KR20230077363A - Positive photosensitive paste composition, electrode provided with conductive pattern using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 38
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 35
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 13
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 6
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000011865 Pt-based catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 claims description 3
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 claims description 3
- SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N [Ga].[In] Chemical compound [Ga].[In] SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CHIHQLCVLOXUJW-UHFFFAOYSA-N benzoic anhydride Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OC(=O)C1=CC=CC=C1 CHIHQLCVLOXUJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 3
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 14
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006294 polydialkylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
본 발명은 포지티브형 감광성 페이스트 조성물과, 이를 이용한 전도성 패턴이 마련된 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 실버 플레이크, 액체금속, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체, 열경화제, 광중합 개시제 및 유기용매를 포함할 수 있다. The present invention relates to a positive photosensitive paste composition, an electrode provided with a conductive pattern using the same, and a manufacturing method thereof.
A positive photosensitive paste composition according to an embodiment of the present invention may include silver flake, liquid metal, a monomer of a thermosetting polysiloxane compound, a thermosetting agent, a photopolymerization initiator, and an organic solvent.
Description
본 발명은 포지티브형 감광성 페이스트 조성물과, 이를 이용한 전도성 패턴이 마련된 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive paste composition, an electrode provided with a conductive pattern using the same, and a manufacturing method thereof.
전자기술이 발달함에 따라 고집적, 고성능 디바이스에 대한 수요가 증가하고 있다. 특히, 터치 패널 분야에서 화면의 대면적화를 위한 베젤 전극을 소형화 하는 다양한 방법들이 연구되고 있다. 현재 베젤 전극을 형성시키는 방법으로는 스크린인쇄, 그라비어 오프셋(gravure offset) 인쇄, 포토에칭, 감광성 실버 페이스트(paste)를 활용하는 방법이 있으며, 이 중에서 가장 미세패턴을 구현할 수 있는 방법은 감광성 실버 페이스트를 활용하는 방법으로 알려져 있다. As electronic technology develops, demand for highly integrated and high-performance devices is increasing. In particular, in the field of touch panels, various methods of miniaturizing bezel electrodes for large-area screens are being studied. Currently, methods for forming bezel electrodes include screen printing, gravure offset printing, photo etching, and methods utilizing photosensitive silver paste. It is known how to use .
그러나, 종래 감광성 실버 페이스트는 대부분 네거티브형 감광성으로 패턴의 해상도가 떨어진다는 단점이 있으며, 고전도성을 확보하기 위한 실버 전극 필러의 함량이 매우 높아 분산성과 점성이 저하되는 단점이 있다. However, most of the conventional photosensitive silver pastes have negative photosensitivity and poor pattern resolution, and a very high content of silver electrode filler for securing high conductivity has a disadvantage in that dispersibility and viscosity decrease.
상술한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 제공하여 패턴의 해상도를 개선하고, 페이스트 조성물의 분산성이 저하되지 않으면서도 전도성을 향상시키고자 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a positive type photosensitive paste composition to improve pattern resolution and improve conductivity without deteriorating the dispersibility of the paste composition.
또한, 본 발명은 굽힘 및 연신 동작이 가능한 차세대 플렉서블(flexable), 스트레쳐블(stretchable) 디바이스에 적용 가능한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물과, 이를 이용한 전도성 패턴이 마련된 전극 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is intended to provide a positive-type photosensitive paste composition applicable to a next-generation flexible and stretchable device capable of bending and stretching operations, an electrode having a conductive pattern using the same, and a manufacturing method thereof.
상술한 목적을 달성하기 위한 일 수단으로서 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 실버 플레이크, 액체금속, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체, 열경화제, 광중합 개시제 및 유기용매를 포함할 수 있다.As one means for achieving the above object, the positive photosensitive paste composition according to an embodiment of the present invention may include silver flake, liquid metal, a monomer of a thermosetting polysiloxane compound, a thermosetting agent, a photopolymerization initiator, and an organic solvent.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 중량%로, 실버 플레이크 30 내지 60%, 액체금속 10 내지 30%, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체 10 내지 30%, 열경화제 0% 초과 5% 이하, 광중합 개시제 0% 초과 5% 이하, 유기용매 0% 초과 15% 이하 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.In addition, the positive photosensitive paste composition according to an embodiment of the present invention contains, by weight, 30 to 60% silver flake, 10 to 30% liquid metal, 10 to 30% monomer of a thermosetting polysiloxane compound, and more than 5% heat curing agent. % or less, photopolymerization initiator greater than 0% and less than 5%, organic solvent greater than 0% and less than 15%, and other unavoidable impurities may be included.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 액체금속은 갈륨-인듐 공융합금(EGaIn)을 포함할 수 있다. Also, according to an embodiment of the present invention, the liquid metal may include a gallium-indium eutectic alloy (EGaIn).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 열경화성 폴리실록산 화합물은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the thermosetting polysiloxane compound may include polydimethylsiloxane (PDMS).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 열경화제는 Pt 기반 촉매 또는 실록산 경화제를 포함할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, the thermal curing agent may include a Pt-based catalyst or a siloxane curing agent.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 광중합 개시제는 아세토페논, 벤조페논, 미힐러케톤, 벤조인, 벤질메틸케탈, 벤조일벤조에이트, α-아실옥심에스테르, 티옥산톤류 중 하나 이상을 포함할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the photopolymerization initiator may include at least one of acetophenone, benzophenone, Michler's ketone, benzoin, benzylmethylketal, benzoylbenzoate, α-acyloxime ester, and thioxanthones. can
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 다른 일 수단으로서 본 발명의 일 실시예에 따르면 전술한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 도포하여 기판 상에 감광층을 마련하는 단계, 미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 상기 감광층을 노광하는 단계, 50 내지 150℃의 온도에서 5분 이내로 가열하는 단계, 현상하여 패턴을 형성하는 단계 및 상기 형성된 패턴을 산 처리하는 단계를 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, as another means for achieving the above object, according to an embodiment of the present invention, the step of providing a photosensitive layer on a substrate by applying the positive photosensitive paste composition described above, using a photomask having a predetermined pattern. Exposing the photosensitive layer to light, heating at a temperature of 50 to 150 ° C for less than 5 minutes, developing to form a pattern, and acid treating the formed pattern. Method for manufacturing an electrode with a conductive pattern can provide.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 노광하는 단계는 파장 365nm의 자외선을 이용하여 100 내지 10000mJ의 에너지를 조사하는 것을 포함할 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, the exposing may include irradiating energy of 100 to 10000 mJ using ultraviolet light having a wavelength of 365 nm.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 산 처리하는 단계는 HCl을 포함하는 산으로 산 처리하는 것을 포함할 수 있다. Also, according to an embodiment of the present invention, the acid treatment may include acid treatment with an acid containing HCl.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 산 처리하는 단계는 농도 20 내지 40%의 산을 이용하여 60초 이상 산 처리하는 것을 포함할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the acid treatment may include acid treatment for 60 seconds or more using an acid having a concentration of 20 to 40%.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 다른 일 수단으로서 본 발명의 일 실시예에 따르면 전술한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극을 제공할 수 있다. In addition, as another means for achieving the above object, according to an embodiment of the present invention, an electrode having a conductive pattern including the positive type photosensitive paste composition described above may be provided.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 전도성 패턴의 저항은 10Ω 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the resistance of the conductive pattern may be 10Ω or less.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 전도성 패턴의 전기전도도는 2000S/cm 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the electrical conductivity of the conductive pattern may be 2000 S/cm or more.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 다른 일 수단으로서 본 발명의 일 실시예에 따르면 전술한 전극을 포함하는 전자기기를 제공할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention as another means for achieving the above object, it is possible to provide an electronic device including the above-described electrode.
본 발명의 일 실시예에 따르면 노광부의 열경화제와 자유라디칼을 형성한 광중합 개시제가 선택적으로 결합 반응하는 점을 이용하여 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a positive type photosensitive paste composition can be provided by using the fact that the thermal curing agent in the exposed area and the photopolymerization initiator forming free radicals selectively react with each other.
본 발명의 일 실시예에 따르면 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하므로, 기존 네거티브형 감광성 페이스트 조성물로 패턴을 형성한 경우와 대비하여 보다 미세한 패턴의 형성이 가능하다.According to one embodiment of the present invention, since a pattern is formed using a positive photosensitive paste composition, it is possible to form a finer pattern compared to the case where a pattern is formed using a conventional negative photosensitive paste composition.
본 발명의 일 실시예에 따르면 고가의 은의 함량을 낮추었음에도 불구하고 액체금속을 첨가한 페이스트 조성물로 패턴을 형성한 다음 후속되는 산 처리에 의한 화학적 소결로 실버 플레이크들 사이를 액체금속으로 연결할 수 있게 되어 전도성을 더욱 높일 수 있다. 부수적인 효과로 값비싼 은의 함량을 저감할 수 있어 제조원가를 낮출 수 있다.According to one embodiment of the present invention, despite the lowering of the expensive silver content, a pattern is formed with a paste composition to which liquid metal is added, and then chemical sintering by acid treatment is performed so that silver flakes can be connected with liquid metal. so that the conductivity can be further increased. As a side effect, the content of expensive silver can be reduced, thereby reducing the manufacturing cost.
본 발명의 일 실시예에 따른 전극은 플렉서블 기판 상에 패턴을 형성하는 경우 굽힘 및 연신 동작을 수행하는 차세대 플렉서블, 스트레쳐블 디바이스에 적용 가능하다.An electrode according to an embodiment of the present invention can be applied to a next-generation flexible and stretchable device that performs bending and stretching operations when forming a pattern on a flexible substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 포지티브형 감광성 페이스트 조성물 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 다양한 패턴들의 사진이다. 1 is a photograph of a positive type photosensitive paste composition prepared according to an embodiment of the present invention.
2 is a photograph of various patterns manufactured according to an embodiment of the present invention.
본 출원에서 사용하는 용어는 단지 특정한 예시를 설명하기 위하여 사용되는 것이다. 때문에 가령 단수의 표현은 문맥상 명백하게 단수여야만 하는 것이 아닌 한, 복수의 표현을 포함한다. 덧붙여, 본 출원에서 사용되는 "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 명확히 지칭하기 위하여 사용되는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것의 존재를 예비적으로 배제하고자 사용되는 것이 아님에 유의해야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific examples. Therefore, for example, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly requires them to be singular. In addition, the terms "include" or "have" used in this application are used to clearly indicate that the features, steps, functions, components, or combinations thereof described in the specification exist, but other features It should be noted that it is not intended to be used to preliminarily exclude the presence of any steps, functions, components, or combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진 것으로 보아야 한다. 따라서, 본 명세서에서 명확하게 정의하지 않는 한, 특정 용어가 과도하게 이상적이거나 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.Meanwhile, unless otherwise defined, all terms used in this specification should be regarded as having the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Accordingly, certain terms should not be interpreted in an overly idealistic or formal sense unless clearly defined herein.
또한, 본 명세서의 "약", "실질적으로" 등은 언급한 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. In addition, "about", "substantially", etc. in this specification are used at or in the sense of or close to the value when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are presented, and are accurate to aid in understanding the present invention. or absolute numbers are used to prevent unfair use by unscrupulous infringers of the stated disclosure.
종래 감광성 실버 페이스트는 대부분 네거티브형 감광성으로 이를 이용하여 형성되는 패턴의 해상도는 포지티브형 대비 떨어지는 단점이 있으며, 고전도성을 확보하기 위한 실버 전극 필러의 함량이 매우 높아 분산성이 떨어진다는 단점이 있다. 본 발명의 발명자들은 이러한 문제를 해결하기 위하여 페이스트 조성물 성분을 제어하여 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 제공하고자 하였으며, 분산성을 저하시키는 실버 성분의 함량을 줄이고 액체금속을 활용하여 전도성을 확보하고자 하였다. Most of the conventional photosensitive silver pastes are negative photosensitive, and the resolution of patterns formed using them is lower than that of the positive type, and the content of the silver electrode filler to secure high conductivity is very high, and the dispersibility is poor. In order to solve this problem, the inventors of the present invention tried to provide a positive photosensitive paste composition by controlling the components of the paste composition, and to secure conductivity by reducing the content of a silver component that deteriorates dispersibility and utilizing liquid metal.
본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 실버 플레이크, 액체금속, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체, 열경화제, 광중합 개시제 및 유기용매를 포함할 수 있다. A positive photosensitive paste composition according to an embodiment of the present invention may include silver flake, liquid metal, a monomer of a thermosetting polysiloxane compound, a thermosetting agent, a photopolymerization initiator, and an organic solvent.
일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 중량%로, 실버 플레이크 30 내지 60%, 액체금속 10 내지 30%, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체 10 내지 30%, 열가교제 0% 초과 5% 이하, 광중합 개시제 0% 초과 5% 이하, 유기용매 0% 초과 10% 이하 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다. 이하에서, 각 성분을 첨가한 이유와 함량범위를 한정한 이유에 대해서 상세히 서술하도록 한다. A positive photosensitive paste composition according to an embodiment includes, by weight, 30 to 60% silver flake, 10 to 30% liquid metal, 10 to 30% monomer of a thermosetting polysiloxane compound, greater than 0% and less than 5% thermal crosslinking agent, photopolymerization initiator It may contain more than 0% and less than 5%, organic solvents more than 0% and less than 10%, and other unavoidable impurities. Hereinafter, the reason for adding each component and the reason for limiting the content range will be described in detail.
실버 플레이크silver flakes
실버 플레이크(flake)는 은 미립자로, 전도성을 확보하기 위해 첨가된다. 전도성 확보를 위해 실버 플레이크는 예를 들어 30중량% 이상, 예를 들어 35중량% 이상, 예를 들어 40중량% 이상으로 첨가될 수 있다. 그러나, 실버 플레이크는 다량 첨가되면 원가 상승의 우려가 있으며, 페이스트의 분산성이 저하되는 문제가 있다. 이를 고려하여 실버 플레이크는 예를 들어 60중량% 이하, 예를 들어 55중량% 이하, 예를 들어 50중량% 이하로 첨가될 수 있다. Silver flakes are fine particles of silver and are added to ensure conductivity. To secure conductivity, silver flakes may be added in an amount of, for example, 30% by weight or more, for example, 35% by weight or more, and, for example, 40% by weight or more. However, when a large amount of silver flake is added, there is a risk of cost increase and there is a problem in that the dispersibility of the paste is lowered. In consideration of this, silver flakes may be added at, for example, 60% by weight or less, for example, 55% by weight or less, for example, 50% by weight or less.
실버 플레이크의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 실버 플레이크의 형상은 예를 들어 판상형일 수 있다. 판면의 형상은 예를 들어 다각형, 원형, 타원형의 정형 또는 비정형일 수 있다. The shape of the silver flake is not particularly limited. The shape of the silver flakes may be plate-like, for example. The shape of the plate surface may be regular or irregular, such as a polygon, a circle, or an ellipse, for example.
액체금속liquid metal
액체금속은 액체상태로 되어 있는 금속을 의미하며, 본 발명에서는 전도성을 더욱 높이기 위한 수단으로 첨가된다. 본 발명의 액체금속은 패턴을 형성한 다음 후속되는 산 처리에 의한 화학적 소결로 실버 플레이크들 사이를 연결할 수 있게 되어 전도성을 더욱 높일 수 있다. 전도성을 더욱 높이기 위해 액체금속은 예를 들어 10중량% 이상, 예를 들어 15중량% 이상 첨가될 수 있다. 그러나, 액체금속은 다량 첨가되면 전도성 향상의 효과가 포화되므로, 이를 고려하여 액체금속은 예를 들어 30중량% 이하, 예를 들어 25중량% 이하로 첨가될 수 있다.Liquid metal means a metal in a liquid state, and in the present invention, it is added as a means to further increase conductivity. The liquid metal of the present invention can connect between silver flakes by forming a pattern and subsequent chemical sintering by acid treatment, thereby further increasing conductivity. In order to further increase the conductivity, the liquid metal may be added in an amount of, for example, 10% by weight or more, for example, 15% by weight or more. However, since the effect of improving conductivity is saturated when a large amount of liquid metal is added, in consideration of this, the liquid metal may be added in an amount of, for example, 30% by weight or less, for example, 25% by weight or less.
액체금속은 산 처리에 의해 실버 플레이크들 사이를 연결하여 전도성을 더욱 높일 수 있으면 되고 구성에 있어 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 따른 액체금속은 갈륨-인듐 공융합금(eutectic gallium-indium alloy, EGaIn)을 포함할 수 있다. The liquid metal is not particularly limited in configuration as long as it can further increase conductivity by connecting silver flakes by acid treatment. The liquid metal according to an embodiment may include gallium-indium eutectic alloy (EGaIn).
열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체Monomers of thermosetting polysiloxane compounds
열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체는 가열 시 열경화제에 의하여 열경화되어 열경화성 폴리실록산 화합물이 되며, 본 발명에서는 패턴을 형성하는 수단이다. 미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 노광하는 경우 노광부는 빛에 의해 자유라디칼이 형성된 광중합 개시제가 열경화제와 반응하게 된다. 이로 인하여 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 노광 후 후속되는 열처리 시 노광부는 열경화가 이루어지지 않으며, 비노광부는 열경화제에 의하여 선택적으로 열경화가 이루어지는 포지티브형 감광성을 가지게 된다. The monomer of the thermosetting polysiloxane compound is thermally cured by a thermosetting agent when heated to become a thermosetting polysiloxane compound, and in the present invention, it is a means for forming a pattern. When exposure is performed using a photomask having a predetermined pattern, a photopolymerization initiator in which free radicals are formed in the exposed portion reacts with a thermal curing agent. Due to this, the photosensitive paste composition according to the present invention has positive photosensitivity in which thermal curing is not performed on the exposed portion during subsequent heat treatment after exposure, and thermal curing is selectively performed on the unexposed portion by a thermal curing agent.
선명한 패턴을 형성하며, 충분한 분산성을 확보하기 위하여 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체는 예를 들어 10중량% 이상, 예를 들어 15중량% 이상 첨가될 수 있다. 그러나, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체는 다량 첨가되면 전도성이 저하될 우려가 있다. 이를 고려하여 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체는 예를 들어 30중량% 이하, 예를 들어 25중량% 이하, 예를 들어 20중량% 이하로 첨가될 수 있다. In order to form a clear pattern and secure sufficient dispersibility, the monomer of the thermosetting polysiloxane compound may be added in an amount of, for example, 10% by weight or more, for example, 15% by weight or more. However, when a large amount of the monomer of the thermosetting polysiloxane compound is added, there is a concern that the conductivity may decrease. In consideration of this, the monomer of the thermosetting polysiloxane compound may be added at, for example, 30% by weight or less, for example, 25% by weight or less, for example, 20% by weight or less.
열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체는 가열 시 열경화제에 의하여 열경화되어 열경화성 폴리실록산 화합물이 되면 되고, 구성에 있어 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 따르면 열경화성 폴리실록산 화합물은 실리콘(Si)과 산소(O)로 구성되는 실록산 결합(Si-O-Si)에 의한 주골격을 가지는 고분자 유기 화합물일 수 있다. 열경화성 폴리실록산 화합물은 실리콘 고무 또는 실리콘 수지일 수 있으며, 실리콘 수지로는 예를 들어 HO[-Si(R)2O-]nH, (R은 수소 또는 임의의 작용기)로 나타나는 실록산 단위를 포함하는 폴리실록산이거나 또는, R가 임의의 알킬기인 폴리알킬실록산일 수 있다. 폴리알킬실록산은 예를 들어 폴리디메틸실록산, 폴리디에틸실록산, 폴리메틸에틸실록산 등의 폴리디알킬실록산, 폴리알킬아릴실록산, 폴리(디메틸실록산-메틸실록산) 등을 들 수 있다. 폴리알킬실록산은 예를 들어 폴리디메틸실록산일 수 있다. The monomer of the thermosetting polysiloxane compound may be thermally cured by a thermosetting agent during heating to become a thermosetting polysiloxane compound, and is not particularly limited in configuration. According to one embodiment, the thermosetting polysiloxane compound may be a polymeric organic compound having a main skeleton formed by a siloxane bond (Si-O-Si) composed of silicon (Si) and oxygen (O). The thermosetting polysiloxane compound may be a silicone rubber or a silicone resin, and the silicone resin includes, for example, a siloxane unit represented by HO[-Si(R) 2 O-] n H, (R is hydrogen or any functional group). It may be a polysiloxane or a polyalkylsiloxane in which R is any alkyl group. Examples of the polyalkylsiloxane include polydialkylsiloxanes such as polydimethylsiloxane, polydiethylsiloxane, and polymethylethylsiloxane, polyalkylarylsiloxane, and poly(dimethylsiloxane-methylsiloxane). The polyalkylsiloxane can be, for example, polydimethylsiloxane.
열경화제heat curing agent
열경화제는 가열에 의하여 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체를 열가교시켜 열경화성 폴리실록산 화합물을 형성한다. 이를 고려하여 열경화제는 예를 들어 0중량% 초과, 5중량% 이하로 첨가될 수 있다. The thermosetting agent forms a thermosetting polysiloxane compound by thermally cross-linking the monomers of the thermosetting polysiloxane compound by heating. In consideration of this, the heat curing agent may be added in an amount of, for example, greater than 0% by weight and less than or equal to 5% by weight.
열경화제는 가열에 의하여 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체를 열가교시켜 열경화성 폴리실록산 화합물을 형성하면 되고, 구성에 있어 특별히 제한되지 않는다. 열경화제는 예를 들어 Pt 기반 촉매 또는 실록산 경화제를 포함할 수 있다. The thermosetting agent may be formed by thermally crosslinking the monomers of the thermosetting polysiloxane compound by heating to form a thermosetting polysiloxane compound, and the composition is not particularly limited. Thermal curing agents may include, for example, Pt-based catalysts or siloxane curing agents.
광중합 개시제photopolymerization initiator
광중합 개시제는 빛에 노출 시 자유라디칼을 형성하여 노광부의 열경화제와 결합 반응한다. 이로 인하여 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 노광 후 후속되는 열처리 시 노광부는 열경화가 이루어지지 않으며, 비노광부는 열경화제에 의하여 선택적으로 열경화가 이루어지는 포지티브형 감광성을 가지게 된다. 충분한 포지티브형 감광성을 확보하기 위하여 광중합 개시제는 예를 들어 0중량% 초과, 5중량% 이하로 첨가될 수 있다. The photopolymerization initiator forms free radicals when exposed to light and reacts with the thermosetting agent in the exposed area. Due to this, the photosensitive paste composition according to the present invention has positive photosensitivity in which thermal curing is not performed on the exposed portion during subsequent heat treatment after exposure, and thermal curing is selectively performed on the unexposed portion by a thermal curing agent. In order to secure sufficient positive photosensitivity, a photopolymerization initiator may be added in an amount of more than 0% by weight and less than or equal to 5% by weight, for example.
광중합 개시제는 빛에 노출 시 자유라디칼을 형성하여 노광부의 열경화제와 결합 반응하면 되고, 구성에 있어 특별히 제한되지 않는다. 광중합 개시제는 예를 들어 아세토페논, 벤조페논, 미힐러케톤, 벤조인, 벤질메틸케탈, 벤조일벤조에이트, α-아실옥심에스테르, 티옥산톤류 중 하나 이상을 포함할 수 있다. The photopolymerization initiator may form free radicals when exposed to light to react in combination with the thermal curing agent in the exposed portion, and is not particularly limited in configuration. The photopolymerization initiator may include, for example, one or more of acetophenone, benzophenone, Michler's ketone, benzoin, benzylmethylketal, benzoylbenzoate, α-acyloxime ester, and thioxanthones.
유기용매organic solvent
유기용매는 전술한 성분들을 충분히 용해하여 목적하는 분산성 및 점성을 만족하는 것을 전제로 구성에 있어 특별히 제한되지 않는다. 이를 고려하여 유기용매는 예를 들어 0% 초과 15% 이하로 첨가될 수 있다. The composition of the organic solvent is not particularly limited on the premise that the above components are sufficiently dissolved to satisfy the desired dispersibility and viscosity. Considering this, the organic solvent may be added in an amount of more than 0% and less than 15%, for example.
유기용매는 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 메틸뷰틸케톤(MBK), 메틸아이소부틸케톤(MIBK) 등의 케톤류, 1부탄올, 2부탄올, 아이소부탄올, 아이소프로판올, 아이소펜탄올 등의 알코올류의 단독 또는 혼합일 수 있다.Organic solvents include, for example, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl butyl ketone (MBK), and methyl isobutyl ketone (MIBK), 1-butanol, 2-butanol, isobutanol, isopropanol, isopentanol, and the like. Alcohols may be alone or in combination.
본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물은 통상의 제조 과정에서는 원료 또는 주위 환경으로부터 의도되지 않는 불순물들이 불가피하게 혼입될 수 있으므로, 이를 배제할 수는 없다. 상기 불순물들은 통상의 제조 과정의 기술자라면 누구라도 알 수 있는 것이기 때문에 그 모든 내용을 특별히 본 명세서에서 언급하지는 않는다. Since the positive type photosensitive paste composition according to an embodiment of the present invention may inevitably be mixed with unintended impurities from raw materials or the surrounding environment during a normal manufacturing process, this cannot be excluded. Since the above impurities can be known to anyone skilled in the manufacturing process, not all of them are specifically mentioned in the present specification.
일 실시예에 따르면 전술한 바에 따른 포지티브형 감광성 페이스트 조성물로 전극 상에 전도성 패턴을 마련할 수 있다. According to an embodiment, a conductive pattern may be provided on an electrode using the positive type photosensitive paste composition described above.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법은 전술한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 도포하여 기판 상에 감광층을 마련하는 단계, 미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 상기 감광층을 노광하는 단계, 가열하는 단계, 현상하여 패턴을 형성하는 단계 및 상기 형성된 패턴을 산 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 이하에서 각 단계에 대해서 상세히 서술하도록 한다. A method of manufacturing an electrode having a conductive pattern according to an embodiment of the present invention includes the steps of applying the positive photosensitive paste composition to form a photosensitive layer on a substrate, and using a photomask having a predetermined pattern to form the photosensitive layer. It may include exposing, heating, developing to form a pattern, and acid-treating the formed pattern. Each step is described in detail below.
포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 도포하여 기판 상에 감광층을 마련하는 단계Forming a photosensitive layer on a substrate by applying a positive photosensitive paste composition
기판은 특별히 제한되지 않으나, 기판은 예를 들어 강성 기판 또는 플렉서블 기판일 수 있다. 강성 기판은 예를 들면 Si 웨이퍼(wafer)일 수 있다. 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있으며, 예를 들면 폴리아크릴레이트, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌프탈레이트, 폴리부틸렌프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 및 폴리이미드(PI) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The substrate is not particularly limited, but the substrate may be, for example, a rigid substrate or a flexible substrate. The rigid substrate may be, for example, a Si wafer. The flexible substrate may be a plastic substrate or a plastic film, for example polyacrylate, polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene ether phthalate, polyethylene phthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate (PEN) , polycarbonate (PC), polystyrene (PS), polyetherimide, polyethersulfone, polydimethylsiloxane (PDMS), polyetheretherketone (PEEK), and polyimide (PI).
본 발명의 일 실시예에 따르면 기판으로 플렉서블 기판을 사용하고, 포지티브형 감광성 페이스트 조성물로 패턴을 형성한 전극은 굽힘 및 연신 동작을 수행하는 차세대 플렉서블, 스트레쳐블 디바이스에 적용 가능한 장점이 있다. According to one embodiment of the present invention, a flexible substrate is used as a substrate and an electrode patterned with a positive photosensitive paste composition has the advantage of being applicable to next-generation flexible and stretchable devices that perform bending and stretching operations.
본 발명의 일 실시예에 따르면 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 도포하기 이전에 기판과 전극과의 접착력을 향상시키기 위하여 기판에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, oxygen plasma treatment may be performed on a substrate to improve adhesion between the substrate and the electrode before coating the positive photosensitive paste composition.
포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 도포하여 기판 상에 감광층을 마련하는 것은 해당 기술분야의 통상의 방식으로 감광층을 마련하면 되고, 특별히 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 페이스트 조성물을 기판에 도포한 다음, 스핀 코팅하여 감광층을 마련할 수 있다. The formation of a photosensitive layer on a substrate by applying a positive photosensitive paste composition may be performed in a conventional manner in the art, and is not particularly limited. According to one embodiment of the present invention, a photosensitive layer may be prepared by applying a paste composition to a substrate and then spin-coating it.
미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 상기 감광층을 노광하는 단계Exposing the photosensitive layer to light using a photomask provided with a predetermined pattern.
본 발명에 따른 노광하는 단계로 노광부 상의 광중합 개시제가 자유라디칼을 형성하여 열경화제와 결합 반응하게 된다. 이로 인하여 이어서 후속되는 가열하는 단계에서 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 비노광부에서는 열경화제에 의하여 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체의 열가교반응이 일어나는 것에 반하여, 노광부에서는 열경화가 이루어지지 않는 포지티브형 감광성을 가지게 된다.In the exposure step according to the present invention, the photopolymerization initiator on the exposed portion forms free radicals and reacts with the thermosetting agent. Due to this, in the subsequent heating step, the photosensitive paste composition according to the present invention has a positive photosensitivity in which thermal curing does not occur in the exposed portion, whereas thermal crosslinking of the monomers of the thermosetting polysiloxane compound occurs in the non-exposed portion by the heat curing agent. will have
본 발명의 일 실시예에 따른 미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 감광층을 노광하는 단계는 감광층의 상부면에 미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 배치한 다음, 빛을 조사하여 감광층을 선택적으로 노광하는 것을 포함할 수 있다. 노광하는 단계는 예를 들어 파장 365nm의 자외선을 이용하여 100 내지 10000mJ의 에너지를 조사할 수 있다. In the step of exposing the photosensitive layer using a photomask having a predetermined pattern according to an embodiment of the present invention, the photomask having a predetermined pattern is placed on the top surface of the photosensitive layer, and then light is irradiated to expose the photosensitive layer. It may include selective exposure. In the exposure step, energy of 100 to 10000 mJ may be irradiated using, for example, ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm.
가열하는 단계heating step
본 발명에 따른 가열하는 단계로 선택적으로 비노광부 상의 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체가 열경화제에 의하여 열가교반응이 일어나 열경화성 폴리실록산 화합물이 된다. 노광부에서는 열경화제가 자유라디칼을 형성한 광중합 개시제와 결합 반응하기 때문에 열가교반응이 이루어지지 않는다.In the heating step according to the present invention, the monomers of the thermosetting polysiloxane compound on the non-exposed portion selectively undergo a thermal crosslinking reaction by a thermosetting agent to become a thermosetting polysiloxane compound. In the exposed portion, a thermal crosslinking reaction does not occur because the thermal curing agent reacts with the photopolymerization initiator that forms free radicals.
본 발명에 따른 가열하는 단계는 예를 들어 50 내지 150℃의 온도에서 5분 이내로, 예를 들어 3분 이내로, 예를 들어 2분 이내로 가열할 수 있다. The heating step according to the present invention may be, for example, within 5 minutes at a temperature of 50 to 150 ° C., for example within 3 minutes, for example within 2 minutes.
본 발명에 따른 가열하는 단계는 예를 들어 80 내지 120℃의 온도에서 5분 이내로, 예를 들어 3분 이내로, 예를 들어 2분 이내로 가열할 수 있다. The heating step according to the present invention may be, for example, within 5 minutes at a temperature of 80 to 120 ° C., for example within 3 minutes, for example within 2 minutes.
현상하여 패턴을 형성하는 단계Developing to form a pattern
본 발명에 따른 현상하여 패턴을 형성하는 단계로 전술한 가열하는 단계로 열경화되지 않은 노광부를 선택적으로 제거하여 패턴을 형성할 수 있다. 현상액은 예를 들어 메틸아이소부틸케톤(MIBK) 등의 케톤류, 아이소프로판올(IPA) 등의 알코올류의 단독 또는 복합 용액일 수 있으며, 현상은 예를 들어 감광층 상에 상기 현상액을 뿌려가며 세척하는 것을 포함할 수 있다. As the step of forming a pattern by development according to the present invention, a pattern may be formed by selectively removing an exposed portion that is not thermally cured in the above-described heating step. The developing solution may be, for example, a single or complex solution of ketones such as methyl isobutyl ketone (MIBK) and alcohols such as isopropanol (IPA), and the developing solution is, for example, sprayed and washed with the developer on the photosensitive layer. may include
형성된 패턴을 산 처리하는 단계Acid treatment of the formed pattern
본 발명에 따른 형성된 패턴을 산 처리하는 단계로 액체금속의 산화막을 제거하는 것과 동시에 산 처리에 의한 화학적 소결로 액체금속이 실버 플레이크들 사이를 연결할 수 있게 되어 형성된 패턴의 전도성을 더욱 높일 수 있게 된다. In the step of acid treating the pattern formed according to the present invention, the oxide film of the liquid metal is removed, and at the same time, the chemical sintering by the acid treatment allows the liquid metal to connect between the silver flakes, thereby further increasing the conductivity of the formed pattern. .
본 발명의 일 실시예에 따른 산 처리하는 단계는 HCl을 포함하는 산으로 산 처리하는 것을 포함할 수 있다. Acid treatment according to an embodiment of the present invention may include acid treatment with an acid containing HCl.
본 발명의 일 실시예에 따른 산 처리하는 단계는 농도 20 내지 40%의 산을 이용하여 60초 이상 산 처리하는 것을 포함할 수 있다. The acid treatment step according to an embodiment of the present invention may include acid treatment for 60 seconds or more using an acid having a concentration of 20 to 40%.
본 발명의 일 실시예에 따른 산 처리하는 단계는 농도 20 내지 40%의 염산 수용액의 증기를 이용하여 60초 이상 산 처리하는 것을 포함할 수 있다. The acid treatment according to an embodiment of the present invention may include acid treatment for 60 seconds or more using steam of an aqueous hydrochloric acid solution having a concentration of 20 to 40%.
본 발명의 일 실시예에 따르면 전술한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극을 제공할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide an electrode provided with a conductive pattern including the positive type photosensitive paste composition described above.
본 발명에 따른 전극은 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하므로, 미세패턴의 형성이 가능하다. 일 실시예에 따르면 약 20㎛ 수준의 선폭을 갖는 미세패턴의 형성이 가능하다.Since the electrode according to the present invention forms a pattern using a positive photosensitive paste composition, it is possible to form a fine pattern. According to one embodiment, it is possible to form a micropattern having a line width of about 20 μm.
또한, 본 발명에 따른 전극은 고가의 은의 함량을 낮추었음에도 불구하고 액체금속을 첨가한 페이스트 조성물로 패턴을 형성한 다음 산 처리를 수행하여 전도성을 충분히 확보 가능하다. 부가적인 효과로 값비싼 은을 적게 첨가할 수 있게 되어 제조원가를 절감할 수 있다. In addition, in spite of lowering the content of expensive silver, the electrode according to the present invention can sufficiently secure conductivity by forming a pattern with a paste composition to which liquid metal is added and then performing an acid treatment. As an additional effect, a small amount of expensive silver can be added, thereby reducing manufacturing cost.
일 실시예에 따른 전도성 패턴은 저항이 10Ω 이하일 수 있다. The conductive pattern according to an embodiment may have a resistance of 10Ω or less.
일 실시예에 따른 전도성 패턴의 전기전도도는 2000S/cm 이상일 수 있다. Electrical conductivity of the conductive pattern according to an embodiment may be 2000 S/cm or more.
또한, 본 발명에 따른 전극은 플렉서블 기판 상에 패턴을 형성하는 경우 굽힘 및 연신 동작을 수행하는 차세대 플렉서블, 스트레쳐블 디바이스에 적용 가능하다.In addition, the electrode according to the present invention can be applied to next-generation flexible and stretchable devices that perform bending and stretching operations when forming a pattern on a flexible substrate.
본 발명의 일 실시예에 따르면 전술한 전극을 전자기기에 제공할 수 있다. 제공되는 전자기기는 특별히 제한은 없으나, 예를 들어 디스플레이장치를 수반하는 다양한 전자기기일 수 있다. 전자기기는 예를 들어 TV, 노트북, 컴퓨터, 모니터, 냉장고, 전자패드, 스마트워치, VR안경 등일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the electrode described above can be provided to an electronic device. The provided electronic device is not particularly limited, but may be various electronic devices including, for example, a display device. Electronic devices may be, for example, TVs, laptops, computers, monitors, refrigerators, electronic pads, smart watches, VR glasses, and the like.
{실시예}{Example}
이하에서는 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 제공되는 것으로서, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 사상이 반드시 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, this is provided so that those skilled in the art can easily practice the present invention, and the present invention can be implemented in many different forms, and the spirit of the present invention is not necessarily limited to the examples. no.
실시예 1 제조Example 1 Preparation
1. 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 마련하는 단계1. Preparing a positive type photosensitive paste composition
액체금속 EGaIn과 에탄올을 1:4의 비율로 혼합한 다음, 상온에서 5분간 초음파 처리를 수행하고, 원심분리기를 이용하여 결과물을 수득하였다. 수득된 결과물과 아이소프로판올(isopropanol, IPA)를 1:4의 비율로 혼합한 다음, 상온에서 5분간 초음파 처리를 수행하고, 원심분리기를 이용하여 수득하는 과정을 총 2번 반복하여 EGaIn 미세입자를 제조하였다. Liquid metal EGaIn and ethanol were mixed at a ratio of 1:4, ultrasonic treatment was performed at room temperature for 5 minutes, and a result was obtained using a centrifuge. After mixing the obtained product and isopropanol (IPA) at a ratio of 1:4, ultrasonic treatment was performed at room temperature for 5 minutes, and the process of obtaining using a centrifuge was repeated twice in total to obtain EGaIn microparticles. manufactured.
실버 플레이크 4.5g과 열경화성 폴리실록산 화합물 폴리디메틸실록산(PDMS)의 단량체 1.71g를 원심 혼합 장비를 이용하여 교반시켜 주었다. 이후 제조된 액체금속 EGaIn 미세입자 2g를 추가로 넣어준 다음, 다시 한번 원심 혼합 장비를 이용하여 균일하게 교반시켰다. 교반이 끝난 후 광중합 개시제로 벤조페논 0.174g, 열경화제로 PDMS 경화제 0.278g, 유기용매 메틸아이소부틸케톤(MIBK) 1g을 순서대로 넣어준 다음 원심 혼합 장비를 이용하여 균일하게 교반시켜 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 제조하였다. 제조된 포지티브형 감광성 페이스트 조성물 사진을 도 1에 나타내었다. 4.5 g of silver flakes and 1.71 g of a thermosetting polysiloxane compound polydimethylsiloxane (PDMS) monomer were stirred using a centrifugal mixing device. Thereafter, 2 g of the prepared liquid metal EGaIn microparticles were additionally added, and then the mixture was stirred uniformly again using a centrifugal mixing equipment. After stirring, 0.174 g of benzophenone as a photopolymerization initiator, 0.278 g of PDMS curing agent as a thermal curing agent, and 1 g of methyl isobutyl ketone (MIBK) as an organic solvent are added in this order, and then stirred uniformly using centrifugal mixing equipment to form a positive photosensitive paste. A composition was prepared. A photograph of the prepared positive photosensitive paste composition is shown in FIG. 1 .
포지티브형 감광성 페이스트 조성물의 성분을 중량%로 환산 시 하기 표 1과 같다.Table 1 shows the components of the positive photosensitive paste composition in terms of weight%.
EGaInliquid metal
EGaIn
벤조페논photopolymerization initiator
Benzophenone
PDMS 경화제heat curing agent
PDMS curing agent
MIBKorganic solvent
MIBK
2. 노광하는 단계2. Exposure step
기판과 전극과의 접착력을 향상시키기 위하여 기판에 산소 플라즈마 처리를 수행한 다음, 앞서 제조한 포지티브형 감광성 페이스트 조성물을 기판에 도포한 다음, 스핀 코팅하여 감광층을 형성하였다. 이후 다양한 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 감광층을 선택적으로 노광시켰다. 노광은 UV 노광장비를 이용하여 파장 365nm의 자외선으로 100 내지 10000mJ의 에너지를 조사하였다. In order to improve adhesion between the substrate and the electrode, the substrate was treated with oxygen plasma, and then the prepared positive photosensitive paste composition was applied to the substrate, followed by spin coating to form a photosensitive layer. Then, the photosensitive layer was selectively exposed to light using a photomask having various patterns. For exposure, energy of 100 to 10000 mJ was irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm using UV exposure equipment.
3. 가열하는 단계 - 현상하여 패턴을 형성하는 단계 - 산 처리하는 단계3. Heating - Development to form a pattern - Acid treatment
비노광부를 경화시키기 위하여 노광된 샘플을 핫플레이트에서 100℃로 90초 동안 열처리하였다. 이후 메틸아이소부틸케톤(MIBK)과 아이소프로판올(IPA) 혼합액으로 노광부를 선택적으로 제거하여 현상하였다. 현상하는 단계로 패턴이 전극 상에 마련되었으며, 다양한 패턴의 사진을 도 2에 나타내었다. 이후 농도 30%의 염산(HCl) 수용액 증기를 이용하여 패턴이 마련된 전극을 산 처리하였다. 산 처리는 60초 동안 수행하였다.In order to harden the unexposed portion, the exposed sample was heat treated at 100° C. for 90 seconds on a hot plate. Thereafter, the exposed portion was selectively removed with a mixture of methyl isobutyl ketone (MIBK) and isopropanol (IPA) and developed. A pattern was prepared on the electrode in the developing step, and pictures of various patterns are shown in FIG. 2 . Thereafter, the patterned electrode was treated with acid using a hydrochloric acid (HCl) solution vapor having a concentration of 30%. Acid treatment was performed for 60 seconds.
실시예 2 제조Example 2 Preparation
산 처리는 180초 동안 수행한 점 외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 제조하였다.Acid treatment was prepared under the same conditions as in Example 1 except that it was performed for 180 seconds.
실시예 3 제조Example 3 Preparation
산 처리는 300초 동안 수행한 점 외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 제조하였다.Acid treatment was prepared under the same conditions as in Example 1 except that it was performed for 300 seconds.
이하의 표 2는 각 실시예의 HCl 산 처리 시간에 따른 저항과 전도도 변화를 나타낸 표이다. Table 2 below is a table showing changes in resistance and conductivity according to HCl acid treatment time in each Example.
표 2를 참조하면 실시예 1~3은 현상 이후 후속되는 산 처리로 인해 전도성이 대폭 향상되었다. Referring to Table 2, the conductivity of Examples 1 to 3 was significantly improved due to subsequent acid treatment after development.
구체적으로, 실시예 1은 산 처리 전, 후의 저항이 2.99배 줄어들었으며, 전기전도도는 3.99배 증가하였다. 실시예 2는 산 처리 전, 후의 저항이 5.45배 줄어들었으며, 전기전도도는 6.46배 증가하였다. 실시예 3은 산 처리 전, 후의 저항이 8.17배 줄어들었으며, 전기전도도는 9.17배 증가하였다.Specifically, in Example 1, the resistance before and after acid treatment was reduced by 2.99 times, and the electrical conductivity was increased by 3.99 times. In Example 2, the resistance before and after acid treatment decreased by 5.45 times, and the electrical conductivity increased by 6.46 times. In Example 3, the resistance before and after the acid treatment decreased by 8.17 times, and the electrical conductivity increased by 9.17 times.
Claims (14)
중량%로, 실버 플레이크 30 내지 60%, 액체금속 10 내지 30%, 열경화성 폴리실록산 화합물의 단량체 10 내지 30%, 열경화제 0% 초과 5% 이하, 광중합 개시제 0% 초과 5% 이하, 유기용매 0% 초과 15% 이하 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 포지티브형 감광성 페이스트 조성물.According to claim 1,
In weight percent, silver flakes 30 to 60%, liquid metal 10 to 30%, thermosetting polysiloxane compound monomers 10 to 30%, heat curing agent more than 0% and less than 5%, photopolymerization initiator more than 0% and less than 5%, organic solvent 0% A positive type photosensitive paste composition containing more than 15% and other unavoidable impurities.
상기 액체금속은 갈륨-인듐 공융합금(EGaIn)을 포함하는 포지티브형 감광성 페이스트 조성물.According to claim 1,
The positive type photosensitive paste composition of claim 1 , wherein the liquid metal includes gallium-indium eutectic alloy (EGaIn).
상기 열경화성 폴리실록산 화합물은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 포지티브형 감광성 페이스트 조성물.According to claim 1,
The positive-type photosensitive paste composition of claim 1, wherein the thermosetting polysiloxane compound includes polydimethylsiloxane (PDMS).
상기 열경화제는 Pt 기반 촉매 또는 실록산 경화제를 포함하는 포지티브형 감광성 페이스트 조성물.According to claim 1,
The positive photosensitive paste composition comprising a Pt-based catalyst or a siloxane curing agent.
상기 광중합 개시제는 아세토페논, 벤조페논, 미힐러케톤, 벤조인, 벤질메틸케탈, 벤조일벤조에이트, α-아실옥심에스테르, 티옥산톤류 중 하나 이상을 포함하는 포지티브형 감광성 페이스트 조성물.According to claim 1,
The photopolymerization initiator is a positive type photosensitive paste composition comprising at least one of acetophenone, benzophenone, Michler's ketone, benzoin, benzylmethylketal, benzoylbenzoate, α-acyloxime ester, and thioxanthones.
미리 정해진 패턴이 마련된 포토마스크를 이용하여 상기 감광층을 노광하는 단계;
50 내지 150℃의 온도에서 5분 이내로 가열하는 단계;
현상하여 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 형성된 패턴을 산 처리하는 단계;를 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법.Forming a photosensitive layer on a substrate by applying the positive photosensitive paste composition according to any one of claims 1 to 6;
exposing the photosensitive layer to light using a photomask having a predetermined pattern;
heating within 5 minutes at a temperature of 50 to 150 ° C;
developing to form a pattern; and
Acid treatment of the formed pattern; method of manufacturing an electrode provided with a conductive pattern comprising a.
상기 노광하는 단계는,
파장 365nm의 자외선을 이용하여 100 내지 10000mJ의 에너지를 조사하는 것을 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법.According to claim 7,
In the exposure step,
A method of manufacturing an electrode provided with a conductive pattern comprising irradiating energy of 100 to 10000 mJ using ultraviolet light having a wavelength of 365 nm.
상기 산 처리하는 단계는,
HCl을 포함하는 산으로 산 처리하는 것을 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법.According to claim 7,
The acid treatment step,
A method of manufacturing an electrode provided with a conductive pattern comprising acid treatment with an acid containing HCl.
상기 산 처리하는 단계는,
농도 20 내지 40%의 산을 이용하여 60초 이상 산 처리하는 것을 포함하는 전도성 패턴이 마련된 전극의 제조방법.According to claim 7,
The acid treatment step,
A method of manufacturing an electrode provided with a conductive pattern comprising acid treatment for 60 seconds or more using an acid having a concentration of 20 to 40%.
상기 전도성 패턴의 저항은 10Ω 이하인 것을 특징으로 하는, 전도성 패턴이 마련된 전극.According to claim 11,
An electrode provided with a conductive pattern, characterized in that the resistance of the conductive pattern is 10Ω or less.
상기 전도성 패턴의 전기전도도는 2000S/cm 이상인 것을 특징으로 하는, 전도성 패턴이 마련된 전극.According to claim 11,
An electrode provided with a conductive pattern, characterized in that the electrical conductivity of the conductive pattern is 2000 S / cm or more.
An electronic device comprising the electrode according to any one of claims 11 to 13.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230077363A true KR20230077363A (en) | 2023-06-01 |
| KR102608305B1 KR102608305B1 (en) | 2023-11-30 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210164558A KR102608305B1 (en) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | Positive photosensitive paste composition, electrode provided with conductive pattern using the same, and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102608305B1 (en) |
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