KR20230040955A

KR20230040955A - 전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기, 이미지 센서 및 이미지 정보 검출 방법

Info

Publication number: KR20230040955A
Application number: KR1020227045132A
Authority: KR
Inventors: 얀 제노; 로버트 겔하르; 크리스티안 드 그레브
Original assignee: 아이엠이씨 브이제트더블유
Priority date: 2020-07-21
Filing date: 2021-06-11
Publication date: 2023-03-23
Also published as: WO2022017681A1; EP3944323B1; EP3944323A1; JP2023535174A; US20230280208A1

Abstract

전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기는, 제2평면으로부터 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)로서, 상기 퍼널 요소들(102)의 어레이(20)의 상기 입구 단부들(104)은 상기 제2평면을 정의하고, 상기 입구 단부(104)는 상기 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선의 가장 긴 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지고, 상기 출구 단부(106)는 전자기 방사선의 제1파장의 절반보다 작은 사이즈를 가지는, 퍼널 요소들(102)의 어레이; 및 제1평면을 정의하는 전자기 방사선을 검출하기 위한 감광성 요소들(110)의 어레이(204)로서, 각각의 퍼널 요소(102)는 상기 제2평면 및 제1평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보가 상기 어레이(204)에 의해 검출되도록 감광성 요소(110)에 연관된다.

Description

전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기, 이미지 센서 및 이미지 정보 검출 방법

본 발명의 개념은 전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기, 이미지 센서 및 이미지 정보를 검출하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 개념은 3차원 정보 검출에 관한 것이다.

자외선, 가시광선 또는 적외선의 파동(wave)들을 포함하는 전자기 방사선은, 많은 다른 응용 분야에서 정보 전달체들로서 유용할 수 있다. 따라서, 전자기 방사선을 기록하고 처리 및 분석될 수 있는 전기 신호로 변환하기 위한 다양한 검출기들이 이용된다.

이미징 장치에서, 전자기 방사선은 환경을 나타내는 2차원 이미지를 획득하기 위해 기록될 수 있다. 그러나, 많은 응용분야들에서, 획득된 2차원 이미지 정보에 깊이 정보를 포함시키는 것이 바람직할 수 있으므로, 3차원 정보가 바람직할 수 있다. 획득된 2차원 이미지의 이미지 처리를 이용하여 일부 깊이 정보가 추출될 수 있으나, 이러한 깊이 정보는 이미징 장치의 피사계 심도(depth of field)에 의해 제한될 수 있다. 대안적으로, 깊이 정보는 예를 들어, 다수의 이미징 장치들을 이용하는 것과 같은, 추가 장비를 이용하여 추가 정보를 기록함으로써 획득될 수 있다. 그러나, 단일 이미징 장치를 이용하여 3차원 이미지 정보의 획득을 가능하게 함으로써, 3차원 이미지 정보의 획득이 빠르고 복잡한 장비를 요구하지 않도록 하는 것이 바람직할 것이다.

본 발명 개념의 목적은 비교적 간단한 장비를 이용하여 3차원 이미지 정보의 빠른 획득을 가능하게 하는 것이다. 특히, 본 발명 개념의 목적은 3차원 정보를 포함하는 전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기를 제공하는 것이다.

이들 및 발명 개념의 다른 목적들은 독립 청구항에서 정의된 바와 같이 본 발명에 의해 적어도 부분적으로 충족된다. 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 제시된다.

제1측면에 따르면, 제1파장으로부터 제2파장까지의 범위에 걸친 전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기가 제공되고, 상기 제1파장은 상기 범위에서 가장 짧은 파장이고 상기 제2파장은 상기 범위에서 가장 긴 파장이며, 상기 검출기는, 제2평면으로부터 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널(funnel) 요소들의 어레이(array)로서, 상기 퍼널 요소들 각각은 입구 단부 및 출구 단부를 포함하고, 상기 퍼널 요소들의 어레이의 상기 입구 단부들은 상기 제2평면을 정의하고, 상기 입구 단부는 상기 전자기 방사선이 상기 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위해 상기 검출기로 들어가는 매체에서 전자기 방사선의 상기 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지고, 상기 출구 단부는 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제1파장의 절반보다 작은 사이즈를 가지는 상기 퍼널 요소들의 어레이; 및 감광선(photosensitive) 요소들의 어레이 상에 입사하는 전자기 방사선을 검출하기 위한 상기 감광선 요소들의 어레이로서, 각각의 퍼널 요소는 상기 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보가 상기 감광선 요소들의 어레이에 의해 검출되도록 감광선 요소에 연관되고, 상기 감광선 요소들의 어레이는 상기 제1평면을 정의하고 상기 제1평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 더 캡처하도록 구성되는, 상기 감광선 요소들의 어레이를 포함한다.

검출기 덕분에, 두개의 서로 다른 평면들에서 초점이 맞는 전자기 방사선이 감광선 요소의 동일한 어레이에서 검출될 수 있다. 따라서, 두개의 다른 이미지 평면들에 대응하는 이미지 정보가 단일 노출에서 검출될 수 있다. 두개의 서로 다른 이미지 평면들은 3차원 정보를 제공하는 깊이 정보를 포함하는 이미지 정보가 이미징 되는 물체(object)들에 대한 두개의 서로 다른 거리들에 대응한다.

퍼널 요소들의 사용 덕분에, 퍼널 요소들의 입구 단부들에 초점이 맞는 전자기 방사선은 퍼널 요소 내에서 출구 단부로 전파하도록 퍼널 요소들 내에서 캡처된다. 따라서, 전자기 방사선은 제1평면을 향해 퍼널 요소에서 전파하는 동안, 제2평면에 이미징된 스폿(spot)에 대응하는 전자기 방사선이 작은 공간적(spatial) 확산(spread)을 유지한다.

입구 단부가 검출될 수 있는 가장 긴 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지기 때문에, 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자파가 캡처되어 퍼널 요소에서 전파된다. 반면, 제2평면에 초점이 맞춰지지 않는 전자기 방사선, 예를 들어, 제1평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선은, 제2평면에서 퍼널 요소의 입구 단부보다 실질적으로 큰 스폿 사이즈를 가질 수 있고 퍼널 요소를 제1평면으로 통과시켜서 상기 전자기 방사선이 굴절(refraction)이나 퍼널 요소로부터의 유도(guidance)를 관찰하지 않고 사실상 전자기 방사선에 영향을 미치지 않는 제1평면에 영향없이 전파하도록 한다. 따라서, 제1평면에서 이미징 된 스폿에 대응하는 전자기 방사선은 제1평면에서 초점이 맞춰져 캡처될 수 있다. 또한, 가장 짧은 파장의 절반보다 작은 사이즈, 즉, 이미징을 위한 회절(diffraction) 한계보다 작은 사이즈를 갖는 퍼널 요소의 출구 단부 덕분에, 전자기 방사선은 제2평면 및 제1평면 사이의 퍼널 요소의 연장부(extension)를 따라 퍼널 요소로 캡처되지 않을 것이고, 따라서 퍼널 요소들은 제1평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선의 이미징에 영향을 끼치지 않는다.

앞서 언급된 바와 같이, 입구 단부는 검출될 가장 긴 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가진다. 그러나, 입구 단부의 사이즈는 원하는 해성도(resolution)과 관련하여 입구 단부가 선택될 수 있도록, 검출기에 의한 이미징 해상도에 영향을 끼친다. 예를 들어, 최대 해상도의 이미징을 가능하게 하기 위해, 입구 단부는 가장 긴 파장의 절반보다 큰 크기를 가지면서 가능한 작을 수 있다.

검출기에 의해 검출되는 전자기 방사선은 상대적으로 넓은 파장 범위에 걸쳐 있을 수 있다. 예를 들어, 검출기는 자외선 범위 및/또는 가시광선 범위 및/또는, 단-파 적외선과 같은 적외선 범위에서 전자기 방사선을 검출할 수 있다. 일 실시 예에서, 검출기는 380 내지 740nm에 걸친 전자기 방사선, 또는 400 내지 700nm에 걸친 전자기 방사선, 또는 440 내지 660nm에 걸친 전자기 방사선과 같은 가시 범위의 전자기 방사선을 검출할 수 있다.

전자기 방사선의 파장은 전자기 방사선이 전파하는 매체의 굴절률(refractive index)에 의존한다. 따라서, 스폿 사이즈는 전자기 방사선이 전파하는 매질에 의해 영향을 받을 수 있다. 전자기 방사선은 전자기 방사선이 검출기에 들어가는 매체로부터 퍼널 요소의 입구 단부에 도달하도록 전파할 수 있다. 따라서, 전자기 방사선이 전파하는 매체에 따라, 퍼널 요소의 입구 단부에 의해 캡처되는 스폿 사이즈가 다를 수 있다. 그러므로, 입구 단부는 전자기 방사선의 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가져야 하고, 제2파장은 전자기 방사선이 검출기로 들어가는 매체에 의해 정의된다. 전자기 방사선이 퍼널 요소들의 입구 단부로 들어갈 때 전자기 방사선이 검출기에 들어갈 수 있음이 인식되어야 한다. 그러나, 퍼널 요소들에 통합되는(integral) 하나 이상의 레이어들이 있어서, 전자기 방사선이 퍼널 요소들의 입구 단부들에 도달하기 전에 이러한 레이어들에 들어갈 수 있다. 예를 들어, 아래에서 설명되는 바와 같이, 검출기는 퍼널 요소들의 어레이 위에 퍼널 요소들의 추가 어레이들을 포함할 수 있다. 본 문서에서 사용되는 것처럼, 전자기 방사선이 검출기로 들어가는 매체는 퍼널 요소들에 통합되는 재료에 전자기 방사선이 들어가는 매체로서 해석되어야 한다. 전형적으로, 전자기 방사선은, 퍼널 요소들의 입구 단부에 도달하기 전에, 약 1의 굴절률을 가지는 공기 중에서 전파할 수 있다. 그러나, 실시 예에 따르면, 퍼널 요소의 입구 단부들은 전자기 방사선이 전파하는 매체의 다른 굴절률을 제공하도록, 물 또는 침유(immersion oil)과 같은 다른 매체에 침지되어서, 퍼널 요소의 입구 단부가 제2평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선을 여전히 캡처하는 동안 더 작아지도록 할 수 있다.

어레이의 퍼널 요소들은 입구 단부들 및 출구 단부들 사이에서 평행하게 연장할 수 있다.

퍼널 요소들의 입구 단부들 및 출구 단부들은 임의의 형태를 가질 수 있음이 인식되어야 한다. 입구 단부들 및 출구 단부들의 사이즈는 퍼널 요소의 반대되는 측벽들 사이의 입구 단부들 및 출구 단부들의 최대 치수로서 해석되어야 한다. 따라서, 직사각형 입구 단부들 및 출구 단부들의 경우, 입구 단부들 및 출구 단부들의 사이즈는 직사각형 형태의 폭과 높이 중 더 큰 크기에 대응할 것이다. 원형 입구 단부들 및 출구의 경우, 입구 단부들 및 출구 단부들의 사이즈는 원 형태의 직경에 대응할 것이다. 일 실시 예에 따르면, 퍼널 요소들의 입구 단부들 및 출구 단부들은 사각형이다.

퍼널 요소들의 출구 단부들은 제1평면에 배열되거나 인접할 수 있다. 그러나, 대안에 따르면, 각각의 퍼널 요소는 웨이브가이드의 길이를 따라 일정하거나 또는 느리게 변화하는(예: 약간 테이퍼진) 단면을 가지는 웨이브가이드로 전환(transition)할 수 있다. 이 경우, 웨이브가이드들의 출구 단부들은 제1평면에 배열되거나 또는 인접할 수 있다.

퍼널 요소들 또는 웨이브가이드들은 서로에 대해 정렬되어서, 가이드 된 전자기 방사선이 퍼널 요소들 또는 웨이브가이드들을 빠져나오는(exit) 각각의 출구 단부들이 감광성(photosensitive) 요소들의 어레이 상에 배열되거나 또는 그로부터 동일한 거리에 배열되도록 서로 정렬되도록 할 수 있다. 인접한-필드 구성을 제공하고 검출기의 추가 규모 축소(downscaling)을 허용하기 위해, 가능한 감광성 요소들에 가깝게 또는 인접한(abutting) 방식으로 출구 단부들을 배열하는 것이 바람직하다.

일 실시 예에 따르면, 상기 퍼널 요소들은 상기 입구 단부로부터 상기 출구 단부까지 상기 퍼널 요소의 연장부에 평행하지 않은 적어도 하나의 측벽을 가진다.

따라서, 입구 단부 및 출구 단부 사이에서 퍼널 요소의 단면 사이즈의 감소는 적어도 하나의 측벽이 퍼널 요소의 연장부에 평행하지 않음으로써 제공될 수 있다.

바람직하게, 퍼널 요소의 모든 측벽들은 퍼널 요소가 입구 단부 및 출구 단부에 직교하는 선(line) 주위에 대칭되도록 균등하게(equally) 테이퍼질 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 입구 단부 및 출구 단부의 법선(a normal)에 대한 측벽의 각도가 출구 단부를 향해 증가하도록 퍼널 요소의 단열(adiabatic) 테이퍼링이 제공된다. 이는 입구 단부에서 포획된 전자기 방사선이 퍼널 요소 내에서 출구 단부로 전파하는 것을 보정하는데 유리할 수 있고, 퍼널 요소의 가파른(steep) 테이퍼링이 사용되는 경우 중요할 수 있다.

그러나, 다른 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 측벽은 입구 단부 및 출구 단부 사이에서 직선을 따라 연장할 수 있다. 이는 퍼널 요소의 형태가 단순하고, 특히 퍼널 요소의 길이가 전자기 방사선의 파장의 사이즈보다 크거나 또는 훨씬 더 큰 경우, 입구 단부에서 캡처된 전자기 방사선을 출구 단부로 효과적으로 전파하는 퍼널 요소를 여전히 제공할 수 있음을 의미한다.

일 실시 예에 따르면, 검출기는 웨이브가이드들의 제1어레이를 더 포함하고, 상기 각각의 웨이브가이드는 상기 퍼널 요소의 상기 출구 단부로부터 감광선 요소로 전자기 방사선을 가이드하도록 구성된다.

퍼널 요소의 출구 단부에서 캡처된 전자기 방사선은 퍼널 요소를 통해 출구 단부로 가이드 된 후 웨이브가이드에 의해 출구 단부로부터 감광선 요소로 가이드될 수 있다. 따라서, 전자기 방사선은 퍼널 요소 및 웨이브가이드 모두를 통해 가이드될 수 있다. 퍼널 요소 및 가이드웨이브는 통합(integral)될 수 있고 일체형(one piece)으로 형성될 수 있다. 따라서, 퍼널 요소 및 웨이브가이드는 단일 컴포넌트(component) 내에서 서로 다른 섹션들을 형성할 수 있다.

섹션들의 길이에 따른 단면의 변화는 퍼널 요소들 및 웨이브가이드들 사이에서 다를 수 있다. 따라서, 퍼널 요소를 따르는 단면의 사이즈의 변화율이 웨이브가이드를 따르는 단면의 사이즈의 변화율에 비해 상대적으로 크기 때문에, 퍼널 요소들은 퍼널 요소들이라고 불릴 수 있다. 예를 들어, 웨이브가이드들은 그 길이를 따라 일정하거나 거의 일정한 단면을 가질 수 있다. 웨이브가이드들은 대안적으로 웨이브가이드의 측벽 및 웨이브가이드의 단면 사이의 각도가 대략 85°와 같이 90° 미만일 수 있도록, 테이퍼질 수 있다. 이는 웨이브가이드들이 에칭 각도를 제공하는 에칭 단계에서 형성될 수 있으므로 검출기의 제조에 유용할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 웨이브가이드들은 제1웨이브가이드 부분 및 제2웨이브가이드 부분을 포함하고, 상기 제1웨이브가이드 부분은 파장 범위 내에서 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되고, 상기 제2웨이브가이드 부분은 상기 제1웨이브가이드 부분에 평행하게 연장하고 상기 파장 범위의 서브-범위 내에서 전자기 방사선을 선택적으로 가이드 하도록 구성되고, 상기 제2웨이브가이드 부분은 상기 제1웨이브가이드 부분에 커플링 되고 상기 파장 범위의 상기 서브-범위 내에서 상기 제1웨이브가이드 부분으로부터 전자기 방사선을 아웃-커플링(out-couple) 하도록 구성된다.

제1웨이브가이드 부분으로부터 서브-범위의 전자기 방사선을 아웃-커플링 함으로서, 들어오는 광의 색상-분할(colour-splitting)이 가능해져서, 검출기의 감도 향상을 가능하게 한다. 감도(sensitivity)는 들어오는 광에서 다른 파장들을 필터링하기 위해 컬러 필터들을 사용하는 다른 기술들과 관련하여 특히 증가할 수 있다. 제1웨이브가이드 부분으로부터 서브-범위의 전자기 방사선의 아웃-커플링을 사용하여, 감광 요소들에 도달하는 파장들을 제어하기 위한 컬러 필터들을 사용하지 않고 상이한 파장들을 구별(discriminate)하는 것이 가능하다.

제1웨이브가이드 부분은 “풀 스펙트럼” 웨이브가이드로 지칭될 수 있고, 이는 제2웨이브가이드 부분보다 더 넓은 파장 범위를 가이드 할 수 있는 웨이브가이드로서 이해되어야 한다. 바람직하게, 제1웨이브가이드 부분은, 사용 중에 가시 파장 범위 내의 전자기 방사선을 전송할 수 있다는 의미에서 풀 스펙트럼 웨이브가이드이다. 제1웨이브가이드 부분은 제1웨이브가이드 부분에 의해 가이드 될 전자기파(electromagnetic wave)들과 관련하여 설계될 수 있다. 제1웨이브가이드 부분의 치수는 전자기 방사선의 단일 특정 파장과 이용되기 위해 제한될 필요가 없다. 오히려, 제1웨이브가이드 부분은 원하는 전파 특성들을 제공하면서 파장들의 범위와 사용될 수 있다.

제2웨이브가이드 부분은 제1웨이브가이드 부분에 의해 수신된 전자기 방사선의 파장 범위의 서브-범위 내에서 전자기 방사선을 아웃-커플링하는 능력을 지칭하는 “컬러 분할” 웨이브가이드로 지칭될 수 있다. 따라서, 제2웨이브가이드 부분은 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 광에 대응하는 파장들의 서브-범위와 같은 들어오는 가시 광선(visible light)의 특정 생삭들을 분류할 능력이 있는 웨이브가이드로 이해될 수 있다. 따라서, 제1웨이브가이드 부분과 유사하게, 제2웨이브가이드 부분은 제2웨이브가이드 부분에 의해 가이드될 전자기파들에 관련하여 설계될 수 있다. 제2웨이브가이드 부분의 치수는 전자기 방사선의 특정 파장과 사용하기 위해 제한될 필요는 없고, 오히려 원하는 전파 특성들을 제공하면서 적색, 녹색 또는 청색 스펙트럼에 대응하는 파장들의 서브-범위로 제한될 필요가 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 퍼널 요소들의 어레이는 퍼널 요소들의 제1어레이이고, 상기 검출기는 제3평면으로부터 상기 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들의 제2어레이를 더 포함하고, 상기 제2어레이의 퍼널 요소들 각각은 입구 단부 및 출구 단부를 포함하고, 상기 퍼널 요소들의 상기 제2어레이의 입구 단부들은 상기 제3평면을 정의하고, 상기 입구 단부는 상기 제3평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위한 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가자ㅣ고, 상기 출구 단부는 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제1파장의 절반보다 작은 사이즈를 가진다.

제3평면을 정의하는 퍼널 요소들의 제2어레이 덕분에, 추가 평면(3개의 다른 평면들)에서 초점이 맞는 전자기 방사선은 감광 요소들의 동일한 어레이에서 검출될 수 있다. 따라서, 3개의 상이한 이미지 평면에 대응하는 이미지 정보가 단일 노출에서 검출될 수 있다. 이는 3차원 정보를 개선하기 위해 추가적인 깊이 정보가 획득될 수 있음을 의미한다.

검출기는 더 많은 이미지 평면들로부터 이미지 정보가 캡처될 수 있도록 퍼널 요소들의 하나 이상의 추가 어레이들을 포함할 수 있음이 인식되어야 한다. 따라서, 추가적인 퍼널 요소들의 어레이들을 추가하는 것은 검출기에 의해 더 많은 깊이 정보가 캡처되는 것을 보장한다.

일 실시 예에 따르면, 검출기는 중간(intermediate) 웨이브가이드들의 어레이를 더 포함하고, 각각의 중간 어레이는 상기 제2어레이의 퍼널 요소의 출구 단부로부터 상기 제1어레이의 퍼널 요소의 입구 단부로 전자기 방사선을 가이드하도록 구성된다.

제3평면에서 초점이 맞는 캡처된 전자기 방사선은 퍼널 요소에서 및 가능하게는 중간 웨이브가이드에서, 제1어레이의 퍼널 요소들의 입구 단부로 도달하도록 전파된다. 따라서, 제3평면 상에 이미징된 스폿에 대응하는 전자기 방사선은 제1어레이의 퍼널 요소들의 입구 단부들에 의해 정의되는 제2평면에서 작은 공간 확산을 유지할 것이다. 따라서, 제3평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선은 또한 제1어레이의 퍼널 요소들의 입구 단부들 내로 캡처될 것이고 그 내부에서 제1평면을 향해 더 전파될 수 있다.

제2어레이의 퍼널 요소 및 중간 웨이브가이드는 통합될 수 있고 일체형(one piece)으로 형성될 수 있다. 따라서, 퍼널 요소 및 중간 웨이브가이드는 단일 컴포넌트 내에서 서로 다른 섹션들을 형성할 수 있다.

섹션들의 길이에 따른 단면의 변화는 퍼널 요소들 및 중간 웨이브가이드들 사이에서 다를 수 있다. 따라서, 퍼널 요소를 따른 단면의 사이즈 변화율이 웨이브가이드를 따른 단면의 사이즈 변화율에 비해 상대적으로 크기 때문에 퍼널 요소는 퍼널 요소로 불릴 수 있다. 예를 들어, 중간 웨이브가이드들은 그 길이를 따라 일정하거나 거의 일정한 단면을 가질 수 있다. 중간 웨이브가이드들은 대안적으로 중간 웨이브가이드의 측벽 및 중간 웨이브가이드의 단면 사이의 각도가 대략 85°와 같이 90° 미만일 수 있도록, 테이퍼질 수 있다. 이는 중간 웨이브가이드들이 에칭 각도를 제공하는 에칭 단계에서 형성될 수 있으므로 검출기의 제조에 유용할 수 있다.

일 실시 예에서, 중간 웨이브가이드들의 어레이에서 일부 중간 웨이브가이드들은 제3평면으로부터 제2평면으로 연장할 수 있고 제2어레이의 퍼널 요소와 관련되지 않을 수 있다. 이는 퍼널 요소와 관련되지 않은 그러한 중간 웨이브가이드들이 제3평면에서 전자기 방사선의 추가 캡처에 기여하지 않을 것임을 의미한다. 이는 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기파 방사선에 대응하는 이미지 정보의 추출을 용이하게 하면서(이러한 이미지 정보를 수신하는 모든 감광성 요소들이 제3평면에 초점이 맞춰지고 있는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보도 수신하지 않기 때문에), 여전히 수행될 전자기 방사선의 추가 캡처를 허용할 수 있다.

다른 실시 예에 따르면, 검출기는 웨이브가이드들의 제2어레이를 더 포함하고, 상기 제2어레이의 각각의 웨이브가이드는 상기 제2어레이의 퍼널 요소의 출구 단부로부터 감광성 요소로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성된다.

이는 전자기 방사선이 제3평면으로부터 제2평면을 지나 제1평면으로 웨이브가이드들의 제2어레이를 통해 가이드 될 수 있음을 의미한다. 따라서, 퍼널 요소들의 제2어레이에서 캡처된 전자기 방사선은 퍼널 요소들의 제1어레이에서 캡처되지 않는다.

따라서, 웨이브가이드들의 제2어레이는 제2평면을 통해 연장할 수 있고, 제2어레이의 각각의 웨이브가이드는 제1어레이의 퍼널 요소의 인접한 입구 단부들 사이에 배열된다. 그러나, 제2어레이의 웨이브가이드들의 단면은 제2평면 내에서 상대적으로 작을 수 있고, 따라서 제2평면에서 전자기 방사선의 캡처를 실질적으로 방해하지 않을 수 있다.

전자기 방사선을 감광성 요소들로 가이드 하는 제2어레이의 웨이브가이드들 덕분에, 상이한 감광성 요소들은 각각 제3평면 및 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 수신할 수 있다. 이는, 개별 감광 요소들이 더 적은 이미지 평면들과 관련한 정보를 캡처하므로, 각각의 이미지 평면에 대응하는 이미지 정보의 추출이 단순화될 수 있음을 의미한다.

일 실시 예에 따르면, 감광성 요소들의 어레이는 서로 다른 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 캡처하기 위한 감광성 요소들의 서로 다른 세트들을 포함한다.

특정한 감광성 요소로 전달되기 위해 캡처되지 않은 전자기 방사선은 여전히 감광성 요소들의 어레이에 도달할 것이라는 점이 인식되어야 한다. 그러나, 얻어진 스폿은 초점이 맞지 않는 전자기 방사선에 대해 커질 것이어서, 대응하는 전자기 방사선의 강도는 단일 감광성 요소에서 작아질 것이다. 이는 초점이 맞아 캡처되고 전용(dedicated) 감광성 요소로 전송되는 이미지 정보가 전용 감광성 요소에서 높은 강도(intensity)를 가질 것이고, 이 관점에서, 감광성 요소들의 서로 다른 세트들이 서로 다른 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 관련하여 전자기 방사선의 높은 강도를 검출할 수 있다.

서로 다른 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 전용된 감광성 요소들의 서로 다른 세트들을 가짐으로써, 이미지의 특정 깊이에 대응하는 이미지 정보가 관심 대상일 때 특정 감광 요소들의 세트가 선택되고 분석될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 퍼널 요소들은 고 굴절률 재료에 의해 형성되고 낮은 굴절률(lower refractive index) 재료로 둘러싸인다.

본 문서에 사용된 바와 같이, 고 굴절률(high refractive index) 재료는 적어도 고 굴절률 재료를 둘러싸는 낮은 굴절률(lower refractive index) 재료의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 재료로 해석되어야 한다.

이는 퍼널 요소에 의해 캡처된 전자기 방사선이, 퍼널 요소들에서 전자기 방사선의 내부 전반사로 인해 퍼널 요소를 떠나 주변 재료로 이동하는 것이 방지될 수 있음을 의미할 수 있다.

퍼널 요소가 고 굴절률 재료에 의해 형성되기 때문에, 퍼널 요소 내에서 전자기 방사선의 파장이 작을 것이다(예를 들어, 공기 중의 전자기 방사선의 파장에 비해). 이는 퍼널 요소의 출구 단부가 매우 작을 수 있고, 전자기 방사선이 공기 중의 전자기 방사선의 파장보다 훨씬 더 작을 수 있는 매우 작은 감광성 요소로 가이드 될 수 있음을 의미한다. 이는 감광선 요들의 피치(pitch)가 매우 작을 수 있고 서로 다른 감광성 요소들이 서로 다른 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 수신하는데 전용되더라도(dedicated) 고해상도로 이미징을 허용할 수 있음을 의미할 수 있다.

일 실시 예에서, 고 굴절률 재료는 질화 규소(Si₃N₄, silicon nitride)인 반면, 낮은 굴절률 재료는 이산화규소(SiO₂, silicon dioxide)이다.

일 실시 예에 따르면, 상기 감광성 요소는 포토액티브(photoactive) 레이어 상에 입사하는 전자기 방사선의 양에 대응하는 신호를 생성하기 위한 상기 포토액티브 레이어를 포함한다.

포토액티브 레이어는 바람직하게는 입사하는 전자기 방사선의 흡수를 용이하게 하기 위해 매우 짧은 흡수 길이를 가질 수 있다. 포토액티브 레이어는 예를 들어, 페로브스카이트(perovskite) 재료, 유기(organic) 재료, 양자점(quantum dot) 및/또는 비정질(amorphous) 게르마늄(germanium)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 감광성 요소는 상기 포토액티브 레이어로부터 반도체 회로로 신호를 전달하기 위한 인터커넥트(interconnect) 레이어를 더 포함한다.

감광성 요소는 가시 광선과 같은, 입사하는 전자기 방사선을 전기 신호로 변환(transforming)할 수 있는 요소로 이해될 수 있다. 감광성 요소는 예를 들어, 접촉 레이어, 포토액티브 레이어 및, 반도체 기판(substrate) 상에 배열된 인터커넥트 레이어를 포함할 수 있다. 포토액티브 레이어는 광자(photon)들을 전류(electrical current)로 변환(converting)하기 위해 배열될 수 있다. 인터커넥트 레이어는 포토액티브 레이어 및 기판 사이에 배열될 수 있다. 인터커넥트 레이어는 포토액티브 레이어의 전류를 전기 신호를 판독(reading)하고 처리하기에 적합한 전기 회로 및 장치들로 전도(conduct)하기 위한 전극들(electrodes)을 포함할 수 있다. 접촉 레이어는 비-패터닝 될 수 있고, 전자기 방사선을 감광성 요소들 및 포토액티브 레이어로 전달하기 위한 웨이브가이드들 사이에서 균일한 레이어로 연장할 수 있다. 포토액티브 레이어는 예를 들어, 웨이브가이드들 각각에 대응하는 분리된 영역들로 패터닝 되거나 또는 웨이브가이드들 아래로 연장하는 균일한 레이어로 형성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 인터커넥트 레이어는 예를 들어, 각각의 웨이브가이드들에 정렬될 수 있도록 복수의 전극들 또는 전극 영역들로 패터닝 될 수 있다.

따라서, 인터커넥트 레이어는 제1웨이브가이드 부분에 관련된 제1전극, 및 제2웨이브가이드 부분에 관련된 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극은 제1웨이브가이드 부분을 통해 가이드 되는 전자기 방사선을 레지스터(register) 하기 위해 제1웨이브가이드 부분 아래에 배열될 수 있는 반면, 제2전극은 제2웨이브가이드 부분을 통해 가이드 되는 전자기 방사선을 레지스터 하기 위해 제2웨이브가이드 부분 아래에 배열될 수 있다.

또한, 제1전극 및 제2전극, 및/또는 제1전극 및 제2전극과 각각의 웨이브가이드 부분들 사이에 배열된 포토액티브 레이어의 일부는, 제1웨이브가이드 부분 및 제2웨이브가이드 부분에 의해 각각 결정될 수 있는 특정한 검출될 파장 범위에 개별적으로 조정되는 두께로 제공될 수 있다. 따라서, 제1웨이브가이드 부분 아래의 전극 및/또는 포토액티브 레이어 부분은 제2웨이브가이드 부분 아래의 전극 및/또는 포토액티브 부분보다 더 두꺼울 수 있고, 그 반대도 마찬가지이다. 이는 감광성 요소들의 전체 성능을 유리하게 개선할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 검출기는 상기 퍼널 요소들의 어레이 및 감광성 요소들의 어레이를 향해 입사하는 전자기 방사선의 초점을 맞추기 위한(for focusing) 단일 렌즈를 포함한다.

따라서, 검출기는 단일 렌즈를 사용하여 감광성 요소들의 어레이와 관련한 렌즈의 움직임을 제공할 필요 없이 3차원 정보를 제공하는 깊이 정보를 포함하는 이미지 정보의 캡처를 제공할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 검출기는 특정 평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 추출하기 위한 필터를 더 포함한다.

검출기는 3차원 정보를 제공하는 깊이 정보를 포함하는 이미지 정보를 캡처할 수 있다. 필터는 캡처된 이미지 정보에서 특정 평면에 대응하는 이미지 정보를 추출하도록 구성될 수 있다. 따라서, 캡처된 이미지 정보에서 특정 깊이의 정보가 선택적으로 추출될 수 있다.

필터는 프로세싱 유닛이 이미지 정보를 추출하도록 하기 위한 소프트웨어 명령으로 제공될 수 있다. 그러나, 필터는 대안적으로 캡처된 이미지 정보를 처리하도록 구성된 하드웨어로 제공될 수 있다.

제2측면에 따르면, 제1측면에 따른 검출기를 포함하는 이미지 센서가 제공되며, 상기 이미지 센서는 적어도 두개의 이미지 평면들에서 이미지 정보를 동시에 캡처하는 것에 기초하여 3차원 이미지 정보를 검출하도록 구성된다.

이 제2측면의 효과들 및 특징들은 상기 제1측면과 관련하여, 앞서 설명된 것들과 대체로 유사하다. 제1측면과 관련하여 언급된 실시 예들은 대체로 상기 제2측면들과 호환 가능하다.

이미지 센서는 적어도 두개의 서로 다른 이미지 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 동시에 캡처하기 위해 상기 제1측면의 검출기를 사용할 수 있다. 따라서, 이미지 센서는 단일 노출에서 3차원 이미지 정보를 검출할 수 있다. 이는 이미지 센서가 매우 단순하고 감광성 요소들의 단일 어레이만을 필요로 하는 반면, 이미지 센서가 매우 빠르게(단일 노출에서) 3차원 이미지 정보를 캡처할 수 있음을 의미한다.

제3측면에 따르면, 이미지 정보를 검출하기 위한 방법이 제공되며, 상기 방법은 제1파장에서 제2파장까지의 범위에 걸친 전자기 방사선을 캡처하는 단계로서, 상기 제1파장은 상기 범위에서 가장 짧은 파장이고 상기 제2파장은 상기 파장에서 가장 긴 파장이며, 상기 전자기 방사선은 제2평면에서 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들의 어레이에서 캡처되고, 상기 각각의 퍼널 요소의 입구 단부는 상기 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위해 상기 전자기 방사선이 검출기로 들어가는 매체에서 상기 전자기 방사선의 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지는, 상기 전자기 방사선을 캡처하는 단계; 감광성 요소들의 어레이에서, 상기 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들의 어레이에 의해 캡처되는 전자기 방사선 및 상기 제1평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들의 어레이를 지나는 전자기 방사선을, 동시에 검출하는 단계를 포함한다.

이 제3측면의 효과들 및 특징들은 상기 제1측면 및 제2측면과 관련하여 앞서 설명된 것들과 대체로 유사하다. 제1측면 및 제2측면과 관련하여 언급된 실시 예들은 대체로 제3측면과 호환(compatible) 가능하다.

서로 다른 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선의 동시 검출은 3차원 이미지 정보를 매우 빠르게 캡처할 수 있게 한다.

본 발명 개념의 상술한 것과 같은 추가 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면들을 참조하여, 아래의 예시적이고 비-제한적인 상세한 설명을 통해 더 잘 이해될 것이다. 달리 언급되지 않는 한, 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소에 사용될 수 있다.
도 1은 전자기 방사선의 캡처를 도시하는 전자기 방사선을 가이드하기 위한 웨이브가이드 및 퍼널 요소를 포함하는 컴포넌트의 개략도이다.
도 2는 제1실시 예에 따른 검출기의 개략도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 감광성 소자의 개략도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 검출기의 개략도이다.
도 5는 서로 다른 거리에서 초점이 맞춰지는 광자들과 관련하여 감광성 요소에 의해 검출된 강도를 도시하는 그래프이다.
도 6은 제3실시 예에 따른 검출기의 개략도이다.
도 7은 제4실시 예에 따른 검출기의 개략도이다.
도 8은 색상 분할을 수행할 수 있도록 확장된 제4실시 예에 따른 검출기의 개략도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 이미지 센서의 개략도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 방법의 흐름도이다.

이제 도 1을 참조하여, 여러 이미지 평면들에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선의 검출이 설명될 것이다.

도 1에는, 전자기 방사선을 가이드하기 위한 컴포넌트(component)(100)이 도시된다. 컴포넌트(100)은 전자기 방사선을 캡처하기 위한 퍼널 요소(102)를 포함한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 퍼널 요소(102)는 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선을 캡처하도록 구성된다. 따라서, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104) 상에서 이미징되는 스폿에 대응하는 전자기 방사선은 퍼널 요소(102) 내에서 전파되어서, 퍼널 요소(102)와 관련된 감광성 요소(110)를 향해 전자기 방사선이 가이드될 수 있게 한다. 이는 감광성 요소(110)가 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 수신할 수 있어서, 퍼널 요소(102)가 배열되는 평면에 대응하는 이미지 정보가 감광성 요소(110)가 배열되는 평면에서 더 선명해질(be sharp) 수 있음을 의미한다.

퍼널 요소(102)는 입구 단부(104) 및 출구 단부(106) 사이에서 테이퍼질(tapered) 수 있다. 입구 단부(104)는 전자기 방사선의 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가질 수 있는 반면, 출구 단부(106)는 전자기 방사선의 파장의 절반보다 작은 사이즈를 가질 수 있다. 결과적으로, 입구 단부(104)에서 초점이 맞는(focused) 전자기 방사선은 내부에서 전파되도록 퍼널 요소(102)에 의해 캡처된다. 그러나, 퍼널 요소(102)는 전자기 방사선의 파장의 약 절반보다 큰 스폿 또는 빔 직경을 가지는 전자기 방사선에 투명(transparent)하며, 이는 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에 초점이 맞지 않는 전자기 방사선이 감광성 요소(110)를 향해 영향을 받지 않고 퍼널 요소(102)를 통과할 수 있음을 의미한다. 이는 감광성 요소(110)가 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)의 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선과, 감광성 요소(110)의 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선을 수신할 수 있음을 의미한다. 따라서, 감광성 요소(110)는 두개의 평면들, 즉, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)의 평면 및 감광성 요소(110)의 평면에서 초점이 맞춰지는 이미지 정보를 캡처할 수 있다.

감광성 요소(110)는 또한 앞서 언급된 평면들에 초점이 맞지 않는 전자기 방사선을 수신할 수 있다는 점이 인식되어야 한다. 그러나, 초점이 맞지 않는 스폿 사이즈는 많은 감광 요소들(110)로 번질 수(smeared out) 있어서, 단일 감광성 요소(110)에서의 전자기 방사선의 강도가 너무 작아 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)의 평면 및 감광성 요소(110)의 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선의 선명한 이미징 가능성에 영향을 끼치지 않도록 한다.

감광성 요소(110)를 사용하여 검출될 전자기 방사선은 가장 짧은 제1파장으로부터 가장 긴 제2파장까지 비교적 넓은 파장 범위에 걸쳐 있을 수 있다. 예를 들어, 자외선 범위 및/또는 가시 범위 및/또는 단-파장 적외선과 같은 적외선 범위에서 전자기 방사선이 검출될 수 있다. 일 실시 예에서, 380 - 740nm에 걸쳐 있는 전자기 방사선, 또는 400-700nm에 걸쳐 있는 전자기 방사선, 또는 440-660nm에 걸쳐 있는 전자기 방사선과 같은 가시광선 범위의 전자기 방사선이 검출될 수 있다.

전자기 방사선의 파장은 전자기 방사선이 전파하는 매체의 굴절률에 따라 달라진다. 따라서, 스폿 사이즈는 전자기 방사선이 전파하는 매체에 의해 영향을 받을 수 있다. 전자기 방사선은 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에 도달하기 전에 매체에서 전파할 수 있다. 따라서, 전자기 방사선이 전파하는 매체에 따라, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에 의해 캡처 될 스폿 사이즈가 다를 수 있다. 따라서, 입구 단부(104)는 전자기 방사선의 제2파장의 절반보다 더 큰 사이즈를 가져야 하고, 제2파장은 전자기 방사선이 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에 도달하기 전에 전자기 방사선이 전파하는 매체에 의해 정의된다. 전형적으로, 전자기 방사선 퍼널 요소들(102)의 입구 단부(104)에 도달하기 전에 약 1의 굴절률을 가지는 공기 중에서 전파할 수 있다. 그러나, 일 실시 예에 따르면, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)는, 전자기 방사선이 전파하는 매체의 서로 다른 굴절률을 제공하고 퍼널 요소(102)의 입구 단부에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선을 여전히 캡처하면서 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)가 더 작아지는 것을 허용하도록, 물 또는 침유(immersion oil)과 같은 다른 매체에 침지될 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)는 렌즈 및 물체 사이의 거리 범위에 대응하는 전자기 방사선을 캡처할 수 있다. 도 1에 도시된 실시 예에서, 렌즈는 6mm의 초점 거리를 가지고, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)는 렌즈의 초점 면 3.6 μm 아래, 즉, 렌즈로부터 6.0036mm 거리에 배열된다. 퍼널 요소(102)는 렌즈로부터 약 9 내지 11.5mdml 거리로부터 전자기 방사선을 캡처하도록 구성되는 반면, 서로 다른 거리로부터 전자기 방사선에 대해 컴포넌트(100)은 광학적으로 투명하다. 위에 표시된 전자기 방사선이 캡처되는 거리 범위는 녹색 광(550nm 파장)에 적용된다. 범위는 적색 광에 대해 9.3 - 11.2m, 청색광에 대해 8.3 - 11.9m와 같이, 서로 다른 파장들에 대해 약간 다를 수 있지만, 전자기 방사선은 여전히 서로 다른 파장들에 대해 대략 동일한 거리 범위에서 캡처 될 것이다.

입구 단부(104) 및 출구 단부(106)의 사이즈는 퍼널 요소(102)의 대향하는 측벽들 사이의 입구 단부(106) 및 출구 단부의 최대 치수로 해석되어야 한다. 따라서, 입구 단부104) 및 출구 단부(106)의 사이즈는 정사각형-형태의 변(side)에 대응할 수 있거나 또는 원 형태의 직경에 대응할 수 있다.

퍼널 요소(102)는 입구 단부(104) 및 출구 단부(106)에 직교하는 선 주위에서 대칭이 되도록 테이퍼질 수 있다. 예를 들어, 퍼널 요소(102)가 정사각형 단면을 가지는 경우, 모든 측벽들은 입구 단부(104) 및 출구 단부(106) 사이에서 동일하게 각을 이룰 수 있다.

퍼널 요소(102)는, 입구 단부(104) 및 출구 단부(106) 사이의 사이즈 차이와 비교하여 입구 단부(104) 및 출구 단부(106) 사이의 상대적으로 긴 거리를 가짐으로써, 상대적으로 완만하게 테이퍼링 될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 표시된 바와 같이, 퍼널 요소의 측벽 및 중간 웨이브가이드의 단면 사이의 각도는 대략 85°일 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 컴포넌트(100)은 두개의 섹션들을 포함할 수 있고, 퍼널 요소(102)는 본 문서에서 웨이브가이드(108)라고 불리는, 제2섹션으로 변이(transitioning)한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이브가이드(108)는 일정한 단면을 가질 수 있는 반면, 퍼널 요소(102)는 테이퍼진 단면을 가질 수 있다. 컴포넌트(100)의 두 섹션들은 단면의 사이즈 변화율이 웨이브가이드(108)보다 퍼널 요소(102)에서 더 크다는 점에서 다를 수 있다. 그러나, 웨이브가이드(108)는 테이퍼진 단면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 퍼널 요소(102)는 완만한 테이퍼링을 갖는 웨이브가이드가 뒤따르는 가파른(steep) 테이퍼링을 가질 수 있다. 이는, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)가 비교적 큰 경우에 특히 유용할 수 있다.

퍼널 요소(102)는 일정한 단면의 사이즈 변화율을 가질 수 있어서, 퍼널 요소(102)는 평면의 측벽들을 포함할 수 있다. 그러나, 특히 급격한 테이퍼링이 사용되는 경우, 퍼널 요소(102)의 측벽들은 단열 테이퍼링을 제공하도록 구성될 수 있다.

컴포넌트(100)는 반드시 두개의 섹션들을 포함할 필요는 없다. 오히려, 컴포넌트(100)은 퍼널 요소(102)만을 포함하여, 퍼널 요소(102)의 출구 단부(106)도 컴포넌트(100)의 출구 단부이고 컴포넌트(100)가 웨이브가이드(108)를 포함하지 않도록 할 수 있다.

컴포넌트(100)는 가이드 된 광이 컴포넌트(100)를 빠져나갈 수 있는 (퍼널 요소(102) 또는 웨이브가이드(108)의) 단부 표면이 감광성 요소(110)에 직접 접촉하도록 감광성 요소(110) 상에 직접적으로 배열될 수 있다. 그러나, 컴포넌트(100)의 단부 표면 및 감광성 요소(110) 사이에 대안적으로 작은 거리가 대안적으로 있을 수 있음이 인식되어야 한다.

컴포넌트(100)는 고 굴절률 재료로 형성될 수 있고 낮은 굴절률 재료로 둘러싸일 수 있다. 따라서, 퍼널 요소(102)는 내부 전반사(total internal reflection)를 사용하여 내부에서 전자기 방사선을 전파하도록 구성될 수 있다.

또한, 고 굴절률 재료는 전자기 방사선의 파장이 공기 중의 전자기 방사선의 파장에 비해 퍼널 요소(102) 내에서 작을 것임을 암시할 수 있다. 이는 퍼널 요소(102)의 출구 단부(106)가 매우 작을 수 있고 전자기 방사선이 공기 중의 전자기 방사선의 파장보다 훨씬 더 작을 수 있는 매우 작은 감광성 요소(110)로 가이드 될 수 있다는 점을 의미한다.

일 실시 예에서, 고 굴절률 재료는 질화 규소(Si₃N₄, silicon nitride)인 반면, 낮은 굴절률 재료는 이산화규소(SiO₂, silicon dioxide)이다. 그러나, 고 굴절률을 제공하는 다른 재료들이 사용될 수 있음이 인식되어야 한다.

이제 도 2를 참조하면, 검출기(200)가 설명될 것이다. 검출기(200)는 도 1을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 컴포넌트(100) 내의 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)를 포함한다. 검출기(200)는 감광성 요소들(110)의 어레이(204)를 더 포함하고, 각각의 퍼널 요소(102)는 어레이(204)의 감광성 요소(110)에 연관된다.

감광성 요소들(110)의 어레이(204)는 제1평면을 정의할 수 있다. 감광성 요소들(110)의 어레이는 제1평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하도록 구성될 수 있다.

어레이(202)의 퍼널 요소들(102)의 입구 단부들(104)은 제2평면을 추가로 정의할 수 있다. 퍼널 요소들(102)에 의해 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선의 캡처 및, 퍼널 요소(102)의 어레이(202)와 웨이브가이드들(108)의 어레이에 의해 감광성 요소들(110)로 향하는 캡처된 전자기 방사선의 전파 덕분에, 감광성 요소들(110)의 어레이는 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하도록 추가로 구성될 수 있다.

따라서, 검출기(200)는, 감광성 요소들(110)의 어레이(204)에 의해 제공되는 이차원 이미징에 더하여 이미지 정보가 깊이 정보를 제공하는 검출기(200)에 의해 캡처될 수 있도록, 두개의 초점 평면들을 제공할 수 있다. 이는 검출기(200)가 3차원 이미지 정보를 캡처하도록 구성되고, 검출기(200)가 임의의 이동 가능한 부분들 없이 단일 노출에서 감광성 요소들(110)의 단일 어레이(204)를 사용하여 3차원 이미지 정보를 추가로 캡처할 수 있음을 의미한다.

이제 도 3을 참조하면, 실시 예에 따른 감광성 요소(110)가 개시된다. 감광성 요소(110)는 광자들에 광전자적으로(photoelectrically) 반응하도록 구성된 포토액티브 레이어(114)를 포함할 수 있고, 이로써 가이드된 전자기 방사선이 측정 가능한 전기 신호를 형성할 수 있게 한다. 포토액티브 레이어(114)는 예를 들어, 비정질(amorphous) 실리콘, 비정질 게르마늄, 페로브스카이트(perovskite), 유기 재료 또는 양자점(quantum dot)의 레이어일 수 있다.

포토액티브 레이어(114)는, 포토액티브 레이어(114) 및 컴포넌트(100) 사이에 배열되는 광학적으로 투명하고 전기적으로 전도성인 레이어와 같은, 접촉 레이어(112)에 의해 커버될 수 있다. 접촉 레이어(112)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO, indium tin oxide)을 포함할 수 있다.

포토액티브 레이어(114)는, 예를 들어 실리콘 기판(118)과 같이, 가이드된 전자기 방사선에 의해 생성된 전기적 신호를 핸들링 하기 위한 트랜지스터들(transistors) 및 다른 장치들을 포함하는 전공정(front-end-of-line) 기판인, 기판(118) 위에 제공될 수 있다. 또한, 인터커넥트 레이어(116)는 포토액티브 레이어(114) 및 기판(118) 사이에 배열되어 둘 사이에서 신호를 전달할 수 있다. 인터커넥트 레이어(116)는 복수의 전극들을 포함할 수 있고, 이들 각각은 가이드 된 전자기 방사선이 컴포넌트(100)에 의해 포토액티브 레이어(114)로 전달되는 위치들에 대응하는 위치들에서 포토액티브 레이어(114)에 접촉하도록 배열된다. 바람직하게, 전극들은 500nm 이하와 같이, 컴포넌트들(100)에 가능한 가깝게 배열된다.

이제 도 4를 참조하면, 2개의 초점면들을 제공하는 개념이 추가 초점 면들로 확장될 수 있음이 인식되어야 한다. 따라서, 초점이 맞춰지는 전자기 방사선이 추가 어레이의 퍼널 요소들의 입구 단부들에 의해 캡처될 수 있는 추가 평면들을 정의하기 위해 퍼널 요소들의 하나 이상의 추가 어레이들이 있을 수 있다.

도 4에서, 퍼널 요소들(102)의 제2어레이(210), 퍼널 요소들(102)의 제3어레이(212), 및 퍼널 요소들(102)의 제4어레이(214)가 도시된다. 퍼널 요소(102)의 출구 단부(106)로부터 아래의 다른 어레이의 다른 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성될 수 있는, 중간 웨이브가이드들(222)의 어레이들(216, 218, 220)이 더 있을 수 있다.

제2어레이(210), 제3어레이(212) 및 제4어레이(214)의 퍼널 요소들(102)은, 어레이(202)의 퍼널 요소들(102)과 같이, 입구 단부(104) 및 출구 단부(106) 사이에서 테이퍼질 수 있다. 입구 단부(104)는 전자기 방사선의 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가질 수 있는 반면, 출구 단부(106)는 전자기 방사선의 파장의 절반보다 작은 사이즈를 가질 수 있다. 결과적으로, 입구 단부(104)에서 초점이 맞는 전자기 방사선은 퍼널 요소(102)에 의해 캡처되어 내부에서 전파될 수 있다. 그러나, 퍼널 요소(102)는 전자기 방사선의 파장의 약 절반보다 큰 스폿 또는 빔 직경을 갖는 전자기 방사선에 대해 투명하고, 이는 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에서 초점이 맞지 않는 전자기 방사선이 감광성 요소(110)를 향해 영향을 받지 않고 퍼널 요소(102)를 통과할 수 있음을 의미한다.

웨이브가이드들(108)과 유사하게, 중간 웨이브가이드들(222)은 퍼널 요소들(102)에 통합될 수 있고, 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)로부터 아래의 다른 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)로 전자기 방사선을 가이드하기 위한 컴포넌트의 제2섹션을 형성할 수 있다.

퍼널 요소(102)는 테이퍼진 단면을 가질 수 있는 반면, 중간 웨이브가이드(222)는 일정한 단면을 가질 수 있다. 컴포넌트의 두 섹션들은 단면 사이즈의 변화율이 중간 웨이브가이드(22)에서보다 퍼널 요소(102)에서 더 크다는 점에서 다를 수 있다. 그러나, 중간 웨이브가이드(222)는 테이퍼진 단면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 퍼널 요소(102)는 완만하게(gentle) 테이퍼링을 갖는 중간 웨이브가이드(222)가 뒤따르는 급격한 테이퍼링을 가질 수 있다.

이제 도 5를 참조하면, 감광성 요소(110)에 의해 검출되는 강도(intensity)는 도 4에 도시된 바와 같이 감광성 요소들(110)의 어레이(204) 위에 배열된 퍼널 요소들(102)의 제1어레이(202), 제2어레이(210) 및 제3어레이(212)를 가지는 검출기(200)에 대해 서로 다른 거리에서 포커싱되는(being focussed) 광자들과 관련하여 표시되고, 여기서 퍼널 요소(102)와 웨이브가이드(108) 또는 중간 웨이브가이드(222)의 각 구성요소는 2μm의 길이를 가진다. 도 5로부터 명백한 바와 같이, 임의의 제1어레이(202), 제2어레이(210) 또는 제3어레이(212)의 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 감광성 요소(110)에는 강도 피크들이 있다.

또한, 감광성 요소들(110)의 어레이(204)에 의해 검출되는 이미지 정보는 특정 깊이 정보를 추출하기 위해 분석될 수 있다는 점 또한 인식되어야 한다. 예를 들어, 검출기(200)는 특정 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 특정 이미지 정보를 추출하기 위한 필터를 더 포함할 수 있다.

필터는 실리콘 기판(118)에서 구현되는 것과 같이, 하드웨어로 구현될 수 있고, 이는 가이드된 전자기 방사선에 의해 생성된 전기적 신호를 핸들링 하기 위한 트랜지스터들 및 다른 장치들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 필터는, 유도된 전자기 방사선에 의해 생성된 전기적 신호를 수신할 수 있는 프로세싱 유닛을 위한 컴퓨터-실행가능 명령어로서 제공되는 것과 같이, 소프트웨어로 구현될 수 있다.

예를 들어, 필터는 비교적 단순한 고역(high-pass) 필터로 구현될 수 있고, 이는 초점이 맞춰지는 감광성 요소들(110)의 어레이(204)에 의해 캡처된 이미지 영역 및 초점이 맞지 않는 영역 사이의 차이를 검출하도록 구성될 수 있다.

예시적인 실시 예에 따르면, 6mm의 초점 거리를 갖는 소형 카메라는 렌즈의 초점 면 아래에 배열된 6.6μm에 위치된 감광성 요소들의 어레이(204)와 사용된다. 기본적인 얇은 렌즈 방정식은 물체들의 거리(깊이) 및 이 물체의 선명한 이미지 표현 사이에 다음과 같은 관계를 제공한다.

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 6.00 μm, 물체의 깊이: 59.79m

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 5.00 μm, 물체의 깊이: 22.48m

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 4.00 μm, 물체의 깊이: 13.84m

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 3.00 μm, 물체의 깊이: 10.00m

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 2.00 μm, 물체의 깊이: 7.83m

감광성 요소들의 어레이 위의 선명한 이미지 높이: 1.00 μm, 물체의 깊이: 6.43m

감광성 요소들의 어레이에서 선명한 이미지 높이, 물체의 깊이: 5.46m

따라서, 전자기 방사선을 캡처하기 위한 퍼널 요소들을, 각각 감광성 요소들(110)의 어레이(204)보다 1, 2, 3, 4, 5, 6μm 위에 있는, 6개의 높이에 배치함으로써, 물체들에 대한 매우 다른 거리로부터의 깊이 정보가 검출될 수 있다.

이제 도 6을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 검출기(300)가 설명된다. 도 4에 도시된 검출기(200)와 대조적으로, 검출기(300)는 웨이브가이드들(322)의 제2어레이(316)에 연관되는 퍼널 요소들(102)의 제2어레이(310)를 포함하고, 웨이브가이드들(322)은 퍼널 요소들(102)로부터 감광성 요소(110)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성된다. 따라서, 웨이브가이드들(322)은 제1어레이(202)의 퍼널 요소들(102)의 입구 단부들(104)에 의해 정의되는 제2평면을 지나 연장할 수 있다.

따라서, 제2어레이(316)의 웨이브가이드들(322) 및 제1어레이의 웨이브가이드들(108)은 감광성 요소들(110)의 서로 다른 세트들로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성될 수 있다.

처음에는, 이 실시 예가 깊이 정보를 위해 2차원 이미지 해상도를 교환(trade)하는 것으로 보일 수 있지만, 실제로, 이는 정확한 사실이 아니다. 웨이브가이드들(322)과 웨이브가이드들(108)과 대응하는 감광성 요소들(110)은, 특히 전자기 방사선이 고 굴절률 재료를 통해 가이드 될 수 있기 때문에, 광 파장의 절반보다 훨씬 더 작을 수 있다. 퍼널 요소들(102)의 입구 단부(104)만이 회절 한계보다 클 필요가 있다.

도 6에 도시된 실시 예들은 여러 다른 방식들로 확장될 수 있음이 인식되어야 한다. 예를 들어, 퍼널 요소들(102)의 제1어레이(202) 및 퍼널 요소들(102)의 제2어레이(310) 각각의 위에 중간 웨이브가이드들을 갖는 퍼널 요소들(102)의 어레이들이 추가로 있을 수 있어서, 추가 이미지 평면들에서 초점이 맞는 전자기 방사선이 캡처되고 제1어레이(202) 및 제2어레이(310) 각각의 퍼널 요소들(102)의 입구 단부들(104)로 전달될 수 있다.

대안적으로 또는 추가적으로, 퍼널 요소들(102)로부터 감광성 요소(110)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성된 웨이브가이드들을 갖는 퍼널 요소들(102)의 추가 어레이들이 제공될 수 있다. 따라서, 웨이브가이드들은 제1어레이(202)의 퍼널 요소들(102)의 입구 단부들(104)에 의해 정의되는 제2평면을 지나 연할 수 있어서, 전자기 방사선을 서로 다른 감광성 요소들(110)로 가이드 하기 위한 웨이브가이드들의 여러 평행한 어레이들이 제공될 수 있다.

예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 검출기(400)는 감광성 요소들(110)의 어레이(204) 위에 서로 다른 높이로 각각 배열되는 서로 다른 어레이들(202, 410, 412, 414)의 퍼널 요소들(102)의 입구 단부들(104)을 갖는 퍼널 요소들(102)의 4개의 다른 어레이들(202, 410, 412, 414)를 갖도록 제공될 수 있다. 4개의 서로 다른 어레이들(202, 410, 412, 414)은 2차원 이미지 정보를 깊이 정보와 교환하지 않도록 정사각형 구성으로 배열될 수 있고, 또는 적어도 가능한 높은 2차원 이미지 해상도를 유지할 수 있다.

이제 도 8을 참조하면, 도 7에 도시된 실시 예가 서로 다른 파장 범위의 전자기 방사선의 가이드를 분할하기 위한 가능성으로 확장되는 것이 논의될 것이다. 그러나, 이러한 분할은, 웨이브가이드들(108) 또는 웨이브가이드들(322)과 같이, 퍼널 요소들(102)로부터 감광성 요소(110)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되는 임의의 웨이브가이드를 위해 제공될 수 있음이 인식되어야 한다.

도 8에 도시된 바와 같이, 각각의 웨이브가이드(422)는 퍼널 요소(102)로부터 감광성 요소(110)를 향해 입사된 전자기 방사선을 가이드 하기 위한 제1웨이브가이드 부분(424) 및 제2웨이드가이드 부분(426)을 포함한다.

각각의 제1웨이브 가이드 부분들(424)은, 수직 방향과 같은, 제1방향으로 연장하도록 배열될 수 있고, 검출기(400)에 의해 검출되는 파장 범위 내의 전자기 방사선을 위한 단일-모드 웨이브가이드로도 구성될 수 있다. 아래에서, 스펙트럼의 가시 범위(visible part)에서 파장 범위를 가지는, 가시광선을 위한 검출기와 관련된 예시적인 논의가 이루어진다. 그러나, 예를 들어, 적외선 또는 자외선과 같은 다른 파장 범위들도 가능하다.

각각의 제1웨이브가이드 부분들(424)은 퍼널 요소(102) 및 감광성 요소(!10) 사이에서 연장할 수 있어서, 들어오는 광이 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)로부터 감광성 요소를 향해 안내될 수 있도록 한다.

제1웨이브가이드 부분(424)의 길이 방향 또는 수직 방향을 가로질러 취해진, 제1웨이브가이드 부분(424)의 단면은 웨이브가이드 부분(424)의 전체 길이를 따라 실질적으로 일정할 수 있다. 그러나, 예를 들어, 제1웨이브가이드 부분(424)의 단면이 감광성 요소(110)를 향해 감소되는 테이퍼진 형태와 같은 다른 구성들이 채용될 수 있어서, 웨이브가이드의 측벽 및 웨이브가이드의 단면 사이의 각도가 약 85°와 같이 90°미만일 수 있다는 점이 인식된다. 직선형 측벽들(즉, 일정한 단면) 또는 테이퍼진 측벽들 사이의 선택은 원하는 광학적 전송 특성들에 따라 달라질 수 있고, 이는 차례로 웨이브가이드의 재료 타입, 전자기 방사선의 파장, 및 제2웨이브가이드 부분(426)에 대한 원하는 커플링에 의해 결정될 수 있다.

각각의 제2웨이브가이드 부분들(426)은 제1웨이브가이드 부분(424)에 평행한 제1방향을 따라 연장할 수 있고, 제1웨이브가이드 부분(424)에서 광의 파장 범위의 서브-범위 내의 광을 아웃-커플링 하도록 구성될 수 있다. 본 예에서, 제2웨이브가이드 부분들(426)은 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 광을 커플 아웃하도록 구성될 수 있고, 이들 색상들이 감광성 요소들(110)의 어레이(204)에서 개별적으로 검출되도록 할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 광에 대응하는 서브-범위를 아웃-커플링함으로써, 신호의 대조가 제1웨이브가이드 부분(424) 및 제2웨이브가이드 부분(426)을 통해 전송되는 광 사이에서 달성될 수 있다.

제2웨이브가이드 부분들(426)은 제1웨이브가이드 부분들(424)와 유사하게, 하나 또는 여러 개의 테이퍼진 측벽들 또는 직선형 측벽들에 의해 치수화 될 수 있다. 단면 형태는 아웃-커플링 될 파장에 의해 결정될 수 있다.

제2웨이브가이드 부분들(426)은 제1웨이브가이드 부분들(424)로부터 약간 이격되게 배열될 수 있어서, 웨이브가이드 부분들(424, 426)의 길이 방향을 따라 연장하는 수직 갭에 의해 분리된다. 그러나, 다른 구성들도 가능하며, 여기서 제1 및 제2웨이브가이드 부분들(424, 426)은 서로 접촉하도록 배열되거나 또는 단일형(single piece)으로 형성된다.

제1웨이브가이드 부분(424) 및/또는 제2웨이브가이드 부분(426) 및 퍼널 요소(102)는 웨이브가이드 부분들의 재료보다 낮은 굴절률을 가지는 재료에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸이거나 또는 임베디드(embedded)될 수 있다. 그러한 재료들/주변들의 예들은 앞서 언급한 바와 같이, 이산화규소를 포함할 수 있다.

제1및 및 제2웨이브가이드 부분들(424, 426) 및 퍼널 요소(102)는 예를 들어, 실리콘 질화규소(silicon nitride)와 같은 실리콘을 포함하는 재료로 형성될 수 있다.

커플링 영역, 즉, 제1및 제2웨이브가이드 부분들(424, 426) 사이의 경계면(interface)의 치수에 따라, 서브-범위 내의 광이 제2웨이브가이드 부분(426)으로 커플링 되고 제1및 제2웨이브가이드 부분들(424, 426)의 하단 부분들에 배열된 감광성 요소(110)를 향해 각각 가이드 될 수 있다.

복수의 제2파장 부분들(426)도 사용될 수 있음이 인식되어야 한다. 복수의 제2웨이브가이드 부분들(426), 또는 색상 분할 웨이브가이드들은, 보다 구체적인 파장들을 별도로 검출할 수 있도록 하기 위하여 제1웨이브가이드 부분(424)의 하나 또는 여러 사이드들에 배열될 수 있다. 제2웨이브가이드 부분들(426)을, 광이 이웃하는 제2웨이브가이드 부분들(426) 사이에 커플링 될 수 있게 하는 어레이에 배열함으로써, 복수의 서로 다른 파장 하위 범위들 사이를 구별하는 것이 가능하다.

따라서, 각각의 감광성 요소(110)는 검출기(400)에 의해 검출되는 파장 범위의 특정 서브-범위를 수신하도록 구성될 수 있다. 따라서, 각각의 감광성 요소(110)로부터의 신호는 특정 서브-범위의 전자기 방사선의 강도를 나타낼 수 있다.

이제 도 9를 참조하면, 앞서 설명된 실시 예들 중 어느 하나에 따른 검출기가 이미지 센서(500)에 통합될 수 있다. 따라서, 이미지 센서(500)는 입사된 전자기 방사선을 퍼널 요소들(102)의 어레이(202) 및 감광성 요소들(110)의 어레이(204)를 향해 초점을 맞추기 위한 렌즈(226)가 제공되는 검출기(200)를 포함할 수 있다.

이미지 센서(500)는 검출기(200)에 의해 수신되는 전자기 방사선을 제어하거나 또는 가이드하기 위한 추가적인 광학 시스템을 더 포함할 수 있다.

앞서 논의된 바와 같이, 감광성 요소들(110)의 어레이(204)는 적어도 두개의 이미지 평면들에서 이미지 정보를 캡처하도록 구성될 수 있다. 이미지 센서(500)는 감광성 요소들(110)의 어레이(204)의 감지된 신호를 여러 이미지 평면들로부터의 이미지로 직접적으로 제시하도록 구성될 수 있지만, 대안적으로 특정 이미지 평면의 디스플레이를 위한 감광성 요소들(100)의 어레이(204)에 의해 캡처되는 이미지 정보로부터 특정 이미지 평면에 대응하는 이미지 정보를 추출하도록 구성될 수 있다.

일부 실시 예에서, 감광성 요소들(110)의 어레이(204)에 의해 캡처되는 이미지 정보는 캡처된 이미지 정보의 이미지를 형성할 필요 없이 직접적으로 분석될 수 있다는 점 또한 인식되어야 한다. 예를 들어, 캡처된 이미지 정보는 특정 이미지 평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 특정 깊이에서 물체의 존재를 결정하는데 사용될 수 있다. 이는 물체까지의 거리를 빠르고 정확하게 결정하기 위해 사용될 수 있고, 이는 예를 들어, 자율 주행 응용분야에서 매우 유용한 입력일 수 있다.

이제 도 10을 참조하여, 일 실시 예에 따른 이미지 정보 검출 방법이 설명될 것이다.

방법은 제2평면으로부터 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위해 퍼널 요소들의 어레이에서 전자기 방사선을 캡처하는 단계(602)를 포함한다. 제2평면은 어레이의 퍼널 요소들의 입구 단부들에 의해 정의된다. 각각의 퍼널 요소의 입구 단부는 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위해 전자기 방사선의 파장의 절반보다 큰 사이즈를 가진다.

방법은 감광성 요소들의 어레이에서, 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들의 어레이러부터 캡처되는 전자기 방사선과 제1평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들의 어레이를 통과하는 전자기 방사선을 동시에 검출하는 단계(604)를 더 포함한다.

전자기 방사선은 또한 추가적인 평면(들)에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 감광성 요소들의 어레이를 향해 전파하기 위한 추가 어레이(들)의 퍼널 요소들의 입구 단부들에 의해 정의되는 하나 이상의 추가 평면에서 캡처될 수 있다.

따라서, 상기 방법에 의해, 적어도 제1평면 및 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보가 동시에 검출될 수 있어서, 깊이 정보와 2차원 이미지 정보가 감광성 요소들의 어레이에서 동시에 검출될 수 있다.

상기에서 본 발명의 개념은 제한된 수의 예들을 참조하여 주로 설명되었다. 그러나, 당업자라면 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 발명의 개념의 범위 내에서 앞서 개시된 것 이외에 다른 예들이 동등하게 가능하다.

Claims

제1파장으로부터 제2파장까지의 범위에 걸친 전자기 방사선을 검출하기 위한 검출기로서, 상기 제1파장은 상기 범위에서 가장 짧은 파장이고 상기 제2파장은 상기 범위에서 가장 긴 파장이고, 상기 검출기(200; 300; 400)는,
제2평면으로부터 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)로서, 상기 퍼널 요소들(102) 각각은 입구 단부(104) 및 출구 단부(106)를 포함하고, 상기 퍼널 요소들(102)의 어레이(20)의 상기 입구 단부들(104)은 상기 제2평면을 정의하고, 상기 입구 단부(104)는 상기 전자기 방사선이 상기 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위해 상기 검출기로 들어가는 매체에서 전자기 방사선의 상기 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지고, 상기 출구 단부(106)는 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제1파장의 절반보다 작은 사이즈를 가지는, 상기 퍼널 요소들(102)의 어레이; 및
감광선 요소들(110)의 어레이(102) 상에 입사하는 전자기 방사선을 검출하기 위한 상기 감광선 요소들(110)의 어레이(102)로서, 각각의 퍼널 요소(10)는 상기 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보가 상기 감광선 요소들(110)의 어레이(204)에 의해 검출되도록 감광선 요소(110)에 연관되고, 상기 감광선 요소들(110)의 어레이(204)는 상기 제1평면을 정의하고 상기 제1평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 더 캡처하도록 구성되는, 상기 감광선 요소들(110)의 어레이(102)를 포함하는, 검출기.
제1항에 있어서,
상기 퍼널 요소들(102)은 상기 입구 단부(104)로부터 상기 출구 단부(106)까지 상기 퍼널 요소(102)의 연장부에 평행하지 않은 적어도 하나의 측벽을 가지는, 검출기.
제1항 또는 제2항에 있어서,
웨이브가이드들(108)의 제1어레이를 더 포함하고, 상기 각각의 웨이브가이드(108)는 상기 퍼널 요소(102)의 상기 출구 단부(106)로부터 감광선 요소(110)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되는, 검출기.
제3항에 있어서,
상기 웨이브가이드들은 제1웨이브가이드 부분(424) 및 제2웨이브가이드 부분(426)을 포함하고, 상기 제1웨이브가이드 부분(424)은 파장 범위 내에서 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되고, 상기 제2웨이브가이드 부분(426)은 상기 제1웨이브가이드 부분(424)에 평행하게 연장하고 상기 파장 범위의 서브-범위 내에서 전자기 방사선을 선택적으로 가이드 하도록 구성되고, 상기 제2웨이브가이드 부분(426)은 상기 제1웨이브가이드 부분(424)에 커플링 되고 상기 파장 범위의 상기 서브-범위 내에서 상기 제1웨이브가이드 부분(424)으로부터 전자기 방사선을 아웃-커플링 하도록 구성되는, 검출기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 퍼널 요소들의 어레이는 퍼널 요소들(102)의 제1어레이(202)이고, 상기 검출기(200;300;400)은 제3평면으로부터 상기 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들(102)의 제2어레이(210;310;410)를 더 포함하고, 상기 제2어레이(210;310;410)의 상기 퍼널 요소들(102) 각각은 입구 단부 및 출구 단부를 포함하고, 상기 퍼널 요소들(102)의 상기 제2어레이(210;310;410)의 상기 입구 단부는 상기 제3평면을 정의하고, 상기 입구 단부는 상기 제3평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위한 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지고, 상기 출구 단부는 상기 매체에서 전자기 방사선의 상기 제1파장의 절반보다 작은 사이즈를 가지는, 검출기.
제5항에 있어서,
중간 웨이브가이드들(222)의 어레이(216)를 더 포함하고, 각각의 중간 웨이브가이드(222)는 상기 제2어레이(210)의 퍼널 요소(102)의 출구 단부로부터 상기 제1어레이(202)의 퍼널 요소(102)의 입구 단부로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되는, 검출기.
제5항에 있어서,
웨이브가이드들(322)의 제2어레이(316)를 더 포함하고, 상기 제2어레이(316)의 각각의 웨이브가이드(322)는 상기 제2어레이(310;410)의 퍼널 요소(102)의 출구 단부로부터 감광성 요소(110)로 전자기 방사선을 가이드 하도록 구성되는, 검출기.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
감광성 요소들(110)의 어레이(204)는 서로 다른 평면들에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 캡처하기 위한 감광성 요소들(110)의 서로 다른 세트들을 포함하는, 검출기.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 퍼널 요소들(102)은 고 굴절률 재료에 의해 형성되고 낮은 굴절률 재료에 의해 둘러싸이는, 검출기.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 요소(110)는 포토액티브 레이어(114) 상에 입사하는 전자기 방사선의 양에 대응하는 신호를 생성하기 위한 상기 포토액티브 레이어(114)를 포함하는, 검출기.
제11항에 있어서,
상기 감광성 요소(110)는 상기 포토액티브 레이어(114)로부터 반도체 회로로 상기 신호를 전달하기 위한 인터커넥트 레이어(116)를 더 포함하는, 검출기.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검출기(200;300;400)는 상기 퍼널 요소들(102)의 어레이(202) 및 감광성 요소들(110)의 어레이(204)를 향해 입사하는 전자기 방사선의 초점을 맞추기 위한 단일 렌즈(226)를 포함하는, 검출기.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
특정 평면에 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 추출하기 위한 필터를 더 포함하는, 검출기.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 검출기(200;300;400)를 포함하는 이미지 센서에 있어서, 상기 이미지 센서(500)는,
적어도 두 이미지 평면들에서 이미지 정보를 동시에 캡처하는 것에 기초하여 3차원 이미지 정보를 검출하도록 구성되는, 이미지 센서.
이미지 정보를 검출하는 방법에 있어서,
제1파장에서 제2파장까지의 범위에 걸친 전자기 방사선을 캡처하는 단계(602)로서, 상기 제1파장은 상기 범위에서 가장 짧은 파장이고 상기 제2파장은 상기 파장에서 가장 긴 파장이며, 상기 전자기 방사선은 제2평면에서 제1평면을 향해 전자기 방사선을 전파하기 위한 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)에서 캡처되고, 상기 각각의 퍼널 요소(102)의 입구 단부(104)는 상기 제2평면에서 초점이 맞는 전자기 방사선을 캡처하기 위해 상기 전자기 방사선이 검출기로 들어가는 매체에서 상기 전자기 방사선의 제2파장의 절반보다 큰 사이즈를 가지는, 상기 전자기 방사선을 캡처하는 단계(602);
감광성 요소들(110)의 어레이(204)에서, 상기 제2평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)에 의해 캡처되는 전자기 방사선 및 상기 제1평면에서 초점이 맞춰지는 전자기 방사선에 대응하는 이미지 정보를 검출하기 위해 퍼널 요소들(102)의 어레이(202)를 지나는 전자기 방사선을, 동시에 검출하는 단계(604)를 포함하는, 방법.