균 변동 계수를 9.7%, 고장률 4%이하로 확인하여 개발된 프로토타입의 성능 유효성을 검증하였다. 이러한, 실험실 수준의 프로토타입 개발을 통해 실시간 미세플라스틱 검출 선행연구를 바탕으로 본 발명은 실제 스마트 수처리 시스템과 TMS 관리체계에서 연계가 가능하며, 기존 수질 분석기기와의 직접 연동 및 지속 가능한 연속적 미세플라스틱 검출 및 모니터링 시스템으로 구성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 시료 전처리 과정이 필요 없으므로(Lable-Free), 대량의 시료를 연속적으로 계수할 수 있는 것을 특징으로 하며, 자동 유동 분석으로 고처리량 계수법이 가능하고, 사이즈별 계수 및 농도 계수 정량화 가능한 것을 특징으로 한다. 더욱이, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은 기기 자동분석 시료처리로 분석 객관화할 수 있으며, 광학 부품의 사용 및 정렬 기술 필요 없다. 또한, 가격 대비 높은 효율을 보이며, 기기 시스템 구조의 단순화 및 소형화가 가능하다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 세부 구성을 블록도로 도시한 것이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 획득하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공한다. 도 9는 도 2a에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치의 세부 구성을 나타낸 것이다.
이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 미세플라스틱 분석 모니터링 장치(900)는 입력부(910), 신호 획득부(920) 및 결과 제공부(930)를 포함한다.
입력부(910)는 미세플라스틱 시료를 입력받는다.
예를 들어, 미세플라스틱 시료가 포함된 전위차 분석칩을 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 삽입하면, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에서 입력부(910)는 미세플라스틱 시료를 입력받는다. 이때, 본 발명은 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능하며, 이로 인해 미세플라스틱 검출에 있어 신속 정확하게 연속적으로 처리 가능한 것을 특징으로 한다.
신호 획득부(920)는 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득한다. 전위차 분석칩은 전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱 시료에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다. 보다 상세하게, 신호 획득부(920)는 미세플라스틱 시료가 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 전위차 측정 방법을 이용하여 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득할 수 있다.
전위차 측정 방법에 대해 설명하자면, 신호 획득부(920)는 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(또는 전위차 분석칩, strip)의 입력 여부를 판단하는 제1 단계, 미세플라스틱 시료에 의한 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하는 제2 단계, 미세플라스틱 시료에 의한 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 부피 시작(volume start)을 감지하는 제3 단계, 그리고 전위차 분석칩의 5번 핀에서의 부피 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 제4 단계를 포함할 수 있다. 신호 획득부(920)는 전위차 분석칩에 검사하는 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 각 전극(2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀)을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 정확하게 획득할 수 있으며, 이를 통해 시료의 검사 평균 유속과, 검사 시료의 농도를 추정할 수 있다. 여기서, 신호 획득부(920)는 제3 단계에서는 전위차 분석칩의 4번 핀에서 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 부피 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며, 제4 단계에서는 5번 핀에서 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 부피 종료(volume start)를 획득할 수 있다. 또한, 신호 획득부(920)는 제4 단계에서는 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득하는 것을 특징으로 한다.
결과 제공부(930)는 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공한다. 결과 제공부(930)는 미세플라스틱 분석 모니터링 장치에 포함된 통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 파형에 의한 측정 신호를 전송하여 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공할 수 있다.
비록, 도 9의 시스템에서 그 설명이 생략되었더라도, 도 9를 구성하는 각 구성 수단은 도 1 내지 도 8에서 설명한 모든 내용을 포함할 수 있으며, 이는 이 기술 분야에 종사하는 당업자에게 있어서 자명하다.
이상에서 설명된 시스템 또는 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(Field Programmable Gate Array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 어플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (18)

  1. 미세플라스틱 시료를 입력받는 단계;
    전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는 단계; 및
    상기 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 단계
    를 포함하는 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미세플라스틱 분석 모니터링 방법은
    유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 상기 전위차 신호를 획득 및 제공하는 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 입력받는 단계는
    상기 전위차 분석칩에 포함된 상기 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 획득하는 단계는
    상기 미세플라스틱 시료가 상기 전위차 분석칩 내 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 상기 전위차 측정 방법을 이용하여 상기 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 획득하는 단계는
    상기 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(strip)의 입력 여부를 판단하는 단계;
    상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하는 단계;
    상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 볼륨 시작(volume start)을 감지하는 단계; 및
    상기 전위차 분석칩의 5번 핀에서의 볼륨 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 단계
    를 포함한 상기 전위차 측정 방법을 이용하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 획득하는 단계는
    상기 전위차 분석칩에 검사하는 상기 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀의 각 전극을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 획득하는 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 감지하는 단계는 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 볼륨 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며,
    상기 AD 데이터를 획득하는 단계는 5번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 볼륨 종료(volume start)를 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 AD 데이터를 획득하는 단계는
    상기 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제공하는 단계는
    통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 상기 파형에 의한 상기 측정 신호를 전송하여 상기 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 방법.
  10. 미세플라스틱 시료를 입력받는 입력부;
    전기적 기반의 전위차 측정 방법을 이용하여 입력된 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는 신호 획득부; 및
    상기 전위차 신호를 기반으로 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 측정 신호를 제공하는 결과 제공부
    를 포함하는 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 미세플라스틱 분석 모니터링 장치는
    유리 기반의 전위차 분석칩을 이용하여 미세플라스틱 분석 및 모니터링을 위한 상기 전위차 신호를 획득 및 제공하는 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 입력부는
    상기 전위차 분석칩에 포함된 상기 미세플라스틱 시료를 연속적으로 입력받는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 신호 획득부는
    상기 미세플라스틱 시료가 상기 전위차 분석칩 내 채널을 통해 흐르면서 센싱 포어(sensing pore)를 지날 때 변화되는 전위차를 실시간으로 측정하는 상기 전위차 측정 방법을 이용하여 상기 미세플라스틱에 대한 전위차 신호를 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 신호 획득부는
    상기 전위차 분석칩의 1번 핀에서 출력되는 신호 결과에 따라 상기 미세플라스틱 시료가 포함된 스트립(strip)의 입력 여부를 판단하고, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 3번 핀의 신호 변화에 따라 미세플라스틱에 대한 자동 분석을 시작하며, 상기 미세플라스틱 시료에 의한 상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서의 볼륨 시작(volume start)과 상기 전위차 분석 센서의 5번 핀에서의 볼륨 종료(volume end) 사이에 나타나는 3번 핀에서 출력되는 AD 데이터를 획득하는 상기 전위차 측정 방법을 이용하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 신호 획득부는
    상기 전위차 분석칩에 검사하는 상기 미세플라스틱 시료를 흘려 주었을 때, 2번 핀, 3번 핀, 4번 핀 및 5번 핀의 각 전극을 지날 때의 시간 데이터를 각 전극의 전압 변화를 통해 획득하는 것을 특징으로 하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 신호 획득부는
    상기 전위차 분석칩의 4번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 변화에 따라 볼륨 시작(volume start)의 시간적 정보를 획득하며, 5번 핀에서 상기 미세플라스틱 시료에 의한 전압 상승에 따라 볼륨 종료(volume start)를 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 신호 획득부는
    상기 AD 데이터를 이용하여 미세플라스틱에 대한 파형을 획득하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 결과 제공부는
    통신모듈을 통해 연동된 단말기로 미세플라스틱에 대한 분석 및 모니터링을 위해, 상기 파형에 의한 상기 측정 신호를 전송하여 상기 단말기에서 미세플라스틱에 대한 사이즈, 농도 및 형태로 정량화하도록 제공하는, 미세플라스틱 분석 모니터링 장치.
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