KR20230055894A - 금속 부재를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20230055894A
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박정기
박진우
백승창
이윤희
최정우
조성호
황한규
최종철
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삼성전자주식회사
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Abstract

일 실시 예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member), 상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 도전성 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질(insulator)로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질과 전기적으로 연결될 수 있다.
이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

금속 부재를 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING METAL MEMBER}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 금속 부재를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
스마트폰과 같은 전자 장치는 전자 장치의 외관을 형성하는 하우징을 포함할 수 있다. 전자 장치의 하우징에는 주로 금속이나 플라스틱 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 하우징의 일부는 전자 장치의 외관을 보호하기 위하여 금속 부재로 형성될 수 있으며, 하우징의 다른 일부는 무게 감소 및 제조의 용이성을 위하여 플라스틱 소재로 형성될 수 있다.
또한, 전자 장치의 하우징은 금속 소재를 포함함으로써 고급스러운 외관을 구현할 수 있으며, 플라스틱 소재를 포함함으로써 금속 소재 부분의 일부를 전자 장치의 안테나로서 이용할 수 있다.
일반적으로 전자 장치는 일반적인 금속 소재에 비해 티타늄(Titanium) 또는 스테인레스(SUS, Steel Use Stainless)와 같은 비중이 높은 금속 소재의 외장 하우징을 포함할 수 있다. 다만, 상기 비중이 높은 금속 소재를 사용하는 경우, 동일 체적 당 원소재의 사용량이 증가하고 전자 장치를 생산하는 비용이 증가할 수 있다.
또한, 티타늄 또는 스테인레스와 같은 금속 소재는 다른 금속 소재에 비해 비중이 높아 전자 장치의 무게의 증가시킬 수 있으며, 가공이 어려워 하우징을 제작함에 있어 시간 및 비용이 증가할 수 있다.
또한, 전자 장치는 비중이 높은 금속(예: 티타늄 또는 스테인레스)과 비중이 낮은 금속(예: 마그네슘 또는 알루미늄)을 이종 접합된 하우징을 포함할 수 있다. 다만, 이종 접합된 하우징은 금속 소재 간의 녹는점 차이로 인하여 용접과 같은 방법에 의해 접합이 어려울 수 있으며, 다이캐스팅 공법을 이용하여 하우징을 제작 시 열팽창계수 차이로 인하여 접합면이 벌어지거나 휠 수 있다.
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 경량화 된 전자 장치를 제공하고, 전자 장치를 생산함에 있어 비용 및 시간이 감소한 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질(conductive material)로 형성되는 외측 부재(outer member), 상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 도전성 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질(insulator)로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 티타늄(titanium)으로 형성되는 외측 부재(outer member), 마그네슘(magnesium) 및/또는 알루미늄(aluminum)으로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 마그네슘 및/또는 상기 알루미늄과 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 일부는 상기 외측 부재와 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 중간 부재의 다른 일부는 상기 내측 부재와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member), 상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 일부와 전기적으로 연결되고, 상기 중간 부재와 상기 내측 부재의 일부는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성될 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치가 경량화 될 수 있다.
또한 다양한 실시 예에 따르면, 금속 하우징을 포함하는 전자 장치를 생산함에 있어서 제조 비용 및 제조 시간이 감소할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 도시한 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 후면을 도시한 사시도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부를 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 도 4의 전자 장치의 A-A'단면을 도시한 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내측 부재와 중간 부재의 결합 구조를 도시한 사시도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부를 도시한 단면도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 B-B'단면을 도시한 사시도 및 단면도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 생산하는 공정과정을 도시한 흐름도다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치를 생산하는 공정과정을 도시한다.
도 11은 일 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치를 도시한 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)(예: 도 1의 전자 장치(100))의 전면을 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 전자 장치(100)의 후면을 나타내는 사시도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 바(bar) 타입의 전자 장치를 예로 들어 설명하나, 후술하는 실시 예는 슬라이더블(slidable), 롤러블(rollable), 및 폴더블(foldable) 타입과 같은 전자 장치에도 적용할 수 있고, 이에 한정하지 않는다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는, 제1 면(또는 “전면”)(110A), 제2 면(또는 “후면”)(110B), 및 제1 면(110A)과 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(또는 “측벽”)(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 하우징(110)은 도 1 및 도 2의 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전면 플레이트(102)의 적어도 일측 단부(side edge portion)는 제1 면(110A)으로부터 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 후면 플레이트(111)의 적어도 일측 단부는 제2 면(110B)으로부터 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 부재(108)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 부재(108)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(115, 112, 113, 106), 키 입력 장치(117) 및 커넥터 홀(109) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(100)는 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
일 예시에서, 전자 장치(100)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 센서 모듈은 전면 플레이트(102)를 통해 전자 장치(100)의 외부에 보여지는 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에 배치될 수 있다.
예를 들어, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에는 광학 센서, 초음파 센서 또는 정전 용량형 센서(capacitive sensor) 중 적어도 하나가 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
어떤 실시 예에서, 전자 장치(100)는 발광 소자를 더 포함할 수 있으며, 발광 소자는 전면 플레이트(102)가 제공하는 영역 내에서 디스플레이(101)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 발광 소자는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 디스플레이(101)는 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 전자 장치(100)의 외부로 보일 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 디스플레이(101)의 가장자리는 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상(예: 곡면)과 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에 따르면, 전자 장치(100)는 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스(recess), 노치(notch), 또는 개구부(opening)를 형성할 수 있고, 상기 리세스, 노치 또는 개구부에는 다양한 전자 부품, 예를 들어, 카메라 모듈(105) 또는 도시되지 않은 센서 모듈이 배치될 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에 따르면, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에는 카메라 모듈(예: 112, 113, 114, 115), 지문 센서, 및 플래시(예: 106) 중 적어도 하나가 배치될 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에 따르면, 디스플레이(101)는 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(103)은 마이크 홀 및 스피커 홀을 포함할 수 있다. 마이크 홀은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 스피커 홀과 마이크 홀이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀 없이 스피커가 포함될 수도 있다(예: 피에조 스피커). 스피커 홀은, 예를 들면, 외부 스피커 홀 및 통화용 리시버 홀을 포함할 수 있다.
전자 장치(100)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함함으로써, 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈은, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치된 근접 센서, 디스플레이(101)의 배면에 배치되는 지문 센서, 및/또는 상기 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 생체 센서(예: HRM 센서)를 포함할 수 있다.
센서 모듈은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 및 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(105, 112, 113, 114, 115, 106)은, 전자 장치(100)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 카메라 모듈(105), 및 제2 면(110B)에 배치된 제2 카메라 모듈(112, 113, 114, 115), 및/또는 플래시(106)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상술한 카메라 모듈들(105, 112, 113, 114, 115)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(106)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 지문 센서의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 커넥터 홀(109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터, 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(109)은 USB 커넥터 또는 이어폰 잭을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서는, USB 커넥터와 이어폰 잭은 하나의 홀(예: 도 1, 도 2의 108)로 구현될 수도 있으며, 다른 실시 예(미도시)에 따르면, 전자 장치(100)는 별도의 커넥터 홀 없이 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하거나, 오디오 신호를 송수신할 수도 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 하우징(110), 적어도 하나의 인쇄 회로 기판(330, 이하 “PCB(printed circuit board)”), 배터리(360), 및/또는 후면 커버(380)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 디스플레이(101)는 전자 장치(100)의 전면(도 1의 110A)에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이(101)의 일면(예: 도 3의 +z 방향의 일면)은 전자 장치(100)의 전면에 배치되어 외부로 노출되고 디스플레이(101)의 다른 일면(예: 도 3의 -z 방향의 일면)은 전자 장치(100)의 내부로 향하며 적어도 하나의 PCB(330) 및/또는 배터리(360)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 PCB(330)에는 복수의 전자 부품들이 배치될 수 있다. 일 예시에서, 적어도 하나의 PCB(330)에는 프로세서(예: 도 11의 프로세서(1120)), 메모리(예: 도 11의 메모리(1130)), 및/또는 인터페이스(예: 도 11의 인터페이스(1177))가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 및 커뮤니케이션 프로세서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 메모리는 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 인터페이스는 HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(100)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 배터리(360)는 하우징(110)과 후면 커버(380) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(360)는 PCB(330) 상에 배치될 수 있으며, 배터리(360)는 PCB(330)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 배터리(360)는 전자 장치(100)에 배치된 적어도 하나의 전자 부품(예: 제1 안테나 모듈, 제2 안테나 모듈, 프로세서 등)들이 구동하기 위해 필요한 전력을 제공할 수 있다. 예를 들면, 배터리(360)는 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(360)의 적어도 일부는, 예를 들어, PCB(330)와 실질적으로 동일 평면에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 배터리(360)는 전자 장치(100) 내부에 일체로 배치될 수 있고 전자 장치(100)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징(110)은 전자 장치(100) 내 배치된 적어도 하나의 PCB(330) 및/또는 적어도 하나의 PCB(330)에 배치된 복수의 전자 부품들이 외부 충격에 의해 손상되는 것을 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징(110)은 메탈 프레임 구조(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예시에서, 메탈 프레임 구조의 일부는 도전성 재질(예: 금속)로 형성되어, 전자 장치(100)의 측면(예: 도 1의 측면(110C))을 형성할 수 있다. 예를 들어, 메탈 프레임 구조는 적어도 하나의 도전성 부분 및/또는 적어도 하나의 도전성 부분을 절연시키는 적어도 하나의 비도전성 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상술한 메탈 프레임 구조의 적어도 하나의 도전성 부분은 지정된 주파수 대역의 RF 신호를 송신 및/또는 수신하는 안테나 방사체로 동작할 수 있다. 다른 예시에서, 하우징(110)의 적어도 일 영역에는 적어도 하나의 도전성 패턴(conductive pattern)이 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 도전성 패턴은 제1 안테나 모듈(미도시)과 함께 초광대역(UWB: ultra-wide band)의 RF 신호를 송신 및/또는 수신하는 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 후면 커버(380)는 전자 장치(100)의 후면(예: 도 2의 제2 면(110B))을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 하우징(110)은 전자 장치(100)의 내부 구성 요소들을 외부의 충격 또는 이물질의 유입으로부터 보호할 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부를 도시한 도면이다.
일 실시 예에 따르면, 도 4는 도 3의 전자 장치(100)의 하우징(110)을 도시한 도면이다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 하우징(110)은 전자 장치(100)의 외관을 구성하는 외측 부재(410, outer member), 전자 장치(100)의 내부를 구성하는 내측 부재(430, inner member), 및 외측 부재(410)와 내측 부재(430)사이에 배치되는 중간 부재(420, middle member)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)는 전자 장치(100)의 외관의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 일부는 전자 장치(100)의 하우징(110)의 측면 부재(108)에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)의 일부는 전자 장치(100)의 외부로 노출되어 사용자에게 시각적으로 인식될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)는 적어도 일부는 전자 장치(100)의 디스플레이(101) 및/또는 프론트 케이스(도 3의 320)와 후면 커버(380)를 둘러싸며 형성될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 일부는 전자 장치(100)의 디스플레이(101) 또는 프론트 케이스(320)의 가장자리를 둘러싸며 형성될 수 있으며, 다른 일부는 후면 커버(380)의 가장자리를 둘러싸며 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)는 제1 물질(material)로 형성될 수 있다. 일 예에서, 외측 부재(410)는 제1 도전성 물질 (conductive material)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 금속 물질로 형성될 수 있다. 일 예에서, 외측 부재(410)는 티타늄 및/또는 SUS로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 외측 부재(410)는 알루미늄(aluminum), 및 마그네슘(magnesium) 중 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 전자 장치(100)의 내부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)는 전자 장치(100)의 내부 공간을 형성하는 부재에 해당될 수 있다. 일 실시 예에서, 내측 부재(430)가 형성하는 상기 공간에는 복수의 전자 부품(예: 배터리(360))이 수용될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)가 형성하는 공간에는 PCB(330)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 복수의 전자 부품을 지지할 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)의 일부는 디스플레이(101)의 배면에 배치되어 디스플레이(101)를 지지할 수 있다. 또한 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 일부는 배터리(360), 및/또는 스피커(미도시)를 지지할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 외측 부재(410)와 구별되는 제2 물질로 형성될 수 있다. 일 예에서, 내측 부재(430)의 상기 제2 물질은 도전성 물질 및/또는 비도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 내측 부재(430)의 상기 제2 물질의 제2 도전성 물질은 금속 물질(예: 티타늄, SUS, 알루미늄, 또는 마그네슘)에 해당될 수 있다. 또한 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 물질의 일부는 비도전성 물질(예: 플라스틱 소재)을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 상기 제2 물질은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 구별되는 제2 도전성 물질에 해당될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 티타늄 및/또는 SUS로 형성된 경우, 내측 부재(430)의 제2 물질의 제2 도전성 물질은 마그네슘 및/또는 알루미늄으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 구별되는 물질에 해당될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전성 물질은 상기 제1 도전성 물질과 물성치(material property)가 다를 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)와 외측 부재(410)는 다른 비중(specific gravity) 또는 밀도(density)를 가질 수 있다. 본 문서에서 비중으로 설명되는 부분은 밀도로 대체될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 상기 제2 도전성 물질은 외측 부재(410)의 상기 제1 도전성 물질과 다른 비중(specific gravity)을 가질 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 상기 제1 도전성 물질은 제1 비중을 가질 수 있으며, 내측 부재(430)의 상기 제2 도전성 물질은 제2 비중을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 비중은 상기 제2 비중보다 큰 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 상기 제1 도전성 물질은 제1 비중을 가지는 티타늄 또는 스테인레스(SUS)에 해당될 수 있으며, 내측 부재(430)의 상기 제2 도전성 물질은 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가지는 마그네슘 또는 알루미늄에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질이 전자 장치(100)의 외관을 구성하는 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질보다 낮은 비중을 가지는 물질로 형성됨으로써, 전자 장치(100)의 무게는 하나의 금속 소재로 형성되는 전자 장치(100)의 무게에 비해 가벼울 수 있다.
또한, 알루미늄 및/또는 마그네슘과 같은 비중이 낮은 금속을 포함함으로써 제조 난이도가 낮아지고 제조 비용이 감소할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 제작될 수 있다. 다만, 내측 부재(430)가 제작되는 공법은 다이캐스팅 공법에 제한되지 않는다. 일 예에서, 내측 부재(430)의 일부는 프레스(press) 공법으로 제작될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)의 적어도 일부는 프레스 공법에 의해 형성되는 시트(sheet)로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)가 프레스 공법으로 제작됨에 따라 내측 부재는 비중이 높은 금속(예: 티타늄 또는 SUS)을 일부 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는 외측 부재(410)와 내측 부재(430) 사이에 배치되는 중간 부재(420)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 일부는 전자 장치(100)의 내부를 구성하고, 중간 부재(420)의 다른 일부는 전자 장치(100)의 외관을 구성할 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)의 절연 물질은 전자 장치(100)의 외부에 노출되어 외측 부재(410)와 함께 전자 장치(100)의 외관을 구성할 수 있다. 또한 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 도전성 물질은 전자 장치(100)의 내부에서 내측 부재(430)와 외측 부재(410)를 이어주는 매개체로 구성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)는 제3 도전성 물질(421) 및 절연 물질(422)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)는 금속 부재 및 플라스틱 소재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 내측 부재(430)의 제2 물질의 제2 도전성 물질과 실질적으로 동일한 물성치를 가질 수 있다.
일 실시 에에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 제1 녹는점을 가지며, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 제2 녹는점을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 물질의 상기 제1 녹는점과 제3 도전성 물질(421)의 제2 녹는점은 제1 범위 내의 차이를 갖는 녹는점일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 범위 내의 녹는점은 제2 도전성 물질과 제3 도전성 물질(421)이 용접되어 연결되기 위해 필요한 온도의 범위를 의미할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 범위 내의 차이는 11℃이내의 값을 가질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제2 도전성 물질의 상기 제1 녹는점과 제3 도전성 물질(421)의 제2 녹는점은 제1 범위 내의 차이는 11℃를 초과하는 차이를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 녹는점과 제2 녹는점은 실질적으로 동일한 온도를 가질 수 있다. 다시 말해서, 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 제1 범위 내의 차이는 0℃에 해당할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 물질과 제3 도전성 물질(421)은 실질적으로 동일한 녹는점을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 일 예에서, 제2 도전성 물질은 제1 녹는점을 가지는 마그네슘(예: 녹는점 650℃)으로 형성될 수 있으며, 제3 도전성 물질(421)도 제1 녹는점과 실질적으로 동일한 제2 녹는점을 가지는 마그네슘(예: 녹는점 650℃)으로 형성될 수 있다.
다른 일 실시 예에 따르면, 제1 녹는점과 제2 녹는점은 2℃의 차이를 가질 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제1 녹는점과 제2 녹는점은 10℃의 차이를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 도전성 물질(421)은 제2 도전성 물질의 제1 녹는점과 제1 범위 내에서 온도 차이가 있는 제2 녹는점을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 일 예에서, 제2 도전성 물질은 제1 녹는점을 가지는 마그네슘(예: 녹는점 650℃)으로 형성될 수 있으며, 제3 도전성 물질(421)은 제1 녹는점과 약 10℃의 차이를 가지는 제2 녹는점을 가지는 알루미늄(예: 녹는점 660.32℃)으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)와 내측 부재(430)가 제1 범위 내의 녹는점을 가짐으로써, 중간 부재(420)와 내측 부재(430)는 후술하는 연결 관계에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
중간 부재(420)와 내측 부재(430)의 연결 관계와 관련된 구체적인 실시예는 도 6에서 후술하기로 한다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 절연 물질(422)은 플라스틱 소재에 해당될 수 있다. 예를 들어, 절연 물질(422)은 열가소성 수지(thermoplastic resin)와 무기물(inorganic compounds)을 혼합하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 열가소성 수지는 PC(polycarbonate), PPA(polyphthalamide)에 해당될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 상기 열가소성 수지는 PET(polyethylene terephthalate)에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 절연 물질(422)의 외면에는 유기물 본딩막(organic bonding film)으로 구성된 접합층이 도포될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 절연 물질(422)의 외면에는 유기물 본딩막(organic bonding film)으로 구성된 접합층이 도포됨으로써, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질, 및/또는 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 절연 물질(422)간의 밀착력이 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 다이캐스팅 공법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)이 형성되는 다이캐스팅 공법은 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질이 형성되는 다이캐스팅 공법과 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)이 형성되는 다이캐스팅 공법은 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질이 형성되는 다이캐스팅 공법과 일부 공정과정에서 차이가 발생할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 절연 물질(422)은 사출 성형으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410), 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421), 및 내측 부재(430)가 형성된 후 전자 장치(100)의 공간의 일부에는 사출 성형된 중간 부재(420)의 절연 물질(422)이 형성될 수 있다.
외측 부재(410), 중간 부재(420), 및 내측 부재(430)가 형성되는 공법과 관련된 구체적인 실시 예는 도 9 내지 도 10에서 후술하기로 한다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410), 중간 부재(420), 및 내측 부재(430)가 서로 다른 부재로 형성됨으로써 전자 장치(100)는 경량화 될 수 있으며 전자 장치(100)의 제조 난이도 및 비용이 감소할 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 도 4의 전자 장치의 A-A'단면을 도시한 도면이다.
도 5의 A-A'단면을 참고하면, 외측 부재(410)는 전자 장치(100)의 외형을 구성하며, 내측 부재(430)는 전자 장치(100)의 내부를 구성하고, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 외측 부재(410)와 내측 부재(430) 사이에 배치될 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 일부는 절연 물질(422)은 외측 부재(410)와 함께 전자 장치(100)의 외형을 구성할 수 있으며, 다른 일부는 내측 부재(430)와 함께 전자 장치(100)의 내부를 구성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)는 전자 장치(100)의 가장자리에 배치될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)는 전자 장치(100)의 가장자리에 배치되어 전자 장치(100)의 외부로 노출될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)가 전자 장치(100)의 외형을 구성함으로써 외측 부재(410)는 외부의 충격으로부터 전자 장치(100)의 내부를 보호할 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질보다 비중이 높은 금속 부재로 형성됨으로써 외측 부재(410)는 외부의 충격에 의해 전자 장치(100)가 파손되는 것을 감소시킬 수 있다. 다시 말해서, 전자 장치(100)의 외부는 전자 장치(100)의 다른 구성에 비해 비중이 높은 부재로 형성됨으로써 전자 장치(100)는 내구성을 확보할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)는 중간 부재(420)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 중간 부재(420)의 적어도 일부와 제1 결합 구조(510)를 형성하며 연결될 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 대면하면서 제1 결합 구조(510)를 형성하여 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 결합 구조(510)는 요철 구조(concave-convex structure)에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질의 일부에는 리세스가 형성될 수 있으며, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)의 일부에는 외측 부재(410)의 상기 리세스에 수용될 수 있는 돌출부가 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제3 도전성 물질(421)의 돌출부가 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질의 리세스에 수용됨으로써, 외측 부재(410)와 중간 부재(420)는 결합할 수 있다. 다시 말해서 일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)와 중간 부재(420)의 제1 결합 구조(510)가 요철 구조로 형성됨으로써 외측 부재(410)와 중간 부재(420)가 결합할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 도전성 물질(421)과 제1 도전성 물질이 요철 구조를 형성한 상태에서 절연 물질(422)은 제3 도전성 물질(421)과 제1 도전성 물질의 주변을 둘러싸여 사출 성형될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 절연 물질(422)이 주변을 둘러싸여 사출 성형됨으로써 제3 도전성 물질(421)과 제1 도전성 물질은 결합된 상태에서 고정될 수 있다. 다시 말해서 일 실시 예에 따르면, 사출 성형된 절연 물질(422)에 의해, 제1 도전성 물질과 제3 도전성 물질(421)은 결합된 상태에서 고정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 결합 구조(510)가 요철 구조로 형성됨으로써 중간 부재(420)는 외측 부재(410)와 추가적인 연결 부재 없이도 연결될 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)와 외측 부재(410)는 용접 부재 없이도 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 도전성 물질과 제3 도전성 물질(421)의 제1 결합 구조(510)는 요철 구조를 예시로 들어 설명하였으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제1 도전성 물질과 제3 도전성 물질(421)의 제1 결합 구조(510)는 접착 부재(예: 본드)가 더 도포되어 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 중간 부재(420)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)의 제2 물질(예: 제2 도전성 물질)은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 중간 부재(420)의 적어도 일부와 제2 결합 구조(520)를 형성하며 연결될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 대면하면서 제2 결합 구조(520)를 형성하여 연결될 수 있다. 예컨대, 제2 결합 구조(520)는 추가적인 연결 부재(예: 접착제 또는 용접)를 포함하는 구조에 해당될 수 있다.
제2 결합 구조(520)와 관련된 구체적인 실시예는 도 6에서 후술하기로 한다.
도 5을 참고하면, 전자 장치(100)의 일부는 중간 부재(420)의 절연 물질(422)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)의 내부 공간의 일부에는 절연 물질(422)이 내측 부재(430)와 함께 형성될 수 있으며, 전자 장치(100)의 외형의 일부에는 외측 부재(410)와 함께 절연 물질(422)이 형성될 수 있다.
또한 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 절연 물질(422)은 외측 부재(410)와 중간 부재(420) 및/또는 내측 부재(430)와 중간 부재(420)를 접합하는 물질에 해당할 수 있다.
예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421) 사이에 형성된 제1 결합 구조(510)는 절연 물질(422)에 둘러싸여 접합될 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421) 사이에 형성된 제2 결합 구조(520)는 절연 물질(422)에 둘러싸여 접합될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 내부에 절연 물질(422)이 포함됨으로써, 전자 장치(100)가 경량화 될 수 있으며 전자 장치(100)의 제조 난이도 및 비용이 절감될 수 있다.
또한 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)에 포함된 무선 통신 회로는 전자 장치(100)의 금속 부재로 된 하우징(110)(예: 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질)의 적어도 일부에 급전함으로써 다양한 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)와 중간 부재(420)는 제1 결합 구조(510)에 의해 전기적으로 연결될 수 있으며, 전자 장치(100)는 제1 결합 구조(510)를 이용하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 외측 부재(410)와 중간 부재(420)를 전기적으로 연결하는 제1 결합 구조(510)를 포함하는 전기적 경로에 기반하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내측 부재와 중간 부재의 결합 구조를 도시한 사시도이다.
도 6을 참고하면, 외측 부재(410)는 중간 부재(420)와 제1 결합 구조(510)를 가지며 연결될 수 있으며, 내측 부재(430)는 중간 부재(420)와 제2 결합 구조(520)를 가지며 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)는 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 결합될 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)는 돌출부(601)를 형성하고 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 홀(hall)(602)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 돌출부(601)가 제3 도전성 물질(421)의 홀(602)에 인입됨으로써 내측 부재(430)와 중간 부재(420)는 결합할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)와 중간 부재(420)가 결합된 상태에서 전자 장치(100)는 추가적인 연결 부재를 포함함으로써 제2 결합 구조(520)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 추가적인 연결 부재는 용접 물질(welding material)에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 제1 온도의 녹는점을 가질 수 있으며, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 제2 온도의 녹는점을 가질 수 있다. 또한 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 제3 온도의 녹는점을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질과 실질적으로 다른 녹는점을 가지는 물질에 해당될 수 있다. 또한 일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 제1 범위 내에서 차이가 있는 녹는점을 가지는 도전성 물질에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 물질의 제1 온도의 녹는점은 제2 도전성 물질의 제2 온도의 녹는점보다 높은 온도를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 도전성 물질(421)의 제3 온도의 녹는점은 제2 도전성 물질의 제2 온도의 녹는점과 제1 범위 내에서 차이를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 온도의 녹는점과 제2 온도의 녹는점이 다른 온도를 가짐에 따라, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질이 용접에 의해 전기적으로 연결되는 것이 실질적으로 어려울 수 있다. 예를 들어, 제1 온도의 녹는점과 제2 온도의 녹는점 차이가 있는 경우, 녹는점이 더 낮은 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질의 용접 영역에서 기포가 발생하여 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질의 접합 불량이 발생할 수 있다.
다만 일 실시 예에 따르면, 제2 온도의 녹는점과 제3 온도의 녹는점이 제1 범위 내에서 차이를 가짐에 따라, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 용접에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
다만, 내측 부재(430)와 중간 부재(420) 사이에 형성되는 제2 결합 구조(520)는 용접되는 것에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제2 결합 구조(520)는 도전성 접착 물질이 더 도포됨으로써 형성될 수 있다. 또 다른 일 실시 예에 따르면 제2 결합 구조(520)는 중간 부재(420)와 내측 부재(430)가 조립되어 결합되는 구조로 형성될 수 있다. 또 다른 예를 들어, 내측 부재(430)와 중간 부재(420) 사이에 형성되는 제2 결합 구조(520)는 솔더링(soldering)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 내측 부재(430)와 중간 부재(420)는 솔더링(soldering)으로 결합될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)와 중간 부재(420)는 용접 물질 또는 도전성 접착 물질을 포함하는 제2 결합 구조(520)에 의해 전기적으로 연결될 수 있으며, 전자 장치(100)는 제2 결합 구조(520)를 이용하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 내측 부재(430)와 중간 부재(420)를 전기적으로 연결하는 제2 결합 구조(520)를 포함하는 전기적 경로에 기반하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
제2 결합 구조(520)를 이용한 전기적 경로와 관련된 구체적인 실시예는 도 7에서 상세히 후술하기로 한다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부를 도시한 단면도이다.
도 7를 참고하면, 내측 부재(430)와 중간 부재(420)는 복수의 영역에서 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 제1 지점(710)에서 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대 제1 지점(710)은 도 6의 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)이 연결되는 제2 결합 구조(520)가 형성되는 지점 해당할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 지점(710)은 전자 장치(100)의 내부에서 10개 내지 20개 이내의 지점으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제1 지점(710)은 20개의 지점을 초과하여 형성될 수 있다. 또는 제1 지점(710)은 10개의 지점 미만으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는 내측 부재(430)가 형성한 공간에 배치되는 PCB(도 3의 330)를 포함할 수 있으며, PCB(330)에는 그라운드(미도시)와 무선 통신 회로(미도시)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)내의 복수의 도전성 물질(예: 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421))은 PCB(330) 내의 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 제1 지점(710)을 통하여 내측 부재(430)에 배치된 PCB(330)의 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100) 내의 복수의 도전성 물질은 PCB(330) 내의 무선 통신 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 제2 지점(720)을 통하여 PCB(330)의 무선 통신 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제2 지점(720)은 PCB(330)가 내측 부재(430) 또는 외측 부재(410)와 연결되지 않으면서 중간 부재(420)와만 직접적으로 연결되는 일 지점에 해당할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 외측 부재(410)와 전기적으로 연결된 제3 도전성 물질(421)이 PCB(330)와 전기적으로 연결된 것을 이용하여, 전자 장치(100)는 외측 부재(410) 및 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)을 안테나로서 이용할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는 중간 부재(420)와 내측 부재(430)가 연결되는 제1 지점(710) 및 중간 부재(420)와 PCB(330)가 연결되는 제2 지점(720)을 이용하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 무선 통신 회로는 PCB(330)와 제3 도전성 물질이 전기적으로 연결되는 제2 지점(720)에 직접 급전함으로써, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421), 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질 및 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질을 포함하는 전기적 경로에 기반하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421), 및/또는 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질을 전기적 경로로 이용함으로써, 전자 장치(100)는 경량화되고 안테나로 이용가능한 하우징(110)을 포함할 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 내부를 도시한 사시도이다.
도 8의 B-B'단면을 참고하면, 내측 부재(430) 및/또는 중간 부재(420)의 구성은 대면하며 전자 장치(100)의 내부에 형성될 수 있다.
예를 들어, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질은 중간 부재(420)의 절연 물질(422)과 직접적으로 대면하며 전자 장치(100)의 내부에 형성될 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 절연 물질(422)과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)은 직접적으로 대면하며 전자 장치(100)의 내부에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 내측 부재(430)와 중간 부재(420)가 접하는 면 또는 중간 부재(420)의 각 구성이 접하는 면은 일정한 기울기를 가지고 형성될 수 있다.
예를 들어, 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질과 중간 부재(420)의 절연 물질(422)이 접하는 제1 경계면(801)은 제1 축(예: z축)을 기준으로 제1 각도(θ1)를 가지고 기울어져 형성될 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면, 중간 부재(420)의 절연 물질(422)과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질이 접하는 제2 경계면(802)은 상기 제1 축(예: z축)을 기준으로 제2 각도(θ2)를 가지고 기울어져 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 경계면(801)이 형성하는 제1 각도(θ1) 및/또는 제2 경계면(802)이 형성하는 제2 각도(θ2)는 - 10도 내지 +10도 이내의 범위에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 경계면(801)이 형성하는 제1 각도(θ1) 및/또는 제2 경계면(802)이 형성하는 제2 각도(θ2)는 +2도 일 수 있다. 또 다른 예를 들어 제1 경계면(801)이 형성하는 제1 각도(θ1) 및/또는 제2 경계면(802)이 형성하는 제2 각도(θ2)는 -3도 일 수 있다.
다만, 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)는 -10 도 내지 +10도로 설명하였으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제1 각도(θ1)는 약 2도 이내로 형성될 수 있으며, 제2 각도(θ2)는 10도 이상으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 경계면(801)이 제1 각도(θ1) 및/또는 제2 경계면(802)이 제2 각도(θ2)로 기울어져 형성됨에 따라, 전자 장치(100)의 제조 난이도는 제1 경계면(801) 및/또는 제2 경계면(802)이 기울어져 형성되지 않은 경우 보다 낮아질 수 있다. 예를 들어, 제1 경계면(801)이 제1 각도(θ1) 및/또는 제2 경계면(802)이 제2 각도(θ2)로 기울어져 형성되는 경우, 내측 부재(430) 및 중간 부재(420)는 다이캐스팅 공법으로 제조되는 과정에서 제1 경계면(801) 및/또는 제2 경계면(802)이 기울어져 형성되지 않은 경우 보다 쉽게 추출(taken out)될 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 생산하는 공정을 도시한 흐름도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치를 생산하는 공정을 도시한다.
도 9, 도 10을 참고하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 외측 부재(410), 내측 부재(430), 및 중간 부재(420)를 이용한 복수의 공정과정에 의해 생산될 수 있다.
일 실시 예에 따른 도 9 및 도 10을 참고하면, 공정 910은 외측 부재(410)를 이용하여 메탈 링(metal ring) 및 요철 구조를 생성하는 공정을 포함할 수 있다.
예를 들어, 공정 910은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질을 이용하여 전자 장치(100)의 하우징(110)의 일부를 형성하는 메탈 링 구조를 형성하는 과정에 해당될 수 있다. 예컨대, 메탈 링 구조는 전자 장치(100)의 하우징(110)의 측면 부재(108)에 해당되는 구조일 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 공정 910은 상기 메탈 링 구조의 형성과 함께 도 5에서 전술한 요철 구조를 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질은 하우징(110)의 측면 부재(108)를 이루는 메탈링 구조를 형성하면서 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)과 결합하기 위한 제1 결합 구조(도 5의 510)를 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 결합 구조(510)를 형성하는 공정은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질의 일부에 홈을 형성하여 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)이 결합할 수 있는 요철 구조를 형성하는 공정에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 920은 외측 부재를 형성하는 다이 캐스팅 공정에 해당될 수 있다. 예를 들어, 공정 920은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질과 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)을 접합하는 공정에 해당될 수 있다. 예컨대, 공정 920은 메탈링 및 요철 구조가 형성되 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질에 제3 도전성 물질(421)을 다이캐스팅 함으로써 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)을 형성하는 공정에 해당될 수 있다.
다시 말해서, 일 실시 예에 따르면 공정 920은 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질에 형성된 요철 구조에 제3 도전성 물질(421)이 접합하여 외측 부재(410)와 중간 부재(420)가 결합하는 공정에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 930은 중간 부재(420)를 가공하는 과정에 해당될 수 있다. 예를 들어, 도 9 및 도 10을 참고하면 공정 930은 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421)을 CNC(computerized numerical control)공정을 통해 가공하는 과정에 해당될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제3 도전성 물질(421)을 가공하는 공정 930은 CNC공정으로 설명하였으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 제3 도전성 물질(421)을 가공하는 공정 930은 3D 프린팅(three dimensions printing) 공정에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 940은 내측 부재(430)를 다이캐스팅 공법으로 형성하는 공정에 해당될 수 있다. 예를 들어, 공정 940은 외측 부재(410)와 결합한 중간 부재(420)에 내측 부재(430)를 다이캐스팅 함으로써 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질을 형성하는 공정에 해당될 수 있다.
다만, 공정 940은 다이캐스팅 공정에 한정하지 않는다. 다른 예를 들어, 공정 940은 프레스(press) 공법에 의해 내측 부재(430)의 일부를 시트(sheet)로 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 950은 외측 부재(410)와 결합한 중간 부재(420) 및 내측 부재(430)를 결합하는 공정에 해당될 수 있다. 일 예에서, 공정 950은 외측 부재(410)와 결합한 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질(421) 및 내측 부재(430)의 제2 도전성 물질이 결합하여 형성된 제2 결합 구조(520)를 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
예컨대, 공정 950은 중간 부재(420)와 내측 부재(430)를 용접하는 공정을 의미할 수 있다. 다만, 공정 950의 제2 결합 구조(520)를 형성하는 공정은 용접하는 공정을 예시로 들어 설명하였으나, 이에 한정하지 않으며, 예를 들어 공정 950은 도전성 접착 부재를 더 포함하여 제2 결합 구조(520)를 형성하는 공정에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 960은 중간 부재(420)의 일부를 사출 성형하는 공정에 해당될 수 있다. 예를 들어, 공정 960은 중간 부재(420)의 절연 물질(422)을 사출 성형하는 공정에 해당될 수 있다. 예컨대, 공정 960을 통하여 외측 부재(410)의 제1 도전성 물질, 중간 부재(420)의 제3 도전성 물질, 및 내측 부재(430)의 제2 물질의 사이에 중간 부재(420)의 절연 물질(422)이 사출 성형될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 970은 전자 장치(100)의 외형을 가공하는 과정에 해당될 수 있다. 예를 들어, 공정 970은 공정 960을 통해 형성된 전자 장치(100)의 외부를 CNC 공정을 통하여 가공하는 과정에 해당될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 공정 970은 전자 장치(100)의 하우징(110)을 형성하는 마지막 공정에 해당될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 하우징(110)을 형성하는 공정은 하우징(110)의 외면을 염색하는 공정 및/또는 하우징(110)에 기능성 레이어를 도포하는 공정을 더 포함할 수 있다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경(1100) 내의 전자 장치(1101)의 블록도이다. 도 11을 참조하면, 네트워크 환경(1100)에서 전자 장치(1101, 도 1의 전자 장치(100))는 제1 네트워크(1198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(1199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 서버(1108)를 통하여 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 프로세서(1120), 메모리(1130), 입력 모듈(1150), 음향 출력 모듈(1155), 디스플레이 모듈(1160), 오디오 모듈(1170), 센서 모듈(1176), 인터페이스(1177), 연결 단자(1178), 햅틱 모듈(1179), 카메라 모듈(1180), 전력 관리 모듈(1188), 배터리(1189), 통신 모듈(1190), 가입자 식별 모듈(1196), 또는 안테나 모듈(1197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(1101)에는 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(1178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(1176), 카메라 모듈(1180), 또는 안테나 모듈(1197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160))로 통합될 수 있다.
프로세서(1120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(1140))를 실행하여 프로세서(1120)에 연결된 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(1120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(1176) 또는 통신 모듈(1190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(1132)에 저장하고, 휘발성 메모리(1132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(1134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(1120)는 메인 프로세서(1121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(1123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1101)가 메인 프로세서(1121) 및 보조 프로세서(1123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(1123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(1121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(1121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)와 함께, 전자 장치(1101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160), 센서 모듈(1176), 또는 통신 모듈(1190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(1180) 또는 통신 모듈(1190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(1101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(1108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted Boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(1130)는, 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(1120) 또는 센서 모듈(1176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(1140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(1130)는, 휘발성 메모리(1132) 또는 비휘발성 메모리(1134)를 포함할 수 있다.
프로그램(1140)은 메모리(1130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(1142), 미들 웨어(1144) 또는 어플리케이션(1146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(1150)은, 전자 장치(1101)의 구성요소(예: 프로세서(1120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(1150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(1155)은 음향 신호를 전자 장치(1101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(1155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(1160)은 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(1160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(1160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(1170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(1170)은, 입력 모듈(1150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(1155), 또는 전자 장치(1101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(1176)은 전자 장치(1101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(1176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(1177)는 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(1177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(1178)는, 그를 통해서 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(1178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(1179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(1179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(1180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(1180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(1188)은 전자 장치(1101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(1188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(1189)는 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(1189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(1190)은 전자 장치(1101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102), 전자 장치(1104), 또는 서버(1108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(1190)은 프로세서(1120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(1190)은 무선 통신 모듈(1192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(1194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(1198)(예: 블루투스, WiFi 다이렉트(wireless fidelity direct) 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(1199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 가입자 식별 모듈(1196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(1198) 또는 제2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(1101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(1192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중 입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔포밍, 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 전자 장치(1101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(1199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(1192)은 eMBB 실현을 위한 피크 데이터 레이트(peak data rate)(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 커버리지(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(1197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 기판(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(1198) 또는 제2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(1190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(1190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(1197)의 일부로 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗면 또는 측면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(1199)에 연결된 서버(1108)를 통해서 전자 장치(1101)와 외부의 전자 장치(1104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(1102, 또는 1104) 각각은 전자 장치(1101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(1102, 1104, 또는 1108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(1101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(1101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(1101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(1101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(1101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(1104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(1108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)는 제2 네트워크(1199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(1101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member), 상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 도전성 물질로 형성하고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질(insulator)로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간 부재와 상기 내측 부재는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 내측 부재와 상기 중간 부재의 경계면은 상기 전자 장치의 전면을 향하는 제1 축을 기준으로 일정한 각도를 가지고 기울어져 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 일정한 각도는 -10도 내지 10도 이하에 해당할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 티타늄(titanium)으로 형성되는 외측 부재(outer member), 마그네슘(magnesium) 및/또는 알루미늄(aluminum)으로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 상기 마그네슘 및/또는 상기 알루미늄과 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 일부는 상기 외측 부재와 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 중간 부재의 다른 일부는 상기 내측 부재와 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member), 상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member), 및 제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member), 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 일부와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고, 상기 중간 부재와 상기 내측 부재는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질은 제1 비중(specific gravity)을 가지며, 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질은 제2 비중을 가지고, 상기 제1 비중은 상기 제2 비중보다 클 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 도전성 물질은 티타늄에 해당하고, 상기 제2 도전성 물질은 마그네슘 및/또는 알루미늄에 해당할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 마그네슘 및/또는 알루미늄으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 내측 부재와 상기 중간 부재의 경계면은 상기 전자 장치의 전면을 향하는 제1 축을 기준으로 일정한 각도를 가지고 기울어져 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 일정한 각도는 -10도 내지 10도 이내에 해당할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간 부재의 상기 절연 물질은 열가소성 수지(thermoplastic resin)와 무기물(inorganic compounds)을 혼합하여 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질 및 상기 제2 도전성 물질과 제1 지점에서 연결되는 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 전자 장치의 내부에 배치된 PCB(printed circuit board)의 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치의 PCB는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 PCB와 전기적으로 연결되고, 상기 무선 통신 회로는 상기 PCB와 전기적으로 연결되는 상기 제3 도전성 물질의 제2 지점에 급전함으로써, 상기 제3 도전성 물질 및 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 전기적 경로에 기반하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간 부재와 상기 내측 부재는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 내측 부재의 적어도 일부는 프레스(press) 공법의 시트(sheet)로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 도전성 물질과 상기 제2 도전성 물질은 용접에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간 부재의 상기 절연 물질은 상기 전자 장치의 외부로 노출되어 상기 외측 부재와 함께 상기 전자 장치의 외관을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이의 상기 제1 범위는 11℃이내에 해당할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 범위 내의 상기 제2 도전성 물질의 상기 제1 녹는점과 상기 제3 도전성 물질의 상기 제2 녹는점은 실질적으로 동일한 녹는점을 가질 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(1101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(1136) 또는 외장 메모리(1138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(1140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(1101))의 프로세서(예: 프로세서(1120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: CD-ROM(compact disc read only memory))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 티타늄(titanium)으로 형성되는 외측 부재(outer member);
    마그네슘(magnesium) 및/또는 알루미늄(aluminum)으로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member); 및
    마그네슘 및/또는 알루미늄과 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member);
    상기 중간 부재의 일부는 상기 외측 부재와 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고,
    상기 중간 부재의 다른 일부는 상기 내측 부재와 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 중간 부재와 상기 내측 부재는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성되는, 전자 장치.
  3. 청구항 1있어서,
    상기 내측 부재와 상기 중간 부재의 경계면은 상기 전자 장치의 전면을 향하는 제1 축을 기준으로 일정한 각도를 가지고 기울어져 형성되는, 전자 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 일정한 각도는 -10도 내지 10도 이하에 해당하는, 전자 장치.
  5. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member);
    상기 제1 도전성 물질과 구별되며 제1 녹는점을 가지는 제2 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member); 및
    제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질로 형성되는 중간 부재(middle member);
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고,
    상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고,
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 일부와 전기적으로 연결되고,
    상기 중간 부재와 상기 내측 부재의 일부는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성되는, 전자 장치.
  6. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 외관의 적어도 일부를 형성하고 제1 도전성 물질로 형성되는 외측 부재(outer member);
    상기 제1 도전성 물질과 구별되는 제1 녹는점을 가지는 제2 도전성 물질로 형성되고, 상기 전자 장치의 내부에 배치되는 복수의 전자 부품을 수용하기 위한 공간을 형성하는 내측 부재(inner member); 및
    제2 녹는점을 가지는 제3 도전성 물질 및 사출 성형된 절연 물질(insulator)로 형성되는 중간 부재(middle member);
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질과 요철 구조(concave-convex structure)를 형성하도록 결합되고,
    상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이는 제1 범위 이내의 값을 가지고,
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질과 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 외측 부재의 상기 제1 도전성 물질은 제1 비중(specific gravity)을 가지며, 상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질은 제2 비중을 가지고,
    상기 제1 비중은 상기 제2 비중보다 큰, 전자 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 도전성 물질은 티타늄에 해당하고
    상기 제2 도전성 물질은 마그네슘 및/또는 알루미늄에 해당하는, 전자 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 마그네슘 및/또는 알루미늄으로 형성되는, 전자 장치.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 내측 부재와 상기 중간 부재의 경계면은 상기 전자 장치의 전면을 향하는 제1 축을 기준으로 일정한 각도를 가지고 기울어져 형성되는, 전자 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 일정한 각도는 -10도 내지 10도 이내에 해당하는, 전자 장치.
  12. 청구항 6에 있어서,
    상기 중간 부재의 상기 절연 물질은 열가소성 수지(thermoplastic resin)와 무기물(inorganic compounds)을 혼합하여 형성되는, 전자 장치.
  13. 청구항 6에 있어서,
    상기 내측 부재의 상기 제2 도전성 물질 및 상기 제2 도전성 물질과 제1 지점에서 연결되는 상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 전자 장치의 내부에 배치된 PCB(printed circuit board)의 그라운드와 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
  14. 청구항 6에 있어서,
    상기 전자 장치의 PCB는 무선 통신 회로를 포함하고,
    상기 중간 부재의 상기 제3 도전성 물질은 상기 PCB와 전기적으로 연결되고,
    상기 무선 통신 회로는 상기 PCB와 전기적으로 연결되는 상기 제3 도전성 물질의 제2 지점에 급전함으로써, 상기 제3 도전성 물질 및 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 전기적 경로에 기반하여 지정된 주파수 대역의 신호를 송신 및/또는 수신하는, 전자 장치.
  15. 청구항 6에 있어서,
    상기 중간 부재와 상기 내측 부재는 다이캐스팅(diecasting) 공법으로 형성되는, 전자 장치.
  16. 청구항 6에 있어서,
    상기 내측 부재의 적어도 일부는 프레스(press) 공법의 시트(sheet)로 형성되는, 전자 장치.
  17. 청구항 6에 있어서,
    상기 제3 도전성 물질과 상기 제2 도전성 물질은 용접에 의하여 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
  18. 청구항 6에 있어서,
    상기 중간 부재의 상기 절연 물질은 상기 전자 장치의 외부로 노출되어 상기 외측 부재와 함께 상기 전자 장치의 외관을 형성하는, 전자 장치.
  19. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 녹는점과 상기 제2 녹는점의 차이의 상기 제1 범위는 11℃이내에 해당하는, 전자 장치.
  20. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 범위 내의 상기 제2 도전성 물질의 상기 제1 녹는점과 상기 제3 도전성 물질의 상기 제2 녹는점은 실질적으로 동일한 녹는점을 갖는, 전자 장치.
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