KR20230048188A - 표시 모듈, 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

표시 모듈, 및 이를 포함하는 전자 장치 Download PDF

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Abstract

표시 모듈은 표시 패널, 및 투과 영역, 제1 센싱 영역, 및 제2 센싱 영역이 정의된 센서를 포함하고, 상기 센서는 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들 각각은 메쉬 구조를 갖고, 상기 메쉬 구조는 상기 제1 센싱 영역과 중첩하는 제1 메쉬 구조 및 상기 제2 센싱 영역과 중첩하는 제2 메쉬 구조를 포함하고, 상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 상이할 수 있다.

Description

표시 모듈, 및 이를 포함하는 전자 장치{DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 일부 영역의 투과율이 향상된 표시 모듈, 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 표시 패널 및 전자 모듈 등 다양한 전자 부품들로 구성된 장치일 수 있다. 전자 모듈은 카메라, 적외선 감지 센서 또는 근접 센서 등을 포함할 수 있다. 전자 모듈은 표시 패널 아래에 배치될 수 있다. 표시 패널의 일부 영역의 투과율은 표시 패널의 다른 일부 영역의 투과율보다 높을 수 있다. 전자 모듈은 표시 패널의 일부 영역을 통해 외부 입력을 수신하거나, 표시 패널의 일부 영역을 통해 출력을 제공할 수 있다.
본 발명은 센싱 성능이 향상되고, 광 반사에 의해 센서가 시인될 확률이 감소된 표시 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈은 제1 영역, 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역, 및 상기 제2 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 제3 영역이 정의된 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 배치되며, 상기 제1 영역과 중첩하는 투과 영역, 상기 제2 영역과 중첩하는 제1 센싱 영역, 상기 제3 영역과 중첩하는 제2 센싱 영역이 정의된 센서를 포함하고, 상기 센서는 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들 각각은 메쉬 구조를 갖고, 상기 메쉬 구조는 상기 제1 센싱 영역과 중첩하는 제1 메쉬 구조 및 상기 제2 센싱 영역과 중첩하는 제2 메쉬 구조를 포함하고, 상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 상이할 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조는 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하고, 상기 제2 메쉬 구조는 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함할 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조에는 상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제1 단선부들이 정의되고, 상기 제2 메쉬 구조에는 상기 복수의 제2 메쉬선들 및 복수의 제2 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제2 단선부들이 정의되고, 상기 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제2 단선부들의 배치 밀도보다 낮을 수 있다.
상기 제1 센싱 영역은 상기 투과 영역과 인접한 제1 서브 센싱 영역 및 상기 제1 서브 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 제2 서브 센싱 영역을 포함하고, 상기 복수의 제1 단선부들 중 상기 제1 서브 센싱 영역과 중첩하는 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제1 단선부들 중 상기 제2 서브 센싱 영역과 중첩하는 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도보다 낮을 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조는 보상 전극을 더 포함하고, 상기 보상 전극은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 일부 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구에 대응하는 영역에 배치될 수 있다.
상기 보상 전극은 상기 개구와 대응하는 형상을 갖고, 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들에 연결될 수 있다.
상기 보상 전극은 상기 개구의 일부분과 중첩하며 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들 중 적어도 일부에 연결될 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조는 상기 일부 제1 메쉬선들 사이에 배치된 제1 보상 메쉬선을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조는 상기 일부 제1 교차 메쉬선들 사이에 배치된 제1 보상 교차 메쉬선을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 제1 메쉬선들 중 제1 메쉬선의 일부분의 폭은 상기 제1 메쉬선의 다른 일부분의 폭보다 크고, 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 중 제1 교차 메쉬선의 일부분의 폭은 상기 제1 교차 메쉬선의 다른 일부분의 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 마주하고, 상기 제1 메쉬 구조 및 상기 제2 메쉬 구조는 상기 복수의 제1 전극들 중 하나의 제1 전극 또는 상기 복수의 제2 전극들 중 하나의 제2 전극에 포함될 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 마주하고, 상기 제1 메쉬 구조는 상기 복수의 제1 전극들 중 하나의 제1 전극에 포함되고, 상기 제2 메쉬 구조는 상기 복수의 제2 전극들 중 하나의 제2 전극에 포함될 수 있다.
상기 복수의 제1 메쉬선들 사이의 거리는 상기 복수의 제2 메쉬선들 사이의 거리보다 클 수 있다.
상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들의 배치 밀도는 상기 제2 센싱 영역에서 상기 투과 영역에 인접할수록 낮아질 수 있다.
상기 제1 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 경계는 원형일 수 있다.
상기 제1 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 경계는 다각형일 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 제1 영역에 배치되며 제1 발광 소자 및 상기 제1 발광 소자를 구동하며 상기 제2 영역에 배치된 제1 화소 회로를 포함하는 제1 화소, 상기 제2 영역에 배치되며 제2 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 구동하며 상기 제2 영역에 배치된 제2 화소 회로를 포함하는 제2 화소, 및 상기 제3 영역에 배치되며 제3 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자를 구동하며 상기 제3 영역에 배치된 제3 화소 회로를 포함하는 제3 화소를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 소자는 복수로 제공되고, 상기 제3 발광 소자는 복수로 제공되고, 상기 복수의 제1 발광 소자들 중 서로 가장 인접한 2 개의 제1 발광 소자들 사이의 거리는 상기 복수의 제3 발광 소자들 중 서로 가장 인접한 2 개의 제3 발광 소자들 사이의 거리보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 위에 배치되며, 투과 영역, 상기 투과 영역과 인접한 제1 센싱 영역, 상기 제1 센싱 영역을 사이에 두고 상기 투과 영역과 이격된 제2 센싱 영역이 정의된 센서, 및 상기 표시 패널 아래에 배치되며, 상기 투과 영역과 중첩하는 전자 모듈을 포함하고, 상기 센서는 상기 제1 센싱 영역에 배치되며, 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하는 제1 메쉬 구조, 및 상기 제2 센싱 영역에 배치되며, 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함하는 제2 메쉬 구조를 포함하고, 동일한 기준 면적 내에 배치된 상기 제1 메쉬 구조의 면적은 상기 제2 메쉬 구조의 면적과 상이할 수 있다.
상기 제1 메쉬 구조는 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하고, 상기 제2 메쉬 구조는 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함하고, 상기 제1 메쉬 구조에는 상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제1 단선부들가 정의되고, 상기 복수의 제2 메쉬선들 및 복수의 제2 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제2 단선부들이 정의되고, 상기 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제2 단선부들의 배치 밀도보다 낮을 수 있다.
상술한 바에 따르면, 센서의 제1 전극 및 제2 전극은 투과 영역에 배치되지 않을 수 있다. 센서는 투과 영역과 인접한 제1 센싱 영역 및 제1 센싱 영역과 인접한 제2 센싱 영역을 포함할 수 있다. 제1 센싱 영역에 배치된 제1 전극 또는 제2 전극의 제1 메쉬 구조와 제2 센싱 영역에 배치된 제1 전극 또는 제2 전극의 제2 메쉬 구조는 서로 상이할 수 있다. 따라서, 서로 상이한 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조에 의해 센서의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 또는, 서로 상이한 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조에 의해 외부에서 센서가 시인될 확률이 감소될 수 있다. 또는, 서로 상이한 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조에 의해 센서의 센싱 감도가 향상되고, 외부에서 센서가 시인될 확률이 감소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성들을 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 5는 도 4의 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6a은 도 5에 도시된 I-I'을 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 6b는 도 5에 도시된 II-II'을 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 평면도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 III-III'을 따라 절단한 센서의 단면도이다.
도 7c는 도 7a에 도시된 IV-IV'을 따라 절단한 센서의 단면도이다.
도 7d는 도 7a에 도시된 XX' 영역을 확대한 평면도이다.
도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱유닛의 평면도이다.
도 7f는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱유닛의 교차영역을 확대한 평면도이다.
도 8은 도 7a에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 10은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 11은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 12는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 13은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 14은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 15는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 16는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 17은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 18은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 19a는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 19b는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 20은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 21은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 22는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 평면도이다.
도 24는 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 25는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 26a는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 26b는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 27은 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 28은 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 29는 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 모니터, 텔레비전, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
전자 장치(1000)는 표시 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 표시 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 표시 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2 개의 측으로부터 각각 벤딩된 곡면들을 더 포함할 수 있다. 하지만, 표시 영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 영역(1000A)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 표시 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4 개의 측으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
전자 장치(1000)의 표시 영역(1000A) 내에는 센싱 영역(1000SA)이 정의될 수 있다. 도 1 에서는 하나의 센싱 영역(1000SA)을 예시적으로 도시하였으나, 센싱 영역(1000SA)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다. 센싱 영역(1000SA)은 표시 영역(1000A)의 일부분일 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)는 센싱 영역(1000SA)을 통해 영상을 표시할 수 있다.
센싱 영역(1000SA)과 중첩하는 영역에는 전자 모듈이 배치될 수 있다. 전자 모듈은 센싱 영역(1000SA)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나, 센싱 영역(1000SA)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈은 카메라 모듈, 근접 센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 또는 얼굴)을 인식하는 센서, 또는 광을 출력하는 소형 램프일 수 있으며, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
전자 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성들을 도시한 분해 사시도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시 모듈(DM) 및 전자 모듈(CM)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 영상을 생성하고, 외부에서 인가되는 입력을 감지하는 구성일 수 있다. 전자 모듈(CM)은 표시 모듈(DM) 아래에 배치되며, 예를 들어, 카메라 모듈일 수 있다. 표시 모듈(DM)은 제1 전자 모듈, 전자 모듈(CM)은 제2 전자 모듈로 지칭될 수도 있다.
표시 모듈(DM)에는 표시 영역(100A) 및 주변 영역(100N)이 정의될 수 있다. 표시 영역(100A)은 도 1에 도시된 표시 영역(1000A)에 대응될 수 있다. 표시 모듈(DM)의 일부 영역은 다른 일부 영역보다 높은 투과율을 가질 수 있으며, 이는 센싱 영역(100SA)으로 정의될 수 있다. 센싱 영역(100SA)은 표시 영역(100A)의 일부분일 수 있다. 즉, 센싱 영역(100SA)은 영상을 표시하며, 전자 모듈(CM)로 제공되는 외부 입력, 및/또는 전자 모듈(CM)로부터의 출력을 투과시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 모듈(DM)은 표시 패널(100), 센서(200) 및 반사 방지층(300)을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(100)은 발광형 표시 패널일 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(100)은 유기발광 표시 패널, 무기발광 표시 패널, 퀀텀닷 표시 패널, 마이크로 엘이디 표시 패널, 또는 나노 엘이디 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(100)은 표시층으로 지칭될 수 있다.
표시 패널(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층 구조의 중간층, 상기 중간층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 중간층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 상기 중간층은 실리콘 옥사이드(SiOx)층 및 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 중간층은실리콘 옥사이드층, 실리콘 나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 및 아몰퍼스 실리콘층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 유기-무기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다.
센서(200)는 표시 패널(100) 위에 배치될 수 있다. 센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
센서(200)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 또는, 센서(200)는 표시 패널(100)과 접착 부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
반사 방지층(300)은 센서(200) 위에 배치될 수 있다. 반사 방지층(300)은 표시 모듈(DM)의 외부로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층(300)은 연속된 공정을 통해 센서(200) 위에 형성될 수 있다. 반사 방지층(300)은 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터들은 소정의 배열을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터들은 표시 패널(100)에 포함된 화소들의 발광 컬러들을 고려하여 배열될 수 있다. 또한, 반사 방지층(300)은 상기 컬러 필터들에 인접한 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 반사 방지층(300)은 생략될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 5는 도 4의 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 표시 패널(100)은 표시 영역(DP-A) 및 주변 영역(DP-NA)을 포함할 수 있다. 주변 영역(DP-NA)은 표시 영역(DP-A)과 인접하며 표시 영역(DP-A)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다.
표시 영역(DP-A)은 제1 영역(DP-A1), 제2 영역(DP-A2), 및 제3 영역(DP-A3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(DP-A1)은 컴포넌트 영역, 제2 영역(DP-A2)은 중간 영역 또는 과도 영역(transition area), 제3 영역(DP-A3)은 주 표시 영역 또는 일반 표시 영역으로 지칭될 수 있다. 제1 영역(DP-A1)과 제2 영역(DP-A2)은 보조 표시 영역으로 지칭될 수도 있다.
표시 패널(100)은 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 복수의 화소들(PX)을 제1 영역(DP-A1)에서 광을 방출하는 제1 화소(PX1), 제2 영역(DP-A2)에서 광을 방출하는 제2 화소(PX2), 및 제3 영역(DP-A3)에서 광을 방출하는 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다.
제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3) 각각은 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 실시예에 따라, 백색 화소를 더 포함할 수도 있다.
제1 화소(PX1)는 제1 발광 소자(LD1) 및 제1 발광 소자(LD1)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1)를 포함하고, 제2 화소(PX2)는 제2 발광 소자(LD2) 및 제2 발광 소자(LD2)를 구동하는 제2 화소 회로(PC2)를 포함하고, 제3 화소(PX3)는 제3 발광 소자(LD3) 및 제3 발광 소자(LD3)를 구동하는 제3 화소 회로(PC3)를 포함할 수 있다. 도 4에서 도시된 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)의 위치는 제1, 제2, 및 제3 발광 소자(LD1, LD2, LD3)의 위치에 대응하여 도시된 것이다.
제1 영역(DP-A1)은 도 1에 도시된 센싱 영역(1000SA)과 중첩 또는 대응될 수 있다. 즉, 제1 영역(DP-A1)은 전자 모듈(CM, 도 2 참조)과 평면상에서 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 예를 들어, 외부 입력(예를 들어, 광)은 제1 영역(DP-A1)을 통해 전자 모듈(CM)로 제공될 수 있고, 전자 모듈(CM)로부터의 출력은 제1 영역(DP-A1)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 영역(DP-A1)은 원 형상으로 도시되었으나, 다각형, 타원, 적어도 하나의 곡선 변을 가진 도형, 또는 비정형의 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
투과 영역의 면적을 확보하기 위해, 제1 영역(DP-A1)에는 제3 영역(DP-A3)보다 더 적은 수의 화소가 제공될 수 있다. 제1 영역(DP-A1)에서 제1 발광 소자(LD1)가 배치되지 않은 영역은 투과 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(DP-A1)에서 제1 발광 소자(LD1)의 제1 화소 전극 및 제1 화소 전극을 에워싸는 화소 정의 패턴이 배치되지 않은 영역은 투과 영역으로 정의될 수 있다.
단위 면적 또는 동일한 면적 내에서 제1 영역(DP-A1)에 배치된 제1 화소(PX1)의 개수는 제3 영역(DP-A3)에 배치된 제3 화소(PX3)의 개수보다 적을 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(DP-A1)의 해상도는 제3 영역(DP-A3)의 해상도의 약 1/2, 3/8, 1/3, 1/4, 2/9, 1/8, 1/9, 1/16 등일 수 있다. 예를 들어, 제3 영역(DP-A3)의 해상도는 약 400ppi 이상이고, 제1 영역(DP-A1)의 해상도는 약 200ppi 또는 100ppi일 수 있다. 다만, 이는 일 예일뿐 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제1 화소(PX1)의 제1 화소 회로(PC1)는 제1 영역(DP-A1)에 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 회로(PC1)는 제2 영역(DP-A2) 또는 주변 영역(DP-NA)에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 영역(DP-A1)의 광 투과율은 제1 화소 회로(PC1)가 제1 영역(DP-A1)에 배치된 경우보다 증가될 수 있다.
제1 발광 소자(LD1)와 제1 화소 회로(PC1)는 연결 배선(TWL)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 배선(TWL)은 제1 영역(DP-A1)의 투과 영역과 중첩할 수 있다. 연결 배선(TWL)은 투명 도전 배선을 포함할 수 있다. 투명 도전 배선은 투명 도전 물질 또는 광 투과성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(TWL)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 또는 인듐 산화물(In2O3)등의 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)막으로 형성될 수 있다.
제2 영역(DP-A2)은 제1 영역(DP-A1)과 인접한다. 제2 영역(DP-A2)은 제1 영역(DP-A1)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다. 제2 영역(DP-A2)은 제1 영역(DP-A1)보다 낮은 투과율을 갖는 영역일 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역(DP-A2)은 주변 영역(DP-NA)으로부터 이격될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제 제2 영역(DP-A2)은 주변 영역(DP-NA)과 접할 수 있다.
제2 영역(DP-A2)에는 제1 화소(PX1)의 제1 화소 회로(PC1), 제2 발광 소자(LD2), 및 제2 화소 회로(PC2)가 배치될 수 있다. 따라서, 제2 영역(DP-A2)의 광 투과율은 제1 영역(DP-A1)의 광 투과율보다 낮을 수 있다. 또한, 제2 영역(DP-A2)에 제1 화소(PX1)의 제1 화소 회로(PC1)가 배치됨에 따라, 단위 면적 또는 동일한 면적 내에서 제2 영역(DP-A2)에 배치된 제2 화소(PX2)의 개수는 제3 영역(DP-A3)에 배치된 제3 화소(PX3)의 개수보다 적을 수 있다. 제2 영역(DP-A2)에 표시되는 이미지의 해상도는 제3 영역(DP-A3)에 표시되는 이미지의 해상도보다 낮을 수 있다.
제3 영역(DP-A3)은 제2 영역(DP-A2)과 인접한다. 제3 영역(DP-A3)은 제1 영역(DP-A1)보다 낮은 투과율을 갖는 영역으로 정의될 수 있다. 제3 영역(DP-A3)에는 제3 발광 소자(LD3) 및 제3 화소 회로(PC3)가 배치될 수 있다.
제1 발광 소자(LD1), 제2 발광 소자(LD2), 및 제3 발광 소자(LD3) 각각은 모두 복수로 제공될 수 있다. 제1 발광 소자들(LD1) 중 서로 가장 인접한 2 개의 제1 발광 소자들 사이의 간격은 제3 발광 소자들(LD3) 중 서로 가장 인접한 2 개의 제3 발광 소자들 사이의 간격보다 클 수 있다. 또한, 제2 발광 소자들(LD2) 중 서로 가장 인접한 2 개의 제2 발광 소자들 사이의 간격은 제3 발광 소자들(LD3) 중 서로 가장 인접한 2 개의 발광 소자들 사이의 간격보다 클 수 있다.
도 5에 도시된 제1, 제2, 및 제3 발광 소자(LD1, LD2, LD3)는 제1 발광 소자(LD1)의 제1 화소 전극(AE1, 도 6b 참조), 제2 발광 소자(LD2)의 제2 화소 전극(AE2, 도 6b 참조), 및 제3 발광 소자(LD3)의 제3 화소 전극(AE3, 도 6a 참조)의 평면 상의 형상에 대응될 수 있다. 제1 화소 전극(AE1, 도 6b 참조)의 면적은 제3 화소 전극(AE3, 도 6a 참조)의 면적보다 클 수 있다.
도 6a은 도 5에 도시된 I-I'을 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 6b는 도 5에 도시된 II-II'을 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 6a는 제3 영역(DP-A3)을 포함하는 부분의 단면도이고, 도 6a는 제1 영역(DP-A1) 및 제2 영역(DP-A2)을 포함하는 부분의 단면도이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 표시 패널(100)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 절연층, 반도체층 및 도전층이 형성된다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이러한 방식으로 회로층(120) 및 발광 소자층(130)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등이 형성된다. 이 후, 발광 소자층(130)을 커버하는 봉지층(140)이 형성될 수 있다.
도 6a에는 제3 발광 소자(LD3) 및 제3 화소 회로(PC3, 도 5 참조)의 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)가 도시되었다. 도 6b에는 제1 발광 소자(LD1) 및 제1 화소 회로(PC1), 제2 발광 소자(LD2) 및 제2 화소 회로(PC2)가 도시되었다.
버퍼층(120br)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 버퍼층(120br)은 베이스층(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 제1 반도체 패턴으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(120br)은 제1 반도체 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절하여, 제1 반도체 패턴이 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 하부에는 제1 배면 금속층(BMLa)이 배치되고, 산화물 박막트랜지스터(O-TFT) 하부에는 제2 배면 금속층(BMLb)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2 배면 금속층들(BMLa, BMLb)은 제1 내지 제3 화소 회로들(PC1, PC2, PC3)을 보호하기 위해 제1 내지 제3 화소 회로들(PC1, PC2, PC3)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 및 제2 배면 금속층들(BMLa, BMLb)은 베이스층(110)의 분극 현상으로 인한 전기 퍼텐셜(Electric potential)이 제1 내지 제3 화소 회로들(PC1, PC2, PC3)에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다.
제1 배면 금속층(BMLa)은 화소 회로의 적어도 일부 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 일 실시예로, 제1 배면 금속층(BMLa)은 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)로 구비되는 구동 박막트랜지스터와 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 배면 금속층(BMLa)은 베이스층(110)과 버퍼층(120br) 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 배면 금속층(BMLa)은 유기막과 무기막이 교번하여 적층된 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 또는 또는 제1 배면 금속층(BMLa)은 버퍼층(120br) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 배면 금속층(BMLa)과 버퍼층(120br) 사이에는 무기 배리어층이 더 배치될 수도 있다. 제1 배면 금속층(BMLa)은 전극 또는 배선과 연결되어, 이로부터 정전압 또는 신호를 인가 받을 수 있다. 다른 실시예로, 제1 배면 금속층(BMLa)은 다른 전극 또는 배선과 고립된(isolated) 형태로 구비될 수도 있다.
제2 배면 금속층(BMLb)는 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 하부에 대응하여 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 스토리지커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)과 동일 층에 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 콘택 전극(BML2-C)과 연결되어 정전압 또는 신호를 인가 받을 수 있다. 콘택 전극(BML2-C)은 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 제2 게이트 전극(GT2)과 동일 층에 배치될 수 있다.
제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb) 각각은 반사형 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb) 각각은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 및 p+ 도핑된 비정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb)은 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제1 반도체 패턴은 버퍼층(120br) 위에 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 패턴은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
도 6a는 버퍼층(120br) 위에 배치된 제1 반도체 패턴의 일부분을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 제1 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 제1 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 소스 영역(SE1), 액티브 영역(AC1), 및 드레인 영역(DE1)은 제1 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(120br) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통으로 중첩하며, 제1 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 영역(AC1)에 중첩한다. 제1 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다. 게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)이 배치될 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1)은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다.
제2 반도체 패턴은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제2 반도체 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 금속 산화물이 환원되었는지의 여부에 따라 구분되는 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 금속 산화물이 환원된 영역(이하, 환원 영역)은 그렇지 않은 영역(이하, 비환원 영역) 대비 큰 전도성을 갖는다. 환원 영역은 실질적으로 트랜지스터의 소스/드레인 또는 신호라인의 역할을 갖는다. 비환원 영역이 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 반도체 영역, 채널)에 해당한다. 다시 말해, 제2 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일 수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스/드레인 영역일 수 있으며, 또 다른 일부분은 신호 전달 영역일 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 소스 영역(SE2), 액티브 영역(AC2), 및 드레인 영역(DE2)은 제2 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE2) 및 드레인 영역(DE2)은 단면 상에서 액티브 영역(AC2)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 복수 개의 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통으로 중첩하며, 제2 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제4 절연층(40)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 게이트(GT2)는 제4 절연층(40) 위에 배치된다. 게이트(GT2)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT2)는 액티브 영역(AC2)에 중첩한다. 제2 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT2)는 마스크로 기능할 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치되며, 게이트(GT2)를 커버할 수 있다. 제5 절연층(50)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50)을 관통하는 컨택홀을 통해 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 드레인 영역(DE1)에 접속될 수 있다. 도 6a에서는 제1 연결 전극(CNE1)이 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 드레인 영역(DE1)에 직접 연결된 것으로 도시하였으나, 제1 연결 전극(CNE1)은 발광제어 박막트랜지스터(미도시)를 통해 드레인 영역(DE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다. 제7 절연층(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제8 절연층(80)은 제7 절연층(70) 위에 배치될 수 있다.
제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80) 각각은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자들(LD1, LD2, LD3)을 포함하는 발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 제1 발광 소자(LD1)는 제1 화소 전극(AE1), 제1 발광층(EL1), 및 공통 전극(CE)을 포함하고, 제2 발광 소자(LD2)는 제2 화소 전극(AE2), 제2 발광층(EL2), 및 공통 전극(CE)을 포함하고, 제3 발광 소자(LD3)는 제3 화소 전극(AE3), 제3 발광층(EL3), 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 공통 전극(CE)은 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통으로 제공될 수 있다.
제1 화소 전극(AE1), 제2 화소 전극(AE2), 및 제3 화소 전극(AE3)은 제8 절연층(80) 위에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(AE1), 제2 화소 전극(AE2), 및 제3 화소 전극(AE3) 각각은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일 실시예로, 제1 화소 전극(AE1), 제2 화소 전극(AE2), 및 제3 화소 전극(AE3) 각각은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 화소 전극(AE1), 제2 화소 전극(AE2), 및 제3 화소 전극(AE3) 각각은 ITO/Ag/ITO로 구비될 수 있다.
화소 정의막(PDL) 및 화소 정의 패턴(PDP)은 제8 절연층(80) 위에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의 패턴(PDP)은 동일한 물질을 포함하며, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의 패턴(PDP) 각각은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의 패턴(PDP) 각각은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의 패턴(PDP) 각각은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
화소 정의 패턴(PDP)은 제1 영역(DP-A1)에 배치될 수 있다. 화소 정의 패턴(PDP)은 제1 화소 전극(AE1)의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의 패턴(PDP)은 제1 화소 전극(AE1)의 가장자리를 커버할 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 화소 정의 패턴(PDP)은 고리 형상을 가질 수 있다. 평면 상에서 보았다는 것은 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제2 영역(DP-A2) 및 제3 영역(DP-A3)에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제2 화소 전극(AE2) 및 제3 화소 전극(AE3) 각각의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에는 제2 화소 전극(AE2)의 일부분을 노출시키는 제1 개구(PDL-OP1) 및 제3 화소 전극(AE3)의 일부분을 노출시키는 제2 개구(PDL-OP2)가 정의될 수 있다.
화소 정의 패턴(PDP)은 제1 화소 전극(AE1)의 가장 자리와 공통 전극(CE) 사이의 거리를 증가시킬 수 있고, 화소 정의막(PDL)은 제2 및 제3 화소 전극들(AE2, AE3) 각각의 가장 자리와 공통 전극(CE)의 거리를 증가시킬 수 있다. 따라서, 화소 정의 패턴(PDP) 및 화소 정의막(PDL)에 의해 제1, 제2, 제3 화소 전극들(AE1, AE2, AE3) 각각의 가장 자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제1 영역(DP-A1)에서 제1 화소 전극(AE1) 및 화소 정의 패턴(PDP)이 배치된 부분과 중첩하는 영역은 소자 영역(EA)으로 정의되고, 나머지 영역은 투과 영역(TA)으로 정의될 수 있다.
제1 화소 전극(AE1)은 제2 영역(DP-A2)에 배치된 제1 화소 회로(PC1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 전극(AE1)은 연결 배선(TWL) 및 연결 브릿지(CPN)를 통해 제1 화소 회로(PC1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 연결 배선(TWL)은 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다. 따라서, 연결 배선(TWL)은 광 투과성 물질을 포함할 수 있다.
연결 배선(TWL)은 제5 절연층(50)과 제6 절연층(60) 사이에 배치될 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 연결 브릿지(CPN)는 제6 절연층(60)과 제7 절연층(70) 사이에 배치될 수 있다. 연결 브릿지(CPN)는 연결 배선(TWL) 및 제1 화소 회로(PC1)에 접속될 수 있다.
제1 발광층(EL1)은 제1 화소 전극(AE1) 위에 배치되고, 제2 발광층(EL2)은 제2 화소 전극(AE2) 위에 배치되고, 제3 발광층(EL3)은 제3 화소 전극(AE3) 위에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 내지 제3 발광층들(EL1, EL2, EL3) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다.
공통 전극(CE)은 제1 내지 제3 발광층들(EL1, EL2, EL3) 위에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 내지 제3 화소 전극들(AE1, AE2, AE3)과 제1 내지 제3 발광층들(EL1, EL2, EL3) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광층들(EL1, EL2, EL3)과 공통 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층(141), 유기층(142), 및 무기층(143)을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(141, 143)은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층(142)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들(141, 143)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(142)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서(200)는 표시 패널(100) 위에 배치될 수 있다. 센서(200)는 센서층, 입력 감지층, 또는 입력 감지 패널로 지칭될 수 있다. 센서(200)는 베이스층(210), 제1 도전층(220), 감지 절연층(230) 및 제2 도전층(240)을 포함할 수 있다.
베이스층(210)은 표시 패널(100) 위에 직접 배치될 수 있다. 베이스층(210)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(210)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(210)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(220) 및 제2 도전층(240) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(230)은 제1 도전층(220)과 제2 도전층(240) 사이에 배치될 수 있다. 감지 절연층(230)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는 감지 절연층(230)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 센서(200)는 커버층을 더 포함할 수 있다. 커버층은 감지 절연층(230)위에 배치되며 제2 도전층(240)을 커버할 수 있다. 커버층은 후속 공정에서 제2 도전층(240)에 데미지가 발생될 확률을 감소 또는 제거할 수 있다. 커버층은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 커버층은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
반사 방지층(300)은 센서(200) 위에 배치될 수 있다. 반사 방지층(300)은 분할층(310), 제1 컬러 필터(321), 제2 컬러 필터(322), 제3 컬러 필터(323), 및 평탄화층(330)를 포함할 수 있다.
분할층(310)을 구성하는 물질은 광을 흡수하는 물질이라면 특별히 한정되지 않는다. 분할층(310)은 블랙컬러를 갖는 층으로, 일 실시예에서 분할층(310)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
분할층(310)은 센서(200)의 제2 도전층(240)을 커버할 수 있다. 분할층(310)은 제2 도전층(240)에 의한 외부광 반사를 방지할 수 있다. 분할층(310)은 제2 영역(DP-A2) 및 제3 영역(DP-A3)과 중첩하며, 제1 영역(DP-A1)과 비중첩할 수 있다. 즉, 제1 영역(DP-A1)과 중첩하는 분할층(310)의 일부분은 제거될 수 있다. 따라서, 제1 영역(DP-A1)에서의 투과율은 보다 향상될 수 있다.
분할층(310)에는 복수의 개구들(310-OP1, 310-OP2)이 정의될 수 있다. 제1 개구(310-OP1)는 제2 화소 전극(AE2)과 중첩하고, 제2 개구(310-OP2)는 제3 화소 전극(AE3)과 중첩할 수 있다.
제1 컬러 필터(321)는 제1 영역(DP-A1)과 중첩하여 배치되고, 제2 컬러 필터(322)는 제2 영역(DP-A2)과 중첩하여 배치되고, 제3 컬러 필터(323)는 제3 영역(DP-A3)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(321)는 제1 화소 전극(AE1)과 중첩하여 배치될 수 있고, 제2 컬러 필터(322)는 제2 화소 전극(AE2)과 중첩하여 배치될 수 있고, 제3 컬러 필터(323)는 제3 화소 전극(AE3)과 중첩하여 배치될 수 있다.
분할층(310)은 제1 영역(DP-A1)에 중첩하지 않기 때문에, 제1 컬러 필터(321)는 분할층(310)과 이격될 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(321)는 분할층(310)과 접촉하지 않을 수 있다. 제2 컬러 필터(322)는 제1 개구(310-OP1)를 커버하고, 제3 컬러 필터(323)는 제2 개구(310-OP2)를 커버할 수 있다. 제2 컬러 필터(322) 및 제3 컬러 필터(323) 각각은 분할층(310)과 접촉할 수 있다. 분할층(310)의 제1 및 제2 개구들(310-OP1, 310-OP2)의 개구 면적은 화소 정의막(PDL)의 제1 및 제2 개구들(PDL-OP1, PDL-OP2)의 개구 면적보다 클 수 있다.
평탄화층(330)은 분할층(310), 제1 컬러 필터(321), 제2 컬러 필터(322), 및 제3 컬러 필터(323)를 커버할 수 있다. 평탄화층(330)은 유기물을 포함할 수 있으며, 평탄화층(330)의 상면에 평탄면을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 평탄화층(330)은 생략될 수도 있다.
도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 평면도이다.
도 7a을 참조하면, 센서(200)는 복수의 제1 전극들(201) 및 복수의 제2 전극들(202)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 전극들(202)은 복수의 제1 전극들(201)과 교차할 수 있다. 미 도시되었으나, 센서(200)는 복수의 제1 전극(201) 및 복수의 제2 전극(202)에 연결된 복수의 신호배선들(203)을 더 포함할 수 있다.
복수의 제1 전극들(201) 각각은 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)을 포함할 수 있다. 제1 부분(211)과 제2 부분(212)은 서로 일체의 형상을 가지며, 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)은 제2 도전층(240, 도 4 참조)에 포함될 수 있다.
복수의 제2 전극들(202) 각각은 감지 패턴(221) 및 브릿지 패턴(222)을 포함할 수 있다. 서로 인접한 2 개의 감지 패턴들(221)은 두 개의 브릿지 패턴들(222)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 두 개의 브릿지 패턴들(222)은 제2 부분(212)과 절연 교차될 수 있다. 감지 패턴(221)은 제2 도전층(240, 도 4 참조)에 포함될 수 있고, 브릿지 패턴(222)은 제1 도전층(220, 도 4 참조)에 포함될 수 있다.
복수의 제1 전극들(201) 및 감지 패턴(221) 각각은 메쉬(또는 격자, 그물) 구조를 가질 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술된다. 센서(200)는 표시 패널(100, 도 6a 참조) 위에 직접 배치될 수 있다. 이 경우, 센서(200)와 표시 패널(100, 도 6a 참조)의 제2 전극(CE, 도 6a 참조) 사이의 간격이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 제1 전극들(201) 및 감지 패턴(221) 각각이 메쉬 구조를 갖기 때문에, 제1 전극들(201)과 제2 전극(CE, 도 6a 참조) 사이의 기생 용량에 의한 베이스 커패시턴스 및 제2 전극들(202)과 제2 전극(CE, 도 6a 참조) 사이의 기생 용량에 의한 베이스 커패시턴스가 복수의 제1 전극들(201) 및 감지 패턴(221) 각각이 개구가 없는 전극 형상을 갖는 경우보다 감소될 수 있다. 따라서, 복수의 제1 전극들(201) 및 감지 패턴(221) 각각이 메쉬 구조를 가짐에 따라, 센서(200)의 터치 감도가 향상될 수 있다. 또한, 기생 용량을 더 감소시키기 위해, 제1 부분(211) 및 감지 패턴(221)을 구성하는 메쉬선들의 일부를 폐곡선 형태로 제거하여 상기 폐곡선에 의해 둘러싸인 전기적으로 절연된 더미 패턴이 더 제공될 수도 있다.
센서(200)에는 투과 영역(TPA), 제1 센싱 영역(S-A1), 및 제2 센싱 영역(S-A2)이 정의될 수 있다. 도 4 및 도 7a을 참조하면, 투과 영역(TPA)은 표시 패널(100)의 제1 영역(DP-A1)과 중첩할 수 있고, 제1 센싱 영역(S-A1)은 표시 패널(100)의 제2 영역(DP-A2)과 중첩할 수 있고, 제2 센싱 영역(S-A2)은 표시 패널(100)의 제3 영역(DP-A3)과 중첩할 수 있다. 복수의 제1 전극들(201) 및 복수의 제2 전극들(202) 각각은 투과 영역(TPA)에 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)의 투과율이 보다 더 향상될 수 있다.
도 7b는 도 7a에 도시된 III-III'을 따라 절단한 센서의 단면도이다. 도 7c는 도 7a에 도시된 IV-IV'을 따라 절단한 센서의 단면도이다.
도 7a, 도 7b 및 도 7c를 참조하면, 브릿지 패턴들(222)은 제1 도전층(220, 도 6a 참조)으로부터 형성되고, 제1 부분(211), 제2 부분(212), 및 감지 패턴(221)은 제2 도전층(240, 도 6a 참조)로부터 형성될 수 있다. 감지 절연층(230)을 관통하는 컨택홀(CNT-I)을 통해서 감지 패턴(221)은 브릿지 패턴(222)과 접속될 수 있다.
복수의 신호 배선들(203)은 제2 도전층(240, 도 6a 참조)로부터 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 신호 배선들(203)은 제1 도전층(220, 도 6a 참조)으로부터 형성되어, 베이스층(210)과 감지 절연층(230) 사이에 배치될 수 있다. 또는 복수의 신호 배선들(203)은 각각은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 신호 배선들(203)은 각각은 제1 도전층(220, 도 6a 참조)으로부터 형성된 제1 층 배선, 제2 도전층(240, 도 6a 참조)으로부터 형성된 제2 층 배선을 포함할 수 있고, 제1 층 배선과 제2 층 배선은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 신호 배선들(203)은 각각이 복수의 층들을 포함하는 경우, 저항은 더 낮아질 수 있다. 도 7d는 도 7a에 도시된 XX' 영역을 확대한 평면도이다. 도 7d는 도 7a에 제1 부분(211)을 확대하여 도시한 것이다. 제1 부분(211)은 메쉬 구조를 가질 수 있다. 제1 부분(211)에는 복수의 개구들(OP-M)이 정의될 수 있다. 복수의 개구들(OP-M)은 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)의 제2 개구들(PDL-OP2)에 각각 대응할 수 있다.
도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱유닛의 평면도이다. 도 7f는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱유닛의 교차영역을 확대한 평면도이다.
도 7a, 도 7e, 및 도 7f를 참조하면, 센서(200)는 복수의 센싱유닛들(SU)로 구분될 수 있다. 센싱유닛들(SU) 각각은 제1 전극들(201)과 제2 전극들(202)의 교차 영역들 중 대응하는 교차 영역을 포함할 수 있다. 교차 영역은 브릿지 패턴들(222)이 배치된 영역일 수 있다.
센싱유닛(SU)은 절반의 제1 부분(211), 제2 부분(212), 제2 부분(212)을 사이에 두고 배치된 또 다른 절반의 제1 부분(211), 절반의 감지 패턴(221), 2 개의 브릿지 패턴들(222), 또 다른 절반의 감지 패턴(221)을 포함할 수 있다.
2 개의 브릿지 패턴들(222)이 2 개의 감지 패턴들(221)을 연결할 수 있다. 2 개의 브릿지 패턴들(222과 2 개의 감지 패턴들(221) 사이에는 제1 내지 제4 접속영역들(CNT-A1 내지 CNT-A4)이 제공된다. 제1 내지 제4 접속영역들(CNT-A1 내지 CNT-A4) 각각에 4개의 컨택홀들(CNT-I)이 형성될 수 있다.
도 8은 도 7a에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7a 및 도 8을 참조하면, 투과 영역(TPA)에 인접한 2 개의 제1 부분들(211a) 및 2 개의 감지 패턴들(221a)이 도시되었다. 2 개의 제1 부분들(211a) 및 2 개의 감지 패턴들(221a) 각각은 제1 센싱 영역(S-A1) 및 제2 센싱 영역(S-A2)에 모두 중첩할 수 있다. 2 개의 제1 부분들(211a) 및 2 개의 감지 패턴들(221a) 각각은 투과 영역(TPA)과 비중첩할 수 있다.
제1 부분들(211a) 및 감지 패턴들(221a) 각각은 제1 센싱 영역(S-A1)과 중첩하는 제1 메쉬 구조 및 제2 센싱 영역(S-A2)과 중첩하는 제2 메쉬 구조를 포함할 수 있다.
제1 부분들(211a) 및 감지 패턴들(221a) 각각은 제1 센싱 영역(S-A1)과 제2 센싱 영역(S-A2)에 연속하여 배치될 수 있다. 따라서, 제1 센싱 영역(S-A1)과 제2 센싱 영역(S-A2)의 경계에서 서로 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 서로 동일한 전극에 포함될 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)에서 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 모두 제1 부분들(211a)에 포함될 수 있으며, 제1 전극들(201) 중 하나의 제1 전극에 포함될 수 있다. 또한, 제1 방향(DR1)에서 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 모두 감지 패턴(221a)에 포함될 수 있으며, 제2 전극들(202) 중 하나의 제2 전극에 포함될 수 있다.
제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에서 제1 메쉬 구조가 차지하는 면적과 제2 메쉬 구조가 차지하는 면적은 서로 상이할 수 있다. 이하에서 제1 메쉬 구조 및 제2 메쉬 구조에 대해 상세히 설명된다.
도 9는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1) 및 제2 센싱 영역(S-A2)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)가 도시되었다.
제1 메쉬 구조(MS1)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1)은 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 연장하며, 제2 교차 방향(DRC2)으로 이격된 선들이고, 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1)은 제2 교차 방향(DRC2)을 따라 연장하며, 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 이격된 선들일 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 교차 방향(DRC1)과 제2 교차 방향(DRC2)은 서로 교차할 수 있다.
제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2)은 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 연장하며, 제2 교차 방향(DRC2)으로 이격된 선들이고, 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 제2 교차 방향(DRC2)을 따라 연장하며, 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 이격된 선들일 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
제1 메쉬 구조(MS1)에는 복수의 제1 메쉬선들(ML1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 각각의 일부분들이 제거된 제1 단선부들(CTP1)이 정의되고, 제2 메쉬 구조(MS2)에는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 각각의 일부분들이 제거된 제2 단선부들(CTP2)이 정의될 수 있다. 도 9에는 제1 단선부들(CTP1)을 형성하는 제1 커팅 라인(CL1) 및 제2 단선부들(CTP2)을 형성하는 제2 커팅 라인(CL2)을 점선으로 도시하였다. 제1 단선부들(CTP1) 및 제2 단선부들(CTP2) 각각은 갭, 메쉬 제거 부분, 또는 메쉬 이격 부분으로 지칭될 수 있다.
제1 단선부들(CTP1)의 배치 밀도는 제2 단선부들(CTP2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 즉, 동일한 기준 면적(UA1) 내에서 제1 단선부들(CTP1)의 수는 제2 단선부들(CTP2)의 수보다 적을 수 있다. 도 9에 제1 센싱 영역(S-A1) 및 제2 센싱 영역(S-A2) 각각에 기준 면적들(UA1, UA2)을 표시하였다. 기준 면적들(UA1, UA2)은 동일한 형상 및 동일한 면적을 가질 수 있다. 제1 센싱 영역(S-A1)에서 기준 면적(UA1)에 배치된 제1 단선부들(CTP1)의 개수는 2 개 일수 있고, 제2 센싱 영역(S-A2)에서 기준 면적(UA2)에 배치된 제2 단선부들(CTP2)의 개수는 4 개일 수 있다.
제1 전극들(201, 도 7a 참조)과 제2 전극들(202)을 구분하기 위한 단선부의 시인성을 감소시키기 위해 제1 단선부들(CTP1) 및 제2 단선부들(CTP2) 각각이 제공될 수 있다. 투과 영역(TPA)에는 제1 전극들(201, 도 7a 참조) 및 제2 전극들(202, 도 7a 참조)이 배치되지 않기 때문에, 단선부도 제공되지 않는다. 즉, 투과 영역(TPA)에 배치된 단선부의 배치 밀도는 0일 수 있다. 배치 밀도가 0이라는 것은 소정의 면적 내에 단선부가 배치되지 않는다는 것을 의미한다.
투과 영역(TPA)에서는 단선부에 의한 반사 시인성은 없을 수 있다. 따라서, 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 제1 단선부들(CTP1)의 배치 밀도는 제2 센싱 영역(S-A2)에 정의된 제2 단선부들(CTP2)의 배치 밀도와 투과 영역에서의 단선부의 배치 밀도 사이의 밀도를 가질 수 있다.
화소들(PX, 도 4 참조)은 발광하는 색상에 따라 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)를 포함할 수 있다. 제2 센싱 영역(S-A2)과 중첩하는 영역에 배치된 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)의 배치 밀도는 제1 센싱 영역(S-A1)과 중첩하는 영역에 배치된 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)의 배치 밀도보다 높을 수 있다.
제2 센싱 영역(S-A2)에서 제2 단선부들(CTP2)은 소정의 규칙을 갖고 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 녹색 발광 소자들(PXG) 중 하나의 녹색 발광 소자(PXG)와 인접하여 2 개의 제2 단선부들(CTP2)이 정의되고, 상기 하나의 녹색 발광 소자(PXG)와 인접한 녹색 화소 주변에는 제2 단선부들(CTP2)이 정의되지 않을 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1)에서 제1 단선부들(CTP1)은 소정의 규칙을 갖고 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 모든 녹색 발광 소자(PXG)와 인접하여 2 개의 제1 단선부들(CTP1)이 정의될 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 녹색 발광 소자들(PXG) 사이의 피치는 제2 센싱 영역(S-A2)에 배치된 녹색 발광 소자들(PXG) 사이의 피치보다 크기 때문에, 제1 단선부들(CTP1)의 배치 밀도는 제2 단선부들(CTP2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다.
제1 단선부들(CTP1)과 제2 단선부들(CTP2)은 제1 전극(201)과 제2 전극(202)의 경계가 시인되는 것을 방지하면 될 뿐, 상술된 규칙에 제한되는 것은 아니다. 또한, 제1 단선부들(CTP1)의 배치 밀도는 제2 단선부들(CTP2)의 배치 밀도보다 낮으면 될 뿐, 상술된 규칙에 제한되는 것은 아니다.
도 10은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 10을 설명함에 있어서, 도 9와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 10을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)은 투과 영역(TPA)과 인접한 제1 서브 센싱 영역(SSa) 및 제1 서브 센싱 영역(SSa)과 제2 센싱 영역(S-A2) 사이의 제2 서브 센싱 영역(SSb)을 포함할 수 있다.
제1 서브 센싱 영역(SSa)에 정의된 제1 단선부들(CTP1a)의 배치 밀도는 제2 서브 센싱 영역(SSb)에 정의된 제1 단선부들(CTP1b)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 센싱 영역(SSa)에서, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 녹색 발광 소자들(PXG) 중 하나의 녹색 발광 소자(PXG)와 인접하여 2 개의 제2 단선부들(CTP2)이 정의되고, 상기 하나의 녹색 발광 소자(PXG)와 인접한 녹색 화소 주변에는 제2 단선부들(CTP2)이 정의되지 않을 수 있다. 제1 단선부들(CTP1a)의 배치 밀도는 제1 단선부들(CTP1b)의 배치 밀도보다 낮으면 될 뿐, 상술된 규칙에 제한되는 것은 아니다.
도 11은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 11을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 도 11에 도시된 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분의 면적과 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분의 면적은 서로 동일할 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1a)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1a)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1a)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1a)는 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPE)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPE)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 보상 전극(CPE)은 제1 메쉬선들(ML1) 중 일부 제1 메쉬선들 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구(OPM)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 상기 일부 제1 메쉬선들은 서로 가장 인접한 2 개의 제1 메쉬선들이고, 상기 일부 제1 교차 메쉬선들은 서로 가장 인접한 2 개의 제1 교차 메쉬선들이다.
보상 전극(CPE)은 개구(OPM)와 대응하는 형상을 가지며, 개구(OPM)를 완전히 커버할 수 있다. 보상 전극(CPE)은 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들과 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 센싱 영역(S-A1)에 추가 배치된 보상 전극(CPE)이 제1 메쉬선들(ML1) 및 제1 교차 메쉬선들(MCL1)과 구분되는 해칭으로 도시하였으나, 보상 전극(CPE)은 제1 메쉬선들(ML1) 및 제1 교차 메쉬선들(MCL1)과 동일한 물질을 포함하며, 그 경계가 구분되지 않을 수 있다.
보상 전극(CPE)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보상 전극(CPE)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 보상 전극(CPE)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1)은 투과 영역(TPA)과 인접한 영역이다. 투과 영역(TPA)에는 제1 전극(201, 도 7a 참조) 및 제2 전극(202, 도 7a 참조)이 배치되지 않는다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 제1 전극(201, 도 7a 참조) 및/또는 제2 전극(202, 도 7a 참조)의 면적이 감소될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 구조(MS1a)를 제2 메쉬 구조(MS2)와 다르게 변형하여, 제1 메쉬 구조(MS1a)의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 보상 전극(CPE)을 포함하는 제1 메쉬 구조(MS1a)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA)과 중첩, 투과 영역(TPA)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
또한, 도 9 및 도 10에서 설명된 실시예는 도 11에서 설명된 실시예에 동일하게 적용될 수 있다. 뿐만 아니라, 도 9 및 도 10에서 설명된 실시예는 이하에서 설명되는 실시예들에 동일하게 적용될 수 있다.
도 12는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 12를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 도 12에 도시된 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분의 면적과 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분의 면적은 서로 동일할 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1b)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1b)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1b)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1b)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEa)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEa)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 보상 전극(CPEa)은 제1 메쉬선들(ML1) 중 일부 제1 메쉬선들 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구(OPM)의 일부분과 중첩하는 형상을 가질 수 있다.
보상 전극(CPEa)은 고리형상을 가질 수 있다. 보상 전극(CEPa)에 의해 정의된 개구(OPM-1)는 제1 메쉬선들(ML1) 중 일부 제1 메쉬선들 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구(OPM)보다 작을 수 있다.
보상 전극(CPEa)은 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들과 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 메쉬선(ML1)의 일부분의 제1 폭(WT1)의 제1 메쉬선(ML1)의 다른 일부분의 제2 폭(WT2)과 상이할 수 있다. 제1 메쉬선(ML1)의 다른 일부분은 보상 전극(CPEa)의 일부분을 포함하는 부분일 수 있다. 예를 들어, 제1 메쉬선(ML1)의 다른 일부분은 제1 폭(WT1)의 제1 메쉬선(ML1)의 일부분과 보상 전극(CPEa)을 포함한 것으로 정의될 수 있다. 즉, 제2 폭(WT2)은 제1 폭(WT1)과 보상 전극(CPEa)의 폭을 합친 값에 대응될 수 있으며, 제2 폭(WT2)은 제1 폭(WT1)보다 클 수 있다. 또한, 제2 메쉬선(ML2) 및 제2 메쉬선(MLC2) 각각의 폭은 제1 폭(WT1)과 실질적으로 동일할 수 있다.
보상 전극(CPEa)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보상 전극(CPEa)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 보상 전극(CPEa)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 구조(MS1b)를 제2 메쉬 구조(MS2)와 다르게 변형하여, 제1 메쉬 구조(MS1b)의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 보상 전극(CPEa)을 포함하는 제1 메쉬 구조(MS1b)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA)과 중첩, 투과 영역(TPA)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 도 13은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 13을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 도 13에 도시된 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분의 면적과 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분의 면적은 서로 동일할 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1b)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1b)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1b)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1b)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEa)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEa)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
앞서, 도 12에서 설명된 보상 전극(CPEa)과 비교하였을 때, 도 13에 도시된 보상 전극(CPEa)은 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 제1 센싱 영역(S-A1)의 모든 개구(OPM)에 대응하여 제공될 수 있다.
보상 전극(CPEa)은 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들과 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 메쉬선(ML1)의 일부분의 제1 폭(WT1)의 제1 메쉬선(ML1)의 다른 일부분의 제2 폭(WT2), 및 제1 메쉬선(ML1)의 또 다른 일부분의 제3 폭(WT3)과 상이할 수 있다. 제1 메쉬선(ML1)의 다른 일부분은 하나의 보상 전극(CPEa)과 인접한 부분일 수 있다. 제1 메쉬선(ML1)의 또 다른 일부분은 두 개의 보상 전극들(CPEa)과 인접한 부분일 수 있다. 제2 폭(WT2)은 제1 폭(WT1)보다 클 수 있고, 제3 폭(WT3)은 제1 폭(WT1) 및 제2 폭(WT2) 각각 보다 클 수 있다.
보상 전극(CPEa)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보상 전극(CPEa)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 보상 전극(CPEa)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 구조(MS1b)를 제2 메쉬 구조(MS2)와 다르게 변형하여, 제1 메쉬 구조(MS1b)의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 보상 전극(CPEa)을 포함하는 제1 메쉬 구조(MS1b)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA)과 중첩, 투과 영역(TPA)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 도 14은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 14을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1c)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1c)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1c)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1c)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEb)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEb)은 동일한 물질을 포함하며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 보상 전극(CPEb)은 제1 메쉬선들(ML1) 중 일부 제1 메쉬선들 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구(OPM)의 일부분과 중첩하는 형상을 가질 수 있다.
보상 전극(CPEb)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보상 전극(CPEb)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 보상 전극(CPEb)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
보상 전극(CPEb)은 구불구불한 형상을 가질 수 있다. 보상 전극(CPEb)은 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들과 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 구조(MS1c)를 제2 메쉬 구조(MS2)와 다르게 변형하여, 제1 메쉬 구조(MS1c)의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 보상 전극(CPEb)을 포함하는 제1 메쉬 구조(MS1c)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA)과 중첩, 투과 영역(TPA)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 15는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 15를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1d)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1d)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1d)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1d)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd) 각각은 제1 메쉬선들(ML1) 중 일부 제1 메쉬선들 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구(OPM)의 일부분과 중첩하는 형상을 가질 수 있다.
제1 보상 전극(CPEc)과 제2 보상 전극(CPEd)은 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 보상 전극(CPEc)은 십자 형상을 가질 수 있고, 제2 보상 전극(CPEd)은 구불구불한 형상을 가질 수 있다.
제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd) 각각은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd) 각각은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 제1 보상 전극(CPEc), 및 제2 보상 전극(CPEd) 각각은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
도 15에서는 제1 메쉬 구조(MS1d)가 2 가지 형태의 제1 및 제2 보상 전극들(CPEc, CPEd)을 포함하는 것을 예로 들었으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1d)는 앞서 도 11, 도 12, 및 도 14에서 설명된 보상 전극들(CPE, CPEa, CPEb) 중 적어도 어느 하나를 더 포함 할 수 있다.
도 16는 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 16를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다. 제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1e)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1e)는 제2 메쉬 구조(MS2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1e)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1e)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1), 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1), 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1) 사이의 최소 간격은 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1) 사이의 최소 간격은 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 간격보다 작을 수 있다.
이하에서, 복수의 제1 메쉬선들(ML1, MLC1) 중 제2 메쉬 구조(MS2)와 비교하여, 제1 메쉬 구조(MS1e)가 더 포함하는 제1 메쉬선들(CML1)은 제1 보상 메쉬선들(CML1)이라 지칭될 수 있다. 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1) 중 제2 메쉬 구조(MS2)와 비교하여, 제1 메쉬 구조(MS1e)가 더 포함하는 제1 교차 메쉬선들(CMLC1)은 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)이라 지칭될 수 있다.
하나의 제1 보상 메쉬선(CML1)은 서로 가장 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1) 사이에 배치될 수 있고, 하나의 제1 보상 교차 메쉬선(CMLC1)은 서로 가장 인접한 2개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 사이에 배치될 수 있다.
제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 서로 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 제1 메쉬선들(ML1) 및 제1 교차 메쉬선들(MLC1)과 서로 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 센싱 영역(S-A1)에 추가 배치된 제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 제1 메쉬선들(ML1) 및 제1 교차 메쉬선들(MCL1)과 구분되는 해칭으로 도시하였으나, 제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 제1 메쉬선들(ML1) 및 제1 교차 메쉬선들(MCL1)과 동일한 물질을 포함하며, 그 경계가 구분되지 않을 수 있다.
제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 제1 보상 메쉬선들(CML1) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
도 17은 도 8의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 17을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)에는 제1 메쉬 구조(MS1f)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다.
동일한 기준 면적 내에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1f)의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 메쉬 구조(MS1e)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1a, CML1b), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1a, CMLC1b)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(ML1, CML1a, CML1b), 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1a, CMLC1b)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다.이하에서, 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1a, CML1b) 중 제2 메쉬 구조(MS2)와 비교하여, 제1 메쉬 구조(MS1f)가 더 포함하는 제1 메쉬선들(CML1a, CML1b)은 제1 보상 메쉬선들(CML1a, CML1b)이라 지칭될 수 있다. 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1a, CMLC1b) 중 제2 메쉬 구조(MS2)와 비교하여, 제1 메쉬 구조(MS1f)가 더 포함하는 제1 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)은 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)이라 지칭될 수 있다.
2 개의 제1 보상 메쉬선(CML1a, CML1b)은 서로 가장 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1) 사이에 배치될 수 있고, 2 개의 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)은 서로 가장 인접한 2개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1) 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 제1 메쉬선들(ML1, CML1a, CML1b) 사이의 최소 간격은 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1, CMLC1a, CMLC1b) 사이의 최소 간격은 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 간격보다 작을 수 있다.
제1 보상 메쉬선들(CML1a, CML1b) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)가 배치되지 않은 더미 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 보상 메쉬선들(CML1a, CML1b) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)은 제1 발광 소자(LD1, 도 5 참조)를 구동하는 제1 화소 회로(PC1, 도 5 참조)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다. 또는, 제1 보상 메쉬선들(CML1a, CML1b) 및 제1 보상 교차 메쉬선들(CMLC1a, CMLC1b)은 적색 발광 소자(PXR, 도 9 참조), 녹색 발광 소자(PXG, 도 9 참조), 및 청색 발광 소자(PXB, 도 9 참조)의 사이에 위치하는 화소 정의막(PDL, 도 6a 참조)과 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
도 18은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 18을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1g) 및 제2 센싱 영역(S-A2)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)가 도시되었다.
제1 메쉬 구조(MS1g)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1-1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1-1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1-1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1-1)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 복수의 제1 메쉬선들(ML1-1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1-1) 각각의 폭(Tk2-1)은 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 각각의 폭(Tk1)보다 클 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1g)를 제2 메쉬 구조(MS2)와 다르게 변형하여, 제1 메쉬 구조(MS1g)의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 제1 메쉬 구조(MS1g)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 중첩, 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 19a는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 19a를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)은 투과 영역(TPA)과 인접한 제1 서브 센싱 영역(SSa) 및 제1 서브 센싱 영역(SSa)과 제2 센싱 영역(S-A2) 사이의 제2 서브 센싱 영역(SSb)을 포함할 수 있다.
제1 서브 센싱 영역(SSa)에는 제1-1 메쉬 구조(MS1ga)가 배치되고, 제2 서브 센싱 영역(SSb)에는 제1-2 메쉬 구조(MS1gb)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1-1 메쉬 구조(MS1ga)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk2b)은 제1-2 메쉬 구조(MS1gb)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk2a)보다 크고, 제1-2 메쉬 구조(MS1gb)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk2a)은 제2 메쉬 구조(MS2)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk1)보다 클 수 있다. 폭들(Tk1, Tk2a, Tk2b) 각각은 메쉬선들의 연장 방향 또는 길이 방향에 대해 교차하는 방향의 폭을 의미할 수 있으며, 서로 인접한 두 개구 사이에 배치된 메쉬선의 폭을 의미할 수 있다.
즉, 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)에 인접할수록 메쉬선들의 폭이 커질 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)에 인접할수록 단위 면적당 메쉬 구조의 폭이 더 증가될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 제1-1 메쉬 구조(MS1ga) 및 제1-2 메쉬 구조(MS1gb)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 중첩, 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 19b는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 19b를 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1)의 일부분 및 제2 센싱 영역(S-A2)의 일부분이 도시되었다.
제1 서브 센싱 영역(SSa)에는 제1-1 메쉬 구조(MS1ha)가 배치되고, 제2 서브 센싱 영역(SSb)에는 제1-2 메쉬 구조(MS1hb)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다. 제1-1 메쉬 구조(MS1ha), 제1-2 메쉬 구조(MS1hb), 및 제2 메쉬 구조(MS2)는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에 배치된 제1-1 메쉬 구조(MS1ha) 및 제1-2 메쉬 구조(MS1hb) 각각의 면적은 제2 메쉬 구조(MS2)의 면적보다 클 수 있다.
제1-1 메쉬 구조(MS1ha)는 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEea)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEea)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 제1-2 메쉬 구조(MS1hb)는 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEeb)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(ML1), 제1 교차 메쉬선들(MLC1), 및 보상 전극(CPEeb)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
제1 서브 센싱 영역(SSa)에서 보상 전극(CPEea)은 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)가 배치되지 않은 모든 더미 영역에 배치될 수 있다. 제2 서브 센싱 영역(SSb)에서 보상 전극(CPEeb)은 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)가 배치되지 않은 모든 더미 영역들 중 일부에 배치될 수 있다.
도 19b의 도시와 달리, 본 발명의 일 실시예에서 제2 서브 센싱 영역(SSb)에서 보상 전극(CPEeb)은 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)가 배치되지 않은 모든 더미 영역에 배치될 수 있고, 제1 서브 센싱 영역(SSa)에서 보상 전극(CPEea)은 적색 발광 소자(PXR), 녹색 발광 소자(PXG), 및 청색 발광 소자(PXB)가 배치되지 않은 모든 더미 영역들 중 일부에 배치될 수 있다.
또한, 제1 서브 센싱 영역(SSa) 및 제2 서브 센싱 영역(SSb)의 구분 없이 제2 센싱 영역(S-A2)에 가까워질수록 보상 전극의 배치 밀도가 증가하거나, 제2 센싱 영역(S-A2)에 가까워질수록 보상 전극의 배치 밀도가 감소할 수도 있다.
또한, 보상 전극들(CPEea, CPEeb) 각각의 형상들도 도시된 예에 제한되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 보상 전극들(CPEea, CPEeb) 각각의 형상들은 도 12, 도 13, 도 14, 도 15에 도시된 보상 전극들의 형상 중 어느 하나로 치환될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 투과 영역(TPA)에 의해 감소된 부분의 면적은 제1-1 메쉬 구조(MS1ha) 및 제1-2 메쉬 구조(MS1hb)에 의해 보완될 수 있다. 따라서, 센서(200, 도 7a 참조)의 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 중첩, 투과 영역(TPA, 도 7a 참조)과 인접한 영역에서의 센싱 감도가 향상될 수 있다.도 20은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 20을 참조하면, 제1 메쉬 구조(MS1i)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
투과 영역(TPA)에는 메쉬 구조가 배치되지 않는다. 즉, 투과 영역(TPA)에 배치된 메쉬 구조의 배치 밀도는 "0"일 수 있다. 제1 센싱 영역(S-A1)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1i)의 배치 밀도는 제2 센싱 영역(S-A2)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도와 투과 영역(TPA) 사이의 밀도를 가질 수 있다.
복수의 제1 메쉬선들(ML1t)의 배치 밀도는 복수의 제2 메쉬선들(ML2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있고, 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t)의 배치 밀도는 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1i)에 정의된 개구의 사이즈는 제2 메쉬 구조(MS2)에 정의된 개구의 사이즈보다 클 수 있다.
복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 중 서로 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1t) 사이의 거리(DT1a)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 중 서로 인접한 2 개의 제2 메쉬선들(ML2) 사이의 거리(DT1b)보다 클 수 있다. 또한, 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t) 중 서로 인접한 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t) 사이의 거리(DT2a)는 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 중 서로 인접한 2 개의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 거리(DT2b) 보다 클 수 있다.
외부에서 메쉬 구조가 배치되지 않은 투과 영역(TPA)의 시인성은 제1 메쉬 구조(MS1i)의 배치 밀도를 제2 메쉬 구조(MS2)보다 낮게 해 줌에 따라 완화될 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t) 각각의 폭(Tk2-2)을 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 각각의 폭(Tk1)보다 크게 제공함에 따라, 센싱 감도도 향상될 수 있다.
도 21은 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 21을 참조하면, 제1 서브 센싱 영역(SSa)에는 제1-1 메쉬 구조(MS1ia)가 배치되고, 제2 서브 센싱 영역(SSb)에는 제1-2 메쉬 구조(MS1ib)가 배치되고, 제2 센싱 영역(S-A2)에는 제2 메쉬 구조(MS2)가 배치될 수 있다.
외부에서 메쉬 구조가 배치되지 않은 투과 영역(TPA)의 시인성은 제1-1, 및 제1-2 메쉬 구조들(MS1ia, MS1ib)의 배치 밀도를 제2 메쉬 구조(MS2)보다 낮게 해 줌에 따라 완화될 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 제1-1 메쉬 구조(MS1ia)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk2-3b)은 제1-2 메쉬 구조(MS1ib)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(TK2-3a)보다 크고, 제1-2 메쉬 구조(MS1ib)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk2-3a)은 제2 메쉬 구조(MS2)에 포함된 메쉬선들 각각의 폭(Tk1)보다 클 수 있다. 따라서, 외부 시인성 및 센싱 감도가 모두 개선된 센서(200, 도 7a 참조)가 제공될 수 있다. 도 21에서는, 제1 센싱 영역(S-A1)이 2 개의 서브 센싱 영역들(SSa, SSb)로 구분된 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 센싱 영역(S-A1)은 3 개 이상의 서브 센싱 영역들로 구분될 수 있고, 이 경우, 구분된 서브 센싱 영역들에 각각 배치된 메쉬선들의 폭은 서로 상이할 수 있다.
도 22는 도 8의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 22를 참조하면, 제1 서브 센싱 영역(SSa)에 배치된 제1-1 메쉬 구조(MSib-1)의 배치 밀도는 제2 서브 센싱 영역(SSb)에 배치된 제1-2 메쉬 구조(MSib-2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 제2 서브 센싱 영역(SSb)에 배치된 제1-2 메쉬 구조(MSib-2)의 배치 밀도는 제1 서브 센싱 영역(SSa)에 배치된 제1-1 메쉬 구조(MSib-1)의 배치 밀도와 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도 사이의 밀도를 가질 수 있다.
제1-1 메쉬 구조(MSib-1)는 복수의 제1-1 메쉬선들(ML1ta) 및 복수의 제1-1 교차 메쉬선들(MLC1ta)을 포함할 수 있다. 제1-2 메쉬 구조(MSib-2)는 복수의 제1-2 메쉬선들(ML1tb) 및 복수의 제1-2 교차 메쉬선들(MLC1tb)을 포함할 수 있다.
복수의 제1-1 메쉬선들(ML1ta) 중 서로 인접한 2개의 제1-1 메쉬선들(ML1ta) 사이의 거리(DT1a)는 복수의 제1-2 메쉬선들(ML1tb) 중 서로 인접한 제1-2 메쉬선들(ML1tb) 사이의 거리(DT1c)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 거리(DT1a)와 거리(DT1c)의 차이는 제1-1 메쉬선(ML1ta)의 폭과 제1-2 메쉬선(ML1tb)의 폭 차이 수준일 수 있다. 복수의 제1-1 교차 메쉬선들(MLC1ta) 중 서로 인접한 2 개의 제 제1-1 교차 메쉬선들(MLC1ta) 사이의 거리(DT2a)는 복수의 제1-2 교차 메쉬선들(MLC1tb) 중 서로 인접한 2 개의 제1-2 교차 메쉬선들(MLC1tb) 사이의 거리(DT2c) 보다 클 수 있다. 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y) 사이의 거리(DT2c)는 2 개의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 거리(DT2b)와 동일할 수 있다.
제1-2 메쉬 구조(MSib-2)의 배치 밀도는 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도 보다 낮고, 제1-1 메쉬 구조(MS1ib-1)의 배치 밀도는 제1-2 메쉬 구조(MS1ib-2)의 배치 밀도보다 낮으면 될 뿐, 제1-1, 및 제1-2 메쉬 구조들(MSib-1, MSib-2), 및 제2 메쉬 구조(MS2) 각각의 배치 밀도가 상술된 규칙에 제한되는 것은 아니다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 평면도이다.
도 23을 참조하면, 센서(200a)는 복수의 제1 전극들(201) 및 복수의 제2 전극들(202)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 전극들(201) 각각은 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 전극들(202) 각각은 감지 패턴(221) 및 브릿지 패턴(222)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 전극들(201) 및 감지 패턴(221) 각각은 메쉬(또는 격자, 그물) 구조를 가질 수 있다.
센서(200)에는 투과 영역(TPA), 제1 센싱 영역(S-A1a), 및 제2 센싱 영역(S-A2a)이 정의될 수 있다. 제1 센싱 영역(S-A1a)은 표시 패널(100, 도 4 참조)의 제2 영역(DP-A2, 도 4 참조)과 중첩할 수 있고, 제2 센싱 영역(S-A2a)은 표시 패널(100, 도 4 참조)의 제3 영역(DP-A3, 도 4 참조)과 중첩할 수 있다.
도 24는 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 23 및 도 24을 참조하면, 투과 영역(TPA)에 인접한 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2), 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2)에 연결된 보상 부분(211c), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2)에 전기적으로 연결된 보상 패턴(221y), 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x1)을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴들 (222x1), 및 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x2)을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴들(222x2)이 도시되었다.
보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y)은 제1 센싱 영역(S-A1a)에 배치될 수 있다. 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2)은 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치될 수 있다. 따라서, 보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y) 각각은 제1 메쉬 구조를 가질 수 있고, 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2) 각각은 제2 메쉬 구조를 가질 수 있다.
제1 센싱 영역(S-A1a)과 제2 센싱 영역(S-A2a)의 경계(BRx)는 직사각 형상을 가질 수 있다. 제1 센싱 영역(S-A1a)과 제2 센싱 영역(S-A2a)의 경계(BRx)에서 서로 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조 중 하나는 제1 전극(201)에 포함되고, 다른 하나는 제2 전극(202)에 포함될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)과 중첩하는 부분에 제1 전극(201) 또는 제2 전극(202)이 제공되지 않더라도, 투과 영역(TPA)과 인접한 영역에서 제1 전극(201)과 제2 전극(202)이 마주하는 부분이 늘어날 수 있다. 따라서, 투과 영역(TPA)에 의한 센싱 감도 저하가 방지될 수 있다.
제1 방향(DR1)에서 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 서로 상이한 전극에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 메쉬 구조는 제2 전극들(202) 중 하나의 제2 전극에 포함될 수 있고, 상기 제2 메쉬 구조는 제1 전극들(201) 중 하나의 제1 전극에 포함될 수 있다. 또한, 제2 방향(DR2)에서 마주하는 제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조도 서로 상이한 전극에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 메쉬 구조는 제1 전극들(201) 중 하나의 제1 전극에 포함될 수 있고, 상기 제2 메쉬 구조는 제2 전극들(202) 중 하나의 제2 전극에 포함될 수 있다.
제1 메쉬 구조와 제2 메쉬 구조는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 동일한 기준 면적 내에서 제1 메쉬 구조가 차지하는 면적과 제2 메쉬 구조가 차지하는 면적은 서로 상이할 수 있다. 이하에서 제1 메쉬 구조 및 제2 메쉬 구조에 대해 상세히 설명된다.
도 25는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 23, 도 24, 및 도 25를 참조하면, 경계(BRx)를 기준으로 서로 마주하는 제1 메쉬 구조(MS1j) 및 제2 메쉬 구조(MS2)가 도시되었다. 제1 메쉬 구조(MS1j)는 보상 패턴(221y), 즉 제2 전극(202)에 포함될 수 있고, 제2 메쉬 구조(MS2)는 제1 부분(211x2), 즉 제1 전극(201)에 포함될 수 있다.
제1 메쉬 구조(MS1j)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
도 26a는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 23, 도 24, 및 도 26a을 참조하면, 경계(BRx)를 기준으로 서로 마주하는 제1 메쉬 구조(MS1k) 및 제2 메쉬 구조(MS2)가 도시되었다. 제1 메쉬 구조(MS1k)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
투과 영역(TPA)에는 메쉬 구조가 배치되지 않는다. 즉, 투과 영역(TPA)에 배치된 메쉬 구조의 배치 밀도는 "0"일 수 있다. 제1 센싱 영역(S-A1a)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1k)의 배치 밀도는 투과 영역(TPA)과 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도 사이의 밀도를 가질 수 있다.
복수의 제1 메쉬선들(ML1x)의 배치 밀도는 복수의 제2 메쉬선들(ML2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있고, 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x)의 배치 밀도는 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1k)에 정의된 개구의 사이즈는 제2 메쉬 구조(MS2)에 정의된 개구의 사이즈보다 클 수 있다.
복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 중 서로 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1x) 사이의 거리(DT1a)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 중 서로 인접한 2 개의 제2 메쉬선들(ML2) 사이의 거리(DT1b)보다 클 수 있다. 또한, 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x) 중 서로 인접한 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x) 사이의 거리(DT2a)는 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 중 서로 인접한 2 개의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 거리(DT2b) 보다 클 수 있다.
외부에서 메쉬 구조가 배치되지 않은 투과 영역(TPA)의 시인성은 제1 메쉬 구조(MS1k)의 배치 밀도를 제2 메쉬 구조(MS2)보다 낮게 해줌에 따라 완화될 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 센싱 감도는 경계(BRx)를 기준으로 다른 전극이 마주하도록 배치하여 보상되기 때문에, 제1 메쉬 구조(MS1k)의 배치 밀도를 상대적으로 낮게 하더라도 센싱 감도 저하는 크지 않을 수 있다.
도 26b는 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 26b를 설명함에 있어서, 도 26a과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 26b를 참조하면, 제1 메쉬 구조(MS1l)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 메쉬 구조(MS2)는 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2)은 서로 교차하며 일체의 형상을 가질 수 있다.
외부에서 메쉬 구조가 배치되지 않은 투과 영역(TPA, 도 23 참조)의 시인성은 제1 메쉬 구조(MS1l)의 배치 밀도를 제2 메쉬 구조(MS2)보다 낮게 해 줌에 따라 완화될 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 복수의 제1 메쉬선들(ML1t) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1t) 각각의 폭(Tk2-4)을 복수의 제2 메쉬선들(ML2) 및 복수의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 각각의 폭(Tk1)보다 크게 제공함에 따라, 센싱 감도도 향상될 수 있다.
도 27은 도 23의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 27을 설명함에 있어서, 도 26a과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 23, 도 24, 및 도 27을 참조하면, 제1 센싱 영역(S-A1a)은 투과 영역(TPA)과 인접한 제1 서브 센싱 영역(SSa) 및 제1 서브 센싱 영역(SSa)과 제2 센싱 영역(S-A2a) 사이의 제2 서브 센싱 영역(SSb)을 포함할 수 있다.
제1 서브 센싱 영역(SSa)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1ma)의 배치 밀도는 제2 서브 센싱 영역(SSb)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1mb)의 배치 밀도보다 낮을 수 있다. 제2 서브 센싱 영역(SSb)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1mb)의 배치 밀도는 제1 서브 센싱 영역(SSa)에 배치된 제1 메쉬 구조(MS1ma)의 배치 밀도와 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치된 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도 사이의 밀도를 가질 수 있다.
제1 메쉬 구조(MS1ma)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬 구조(MS1mb)는 복수의 제1 메쉬선들(ML1y) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 중 서로 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1x) 사이의 거리(DT1a)와 복수의 제1 메쉬선들(ML1y) 중 서로 인접한 2개의 제1 메쉬선들(ML1y) 사이의 거리(DT1c)는 서로 동일할 수 있다. 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x) 중 서로 인접한 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x) 사이의 거리(DT2a)는 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y) 중 서로 인접한 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y) 사이의 거리(DT2c) 보다 클 수 있다. 2 개의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y) 사이의 거리(DT2c)는 2 개의 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 사이의 거리(DT2b)와 동일할 수 있다.
제1 메쉬 구조(MS1mb)의 배치 밀도는 제2 메쉬 구조(MS2)의 배치 밀도 보다 낮고, 제1 메쉬 구조(MS1ma)의 배치 밀도는 제1 메쉬 구조(MS1mb)의 배치 밀도보다 낮으면 될 뿐, 제1 메쉬 구조들(MS1ma, MS1mb), 및 제2 메쉬 구조(MS2) 각각의 배치 밀도가 상술된 규칙에 제한되는 것은 아니다.
또한, 도 27에서는 복수의 제1 메쉬선들(ML1x) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1x) 각각의 제1 폭(Tk2x), 복수의 제1 메쉬선들(ML1y) 및 복수의 제1 교차 메쉬선들(MLC1y) 각각의 제2 폭(Tk2y), 및 제2 메쉬선들(ML2) 및 제2 교차 메쉬선들(MLC2) 각각의 제3 폭(Tk1)이 서로 동일한 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 폭(Tk2x)은 제2 폭(Tk2y)보다 크고, 제2 폭(Tk2y)은 제3 폭(Tk1)보다 클 수 있다. 또는, 제1 폭(Tk2x)은 제2 폭(Tk2y)과 동일하고, 제1 폭(Tk2x) 및 제2 폭(Tk2y y) 각각은 제3 폭(Tk1)보다 클 수 있다. 또는, 제2 폭(Tk2y)은 제1 폭(Tk2x)보다 크고, 제1 폭(Tk2x)은 제3 폭(Tk1)보다 클 수 있다.
도 28은 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 28을 설명함에 있어서, 도 24와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 28을 참조하면, 투과 영역(TPA)에 인접한 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2), 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2)에 연결된 보상 부분(211c), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2)에 전기적으로 연결된 보상 패턴(221y), 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x1)을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴들 (222x1), 및 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x2)을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴들(222x2)이 도시되었다.
제1 센싱 영역(S-A1a)과 제2 센싱 영역(S-A2a)의 경계(BRy)는 정사각 형상을 가질 수 있다. 도 28에서는 경계(BRy)가 정사각형인 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 경계(BRy)는 다각형 또는 비정형의 형상으로 변경될 수도 있다.
보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y)은 제1 센싱 영역(S-A1a)에 배치될 수 있다. 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2)은 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치될 수 있다. 따라서, 보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y) 각각은 제1 메쉬 구조를 가질 수 있고, 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2) 각각은 제2 메쉬 구조를 가질 수 있다.
도 29는 도 23에 도시된 센서의 일부 구성을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 29를 설명함에 있어서, 도 24과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 29를 참조하면, 투과 영역(TPA)에 인접한 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2), 2 개의 제1 부분들(211x1, 211x2)에 연결된 보상 부분(211c), 2 개의 감지 패턴들(221x1, 221x2)에 전기적으로 연결된 보상 패턴(221y), 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x1)을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴들 (222x1), 및 보상 패턴(221y)과 감지 패턴(221x2)을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴들(222x2)이 도시되었다.
제1 센싱 영역(S-A1a)과 제2 센싱 영역(S-A2a)의 경계(BRz)는 원 형상을 가질 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 경계(BRz)는 타원형, 또는 곡선 및 직선을 포함하는 형상으로 변경될 수도 있다. 보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y)은 제1 센싱 영역(S-A1a)에 배치될 수 있다. 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2)은 제2 센싱 영역(S-A2a)에 배치될 수 있다. 따라서, 보상 부분(211c) 및 보상 패턴(221y) 각각은 제1 메쉬 구조를 가질 수 있고, 제1 부분들(211x1, 211x2), 및 감지 패턴들(221x1, 221x2) 각각은 제2 메쉬 구조를 가질 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 전자 장치 100: 표시 패널
200: 센서 CM: 전자 모듈
TPA: 투과 영역 S-A1: 제1 센싱 영역
S-A2: 제2 센싱 영역 210: 제1 전극들
220: 제2 전극들 MS1: 제1 메쉬 구조
MS2: 제2 메쉬 구조

Claims (20)

  1. 제1 영역, 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역, 및 상기 제2 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 제3 영역이 정의된 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 위에 배치되며, 상기 제1 영역과 중첩하는 투과 영역, 상기 제2 영역과 중첩하는 제1 센싱 영역, 및 상기 제3 영역과 중첩하는 제2 센싱 영역이 정의된 센서를 포함하고,
    상기 센서는 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들 각각은 메쉬 구조를 갖고,
    상기 메쉬 구조는 상기 제1 센싱 영역과 중첩하는 제1 메쉬 구조 및 상기 제2 센싱 영역과 중첩하는 제2 메쉬 구조를 포함하고, 상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 상이한 표시 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조는 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하고, 상기 제2 메쉬 구조는 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함하는 표시 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조에는 상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제1 단선부들이 정의되고, 상기 제2 메쉬 구조에는 상기 복수의 제2 메쉬선들 및 복수의 제2 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제2 단선부들이 정의되고,
    상기 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제2 단선부들의 배치 밀도보다 낮은 표시 모듈.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 영역은 상기 투과 영역과 인접한 제1 서브 센싱 영역 및 상기 제1 서브 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 제2 서브 센싱 영역을 포함하고,
    상기 복수의 제1 단선부들 중 상기 제1 서브 센싱 영역과 중첩하는 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제1 단선부들 중 상기 제2 서브 센싱 영역과 중첩하는 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도보다 낮은 표시 모듈.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조는 보상 전극을 더 포함하고, 상기 보상 전극은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 일부 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 중 일부 제1 교차 메쉬선들에 의해 정의된 개구에 대응하는 영역에 배치된 표시 모듈.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 보상 전극은 상기 개구와 대응하는 형상을 갖고, 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들에 연결된 표시 모듈.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 보상 전극은 상기 개구의 일부분과 중첩하며 상기 일부 제1 메쉬선들 및 상기 일부 제1 교차 메쉬선들 중 적어도 일부에 연결된 표시 모듈.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조는 상기 일부 제1 메쉬선들 사이에 배치된 제1 보상 메쉬선을 포함하는 표시 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조는 상기 일부 제1 교차 메쉬선들 사이에 배치된 제1 보상 교차 메쉬선을 더 포함하는 표시 모듈.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 메쉬선들 중 제1 메쉬선의 일부분의 폭은 상기 제1 메쉬선의 다른 일부분의 폭보다 크고, 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 중 제1 교차 메쉬선의 일부분의 폭은 상기 제1 교차 메쉬선의 다른 일부분의 폭보다 큰 표시 모듈.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 마주하고, 상기 제1 메쉬 구조 및 상기 제2 메쉬 구조는 상기 복수의 제1 전극들 중 하나의 제1 전극 또는 상기 복수의 제2 전극들 중 하나의 제2 전극에 포함된 표시 모듈.
  12. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조와 상기 제2 메쉬 구조는 서로 마주하고, 상기 제1 메쉬 구조는 상기 복수의 제1 전극들 중 하나의 제1 전극에 포함되고, 상기 제2 메쉬 구조는 상기 복수의 제2 전극들 중 하나의 제2 전극에 포함된 표시 모듈.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 메쉬선들 사이의 거리는 상기 복수의 제2 메쉬선들 사이의 거리보다 큰 표시 모듈.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들의 배치 밀도는 상기 제2 센싱 영역에서 상기 투과 영역에 인접할수록 낮아지는 표시 모듈.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 경계는 원형인 표시 모듈.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 영역과 상기 제2 센싱 영역 사이의 경계는 다각형인 표시 모듈.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제1 영역에 배치되며 제1 발광 소자 및 상기 제1 발광 소자를 구동하며 상기 제2 영역에 배치된 제1 화소 회로를 포함하는 제1 화소;
    상기 제2 영역에 배치되며 제2 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 구동하며 상기 제2 영역에 배치된 제2 화소 회로를 포함하는 제2 화소; 및
    상기 제3 영역에 배치되며 제3 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자를 구동하며 상기 제3 영역에 배치된 제3 화소 회로를 포함하는 제3 화소를 포함하는 표시 모듈.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자는 복수로 제공되고, 상기 제3 발광 소자는 복수로 제공되고, 상기 복수의 제1 발광 소자들 중 서로 가장 인접한 2 개의 제1 발광 소자들 사이의 거리는 상기 복수의 제3 발광 소자들 중 서로 가장 인접한 2 개의 제3 발광 소자들 사이의 거리보다 큰 표시 모듈.
  19. 표시 패널;
    상기 표시 패널 위에 배치되며, 투과 영역, 상기 투과 영역과 인접한 제1 센싱 영역, 상기 제1 센싱 영역을 사이에 두고 상기 투과 영역과 이격된 제2 센싱 영역이 정의된 센서; 및
    상기 표시 패널 아래에 배치되며, 상기 투과 영역과 중첩하는 전자 모듈을 포함하고,
    상기 센서는,
    상기 제1 센싱 영역에 배치되며, 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하는 제1 메쉬 구조; 및
    상기 제2 센싱 영역에 배치되며, 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함하는 제2 메쉬 구조를 포함하고,
    동일한 기준 면적 내에 배치된 상기 제1 메쉬 구조의 면적은 상기 제2 메쉬 구조의 면적과 상이한 전자 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 구조는 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 메쉬선들과 교차하는 복수의 제1 교차 메쉬선들을 포함하고, 상기 제2 메쉬 구조는 복수의 제2 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들과 교차하는 복수의 제2 교차 메쉬선들을 포함하고,
    상기 제1 메쉬 구조에는 상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제1 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제1 단선부들가 정의되고, 상기 복수의 제2 메쉬선들 및 복수의 제2 교차 메쉬선들 각각의 일부분들이 제거된 복수의 제2 단선부들이 정의되고,
    상기 복수의 제1 단선부들의 배치 밀도는 상기 복수의 제2 단선부들의 배치 밀도보다 낮은 전자 장치.
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