KR20230072831A - 싱글 크리스탈 - Google Patents
싱글 크리스탈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230072831A KR20230072831A KR1020210159455A KR20210159455A KR20230072831A KR 20230072831 A KR20230072831 A KR 20230072831A KR 1020210159455 A KR1020210159455 A KR 1020210159455A KR 20210159455 A KR20210159455 A KR 20210159455A KR 20230072831 A KR20230072831 A KR 20230072831A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- self
- flux method
- present
- nbo3
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000007716 flux method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
본 발명은 싱글 크리스탈에 관한 것으로서 거대한 단결정으로 만들어 압전효과가 용이하도록 함으로써 기존의 PB가 환경으로 배출되는 문제점을 해소 하도록 한 것이다.
즉 본 발명은, 압전물질에 있어서 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 Na2O으로 구성한 것이다.
따라서, 본 발명은 거대한 단결정으로 만들어 압전효과가 용이하도록 함으로써 기존의 PB가 환경으로 배출되는 문제점을 해소하도록 한 효과를 갖는 것이다.
즉 본 발명은, 압전물질에 있어서 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 Na2O으로 구성한 것이다.
따라서, 본 발명은 거대한 단결정으로 만들어 압전효과가 용이하도록 함으로써 기존의 PB가 환경으로 배출되는 문제점을 해소하도록 한 효과를 갖는 것이다.
Description
본 발명은 싱글 크리스탈에 관한 것으로서,
더욱 상세하게는 압전물질에 있어서,
싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 Na2O으로 구성 하여서,
거대한 단결정으로 만들어 압전효과가 용이하도록 함을 목적으로 한 것이다.
일반적으로 압전물질은 전하와 기계적 변종하는 것이다.
상기한 바와 같이 압전물질은 전기분극, 전기장으로 구성된 것이다.
이상과 같은 압전물질은 전기장을 받으면 전기분극이 발생하는 것이다.
그러나 상기한 바와 같은 종래의 압전물질은 PB가 환경으로 배출되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 종래의 압전물질이 PB가 환경으로 배출되는 문제점을 해결하기 위한 것이다.
즉, 본 발명은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 Na2O으로 구성한 것이다.
따라서 본 발명은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 Na2O으로 구성 함으로써, 거대한 단결정으로 만들어 압전효과가 용이하도록 한 효과를 갖는 것이다.
도 1: 실험을 위한 방법
즉, 본 발명은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (1)(Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (2)K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (3)Na2O으로 구성 된 것이다.
여기서, (1)(Na0.5k0.5)NbO3은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 것이다.
여기서, (2)K2O은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 것이다.
여기서, (3)Na2O은 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 것이다.
이하, 본 발명의 사용과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.
상기한 바와 같이 본 발명은 압전물질에 있어서 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (1)(Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (2)K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (3)Na2O으로 구성된 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, PB가 환경으로 배출되는 문제점을 해소하도록 한 것이다.
또한 본 발명의 실시에 있어, 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (1)(Na0.5k0.5)NbO3으로 구성한 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 될 것이다.
또한 본 발명의 실시에 있어, 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (2)K2O으로 구성한 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 될 것이다.
또한 본 발명의 실시에 있어, 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (3)Na2O으로 구성한 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 될 것이다.
1: (Na0.5k0.5)NbO3, 2: K2O, 3: Na2O
Claims (4)
- 압전물질에 있어서,
싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (1)(Na0.5k0.5)NbO3, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (2)K2O, 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성한 (3)Na2O으로 구성 된 것을 특징으로 하는 싱글 크리스탈. - 제 1항에 있어서,
(1)(Na0.5k0.5)NbO3을 통하여 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성함을 특징으로 하는 싱글 크리스탈. - 제 1항에 있어서,
(2)K2O을 통하여 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성함을 특징으로 하는 싱글 크리스탈. - 제 1항에 있어서,
(3)Na2O을 통하여 싱글 크리스탈을 구성하기 위해 셀프플럭스 방법으로 싱글크리스탈을 구성함을 특징으로 하는 싱글 크리스탈.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210159455A KR20230072831A (ko) | 2021-11-18 | 2021-11-18 | 싱글 크리스탈 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210159455A KR20230072831A (ko) | 2021-11-18 | 2021-11-18 | 싱글 크리스탈 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230072831A true KR20230072831A (ko) | 2023-05-25 |
Family
ID=86541903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210159455A KR20230072831A (ko) | 2021-11-18 | 2021-11-18 | 싱글 크리스탈 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230072831A (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130112394A (ko) | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 주식회사 황조지이 | 고효율 하이브리드식 히트펌프장치 |
-
2021
- 2021-11-18 KR KR1020210159455A patent/KR20230072831A/ko unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130112394A (ko) | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 주식회사 황조지이 | 고효율 하이브리드식 히트펌프장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1353443A3 (en) | Spring contact | |
CA2501580A1 (en) | Method of forming strained silicon on insulator (ssoi) and structures formed thereby | |
WO2007033445A8 (fr) | Dispositif et procede de marquage interne par laser | |
WO2009001650A1 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
MY183580A (en) | Wafer production method | |
WO2006060030A3 (en) | High energy crystal generators and their applications | |
KR20230072831A (ko) | 싱글 크리스탈 | |
Carrillo-Bastos et al. | Enhanced asymmetric valley scattering by scalar fields in nonuniform out-of-plane deformations in graphene | |
JP2019145328A5 (ko) | ||
ATE319190T1 (de) | Verfahren zum polarisieren von ferroelektrischem material | |
JP2020170868A5 (ko) | ||
TW200717663A (en) | Method of forming gate electrode structures | |
WO2016001090A3 (en) | Optical manipulator, projection lens and projection exposure apparatus | |
WO2020173727A8 (de) | Elektrisches bauelement | |
WO2018226156A8 (en) | SERICIN-BASED BINDER FOR ELECTRODES | |
GB883207A (en) | Improvements in or relating to methods for producing semi-conductive devices | |
JPH02201977A (ja) | 圧電アクチュエータの駆動方法 | |
CN204053978U (zh) | 拉晶管破碎锤 | |
CN104149212B (zh) | 一种可实现完全走离补偿的非线性光学晶体的切割方法 | |
WO2022243908A3 (en) | Resonator device | |
JPS55127717A (en) | Production of piezoelectric vibrator with partial electrode added | |
Hussin et al. | Study of geometrical and electronic structure of lanthanum doped PbTiO3 and PbZrTiO3: First principles calculation | |
Eneman et al. | FinFET stressor efficiency on alternative wafer and channel orientations for the 14 nm node and below | |
CN115394917A (zh) | 铁电开关器件、制备方法、控制方法及三维存储器 | |
Wang et al. | A strategy to evaluate the properties of circular ring dielectric actuators |