KR20230066363A - Led 소자용 기판 및 화상 표시 장치 - Google Patents

Led 소자용 기판 및 화상 표시 장치 Download PDF

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가즈타카 오노
다케후미 아베
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

유리를 갖고, LED 소자가 마련되기 위한 기판이며, 상기 기판의 적어도 한쪽의 주면이 흑색이고, (A) 상기 흑색의 주면 상에 1 이상의 LED 소자가 마련되는 LED 소자용 기판, 또는 (B) 상기 기판은 다공을 갖고, 상기 다공 내에 1 이상의 LED 소자가 마련되는 LED 소자용 기판.

Description

LED 소자용 기판 및 화상 표시 장치
본 발명은, LED 소자용 기판 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 소자를 사용한 화상 표시 장치는, 대형 비전, 거리 광고, 디지털 카메라, 차량 탑재용 디스플레이, 노트북 PC, 태블릿 단말기 등, 다양한 디스플레이로서 사용되고 있다.
특허문헌 1 및 2에는, 기판으로서 착색되어 있지 않은 유리나 합성 수지 기판을 사용한 LED 화상 표시 장치가 기재되어 있다.
일본 특허 공개 2011-233733호 공보 일본 특허 공개 2001-24235호 공보
근년, LED 화상 표시 장치는, 옥내뿐만 아니라, 옥외에서 사용되는 경우가 증가하고 있다. 화상 표시 장치가 외광에 노출되면, 표면 요철에 의해 발생할 수 있는 난반사에 기인한다고 생각되는 콘트라스트비의 저하나, 자외선, 수분 등에 의한 표면 부재의 경년 열화가 염려된다.
특허문헌 1 및 2에 기재된 화상 표시 장치에서는, 상기 문제점에 있어서 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 화상 표시 장치에 사용한 때에, 옥외에서 사용해도, 콘트라스트비가 저하되지 않아, 표면 부재가 열화되기 어려운 LED 소자용 기판 및 당해 기판을 구비한 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 하기 기판 등에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
〔1〕 유리를 갖고, LED 소자가 마련되기 위한 기판이며,
상기 기판의 적어도 한쪽의 주면이 흑색이고,
상기 흑색의 주면 상에 1 이상의 LED 소자가 마련되는, LED 소자용 기판.
〔2〕 유리를 갖고, LED 소자가 마련되기 위한 기판이며,
상기 기판의 적어도 한쪽의 주면이 흑색이고,
상기 기판은 다공을 갖고,
상기 다공 내에 1 이상의 LED 소자가 마련되는, LED 소자용 기판.
〔3〕 상기 다공은 테이퍼 형상을 갖는 〔2〕에 기재된 LED 소자용 기판.
〔4〕 상기 다공은 구멍 내면에 반사막을 갖는 〔2〕 또는 〔3〕에 기재된 LED 소자용 기판.
〔5〕 상기 유리가 흑색으로 착색되어 있거나, 또는 상기 기판의 적어도 한쪽의 주면에 흑색의 막을 갖는 〔1〕 내지 〔4〕의 어느 것에 기재된 LED 소자용 기판.
〔6〕 〔1〕 내지 〔5〕의 어느 것에 기재된 LED 소자용 기판과, LED 소자를 갖는 화상 표시 장치.
본 발명에 따르면, 화상 표시 장치에 사용한 때, 옥외에서 사용해도, 콘트라스트비가 저하되지 않아, 표면 부재가 열화되기 어려운 LED 소자용 기판 및 당해 기판을 구비한 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 화상 표시 장치의 실시 형태에 관한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 화상 표시 장치의 다른 실시 형태에 관한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 화상 표시 장치의 다른 실시 형태에 관한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 화상 표시 장치의 다른 실시 형태에 관한 단면도이다.
<LED 소자용 기판>
본 발명의 LED 소자용 기판(이하, 「본 발명의 기판」이라고도 기재한다.)은, LED 소자를 실장하기 위한 기판이다.
본 발명의 기판은 유리 기판을 갖는다. 무기물인 유리를 사용함으로써, 수지 등의 유기물로 형성되는 종래의 기판에 비해, 내광성 및 내후성이 우수하다.
본 발명의 기판은, 적어도 한쪽의 주면이 흑색이다. 그리고 이러한 면이 화상 표시 장치에 있어서의 관찰자측, 즉 정면이다. 기판 주면이 흑색이 아닌 경우, LED 소자가 발광했을 때 난반사가 발생하고, 이에 의해 콘트라스트비가 저하될 우려가 있다. 또한, 옥외에서 사용된 경우, 외광에 노출되어, 표면 요철에 의한 난반사가 발생하고, 이에 의해 콘트라스트비가 저하될 우려가 있다. 기판의 주면이 흑색인 점에서, 이러한 난반사가 억제되어 콘트라스트비가 향상되어, 뚜렷한 흑색을 표시할 수 있다.
주면이 흑색인 기판으로서는, 무색의 유리 기판과 당해 유리 기판의 적어도 한쪽의 주면에 마련된 흑색의 막을 갖는 기판이나, 유리 자체가 흑색을 나타내는 기판을 들 수 있다.
<흑색막을 갖는 유리 기판>
흑색막을 갖는 유리 기판에 있어서, 유리의 재질로서는 특별히 제한되지는 않고, 알칼리 유리, 무알칼리 유리 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 수분에 의한 알칼리 성분의 용출의 우려가 없는 점에서, 무알칼리 유리가 옥외에서의 이용에 적합하다. 또한, 무알칼리 유리는, 열팽창되기 어려운 점이나, 통전에 의한 알칼리 성분의 마이그레이션이 발생하기 어려운 점에서도 적합하다.
유리 조성으로서는, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 하기에 나타내는 조성이 바람직하다.
SiO2: 50 내지 80％, Al2O3: 0 내지 30％, Li2O+Na2O+K2O: 0 내지 25％
흑색막으로서는, 예를 들어 가시광을 흡수에 의해 차광하기 위한 광흡수층과, 가시광의 반사율을 저감시키기 위한 저굴절률층을 갖는 것이 바람직하다. 차광성과 저반사성을 겸비함으로써, 양호한 흑색막이 얻어진다. 흑색막은 또한, 벤타 블랙이나, 파장 380 내지 650㎚에 있어서의 반사율이 4％ 이하로 되는 흑색 페이스트를 사용하여 얻을 수도 있다.
광흡수층으로서는, 가시광을 흡수하는 관점에서, 소쇠 계수가 바람직하게는 0.4 내지 3.5이다.
흑색막으로서는, 예를 들어 제1 광흡수층, 제2 광흡수층, 저굴절률층이 적층된 구조를 들 수 있다.
제1 광흡수층은, 주로 흑색막에 양호한 차광성을 부여하기 위한 층이고, 소쇠 계수가 바람직하게는 2.5 이상인 층이다. 소쇠 계수가 2.5 이상인 것으로, 광투과율이 충분히 낮고, 광흡수층의 막 두께를 두껍게 하지 않아도 충분한 차광성이 얻어진다.
제1 광흡수층은, 구체적으로는, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 철, 니켈, 티타늄 및 저급 산화크롬에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 「저급 산화크롬」이란, 산소 결함을 갖는 산화크롬을 말한다. 산소 결함이 없는 산화크롬이 광을 거의 흡수하지 않는 것에 비해, 산소 결함을 갖는 산화크롬은, 산소 결함의 존재에 따라 소쇠 계수가 상승하기 때문에, 제1 광흡수층을 구성하는 재료로서 사용할 수 있다.
제1 광흡수층은 그 자체에서 입사광의 투과율을 5％ 이하로 할 수 있는 것이 바람직하고, 3％ 이하로 할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 이러한 관점에서, 제1 광흡수층은, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐에서 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것이 바람직하고, 또한 그 두께는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50㎚ 이상이다. 또한, 흑색막 전체가 불필요하게 두꺼워지지 않도록, 제1 광흡수층의 막 두께는, 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 180㎚ 이하이다.
제2 광흡수층은, 저굴절률층과 함께, 주로 흑색막의 저굴절률층 형성측의 면에 외부 공간으로부터 입사해 오는 광의 반사율을 저감시키기 위한 층이다. 이러한 효과를 발휘하는 관점에서, 제2 광흡수층은, 굴절률이 바람직하게는 1.4 내지 3.0이고, 또한 소쇠 계수가 바람직하게는 0.4 내지 1.0인 층이다. 굴절률 및 소쇠 계수 모두 상기 범위를 충족시킴으로써, 흑색막의 저굴절률층 형성측의 면에 외부 공간으로부터 입사해 오는 광의 반사율을 저감시킬 수 있다.
제2 광흡수층은, 구체적으로는, 산화구리, 저급 산화규소, 저급 산화티타늄 및 저급 산화크롬에서 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것이 바람직하다. 저급 산화규소나 저급 산화티타늄이란, 산소 결함을 갖는 산화규소 또는 산화티타늄을 의미한다. 산소 결함이 없는 산화물은 광을 거의 흡수하지 않는 것에 비해, 산소 결함을 갖는 산화물은, 산소 결함의 존재에 따라 소쇠 계수가 상승하기 때문에, 제2 광흡수층을 구성하는 재료로서 사용할 수 있다. 이것들 중에서도 굴절률이 1.5 내지 2.7이고, 또한 소쇠 계수가 0.5 내지 0.9인, 산화구리, 저급 산화크롬, 저급 산화티타늄에서 선택되는 1종 이상의 사용이, 반사율이 낮게 억제되는 관점에서 바람직하다. 또한, 막 재료의 화학적인 안정성과, 제조 과정에 있어서의 생성의 안정성의 관점에서, 산화구리(II)(CuO)의 사용이 보다 바람직하다. 산화구리(II)(CuO)의 생성 과정에 있어서 산화구리(I)(Cu2O)가 동시에 생성되는 경우가 있지만, 굴절률이 1.5 내지 2.7이고, 또한 소쇠 계수가 0.5 내지 0.9라면 산화구리(I)(Cu2O)와 산화구리(II)(CuO)를 혼합하여 사용해도 된다.
제2 광흡수층의 두께는, 20㎚ 내지 140㎚가 바람직하고, 25㎚ 내지 50㎚가 보다 바람직하다. 제2 광흡수층의 두께가 상기 범위라면 낮은 반사율을 유지할 수 있다.
저굴절률층은, 굴절률이 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 1.7 이하의 층이다. 굴절률이 3.0 이하이면, 흑색막의 저굴절률층 형성측의 면에 외부 공간으로부터 입사해 오는 광의 반사율을 충분히 저감시킬 수 있다. 저굴절률층은, 구체적으로는, 예를 들어 산화규소(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 산화알루미늄(Al2O3), 불화란탄, 육불화알루미늄나트륨 등에서 선택되는 1종 이상으로 구성할 수 있다. 광의 반사율을 더 저감시키기 위해서는, 저굴절률층은, 굴절률이 1.6 이하인 것이 바람직하고, 그 구성 재료는, 구체적으로는, 산화규소(SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 및 알루미나(Al2O3)에서 선택되는 1종 이상의 사용이 바람직하고, 그 중에서도 산화규소(SiO2)의 사용이 바람직하다.
저굴절률층의 두께는, 25㎚ 내지 80㎚가 바람직하고, 35㎚ 내지 65㎚가 보다 바람직하다. 저굴절률층의 두께가 상기 범위라면 낮은 반사율을 유지할 수 있다.
흑색막의 막 두께는, 차광성의 관점에서 바람직하게는 300㎚ 이상이고, 보다 바람직하게는 500㎚ 이상이다. 또한, 막 두께가 너무 두꺼우면 성막 후에 유리 기판의 휨이 발생할 우려가 있기 때문에, 흑색막의 막 두께는, 바람직하게는 1000㎚ 이하이고, 보다 바람직하게는 800㎚ 이하이다.
흑색막은, 예를 들어 일본 특허 공개 2013-148844호 공보, 일본 특허 공개 2016-42196호 공보, 일본 특허 공개 2017-167557호 공보 등에 기재되는 공지의 방법에 의해 성막할 수 있다.
<흑색 유리 기판>
흑색을 나타내는 유리로서는, 가시광을 흡수하는 관점에서, 파장 380㎚ 내지 650㎚에 있어서의 흡광 계수의 최솟값이 0.5㎜-1 이상인 유리가 바람직하다.
흑색을 나타내는 유리로서는, 가시광 영역을 균일하게 흡수할 수 있는 관점에서, 파장 550㎚의 흡광 계수/파장 600㎚의 흡광 계수, 파장 450㎚의 흡광 계수/파장 600㎚의 흡광 계수가, 모두 0.7 내지 1.2의 범위 내인 유리가 보다 바람직하다.
흑색을 나타내는 유리로서는, 가시광 영역을 균일하게 흡수할 수 있는 관점에서, 하기 식 (1)로 나타나는 흡광 계수의 상대값의 변화량 ΔT(550/600), 하기 식 (2)로 나타나는 흡광 계수의 상대값의 변화량 ΔT(450/600)가, 각각 절댓값으로 5％ 이하인 유리가 더욱 바람직하다.
Figure pct00001
상기 식 (1)에 있어서, A(550/600)은, 400W 고압 수은 램프의 광을 100시간 조사한 후의 유리의 분광 투과율 곡선으로부터 산출되는, 파장 550㎚에 있어서의 흡광 계수와 파장 600㎚에 있어서의 흡광 계수의 상대값이고, B(550/600)은, 광 조사 전의 상기 유리의 분광 투과율 곡선으로부터 산출되는, 파장 550㎚에 있어서의 흡광 계수와 파장 600㎚에 있어서의 흡광 계수의 상대값이다.
상기 식 (2)에 있어서, A(450/600)은, 400W 고압 수은 램프의 광을 100시간 조사한 후의 유리의 분광 투과율 곡선으로부터 산출되는, 파장 450㎚에 있어서의 흡광 계수와 파장 600㎚에 있어서의 흡광 계수의 상대값이고, B(450/600)은, 광 조사 전의 상기 유리의 분광 투과율 곡선으로부터 산출되는, 파장 450㎚에 있어서의 흡광 계수와 파장 600㎚에 있어서의 흡광 계수의 상대값이다.
흑색을 나타내는 유리의 재질로서는 특별히 제한되지는 않고, 알칼리 유리, 무알칼리 유리 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 수분에 의한 알칼리 성분의 용출의 우려가 없는 점에서, 무알칼리 유리가 옥외에서의 이용에 적합하다. 또한, 무알칼리 유리는, 열팽창되기 어려운 점이나, 통전에 의한 알칼리 성분의 마이그레이션이 발생하기 어려운 점에서도 적합하다.
유리 조성으로서는, 주성분으로서 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 하기에 나타내는 조성이 바람직하다.
SiO2: 50 내지 80％, Al2O3: 0 내지 30％, Li2O+Na2O+K2O: 0 내지 25％
흑색을 나타내는 유리로서는, 상기 주성분에 추가하여, 예를 들어 Ce, Co, Mn, Fe, Er, Ni, Cu, Cr, V, Bi, Nd 등의 금속 산화물의 1종 이상을 착색 성분으로서 포함하는 유리를 들 수 있다. 착색 성분으로서는, CeO2, Co3O4, MnO2, Fe2O3, Er2O3, NiO, CuO, Cr2O3, V2O5, Bi2O3, Nd2O3이 적합하게 사용된다.
흑색을 나타내는 유리는, 이것들의 착색 성분을, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 바람직하게는 1 내지 12％ 포함하는 것이 바람직하다.
더 구체적으로는, CeO2: 0 내지 8％, Co3O4: 0 내지 8％, MnO: 0 내지 8％, MnO2: 0 내지 8％, Fe2O3: 0.01 내지 8％, Er2O3: 0 내지 8％, NiO: 0 내지 8％, CuO: 0 내지 8％, Cu2O: 0 내지 8％, Cr2O3: 0 내지 8％, V2O5: 0 내지 8％, Bi2O3: 0 내지 8％, Nd2O3: 0 내지 8％ 포함하는 유리가 보다 바람직하다.
흑색을 나타내는 유리를 얻는 방법으로서는, 일본 특허 제5187463호 공보나, 일본 특허 제5682609호 공보 등에 기재되는 공지의 방법을 들 수 있다.
본 발명의 기판은, 구멍을 갖지 않는 기판 A 및 다공을 갖는 기판 B의 2개의 양태를 포함한다. 이하 각각의 양태에 대하여 기재한다.
<기판 A>
기판 A에서는, 흑색의 주면측에 1 이상의 LED 소자가 설치된다.
LED 소자의 설치 간격으로서는, 해상도의 관점에서 바람직하게는 100 내지 10000㎛이다.
기판 A가 흑색막을 갖는 유리 기판인 경우, 기판 A의 판 두께는, 흑색막 성막 후의 휨을 억제하기 위해, 바람직하게는 0.4㎜ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 0.7㎜ 이상이다. 또한, 너무 두꺼우면 중량이 증가하기 때문에, 바람직하게는 10㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 6㎜ 이하이다.
기판 A가 흑색 유리 기판인 경우, 기판 A의 판 두께는, 기판 이면으로의 광투과 억제의 관점에서 바람직하게는 0.5㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.7㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 1.1㎜ 이상, 중량의 관점에서 바람직하게는 10㎜ 이하, 보다 바람직하게는 6㎜ 이하이다.
기판 A가 흑색막을 갖는 유리 기판인 경우, 기판 A에 있어서의 유리의 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는, 흑색막 성막 후의 휨을 억제하기 위해, 바람직하게는 20×10-7/℃ 내지 130×10-7/℃이고, 보다 바람직하게는 30×10-7/℃ 내지 110×10-7/℃이고, 특히 바람직하게는 35×10-7/℃ 내지 95×10-7/℃이다.
기판 A가 흑색 유리 기판인 경우, 기판 A에 있어서의 유리의 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는, 바람직하게는 5×10-7/℃ 내지 150×10-7/℃이다.
기판 A가 흑색막을 갖는 유리 기판인 경우, 기판 A에 있어서의 유리의 영률은, 흑색막 성막 후의 휨을 억제하기 위해, 바람직하게는 45㎬ 이상이고, 보다 바람직하게는 60㎬ 이상이고, 특히 바람직하게는 70㎬ 이상이다.
기판 A가 흑색 유리 기판인 경우, 기판 A에 있어서의 유리의 영률은, 자중에 의한 반송 중의 휨 저감의 관점에서 바람직하게는 45㎬ 이상이다.
<기판 B>
기판 B는, 다공을 갖는다. 이러한 다공은, 구멍 내에 1 이상의 LED 소자가 설치되기 위해 마련된다. 여기서, 인접하는 LED 소자끼리는 광의 간섭이 일어나기 쉽고, 이것에 기인하여 화소 피치의 미묘한 변화가 줄무늬 형상의 광으로 보이는 현상(접속 줄무늬)이 발생할 우려가 있다. 기판 B에서는, 구멍 내에 설치되는 LED 소자끼리가 유리의 격벽에 의해 이격되기 때문에, LED 소자끼리의 광간섭이 일어나기 어렵다. 그 결과, 기판 B를 사용한 화상 표시 장치는 접속 줄무늬의 불균일이 없어 화질을 향상시킬 수 있다.
또한, LED의 광은 정면보다도 가로 방향을 향하기 쉬운 경향이 있는바, LED 소자가 구멍 내에 설치됨으로써, 구멍 내면에서 반사되어, 가로 방향의 광을 정면(기판의 흑색 주면)을 향하도록 반사시키는 것이 가능해진다. 이에 의해, 광의 취출 효율이 향상되어, 소비 전력을 저하시킬 수 있다.
기판 B에 있어서의 구멍은 기판을 관통하는 것이 바람직하다. 또한, LED 소자는, 구멍 내의, 기판의 흑색 주면에 대향하는 주면측에 설치되는 것이 바람직하다.
구멍의 간격으로서는, 해상도의 관점에서 바람직하게는 20 내지 10000㎛이다.
기판 B에 있어서, 기판의 흑색 주면에서 본 구멍의 형상은 특별히 제한되지는 않고, 원형, 사각형, L자형 등을 들 수 있다.
기판의 흑색 주면에서 본 구멍의 크기는 LED 소자가 설치되는 데 충분하다면 제한되지 않지만, 흑색 주면의 면적을 확보하는 관점에서 바람직하게는 100 내지 1000000㎛2이다.
기판 B에 있어서, 기판 측면에서 본 구멍의 형상은, 특별히 제한되지는 않고, 통형, 테이퍼 형상, 대략 타원 형상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 기판의 LED 설치면측으로부터 흑색 주면측을 향해 넓어지는 형상인 테이퍼 형상이, 정면 휘도 향상 및 콘트라스트비 향상의 관점에서 바람직하다.
도 3에, 테이퍼 형상의 다공(13)을 갖는 LED 소자용 기판 B를 구비한 화상 표시 장치(1)의 단면도를 나타낸다. 테이퍼 형상으로서는, LED광을 효율적으로 반사할 수 있고, 또한 흑색 주면을 확보할 수 있는 각도가 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 이러한 각도로서는 예를 들어, 도 3에 나타내는 테이퍼 각도 θ로서 바람직하게는 45 내지 90°, 보다 바람직하게는 60 내지 88°, 더욱 바람직하게는 70 내지 86°, 특히 바람직하게는 75 내지 85°를 들 수 있다.
유리에 다공을 형성하는 방법으로서는, 레이저 가공, 에칭 등의 공지의 방법을 들 수 있다.
또한, 광의 취출 효율 향상의 관점에서, 구멍 내에서의 반사율을 향상시키기 위해, 구멍 내면에 반사막이 마련되는 것이 바람직하다.
반사막을 구성하는 재료로서는, 높은 반사율을 얻기 위해 Al이나 Ag 등의 금속 박막 또는 합금 박막, 혹은 고반사율과 산란성을 겸비하는 백색 잉크 등이 바람직하다.
또한, 반사막의 막 두께로서는 광의 취출 효율 향상의 관점에서 바람직하게는 30 내지 2000㎚, 보다 바람직하게는 100 내지 1000㎚이다.
또한, 반사막은 구멍 내의 바람직하게는 적어도 일부의 면, 보다 바람직하게는 전체면에 마련된다.
구멍 내면에 반사막을 형성하는 방법으로서는, 스퍼터나 잉크젯 등의 공지의 방법이 사용된다.
기판 B가 흑색막을 갖는 유리 기판인 경우, 기판 B의 판 두께는, LED 소자의 높이보다도 크면 제한되지 않고, 흑색막 성막 후의 휨을 억제하기 위해, 바람직하게는 0.4㎜ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 0.7㎜ 이상이다. 천공 가공의 난이도의 관점에서 바람직하게는 3.0㎜ 이하, 보다 바람직하게는 2.0㎜ 이하이다.
기판 B가 흑색 유리 기판인 경우, 기판 이면으로의 광투과 억제의 관점에서 바람직하게는 0.5㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.7㎜ 이상이고, 더욱 바람직하게는 1.1㎜ 이상이고, 또한 다공 형성 가공의 난이도의 관점에서 바람직하게는 3.0㎜ 이하, 보다 바람직하게는 2.0㎜ 이하이다.
기판 B가 흑색막을 갖는 유리 기판인 경우, 기판 B의 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는, 후술하는 지지체의 열팽창 계수와 맞추기 위해, 또한 흑색막 성막 후의 휨을 억제하기 위해, 바람직하게는 20×10-7/℃ 내지 130×10-7/℃이고, 보다 바람직하게는 30×10-7/℃ 내지 110×10-7/℃이고, 특히 바람직하게는 35×10-7/℃ 내지 95×10-7/℃이다.
기판 B가 흑색 유리 기판인 경우, 기판 B의 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는, 후술하는 지지체의 열팽창 계수와 맞추기 위해, 바람직하게는 30×10-7/℃ 내지 110×10-7/℃이고, 보다 바람직하게는 35×10-7/℃ 내지 95×10-7/℃이고, 특히 바람직하게는 38×10-7/℃ 내지 90×10-7/℃이다.
<화상 표시 장치>
본 발명의 화상 표시 장치는, 상기 본 발명의 기판과, LED 소자를 갖는다.
본 발명의 기판은 화상 표시 장치에 적합하기 때문에, 본 발명에 있어서의 LED 소자는, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED를 각각 1 이상 포함함으로써 하나의 발광원으로 하는 3색 LED 방식의 소자인 것이 바람직하다.
기판이, 다공을 갖지 않는 상기 기판 A인 경우, LED 소자는 기판의 흑색 주면 상에 설치된다.
도 1은, 무착색의 유리 기판(11A)과 흑색막(20)을 갖는 LED 소자용 기판 A1과, LED 소자(30)를 구비한 화상 표시 장치(1)의 단면도이다.
도 2는, 흑색의 유리 기판(12A)을 갖는 LED 소자용 기판 A2와, LED 소자(30)를 구비한 화상 표시 장치(1)의 단면도이다.
도 1 및 도 2에 있어서, LED 소자용 기판 A1 또는 A2와, LED 소자(30) 사이에는, 회로를 위한 TFT층(40)이 설치되어 있다. 또한, TFT층은 일반적으로 투광성의 박막이고, LED 소자용 기판 주면의 흑색에 영향을 미치지 않는다.
기판이, 다공을 갖는 상기 기판 B인 경우, LED 소자는 각 구멍 내에 적어도 1 이상 설치된다.
도 3은, 무착색의 유리 기판(11B)과 흑색막(20)을 갖고 다공(13)을 갖는 LED 소자용 기판 B1과, 각 다공 내에 마련된 LED 소자(30)와, LED 소자(30)를 적재하기 위한 지지체(60)를 구비한 화상 표시 장치(1)의 단면도이다.
도 4는, 흑색의 유리 기판(12B)을 갖고 다공(13)을 갖는 LED 소자용 기판 B2와, 각 다공 내에 마련된 LED 소자(30)와, LED 소자(30)를 적재하기 위한 지지체(60)를 구비한 화상 표시 장치(1)의 단면도이다.
도 3 및 도 4에 있어서, 각 다공의 내면에는 반사막(50)이 마련되어 있다.
또한, 도 3 및 도 4에 있어서, 지지체(60)와 LED 소자(30) 사이에는, 회로를 위한 TFT층(40)이 설치되어 있다.
본 발명의 화상 표시 장치는, 상기 본 발명의 기판을 LED 소자의 실장 기판으로서 구비함으로써, 콘트라스트비가 양호하고, 자외선이나 수분 등에 의한 열화가 일어나기 어렵다. 따라서, 옥외에서의 사용에 특히 적합하다.
실시예
이하, 본 발명의 기판에 대하여 실시예를 사용하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
표 중, 괄호 내에 나타내는 값은 계산값 또는 추정값이다.
<예 1 내지 10: 흑색 유리 LED 소자용 기판>
이하에 있어서, 예 1 내지 8은 실시예이고, 예 9 내지 10은 비교예이다.
유리 조성이 예 1 내지 10에 나타내는 목표 조성(단위: 몰％)이 되도록, 각 성분의 원료를 조합하여, 백금 도가니를 사용하여 1600℃에서 3시간 용해했다. 용해 후, 용융액을 카본판 상에 흘려내고, 유리 전이점+30℃의 온도에서 60분 유지 후, 매분 1℃에서 실온(25℃)까지 냉각하여 판 형상 유리를 얻었다. 이것을 경면 연마하여, 유리판을 얻고, 평균 열팽창 계수, 영률, 흡광 계수의 각종 평가를 행하였다.
(평균 열팽창 계수)
JIS R 3102(1995년)에 규정되어 있는 방법에 따라, 시차 열팽창계(TMA)를 사용하여 측정했다. 측정 온도 범위는 실온 내지 400℃ 이상으로 하고, 50 내지 350℃에 있어서의 평균 열팽창 계수를, 단위를 10-7/℃로 하여 나타냈다.
(영률)
JIS R 1602(1995년)에 규정되어 있는 방법에 따라, 굽힘 공진법에 의해 측정했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00002
CeO2, Co3O4, MnO2, Fe2O3, Er2O3, NiO, CuO, Cr2O3, V2O5, Bi2O3, Nd2O3의 함유량의 총합이 적합한 범위(1 내지 12몰％)인 예 1 내지 8의 기판은, 파장 380 내지 650㎚에 있어서의 흡광 계수의 최솟값이 0.5(㎜-1) 이상이다. 또한, 흡광 계수의 상대값의 변화량 ΔT(550/600)과, ΔT(450/600)이 모두 5％ 이하이다. 즉, 흑색으로 착색된 유리 기판이 얻어졌다.
한편, CeO2, Co3O4, MnO2, Fe2O3, Er2O3, NiO, CuO, Cr2O3, V2O5, Bi2O3, Nd2O3의 합량이 1몰％ 미만인 예 9 내지 10은, 파장 380 내지 650㎚에 있어서의 흡광 계수의 최솟값이 0.5(㎜-1) 미만이다. 즉, 흑색으로 착색된 유리 기판이 얻어지지 않는다.
또한, 예 1 내지 8에 있어서, 파장 550㎚의 흡광 계수/파장 600㎚의 흡광 계수, 파장 450㎚의 흡광 계수/파장 600㎚의 흡광 계수는, 모두 0.7 내지 1.2의 범위 내라고 추정된다.
<예 11 내지 13: 흑색막을 갖는 LED 소자용 기판>
이하에 있어서, 예 11 내지 13은 실시예이다.
<예 11>
유리 조성의 예 11에 나타내는 목표 조성(단위: 몰％)이 되도록, 각 성분의 원료를 조합하여, 백금 도가니를 사용하여 1600℃에서 3시간 용해했다. 용해 후, 용융액을 카본판 상에 흘려내고, 유리 전이점+30℃의 온도에서 60분 유지 후, 매분 1℃에서 실온(25℃)까지 냉각하여 무색의 판 형상 유리를 얻었다. 이것을 경면 연마하여, 유리판을 얻고, 평균 열팽창 계수, 영률, 투과율의 각종 평가를 행하였다.
평균 열팽창 계수, 영률의 평가 방법은 상기 예 1과 마찬가지이다.
투과율은 분광 광도계를 사용하여 측정했다.
상기에 의해 얻어진 무색의 유리 기판의 한쪽의 주면에, 스퍼터법에 의해, 크롬(Cr; 소쇠 계수 3.33)막, 산화구리(CuO; 굴절률 2.58, 소쇠 계수 0.59)막 및 산화규소(SiO2; 굴절률 1.47)막을 차례로 적층하여, 하기 표에 나타내는 바와 같은 구성을 포함하는 흑색막(3층)을 형성했다.
상기 방법에 의해, LED 소자용 기판을 얻었다.
<예 12>
상기 예 11과 마찬가지의 방법에 의해, 무색의 판 형상 유리를 얻었다.
얻어진 무색의 유리 기판의 한쪽의 주면에, 스퍼터법에 의해, 산화탄탈(Ta2O5; 굴절률 2.23)막, 산화구리(CuO; 굴절률 2.58, 소쇠 계수 0.59)막, 크롬(Cr; 소쇠 계수 3.33)막, 산화구리(CuO; 굴절률 2.58, 소쇠 계수 0.59)막 및 산화규소(SiO2; 굴절률 1.47)막을 차례로 적층하여, 하기 표에 나타내는 바와 같은 구성을 포함하는 흑색막(5층)을 형성했다.
상기 방법에 의해, LED 소자용 기판을 얻었다.
<예 13>
상기 예 11과 마찬가지의 방법에 의해, 무색의 판 형상 유리를 얻었다.
얻어진 무색의 유리 기판의 한쪽의 주면에, 스퍼터법에 의해, 크롬(Cr; 소쇠 계수 3.33)막, 저급 산화크롬(CrOx)막, 크롬(Cr; 소쇠 계수 3.33)막, 저급 산화크롬막, 크롬(Cr; 소쇠 계수 3.33)막, 저급 산화크롬(CrOx)막 및 산화규소(SiO2; 굴절률 1.47)막을 차례로 적층하여, 하기 표에 나타내는 바와 같은 구성을 포함하는 흑색막(5층)을 형성했다.
상기 방법에 의해, LED 소자용 기판을 얻었다.
상기 예 11 내지 13의 LED 소자용 기판에 대하여, 파장 380 내지 650㎚에 있어서의 평균 투과율 및 평균 반사율을, 분광 광도계에 의해 측정했다.
또한, 상기 예 11 내지 13의 LED 소자용 기판이 구멍을 갖는 경우에 대하여, 광선 추적 소프트(Light Tools: 사이버넷 시스템사제)를 사용하여 시뮬레이션을 행함으로써 LED 패널 정면 휘도의 증가율을 평가했다.
비교용 모델로서, 두께 1㎜, 사이즈 100×100㎜의 투명 유리 기판의 주면 상의 중앙에, 램버시안에 발광하는 한 변이 0.1㎜인 정사각형의 입방체의 LED를 배치한 것을 준비했다.
구멍을 갖는 예 11의 LED 소자용 기판으로서, 상기 비교용 모델의 LED 배치면에, 하기 표에 나타내는 구멍 구성이 되도록 설계한 관통 구멍을 갖는 예 11의 기판을, 구멍 내에 LED가 수렴되도록 하여 겹친 것을 준비했다. 관통 구멍은, 표시 장치에 있어서의 관찰자측, 즉 정면의 직경을 0.5㎜, 투명 기판측의 직경을 0.25㎜로 하는 원뿔대로 하고, 구멍 내벽면의 반사율을 하기 표에 나타내는 값으로 설정했다.
시뮬레이션에 있어서의 광선 개수를 10만개로 했다.
비교용 모델과, 구멍을 갖는 예 11의 LED 소자용 기판의, LED 패널 정면 휘도를 대비하여, 증가율을 산출했다. 증가율이 1 이상이면, 콘트라스트비가 향상된 것이라고 평가했다.
예 12 내지 13에 대해서도 마찬가지로 LED 패널 정면 휘도의 증가율을 산출했다.
결과를 하기 표에 나타낸다.
Figure pct00003
상기 결과로부터, 본 모델을 사용하여 계산한 정면 휘도는, 해당 투명 유리와 그 주면 상의 중앙에 배치된 해당 LED만을 갖는 비교용의 모델을 사용하여 계산한 정면 휘도에 대하여, 예 11은 1.36배, 예 12는 1.06배의 밝기로 되었다. 예 13은 1.1배 이상의 밝기로 되는 것이 추정되었다. 또한, 본 시뮬레이션에 있어서, 구멍과 LED의 수를 각각 하나로 했지만, 다수여도 마찬가지의 효과가 얻어지는 것이 확인되었다. 이것으로부터, 도 3에 나타내는 테이퍼 각도 θ를 45 내지 90°의 범위로 함으로써, 정면 휘도가 높고, 콘트라스트비가 큰 화상 표시 장치가 제공 가능해지는 것을 알 수 있었다.
<예 14 내지 21: 흑색 유리 LED 소자용 기판>
이하에 있어서, 예 14 내지 21은 실시예이다.
유리 조성이 예 14 내지 21에 나타내는 목표 조성(단위: 몰％)이 되도록, 각 성분의 원료를 조합하여, 백금 도가니를 사용하여 1600℃에서 3시간 용해했다. 용해 후, 용융액을 카본판 상에 흘려내고, 유리 전이점+30℃의 온도에서 60분 유지 후, 매분 1℃에서 실온(25℃)까지 냉각하여, 흑색의 판 형상 유리를 얻었다. 이것을 경면 연마하여, 유리판을 얻고, 평균 열팽창 계수, 영률, 흡광 계수의 각종 평가를 행하였다.
평균 열팽창 계수, 영률의 평가 방법은 상기 예 1과 마찬가지이다.
상기 방법에 의해, LED 소자용 기판을 얻었다.
파장 380 내지 650㎚에 있어서의 평균 투과율 및 평균 반사율, 구멍을 갖는 경우의 LED 패널 정면 휘도의 증가율에 대하여, 예 11과 마찬가지로 평가했다.
결과를 하기 표에 나타낸다.
Figure pct00004
상기 결과로부터, 본 모델을 사용하여 계산한 정면 휘도는, 해당 투명 유리와 그 주면 상의 중앙에 배치된 해당 LED만을 갖는 비교용의 모델을 사용하여 계산한 정면 휘도에 대하여, 예 14는 3.36배, 예 15는 1.87배, 예 16은 1.36배의 밝기로 되었다. 예 17 내지 20은 1.1배 이상의 밝기로 되는 것이 추정되었다. 또한, 도 3에 나타내는 테이퍼 각도 θ가 90°인 예 21도 1.0배 이상의 밝기로 되는 것이 추정되었다. 또한, 본 시뮬레이션에 있어서, 구멍과 LED의 수를 각각 하나로 했지만, 다수여도 마찬가지의 효과가 얻어지는 것이 확인되었다. 이것으로부터, 도 3에 나타내는 테이퍼 각도 θ를 45 내지 90°의 범위로 함으로써, 정면 휘도가 높고, 콘트라스트비가 큰 화상 표시 장치가 제공 가능해지는 것을 알 수 있었다.
본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 추가할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 명확하다. 본 출원은 2020년 9월 14일에 출원된 일본 특허 출원(특허 출원 제2020-153811)에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.
본 발명의 기판은, LED 소자를 실장했을 때 콘트라스트비가 저하되지 않고, 또한 자외선이나 수분에 의한 열화가 일어나기 어려운 점에서, 대형 비전, 거리 광고, 디지털 카메라, 차량 탑재용 디스플레이, 노트북 PC, 태블릿 단말기 등에 탑재되는 LED 화상 표시 장치에 유용하고, 특히 옥외에서 사용되는 LED 화상 표시 장치에 적합하다.
1: 화상 표시 장치
A1, A2, B1, B2: LED 소자용 기판
11A, 11B, 12A, 12B: 유리 기판
13: 다공
20: 흑색막
30: LED 소자
40: TFT층
50: 반사막
60: 지지체

Claims (6)

  1. 유리를 갖고, LED 소자가 마련되기 위한 기판이며,
    상기 기판의 적어도 한쪽의 주면이 흑색이고,
    상기 흑색의 주면 상에 1 이상의 LED 소자가 마련되는, LED 소자용 기판.
  2. 유리를 갖고, LED 소자가 마련되기 위한 기판이며,
    상기 기판의 적어도 한쪽의 주면이 흑색이고,
    상기 기판은 다공을 갖고,
    상기 다공 내에 1 이상의 LED 소자가 마련되는, LED 소자용 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다공은 테이퍼 형상을 갖는, LED 소자용 기판.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 다공은 구멍 내면에 반사막을 갖는, LED 소자용 기판.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리가 흑색으로 착색되어 있거나, 또는 상기 기판의 적어도 한쪽의 주면에 흑색의 막을 갖는, LED 소자용 기판.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 LED 소자용 기판과, LED 소자를 갖는, 화상 표시 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024235A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 表示装置
JP2011233733A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Sony Corp 素子の基板実装方法、および、その基板実装構造

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4991029B2 (ja) * 2007-06-12 2012-08-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2011199066A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Seiko Instruments Inc 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法
JP2019179111A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 Jsr株式会社 表示素子用積層体、及び隔壁形成用組成物
WO2020137342A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 京セラ株式会社 配線基板、それを用いた発光装置及び表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024235A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 表示装置
JP2011233733A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Sony Corp 素子の基板実装方法、および、その基板実装構造

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