KR20220039534A - 리세스 구조가 형성된 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

리세스 구조가 형성된 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 Download PDF

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KR20220039534A
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Abstract

본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 가장자리를 따라 형성된 제1 메탈 하우징, 상기 제1 메탈 하우징의 적어도 일부와 이격 형성된 제2 메탈 하우징, 및 적어도 일부가 상기 제1 메탈 하우징 및 상기 제2 메탈 하우징 사이에 배치되고, 비도전성 재질로 형성된 사출 구조를 포함하고, 상기 사출 구조 및 상기 제2 메탈 하우징은, 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품을 안착하기 위한 리세스 부분을 포함하고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결된 제1 부분 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 메탈 하우징은 돌출 부분을 포함하고, 상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성될 수 있다. 이외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

Description

리세스 구조가 형성된 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 {HOUSING WITH RECESS STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE WITH THE SAME}
본 개시의 다양한 실시예들은 리세스 구조가 형성된 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
정보통신 기술과 반도체 기술 등의 눈부신 발전에 힘입어 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크톱/랩톱 컴퓨터, 또는 차량용 내비게이션과 같이, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹과 같은 통신 및 보안 기능, 일정 관리나 전자 지갑 등의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있는 것이다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다.
전자 장치에서, 사출을 이용하여 형성되는 안착 구조는, 전자 장치의 강성, 방수 기능에 있어 성능이 열화 될 수 있다. 또한, 사출을 이용하여 형성되는 안착 구조는 하우징 벽의 두께를 두껍게하여 배터리의 수용 공간이 감소하는 문제가 있을 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 가장자리를 따라 형성된 제1 메탈 하우징; 상기 제1 메탈 하우징의 적어도 일부와 이격 형성된 제2 메탈 하우징; 및 적어도 일부가 상기 제1 메탈 하우징 및 상기 제2 메탈 하우징 사이에 배치되고, 비도전성 재질로 형성된 사출 구조를 포함하고, 상기 사출 구조 및 제2 메탈 하우징은, 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품을 안착하기 위한 리세스 부분을 포함하고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결된 제1 부분 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 메탈 하우징은 돌출 부분을 포함하고, 상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법은 돌출 부분을 포함하는 제1 메탈 하우징과 제2 메탈 하우징을 연결하는 제1 공정; 상기 제1 메탈 하우징과 상기 제2 메탈 하우징 사이에 위치하고, 비전도성 재질로 구성되는 사출 구조를 형성하는 상기 제2 공정; 및 상기 제2 메탈 하우징 및 상기 사출 구조를 가공하여 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품을 안착하기 위한 리세스 부분을 형성하는 제3 공정을 포함하고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 적어도 일부가 이격 형성되고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결되는 제1 부분 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함하고, 상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치에 포함된 하우징의 리세스 구조의 형성에 있어서, 금속을 이용하여 리세스 구조를 형성함으로써 강성 및 방수 기능을 강화할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치에 포함된 하우징의 리세스 구조의 형성에 있어서, 금속을 이용하여 리세스 구조를 형성함으로써 하우징 벽의 두께를 감소시켜 배터리의 수용 공간을 확보할 수 있다.
본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따르면, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따라 다른 하나에 따른 전자 장치의 전면 플레이트가 제거된 내부 투영도이다.
도 6은 본 개시의 다양한 실시예에 따라 전면 플레이트가 제거된 내부 투영도를 다른 각도에서 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6에서 A-A'선을 절단한 뒤 일 영역(S1)을 확대해서 나타낸 도면이다.
도 8은 도 6에서 B-B'선을 절단한 뒤 일 영역(S2)을 확대해서 나타낸 도면이다.
도 9는 도 5 또는 도 6에서 B-B'선을 절단한 단면도에 배선을 포함한 경우를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 개시의 다양한 실시예들에 따라 전자 장치(101)의 특정 부분에서 밀림 방지 공정(S1002, S1004), 인서트 사출 공정(S1006) 및 리세스 형성 공정(S1008)을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 전자 장치(101)의 프론트를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서,'비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다. 도 3은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 전면(310A), 후면(310B), 및 전면(310A) 및 후면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 상기 하우징(310)은, 도 2의 전면(310A), 도 3의 후면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 전면(310A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 후면(310B)은 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 유리, 알루미늄과 같은 금속 물질 또는 세라믹)을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)는, 상기 전면(310A)으로부터 상기 후면 플레이트(311) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 엣지 영역(310D)들을, 상기 전면 플레이트(302)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 3 참조)에서, 상기 후면 플레이트(311)는, 상기 후면(310B)으로부터 상기 전면 플레이트(302) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 엣지 영역(310E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)(또는 상기 후면 플레이트(311))가 상기 제1 엣지 영역(310D)들(또는 상기 제2 엣지 영역(310E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(101)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(318)는, 상기와 같은 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(305, 312)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 키 입력 장치(317)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 및 커넥터 홀(308, 309)(예: 도 1의 연결 단자(178)) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 커넥터 홀(309))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 시각적으로 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면(310A), 및 상기 제1 엣지 영역(310D)들을 형성하는 전면 플레이트(302)를 통하여 상기 디스플레이(301)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(301)의 모서리를 상기 전면 플레이트(302)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(301)의 외곽과 전면 플레이트(302)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하우징(310)의 표면(또는 전면 플레이트(302))은 디스플레이(301)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 일례로, 화면 표시 영역은 전면(310A), 및 제1 엣지 영역(310D)들을 포함할 수 있다.
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역(예: 전면(310A), 제1 엣지 영역(310D))의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)를 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 발광 소자(미도시), 및 카메라 모듈(305) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(305), 지문 센서(미도시), 및 발광 소자(미도시) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 제1 엣지 영역(310D)들, 및/또는 상기 제2 엣지 영역(310E)들에 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 카메라 모듈들(305, 312) 중 제1카메라 모듈(205) 및/또는 센서 모듈은 전자 장치(101)의 내부 공간에서, 디스플레이(301)의 투과 영역을 통해 외부 환경과 접할 수 있도록 배치될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 디스플레이(301)의 제1카메라 모듈(305)과 대면하는 영역은 컨텐츠를 표시하는 영역의 일부로서 지정된 투과율을 갖는 투과 영역으로 형성될 수도 있다. 한 실시예에 따르면, 투과 영역은 약 5% 내지 약 20% 범위의 투과율을 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 투과 영역은 이미지 센서로 결상되어 화상을 생성하기 위한 광이 통과하는, 제1카메라 모듈(305)의 유효 영역(예: 화각 영역)과 중첩되는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(301)의 투과 영역은 주변보다 픽셀의 밀도 및/또는 배선 밀도가 낮은 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 투과 영역은 리세스 또는 개구부를 대체할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 예를 들면, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). 오디오 모듈(303, 307, 314)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 오디오 모듈만 장착되거나 새로운 오디오 모듈이 부가되는 등 다양하게 설계 변경할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 센서 모듈(미도시)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치된 제1 센서 모듈(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(310)의 후면(310B)에 배치된 제3 센서 모듈(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서(미도시), 상기 지문 센서는 하우징(310)의 전면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 후면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 센서 모듈은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 센서 모듈만 장착되거나 새로운 센서 모듈이 부가되는 등 다양하게 설계 변경할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 312)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 전면(310A)에 배치된 제1 카메라 모듈(305), 및 후면(310B)에 배치된 제2 카메라 모듈(312), 및/또는 플래시(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 312)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(미도시)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다. 카메라 모듈(305, 312)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 카메라 모듈만 장착되거나 새로운 카메라 모듈이 부가되는 등 다양하게 설계 변경할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 각각 다른 속성(예: 화각) 또는 기능을 가진 복수의 카메라 모듈들(예: 듀얼 카메라, 또는 트리플 카메라)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 서로 다른 화각을 갖는 렌즈를 포함하는 카메라 모듈(305, 312)이 복수로 형성될 수 있고, 전자 장치(101)는 사용자의 선택에 기반하여, 전자 장치(101)에서 수행되는 카메라 모듈(305, 312)의 화각을 변경하도록 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 카메라 모듈(305, 312)들 중 적어도 하나는 광각 카메라이고, 적어도 다른 하나는 망원 카메라일 수 있다. 유사하게, 상기 카메라 모듈(305, 312)들 중 적어도 하나는 전면 카메라이고, 적어도 다른 하나는 후면 카메라일 수 있다. 또한, 카메라 모듈(305, 312)들은, 광각 카메라, 망원 카메라, 또는 IR(infrared) 카메라(예: TOF(time of flight) camera, structured light camera) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, IR 카메라는 센서 모듈의 적어도 일부로 동작될 수 있다. 예를 들어, TOF 카메라는 피사체와의 거리를 감지하기 위한 센서 모듈(미도시)의 적어도 일부로 동작될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(310)의 제2 면(310B)에 배치된 센서 모듈(316)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전면 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터 홀(308, 309)은, 예를 들면, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(308), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(309)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈들(305, 312) 중 제1 카메라 모듈(305), 및/또는 센서 모듈(미도시)들 중 일부 센서 모듈은 디스플레이(301)의 적어도 일부를 통해 외부로 노출되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 카메라 모듈(305)은 디스플레이(301)의 배면에 형성된 홀 또는 리세스의 내부에 배치되는, 펀치 홀 카메라를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 카메라 모듈(312)은 렌즈가 전자 장치(101)의 제2 면(310B)으로 노출되도록 하우징(310) 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 카메라 모듈(312)은 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 인쇄 회로 기판(340))에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 카메라 모듈(305), 및/또는 센서 모듈은 전자 장치(101)의 내부 공간에서, 디스플레이(301)의, 전면 플레이트(302)까지 투명 영역을 통해 외부 환경과 접할 수 있도록 배치될 수 있다. 또한, 일부 센서 모듈(304)은 전자 장치의 내부 공간에서 전면 플레이트(302)를 통해 시각적으로 노출되지 않고 그 기능을 수행하도록 배치될 수도 있다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4를 참조하면, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(101)(예: 도 1 내지 도 3의 전자 장치(101))는, 지지 브라켓(370), 전면 플레이트(320)(예: 도 2의 전면 플레이트(302)), 디스플레이(330)(예: 도 2의 디스플레이(301)), 인쇄 회로 기판(340)(예: PCB, FPCB(flexible PCB), 또는 RFPCB(rigid flexible PCB)), 배터리(350)(예: 도 1의 배터리(189)), 제2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(390)(예: 도 1의 안테나 모듈(197)), 및 후면 플레이트(380)(예: 도 2의 후면 플레이트(311))를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따른 전자 장치(101)의 지지 브라켓(370)은, 측면 베젤 구조(318)(예: 도 2의 측면 베젤 구조(318)), 및 제1 지지부재(372)를 포함할 수 있다.
어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지부재(372), 또는 제2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 2 또는 도 3의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)는, 전자 장치(101) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(318)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(318)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(372)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(372)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 인쇄 회로 기판(340)은, 가요성 인쇄 회로 기판 유형의 무선 주파수 케이블(flexible printed circuit board type radio frequency cable, FRC)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)은 제1 지지부재(372)의 적어도 일부에 배치될 수 있고, 안테나 모듈(예: 도 1의 안테나 모듈(197)) 및 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 배터리(350)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스)는, 인쇄 회로 기판(340)과 안테나(390) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 지지 부재(360)는, 인쇄 회로 기판(340) 또는 배터리(350) 중 적어도 하나가 결합된 일면, 및 안테나(390)가 결합된 타면을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나(390)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(390)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(390)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(318) 및/또는 상기 제1 지지부재(372)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 후면 플레이트(380)는 전자 장치(101)의 후면(예: 도 3의 제2 면(310B))의 적어도 일부를 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 본 개시의 다양한 실시예의 안테나 구조 및 이를 포함하는 전자 장치는 전술한 실시 예 및 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 기술적 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예들 중 하나에 따른 전자 장치의 전면 플레이트가 제거된 내부 구조물의 일부 투영도이다. 도 6은 본 개시의 다양한 실시예 중 전면 플레이트가 제거된 내부 구조물의 일부 투영도를 다른 각도에서 나타낸 도면이다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1 내지 4의 전자 장치(101))는 하우징(예: 도 2 및 도 3의 하우징(310)), 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 인쇄 회로 기판(340)), 배터리(예: 도 4의 배터리(350)) 및/또는 사출 구조(502)를 포함할 수 있다. 한 실시예를 따르면, 하우징(310)은 전자 장치(101)의 측면을 따라 형성된 지지 브라켓(예: 도 4의 지지 브라켓(370)), 전자 장치의 정면을 커버하는 전면 플레이트(예: 도 4의 전면 플레이트(320)), 전자 장치(101)의 후면을 커버하는 후면 플레이트(예: 도 4의 후면 플레이트(380))를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 지지 브라켓(370)은 제1 지지부재(예: 도 4의 제1 지지부재(372) 및 측면 베젤 구조(예: 도 4의 측면 베젤 구조(318))를 포함할 수 있다.
이하, 실시예에서, 측면 베젤 구조(318)는 사출 구조(502) 및 제1 메탈 하우징(508)를 포함한 구조를 의미할 수 있으며, 제1 지지부재(372)는 제2 메탈 하우징을 의미할 수 있다.
도 5 및 도 6의 제1 지지부재(372), 및 측면 베젤 구조(318)는 도 2 내지 도 4의 제1 지지부재(372), 및 측면 베젤 구조(318)의 구성과 일부 또는 전부 동일할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)는 배터리 수용 홈(504), 리세스 구조(506)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)의 일부분은 사출 구조(502)와 결합될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 다른 일부분은 제1 메탈 하우징(508)의 일부분과 연결될 수 있거나, 제1 메탈 하우징(508)의 또 다른 일부분과 이격 형성 될 수 있다. 제1 지지부재(372)는 금속 물질로 구성될 수 있으며, 상기 금속 물질은 알루미늄 소재 또는 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다. 제1 지지부재(372)는 밀림 방지 공정(예: 도 10에서 S1002, S1004의 밀림 방지 공정)을 통하여 제1 메탈 하우징(508)과 접합될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)는 안착 구조(예: 도 10의 1010)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)는 안착 구조(1010)를 통해 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(예: 도 10의 1020)과 결합 될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)은 용접 접합으로 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리세스 구조(506)는 개구(opening), 홀(hole) 또는 홈(groove)와 같이, 인접 영역과 비교하여 상이한 두께를 가지는 다양한 형상을 포함할 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 지지부재(372)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 리세스 구조(506)의 일 부분은 사출 구조(502)와 결합될 수 있다. 리세스 구조(506)에는 배선(예: 동축 케이블)(예: 도 9의 901), 전자 부품 등이 배치될 수 있다. 리세스 구조(506)는 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공방식을 통해 생성될 수 있다. 상기 리세스 구조(506)는 리세스 형성 공정(예: 도 10의 S1008의 리세스 형성 공정)을 통해 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리 수용 홈(504)은 배터리를 안착하기 위한 공간으로 제1 지지부재(372)의 측벽 구조(예: 도 7의 702) 두께에 따라, 배터리의 사이즈가 결정될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 메탈 하우징(508)은 전자 장치(101)의 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 제1 지지부재(372)의 적어도 일부와 이격 형성 될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 제1 지지부재(372)의 적어도 일부와 연결되기 위한 돌출 부분(1020)을 포함할 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 상기 돌출 부분(1020)을 통해 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 연결될 수 있다. 상기 돌출 부분(1020)은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 연결될 때 용접 접합을 통해 연결될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 금속 물질로 구성될 수 있으며, 금속 물질은 AL 계열(예: AL 6013, AL7003H, AL 7S10)일 수 있다. 상기 금속 물질은 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 적어도 일부분이 사출 구조(502)와 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 일부분과 연결될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 메탈 하우징(508)의 일 부분과 연결될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 및 제1 메탈 하우징(508)의 사이에 배치될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지 부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 사출 구조(502)는 비전도성 재질로 구성 될 수 있다. 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 인서트 사출 공정은 사출 금형에 금속을 인서트하여 수지재(예: 합성 수지)와 금속을 접합시키는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 수지재는 합성 레진(예: 플라스틱) 또는 천연 레진으로서, 유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 고체 또는 반고체일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)의 리세스 구조(506)는 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)의 연결된 일부분 및 사출 구조(502)를 함께 절단하여 형성될 수 있다. 상기 절단에 사용되는 가공 방식은 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공 방식 일 수 있다.
도 7은 도 6에서 A-A'선을 절단한 뒤 일 영역(S1)을 확대해서 나타낸 도면이다.
상기 A-A'부분을 제1 연결 부분이라고 할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에는 적어도 하나 이상의 제1 연결 부분이 있을 수 있다. 상기 제1 연결 부분은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)이 연결된 부분일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1 내지 4의 전자 장치(101))는 제1 지지부재(372), 제1 메탈 하우징(508), 및/또는 사출 구조(502)를 포함할 수 있다. 상기 제1 지지부재(372)는 제2 메탈 하우징이라고 표현될 수도 있다.
도 7의 전자 장치(101)에서 제1 지지부재(372), 제1 메탈 하우징(508) 및 사출 구조(502)는 도 2 내지 도 4의 제1 지지부재(372), 제1 메탈 하우징(508) 및/또는 사출 구조(502)의 구성과 일부 또는 전부 동일할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)는 배터리 수용 홈(504), 리세스 구조(506)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)의 일부분은 사출 구조(502)와 결합될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 다른 일부분은 제1 메탈 하우징(508)의 일부분과 연결될 수 있거나, 제1 메탈 하우징(508)의 또 다른 일부분과 이격 형성 될 수 있다. 제1 지지부재(372)는 안착 구조(예: 도 10의 1010)를 가질 수 있다. 제1 지지부재(372)는 안착 구조를 통해 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(예: 도 10의 1020)과 결합 될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)은 용접 접합으로 연결될 수 있다. 제1 지지부재(372)는 금속 물질로 구성될 수 있으며, 상기 금속 물질은 알루미늄 소재 또는 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 리세스 구조(506)는 개구(opening), 홀(hole) 또는 홈(groove)와 같이, 인접 영역과 비교하여 상이한 두께를 가지는 다양한 형상을 포함할 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 지지부재(372)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 측벽 구조(702), 제2 측벽 구조(704), 안착면(706)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽 구조(702)는 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 상기 제2 측벽 구조(704)는 제1 부분은 제1 지지부재(372)로 구성되고, 제2 부분은 사출 구조(502)로 구성될 수 있다. 안착면(706)은 제1 부분은 제1 지지부재(372)로 구성되고 제2 부분은 사출 구조(502)로 구성될 수 있다. 리세스 구조(506)의 일 부분은 사출 구조(502)와 연결될 수 있다. 리세스 구조(506)에는 배선(예: 동축 케이블 등)(예: 도 9의 901), 전자 부품 등이 배치될 수 있다. 상기 리세스 구조(506)는 리세스 형성 공정(예: 도 10의 S1008의 리세스 형성 공정)을 통해 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 연결 부분에서는 제2 측벽 구조(704)의 적어도 일부분이 사출 구조로 구성될 수 있다. 상기 제1 연결 부분에서는 안착면(706)의 적어도 일부분이 사출 구조로 구성될 수 있다. 제1 연결 부분은 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)가 밀림 방지 공정(예: 도 10의 S1002, S1004의 밀림 방지 공정)을 위해 접합된 부분일 수 있다. 밀림 방지 공정을 위하여 제1 지지부재(372)는 안착 구조(예: 도 10의 1010)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)는 상기 안착 구조(1010)를 통해 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(예: 도 10의 1020)과 결합 될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)은 용접 접합으로 연결될 수 있다. 상기 밀림 방지 공정이 수행된 후 리세스 구조(506)가 형성된 경우, 리세스 구조(506)의 안착면(706)의 밑 부분에는 제1 메탈 하우징(508)의 일부가 포함될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 배터리 수용 홈(504)은 배터리를 안착하기 위한 공간으로 제1 측벽 구조(702)의 두께에 따라 배터리의 사이즈가 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 측벽 구조(702)의 두께가 두꺼운 경우 배터리의 사이즈는 작아질 수 있고, 제1 측벽 구조(702)의 두께가 얇은 경우 배터리의 사이즈는 커질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 메탈 하우징(508)은 전자 장치(101)의 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 밀림 방지 공정을 위하여 제1 메탈 하우징(508)는 돌출 부분(1020)을 포함할 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 상기 돌출 부분(1020)을 통해 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 연결될 수 있다. 상기 돌출 부분(1020)은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 연결될 때 용접 접합을 통해 연결될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 금속 물질로 구성될 수 있으며, 금속 물질은 AL 계열(예: AL 6013, AL7003H, AL 7S10)일 수 있다. 상기 금속 물질은 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 단말의 외형 디자인에 따라 다양한 형태로 결정될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 제1 지지 부재(372)보다 낮은 위치에 형성 될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 일부분과 연결될 수 있으며, 제1 메탈 하우징(508)의 일 부분과 연결될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 및 제1 메탈 하우징(508)의 사이에 배치될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지 부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 사출 구조(502)는 비전도성 재질로 구성 될 수 있다. 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정(예: 도 10의 S1006의 인서트 사출 공정)을 통해 형성될 수 있다. 인서트 사출 공정은 사출 금형에 금속을 인서트하여 수지재(예: 합성 수지)와 금속을 접합시키는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 수지재는 합성 레진(예: 플라스틱) 또는 천연 레진으로서, 유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 고체 또는 반고체일 수 있다. 사출 구조(502)의 형태는 전자 장치(101)의 형태에 따라 다양하게 결정될 수 있다. 사출 구조(502)의 일부는 제1 메탈 하우징(508)보다 높은 위치에 형성될 수 있으며, 바깥으로 드러난 부분은 매끈한 곡선 구조를 포함할 수 있다.
도 8은 도 6에서 B-B'선을 절단한 뒤 일 영역(S2)을 확대해서 나타낸 도면이다. 도 9는 도 5 또는 도 6에서 B-B'선을 절단한 단면도에 배선을 포함한 경우를 나타낸 도면이다.
상기 B-B'부분을 제2 연결 부분이라고 할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에는 적어도 하나 이상의 제2 연결 부분이 있을 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1 내지 4의 전자 장치(101))는 제1 지지부재(372), 제1 메탈 하우징(508), 사출 구조(502), 및/또는 배선(예: 동축 케이블)(901)을 포함할 수 있다. 상기 제1 지지부재(372)는 제2 메탈 하우징이라고 표현될 수도 있다.
도 8 및 도 9의 전자 장치(101)에서 제1 지지부재((372), 제1 메탈 하우징(508), 사출 구조(502), 및/또는 배선(901)의 구성은 도 7의 제1 지지부재(372), 제1 메탈 하우징(508), 사출 구조(502), 및/또는 배선(901)의 구성과 일부 또는 전부 동일할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)는 배터리 수용 홈(504), 리세스 구조(506)를 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)의 일부분은 사출 구조(502)와 결합될 수 있다. 제1 지지부재(372)의 일부분은 제1 메탈 하우징(508)의 일부분과 연결될 수 있거나, 제1 메탈 하우징(508)의 또 다른 일부분과 이격 형성 될 수 있다. 제1 지지부재(372)는 금속 물질로 구성될 수 있으며, 상기 금속 물질은 알루미늄 소재 또는 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 리세스 구조(506)는 개구(opening), 홀(hole) 또는 홈(groove)와 같이, 인접 영역과 비교하여 상이한 두께를 가지는 다양한 형상을 포함할 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 지지부재(372)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 측벽 구조(702), 제2 측벽 구조(704), 안착면(706)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽 구조(702)는 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 상기 제2 측벽 구조(704)는 제1 부분은 제1 지지부재(372)로 구성되고, 제2 부분은 사출 구조(502)로 구성될 수 있다. 안착면(706)는 제1 부분은 제1 지지부재(372)로 구성되고 제2 부분은 사출 구조(502)로 구성될 수 있다. 리세스 구조(506)의 일 부분은 사출 구조(502)와 연결될 수 있다. 리세스 구조(506)에는 배선(901)(예: 동축 케이블 등), 전자 부품 등이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 연결 부분에서는 제2 측벽 구조(704)의 적어도 일부분이 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 상기 제2 연결 부분에서는 안착면(706)의 적어도 일부분이 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 제2 연결 부분에서 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)는 이격 배치 될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 배터리 수용 홈(504)은 배터리를 안착하기 위한 공간으로 제1 측벽 구조(702)의 두께에 따라 배터리의 사이즈가 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 측벽 구조(702)의 두께가 두꺼운 경우 배터리의 사이즈는 작아질 수 있고, 제1 측벽 구조(702)의 두께가 얇은 경우 배터리의 사이즈는 커질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제2 연결 부분에서는 제2 측벽 구조(704)가 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 제2 연결 부분에서는 안착면(706)의 적어도 일부분이 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 제2 연결 부분에서 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)는 이격 배치 될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 메탈 하우징(508)는 전자 장치(101)의 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 금속 물질로 구성될 수 있으며, 금속 물질은 AL 계열(예: AL 6013, AL7003H, AL 7S10)일 수 있다. 상기 금속 물질은 Mg 및 다양한 캐스팅 소재(예: S33N, S36와 같은 die casting소재)일 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)과 제1 지지부재(372)는 이격 배치 될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 단말의 외형 디자인에 따라 다양한 형태로 결정될 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)는 제1 지지 부재(372)보다 낮은 위치에 형성 될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 일부분과 연결될 수 있으며, 제1 메탈 하우징(508)의 일 부분과 연결될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 및 제1 메탈 하우징(508)의 사이에 배치될 수 있다. 사출 구조(502)는 제1 지지 부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 사출 구조(502)는 비전도성 재질로 구성 될 수 있다. 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 인서트 사출 공정은 사출 금형에 금속을 인서트하여 수지재(예: 합성 수지)와 금속을 접합시키는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 수지재는 합성 레진(예: 플라스틱) 또는 천연 레진으로서, 유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 고체 또는 반고체일 수 있다. 사출 구조(502)의 형태는 단말의 형태에 따라 다양하게 결정될 수 있다. 사출 구조(502)의 일부는 제1 메탈 하우징(508)보다 높은 위치에 형성될 수 있으며, 바깥으로 드러난 부분은 매끈한 곡선 구조를 포함할 수 있다.
도 10은 본 개시의 다양한 실시예들에 따르는, 전자 장치(101)의 일부분에서 밀림 방지 공정(S1002, S1004), 인서트 사출 공정(S1006) 및 리세스 형성 공정(S1008)을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)의 제조 방법은 밀림 방지 공정(S1002, S1004), 인서트 사출 공정(S1006) 및 리세스 형성 공정(S1008)을 포함할 수 있다. 상기 밀림 방지 공정(S1002, S1004)은 인서트 사출 공정(S1006)이 진행되기 전에 수행되는 공정일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 밀림 방지 공정(S1002, S1004)은 안착 구조(1010)를 포함하는 제 1 지지부재(372)와 돌출 부분(1020)을 포함하는 제1 메탈 하우징(508)를 이용하여 수행될 수 있다. 제1 연결 부분은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)이 접합되는 곳일 수 있다. 제1 지지부재(372)는 상기 제1 연결 부분에 안착 구조(1010)를 포함할 수 있다. 제1 메탈 하우징(508)은 상기 제1 연결 부분에 돌출 부분(1020)을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 부분은 전자 장치(101)에서 적어도 하나 이상 있을 수 있다. 밀림 방지 공정(S1002, S1004)에서 제1 지지부재(372)는 적어도 하나의 안착 구조(1010)를 포함할 수 있다. 상기 안착 구조(1010)는 주변의 제1 지지부재(372)보다 낮게 형성된 홈(1010a)을 포함할 수 있다. 상기 홈(1010a)은 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 면(1020a)의 형태에 맞게 형성될 수 있다. 상기 홈(1010a)의 형태는 전자 장치(101)의 형상에 따라 다양하게 결정될 수 있다. 상기 안착 구조(1010)는 상기 홈(1010a)의 중심부에 기둥 형태로 돌출된 형태의 폴(1010b)을 포함할 수 있다. 상기 폴(1010b)은 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)의 홀(1020b)과 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 메탈 하우징(508)은 적어도 하나의 돌출 부분(1020)을 포함할 수 있다. 상기 돌출 부분은 돌출면(1020a) 및 홀(1020b)를 포함할 수 있다. 상기 돌출 부분(1020)은 제1 메탈 하우징의 제1 연결 부분에 포함될 수 있다. 돌출 면(1020a)은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)의 홈(1010a)의 형상에 따라 그 형태가 결정될 수 있다. 예를 들어, 돌출 면(1020a)은 사다리꼴 형태일 수 있다. 상기 돌출 면(1020a)과 상기 홈(1010a)은 연결 시 일부분이 이격 배치될 수 있다. 상기 돌출 부분(1020)은 안착 구조(1010)의 폴(1010b)의 형상에 맞는 홀(1020b)을 포함할 수 있다. 상기 폴(1010b)과 홀(1020b)은 끼워져 결합될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)은 용접 접합 될 수 있다. 예를 들어, 레이저 용접 접합 공법이 사용될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 돌출 부분(1020)은 안착 구조(1010)와만 접합되고 안착 구조(1010)를 제외한 제1 지지부재(372)와는 이격 배치될 수 있다. 상기 이격 배치로 인하여 이후 인서트 사출 공정(S1006)시 전자 장치(101)의 휨 또는 파손을 감소 또는 방지할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)은 적어도 일부분(예: 제2 연결 부분)은 이격 배치될 수 있다. 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508)은 제1 연결 부분에서 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 제1 메탈 하우징(508)의 돌출 부분(1020)이 연결됨에 따라, 이후 수행되는 인서트 사출 공정(S1006) 또는 리세스 형성 공정(S1008) 중 가해지는 외력에 의한 전자 장치(101)의 휨 또는 파손을 감소 또는 방지할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정(S1006)을 통해 형성될 수 있다. 전자 장치(101)의 제조 방법은 제1 지지부재(372)와 제1 메탈 하우징(508) 사이에 위치하고 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)을 둘러싸도록 수지재를 배치하여 사출 구조(502)를 형성하는 인서트 사출 공정(S1006)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인서트 사출 공정은 사출 금형에 금속을 인서트하여 수지재(예: 합성 수지)와 금속을 접합시키는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 수지재는 합성 레진(예: 플라스틱) 또는 천연 레진으로서, 유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 고체 또는 반고체일 수 있다. 인서트 사출 공정(S1006)은 밀림 방지 공정(S1002, S1004)이후에 수행 될 수 있다. 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정(S1006)을 통하여 제1 지지부재(372) 및 제1 메탈 하우징(508) 사이의 공간에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 바깥쪽 형상과 제1 메탈 하우징(508)의 안쪽 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 연결 부분에서 사출 구조(502)는 연결된 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 사출 구조(502)는 금형의 형태에 따라 그 형태가 달라질 수 있다.
다양한 일 실시예에 따르면, 리세스 구조(506)는 리세스 형성 공정(S1008)을 통해 형성될 수 있다. 전자 장치(101)의 제조 방법은 연결된 제1 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)의 적어도 일부분을 둘러싼 사출 구조(502)와 제1 지지부재(372)를 가공하여 리세스 구조(506)를 형성하는 리세스 형성 공정(S1008)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 가공은 CNC 가공 방법일 수 있다. 리세스 구조(506)는 개구(opening), 홀(hole) 또는 홈(groove)와 같이, 인접 영역과 비교하여 상이한 두께를 가지는 다양한 형상을 포함할 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 지지부재(372)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 리세스 구조(506)는 제1 측벽 구조(702), 제2 측벽 구조(704), 안착면(706)을 포함할 수 있다. 리세스 구조(506)에는 배선(예: 동축 케이블 등), 전자 부품 등이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 연결 부분에서는 제2 측벽 구조(704)의 적어도 일부분이 사출 구조로 구성될 수 있다. 제1 연결 부분에서는 안착면(706)의 적어도 일부분이 사출 구조로 구성될 수 있다. 제2 연결 부분에서는 제2 측벽 구조(704)가 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 제2 연결 부분에서는 안착면(706)의 적어도 일부분이 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다. 제1 측벽 구조(702)는 제1 지지부재(372)로 구성될 수 있다.
밀림 방지 공정(S1002, S1004), 인서트 사출 공정(S1006) 및 리세스 형성 공정(S1008)은 상기 제1 지지부재(372) 및 제1 메탈 하우징(508) 사이에서 수행될 수 있을 뿐만 아니라 다른 다양한 형합 부품들(예: FPCB)에서 리세스를 형성하기 위해 사용될 수 있다.
도 11은 전자 장치(101)의 프론트를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)의 제조 방법은 제1 지지부재(372) 형성 공정(S1102), 제1 지지부재(372)와 외부 금속 영역(1110)을 접합하는 연결 공정(S1104), 인서트 사출 공정(S1106), 및/또는 내, 외부 가공 공정(S1108)을 포함할 수 있다. 상기 외부 금속 영역(1110)을 가공 시 제1 메탈 하우징(508)이 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 제1 지지부재(372) 형성 공정(S1102)은 금속 재료를 통하여 수행 될 수 있으며, 상기 제1 지지부재(372)는 형성 공정(S1102)을 통해 배터리 수용 홈(504)을 포함할 수 있다. 제1 지지부재(372)는 홈(1010a)과 폴(1010b)을 포함하는 안착 구조(1010)를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 제1 지지부재(372)와 외부 금속 영역(1110)을 접합하는 연결 공정(S1104)는 도 10의 밀림 방지 공정(S1002, S1004)를 활용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 연결 공정(S1104)은 제1 지지부재(372)의 안착 구조(1010)와 외부 금속 영역(1110)의 돌출 부분(1020)을 이용하여 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안착 구조(1010)의 홈(1010a)과 돌출 부분(1020)의 돌출 면(1020a)이 접합될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 안착 구조(1010)의 폴(1010b)과 돌출 부분(1020)의 홀(1020b)이 끼워져 연결될 수 있다. 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)은 연결 시 용접 접합 될 수 있다. 예를 들어, 레이저 용접 접합 공법이 사용될 수 있다. 제1 지지부재(372)와 외부 금속 영역(1110)을 접합하는 연결 공정(S1104)은 제1 지지부재(372) 형성 공정(S1102) 이후에 수행될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 제1 지지부재(372)와 외부 금속 영역(1110) 사이에 수행되는 인서트 사출 공정(S1106)은 도 10의 인서트 사출 공정(S1006)과 동일한 방식으로 수행될 수 있다. 인서트 사출 공정은 사출 금형에 금속을 인서트하여 수지재(예: 합성 수지)와 금속을 접합시키는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 수지재는 합성 레진(예: 플라스틱) 또는 천연 레진으로서, 유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 고체 또는 반고체일 수 있다. 인서트 사출 공정(S1106)은 제1 지지부재(372)와 외부 금속 영역(1110)을 접합하는 연결 공정(S1104) 이후에 수행 될 수 있다. 사출 구조(502)는 인서트 사출 공정(S1106)을 통하여 제1 지지부재(372) 및 외부 금속 영역(1110) 사이의 공간에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 사출 구조(502)는 제1 지지부재(372)의 바깥쪽 형상과 외부 금속 영역(1110)의 안쪽 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 연결 부분에서 사출 구조(502)는 연결된 안착 구조(1010)와 돌출 부분(1020)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 사출 구조(502)는 금형의 형태에 따라 그 형태가 달라질 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)의 내, 외부 가공 공정(S1108)은 도 10의 리세스 형성 공정(S1008)과 외부 금속 영역(1110)을 가공하는 절단 공정을 포함할 수 있다. 리세스 형성 공정은 도 10의 리세스 형성 공정(S1008)와 동일한 방식으로 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 절단 공정은 외부 금속 영역(1110)을 가공하여 제1 메탈 하우징(508)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 절단 공정은 외부 금속 영역(1110)을 정해진 형상의 제1 메탈 하우징(508)이 형성되도록 수행될 수 있다. 상기 제1 메탈 하우징(508)의 형상은 전자 장치(101)의 외관의 디자인에 따라 결정될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))는, 상기 전자 장치의 가장자리를 따라 형성된 제1 메탈 하우징(예: 도 5 내지 도 11의 제1 메탈 하우징(508)), 상기 제1 메탈 하우징의 적어도 일부와 이격 형성된 제2 메탈 하우징(예: 도 5 내지 도 11의 제1 지지부재(372)), 및 적어도 일부가 상기 제1 메탈 하우징 및 상기 제2 메탈 하우징 사이에 배치되고, 비도전성 재질로 형성된 사출 구조(예: 도 5 내지 도 11의 사출 구조(502))를 포함할 수 있다. 상기 사출 구조 및 제2 메탈 하우징은, 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품(예: 도 9의 배선(901))을 안착하기 위한 리세스 부분(예: 도 5 내지 도 10의 리세스 구조(506))을 포함하고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결된 제1 부분(예: 도 10의 안착 구조(1010)) 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함할 수 있다. 상기 제1 메탈 하우징은 돌출 부분(예: 도 10의 돌출 부분(1020))을 포함하고, 상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 리세스 부분은 상기 전자 장치의 내부 측의 제1 측벽(예: 도 7 내지 도 10의 제1 측벽(702)), 상기 제1 측벽과 대응되는 제2 측벽(예: 도 7 내지 도 10의 제2 측벽(704)), 및 상기 전기 부품이 안착되는 안착면(예: 도 7 내지 도 9의 안착면(706))을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽은 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제2 측벽은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다. 상기 안착면은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 리세스 부분은 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공 방식을 통해 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 리세스 부분은 상기 전자 장치 내의 부품들을 연결하는 배선이 안착되는 영역을 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 배선은 동축 케이블일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 내측 단면에서 바라볼 때, 상기 제1 부분은 안착 구조(예: 도 10의 안착 구조(1010))를 포함할 수 있다. 상기 안착 구조는 홈 구조(예: 도 10의 홈(1010a))와 폴 구조(예: 도 10의 폴(1010b))를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 내측 단면에서 바라 볼 때, 상기 돌출 부분(예: 도 10의 돌출 부분(1020))은 돌출면(예: 도 10의 돌출면(1020a))과 홀 구조(예: 도 10의 홀(1020b))를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 폴 구조와 상기 홀 구조는 용접 접합으로 결합될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되고, 상기 제2 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 배터리를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 메탈 하우징은 상기 배터리를 수용하기 위한 수용 홈(예: 도 5 내지 도 8의 배터리 수용 홈(504))을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 수용 홈의 크기는 상기 제1 측벽의 두께에 따라 결정될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))의 제조 방법에 있어서, 돌출 부분(예: 도 10의 돌출 부분(1020))을 포함하는 제1 메탈 하우징(예: 도 5 내지 도 11의 제1 메탈 하우징(508))과 제2 메탈 하우징(예: 도 5 내지 도 11의 제1 지지부재(372))을 연결하는 제1 공정(예: 도 10의 밀림 방지 공정(S1002, S1004)); 상기 제1 메탈 하우징과 상기 제2 메탈 하우징 사이에 위치하고, 비전도성 재질로 구성되는 사출 구조(예: 도 5 내지 도 11의 사출 구조(502))를 형성하는 상기 제2 공정(예: 도 10의 인서트 사출 공정(S1006)); 및 상기 제2 메탈 하우징 및 상기 사출 구조를 가공하여 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품(예: 도 9의 배선(901))을 안착하기 위한 리세스 부분(예: 도 5 내지 도 10의 리세스 구조(506))을 형성하는 제3 공정(예: 도 10의 리세스 형성 공정(S1008))을 포함할 수 있다. 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 적어도 일부가 이격 형성될 수 있다. 상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결되는 제1 부분(예: 도 10의 안착 구조(1010)) 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함할 수 있다. 상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 리세스 부분은 상기 전자 장치의 내부 측의 제1 측벽(예: 도 7 내지 도 10의 제1 측벽(702)), 상기 제1 측벽과 대응되는 제2 측벽(예: 도 7 내지 도 10의 제2 측벽(704)), 및 상기 전기 부품이 안착되는 안착면(예: 도 7 내지 도 9의 안착면(706))을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽은 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제2 측벽은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다. 상기 안착면은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 리세스 부분은 상기 전자 장치 내의 부품들을 연결하는 배선이 안착되는 영역을 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 공정은 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공 방식으로 수행될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 내측 단면에서 바라볼 때, 상기 제1 부분은 안착 구조(예: 도 10의 안착 구조(1010))를 포함할 수 있다. 상기 안착 구조는 홈 구조(예: 도 10의 홈(1010a))와 폴 구조(예: 도 10의 폴(1010b))를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 내측 단면에서 바라 볼 때, 상기 돌출 부분은 돌출면(예: 도 10의 돌출면(1020a))과 홀 구조(예: 도 10의 홀(1020b))를 포함할 수 있다. 상기 폴 구조와 상기 홀 구조는 끼워져 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되고, 상기 제2 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 연결될 수 있다.
전자 장치: 101
하우징: 310
측면 베젤 구조: 318
제1 지지부재(제2 메탈 하우징): 372
사출 구조: 502
배터리 수용 홈: 504
리세스 구조: 506
제1 메탈 하우징: 508
제1 측벽 구조: 702
제2 측벽 구조: 704
안착면: 706
배선: 901
안착 구조: 1010
홈: 1010a
폴: 1010b
돌출 부분: 1020
돌출 면: 1020a
홀: 1020b
외부 금속 영역: 1110

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 가장자리를 따라 형성된 제1 메탈 하우징;
    상기 제1 메탈 하우징의 적어도 일부와 이격 형성된 제2 메탈 하우징; 및
    적어도 일부가 상기 제1 메탈 하우징 및 상기 제2 메탈 하우징 사이에 배치되고, 비도전성 재질로 형성된 사출 구조를 포함하고,
    상기 사출 구조 및 제2 메탈 하우징은, 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품을 안착하기 위한 리세스 부분을 포함하고,
    상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결된 제1 부분 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 메탈 하우징은 돌출 부분을 포함하고,
    상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성되는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리세스 부분은 상기 전자 장치의 내부 측의 제1 측벽, 상기 제1 측벽과 대응되는 제2 측벽, 및 상기 전기 부품이 안착되는 안착면을 포함하고,
    상기 제1 측벽은 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되는 전자 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 측벽은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되고,
    상기 안착면은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되는 전자 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 리세스 부분은 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공 방식을 통해 형성되는 전자 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 리세스 부분은 상기 전자 장치 내의 부품들을 연결하는 배선이 안착되는 영역을 제공하는 전자 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 배선은 동축 케이블인 전자 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    내측 단면에서 바라볼 때, 상기 제1 부분은 안착 구조를 포함하고,
    상기 안착 구조는 홈 구조와 폴 구조를 포함하는 전자 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    내측 단면에서 바라 볼 때, 상기 돌출 부분은 돌출면과 홀 구조를 포함하는 전자 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 폴 구조와 상기 홀 구조는 용접 접합으로 결합된 전자 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되고,
    상기 제2 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되는 전자 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 장치는 배터리를 더 포함하고, 상기 제2 메탈 하우징은 상기 배터리를 수용하기 위한 수용 홈을 더 포함하는 전자 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 수용 홈의 크기는 상기 제1 측벽의 두께에 따라 결정되는 전자 장치.
  13. 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
    돌출 부분을 포함하는 제1 메탈 하우징과 제2 메탈 하우징을 연결하는 제1 공정;
    상기 제1 메탈 하우징과 상기 제2 메탈 하우징 사이에 위치하고, 비전도성 재질로 구성되는 사출 구조를 형성하는 상기 제2 공정; 및
    상기 제2 메탈 하우징 및 상기 사출 구조를 가공하여 상기 전자 장치 내측 가장자리를 따라 배치된 전기 부품을 안착하기 위한 리세스 부분을 형성하는 제3 공정을 포함하고,
    상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 적어도 일부가 이격 형성되고,
    상기 제2 메탈 하우징은 상기 제1 메탈 하우징과 연결되는 제1 부분 및 상기 제1 메탈 하우징과 이격 형성된 제2 부분을 포함하고,
    상기 돌출 부분은 상기 제1 부분까지 연장되고 상기 제1 부분과 접합 형성되는 전자 장치의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 리세스 부분은 상기 전자 장치의 내부 측의 제1 측벽, 상기 제1 측벽과 대응되는 제2 측벽, 및 상기 전기 부품이 안착되는 안착면을 포함하고,
    상기 제1 측벽은 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되는 전자 장치의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제2 측벽은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되고,
    상기 안착면은 적어도 일부분이 상기 제2 메탈 하우징으로 구성되는 전자 장치의 제조 방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 리세스 부분은 상기 전자 장치 내의 부품들을 연결하는 배선이 안착되는 영역을 제공하는 전자 장치의 제조 방법.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 제3 공정은 컴퓨터 수치 제어(computer numerical control, CNC) 가공 방식으로 수행되는 전자 장치의 제조 방법.
  18. 제 13항에 있어서,
    내측 단면에서 바라볼 때, 상기 제1 부분은 안착 구조를 포함하고,
    상기 안착 구조는 홈 구조와 폴 구조를 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    내측 단면에서 바라 볼 때, 상기 돌출 부분은 돌출면과 홀 구조를 포함하고,
    상기 폴 구조와 상기 홀 구조는 끼워져 연결되는 전자 장치의 제조 방법.
  20. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되고,
    상기 제2 메탈 하우징은 알루미늄(AL) 금속 계열 또는 마그네슘(Mg) 및 다이 캐스트(DIE Casting) 소재로 구성되는 전자 장치의 제조 방법.
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