KR20230055142A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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설준호
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device, and more specifically to a substrate processing device capable of performing heat treatment on a substrate. According to the present invention, the substrate processing device is disclosed which performs substrate processing by arranging a plurality of substrates (1) spaced apart from each other in a vertical direction, and comprises: a process chamber (100) forming a processing space (S) in which the substrates (1) are processed; a substrate support portion (200) installed in the processing space (S) to support the substrates (1); a gas supply piping portion (300) communicating with the processing space (S) on one side surface of the process chamber (100) and supplying a process gas into the processing space (S); a gas exhaust piping unit (400) communicating with the processing space (S) on the other side surface of the process chamber (100) and exhausting the processing space (S); and an exhaust port portion (500) provided on at least one of an upper surface and a lower surface of the process chamber (100) and exhausting the processing space (S). Accordingly, by inducing smooth exhaustion of input gas, quality of the processed substrate can be improved.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus {Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 열처리를 수행할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of performing heat treatment on a substrate.

기판처리 시 사용되는 기판처리장치에서 기판이 처리되는 처리공간 내부에는 다양한 부산물들을 배출하기 위해 다량의 가스를 이용하여 기류를 형성하고, 내부의 부산물들을 배출한다.In a substrate processing apparatus used for substrate processing, an air stream is formed using a large amount of gas to discharge various by-products inside a processing space where a substrate is processed, and internal by-products are discharged.

즉, 기판처리 시 사용되는 기판처리장치에서 기판이 처리되는 처리공간 내부에는 많은 양의 가스가 공급 및 배출될 수 있으며, 이 경우, 많은 양의 가스가 기판의 상면에 도달 후 원활하게 배출되는 기류가 형성되어야 양질의 기판처리를 수행할 수 있다.That is, in the substrate processing apparatus used for substrate processing, a large amount of gas may be supplied and discharged into the processing space where the substrate is processed, and in this case, a large amount of gas reaches the upper surface of the substrate and then smoothly discharged. must be formed to perform high-quality substrate treatment.

이를 위해서, 일반적으로 기판처리장치는 처리공간 내부에 배치되는 기판의 상면에 대응되는 위치의 양측면에 각각 가스공급노즐과 가스배기포트를 구비하고, 기판의 일측면에서 타측면으로 가스의 기류가 형성되도록 유도한다.To this end, in general, a substrate processing apparatus is provided with a gas supply nozzle and a gas exhaust port on both sides of a position corresponding to the upper surface of a substrate disposed inside the processing space, and a gas flow is formed from one side of the substrate to the other side. induce to be

그러나 종래의 기판처리장치는, 가스공급 일측에서 가스배기 타측으로 가스의 원활한 수평기류가 형성되지 못하거나, 공급되는 가스의 온도, 무게, 밀도 차에 따른 수직이동 흐름의 발생 및 공정 중 가스용량의 변화, 특히 가스량이 증가하는 변화로 인해 처리공간 내부에 와류가 발생하여 배기가 원활하지 못한 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, a smooth horizontal flow of gas is not formed from one side of the gas supply to the other side of the gas exhaust, or a vertical movement flow occurs according to the difference in temperature, weight, and density of the supplied gas, and the gas capacity during the process There is a problem in that, due to a change, in particular, an increase in the amount of gas, a vortex is generated inside the processing space, and thus the exhaust is not smooth.

특히, 종래 기판처리장치는, 가스공급노즐과 가스배기포트가 1:1 대응되도록 형성하면서, 기판처리 공정들 간의 차이를 고려하지 않고 최대 처리용량을 기준으로 각각의 노즐이 설계되었으나, 기판처리 공정들 간의 차이로 인해 가스공급 및 배기량이 변화하는 경우, 최초 설계에 따른 예상 기류와는 다른 와류가 발생하는 문제점이 있으며, 이때 와류는 주로 배기가 원활하지 못한 가스배기포트가 형성된 공정챔버 측면 상단에서 발생한다. In particular, in the conventional substrate processing apparatus, gas supply nozzles and gas exhaust ports are formed in a 1:1 correspondence, and each nozzle is designed based on the maximum processing capacity without considering the difference between substrate processing processes, but the substrate processing process When the gas supply and exhaust amount change due to the difference between the fields, there is a problem in that a vortex different from the expected air flow according to the initial design occurs. Occurs.

이로 인해 종래의 기판처리장치는 배기되지 못한 부산물, 이물질이 기판 상부에 안착됨으로써 양질의 기판처리를 저해하는 문제점이 있다.Due to this, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that by-products and foreign substances that have not been exhausted settle on the upper portion of the substrate, thereby hindering quality substrate processing.

특히, 종래의 기판처리장치는 투입되는 가스의 하강기류로 인해, 상측에 배치되는 배기포트를 통한 배기가 원활하지 못하고 이에 따라 상부에 안착되는 기판에 대한 불량률이 증가하는 문제점이 있다.In particular, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that the exhaust through the exhaust port disposed on the upper side is not smooth due to the downdraft of the injected gas, and thus the defect rate for the substrate seated on the upper side increases.

또한, 종래의 기판처리장치는, 획일화된 배기포트 및 배기용량에 따라 처리공간의 압력을 효과적으로 조절하기 어렵고, 기류에 따라 하측에 국부적으로 온도가 상승하여 국부적인 온도 조절에 대응하기 어려운 문제점이 있다.In addition, in the conventional substrate processing apparatus, it is difficult to effectively control the pressure of the processing space according to the uniform exhaust port and exhaust capacity, and the temperature locally rises in the lower side according to the air flow, so it is difficult to respond to local temperature control. there is.

이러한 문제를 개선하기 위하여, 종래의 기판처리장치는, 측면 배기포트의 배기구를 크게하여 원활한 배기 및 기류를 유도하였으나, 장치의 하측에서 연결되는 펌프의 연결구조 상 배기구의 크기 증가에도 상측 배기포트를 통한 배기가 여전히 저하되는 문제점이 있다.In order to improve this problem, the conventional substrate processing apparatus induces smooth exhaust and air flow by enlarging the exhaust port of the side exhaust port, but due to the connection structure of the pump connected from the lower side of the device, the upper exhaust port is There is a problem that the exhaust through the exhaust still deteriorates.

또한, 단순히 측면 배기포트의 배기구를 크게하는 경우, 배기포트 주변의 온도저하 현상이 더욱 심화되어 기판 가장자리의 온도저하에 따른 기판처리의 불균일화가 심화되는 문제점이 있다.In addition, when the exhaust port of the side exhaust port is simply enlarged, there is a problem in that the temperature drop around the exhaust port is further intensified, and the non-uniformity of substrate processing due to the temperature drop at the edge of the substrate is intensified.

또한, 제한된 공정챔버의 측면공간으로 인해 측면 배기포트의 개수를 증가시키기 곤란하며, 배기포트의 개수 증가로 인해 공정챔버의 크기가 증대되는 문제점이 있다.In addition, it is difficult to increase the number of side exhaust ports due to the limited side space of the process chamber, and the size of the process chamber increases due to the increase in the number of exhaust ports.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 투입되는 가스의 원활한 배기를 유도하여 처리되는 기판의 품질을 향상할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.The present invention, which was created to solve the above problems, is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the quality of a substrate to be processed by inducing smooth exhaust of an input gas.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서, 상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)들을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S) 내에 공정가스를 공급하는 가스공급배관부(300)와; 상기 공정챔버(100) 타측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관부(400)와; 상기 공정챔버(100) 상면 및 하면 중 적어도 하나에 구비되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 배기포트부(500)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention is a substrate processing apparatus for performing substrate processing by arranging a plurality of substrates 1 spaced apart from each other in a vertical direction, wherein the substrate (1) ) And a process chamber 100 forming a processing space (S) is processed; a substrate support unit 200 installed in the processing space S to support the substrates 1; a gas supply pipe part 300 communicating with the processing space S at one side of the process chamber 100 and supplying process gas into the processing space S; a gas exhaust pipe 400 communicating with the processing space (S) on the other side of the process chamber 100 and exhausting the processing space (S); Disclosed is a substrate processing apparatus including an exhaust port 500 provided on at least one of an upper surface and a lower surface of the process chamber 100 to exhaust the processing space (S).

상기 배기포트부(500)는, 상기 공정챔버(100) 상면 중 상기 공정챔버(100) 중심을 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측에 구비되는 하나 이상의 상부배기포트(510)를 포함할 수 있다. The exhaust port part 500 may include one or more upper exhaust ports 510 provided on the side of the gas exhaust pipe part 400 based on the center of the process chamber 100 among the upper surfaces of the process chamber 100. can

상기 상부배기포트(510)는, 상기 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제1상부배기포트(511)와, 상기 제1상부배기포트(511)를 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측으로 인접한 위치에서 상기 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제2상부배기포트(512)를 포함할 수 있다. The upper exhaust port 510 includes a plurality of first upper exhaust ports 511 arranged in a row from the front to the rear side of the process chamber 100, and the gas based on the first upper exhaust port 511. The process chamber 100 may include a plurality of second upper exhaust ports 512 disposed in a row in a line from the front to the rear at a position adjacent to the exhaust pipe 400 side.

상기 제1상부배기포트(511)는, 상기 기판(1)과 수직방향으로 중첩되며, 상기 제2상부배기포트(512)는, 평면 상 상기 기판(1)과 상기 공정챔버(100) 내측면 사이에 구비될 수 있다. The first upper exhaust port 511 is overlapped with the substrate 1 in a vertical direction, and the second upper exhaust port 512 is the inner surface of the substrate 1 and the process chamber 100 on a plane. may be provided in between.

상기 배기포트부(500)는, 상기 공정챔버(100) 하면 중 상기 공정챔버(100) 중심을 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측에 구비되는 하나 이상의 하부배기포트(520)를 포함할 수 있다. The exhaust port part 500 may include one or more lower exhaust ports 520 provided on the side of the gas exhaust pipe part 400 with respect to the center of the process chamber 100 among the lower surfaces of the process chamber 100. can

상기 공정챔버(100) 상면 중 상기 상부배기포트(510) 하측에 이격 설치되어, 상기 상부배기포트(510)로부터 상기 처리공간(S)으로 이물질 낙하를 방지하는 차단부(600)를 추가로 포함할 수 있다. A blocking part 600 is installed on the lower side of the upper exhaust port 510 of the upper surface of the process chamber 100 and prevents foreign substances from falling from the upper exhaust port 510 into the processing space S. can do.

상기 차단부(600)는, 상기 상부배기포트(510)로부터 하측으로 이격되며 평면 상 상기 상부배기포트(510)보다 넓은 면적으로 설치되는 차단플레이트(610)와, 일단이 상기 차단플레이트(610)에 설치되고 타단이 상기 공정챔버(100) 상면에 설치되어 상기 차단플레이트(610)를 지지하는 지지샤프트(620)를 포함할 수 있다. The blocking part 600 includes a blocking plate 610 spaced downward from the upper exhaust port 510 and installed in a larger area than the upper exhaust port 510 on a plane, and one end of the blocking plate 610 and a support shaft 620 having the other end installed on the upper surface of the process chamber 100 to support the blocking plate 610 .

상기 지지샤프트(620)는, 상기 차단플레이트(610)와 상기 상부배기포트(510) 사이간격을 조절할 수 있다. The support shaft 620 may adjust a distance between the blocking plate 610 and the upper exhaust port 510 .

상기 공정챔버(100)는, 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110) 내측면에 대응되어 구비되며 내부에 상기 처리공간(S)이 형성되는 단열플레이트(120)를 포함하며, 상기 단열플레이트(120)는, 상기 배기포트부(500)와 상기 처리공간(S)이 연통하도록 관통형성되는 연통구(121)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a chamber body 110 and a heat insulation plate 120 provided to correspond to an inner surface of the chamber body 110 and having the processing space S formed therein, wherein the heat insulation plate 120 is provided. The plate 120 may include a communication hole 121 through which the exhaust port 500 communicates with the processing space S.

상기 연통구(121)는, 상기 배기포트부(500)와 수직방향으로 중첩될 수 있다. The communication hole 121 may overlap with the exhaust port part 500 in a vertical direction.

상기 배기포트부(500)에 대한 개도를 제어하여 상기 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 제어밸브(700)를 추가로 포함할 수 있다. A control valve 700 for adjusting the exhaust to the processing space (S) by controlling the opening of the exhaust port part 500 may be further included.

상기 처리공간(S) 압력을 직접 또는 간접적으로 측정하는 압력센서를 포함하며, 상기 제어밸브(700)는, 상기 압력센서를 통해 측정된 상기 처리공간(S) 압력을 토대로 상기 배기포트부(500)에 대한 개도를 조절할 수 있다. A pressure sensor for directly or indirectly measuring the pressure of the processing space (S) is included, and the control valve (700) is configured to control the exhaust port (500) based on the pressure of the processing space (S) measured through the pressure sensor. ) can be adjusted.

상기 배기포트부(500)를 개방 또는 차단함으로써 상기 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 제어밸브(700)를 추가로 포함하며, 상기 제어밸브(700)는, 상기 처리공간(S) 가열을 통한 기판처리 시 상기 제2상부배기포트(512)만을 개방하고, 상기 처리공간(S)에 대한 쿨링 시 상기 제1상부배기포트(511) 및 상기 제2상부배기포트(512)를 모두 개방할 수 있다. It further includes a control valve 700 for controlling exhaust to the processing space (S) by opening or blocking the exhaust port 500, the control valve 700 heating the processing space (S). Only the second upper exhaust port 512 is opened during substrate processing, and both the first upper exhaust port 511 and the second upper exhaust port 512 are opened during cooling of the processing space (S). can do.

상기 차단플레이트(610)는, 상기 연통구(121)과 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 상기 연통구(121)보다 같거나 클 수 있다. The blocking plate 610 overlaps the communication hole 121 in a vertical direction, and may have a planar area equal to or greater than that of the communication hole 121 .

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110) 내측면과 상기 단열플레이트(120) 사이에 설치되며, 상기 지지샤프트(620)가 통과하는 설치개구(141)가 형성되는 반사판(140)을 추가로 포함하며, 상기 차단플레이트(610)는, 상기 설치개구(141)와 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 상기 설치개구(141)보다 같거나 클 수 있다. The process chamber 100 includes a reflector 140 installed between the inner surface of the chamber body 110 and the heat insulating plate 120 and having an installation opening 141 through which the support shaft 620 passes. In addition, the blocking plate 610 overlaps the installation opening 141 in a vertical direction, and may have a planar area equal to or larger than that of the installation opening 141 .

상기 차단플레이트(610)는, 상기 연통구(121)와 상기 상부배기포트(510) 사이에서 발생하는 급격한 기류변화에 따른 파손을 방지하기 위하여 다수의 미세홀이 형성될 수 있다.The blocking plate 610 may have a plurality of micro-holes formed therein to prevent damage due to rapid air flow change occurring between the communication hole 121 and the upper exhaust port 510 .

본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 기준 상하부에 추가적인 배기포트를 구비함으로써 원활한 가스기류 형성과 가스배기가 가능한 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage in that it is possible to smoothly form a gas stream and exhaust gas by providing additional exhaust ports at the top and bottom of the processing space.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상하부에 추가적인 배기포트를 구비함으로써 투입되는 가스 및 기판처리 과정에서 발생하는 부산물 및 이물질의 배기를 효과적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage of effectively exhausting gases introduced and by-products and foreign substances generated during the substrate processing process by providing additional exhaust ports at upper and lower portions.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 측면 뿐만 아니라, 상하부에 추가적인 배기포트를 구비함으로써, 공정에 따른 가스량의 변화에도 효과적으로 대응하여 와류 발생을 억제할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage of suppressing vortex generation by effectively responding to a change in gas amount according to a process by providing additional exhaust ports on the upper and lower sides as well as on the side.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 다수의 배기포트 각각의 온오프 제어를 통해 공정에 따른 가스량의 변화에 효과적으로 대응할 수 있으며, 처리공간에 대한 압력조절이 유리한 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention can effectively respond to a change in gas amount according to a process through on/off control of each of a plurality of exhaust ports, and has an advantage of adjusting pressure in the processing space.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 하측에 국부적으로 온도가 상승할 경우 하부에 위치하는 하부배기포트(520)를 개방함으로써 온도를 저하시킬 수 있어 국부적인 온도 상승에 대응하여 온도조절이 가능한 이점이 있다. In addition, in the substrate processing apparatus according to the present invention, when the temperature locally rises at the lower side, the temperature can be lowered by opening the lower exhaust port 520 located at the lower side, so that the temperature can be adjusted in response to the local temperature rise. There is an advantage.

끝으로, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상측으로의 원활한 배기를 유도하면서도, 부산물 및 이물질의 기판 상부로의 낙하를 방지하여 기판 품질을 유지할 수 있는 이점이 있다. Finally, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage of maintaining substrate quality by preventing by-products and foreign substances from falling onto the substrate while inducing smooth exhaust to the upper side.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치의 상부배기포트 모습을 보여주는 확대도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치의 하부배기포트 모습을 보여주는 확대도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치의 상부배기포트 측 모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는, 도 4에 따른 기판처리장치의 A부분의 모습을 보여주는 확대도이다.1 is a perspective view showing the appearance of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view showing an upper exhaust port of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 3 is an enlarged view showing a lower exhaust port of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view showing an upper exhaust port side of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 5 is an enlarged view showing a state of part A of the substrate processing apparatus according to FIG. 4 .

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서, 상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)들을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S) 내에 공정가스를 공급하는 가스공급배관부(300)와; 상기 공정챔버(100) 타측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관부(400)와; 상기 공정챔버(100) 상면 및 하면 중 적어도 하나에 구비되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 배기포트부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs substrate processing by arranging a plurality of substrates 1 spaced apart from each other in a vertical direction, wherein the substrates 1 are processed. a process chamber 100 forming a space (S); a substrate support unit 200 installed in the processing space S to support the substrates 1; a gas supply pipe part 300 communicating with the processing space S at one side of the process chamber 100 and supplying process gas into the processing space S; a gas exhaust pipe 400 communicating with the processing space (S) on the other side of the process chamber 100 and exhausting the processing space (S); An exhaust port 500 is provided on at least one of the upper and lower surfaces of the process chamber 100 to exhaust the processing space S.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 상면 중 상부배기포트(510) 하측에 이격 설치되어, 상부배기포트(510)로부터 처리공간(S)으로 이물질 낙하를 방지하는 차단부(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus according to the present invention is spaced apart from the lower side of the upper exhaust port 510 of the upper surface of the process chamber 100, and the processing space S is removed from the upper exhaust port 510. It may further include a blocking unit 600 to prevent foreign matter from falling.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 배기포트부(500)를 개방 또는 차단함으로써 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 제어밸브(700)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include a control valve 700 that controls exhaust to the processing space S by opening or blocking the exhaust port 500 .

여기서 본 발명에 따른 공정가스는, 기판처리를 위한 공정에서 사용되는 가스를 총칭하며, 보다 구체적으로는, 기판처리를 수행하기 위한 가스 및 공정 과정 중 발생할 수 있는 각종 흄(fume)과 흄을 통해 발생하는 각종 부산물을 배출하기 위한 퍼지가스 등을 통칭할 수 있다.Here, the process gas according to the present invention generally refers to gases used in a process for processing a substrate, and more specifically, through gases for performing substrate processing and various fumes and fumes that may occur during the process. A purge gas for discharging various by-products generated may be collectively referred to.

본 발명에 따른 처리대상인 기판(1)은, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함할 수 있다. The substrate 1 to be processed according to the present invention may include all substrates such as substrates used for display devices such as LEDs and LCDs, semiconductor substrates, and solar cell substrates.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리공정은 증착공정, 식각공정, 열처리공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히 기판(1)의 불순물을 제거하는 공정 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing process of the substrate processing apparatus according to the present invention may be understood as including a deposition process, an etching process, a heat treatment process, and the like, and may include a process of removing impurities from the substrate 1 in particular. .

상기 공정챔버(100)는, 전방에 기판(1)이 도입 및 배출되는 게이트가 형성되고, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 has a gate in front of which the substrate 1 is introduced and discharged, and a processing space S in which the substrate 1 is processed is formed therein, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)에 형성되는 개구부를 개폐하는 게이트밸브(미도시)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 100 may include a chamber body 110 and a gate valve (not shown) that opens and closes an opening formed in the chamber body 110 .

또한, 상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110) 내측면에 대응되어 구비되며 내부에 상기 처리공간(S)이 형성되는 단열플레이트(120)와, 상기 챔버본체(110)와 단열플레이트(120) 사이에 구비되는 반사판(140)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 includes an insulation plate 120 provided to correspond to the inner surface of the chamber body 110 and having the processing space S formed therein, the chamber body 110 and the insulation plate A reflector 140 provided between the 120 may be further included.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 단열플레이트(120)를 챔버본체(110) 내측면에 고정하기 위한 고정샤프트(130)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a fixing shaft 130 for fixing the heat insulating plate 120 to the inner surface of the chamber body 110 .

상기 챔버본체(110)는, 내부에 처리공간(S)을 형성하고, 전방에 기판(1)이 도입 및 배출되기 위한 개구부가 형성되는 구성으로서, 게이트밸브를 통해 개방 또는 폐쇄되어 기판(1)이 내부로 도입 및 반출될 수 있다.The chamber body 110 has a processing space S formed therein, and an opening through which the substrate 1 is introduced and discharged is formed at the front, and is opened or closed through a gate valve to allow the substrate 1 to pass through. It can be brought in and taken out.

한편, 상기 챔버본체(110)는, 복수의 기판(1) 처리를 위하여 수직방향으로 길게 형성될 수 있으며, 육면체를 가지고 전방측에 기판(1)이 도입 및 반출되는 개구부가 형성될 수 있다.Meanwhile, the chamber body 110 may be formed vertically long for processing a plurality of substrates 1, have a hexahedron, and may have an opening through which substrates 1 are introduced and taken out at the front side.

보다 구체적으로, 상기 챔버본체(110)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전방 측 전면에 다수의 기판(1)들이 상하방향으로 도입 및 반출되도록 개구부가 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 다수의 기판(1)들이 상하방향으로 서로 이격되어 각각 도입 및 반출되는 것에 대응되어 상하방향으로 다수의 슬롯(미도시)들이 형성되는 구성일 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 1, the chamber body 110 may have an opening formed on the front surface of the chamber body 110 so that a plurality of substrates 1 are introduced and taken out in a vertical direction. As another example, a number of It may be a configuration in which a plurality of slots (not shown) are formed in the vertical direction corresponding to the introduction and export of the substrates 1 spaced apart from each other in the vertical direction.

상기 게이트밸브(미도시)는, 기판(1)을 도입 및 반출하기 위하여 개구부를 개폐할 수 있다.The gate valve (not shown) may open and close an opening to introduce and take out the substrate 1 .

상기 단열플레이트(120)는, 챔버본체(110)의 내측면으로부터 일정간격 이격되어 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The insulating plate 120 is spaced apart from the inner surface of the chamber body 110 at a predetermined interval, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 단열플레이트(120)는, 챔버본체(110)의 6면의 내측면에 대응되어, 각각의 내측면으로부터 일정간격 이격되어 설치되는 플레이트 형상의 부재일 수 있다. For example, the heat insulation plate 120 may be a plate-shaped member installed at a predetermined distance from the inner surfaces of the six surfaces of the chamber body 110, respectively.

이로써, 상기 단열플레이트(120)는, 열처리 등의 기판처리가 수행될 때 뿐만 아니라, 공정과 공정 사이의 대기시간에서도 처리공간(S) 내의 온도를 일정수준으로 유지할 수 있다.Thus, the heat insulating plate 120 can maintain the temperature in the processing space S at a constant level not only when substrate processing such as heat treatment is performed, but also during the waiting time between processes.

한편, 상기 단열플레이트(120)는, 후술하는 배기포트부(500)와 처리공간(S)이 연통하도록 관통형성되는 연통구(121)를 포함할 수 있다.On the other hand, the heat insulation plate 120 may include a communication hole 121 through which an exhaust port 500 to be described later communicates with the processing space S.

즉, 상기 단열플레이트(120)는, 후술하는 가스공급배관(300)을 통해 공급되는 공정가스가 배기포트부(500)를 통해 배기되도록, 관통형성되어 처리공간(S)과 배기포트부(500) 사이를 연통하는 연통구(121)를 추가로 포함할 수 있다. That is, the heat insulating plate 120 is formed through the processing space S and the exhaust port 500 so that the process gas supplied through the gas supply pipe 300 to be described later is exhausted through the exhaust port 500. ) It may further include a communication port 121 communicating between them.

한편, 이때 상기 연통구(121)는, 배기포트부(500)와 평면 상 동일위치에 구비될 수 있으며, 이를 통해 처리공간(S)에서 배기포트부(500)로의 배기를 원활하게 유도할 수 있으며 처리공간(S) 또는 후술하는 차단부(600) 등 챔버본체(110) 내부 구성에 대한 유지보수를 용이하게 할 수 있다.Meanwhile, at this time, the communication port 121 may be provided at the same position as the exhaust port 500 on a plane, and through this, exhaust from the processing space S to the exhaust port 500 may be smoothly induced. It is possible to facilitate maintenance of the internal configuration of the chamber body 110, such as the processing space S or the blocking unit 600 to be described later.

또한, 다른 예로서, 상기 연통구(121)는, 배기포트부(500)를 통해 낙하하는 이물질 또는 부산물이 연통구(121)를 통해 기판(1) 상부면에 낙하하지 않도록, 평면 상 배기포트부(500)와 수직방향으로 중첩되지 않는 위치에 형성될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, as another example, the communication hole 121 is a flat exhaust port so that foreign substances or by-products falling through the exhaust port 500 do not fall on the upper surface of the substrate 1 through the communication hole 121. Of course, it can also be formed at a position that does not overlap with the unit 500 in the vertical direction.

상기 고정샤프트(130)는, 단열플레이트(120)를 챔버본체(110) 내측면에 고정하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The fixing shaft 130 is a configuration for fixing the insulation plate 120 to the inner surface of the chamber body 110, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 고정샤프트(130)는, 일단이 반사판(140)을 관통하여 챔버본체(110)의 내측면에 결합하고 타단이 단열플레이트(120)에 결합하여 설치될 수 있다.For example, the fixing shaft 130 may be installed such that one end penetrates the reflector 140 and is coupled to the inner surface of the chamber body 110 and the other end is coupled to the heat insulating plate 120 .

상기 반사판(140)은, 챔버본체(110) 내측면과 단열플레이트(120) 사이에 챔버본체(110) 내부에 대한 보온을 위하여 설치되는 구성일 수 있다.The reflector 140 may be installed between the inner surface of the chamber body 110 and the heat insulation plate 120 to keep the interior of the chamber body 110 warm.

이때, 상기 반사판(140)은, 후술하는 차단부(600) 및 지지샤프트(620)가 통과하여 설치되도록 설치개구(141)가 형성될 수 있다.At this time, the reflector 140 may have an installation opening 141 formed so that a blocking portion 600 and a support shaft 620, which will be described below, pass through and are installed.

이때, 상기 설치개구(141)는, 지지샤프트(620)가 통과하여 복수의 차단플레이트(610)에 결합되도록 차단플레이트(610)에 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 복수의 지지샤프트(620)가 통과하는 크기일 수 있다.At this time, the installation opening 141 may be formed in a size corresponding to the blocking plate 610 so that the support shaft 620 passes through and is coupled to the plurality of blocking plates 610, and the plurality of support shafts 620 may be the size that passes through.

상기 기판지지부(200)는, 처리공간(S)에 설치되어 기판(1)들을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support unit 200 is installed in the processing space S to support the substrates 1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 공정챔버(100)의 일측 내벽에서 타측 내벽 사이에 처리공간(S)을 가로지르도록 설치되는 기판지지로드(210)와, 기판지지로드(210)에 복수개 구비되어 기판(1)의 저면을 접촉하여 지지하는 기판지지핀(220)을 포함할 수 있다. For example, the substrate support unit 200 includes a substrate support rod 210 installed between one inner wall and the other inner wall of the process chamber 100 to cross the processing space S, and the substrate support rod 210 It may include a plurality of substrate support pins 220 provided in contact with and supporting the lower surface of the substrate 1 .

이때, 상기 기판지지로드(210)는, 기판(1)을 안정적으로 지지하도록 처리공간(S)을 가로질러 복수개가 수평으로 설치될 수 있으며, 공정챔버(100) 측면 사이 및 전후방에 각각 설치될 수 있다.At this time, a plurality of substrate support rods 210 may be horizontally installed across the processing space S to stably support the substrate 1, and may be installed between the sides and front and rear of the process chamber 100, respectively. can

상기 기판지지핀(220)은, 기판(1) 저면을 안정적으로 지지하도록 기판(1)의 저면 중 가장자리, 또는 평면 상 꼭지점에 대응되는 위치에 배치되어 기판(1)을 지지할 수 있다. The substrate support pin 220 may support the substrate 1 by being disposed at a position corresponding to an edge of the bottom surface of the substrate 1 or a vertex on a plane so as to stably support the bottom surface of the substrate 1 .

상기 히터부는, 처리공간(S)에 설치되어 기판(1)을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heater unit is installed in the processing space S to heat the substrate 1, and various configurations are possible.

이때, 상기 히터부는, 전술한 기판지지로드(210)와 같이, 처리공간(S)을 가로질러 설치되어 공정챔버(100)를 관통한 끝단을 통해 외부 전원을 공급받을 수 있다.At this time, the heater unit, like the substrate supporting rod 210 described above, may be installed across the processing space S and receive external power through an end penetrating the process chamber 100 .

또한, 상기 히터부는, 기판지지로드(210)와 인접한 위치에 배치되어 지지되는 기판(1)의 인접위치에서 기판(1)을 가열할 수 있다.In addition, the heater unit may be disposed at a position adjacent to the substrate support rod 210 to heat the substrate 1 at a position adjacent to the supported substrate 1 .

상기 가스공급배관부(300)는, 공정챔버(100)의 일측면에서 처리공간(S)과 연통되어, 처리공간(S) 내에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 구성일 수 있다.The gas supply pipe 300 may communicate with the processing space S at one side of the process chamber 100 to supply process gas for substrate processing into the processing space S.

이때, 상기 가스공급배관부(300)는, 외부 가스공급원(10)으로부터 공정챔버(100) 측으로의 공정가스를 전달 및 분사할 수 있다. At this time, the gas supply pipe 300 may transfer and spray process gas from the external gas supply source 10 toward the process chamber 100 .

예를 들면, 상기 가스공급배관부(300)는, 공정챔버(100)의 일측면에서 처리공간(S)과 연통하도록 설치되는 복수의 노즐(320)과, 복수의 노즐(320)들에 공통으로 연결되는 가스공급배관(310)과, 가스공급배관(310)에 설치되는 적어도 하나의 밸브(330)를 포함할 수 있다.For example, the gas supply pipe 300 is common to a plurality of nozzles 320 and a plurality of nozzles 320 installed to communicate with the processing space S on one side of the process chamber 100. It may include a gas supply pipe 310 connected to and at least one valve 330 installed in the gas supply pipe 310 .

복수의 노즐(320)은, 공정챔버(100) 측면에서 처리공간(S)과 연통하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of nozzles 320 are configured to communicate with the processing space S from the side of the process chamber 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 복수의 노즐(320)들은, 공정챔버(100)의 내 기판(1)의 높이에 대응되는 위치에 설치될 수 있으며, 수평방향으로 복수개가 정렬되어 설치될 수 있다.For example, the plurality of nozzles 320 may be installed at a position corresponding to the height of the substrate 1 within the process chamber 100, and may be installed in a plurality aligned in a horizontal direction.

즉, 상기 복수의 노즐(320)들은, 후술하는 가스공급배관(310)이 대응되는 기판(1)의 높이에서 수평방향으로 설치됨에 따라 가스공급배관(310)으로부터 공정챔버(100) 일측면을 관통하여 복수개가 설치될 수 있다. That is, as the plurality of nozzles 320 are installed in the horizontal direction at the height of the substrate 1 corresponding to the gas supply pipe 310 to be described later, one side of the process chamber 100 is removed from the gas supply pipe 310. A plurality may be installed through.

이로써, 상기 복수의 노즐(320)들은, 처리공간(S) 내 기판(1)에 공정가스를 공급할 수 있다. Thus, the plurality of nozzles 320 may supply process gas to the substrate 1 in the processing space S.

상기 가스공급배관(310)은, 복수의 노즐(320)들에 공통으로 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply pipe 310 is a configuration commonly connected to a plurality of nozzles 320, and various configurations are possible.

특히, 상기 가스공급배관(310)은, 복수의 노즐(320)들에 공통으로 연결된 상태에서 외부의 가스공급원(10)과 연결되어, 각 노즐(320)들에 공정가스를 공급하는 구성일 수 있다.In particular, the gas supply pipe 310 may be connected to an external gas supply source 10 while being connected to a plurality of nozzles 320 in common to supply process gas to each nozzle 320. there is.

상기 가스배기배관부(400)는, 공정챔버(100)의 타측면에서 처리공간(S)과 연통되어, 처리공간(S) 내 배기되는 공정가스를 흡입 및 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust pipe 400 communicates with the processing space S on the other side of the process chamber 100 to suck and transfer the process gas exhausted in the processing space S, and various configurations are possible. do.

이때, 상기 가스배기배관부(400)는, 복수의 가스공급배관부(300)에 대응하여, 처리공간(S)을 배기하기 위하여 공정가스를 흡입 및 외부로 전달하는 구성일 수 있다.In this case, the gas exhaust pipe part 400 may be configured to suck in and deliver process gas to the outside in order to exhaust the processing space S, corresponding to the plurality of gas supply pipe parts 300 .

예를 들면, 상기 가스배기배관부(400)는, 전술한 가스공급배관부(300)와 유사하게, 공정챔버(100)의 타측면에서 처리공간(S)과 연통하도록 설치되는 복수의 배기구(420)과, 복수의 배기구(420)들에 공통으로 연결되는 가스배기배관(410)과, 가스배기배관(410)에 설치되는 적어도 하나의 배기밸브(430)를 포함할 수 있다. For example, the gas exhaust pipe 400, similar to the above-described gas supply pipe 300, a plurality of exhaust ports installed to communicate with the processing space (S) on the other side of the process chamber 100 ( 420), a gas exhaust pipe 410 commonly connected to the plurality of exhaust ports 420, and at least one exhaust valve 430 installed in the gas exhaust pipe 410.

즉, 상기 가스배기배관부(400)는, 하나의 가스배기배관(410)을 기준으로 외부펌프(20)로의 배기되는 공정가스에 대한 전달단위를 구성할 수 있고, 이때 하나의 가스배기배관부(400)에는 복수의 배기구(420)가 포함될 수 있다.That is, the gas exhaust pipe 400 may constitute a delivery unit for the process gas exhausted to the external pump 20 based on one gas exhaust pipe 410. In this case, one gas exhaust pipe 400 may include a plurality of exhaust vents 420 .

복수의 배기구(420)은, 공정챔버(100) 측면에서 처리공간(S)과 연통하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of exhaust ports 420 are installed to communicate with the processing space S from the side of the process chamber 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 복수의 배기구(420)들은, 공정챔버(100) 내 기판(1) 높이에 대응되는 위치에 설치될 수 있으며, 수평방향으로 복수개가 정렬되어 설치될 수 있다.For example, the plurality of exhaust ports 420 may be installed at positions corresponding to the height of the substrate 1 in the process chamber 100, and may be installed in a plurality aligned in a horizontal direction.

즉, 상기 복수의 배기구(420)들은, 후술하는 가스배기배관(410)이 대응되는 기판(1)의 높이에서 수평방향으로 설치됨에 따라 가스배기배관(410)으로부터 공정챔버(100) 일측면을 관통하여 복수개가 설치될 수 있다. That is, the plurality of exhaust ports 420, as the gas exhaust pipe 410 to be described later is installed in the horizontal direction at the corresponding height of the substrate 1, one side of the process chamber 100 is removed from the gas exhaust pipe 410. A plurality may be installed through.

이로써, 상기 복수의 배기구(420)들은, 노즐(320)을 통해 공급된 공정가스가 기판(1) 상면을 지나 배기되도록 할 수 있다.Accordingly, the plurality of exhaust ports 420 may allow the process gas supplied through the nozzle 320 to be exhausted through the upper surface of the substrate 1 .

또한, 상기 복수의 배기구(420)들은, 기판(1)에 대응되어 복수개가 수평방향으로 설치됨으로써 각 기판(1)에 공급되는 공정가스의 배기를 독립적으로 제어할 수 있다.In addition, since the plurality of exhaust ports 420 are installed in a horizontal direction corresponding to the substrate 1 , the exhaust of the process gas supplied to each substrate 1 can be independently controlled.

상기 가스배기배관(410)은, 복수의 배기구(420)들에 공통으로 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust pipe 410 is a configuration commonly connected to a plurality of exhaust ports 420, and various configurations are possible.

특히, 상기 가스배기배관(410)은, 복수의 배기구(420)들에 공통으로 연결된 상태에서 외부의 가스배기장치, 즉 배기펌프와 연결되어, 각 배기구(420)들을 통해 처리공간(S)으로부터 공정가스 및 잔류가스들을 배기하는 구성일 수 있다. In particular, the gas exhaust pipe 410 is connected to an external gas exhaust device, that is, an exhaust pump, while being connected to the plurality of exhaust ports 420 in common, from the processing space S through the respective exhaust ports 420. It may be configured to exhaust process gas and residual gas.

이때, 상기 가스배기배관(410)은, 기판(1)의 높이에서 수평방향으로 길이를 가지고 설치되어 복수의 배기구(420)들이 수평방향으로 형성될 수 있다.At this time, the gas exhaust pipe 410 is installed to have a length in the horizontal direction from the height of the substrate 1, so that a plurality of exhaust outlets 420 may be formed in the horizontal direction.

한편 이러한 구성에도 공정에 따른 가스량의 증가, 온도 및 밀도 편차에 따른 수직기류의 형성 등의 원인으로 처리공간(S)에 와류가 발생하고 배기구(420)를 통한 배기가 원활하게 수행되지 못하는 문제점이 있다.On the other hand, even with this configuration, vortexes are generated in the processing space (S) due to causes such as an increase in the amount of gas according to the process and the formation of vertical air currents according to temperature and density deviations, and the exhaust through the exhaust port 420 is not smoothly performed. there is.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 공정챔버(100) 상면 또는 하면에 구비되어, 상기 가스배기배관부(400)와 함께 상기 처리공간(S)을 배기하는 배기포트부(500)를 포함할 수 있다. In order to improve this problem, the substrate processing apparatus according to the present invention is provided on the upper or lower surface of the process chamber 100, and the exhaust port exhausts the processing space (S) together with the gas exhaust pipe 400. It may include section 500 .

상기 배기포트부(500)는, 공정챔버(100) 상면 또는 하면 중 적어도 하나에 구비되어 처리공간(S)에 대한 배기를 수행하는 구성일 수 있다.The exhaust port unit 500 may be provided on at least one of the upper and lower surfaces of the process chamber 100 to exhaust the processing space S.

이때, 상기 배기포트부(500)는, 공정챔버(100) 내 처리공간(S)과 연통되어 처리공간(S)을 배기하는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하며, 단순 공정챔버(100) 상면 및 하면 중 적어도 하나에 형성되는 배기홀 또는 포트로 적용될 수 있다.At this time, the exhaust port part 500 can be applied to any configuration as long as it communicates with the processing space S in the process chamber 100 and exhausts the processing space S, and the upper surface of the simple process chamber 100 and It may be applied as an exhaust hole or port formed on at least one of the lower surfaces.

예를 들면, 상기 배기포트부(500)는, 공정챔버(100) 상면에 구비되는 상부배기포트(510)와, 공정챔버(100) 하면에 구비되는 하부배기포트(520)를 포함할 수 있다.For example, the exhaust port unit 500 may include an upper exhaust port 510 provided on an upper surface of the process chamber 100 and a lower exhaust port 520 provided on a lower surface of the process chamber 100. .

상기 상부배기포트(510)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 상면에 복수개 구비되는 구성으로서, 공정챔버(100) 상면 중 공정챔버(100) 중심을 기준으로 가스배기배관부(400) 측에 구비될 수 있다.As shown in FIG. 2, the upper exhaust port 510 is configured to be provided in plurality on the upper surface of the process chamber 100, and is a gas exhaust pipe part based on the center of the process chamber 100 among the upper surface of the process chamber 100. It may be provided on the (400) side.

즉, 상기 상부배기포트(510)는, 가스배기배관부(400)에 인접한 위치에 형성될 수 있다.That is, the upper exhaust port 510 may be formed at a position adjacent to the gas exhaust pipe 400 .

보다 구체적으로, 상기 상부배기포트(510)는, 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제1상부배기포트(511)와, 제1상부배기포트(511)에 가스배기배관부(400) 측에서 인접하여 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제2상부배기포트(512)를 포함할 수 있다.More specifically, the upper exhaust port 510 includes a plurality of first upper exhaust ports 511 arranged in a row from the front to the rear side of the process chamber 100, and gas exhaust to the first upper exhaust port 511. A plurality of second upper exhaust ports 512 disposed adjacent to the pipe part 400 and arranged in a line from the front to the rear of the process chamber 100 may be included.

상기 상부배기포트(510)는, 와류 발생 방지를 통해 처리공간(S)에 파티클 제거 및 압력조절을 수행할 수 있다.The upper exhaust port 510 can perform particle removal and pressure control in the processing space S through prevention of vortex generation.

특히, 상기 상부배기포트(510)는, 공정챔버(100)의 일측면에서 타측면 방향으로 2열로 형성됨으로써, 가스배기배관부(400) 측에 인접한 기판(1)의 가장자리로부터 가스배기배관부(400)가 형성된 측면까지 넓은 범위에서 발생하는 상단부 와류발생을 효과적으로 방지할 수 있다.In particular, the upper exhaust port 510 is formed in two rows from one side of the process chamber 100 to the other side, so that the gas exhaust pipe 510 is formed from the edge of the substrate 1 adjacent to the gas exhaust pipe 400 side. It is possible to effectively prevent the generation of vortices at the upper end occurring in a wide range up to the side surface where the 400 is formed.

한편 상기 제1상부배기포트(511)는, 와류 발생을 방지하면서, 처리공간(S) 압력조절 및 가스배기를 수행할 수 있으며, 기판(1)과 수직방향으로 중첩되는 위치에 구비되는 바, 열처리 공정 시 기판(1)에 영향을 미치는 것을 방지하기 위하여 차단하여 사용하지 않고, 냉각 또는 퍼지와 같이 기판(1)에 대한 처리가 수행되지 않는 공정 시 처리공간(S)의 파티클 제거효율을 향상하기 위하여 사용될 수 있다.On the other hand, the first upper exhaust port 511 can perform pressure control and gas exhaust in the processing space S while preventing vortex generation, and is provided at a position overlapping the substrate 1 in the vertical direction, In order to prevent the substrate 1 from being affected during the heat treatment process, it is not blocked and used, and the particle removal efficiency of the processing space S is improved during a process in which no treatment is performed on the substrate 1, such as cooling or purging. can be used to do

또한, 상기 제2상부배기포트(512)는, 와류 발생을 방지하면서, 처리공간(S) 압력조절 및 가스배기를 수행할 수 있으며, 기판(1)에 대한 처리가 수행되는 공정 및 기판(1)에 대한 처리가 직접 수행되지 않는 공정 모두에서 사용될 수 있다.In addition, the second upper exhaust port 512 can perform pressure control and gas exhaust in the processing space S while preventing vortex generation, and the process and substrate 1 in which the processing of the substrate 1 is performed ) can be used in all processes where the treatment for is not performed directly.

상기 상부배기포트(510)는, 제1상부배기포트(511)가 4개, 이에 평행하게 제2상부배기포트(512)가 4개 구비될 수 있으며, 제1상부배기포트(511)와 제2상부배기포트(512)는 서로 구분되어 개별적으로 동작할 수 있다.The upper exhaust port 510 may include four first upper exhaust ports 511 and four second upper exhaust ports 512 in parallel thereto, and the first upper exhaust port 511 and the second upper exhaust port 512 may be provided. The two upper exhaust ports 512 can be separated from each other and operated individually.

보다 구체적으로, 상기 제1상부배기포트(511)는, 평면 상 상기 기판(1)과 수직방향으로 중첩되는 위치에 구비되며, 상기 제2상부배기포트(512)는, 평면 상 상기 기판(1)과 상기 공정챔버(100) 내측면 사이에 구비될 수 있다.More specifically, the first upper exhaust port 511 is provided at a position overlapping the substrate 1 in a vertical direction on a plane, and the second upper exhaust port 512 is provided on a plane with the substrate 1 ) and the inner surface of the process chamber 100.

이로써, 상기 제1상부배기포트(511)는, 기판(1) 상부면에 인접한 위치에서 배기를 수행하는 바, 기판(1)이 지지된 상태에서는 후술하는 제어밸브(700)를 통해 차단상태를 유지하고, 처리공간(S)에 대한 전체 배기 또는 쿨링 수행 시 개방될 수 있다.Thus, the first upper exhaust port 511 performs exhaust at a position adjacent to the upper surface of the substrate 1, and in a state where the substrate 1 is supported, a blocking state is maintained through a control valve 700 to be described later. and may be opened when the entire exhaust or cooling of the processing space (S) is performed.

또한, 상기 제2상부배기포트(512)는, 기판(1)과 상대적으로 거리를 두고 형성되어 배기를 수행하는 바, 기판(1)에 대한 공정 수행 중 제어밸브(700)를 통해 개방되어 처리공간(S)에 대한 배기가 원활하도록 유도할 수 있다.In addition, the second upper exhaust port 512 is formed at a relatively distance from the substrate 1 to perform exhaust, and is opened through the control valve 700 during processing of the substrate 1. Exhaust to the space (S) can be induced to be smooth.

다만, 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 공정 중에도 제1상부배기포트(511)가 개방되는 등의 적용이 가능함은 또한 물론이다.However, it is not limited to the above-mentioned embodiment, and it is also possible to apply such that the first upper exhaust port 511 is opened even during the process.

상기 하부배기포트(520)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100) 하면 중 상기 공정챔버(100) 중심을 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측에 구비되는 구성일 수 있다.As shown in FIG. 3 , the lower exhaust port 520 may be provided on the side of the gas exhaust pipe 400 with respect to the center of the process chamber 100 among the lower surfaces of the process chamber 100 . there is.

즉, 상기 하부배기포트(520)는, 공정챔버(100) 중심을 기준으로 가스배기배관부(400)에 인접하는 위치에 구비될 수 있다.That is, the lower exhaust port 520 may be provided at a position adjacent to the gas exhaust pipe 400 based on the center of the process chamber 100 .

예를 들면, 상기 하부배기포트(520)는, 공정챔버(100) 하면에 서로 이격되어 2개가 구비될 수 있으며, 필요에 따라 복수개 또는 단수로 구비될 수 있다.For example, the lower exhaust port 520 may be provided with two spaced apart from each other on the lower surface of the process chamber 100, and may be provided in a plurality or singularly as needed.

한편, 상기 하부배기포트(520)는, 처리공간(S) 배기를 추가적으로 수행하여 원활한 배기를 유도할 수 있으며, 더 나아가 배기포트부(500) 주변의 온도 저하 효과를 고려하여, 처리공간(S) 하측 온도 상승 시 개방될 수 있다.On the other hand, the lower exhaust port 520 can induce smooth exhaust by additionally exhausting the processing space S, and further considering the effect of reducing the temperature around the exhaust port 500, the processing space S ) can be opened when the lower side temperature rises.

즉, 상기 하부배기포트(520)는, 처리공간(S)에 대한 온도조절을 수행하는 구성일 수 있다.That is, the lower exhaust port 520 may be configured to control the temperature of the processing space (S).

보다 구체적으로, 처리공간(S) 내 하측에서의 파티클 제거 관점의 배기는 상측에 비해 상대적으로 필요성이 낮은 바 상부배기포트(510)보다 작은 개수로 구비될 수 있으며, 공정챔버(100) 저면에 하강기류 등에 의해 온도가 국부적으로 상승하는 경우 개방을 통해 온도를 저하시킬 수 있다.More specifically, the exhaust from the viewpoint of removing particles from the lower side within the processing space (S) may be provided in a smaller number than the upper exhaust port 510, since the necessity is relatively lower than that of the upper side, and When the temperature locally rises due to a downdraft or the like, the temperature can be lowered through opening.

상기 차단부(600)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 상면 중 상부배기포트(510) 하측에 이격 설치되어, 상부배기포트(510)로부터 처리공간(S)으로 이물질 낙하를 방지하는 구성일 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 5 , the blocking unit 600 is spaced apart from the lower side of the upper exhaust port 510 of the upper surface of the process chamber 100, and the processing space S is removed from the upper exhaust port 510. It may be configured to prevent foreign matter from falling.

예를 들면, 상기 차단부(600)는, 상기 상부배기포트(510)로부터 하측으로 이격되며 평면 상 상기 상부배기포트(510)보다 넓은 면적으로 설치되는 차단플레이트(610)와, 일단이 상기 차단플레이트(610)에 설치되고 타단이 상기 공정챔버(100) 상면에 설치되어 상기 차단플레이트(610)를 지지하는 지지샤프트(620)를 포함할 수 있다.For example, the blocking portion 600 includes a blocking plate 610 spaced downward from the upper exhaust port 510 and installed in a larger area than the upper exhaust port 510 on a plane, and one end of the blocking plate 610. It may include a support shaft 620 installed on the plate 610 and the other end installed on the upper surface of the process chamber 100 to support the blocking plate 610 .

상기 차단플레이트(610)는, 상부배기포트(510)로부터 하측으로 이격되며 평면 상 상부배기포트(510)보다 넓은 면적으로 설치되는 구성으로서, 상부배기포트(510)로부터 낙하하는 이물질이 처리공간(S) 내부 특히, 기판(1)에 낙하하는 것을 방지하는 구성일 수 있다.The blocking plate 610 is spaced downward from the upper exhaust port 510 and is installed in a larger area than the upper exhaust port 510 on a plane, and foreign substances falling from the upper exhaust port 510 are disposed in the processing space ( S) In particular, it may be configured to prevent falling to the substrate 1.

이때, 상기 차단플레이트(610)는, 세라믹 재질의 플레이트로 구비될 수 있다.At this time, the blocking plate 610 may be provided as a plate made of a ceramic material.

한편, 상기 차단플레이트(610)는, 다른 예로서, 배기를 통한 처리공간(S)에 대한 압력조절을 고려하여 복수의 미세홀이 형성될 수 있다. Meanwhile, in the blocking plate 610, as another example, a plurality of fine holes may be formed in consideration of pressure control in the processing space S through exhaust.

보다 구체적으로, 상기 차단플레이트(610)는, 연통구(121)와 상부배기포트(510) 사이에서 발생하는 급격한 기류변화에 따른 파손을 방지하기 위하여 다수의 미세홀이 형성될 수 있다.More specifically, a plurality of fine holes may be formed in the blocking plate 610 to prevent damage due to rapid air flow change occurring between the communication hole 121 and the upper exhaust port 510 .

이때, 다수의 미세홀은 원활한 기체 흐름을 유도하면서 미립자의 파티클 등은 통과하지 못하는 수준의 내경을 가지도록 형성될 수 있다.In this case, the plurality of microholes may be formed to have an inner diameter at a level where particles of fine particles do not pass through while inducing smooth gas flow.

또한, 상기 차단플레이트(610)는, 연통구(121)과 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 연통구(121)보다 같거나 클 수 있다.In addition, the blocking plate 610 overlaps with the communication hole 121 in the vertical direction, and may have a planar area equal to or greater than that of the communication hole 121 .

또한, 상기 차단플레이트(610)는, 전술한 설치개구(141)와 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 설치개구(141)보다 같거나 클 수 있다.In addition, the blocking plate 610 overlaps the above-described installation opening 141 in a vertical direction, and may have a planar area equal to or greater than that of the installation opening 141 .

즉, 상기 차단플레이트(610)는, 연통구(121) 및 설치개구(141)와 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있으며, 이때 평면 상 면적이 연통구(121) 및 설치개구(141)보다 크도록 형성됨으로써, 효과적으로 파티클 낙하를 방지할 수 있다.That is, the blocking plate 610 may be arranged to overlap the communication hole 121 and the installation opening 141 in the vertical direction, and at this time, the area on a plane is larger than the communication hole 121 and the installation opening 141. By being formed so as to, it is possible to effectively prevent falling particles.

상기 지지샤프트(620)는, 일단이 차단플레이트(610)에 설치되고 타단이 공정챔버(100) 상면에 설치되어 차단플레이트(610)를 지지하는 구성일 수 있다.The support shaft 620 may have a structure in which one end is installed on the blocking plate 610 and the other end is installed on the upper surface of the process chamber 100 to support the blocking plate 610 .

즉, 상기 지지샤프트(620)는, 차단플레이트(610)가 챔버본체(110)로부터 일정간격 이격되어 설치되도록 차단플레이트(610)를 지지하는 구성일 수 있다.That is, the support shaft 620 may support the blocking plate 610 so that the blocking plate 610 is installed at a predetermined interval from the chamber body 110 .

이를 위하여, 상기 지지샤프트(620)는, 챔버본체(110)에 결합된 상태에서 전술한 반사판(140)의 설치개구(141)를 통과하여 차단플레이트(610)의 가장자리 측에 결합될 수 있다.To this end, the support shaft 620 may pass through the installation opening 141 of the reflector 140 and be coupled to the edge side of the blocking plate 610 while being coupled to the chamber body 110 .

따라서, 상기 지지샤프트(620는, 안정적인 차단플레이트(610) 지지를 위하여 복수개 구비될 수 있다.Accordingly, a plurality of support shafts 620 may be provided to stably support the blocking plate 610 .

한편, 상기 지지샤프트(620)는, 차단플레이트(610)와 상부배기포트(510) 사이간격을 조절할 수 있으며, 이를 통해 차단플레이트(610)와 챔버본체(110) 사이 간격이 조절되어 상부배기포트(510)를 통해 배기되는 배기량을 조절할 수 있다.Meanwhile, the support shaft 620 can adjust the distance between the blocking plate 610 and the upper exhaust port 510, and through this, the distance between the blocking plate 610 and the chamber body 110 is adjusted to adjust the upper exhaust port The amount of exhaust exhausted through 510 can be adjusted.

보다 구체적으로, 상기 지지샤프트(620)는, 공정챔버(100) 상면을 관통하여 설치된 상태에서 상면외측에서 결합되는 너트(미도시)를 회전시켜 차단플레이트(610)의 높이를 조절할 수 있다.More specifically, the support shaft 620 may adjust the height of the blocking plate 610 by rotating a nut (not shown) coupled from the outside of the upper surface in a state in which the support shaft 620 penetrates the upper surface of the process chamber 100 .

이로써, 상기 지지샤프트(620)는, 차단플레이트(610)를 상부배기포트(510) 측으로 이동시켜 이들 사이 간격을 줄임으로써 배기유량을 감소할 수 있다.Thus, the support shaft 620 can reduce the exhaust flow rate by moving the blocking plate 610 toward the upper exhaust port 510 and reducing the gap between them.

상기 제어밸브(700)는, 배기포트부(500)를 개방 또는 차단함으로써 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The control valve 700 controls the exhaust air to the processing space S by opening or blocking the exhaust port 500, and various configurations are possible.

이때, 상기 제어밸브(700)는, 단순히 배기포트부(500)를 개방 또는 차단하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서, 배기포트부(500)에 설치되어 배기포트부(500)의 개방 정도를 조절함으로써 배기량을 조절하는 구성일 수도 있다.At this time, the control valve 700 may simply open or block the exhaust port 500. As another example, the control valve 700 may be installed in the exhaust port 500 to control the degree of opening of the exhaust port 500. It may be configured to adjust the displacement by adjusting.

한편, 상기 제어밸브(700)는, 비록 상부배기포트(510)에만 구비되는 것으로 도시되었으나, 이는 하나의 실시예에 불과하고, 하부배기포트(520)에 함께 또는 하부배기포트(520)에만 설치될 수 있음은 또한 물론이다.On the other hand, although the control valve 700 is illustrated as being provided only in the upper exhaust port 510, this is only one embodiment and is installed together with the lower exhaust port 520 or only in the lower exhaust port 520. It can also be, of course.

상기 제어밸브(700)는, 처리공간(S) 압력을 직접 또는 간접적으로 측정하는 압력센서를 통해 측정된 처리공간(S) 압력을 토대로 배기포트부(500)를 개방 또는 차단할 수 있다.The control valve 700 may open or block the exhaust port 500 based on the pressure in the processing space S measured by a pressure sensor that directly or indirectly measures the pressure in the processing space S.

이때, 상기 압력센서를 통해 처리공간(S)에 대한 압력을 측정할 수 있으며, 처리공간(S)에 대한 압력이 기 설정된 압력보다 높은 경우, 상기 제어밸브(700)를 통해 배기포트부(500)의 개도를 증가시키고, 처리영역(S)에 대한 압력이 기 설정된 압력보다 낮은 경우, 제어밸브(700)를 통해 배기포트부(500)의 개도를 감소시킬 수 있다.At this time, the pressure in the processing space (S) can be measured through the pressure sensor, and when the pressure in the processing space (S) is higher than the preset pressure, the exhaust port part (500) through the control valve (700). ) is increased, and when the pressure in the processing region (S) is lower than the preset pressure, the opening degree of the exhaust port 500 may be decreased through the control valve 700.

또한 다른 예로서, 상기 제어밸브(700)는, 처리공간(S) 가열을 통한 기판처리 시 제2상부배기포트(512)만을 개방하고, 처리공간(S)에 대한 쿨링 시 제1상부배기포트(511) 및 제2상부배기포트(512)를 모두 개방할 수 있다.As another example, the control valve 700 opens only the second upper exhaust port 512 when processing the substrate by heating the processing space S, and opens the first upper exhaust port when cooling the processing space S. 511 and the second upper exhaust port 512 may both be open.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명한 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the technical skills of the present invention described above It will be said that all ideas and technical ideas accompanying the root are included in the scope of the present invention.

1: 기판 100: 공정챔버
200: 기판지지부 300: 가스공급배관부
400: 가스배기배관부 500: 배기포트부1: substrate 100: process chamber
200: substrate support 300: gas supply piping
400: gas exhaust pipe part 500: exhaust port part

Claims (16)

복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서,
상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와;
상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)들을 지지하는 기판지지부(200)와;
상기 공정챔버(100) 일측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S) 내에 공정가스를 공급하는 가스공급배관부(300)와;
상기 공정챔버(100) 타측면에서 상기 처리공간(S)과 연통되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관부(400)와;
상기 공정챔버(100) 상면 및 하면 중 적어도 하나에 구비되어, 상기 처리공간(S)을 배기하는 배기포트부(500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. As a substrate processing apparatus for performing substrate processing by arranging a plurality of substrates 1 spaced apart from each other in the vertical direction,
a process chamber 100 forming a processing space S in which the substrates 1 are processed;
a substrate support unit 200 installed in the processing space S to support the substrates 1;
a gas supply pipe part 300 communicating with the processing space S at one side of the process chamber 100 and supplying process gas into the processing space S;
a gas exhaust pipe 400 communicating with the processing space (S) on the other side of the process chamber 100 and exhausting the processing space (S);
The substrate processing apparatus comprising an exhaust port 500 provided on at least one of the upper and lower surfaces of the process chamber 100 to exhaust the processing space (S). 청구항 1에 있어서,
상기 배기포트부(500)는,
상기 공정챔버(100) 상면 중 상기 공정챔버(100) 중심을 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측에 구비되는 하나 이상의 상부배기포트(510)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The exhaust port part 500,
The substrate processing apparatus comprising one or more upper exhaust ports 510 provided on the side of the gas exhaust pipe 400 based on the center of the process chamber 100 among the upper surfaces of the process chamber 100. 청구항 2에 있어서,
상기 상부배기포트(510)는,
상기 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제1상부배기포트(511)와, 상기 제1상부배기포트(511)를 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측으로 인접한 위치에서 상기 공정챔버(100) 전방에서 후방 측 방향으로 일렬로 복수개 배치되는 제2상부배기포트(512)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
The upper exhaust port 510,
A plurality of first upper exhaust ports 511 disposed in a row from the front to the rear side of the process chamber 100, and a position adjacent to the gas exhaust pipe 400 based on the first upper exhaust port 511 In the process chamber 100, the substrate processing apparatus characterized in that it comprises a plurality of second upper exhaust ports 512 arranged in a row in the direction from the front to the rear side. 청구항 3에 있어서,
상기 제1상부배기포트(511)는,
상기 기판(1)과 수직방향으로 중첩되며,
상기 제2상부배기포트(512)는,
평면 상 상기 기판(1)과 상기 공정챔버(100) 내측면 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 3,
The first upper exhaust port 511,
It overlaps with the substrate 1 in the vertical direction,
The second upper exhaust port 512,
A substrate processing apparatus characterized in that it is provided between the substrate 1 and the inner surface of the process chamber 100 on a plane. 청구항 1에 있어서,
상기 배기포트부(500)는,
상기 공정챔버(100) 하면 중 상기 공정챔버(100) 중심을 기준으로 상기 가스배기배관부(400) 측에 구비되는 하나 이상의 하부배기포트(520)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The exhaust port part 500,
The substrate processing apparatus comprising one or more lower exhaust ports 520 provided on the side of the gas exhaust pipe 400 based on the center of the process chamber 100 among the lower surfaces of the process chamber 100. 청구항 2에 있어서,
상기 공정챔버(100) 상면 중 상기 상부배기포트(510) 하측에 이격 설치되어, 상기 상부배기포트(510)로부터 상기 처리공간(S)으로 이물질 낙하를 방지하는 차단부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
A blocking part 600 is installed on the lower side of the upper exhaust port 510 of the upper surface of the process chamber 100 and prevents foreign substances from falling from the upper exhaust port 510 into the processing space S. A substrate processing apparatus characterized in that for doing. 청구항 6에 있어서,
상기 차단부(600)는,
상기 상부배기포트(510)로부터 하측으로 이격되며 평면 상 상기 상부배기포트(510)보다 넓은 면적으로 설치되는 차단플레이트(610)와, 일단이 상기 차단플레이트(610)에 설치되고 타단이 상기 공정챔버(100) 상면에 설치되어 상기 차단플레이트(610)를 지지하는 지지샤프트(620)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 6,
The blocking unit 600,
A blocking plate 610 spaced downward from the upper exhaust port 510 and installed in a larger area than the upper exhaust port 510 on a plane, and one end installed on the blocking plate 610 and the other end installed in the process chamber (100) A substrate processing apparatus comprising a support shaft 620 installed on an upper surface to support the blocking plate 610. 청구항 7에 있어서,
상기 지지샤프트(620)는,
상기 차단플레이트(610)와 상기 상부배기포트(510) 사이간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 7,
The support shaft 620,
The substrate processing apparatus, characterized in that for adjusting the gap between the blocking plate 610 and the upper exhaust port (510). 청구항 7에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110) 내측면에 대응되어 구비되며 내부에 상기 처리공간(S)이 형성되는 단열플레이트(120)를 포함하며,
상기 단열플레이트(120)는,
상기 배기포트부(500)와 상기 처리공간(S)이 연통하도록 관통형성되는 연통구(121)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7,
The process chamber 100,
It includes a chamber body 110 and an insulating plate 120 provided to correspond to the inner surface of the chamber body 110 and having the processing space S formed therein,
The insulation plate 120,
A substrate processing apparatus comprising a communication hole 121 penetrating so that the exhaust port 500 communicates with the processing space S. 청구항 9에 있어서,
상기 연통구(121)는,
상기 배기포트부(500)와 수직방향으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The communication port 121,
Substrate processing apparatus, characterized in that overlapping in the vertical direction with the exhaust port portion (500). 청구항 1에 있어서,
상기 배기포트부(500)에 대한 개도를 제어하여 상기 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 제어밸브(700)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising a control valve 700 for adjusting the exhaust to the processing space (S) by controlling the opening of the exhaust port part (500). 청구항 11에 있어서,
상기 처리공간(S) 압력을 직접 또는 간접적으로 측정하는 압력센서를 포함하며,
상기 제어밸브(700)는,
상기 압력센서를 통해 측정된 상기 처리공간(S) 압력을 토대로 상기 배기포트부(500)에 대한 개도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
A pressure sensor for directly or indirectly measuring the pressure of the processing space (S),
The control valve 700,
The substrate processing apparatus characterized in that the opening degree of the exhaust port portion (500) is adjusted based on the pressure of the processing space (S) measured through the pressure sensor. 청구항 4에 있어서,
상기 배기포트부(500)를 개방 또는 차단함으로써 상기 처리공간(S)에 대한 배기를 조절하는 제어밸브(700)를 추가로 포함하며,
상기 제어밸브(700)는,
상기 처리공간(S) 가열을 통한 기판처리 시 상기 제2상부배기포트(512)만을 개방하고, 상기 처리공간(S)에 대한 쿨링 시 상기 제1상부배기포트(511) 및 상기 제2상부배기포트(512)를 모두 개방하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 4,
It further includes a control valve 700 for controlling the exhaust to the processing space (S) by opening or blocking the exhaust port part 500,
The control valve 700,
When substrate processing is performed by heating the processing space (S), only the second upper exhaust port 512 is opened, and when cooling the processing space (S), the first upper exhaust port 511 and the second upper exhaust port 511 are exhausted. A substrate processing apparatus characterized in that all ports 512 are opened. 청구항 9에 있어서,
상기 차단플레이트(610)는,
상기 연통구(121)과 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 상기 연통구(121)보다 같거나 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 9,
The blocking plate 610,
Substrate processing apparatus, characterized in that it overlaps with the communication hole 121 in the vertical direction, and the area on a plane is equal to or larger than that of the communication hole 121. 청구항 9에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110) 내측면과 상기 단열플레이트(120) 사이에 설치되며, 상기 지지샤프트(620)가 통과하는 설치개구(141)가 형성되는 반사판(140)을 추가로 포함하며,
상기 차단플레이트(610)는,
상기 설치개구(141)와 수직방향으로 중첩되며, 평면 상 면적이 상기 설치개구(141)보다 같거나 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 9,
The process chamber 100,
It is installed between the inner surface of the chamber body 110 and the heat insulation plate 120, and further includes a reflector 140 having an installation opening 141 through which the support shaft 620 passes,
The blocking plate 610,
A substrate processing apparatus characterized in that it overlaps with the installation opening 141 in the vertical direction and has a plane area equal to or larger than that of the installation opening 141. 청구항 9에 있어서,
상기 차단플레이트(610)는,
상기 연통구(121)와 상기 상부배기포트(510) 사이에서 발생하는 급격한 기류변화에 따른 파손을 방지하기 위하여 다수의 미세홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 9,
The blocking plate 610,
Substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of fine holes are formed to prevent damage due to rapid air flow change occurring between the communication hole 121 and the upper exhaust port 510.
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