KR20230054717A - 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 - Google Patents

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KR20230054717A
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마코토 츠키야마
아츠시 모리카미
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토와 가부시기가이샤
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Abstract

간편한 구성으로 성형 정밀도를 향상시키는 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공한다. 기판(11) 상에 칩(13)이 배치된 성형 대상물을 유지하고, 게이트로부터 수지 재료(Ta)가 공급되는 캐비티(MC)를 갖는 성형몰드(C)와, 성형몰드(C)를 몰드 클램핑 하는 몰드 클램핑 기구와, 성형몰드(C) 및 몰드 클램핑 기구의 작동을 제어하는 제어부(6)를 구비하고, 성형몰드(C)는 칩(13)이 배치되어 있지 않은 캐비티(MC)의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히는 가동 블록(16)과, 가동 블록(16)을 유체에 의해 구동시키는 구동 기구(Ds)를 포함하고 있으며, 제어부(6)는 성형 대상물을 수지 성형할 때, 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시키는 제어를 실행한다.

Description

수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
본 개시는 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법에 관한 것이다.
칩이 실장된 기판 등은 일반적으로 수지 밀봉함으로써 전자 부품으로 이용된다. 종래에 기판 등을 수지 밀봉하기 위한 수지 성형 장치로서, BGA(ball grid array) 등의 기판을 수지 밀봉하여 반도체 패키지를 제조하는 트랜스퍼 성형용 수지 성형 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1에 기재된 수지 성형 장치를 이용한 수지 성형품의 제조 방법은 기판이 존재하지 않는 캐비티의 내부 유로의 대략 전역에 설치된 상형 캐비티 피스(Cavity Piece)의 단면(端面)이 기판의 칩 접속면과 동일한 평면이 되도록 상형 캐비티 피스를 압축 코일 스프링의 가압력에 의해 이동시킨 후 캐비티에 용융 수지를 공급하는 것이다. 이 때, 상형 캐비티 피스의 단면에 작용하는 용융 수지로부터의 힘이 상형 캐비티 피스를 가압하는 압축 코일 스프링의 가압력을 상회함으로써, 상형 캐비티 피스가 점차 상승한다. 이어서, 상형 캐비티 피스를 고정한 상태에서 하형을 상승시키고, 캐비티 용적을 축소시켜 캐비티로의 용융 수지의 충진을 완료하는 것이다.
일본 특허공개공보 특개2019-181872호
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 수지 성형 장치는, 가압력이 미리 설정된 압축 코일 스프링에 의해 상형 캐비티 피스를 소정 위치까지 이동시키기 때문에, 제품의 종류에 따라 가압력이 서로 다른 코일 스프링을 준비하는 것을 필요로 하는 경우가 있어 효율적이지 않다. 또한, 압축 코일 스프링의 가압력이 큰 경우, 몰드 개방 시에 성형 수지에 부하가 걸려 수지 성형품에 흠집이 생길 우려가 있다.
따라서, 간편한 구성으로 성형 정밀도를 향상시키는 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법이 요구되고 있다.
본 개시에 따른 수지 성형 장치의 특징 구성은, 기판 상에 칩이 배치된 성형 대상물을 유지하고, 수지 재료가 공급되는 캐비티를 갖는 성형몰드와, 상기 성형몰드를 몰드 클램핑 하는 몰드 클램핑 기구와, 상기 성형몰드 및 상기 몰드 클램핑 기구의 작동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 성형몰드는 상기 칩이 배치되어 있지 않은 상기 캐비티의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히는 가동 블록과, 해당 가동 블록을 유체에 의해 구동시키는 구동 기구를 포함하고 있으며, 상기 제어부는 상기 성형 대상물을 수지 성형할 때, 상기 구동 기구의 구동력을 변화시키는 제어를 실행하는 점에 있다.
본 개시에 따른 수지 성형품의 제조 방법의 특징은, 게이트로부터 공급된 수지 재료를 캐비티에 충진시킴으로써, 기판 상에 칩이 배치된 성형 대상물의 수지를 성형하는 성형 공정을 포함하고, 상기 성형 공정에서는 유체에 의해 구동시키는 구동 기구에 의해 가동 블록을 이동시켜 상기 칩이 배치되어 있지 않은 상기 캐비티의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히고, 상기 구동 기구에 의한 구동력을 변화시키면서 상기 성형 대상물의 수지를 성형하는 점에 있다.
본 개시에 따르면, 간편한 구성으로 성형 정밀도를 향상시키는 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 수지 성형 장치를 도시한 모식도이다.
도 2는 성형 모듈의 개략도이다.
도 3은 성형몰드의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 5는 수지 성형 시의 제어 흐름도이다.
도 6은 수지 성형 시의 가동 블록의 작동을 설명하는 도면이다.
도 7은 다른 실시 형태 1에 따른 성형몰드의 개략적인 평면도이다.
도 8은 다른 실시 형태 2에 따른 성형몰드의 개략적인 평면도이다.
이하, 본 개시에 따른 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법의 실시 형태에 대해 도면에 의거하여 설명한다. 다만, 이하의 실시 형태에 한정되지 않으며, 그 요지에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다.
[장치 구성]
반도체 칩(이하, 간단하게 '칩'이라고 하는 경우가 있음)이 실장된 기판 등의 성형 대상물은 수지 밀봉함으로써 전자 부품으로 이용된다. 이 전자 부품은, 예를 들면 휴대 통신 단말기용 고주파 모듈 기판, 전력 제어용 모듈 기판, 기기 제어용 기판 등으로 이용된다. 성형 대상물을 수지 밀봉하는 기술의 하나로서, BGA(ball grid array) 기판 등을 수지 밀봉하여 반도체 패키지를 제조하는 트랜스퍼 방식이 있다. 이 트랜스퍼 방식은 칩이 실장된 기판 등을 성형몰드의 캐비티에 수용하고, 성형몰드의 포트에 분립체 형상의 수지를 굳힌 수지 태블릿을 공급하여 가열, 용융한 후, 해당 성형몰드를 몰드 클램핑한 상태에서 수지 태블릿이 용융된 용융 수지를 캐비티에 공급하여 경화시키고, 몰드 개방하여 수지 성형품을 제조하는 방식이다.
종래의 트랜스퍼 방식은 수지 성형품에 보이드(기포)가 발생하면 성형 불량의 원인이 되기 때문에, 성형몰드에 에어벤트를 설치하여 보이드를 방지하기 위해 기판이나 칩의 형상 등에 따라 에어벤트 등의 위치를 최적의 것으로 설계할 필요가 있다. 또한, 최적의 에어벤트를 설치했다 하더라도 칩이나 저항, 콘덴서 등이 존재하지 않는 기판의 영역 쪽이, 칩 등이 존재하는 영역에 비해 용융 수지의 유동 속도가 상대적으로 커져, 이 속도차에 기인하여 측방 영역에서 칩 존재 영역으로 용융 수지가 돌아서 들어가 공기(용융 수지에서 발생하는 가스를 포함함)를 둘러싸기 때문에, 보이드가 발생하기 쉽다. 특히, 기판에 돌기 형상의 전극을 통해 칩을 갖는 플립 칩 기판을 몰드 언더필 하는 경우, 기판과 칩 사이의 폭이 좁은 영역에서 용융 수지의 유동 속도가 작아지기 때문에, 칩이 존재하지 않는 영역에서 폭이 좁은 영역으로 용융 수지가 돌아서 들어가 보이드가 발생하기 쉽다. 그 결과, 수지 성형품의 성형 불량이 발생하는 문제가 있었다.
따라서, 본 실시 형태에서는 간편한 구성으로 성형 정밀도를 향상시키는 수지 성형 장치(D) 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공한다. 이하, 평면에서 봤을 때 직사각형 형상의 플립 칩 기판을 성형 대상물의 일례로 설명하고, 중력 방향을 아래, 중력 방향과는 반대 방향을 위로 해서 설명하는 경우가 있다.
도 1에는 수지 성형 장치(D)의 모식도가 도시되어 있다. 본 실시 형태에서의 수지 성형 장치(D)는 성형 모듈(3)과 공급 모듈(4)과 제어부(6)와 반송 기구를 구비하고 있다. 성형 모듈(3)은 성형 대상물을 분립체 형상의 수지 또는 액상 수지로 수지 밀봉하기 위한 성형몰드(C)를 포함하고 있다. 제어부(6)는 수지 성형 장치(D)의 작동을 제어하는 소프트웨어로서 HDD나 메모리 등의 하드웨어에 저장된 프로그램을 포함하고 있으며, 컴퓨터의 ASIC, FPGA, CPU 또는 다른 하드웨어를 포함하는 프로세서에 의해 실행된다. 즉, 제어부(6)는 도 5에 도시한 플로우 차트(프로그램) 등을 실행하는 프로세서를 구비하고 있다.
또한, 분립체 형상 수지는 분립체 형상의 수지뿐만 아니라, 분립체 형상의 수지를 눌러 굳힌 고형 수지로 형성되는 수지 태블릿을 포함하고 있으며, 모두 가열에 의해 용융되어 액상이 되는 용융 수지가 된다. 이 분립체 형상 수지는 열가소성 수지여도 열경화성 수지여도 좋다. 열경화성 수지는 가열하면 점도가 낮아지고, 더 가열하면 중합하여 경화되어 경화 수지가 된다. 본 실시 형태에서의 분립체 형상 수지는 취급의 용이성 때문에, 고형 수지로 형성되는 수지 태블릿이 바람직하며, 더욱이 칩과 기판 사이에 용융 수지를 확실하게 충진하기 위해 미립자화 한 필러를 포함하는 고유동성의 열경화성 수지인 것이 바람직하다.
성형 모듈(3)은 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물의 일례)을 수지 밀봉하여 수지 밀봉된 기판(Sb)(수지 성형품의 일례)을 성형한다. 이 성형 모듈(3)은 복수(본 실시 형태에서는 3개) 설치되어 있으며, 각각의 성형 모듈(3)을 독립적으로 장착 또는 분리할 수 있다. 성형 모듈(3)의 상세한 내용은 후술한다.
공급 모듈(4)은 기판 공급 기구(43)와 기판 정렬 기구(44)와 수지 공급 기구(45)와 기판 수용부(46)를 포함하고, 반송 기구에 포함되는 로더(41)와 언로더(42)의 대기 위치가 된다. 기판 공급 기구(43)는 스톡하고 있는 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 기판 정렬 기구(44)로 전달한다. 수지 밀봉 전 기판(Sa)에는 1개의 반도체 칩이, 또는 복수 개의 반도체 칩이 세로 방향 및/또는 가로 방향으로 정렬하여 실장되어 있다. 기판 정렬 기구(44)는 기판 공급 기구(43)로부터 전달된 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 반송에 적합한 상태로 한다. 수지 공급 기구(45)는 수지 태블릿(T)을 스톡하고 있으며, 수지 태블릿(T)을 반송에 적합한 상태로 배치한다.
반송 기구는 수지 밀봉 전의 반도체 칩이 실장된 수지 밀봉 전 기판(Sa)이나 수지 태블릿(T)을 반송하는 로더(41)와, 수지 밀봉 후의 수지 밀봉된 기판(Sb)을 반송하는 언로더(42)를 포함하고 있다. 로더(41)는 기판 정렬 기구(44)로부터 복수(본 실시 형태에서는 4개)의 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 전달받고, 또한 수지 공급 기구(45)로부터 복수(본 실시 형태에서는 6개)의 수지 태블릿(T)를 전달받아 레일 상을 공급 모듈(4)로부터 각 성형 모듈(3)까지 이동하여, 각 성형 모듈(3)에 수지 밀봉 전 기판(Sa)과 수지 태블릿(T)을 전달할 수 있다. 언로더(42)는 수지 밀봉된 기판(Sb)을 성형 모듈(3)로부터 취출하여 레일 상을 각 성형 모듈(3)에서 기판 수용부(46)까지 이동하여, 기판 수용부(46)에 수지 밀봉된 기판(Sb)을 수용할 수 있다. 수지 밀봉된 기판(Sb)에서는 반도체 칩이 용융 수지가 고화된 경화 수지에 의해 밀봉되어 있다.
이하, 성형 모듈(3)에 대해 상술한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 성형 모듈(3)은 평면에서 봤을 때 직사각형 형상의 하부 고정반(31)의 네 모서리에 타이 바(32)가 입설되어 있고, 타이 바(32)의 상단 부근에는 평면에서 봤을 때 직사각형 형상의 상부 고정반(33)이 설치되어 있다. 하부 고정반(31)과 상부 고정반(33) 사이에는 평면에서 봤을 때 직사각형 형상의 가동 플래턴(34)이 설치되어 있다. 가동 플래턴(34)은 네 모서리에 타이 바(32)가 관통하는 구멍이 마련되어 있으며, 타이 바(32)를 따라 상하로 이동 가능하다. 하부 고정반(31) 위에는 가동 플래턴(34)을 상하로 이동시키는 장치인 몰드 클램핑 기구(35)가 설치되어 있다. 이 몰드 클램핑 기구(35)는 구동원으로서 서보 모터 등으로 구성되는 전동 모터(Ma)와 성형몰드(C)의 몰드 클램핑력(이하, "클램프력"이라고 함)을 계측하기 위한 변형　게이지(strain gauge)나 로드 셀 등으로 구성되는 하중 센서(Wa)를 포함하고 있다. 몰드 클램핑 기구(35)는 가동 플래턴(34)을 상방으로 이동시킴으로써 성형몰드(C)의 몰드 클램핑을 하고, 가동 플래턴(34)을 하방으로 이동시킴으로써 성형몰드(C)의 몰드 개방을 할 수 있다.
성형몰드(C)는 하형(LM)과 상형(UM)을 갖는다. 하형(LM) 및 상형(UM)은 서로 대향하여 배치되는 금형 등으로 구성되어 있다.
하형(LM)에는 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 반도체 칩 등이 실장되어 있는 면을 위로 하여 안착하는 기판 세트부가 형성되어 있다. 또한, 하형(LM)에는, 수지 밀봉 전 기판(Sa) 및 수지 태블릿(T)을 가열하는 하측 히터(36)가 내장되어 있다. 또한, 하형(LM)에는 수지 태블릿(T)(가열에 의해 용융되는 수지)이 충진되는 원통 형상의 포트(21)가 수축 끼워 맞춤(shrinkage fit) 등에 의해 고정되어 있다. 포트(21)의 원기둥 형상의 공간의 하방에는, 서보 모터 등의 전동 모터(Mb)에 의해 구동되는 플런저(25)가 상하 이동 가능하도록 내삽되어 있다. 또한, 하형(LM)은 플런저(25)가 용융 수지(Ta)(수지 재료의 일 예)를 밀어내는 힘(이하, "트랜스퍼력"이라고 함)을 계측하기 위한 변형 게이지나 로드 셀 등으로 구성되는 하중 센서(Wb)를 갖고 있다.
상형(UM)에는, 용융 수지(Ta)가 공급되는 평면에서 봤을 때 직사각형 형상의 캐비티(MC)가 형성되어 있으며, 이 캐비티(MC)를 가열하는 상측 히터(37)가 내장되어 있다. 상형(UM)은 캐비티(MC)가 형성된 캐비티 블록과, 포트(21)에서 캐비티(MC)를 향해 용융 수지(Ta)를 유동시키는 러너(22)를 갖는 컬 블록을 포함하고, 캐비티 블록에는 캐비티(MC)로부터 공기를 배출하는 에어벤트(26)가 설치되어 있다. 캐비티 블록과 컬 블록은 별도의 부재로서 상형(UM)에 고정되어 있다. 컬 블록에는 용융 수지(Ta)가 러너(22)에서 캐비티(MC)로 유입되는 입구인 게이트(23)가 마련되어 있다. 또한, 캐비티 블록과 컬 블록을 일체 부재로서 구성해도 된다. 또한, 에어벤트(26)는 캐비티 블록과는 별개의 에어벤트 블록으로서 구성해도 된다.
도 3 내지 도 4를 이용하여 성형몰드(C)를 상술한다. 도 3에는 상방에서 본 캐비티(MC)의 개략적인 평면도가 도시되어 있다. 도 4는 도 3의 지면에 수직 방향(상하 방향)에서의 IV-IV선을 따른 개략적인 단면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 칩(13)의 표면을 노출 성형하는 경우에 대해 기재하고 있으나(도 4 참조), 칩(13)의 표면을 수지 밀봉하는 경우여도 좋다.
도 3에 도시한 바와 같이, 게이트(23)는 캐비티(MC)의 한 변(S)의 중앙 부분에 설치되어 있으며, 이 게이트(23)를 통해 상술한 포트(21)에서 러너(22)로 유동하는 용융 수지(Ta)가 캐비티(MC)로 공급된다. 캐비티(MC)의 한 변(S)에 대향하는 다른 변(E)에는 에어벤트(26)가 설치되어 있으며, 이 에어벤트(26)를 통해 캐비티(MC)로부터 공기를 배출할 수 있다. 도 3 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서의 수지 밀봉 전 기판(Sa)은 기판(11) 상에서 2차원 어레이 형상으로 배치된 복수의 돌기 형상 전극(12)에 칩(13)이 전기적으로 접속된 기판(플립 칩 기판)으로 구성되어 있다. 돌기 형상 전극(12) 및 칩(13)은 평면에서 봤을 때 기판(11)의 중앙 영역에 실장되어 있으며, 기판(11)의 중앙 영역이 칩 존재 영역으로 되어 있고, 기판(11)의 중앙 영역을 둘러싼 주변 영역이 칩 부존재 영역으로 되어 있다. 칩(13)은 반도체 상에 다수의 전자 소자나 배선을 실장한 IC 칩 등으로 구성되어 있다.
이와 같은 플립 칩 기판에서는 게이트(23)로부터 공급된 용융 수지(Ta)는 캐비티(MC)의 한 변(S)(유동 개시단)에서 다른 변(E)(유동 종단)을 향해 유동한다. 이 때, 칩(13)이 배치되어 있지 않은 기판(11)의 측방 영역(캐비티(MC)의 한 변(S)에서 다른 변(E)까지를 접속하는 양측 변을 따른 영역)에서는, 칩(13)이 존재하는 칩 존재 영역(기판(11)의 중앙 영역)에 비해 용융 수지(Ta)의 유동 속도가 상대적으로 커져, 이 속도차에 기인하여 측방 영역에서 칩 존재 영역으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 공기(용융 수지(Ta)에서 발생하는 가스를 포함함)를 둘러싸기 때문에, 보이드가 발생하기 쉽다. 특히, 기판(11)에 돌기 형상 전극(12)을 통해 칩(13)을 갖는 플립 칩 기판의 경우, 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역(돌기 형상 전극(12)이 존재하는 영역)에서 칩(13)이 존재하지 않는 측방 영역보다 용융 수지(Ta)의 유동 속도가 상대적으로 작아지기 때문에, 측방 영역에서 폭이 좁은 영역으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 보이드가 발생하기 쉽다.
따라서, 본 실시 형태의 성형몰드(C)(상형(UM))은 캐비티(MC)의 한 변(S) 및 다른 변(E)과 교차하는 양측 변 측에 캐비티(MC)의 내부를 유동하는 용융 수지(Ta)의 측방 유로(15)(캐비티(MC)의 내부 유로의 적어도 일부의 일 예)를 좁히는 가동 블록(16)과, 가동 블록(16)을 에어(유체의 일 예)에 의해 구동시키는 에어 실린더 등으로 구성되는 구동 기구(Ds)와, 가동 블록(16)을 상방향으로 가압하는 압축 스프링(Sp)을 포함하고 있다. 본 실시 형태에서의 가동 블록(16)은 상형(UM)에 상하 이동 가능하도록 구비되어 있고, 캐비티(MC)의 한 쌍의 측방 유로(15)에서의 칩(13)과 대향하는 영역에 설치되어 있다. 이 가동 블록(16)은 용융 수지(Ta)의 공급 개시부터 소정 시간, 측방 유로(15)를 좁힘(측방 유로(15)의 유로 단면적을 작게 함)으로써, 측방 유로(15)를 유동하는 용융 수지(Ta)의 유량을 저하시킨다. 본 실시 형태에서의 가동 블록(16)은 직육면체이고, 가동 블록(16)의 폭(W2)은 측방 유로(15)의 폭(W1)(즉, 칩(13)의 측변에서 캐비티(MC)의 벽면까지의 최소 폭)의 약 90%이다. 측방 유로(15)의 폭(W1)의 폭에 대한 가동 블록(16)의 폭(W2)의 비율은 용융 수지(Ta)의 점도나 칩(13)과 기판(11)의 간극의 크기, 돌기 형상 전극(12)의 크기와 수 등을 고려하여 적절히 설정하면 되나, 약 50% 이상인 것이 바람직하다. 측면에서 봤을 때 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역(기판(11)과 칩(13) 사이의 간극 영역)이 있는 높이에 각각의 가동 블록(16)의 선단(16a)(하측 단면)이 위치함으로써, 측방 유로(15)를 좁힌 상태로 한다. 다시 말하면, 가동 블록(16)은 측방 유로(15)를 좁힌 상태에서 측면에서 봤을 때 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에 선단(16a)이 중첩되어 있다.
이 가동 블록(16)은 구동 기구(Ds)의 구동력(이하, "실린더 구동력"이라 함)에 의해 캐비티(MC) 내에 삽입되고, 구동 기구(Ds)의 구동력을 제로로 함으로써 압축 스프링(Sp)의 가압력에 의해, 상형(UM)의 캐비티(MC)에 인접하는 내면과 가동 블록(16)의 선단(16a)(하측 단면)이 동일한 평면이 되도록 캐비티(MC) 내에서 빼는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 가동 블록(16)은 압축 스프링(Sp)의 가압력과 캐비티(MC)를 유동하는 용융 수지(Ta)로부터 가동 블록(16)에 작용하는 힘과의 합계가, 구동 기구(Ds)의 구동력보다 상회했을 때, 상형(UM)의 캐비티(MC)에 인접하는 내면과 가동 블록(16)의 선단(16a)이 동일한 평면이 되도록 이동한다. 즉, 가동 블록(16)은 캐비티(MC)의 측방 유로(15)를 좁힌 상태와, 측방 유로(15)를 완전 개방한 상태 사이에서 변화할 수 있다.
이와 같이, 캐비티(MC)의 한 변(S) 및 다른 변(E)과 교차하는 양측 변 측에서 캐비티(MC)의 내부로 유동하는 용융 수지(Ta)의 측방 유로(15)를 좁히는 가동 블록(16)에 의해 측방 유로(15)에서의 용융 수지(Ta)의 유량을 저하시킨다. 그 결과, 용융 수지(Ta)의 유동 저항이 되는 칩(13)이나 돌기 형상 전극(12)이 수지 밀봉 전 기판(Sa)에 실장되어 있는 경우라 하더라도, 칩(13)이 존재하지 않는 캐비티(MC)의 외방 측에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 칩(13)이 존재하는 캐비티(MC)의 내방 측에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도를 접근시킬 수 있다. 이에 따라, 캐비티(MC)의 내부를 유동하는 용융 수지(Ta)의 유동 종단(다른 변(E))에 있어서, 캐비티(MC)의 외방 측과 캐비티(MC)의 내방 측에서의 용융 수지(Ta)의 선두 부분이 가까워져, 외방 측에서 내방 측으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 공기를 둘러싸는 것이 방지된다. 따라서, 수지 밀봉된 기판(Sb)(수지 성형품)에 보이드가 발생하기 어려워 성형 정밀도를 향상시킬 수 있다.
[수지 성형품의 제조 방법 및 수지 성형의 제어 형태]
도 1 내지 도 6을 이용하여 수지 성형품의 제조 방법에 대해 설명한다. 수지 성형품(수지 밀봉된 기판(Sb))의 제조 방법은 수지 밀봉 전 기판(Sa) 및 수지 태블릿(T)을 성형몰드(C)에 공급하는 공급 공정과, 성형몰드(C)를 몰드 클램핑 하는 몰드 클램핑 공정과, 게이트(23)로부터 공급된 용융 수지(Ta)를 캐비티(MC)에 충진시킴으로써, 수지 밀봉 전 기판(Sa)의 수지를 성형하는 성형 공정을 포함하고 있다. 이 성형 공정은 수지 밀봉 전 기판(Sa)의 성형 모듈(3)로의 반입에서 수지 밀봉된 기판(Sb)의 성형 모듈(3)로부터의 반출까지의 사이에 있어서, 성형 모듈(3)이 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 수지 성형하는 공정이며, 해당 성형 공정에는 몰드 클램핑 공정이 포함되어 있다. 성형 공정에 있어서, 제어부(6)는 성형몰드(C) 및 몰드 클램핑 기구(35)의 작동을 제어한다. 이하, 제어부(6)의 제어 형태에 대해서는 주로 도 5 내지 도 6을 이용하여 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 미리 로더(41)를, 수지 태블릿(T)의 수용 공간을 단열한 상태로 가열해 둔다. 또한, 미리 히터(36, 37)에 통전하여 성형몰드(C)를 가열해 둔다(도 2 참조). 그리고, 기판 공급 기구(43)로부터 취출한 복수의 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 로더(41)에 안착한다. 또한, 수지 공급 기구(45)에 의해 정렬된 수지 태블릿(T)을 로더(41)의 수지 태블릿(T)의 수용 공간에 수용한다. 그리고, 로더(41)는 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 성형 모듈(3)까지 반송하고, 수지 밀봉 전 기판(Sa)을, 반도체 칩이 실장된 측을 상방을 향해 하형(LM)의 기판 세트부에 안착함과 함께, 수지 태블릿(T)을 포트(21) 내에 수용한다(도 2 참조, 도 5의 #51). 수지 태블릿(T)을 포트(21) 내에 수용함으로써, 하형(LM)에 내장된 하측 히터(36)가 수지 태블릿(T)을 가열하여 용융 수지(Ta)가 된다. 또한, 후술하는 몰드 클램핑 기구(35)에 의한 가동 플래턴(34)의 상승 전에, 상형(UM)의 하방의 몰드 면에 도시하지 않은 이형 필름을 흡착시킨 상태로 둔다.
이어서, 도 2에 도시한 바와 같이, 몰드 클램핑 기구(35)에 의해 가동 플래턴(34)을 상방으로 이동시켜 하형(LM)을 상형(UM) 방향으로 상대적으로 이동시켜 하형(LM)과 상형(UM)을 밀착시킨다. 이어서, 제어부(6)는 구동 기구(Ds)의 구동력을 Middle(예를 들면, 1t)로 설정하여 가동 블록(16)을 하강시키고, 가동 블록(16)에 의해 측방 유로(15)를 좁힌 상태(거의 가동 블록(16)이 하형(LM)에 맞닿은 상태)로 해 둠과 함께, 에어벤트(26)를 통해 캐비티(MC)로부터 공기를 배출한다(도 3 내지 도 4 참조, 도 5의 #52, 도 6의 "실린더 구동력" T0 시점). 그리고, 제어부(6)는 몰드 클램핑 기구(35)를 작동시켜 클램프력을 소정값까지 상승시킨다(도 5의 #53, 도 6의 "클램프력" T0 내지 T1 시점). 본 실시 형태에서는 성형몰드(C)의 몰드 클램핑을 개시하기 전(도 6의 T0 내지 T1 시점), 구동 기구(Ds)의 구동력을 비교적 작은 힘으로 설정하고 있기 때문에, 가동 블록(16)에 의한 성형몰드(C)의 변형을 방지할 수 있다. 또한, 클램프력을 상승시키는 소정값은 몰드 클램핑하는 클램프력으로 미리 설정할 수 있고, 클램프력은 하중 센서(Wa)로 계측할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서의 클램프력은 후술하는 도 6의 T7까지 소정값으로 유지하나, 도 6의 T1 시점에서 소정값 미만까지 상승시킨 후, 도 6의 T1 내지 T5 사이에서 소정값까지 상승시켜도 된다.
이어서, 제어부(6)는 구동 기구(Ds)의 구동력을 Middle에서 High(예를 들면, 1. 5t)로 상승시켜 유지한다(도 5의 #54, 도 6의 "실린더 구동력" T1 시점). 또한, 전동 모터(Mb)에 의해 플런저(25)를 상방으로 이동시켜 용융 수지(Ta)를 포트(21)에서 러너(22)를 통해 게이트(23)로 유통시킨다(도 2 참조, 도 5의 #55, 도 6의 "트랜스퍼 위치" T1 내지 T2 시점). 그 결과, 용융 수지(Ta)가 캐비티(MC)에 공급된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 게이트(23)로부터 공급된 용융 수지(Ta)는 캐비티(MC)의 한 변(S)에서 다른 변(E)을 향해 유동한다. 그리고, 칩 존재 영역에 도달한 용융 수지(Ta)는 기판(11)의 중앙 영역에서 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역으로 들어가 유량이 저하된다. 칩(13)과 기판(11) 사이의 돌기 형상 전극(12)도 용융 수지(Ta)의 흐름을 막기 때문에, 유량을 저하시킨다. 이 때, 기판(11)의 측방 영역에서, 소정 시간 가동 블록(16)에 의해 측방 유로(15)를 좁힘으로써 용융 수지(Ta)의 유량을 저하시킨다. 그 결과, 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역과 측방 유로(15)에 있어서, 용융 수지(Ta)의 유동 속도가 가까워져, 캐비티(MC)의 내부를 유동하는 용융 수지(Ta)의 유동 종단 측에서는 용융 수지(Ta)의 선두 부분이 캐비티(MC)의 다른 변(E)에 대략 평행하게 된다. 이에 따라, 유동 종단(다른 변(E))에 있어서 외방 측에서 내방 측으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 공기를 둘러싸는 것이 방지된다.
이어서, 캐비티(MC)에 용융 수지(Ta)가 충진되면 플런저(25)의 상방 이동에 따라 플런저(25)가 용융 수지(Ta)를 밀어내는 힘이 상승한다(도 6의 "트랜스퍼력" T2 내지 T4 시점). 그리고, 압축 스프링(Sp)의 가압력과 캐비티(MC)를 유동하는 용융 수지(Ta)로부터 가동 블록(16)에 작용하는 힘의 합계가, 구동 기구(Ds)의 구동력보다도 상회했을 때, 가동 블록(16)의 선단(16a)이 상형(UM)의 캐비티(MC)에 인접하는 내면과 동일한 평면이 될 때까지 가동 블록(16)이 자연스럽게 상승한다(도 5의 #56, 도 6의 "가동 블록 위치" T3 시점). 본 실시 형태에서는 구동 기구(Ds)의 구동력을 일정하게 한 상태에서 캐비티(MC)를 유동하는 용융 수지(Ta)의 힘에 의해 가동 블록(16)을 상승시키고 있기 때문에, 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에 체류하고 있는 공기는 측방 유로(15) 방향으로 유동하여 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에서 외부로 배출된다. 이에 따라, 기판(11)과 칩(13) 사이에 있는 공기를 제거하는 것이 가능해지고, 수지 밀봉된 기판(Sb)에 보이드가 발생하기 어려워 성형 정밀도를 향상시킬 수 있다.
트랜스퍼력이 설정값에 도달하면, 제어부(6)는 트랜스퍼력을 유지하여 소정 시간 큐어를 실행한다(도 6의 "트랜스퍼력" T4 내지 T7 시점). 이 설정값은 큐어를 개시하는 트랜스퍼력으로 미리 설정할 수 있으며, 트랜스퍼력은 하중 센서(Wb)로 계측할 수 있다. 큐어를 개시하고 나서 제1 설정 시간을 경과했을 때 제어부(6)는 구동 기구(Ds)의 구동력을 High에서 Low(예를 들면, 0t)로 저하시킨다(도 5의 #57, 도 6의 "실린더 구동력" T5 시점). 이 제1 설정 시간은 트랜스퍼력이 설정값에 도달한 후의 경과 시간(큐어 개시하고 나서 몇 초 후)으로 미리 설정할 수 있다. 구동 기구(Ds)의 구동력을 Low(예를 들면, 0t)로 저하시킴으로써, 만일 가동 블록(16)이 캐비티(MC)를 유동하는 용융 수지(Ta)의 힘에 의해 상승하지 않았다고 하더라도 압축 스프링(Sp)의 가압력에 의해 확실하게 상승시킬 수 있다.
큐어를 개시하고 나서 제2 설정 시간을 경과했을 때 제어부(6)는 구동 기구(Ds)의 구동력을 Low에서 Middle(예를 들면, 1t)로 상승시킨다(도 5의 #58, 도 6의 "실린더 구동력" T6 시점). 이 제2 설정 시간은 제1 설정 시간보다 길고, 큐어를 종료하기 전의 시간(몇 초 전)으로 미리 설정함으로써, 큐어를 실행하는 소정 시간으로부터 설정된 시간을 감산한 것이다. 또한, 본 실시 형태에서는 큐어 종료 전의 구동 기구(Ds)의 구동력을 Middle로 설정하고 있지만, 수지 밀봉된 기판(Sb)에 흠집이 생기지 않는 구동력이면 된다.
큐어를 종료한 후, 제어부(6)는 몰드 클램핑 기구(35)의 클램프력을 저하시킴으로써 가동 플래턴(34)를 하방으로 이동시켜 성형몰드(C)의 몰드 개방을 한다(도 2 참조, 도 6의 "클램프력" T7 시점). 그리고, 수지 밀봉된 기판(Sb)을 캐비티(MC)로부터 이형시켜 수지 성형을 종료한다(도 5의 #59). 본 실시 형태에서는 큐어를 종료하기 전에 구동 기구(Ds)의 구동력을 Middle로 상승시키고 있으므로, 하강하는 가동 블록(16)에 의해 수지 밀봉된 기판(Sb)의 이형을 어시스트 할 수 있다(도 6의 "가동 블록 위치" T7 이후). 이 수지 밀봉된 기판(Sb)을 언로더(42)에 의해 기판 수용부(46)에 수용한다(도 1 참조).
[다른 실시 형태]
이하, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 부재에 대해서는 이해를 쉽게 하기 위해, 동일한 용어, 부호를 이용하여 설명한다.
<1> 도 7에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서의 성형 대상물은 기판(11)의 중앙 영역에 칩(13)이 실장되어 있고, 기판(11)의 측방 영역에 콘덴서, 코일, 저항 등의 복수의 개별 수동 부품(14)이 실장되어 있다. 이 경우, 측방 유로(15)를 좁히는 복수의 가동 블록(16A)이 개별 수동 부품(14)을 회피하는 위치에 설치되게 된다. 이 가동 블록(16A)은 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 개별 수동 부품(14)의 유동 저항이나 실장 면적 등을 가미하여 사이즈나 배치가 결정된다. 즉, 시뮬레이션에 의해 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역과 측방 유로(15)에 있어서 용융 수지(Ta)의 유동 속도가 가까워지도록 가동 블록(16A)의 사이즈나 배치를 결정하면 된다.
<2> 도 8에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서의 성형 대상물은 기판(11)의 중앙 영역에 칩(13)이 실장되어 있고, 칩(13)의 양측방 전역에 콘덴서, 코일, 저항 등의 복수의 개별 수동 부품(14)이 밀집하며 실장되어 있다. 이 경우, 칩(13)의 측방 영역에 가동 블록(16B)을 배치할 수 없기 때문에, 측방 유로(15)를 좁히는 한 쌍의 가동 블록(16B)이 기판(11)의 측방 영역 중 칩(13)보다도 게이트(23) 측에 배치되어 있다. 그 결과, 게이트(23)에서 칩(13)까지의 사이에서, 기판(11)의 측방 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유로가 좁혀지고, 칩(13)이 존재하지 않는 캐비티(MC)의 외방 측에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도를 근접시킬 수 있다. 본 실시 형태에서의 가동 블록(16B)에 있어서도 기판(11)과 칩(13) 사이의 폭이 좁은 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 개별 수동 부품(14)의 유동 저항이나 실장 면적 등을 가미하여 사이즈나 배치가 결정된다.
<3> 가동 블록(16)을 구동시키는 구동 기구(Ds)의 유체는 액체를 이용해도 된다. 또한, 제어부(6)에 의해 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시키는 제어 형태는 상술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 큐어 개시 후의 구동 기구(Ds)의 구동력을 저하시키는 제어를 생략하거나, 큐어 종료 전의 구동 기구(Ds)의 구동력을 상승시키는 제어를 생략해도 된다.
<4> 상술한 실시 형태에서의 가동 블록(16, 16A, 16B)은 측방 유로(15)에만 배치했으나, 캐비티(MC)의 내부 유로 중 게이트(23) 또는 에어벤트(26)에 인접하게 배치해도 된다.
<5> 성형 모듈(3)은 이형 필름 공급 기구(미도시)를 가지고 있어도 된다. 이 이형 필름 공급 기구는 이형 필름을 상형(UM)에 공급하고, 공급된 이형 필름을 상형(UM)의 몰드 면에 흡착시킨다. 이형 필름을 상형(UM)의 몰드 면에 흡착시킴으로써, 이형이 용이해지고, 상형(UM)에 있어서 가동 블록(16)이 이동하기 위한 간극으로 용융 수지(Ta)가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
<6> 가동 블록(16)의 선단(16a)에 요철 부위를 실시해도 된다. 이 경우, 가동 블록(16)을 기판(11)에 밀착시켰을 때, 요철 부위에 의해 측방 유로(15)를 좁힐 수 있다. 선단(16a)이나 요철 부위가 기판(11)에 접하므로, 가동 블록(16)과 기판(11) 사이의 간극을 정밀하게 제어할 필요가 없다.
<7> 상기 실시 형태에서는 돌기 형상 전극(12)은 격자 형상으로 배치되어 있는 예를 제시했으나, 2차원 어레이 형상으로 배치되어 있으면 되고, 예를 들면, 2개의 어레이가 배치된 형태여도 된다.
<8> 포트(21), 캐비티 블록 및 컬 블록은 상형(UM) 또는 하형(LM) 중 어느 하나에 설치해도 된다. 또한, 게이트(23)를 캐비티(MC)의 한 변(S) 전역에 걸쳐 설치해도 되고, 게이트(23)의 배치나 수량은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 수지 밀봉 전 기판(Sa) 등의 성형 대상물을 상형(UM)에 고정하고, 캐비티(MC)를 하형(LM)에 설치해도 된다.
<9> 수지 밀봉되는 성형 대상물은 플립 칩 기판에 한정되지 않으며, 반도체 칩이 실장된 기판이면 어떠한 것이라도 좋다. 또한, 복수의 반도체 칩이 실장된 기판을 일괄적으로 수지 밀봉하는 MAP(molded array packaging)을 제조하기 위해, 상술한 수지 성형 장치(D)를 이용해도 된다.
<10> 상술한 실시 형태에서는 칩(13)의 표면을 노출 성형하는 형태로 설명했으나, 칩(13)의 표면을 수지 밀봉하는 형태여도 좋다. 이 경우, 게이트(23)에서 에어벤트(26)를 향해 칩(13)의 상면을 흐르는 용융 수지(Ta)의 흐름을 일시적으로 멈추는 가동 블록(16)이 칩(13)의 상방에 구비되어 있어도 된다.
[상기 실시 형태의 개요]
이하, 상술한 실시 형태에서 설명한 수지 성형 장치(D) 및 수지 성형품의 제조 방법의 개요에 대해 설명한다.
(1) 수지 성형 장치(D)의 특징 구성은 기판(11) 상에 칩(13)이 배치된 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물)을 유지하고, 게이트(23)로부터 용융 수지(Ta)(수지 재료)가 공급되는 캐비티(MC)를 갖는 성형몰드(C)와, 성형몰드(C)를 몰드 클램핑 하는 몰드 클램핑 기구(35)와, 성형몰드(C) 및 몰드 클램핑 기구(35)의 작동을 제어하는 제어부(6)를 구비하고, 성형몰드(C)는 칩(13)이 배치되어 있지 않은 캐비티(MC)의 내부 유로의 적어도 일부(측방 유로(15))를 좁히는 가동 블록(16)과, 가동 블록(16)을 에어(유체)에 의해 구동시키는 구동 기구(Ds)를 포함하고 있으며, 제어부(6)는 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물)을 수지 성형할 때, 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시키는 제어를 실행한다.
본 구성에서는 칩(13)이 배치되어 있지 않은 캐비티(MC)의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히는 가동 블록(16)을 설치하고 있다. 그 결과, 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하지 않는 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하는 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도를 근접시킬 수 있다. 이에 따라, 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하지 않는 영역에서 칩(13) 측으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 공기를 둘러싸는 것이 방지된다. 또한, 본 구성에서는 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물)을 수지 성형할 때, 에어에 의해 구동시키는 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시킨다. 이에 따라, 예를 들면, 가동 블록(16)의 가압력을 일정하게 하는 경우에 비해, 상황에 따라 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시키기 때문에, 간편한 구성으로 성형 정밀도를 향상시킬 수 있다.
(2) 제어부(6)는 몰드 클램핑 기구(35)의 클램프력이 소정값에 도달했을 때, 구동 기구(Ds)의 구동력을 상승시켜도 된다.
본 구성과 같이, 몰드 클램핑 기구(35)의 클램프력이 소정값에 도달했을 때, 구동 기구(Ds)의 구동력을 상승시키면, 몰드 클램핑 전에 가동 블록(16)이 성형몰드(C)에 강하게 맞닿아 성형몰드(C)가 변형되는 등의 문제를 방지할 수 있다.
(3) 제어부(6)는 큐어 개시 후에 구동 기구(Ds)의 구동력을 저하시켜도 된다.
본 구성과 같이, 큐어 개시 후에 구동 기구(Ds)의 구동력을 저하시키면, 가동 블록(16)을 캐비티(MC) 밖으로 확실하게 이동시킬 수 있다.
(4) 상기 제어부는 큐어 종료 전에 구동 기구(Ds)의 구동력을 상승시켜도 된다.
본 구성에서는 큐어 종료 전에 구동 기구(Ds)의 구동력을 상승시키고 있으므로, 가동 블록(16)이 수지 밀봉된 기판(Sb)의 이형을 어시스트 할 수 있다.
(5) 수지 성형품의 제조 방법의 특징은 게이트(23)로부터 공급된 용융 수지(Ta)(수지 재료)를 캐비티(MC)에 충진시킴으로써, 기판(11) 상에 칩(13)이 배치된 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물)의 수지를 성형하는 성형 공정을 포함하고, 성형 공정에서는 에어(유체)에 의해 구동시키는 구동 기구(Ds)에 의해 가동 블록(16)을 이동시켜 칩(13)이 배치되어 있지 않은 캐비티(MC)의 내부 유로의 적어도 일부(측방 유로(15))를 좁혀, 구동 기구(Ds)에 의한 구동력을 변화시키면서 수지 밀봉 전 기판(Sa)(성형 대상물)의 수지를 성형한다는 점에 있다.
본 방법에서는 성형 공정에서 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하지 않는 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도와, 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하는 영역에서의 용융 수지(Ta)의 유동 속도를 근접시킬 수 있다. 이에 따라, 캐비티(MC)의 칩(13)이 존재하지 않는 영역에서 칩(13) 측으로 용융 수지(Ta)가 돌아서 들어가 공기를 둘러싸는 것이 방지된다. 또한, 본 방법에서는 수지 밀봉 전 기판(Sa)을 수지 성형할 때, 에어에 의해 구동시키는 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시킨다. 이에 따라, 예를 들면, 가동 블록(16)의 가압력을 일정하게 하는 경우에 비해, 상황에 따라 구동 기구(Ds)의 구동력을 변화시키기 때문에, 성형 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태(다른 실시 형태를 포함함, 이하 동일)에서 개시되는 구성은 모순이 생기지 않는 한, 다른 실시 형태에서 개시되는 구성과 조합해서 적용하는 것이 가능하다. 또한, 본 명세서에서 개시된 실시 형태는 예시로서, 본 개시의 실시 형태는 이에 한정되지 않으며, 본 개시의 목적을 일탈하지 않는 범위 내에서 적절히 변형하는 것이 가능하다.
본 개시는 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법에 이용 가능하다. 특히, 밀봉 수지의 두께가 1mm 이상인 두꺼운 패키지의 경우나, 차량 탑재용 패키지에서 유효하며, 기판과 칩 사이가 100㎛ 이하인 플립 칩 기판을 몰드 언더필 하는 경우에 유효하다.
11 : 기판
13 : 칩
15 : 측방 유로(캐비티의 내부 유로의 적어도 일부)
16 : 가동 블록
23 : 게이트
35 : 몰드 클램핑 기구
C : 성형몰드
D : 수지 성형 장치
MC : 캐비티
Sa : 수지 밀봉 전 기판(성형 대상물)
Sb : 수지 밀봉된 기판(수지 성형품)
Ta : 용융 수지(수지 재료)

Claims (5)

  1. 기판 상에 칩이 배치된 성형 대상물을 유지하고, 게이트로부터 수지 재료가 공급되는 캐비티를 갖는 성형몰드와,
    상기 성형몰드를 몰드 클램핑 하는 몰드 클램핑 기구와,
    상기 성형몰드 및 상기 몰드 클램핑 기구의 작동을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 성형몰드는 상기 칩이 배치되어 있지 않은 상기 캐비티의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히는 가동 블록과, 해당 가동 블록을 유체에 의해 구동시키는 구동 기구를 포함하고 있으며,
    상기 제어부는 상기 성형 대상물을 수지 성형할 때, 상기 구동 기구의 구동력을 변화시키는 제어를 실행하는 수지 성형 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 몰드 클램핑 기구의 클램프력이 소정값에 도달했을 때, 상기 구동 기구의 구동력을 상승시키는 수지 성형 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제어부는 큐어 개시 후에, 상기 구동 기구의 구동력을 저하시키는 수지 성형 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는 큐어 종료 전에, 상기 구동 기구의 구동력을 상승시키는 수지 성형 장치.
  5. 게이트로부터 공급된 수지 재료를 캐비티에 충진시킴으로써, 기판 상에 칩이 배치된 성형 대상물의 수지를 성형하는 성형 공정을 포함하고,
    상기 성형 공정에서는 유체에 의해 구동시키는 구동 기구에 의해 가동 블록을 이동시켜 상기 칩이 배치되어 있지 않은 상기 캐비티의 내부 유로의 적어도 일부를 좁히고, 상기 구동 기구에 의한 구동력을 변화시키면서 상기 성형 대상물의 수지를 성형하는 수지 성형품의 제조 방법.
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