KR20230073491A - Apparatus for Atomic Layer Deposition of Time-Space Division having Inductively Coupled Plasma - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 시공간분할 원자층 증착장치에 관한 것이다. 구체적으로는 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a space-time division atomic layer deposition apparatus. Specifically, it relates to a space-time division atomic layer deposition apparatus having an inductively coupled plasma.
참고로, 본 발명은 경기도 반도체ㆍ디스플레이 소재ㆍ부품ㆍ장비산업 자립화 연구지원사업의 지원으로 수행되었다.For reference, the present invention was carried out with the support of the Gyeonggi-do semiconductor, display material, parts, and equipment industry self-sufficiency research support project.
원자층 증착은 반도체 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 방법으로 널리 이용되고 있으며, CIGS 태양전지 기판, Si 태양전지 기판 및 OLED 디스플레이 기판 등에 박막을 증착하는 방법으로 확대 적용되고 있다. Atomic layer deposition is widely used as a method of depositing a thin film on a semiconductor wafer, and is being widely applied as a method of depositing thin films on CIGS solar cell substrates, Si solar cell substrates, and OLED display substrates.
통상의 원자층 증착 과정은 그 한 사이클이 다음과 같이 4개의 단계로 구성된다. In a typical atomic layer deposition process, one cycle is composed of four steps as follows.
제1 단계에서는 원료 전구체(source precursor), 예를 들면 TMA(trimethyl-aluminum)를 기판 상으로 분사한다. 원료 전구체는 기판의 표면과 반응하여 기판 표면을 제1 반응층으로 코팅한다.In the first step, a source precursor, for example, trimethyl-aluminum (TMA) is sprayed onto the substrate. The raw material precursor reacts with the surface of the substrate to coat the surface of the substrate with the first reaction layer.
제2 단계인 퍼지 가스 분사 단계에서는 질소 등의 불활성 가스를 기판으로 분사하여 기판 표면에 물리적으로 흡착되어 있는 원료 전구체를 제거한다.In the second step, the purge gas injection step, an inert gas such as nitrogen is injected to the substrate to remove the raw material precursor physically adsorbed on the substrate surface.
제3 단계에서는 반응 전구체(reactant precursor), 예를 들면 H2O를 기판 상으로 분사한다. 반응 전구체는 제1 반응층과 반응하여 기판 표면을 제2 반응층으로 코팅한다.In the third step, a reactant precursor, for example H2O, is sprayed onto the substrate. The reactive precursor reacts with the first reactive layer to coat the surface of the substrate with the second reactive layer.
제4 단계인 퍼지 가스 분사 단계에서는 불활성 가스를 기판으로 분사하여 기판 표면에 물리적으로 흡착되어 있는 반응 전구체를 제거한다. 이러한 사이클을 거침으로써 제1 반응층과 제2 반응층으로 구성되는 단층의 박막, 예를 들면 Al2O3 박막을 기판 상에 증착하게 된다. 원하는 두께의 박막을 얻기 위해서는 상기 사이클을 반복한다.In the fourth step, the purge gas injection step, an inert gas is injected to the substrate to remove the reactive precursor physically adsorbed on the substrate surface. By going through this cycle, a single-layer thin film composed of a first reaction layer and a second reaction layer, for example, an Al2O3 thin film, is deposited on the substrate. The above cycle is repeated to obtain a thin film of the desired thickness.
본 발명에 따른 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치는 종래 공간분할 기술 대신에 시공간분할 기술을 적용하여 공간 분할의 생산성을 향상시키고자 하는 해결과제를 가진다.The space-time division atomic layer deposition apparatus having inductively coupled plasma according to the present invention has a problem to improve the productivity of space division by applying space-time division technology instead of conventional space division technology.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems of the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명은 시공간분할 원자층 증착장치로서, CCP 타입의 FAST-ALD 인젝터에 ICP 소스(Source)를 장착하며, 연의 직육면체 반응공간을 제작하여 Cu 코일을 적용하며, 낮은 압력에서도 동작가능한 ICP 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치이다.The present invention is a space-time division atomic layer deposition apparatus, in which an ICP source is mounted on a CCP type FAST-ALD injector, a rectangular parallelepiped reaction space is fabricated, a Cu coil is applied, and ICP characteristics capable of operating at low pressure are realized. It is a space-time division atomic layer deposition apparatus having an inductively coupled plasma, characterized in that.
본 발명에 따른 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치는 다음과 같은 효과를 가진다.The space-time division atomic layer deposition apparatus having inductively coupled plasma according to the present invention has the following effects.
첫째, 공간분할의 높은 생산성을 가질 수 있다.First, it can have high productivity of spatial division.
둘째, 시간분할의 파티클 제어를 할 수 있는 효과가 있다.Second, there is an effect of time-division particle control.
셋째, 풋프린트가 대폭 감소되는 효과가 있다. Third, there is an effect of greatly reducing the footprint.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
도 1은 시공간 분할 원자층 증착 공정의 기판 이송 모식도이다. 기판 로딩 후 양방향 기판 이송을 통해 원자층 증착 공정 코팅이 수행됨. 코팅은 편도 이동에 1층이 증착될 수 있으며, 왕복 운동에 1층이 증착될 수도 있다.
도 2는 시공간 분할 원자층 증착 장비의 소스 및 가스공급과 기판 이송에 따른 증착 형태를 모식화한 것이다. 시공간 분할 원자층 증착 장비 인젝터 단면을 표현하였으며, 소스 및 리엑턴트를 순차적으로 주입하여 원자층 1층이 증착되는 것을 모식화 하였다. 인젝터에 소스 및 리엑턴트 수량에 따라 스캔 1회에 증착되는 원자층 층수가 결정될 수 있다.
도 3은 기존 구리봉을 이용한 CCP 형태의 인젝터 모식도이다. 기존 구리봉을 이용한 CCP 플라즈마를 표현하였으며, Y축 방향의 단면과 X축 방향의 단면을 그림으로 표현하였다.
도 4는 기존 원통형 ICP 형태의 플라즈마 소스 구동 원리의 개요도이다. 원통 반응기 외부에 코일형태로 전극을 인가하면 원통 반응기 내부로 전자기장이 발생하고, 그 내부에 가스가 주입되면서 플라즈마 방전이 일어난다.
도 5는 기존 원통형 ICP 형태의 원자층 증착장비의 소스와 플라즈마 공급 개요도이다. 초록색의 리엑턴트 가스가 ICP를 통해 플라즈마를 형성하여 챔버 내부로 투입되며, 소스는 별도의 가스 라인을 통해 측면부에서 챔버 내부로 투입된다.
도 6은 직사각형 형태의 ICP 장치의 개요도로서, 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치의 개요도이다. 직사각형 형태의 ICP 플라즈마 소스를 의미하며, 시공간 분할 원자층 증착 장비의 리엑터에 설치되어 플라즈마를 기판에 공급한다.
도 7은 시공간 분할 및 공간분할 원자층 증착 공정의 구분의 일 실시예이다. 공간분할은 소스, 퍼지, 리엑턴트가 공간 구분으로 지속적으로 공급되는 과정에서 기판이 이동하며, 시공간분할은 소스와 리엑턴트의 시간 차이에 따른 분할과 공간 구분을 동시에 적용하는 것을 의미하며, 이를 설명하는 도면이다.1 is a schematic diagram of substrate transfer in a space-time division atomic layer deposition process. After substrate loading, atomic layer deposition process coating is performed through bi-directional substrate transfer. The coating may be deposited in one layer in one-way motion, or in one layer in reciprocating motion.
2 schematically illustrates the deposition form according to source and gas supply and substrate transfer of space-time division atomic layer deposition equipment. The cross-section of the injector of the space-time division atomic layer deposition equipment is represented, and the deposition of the first atomic layer by sequentially injecting the source and the reactant is modeled. The number of atomic layers deposited in one scan may be determined according to the number of sources and reactants in the injector.
3 is a schematic diagram of a CCP type injector using a conventional copper rod. The CCP plasma using the existing copper rod was expressed, and the cross section in the Y-axis direction and the X-axis direction were expressed in pictures.
4 is a schematic diagram of a principle of driving a conventional cylindrical ICP type plasma source. When an electrode in the form of a coil is applied to the outside of the cylindrical reactor, an electromagnetic field is generated inside the cylindrical reactor, and a plasma discharge occurs while gas is injected into the reactor.
5 is a schematic diagram of a source and plasma supply of an existing cylindrical ICP type atomic layer deposition equipment. A green reactant gas forms plasma through the ICP and is introduced into the chamber, and a source is introduced into the chamber from the side part through a separate gas line.
6 is a schematic diagram of a rectangular ICP apparatus, and a schematic diagram of a space-time domain atomic layer deposition apparatus having an inductively coupled plasma. It means a rectangular ICP plasma source, and is installed in the reactor of space-time division atomic layer deposition equipment to supply plasma to the substrate.
7 is an embodiment of the division of space-time division and space-division atomic layer deposition processes. Space division means that the substrate moves while the source, fuzzy, and reactant are continuously supplied by space division, and space-time division means that division and space division according to the time difference between the source and the reactant are applied at the same time. It is a drawing to
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described so that those skilled in the art can easily practice it. As can be easily understood by those skilled in the art to which the present invention pertains, the embodiments described below may be modified in various forms without departing from the concept and scope of the present invention. Where possible, identical or similar parts are indicated using the same reference numerals in the drawings.
본 명세서에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지는 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.The terminology used in this specification is only for referring to specific embodiments and is not intended to limit the present invention. As used herein, the singular forms also include the plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite.
본 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used herein, the meaning of "comprising" specifies particular characteristics, regions, integers, steps, operations, elements, and/or components, and other specific characteristics, regions, integers, steps, operations, elements, components, and/or components. It does not exclude the presence or addition of groups.
본 명세서에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical terms and scientific terms used in this specification have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. The terms defined in the dictionary are additionally interpreted as having a meaning consistent with the related technical literature and the currently disclosed content, and are not interpreted in an ideal or very formal meaning unless defined.
본 명세서에서 사용되는 방향에 관한 표현, 예를 들어 전/후/좌/우의 표현, 상/하의 표현, 종방향/횡방향의 표현은 도면에 개시된 방향을 참고하여 해석될 수 있다.Expressions related to directions used in this specification, for example, expressions of front/back/left/right, top/bottom, and longitudinal/lateral directions may be interpreted with reference to directions disclosed in the drawings.
종래 Plasma Enhanced FAST-ALD는 Cu 전극봉을 이용한 CCP Type의 Direct Plasma를 사용하였다. CCP 사용시 기판에 가해지는 Plasma Damage로 인한 박막 또는 소자 손상을 야기하였다.Conventional Plasma Enhanced FAST-ALD used CCP Type Direct Plasma using Cu electrode. When using CCP, plasma damage applied to the substrate caused thin film or device damage.
Injector에 발생한 스크래치 또는 모서리로 전자들이 몰려 Arcing 발생률이 높았다. Cu봉과 Injector 사이에서 발생되는 기생 플라즈마로 인해 Short 발생이 빈번하였다.The occurrence rate of arcing was high because electrons flocked to the scratches or corners of the injector. Shorts occurred frequently due to parasitic plasma generated between the Cu rod and the injector.
CCP 특성상 500~1000 mTorr 이상의 높은 압력에서 공정이 가능하다. Cu봉과 Substrate 사이 전위차에 의해 플라즈마가 발생하여 Substrate 구조(높이)에 따라 플라즈마가 불안정하게 발생하였다, 이는 기판이 Injector를 Scanning하면서 증착하는 이유이다.Due to the characteristics of CCP, it is possible to process at high pressures of 500 to 1000 mTorr or more. Plasma was generated by the potential difference between the Cu rod and the substrate, and the plasma was generated unstable depending on the substrate structure (height). This is the reason the substrate is deposited while scanning the injector.
종래 ICP Source는 Cu Coil에 흐르는 전류를 이용하여 유도 전자기장을 발생시켜 Plasma를 형성하였다. 원통의 Quartz 유리관에 Cu Coil을 감아 RF Power를 인가하여 사용하였다. Indirect Plasma로 기판 Damage가 적으며, 50~500 mTorr의 낮은 압력에서 ALD 공정이 가능하다.In the conventional ICP Source, plasma was formed by generating an induced electromagnetic field using a current flowing through a Cu Coil. It was used by applying RF power by winding Cu Coil around a cylindrical quartz glass tube. With Indirect Plasma, there is little damage to the substrate, and the ALD process is possible at a low pressure of 50 to 500 mTorr.
이하에서는 도면을 참고하여 본 발명을 설명하고자 한다. 참고로, 도면은 본 발명의 특징을 설명하기 위하여, 일부 과장되게 표현될 수도 있다. 이 경우, 본 명세서의 전 취지에 비추어 해석되는 것이 바람직하다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. For reference, the drawings may be partially exaggerated in order to explain the features of the present invention. In this case, it is preferable to interpret in light of the whole purpose of this specification.
먼저, FAST-ALD의 원리 및 대면적 적용에 관한 구성을 살펴보면 다음과 같다.First, the principle of FAST-ALD and the configuration related to large-area application are as follows.
도 1은 시공간 분할 원자층 증착 공정의 기판 이송 모식도이다. 기판 로딩 후 양방향 기판 이송을 통해 원자층 증착 공정 코팅이 수행됨. 코팅은 편도 이동에 1층이 증착될 수 있으며, 왕복 운동에 1층이 증착될 수도 있다.1 is a schematic diagram of substrate transfer in a space-time division atomic layer deposition process. After substrate loading, atomic layer deposition process coating is performed through bi-directional substrate transfer. The coating may be deposited in one layer in one-way motion, or in one layer in reciprocating motion.
도 2는 시공간 분할 원자층 증착 장비의 소스 및 가스공급과 기판 이송에 따른 증착 형태를 모식화한 것이다. 시공간 분할 원자층 증착 장비 인젝터 단면을 표현하였으며, 소스 및 리엑턴트를 순차적으로 주입하여 원자층 1층이 증착되는 것을 모식화 하였다. 인젝터에 소스 및 리엑턴트 수량에 따라 스캔 1회에 증착되는 원자층 층수가 결정될 수 있다.2 schematically illustrates the deposition form according to source and gas supply and substrate transfer of space-time division atomic layer deposition equipment. The cross-section of the injector of the space-time division atomic layer deposition equipment is represented, and the deposition of the first atomic layer by sequentially injecting the source and the reactant is modeled. The number of atomic layers deposited in one scan may be determined according to the number of sources and reactants in the injector.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 서셉터가 1회 Scanning 하면서, Source/Purge/Reactant/Purge가 동시에 이루어질 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, while the susceptor scans once, Source/Purge/Reactant/Purge can be performed simultaneously.
전방(Forward) 방향으로 1회 이동시 1cycle(박막 1층 이상 증착)이며, 후방(Backward) 방향으로 1회 이동시 다시 1층이 재 증착될 수 있다.When moving once in the forward direction, it is 1 cycle (deposition of one or more thin films), and when moving once in the backward direction, one layer can be redeposited again.
인젝터의 노즐 구간이 많을 수록 1회 이동시 증착되는 박막 층수가 증가할 수 있다. 기존 ALD 장비에 비해 증착 속도가 빠르다.As the number of nozzle sections of the injector increases, the number of thin film layers deposited during one movement may increase. Deposition speed is faster than conventional ALD equipment.
이동 방향 길이의 기판 크기 제한이 줄어 들어 대면적 기판 적용이 가능하게 된다.The limitation of the substrate size in the length of the moving direction is reduced, enabling the application of large-area substrates.
도 5는 기존 원통형 ICP 형태의 원자층 증착장비의 소스와 플라즈마 공급 개요도이다. 초록색의 리엑턴트 가스가 ICP를 통해 플라즈마를 형성하여 챔버 내부로 투입되며, 소스는 별도의 가스 라인을 통해 측면부에서 챔버 내부로 투입된다.5 is a schematic diagram of a source and plasma supply of an existing cylindrical ICP type atomic layer deposition equipment. A green reactant gas forms plasma through the ICP and is introduced into the chamber, and a source is introduced into the chamber from the side part through a separate gas line.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명은 CCP type FAST-ALD Injector에 ICP Source를 장착한 것에 차별성을 가지는 기술구성이다.As shown in FIG. 5, the present invention is a technical configuration having a differentiation in that the ICP Source is installed in the CCP type FAST-ALD Injector.
원통 Quartz 유리관을 대체하는 절연의 직육면체 반응공간을 제작하여 Cu Coil을 도 5와 같이 적용할 수 있다.Cu Coil can be applied as shown in FIG. 5 by manufacturing an insulated rectangular parallelepiped reaction space that replaces the cylindrical Quartz glass tube.
직육면체 ICP Source는 기존 CCP type FAST-ALD의 Cu 봉 위치를 대체할 수 있다.The cuboid ICP Source can replace the Cu rod position of the existing CCP type FAST-ALD.
도 5에 도시된 바와 같이, Source, Purge 구간의 Hole과 Exhaust 표면은 제외될 수 있다.As shown in FIG. 5, the hole and exhaust surfaces of the source and purge sections can be excluded.
또한, 낮은 압력에서도 동작가능한 ICP 특성을 반영할 수 있다.In addition, ICP characteristics capable of operating even at low pressure may be reflected.
이하에서는 기존기술인 공간분할 기술과 본 발명에 따른 시공간분할 기술을 대비하여 차이점을 제시하고자 한다.Hereinafter, differences between space division technology, which is an existing technology, and space-time division technology according to the present invention will be presented.
첫째, ALD원의 관점에서 살펴보고자 한다.First, let's look at it from the point of view of an ALD source.
기존의 공간분할 기술은 Air curtain이 필수이다. 이로 인하여 증착원 피치(W)가 길어진다. 증착원 피치 증가에 따라 기판 이동 거리가 길어지게 된다.Existing space division technology requires an air curtain. As a result, the evaporation source pitch W is increased. As the deposition source pitch increases, the substrate movement distance increases.
반면에, 본 발명에 따른 시공간분할 기술은 Air curtain가 불필요하다. 증착원 피치가 ½ 이상 감소될 수 있다. 이로 인한 기판 이동 거리 감소로 생산성이 향상될 수 있다.On the other hand, the space-time division technology according to the present invention does not require an air curtain. The evaporation source pitch can be reduced by ½ or more. Productivity can be improved by reducing the substrate movement distance due to this.
둘째, 선형 플라즈마의 관점에서 살펴보고자 한다.Second, we will look at it from the point of view of linear plasma.
기존의 공간분할 기술은 기판 처리가 완료될 때까지 플라즈마를 계속해서 ON 시키게 된다. 이로 인해 플라즈마 발생장치에 과부하될 수 있다.Conventional spatial division technology continuously turns on plasma until substrate processing is completed. This may overload the plasma generating device.
반면에, 본 발명에 따른 시공간분할 기술은 On/Off 반복하여 TMA 동시에 분사되는 것을 봉쇄하여, 파티클을 개선시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 발생장치에 과부하가 걸리는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the space-time division technique according to the present invention blocks simultaneous injection of TMA by repeating On/Off, thereby improving particles. In addition, it is possible to prevent the plasma generating device from being overloaded.
셋째, 가스공급의 관점에서 살펴보고자 한다.Third, let's look at it from the point of view of gas supply.
기존의 공간분할 기술은 원료전구체(TMA)와 O2 플라즈마의 동시 분사(파티클)로 수행될 수 있다.Conventional space division technology can be performed by simultaneous injection (particles) of a raw material precursor (TMA) and O 2 plasma.
반면에, 본 발명에 따른 시공간분할 기술은 원료전구체(TMA)와 O2 플라즈마의 교번 분사가 가능하다. 또한, O2 가스가 TMA 퍼지 가스 역할을 담당할 수 있다.On the other hand, in the space-time division technology according to the present invention, alternate injection of the raw material precursor (TMA) and O 2 plasma is possible. In addition, O 2 gas may serve as a TMA purge gas.
표 1은 기존 기술인 공간분할 기술과 본 발명에 따른 시공간분할 기술을 대비한 자료이다.Table 1 shows data comparing space-time division technology, which is an existing technology, and space-time division technology according to the present invention.
도 7은 시공간 분할 및 공간분할 원자층 증착 공정의 구분의 일 실시예이다. 공간분할은 소스, 퍼지, 리엑턴트가 공간 구분으로 지속적으로 공급되는 과정에서 기판이 이동하며, 시공간분할은 소스와 리엑턴트의 시간 차이에 따른 분할과 공간 구분을 동시에 적용하는 것을 의미하며, 이를 설명하는 도면이다.7 is an embodiment of the division of space-time division and space-division atomic layer deposition processes. Space division means that the substrate moves while the source, fuzzy, and reactant are continuously supplied by space division, and space-time division means that division and space division according to the time difference between the source and the reactant are applied at the same time. It is a drawing to
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 시공간분할 기술은 공간분할의 높은 생산성, 시간분할의 파티클 제어 및 풋프린트의 대폭 감소라는 장점을 가질 수 있다.As shown in FIG. 7 , the space-time division technology according to the present invention can have advantages of high productivity of space division, particle control of time division, and significant reduction in footprint.
본 명세서에서 설명되는 실시예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments described in this specification and the accompanying drawings merely illustrate some of the technical ideas included in the present invention by way of example. Therefore, since the embodiments disclosed in this specification are intended to explain rather than limit the technical spirit of the present invention, it is obvious that the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. All modified examples and specific examples that can be easily inferred by those skilled in the art within the scope of the technical idea included in the specification and drawings of the present invention should be construed as being included in the scope of the present invention.
Claims (1)
CCP 타입의 FAST-ALD 인젝터에 ICP 소스(Source)를 장착하며,
절연의 직육면체 반응공간을 제작하여 Cu 코일을 적용하며,
낮은 압력에서도 동작가능한 ICP 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 갖는 시공간분할 원자층 증착장치.
As a space-time division atomic layer deposition apparatus,
The ICP source is installed on the CCP type FAST-ALD injector,
A Cu coil is applied by manufacturing an insulated cuboid reaction space,
A space-time division atomic layer deposition apparatus having an inductively coupled plasma, characterized in that it implements ICP characteristics operable even at low pressure.
Priority Applications (1)
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| KR1020210159953A KR20230073491A (en) | 2021-11-19 | 2021-11-19 | Apparatus for Atomic Layer Deposition of Time-Space Division having Inductively Coupled Plasma |
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Publications (1)
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