KR20230056694A - 마이크로프리즘 재귀반사 몰드, 시트 및 물품 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

표면을 갖는 기재를 제공하는 단계, 표면에 제1 및 제2 그루브들의 제1 및 제2 세트를 각각 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 그루브들은 표면을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행하고, 각각의 제1 그루브들은 적어도 2개의 제1 구역 및 적어도 2개의 제2 구역의 반복되는 인터리브 패턴을 포함하고, 상기 제1 구역의 최대 깊이는 제2 구역의 최대 깊이보다 크고, 상기 제2 그루브들은 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행하고, 제2 방향은 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이고, 상기 제2 그루브들은 제1 그루브들의 제2 구역을 통과하고, 여기서 그루브 패턴이 표면에 형성되며, 상기 그루브 패턴은 마이크로프리즘을 포함하는, 물품의 제조, 방법. 마이크로프리즘 또는 반전된 마이크로프리즘을 포함하는 이러한 그루브 패턴 또는 반전된 그루브 패턴을 갖는 기재 표면을 포함하는, 물품.

Description

마이크로프리즘 재귀반사 몰드, 시트 및 물품 및 이의 제조방법

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 "마이크로프리즘 재귀반사 몰드, 시트 및 물품 및 이의 제조방법"이라는 발명의 명칭으로 2020년 8월 27일에 출원된 미국 가특허출원 제63/071,172호에 대해 우선권을 주장하며, 이는 본 출원과 공동으로 양도되고, 이의 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다.

기술분야

본 출원은 일반적으로, 마이크로프리즘 재귀반사 재료, 보다 구체적으로는 재귀반사 필름을 위한 몰드 및 시트의 물품 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

감소된 비활성 영역(reduced inactive area; RIA) 마이크로프리즘(완전 큐브 또는 선호 기하형상 마이크로프리즘으로도 알려짐)을 갖는 마이크로프리즘 큐브 코너 재귀반사 물품은 교통 표지판, 차량 번호판, 안전 표지판, 차량 마킹 및 기타 여러 분야에 사용된다. 이러한 물품은 RIA 마이크로프리즘의 존재로 인해 높은 수준의 재귀반사를 가질 수 있지만, 이를 제조하기 위한 마스터 몰드를 생산하는 것은 비용이 많이 들고, 가공하기 어려울 수 있다.

본 발명의 하나의 양태는 물품을 제조하는 단계를 포함하는 방법이다. 상기 물품을 제조하는 단계는, 표면을 갖는 기재를 제공하는 단계; 상기 표면에 제1 그루브(groove)들의 제1 세트를 형성하는 단계 및 상기 표면에 제2 그루브들의 제2 세트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 각각의 상기 제1 그루브들은 적어도 2개의 제1 구역(zone) 및 적어도 2개의 제2 구역의 반복되는 인터리브 패턴(interleaved pattern)을 포함할 수 있다. 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T는 상기 제2 구역의 최대 깊이 Z_S보다 칼 수 있다. 상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이다. 상기 제2 그루브들은 상기 제1 그루브들의 상기 제2 구역을 통과하고, 이에 의해 그루브 패턴이 상기 표면 상에 형성되고, 상기 그루브 패턴은 마이크로프리즘(microprism)들을 포함한다.

일부 양태에서, 기재의 제공은 모놀리식 블록 기재(monolithic block substrate)를 제공함을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 물품은 마스터 몰드(master mold)로서 구성될(configured) 수 있다. 임의의 이러한 양태는 마스터 몰드로서 구성된 상기 물품을 사용하여 복제 물품(replicate article)을 형성하는 것을 추가로 포함할 수 있고, 상기 복제 물품은 복제 물품의 복제 기재(replicate substrate)의 표면 상에 그루브 패턴의 반전된 사본을 갖는다.

임의의 이러한 양태에서, 제1 그루브들의 제1 구역의 형성은, 제1 절삭 공구를, 상기 표면을 통해, 제3 방향을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동(repeating rising and diving motion)으로 이동시킴을 포함할 수 있고, 또한 상기 이동은 제1 방향을 따라 이루어질 수 있고, 상기 제3 방향은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직이다.

임의의 이러한 양태에서, 제1 그루브들의 제1 구역의 형성은 하강 섹션(dive section) 및 상승 섹션(rise section)을 형성함을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 하강 섹션은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 하강각(dive angle) α로 형성될 수 있고, 상승 섹션(269)은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 상승각(rise angle) β로 형성될 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 하강각 α는 상기 상승각 β와 거의 동일할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 하강각 α는 상기 상승각 β의 1° 이내일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 하강각 α는 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위 또는 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 값을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 형성은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션(transition section)을 형성함을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 전이 섹션은 상기 제1 그루브의 그루브 기저부 표면(groove base surface)을 따라 위치하는 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브는 고정 수직 협각(constant vertical included angle) θ를 갖는 V-형상을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 고정 수직 협각 θ는 약 65 내지 약 90°의 범위, 약 78.47 내지 약 90°의 범위 또는 약 80 내지 약 87°의 범위의 값일 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 제1 구역의 최대 깊이 Z_T는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위 또는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트의 형성은 제1 절삭각(cutting angle) θ를 갖는 제1 절삭 공구를 사용함을 포함할 수 있고, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트의 형성은 제2 절삭각 φ를 갖는 제2 절삭 공구를 사용함을 포함할 수 있고, 상기 제1 절삭각 θ의 값은 상기 제2 절삭각 φ의 값과 상이하다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트의 형성은 상기 제1 그루브들의 상기 제2 구역의 적어도 일부를 제거함을 포함할 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들 각각의 최대 깊이 Z_C는 실질적으로 서로 동일한 깊이일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들의 최대 깊이 Z_C는 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T보다 클 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들의 최대 깊이 Z_C는 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T보다 작을 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트의 형성은 적어도 제1 서브세트 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 서브세트 그루브들의 제2 서브세트를 형성함을 포함할 수 있고, 상기 제1 서브세트 그루브들은 상기 제2 서브세트 그루브들의 고정 수직 협각 θ_B보다 클 수 있는 고정 수직 협각 θ_A를 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트 그루브들은 상기 제2 방향으로 상부 표면을 가로질러 상기 제2 서브세트 그루브들과 교호할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트 그루브들 및 상기 제2 서브세트 그루브들은 2개의 상이한 절삭 공구를 사용하여 형성될 수 있고, 각각의 절삭 공구는 상이한 절삭각을 가질 수 있다.

다른 양태는 마이크로프리즘을 포함하는 그루브 패턴을 표면 위에 갖는 상기 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품이다. 상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 각각의 상기 제1 그루브들은 복수의 반복 가변 깊이 구역(repeating variable depth zone)을 포함할 수 있다. 각각의 가변 깊이 구역은 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션을 포함할 수 있다. 상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들은 V-형상 그루브들일 수 있고, 상기 제2 그루브들은 V-형상 그루브들일 수 있다. 일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘일 수 있다.

일부 양태에서, 상기 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 물품은 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 물품은 원통형 툴링(cylindrical tooling)으로서 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 가변 깊이 구역 각각은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치된 전이 섹션을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 전이 섹션은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이의 연속 표면 전이(continuous surface transition)를 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 전이 섹션은, 전이 출구, 전이 입구, 및 상기 전이 입구와 상기 전이 출구 사이의 제3 최대 깊이 Z_F를 포함할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 전이 입구는 상기 제1 최대 깊이 Z_D2의 위치에서 상기 하강 섹션에 인접할 수 있고, 상기 전이 출구는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2의 위치에서 상기 상승 섹션에 인접할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 전이 섹션은 상기 제1 그루브의 그루브 기저부 표면을 따라 위치하는 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들은 고정 수직 협각 θ를 갖는 V-형상을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 고정 수직 협각 θ는 약 65 내지 약 90°의 범위, 약 78.47 내지 약 90°의 범위 또는 약 80 내지 약 87°의 범위의 값일 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 최대 깊이 Z_D2 또는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위 또는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_F는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위 또는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 하강 섹션은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 하강각 α를 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 하강각 α는 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위 또는 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 값을 가질 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트는 적어도 제1 서브세트 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 서브세트 그루브들의 제2 서브세트를 포함할 수 있고, 상기 제1 서브세트 그루브들은 제2 서브세트 그루브들(214B)의 고정 수직 협각 θ_B보다 클 수 있는 고정 수직 협각 θ_A를 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브 서브세트는 제2 방향으로 상부 표면을 가로질러 상기 제2 그루브들 서브세트와 교호할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 마이크로프리즘의 4종 세트(quaternary set)는 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트로서 배열될 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트 그루브들 및 상기 제2 서브세트 그루브들 각각은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 전이 섹션은 전이 입구, 전이 출구, 및 각각의 제3 최대 깊이 Z_FA 및 Z_FB를 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_FA는 상기 제2 서브세트 그루브들의 제3 최대 깊이 Z_FB보다 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들 각각은 서로 실질적으로 동일한 최대 깊이 Z_C를 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들 각각의 상기 최대 깊이 Z_C는 상기 전이 섹션의 제3 최대 깊이 Z_F보다 클 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들 각각의 상기 최대 깊이 Z_C는 상기 전이 섹션의 제3 최대 깊이 Z_F보다 작을 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 기재는 중합체 필름일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 물품은 재귀반사 시팅(retroreflective sheeting)으로서 구성될 수 있다.

다른 양태는 투명 시트를 포함하는 물품이다. 상기 투명 시트는 구조화된 표면을 갖는 제1 측(first side)을 가질 수 있다. 상기 구조화된 표면은 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘을 포함할 수 있고, 상기 마이크로프리즘은 상기 구조화된 표면 상의 마이크로프리즘 어레이(microprism array)의 일부이다. 상기 마이크로프리즘들의 각각 하나는 상기 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들의 일부일 수 있다. 각각의 인접한 쌍들에 있어서, 제1 마이크로프리즘은 제1 측면(lateral face), 제2 측면 및 제3 측면을 가질 수 있고, 제2 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가질 수 있고, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제2 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있을 수 있다.

일부 양태에서, 상기 투명 시트는 제1 측과 대향하는 제2 측을 포함할 수 있고, 상기 제2 측은 실질적으로 평활하고 평면적인 제2 표면을 갖는다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 구조화된 표면 상의 상기 마이크로프리즘들의 정점으로부터 대향 표면까지의 상기 투명 시트의 두께는 약 50 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 수 있다. 일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 인접한 쌍들의 마이크로프리즘들은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열될 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘은 상기 제2 마이크로프리즘의 거울상일 수 있다.

일부 양태에서, 각각의 마이크로프리즘의 각각의 측면은 상기 제2 표면에 대해 각지게 정렬될 수 있다. 각각의 상기 측면들에 대한 복각(inclination angle) ε는 약 5 내지 약 50°의 범위의 값일 수 있다.

일부 양태에서, 상기 연속 표면 전이는 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들은 후방-경사(backward-tilted) 마이크로프리즘, 전방-경사(forward-tilted) 마이크로프리즘 또는 등변(equilateral) 마이크로프리즘 중 하나로서 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들은 측방-경사(sideways-tilted) 마이크로프리즘으로서 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 각각의 제2 측면의 표면적 및 각각의 제3 측면의 표면적은 서로 거의 동일할 수 있다.

일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들의 2개의 인접한 쌍은 대칭적으로 대향하는 마이크로프리즘의 4종 세트를 형성할 수 있다. 상기 4종 세트는 상기 제1 마이크로프리즘, 상기 제2 마이크로프리즘, 상기 제3 마이크로프리즘 및 상기 제4 마이크로프리즘을 포함할 수 있다. 상기 제3 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고, 상기 제4 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고, 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제4 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면의 표면적과 상기 제4 마이크로프리즘의 상기 제3 측면의 표면적은 서로 거의 동일할 수 있고, 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면의 표면적과 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제3 측면의 표면적은 서로 동일지 않을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘은 상기 제3 마이크로프리즘의 거울상일 수 있고, 상기 제3 마이크로프리즘은 상기 제4 마이크로프리즘의 거울상일 수 있다.

다른 양태는 구조화된 표면을 갖는 기재를 포함하는 다른 물품이다. 상기 구조화된 표면은 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘들의 어레이를 포함할 수 있고, 상기 마이크로프리즘들은 상기 구조화된 표면 상의 상기 마이크로프리즘 어레이의 일부이다. 상기 마이크로프리즘 어레이는 제1 마이크로프리즘 서브어레이(subarray) 및 제2 마이크로프리즘 서브어레이를 포함할 수 있다. 상기 제1 마이크로프리즘 서브어레이는 제1 마이크로프리즘 및 제2 마이크로프리즘을 포함할 수 있고, 상기 제1 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면, 제3 측면을 가지고, 상기 제2 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 갖는다. 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제2 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있을 수 있다. 상기 제2 마이크로프리즘 서브어레이는 제3 마이크로프리즘 및 제4 마이크로프리즘을 포함하고, 상기 제3 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고, 상기 제4 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 갖는다. 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제4 마이크로프리즘(410D)의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있을 수 있다. 상기 제1 마이크로프리즘의 제1 측면의 복각 ε_1A는 상기 제3 마이크로프리즘의 제1 측면의 복각 ε_1C보다 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘은 상기 제2 마이크로프리즘의 거울상일 수 있고, 상기 제3 마이크로프리즘은 상기 제4 마이크로프리즘의 거울상일 수 있다. 일부 양태에서, 상기 마이크로프리즘들은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들일 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C은 둘 다 약 5 내지 약 50°의 범위, 약 5 내지 약 35°의 범위 또는 약 18 내지 약 32°의 범위의 값을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A은 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C보다 적어도 2° 클 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A은 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C보다 적어도 5° 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘 서브어레이들 각각은 상기 제1 마이크로프리즘 및 상기 제2 마이크로프리즘으로 이루어질(consist) 수 있다. 상기 제2 마이크로프리즘 서브어레이들 각각은 상기 제3 마이크로프리즘 및 상기 제4 마이크로프리즘으로 이루어질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브어레이들 및 상기 제2 서브어레이들은 구조화된 표면을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브어레이 각각은, 서로의 거울상인 상기 제1 마이크로프리즘들 및 상기 제2 마이크로프리즘들의 쌍들의 제1 열(row)을 포함할 수 있고, 상기 제2 서브어레이 각각은, 서로의 거울상인 상기 제3 마이크로프리즘들 및 상기 제4 마이크로프리즘들의 쌍들의 제2 열을 포함할 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 상기 마이크로프리즘들은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성될 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브어레이의 제1 마이크로프리즘들 및 제2 마이크로프리즘들 각각은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍으로서 배열될 수 있고, 상기 제2 서브어레이의 제3 마이크로프리즘들 및 제4 마이크로프리즘들 각각은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍으로서 배열될 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 연속 표면 전이는 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 마이크로프리즘의 높이 h_A는 상기 제3 마이크로프리즘의 높이 h_C와 상이할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 높이 h_A와 상기 높이 h_C 사이의 차이는 약 25마이크론보다 클 수 있다. 일부 양태에서, 상기 제1 서브어레이의 상기 마이크로프리즘들의 최대 깊이 Z_FA는 상기 제2 서브어레이의 상기 마이크로프리즘들의 최대 깊이 Z_FB와 상이할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 최대 깊이 Z_FA와 상기 최대 깊이 Z_FB 사이의 차이는 약 25마이크론보다 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 물품은 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 상기 기재는 중합체 필름일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 물품은 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다.

다른 양태는 약간 비-직교하는 마이크로프리즘들을 포함하는 그루브 패턴을 표면 위에 갖는 상기 표면을 갖는 기재를 포함하는 다른 물품이다. 상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 각각의 상기 제1 그루브들은 가변 깊이 구역들의 세트를 포함할 수 있다. 각각의 상기 가변 깊이 구역은, 제1 최소 깊이 Z_D1, 제1 최대 깊이 Z_D2 및 제1 수평 거리 X_D를 갖는 하강 섹션, 제2 최소 깊이 Z_R1, 제2 최대 깊이 Z_R2 및 제2 수평 거리 X_R을 갖는 상승 섹션, 및 전이 입구, 전이 출구 및 제3 최대 깊이 Z_F를 갖는 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 제3 최대 깊이 Z_F는 상기 제1 최소 깊이 Z_D1 및 상기 제2 최소 깊이 Z_R1 둘 다보다 클 수 있다. 상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행할 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이다.

일부 양태에서, 상기 제1 수평 거리 X_D는 상기 제2 수평 거리 X_R보다 작을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 수평 거리 X_D와 상기 제2 수평 거리 X_R 사이의 차이는 약 1 내지 15마이크론의 값일 수 있다. 일부 양태에서, 상기 하강 섹션은 하강각 α를 가지고, 상기 상승 섹션은 상승각 β를 가지고, 상기 하강각 α는 상기 상승각 β와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 하강각 α는 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 가질 수 있다. 일부 양태에서, 상기 하강 섹션은, 대응하는 직교각(angle of orthogonality)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 작은 하강각을 가질 수 있고, 상기 상승 섹션은, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 큰 상승각 β를 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 가변 깊이 구역들의 세트는, 제1 서브세트 및 제2 서브세트를 포함하는 가변 깊이 구역의 둘 이상의 서브세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 서브세트의 가변 깊이 구역들은 제1 하강 섹션, 제1 상승 섹션 및, 상기 제1 하강 섹션과 상기 제1 상승 섹션 사이에 위치하는 제1 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 제1 하강각 α_A는 상기 제1 상승각 β_A와 거의 동일할 수 있다. 상기 제2 서브세트의 가변 깊이 구역들은 제2 하강 섹션, 제2 상승 섹션, 및 상기 제2 하강 섹션과 상기 제2 상승 섹션 사이에 위치하는 제2 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 제2 하강각 α_B는 상기 제2 상승각 β_B와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이하다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 가변 깊이 구역들 및 상기 제2 서브세트의 가변 깊이 구역들은 상기 제1 그루브의 제1 방향을 따라 교호 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들은, 대응하는 직교각과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 θ을 가질 수 있다. 일부 양태에서, 상기 제1 그루브들은, 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 θ을 가질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들은 약 65 내지 약 90° 사이의 고정 수직 협각 θ을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들은 2개의 반각(half angle) δ1 및 δ2로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가질 수 있다. 상기 제1 반각 δ1은 상기 제2 반각 δ2보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들은 2개의 반각 δ1 및 δ2로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가질 수 있다. 상기 제1 반각 δ1은, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있고, 상기 제2 반각 δ2는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트는 2개 이상의 서브세트를 포함할 수 있고, 상기 2개 이상의 서브세트는 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 상기 제1 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 상기 제1 그루브들의 제2 서브세트를 포함한다. 상기 제1 고정 수직 협각 θ_A는 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭일 수 있고, 상기 제2 고정 수직 협각 θ_A는 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 상기 제1 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 상기 제1 그루브들은 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트는 2개 이상의 서브세트를 포함할 수 있고, 상기 2개 이상의 서브세트는 2개의 반각 δ_A1 및 δ_A2로 이루어진 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 제1 그루브들의 제1 서브세트 및 2개의 반각 δ_B1 및 δ_B2로 이루어진 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브들의 제2 서브세트를 포함한다. 상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제1 반각 δ_A1은, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있고, 상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제2 반각 δ_A2는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 클 수 있다. 상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제1 반각 δ_B1은, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 클 수 있고, 상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제2 반각 δ_B2는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트는, 제3 고정 수직 협각 θ_C를 갖는 제1 그루브의 제3 서브세트를 포함할 수 있다. 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C는 상기 제3 서브세트의 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C는, 대응하는 직교각과 거의 동일할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 반복 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들은, 상기 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 φ을 가질 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들은, 약 10 내지 약 100°의 고정 수직 협각 φ을 가질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들은, 대응하는 직교각과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 φ을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들은, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ을 가질 수 있다. 상기 제1 반각 ρ1은 상기 제2 반각 ρ2보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 클 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들은, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ을 가질 수 있다. 상기 제1 반각 ρ1은, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 클 수 있고, 상기 제2 반각 ρ2는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들의 제2 세트는 2개의 반각 ρ1_A 및 ρ2_A로 이루어진 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들의 제1 서브세트 및 2개의 반각 ρ1_B 및 ρ2_B로 이루어진 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들의 제2 서브세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제1 반각 ρ1_A는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있고, 상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제2 반각 ρ2_A는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있다. 상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제1 반각 ρ1_B는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 클 수 있고, 상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제2 반각 ρ2_B는, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들은 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들의 제2 세트는, 상기 제3 서브세트의 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭일 수 있는 제3 고정 수직 협각 φ_C를 갖는 제2 그루브들의 제3 서브세트를 포함할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제3 고정 수직 협각 φ_C는, 대응하는 직교각과 거의 동일할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제2 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 반복 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트는 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들의 제2 서브세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 고정 수직 협각 φ_A는 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭일 수 있고, 상기 제2 고정 수직 협각 φ_B는 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들은 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 전이 섹션은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이의 연속 표면 전이를 포함할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 전이 섹션은 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부를 따라 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 물품은 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 상기 기재는 중합체 필름일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 물품은 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다.

다른 양태는 약간 비-직교하는 마이크로프리즘을 표면 위에 갖는 구조화된 표면을 갖는 기재를 포함하는 다른 물품이다. 상기 구조화된 표면은, 제2 방향을 따라 정렬된 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하고 제1 방향을 따라 정렬되는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함할 수 있다. 각각의 상기 제1 그루브들은 가변 깊이 구역들의 세트를 포함할 수 있다. 각각의 가변 깊이 구역은 제1 최소 깊이 Z_D1 및 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션, 제2 최소 깊이 Z_R1 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션, 및 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함할 수 있다. 상기 전이 섹션은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이의 연속 표면 전이를 포함할 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 실질적으로 수직이다. 상기 제1 그루브들의 적어도 일부는 상기 제1 방향과 비교하여 비평행한 편향된(skewed) 제1 방향을 따라 정렬될 수 있다. 상기 제1 방향과 상기 편향된 제1 방향 사이의 편향각(skew angle) ψ은 2° 미만이거나, 상기 제2 그루브들의 적어도 일부는 상기 제2 방향과 비교하여 비평행한 편향된 제2 방향을 따라 정렬되고, 상기 제2 방향과 편향된 제2 방향 사이의 편향각 τ은 2° 미만이다.

일부 양태에서, 상기 제1 그루브들의 적어도 일부와 제2 그루브들의 적어도 일부 사이의 교차점은 약 2°까지 비수직일 수 있다.

일부 양태에서, 상기 가변 깊이 구역들의 세트는 가변 깊이 구역의 제1 서브세트 및 제2 서브세트를 포함할 수 있고, 상기 편향된 제1 방향은 제1 서브 편향된 제1 방향 및 제2 서브 편향된 제1 방향을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들은 상기 제1 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제1 그루브 기저부를 가질 수 있다. 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들은 상기 제2 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제1 그루브 기저부를 가질 수 있다. 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향은 서로 비평행하다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향은 90°±2°와 동일한 편향각 χ_A만큼 제2 방향에 수직이 아니고, 편향각 χ_A는 90°±0.1°와 동일하지 않다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향은, 90°±0.1°와 동일한 비-편향각(non-skewed angle) χ_B만큼 제2 방향에 수직이다.

일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향은, 상기 제2 방향에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가질 수 있고, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 가질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 방향과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_A의 크기는 상기 제1 방향과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제1 가변 깊이 구역 및 상기 제2 서브세트의 제2 가변 깊이 구역들은 교호 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 상기 가변 깊이 구역들의 세트는, 제3 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제3 그루브 기저부를 갖는 제3 가변 깊이 구역의 제3 서브세트를 추가로 포함할 수 있고, 상기 제3 서브 편향된 제1 방향은 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 둘 다에 대해 비평행하다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가질 수 있고, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 가질 수 있고, 상기 제3 서브 편향된 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 수직 비-편향각(perpendicular non-skewed angle) χ_C를 가질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 방향과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_A의 크기는 상기 제1 방향과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제1 가변 깊이 구역들, 상기 제2 서브세트의 제2 가변 깊이 구역들 및 상기 제3 서브세트의 제3 가변 깊이 구역들은 반복 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들의 상기 적어도 일부는 최대 2°의 편향각 τ만큼 제2 방향에 대해 비평행할 수 있다.

일부 양태에서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트는 2개 이상의 제2 그루브들의 서브세트를 포함할 수 있다. 상기 제2 그루브들의 제1 서브세트는 제1 서브 편향된 제2 방향으로 정렬될 수 있고, 상기 제2 그루브들의 제2 서브세트는 제2 서브 편향된 제2 방향으로 정렬될 수 있고, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향은 제2 상기 서브 편향된 제2 방향에 대해 비평행하다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향은 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 제2 방향에 대해 비평행할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향은 상기 제2 방향에 대해 평행할 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향의 정렬은, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전될 수 있고, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향의 정렬은, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 편향각 τ_A의 크기는 상기 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들은 교호 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 상기 제2 그루브들의 제2 세트는 제3 서브 편향된 제2 방향으로 정렬된 제2 그루브들의 제3 서브세트를 추가로 포함할 수 있고, 상기 제3 서브 편향된 제2 방향은 상기 제1 서브 편향된 제2 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제2 방향 둘 다에 대해 비평행할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향의 정렬은, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전될 수 있고, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향의 정렬은, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전될 수 있고, 상기 제3 서브 편향된 제2 방향은 상기 제2 방향에 대해 실질적으로 평행할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 편향각 τ_A의 크기는 상기 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제2 그루브들은 반복 패턴으로 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 물품은 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 상기 기재는 중합체 필름일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 물품은 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다.

다른 양태는 반전된 그루브 패턴을 갖는 표면을 갖는 기재를 포함하는 다른 물품이다. 상기 반전된 그루브 패턴은 반전된 마이크로프리즘들을 포함할 수 있다. 상기 반전된 그루브 패턴은 마스터 몰드 물품의 그루브 패턴의 거울상일 수 있고, 상기 마스터 몰드 물품은 마스터 몰드 기재 표면을 가지고, 상기 마스터 몰드 기재 표면은 상기 표면 위에 마이크로프리즘을 포함하는 그루브 패턴을 갖는 갖는다. 상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 각각의 상기 제1 그루브들은 복수의 반복 가변 깊이 구역을 포함할 수 있다. 각각의 상기 가변 깊이 구역들은 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션, 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션, 및 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함할 수 있다. 상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행할 수 있고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이다.

일부 양태에서, 상기 반전된 마이크로프리즘들은 반전된 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들일 수 있다. 일부 양태에서, 상기 반전된 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열된 상기 마스터 몰드 물품의 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들의 거울상에 대응하는 반전된 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열될 수 있다.

일부 양태에서, 상기 반전된 그루브 패턴은, 상기 전이 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 반전된 전이 섹션은, 상기 마스터 몰드 물품의 그루브 패턴의 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이의 연속 표면 전이의 거울상에 대응하는 반전된 연속 표면 전이를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 상기 반전된 그루브 패턴은, 상기 전이 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함할 수 있고, 상기 반전된 전이 섹션은, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 제1 그루브의 그루브 기저부를 따라 위치하는 곡면의 거울상에 대응하는 반전된 곡면을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 반전된 표면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 약 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 상기 반전된 그루브 패턴은, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함할 수 있고, 상기 반전된 하강 섹션은 약 5 내지 약 50°의 범위, 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위 또는 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α'를 갖는다.

일부 양태에서, 상기 기재의 표면은 정반사 표면(specularly reflective surface)을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 상기 정반사 표면은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 상기 금속 물질은 니켈, 코발트, 알루미늄, 은, 금, 구리, 황동, 청동 및 이들의 합금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택될 수 있다.

일부 양태에서, 물품은 재귀반사체(retroreflector)로서 구성된다. 일부 양태에서 상기 기재는 중합체 물질이다. 일부 양태에서, 상기 기재는 금속 물질이다.

본 발명의 양태들은 첨부된 도면과 함께 판독되는 경우 하기 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 도면에서의 일부 피쳐(feature)들은, 상기 피쳐들을 참조할 때의 편의를 위해, 예를 들면, "상부", "하부", "수직" 또는 "측면"으로 설명될 수 있다. 이러한 설명은 자연의 지평선 또는 중력에 대한 상기 피쳐들의 방향을 제한하지 않는다. 다양한 피쳐들은 일정한 비례로 그려지지 않을 수 있고, 논의의 명확성을 위해 크기를 임의로 증가하거나 축소할 수 있다. 이하에서는 첨부된 도면과 함께 취해지는 하기 설명을 참조한다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 예시적인 양태에서 선택된 단계들의 흐름도를 제시하고;
도 2a는 본 발명의 방법 양태에 따라 제조되는 공정에서의 본 발명의 예시적인 물품의 사시도를 도시하고;
도 2b는 제조의 중간 단계에서의 본 발명의 예시적인 물품의 평면도를 도시하고;
도 2c는 제조의 중간 단계에서의 예시적인 물품의, 도 2b에 도시된 것과 유사한 평면도를 도시하고;
도 2d는 도 2b에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2D - 2D로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2e는 도 2b에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2E - 2E로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2f는 제조의 중간 단계에서의 예시적인 물품의, 도 2b에 도시된 것과 유사한 평면도를 도시하고;
도 2g는 도 2f에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2G - 2G로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2h는 도 1의 맥락에서 논의된 제조 단계들의 완료 후의 예시적인 물품의, 도 2b에 도시된 것과 유사한 평면도를 도시하고;
도 2i는 도 2h에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2I - 2I로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2j는 도 2i에 도시된 점선 영역에 대응하는 예시적인 물품의 상세한 단면도를 도시하고;
도 2k는 도 1의 맥락에서 논의된 제조 단계들의 완료 후의 본 발명의 다른 예시적인 물품의, 도 2b에 도시된 것과 유사한 평면도를 도시하고;
도 2l은 도 2k에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2L - 2L로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2m은 도 2k에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2M - 2M으로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 2n은 도 2k에 도시된 바와 같은 뷰 라인 2N - 2N으로부터의 예시적인 물품의 단면도를 도시하고;
도 3a는 본 발명의 다른 예시적인 물품 양태의 단면도를 도시하고;
도 3b는 도 3a에 도시된 바와 같은 뷰 라인 3B - 3B를 따라, 도 3a에 도시된 물품의 일부의 평면도를 도시하고;
도 3c는 도 3b에 도시된 물품의 동일한 부분의 사시도를 도시하고;
도 3d는 도 3b에 도시된 물품의 동일한 부분의 다른 사시도를 도시하고;
도 3e는 도 3d에 도시된 점선 영역에 대응하는 물품의 단면 상세도를 도시하고;
도 3f는 도 3a에 도시된 바와 같은 뷰 라인 3B - 3B를 따라, 도 3a에 도시된 물품의 일부의 평면도를 도시하고;
도 3g는 본 발명의 다른 예시적인 물품 양태의 단면도를 도시하고;
도 4a는 도 2k에 도시된 평면도와 유사한 본 발명의 다른 예시적인 물품 양태의 평면도를 도시하고;
도 4b는 도 4a에 도시된 바와 같은 뷰 라인 4B - 4B로부터의 도 4a에 도시된 물품 양태의 사시도를 도시하고;
도 4c는 제조의 중간 단계에서의 도 4a에 도시된 물품 양태의 평면도를 도시하고;
도 4d는 제조의 중간 단계에서의 도 4a에 도시된 물품 양태의 평면도를 도시하고;
도 5a는 도 4b에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 다른 예시적인 물품 양태의 사시도를 도시하고;
도 5b는 도 4b에 도시된 도면과 유사한 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 상세한 사시도를 도시하고;
도 5c는 도 4b에 도시된 도면과 유사한 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5d는 도 2n에 도시된 도면과 유사한 뷰 라인을 따라 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5e는 도 2n에 도시된 도면과 유사한 뷰 라인을 따라 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5f는 도 2n에 도시된 도면과 유사한 뷰 라인을 따라 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5g는 도 2l에 도시된 도면과 유사한 뷰 라인을 따라 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5h는 도 4b에 도시된 도면과 유사한 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 5i는 도 4b에 도시된 도면과 유사한 도 5a에 도시된 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 상세한 사시도를 도시하고;
도 6a는 도 4a에 도시된 평면도와 유사한 본 발명의 다른 예시적인 물품 양태의 평면도를 도시하고;
도 6b는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 6c는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 6d는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 6e는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 6f는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 6g는 도 6a에 도시된 도면과 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 다른 평면도를 도시하고;
도 7a는 본 발명의 예시적인 물품 양태로부터의 단일한 예시적인 마이크로프리즘의 사시도를 도시하고;
도 7b는 도 7a에 도시된 단일한 예시적인 마이크로프리즘의 탑 다운 평면도를 도시하고;
도 7c는 도 7b에 도시된 바와 같은 뷰 라인 7C - 7C로부터의 단일한 예시적인 마이크로프리즘의 단면도를 도시하고;
도 7d는 도 7b에 도시된 바와 같은 뷰 라인 7D - 7D로부터의 단일한 예시적인 마이크로프리즘의 단면도를 도시하고;
도 8은 도 3a 내지 도 3e의 맥락에서 논의된 물품 양태와 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 사진을 도시하고;
도 9a는 도 3a 내지 도 3e의 맥락에서 논의된 물품 양태와 유사한 본 발명의 예시적인 물품 양태의 구조화된 표면의 SEM 사진을 도시하고;
도 9b는 상업적으로 입수 가능한 마이크로프리즘 시팅 물품의 도 9a에 도시된 도면과 유사한 구조화된 표면의 SEM 사진을 도시한다.

본 발명은 구현하기에 더 간단하고 효율적이며 비용이 덜 드는 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘(RIA 마이크로프리즘)을 갖는 마이크로프리즘 재귀반사 물품의 제조에 사용하기 위해 마스터 몰드를 직접 가공하는 방법의 발견 및 개발을 기술한다. 또한, 상기 방법은 기존의 마이크로프리즘 시팅과 비교하여 개선된 성질을 갖는 물품의 제조를 초래할 수 있다.

마이크로프리즘 큐브 코너 재귀반사 시팅(본원에서 마이크로프리즘 재귀반사 시팅 또는 마이크로프리즘 시팅으로도 지칭됨)는 재료 상에 입사된 광을 원래의 광원을 향해 다시 반사시키는 능력을 특징으로 할 수 있다. 물품 양태에 대한 비제한적인 예시의 적용은 마이크로프리즘 시팅, 교통 표지, 차량 번호판, 트럭 및 다른 대형 차량에 대한 윤곽 마킹 테이프, 반사 차량 그래픽, 건설 작업 구역 바리케이드 또는 반사식 도로 경계 표시, 안전 조끼, 철도 건널목 및 많은 다른 적용을 포함한다.

마이크로프리즘 재귀반사 시팅은 종종 실질적으로 평면적이고 평활한 전방 표면(또는 면) 및 복수의 기하학적 구조를 포함하는 후방 구조화된 표면을 갖는 얇은 투명 층(일반적으로 하나 이상의 투명한 중합체 물질로 만들어짐)을 포함하고, 이들 중 다수는 미세한 큐브 코너 재귀반사 요소(마이크로프리즘 재귀반사 요소 또는 마이크로프리즘으로도 알려짐)이다. 마이크로프리즘 시팅은 일반적으로 롤 형태(예를 들면 48" x 50야드 시팅 롤)로 공급되며 롤-투-롤(roll-to-roll) 생산 공정으로 제조된다. 이와 같이, 마이크로프리즘 시팅은 일반적으로 충분히 얇고 유연하여 쉽게 롤링, 풀림 및 되감기될 수 있다. 이는 시팅 내의 마이크로프리즘이 매우 작고 일반적으로 1mm 미만의 치수를 갖는 것을 필요로 할 수 있다.

재귀반사 시팅의 성능은 두 가지 재귀반사 성능 파라미터인 입구각 및 관찰각에 의해 특성 확인될 수 있다. 본원에서 사용되는 용어 입구각은 빛이 재귀반사 시팅의 전면에 부딪치는 각도로서 정의된다. 0도 입구각은 시팅의 면에 대해 수직이다. 일부 응용 분야의 경우 마이크로프리즘 시팅이 10도 미만과 같은 비교적 작은 입구각에서 높은 수준의 재귀반사율을 갖는 것이 바람직하다. 마이크로프리즘 시팅이 30도 또는 40도 또는 그 이상과 같은 더 큰 입구각에서 강력한 성능을 갖는 것이 바람직할 수 있지만, 상기 시팅이 매우 큰 입구각에서만 작동하는 경우, 대부분의 응용 분야에서 쓸모없게 된다.

본원에서 사용되는 용어 관찰각은 재귀반사 시팅의 전면에 부딪치고 광원으로 다시 재귀반사될 때 광원 광과 검출기 사이의 각도로서 정의된다. 예를 들면, 차량의 경우, 관찰각은 차량의 전조등(광원), 재귀반사 물체(예를 들면 교통 표지판) 및 차량 운전자의 눈(검출기) 사이의 각도이다. 전체적으로, 관찰각은 일반적으로 0.1 내지 2.0° 사이로 매우 작다. 예를 들면, 재귀반사 교통 표지판이 차량으로부터 약 700피트에서 보일 때, 약 0.2°의 관찰각이 발생한다. 일반적으로, 광원(예를 들면 차량의 전조등)이 재귀반사 물체에 가까울수록 관찰각이 커진다. 유사하게는, 재귀반사 물체가 소형 차량(예를 들면, 소형 자동차) 대신에 대형 차량(예를 들면, 대형 트럭)으로부터 보여질 때, 대형 차량의 운전자가 일반적으로 차량의 전조등 위로 높히 있고, 따라서, 운전자의 눈과 전조등 사이에 더 큰 각도가 존재하기 때문에, 더 큰 관찰각이 존재할 것이다. 본 발명의 목적을 위해, 작은 관찰각은 0.5° 미만으로 정의되고, 큰 관찰각은 0.5° 이상으로 정의된다.

마이크로프리즘 시팅의 제조는 일반적으로 구조화된 표면을 갖는 마스터 몰드를 먼저 제조함으로써 일어나며, 상기 구조화된 표면은 완성된 마이크로프리즘 시팅의 마이크로프리즘을 함유하는 원하는 구조화된 표면 또는 이들의 네거티브(반전된) 사본에 상응한다. 그후 종래의 니켈 전기주조(nickel electroforming)와 같은 임의의 적절한 기술을 사용하여 금형을 복제하여 엠보싱, 압출 또는 주조-및-경화와 같은 공정에 의해 마이크로프리즘 시팅을 형성하기 위한 툴링을 생산한다. 미국 특허 5,156,863(Pricone 등)은 마이크로프리즘 시팅의 제조에 사용되는 툴링을 형성하기 위한 공정의 예시적인 개요를 제공한다. 이러한 툴링 제조 공정에서, 마스터 금형의 제조는 중요한 단계이며, 여기서 높은 수준의 정밀도와 정확도는 마스터 금형의 구조화된 표면에 마이크로프리즘을 적절하게 형성하는 것을 용이하게 한다.

각각의 마이크로프리즘은 기저부 및 3개의 상호 실질적으로 수직인 측면을 갖는 것으로 특성 확인될 수 있다. 3개의 측면은 마이크로프리즘의 베이스 반대편에 있는 단일 지점(또는 정점)에서 교차한다. 작은 관찰각(예를 들면 0.1° 또는 0.2°)에서 최적의 재귀반사 수준은 일반적으로 3개의 측면 사이의 이면각이 실질적으로 90°와 같고 마이크로프리즘이 직교 모양을 가질 때 발생한다. 이면각이 90°에서 약간 벗어나면 빛이 더 큰 관찰각으로 재귀반사될 수 있다. 일부 경우에는, 이러한 약간의 비-직교성이 바람직할 수 있지만, 이면각이 90°로부터 너무 크게 벗어나면(예를 들면, ±2°보다 큰 편차), 마이크로프리즘은 대부분의 실제 적용에 쓸모없게 될 수 있다. 유사하게는, 각각의 측면은 재귀반사 수준을 최적화하기 위해 광학적으로 평활한 평면 표면을 가져야 하다. 측면의 표면이 오목하거나 볼록한 경우 또는 표면이 광학적으로 평활하지 않고 거친 경우, 재귀반사 수준이 마찬가지로 감소할 수 있다.

본 발명은 마이크로프리즘의 2가지 범주를 고려한다: 삼면체-형상 마이크로프리즘 및 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘(RIA 마이크로프리즘). RIA 마이크로프리즘은 때때로 완전-큐브 마이크로프리즘 또는 선호 기하형상 마이크로프리즘이라고도 한다. 삼면체-형상 마이크로프리즘은 삼각형 피라미드 형상(즉, 삼면체 형상) 및 삼각형-형상의 기저부를 갖는다. 삼면체-형상 마이크로프리즘을 포함하는 마스터 몰드의 제조는 RIA 마이크로프리즘의 제조보다 간단할 수 있다. 그러나, 삼면체-형상의 마이크로프리즘의 전체 재귀반사 수준은 일반적으로 RIA 마이크로프리즘만큼 높지 않다.

삼면체-형상 마이크로프리즘의 경우, 마스터 몰드를 제조하는 가장 간단한 방법은 직접 가공 기술을 통해서이다. 직접 가공을 사용하면, 일련의 교차하는 V-형상 그루브들이 평면 기재(예를 들면 금속판)에 직접 형성되어 원하는 마이크로프리즘의 형상(또는 역 형상)을 정의한다. 삼면체-형상의 마이크로프리즘을 직접 가공하기 위해, 3가지 세트의 평행 V-형상 그루브들이 교차 패턴으로 형성된다. 홈은 일반적으로 플라이-커팅(fly-cutting) 또는 룰링(ruling)과 같은 당업계에 공지된 기술을 통해 절삭 공구, 일반적으로 다이아몬드-팁 절삭 공구의 연속 모션을 통해 만들어진다. 잘 알려진 예에서, 삼면체-형상의 마이크로프리즘들의 어레이는 V-형상 그루브들이 대략 70.529°의 협각을 갖는 서로 60° 각도로 교차하는 3개 세트의 평행 홈을 직접 가공함으로써 형성될 수 있다.

삼면체-형상의 마이크로프리즘의 한계는 각각의 개별 마이크로프리즘의 일부만이 실제로 광원을 향해 빛을 재귀반사한다는 것이며, 이것이 전체 재귀반사율 수준이 일반적으로 RIA 마이크로프리즘보다 삼면체-형상의 마이크로프리즘에 대해 더 낮은 이유이다. 모든 삼면체-형상의 마이크로프리즘은 활성 영역과 비활성 영역 둘 다를 갖는다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "활성 영역" 또는 "유효 개구"는 그 요소의 기저부에 입사하는 광을 재귀반사하는 코너-큐브 요소의 부분을 정의하기 위해 사용되는 용어이다. 활성 영역에서 이의 기저부를 통해 마이크로프리즘으로 들어오는 빛은 마이크로프리즘의 3개의 측면 각각에서 반사되어 이의 광원쪽으로 되돌아간다. 그러나, 비활성 영역에서 마이크로프리즘의 기저부로 들어오는 빛은 이의 광원쪽으로 다시 재귀반사되지 않을 것이다. 코너 큐브의 유효 개구를 결정하기 위한 예시적인 절차는 문헌[Eckhardt, Applied Optics, v. 10, n.7, July 1971, pp. 1559-1566] 및 미국 특허 835,648(Straubel)에 제시되어 있으며, 이들 둘 다는 전문이 본원에 참고로 포함된다.

삼면체-형상의 마이크로프리즘의 경우, 비활성 영역은 각각의 마이크로프리즘의 전체 영역의 상당 부분, 예를 들면, 전체 영역의 30% 이상을 차지할 것이다. 반면에 RIA 마이크로프리즘은 일반적으로 비활성 영역이 상당히 최소화되거나 제거되고 활성 영역은 마이크로프리즘의 기저부의 85% 이상을 차지할 수 있도록 설계되며, 이는 결국 더 높은 수준의 재귀반사를 수득할 수 있게 한다. 따라서, 교통 표지판, 차량 번호판, 안전 표지판, 차량 마킹, 반사식 도로 경계 표시 및 유사 용도와 같은 응용 분야에서는 RIA 마이크로프리즘을 포함한 마이크로프리즘 재귀반사 시팅을 사용하는 것이 매우 바람직하다.

RIA 마이크로프리즘만을 포함한 마이크로프리즘 시팅을 제조하고 제조 공정에서 사용하기 위한 마스터 몰드를 만들기 위한 이전의 많은 노력들이 있었다. 마스터 몰드를 제조하기 위한 이러한 방법들은 핀 번들링(pin bundling), 플레이트 시프팅(plate shifting) 및 라미나 조립(laminae assembly) 기술을 포함한다. 그러나, 이러한 방법들 각각은 상당한 단점과 결함을 갖는다.

각각 단부에 기하학적 형상을 갖는 복수의 핀들이 함께 조립되어 큐브-코너 요소들을 포함하는 구조화된 표면을 형성하는 핀 번들링 기술은, 각각의 핀이 함께 번들링되기 전에 개별적으로 가공되기 때문에 단일 몰드에서 매우 다양한 큐브 코너 기하형상을 제조하는 능력을 제공한다. 그러나, 이러한 기술은 종종 자전거 반사경과 같은 거시적 수준에서 큐브-코너 재귀반사 요소를 만드는 데만 사용되었다. 각각의 마이크로프리즘의 총 높이가 1mm 높이 미만(일반적으로 500마이크론 또는 250마이크론 미만)인 미세한 큐브-코너 재귀반사 요소의 경우, 이러한 핀 번들링 기술은 마스터 몰드를 형성하기 위해 정밀하게 가공된 다음 함께 배열되어야 하는 상당히 많은 수의 핀과 이의 감소하는 크기 때문에 비실용적이다.

플레이트 시프팅 기술을 사용하면, 일련의 얇은 플레이트(일반적으로 두께가 1mm보다 상당히 더 작음)를 함께 단단히 조립한 다음 일련의 V자형 홈으로 정밀하게 가공한다. 그후 이러한 플레이트를 분해하고, 코너-큐브 몰드를 만들기 위해 각각의 개별 플레이트를 새 위치로 이동하여 정밀하게 재배열해야 한다. 플레이트 시프팅 기술이 가진 어려움은 원하는 마이크로프리즘 형상을 만들기 위해 각각의 개별 플레이트가 일반적으로 수평 및 수직 방향 모두에서 미시적 스케일로 정확하게 재배치되어야 한다는 것이다. 개별 플레이트의 재배치가 부정확하면 재귀반사율 수준이 손실되거나 잠재적인 제조 문제가 야기될 수 있다. 또한, 많은 수의 미세한 플레이트를 정밀하게 가공하는 데 드는 비용이 상당히 클 수 있다.

플레이트 시프팅 기술과 마찬가지로 라미나 기술을 사용하면, 일련의 얇은 판이 상부 표면 상에 가공된 마이크로프리즘 요소의 하나의 열(row)(또는 때로는 2개의 열)로 제조된다. 라미나를 제조하기 위해, 얇은 판이 미리 결정된 위치에서 정밀하게 배향되어 일련의 V-형상 그루브들 또는 나이프-엣지 절단이 각각의 얇은 판의 상부 표면에 가공되어야 하다. 경우에 따라, 모든 가공 단계를 완료하기 위해 플레이트를 미시적 스케일로 여러 번 정밀하게 재배치하고 재배향해야 할 수 있다. 그후, 상당한 수의 라미나를 제조한 후, 라미나를 함께 배열하여 마스터 몰드를 형성하다. 플레이트 시프팅과 마찬가지로, 가공 단계 중 어느 것 동안에서 개별 플레이트의 재배치가 부정확하면 재귀반사율 수준이 손실되거나 잠재적인 제조 문제가 야기될 수 있다. 또한, 많은 수의 미세한 라미나를 정밀하게 가공하는 데 드는 비용도 상당히 클 수 있다.

상기 접근법들 각각이 갖는 다른 결함은 마스터 몰드를 만들기 위해 각각을 조립(또는 재조립)할 때 개별 핀, 플레이트 또는 라미나 사이에 미세한 갭이 존재할 가능성이 있다는 것이다. 이러한 미세한 갭(또는 이음매)은 제조 결함을 생성할 수 있고, 이는 궁극적으로 생성되는 마이크로프리즘 시팅 제품의 성능에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들면, 마스터 몰드가 니켈 전기주조와 같은 기술을 통해 복제될 때, 전기주조 용액이 작은 이음매와 갭으로 침투할 수 있다. 이는 잠재적으로 몰드를 손상시킬 수 있거나, 당업계에 공지된 바와 같이, "핀(fin)"이 이음매를 따라 또는 임의의 갭 내에 형성되도록 할 수 있다. 이러한 "핀"은 조심스럽게 제거하지 않으면 궁극적으로 생성된 마이크로프리즘 시팅 제품으로 성형되거나 형성될 수 있고, 이는 현장에서 사용하는 동안 제품 주름 또는 균열을 야기할 수 있다. 또한, 롤-투-롤 방식으로 마이크로프리즘 시팅을 제조하는 데 사용되는 최종 몰드 내의 미세한 갭 또는 이음매는 생산 문제를 일으킬 수 있다. 예를 들면, 이러한 갭 또는 이음매는 중합체 재료가 몰드에 고착된 채로 남아 최종 제품에서 거품 또는 얼룩과 같은 다양한 미적 결함을 초래할 수 있다. 또한, 이러한 고착이 발생하면 툴링의 유효 수명이 상당히 단축될 수 있다.

이전 접근법에 내재된 문제점, 높은 비용 및 결함으로 인해, 본원에 개시된 바와 같이 RIA 마이크로프리즘을 포함하는 마이크로프리즘 시팅의 제조에 사용하기 위한 마스터 몰드를 제조하기 위한 대안적인 방법을 갖는 것이 바람직하다.

본 발명의 양태들은 절삭 공구 또는 다수의 절삭 공구를 사용하여, 기재를 가로질러 한 방향으로 제1 세트의 홈을 절단함으로써 및 기재를 가로질러 다른 상이한 방향으로 제2 세트의 홈을 절단함으로써, 단일 기재(예를 들면, 모놀리식 블록 기재) 내의 그루브 패턴을 직접 가공하여, 복수의 RIA 마이크로프리즘이 서로 교차하는 2개의 홈 세트의 결과로서 기재 상에 형성되도록 한다. 각각의 세트의 개별 홈은 기재를 재배치하기 위해 절단 공정을 간헐적으로 중지할 필요 없이 표면을 가로질러 연속적으로 절단할 수 있다. 각각의 세트의 홈은 기재를 가로질러 형성된 과다한 개별 홈을 가질 수 있어, 실질적으로 더 큰 기재가 직접 가공될 수 있게 한다. 예를 들면, 본 발명의 일부 양태들에 대해 기재의 크기에 대한 실질적인 제한은 가공 장비 자체의 물리적 치수 제약이다. 이는 별도의 개별 기재 조각을 여러 절단 단계로 여러 방향으로 개별적으로 절단하여 각각의 기재 조각의 표면에 단일 마이크로프리즘 (또는 하나 또는 두 줄의 마이크로프리즘)을 형성하는 특정의 이전 절차와 대조된다. 그후 이러한 개별 기재 조각을 함께 적재하거나 적층하여 그 위에 마이크로프리즘을 갖는 다중-조각 기재를 형성한다. 이러한 개별 기재 조각의 미세한 크기와 규모로 인해, 조각을 함께 적재하거나 적층하는 공정은 일반적으로 요구되는 높은 수준의 정밀도를 달성하기가 매우 번거롭고 어려울 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 신규한 절차의 양태들은 구현하기에 더 빠르고 비용이 덜 들며, 이러한 신규한 절차로부터 생성된 물품들은 멀티-피스 기재 대신에 단일 기재 상에 제조될 수 있기 때문에 기계적으로 더 안정할 수 있다.

본 발명의 하나의 양태는 물품을 제조하는 것을 포함하는 방법이다. 도 1은 본 발명에 따른 방법(100)의 예시적인 양태에서 선택된 단계들의 흐름도를 제시하고, 도 2a 내지 도 2n은 방법(100)의 양태에 따라 제조되는 공정 및 제조 후의 공정에서의 본 발명의 예시적인 물품(200)의 다양한 도면들을 제시한다.

도 1 내지 도 2n을 전반에 걸쳐 계속 참조하여, 방법(100)은 물품(200)을 제조하는 단계(102)를 포함한다. 물품을 제조하는 단계(단계 102)는, 단계(105)에서, 표면(206)을 갖는 기재(205)을 제공하고, 단계(110)에서, 표면(206)에 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)를 형성하고, 단계(112)에서, 표면(206)에 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)를 형성함을 포함한다. 단계(110)의 일부로서 형성된 제1 그루브들(214)은 표면(206)을 가로질러 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고(예를 들면, 인접한 홈(214)은 0°±1°의 각도를 가짐), 제1 그루브들(214) 각각은 제1 구역(222) 및 제2 구역(223)의 반복되는 인터리브 패턴을 포함하고, 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T는 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S보다 크다. 도 2d는 제1 그루브들(214)의 그루브 기저부(272)의 경로를 따라 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222) 및 제2 구역(223)의 단면도를 도시한다. 단계(112)의 일부로서 형성된 제2 그루브들(240)은 표면(206)을 가로질러 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고(예를 들면, 인접한 홈(240)은 0°±1°의 각도를 가짐), 제2 방향(250)은 제1 방향(220)에 대해 실질적으로 수직(예를 들면, 교차 홈(214, 240)은 90°±1°의 각도를 가짐)이고, 제2 그루브들(240)은 제1 그루브들(214)의 제2 구역(223)을 통과하며, 여기서 이에 의해 그루브 패턴(255)이 표면(206)에 형성되며, 그루브 패턴(255)은 마이크로프리즘들(256)을 포함한다.

일부 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘이다. 본원에 사용된 용어 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘은 미세한 삼면체-형상 코너 큐브 재귀반사체의 절단된 버전을 지칭하며, 여기서 이의 유효 개구(즉, 활성 영역) 외부의 큐브 코너 재귀반사체의 적어도 일부가 삼면체-형상 마이크로프리즘의 설계로부터 제거되었다. 이와 같이, 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘은 비활성 영역의 적어도 일부가 제거된 삼면체-형상의 마이크로프리즘의 절단된 버전이다. 따라서, 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘의 경우, 활성 영역의 면적은 마이크로프리즘 기저부의 전체 면적의 더 높은 백분율을 차지할 것이다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 70% 이상의 활성 영역 백분율을 가질 것이다. 다른 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 85% 이상의 활성 영역 백분율을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 90% 이상의 활성 영역 백분율을 가질 것이다. 활성 영역 백분율을 특성 확인하는 방법이 아래에 제공된다.

본 발명의 다양한 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 등변 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘, 후방-경사 마이크로프리즘 및 측방-경사 마이크로프리즘을 포함하는, 당업계에 공지된 마이크로프리즘의 임의의 분류일 수 있다. 이러한 각각의 분류는 마이크로프리즘의 광축 방향에 의해 정의된다. 등변 마이크로프리즘의 경우, 광축은 마이크로프리즘의 기저부에 수직이다. 다른 분류의 경우, 광축은 등변 마이크로프리즘의 수직 위치로부터 기울어져 있다. 수직 위치로부터 기울어지는 정도를 광축의 경사각이라고 한다. 기울기의 방향이 마이크로프리즘이 전방-경사, 후방-경사 또는 측방-경사 마이크로프리즘인지 여부를 정의할 것이다. 이러한 각각의 마이크로프리즘 분류에 대한 보다 상세한 논의는 아래에 제공된다.

방법(100)의 일부 양태에서, 기재(205)을 제공하는 단계(단계 105)는 모놀리식 블록 기재를 제공함을 포함한다. 본원에서 사용되는 용어 모놀리식 블록 기재는 그 위에 형성된 마이크로프리즘들(256)을 갖는 단일의 고체 미파손 재료 조각을 의미한다. 예를 들면, 모놀리식 블록 기재(205)는 시트, 심 또는 적층물을 물리적으로 분리하는 이음매가 있는 함께 조립된 개별 시트, 심 또는 적층물과 같은 재료의 스택을 포함하지 않는다. 모놀리식 블록 기재를 사용하는 것은 저렴하고 물품(200)의 제조 동안 박리 또는 편향되기 쉽지 않다는 이점을 제공한다. 예를 들면 일부 양태에서, 모놀리식 블록 기재(205)는 강철, 알루미늄, 구리, 니켈, 황동 또는 다양한 금속 합금과 같은 단단한 금속 조각이다. 다른 양태에서, 모놀리식 블록은 스테인리스 강 층 상에 도금된 니켈 층과 같은 2개 이상의 금속 평면 또는 비평면 층을 포함할 수 있다. 여전히 다른 양태에서, 모놀리식 블록은 중합체 물질, 예를 들면 아크릴, 폴리카보네이트 또는 관련 분야의 숙련가들에게 친숙한 다른 플라스틱으로부터 제조될 수 있다.

일부 양태에서, 물품(200)은 예를 들면, 그 위에 그루브 패턴(255)의 반전된 사본을 갖는 다른 물품을 생성하기 위한 주형으로서 기능하도록 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 예를 들면, 물품(200)은 마이크로프리즘 재귀반사 물품의 제조에 사용하기 위한 몰드 마스터일 수 있다.

예를 들면, 방법(100)의 일부 양태는, 단계 115에서, 마스터 몰드로서 구성된 물품(200)을 사용하여, 복제 물품(260)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 복제 물품(260)은 복제 물품(260)의 복제 기재(263)의 표면(262) 상에 그루브 패턴(255)의 반전된 사본 그루브 패턴(261)을 가질 수 있고, 반전된 그루브 패턴(261)은 반전된 마이크로프리즘(256')을 포함한다. 물품(200)의 복제는 임의의 적절한 기술, 예를 들면 관련 분야의 숙련가에게 친숙한 통상적인 니켈 전기주조를 사용하여 달성될 수 있다. 그후, 동일한 복제 기술을 따름으로써, 복제 물품(260)의 추가의 복제가 이루어질 수 있고, 이어서 다단계 공정을 통해 함께 조립되어, 엠보싱, 압출 또는 주조-및-경화와 같은 공정에 의해 마이크로프리즘 재귀반사 시팅과 같은 마이크로프리즘 재귀반사 물품을 형성하기 위한 생산 공정에서 사용하기 위한 원통형 톨링을 생성할 수 있다. 본원에 참고로 포함된 미국 특허 5,156,863(Pricone 등)은 이러한 제조 툴링 조립 공정의 예시적인 공정을 제공하며, 본원에 참고로 포함된다. 일부 양태에서, 원통형 툴링은 마스터 몰드와 동일한 그루브 패턴(255)을 포함한다. 다른 양태에서, 원통형 톨링은 복제 물품(260)과 동일한 반전 그루브 패턴(261) 및 반전된 마이크로프리즘(256')을 포함한다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서 제1 그루브들(214)을 형성하는 것은, 표면(206)을 통해 제1 절삭 공구(264)(예를 들면, 일부 양태에서는 V형 또는 원뿔형 절삭 공구)를 이동시킴을 포함한다. 제1 절삭 공구(264)는 제1 세트(212) 내의 각각의 제1 그루브(214)의 원하는 수직 협각 θ과 동일한 절삭각을 갖는다. 일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 형성은, 단계(120)에서, 제1 절삭 공구(264)를 표면(206)을 통해 제3 방향(266)을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동으로 이동시키면서 또한 제1 방향(220)을 따라 이동시키며, 여기서 제3 방향(266)은 제1 방향(220) 및 제2 방향(250)에 수직이다. 일부 양태에서, 예를 들면, 단계(120)의 일부로서, 제1 절삭 공구(264)는 기재 표면(206)의 전체 길이를 따라 방향(220)으로 연속적으로 이동하면서 동시에 방향(266)으로 상승 및 하강하여 단일 제1 그루브(214)를 형성할 수 있다. 제1 세트(212)의 각각의 추가의 제1 그루브(214)를 형성하기 위해, 제1 절삭 공구(264)를 제2 방향(250)으로 제1 그루브 인덱스 거리(groove index distance) Y_P에 인덱스하고 방향(220)으로 기재 표면(206)의 전체 길이를 따라 제1 절삭 공구(264)의 동일한 연속 이동과 동시에 방향(266)으로 상승 및 하강를 반복하여 제1 세트(212)의 각각의 추가의 제1 그루브(214)를 형성한다. 이는 단일 홈 또는 단일 홈 세트를 가공하기 위해 기재를 재배치하기 위해 가공 공정을 간헐적으로 중단하지 않으면서 및 마스터 몰드를 만들기 위해 많은 개별 조각을 함께 조립할 필요 없이 더 큰 물품을 가공할 수 있게 하는 본 발명의 두드러진 특징이다. 종래 기술에서는 절단이 한 방향으로만 발생하였기 때문에 다단계 공정을 통해 작은 라미나, 심, 박판 또는 핀만 가공할 수 있었고, 이들은 그후에 함께 조립해야 했다. 더욱이, 종래 기술에서는, 단지 하나의 마이크로프리즘 또는 1 또는 2개 열의 마이크로프리즘만이 각각의 작은 라미나, 심, 박판 또는 핀의 표면 상에 가공될 수 있었다. 일부 양태에서, 제1 그루브 인덱스 거리 Y_P는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는다. 다른 양태에서, 제1 그루브 인덱스 거리 Y_P는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 제1 그루브 인덱스 거리 Y_P는 약 25 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는다.

제1 그루브들(214)은 홈의 바닥을 나타내는 그루브 기저부(272)를 갖는다. 일부 양태에서, 그루브 기저부(272)는 V형 또는 원뿔형 홈의 꼭지점에서 날카로운 지점일 것이다(도 2e). 다른 양태에서, 그루브 기저부(272)는 약간 둥글게 될 수 있다.

제1 그루브들(214)의 제1 구역(222) 및 제2 구역(223) 각각을 형성하기 위해 표면(206)을 통해 제1 절삭 공구(264)를 이동할 때, 절삭 공구(264)는 제1 그루브(214)를 따라 임의의 위치에서의 수직 협각이 일정하고 각도 θ과 거의 같도록 보장하기 위해 수직 위치로 유지된다. 도 2e를 참조하면, 수직 협각은 제2 방향(250) 및 제3 방향(266)을 둘 다 포함하는 평면에서 측정된 홈의 협각 θ이다. 제1 그루브들(214)을 형성할 때, 제1 그루브들(214)을 따라 임의의 위치에서, 절삭 공구(264)가 단독으로 방향(220)으로 이동하는지 또는 방향(266)을 따라 상승 및 하강하면서 방향(220)으로 이동하는지 여부에 관계없이, 수직 협각은 변하지 않는다. 이와 같이, 제1 그루브들(214)의 수직 협각 θ은 고정 수직 협각 θ이다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 형성은, 단계(125)에서, 하강 섹션(268) 및 상승 섹션(269)을 형성함을 포함한다(도 2d). 예를 들면, 단계(120)에서의 하강 운동은 하강 섹션(268)을 형성할 수 있고, 단계(120)에서의 상승 운동은 상승 섹션(269)을 형성할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 하강 섹션(268)은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 하강각 α에서 형성될 수 있고, 상승 섹션(269)은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 상승각 β에서 형성될 수 있다. 이러한 범위는 약 30°의 후방 기울기 내지 약 15°의 전방 기울기의 광축 기울기를 갖는 마이크로프리즘을 형성하는 데 도움이 된다. 일부 이러한 양태에서, 하강각 α는 상승각 β와 (예를 들면, 약 ±0.25° 이내) 거의 같고, 일부 양태에서, 하강각 α는 상승각 β의 1° 이내이다. 일부 양태에서, 하강 섹션(268)은 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α에서 형성되고, 상승 섹션(269)은 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 상승각 β에서 형성되며, 여기서 하강각 α 및 상승각 β에 대한 이들 범위는 광축이 약 30°까지 기울어진 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는데 도움이 된다. 여전히 다른 양태에서, 하강각 α 및 상승각 β는 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 값을 가질 수 있다. 이러한 범위는 약 3 내지 약 17°의 광축 기울기를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는 데 도움이 되며, 여기에서 하강 섹션 및 상승 섹션은 더 쉬운 직접 가공을 위해 더 얕은 기울기를 가지지만 생성된 마이크로프리즘은 더 작은 입구각에서 여전히 강력한 성능을 가질 것이다.

각각의 하강 섹션(268)은 제1 최소 깊이 Z_D1 및 제1 최대 깊이 Z_D2를 가질 것이다. 제1 최소 깊이 Z_D1은 하강 섹션(268) 내의 그루브 기저부(272)의 가장 얕은 위치에서 상부면(206)으로부터 그루브 기저부(272)까지 측정된다. 일부 양태에서, 제1 최소 깊이 Z_D1은 약 0 내지 약 350마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제1 최소 깊이 Z_D1은 약 10 내지 약 200마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 제1 최대 깊이 Z_D2는 하강 섹션(268) 내의 그루브 기저부(272)의 가장 깊은 위치에서 상부면(206)으로부터 그루브 기저부(272)까지 측정된다. 일부 양태에서, 제1 최대 깊이 Z_D2는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제1 최대 깊이 Z_D2는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 최대 깊이 Z_D2는 약 20 내지 250마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 또한, 각각의 하강 섹션(268)은 제1 최소 깊이 Z_D1로부터 제1 최대 깊이 Z_D2까지 측정된 바와 같은 제1 방향(220)으로의 하강 섹션 길이 X_D를 가질 것이다. 일부 양태에서, 하강 섹션 길이 X_D는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 하강 섹션 길이 X_D는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 하강 섹션 길이 X_D는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 것이다.

각각의 상승 섹션(269)은 제2 최소 깊이 Z_R1 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 가질 것이다. 제2 최소 깊이 Z_R1은 상승 섹션(269) 내의 그루브 기저부(272)의 가장 얕은 위치에서 상부면(206)으로부터 그루브 기저부(272)까지 측정된다. 일부 양태에서, 제2 최소 깊이 Z_R1은 약 0 내지 약 350마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제2 최소 깊이 Z_R1은 약 10 내지 약 200마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 제2 최대 깊이 Z_R2는 상승 섹션(269) 내의 그루브 기저부(272)의 가장 깊은 위치에서 상부면(206)으로부터 그루브 기저부(272)까지 측정된다. 일부 양태에서, 제2 최대 깊이 Z_R2는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제2 최대 깊이 Z_R2는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제2 최대 깊이 Z_R2는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 또한, 각각의 상승 섹션(269)은 제2 최소 깊이 Z_R1로부터 제2 최대 깊이 Z_R2까지 측정된 바와 같은 제1 방향(220)으로의 상승 섹션 길이 X_R을 가질 것이다. 일부 양태에서, 상승 섹션 길이 X_R은 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 상승 섹션 길이 X_R은 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 상승 섹션 길이 X_R은 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 것이다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 형성은, 단계(130)에서, 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 형성함을 포함한다. 전이 섹션은 이음매, 융기, 갭 또는 툴링 라인의 존재 또는 표면 연속성의 다른 손실 없이 하강 섹션과 상승 섹션(268, 269) 사이의 표면 연속성을 유지하기 위해 제1 구역(222)의 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이에 연속 표면 전이(274)를 포함한다. 전이 섹션(270) 입구(282)는 하강 섹션(268)의 제1 최대 깊이 Z_D2에서 발생하고, 출구(284)는 상승 섹션(269)의 제2 최대 깊이 Z_R2에서 발생한다. 일부 이러한 양태에서, 예를 들면, 전이 섹션(270)은 제1 그루브(214)의 그루브 기저부 표면(272)을 따라 위치하는 곡면(271)을 포함한다. 일부 양태에서, 곡면(271)은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 가질 수 있고, 일부 양태에서, 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 값 및 일부 양태에서, 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 값을 가질 수 있다. 전이 섹션(270)은 전이 섹션 입구(282)로부터 전이 섹션 출구(282)까지 측정된 제1 방향(220)으로의 전이 섹션 길이 X_T를 갖는다. 일부 양태에서, 전이 섹션 길이 X_T는 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 전이 섹션 길이 X_T는 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 전이 섹션 길이 X_T는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 작은 반경, r 및 작은 전이 섹션 길이 X_T를 유지하는 것은 생성되는 마이크로프리즘의 측면의 곡률을 최소화하며, 이는 특히 더 작은 관찰각에서, 생성되는 물품의 재귀반사 수준에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)은 고정 수직 협각 θ을 갖는 V-형상을 갖는다. 일부 이러한 양태에서, 고정 수직 협각 θ은 약 65 내지 약 90°의 범위의 값이며, 이는 약 30° 후방 기울기 내지 약 15° 전방 기울기의 광축 기울기를 갖는 마이크로프리즘을 형성하는데 도움이 된다. 일부 양태에서, 고정 수직 협각 θ은 약 78.47 내지 약 90°의 범위의 값을 가질 수 있고, 이는 광축이 약 30°까지 기울어진 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는데 도움이 된다. 일부 양태에서, 고정 수직 협각 θ은 약 80 내지 약 87°의 범위의 값을 가질 수 있고, 이는 약 3 내지 약 17°의 광축 기울기를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는데 도움이 되고, 여기서 하강 섹션 및 상승 섹션은 보다 쉬운 직접 가공을 위해 더 얕은 기울기를 갖지만, 여기서 생성된 마이크로프리즘은 더 작은 입구각에서 여전히 강력한 성능을 가질 것이다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값이다. 다른 양태에서, 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위이다. 본 발명의 하나의 추가적인 이점은 최대 깊이 Z_T에 의해 표시된 바와 같이 더 작은 마이크로프리즘이 보다 용이하게 달성될 수 있다는 것이다. 종래 기술에서는, 여러 개의 미세한 핀, 라미나, 심 또는 박판을 취급하고 정확하게 배치해야 하는 필요성으로 인해, 더 작은 마이크로프리즘을 포함하는 마스터 몰드를 제조하기가 매우 어려울 수 있다. 작은 마이크로프리즘은 생성되는 마이크로프리즘 시팅을 더 얇게 만들어 더 유연하게 만드는 이점이 있다.

제1 그루브들(214)의 제2 구역(223)은 최대 깊이 Z_S를 갖는다. 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S는 제2 구역(223) 내의 그루브 기저부(272)의 가장 깊은 위치에서 상부면(206)으로부터 그루브 기저부(272)까지 측정된다. 일부 양태에서, 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S는 약 0 내지 약 750마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S는 약 5 내지 약 475마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S는 약 10 내지 약 225마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 또한, 도 2d는 제2 구역(223)이 제1 방향(220)으로 그루브 기저부(272)의 직선 경로를 따라 실질적으로 일정한 깊이를 갖는 것으로 도시하지만, 이것이 항상 필요한 것은 아니다. 제2 그루브들(240)이 형성될 때 제2 구역(223)의 적어도 일부가 제거될 것이기 때문에, 제2 구역(223) 내의 그루브 기저부(272)의 경로는 직접 가공 공정을 단순화하는 임의의 편리한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 구역 내의 그루브 기저부(272)의 경로는 표면(206) 아래의 깊이가 상이한 곡선일 수 있다. 또한, 일부 경우에, 제2 구역(223)은 기재의 상부 표면(206)을 포함할 수 있고, 이는 제1 절삭 공구(264)가 룰링 블록의 표면을 일시적으로 빠져 나갈 수 있음을 나타낸다. 이러한 경우에, 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S가 약 0마이크론일 가능성이 존재한다. 제2 구역(223)은 하강 섹션(268) 및 상승 섹션(269)은 제외하고 제2 최소 깊이 Z_R1과 제1 최소 깊이 Z_D1 사이의 제1 방향(220)에서 측정된 바와 같이 제1 방향(220)으로의 제2 구역 길이 X_S를 갖는다. 일부 양태에서, 제2 구역 길이 X_S는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 제2 구역 길이 X_S는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 가질 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제2 구역 길이 X_S는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 가질 것이다.

도 2b는 단계(110)를 부분적으로 완료하기 위해 상부 표면(206)을 가로질러 제1 방향(220)으로 단일 제1 그루브(214)가 형성된 후의 물품(200)의 평면도를 도시하고, 하강 섹션(268), 상승 섹션(269) 및 전이 섹션(270)의 형성을 포함한다. 도 2d를 추가로 참조하여 도 2b에서 알 수 있는 바와 같이, 제1 구역(222) 내의 가변 절단 깊이로 인해, 제2 방향(250)으로의 제1 그루브들(214)의 폭은 제3 방향(266)으로의 절단 깊이에 따라 변할 것이다. 절단이 제1 구역(222)의 전이 섹션(270) 내에서 최대 깊이 Z_T에 도달함에 따라, 제1 그루브들(214)의 폭은 최대가 될 것이다.

도 2c는 제1 세트(212)의 모든 제1 그루브들(214)이 형성된 후에 제조되는 중간 단계 동안의 물품(200)의 평면도를 도시한다. 제1 세트(212)는 다수의 제1 그루브들(214)을 포함할 것이다. 일부 양태에서, 제1 세트(212)는 2 내지 10,000개의 제1 그루브들(214)을 포함할 것이다. 다른 양태에서, 제1 세트(212)는 25 내지 5,000개의 제1 그루브들(214)을 포함할 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 세트(212)는 100 내지 2,500개의 제1 그루브들(214)을 포함할 것이다.

일부 양태에서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 인접한 제1 그루브들(214)은 인접한 제1 그루브들(214) 사이에 능선(ridge line)(287a 및 287b)을 형성하기 위해 서로 중첩될 것이다. 물품(200)의 직접 가공을 완료하기 위한 후속 제조 단계 후에, 능선(287a 및 287b)은 생성된 마이크로프리즘의 특정 측면 사이의 이면체 에지가 될 것이다.

도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 홈 측벽(215a, 215b, 215c, 215d, 215e, 215f)은 제1 절삭 공구(264)가 상부면(206)을 통해 이동하여 제1 그루브들(214)을 형성함에 따라 형성된다. 홈 측벽(215a, 215b)은 제1 구역(222)의 하강 섹션(268) 내에 형성된다. 홈 측벽(215c, 215d)은 제1 구역(222)의 상승 섹션(269) 내에 형성된다. 홈 측벽(215e, 215f)은 제2 구역(223)으로 형성된다. 직접 가공 공정이 완료된 후, 홈 측벽(215a, 215b, 215c, 215d)의 일부는 생성된 마이크로프리즘들(256)의 측면으로서 기능할 것이다.

일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)의 형성은 제1 절삭각 θ을 갖는 제1 절삭 공구(264)를 사용함을 포함하고, 단계(112)의 일부로서, 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)의 형성은 제2 절삭각 φ를 갖는 제2 절삭 공구(275)를 사용함을 포함한다. 일부 양태에서, 제1 절삭각 θ의 값은 제2 절삭각 φ의 값과 상이하다.

일부 양태에서, 단계(112)의 일부로서, 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)의 형성은, 단계(140)에서, 제1 그루브들(214)의 제2 구역(223)의 적어도 일부를 제거함을 포함한다. 예를 들면, 절삭 공구(예를 들면, 제2 절삭 공구(275))가 제2 방향(250)을 따라 제1 그루브들(214)을 통과함에 따라, 단계(110)의 일부로서 미리 형성된 제2 구역(223)에 대응하는 기재(205)의 일부가 제거된다. 일부 양태에서, 전체 제2 구역(223)이 제거될 수 있다. 제1 그루브들(214)의 형성과 마찬가지로, 제2 그루브들(240)을 형성하는 것은 제2 그루브들(240)이 제1 그루브들(214)의 제2 구역(223)을 통과함에 따라 방향(250)으로 기재 표면(206)의 전체 길이를 따라 연속적인 운동으로 절삭 공구(예를 들면 제2 절삭 공구(275))를 이동시킴을 포함한다.

제2 세트(235)의 각각의 추가의 제2 그루브(240)를 형성하기 위해, 절삭 공구(예를 들면 제2 절삭 공구(275))를 제1 방향(220)으로 제2 그루브들 인덱스 거리 X_P에 인덱스하고 방향(250)으로 기재 표면(206)의 전체 길이를 따라 절삭 공구의 동일한 연속 이동을 반복하여 제2 세트(235)의 각각의 추가의 제2 그루브(240)를 형성한다. 일부 양태에서, 제2 그루브들 인덱스 거리 X_P는 약 20 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값이다. 다른 양태에서, 제2 그루브들 인덱스 거리 X_P는 약 25 내지 약 600마이크론의 범위의 값이다. 여전히 다른 양태에서, 제2 그루브들 인덱스 거리 X_P는 약 40 내지 약 500마이크론의 범위 내의 값이다. 도 2f는 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)가 완료된 후의 물품(200)의 평면도를 도시한다. 일부 양태에서, 제2 세트(235)는 2 내지 10,000개의 제2 그루브들(240)을 포함할 것이다. 다른 양태에서, 제2 세트(235)는 25 내지 5,000개의 제2 그루브들(240)을 포함할 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 세트(235)는 100 내지 2,500개의 제2 그루브들(240)을 포함할 것이다.

제2 그루브들(240)은 홈의 바닥을 나타내는 그루브 기저부(282)를 갖는다. 일부 양태에서, 그루브 기저부(282)는 V형 또는 원뿔형 홈(도 2G)의 꼭지점에서 날카로운 지점일 것이다. 다른 양태에서, 그루브 기저부(282)는 약간 둥글게 될 수 있다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(240)은 고정 수직 협각, φ을 갖는 V-형상을 가질 수 있다(도 2g). 제2 그루브들(240)의 경우, 수직 협각, φ는 제1 방향(220) 및 제3 방향(266)을 둘 다 포함하는 평면에서 측정된다. 일부 이러한 양태에서, 고정 수직 협각, φ는 약 10 내지 약 100°의 범위의 값을 가지고, 일부 양태에서 약 10.53 내지 약 70.52°의 범위의 값을 갖는다. 이 후자의 범위는 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는 데 도움이 된다. 여전히 다른 양태에서, 고정 수직 협각, φ는 약 35 내지 약 65°의 범위의 값을 갖는다. 고정 수직 협각, φ에 대한 이러한 값 범위는 약 3°에서 약 17°의 광축 기울기를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘을 형성하는 데 도움이 되며, 이는 하강 섹션 및 상승 섹션은 더 쉬운 직접 가공을 위해 더 얕은 기울기를 갖도록 하지만 생성된 마이크로프리즘은 더 작은 입구각에서 여전히 강력한 성능을 가질 것이다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(240) 각각의 최대 깊이 Z_C는 서로 실질적으로 동일한 깊이(예를 들면, 동일한 Z_C 값±5%)를 가질 수 있다. 일부 양태에서, 최대 깊이 Z_C는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는다. 다른 양태에서, 최대 깊이 Z_C는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 최대 깊이 Z_C는 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는다. 일부 양태에서, 제2 그루브들(240)의 최대 깊이 Z_C는 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T보다 클 수 있다. 일부 양태에서, 제2 그루브들(240)의 최대 깊이 Z_C는 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T보다 작을 수 있다.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다양한 양태의 RIA 마이크로프리즘의 다양한 피쳐를 예시한다. 도 7a는 다양한 양태의 단일 마이크로프리즘(700)의 3차원 표현을 도시한다. 도 7b는 상부도를 도시한다. 각각의 마이크로프리즘(700)은 정점(750) 및 3개의 측면(717, 718, 719)을 갖는다. 마이크로프리즘(700)의 기저부(710)는 정점(750)의 대향에 위치한다. 기저부(710)를 통해 마이크로프리즘(700) 내로 들어오는 광은 측면(717, 718, 719) 각각으로부터 반사되어 광원을 향해 되돌아올 것이다.

도 7a 내지 도 7d 각각에서, 마이크로프리즘(700)의 경계 및 에지는 실선 또는 점선에 의해 정의된다. 실선은 본 발명의 물품에서 가시적으로 발견될 수 있는 마이크로프리즘(700)의 에지를 나타낸다. 한편, 점선은 본 발명의 물품 내에서 보이지 않는 마이크로프리즘의 경계 또는 에지를 나타내지만, 마이크로프리즘의 다양한 피쳐를 설명하는데 도움을 주기 위한 예시의 목적으로 도 7a 내지 도 7d에 도시되어 있다. 예를 들면, 제1 측면(717)의 바닥 에지(782)는 본 발명의 물품 내에서 가시적으로 식별될 수 있다. 그러나, 제1 측면(717)의 측면 에지(751a 및 751b)는 본 발명의 물품에서 보이지 않는다. 이는 제1 측면(717)이 표면(206)을 통한 절삭 공구(예를 들면 절삭 공구(275))의 이동에 의해 형성되어 제2 그루브들(240)을 형성하기 때문이다. 절삭 공구가 상부면(206)을 통해 이동함에 따라, 홈 측벽(215g, 216h)과 제2 그루브들 기저부(272)가 각각 형성되면서 제2 그루브들 기저부(272)가 형성된다. 생성된 본 발명의 물품에서, 홈 측벽(215g 및 215h)은 일련의 제1 측면(717)으로서 기능하고, 제2 그루브들 기저부(272)는 일련의 바닥 에지(782)로서 기능한다. 절삭 공구가 표면(206)을 통해 연속적으로 이동하고 이러한 이동의 결과로서 추가적인 제1 측면(717)이 형성될 때마다 멈추지 않기 때문에, 측면 에지(751a 및 751b)를 표시하기 위해 인접한 제1 측면(717) 사이에 가시적인 경계 또는 에지가 존재하지 않는다. 반면에, 제2 그루브들 기저부(282)는 본 발명의 물품 내에서 가시적이기 때문에, 바닥 에지(782)는 또한 본 발명의 물품 내에서 가시적으로 식별될 수 있다.

바닥 에지(782)가 제2 그루브들(240)의 일부로서 형성되기 때문에, 바닥 에지(782)는 제2 방향(250)에 실질적으로 평행하다. 제2 측면(718) 또는 제3 측면(719)은 제2 방향(250)에 실질적으로 평행한 경계 에지를 갖지 않기 때문에, 본 발명의 목적을 위해, 제1 측면(717)은 제2 방향(250)에 실질적으로 평행한 바닥 에지(782)를 갖는 마이크로프리즘(700)의 측면으로서 정의될 것이다. 그리고, 도 7b와 관련하여, 본원에 정의된 바와 같이, 제2 측면(718)은 제1 측면(717)에 바로 시계 방향으로 위치되고, 제3 측면(719)은 제2 측면(718)에 바로 시계 방향으로 위치될 것이다.

일부 양태에서, 마이크로프리즘(700)의 기저부(710)는 본 발명의 물품의 상부 표면(206)에 실질적으로 평행한(±1°) 평면에 놓일 것이다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘(700)의 기저부(710)는 사변형 형상을 갖는다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘(700)의 기저부(710)는 정사각형 형상을 갖는다. 다른 양태에서, 마이크로프리즘(700)의 기저부(710)는 직사각형 형상을 갖는다. 마이크로프리즘(700)의 폭, w는 기저부(710)의 제2 방향(250)에서의 거리이다. 일부 양태에서, 폭, w는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는다. 다른 양태서, 폭, w는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 폭, w는 약 25 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는다. 마이크로프리즘(700)의 길이, l은 기저부(710)의 제1 방향(220)에서의 거리이다. 일부 양태에서, 길이, l은 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는다. 다른 양태에서, 길이, l은 약 15 내지 500마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 길이, l은 약 25 내지 250마이크론의 범위의 값을 갖는다.

이면체 에지(741, 743, 745)는 측면의 교차에 의해 형성된다. 제1 이면체 에지(741)는 제1 측면(717)과 제2 측면(718)의 교차에 의해 형성된다. 제2 이면체 에지(743)는 제2 측면(718)과 제3 측면(719)의 교차에 의해 형성된다. 제3 이면체 에지는 제1 측면(717)과 제3 측면(719)의 교차에 의해 형성된다.

각각의 측면들 사이의 각도는 이면각으로 알려져 있다. 제1 이면각은 제1 측면(717)과 제2 측면(718) 사이의 각도이고, 제1 이면체 에지(741)를 따라 위치된다. 제2 이면각은 제2 측면(718)과 제3 측면(719) 사이의 각도이고, 제2 이면체 에지(743)를 따라 위치된다. 제3 이면각은 제1 측면(717)과 제3 측면(719) 사이의 각도이고, 제3 이면체 에지(745)를 따라 위치된다.

도 7c는 뷰 라인 7C-7C를 따라 마이크로프리즘(700)의 단면도를 도시한다. 도 7c는 각각에 대한 광축(740)의 정렬을 도시함으로써, 본 발명의 마이크로프리즘의 3개의 상이한 변형: 등변 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 및 후방-경사 마이크로프리즘을 도시한다. 도 7c는 또한 제1 측면(717)의 복각 ε₁이 이들 3개의 분류 각각에 따라 어떻게 변하는지를 도시한다. 각각의 측면의 복각 ε은 측면과 대향하는 이면체 에지에 맞춰 조정되어 측정이 이루어질 때 제3 방향(266)의 수직 위치로부터 측면의 복각을 측정한 것이다. 예를 들면, 제3 복각 ε₃을 측정하기 위해, 측정은 제3 측면(719)과 대향하는 제1 이면체 에지(741)에 맞춰 조정된다(도 7d 참조).

마이크로프리즘(700)의 광축(740)은 마이크로프리즘의 내부 영역을 삼등분하고 3개의 측면(717, 718, 719) 모두와 동일한 각도를 형성하는, 기저부(710)로부터 정점(750)을 통해 연장되는 벡터이다. 등변 마이크로프리즘의 경우, 광축(740a)은 기저부(710)에 수직이고, 제1 측면(717a)의 복각 ε_1a는 대략 35.26°와 동일하다. 후방-경사 마이크로프리즘의 경우, 광축(740b)은 등변 마이크로프리즘의 수직 정렬로부터 제1 측면(717)을 향해 직접 기울어지고, 경사는 제2 이면체 에지(743)가 위치하는 제1 방향(220) 및 제3 방향(266) 양쪽에 실질적으로 정렬된 평면(즉, 경사 평면)에서 발생한다. 전방-경사 마이크로프리즘의 경우, 광축(740c)은 제1 측면(717)으로부터 직접 떨어진 등변 마이크로프리즘의 수직 정렬로부터 기울어지고, 경사 평면은 제2 이면체 에지(743)가 위치하는 제1 방향(220) 및 제3 방향(266) 모두에서 다시 실질적으로 정렬된다. 광축(740)의 경사 평면은 전방-경사 마이크로프리즘 및 후방-경사 마이크로프리즘 모두에 대해 동일하지만, 경사의 방향은 상이하다는 것을 주지해야 한다.

등변 마이크로프리즘과 관련된 수직 위치로부터 광축(740)의 경사 정도가 경사각, Ω이다. 따라서 등변 마이크로프리즘에 대한 경사각, Ω는 0°이다.

마이크로프리즘의 제4 카테고리, 측방-경사 마이크로프리즘(도 7c에 도시되지 않음)의 경우, 광축(740)은 이의 경사 평면이 마이크로프리즘의 3개의 이면체 에지(741, 743, 745) 중 어느 것과도 정렬되지 않도록 기울어져 있다. 예를 들면, 측방-경사 마이크로프리즘의 경우, 광축의 경사 평면은 제2 방향(250) 및 제3 방향(266) 모두와 실질적으로 정렬될 수 있다. 또한, 측방-경사 마이크로프리즘은 광축 경사 평면이 제1 방향(220) 또는 제2 방향(250)과 실질적으로 정렬되지 않도록 또한 전방-경사 또는 후방-경사 성분을 가질 수 있다.

본 발명의 각각의 마이크로프리즘은 또한 마이크로프리즘 높이, h를 가지고, 이는 기저부(710)와 정점(750) 사이의 제3 방향(266)에서의 거리이다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘 높이, h는 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는다. 다른 양태에서, 마이크로프리즘 높이, h는 약 15 내지 약 500마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 마이크로프리즘 높이, h는 약 25 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는다. 이전에 논의된 바와 같이, 본 발명의 하나의 이점은 더 작은 RIA 마이크로프리즘이 보다 용이하게 형성될 수 있다는 것이다. 여전히 다른 양태에서, 마이크로프리즘 높이, h는 약 15 내지 약 100마이크론의 범위의 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 마이크로프리즘 높이, h는 약 15 내지 약 50마이크론의 범위의 값을 갖는다.

도 7d는 뷰 라인 7D - 7D를 따라 마이크로프리즘(700)의 단면도를 도시한다. 도 7d는 제3 측면(719)의 복각 ε₃을 도시한다. 당업자들이 인지하는 바와 같이, 제2 측면(718)의 복각 ε₂ 및 제3 측면(719)의 복각 ε₃은 또한 광축의 기울기에 따라 변할 것이다. 일부 양태에서, 측면(717, 718 및 719) 각각은 측면들 중 어느 것도 본 발명의 물품의 상부 표면에 실질적으로 수직이 되지 않도록 각지게 정렬되고, 각각의 측면의 각각의 복각은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는다. 모든 측면들(717, 718, 719)을 각지게 정렬하는 것의 이점은 더 작은 입구각에서 재귀반사 수준이 더 강해질 것이라는 것이다. 일부 양태에서, 측면들(717, 718, 719) 각각에 대한 복각 ε은 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 가질 것이다. 다른 양태에서, 측면들(717, 718, 719) 각각에 대한 복각 ε은 약 15 내지 약 45°의 범위의 값을 가질 것이다.

측면들(717, 718, 719)의 각각은 표면적을 갖는다. 일부 양태에서, 제2 측면(718)의 표면적은 마이크로프리즘이 등변 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 후방-경사 마이크로프리즘인 다수의 양태와 같이, 제3 측면(719)의 표면적과 대략 동일할 것이다(예를 들면 ±5% 이내). 다른 양태에서, 제2 측면(718)의 표면적은 마이크로프리즘이 측방-경사 마이크로프리즘인 다수의 양태와 같이, 제3 측면(719)의 표면적과 대략 동일하지 않을 것이다. 일부 양태에서, 측면(717, 718, 719)은 약 1,000 제곱-마이크론 내지 약 100,000 제곱-마이크론의 범위의 값을 갖는 표면적을 가질 것이다. 일부 양태에서, 측면(717, 718, 719)은 약 2,000 제곱-마이크론 내지 약 50,000 제곱-마이크론의 범위의 값을 갖는 표면적을 가질 것이다.

이하에서 본 발명의 방법에 대한 논의로 돌아가서, 일부 양태에서, 단계(110)의 일부로서, 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)의 형성은, 단계(135)에서, 제1 서브세트 그루브들(214A)의 적어도 제1 서브세트(212A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)의 제2 서브세트(212B)를 형성함을 포함하고, 여기서 제1 서브세트 그루브들(214A)은 제2 서브세트 그루브들(214B)의 고정 수직 협각 θ_B보다 큰 고정 수직 협각 θ_A를 갖는다. 이러한 양태는 측방-경사 마이크로프리즘을 형성하는데 도움이 된다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트 그루브들(214A)은 제2 방향(250)으로; 예를 들면, A,B,A,B,A,B... 또는 B,A,B,A,B,A... 패턴으로 상부 표면(206)을 가로질러 제2 서브세트 그루브들(214B)과 교호하고, 여기서 'A'는 제1 서브세트 그루브들(214A) 중 하나와 같고, 'B'는 제2 서브세트 그루브들(214B) 중 하나와 같다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트 그루브들(214A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)은 2개의 상이한 절삭 공구(264a 및 264b)(도시되지 않음)를 사용하여 형성될 수 있고, 여기서 각각의 절삭 공구는 상이한 절삭각 θ_A, θ_B를 갖는다.

본 발명의 다른 양태는 물품이다. 물품의 양태는 도 1 및 도 2a 내지 2g의 맥락에서 논의된 바와 같이, 방법(100)의 양태에 의해 제조된 물품의 임의의 피쳐들을 포함할 수 있다. 도 2h 내지 2n은 도 1의 맥락에서 논의된 제조 단계들의 완료 후의 물품(200)의 측면들을 도시한다. 또한, 도 3 내지 도 6의 맥락에서 개시된 임의의 물품들도 방법(100)의 양태에 의해 제조될 수 있다.

전체적으로 도 1 내지 2n을 계속 참조하면, 물품(200)은 그 위에 마이크로프리즘들(256)을 포함하는 그루브 패턴(255)을 지닌 표면(206)을 갖는 기재(205)을 포함한다(도 2h). 그루브 패턴(255)은 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)와 교차하는 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)를 포함한다. 제1 그루브들(214)은 그루브 패턴(255)을 가로질러 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하다. 제1 그루브들(214) 각각은 복수의 반복 가변 깊이 구역(280)을 포함한다(도 2i). 가변 깊이 구역(280) 각각은 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(268) 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(269)을 포함한다. 제2 그루브들(240)은 표면을 가로질러 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 제2 방향(250)은 제1 방향(220)에 실질적으로 수직이다.

일부 양태에서, 제1 그루브들(214)은 V-형상 그루브들일 수 있고, 제2 그루브들(240)은 V-형상 그루브들일 수 있다. 본원에서 사용되는 V-형상이라는 용어는 홈의 제1 및 제2 측벽(예를 들면, 측벽(215c 및 215d, 도 2e)이 서로 교차하여 문자 'V'와 유사한 형상을 형성하는 것을 지칭한다. 홈의 그루브 기저부는 2개의 측벽이 홈의 바닥에서 교차하는 곳에 형성된다. 일부 양태에서, 그루브 기저부 표면(272 또는 282)은 날카로운 지점에 올 수 있거나 또는 날카로운 지점일 수 있다. 그러나, 다른 양태에서, 그루브 기저부는 약간 둥글게 될 수 있다. 본 발명의 각각의 V-형상 그루브들(예를 들면 214, 240)은 수직 협각(예를 들면 θ, φ)를 갖는다. 일부 양태에서, 수직 협각은 각각의 홈을 따라 일정하다. 일부 양태에서, 수직 협각은 2개의 반각(예를 들면, δ₁, δ₂, 도 2e)의 합일 수 있다. 일부 양태에서, 2개의 반각들은 서로 동일할 수 있는 반면, 다른 양태에서, 2개의 반각들은 서로 동일할 수 없다. 일부 양태에서, V-형상을 갖는 제1 및 제2 그루브들(214, 240)은 대칭(예를 들면, 동일한 반각)일 수 있고, 다른 양태에서, V-형상의 홈을 갖는 제1 및 제2 그루브들(214, 240)은 비대칭(예를 들면 동일하지 않은 반각)일 수 있다.

일부 양태에서, 기재(205)은 모놀리식 블록 기재이다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘들(256)은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘이다. 일부 양태에서, 물품은 마스터 몰드로서 구성된다. 여전히 다른 양태에서, 물품은 원통형 툴링으로서 구성된다.

일부 양태에서, 가변 깊이 구역(280) 각각은 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 추가로 포함한다(예를 들면, 도 2i 내지 도 2j). 전이 섹션(270)은 전이 입구(282), 전이 출구(284) 및 그 사이에 존재하는 제3 최대 깊이 Z_F를 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 진이 입구(282)는 제1 최대 깊이 Z_D2의 위치에서 하강 섹션(268)에 인접할 수 있고, 전이 출구(284)는 제2 최대 깊이 Z_R2의 위치에서 상승 섹션(269)에 인접할 수 있다. 일부 양태에서, 전이 섹션(270)은 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이의 연속 표면 전이(274)를 포함한다. 일부 이러한 양태에서, 전이 섹션(270)은 제1 그루브(214)의 그루브 기저부 표면(272)을 따라 위치하는 곡면(271)을 포함한다(도 2d). 일부 이러한 양태에서, 곡면(271)은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위, 1 내지 약 25마이크론의 범위 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경(예를 들면, r, 도 2d)을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 마이크로프리즘들(256)의 인접한 쌍들(290)(도 2h)은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배렬된다. 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들은 인접한 쌍이 공유된 공통 피쳐(예를 들면 연속 표면 전이(274))을 따라 서로의 거울상으로서 배열된다는 것을 의미한다.

도 2k 내지 2n에 예시된 바와 같이, 일부 양태에서, 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)는 적어도 제1 서브세트 그루브들(214A)의 제1 서브세트(212A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)의 제2 서브세트(212B)를 포함한다. 제1 서브세트 그루브들(214A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)은 각각 하강 섹션(268A, 268B)과 상승 섹션(269A, 269B) 사이에 위치하는 전이 섹션(270A, 270B)을 포함한다. 각각의 전이 섹션(270A, 270B)은 전이 입구(282A, 282B), 전이 출구(284A, 284B) 및 제3 최대 깊이 Z_FA, Z_FB를 각각 포함한다. 일부 양태에서, 제1 서브세트 그루브들(214A)의 제3 최대 깊이 Z_FA는 제2 서브세트 그루브들(214B)의 제3 최대 깊이 Z_FB보다 클 수 있다. 일부 양태에서, 제1 서브세트 그루브들(214A)은 제2 방향(250)을 따라 상부 표면(206)을 가로질러 제2 서브세트 그루브들(214B)과 교호할 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 마이크로프리즘들(256)의 4종 세트(291)는 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트로서 배열된다. 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트는 4개의 마이크로프리즘 세트이며, 여기서 각각의 마이크로프리즘은 인접한 마이크로프리즘과 공유된 공통 피쳐(예를 들면 전이 표면 전이 또는 그루브 기저부)을 따라 세트 내에서 인접한 2개의 마이크로프리즘의 거울상이다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(240) 각각은 동일한 최대 깊이 Z_C를 가질 수 있다. 일부 양태에서, 제2 V-형상 그루브들(240) 각각의 최대 깊이 Z_C는 전이 섹션(270)의 제3 최대 깊이 Z_F보다 클 수 있다. 일부 양태에서, 제2 V-형상 그루브들(240) 각각의 최대 깊이 Z_C는 전이 섹션(270)의 제3 최대 깊이 Z_F보다 작을 수 있다.

일부 양태에서, 기재(205)은 중합체 필름이거나 이를 포함할 수 있다. 다수의 상이한 중합체성 물질은 아크릴 중합체, 폴리카보네이트 중합체, 폴리비닐 클로라이드 중합체, 폴리우레탄 중합체 및 이들의 공중합체 또는 블렌드를 포함하는 중합체 필름을 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 물품(200)은 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다. 본 발명의 임의의 다른 양태 뿐만 아니라 이러한 양태에서, 당업계에 공지된 바와 같이, 재귀반사 시팅은 재귀반사 시팅 내에 마이크로프리즘의 캡슐화된 셀룰러 네트워크를 생성하기 위한 배킹 필름을 포함할 수도 있다. 이러한 구성은 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제4,025,159호(McGrath)에 개시되어 있다. 또한, 당업계에 공지된 바와 같이, 이러한 구성은 마이크로프리즘이 전체 내부 반사의 원리를 통해 광을 재귀반사하도록 한다. 대안적으로, 금속 코팅(예를 들면, 진공-코팅된 알루미늄)과 같은 반사 코팅이 마이크로프리즘 상에 증착되어 재귀반사 시팅을 생성할 수 있고, 여기서 마이크로프리즘은 정반사 원리를 통해 이의 광원을 향해 광을 재귀반사하는 기능을 한다. 또한, 본 발명의 재귀반사 시팅의 임의의 양태는 재귀반사 시팅이 교통 표지 기재 또는 차량의 측면과 같은 다른 표면에 접착될 수 있도록 접착제(예를 들면, 감압 접착제)로 코팅될 수 있다.

본 발명의 물품의 다른 양태가 도 3a 내지 도 3f에 제시되어 있다. 도 3a 내지 도 3f를 전반에 걸쳐 계속 참조하여, 물품(300)은 구조화된 표면(306)을 지닌 제1 측(304)을 갖는 투명 시트(302)를 포함한다. 구조화된 표면(306)은 그 위에 마이크로프리즘(310)을 포함하고, 마이크로프리즘(310)은 구조화된 표면(306) 상의 마이크로프리즘 어레이(312)의 일부이다. 마이크로프리즘(310)의 각각은 마이크로프리즘(310A 및 310B)의 인접한 쌍(314)의 일부이어서, 인접하는 쌍(314)의 각각에 대해: 제1 마이크로프리즘(310A)은 제1 측면(317A), 제2 측면(318A) 및 제3 측면(319A)을 가지며; 제2 마이크로프리즘(310B)은 제1 측면(317B), 제2 측면(318B) 및 제3 측면(319B)을 가지고; 제1 마이크로프리즘(310A)의 제2 측면(318A)과 제2 마이크로프리즘(310B)의 제3 측면(319B) 사이에는 연속 표면 전이(320)가 존재한다.

본 발명에 기반하여, 물품(300)의 피쳐들(예를 들면, 투명 시트(302), 구조화된 표면(306), 마이크로프리즘(310), 연속 표면 전이(320))은 물품(200)의 유사한 피쳐들의 복제된 사본(예를 들면, 각각 기재(205), 그루브 패턴(255)을 갖는 표면(206), 마이크로프리즘들(256), 연속 표면 전이(274))일 수 있다.

연속 표면 전이(320)라는 용어는 인접한 마이크로프리즘의 인접한 측면들 사이(예를 들면, 제1 마이크로프리즘(310A)의 제2 측면(318A)과 제2 마이크로프리즘(310B)의 제3 측면(319B) 사이)에 표면 연속성이 유지되는 전이 영역(즉, 전이 구역)을 지칭한다. 표면 연속성의 유지는 이음매, 융기, 갭 또는 툴링 라인의 존재 또는 인접한 측면 사이의 연속성 손실없이 발생한다.

일부 양태에서, 인접한 쌍(314)의 마이크로프리즘(310A 및 310B)은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열된다(도 3c). 일부 양태에서, 제1 마이크로프리즘(310A)은 제2 마이크로프리즘(310B)의 거울상이다. 여전히 추가로, 일부 양태에서, 마이크로프리즘(310)은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘이다.

투명 시트(302)의 양태는 제1 측(304)에 대향하는 제2 측(322)을 포함할 수 있고, 제2 측(322)은 실질적으로 평활하고 평면적인 제2 표면(324)을 갖는다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 들어오는 광(325A)은, 제2 표면(324)을 통해 및 투명 시트(302)를 통해 통과한 후에, 마이크로프리즘(310)의 측면들(317, 318, 319) 각각으로부터 반사되어 (예를 들면, 재귀반사된 광(325B)으로서) 투명 시트(302)를 통해 및 이의 광원을 향해 제2 표면(324)을 통해 밖으로 반사될 것이다. 일부 이러한 양태에서, 제2 측(322)의 표면(324)은 재귀반사 시팅과 같은 재귀반사 물품으로서 구성된 물품의 외부 표면으로서 구성될 수 있다. 당업계에 친숙한 당업자는 도 3a가, 마이크로프리즘의 2개의 측면으로부터 반사되는 들어오는 광(325A)만을 도시하기 때문에, 재귀반사 물품이 어떻게 기능하는지에 대한 단순화된 2차원적 표현일 뿐이라는 것을 이해할 것이다. 위에서 논의한 바와 같이, 들어오는 광은 실제로 마이크로프리즘의 3개의 측면 모두에서 반사될 것임을 이해할 것이다.

본원에 사용된 바와 같은 용어 투명 시트는 시험 방법 ASTM DI 003을 사용하여 측정된 바와 같이 적어도 90%의 발광 투과율(luminous transmission)을 갖는 시트재를 지칭한다. 유사하게는, 투명 시트의 투과 헤이즈(transmission haze)는 시험 방법 ASTM DI 003을 사용하여 측정된 바와 같이 5% 미만일 것이다. 다른 양태에서, 투과 헤이즈는 2.5% 미만일 것이다. 낮은 수준의 투과 헤이즈 및 높은 수준의 발광 투과율을 유지하면 재귀반사 특성을 최대화할 수 있다.

일부 양태에서, 투명 시트(302)는 물품(300)이 재귀반사 시팅으로서 사용되기에 충분히 가요성일 수 있도록 하는 얇은 시트일 수 있다. 예를 들면, 일부 양태에서, 구조화된 표면(306) 상의 마이크로프리즘(310)의 정점(350)으로부터 대향 표면(324)까지 측정된 투명 시트(302)의 두께(327)는 약 50 내지 1,000마이크론의 범위의 값일 수 있다. 다른 양태에서, 두께(327)는 약 75 내지 500마이크론의 범위의 값일 수 있다.

일부 양태에서, 투명 시트(302)는 중합체성 물질을 포함한다. 전술한 바와 같이, 아크릴 중합체, 폴리카보네이트 중합체, 폴리비닐 클로라이드 중합체, 폴리우레탄 중합체 및 이들의 공중합체 또는 블렌드를 포함하는 다수의 상이한 중합체 물질이 투명 시트(302)를 형성하는데 사용될 수 있다. 또한, 당업계에 공지된 바와 같이, 도 3a는 투명 시트(302)를 물질의 단일 층으로서 도시하지만, 물질의 2개 이상의 층이 조합되어 투명 시트(302)를 구성할 수 있다. 일부 양태에서, 도 3g에 도시된 바와 같이, 투명 시트(302)는 마이크로프리즘 층(332) 및 바디 층(334)으로 구성될 수 있고, 여기서 마이크로프리즘 층(332)은 제1 물질로 구성되고, 바디 층(334)은 제2 물질로 구성된다. 일부 이러한 양태에서, 구조화된 표면(306)을 포함하는 투명 시트(302)의 제1 측(304)은 마이크로프리즘 층(332)의 일부이다. 또한, 실질적으로 평활하고 평면인 표면(324)을 포함하는 제2 측(322)은 바디 층(334)의 일부이다. 일부 양태에서, 마이크로프리즘 층(332) 및 바디 층(334) 둘 다는 중합체성 물질을 포함한다. 예를 들면, 본원에 참고로 포함된 미국 특허 제5,450,235호는 적어도 2개의 상이한 중합체 층을 포함하는 가요성 재귀반사 물품을 기술한다. 당업계에 잘 알려진 다른 예에서, 마이크로프리즘 층(332)은 폴리카보네이트 중합체 물질을 포함하고, 바디 층(334)은 아크릴 중합체 물질을 포함한다. 폴리카보네이트 물질은 매우 강하고 내열성이 있는 반면 아크릴 물질은 매우 내후성이 있고 물품의 보호 외부 표면으로 기능할 수 있기 때문에 물질의 이러한 조합은 매우 내구성있고 내후성인 재귀반사 물품을 제공한다.

일부 양태에서, 각각의 마이크로프리즘(310)의 측면(317, 318, 319)의 각각은 각각의 측면(317, 318, 319)에 대한 복각 ε가 약 5 내지 약 50°의 범위의 값과 동일하도록 제2 표면(324)에 대해 각지게 정렬된다. 측면들 중 어느 것도 제2 표면(324)에 실질적으로 수직이 아니기 때문에, 생성되는 재귀반사율 수준은 더 작은 입구각에서 더 높을 것이며, 이는 (위에서 논의된 바와 같이) 재귀반사 물품을 더 넓은 범위의 적용에서 사용하기에 적합하게 만든다.

일부 양태에서, 연속 표면 전이(320)는 곡면(328)을 가짐을 포함한다. 예를 들면, 일부 양태에서, 곡면(328)은 약 1 내지 약 50마이크론 또는 약 1 내지 약 25마이크론 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 값, r(도 3d)을 갖는다.

일부 양태에서, 마이크로프리즘(310) 각각은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성될 수 있다. 그러나, 다른 양태에서, 마이크로프리즘(310)은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 둘 이상으로서 구성될 수 있다. 다른 양태에서, 마이크로프리즘(310) 중 적어도 일부는 측방-경사 마이크로프리즘으로서 구성된다.

일부 양태에서, 각각의 제2 측면(318)의 표면적 및 각각의 제3 측면(319)의 표면적은 서로 거의 동일하다(예를 들면, ±5% 이내).

일부 양태에서, 마이크로프리즘(310)의 2개의 인접한 쌍(314A 및 314B)은 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트(340)를 형성하며, 여기서 4종 세트(340)는 제1 마이크로프리즘(310A), 제2 마이크로프리즘(310B), 제3 마이크로프리즘(310C) 및 제4 마이크로프리즘(310D)을 포함한다(도 3f). 제3 마이크로프리즘(310C)은 제1 측면(317C), 제2 측면(318C) 및 제3 측면(319C)을 갖는다. 제4 RIA 마이크로프리즘(310D)은 제1 측면(319D), 제2 측면(318D) 및 제3 측면(319D)을 갖는다. 제3 마이크로프리즘(310C)의 제2 측면(318C)과 제4 마이크로프리즘(310D)의 제3 측면(319D) 사이에는 연속 표면 전이(320')가 있다.

일부 이러한 양태에서, 제3 마이크로프리즘(310C)의 제2 측면(318C)의 표면적 및 제4 마이크로프리즘(310D)의 제3 측면(319D)의 표면적은 서로 거의 동일하다(예를 들면, ±5% 이내).

일부 이러한 양태에서, 제3 마이크로프리즘(310C)의 제2 측면(318C)의 표면적 및 제3 마이크로프리즘(310C)의 제3 측면(319C)의 표면적은 서로 동일하지 않다(예를 들면, ±5% 초과의 차이).

일부 이러한 양태에서, 제1 마이크로프리즘(310A)은 제3 마이크로프리즘(310C)의 거울상일 수 있고, 제3 마이크로프리즘(310C)은 제4 마이크로프리즘(310D)의 거울상일 수 있다.

또한 면(317, 318, 319) 및 마이크로프리즘 정점(350) 사이에 위치된 이면체 에지(341, 343, 345)가 도시되어 있다(도 3b 내지 3f).

본 발명의 물품의 다른 양태가 도 4a 내지 도 4d에 제시되어 있다. 도 4a 내지 도 4d를 전반에 걸쳐 계속 참조하면, 물품(400)은 구조화된 표면(407)을 갖는 기재(405)를 포함한다. 구조화된 표면(407)은 그 위에 마이크로프리즘들(410)의 어레이(408)를 포함하고, 마이크로프리즘들(410)은 구조화된 표면(407) 상의 마이크로프리즘 어레이(408)의 일부이고, 마이크로프리즘 어레이(408)는 제1 마이크로프리즘 서브어레이(408A) 및 제2 마이크로프리즘 서브어레이(408B)를 포함한다.

제1 서브어레이(408A)는 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)을 포함하고, 제1 마이크로프리즘(410A)은 제1 측면(417A), 제2 측면(418A) 및 제3 측면(419A)을 가지고, 제2 마이크로프리즘(410B)은 제1 측면(417B), 제2 측면(418B) 및 제3 측면(419B)을 갖는다. 제1 마이크로프리즘(410A)의 제2 측면(418A)과 제2 마이크로프리즘(410B)의 제3 측면(419B) 사이에는 연속 표면 전이(420)가 있다.

제2 서브어레이(408B)는 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)을 포함하고, 제3 마이크로프리즘(410C)은 제1 측면(417C), 제2 측면(418C) 및 제3 측면(419C)을 가지고, 제4 마이크로프리즘(410D)은 제1 측면(417D), 제2 측면(418D) 및 제3 측면(419D)을 갖는다. 제3 마이크로프리즘(410C)의 제2 측면(418C)과 제4 마이크로프리즘(410D)의 제3 측면(419D) 사이에는 연속 표면 전이(420')가 있다. 제1 마이크로프리즘(410A)의 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A는 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C보다 크다.

당업계 내에서 이해되고 도 7c와 관련하여 위에서 논의된 바와 같이, 마이크로프리즘의 제1 측면(417)의 복각 ε₁는 마이크로프리즘의 광축의 기울기 정도 및/또는 기울기 방향(즉, 정렬)에 의해 결정된다. 2개의 상이한 마이크로프리즘(예를 들면, 410A, 410C)이 제1 측면(예를 들면, 417A, 417C)의 상이한 복각(예를 들면, ε_1A, ε_1C)을 갖는 경우, 각각의 마이크로프리즘(예를 들면, 410A, 410C)의 광축은 상이한 정도로 기울어지고/지거나 상이한 방향으로 기울어질(즉, 정렬될) 것이다. 이와 같이, 마이크로프리즘의 상이한 분류(예를 들면, 전방-경사, 등측, 후방-경사, 측방-경사)가 구조화된 표면(407) 상의 마이크로프리즘들의 어레이(408) 내에 동시에 포함될 수 있다. 광축의 기울기 및 정렬이 마이크로프리즘의 재귀반사 성능을 변화시키기 때문에, 본 발명의 물품의 재귀반사 성능을 특정 용도에 맞게 조정할 수 있는 많은 설계 자유가 허용된다. 예를 들면, 제1 서브어레이(408A)의 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)은 둘 다 비교적 큰 광축 기울기(예를 들면 약 12°의 광축 기울기)를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘일 수 있는 반면, 제2 서브어레이(408B)의 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)은 둘 다 비교적 작은 광축 기울기(예를 들면 약 1°의 광축 기울기)를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘일 수 있다. 다른 예로서, 제1 서브어레이(408A)의 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)은 둘 다 광축이 기울어지지 않은 등변 마이크로프리즘일 수 있는 반면, 제2 서브어레이(408B)의 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)은 둘 다 적당한 정도의 광축 기울기(예를 들면 약 7°의 광축 기울기)를 갖는 후방-경사 마이크로프리즘일 수 있다. 또한, 마이크로프리즘들의 어레이(408)에 추가적인 서브어레이를 통합함으로써, 마이크로프리즘의 추가적인 분류가 어레이에 동시에 포함될 수 있다. 예를 들면, 3개의 상이한 서브어레이(예를 들면, 408A, 408B, 408C)가 포함되면, 3개의 상이한 마이크로프리즘이 구조화된 표면(407) 상의 마이크로프리즘들의 어레이(408)에 또한 포함될 수 있다.

일부 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)의 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A 및 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C는 둘 다 약 5 내지 약 50° 또는 약 5 내지 약 35° 또는 약 18 내지 약 32°의 범위의 값을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)의 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A는 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C보다 적어도 2° 더 크거나, 5° 더 크거나, 10° 더 크거나, 15° 더 클 수 있다.

물품(400)의 일부 양태에서, 마이크로프리즘들(410)은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)은 제2 마이크로프리즘(41OB)의 거울상이고, 제3 마이크로프리즘(4IOC)은 제4 마이크로프리즘(410D)의 거울상일 수 있다.

일부 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)과 제2 마이크로프리즘(410B) 및, 제3 마이크로프리즘(410C)과 제4 마이크로프리즘(410D)은 인접한 쌍(460A, 460B)으로서 배열된다. 일부 이러한 양태에서, 인접한 쌍(460A, 460B)의 제1 마이크로프리즘(410A)과 제2 마이크로프리즘(41OB) 및, 제3 마이크로프리즘(410C)과 제4 마이크로프리즘(410D)은 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열된다. 이는 인접한 쌍(314)의 마이크로프리즘(310A 및 310B)이 도 1c의 문맥에서 논의된 바와 같이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는 것과 유사하다. 일부 이러한 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)의 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A는 제2 마이크로프리즘(410B)의 제1 측면(417B)의 복각 ε_1C와 실질적으로 동일할 것이며(예를 들면, 약 ±1° 이내), 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C는 제4 마이크로프리즘(410D)의 제1 측면(417D)의 복각 ε_1D와 실질적으로 동일할 것이다(예를 들면, 약 ±1° 이내).

도시된 바와 같이, 물품(400)은 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 개시된 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)(또는 제1 서브세트들(212A, 212B)) 중 임의의 것에 대해 기술된 것과 유사한 제1 그루브(414)의 제1 세트(412)를 포함할 수 있다. 그러나, 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 개시된 물품(200)과 도 4a 내지 도 4d에 개시된 물품(400) 사이의 주요 차이점은 제1 세트(412)의 제1 그루브(414) 각각이 적어도 2개의 상이한 가변 깊이 구역(예를 들면, 480A, 480B)을 포함한다는 것이다. 마이크로프리즘(410)의 어레이(408)의 각각의 서브어레이(예를 들면, 408A, 408B)에 대해, 제1 그루브(414)은 상이한 가변 깊이 구역(예를 들면, 480A, 480B)을 포함할 것이다.

일부 양태에서, 제1 그루브(414)은 제1 가변 깊이 구역(480A) 및 제2 가변 깊이 구역(480B)을 포함한다. 가변 깊이 구역(예를 들면, 480A, 480B) 각각은 하강 섹션(예를 들면, 468A, 468B), 상승 섹션(예를 들면, 469A, 469B) 및 하강 섹션과 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션(예를 들면, 470A, 470B)을 포함하고, 이는 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 논의된 하강 섹션(268), 상승 섹션(269) 및 전이 섹션(270)과 유사하다.

일부 양태에서, 연속 표면 전이(420)(또는 연속 표면 전이(420'))는 곡면(428)(또는 428')을 포함할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 곡면(428)(또는 428')은 약 1 내지 약 50마이크론 또는 약 1 내지 약 25마이크론 또는 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r(또는 r') 값을 가질 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 연속 표면 전이(예를 들면, 420, 420')는 전이 섹션(예를 들면, 470A, 470B) 내에 위치된다.

도시된 바와 같이, 물품(400)은 또한 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 개시된 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235) 중 임의의 것에 대해 기술된 것과 유사한 제2 그루브들(440A 및 440B)의 제2 세트(435)를 포함할 수 있다. 그러나, 주요 차이점은 제2 그루브들(440A 및 440B)이 그루브 기저부(482A, 482B)에 대해 대칭이 아니라는 것이다. 제2 그루브들(440A 및 440B)의 홈 측벽이 2개의 서로 다른 마이크로프리즘(예를 들면 410B, 410C)의 제1 측면(예를 들면, 제2 그루브(440A)의 경우 417B, 417C)을 형성하는 것을 감안할 때 및 2개의 상이한 마이크로프리즘(예를 들면, 410B, 410C)이 제1 측면(예를 들면, 417B, 417C)의 상이한 복각(예를 들면, ε_1B, ε_1C)을 갖는다는 점을 감안할 때, 제2 그루브들의 끼인 반각(이는 제1 측면의 복각 ε₁과 동일함)은 상이할 것이다.

일부 양태에서, 물품(400)은 제1 제2 그루브(440A) 및 제2 제2 그루브(440B)을 포함하는 둘 이상의 상이한 제2 그루브들(440)의 제2 세트(435)를 포함할 것이다. 각각의 제2 그루브(440)는 그루브 기저부(282) 및 최대 깊이 Z_C를 가질 것이다. 일부 양태에서, 제1 제2 그루브(440A)의 최대 깊이 Z_CA는 제2 제2 그루브(440B)의 최대 깊이 Z_CB와 실질적으로 동일할 것이다. 일부 양태에서, 제1 제2 그루브(440A)은 제2 제2 그루브(440B)의 거울상이다. 일부 이러한 양태에서, 제1 제2 그루브(440A)의 수직 협각, φ_A는 제2 제2 그루브(440B)의 수직 협각 φ_B와 거의 동일할 것이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 제2 그루브(440A)의 수직 협각, φ_A 및 제2 제2 그루브(440B)의 수직 협각 φ_B는 그루브 기저부(482A, 482B)에 대해 대칭이 아니다.

물품(400)을 형성하기 위한 직접 가공 공정은 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 개시된 방법(100)과 유사하다. 그러나, 제1 그루브(414)의 제1 세트(412)를 형성하기 위해, 일부 양태는 제1 그루브(414)을 형성하기 위해 둘 이상의 상이한 절삭 공구를 사용할 것이다. 일부 양태에서, 제1 그루브(414)을 형성하는 것은 제1 절삭 공구(464A)를 기재(405)의 표면을 통해 제3 방향(266)을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동으로 이동시키면서 또한 제1 방향(220)을 따라 이동시켜 제1 가변 깊이 구역(480A)을 형성한 다음, 제2 절삭 공구(464B)를 기재(405)의 표면을 통해 제3 방향을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동으로 이동시키면서 또한 제1 방향(220)을 따라 이동시켜 제2 가변 깊이 구역(480B)을 형성함을 포함한다. 일부 양태에서, 제1 절삭 공구(464A)는 기재(405)의 전체 길이를 따라 제1 방향(220)으로 연속적으로 이동하는 동시에 방향(266)으로 상승 및 하강하여 단일 제1 그루브(414)을 부분적으로 형성한다. 그후, 제2 절삭 공구(464B)는 기재(405)의 표면을 통해 제1 방향(220)으로 간헐적으로 이동하는 동시에 방향(266)으로 상승 및 하강하여 각각의 단일 제1 그루브(414)의 형성을 완료한다. 일부 양태에서, 제1 절삭 공구(464A)는 제1 절삭각 θ_A를 가지고, 제2 절삭 공구(464B)는 제2 절삭각 θ_B를 갖는다. 도 4c는 기재(405)의 표면을 가로지르는 제1 절삭 공구(464A)의 연속적인 이동만을 통해 단일 제1 그루브(414)이 부분적으로 형성된 후의 기재(405)를 도시한다. 도 4d는 제1 절삭 공구(464A) 및 제2 절삭 공구(464B) 둘 다가 기재(405)의 표면을 통해 이동된 후에 단일 제1 그루브(414)이 완전히 형성된 후의 기재(405)를 도시한다.

일부 양태에서, 마이크로프리즘 어레이(408)의 제1 마이크로프리즘 서브어레이(408A) 각각은 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)으로 구성되고, 마이크로프리즘 어레이(408)의 제2 마이크로프리즘 서브어레이(408B) 각각은 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)으로 구성된다. 즉, 제1 마이크로프리즘 서브어레이(408A)는 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)만을 가지고, 제2 마이크로프리즘 서브어레이(408B)는 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)만을 갖는다.

임의의 이러한 양태에서, 마이크로프리즘들(410)은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성될 수 있다. 그러나, 다른 양태에서, 마이크로프리즘(410A, 410B, 410C, 410D)은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 둘 이상으로서 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 제1 서브어레이(408A) 및 제2 서브어레이(408B)는 구조화된 표면(405)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 서브어레이(408A, 408B)는 구조화된 표면(407)을 가로질러(예를 들면, 제1 방향(220)를 따라) 교호하는 A,B,A,B,A,B 또는 B,A,B,A,B,A 패턴으로 배열될 수 있고, 여기서 'A'는 제1 서브어레이(408A)와 같고 'B'는 제2 서브어레이와 같다.

일부 양태에서, 제1 서브어레이(408A) 각각은 서로의 거울상(예를 들면 제1 마이크로프리즘 및 제2 마이크로프리즘(410A 및 410B)의 쌍의 열(430))인 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)의 쌍의 제1 열(430)을 포함하고, 제2 서브어레이(408B) 각각은 서로의 거울상(예를 들면, 제3 마이크로프리즘 및 제4 마이크로프리즘(410C, 401D)의 쌍의 제2 열(432))인 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)의 쌍의 제2 열(432)를 포함한다. 도 4a에 도시된 바와 같은 일부 이러한 양태에서, 열(430, 432)은 구조화된 표면(407)을 가로질러(예를 들면, 제1 방향(220)을 따라) 서로 교호할 수 있다.

일부 양태에서, 제1 마이크로프리즘(410A)의 높이 h_A는 제3 마이크로프리즘(410C)의 높이 h_C와 상이하다. 예를 들면, 일부 이러한 양태에서, 높이 h_A와 높이 h_C 사이의 차이는 약 25마이크론보다 클 수 있거나 또는 다른 양태에서, 적어도 약 5, 25, 50, 75 또는 100마이크론일 수 있다.

일부 양태에서, 제1 서브어레이(408A)의 마이크로프리즘(410A 및 410B)의 최대 깊이 Z_FA는 제2 서브어레이(408B)의 마이크로프리즘(410C 및 410D)의 최대 깊이 Z_FB와 상이할 수 있다. 예를 들면, 일부 이러한 양태에서, 깊이 Z_FA와 깊이 Z_FB 사이의 차이는 약 25마이크론보다 클 수 있거나 또는 다른 양태에서, 적어도 약 5, 25, 50, 75 또는 100마이크론일 수 있다.

일부 양태에서, 기재(405)은 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 논의된 모놀리식 블록 기재 양태와 유사한 모놀리식 블록 기재이다.

일부 양태에서, 기재(405)은 중합체 필름일 수 있거나 이를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 물품(400)은, 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 논의된 것과 유사한, 물품의 복제 물품 복사물을 만들기 위해 마스터 몰드로서 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 물품(400)은 도 2a 내지 도 2n의 맥락에서 논의된 것과 유사한 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다.

본 발명의 다수의 양태에 대해, 마이크로프리즘들은 실질적으로 직교하는 마이크로프리즘들이며, 여기서 마이크로프리즘의 측면들 사이의 각각의 이면각은 대략 90°와 동일할 것이다. 본 발명의 목적을 위해, 실질적으로 직교한다는 것은 90°의 +/- 0.25° 이내를 의미한다. 실질적으로 직교하는 마이크로프리즘은 일반적으로 0.1 ° 또는 0.2 °와 같은 작은 관찰각에서 최고 수준의 재귀반사가 발생하도록 한다. 당업계에 정통한 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 실질적으로 직교하는 마이크로프리즘을 직접 가공하기 위해, 각각의 직접 가공 파라미터(예를 들면 절삭 공구의 절삭각 또는 하강각 α 또는 상승각 β)는, 대응하는 직교각과 대략 동일해야 한다. 즉, 각각의 가공 파라미터가, 대응하는 직교각으로유지되면, 생성되는 마이크로프리즘은 실질적으로 직교할 것이다. 그러나, 파라미터들 중 하나 이상이, 대응하는 직교각으로부터 너무 크게 벗어나면, 생성되는 마이크로프리즘은 실질적으로 직교하지 않을 것이다.

광축 기울기의 정도 또는 방향이 상이한 각각의 상이한 유형의 마이크로프리즘(예를 들면, 전방-경사, 후방-경사 등)은 특정 설계 파라미터들에 대해 대응하는 직교각의 고유한 세트를 가질 것이다. 표 1은 본 발명에 의해 고려되는 각종 상이한 마이크로프리즘에 대한 중요한 기계 및 설계 파라미터에 대한 직교각을 요약한다. 그러나, 표 1은 본 발명에 의해 고려되는 모든 가능한 마이크로프리즘의 완전한 목록을 제공하지 않는다는 것을 주지해야 한다.

본 발명의 물품의 여전히 다른 양태가 도 5a 내지 도 5i에 제시되어 있다. 도 5a 내지 도 5i를 전반에 걸쳐 계속 참조하면, 물품(500)은 그 위에 약간 비-직교성 마이크로프리즘(예를 들면, 도 4a 내지 4b의 맥락에서 논의된 마이크로프리즘들(410)과 유사하지만 약간 비-직교성인 RIA 마이크로프리즘)을 포함하는 그루브 패턴(555)을 지닌 표면(507)을 갖는 기재(505)를 포함한다. 그루브 패턴(555)은 제2 그루브들(540)(예를 들면 V-형상 그루브들)의 제2 세트(535)와 교차하는 제1 그루브(514)(예를 들면 V-형상 그루브들)의 제1 세트(512)를 포함한다. 제1 그루브(514)은 그루브 패턴(555)을 가로질러 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고(예를 들면, 인접한 제1 그루브(514)은 서로 0°±1°의 각도를 가짐), 각각의 제1 그루브(514)은 가변 깊이 구역(580)의 세트(518)를 포함한다.

가변 깊이 구역(580) 각각은 하강 섹션(568), 상승 섹션(569) 및 전이 섹션(570)을 포함하고, 일부 양태에서, 이들로 구성된다. 하강 섹션(568)은 제1 최소 깊이 Z_D1, 제1 최대 깊이 Z_D2 및 제1 수평 거리 X_D를 가지고, 상승 섹션(569)은 제2 최소 깊이 Z_R1, 제2 최대 깊이 Z_{R2 및} 제2 수평 거리 X_R을 가지고, 전이 섹션(570)은 전이 입구(584), 전이 출구(585) 및 제3 최대 깊이 Z_F를 갖는다. 제3 최대 깊이 Z_F는 제1 최소 깊이 Z_D1 및 제2 최소 깊이 Z_R1보다 크다.

제2 그루브들(540)은 제1 방향(220)에 실질적으로 수직인 표면을 가로질러 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하다(예를 들면, 인접한 제2 그루브들(540)은 서로 0°±1°의 각도를 가짐).

본원에 사용된 용어 약간 비-직교성인 마이크로프리즘은 마이크로프리즘의 측면들 사이의 이면각 중 하나 이상이 실질적으로 직교하는 것으로부터 약 +/- 0.25 내지 약 +/- 2.0° 벗어나는 마이크로프리즘을 지칭한다. 이면각의 이러한 약간의 비-직교성은 의도적으로 도입된 이면각 오차이다. 즉, 의도적인 이면각 오차는 물품(500)의 제조에 사용된 기계 공차의 변화(예를 들면, 절삭 공구의 절삭각의 부정확성)로 인해 발생할 것으로 예상되는 오차보다 크다. 의도적인 이면각 오차의 존재는 0.5° 또는 1.0°와 같은 더 큰 관찰각에서의 재귀반사 특성의 개선으로 인해 재귀반사 시팅으로서 구성된 물품(500)의 재귀반사율을 유리하게 변경할 수 있다. 이러한 더 큰 관찰각에서의 재귀반사 성능은 재귀반사 시팅을 더 짧은 가시 거리에서 볼 때 특히 중요할 수 있다.

본 발명은 이면각 오차를 의도적으로 생성하기 위한 몇몇 방법들을 고려한다. 하나의 양태에서, 절삭 공구의 절삭각에 의도적인 오차가 도입되고, 이것이 각각 제1 그루브(514) 및 제2 그루브들(540)의 수직 협각(θ, φ)에 대한 대응하는 직교각으로부터의 편차를 초래한다. 다른 양태에서, 제1 그루브(514) 및 제2 그루브들(540)의 수직 협각(θ, φ)은 각각 그루브 기저부(581, 582)에 대해 비대칭적이어서 홈 반각(예를 들면, δ₁ 및 δ₂) 내에 의도적인 오차가 생성되어 대응하는 직교각으로부터의 편차를 생성한다. 여전히 다른 양태에서, 제1 그루브(514) 및/또는 제2 그루브들(540)의 전부 또는 일부는 서로 수직이 되는 것으로부터 약간 오정렬된다(즉, 비뚤어짐). 여전히 다른 양태에서, 하강 섹션(568) 및/또는 상승 섹션(569)은 대응하는 직교각으로부터 벗어난 하강각 α 및/또는 상승각 β 중 어느 하나를 사용하여 형성된다. 당업계의 숙련가들은 약간 비-직교하는 마이크로프리즘을 생성하는 다른 방법이 가능하다는 것을 인지할 것이다.

일부 양태에서, 전이 섹션(570)은 하강 섹션(568)과 상승 섹션(569) 사이에 연속 표면 전이(520)를 포함한다(예를 들면, 도 2h 내지 2j의 맥락에서 개시된 연속 표면 전이(274)와 유사함).

일부 양태에서, 전이 섹션(570)은 제1 그루브(514)의 그루브 기저부 표면(581)을 따라 위치하는 곡면(571)을 포함한다. 일부 양태에서, 곡면(571)은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 가질 수 있고, 일부 양태에서, 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 값 및 일부 양태에서, 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 값을 가질 수 있다.

일부 양태에서, 제1 수평 거리 X_D는 제2 수평 거리 X_R보다 작다. 일부 이러한 양태에서, 제1 수평 거리 X_D와 제2 수평 거리 X_R 사이의 차이는 약 1 내지 약 15마이크론 사이의 값이다. 다른 이러한 양태에서, 제1 수평 거리 X_D와 제2 수평 거리 X_R 사이의 차이는 약 1 내지 약 10마이크론 사이의 값이다.

일부 양태에서, 하강 섹션(568)은 하강각 α를 가지고, 상승 섹션(569)은 상승각 β을 가지고, 하강각 α는 상승각 β와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이하다. 일부 이러한 양태에서, 하강각 α는 약 5 내지 약 45°의 범위의 값일 수 있다.

일부 양태에서, 하강 섹션(568)은 대응하는 직교각(598)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 작은 하강각 α를 가지고, 상승 섹션(569)은, 대응하는 직교각(599)보다 0.25 내지 약 1.0° 큰 상승각 β를 갖는다(도 5b). 대응하는 직교각(598, 599)은 생성된 마이크로프리즘이 실질적으로 직교하기 위해 필요한 해당 하강각 α 또는 상승각 β를 의미한다.

일부 양태에서, 가변 깊이 구역(580)의 세트(518)는 제1 서브세트(518A) 및 제2 서브세트(518B)를 포함하는, 가변 깊이 구역의 둘 이상의 서브세트를 포함한다. 제1 서브세트(518A)의 가변 깊이 구역(58OA)은: 제1 하강각 α_A를 갖는 제1 하강 섹션(568A), 제1 상승각 β_A를 갖는 제1 상승 섹션(569A), 제1 하강 섹션(568A)과 제1 하강 섹션(569A) 사이에 위치하는 제1 전이 섹션(570A)을 포함하고(일부 양태에서 이들로 구성되고), 제1 하강각 α_A는 제1 상승각 β_A와 거의 같다(예를 들면 ±0.25° 이내). 제2 서브세트(518B)의 가변 깊이 구역(58OB)은: 제2 하강각 α_B를 갖는 제2 하강 섹션(568B), 제2 상승각 β_B를 갖는 제2 상승 섹션(569B), 제2 하강 섹션(568B)과 제2 하강 섹션(569B) 사이에 위치하는 제2 전이 섹션(570B)을 포함하고(일부 양태에서 이들로 구성되고), 제2 하강각 α_B는 제2 상승각 β_B와 약 0.25°내지 약 1.0° 상이하다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(518A)의 가변 깊이 구역(58OA) 및 제2 서브세트(518B)의 가변 깊이 구역(58OB)은 제1 그루브(514)의 제1 방향(220)을 따라 교호 패턴으로 배열된다. 예를 들면, A.B,A,B,A.B 또는 B,A,B,A,B 패턴으로 배열되며, 여기서 'A'는 제1 서브세트(518A)의 가변 깊이 구역(58OA)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(518B)의 가변 깊이 구역(58OB)와 같다.

일부 양태에서, 제1 그루브(514)은, 대응하는 직교각(595)과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 θ을 갖는다(도 5d).

일부 양태에서, 제1 그루브(514)은 제1 그루브(514)의 그루브 기저부(581)에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 θ을 갖는다.

일부 양태에서, 제1 그루브(514)은 약 65 내지 약 90°의 고정 수직 협각 θ을 갖는다.

일부 양태에서, 제1 그루브(514)은 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 여기서 제1 반각 δ₁은 제2 반각 δ₂보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크다.

일부 양태에서, 제1 그루브(514)은 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 여기서 제1 반각 δ₁은 대응 직교각(596)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 제2 반각 δ₂는, 대응하는 직교각(597) 보다 약 0.25 내지 약 1.0°만큼 더 크다(도 5d).

일부 양태에서, 제1 그루브(514)의 제1 세트(512)는 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 제1 그루브(514A)의 제1 서브세트(512A) 및 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브(514B)의 제2 서브세트(512B)를 포함하는 2개 이상의 서브세트(512A 및 512B)를 포함한다. 제1 고정 수직 협각 θ_A는 제1 그루브(514A)의 그루브 기저부(581A)에 대해 대칭일 수 있고, 제2 고정 수직 협각 θ_B는 제1 그루브(514B)의 그루브 기저부(581B)에 대해 약 0.25°에서 약 1.0°까지 비대칭일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A) 및 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B)은 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열된다(예를 들면, A,B,A,B,A,B 또는 B,A,B,A,B,A 패턴, 여기서 'A'는 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B)과 같다).

일부 양태에서, 제1 그루브(514)의 제1 세트(512)는 2개의 반각 δ_A1 및 δ_A2로 이루어진 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 제1 그루브(514A)의 제1 서브세트(512A) 및 2개의 반각 δ_B1 및 δ_B2로 이루어진 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브(514B)의 제2 서브세트(512B)를 포함하는 둘 이상의 서브세트(512A 및 512B)를 포함한다(도 5e). 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제1 반각 δ_A1은, 대응하는 직교각(596A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있고, 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제2 반각 δ_A2는, 대응하는 직교각(597A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있다. 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제1 반각 δ_B1은 대응되는 직교각(596B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있고, 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제2 반각 δ_B2는, 대응하는 직교각(597B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A) 및 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B)은 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열된다(예를 들면, A,B,A,B,A,B 또는 B,A,B,A,B,A 패턴, 여기서 'A'는 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B)과 같다). 일부 이러한 양태에서, 제1 그루브(514)의 제1 세트(512)는 제3 고정 수직 협각 θ_C를 갖는 제1 그루브(514C)의 제3 서브세트(512C)를 포함할 수 있고, 여기서 제3 고정 수직 협각 θ_C는 제3 서브세트(512C)의 제1 그루브(514C)의 그루브 기저부(581C)에 대해 대칭일 수 있다(도 5f). 일부 이러한 양태에서, 제3 고정 수직 협각 θ_C는, 대응하는 직교각(595C)과 거의 동일할 수 있다(예를 들면, ± 0.25° 이내). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A), 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B) 및 제3 서브세트(512C)의 제1 그루브(514C)은 그루브 패턴(555)을 가로질러 반복 패턴으로 배열된다. 예를 들면, A,C,B,C,A,C,B,C; C,A,B,C,A,B; A,B,C,A,B,C, B,A,C,B,A,C... 패턴 중 어느 하나; 여기서 'A'는 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브(514A)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브(514B)과 같고, 'C'는 제3 서브세트(512C)의 제1 그루브(514C)과 같다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)은 제2 그루브들(540)의 그루브 기저부(582)에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 φ를 가질 수 있다(도 5g).

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)은 약 10 내지 약 100°의 고정 수직 협각 φ를 가질 수 있다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)은, 대응하는 직교각(553)으로부터 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 φ를 가질 수 있다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)은 2개의 반각 ρ₁ 및 ρ₂로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가질 수 있고, 제1 반각 ρ₁은 제2 반각 ρ₂보다 약 0.25 내지 약 1.0°만큼 더 클 수 있다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)은 2개의 반각 ρ₁ 및 ρ₂로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가질 수 있고, 제1 반각 ρ₁은, 대응하는 직교각(557)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 작을 수 있고, 제2 반각 ρ₂는 대응하는 직교각(558)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)의 세트(535)는 2개의 반각 ρ_1A 및 ρ_2A로 이루어진 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들(540A)의 제1 서브세트(535A) 및 2개의 반각 ρ_1B 및 ρ_2B로 이루어진 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들(540B)의 제2 서브세트(535B)를 포함한다. 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제1 반각 ρ_1A는, 대응하는 직교각(557A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있고, 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제2 반각 ρ_2A는, 대응하는 직교각(558A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있고, 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제1 반각 ρ_1B는, 대응하는 직교각(557B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 클 수 있고, 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제2 반각 ρ_2B는, 대응하는 직교각(558B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작을 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A) 및 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B)은 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열된다. 예를 들면, A,B,A,B,A,B 또는, B,A,B,A,B 패턴, 여기서 'A'는 제2 그루브들(540A)과 같고, 'B'는 제2 그루브들(540B)과 같다.

일부 이러한 양태에서, 제2 그루브들(540)의 세트(535)는 제2 그루브들(540C)의 그루브 기저부(582C)에 대해 대칭인 제3 고정 수직 협각 φ_C를 갖는 제2 그루브들(540C)의 제3 서브세트(535C)를 포함한다(도 5i).

일부 이러한 양태에서, 제3 고정 수직 협각 φ_C는, 대응하는 직교각(553C)과 거의 동일하다(예를 들면, ± 0.25° 이내). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A), 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B) 및 제3 서브세트(535C)의 제2 그루브들(540C)은 그루브 패턴(555)을 가로질러 반복 패턴으로 배열된다. 예를 들면, A,C,B,C,A,C,B,C; C,A,B,C,A,B; A,B,C,A,B,C, B,A,C,B,A,C... 패턴 중 어느 하나, 여기서 'A'는 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B)과 같고, 'C'는 제3 서브세트(535C)의 제2 그루브들(540C)과 같다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(540)의 제2 세트(535)는 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들(540A)의 제1 서브세트(535A) 및 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들(540B)의 제2 서브세트(535B)를 포함하고, 제1 고정 수직 협각 φ_A는 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A)의 그루브 기저부(582A)에 대해 대칭일 수 있고, 제2 고정 수직 협각 φ_B는 제2 서브세트(535B)의 제1 그루브(540B)의 그루브 기저부(582B)에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭일 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A) 및 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B)은 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열된다. 예를 들면, A,B,A,B,A,B 또는, B,A,B,A,B,A 패턴, 여기서 'A'는 제2 그루브들(540A)과 같고, 'B'는 제2 그루브들(540B)과 같다.

임의의 이러한 양태에서, 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 기재는 중합체 필름일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 물품은 물품의 복제 물품 복사물을 만들기 위해 마스터 몰드로서 구성될 수 있다. 임의의 이러한 양태에서, 물품은 재귀반사 시팅일 수 있다.

본 발명의 물품의 여전히 다른 양태가 도 6a 내지 도 6g에 제시되어 있다. 도 6a 내지 도 6g를 전반에 걸쳐 계속 참조하면, 물품(600)은 그 위에 약간 비-직교하는 마이크로프리즘(예를 들면, 도 4a 내지 4b의 맥락에서 논의된 마이크로프리즘들(410)과 유사하지만 도 5a 내지 도 5i의 맥락에서 논의된 바와 같이 약간 비-직교하는 RIA 마이크로프리즘)을 갖는 구조화된 표면(607)을 갖는 기재(605)을 포함한다. 구조화된 표면(607)은 제1 방향(220)을 따라 정렬되고, 제2 방향(250)을 따라 정렬된 제2 그루브들(640)의 제2 세트(635)와 교차하는 제1 그루브(614)의 제1 세트(612)를 포함한다. 제1 그루브(614) 각각은 가변 깊이 구역(680)의 세트(618)를 포함하고, 각각의 가변 깊이 구역(680)은: 제1 최소 깊이 Z_D1 및 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(668), 제2 최소 깊이 Z_R1 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(669) 및 하강 섹션(668)과 상승 섹션(669) 사이에 위치하는 전이 섹션(670)을 포함하고, 여기서 전이 섹션(670)은 하강 섹션(668)과 상승 섹션(669) 사이에 연속 표면 전이(674)를 포함한다. (예를 들면, 하강, 상승 및 전이 섹션(268, 269, 270), 연속 표면 전이(274) 및 깊이 Z_D1, Z_D2, Z_R1, Z_R2와 유사함; 도 2h 내지 2h의 맥락에서 개시됨). 제1 방향(220)은 제2 방향(250)에 대해 실질적으로 수직(예를 들면, 90°±1°)이다. 제1 그루브(614)의 적어도 일부(629)(도 6a)는 제1 방향(220)과 비교하여 비평행한 편향된 제1 방향(620)을 따라 정렬되고, 여기서 제1 방향(220)과 편향된 제1 방향(620) 사이의 편향각 ψ은 약 2° 미만이다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630)(도 6d)는 제2 방향(250)과 비교하여 비평행한 편향된 제2 방향(650)을 따라 정렬되고, 여기서 제2 방향(250)과 편향된 제2 방향(650) 사이의 편향각 ψ은 약 2° 미만이다.

예를 들면, 일부 양태에서, 제1 그루브(614)의 부분(629)만이 0이 아닌 값을 갖는 편향각 ψ를 갖는 편향된 제1 방향(620)으로 정렬될 수 있고, 제2 그루브들(640)의 부분(630) 중 어느 것도 편향된 제2 방향(650)으로 정렬되지 않을 수 있다. 또는, 일부 양태에서, 제2 그루브들(640)의 부분(630)만이 0이 아닌 값을 갖는 편향각 τ를 갖는 편향된 제2 방향(640)으로 정렬되고, 제1 그루브(614)의 부분(629) 중 어느 것도 편향된 제1 방향(620)으로 정렬되지 않는다. 또는, 일부 양태에서, 제1 그루브(614)의 부분(629)은 0이 아닌 값 편향각 ψ를 가지고, 제2 그루브들(640)의 부분(630)은 0이 아닌 값 편향각 τ를 갖는다.

다른 양태에서, 제1 그루브(614)의 적어도 일부(629)는 제1 방향(220)과 비교하여 비평행한 편향된 제1 방향(620)을 따라 정렬되고, 여기서 제1 방향(220)과 편향된 제1 방향(620) 사이의 편향각 ψ는 약 1.5° 미만이다. 여전히 다른 양태에서, 제1 방향(220)과 편향된 제1 방향(620) 사이의 편향각 ψ는 약 0.1 내지 약 1.0°의 범위의 값 또는 약 0.25 내지 약 1.0°의 범위의 값을 갖는다.

다른 양태에서, 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630)는 제2 방향(250)과 비교하여 비평행한 편향된 제2 방향(650)을 따라 정렬되고, 여기서 제2 방향(250)과 편향된 제2 방향(650) 사이의 편향각 τ는 약 1.5° 미만이다. 여전히 다른 양태에서, 제2 방향(250)과 편향된 제2 방향(650) 사이의 각각의 τ는 약 0.1 내지 약 1.0°의 범위의 값 또는 약 0.25 내지 약 1.0°의 범위의 값을 갖는다.

일부 양태에서, 제1 그루브(614)의 적어도 일부(629)와 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630) 사이의 교차점은 약 2°까지 수직이 아니다. (예를 들면 90+2°이지만 90°+0.1°와 같지 않음). 다른 양태에서, 제1 그루브(614)의 적어도 일부(629) 및 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630)는 약 1°까지 수직이 아니다.

일부 양태에서, 가변 깊이 구역(680)의 세트(618)는 가변 깊이 구역(680A 및 680B)의 제1 서브세트 및 제2 서브세트(618A 및 618B)을 포함하고, 편향된 제1 방향(620)은 제1 서브 편향된 제1 방향 및 제2 서브 편향된 제1 방향(620A 및 620B)을 포함한다. 제1 서브세트(618A)의 제1 그루브(614)은 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)으로 정렬된 제1 그루브 기저부(681A)를 가지고, 제2 서브세트(618B)의 제1 그루브(614)은 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)으로 정렬된 제2 그루브들 기저부(681B)를 가지고, 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 및 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)은 서로 비평행하다.

일부 양태에서, 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)은 90°±2°와 같은 편향각 χ_A만큼 제2 방향에 수직이 아니고(도 6a), 편향각 χ_A는 90°±0.1°와 같지 않다. 예를 들면 편향각 χ_A는 90°±2°와 같을 수 있지만 정확히 90°와 같지는 않다(예를 들면 90°±0.1°). 유사하게는, 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)은 1+1°와 같은 편향각 ψ_A만큼 제1 방향(220)에 대해 비평행할 수 있다(도 6a). 예를 들면, 편향각 ψ_A는 1+1°와 같을 수 있지만 정확히 0°와 같지는 않다(예를 들면 0°+0.1°). 다른 이러한 양태에서, 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)은 비-편향각 χ_B만큼 제2 방향(250)에 수직이다. 예를 들면, 편향각 χ_B는, 일부 양태에서, 각도 χ_B가 대략 90°(예를 들면, 90°+0.1°)와 동일한 값을 갖도록 편향되지 않는다. 이러한 양태는 마이크로프리즘의 일부만이 약간 비직교하기를 원할 때 유익하다. 예를 들면, 제1 가변 깊이 구역의 제1 서브세트의 마이크로프리즘은 약간 비직교일 수 있고, 제2 가변 깊이 구역의 제2 서브세트의 마이크로프리즘은 실질적으로 직교할 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)은 제2 방향(250)에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가질 수 있고, 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)은 제2 방향(250)에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 가질 수 있다(도 6b). 예를 들면 χ_A 및 χ_B는 각각 89°+1° 및 91°+1°와 같을 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 제1 방향(220)과 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 사이의 편향각 ψ_A의 크기는 제1 방향(220)과 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다(예를 들면, 각도 ψ_A 및 ψ_B 둘 다의 크기는 +0.1° 이내로 같을 수 있다). 홈이 반대 방향으로 편향되어 있는 이러한 양태의 이점은 생성되는 마이크로프리즘이 비-직교하는 피쳐들을 반대 방향으로 가질 수 있게 한다.

일부 양태에서, 제1 서브세트(618A)의 제1 가변 깊이 구역(680A) 및 제2 서브세트(618B)의 제2 가변 깊이 구역(680B)은 교호 패턴으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 방향(220)을 따라 홈(614) 전반에 걸쳐 A,B,A,B,A,B 또는 B,A,B,A,B,B 패턴, 여기서 'A'는 제1 가변 깊이 구역(680A)과 같고, 'B'는 제2 가변 깊이 구역(680B)과 같다.

일부 양태에서, 가변 깊이 구역(680)의 세트(618)는 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)으로 정렬된 제3 그루브 기저부(681C)를 갖는 제3 가변 깊이 구역(680C)의 제3 서브세트(618C)를 추가로 포함하고, 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)은 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 및 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 둘 다에 비평행하다(도 6c). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)은 제2 방향(250)에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A(예를 들면, 89°±1°)를 가지고, 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)은 제2 방향(250)에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B(예를 들면, 91°±1°)를 가지고, 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)은 제2 방향(250)에 대해 수직 편향각 χ_C(예를 들면, 90°±0.1°)를 갖는다. 일부 이러한 양태에서, 제1 방향(220)과 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 사이의 편향각 ψ_A의 크기는 제1 방향(220)과 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일하다(예를 들면, 각도 ψ_A 및 ψ_B 둘 다의 크기는 ±0.1° 이내로 같을 수 있다)(도 6c). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(618A)의 제1 가변 깊이 구역(680A), 제2 서브세트(618B)의 제2 가변 깊이 구역(680B) 및 제3 서브세트(618C)의 제3 가변 깊이 구역(680C)은 반복 패턴으로 배열된다. 예를 들면, 제1 방향(220)을 따라 제1 그루브(614) 전반에 걸쳐 A,C,B,C,A,C,B,C 패턴(또는 본원의 다른 곳에 개시된 것과 같은 다른 유사한 패턴), 여기서 'A'는 제1 가변 깊이 구역(680A)과 같고, 'B'는 제2 가변 깊이 구역(680A)과 같으며, 'C'는 제3 가변 깊이 구역(680C)과 같다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630)는 최대 2°의 편향각 τ만큼 제2 방향(250)에 대해 비평행하다(도 1d).

일부 양태에서, 제2 그루브들(640)의 제2 세트(635)는 둘 이상의 서브세트(635A 및 635B)를 포함하고, 제2 그루브들(640A)의 제1 서브세트(635A)는 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)으로 정렬되고 제2 그루브들(640B)의 제2 서브세트(635B)는 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)으로 정렬되고, 여기서 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)은 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)에 대해 비평행하다(도 6e). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)은 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 제2 방향(250)에 대해 비평행할 수 있다. 예를 들면, τ_A는 1°±1°와 같을 수 있지만 0°±0.1°와 같지는 않다. 일부 이러한 양태에서, 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)은 제2 방향(250)에 평행할 수 있다. 예를 들면, τ_A는 0°±0.1°와 같을 수 있다.

일부 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고(예를 들면, +1°±1°), 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로(예를 들면, -1°±1°) 회전된다(도 6f). 다른 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 1°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고(예를 들면, +0.5°±0.5°), 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 1°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로(예를 들면, -0.5°±0.5°) 회전된다(도 6f). 일부 이러한 양태에서, 편향각 τ_A의 크기는 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일하다(예를 들면, 각도 τ_A 및 τ_B 둘 다의 크기는 ±0.1°로 같을 수 있다). 이러한 일부 양태에서, 제1 서브세트(635A)의 제2 그루브들(640A) 및 제2 서브세트(635B)의 제2 그루브들(640B)은 교호 패턴으로 배열된다. 예를 들면, 제1 방향(220)을 따라 구조화된 표면(607)을 가로질러 A,B,A,B,A,B 또는 B,A,B,A,B,A 패턴, 여기서 'A'는 제2 그루브들(640A)과 같고, 'B'는 제2 그루브들(640B)과 같다.

일부 양태에서, 제2 그루브들(640)의 세트(635)는 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)으로 정렬된 제2 그루브(640C)의 제3 서브세트(635C)를 추가로 포함하고, 여기서 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)은 제1 서브 편향된 제2 방향(650A) 및 제2 서브 편향된 제2 방향(650B) 둘 다에 비평행하다(도 6g). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전될 수 있고, 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)의 정렬은 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향 회전각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전될 수 있고, 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)은 제2 방향(250)에 실질적으로 평행할 수 있다. 일부 이러한 양태에서, 편향 회전각 τ_A의 크기는 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일할 수 있다(예를 들면, 각도 τ_A 및 τ_B의 크기는 ±0.1° 이내로 같을 수 있다). 일부 이러한 양태에서, 제1 서브세트(635A)의 제2 그루브들(640A), 제2 서브세트(635B)의 제2 그루브들(640B) 및 제3 서브세트(635C)의 제2 그루브들(640C)은 반복 패턴으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 방향(220)을 따라 구조화된 표면(607)을 가로질러 A,C,B,C,A,C,B,C 패턴(또는 본원에 개시된 다른 패턴), 여기서 'A'는 제1 서브세트(635A)의 제2 그루브들(640A)과 같고, 'B'는 제2 서브세트(635B)의 제2 그루브들(640B)과 같으며, 'C'는 제3 서브세트(635C)의 제2 그루브들(640C)과 같다.

임의의 이러한 양태에서, 기재는 모놀리식 블록 기재일 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 물품은 물품의 복제 물품 복사물을 만들기 위해 마스터 몰드로서 구성될 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 기재는 중합체 필름 기재일 수 있다.

임의의 이러한 양태에서, 물품은 재귀반사 시팅으로서 구성될 수 있다.

본 발명의 물품의 여전히 다른 양태는 도 2a에 도시된 바와 같이 반전된 마이크로프리즘을 함유하는 반전된 그루브 패턴을 갖는 기재이다. 이러한 물품은 재귀반사 시팅(예를 들면, 방법(100)의 맥락에서 논의된 원통형 톨링)의 제조를 위한 생산 몰드(즉, 생산 도구)로서 사용될 수 있다. 이러한 물품은 또한 더 큰 생산 툴링을 생성하기 위해 복제되고 함께 조립되는 중간 몰드로서 사용될 수 있다(예를 들면, 마찬가지로 방법(100)의 맥락에서 논의된 바와 같음). 또한, 이러한 물품은 반전된 패턴의 표면이 정반사 물질(예를 들면 금속 물질)로 구성되는 경우에도 재귀반사체로서 사용될 수 있다. 이러한 재귀반사체는 재귀반사식 도로 경계 표시, 도로 마커 또는 유사한 재귀반사 장치로서 사용될 수 있다.

물품(260)은 반전된 마이크로프리즘(256')을 함유하는 반전된 그루브 패턴(261)을 갖는 표면(262)을 갖는 기재(263)을 포함한다(도 2a). 반전 그루브 패턴(261)은 마스터 몰드 물품(200)의 그루브 패턴(255)의 거울상이다. 마스터 몰드 물품(200)은 그 위에 마이크로프리즘들(256)을 포함하는 그루브 패턴(255)을 갖는 마스터 몰드 표면(206)을 갖는다. 그루브 패턴(255)은 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)와 교차하는 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)를 포함한다. 제1 그루브들(214)은 그루브 패턴(255)을 가로질러 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하다. 제1 그루브들(214) 각각은 복수의 반복 가변 깊이 구역(280)을 포함한다(도 2i). 가변 깊이 구역(280) 각각은 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(268), 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(269) 및 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 포함한다. 제2 그루브들(240)은 표면을 가로질러 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 제2 방향(250)은 제1 방향(220)에 실질적으로 수직이다.

반전된 그루브 패턴(261) 및 반전된 마이크로프리즘(256')의 맥락에서, 거울상이라는 용어는 3차원 거울상을 지칭하며, 여기서 예를 들면, 그루브 패턴(255)의 상승된 부분은 반전된 그루브 패턴(261)에서 오목한 부분으로서 복제되고, 그루브 패턴(255)의 오목한 부분은 반전된 그루브 패턴(261)에서 상승된 부분으로서 복제된다.

일부 양태에서, 반전된 마이크로프리즘(256')은 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘이다. 여전히 다른 양태에서, 마이크로프리즘(256')의 인접한 쌍은 마이크로프리즘들(256)의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍으로서 배열된 마스터 몰드 물품(200)의 마이크로프리즘들(256)의 인접한 쌍들(290)의 거울상에 대응하는 마이크로프리즘(256')의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍으로서 배열된다.

임의의 양태에서, 반전된 마이크로프리즘(256')은 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘, 등변 마이크로프리즘 또는 측방-경사 마이크로프리즘의 반전된 거울상일 수 있다. 또한, 반전된 마이크로프리즘(256')은 실질적으로 직교하거나 약간 비-직교할 수 있다. 또한, 본 발명의 맥락 내에서 논의된 바와 같이, 다수의 카테고리의 반전된 마이크로프리즘(256')이 반전된 그루브 패턴(261) 내에 동시에 포함될 수 있다.

일부 양태에서, 반전된 그루브 패턴(261)이 전이 섹션(270)의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하는 경우, 반전된 전이 섹션은 마스터 몰드 물품(200)의 그루브 패턴(255)의 하강 섹션(268)과 상승 섹션(269) 사이의 연속 표면 전이(274)의 거울상에 대응하는 반전된 연속 표면 전이를 포함한다. 일부 양태에서, 반전된 그루브 패턴(261)이 전이 섹션(270)의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하는 경우, 반전된 전이 섹션은 마스터 몰드 물품의 제1 그루브(214)의 그루브 기저부(272)를 따라 위치하는 곡면(271)의 거울상에 대응하는 반전된 곡면을 포함한다. 일부 이러한 양태에서, 반전된 곡면은 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 반전된 곡면은 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 반전된 곡면은 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는다.

일부 양태에서, 반전된 그루브 패턴(261)이 마스터 몰드 물품(200)의 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하는 경우, 반전된 하강 섹션은 약 5 내지 약 50°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는다. 다른 양태에서, 반전된 그루브 패턴(261)이 마스터 몰드 물품(200)의 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하는 경우, 반전된 하강 섹션은 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는다. 여전히 다른 양태에서, 반전된 그루브 패턴(261)이 마스터 몰드 물품(200)의 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하는 경우, 반전된 하강 섹션은 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는다.

일부 양태에서, 기재(263)의 표면(262)은 정반사 표면을 포함한다. 일부 양태에서, 정반사 표면은 금속 물질로 이루어진다. 일부 양태에서, 정반사 표면의 금속 물질은 금, 은, 알루미늄, 코발트, 니켈, 구리, 황동, 청동 및 이들의 합금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다. 표면(262)이 정반사 표면으로 구성되는 것의 이점은 물품(260)이 재귀반사 장치로서 사용될 때 재귀반사율의 수준을 최대화하는 것이다. 일부 경우에서, 재귀반사 장치가 사용될 수 있는 환경에 따라, 녹 또는 산화에 내성이 있을 수 있는 금과 같은 물질로부터 제조된 정반사 표면을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 다른 경우에, 알루미늄과 같은 물질이 비용 고려사항으로 인해 정반사 표면으로서 사용될 수 있다.

일부 양태에서, 기재(262)은 금속 물질로 구성된다. 예를 들면, 물품(260)이 방법(100)의 맥락에서 기술된 바와 같은 전기주조 공정을 통해 제조되는 경우, 기재는 니켈 또는 니켈 합금으로 구성될 수 있다. 다른 양태에서, 기재(262)은 중합체성 물질로 구성된다. 여전히 다른 양태에서, 물품(260)은 재귀반사체로서 구성된다. 예를 들면, 하나의 고려된 양태에서, 기재(262)은 아크릴 또는 폴리카보네이트와 같은 중합체 물질로 구성될 수 있고, 그후 반사 코팅(예를 들면 알루미늄)이 표면(261)에 적용되어 정반사 표면을 생성하여 물품이 재귀반사체로서 기능할 수 있다.

활성 영역 백분율 계산의 예

상기 논의된 바와 같이, 본원에 개시된 임의의 양태에서 마이크로프리즘은 종래의 삼면체-형상 마이크로프리즘보다 더 큰 활성 영역 백분율을 가질 것이다. 활성 영역 백분율을 특성 확인하는 한 가지 방법은 측정 현미경을 통해 볼 때 마이크로프리즘 재귀반사 시팅에서 반환된 빛을 분석하는 것이다. 활성 영역 백분율을 평가하기 위해서는, 마이크로프리즘 재귀반사 시팅 샘플을 전면이 현미경의 대물 렌즈를 향해 수직을 향하도록 현미경 스테이지에 배치해야 하다. 그후, 대물 렌즈를 통해 전면에 대략 수직인 각도로 샘플의 전면에 직접 빛을 비춤으로서, 마이크로프리즘의 활성 및 비활성 영역을 평가할 수 있다. 마이크로프리즘의 활성 영역으로 들어가는 임의의 빛은 샘플의 마이크로프리즘에 의해 재귀반사되어 대물 렌즈를 통해 및 접안 렌즈를 통해 다시 반환되어 주변 영역보다 훨씬 밝게 보인다. 반면에, 비활성 영역은 어둡게 보일 것이다. 그후, 활성 영역의 경계 및 마이크로프리즘 기저부의 전체 경계를 측정함으로써, 각각의 표면적을 계산할 수 있다. 그후, 활성 영역 백분율은 마이크로프리즘 기저부의 전체 영역에 대한 측정된 활성 영역의 비율로서 계산될 수 있다. 각각의 영역의 일관된 측정을 수득하기 위해서는, 현미경의 초점이 마이크로프리즘들의 정점에 있어야 한다.

도 8은 대물 렌즈로부터의 빛이 대물 렌즈를 통해 재귀반사됨에 따라 재귀반사 시팅 샘플의 전면을 통해 볼 때 마이크로프리즘(810)의 어레이(800)의 사진을 보여준다. 이 사진은 마이크로프리즘(810)의 정점(820)을 중심으로 Nikon MM-400 측정 현미경을 사용하여 200X 배율로 촬영되었다. 마이크로프리즘 기저부의 전체 경계는 라인(830)에 의해 윤곽이 잡힌다. 마이크로프리즘 기저부의 전체 면적은 약 18,342 제곱마이크론인 것으로 측정되었다. 활성 영역은 라인(840)에 의해 윤곽이 잡힌다. 활성 영역의 면적은 대략 15,963 제곱마이크론으로 측정되었다. 따라서, 활성 영역 백분율은 대략 87%로 계산된다.

예시적인 양태

본원에 개시된 신규한 방법을 사용하여, 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들의 어레이를 2개의 상이한 V-형상 절삭 공구를 사용하여 모놀리식 룰링 블록의 구리 표면에 직접 가공하였다. 제1 V-형상 절삭 공구는 약 82.90 °의 절삭각 θ를 가지며 제1 그루브의 세트를 직접 가공하는 데 사용되었다. 제1 그루브 각각 사이의 제1 그루브 인덱스 거리 Y_P는 130.0마이크론이었다. 각각의 제1 그루브들은 반복되는 일련의 제1 구역과 제2 영역을 포함하였다. 각각의 제1 구역은 다음을 포함하는 가변 깊이 구역이었다: 대략 27.81°의 하강각 α를 가지고 대략 108.3마이크론의 하강 섹션 길이 X_D를 갖는 하강 섹션; 대략 27.81°의 상승각 β을 가지고 대략 108.3마이크론의 상승 섹션 길이 X_R을 갖는 상승 섹션 및 대략 4마이크론의 전이 섹션 길이 X_T를 갖는 전이 섹션. 각각의 제1 그루브들의 제1 구역의 최대 깊이 Z_T는 대략 112.16마이크론이었고, 전이 섹션은 홈의 기저부를 따라 대략 4마이크론의 반경을 갖는 곡면을 포함하였다. 각각의 제1 그루브들의 제2 구역은 대략 69.45마이크론의 제2 구역 길이 X_S와 대략 58.0마이크론의 일정한 최대 깊이 Z_S에서 가공되었다. 각각의 제1 그루브들은 대략 동일한 홈 반각을 갖는 그루브 기저부에 대해 대칭이 되도록 가공되었다.

대략 55.43°의 절삭각 φ를 갖는 제2 V-형상 절삭 공구를 사용하여, 제2 그루브들의 제2 세트를 룰링 블록의 표면에 직접 가공하였다. 제2 그루브들 각각은 제1 그루브에 대략 수직이 되도록 90°+/- 0.2° 이내로 가공하였다. 각각의 제2 그루브들은 대략 124.1마이크론의 표면 아래 일정한 깊이 Z_C를 가졌고, 각각의 제2 그루브들 사이의 제2 그루브들 인덱스 거리 X_P는 대략 290.0마이크론이었다. 각각의 제2 그루브들은 이의 그루브 기저부에 대해 실질적으로 대칭이었다. 각각의 제1 그루브들의 제2 영역의 실질적으로 전부를 절단 공정에 의해 제거하여 각각의 제2 그루브들을 형성하였다.

룰링 블록의 표면 상에 형성된 생성된 마이크로프리즘은 길이가 대략 145마이크론이고 폭이 대략 130마이크론인 직사각형 마이크로프리즘 기저부를 가졌다. 정점에서 기저부까지 측정된 바와 같은 생성된 마이크로프리즘의 높이는 대략 123.7마이크론이었다. 생성된 마이크로프리즘은 광축 경사각가 약 7.5°인 후방-경사 마이크로프리즘이었다.

직접 가공 후, 룰링 블록을 마스터 몰드로서 사용하고, 공지된 니켈 전기주조 기술을 사용하여 복제하여 네거티브(반전된) 사본을 생성하였다. 생성된 니켈 반전된 사본의 두께는 대략 0.025인치 두께였다. 니켈 반전된 사본은 -4° 입구각 및 0.2° 관찰각에서 재귀반사 계수를 측정함으로써 금속 재귀반사체로서 시험되었다. 측정된 재귀반사 계수는 니켈 반전된 사본의 0° 및 90° 회전에서 각각 대략 980 cd/lx/m² 및 675 cd/lx/m²였다.

재귀반사율 측정이 수행된 후, 반전된 사본을 평면 엠보싱 도구로서 사용하였다. 그후 가열된 실험실 압반 프레스를 사용하여 니켈 엠보싱 도구의 마이크로프리즘 어레이를 Lexan™ 8A35 폴리카보네이트(매사추세츠주 피츠필드의 SABIC 아메리카로부터 입수)의 175마이크론 필름으로 형성함으로써 여러 개의 마이크로프리즘 재귀반사 시팅 샘플을 준비하였다. 상부 및 하부 압반의 온도는 둘 다 385℉로 설정되었다. 폴리카보네이트 필름의 외부 표면을 보호하기 위해, 50마이크론 고광택 폴리에스테르 필름의 시트를 폴리카보네이트 위에 놓고 실리콘 고무 패드를 폴리카보네이트 필름 위에 놓았다. 엠보싱 동안의 압력은 대략 1,200psi였고 열 및 압력하에서의 체류 시간은 600초였다. 필름을 냉각시키고 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘의 구조 표면을 포함하는 엠보싱된 폴리카보네이트 필름을 공구로부터 제거하였다. 생성된 마이크로프리즘 재귀반사 시팅은 도 3a의 것과 유사한 단면 구조를 가졌다.

이들 샘플 중 몇 가지에 걸친 재귀반사율 수준을 -4° 입구각 및 여러 상이한 관찰각 및 회전각에서 측정하였다. 샘플이 0°와 90° 회전 사이에서 일정 수준의 회전 감도를 나타내었지만, 전체 재귀반사율 값은 유사한 광축 경사각를 가진 삼면체-형상의 후방-경사 마이크로프리즘을 포함하는 마이크로프리즘 시팅에서 예상했던 것보다 상당히 더 높다. 결과는 하기 표 2에서 찾아볼 수 있다.

도 9a는 도 3a 내지 도 3e의 맥락에서 논의된 물품(300) 양태와 유사한 본 발명의 예시적인 물품(300) 양태의 구조화된 표면의 SEM 사진을 보여준다. 도 9b는 상업적으로 입수 가능한 마이크로프리즘 시팅 물품(900)(제조원; Avery Dennison Corporation of Pasadena, California, OmniCube™ T-11000 시리즈라는 제품명으로 판매됨)의 도 9a에 도시된 도면과 유사한 구조화된 표면의 SEM 사진을 보여준다.

도 9a 및 도 9b는 각각 선행 예의 폴리카보네이트 마이크로프리즘 시팅 샘플 물품(300) 및 상업적으로 입수 가능한 마이크로프리즘 시팅 물품(900)의 비교 샘플의 구조화된 표면의 SEM 사진을 보여준다. 두 SEM 사진 모두 Zeiss Axial Vision 스캐닝-전자 현미경을 사용하여 촬영되었으며, SEM 장비로 검사하기 전에, 각각의 구조화된 표면을 4.2nm 금-팔라듐 코팅으로 코팅하여 검사 동안 샘플의 과충전을 방지하였다.

도 9a의 SEM 사진은 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍(920)으로서 배열된 본 발명의 물품(300)에 대한 마이크로프리즘(910)의 어레이를 도시한다. 사진은 각각의 마이크로프리즘(910)의 제1 측면(917), 제2 측면(918) 및 제3 측면(919)을 추가로 보여준다. 알 수 있는 바와 같이, 마이크로프리즘(910) 사이에는 임의의 이음매 또는 갭이 없다. 대신에, 연속 표면 전이(925)가 각각의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍(920) 내의 인접한 마이크로프리즘(910)의 제2 측면(918)과 제3 측면(919) 사이에서 보여질 수 있다. 그러나, 반대로, 도 9b는 전술한 바와 같이 라미나 기술을 통해 제조된 것으로 보이는 비교 물질을 도시한다. 도 9a에 도시된 본 발명의 예시적인 샘플 물품과는 달리, 상업용 시팅 물품(900)은 대향하는 마이크로프리즘(예를 들면, 마이크로프리즘(910')) 사이에 명확하게 보이는 작은 갭 및 이음매를 갖는다.

청구항 개념 1

1. 물품(200)을 제조하는 단계(단계 102)를 포함하는, 방법(100)으로서,

상기 물품을 제조하는 단계는,

표면(206)을 갖는 기재(205)을 제공하는 단계(단계 105);

상기 표면(206)에 제1 그루브들(214)들의 제1 세트(212)를 형성하는 단계(단계 110)로서,

상기 제1 그루브들(214)은 표면(206)을 가로질러 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고,

각각의 상기 제1 그루브들(214)들은 적어도 2개의 제1 구역(222) 및 적어도 2개의 제2 구역(223)의 반복되는 인터리브 패턴을 포함하고, 상기 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T는 상기 제2 구역(223)의 최대 깊이 Z_S보다 큰, 상기 제1 그루브들의 제1 세트(212)를 형성하는 단계;

상기 표면(206)에 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)를 형성하는 단계(단계 112)로서,

상기 제2 그루브들(240)은 상기 표면(206)을 가로지르는 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향(250)은 상기 제1 방향(220)에 실질적으로 수직이고,

상기 제2 그루브들(240)은 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제2 구역(223)을 통과하고, 이에 의해 그루브 패턴(255)이 상기 표면(206) 상에 형성되고, 상기 그루브 패턴(255)은 마이크로프리즘들(256)을 포함하는, 상기 제2 그루브들의 제2 세트를 형성하는 단계

를 포함하는, 방법(100).

2. 제1항에 있어서, 상기 기재를 제공하는 단계가 모놀리식 블록 기재를 제공함을 포함하는, 방법.

3. 제1항에 있어서, 상기 물품(200)이 마스터 몰드로서 구성되는, 방법.

4. 제1항에 있어서, 마스터 몰드로서 구성된 상기 물품(200)을 사용하여 복제 물품(260)을 형성함을 추가로 포함하고, 상기 복제 물품(260)의 상기 복제 물품의 복제 기재(263)의 표면(262) 상에 그루브 패턴(255)의 반전 복사물을 갖는, 방법(단계 115).

5. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 형성이, 제1 절삭 공구(264)를, 상기 표면(206)을 통해, 제3 방향(266)을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동으로 이동시킴을 포함하고, 또한 상기 이동이 제1 방향(220)을 따라 이동하고, 상기 제3 방향(266)은 상기 제1 방향(220) 및 상기 제2 방향(250)에 수직인, 방법(단계 120).

6. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 구역(222)의 형성이 하강 섹션(268) 및 상승 섹션(269)을 형성함을 포함하는, 방법(단계 125).

7. 제6항에 있어서, 상기 하강 섹션(268)이 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 하강각 α로 형성되고, 상기 상승 섹션(269)이 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 상승각 β로 형성되는, 방법.

8. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β와 거의 동일한, 방법.

9. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β의 1° 이내인, 방법.

1O. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 값을 갖는, 방법.

11. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 값을 갖는, 방법.

12. 제6항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 구역(222)의 형성이 상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 형성함을 포함하는, 방법(단계 130).

13. 제12항에 있어서, 상기 전이 섹션(270)이 상기 제1 그루브들(214)의 그루브 기저부 표면(272)을 따라 위치하는 곡면(271)을 포함하는, 방법.

14. 제13항에 있어서, 상기 상기 곡면(271)이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경(273)을 갖는, 방법.

15. 제13항에 있어서, 상기 곡면(271)이 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경(273)을 갖는, 방법.

16. 제13항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경(273)을 갖는, 방법.

17. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)이 고정 수직 협각 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 방법.

18. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 65 내지 약 90°의 범위의 값인, 방법.

19. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 78.47 내지 약 90°의 범위의 값인, 방법.

2O. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 80 내지 약 87°의 범위의 값인, 방법.

21. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값인, 방법.

22. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값인, 방법.

23. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 세트(212)의 형성이 제1 절삭각 θ를 갖는 제1 절삭 공구를 사용함을 포함하고, 상기 제2 그루브들(240)의 상기 제2 세트(235)의 형성이 제2 절삭각 φ를 갖는 제2 절삭 공구를 사용함을 포함하고, 상기 제1 절삭각 θ의 값이 상기 제2 절삭각 φ의 값과 상이한, 방법.

24. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240)의 상기 제2 세트(235)의 형성이 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제2 구역(223)의 적어도 일부를 제거함을 포함하는, 방법(단계 140).

25. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240) 각각의 최대 깊이 Z_C가 실질적으로 서로 동일한 깊이인, 방법.

26. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240)의 최대 깊이 Z_C가 상기 제1 그루브들(214)의 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T보다 큰, 방법.

27. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240)의 최대 깊이 Z_C가 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 구역(222)의 최대 깊이 Z_T보다 작은, 방법.

28. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 세트(212)의 형성이 적어도 제1 서브세트 그루브들(214A)의 제1 서브세트(212A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)의 제2 서브세트(212B)를 형성함을 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A)은 상기 제2 서브세트 그루브들(214B)의 고정 수직 협각 θ_B보다 큰 고정 수직 협각 θ_A를 갖는, 방법(단계 135).

29. 제28항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A)이 상기 제2 방향(250)으로 상부 표면(206)을 가로질러 상기 제2 서브세트 그루브들(214B)과 교호하는, 방법.

30. 제28항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A) 및 상기 제2 서브세트 그루브들(214B)이 2개의 상이한 절삭 공구(264a 및 264b)를 사용하여 형성되고, 각각의 절삭 공구는 상이한 절삭각을 갖는, 방법.

청구항 개념 2

1. 마이크로프리즘들(256)을 포함하는 그루브 패턴(255)을 표면 위에 갖는 상기 표면(206)을 갖는 기재(205)을 포함하는 물품(200)으로서,

상기 그루브 패턴(255)은 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)와 교차하는 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)를 포함하고;

상기 제1 그루브들(214)은 상기 그루브 패턴(255)을 가로지르는 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들(214)은 복수의 반복 가변 깊이 구역(280)을 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역(280)은

제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(268) 및

제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(269)을 포함하고,

상기 제2 그루브들(240)은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향(250)은 상기 제1 방향(220)에 대해 실질적으로 수직인, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)이 V-형상 그루브들이고, 상기 제2 그루브들(240)이 V-형상 그루브들인, 물품.

3. 제1항에 있어서, 상기 기재(205)가 모놀리식 블록 기재인, 물품.

4. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(256)이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘인, 물품.

5. 제1항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.

6. 제1항에 있어서, 상기 물품이 원통형 툴링으로서 구성되는, 물품.

7. 제1항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역(280) 각각이 상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 추가로 포함하는, 물품.

8. 제7항에 있어서, 상기 전이 섹션(270)이 상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이에 연속 표면 전이(274)를 포함하는, 물품.

9. 제7항에 있어서, 상기 전이 섹션(270)이, 전이 입구(282), 전이 출구(284), 및 상기 전이 입구와 상기 전이 출구 사이의 제3 최대 깊이 Z_F를 포함하는, 물품.

1O. 제9항에 있어서, 상기 전이 입구(282)가 상기 제1 최대 깊이 Z_D2의 위치에서 상기 하강 섹션(268)에 인접하고, 상기 전이 출구(284)가 상기 제2 최대 깊이 Z_R2의 위치에서 상승 섹션(269)에 인접하는, 물품.

11. 제7항에 있어서, 상기 전이 섹션(270)이 상기 제1 그루브들(214)의 그루브 기저부 표면(272)을 따라 위치하는 곡면(271)을 포함하는, 물품.

12. 제11항에 있어서, 상기 곡면(271)이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

13. 제11항에 있어서, 상기 곡면(271)이 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

14. 제11항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

15. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(256)의 인접한 쌍들(290)이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.

16. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)이 약 65 내지 약 90°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.

17. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)이 약 78.47 내지 약 90°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.

18. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)이 약 80 내지 약 87°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.

19. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 최대 깊이 Z_D2 또는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.

2O. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 최대 깊이 Z_D2 또는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.

21. 제9항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제3 최대 깊이 Z_F가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.

22. 제9항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제3 최대 깊이 Z_F가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.

23. 제1항에 있어서, 상기 하강 섹션(268)이 약 5 내지 약 50°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.

24. 제1항에 있어서, 상기 하강 섹션(268)이 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.

25. 제1항에 있어서, 상기 하강 섹션(268)이 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.

26. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(214)의 상기 제1 세트(212)가 적어도 제1 서브세트 그루브들(214A)의 제1 서브세트(212A) 및 제2 서브세트 그루브들(214B)의 제2 서브세트(212B)를 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A)은 상기 제2 서브세트 그루브들(214B)의 고정 수직 협각 θ_B보다 큰 고정 수직 협각 θ_A를 갖는, 물품.

27. 제26항에 있어서, 상기 제1 그루브 서브세트(214A)가 상기 제2 방향(250)으로 상부 표면(206)을 가로질러 상기 제2 그루브들 서브세트(214B)와 교호하는, 물품.

28. 제26항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(256)의 4종 세트(291)가 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트로서 배열되는, 물품.

29. 제26항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A) 및 상기 제2 서브세트 그루브들(214B) 각각이 상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 포함하고, 상기 전이 섹션(270)은, 전이 입구(282), 전이 출구(284), 및 각각의 제3 최대 깊이 Z_FA 및 Z_FB를 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들(214A)의 상기 제3 최대 깊이 Z_FA는 상기 제2 서브세트 그루브들(214B)의 상기 제3 최대 깊이 Z_FB보다 큰, 물품.

30. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240) 각각이 실질적으로 동일한 최대 깊이 Z_C를 갖는, 물품.

31. 제9항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240) 각각의 상기 최대 깊이 Z_C가 상기 전이 섹션(270)의 제3 최대 깊이 Z_F보다 큰, 물품.

32. 제9항에 있어서, 상기 제2 그루브들(240) 각각의 상기 최대 깊이 Z_C가 상기 전이 섹션(270)의 제3 최대 깊이 Z_F보다 작은, 물품.

33. 제1항에 있어서, 상기 기재(205)가 중합체 필름인, 물품.

34. 제1항에 있어서, 상기 물품(200)이 재귀반사 시팅으로서 구성되는, 물품.

청구항 개념 3

1. 구조화된 표면(306)을 갖는 제1 측(304)을 갖는 투명 시트(302)를 포함하는 물품(300)으로서,

상기 구조화된 표면(306)은 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘들(310)을 포함하고, 상기 마이크로프리즘들(310)은 상기 구조화된 표면(306) 상의 마이크로프리즘 어레이(312)의 일부이고;

상기 마이크로프리즘들(310)의 각각의 하나는 상기 마이크로프리즘들(310A 및 310B)의 인접한 쌍들(314)의 일부이고, 각각의 하나의 인접하는 쌍들(314)에 있어서,

제1 마이크로프리즘(310A)은 제1 측면(317A), 제2 측면(318A) 및 제3 측면(319A)을 가지고,

제2 마이크로프리즘(31OB)은 제1 측면(317B), 제2 측면(318B) 및 제3 측면(319B)을 가지고,

상기 제1 마이크로프리즘(310A)의 제2 측면(318A)과 상기 제2 마이크로프리즘(31OB)의 제3 측면(319B) 사이에 연속 표면 전이(320)가 있는, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 투명 시트(302)가 상기 제1 측(304)과 대향하는 제2 측(322)을 포함하고, 상기 제2 측(322)이 실질적으로 평활하고 평면적인 제2 표면(324)을 갖는, 물품.

3. 제1항에 있어서, 상기 구조화된 표면(306) 상의 상기 마이크로프리즘들(310)의 정점(350)으로부터 대향 표면(324)까지의 상기 투명 시트(302)의 두께(327)가 약 50 내지 1,000마이크론의 범위의 값인, 물품.

4. 제1항에 있어서, 상기 구조화된 표면(306) 상의 마이크로프리즘들(310)이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들인, 물품.

5. 제1항에 있어서, 상기 인접한 쌍들(314)의 마이크로프리즘들(310A 및 310B)이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.

6. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(310A)이 상기 제2 마이크로프리즘(310B)의 거울상인, 물품.

7. 제1항에 있어서, 각각의 마이크로프리즘(310)의 각각의 측면(317, 318, 319)이, 각각의 상기 측면들(317, 318, 319)에 대한 복각 ε가 약 5 내지 약 50°의 범위의 값과 동일하도록, 상기 제2 표면(324)에 대해 각지게 정렬되는, 물품.

8. 제1항에 있어서, 상기 연속 표면 전이(320)가 곡면(328)을 가짐을 포함하는, 물품.

9. 제8항에 있어서, 상기 곡면(328)이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.

10. 제8항에 있어서, 상기 곡면(328)이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.

11. 제8항에 있어서, 상기 곡면(338)이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.

12. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(310) 각각이 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성되는, 물품.

13. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(310) 중 적어도 일부가 측방-경사 마이크로프리즘으로서 구성되는, 물품.

14. 제1항에 있어서, 각각의 제2 측면(318)의 표면적 및 각각의 제3 측면(319)의 표면적이 서로 거의 동일한, 물품.

15. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(310)의 2개의 인접한 쌍(314A 및 314B)이 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘의 4종 세트(340)를 형성하고, 상기 4종 세트(340)는 상기 제1 마이크로프리즘(310A), 상기 제2 마이크로프리즘(310B), 제3 마이크로프리즘(310C) 및 제4 마이크로프리즘(310D)을 포함하고,

상기 제3 마이크로프리즘(310C)이 제1 측면(317C), 제2 측면(318C) 및 제3 측면(319C)을 가지고;

상기 제4 마이크로프리즘(310D)은 제1 측면(319D), 제2 측면(318D) 및 제3 측면(319D)을 가지고;

상기 제3 마이크로프리즘(310C)의 상기 제2 측면(318C)과 상기 제4 마이크로프리즘(310D)의 상기 제3 측면(319D) 사이에 연속 표면 전이(320')가 있는, 물품.

16. 제15항에 있어서,

상기 제3 마이크로프리즘(310C)의 상기 제2 측면(318C)의 표면적과 상기 제4 마이크로프리즘(310D)의 상기 제3 측면(319D)의 표면적이 서로 거의 동일하고;

상기 제3 마이크로프리즘(310C)의 상기 제2 측면(318C)의 표면적과 상기 제3 마이크로프리즘(310C)의 상기 제3 측면(319C)의 표면적이 서로 동일하지 않은, 물품.

17. 제15항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(310A)이 상기 제3 마이크로프리즘(310C)의 거울상이고 상기 제3 마이크로프리즘(310C)이 상기 제4 마이크로프리즘(310D)의 거울상인, 물품.

청구항 개념 4

1. 구조화된 표면(407)을 갖는 기재(405)를 포함하는 물품(400)으로서,

상기 구조화된 표면(407)이 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘들(410)의 어레이(408)를 포함하고, 상기 마이크로프리즘들(410)은 구조화된 표면(407) 상의 상기 마이크로프리즘 어레이(408)의 일부이고;

상기 마이크로프리즘 어레이(408)는 제1 마이크로프리즘 서브어레이(408A) 및 제2 마이크로프리즘 서브어레이(408B)를 포함하고,

상기 제1 서브어레이(408A)는 제1 마이크로프리즘(410A) 및 제2 마이크로프리즘(410B)을 포함하고, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)은 제1 측면(417A), 제2 측면(418A) 및 제3 측면(419A)을 가지고, 상기 제2 마이크로프리즘(410B)은 제1 측면(417B), 제2 측면(418B) 및 제3 측면(419B)을 가지며,

상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제2 측면(418A)과 상기 제2 마이크로프리즘(410B)의 상기 제3 측면(419B) 사이에 연속 표면 전이(420)가 있고,

상기 제2 서브어레이(408B)가 제3 마이크로프리즘(410C) 및 제4 마이크로프리즘(410D)을 포함하고, 상기 제3 마이크로프리즘(410C)은 제1 측면(417C), 제2 측면(418C) 및 제3 측면(419C)을 가지고, 상기 제4 마이크로프리즘(410D)은 제1 측면(417D), 제2 측면(418D) 및 제3 측면(419D)을 가지며,

상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 상기 제2 측면(418C)과 상기 제4 마이크로프리즘(410D)의 상기 제3 측면(419D) 사이에 연속 표면 전이(420')가 있고,

상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A는 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C보다 큰, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)이 상기 제2 마이크로프리즘(410B)의 거울상이고 상기 제3 마이크로프리즘(410C)이 상기 제4 마이크로프리즘(410D)의 거울상인, 물품.

3. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(410)이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘인, 물품.

4. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 상기 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C 둘 다 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는, 물품.

5. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 상기 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C 둘 다 약 5 내지 약 35°의 범위의 값을 갖는, 물품.

6. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 상기 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C 둘 다 약 18 내지 약 32°의 범위의 값을 갖는, 물품.

7. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A가 상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 상기 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C보다 적어도 2° 더 큰, 물품.

8. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 상기 제1 측면(417A)의 복각 ε_1A가 상기 제3 마이크로프리즘(410C)의 제1 측면(417C)의 복각 ε_1C보다 적어도 5° 더 큰, 물품.

9. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘 어레이(408)의 제1 마이크로프리즘 서브어레이들(408A) 각각이 상기 제1 마이크로프리즘(410A) 및 상기 제2 마이크로프리즘(410B)으로 이루어지고, 상기 마이크로프리즘 어레이(408)의 제2 마이크로프리즘 서브어레이(408B) 각각이 상기 제3 마이크로프리즘(410C) 및 상기 제4 마이크로프리즘(410D)으로 이루어지는, 물품.

10. 제1항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들(410)이 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성되는, 물품.

11. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브어레이들(408A) 및 상기 제2 서브어레이들(408B)이 구조화된 표면(407)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

12. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브어레이(408A) 각각이, 서로의 거울상인 상기 제1 마이크로프리즘들 및 제2 마이크로프리즘들의 쌍들의 제1 열(430)을 포함하고, 상기 제2 서브어레이(408B) 각각이, 서로의 거울상인 상기 제3 마이크로프리즘들(410C) 및 제4 마이크로프리즘들(410D)의 쌍들의 제2 열(432)을 포함하는, 물품.

13. 제1항에 있어서, 상기 연속 표면 전이(420)가 곡면(428)을 포함하는, 물품.

14. 제13항에 있어서, 상기 곡면(428)이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.

15. 제13항에 있어서, 상기 곡면(428)이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.

16. 제13항에 있어서, 상기 곡면(428)이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.

17. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘(410A)의 높이 h_A가 제3 마이크로프리즘(410C)의 높이 h_C와 상이한, 물품.

18. 제17항에 있어서, 상기 높이 h_A와 상기 높이 h_C 사이의 차이가 약 25마이크론보다 큰, 물품.

19. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브어레이(408A)의 마이크로프리즘들(410A 및 410B)의 상기 최대 깊이 Z_FA가 상기 제2 서브어레이(408B)의 상기 마이크로프리즘들(410C 및 410D)의 최대 깊이 Z_FB와 상이한, 물품.

20. 제19항에 있어서, 상기 최대 깊이 Z_FA와 상기 최대 깊이 Z_FB 사이의 차이가 약 25마이크론보다 큰, 물품.

21. 제1항에 있어서, 상기 기재(405)가 모놀리식 블록 기재인, 물품.

22. 제1항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름인, 물품.

23. 제1항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.

24. 제1항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시팅인, 물품.

25. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브어레이들(408A)의 상기 제1 마이크로프리즘들 및 제2 마이크로프리즘들(410A 및 410B) 각각이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍들(460A)로서 배열되고, 상기 제2 서브어레이들(408B)의 상기 제3 마이크로프리즘들 및 제4 마이크로프리즘들(410C 및 410D) 각각이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍들(460B)로서 배열되는, 물품.

청구항 개념 5

1. 약간 비-직교하는 마이크로프리즘들(510)을 포함하는 그루브 패턴(555)을 표면 위에 갖는 상기 표면(507)을 갖는 기재(505)를 포함하는 물품(500)으로서,

상기 그루브 패턴(555)은 제2 그루브들(540)의 제2 세트(535)와 교차하는 제1 그루브(514)의 제1 세트(512)를 포함하고,

상기 제1 그루브들(514)은 상기 그루브 패턴(555)을 가로지르는 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들(514)은 가변 깊이 구역들(580)의 세트(518)를 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역(580)은

제1 최소 깊이 Z_D1, 제1 최대 깊이 Z_D2 및 제1 수평 거리 X_D를 갖는 하강 섹션(568),

제2 최소 깊이 Z_R1, 제2 최대 깊이 Z_R2 및 제2 수평 거리 X_R을 갖는 상승 섹션(569) 및

전이 입구(584), 전이 출구(585) 및 제3 최대 깊이 Z_F를 갖는 전이 섹션(570)을 포함하고,

상기 제3 최대 깊이 Z_F는 상기 제1 최소 깊이 Z_D1 및 상기 제2 최소 깊이 Z_R1 둘 다보다 더 크고;

상기 제2 그루브들(540)은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향(250)은 상기 제1 방향(220)에 대해 실질적으로 수직인, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 제1 수평 거리 X_D가 상기 제2 수평 거리 X_R보다 작은, 물품.

3. 제2항에 있어서, 상기 제1 수평 거리 X_D와 상기 제2 수평 거리 X_R 사이의 차이가 약 1 내지 약 15마이크론의 값인, 물품.

4. 제1항에 있어서, 상기 하강 섹션(568)이 하강각 α를 가지고, 상기 상승 섹션(569)이 상승각 β을 가지며, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한, 물품.

5. 제4항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 5 내지 약 50°의 범위의 값인, 물품.

6. 제1항에 있어서, 상기 하강 섹션(568)이, 대응하는 직교각(598)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작은 하강각 α를 가지고, 상기 상승 섹션(569)이, 대응하는 직교각(599)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰 상승각 β를 갖는, 물품.

7. 제1항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역들(580)의 세트(518)가, 제1 서브세트(518A) 및 제2 서브세트(518B)를 포함하는 가변 깊이 구역들의 둘 이상의 서브세트(518)를 포함하고,

상기 제1 서브세트(518A)의 가변 깊이 구역들(58OA)이

제1 하강각 α_A를 갖는 제1 하강 섹션(568A),

제1 상승각 β_A를 갖는 제1 상승 섹션(569A), 및

상기 제1 하강 섹션(568A)과 상기 제1 상승 섹션(569A) 사이에 위치하는 상기 제1 전이 섹션(570A)을 포함하고,

상기 제1 하강각 α_A는 상기 제1 상승각 β_A와 거의 동일하고;

상기 제2 서브세트(518B)의 가변 깊이 구역들(58OB)이 =

제2 하강각 α_B를 갖는 제2 하강 섹션(568B),

제2 상승각 β_B를 갖는 제2 상승 섹션(569B), 및

상기 제2 하강 섹션(568B)과 상기 제2 상승 섹션(569B) 사이에 위치하는 상기 제2 전이 섹션(570B)을 포함하고,

상기 제2 하강각 α_B는 상기 제2 상승각 β_B와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한, 물품.

8. 제7항에 있어서, 상기 제1 서브세트(518A)의 가변 깊이 구역들(58OA) 및 상기 제2 서브세트(518B)의 상기 가변 깊이 구역들(58OB)이 상기 제1 그루브들(514)의 상기 제1 방향(220)을 따라 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

9. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)이, 대응하는 직교각(595)과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 θ를 갖는, 물품.

1O. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)이, 상기 제1 그루브들(514)의 그루브 기저부(581)에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 θ을 갖는, 물품.

11. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)이 약 65 내지 약 90°의 고정 수직 협각 θ을 갖는, 물품.

12. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)이 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 상기 제1 반각 δ₁이 상기 제2 반각 δ₂보다 약 0.25 내지 약 1.0° 큰, 물품.

13. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)이 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 상기 제1 반각 δ₁이, 대응하는 직교각(596)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제2 반각 δ₂이, 대응하는 직교각(597)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 큰, 물품.

14. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)의 상기 제1 세트(512)가 2개 이상의 서브세트(512A 및 512B)를 포함하고, 상기 2개 이상의 서브세트는 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 상기 제1 그루브들(514A)의 제1 서브세트(512A) 및 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브들(514B)의 제2 서브세트(512B)를 포함하고,

상기 제1 고정 수직 협각 θ_A는 상기 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브들(514A)의 그루브 기저부(581A)에 대해 대칭이고,

상기 제2 고정 수직 협각 θ_B가 상기 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브들(514B)의 그루브 기저부(581B)에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭인, 물품.

15. 제14항에 있어서, 상기 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브들(514A) 및 상기 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브들(514B)이 상기 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

16. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)의 상기 제1 세트(512)가 2개 이상의 서브세트(512A 및 512B)를 포함하고, 상기 2개 이상의 서브세트가

2개의 반각 δ_A1 및 δ_A2로 이루어진 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 제1 그루브(514A)의 제1 서브세트(512A) 및

2개의 반각 δ_B1 및 δ_B2로 이루어진 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브(514B)의 제2 서브세트(512B)를 포함하고,

상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제1 반각 δ_A1가, 대응하는 직교각(596A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제2 반각 δ_A2가, 대응하는 직교각(597A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,

상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제1 반각 δ_B1이, 대응하는 직교각(596B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고, 상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제2 반각 δ_B2가, 대응하는 직교각(597B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작은, 물품.

17. 제16항에 있어서, 상기 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브들(514A) 및 상기 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브들(514B)이 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

18. 제16항에 있어서, 상기 제1 그루브들(514)의 상기 제1 세트(512)가, 제3 고정 수직 협각 θ_C를 갖는 상기 제1 그루브들(514C)의 제3 서브세트(512C)를 포함하고, 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C는 상기 제3 서브세트(512C)의 상기 제1 그루브들(514C)의 그루브 기저부(581C)에 대해 대칭인, 물품.

19. 제18항에 있어서, 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C가, 대응하는 직교각(595C)과 거의 동일한, 물품.

2O. 제18항에 있어서, 상기 제1 서브세트(512A)의 제1 그루브들(514A), 상기 제2 서브세트(512B)의 제1 그루브들(514B) 및 상기 제3 서브세트(512C)의 제1 그루브들(514C)이 그루브 패턴(555)을 가로질러 반복 패턴으로 배열되는, 물품.

21. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)이, 상기 제2 그루브들(540)의 그루브 기저부(582)에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.

22. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)이, 약 10 내지 약 100°의 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.

23. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)이, 대응하는 직교각(553)과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.

24. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)이, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가지고, 상기 제1 반각 ρ1이 제2 반각 ρ2보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.

25. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)이, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가지고, 상기 제1 반각 ρ1이, 대응하는 직교각(557)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제2 반각 ρ2가, 대응하는 직교각(558)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.

26. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)의 세트(535)가

2개의 반각 ρ1_A 및 ρ2_A로 이루어진 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들(540A)의 제1 서브세트(535A) 및

2개의 반각 ρ1_B 및 ρ2_B로 이루어진 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들(540B)의 제2 서브세트(535B)를 포함하고,

상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제1 반각 ρ1_A가, 대응하는 직교각(557A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고,

상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제2 반각 ρ2_A가, 대응하는 직교각(558A)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,

상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제1 반각 ρ1_B가, 대응하는 직교각(557B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,

상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제2 반각 ρ2_B가, 대응하는 직교각(558B)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 작은, 물품.

27. 제26항에 있어서, 상기 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A) 및 상기 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B)이 상기 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

28. 제26항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)의 세트(535)가, 상기 제2 그루브들(540C)의 그루브 기저부(582C)에 대해 대칭인 제3 고정 수직 협각 φ_C를 갖는 제2 그루브들(540C)의 제3 서브세트(535C)를 포함하는, 물품.

29. 제28항에 있어서, 상기 제3 고정 수직 협각 φ_C가, 대응하는 직교각(553C)과 거의 동일한, 물품.

30. 제28항에 있어서, 상기 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A), 상기 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B) 및 상기 제3 서브세트(535C)의 제3 그루브들(540C)이 상기 그루브 패턴(555)을 가로지르는 반복 패턴으로 배열되는, 물품.

31. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(540)의 제2 세트(535)가 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들(540A)의 제1 서브세트(535A) 및 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들(540B)의 제2 서브세트(535B)를 포함하고,

상기 제1 고정 수직 협각 φ_A는 상기 제2 그루브들(540A)의 그루브 기저부(582A)에 대해 대칭이고,

상기 제2 고정 수직 협각 φ_B는 상기 제1 그루브들(540B)의 그루브 기저부(582B)에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭인, 물품.

32. 제31항에 있어서, 상기 제1 서브세트(535A)의 제2 그루브들(540A) 및 제2 서브세트(535B)의 제2 그루브들(540B)이 상기 그루브 패턴(555)을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

33. 제1항에 있어서, 상기 전이 섹션(570)이 상기 하강 섹션(568)과 상기 상승 섹션(569) 사이에 연속 표면 전이(520)를 포함하는, 물품.

34. 제1항에 있어서, 상기 전이 섹션(570)이 상기 제1 그루브들(514)의 그루브 기저부(581)를 따라 위치하는 곡면(571)을 포함하는, 물품.

35. 제34항에 있어서, 상기 곡면(571)이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

36. 제34항에 있어서, 상기 곡면(571)이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

37.제34항에 있어서, 상기 곡면(571)이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

38. 제1항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.

39. 제1항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름인, 물품.

4O. 제1항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.

41. 제1항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시팅인, 물품.

청구항 개념 6

1. 구조화된 표면(607)을 갖는 기재(605)을 포함하는 물품(600)으로서,

상기 구조화된 표면은 이의 표면 위에 약간 비-직교하는 마이크로프리즘들(610)을 가지며,

상기 구조화된 표면(607)은, 제2 방향(250)을 따라 정렬된 제2 그루브들(640)의 제2 세트(635)와 교차하는 제1 방향(220)을 따라 대략 정렬되는 제1 그루브들(614)의 제1 세트(612)를 포함하고;

각각의 상기 제1 그루브(614)은 가변 깊이 구역들(680)의 세트(618)를 포함하고, 각각의 가변 깊이 구역(680)은

제1 최소 깊이 Z_D1 및 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(668),

제2 최소 깊이 Z_R1 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(669) 및

상기 하강 섹션(668)과 상기 상승 섹션(669) 사이에 위치하는 전이 섹션(670)을 포함하고, 상기 전이 섹션(670)이 상기 하강 섹션(668)과 상기 상승 섹션(669) 사이에 연속 표면 전이(674)를 포함하고;

상기 제1 방향(220)은 상기 제2 방향(250)에 실질적으로 수직이고;

상기 제1 그루브들(614)의 적어도 일부(629)가 상기 제1 방향(220)과 비교하여 비평행한 편향된 제1 방향(620)을 따라 정렬되고, 상기 제1 방향(220)과 상기 편향된 제1 방향(620) 사이의 편향각 ψ가 2° 미만이거나, 상기 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630)(도 6d)가 상기 제2 방향(250)과 비교하여 비평행한 편향된 제2 방향(650)을 따라 정렬되고, 상기 제2 방향(250)과 상기 편향된 제2 방향(650) 사이의 편향각 τ가 2° 미만인, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들(614)의 적어도 일부(629)와 제2 그루브들(640)의 적어도 일부(630) 사이의 교차점이 최대 약 2°까지 비-수직인, 물품.

3. 제1항에 있어서,

상기 가변 깊이 구역들(680)의 세트(618)가 가변 깊이 구역들(680A 및 680B)의 제1 서브세트 및 제2 서브세트(618A 및 618B)를 포함하고, 상기 편향된 제1 방향(620)이 제1 서브 편향된 제1 방향 및 제2 서브 편향된 제1 방향(620A 및 620B)을 포함하고,

상기 제1 서브세트(618A)의 제1 그루브들(614)이 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)으로 정렬된 제1 그루브 기저부(681A)를 가지고,

상기 제2 서브세트(618B)의 제1 그루브들(614)이 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)으로 정렬된 제2 그루브들 기저부(681B)를 가지고,

상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)이 서로 비평행한, 물품.

4. 제3항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)이 90°±2°와 동인한 편향각 χ_A만큼 상기 제2 방향(250)에 대해 수직이 아니고, 편향각 χ_A가 90°±0.1°와 동일하지 않은, 물품.

5. 제4항에 있어서, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)이, 90°±0.1°와 동일한 비-편향각 χ_B만큼 상기 제2 방향(250)에 대해 수직인, 물품.

6. 제3항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)이, 상기 제2 방향(250)에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가지고, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)이 상기 제2 방향(250)에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 갖는 물품(도 6b).

7. 제6항에 있어서, 상기 제1 방향(220)과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 사이의 편향각 ψ_A의 크기가 상기 제1 방향(220)과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.

8. 제3항에 있어서, 상기 제1 서브세트(618A)의 제1 가변 깊이 구역들(680A) 및 상기 제2 서브세트(618B)의 제2 가변 깊이 구역들(680B)이 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

9. 제3항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역들(680)의 세트(618)가, 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)으로 정렬된 제3 그루브 기저부(681C)를 갖는 제3 가변 깊이 구역들(680C)의 제3 서브세트(618C)를 추가로 포함하고, 상기 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)이 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 둘 다에 비평행한, 물품(도 6c).

10. 제9항에 있어서,

상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A)이 상기 제2 방향(250)에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가지고,

상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B)이 상기 제2 방향(250)에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 가지고,

상기 제3 서브 편향된 제1 방향(620C)이 상기 제2 방향(250)에 대해 수직 비-편향각 χ_C를 갖는, 물품.

11. 제10항에 있어서, 상기 제1 방향(220)과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향(620A) 사이의 편향각 ψ_A의 크기가 상기 제1 방향(220)과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향(620B) 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.

12. 제10항에 있어서, 상기 제1 서브세트(618A)의 제1 가변 깊이 구역들(680A), 상기 제2 서브세트(618B)의 제2 가변 깊이 구역들(680B) 및 상기 제3 서브세트(618C)의 제3 가변 깊이 구역들(680C)이 반복 패턴으로 배열되는, 물품.

13. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(640)의 상기 적어도 일부(630)가 최대 2°의 편향각 τ만큼 상기 제2 방향(250)에 대해 비평행한, 물품.

14. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들(640)의 상기 제2 세트(635)가 2개 이상의 서브세트(635A 및 635B)를 포함하고, 상기 제2 그루브들(640A)의 제1 서브세트(635A)는 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)으로 정렬되고, 상기 제2 그루브들(640B)의 제2 서브세트(635B)는 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)으로 정렬되고, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)이 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)에 비평행한, 물품.

15. 제14항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)이 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 상기 제2 방향(250)에 비평행한, 물품.

16. 제15항에 있어서, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)이 상기 제2 방향(250)에 평행한, 물품.

17. 제14항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)의 정렬이, 상기 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)의 정렬이, 상기 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전되는, 물품.

18. 제17항에 있어서, 상기 편향각 τ_A의 크기가 상기 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.

19. 제17항에 있어서, 상기 제1 서브세트(635A)의 제2 그루브들(640A) 및 상기 제2 서브세트(635B)의 제2 그루브들(640B)이 교호 패턴으로 배열되는, 물품.

2O. 제14항에 있어서, 상기 제2 그루브들(640)의 세트(635)가 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)으로 정렬된 제2 그루브들(640C)의 제3 서브세트(635C)를 추가로 포함하고, 상기 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)이 상기 제1 서브 편향된 제2 방향(650A) 및 상기 제2 서브 편향된 제2 방향(650B) 둘 다에 비평행한, 물품(도 6g).

21. 제20항에 있어서,

상기 제1 서브 편향된 제2 방향(650A)의 정렬이, 상기 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고;

상기 제2 서브 편향된 제2 방향(650B)의 정렬이, 상기 제2 방향(250)에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향 회전각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전되고;

상기 제3 서브 편향된 제2 방향(650C)이 상기 제2 방향(250)에 실질적으로 평행한, 물품.

22. 제21항에 있어서, 상기 편향 회전각 τ_A의 크기가 상기 편향각 τ_B의 크기와 동일한, 물품.

23. 제21항에 있어서, 상기 제1 서브세트(635A)의 제2 그루브들(640A), 상기 제2 서브세트(635B)의 제2 그루브들(640B) 및 상기 제3 서브세트(635C)의 제2 그루브(640C)가 반복 패턴으로 배열되는, 물품.

24. 제1항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.

25. 제1항에 있어서, 상기 물품이, 상기 물품의 복제 물품 복사물을 만들기 위한 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.

26. 제1항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름 기재인, 물품.

27. 제1항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시트인, 물품.

청구항 개념 7

1. 반전된 마이크로프리즘들(256')을 포함하는 반전된 그루브 패턴(261)을 갖는 표면(262)을 갖는 기재(263)을 포함하는 물품(260)으로서,

상기 반전된 그루브 패턴(261)은 마스터 몰드 물품(200)의 그루브 패턴(255)의 거울상이고, 상기 마스터 몰드 물품(200)은 마스터 몰드 기재 표면(206)을 가지고, 상기 마스터 몰드 기재 표면은 상기 표면 위에 마이크로프리즘들(256)을 포함하는 그루브 패턴(255)을 가지며,

상기 그루브 패턴(255)은 제2 그루브들(240)의 제2 세트(235)와 교차하는 제1 그루브들(214)의 제1 세트(212)를 포함하고,

상기 제1 그루브들(214)은 상기 그루브 패턴(255)을 가로지르는 동일한 제1 방향(220)을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들(214)은 복수의 반복 가변 깊이 구역들(280)을 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역들(280)은

제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(268),

제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(269) 및

상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이에 위치하는 전이 섹션(270)을 포함하고; 상기 제2 그루브들(240)은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향(250)을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향(250)은 상기 제1 방향(220)에 실질적으로 수직인, 물품.

2. 제1항에 있어서, 상기 반전된 마이크로프리즘들(256')이 반전된 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘인, 물품.

3. 제1항에 있어서, 상기 반전된 마이크로프리즘들(256')의 인접한 쌍들이, 마이크로프리즘들(256)의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들으로서 배열된 상기 마스터 몰드 물품(200)의 마이크로프리즘들(256)의 인접한 쌍들(290)의 거울상에 대응하는 반전된 마이크로프리즘들(256')의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.

4. 제1항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴(261)이, 상기 전이 섹션(270)의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하고, 상기 반전된 전이 섹션이, 상기 마스터 몰드 물품(200)의 그루브 패턴(255)의 상기 하강 섹션(268)과 상기 상승 섹션(269) 사이의 연속 표면 전이(274)의 거울상에 대응하는 반전된 연속 표면 전이를 포함하는, 물품.

5. 제1항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴(261)이, 상기 전이 섹션(270)의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하고, 상기 반전된 전이 섹션이, 상기 마스터 몰드 물품(200)의 상기 제1 그루브들(214)의 그루브 기저부 표면(272)을 따라 위치하는 곡면(271)의 거울상에 대응하는 반전된 곡면을 포함하는, 물품.

6. 제5항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

7. 제5항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

8. 제5항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.

9. 제1항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴(261)이, 상기 마스터 몰드 물품(200)의 상기 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 5 내지 약 50°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.

10. 제1항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴(261)이, 상기 마스터 몰드 물품(200)의 상기 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.

11. 제1항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴(261)이, 상기 마스터 몰드 물품(200)의 상기 하강 섹션(268)의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.

12. 제1항에 있어서, 상기 기재(263)의 표면(262)이 정반사 표면을 포함하는, 물품.

13. 제12항에 있어서, 상기 정반사 표면이 금속 물질로 이루어지는, 물품.

14. 제13항에 있어서, 상기 금속 물질이 니켈, 코발트, 알루미늄, 은, 금, 구리, 황동, 청동 및 이들의 합금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 물품.

15. 제1항에 있어서, 상기 물품(260)이 재귀반사체로서 구성되는, 물품.

16. 제1항에 있어서, 상기 기재가 중합체 물질인, 물품.

17. 제1항에 있어서, 상기 기재가 금속 물질인, 물품.

본 출원이 관련되는 당업계의 숙련가들은 기술된 양태에 다른 및 추가의 추가, 삭제, 치환 및 수정이 이루어질 수 있음을 인지할 것이다.

Claims (191)

1. 물품(article)을 제조하는 단계를 포함하는, 방법으로서,
   상기 물품을 제조하는 단계는,
   표면을 갖는 기재를 제공하는 단계;
   상기 표면에 제1 그루브(groove)들의 제1 세트를 형성하는 단계로서,
   상기 제1 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행하고,
   각각의 상기 제1 그루브들은 적어도 2개의 제1 구역(zone) 및 적어도 2개의 제2 구역의 반복되는 인터리브 패턴(interleaved pattern)을 포함하고, 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T는 상기 제2 구역의 최대 깊이 Z_S보다 큰, 상기 제1 그루브들의 제1 세트를 형성하는 단계;
   상기 표면에 제2 그루브들의 제2 세트를 형성하는 단계로서,
   상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직이고,
   상기 제2 그루브들은 상기 제1 그루브들의 상기 제2 구역을 통과하고, 이에 의해 그루브 패턴이 상기 표면 상에 형성되고, 상기 그루브 패턴은 마이크로프리즘(microprism)들을 포함하는, 상기 제2 그루브들의 제2 세트를 형성하는 단계
   를 포함하는, 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 기재를 제공하는 단계가 모놀리식 블록 기재(monolithic block substrate)를 제공함을 포함하는, 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드(master mold)로서 구성되는(configured), 방법.
4. 제1항에 있어서, 마스터 몰드로서 구성된 상기 물품을 사용하여 복제 물품(replicate article)을 형성함을 추가로 포함하고, 상기 복제 물품이 상기 복제 물품의 복제 기재(replicate substrate)의 표면 상에 그루브 패턴의 반전 복사물(inverted copy)을 갖는, 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 제1 구역의 형성이, 제1 절삭 공구를, 상기 표면을 통해, 제3 방향을 따라 반복되는 상승 및 하강 운동(repeating rising and diving motion)으로 이동시킴을 포함하고, 또한 상기 이동이 제1 방향을 따라 이동하고, 상기 제3 방향은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직인, 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 형성이 하강 섹션 및 상승 섹션을 형성함을 포함하는, 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 하강 섹션이 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 하강각(dive angle) α로 형성되고, 상기 상승 섹션이 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는 상승각(rise angle) β로 형성되는, 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β와 거의 동일한, 방법.
9. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β의 1° 이내인, 방법.
10. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 값을 갖는, 방법.
11. 제7항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 값을 갖는, 방법.
12. 제6항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 형성이 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 형성함을 포함하는, 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 전이 섹션이 상기 제1 그루브의 그루브 기저부 표면(groove base surface)을 따라 위치하는 곡면을 포함하는, 방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경을 갖는, 방법.
15. 제13항에 있어서, 상기 곡면이 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경을 갖는, 방법.
16. 제13항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경을 갖는, 방법.
17. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브가 고정 수직 협각(constant vertical included angle) θ를 갖는 V-형상을 갖는, 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 65 내지 약 90°의 범위의 값인, 방법.
19. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 78.47 내지 약 90°의 범위의 값인, 방법.
20. 제17항에 있어서, 상기 고정 수직 협각 θ가 약 80 내지 약 87°의 범위의 값인, 방법.
21. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값인, 방법.
22. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값인, 방법.
23. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트의 형성이 제1 절삭각 θ를 갖는 제1 절삭 공구를 사용함을 포함하고, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트의 형성이 제2 절삭각 φ를 갖는 제2 절삭 공구를 사용함을 포함하고, 상기 제1 절삭각 θ의 값이 상기 제2 절삭각 φ의 값과 상이한, 방법.
24. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트의 형성이 상기 제1 그루브들의 상기 제2 구역의 적어도 일부를 제거함을 포함하는, 방법.
25. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들 각각의 최대 깊이 Z_C가 실질적으로 서로 동일한 깊이인, 방법.
26. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 최대 깊이 Z_C가 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T보다 큰, 방법.
27. 제1항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 최대 깊이 Z_C가 상기 제1 그루브들의 상기 제1 구역의 최대 깊이 Z_T보다 작은, 방법.
28. 제1항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트의 형성이 적어도 제1 서브세트 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 서브세트 그루브들의 제2 서브세트를 형성함을 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들은 상기 제2 서브세트 그루브들의 고정 수직 협각 θ_B보다 큰 고정 수직 협각 θ_A를 갖는, 방법.
29. 제28항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들이 상기 제2 방향으로 상부 표면을 가로질러 상기 제2 서브세트 그루브들과 교호하는, 방법.
30. 제28항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들 및 상기 제2 서브세트 그루브들이 2개의 상이한 절삭 공구를 사용하여 형성되고, 각각의 절삭 공구는 상이한 절삭각을 갖는, 방법.
31. 마이크로프리즘들을 포함하는 그루브 패턴을 표면 위에 갖는 상기 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품으로서,
    상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함하고;
    상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들은 복수의 반복 가변 깊이 구역(repeating variable depth zone)을 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역은
    제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션(dive section) 및
    제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션(rise section)을 포함하고,
    상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직인, 물품.
32. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 V-형상 그루브들이고, 상기 제2 그루브들이 V-형상 그루브들인, 물품.
33. 제31항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.
34. 제31항에 있어서, 상기 마이크로프리즘이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘인, 물품.
35. 제31항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.
36. 제31항에 있어서, 상기 물품이 원통형 툴링(cylindrical tooling)으로서 구성되는, 물품.
37. 제31항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역 각각이 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 추가로 포함하는, 물품.
38. 제37항에 있어서, 상기 전이 섹션이 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 연속 표면 전이를 포함하는, 물품.
39. 제37항에 있어서, 상기 전이 섹션이, 전이 입구, 전이 출구, 및 상기 전이 입구와 상기 전이 출구 사이의 제3 최대 깊이 Z_F를 포함하는, 물품.
40. 제39항에 있어서, 상기 전이 입구가 상기 제1 최대 깊이 Z_D2의 위치에서 상기 하강 섹션에 인접하고, 상기 전이 출구가 상기 제2 최대 깊이 Z_R2의 위치에서 상기 상승 섹션에 인접하는, 물품.
41. 제37항에 있어서, 상기 전이 섹션이 상기 제1 그루브의 그루브 기저부 표면을 따라 위치하는 곡면을 포함하는, 물품.
42. 제41항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
43. 제41항에 있어서, 상기 곡면이 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
44. 제41항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
45. 제31항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.
46. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 약 65 내지 약 90°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.
47. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 약 78.47 내지 약 90°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.
48. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 약 80 내지 약 87°의 범위의 고정 수직 협각 값 θ를 갖는 V-형상을 갖는, 물품.
49. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 최대 깊이 Z_D2 또는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.
50. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 최대 깊이 Z_D2 또는 상기 제2 최대 깊이 Z_R2가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.
51. 제39항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_F가 약 10 내지 약 1,000마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.
52. 제39항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_F가 약 20 내지 약 250마이크론의 범위의 값을 갖는, 물품.
53. 제31항에 있어서, 상기 하강 섹션이 약 5 내지 약 50°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.
54. 제31항에 있어서, 상기 하강 섹션이 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.
55. 제31항에 있어서, 상기 하강 섹션이 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α 값을 갖는, 물품.
56. 제31항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트가 적어도 제1 서브세트 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 서브세트 그루브들의 제2 서브세트를 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들은 상기 제2 서브세트 그루브들의 고정 수직 협각 θ_B보다 큰 고정 수직 협각 θ_A를 갖는, 물품.
57. 제56항에 있어서, 상기 제1 그루브 서브세트가 상기 제2 방향으로 상부 표면을 가로질러 상기 제2 그루브 서브세트와 교호하는, 물품.
58. 제56항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들의 4종 세트(quaternary set)가 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘들의 4종 세트로서 배열되는, 물품.
59. 제56항에 있어서, 상기 제1 서브세트 그루브들 및 상기 제2 서브세트 그루브들 각각이 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함하고, 상기 전이 섹션은, 전이 입구, 전이 출구, 및 각각의 제3 최대 깊이 Z_FA 및 Z_FB를 포함하고, 상기 제1 서브세트 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_FA는 상기 제2 서브세트 그루브들의 상기 제3 최대 깊이 Z_FB보다 큰, 물품.
60. 제31항에 있어서, 상기 제2 그루브들 각각이 실질적으로 동일한 최대 깊이 Z_C를 갖는, 물품.
61. 제39항에 있어서, 상기 제2 그루브들 각각의 상기 최대 깊이 Z_C가 상기 전이 섹션의 제3 최대 깊이 Z_F보다 큰, 물품.
62. 제39항에 있어서, 상기 제2 그루브들 각각의 상기 최대 깊이 Z_C가 상기 전이 섹션의 제3 최대 깊이 Z_F보다 작은, 물품.
63. 제31항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름인, 물품.
64. 제31항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시팅(retroreflective sheeting)으로서 구성되는, 물품.
65. 구조화된 표면을 갖는 제1 측(first side)을 갖는 투명 시트를 포함하는 물품으로서,
    상기 구조화된 표면은 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘들을 포함하고, 상기 마이크로프리즘들은 상기 구조화된 표면 상의 마이크로프리즘 어레이(microprism array)의 일부이고;
    상기 마이크로프리즘들의 각각의 하나는 상기 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들의 일부이고, 각각의 하나의 상기 인접한 쌍들에 있어서,
    제1 마이크로프리즘은 제1 측면(lateral face), 제2 측면 및 제3 측면을 가지고,
    제2 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지며,
    상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제2 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이(continuous surface transition)가 있는, 물품.
66. 제65항에 있어서, 상기 투명 시트가 상기 제1 측과 대향하는 제2 측을 포함하고, 상기 제2 측이 실질적으로 평활하고 평면적인 제2 표면을 갖는, 물품.
67. 제65항에 있어서, 상기 구조화된 표면 상의 상기 마이크로프리즘들의 정점으로부터 대향 표면까지의 상기 투명 시트의 두께가 약 50 내지 1,000마이크론의 범위의 값인, 물품.
68. 제65항에 있어서, 상기 구조화된 표면 상의 상기 마이크로프리즘들이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들인, 물품.
69. 제65항에 있어서, 상기 인접한 쌍들의 상기 마이크로프리즘들이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.
70. 제65항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘이 상기 제2 마이크로프리즘의 거울상인, 물품.
71. 제65항에 있어서, 각각의 마이크로프리즘의 각각의 측면들이, 각각의 상기 측면들에 대한 복각(inclination angle) ε가 약 5 내지 약 50°의 범위의 값과 동일하도록, 상기 제2 표면에 대해 각지게 정렬되는, 물품.
72. 제65항에 있어서, 상기 연속 표면 전이가 곡면을 가짐을 포함하는, 물품.
73. 제72항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.
74. 제72항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.
75. 제72항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 값 r을 갖는, 물품.
76. 제65항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들 각각이 후방-경사(backward-tilted) 마이크로프리즘, 전방-경사(forward-tilted) 마이크로프리즘 또는 등변(equilateral) 마이크로프리즘 중 하나로서 구성되는, 물품.
77. 제65항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들 중 적어도 일부가 측방-경사 마이크로프리즘으로서 구성되는, 물품.
78. 제65항에 있어서, 각각의 제2 측면의 표면적 및 각각의 제3 측면의 표면적이 서로 거의 동일한, 물품.
79. 제65항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들의 2개의 인접한 쌍이 대칭적으로 대향하는 매칭된 마이크로프리즘들의 4종 세트를 형성하고, 상기 4종 세트는 상기 제1 마이크로프리즘, 상기 제2 마이크로프리즘, 제3 마이크로프리즘 및 제4 마이크로프리즘을 포함하고,
    상기 제3 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고;
    상기 제4 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고;
    상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제4 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있는, 물품.
80. 제79항에 있어서,
    상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면의 표면적과 상기 제4 마이크로프리즘의 상기 제3 측면의 표면적이 서로 거의 동일하고;
    상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면의 표면적과 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제3 측면의 표면적이 서로 동일하지 않은, 물품.
81. 제79항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘이 상기 제3 마이크로프리즘의 거울상이고, 상기 제3 마이크로프리즘이 상기 제4 마이크로프리즘의 거울상인, 물품.
82. 구조화된 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품으로서,
    상기 구조화된 표면은 상기 구조화된 표면 위에 마이크로프리즘들의 어레이를 포함하고, 상기 마이크로프리즘들은 상기 구조화된 표면 상의 상기 마이크로프리즘 어레이의 일부이고;
    상기 마이크로프리즘 어레이는 제1 마이크로프리즘 서브어레이(subarray) 및 제2 마이크로프리즘 서브어레이를 포함하고,
    상기 제1 서브어레이는 제1 마이크로프리즘 및 제2 마이크로프리즘을 포함하고, 상기 제1 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고, 상기 제2 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지며,
    상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제2 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있고,
    상기 제2 서브어레이는 제3 마이크로프리즘 및 제4 마이크로프리즘을 포함하고, 상기 제3 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지고, 상기 제4 마이크로프리즘은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 측면을 가지며,
    상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제2 측면과 상기 제4 마이크로프리즘의 상기 제3 측면 사이에 연속 표면 전이가 있고,
    상기 제1 마이크로프리즘의 제1 측면의 복각 ε_1A는 제3 마이크로프리즘의 제1 측면의 복각 ε_1C보다 큰, 물품.
83. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘이 상기 제2 마이크로프리즘의 거울상이고, 상기 제3 마이크로프리즘이 상기 제4 마이크로프리즘의 거울상인, 물품.
84. 제82항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들이 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들인, 물품.
85. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C 둘 다 약 5 내지 약 50°의 범위의 값을 갖는, 물품.
86. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C 둘 다 약 5 내지 약 35°의 범위의 값을 갖는, 물품.
87. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A 및 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C 둘 다 약 18 내지 약 32°의 범위의 값을 갖는, 물품.
88. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A가 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C보다 적어도 2° 더 큰, 물품.
89. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1A가 상기 제3 마이크로프리즘의 상기 제1 측면의 복각 ε_1C보다 적어도 5° 더 큰, 물품.
90. 제82항에 있어서, 상기 마이크로프리즘 어레이의 제1 마이크로프리즘 서브어레이들 각각이 상기 제1 마이크로프리즘 및 상기 제2 마이크로프리즘으로 이루어지고(consist), 상기 마이크로프리즘 어레이의 제2 마이크로프리즘 서브어레이 각각이 상기 제3 마이크로프리즘 및 상기 제4 마이크로프리즘으로 이루어지는, 물품.
91. 제82항에 있어서, 상기 마이크로프리즘들이 후방-경사 마이크로프리즘, 전방-경사 마이크로프리즘 또는 등변 마이크로프리즘 중 하나로서 구성되는, 물품.
92. 제82항에 있어서, 상기 제1 서브어레이들 및 상기 제2 서브어레이들이 구조화된 표면을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
93. 제82항에 있어서, 상기 제1 서브어레이 각각이, 서로의 거울상인 상기 제1 마이크로프리즘들 및 제2 마이크로프리즘들의 쌍들의 제1 열(row)을 포함하고, 상기 제2 서브어레이 각각이, 서로의 거울상인 상기 제3 마이크로프리즘들 및 상기 제4 마이크로프리즘들의 쌍들의 제2 열을 포함하는, 물품.
94. 제82항에 있어서, 상기 연속 표면 전이가 곡면을 포함하는, 물품.
95. 제94항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.
96. 제94항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.
97. 제94항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r 값을 갖는, 물품.
98. 제82항에 있어서, 상기 제1 마이크로프리즘의 높이 h_A가 상기 제3 마이크로프리즘의 높이 h_C와 상이한, 물품.
99. 제98항에 있어서, 상기 높이 h_A와 상기 높이 h_C 사이의 차이가 약 25마이크론보다 큰, 물품.
100. 제82항에 있어서, 상기 제1 서브어레이의 상기 마이크로프리즘들의 상기 최대 깊이 Z_FA가 상기 제2 서브어레이의 상기 마이크로프리즘들의 상기 최대 깊이 Z_FB와 상이한, 물품.
101. 제100항에 있어서, 상기 최대 깊이 Z_FA와 상기 최대 깊이 Z_FB 사이의 차이가 약 25마이크론보다 큰, 물품.
102. 제82항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.
103. 제82항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름인, 물품.
104. 제82항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.
105. 제82항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시팅인, 물품.
106. 제82항에 있어서, 상기 제1 서브어레이들의 상기 제1 마이크로프리즘들 및 제2 마이크로프리즘들 각각이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍들로서 배열되고, 상기 제2 서브어레이들의 상기 제3 마이크로프리즘들 및 제4 마이크로프리즘들 각각이 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들의 인접한 쌍들로서 배열되는, 물품.
107. 약간 비-직교하는 마이크로프리즘들을 포함하는 그루브 패턴을 표면 위에 갖는 상기 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품으로서,
     상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함하고,
     상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들은 가변 깊이 구역들의 세트를 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역은
     제1 최소 깊이 Z_D1, 제1 최대 깊이 Z_D2 및 제1 수평 거리 X_D를 갖는 하강 섹션,
     제2 최소 깊이 Z_R1, 제2 최대 깊이 Z_R2 및 제2 수평 거리 X_R을 갖는 상승 섹션 및
     전이 입구, 전이 출구 및 제3 최대 깊이 Z_F를 갖는 전이 섹션을 포함하고,
     상기 제3 최대 깊이 Z_F는 상기 제1 최소 깊이 Z_D1 및 상기 제2 최소 깊이 Z_R1 둘 다보다 더 크고;
     상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직인, 물품.
108. 제107항에 있어서, 상기 제1 수평 거리 X_D가 상기 제2 수평 거리 X_R보다 작은, 물품.
109. 제108항에 있어서, 상기 제1 수평 거리 X_D와 상기 제2 수평 거리 X_R 사이의 차이가 약 1 내지 약 15마이크론의 값인, 물품.
110. 제107항에 있어서, 상기 하강 섹션이 하강각 α를 가지고, 상기 상승 섹션이 상승각 β을 가지며, 상기 하강각 α가 상기 상승각 β와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한, 물품.
111. 제110항에 있어서, 상기 하강각 α가 약 5 내지 약 50°의 범위의 값인, 물품.
112. 제107항에 있어서, 상기 하강 섹션이, 대응하는 직교각(angle of orthogonality)보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작은 하강각 α를 가지고, 상기 상승 섹션이, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰 상승각 β를 갖는, 물품.
113. 제107항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역들의 세트가, 제1 서브세트 및 제2 서브세트를 포함하는 가변 깊이 구역들의 둘 이상의 서브세트를 포함하고,
     상기 제1 서브세트의 가변 깊이 구역들이
     제1 하강각 α_A를 갖는 제1 하강 섹션,
     제1 상승각 β_A를 갖는 제1 상승 섹션, 및
     상기 제1 하강 섹션과 상기 제1 상승 섹션 사이에 위치하는 상기 제1 전이 섹션을 포함하고,
     상기 제1 하강각 α_A는 상기 제1 상승각 β_A와 거의 동일하고;
     상기 제2 서브세트의 가변 깊이 구역들이
     제2 하강각 α_B를 갖는 제2 하강 섹션,
     제2 상승각 β_B를 갖는 제2 상승 섹션, 및
     상기 제2 하강 섹션과 상기 제2 상승 섹션 사이에 위치하는 상기 제2 전이 섹션을 포함하고,
     상기 제2 하강각 α_B는 상기 제2 상승각 β_B와 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한, 물품.
114. 제113항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 상기 가변 깊이 구역들 및 상기 제2 서브세트의 상기 가변 깊이 구역들이 상기 제1 그루브들의 상기 제1 방향을 따라 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
115. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들이, 대응하는 직교각과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 θ를 갖는, 물품.
116. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들이, 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 θ을 갖는, 물품.
117. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 약 65 내지 약 90°의 고정 수직 협각 θ을 갖는, 물품.
118. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 상기 제1 반각 δ₁이 상기 제2 반각 δ₂보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.
119. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들이 2개의 반각 δ₁ 및 δ₂로 이루어진 고정 수직 협각 θ을 가지고, 상기 제1 반각 δ₁이, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제2 반각 δ₂이, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.
120. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트가 2개 이상의 서브세트를 포함하고, 상기 2개 이상의 서브세트는 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 상기 제1 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브들의 제2 서브세트를 포함하고,
     상기 제1 고정 수직 협각 θ_A는 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭이고,
     상기 제2 고정 수직 협각 θ_B는 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭인, 물품.
121. 제120항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
122. 제107항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트가 2개 이상의 서브세트를 포함하고, 상기 2개 이상의 서브세트가
     2개의 반각 δ_A1 및 δ_A2로 이루어진 제1 고정 수직 협각 θ_A를 갖는 제1 그루브들의 제1 서브세트 및
     2개의 반각 δ_B1 및 δ_B2로 이루어진 제2 고정 수직 협각 θ_B를 갖는 제1 그루브들의 제2 서브세트를 포함하고,
     상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제1 반각 δ_A1가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제1 고정 수직 협각 θ_A의 제2 반각 δ_A2가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,
     상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제1 반각 δ_B1가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고, 상기 제2 고정 수직 협각 θ_B의 제2 반각 δ_B2가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작은, 물품.
123. 제122항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
124. 제122항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 상기 제1 세트가, 제3 고정 수직 협각 θ_C를 갖는 상기 제1 그루브들의 제3 서브세트를 포함하고, 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C는 상기 제3 서브세트의 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭인, 물품.
125. 제124항에 있어서, 상기 제3 고정 수직 협각 θ_C가, 대응하는 직교각과 거의 동일한, 물품.
126. 제124항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제1 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제1 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제1 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 반복 패턴으로 배열되는, 물품.
127. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들이, 상기 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 비대칭인 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.
128. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들이, 약 10 내지 약 100°의 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.
129. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들이, 대응하는 직교각과 약 0.25 내지 약 1.0° 상이한 고정 수직 협각 φ를 갖는, 물품.
130. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들이, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가지고, 상기 제1 반각 ρ1이 상기 제2 반각 ρ2보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.
131. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들이, 2개의 반각 ρ1 및 ρ2로 이루어진 고정 수직 협각 φ를 가지고, 상기 제1 반각 ρ1이, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고, 상기 제2 반각 ρ2가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 큰, 물품.
132. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 세트가
     2개의 반각 ρ1_A 및 ρ2_A로 이루어진 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들의 제1 서브세트 및
     2개의 반각 ρ1_B 및 ρ2_B로 이루어진 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들의 제2 서브세트를 포함하고,
     상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제1 반각 ρ1_A가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작고,
     상기 제1 고정 수직 협각 φ_A의 제2 반각 ρ2_A가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,
     상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제1 반각 ρ1_B가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 크고,
     상기 제2 고정 수직 협각 φ_B의 제2 반각 ρ2_B가, 대응하는 직교각보다 약 0.25 내지 약 1.0° 더 작은, 물품.
133. 제132항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
134. 제132항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 세트가, 상기 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭인 제3 고정 수직 협각 φ_C를 갖는 제2 그루브들의 제3 서브세트를 포함하는, 물품.
135. 제134항에 있어서, 상기 제3 고정 수직 협각 φ_C가, 대응하는 직교각과 거의 동일한, 물품.
136. 제134항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제3 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 반복 패턴으로 배열되는, 물품.
137. 제107항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트가 제1 고정 수직 협각 φ_A를 갖는 제2 그루브들의 제1 서브세트 및 제2 고정 수직 협각 φ_B를 갖는 제2 그루브들의 제2 서브세트를 포함하고,
     상기 제1 고정 수직 협각 φ_A는 상기 제2 그루브들의 그루브 기저부에 대해 대칭이고,
     상기 제2 고정 수직 협각 φ_B는 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부에 대해 약 0.25 내지 약 1.0° 비대칭인, 물품.
138. 제137항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 제2 서브세트의 제2 그루브들이 상기 그루브 패턴을 가로지르는 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
139. 제107항에 있어서, 상기 전이 섹션이 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 연속 표면 전이를 포함하는, 물품.
140. 제107항에 있어서, 상기 전이 섹션이 상기 제1 그루브들의 그루브 기저부를 따라 위치된 곡면을 포함하는, 물품.
141. 제140항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
142. 제140항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
143. 제140항에 있어서, 상기 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
144. 제107항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.
145. 제107항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름인, 물품.
146. 제107항에 있어서, 상기 물품이 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.
147. 제107항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시팅인, 물품.
148. 구조화된 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품으로서,
     상기 구조화된 표면은 이의 표면 위에 약간 비-직교하는 마이크로프리즘들을 가지며,
     상기 구조화된 표면은, 제2 방향을 따라 대략 정렬된 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하고 제1 방향을 따라 대략 정렬되는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함하고;
     각각의 상기 제1 그루브들은 가변 깊이 구역들의 세트를 포함하고, 각각의 가변 깊이 구역은
     제1 최소 깊이 Z_D1 및 제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션,
     제2 최소 깊이 Z_R1 및 제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션 및
     상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함하고, 상기 전이 섹션은 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 연속 표면 전이를 포함하고;
     상기 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 실질적으로 수직이고;
     상기 제1 그루브들의 적어도 일부가 상기 제1 방향과 비교하여 비평행한 편향된(skewed) 제1 방향을 따라 정렬되고, 상기 제1 방향과 상기 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ가 2° 미만이거나, 상기 제2 그루브들의 적어도 일부가 상기 제2 방향과 비교하여 비평행한 편향된 제2 방향을 따라 정렬되고, 상기 제2 방향과 상기 편향된 제2 방향 사이의 편향각 τ가 2° 미만인, 물품.
149. 제148항에 있어서, 상기 제1 그루브들의 적어도 일부와 제2 그루브들의 적어도 일부 사이의 교차점이 최대 약 2°까지 비-수직인, 물품.
150. 제148항에 있어서,
     상기 가변 깊이 구역들의 세트가 가변 깊이 구역들의 제1 서브세트 및 제2 서브세트를 포함하고, 상기 편향된 제1 방향이 제1 서브 편향된 제1 방향 및 제2 서브 편향된 제1 방향을 포함하고,
     상기 제1 서브세트의 제1 그루브들이 상기 제1 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제1 그루브 기저부를 가지고,
     상기 제2 서브세트의 제1 그루브들이 상기 제2 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제2 그루브들 기저부를 가지고,
     상기 제1 서브 편향된 제1 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향이 서로 비평행한, 물품.
151. 제150항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향이 90°±2°와 동일한 편향각 χ_A만큼 상기 제2 방향에 대해 수직이 아니고, 편향각 χ_A가 90°±0.1°와 동일하지 않은, 물품.
152. 제151항에 있어서, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향이, 90°±0.1°와 동일한 비-편향각(non-skewed angle) χ_B만큼 상기 제2 방향에 대해 수직인, 물품.
153. 제150항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제1 방향이, 상기 제2 방향에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가지고, 상기 제2 서브 편향된 제1 방향이 상기 제2 방향에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 갖는, 물품.
154. 제153항에 있어서, 상기 제1 방향과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_A의 크기가 상기 제1 방향과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.
155. 제150항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제1 가변 깊이 구역들 및 상기 제2 서브세트의 제2 가변 깊이 구역들이 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
156. 제150항에 있어서, 상기 가변 깊이 구역들의 세트가, 제3 서브 편향된 제1 방향으로 정렬된 제3 그루브 기저부를 갖는 제3 가변 깊이 구역들의 제3 서브세트를 추가로 포함하고, 상기 제3 서브 편향된 제1 방향이 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 둘 다에 대해 비평행한, 물품.
157. 제156항에 있어서,
     상기 제1 서브 편향된 제1 방향이 상기 제2 방향에 대해 반시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_A를 가지고,
     상기 제2 서브 편향된 제1 방향이 상기 제2 방향에 대해 시계 방향으로 회전된 비수직 편향각 χ_B를 가지고,
     상기 제3 서브 편향된 제1 방향이 상기 제2 방향에 대해 수직 비-편향각(perpendicular non-skewed angle) χ_C를 갖는, 물품.
158. 제157항에 있어서, 상기 제1 방향과 상기 제1 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_A의 크기가 상기 제1 방향과 상기 제2 서브 편향된 제1 방향 사이의 편향각 ψ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.
159. 제157항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제1 가변 깊이 구역들, 상기 제2 서브세트의 제2 가변 깊이 구역들 및 상기 제3 서브세트의 제3 가변 깊이 구역들이 반복 패턴으로 배열되는, 물품.
160. 제148항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 상기 적어도 일부가 최대 2°의 편향각 τ만큼 상기 제2 방향에 대해 비평행한, 물품.
161. 제148항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 상기 제2 세트가 2개 이상의 서브세트를 포함하고, 상기 제2 그루브들의 제1 서브세트는 제1 서브 편향된 제2 방향으로 정렬되고, 상기 제2 그루브들의 제2 서브세트는 제2 서브 편향된 제2 방향으로 정렬되고, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향이 상기 제2 서브 편향된 제2 방향에 대해 비평행한, 물품.
162. 제161항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향이 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 상기 제2 방향에 대해 비평행한, 물품.
163. 제162항에 있어서, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향이 상기 제2 방향에 대해 평행한, 물품.
164. 제161항에 있어서, 상기 제1 서브 편향된 제2 방향의 정렬이, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고, 상기 제2 서브 편향된 제2 방향의 정렬이, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전되는, 물품.
165. 제164항에 있어서, 상기 편향각 τ_A의 크기가 상기 편향각 τ_B의 크기와 거의 동일한, 물품.
166. 제164항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들이 교호 패턴으로 배열되는, 물품.
167. 제161항에 있어서, 상기 제2 그루브들의 세트가 제3 서브 편향된 제2 방향으로 정렬된 제2 그루브들의 제3 서브세트를 추가로 포함하고, 상기 제3 서브 편향된 제2 방향이 상기 제1 서브 편향된 제2 방향 및 상기 제2 서브 편향된 제2 방향 둘 다에 대해 비평행한, 물품.
168. 제167항에 있어서,
     상기 제1 서브 편향된 제2 방향의 정렬이, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향각 τ_A만큼 시계 방향으로 회전되고;
     상기 제2 서브 편향된 제2 방향의 정렬이, 상기 제2 방향에 대한 평행 정렬로부터 최대 2°의 편향 회전 각 τ_B만큼 반시계 방향으로 회전되고;
     상기 제3 서브 편향된 제2 방향이 상기 제2 방향에 대해 실질적으로 평행한, 물품.
169. 제168항에 있어서, 상기 편향 회전 각 τ_A의 크기가 상기 편향각 τ_B 크기와 동일한, 물품.
170. 제168항에 있어서, 상기 제1 서브세트의 제2 그루브들, 상기 제2 서브세트의 제2 그루브들 및 상기 제3 서브세트의 제2 그루브들이 반복 패턴으로 배열되는, 물품.
171. 제148항에 있어서, 상기 기재가 모놀리식 블록 기재인, 물품.
172. 제148항에 있어서, 상기 물품이, 상기 물품의 복제 물품 복사물을 만들기 위한 마스터 몰드로서 구성되는, 물품.
173. 제148항에 있어서, 상기 기재가 중합체 필름 기재인, 물품.
174. 제148항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사 시트인, 물품.
175. 반전된 마이크로프리즘들을 포함하는 반전된 그루브 패턴을 갖는 표면을 갖는 기재를 포함하는 물품으로서,
     상기 반전된 그루브 패턴은 마스터 몰드 물품의 그루브 패턴의 거울상이고, 상기 마스터 몰드 물품은 마스터 몰드 기재 표면을 가지고, 상기 마스터 몰드 기재 표면은 상기 표면 위에 마이크로프리즘들을 포함하는 그루브 패턴을 가지며,
     상기 그루브 패턴은 제2 그루브들의 제2 세트와 교차하는 제1 그루브들의 제1 세트를 포함하고,
     상기 제1 그루브들은 상기 그루브 패턴을 가로지르는 동일한 제1 방향을 따라 서로 평행하고, 각각의 상기 제1 그루브들은 복수의 반복 가변 깊이 구역들을 포함하고, 각각의 상기 가변 깊이 구역들은
     제1 최대 깊이 Z_D2를 갖는 하강 섹션,
     제2 최대 깊이 Z_R2를 갖는 상승 섹션 및
     상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이에 위치하는 전이 섹션을 포함하고; 상기 제2 그루브들은 상기 표면을 가로지르는 동일한 제2 방향을 따라 서로 평행하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 대해 실질적으로 수직인, 물품.
176. 제175항에 있어서, 상기 반전된 마이크로프리즘들이 반전된 감소된 비활성 영역 마이크로프리즘들인, 물품.
177. 제175항에 있어서, 상기 반전된 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들이, 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열된 상기 마스터 몰드 물품의 마이크로프리즘들의 인접한 쌍들의 거울상에 대응하는 반전된 마이크로프리즘들의 대칭적으로 대향하는 매칭된 쌍들로서 배열되는, 물품.
178. 제175항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴이, 상기 전이 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하고, 상기 반전된 전이 섹션이, 상기 마스터 몰드 물품의 그루브 패턴의 상기 하강 섹션과 상기 상승 섹션 사이의 연속 표면 전이의 거울상에 대응하는 반전된 연속 표면 전이를 포함하는, 물품.
179. 제175항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴이, 상기 전이 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 전이 섹션을 포함하고, 상기 반전된 전이 섹션이, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 제1 그루브의 그루브 기저부 표면을 따라 위치하는 곡면의 거울상에 대응하는 반전된 곡면을 포함하는, 물품.
180. 제179항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 50마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
181. 제179항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 25마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
182. 제179항에 있어서, 상기 반전된 곡면이 약 1 내지 약 10마이크론의 범위의 반경 r을 갖는, 물품.
183. 제175항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴이, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 하강 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 5 내지 약 50°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.
184. 제175항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴이, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 하강 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 5.26 내지 약 35.25°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.
185. 제175항에 있어서, 상기 반전된 그루브 패턴이, 상기 마스터 몰드 물품의 상기 하강 섹션의 거울상에 대응하는 반전된 하강 섹션을 포함하고, 상기 반전된 하강 섹션이 약 18.26 내지 약 32.26°의 범위의 하강각 α' 값을 갖는, 물품.
186. 제175항에 있어서, 상기 기재의 표면이 정반사 표면을 포함하는, 물품.
187. 제186항에 있어서, 상기 정반사 표면이 금속 물질로 이루어지는, 물품.
188. 제187항에 있어서, 상기 금속 물질이 니켈, 코발트, 알루미늄, 은, 금, 구리, 황동, 청동 및 이들의 합금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 물품.
189. 제175항에 있어서, 상기 물품이 재귀반사체(retroreflector)로서 구성되는, 물품.
190. 제175항에 있어서, 상기 기재가 중합체 물질인, 물품.
191. 제175항에 있어서, 상기 기재가 금속 물질인, 물품.

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